KR970054544A - 에벌런치 포토 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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김앙서
신영근
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김주용
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Abstract

본 발명은 정보를 담은 광신호를 수광하는 소자로서 장거리 광통신시스템(2.5Gbps)에 필수적으로 사용되며 광 케이블 TV, ISDN 등에도 사용되는 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체소자인 에벌런치 포토 다이오드에 관한 것으로 에벌런치 포토 다이오드의 증배 영역층을 농도구배를 갖도록 에피성장을 시킴으로써 후속 공정인 확산에 의해 증배영역의 전기장의 세기를 에벌런치가 용이하게 일어나도록 하는 것이다.

Description

에벌런치 포토 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 의해 제조된 SAGM 에벌런치 포토 다이오드를 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 에벌런치 포토 다이오드에 있어서, n+-InP 기판 상부에 n-InP 버퍼층, n--InGaAs 흡수층, n--InGaAsP층이 적층되고, 상기 n--InGaAsP층 상부에 농도 구배를 갖는 증배 영역층이 형성되고, 상기 n-InP 증배영역층 상부에 n--InP 층이 적층되고, 그 상부에 질화막 또는 산화막 패텅이 형성되고, 상기 질화막 또는 산화막 패턴에 의해 노출된 상기 n--InP층으로 Zn이 확산되어 P+-InP층이 형성되고, 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 가장자리의 n--InP층으로 p형 불순물이 확산되어 p형 가드링이 구비되고, 상기 n--InP층의 일정부분에서 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 일정 상부까지 p-메탈 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드.
  2. 상기 제1항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층으로 적층되는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층, 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배역역층으로 적층된 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드.
  4. 에벌런치 포토 다이오드 제조방법에 있어서, n+-InP 기판 상부에 n-InP 버퍼층, n--InGaAs 흡수층, n--InGaAsP층을 적층하는 단계와, 상기 n--InGaAsP층 상부에 농도 구배를 갖는 n-InP증배 영역층을 적층하는 단계와, 상기 n-InP 증배영역층 상부에 n--InP 층을 적층하고, 그 상부에 질화막 또는 산화막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 질화막 또는 산화막 패턴에 의해 노출된 상기 n--InP층으로 Zn이 확산시켜 P+-InP층을 형성하는 단계와, 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 가장자리의 n--InP층으로 p형 불순물을 확산시켜 p형 가드링을 형성하는 단계와, 상기 n--InP층의 일정부분에서 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 일정 상부까지 p-메탈 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층으로 적층되는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층, 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배역역층으로 적층하는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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