JP5394966B2 - 半導体受光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
を囲う領域の一部とは、前記円形状の周縁の外方に形成される環状形状から、前記円形状
の周縁の一又は複数の箇所に、前記円形状の周縁の一箇所と、前記円形状の中心に対して
反対側に位置する前記円形状の周縁の一箇所とを含んでいてもよい。
(7)本発明に係る半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板に積層されるとともに、上面部を有する半導体層と、前記半導体層の前記上面部を覆って形成されるとともに、反射主領域を有する反射膜と、前記反射膜の上面の少なくとも一部を覆って形成される上部電極と、を備え、前記反射膜には、前記反射主領域を囲むようにスルーホールが形成されており、前記反射膜は、前記スルーホールによって囲まれた内側の前記反射主領域と、前記スルーホールの外側の領域とが部分的に繋がる形状であり、前記上部電極と前記半導体層は、前記スルーホールを介して導通していてもよい。
(8)上記(7)に記載の半導体受光素子であって、前記反射主領域は円形状であり、前記スルーホールは、一部が途切れている円環状であり、前記反射膜は、前記スルーホールの前記途切れている一部で、前記スルーホールによって囲まれた内側の前記反射主領域と、前記スルーホールの外側の領域とが部分的に繋がる形状であってもよい。
本発明の第1の実施形態に係る半導体受光素子について説明する。本発明の第1の実施形態に係る半導体受光素子は、裏面入射型アバランシェホトダイオード(Avalanche Photodiode:以下、APDと記す)である。
本発明の第2の実施形態に係る半導体受光素子は、裏面入射型APDであって、当該実施形態に係る裏面入射型APDの基本的な構成は、第1の実施形態に係る裏面入射型APDの構成と同じである。当該実施形態に係る裏面入射型APDは、反射膜211の上面の形状及び上部電極であるp型電極212の接合部の形状が、第1の実施形態に係る裏面入射型APDと異なっている。
本発明の第3の実施形態に係る半導体受光素子は、裏面入射型APDであって、同様に、反射膜211の上面の形状及び上部電極であるp型電極212の接合部の形状が、第1の実施形態に係る裏面入射型APDと異なっている。
本発明の第4の実施形態に係る半導体受光素子は、裏面入射型APDであって、同様に、反射膜211の上面の形状及び上部電極であるp型電極212の接合部の形状が、第1の実施形態に係る裏面入射型APDと異なっている。
Claims (8)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に積層されるとともに、上面部を有する半導体層と、
前記半導体層の前記上面部を覆って形成されるとともに、反射主領域を有する反射膜と、
前記反射膜の上面の少なくとも一部を覆って形成されるとともに、前記反射膜を貫いて延び前記半導体層の前記上面部と接する接合部を有する上部電極と、
を備え、前記半導体基板の前記半導体層側とは反対側から入射する光を検出する半導体受光素子であって、
前記上部電極の前記接合部は、前記反射膜の前記反射主領域の周縁の一部を囲い、前記反射主領域は、前記反射膜のうち、前記接合部の外方に位置する領域と連なっており、
前記接合部が前記反射膜を貫いている領域は、前記上部電極から前記半導体層への電気的な導通をするために前記反射膜に形成されるスルーホールである、
ことを特徴とする、半導体受光素子。 - 前記反射膜の前記反射主領域は、円形状であり、前記上部電極の前記接合部の前記反射主領域の周縁に接する断面は、前記円形状の周縁の外方に形成される環状形状から、前記円形状の周縁の一または複数の箇所から外方に亘る領域を除いた形状である、
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体受光素子。 - 前記接合部の前記断面は、前記円形状の周縁の一又は複数の箇所には、前記円形状の周縁の一箇所と、前記円形状の中心に対して反対側に位置する前記円形状の周縁の一箇所とを含む、
ことを特徴とする、請求項2に記載の半導体受光素子。 - 半導体基板に、上面部を有する半導体層を積層する工程と、
反射主領域を有する反射膜を、前記半導体層の前記上面部を覆って形成する工程と、
前記反射膜の上面にレジストを形成する工程と、
前記レジストのうち、前記反射主領域の周縁を囲う領域の一部の上側に位置する領域を除去する工程と、
前記反射膜のうち、前記反射主領域の周縁を囲う領域の一部の上側に位置する領域を除去することでスルーホールを形成する工程と、
上部電極を、前記反射膜のうち除去された前記領域に形成される接合部を含んで、前記反射膜の上面の少なくとも一部を覆って形成する工程と、
を含む、
前記半導体基板の前記半導体層側とは反対側から入射する光を検出する半導体受光素子の製造方法。 - 前記反射膜の前記反射主領域を、円形状とし、前記反射主領域の周縁を囲う領域の一部とは、前記円形状の周縁の外方に形成させる環形状から、前記円形状の周縁の一又は複数の箇所から外方に亘る領域を除いた形状とする、
ことを特徴とする、請求項4に記載の半導体受光素子の製造方法。 - 前記反射主領域の周縁を囲う領域の一部とは、前記円形状の周縁の外方に形成される環状形状から、前記円形状の周縁の一又は複数の箇所に、前記円形状の周縁の一箇所と、前記円形状の中心に対して反対側に位置する前記円形状の周縁の一箇所とを含む、
ことを特徴とする、請求項5に記載の半導体受光素子の製造方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に積層されるとともに、上面部を有する半導体層と、
前記半導体層の前記上面部を覆って形成されるとともに、反射主領域を有する反射膜と、
前記反射膜の上面の少なくとも一部を覆って形成される上部電極と、を備え、
前記反射膜には、前記反射主領域を囲むようにスルーホールが形成されており、
前記反射膜は、前記スルーホールによって囲まれた内側の前記反射主領域と、前記スルーホールの外側の領域とが部分的に繋がる形状であり、
前記上部電極と前記半導体層は、前記スルーホールを介して導通している、
ことを特徴とする半導体受光素子。 - 請求項7に記載の半導体受光素子であって、
前記反射主領域は円形状であり、
前記スルーホールは、一部が途切れている円環状であり、
前記反射膜は、前記スルーホールの前記途切れている一部で、前記スルーホールによって囲まれた内側の前記反射主領域と、前記スルーホールの外側の領域とが部分的に繋がる形状である、
ことを特徴とする半導体受光素子。
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