KR840006986A - 2-티오펜 아세트산 반도체의 제조방법 - Google Patents

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KR840006986A
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Abstract

내용 없음

Description

2―티오펜 아세트산 반도체의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (23)

  1. 다음 구조식(Alk1)2CO3의 알킬 카보네이트를 감염기의 존재하에 다음 구조식(II)의 에스테르와 반응시켜 다음 구조식(III)의 생성물을 얻고 그것을 감염기의 존재하에 다음 구조식 R―X의 생성물과 반응시켜 다음 구조식(IV)의 생성물을 얻고 구조식(IV)의 생성물을 얻게 됨을 특징으로 하는 다음 구조식(I)의 기대하는 생성물을 얻게 됨을 틍직으로하는 다음 구조식 (I)의 2―디오펜 아세트산의 유도체를 제조하는 방법:
  4. 상기 구조식에서
  5. R은 1내지 4탄소원자의 알킬기를 나타내고 R1, R2및 R3는 같거나 다르며 각각 수소원자, 1내지 4탄소원자의 알킬기 또는 할로겐 원자를 나타내며 Alk1은 1내지 4탄소원자의 알킬기를 나타내고 Alk2는 1내지 4탄소원자의 알킬기를 나타내고 X는 R기의 작용 유도체 또는 작용유도체의 등가물을 나타낸다.
  6. 상기 제1항에 있어 다음 구조식(II′)의 티메닐 아세트산의 에스테르로부터 출발하여 상기한 바와 같이 수행된 방법을 특징으로 하여 다음 구조식(I′)의 생성물을 제조하기 위한 상기의 방법.
  8. 상기 구조식에서
  9. R 및 Alk2는 상기와 같다.
  10. 상기 1 또는 2항에 있어 R이 메틸 또는 에틸기를 나타내는 RX식의 생성물을 제1항에서 기재한 방법과 같이 사용함을 특징으로 하여 R이 메틸 또는 에틸기를 나타내는 2항에 기재한 구조식(I′)의 생성물을 제조하기 위한 방법.
  11. 상기 제1 내지 3항의 하나에 있어 R이 메틸기를 나타내는 RX식의 생성물을 제1항에 기재한 방법으로 사용함을 특징으로 하여 III이 메틸기를 나타내는 2항에 기재한 구조식(I′)의 생성물을 제조하기 위한 방법.
  12. 상기 제1내지 4항의 하나에 있어 제1항에 기재한 방법은 에틸 카보네이트 및 Alk2가 에틸기를 나타내는 구조식(II)의 생성물로부터 출발하여 수행함을 하는 제조방법.
  13. 상기 제1내지 5항의 하기에 있어 사용한 강염기는 에틸레이트 나트륨임을 특징으로 하는 제조방법.
  14. 상기 제1내지 5항의 하나에 있어 RX식의 생성물은 알킬 설페이트임을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 상기 제1내지 7항의 하나에 있어 에틸 카보네이트를 에틸레이트 나트륨의 존재하에 에틸 티에닐―2―아세테이트와 반응시켜 에틸 티에닐―2―말로네이트를 얻고 그것을 메틸설페이트와 반응시켜 에틸티에닐―2―메틸 말로 네이트를 얻고 그다음 수산화 나트륨과 염산과 반응시켜 기대하는 생성물을 얻음을 특징으로 하는 α―메틸―2―티오벤 아세트산의 제조방법.
  16. 신규의 공업적 생성물로서 다음 구조식(IV)의 생성물:
  18. 상기 구조식에서 R, R1, R2, R3, Alk1및 Alk2는 상기 1항에서와 같다.
  19. 상기 제9항에 있어 신규의 공업적 생성물로서 다음 구조식(IV′)의 생성물:
  21. 상기 구조식에서 R, Alk1및 Alk1는 상기 1항에서와 같다.
  22. 상기 제10항에 있어 신규의 공업적 생성물로서 에틸티에닐―2―메틸 말로네이트.
  23. ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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