KR20230025012A - 고급 연마 패드들 및 관련 연마 패드 제조 방법들 - Google Patents
고급 연마 패드들 및 관련 연마 패드 제조 방법들 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230025012A KR20230025012A KR1020237002030A KR20237002030A KR20230025012A KR 20230025012 A KR20230025012 A KR 20230025012A KR 1020237002030 A KR1020237002030 A KR 1020237002030A KR 20237002030 A KR20237002030 A KR 20237002030A KR 20230025012 A KR20230025012 A KR 20230025012A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hole
- zones
- polishing
- layer
- features
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 332
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 202
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 100
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 36
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- 229920001730 Moisture cure polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 163
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 30
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 30
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 7
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- -1 benzoin ethers Chemical class 0.000 description 5
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 3
- JZMPIUODFXBXSC-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCOC(N)=O JZMPIUODFXBXSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- TVXNKQRAZONMHJ-UHFFFAOYSA-M (4-ethenylphenyl)methyl-trimethylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CC1=CC=C(C=C)C=C1 TVXNKQRAZONMHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOC(=O)C=C LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOC(=O)C(C)=C XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 229920003232 aliphatic polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKMJROWWQOJRJX-UHFFFAOYSA-M triphenyl(prop-2-enyl)phosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC=C)C1=CC=CC=C1 FKMJROWWQOJRJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDYWHVQKENANGY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Butyleneglycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)CCOC(=O)C(C)=C VDYWHVQKENANGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDQNWDNMNKSMHI-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-prop-2-enoyloxypropoxy)propoxy]propan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)COC(C)COCC(C)OC(=O)C=C ZDQNWDNMNKSMHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYBFGAFWCBMEDG-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-di(prop-2-enoyl)-1,3,5-triazinan-1-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CN(C(=O)C=C)CN(C(=O)C=C)C1 FYBFGAFWCBMEDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylimidazole Chemical compound C=CN1C=CN=C1 OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical class CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLKHVLRENDBIDB-UHFFFAOYSA-N 2-(butylcarbamoyloxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCNC(=O)OCCOC(=O)C=C FLKHVLRENDBIDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEXQWAAGPPNOQF-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 CEXQWAAGPPNOQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCAIDFOKQCVACE-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethyl-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl]azaniumyl]propane-1-sulfonate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC[N+](C)(C)CCCS([O-])(=O)=O BCAIDFOKQCVACE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CC1CCCCNC1=O MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQMIAEWUVYWVNB-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)CCOC(=O)C=C FQMIAEWUVYWVNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOJWAAUYNWGQAU-UHFFFAOYSA-N 4-(2-methylprop-2-enoyloxy)butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCOC(=O)C(C)=C XOJWAAUYNWGQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 6-(2-methylprop-2-enoyloxy)hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C(C)=C SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 6-fluoro-3-methyl-2h-indazole Chemical compound FC1=CC=C2C(C)=NNC2=C1 JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXPPIEDUBFUSEZ-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCOC(=O)C=C DXPPIEDUBFUSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COCLLEMEIJQBAG-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C(C)=C COCLLEMEIJQBAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C=C LVGFPWDANALGOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012958 Amine synergist Substances 0.000 description 1
- XWUNIDGEMNBBAQ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A ethoxylate diacrylate Chemical compound C=1C=C(OCCOC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OCCOC(=O)C=C)C=C1 XWUNIDGEMNBBAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100024522 Bladder cancer-associated protein Human genes 0.000 description 1
- 101150110835 Blcap gene Proteins 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000028 Gradient copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100493740 Oryza sativa subsp. japonica BC10 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCXXNKZQVOXMEH-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofurfuryl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CCCO1 LCXXNKZQVOXMEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N [(1s,3s,4s)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@@H](OC(=O)C(=C)C)C[C@H]1C2(C)C IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920005605 branched copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diol Chemical compound OC1CCC(O)CC1 VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKAVEYIADGPFAI-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;[4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCC1.OCC1CCC(CO)CC1 SKAVEYIADGPFAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 description 1
- 229940119545 isobornyl methacrylate Drugs 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 1
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005555 metalworking Methods 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N octadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- RZFODFPMOHAYIR-UHFFFAOYSA-N oxepan-2-one;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.O=C1CCCCCO1 RZFODFPMOHAYIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- FSDNTQSJGHSJBG-UHFFFAOYSA-N piperidine-4-carbonitrile Chemical compound N#CC1CCNCC1 FSDNTQSJGHSJBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- QFXCGXNPCMKTJQ-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;1,1,3-trimethylcyclohexane Chemical compound OC(=O)C=C.CC1CCCC(C)(C)C1 QFXCGXNPCMKTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- CJGJYOBXQLCLRG-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-prop-2-enoxypropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)COCC=C CJGJYOBXQLCLRG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MNCGMVDMOKPCSQ-UHFFFAOYSA-M sodium;2-phenylethenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 MNCGMVDMOKPCSQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XFTALRAZSCGSKN-UHFFFAOYSA-M sodium;4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 XFTALRAZSCGSKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- RRHXZLALVWBDKH-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl]azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC(=C)C(=O)OCC[N+](C)(C)C RRHXZLALVWBDKH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
본 명세서의 실시예들은 일반적으로 연마 패드들 및 연마 패드들을 형성하는 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 기판의 표면을 연마하도록 구성된 연마 표면을 갖는 연마 패드가 제공된다. 연마 패드는 연마 층을 포함한다. 연마 층의 적어도 일부는 제1 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들, 및 제1 구멍-피처 밀도와 상이한 제2 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제2 구역들을 특징으로 하는 연마 재료의 연속 상을 포함한다. 복수의 제1 구역들은 복수의 제2 구역들과 나란한 배열로 연마 패드의 X-Y 평면에서 패턴으로 분포되고, 복수의 제1 구역들 중 개별 부분들 또는 제1 구역들은 복수의 제2 구역들 중 개별 부분들 또는 제2 구역들 사이에 개재된다.
Description
[0001]
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 연마 패드(pad)들, 및 연마 패드들을 제조하는 방법들에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 전자 디바이스(device) 제조 프로세스(process)에서 기판의 화학적 기계적 연마(CMP)에 사용되는 연마 패드들에 관한 것이다.
[0002]
화학적 기계적 연마(CMP)는 고밀도 집적 회로들의 제조에 일반적으로 사용되어, 기판 상에 증착된 재료 층을 평탄화하거나 또는 연마한다. 일반적인 CMP 프로세스에서, 연마 패드는 플래튼(platen)에 장착되며, 이 플래튼은 그 중앙의 축을 중심으로 회전되어, 이 동일한 축 주위로 평면에서 패드를 회전시킨다. 기판의 재료 표면은 하나 이상의 화학적 활성 성분들의 수용액 및 이 수용액에 현탁된 연마재 입자들, 즉, CMP 슬러리(slurry)를 포함하는 연마 유체의 존재 하에 연마 패드에 대해 압박된다. 전형적으로, 연마 유체는 기판의 재료 표면과 연마 패드 사이의 계면, 즉, 연마 계면에, 이들 사이의 상대 운동에 의해 전달된다. 예를 들어, 연마 유체는 기판 아래의 연마 패드의 이동에 의해 연마 패드의 표면 상으로 분배되고 연마 계면으로 전달될 수 있다. 종종, 연마 패드는 연마 계면으로의 연마 유체 수송을 용이하게 하는 홈들, 구멍(pore)들, 및 표면 요철들을 갖도록 형성되고 및/또는 컨디셔닝(condition)된다.
[0003]
반도체 디바이스 제조에서 CMP 프로세스의 일반적인 하나의 애플리케이션(application)은 벌크(bulk) 막의 평탄화, 예를 들어 프리메탈(pre-metal) 유전체(PMD) 또는 층간 유전체(ILD) 연마이고, 여기서 하부의 2 차원 또는 3 차원 피처(feature)들은 평탄화될 재료 표면의 표면에 리세스(recess)들 및 돌출부들을 생성한다. 반도체 디바이스 제조에서 CMP 프로세스들의 다른 일반적인 애플리케이션들은 STI(shallow trench isolation) 및 층간 금속 인터커넥트(interconnect) 형성을 포함하고, 여기서 CMP 프로세스는 내부에 배치된 STI 또는 금속 인터커넥트 피처들을 갖는 재료 층의 노출된 표면(필드(field))으로부터 비아(via), 콘택트(contact) 또는 트렌치(trench) 충전 재료(오버버든(overburden))를 제거하기 위해 사용된다.
[0004]
연마 패드들은 전형적으로 특정 CMP 애플리케이션을 위한 연마 패드의 성능의 적합성에 기초하여 선택된다. 예를 들어, 금속 인터커넥트 CMP 애플리케이션에서, 불량한 국부적 평탄화로 인한 금속 손실은 금속 피처들의 유효 저항에 바람직하지 않은 변동을 야기하여, 이에 따라 디바이스 성능 및 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 연마 패드는 다른 연마 패드들과 비교할 때 그의 우수한 국부화된 평탄화 성능을 기초로 하여 금속 인터커넥트 CMP 애플리케이션을 위해 선택될 수 있다. 일반적으로, 상대적으로 더 경질의 재료들로 형성되고 및/또는 상대적으로 낮은 다공도를 갖는 연마 패드들은 더 연질이고 및/또는 더 다공성인 재료들로 형성된 연마 패드들과 비교할 때 우수한 국부적 평탄화 성능을 제공한다.
[0005]
불행하게도, 더 경질의 및/또는 다공도가 낮은 재료들로 형성된 연마 패드들은 또한 더 연질이고 및/또는 더 다공성인 연마 패드들과 비교할 때, 기판 표면의 바람직하지 않은 스크래치(scratch)들과 같은 증가된 결함과 연관된다. 다른 유형들의 결함, 예를 들어, 입자들과 달리, 스크래치들은 기판 표면에 영구적인 손상을 일으키며, 후속 세정 프로세스에서 제거될 수 없다. 예를 들어, 금속 인터커넥트들의 다수의 라인(line)들을 가로질러 연장되는 가벼운 스크래치조차도 평탄화되는 재료 층을 가로질러 내부에 배치된 금속 이온들의 트레이스(trace)들을 오염시킬 수 있고, 이로써 생성된 반도체 디바이스에서 누설 전류 및 시간-의존적 유전체 파괴를 유도하여, 이에 따라 생성된 디바이스의 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다. 더 심한 스크래치들은 인접한 금속 라인들이 바람직하지 않게 뒤틀리고 서로 브리징(bridge)되게 할 수 있고 및/또는 기판 표면에 중단들 및 누락된 패턴(pattern)들을 야기하여, 바람직하지 않게 단락들을 초래할 수 있으며, 궁극적으로, 이에 따라 디바이스 고장은 기판 상에 형성된 사용 가능한 디바이스들의 수율을 억제한다. 불량한 국부적 평탄화 성능 및 스크래치 유발 결함은 모두, 회로 밀도들이 증가하고 그 치수들이 서브미크론 스케일(sub-micron scale)로 감소됨에 따라, 점차 문제가 된다.
[0006]
따라서, 위에서 설명된 문제점들을 동시에 해결할 수 있는 연마 패드들 및 연마 패드들을 제조하는 방법들에 대한 당업계의 필요성이 존재한다.
[0007]
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 화학 기계적 연마(CMP) 프로세스에 사용될 수 있는 연마 패드들, 및 연마 패드들을 제조하는 방법들에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 명세서의 실시예들은 연마 패드 표면을 가로질러 상대적으로 높은 그리고 낮은 다공도의 불연속적인 교번하는 구역들을 정의하기 위해 선택적으로 배열된 구멍-피처들을 갖는 연마 패드들 및 연마 패드들을 형성하는 적층 제조 방법들을 제공한다.
[0008]
일 실시예에서, 기판을 연마하도록 구성된 연마 표면을 갖는 연마 패드가 제공된다. 연마 패드는 연마 층을 포함한다. 연마 층의 적어도 일부는 제1 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들, 및 제1 구멍-피처 밀도와 상이한 제2 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제2 구역들을 특징으로 하는 연마 재료의 연속 상을 포함한다. 여기서, 복수의 제1 구역들은 복수의 제2 구역들과 나란한 배열로 연마 패드의 X-Y 평면에서 패턴으로 분포되고, 복수의 제1 구역들 중 개별 부분들 또는 제1 구역들은 복수의 제2 구역들 중 개별 부분들 또는 제2 구역들 사이에 개재된다. 여기서, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도들은 X-Y 평면에서 개개의 제1 및 제2 구역들의 총 면적의 백분율로서 복수의 구멍-피처들의 누적 면적을 포함한다. 복수의 구멍-피처들은 연마 층의 표면에 정의된 개구들, 표면 아래에서 연마 재료에 형성되는 보이드(void)들, 수용성 희생 재료를 포함하는 구멍 형성 피처들, 또는 이들의 조합들을 포함한다. X-Y 평면은 연마 패드의 연마 표면과 평행하고, 복수의 제2 구역들 중 개별 부분들 또는 제2 구역들 사이에 개재된 복수의 제1 구역들 중 개별 부분들 또는 제1 구역들은 약 100 ㎛와 같거나 또는 이보다 큰 제1 반경을 갖는 X-Y 평면에서의 제1 원에 의해 정의되는 적어도 연속 영역을 포함한다.
[0009]
다른 실시예에서, 연마 패드는 기초 층(foundation layer) 및 기초 층 상에 배치된 연마 층을 특징으로 한다. 연마 층은 기초 층과 일체로 형성되어, 그들 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 폴리머(polymer) 재료의 연속 상을 제공한다. 여기서, 연마 층은 제1 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들 및 약 2 % 이상의 제2 구멍-피처 밀도를 제공하기 위해 복수의 구멍-피처들을 포함하는 복수의 제2 구역들을 특징으로 한다. 이 실시예에서, 제1 구역들의 적어도 일부들은 제2 구역들의 적어도 일부들에 의해 연마 패드의 X-Y 평면에서 서로 이격되고, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도들은 X-Y 평면에서 개개의 제1 및 제2 구역들의 총 면적의 백분율로서 복수의 구멍-피처들의 누적 면적을 포함하고, 복수의 구멍-피처들은 연마 층의 표면에 정의된 개구들, 표면 아래에서 연마 재료에 형성되는 보이드들, 수용성 희생 재료를 포함하는 구멍 형성 피처들, 또는 이들의 조합들을 포함하고, 제1 구멍-피처 밀도는 제2 구멍-피처 밀도의 약 1/2 이하이고, 복수의 제2 구역들에서 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들은 X-Y 평면에서 측정된 구멍의 직경의 약 1/2 이하인 Z-방향의 높이를 갖는다. 여기서, X-Y 평면은 연마 패드의 연마 표면과 평행하고, Z-방향은 X-Y 평면에 직교하고, 복수의 제1 및 제2 구역들은 그들 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 폴리머 재료의 연속 상을 형성한다.
[0010]
다른 실시예에서, 연마 패드를 형성하는 방법이 제공된다. 이 실시예에서, 이 방법은 제1 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들 및 제2 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제2 구역들을 특징으로 하는 연마 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 복수의 제1 구역들은 연마 층의 연마 표면에 평행한 X-Y 평면을 가로질러 패턴으로 분포되고, 복수의 제2 구역들과 나란한 배열로 배치된다. 제1 및 제2 구멍-피처 밀도들은 X-Y 평면에서 개개의 제1 및 제2 구역들의 총 면적의 백분율로서 면적 보이드-공간을 포함하고, 제2 구멍-피처 밀도는 약 2 % 이상이고, 제1 구멍-피처 밀도는 제2 구멍-피처 밀도의 약 1/2 이하이다. 연마 층을 형성하는 단계는 전형적으로 하나 이상의 이웃하는 제1 인쇄 층들을 형성하는 단계 및 하나 이상의 이웃하는 제1 인쇄 층들의 표면 상에 하나 이상의 이웃하는 제2 인쇄 층들을 형성하는 단계의 순차적인 반복들을 포함한다. 여기서, 제1 인쇄 층을 형성하는 단계는 하나 이상의 프리폴리머(pre-polymer) 조성물들의 액적들 및 희생 재료 조성물의 액적들을 이전에 형성된 인쇄 층의 표면 상으로 분배하고, 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시키는 단계를 포함한다. 제2 인쇄 층을 형성하는 단계는 이전에 형성된 인쇄 층의 표면 상으로 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들을 분배하고, 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시키는 단계를 포함한다. 여기서, 희생 재료 조성물의 액적들은 제2 구역들에 복수의 구멍-피처들을 형성하기 위해 제1 패턴에 따라 분배된다. 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들의 높이는 하나 이상의 이웃하는 제1 인쇄 층들의 두께에 의해 결정된다. 제2 인쇄 층들을 형성하기 위해 사용되는 액적들은 폴리머 재료의 층을 형성하기 위해 제2 패턴에 따라 분배된다. 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들은 폴리머 재료의 층에 의해 Z-방향으로 이격된다. Z-방향에서 개별 구멍-피처들의 간격은 그들 사이에 배치된 하나 이상의 이웃하는 제2 인쇄 층들의 두께에 의해 결정된다.
[0011]
본 개시내용의 위에 인용된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이라는 점에 유의해야 한다.
[0012] 도 1a는 종래의 연마 패드를 사용하는 화학적 기계적 연마(CMP) 프로세스에 후속하는 기판의 부분의 국부적 평탄화를 예시하는 개략적인 단면도이다.
[0013] 도 1b는 상대적으로 다공성인 연마 패드와 이에 대해 압박되는 기판의 연마 계면의 개략적인 단면도이다.
[0014] 도 1c는 비-다공성 연마 패드와 이에 대해 압박되는 기판의 연마 계면의 개략적인 단면도이다.
[0015] 도 2는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 패드를 사용하도록 구성된 예시적인 연마 시스템의 개략적인 측면도이다.
[0016] 도 3a는 일 실시예에 따른, 공간적으로 배열된 구멍-피처 밀도 구역들을 특징으로 하는 연마 패드의 개략적인 사시 단면도이다.
[0017] 도 3b는 도 3a의 부분의 확대도이다.
[0018] 도 3c는 도 3a에 설명된 연마 패드의 부분에 대한 확대 평면도이다.
[0019] 도 3d는 라인(3D-3D)을 따라 취한, 도 3c의 부분의 단면도이다.
[0020] 도 3e는 일 실시예에 따른, 연마 표면에서 구멍-피처 밀도 구역들의 대안적인 공간 배열의 개략적인 평면도이다.
[0021] 도 4a는 다른 실시예에 따른, 공간적으로 배열된 구멍-피처 밀도 구역들을 특징으로 하는 연마 패드의 개략적인 사시도이다.
[0022] 도 4b는 도 4a의 부분의 확대도이다.
[0023] 도 4c는 라인(4C-4C)을 따라 취한, 도 4b의 부분의 단면도이다.
[0024] 도 5a는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 표면의 부분에 대한 개략적인 평면도이다.
[0025] 도 5b는 라인(5B-5B)을 따라 취한 도 5a의 개략적인 단면도이다.
[0026] 도 5c는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 표면의 부분에 대한 개략적인 평면도이다.
[0027] 도 5d는 라인(5C-5C)을 따라 취한 도 5c의 개략 단면도이다.
[0028] 도 6a 내지 도 6f는 도 3a 및 도 4a에 도시된 연마 요소 설계들 대신에 사용될 수 있는 다양한 연마 요소 설계들의 개략적인 평면도들이다.
[0029] 도 7a는 본 명세서에 설명된 연마 패드들을 형성하기 위해 사용될 수 있는 일 실시예에 따른 적층 제조 시스템의 개략적인 측면도이다.
[0030] 도 7b는 일 실시예에 따른, 이전에 형성된 인쇄 층의 표면 상에 배치된 액적을 개략적으로 예시하는 확대 단면도이다.
[0031] 도 8a 및 도 8b는 본 명세서에 설명된 하나 이상의 실시예들에 따라 연마 패드의 인쇄 층을 형성하기 위해 적층 제조 시스템에 의해 사용될 수 있는 액적 분배 명령들을 개략적으로 예시한다.
[0032] 도 9a는 도 3a의 연마 패드를 형성하기 위해 사용될 수 있는 일 실시예에 따른 CAD 양립 가능 인쇄 명령들의 부분을 도시한다.
[0033] 도 9b는 도 9a의 부분의 확대도이다.
[0034] 도 10은 적층 제조 시스템을 사용하여 연마 패드를 형성하는 일 실시예에 따른 방법을 설명하는 흐름도이다.
[0035] 도 11은 균일한 다공도를 갖도록 형성된 연마 패드들과, 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 패드들 사이의 평면성-결함 곡선들을 비교하는 그래프이다.
[0036] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 하나의 구현의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 구현들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0012] 도 1a는 종래의 연마 패드를 사용하는 화학적 기계적 연마(CMP) 프로세스에 후속하는 기판의 부분의 국부적 평탄화를 예시하는 개략적인 단면도이다.
[0013] 도 1b는 상대적으로 다공성인 연마 패드와 이에 대해 압박되는 기판의 연마 계면의 개략적인 단면도이다.
[0014] 도 1c는 비-다공성 연마 패드와 이에 대해 압박되는 기판의 연마 계면의 개략적인 단면도이다.
[0015] 도 2는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 패드를 사용하도록 구성된 예시적인 연마 시스템의 개략적인 측면도이다.
[0016] 도 3a는 일 실시예에 따른, 공간적으로 배열된 구멍-피처 밀도 구역들을 특징으로 하는 연마 패드의 개략적인 사시 단면도이다.
[0017] 도 3b는 도 3a의 부분의 확대도이다.
[0018] 도 3c는 도 3a에 설명된 연마 패드의 부분에 대한 확대 평면도이다.
[0019] 도 3d는 라인(3D-3D)을 따라 취한, 도 3c의 부분의 단면도이다.
[0020] 도 3e는 일 실시예에 따른, 연마 표면에서 구멍-피처 밀도 구역들의 대안적인 공간 배열의 개략적인 평면도이다.
[0021] 도 4a는 다른 실시예에 따른, 공간적으로 배열된 구멍-피처 밀도 구역들을 특징으로 하는 연마 패드의 개략적인 사시도이다.
[0022] 도 4b는 도 4a의 부분의 확대도이다.
[0023] 도 4c는 라인(4C-4C)을 따라 취한, 도 4b의 부분의 단면도이다.
[0024] 도 5a는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 표면의 부분에 대한 개략적인 평면도이다.
[0025] 도 5b는 라인(5B-5B)을 따라 취한 도 5a의 개략적인 단면도이다.
[0026] 도 5c는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 표면의 부분에 대한 개략적인 평면도이다.
[0027] 도 5d는 라인(5C-5C)을 따라 취한 도 5c의 개략 단면도이다.
[0028] 도 6a 내지 도 6f는 도 3a 및 도 4a에 도시된 연마 요소 설계들 대신에 사용될 수 있는 다양한 연마 요소 설계들의 개략적인 평면도들이다.
[0029] 도 7a는 본 명세서에 설명된 연마 패드들을 형성하기 위해 사용될 수 있는 일 실시예에 따른 적층 제조 시스템의 개략적인 측면도이다.
[0030] 도 7b는 일 실시예에 따른, 이전에 형성된 인쇄 층의 표면 상에 배치된 액적을 개략적으로 예시하는 확대 단면도이다.
[0031] 도 8a 및 도 8b는 본 명세서에 설명된 하나 이상의 실시예들에 따라 연마 패드의 인쇄 층을 형성하기 위해 적층 제조 시스템에 의해 사용될 수 있는 액적 분배 명령들을 개략적으로 예시한다.
[0032] 도 9a는 도 3a의 연마 패드를 형성하기 위해 사용될 수 있는 일 실시예에 따른 CAD 양립 가능 인쇄 명령들의 부분을 도시한다.
[0033] 도 9b는 도 9a의 부분의 확대도이다.
[0034] 도 10은 적층 제조 시스템을 사용하여 연마 패드를 형성하는 일 실시예에 따른 방법을 설명하는 흐름도이다.
[0035] 도 11은 균일한 다공도를 갖도록 형성된 연마 패드들과, 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 패드들 사이의 평면성-결함 곡선들을 비교하는 그래프이다.
[0036] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 하나의 구현의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 구현들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0037]
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 화학적 기계적 연마(CMP) 프로세스에 사용될 수 있는 연마 패드들, 및 연마 패드들을 제조하는 방법들에 관한 것이다. 특히, 본 명세서에 설명된 연마 패드들은 공간적으로 배열된, 즉, 이격된, 비교적 낮은 그리고 비교적 높은 구멍-피처 밀도의 마이크로-구역들을 특징으로 하며, 이들은 함께 연마 패드 재료의 연속 폴리머 상(polymer phase)을 형성한다.
[0038]
전형적으로 상대적으로 더 연질의 재료들로 형성되고 및/또는 일반적으로 균일한 다공도를 갖는 종래의 연마 패드들과 연관된 바람직하지 않게 불량한 국부적 평탄화 성능이 도 1a에 개략적으로 예시되어 있다. 상대적으로 높은 다공도를 갖는 연마 패드와 기판 사이의 연마 계면의 부분이 도 1b에 개략적으로 예시되어 있다. 비교적 경질의 비-다공성 재료로 형성된 연마 패드와 기판 사이의 연마 계면의 부분이 도 1c에 개략적으로 예시되어 있다.
[0039]
도 1a는 필드, 즉, 기판(100)의 상부 또는 외부 표면으로부터 금속 충전 재료의 오버버든을 제거하기 위한 CMP 프로세스 후에, 불량한 국부적 평탄화, 예를 들어, 거리(e)로의 침식 및 거리(d)로의 디싱(dishing)을 예시하는 개략적인 단면도이다. 여기서, 기판(100)은 유전체 층(102), 유전체 층(102)에 형성된 제1 금속 인터커넥트 피처(104), 및 유전체 층(102)에 형성된 복수의 제2 금속 인터커넥트 피처들(106)을 특징으로 한다. 복수의 제2 금속 인터커넥트 피처들(106)은 비교적 높은 피처 밀도의 구역(107)을 형성하도록 밀접하게 배열된다. 전형적으로, 금속 인터커넥트 피처들(104, 106)은 유전체 층(102) 상으로 그리고 내부에 형성된 대응하는 개구들 내로 금속 충전 재료를 증착함으로써 형성된다. 기판(100)의 재료 표면은 그 후 유전체 층(102)의 필드 표면(110)으로부터 충진 재료의 오버버든을 제거하기 위해 CMP 프로세스를 사용하여 평탄화된다. CMP 프로세스를 위해 선택된 연마 패드가 상대적으로 열악한 국부적 평탄화 성능을 제공하는 경우, 금속 인터커넥트 피처(104)의 생성된 상부 표면은 유전체 층(102)의 주변 표면들로부터 거리(d)만큼 리세스될 수 있으며, 이는 달리 디싱으로 알려져 있다. 열악한 국부적 평탄화 성능은 또한 높은 피처 밀도 구역(108)에서, 예를 들어 거리(e)만큼의 유전체 층(102)의 원치 않는 리세싱을 초래할 수 있고, 여기서 구역(108)의 유전체 층(102)의 상부 표면들은 필드 표면(110)의 평면으로부터 리세싱되며, 이는 달리 침식으로 알려져 있다. 디싱 및/또는 침식으로 인한 금속 손실은 이로부터 형성된 금속 인터커넥트 피처들(104, 106)의 유효 저항에 바람직하지 않은 변동을 야기하여, 이에 따라 디바이스 성능 및 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다.
[0040]
도 1b는 상대적으로 높은 다공도, 예를 들어 구멍들(118)을 갖는 연마 패드(116A)와 기판(100) 사이의 연마 계면(101)의 개략적인 단면도이다. 전형적으로, 연마 패드(116A)의 표면 바로 아래에 형성된 구멍들(118)은 연마 패드 컨디셔닝 프로세스 동안, 예를 들어 연마재 컨디셔닝 디스크(disk)를 이에 대해 압박함으로써 노출되거나 또는 개방된다. 연마 패드(116A)의 표면에 노출된 구멍들(118) 및 그들 사이에 형성된 결과적인 요철들(119A)(예를 들어, 표면 거칠기)은 연마 계면으로의 연마 유체 수송을 용이하게 한다. 여기서, 연마 유체는 그 안에 현탁된 연마재 입자들(114)을 포함한다. 연마 패드(116A)의 표면에 있는 요철들(119A)은 기판 표면에 대해 연마재 입자들(114)을 일시적으로 고정하여(연마재 포획) 이로부터 화학적 및 기계적 재료 제거를 가능하게 한다.
[0041]
종래의 연마 패드 제조 프로세스에서, 구멍들은 발포된 프리폴리머 조성물을 개별 연마 패드들 내로, 또는 폴리머 케이크(cake) 내로 성형하여 경화시키거나 또는 이로부터 개별 연마 패드들을 가공, 예를 들어 스카이빙(skiving)하기 전에 프리폴리머 조성물을 발포제와 블렌딩(blend)함으로써 연마 패드의 연마 재료 내로 도입된다. 생성된 구멍들(118)은 패드 재료 전체에 분포되고, 따라서 예를 들어 그의 압축성 및 변형성과 같은 벌크 컴플라이언스(bulk compliance)를 증가시킨다. 패드 요철들(119A)은 연마 패드의 벌크 재료와 기판 표면 사이에 배치되고, 기판이 그에 대해 압박될 때 개별 스프링들, 예를 들어 부하 분산 지점들로서 작용한다.
[0042]
도 1c는 기판(100)과 연마 패드(116B) 사이의 연마 계면(103)의 개략적 단면도이다. 여기서, 연마 패드(116B)는 연마 패드(116A)와 동일한 재료로 형성되지만, 그러나 일반적으로 비-다공성이다. 구멍들(118)이 없다면, 연마 패드(116B)의 벌크 재료는 연마 패드(116A)의 것보다 유연성이 낮고, 그 위에 형성된 표면 요철들(119B)은 더 적을 수 있고 일반적으로 더 작다. 그 결과, 표면 요철들(119B) 각각에 대한 점 하중은 패드와 기판 사이의 동일한 상대적인 힘에 대해 연마 패드(116A)의 개별 요철들(119A)에 대한 점 하중보다 더 크다.
[0043]
이론에 얽매이도록 의도되지 않고, 상대적으로 높은 다공도 및 이와 연관된 증가된 표면 요철들을 갖는 연마 패드들은, 동일한 폴리머 재료로 형성되고 더 낮은 다공도를 갖는 연마 패드들보다 더 높은 요철-기판 접촉 면적을 제공하는 것으로 믿어진다. 유사하게, 연마 패드의 표면과 기판의 재료 표면 사이의 접촉 면적은 그에 대항하여 압박되는 기판의 힘에 의해 변형되는 더 유연한 재료로 인해 비교적 더 연질의 연마 재료들에 대해 증가하는 것으로 믿어진다. 접촉 면적의 증가는 바람직하게는 유연성이 낮은 패드에 비해 주어진 힘에 대한 접촉 표면적을 증가시킴으로써 기판의 재료 표면과 연마 패드의 개별 요철들 사이 및/또는 그들 사이의 연마 계면에 개재된 연마재 입자들 사이의 접촉 압력을 감소시켜, 개별 요철들 및 그 안에 포획된 연마재 입자들의 점 하중을 감소시킨다. 연마 패드 요철들 및 그 안에 포획된 개별 연마재 입자들에 대한 감소된 점 하중은 기판에 대한 표면 손상, 예를 들어 이로부터 발생할 수 있는 스크래치들의 발생들의 수 및/또는 깊이를 감소시킨다.
[0044]
불행하게도, 더 낮은 결함을 제공하도록 선택된 연마 패드들은 또한 도 1a에 설명된 침식 및 디싱과 같은 열악한 국부적 평탄화 성능과 연관된다. 이론에 얽매이도록 의도되지 않고, 더 연질이고 및/또는 더 다공성인 연마 패드의 상대적으로 열악한 국부적 평탄화 성능은, 적어도 부분적으로, 더 유연한 벌크 연마 패드 재료, 및 그 위에 배치된 요철들이 기판 표면의 리세스된 구역들 내로 그리고 이에 따라 그들이 속한 층의 재료보다 상대적으로 더 연질이고 주변 필드 표면보다 더 연질인 내부의 재료 내로 변형될 수 있는 것에 기인하는 것으로 믿어진다. 따라서, 전형적으로 비교적 더 낮은 벌크 재료 컴플라이언스를 갖는 상대적으로 더 경질의 재료로 형성되고 상대적으로 낮은 다공도를 갖는 연마 패드는 일반적으로, 더 연질이고 및/또는 더 다공성인 재료들로 형성된 연마 패드들과 비교할 때 우수한 국부적 평탄화 성능을 제공하지만, 그러나 평탄화되는 표면을 스크래칭할 가능성이 더 높다.
[0045]
유리하게는, 본 명세서에 설명된 실시예들에서 상이한 구멍-피처 밀도 구역들의 공간적으로 배열된 마이크로-구역들은 연마 표면을 형성하는 재료를 가로질러 상대적으로 균일한 다공도를 갖는 연마 패드들과 비교할 때 우수한 국부적 평탄화 성능 및 개선된 표면 마감을 모두 제공한다.
[0046]
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 반도체 디바이스 제조에 사용되는 화학적 기계적 연마(CMP) 패드들에 관한 것이지만, 연마 패드들 및 그의 제조 방법들은 또한 화학적 활성 및 화학적 비활성 연마 유체들 및/또는 연마재 입자들이 없는 연마 유체들 둘 모두를 사용하는 다른 연마 프로세스들에도 적용 가능하다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시예들은, 단독으로 또는 조합하여, 적어도 다음 산업들에서 사용될 수 있다: 무엇보다도, 항공우주, 세라믹스, 하드 디스크 드라이브(HDD), MEMS 및 나노 기술, 금속 가공, 광학 및 전기 광학 제조, 및 반도체 디바이스 제조.
예시적인 연마 시스템
[0047]
도 2는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된 연마 패드(300)를 사용하도록 구성된 예시적인 연마 시스템(200)의 개략적인 측면도이다. 연마 패드(300)는 도 3a 내지 도 3c에서 추가로 설명된다.
[0048]
여기서, 연마 시스템(200)은 감압식 접착제를 사용하여 이에 대해 고정되는 연마 패드(300)를 갖는 플래튼(204), 및 기판 캐리어(carrier)(206)를 특징으로 한다. 기판 캐리어(206)는 플래튼(204) 및 그 위에 장착된 연마 패드(300)와 마주한다. 기판 캐리어(206)는, 동시에 캐리어 축(210)을 중심으로 회전하는 동안, 내부에 배치된 기판(208)의 재료 표면을 연마 패드(300)의 연마 표면에 대해 압박하기 위해 사용된다. 전형적으로, 회전 기판 캐리어(206)가 플래튼(204)의 내부 직경으로부터 외부 직경으로 앞뒤로 스위핑(sweep)하는 동안 플래튼(204)은 플래튼 축(212)을 중심으로 회전하여, 연마 패드(300)의 고르지 않은 마모를 부분적으로 감소시킨다.
[0049]
연마 시스템(200)은 유체 전달 암(arm)(214) 및 패드 컨디셔너(conditioner) 조립체(216)를 더 포함한다. 유체 전달 암(214)은 연마 패드(300) 위에 포지셔닝(position)되고, 내부에 현탁된 연마재들을 갖는 연마 슬러리와 같은 연마 유체를 연마 패드(300)의 표면으로 전달하기 위해 사용된다. 전형적으로, 연마 유체는 기판(208)의 재료 표면의 화학적 기계적 연마를 가능하게 하기 위해, pH 조절제 및 산화제와 같은 다른 화학적 활성 성분들을 함유한다. 패드 컨디셔너 조립체(216)는 기판(208)의 연마 이전, 그 이후 또는 그 동안에 연마 패드(300)의 표면에 대해 고정 연마재 컨디셔닝 디스크(218)를 압박함으로써 연마 패드(300)를 컨디셔닝하기 위해 사용된다. 연마 패드(300)에 대해 컨디셔닝 디스크(218)를 압박하는 것은 컨디셔닝 디스크(218)를 컨디셔너 축(220)을 중심으로 회전시키는 것 및 플래튼(204)의 내부 직경으로부터 플래튼(204)의 외부 직경으로 컨디셔닝 디스크(218)를 스위핑하는 것을 포함한다. 컨디셔닝 디스크(218)는 연마 패드(330) 연마 표면을 마모 및 재생시키고, 연마 패드(300)의 연마 표면으로부터 연마 부산물들 또는 다른 잔해를 제거하기 위해 사용된다.
연마 패드 예들
[0050]
본 명세서에 설명된 연마 패드들은 기초 층, 및 기초 층 상에 배치된 연마 층을 포함한다. 연마 층은 연마 패드의 연마 표면을 형성하고, 기초 층은 연마될 기판이 이에 대해 압박될 때 연마 층에 대한 지지를 제공한다. 기초 층 및 연마 층은, 경화될 때, 상이한 재료 특성들을 갖는 상이한 프리폴리머 조성물들로 형성된다. 기초 층 및 연마 층은 연속적인 층별 적층 제조 프로세스(layer-by-layer additive manufacturing process)를 사용하여 일체형으로 그리고 순차적으로 형성된다. 적층 제조 프로세스는 연마 층과 기초 층 사이에 연속적인 폴리머 상을 갖는 연마 패드 본체를 제공하므로 이에 따라 접착제 층 또는 그 사이의 다른 결합 방법에 대한 필요성을 제거한다. 일부 실시예들에서, 연마 층은 복수의 연마 요소들로 형성되며, 복수의 연마 요소들은 그들 사이에 배치된 리세스들 및/또는 채널들에 의해 연마 표면에 걸쳐 서로 분리된다.
[0051]
본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "구멍-피처"라는 용어는 연마 표면에 정의된 개구들, 연마 표면 아래에 연마 재료에 형성된 보이드들, 연마 표면에 배치된 구멍 형성 피처들, 연마 표면 아래에서 연마 재료 내에 배치된 구멍 형성 피처들, 및 이들의 조합들을 포함한다. 구멍 형성 피처들은 전형적으로 연마 유체에 노출되면 용해되어 연마 표면에 대응하는 개구 및/또는 연마 표면 아래에서 연마 재료에 보이드를 형성하는 수용성 희생 재료를 포함한다. 일부 실시예들에서, 수용성 희생 재료는 연마 유체에 노출되면 팽윤하여 이에 따라 주변 연마 재료를 변형시켜 연마 패드 재료 표면에 요철들을 제공할 수 있다. 생성된 구멍들 및 요철들은 바람직하게는 연마 패드와 기판의 연마될 재료 표면 사이의 계면으로 액체 및 연마재들을 수송하는 것을 용이하게 하고, 이로부터 화학적 및 기계적 재료 제거를 가능하게 하기 위해 기판 표면에 대해 이러한 연마재들을 일시적으로 고정(연마재 포획)한다.
[0052]
본 명세서에서 사용되는 바와 같은 용어 "구멍-피처 밀도"는, X-Y 평면에서 주어진 샘플의 총 면적의 백분율로서, 주어진 샘플의 X-Y 평면에서의 구멍-피처들을 포함하는 누적 면적을 지칭하며, 예를 들어 누적 면적은 연마 패드의 연마 표면 또는 이에 평행한 X-Y 평면에서 구멍-피처 밀도 마이크로-구역에 구멍-피처들을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "다공도"라는 용어는 주어진 샘플에서 총 벌크 부피의 백분율로서 구멍-피처 공간의 부피를 지칭한다. 본 명세서에서 정의된 바와 같은 구멍-피처가 희생 재료로 형성된 구멍 형성 피처를 포함하는 실시예들에서, 구멍-피처 밀도 및 다공도는 피처를 형성하는 희생 재료가 그로부터 용해된 후에 측정된다.
[0053]
구멍-피처 밀도, 다공도, 및 구멍 크기는 예를 들어 주사 전자 현미경(SEM) 또는 광학 현미경을 사용하는 방법들에 의해, 임의의 적합한 방법을 사용하여 결정될 수 있다. 구멍-피처 밀도, 다공도, 및 구멍 크기를 특성화하기 위한 기술들 및 시스템들은 당업계에 잘 알려져 있다. 예를 들어, 표면의 부분은 (예를 들어, 전자 현미경 이미지 분석에 의해, 원자력 현미경에 의해, 3D 현미경 등에 의해) 임의의 적절한 방법에 의해 특성화될 수 있다. 일 구현에서, 구멍-피처 밀도 및 구멍 크기 분석은 미국, 뉴저지주, 엘름우드 파크에 위치된 KEYENCE Corporation of America에 의해 생산된 VK-X 시리즈 3D UV 레이저 스캐닝 공초점 현미경을 사용하여 수행될 수 있다.
[0054]
본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "공간적으로 배열된 구멍-피처 밀도 구역들"이라는 용어는, 연마 패드의 연마 표면을 가로질러 상이한 구멍-피처 밀도들을 갖고 그 내부로 연마 표면에 직교하는 방향으로 연장되는 연마 재료의 마이크로-구역들의 배열을 지칭한다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 상대적으로 낮은 그리고 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들은, 서로에 대해, 연마 패드의 연마 표면에 평행한 X-Y 평면의 하나의 또는 두 개의 방향들로 (즉, 측방향으로) 그리고 X-Y 평면들에 직교하는 Z-방향으로, 즉 수직으로 분포된다. 따라서, 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도 구역들의 적어도 일부들은 그들 사이에 개재된 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들의 적어도 일부들에 의해 공간적으로 분리되는데, 즉, 서로 이격된다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "마이크로-구역들"은 연마 패드의 연마 표면의 주어진 샘플 내에서 그 내부로 두께 방향(Z-방향)으로 연장되는 복수의 구역들을 지칭한다.
[0055]
일부 실시예들에서, 상이한 구멍-피처 밀도들의 개개의 마이크로-구역들은 또한 상이한 프리폴리머 조성물들, 또는 상이한 비율들의 상이한 프리폴리머 조성물들로부터 형성되어, 각각 고유한 재료 특성들을 갖는 공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들을 제공한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 용어 "공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들"은 구멍-피처 밀도의 마이크로-구역 내에서 적어도 2 개의 상이한 프리폴리머 조성물들로부터 각각 형성된 재료 도메인들의 분포를 지칭한다. 일부 실시예들에서, 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도 및/또는 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도의 마이크로-구역들 중 개별 마이크로-구역들, 예를 들어, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 및/또는 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)은, 연마 패드의 연마 재료의 적어도 일부들을 집합적으로 형성하는 복수의 공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들을 특징으로 한다.
[0056]
여기서, 상이한 재료 마이크로-도메인들은, 서로에 대해, 연마 패드의 연마 표면에 평행한 X-Y 평면의 하나의 또는 두 개의 방향들로 (즉, 측방향으로) 그리고 X-Y 평면들에 직교하는 Z-방향으로, 즉 수직으로 분포된다. 동일한 프리폴리머 조성물로부터 형성된 재료 마이크로-도메인들의 적어도 일부들은 그들 사이에 개재된 상이한 전구체 조성물로부터 형성된 재료 마이크로-도메인들의 적어도 일부들에 의해 공간적으로 분리되는데, 즉, 서로 이격된다. 적어도 2 개의 상이한 프리폴리머 조성물들은, 도메인들의 재료들의 혼합을 방지하거나 또는 제한하여 이에 따라 서로 인접하고 서로 접촉하는 하나 이상의 재료 특성들의 서로에 대한 차이들을 포함하는 상이한 재료 마이크로-도메인들을 형성하기 위해, 그의 적어도 부분적인 경화 시 적어도 부분적으로 중합된다.
[0057]
여기서, 상이한 재료 층들 사이, 상이한 마이크로-구역들 사이, 및/또는 상이한 재료 마이크로-도메인들 사이의 연속 폴리머 상들은, 이들의 계면 경계 구역들에서, 상이한 프리폴리머 조성물들, 또는 상이한 비율들의 적어도 2 개의 프리폴리머 조성물들의 적어도 부분적인 공중합에 의해 형성된다. 상이한 프리폴리머 조성물들은 서로 상이한 모노머(monomer) 또는 올리고머(oligomer) 종을 포함하고, 상이한 마이크로-구역들 및/또는 재료 마이크로-도메인들 사이의 이웃하는 위치들에 배치된 계면 경계 구역들은 이들의 코폴리머(copolymer)를 형성하기 위해 공유 결합들에 의해 링크(link)된 상이한 모노머 또는 올리고머 종을 특징으로 한다. 일부 실시예들에서, 계면 경계 구역들에 형성된 코폴리머는 블록 코폴리머들, 교번 코폴리머들, 주기적 코폴리머들, 랜덤(random) 코폴리머들, 구배 코폴리머들, 분지형 코폴리머들, 또는 그래프트(graft) 코폴리머들 중 하나 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0058]
일반적으로, 본 명세서에 설명된 방법들은 층별 프로세스에서 연마 패드들의 적어도 일부들을 형성(인쇄)하기 위해, 적층 제조 시스템, 예를 들어 2D 또는 3D 잉크젯 프린터(inkjet printer) 시스템을 사용한다. 전형적으로, 각각의 인쇄 층은 제조 지지체 또는 이전에 형성된 인쇄 층 상에 원하는 프리폴리머 조성물들 및/또는 구멍 형성 희생 재료 전구체 조성물들의 액적들을 순차적으로 증착시키고 적어도 부분적으로 경화시킴으로써 형성(인쇄)된다. 유익하게는, 본 명세서에 설명된 적층 제조 시스템 및 방법들은 각각의 인쇄 층 내에서 적어도 미크론 스케일의 액적 배치 제어(X-Y 해상도)를 가능하게 할 뿐만 아니라, 각각의 인쇄 층의 두께에 대한 미크론 스케일(0.1 ㎛ 내지 200 ㎛) 제어(Z 해상도)도 가능하게 한다. 본 명세서에 제시된 적층 제조 시스템들 및 방법들에 의해 제공되는 미크론 스케일의 X-Y 및 Z 해상도들은 상이한 구멍-피처 밀도 구역들 및 재료 도메인들의 바람직하고 반복 가능한 패턴들의 형성을 용이하게 하며, 각각의 구역 및/또는 도메인은 고유한 특성들 및 속성들을 갖는다. 따라서, 일부 실시예들에서, 연마 패드들을 형성하기 위해 사용되는 적층 제조 방법들은 또한 그로부터 형성된 연마 패드들의 하나 이상의 독특한 구조적 특성들을 부여한다.
[0059]
도 3a는 본 명세서에 설명된 방법들을 사용하여 형성될 수 있는 일 실시예에 따른 연마 패드(300)의 개략적인 사시 단면도이다. 도 3b는 도 3a의 부분의 확대도이다. 도 3c는 도 3a의 연마 패드(300)의 부분에 대한 평면도이다. 도 3d는 라인(3D-3D)을 따라 취한 도 3c의 부분의 단면도이다. 여기서, 연마 패드(300)는 기초 층(302), 및 기초 층(302) 상에 배치되고 적층 제조 프로세스를 사용하여 이와 일체로 형성되는 연마 층(303)을 포함한다. 적층 제조 프로세스는 기초 층(302) 및 연마 층(303)을 각각 형성하기 위해 사용되는 상이한 프리폴리머 조성물들의 공중합을 허용하여, 이에 따라 그들 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 폴리머 재료의 연속 상을 제공한다.
[0060]
여기서, 연마 층(303)은, 기초 층(302)로부터 상향으로 연장되어 상이한 구멍-피처 밀도들(308A, 308B)의 공간적으로 배열된 마이크로-구역들을 포함하는 연마 표면(306)을 형성하는 복수의 연마 요소들(304)로 형성된다. 이 실시예에서, 복수의 연마 요소들(304)은 서로 이격되어 그들 사이에 복수의 채널들(310)을 정의한다. 복수의 채널들(310)은 복수의 연마 요소들(304) 중 인접하는 연마 요소들 사이에 그리고 연마 표면(306)의 평면과 기초 층(302)의 위로 향하는 표면(311) 사이에 배치된다. 복수의 채널들(310)은 연마 패드(300)를 가로질러 그리고 연마 표면(306)과 그 위에서 연마될 기판의 재료 표면 사이의 계면으로 연마 유체들의 분배를 용이하게 한다. 복수의 연마 요소들(304)은 기초 층(302)의 부분에 의해 연마 패드(300)의 두께 방향(Z-방향)으로 지지된다. 따라서, 이에 대해 압박된 기판에 의해 연마 표면(306)에 부하가 인가될 때, 부하가 연마 요소들(304)을 통해 그리고 그 아래에 배치된 기초 층(302)의 부분으로 전달될 것이다.
[0061]
여기서, 복수의 연마 요소들(304)은 위에서 아래로 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상(도시된 바와 같이 정사각형)을 갖도록 형성되며, 그들 사이에 정의된 복수의 채널들(310)이 X-Y 그리드(grid) 패턴을 형성하도록 배열된다. 연마 요소들(304) 및 그로부터 정의된 채널들(310)에 사용될 수 있는 연마 요소들의 대안적인 형상들 및/또는 배열들이 도 4a 및 도 6a 내지 도 6f에 예시되어 있다. 일부 실시예들에서, 연마 요소들(304) 및/또는 그들 사이에 배치된 채널들(310)의 형상들, 치수들, 및/또는 배열들은 경도, 기계적 강도, 유체 수송 특성들, 및/또는 그것의 다른 바람직한 특성들을 튜닝하기 위해 연마 패드(300)에 걸쳐 변경된다. 일부 실시예들에서, 연마 층(303)은 별개의 연마 요소들을 포함하지 않을 수 있고 그리고/또는 인접한 연마 요소들의 연마 표면들 사이에 정의된 채널들(310)은 기초 층(302)까지 연장되지 않을 수 있다.
[0062]
여기서, 연마 패드(300)는 플래튼 장착 표면과 연마 표면(306) 사이에서 측정된 약 5 mm 내지 약 30 mm의 제1 두께(T(1))를 갖는다. 기초 층(302)은 제1 두께(T(1))의 약 1/3 내지 약 2/3의 제2 두께(T(2))를 갖는다. 연마 요소들(304)은 제1 두께(T(1))의 약 1/3 내지 약 2/3인 제3 두께(T(3))를 갖는다. 도시된 바와 같이, 연마 요소들(304)의 적어도 일부는 기초 층(302)의 위로 향하는 표면(311)의 X-Y 평면을 통해 기초 층(302)의 내부 위치로 연장되고, 연마 요소들(304)의 나머지 부분은 기초 층(302)의 위로 향하는 표면(311)의 X-Y 평면으로부터 높이(H(1))만큼 기초 층(302)의 상향으로 또는 외측으로 연장된다. 연마 요소들(304)의 높이(H(1))는 그들 사이에 개재된 채널들(310)의 깊이를 정의한다. 일부 실시예들에서, 연마 요소들(304)의 높이(H(1)), 및 이에 따른 채널들(310)의 깊이는 제1 두께(T(1))의 약 1/2 이하이다. 일부 실시예들에서, 연마 요소들(304)의 높이(H(1)) 및 그에 따른 채널들(310)의 깊이는 약 15㎜ 이하, 예를 들어 약 10 mm 이하, 약 5 mm 이하, 또는 약 100 ㎛ 내지 약 5 mm이다.
[0063]
여기서, 연마 요소들(304)의 적어도 하나의 측방향 치수, 예를 들어 위에서 볼 때 W(1) 및 L(1) 중 하나 또는 둘 모두는 약 5 mm 내지 약 30 mm, 예를 들어 약 5 mm 내지 약 20 mm, 또는 약 5 mm 내지 약 15 mm이다. 연마 요소들(304)의 상부 표면들은 X-Y 평면에 평행하고, 함께 연마 패드(300)의 전체 연마 표면을 형성하는 연마 표면(306)을 형성한다. 연마 요소들(304)의 측벽들은 실질적으로 수직이다(X-Y 평면에 직교함), 예를 들어 수직선의 약 20 ° 이내, 또는 수직선의 10 ° 이내이다. 복수의 연마 요소들(304) 중 개별 연마 요소들은 그들 사이에 정의된 개별 채널들(310)의 폭(W(2))만큼 X-Y 평면에서 서로 이격되어 있다. 여기서, 개별 채널들(310)의 폭(W(2))은 약 100 ㎛ 초과 약 5 mm 미만, 예를 들어 약 4 mm 미만, 약 3 mm 미만, 약 2 mm 미만, 또는 약 1 mm 미만이다. 일부 실시예들에서, 연마 요소들(304)의 측방향 치수들(W(1) 및 L(1)) 및/또는 개별 채널들(310)의 폭(W(2)) 중 하나 또는 둘 모두는 연마 패드(300)의 반경에 걸쳐 변화하여 그의 연마 성능의 미세 튜닝을 허용한다.
[0064]
본 명세서의 실시예들에서, 연마 층(303)의 적어도 일부들 및/또는 그의 개별 연마 요소들(304)은 적어도 2 개의 상이한 구멍-피처 밀도들의 마이크로 구역들을 특징으로 한다. 여기서, 각각의 연마 요소(304)는 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 개별 마이크로-구역들, 예를 들어, 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도를 갖는 마이크로 구역들의 연속 매트릭스(matrix), 예를 들어 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 연속 매트릭스의 부분들에 의해 서로 이격되는 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)을 특징으로 한다. 따라서, 연마 요소(304) 내의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)은 집합적으로 연마 요소(304)의 측방향 경계들에 의해 정의되는 연마 표면(306)보다 더 작은 표면적을 갖는다. 일부 실시예들에서, 예를 들어 연마 층(303)이 개별 연마 요소들(304)을 포함하지 않는 실시예들에서, 복수의 이격된 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)은 전형적으로 (위에서 볼 때) 연마 표면(306)의 30 mm x 30 mm 샘플 내에서 발견될 것이다.
[0065]
여기서, 복수의 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)은 비교적 높은 구멍-피처 밀도 연마 재료의 X-Y 그리드를 형성하기 위해 (위에서 볼 때) 연속 매트릭스에 배치된다. 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 중 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역들은 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 연속 매트릭스에 의해 경계를 이루고 서로 이격되어, 연마 표면(306)의 비교적 낮은 구멍-피처 밀도 연마 재료의 개별 섬들 또는 마이크로 패드들을 형성한다. 여기서, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 중 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역들은 위에서 아래로 볼 때 제1 측방향 치수(X(1)) 및 제2 측방향 치수(Y(1))를 갖는 일반적으로 정사각형 형상을 갖는다. 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)은 제1 거리(X(2)) 또는 제2 거리(Y(2))에 의해 서로 이격되며, 이들 둘 모두는 그들 사이에 개재된 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 부분들의 측방향 치수들에 대응한다.
[0066]
다른 실시예들에서, 상이한 구멍-피처 밀도의 마이크로-구역들은 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 중 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역들이 위에서 아래로 볼 때 직사각형 또는 다른 사변형 형상, 또는 원형, 타원형, 환형, 삼각형, 다각형, 비-기하학적 형상, 또는 이들로부터 형성된 복합 형상과 같은 정사각형이 아닌 형상을 갖도록 배열될 수 있다. 이들 실시예들에서, 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역(308A)은 각각 제1 및 제2 측방향 치수들(X(1) 및 Y(1))을 포함하고, 그의 적어도 일부에서 반경(R(1))을 갖는 원(309A)에 의해 정의되는 연속 영역을 포함한다.
[0067]
여기서, X(1), Y(1) 및 R(1)은 연마 표면(306)에 평행하게 측정되고, 따라서 연마 패드(300)의 지지 표면에 평행하게, 즉, X-Y 평면에서 측정된다. 제2 측방향 치수(Y(1))는 제1 측방향 치수(X(1))에 직교하는 방향으로 측정된다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 측방향 치수들(X(1), Y(1)) 각각은 적어도 약 100 ㎛, 예를 들어 적어도 약 200 ㎛, 적어도 약 300 ㎛, 적어도 약 400 ㎛, 또는 적어도 약 500 ㎛의 거리에 걸쳐 있다. 일부 실시예들에서, 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 각각의 적어도 일부를 정의하는 원(309A)의 반경(R(1))은 적어도 약 100 ㎛, 예를 들어 적어도 약 200 ㎛, 적어도 약 250 ㎛, 또는 적어도 약 300 ㎛이다.
[0068]
일부 실시예들에서, 제1 측방향 치수(X(1)), 제2 측방향 치수(Y(1)) 및/또는 반경(R(1)) 중 적어도 하나는 약 100 ㎛ 내지 약 10 mm 범위, 예를 들어 약 100 ㎛ 내지 약 5 mm 범위의 거리에 걸쳐 있다. 일부 실시예들에서, 제1 측방향 치수(X(1)) 및 제2 측방향 치수(Y(1)) 중 적어도 하나는 약 100 ㎛ 이상, 예를 들어 약 200 ㎛ 이상, 약 300 ㎛ 이상, 약 400 ㎛ 이상, 약 500 ㎛ 이상, 약 600 ㎛ 이상, 약 700 ㎛ 이상, 약 800 ㎛ 이상, 약 900 ㎛ 이상, 또는 약 1 mm 이상의 거리에 걸쳐 있다.
[0069]
이 실시예에서, 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 중 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역들은 그들 사이에 개재된 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 연속 매트릭스의 적어도 일부들에 의해 서로 이격된다. 여기서, 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 중 개별 구멍-피처 밀도 구역들 사이에 배치된 복수의 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 부분들은 제1 거리(X(2)) 또는 제2 거리(Y(2))에 걸쳐 있다. 전형적으로, 거리들(X(2) 또는 Y(2)) 중 적어도 하나, 및 따라서 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 중 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역들 사이의 상응하는 거리는 약 100 ㎛ 내지 약 10 mm 범위, 예를 들어 약 100 ㎛ 내지 약 5 mm 범위에 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 거리들(X(2), Y(2)) 중 하나 또는 둘 모두는 적어도 약 100 ㎛, 예를 들어 적어도 약 200 ㎛, 적어도 약 300 ㎛, 적어도 약 400 ㎛, 또는 적어도 약 500 ㎛이다.
[0070]
일부 실시예들에서, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 중 개별 제1 구멍-피처 밀도 구역들 사이에 이웃하여 배치되는 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 적어도 일부는 반경(R(2))을 갖는 원(309B)에 의해 정의된 연속 영역을 포함한다. 일부 실시예들에서, 반경(R(2))은 적어도 약 100 ㎛, 예를 들어 적어도 약 200 ㎛, 적어도 약 250 ㎛, 또는 적어도 약 300 ㎛이다. 도 3a 내지 도 3b에 예시된 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A) 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 공간적 배열은, 그 연마 표면을 가로질러 상이한 구멍-피처 밀도의 마이크로-구역들을 제공하기 위해, 본 명세서에 설명된 연마 패드들 중 임의의 연마 패드와 조합하여 사용될 수 있다. 상이한 구멍-피처 밀도의 마이크로-구역들의 대안적인 배열들이 도 4a 내지 도 4b에 예시되어 있다.
[0071]
전형적으로, 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도를 갖는 마이크로-구역, 예를 들어 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)에서 구멍-피처 밀도는 약 2 % 내지 약 75 % 범위, 예를 들어 약 2 % 이상, 약 5 % 이상, 약 10 % 이상, 약 20 % 이상, 약 30 % 이상, 약 40 % 이상, 약 50 % 이상, 또는 약 60 % 이상 범위에 있다. 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도를 갖는 마이크로-구역, 예를 들어 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)에서 구멍-피처 밀도는 이들에 인접하여 이들 사이에 개재된 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도의 마이크로 구역들보다 작다. 일부 실시예들에서, 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도를 갖는 구역, 예를 들어, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)에서 구멍-피처 밀도는 이웃하는 높은 구멍-피처 밀도 구역들의 구멍-피처 밀도의 약 2/3 이하, 예를 들어 약 1/2 이하 또는 1/3 이하이다. 일부 실시예들에서, 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도 구역은 구멍-피처들이 실질적으로 없으며, 예를 들어 약 2 % 이하, 예를 들어 1 % 이하의 구멍-피처 밀도이다.
[0072]
도 3a 내지 도 3d에서, 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도 구역들, 예를 들어 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)은 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들, 예를 들어 제2 구멍-피처 밀도 구역들이 차지하는 것보다 작은, 연마 표면(306)의 총 면적을 형성한다. 일부 실시예들에서, 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도 구역들에 의해 형성된 총 표면적 대 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들에 의해 형성된 총 표면적의 비율은 약 1:1 미만, 예를 들어 약 1:2, 약 1:3 미만, 또는 약 1:4 미만 미만이다. 다른 실시예들에서, 낮은 구멍-피처 밀도 구역들은 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들보다 더 큰 총 표면적을 포함할 수 있다.
[0073]
여기서, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308A, 308B)로부터 각각 형성된 연마 표면들은 자유 상태에서, 즉, 연마될 표면에 대해 압박되지 않을 때 그에 인접하여 배치된 상이한 구멍-피처 밀도 구역들과 실질적으로 동일 평면이다. 다른 실시예들에서, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)의 표면들은 인접한 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 표면들 위로 높이(H(2))만큼 연장되도록 형성될 수 있다(인접한 제2 구멍-피처 밀도 구역들의 표면들 위로 연장되는 제1 구멍-피처 밀도 구역들의 표면들은 도 3c 및 도 3d에서 가상선으로 도시됨). 여기서, 높이(H(2))는 약 25 ㎛ 초과, 예를 들어 약 50 ㎛ 초과, 약 75 ㎛ 초과, 약 100 ㎛ 초과, 약 125 ㎛ 초과, 약 150 ㎛ 초과, 또는 약 175 ㎛ 초과이다. 일부 실시예들에서, 높이(H(2))는 약 25 ㎛ 내지 약 200 ㎛, 예를 들어 약 50 ㎛ 내지 약 200 ㎛이다.
[0074]
다른 실시예들에서, 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들, 예를 들어 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 표면들은 인접한 낮은 구멍-피처 밀도 구역들, 예를 들어 제1 구멍-피처 밀도 구역들의 표면 위로 연장되도록 형성된다. 이들 실시예들에서, 인접한 상이한 구멍-피처 밀도 구역들의 표면들 사이의 높이 차이는 전형적으로 약 25 ㎛ 내지 약 200 ㎛, 예를 들어 약 25 ㎛ 내지 약 150 ㎛, 또는 약 50 ㎛ 내지 약 150 ㎛이다. 상이한 구멍-피처 밀도의 구역들의 표면들 사이의 높이 차이를 조정함으로써, 연마 패드와 기판 영역 사이의 접촉 영역 및 이에 따른 점 밀도 분포가 미세 튜닝될 수 있으므로, 국부적 평탄화 및 표면 마감 결과들의 미세 튜닝이 가능하다. 일부 실시예들에서, 상이한 구멍-피처 밀도의 구역들의 표면들 사이의 높이 차이는 연마 패드의 표면에 걸쳐 변할 수 있다.
[0075]
전형적으로, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)은 연마 요소(304)의 높이(H) 또는 두께(T(3))와 동일할 수 있거나 또는 그의 일부(fraction)일 수 있는(도시된 바와 같음) 적어도 두께(T(4))만큼 Z-방향으로 연마 표면(306)의 내측으로 연장한다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)은 두께(T(3))의 90 % 이하, 예를 들어 약 80 % 이하, 약 70 % 이하, 약 60 % 이하, 또는 약 50 % 이하인 두께(T(4))만큼 연마 표면 아래로 연장된다. 일부 실시예들에서, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)은 연마 요소(304)의 높이(H)의 약 90 % 이하, 예를 들어 약 80 % 이하, 약 70 % 이하, 약 60 % 이하, 또는 약 50 % 이하인 두께(T(4))만큼 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)은 Z-방향으로 엇갈린 배열로 배치되며, 예를 들어 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)은 구멍-피처들(314)의 두께(T(5)) 부분에서 엇갈린 배열로 배치되고, 구멍-피처들(314)은 그 위로 배치되는, 두께(T(4)) 부분에 배치된 구멍-피처 밀도 구역들(308)로부터 X-Y 방향들로 오프셋된다. Z-방향에서 상이한 구멍-피처 밀도의 교번하는 구역들은 재료 특성들, 예를 들어 연마 요소들(304) 및/또는 이로부터 형성된 연마 층(303)의 국부적 또는 벌크 컴플라이언스의 미세 튜닝을 가능하게 한다.
[0076]
본 명세서에서 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들을 형성하기 위해 사용되는 복수의 구멍-피처들(314)은 단면에서 볼 때 임의의 원하는 수직 배열로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3d에서, 복수의 구멍-피처들(314)은 기둥형(columnar) 배열들(4 개의 기둥(column)들이 도시됨)으로 수직으로 배치되고, 여기서 기둥들 각각에 있는 구멍-피처들(314)은 실질적으로 수직 정렬로 존재한다. 도 3a에 도시된 바와 같은 일부 실시예들에서, 연마 요소들(304)의 깊이 방향에 있는 구멍-피처들(314)의 행들의 그룹들은 X-Y 방향들 중 하나 또는 둘 모두에서 오프셋되어, 그 위에 배치된 제2 구멍-피처 밀도 구역들에 대해 수직으로 엇갈린, 연마 표면 아래의 대응하는 제2 구멍-피처 밀도 구역들을 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 구멍-피처들(314)은 하나 이상의 엇갈린 기둥형 배열들로 수직으로 배치될 수 있고, 여기서 구멍-피처들(314)의 개별 행들(예를 들어, 도 3d에서 가상선으로 도시된 구멍-피처들(314)의 행들)은 그 위에 및/또는 그 아래에 배치된 구멍-피처들(314)의 행에 대해 X-Y 방향들 중 하나 또는 둘 모두에서 오프셋된다. 도 3a에 도시된 엇갈린 구멍-피처 밀도 구역들에서 구멍-피처들(314)의 배향 및/또는 도 3d에서 가상선으로 도시된 엇갈린 기둥형 배열들은 상부에서 연마되는 기판에 의해 가해지는 하중의 방향에 대한 연마 재료의 컴플라이언스를 조정하기 위해 유리하게 사용될 수 있다. 따라서, 일 예에서, 엇갈린 구멍-피처 밀도 구역들 및/또는 구멍-피처 밀도 구역 내의 개별 구멍-피처들의 엇갈린 기둥형 배열은 이로부터 형성된 연마 패드의 연마 평탄화 성능을 조정 및/또는 제어하기 위해 유리하게 사용될 수 있다.
[0077]
일부 실시예들에서, 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들을 형성하기 위해 사용되는 개별 구멍-피처들(314)은 약 50 ㎛ 이하, 예를 들어 약 40 ㎛ 이하, 약 30 ㎛ 이하, 또는 약 20 ㎛ 이하의 높이를 갖는다. 전형적으로, 개별 구멍-피처들(314)은 약 500 ㎛ 이하, 예를 들어 약 400 ㎛ 이하, 약 300 ㎛ 이하, 약 200 ㎛ 이하, 또는 약 150 ㎛ 이하, 및 약 5 ㎛ 이상, 예를 들어 약 10 ㎛ 이상, 약 25 ㎛ 이상, 또는 약 50 ㎛ 이상의 직경(D)(X-Y 평면에서 측정됨)을 갖도록 형성된다. 일부 실시예들에서, 개별 구멍-피처들(314)의 평균 직경(D)은 약 50 ㎛ 내지 약 250 ㎛, 예를 들어 약 50 ㎛ 내지 약 200 ㎛, 또는 약 50 ㎛ 내지 약 150 ㎛이다. 일부 실시예들에서, 구멍-피처들(314)은 그의 직경(D)에 비해 Z-방향으로 상대적으로 얕게 형성되며, 예를 들어, 일부 실시예들에서 개별 구멍-피처들의 높이는 그의 직경(D)의 약 2/3 이하, 예를 들어 약 1/2 이하, 또는 약 1/3 이하이다.
[0078]
일부 실시예들에서, 구멍-피처 밀도는 연마 패드(300), 예를 들어 연마 표면(306)의 X-Y 평면의 1 mm2 면적 내의 구멍-피처들 갯수로서 추가로 표현될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 개별 구멍-피처들(314)의 평균 직경(D)은 약 50 ㎛ 내지 약 250 ㎛이고, 상대적으로 높은 구멍 밀도 구역들은 연마 표면의 mm2당 약 10 개 초과의 구멍-피처들, 예를 들어 약 50 개 초과의 구멍-피처들/mm2, 약 100 개 초과의 구멍-피처들/mm2, 약 200 개 초과의 구멍-피처들/mm2, 약 300 개 초과의 구멍-피처들/mm2, 예를 들어 약 400 개 초과의 구멍-피처들/mm2를 포함한다.
[0079]
여기서, 복수의 구멍-피처들(314) 중 개별 구멍-피처들은 그들 사이에 형성된 폴리머 재료(312)의 하나 이상의 인쇄된 층들에 의해 수직 방향으로 이격된다. 예를 들어, 도 3d에 도시된 바와 같이, 폴리머 재료(312)의 개별 인쇄된 층들은 T(7)의 두께를 갖고 복수의 구멍-피처들(314) 중 개별 구멍-피처들은 2 개의 인쇄 층들만큼 수직 방향으로 이격된다면, 두께 방향(Z-방향)에서 폴리머 재료의 총 두께(T(8))는 T(7)의 약 2 배이다. 일 예에서, 연마 피처에서 수직 방향으로 구멍-피처들(314) 사이의 간격은 약 40 ㎛이다. 이 예에서, 40 ㎛ 간격은 구멍-피처들(314)을 포함하는 인쇄된 층들 사이에 폴리머 재료(312)의 2 개의 20 ㎛ 인쇄 층들을 배치함으로써 형성될 수 있다. 따라서, 도시된 바와 같이, 구멍-피처들(314)은 일단 구멍-피처들을 형성하기 위해 사용된 희생 재료가 그로부터 제거되면 실질적으로 폐쇄된 셀(cell) 구조를 형성한다.
[0080]
다른 실시예들에서, 구멍-피처들(314) 중 하나 이상, 또는 그의 부분들은 이에 인접한 구멍-피처들(314) 중 하나 이상으로부터 이격되지 않으며, 따라서 일단 희생 재료가 그로부터 제거되면 더 개방 셀 구조를 형성한다. 전형적으로, 하나 이상의 인쇄된 층들의 두께(T(7))는 약 5 ㎛ 이상, 예를 들어 약 10 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이상, 30 ㎛ 이상, 40 ㎛ 이상, 또는 50 ㎛ 이상이다. 개별 구멍-피처들(314)은 (도시된 바와 같이) 대응하는 단일 인쇄 층 내에 형성될 수 있으므로 인쇄 층의 두께(T(8))에 대응하는 높이를 갖거나 또는 2 개 이상의 인접한 인쇄 층들 내에 형성되어 그의 누적 두께에 대응하는 구멍 높이를 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 두께(T(7))는 약 200 ㎛ 이하, 예를 들어 약 100 ㎛ 이하, 또는 약 50 ㎛ 이하이다. 일부 실시예들에서, 두께(T(7))는 약 25 ㎛ 이하, 예를 들어 약 10 ㎛ 이하, 또는 약 5 ㎛ 이하이다.
[0081]
여기서, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308A-B)은 상대적으로 높은 저장 탄성률(storage modulus)(E')을 갖는 재료(312)의 연속 폴리머 상, 즉, 하드 패드 재료 및 이들 사이의 일반적으로 균질한 재료 조성물로 형성된다. 다른 실시예들에서, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308A-B)은 상이한 프리폴리머 조성물들, 또는 상이한 비율의 적어도 2 개의 프리폴리머 조성물들로 형성되고, 따라서 하나 이상의 재료 특성들에서 서로의 차이를 포함한다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308A-B)의 연속 폴리머 상을 형성하기 위해 사용되는 재료들의 저장 탄성률(E')은 서로 상이하며, 그 차이는 나노 인덴테이션(nanoindentation)과 같은 적절한 측정 방법을 사용하여 측정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)의 폴리머 재료는 상대적으로 중간 또는 상대적으로 높은 저장 탄성률(E')을 갖고, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 폴리머는 상대적으로 낮은 또는 상대적으로 중간인 저장 탄성률(E')을 갖는다. 약 30 ℃의 온도에서 낮은, 중간 또는 높은 저장 탄성률(E')(E'30) 재료 도메인들의 특성화들이 표 1에 요약되어 있다.
[0082]
일부 실시예들에서, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)과 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B) 사이의 저장 탄성률(E'30)의 비율은 약 2:1 초과, 약 5:1 초과, 약 10:1 초과, 약 50:1 초과, 예를 들어 약 100:1 초과이다. 일부 실시예들에서, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)과 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B) 사이의 저장 탄성률(E'30)의 비율은 약 500:1 초과, 예를 들어 약 1000:1 초과이다.
[0083]
도 3E는 본 명세서에 설명된 연마 요소들 및/또는 연마 층들 중 임의의 것에서 상이한 구멍-피처 밀도 구역들의 공간적 배열들 대신에 사용될 수 있는, 일 실시예에 따른 상이한 구멍-피처 밀도 구역들의 공간 배열의 평면도이다. 여기서, 상이한 구멍-피처 밀도 구역들은 복수의 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도 구역들, 여기서 (위에서 볼 때) X-Y 그리드를 형성하기 위해 연속 매트릭스로 배치된 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308E) 및 그들 사이에 개재된 복수의 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F)을 포함한다. 여기서, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F)은 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308E)의 적어도 일부들에 의해 서로 이격되는, 연마 표면(306)에서 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 연마 재료의 개별 섬들을 형성한다. 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F)은, 여기서, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)에 대해 위에서 설명한 거리들(X(2) 및 Y(2))의 범위에 있는 X(2) 및 Y(2)의 측방향 치수들을 갖는다. 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F) 중 개별 제2 구멍-피처 밀도 구역들은 제1 거리(X(1)) 또는 제2 거리(Y(1))만큼 서로 이격되어 있고, 이들 둘 모두는 그들 사이에 개재된 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308E)의 부분들의 측방향 치수들에 대응한다. 여기서, 제1 거리(X(1)) 및 제2 거리(Y(1))는 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308A)에 대해 위에서 설명한 측방향 치수들(X(1) 및 Y(1))의 범위 내에 있다. 이 실시예에서, 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들은 도 3a 내지 도 3d에 도시된 반대와 대조적으로 X-Y 평면에서 서로 격리된다.
[0084]
도시된 바와 같이, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F) 중 개별 제2 구멍-피처 밀도 구역들은 위에서 아래로 볼 때 일반적으로 정사각형 형상을 갖는다. 다른 실시예들에서, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F) 중 개별 제2 구멍-피처 밀도 구역들은 위에서 아래로 볼 때 직사각형, 또는 다른 사변형 형상, 또는 원형, 타원형, 환형, 삼각형, 다각형, 비-기하학적 형상, 또는 그로부터 형성된 복합 형상과 같은 임의의 다른 원하는 형상을 가질 수 있다. 이들 실시예들에서, 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F) 중 개별 제2 구멍-피처 밀도 구역들 사이에 이웃하여 배치된 제1 구멍-피처 밀도 구역들(308E)의 적어도 일부는 반경(R(1))을 갖는 원(309E)에 의해 정의된 연속 영역을 포함한다. 전형적으로, 이들 실시예들에서, 개별 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308F)은 각각 제1 및 제2 측방향 치수들(X(2) 및 Y(2))을 포함하고, 그의 적어도 일부에서 반경(R(2))을 갖는 원(309F)에 의해 정의되는 연속 영역을 포함한다.
[0085]
다른 실시예들에서, 본 명세서에 설명된 연마 패드들 중 임의의 연마 패드 내의 상이한 구멍-피처 밀도 구역들은 상대적으로 낮은 또는 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들이 별개의 섬들을 형성하지 않도록 (위에서 볼 때) 인터로킹(interlock)되거나 또는 맞물린 패턴으로 배치된다. 이들 실시예들에서, 측방향 치수들(X(1), Y(1)) 및/또는 적어도 반경(R(1))을 갖는 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도 구역들의 적어도 개별 부분들은, 측방향 치수들(X(2), Y(2)), 및/또는 적어도 반경(R(2))을 갖는 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들의 개별 부분들을 이웃시킴으로써 서로 분리된다.
[0086]
다른 실시예들에서, 상이한 구멍-피처 밀도 구역들은 하나 이상의 나선형 형상들을 형성할 수 있거나, 또는 개별 연마 요소들의 연마 표면 내에 복수의 동심 원들을 형성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상이한 구멍-피처 밀도 구역들은 연마 표면을 가로질러 하나 이상의 나선형 형상들 또는 복수의 동심 원들을 형성할 수 있다. 이들 실시예들에서, 하나 이상의 나선형 형상들 및/또는 동심 원들의 중심은 연마 표면의 중심에 근접하거나, 또는 이 중심으로부터 오프셋될 수 있다. 전형적으로, 상이한 구멍-피처 밀도 구역들이 나선형 형상들 또는 동심 원들을 형성하는 실시예들에서, 나선형 또는 동심 원의 반경을 따라 측정된 상이한 구멍-피처 밀도 구역들 각각의 측방향 치수는 위에서 설명한 측방향 치수들(X(1), Y(1) 및 X(2), Y(2))와 동일할 것이다.
[0087]
도 4a 내지 도 4c는 일 실시예에 따라 그 위에 형성된 연마 요소들(404)에 대한 대안적인 형상들 및 그의 연마 표면(406)에 형성된 상이한 구멍-피처 밀도 구역들의 대안적인 배열들을 특징으로 하는 연마 패드(400)를 개략적으로 예시한다. 도 4a는 연마 패드(400)의 개략적인 사시도이다. 도 4b는 도 4a의 부분의 확대도이다. 도 4c는 라인(4C-4C)을 따라 취해진 도 4b의 부분의 단면도이다. 연마 패드(400)의 특징들은 위에서 설명한 연마 패드(300)의 특징들 중 임의의 특징과 통합되거나 또는 조합될 수 있다.
[0088]
여기서, 연마 패드(400)는 기초 층(402), 및 기초 층(402) 상에 배치되고 그들 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 폴리머 재료의 연속 상을 제공하도록 이와 일체로 형성되는 연마 층(403)을 포함한다. 연마 층(403)은, 기초 층(402) 상에 또는 부분적으로 그 내부에 배치되고 복수의 연마 요소들(404)의 개별 연마 요소들 사이에 배치된 하나 이상의 채널들(410)을 정의하기 위해 그의 위로 향하는 표면(411)으로부터 상향으로 연장되는 복수의 개별 연마 요소들(404)로 형성된다. 여기서, 복수의 연마 요소들(404)은 나선형 패턴의 대응하는 세그먼트들을 형성하도록 배열된다. 나선형 패턴은 연마 패드(400)의 내부 반경으로부터 연마 패드(400)의 원주에 근접한 외부 반경까지 연장된다. 여기서, 복수의 연마 요소들 중 개별 연마 요소들은 약 2 mm 내지 약 200 mm의 아크(arc) 길이(L(2)), 및 약 1 mm 내지 약 5 mm와 같은 약 200 ㎛ 내지 약 10 mm의 폭(W(1))을 갖는다. 반경방향으로 인접한 연마 요소들(404)의 최대 반경 측벽들 사이의 피치(pitch)(P)는 전형적으로 약 0.5 mm 내지 약 10 mm, 예를 들어 약 0.5 mm 내지 약 10 mm이다. 일부 실시예들에서, 아크 길이(L(2)), 폭(W(1)), 및 피치(P) 중 하나 또는 모두는 상이한 국부화된 연마 성능의 구역들을 정의하기 위해 연마 패드(400)의 반경에 걸쳐 변한다.
[0089]
이 실시예에서, 연마 요소(404)는 상대적으로 낮은 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구멍-피처 밀도 구역들(408A) 및 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제2 구멍-피처 밀도 구역들(408B)로 형성된다. 여기서, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(408A) 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(408B)은 상이한 프리폴리머 조성물들, 또는 상이한 비율의 적어도 2 개의 상이한 프리폴리머 조성물들로부터 형성되어, 고유한 재료 특성들을 각각 갖는 대응하는 제1 및 제2 재료 도메인들(412A 및 412B)을 제공한다. 제1 및 제2 재료 도메인들(412A, 412B)은 그들 사이의 이웃하는 위치들, 즉, 그들 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 연마 패드 재료의 연속 폴리머 상을 형성한다.
[0090]
일부 실시예들에서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 재료 도메인들(412A, 412B)을 형성하는 재료들의 저장 탄성률(E')은 서로 상이하며, 그 차이는 나노 인덴테이션 방법과 같은 적절한 측정 방법을 사용하여 측정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 재료 도메인들(412A)은 (표 1에 설명된 바와 같이) 상대적으로 중간 또는 상대적으로 높은 저장 탄성률(E')을 갖는 폴리머 재료로 형성되고, 제2 재료 도메인들(412B)의 폴리머는 상대적으로 낮은 또는 상대적으로 중간인 저장 탄성률(E')를 갖는다.
[0091]
일부 실시예들에서, 제1 및 제2 재료 도메인들(412A, 412B) 사이의 저장 탄성률(E'30)의 비율은 약 2:1 초과, 약 5:1 초과, 약 10:1 초과, 약 50:1 초과, 예를 들어 약 100:1 초과이다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 재료 도메인들(412A, 412B) 사이의 저장 탄성률(E'30)의 비율은 약 500:1 초과, 예를 들어 약 1000:1 초과이다.
[0092]
여기서, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(408A, 408B)은 (위에서 아래로 볼 때) 교번하는 정사각형들의 바둑판 패턴으로 배열되고, 제1 구멍-피처 밀도 구역들(408A)의 연마 측면 표면은 이웃하는 제2 구멍-피처 밀도 구역들(408B)의 표면들로부터 약 25 ㎛ 내지 약 200 ㎛, 예를 들어 약 25 ㎛ 내지 약 150 ㎛, 또는 약 50 ㎛ 내지 약 150 ㎛의 높이(H(3))만큼 리세싱된다. 다른 실시예들에서, 제1 및 제2 구멍-피처 밀도 구역들(408A, 408)의 형상 및 배열, 및/또는 이들 사이의 높이들(H(2)(도 3d) 또는 H(3))은, 본 명세서에 설명된 다른 공간적으로 배열된 구멍-피처 밀도 구역들 및/또는 재료 도메인들의 다른 형상들 및 배열들 및 개개의 높이 차이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 그의 재료 도메인들(412A, 412B)을 포함하여, 기초 층(302, 402) 또는 연마 층(303, 403) 중 하나 또는 둘 모두의 연마 재료는 도 5a 내지 도 5d에 도시된 바와 같이 복수의 공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들을 특징으로 하는 연마 재료의 연속 폴리머 상으로 형성된다.
[0093]
도 5a는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따라 형성된, 공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들(502, 504)을 특징으로 하는 연마 패드(500)의 연마 표면의 부분의 개략적인 평면도이다. 도 5b는 라인(5B-5B)을 따라 취한 도 5a의 연마 표면의 부분의 개략적인 단면도이다. 도 5a 내지 도 5b에 도시된 연마 패드(500)의 부분은 복수의 공간적으로 배열된 제1 재료 마이크로-도메인들(502) 및 복수의 공간적으로 배열된 제2 재료 마이크로-도메인들(504)로 형성된 연마 패드 재료의 연속 폴리머 상을 특징으로 한다. 여기서, 공간적으로 배열된 제2 재료 마이크로-도메인들(504)은 제1 재료 마이크로-도메인들(502) 사이에 개재되고, 일부 실시예들에서, 이에 인접하게 포지셔닝된다.
[0094]
전형적으로, 제1 재료 마이크로-도메인들(502) 및 제2 재료 마이크로-도메인들(504)은 도 4a의 설명에서 제시된 예시적인 프리폴리머 조성물들과 같은 상이한 프리폴리머 조성물들로 형성되며, 따라서 하나 이상의 재료 특성들에서 서로 차이를 갖는다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 제1 재료 마이크로-도메인들(502) 및 제2 재료 마이크로-도메인들(504)의 저장 탄성률(E')은 서로 상이하고, 그 차이는 나노 인덴테이션과 같은 적합한 측정 방법을 사용하여 측정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 표 1에 요약된 바와 같이, 복수의 제2 재료 마이크로-도메인들(504)은 상대적으로 낮은 또는 상대적으로 중간인 저장 탄성률(E')을 갖고, 하나 이상의 제1 재료 마이크로-도메인들(502)은 상대적으로 중간인 또는 상대적으로 높은 저장 탄성률(E')을 갖는다.
[0095]
일부 실시예들에서, 제1 재료 마이크로-도메인들(502)과 제2 재료 마이크로-도메인들(504) 또는 제2 재료 마이크로-도메인들(504)과 제1 재료 마이크로-도메인들(502) 사이의 저장 탄성률(E'30)의 비율은 약 1:2 초과, 약 1:5 초과, 약 1:10 초과, 약 1:50 초과, 예를 들어 약 1:100 초과이다. 일부 실시예들에서, 제1 재료 도메인(502)과 제2 재료 도메인(504) 사이의 저장 탄성률(E'30)의 비율은 약 1:500 초과, 예를 들어 1:1000 초과이다.
[0096]
도 5a에서, 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504)은 X 및 Y 방향들의 X-Y 평면에서 연마 패드(300, 400)의 연마 표면(306, 406)을 형성하기 위해 사용될 수 있는 제1 패턴(A)으로 배열된다. 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504)은 위에서 볼 때 제1 측방향 치수(X(3)) 및 제2 측방향 치수(Y(3))를 갖는 직사각형 단면 형상을 갖는다. 측방향 치수들(X(3) 및 Y(3))은 연마 표면(306, 406)에 평행하게, 따라서 연마 패드(300, 400)의 지지 표면에 평행하게, 즉, X-Y 평면에서 측정된다. 다른 실시예들에서, 연속 폴리머 상 연마 패드 재료를 형성하기 위해 사용될 수 있는 재료 마이크로-도메인들은 위에서 볼 때 불규칙한 형상들을 포함하여 임의의 원하는 단면 형상을 가질 수 있다.
[0097]
일부 실시예들에서, 제1 또는 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504) 중 하나 또는 둘 모두의 적어도 하나의 측방향 치수(즉, X 및 Y 방향들의 X-Y 평면에서 측정됨)는 약 10 mm 미만, 예를 들어 약 5 mm 미만, 약 1 mm 미만, 약 500 ㎛ 미만, 약 300 ㎛ 미만, 약 200 ㎛ 미만, 약 150 ㎛ 미만, 또는 약 1 ㎛ 내지 약 150 ㎛이다. 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 측방향 치수(X(3), Y(3))는 약 1 ㎛ 초과, 예를 들어 약 2.5 ㎛ 초과, 약 5 ㎛ 초과, 약 7 ㎛ 초과, 약 10 ㎛ 초과, 약 20 ㎛ 초과, 약 30 ㎛ 초과, 예를 들어 약 40 ㎛ 초과이다.
[0098]
일부 실시예들에서, 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504)의 하나 이상의 측방향 치수들은 경도, 기계적 강도, 유체 수송 특성들, 또는 그의 다른 바람직한 특성들을 튜닝하기 위해 연마 패드를 가로질러 변한다. 제1 패턴(A)에서, 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504)은 X-Y 평면에 평행한 나란한 배열로 분포된다. 여기서, 복수의 제1 재료 마이크로 도메인들(502) 중 개별 제1 재료 마이크로 도메인들은 그들 사이에 개재된 복수의 제2 재료 마이크로 도메인들(504) 중 개별 제2 재료 마이크로 도메인들에 의해 이격된다. 일부 실시예들에서, 제1 또는 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504) 중 개별 제1 또는 제2 재료 마이크로-도메인들은 약 10 mm를 초과하는, 약 5 mm를 초과하는, 약 1 mm를 초과하는, 약 500 ㎛를 초과하는, 약 300 ㎛를 초과하는, 약 200 ㎛를 초과하는, 또는 약 150 ㎛를 초과하는 측방향 치수를 갖지 않는다.
[0099]
여기서, 연마 재료의 연속 폴리머 상은 도 5b에 도시된 제1 인쇄 층들(505a) 및 제2 인쇄 층들(505b)과 같은 복수의 순차적으로 증착되고 부분적으로 경화된 재료 전구체 층들(인쇄 층들)로 형성된다. 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502 및 504)은 각각 제1 패턴(A) 또는 제2 패턴(B)에서 제1 및 제2 인쇄 층들(505a,b) 각각을 가로질러 측방향으로 공간적으로 배열된다. 인쇄 층들(505a,b) 각각은 순차적으로 증착되고 적어도 부분적으로 경화되어, 그에 인접하게 배치된 하나 이상의 인쇄 층들(505a,b)과 연마 재료의 연속 폴리머 상을 형성한다. 예를 들어, 적어도 부분적으로 경화될 때, 인쇄 층들(505a,b) 각각은, 사전에 또는 후속적으로 증착되고 그 아래 또는 그 위에 배치된 적어도 부분적으로 경화된 인쇄 층들(505a,b) 중 하나 또는 둘 모두와 연속 폴리머 상을 형성한다.
[0100]
전형적으로, 인쇄 층들(505a,b) 각각은 층 두께(T(7))로 증착된다. 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504)은 하나 이상의 순차적으로 형성된 층들(505a,b)로 형성되고, 각각의 재료 도메인들(502, 504)의 두께(T(X))는 전형적으로 층 두께(T(7))의 배수, 예를 들어 1X 이상이다.
[0101]
일부 실시예들에서, 층 두께(T(7))는 약 200 ㎛ 미만, 예를 들어 약 100 ㎛ 미만, 약 50 ㎛ 미만, 약 10 ㎛ 미만, 예를 들어 약 5 ㎛ 미만이다. 일부 실시예들에서, 재료 층들(505a,b) 중 하나 이상이 약 0.5 ㎛ 내지 약 200 ㎛, 예를 들어 약 1 ㎛ 내지 약 100 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 50 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛, 또는 예를 들어 약 1 ㎛ 내지 약 5 ㎛의 층 두께(T(7))로 증착된다.
[0102]
일부 실시예들에서, 제1 재료 마이크로-도메인들(502) 및 제2 재료 마이크로-도메인들(504)은 Z-방향으로 서로 교번하여 적층된다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 복수의 제2 재료 마이크로-도메인들(504)은 하나 이상의 또는 복수의 제1 재료 마이크로-도메인들(502)과 적층 배열로 연마 패드의 Z 평면에서 패턴으로 분포된다. 이들 실시예들 중 일부에서, 재료 마이크로-도메인들(502, 504) 중 하나 이상의 도메인의 두께(T(X))는 약 10 mm 미만, 예를 들어 약 5 mm 미만, 약 1 mm 미만, 약 500 ㎛ 미만, 약 300 ㎛ 미만, 약 200 ㎛ 미만, 약 150 ㎛ 미만, 약 100 ㎛ 미만, 50 ㎛ 미만, 약 25 ㎛ 미만, 약 10 ㎛ 미만, 또는 약 1 ㎛ 내지 약 150 ㎛이다. 일부 실시예들에서, 재료 마이크로-도메인들 중 하나 이상의 도메인의 두께(T(X))는 약 2.5 ㎛ 초과, 약 5 ㎛ 초과, 약 7 ㎛ 초과, 또는 약 10 ㎛ 초과와 같이, 약 1 ㎛ 초과이다. 일부 실시예들에서, 재료 마이크로-도메인들(502, 504) 중 하나 이상은 연마 패드의 지지 표면으로부터 연마 표면으로 연장되고, 따라서 재료 도메인의 두께(T(X))는 연마 패드의 두께와 동일할 수 있다. 일부 실시예들에서, 재료 마이크로-도메인들(502, 504) 중 하나 이상은 304, 404 또는 기초 층(302, 402)의 두께만큼 연장된다.
[0103]
도 5c는 일부 실시예들에 따른 복수의 공간적으로 배열된 구멍 형성 피처들을 특징으로 하는 연마 패드 재료 표면의 부분에 대한 개략적인 확대 평면도이다. 도 5d는 라인(5D-5D)을 따라 취해진 도 5c에 도시된 연마 패드 부분의 개략 단면도이다. 여기서, 연마 재료의 연속 폴리머 상은 도 5d에 도시된 제3 인쇄 층들(505c) 또는 제4 인쇄 층들(505d)과 같은, 복수의 순차적으로 증착되고 부분적으로 경화된 재료 전구체 층들(인쇄 층들)로 형성된다. 도시된 바와 같이, 복수의 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504)은 X-Y 평면에 평행한 나란한 배열로 배치되고, 복수의 구멍 형성 피처들(506)은 제3 및 제4 인쇄 층들(505c,d) 각각 내에 인쇄 층의 스팬(span)을 가로질러 각각 제3 패턴(C) 또는 제4 패턴(D)으로 산재되어 있다. 제1 및 제2 재료 마이크로-도메인들(502, 504)은 연마 재료의 연속 폴리머 상을 형성하고, 불연속적인 복수의 구멍-피처들(506)은 복수들의 공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들(502, 504) 중 개별 재료 마이크로-도메인들 사이에 산재되어 있다.
[0104]
일부 실시예들에서, 복수의 구멍-피처들(506)은 약 10 mm 미만, 예를 들어 약 5 mm 미만, 약 1 mm 미만, 약 500 ㎛ 미만, 약 300 ㎛ 미만, 약 200 ㎛ 미만, 약 150 ㎛ 미만, 약 100 ㎛ 미만, 약 50 ㎛ 미만, 약 25 ㎛ 미만, 또는 예를 들어 약 10 ㎛ 미만인 하나 이상의 측방향(X-Y) 치수들을 갖는다. 일부 실시예들에서, 구멍-피처들(506)의 하나 이상의 측방향 치수는 약 2.5 ㎛ 초과, 약 5 ㎛ 초과, 약 7 ㎛ 초과, 약 10 ㎛ 초과, 또는 약 25 ㎛ 초과와 같이, 약 1 ㎛ 초과이다. 일부 실시예들에서, 구멍 형성 피처들(506)의 하나 이상의 측방향 치수들은 유체 수송 특성들 또는 그의 다른 바람직한 특성들을 튜닝하도록 연마 패드를 가로질러 변한다.
[0105]
여기서, 구멍 형성 피처들(506)은 두께(T(X))와 같은 두께를 가지며, 이는 전형적으로 인쇄 층들(505c, 505d) 각각의 두께(T(1))의 배수, 예를 들어 1X 이상이다. 예를 들어, 인쇄 층 내의 구멍 형성 피처들의 두께는 전형적으로 그에 인접하여 배치된 연마 재료의 연속 폴리머 상의 두께와 동일하다. 따라서, 적어도 2 개의 순차적으로 증착된 인쇄 층들 내에 측방향으로 배치된 구멍 형성 피처들이 Z-방향으로 정렬되거나 또는 적어도 부분적으로 중첩되는 경우, 생성된 구멍 형성 피처의 두께(T(X))는 적어도 2 개의 순차적으로 증착된 인쇄 층들의 적어도 조합된 두께일 것이다. 일부 실시예들에서, 구멍 형성 피처들 중 하나 이상은 그 위에 또는 그 아래에 배치된 인접 층의 구멍-피처(506)와 중첩되지 않으므로, 따라서 두께(T(7))를 갖는다. 본 명세서에 제시된 연마 패드 제조 방법들 중 임의의 하나 또는 조합을 실시하기 위해 사용될 수 있는 예시적인 적층 제조 시스템이 도 7a에 추가로 설명되어 있다.
[0106]
도 6a 내지 도 6f는 본 명세서에 설명된 다른 연마 요소 형상들 및/또는 배열들 중 임의의 것 대신에 사용될 수 있는 다양한 연마 요소(604a-f) 형상들 및/또는 배열들의 개략적인 평면도들이다. 여기서, 도 6a 내지 도 6f 각각은, 위에서 볼 때, 연마 요소들(604a-f)을 나타내는 백색 구역들(백색 픽셀(pixel)들의 구역들) 및 기초 층(402)을 나타내는 흑색 구역들(흑색 픽셀들의 구역들)을 갖는 픽셀 차트(pixel chart)들을 포함한다. 공간적으로 배열된 구멍-피처 밀도 구역들, 재료 도메인들, 및/또는 재료 마이크로-도메인들(도 6a 내지 도 6f에 도시되지 않음)은 본 명세서에 제시된 실시예들 중 임의의 하나 또는 조합을 포함할 수 있다.
[0107]
도 6a에서, 연마 요소들(604a)은 복수의 동심 환형 링들을 포함한다. 도 6b에서, 연마 요소들(604b)은 동심 환형 링들의 복수의 세그먼트들을 포함한다. 도 6c에서, 연마 요소들(604c)은 연마 패드(600c)의 중심으로부터 연마 패드(600c)의 에지까지 또는 그에 근접하게 연장되는 복수의 나선들(4 개가 도시됨)을 형성한다. 도 6d에서, 복수의 불연속적 연마 요소들(604d)이 기초 층(602) 상에 나선형 패턴으로 배열된다.
[0108]
도 6e에서, 복수의 연마 요소들(604e) 각각은 기초 층(602)로부터 상향으로 연장되는 원통형 포스트(post)를 포함한다. 다른 실시예들에서, 연마 요소들(604e)은 임의의 적합한 단면 형상, 예를 들어 패드(600e)의 밑면에 일반적으로 평행하게 절단된 단면에서 환상형, 부분 환상형(예를 들어, 아크), 타원형, 정사각형, 직사각형, 삼각형, 다각형, 불규칙한 형상들, 또는 이들의 조합들을 갖는 기둥들이다. 도 6f는 기초 층(602)로부터 상향으로 연장되는 복수의 개별 연마 요소들(604f)을 갖는 연마 패드(600f)를 예시한다. 도 6f의 연마 패드(600f)는, 연마 요소들(604f)의 일부가 연결되어 하나 이상의 폐쇄된 원들을 형성한다는 점을 제외하면, 연마 패드(600e)와 유사하다. 하나 이상의 폐쇄된 원들은 CMP 프로세스 중에 연마 유체를 보유하기 위해 댐(damn)들을 생성한다.
제형 및 재료 예들
[0109]
위에 설명된 기초 및 연마 층들을 형성하기 위해 사용되는 프리폴리머 조성물들은 각각 기능성 폴리머들, 기능성 올리고머들, 기능성 모노머들, 반응성 희석제들, 및 광개시제들 중 하나 이상의 것들의 혼합물을 포함한다.
[0110]
적어도 2 개의 프리폴리머 조성물들 중 하나 또는 둘 모두를 형성하기 위해 사용될 수 있는 적합한 기능성 폴리머들의 예들은 1,3,5-트리아크릴로일헥사히드로-1,3,5-트리아진 또는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트와 같은, 디, 트리, 테트라 및 더 높은 기능성 아크릴레이트들을 포함하는 다관능성(multifunctional) 아크릴레이트들을 포함한다.
[0111]
적어도 2 개의 프리폴리머 조성물들 중 하나 또는 둘 모두를 형성하기 위해 사용될 수 있는 적합한 기능성 올리고머들의 예들은 단관능성(monofunctional) 및 다관능성 올리고머들, 아크릴레이트 올리고머들, 예를 들어 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머들, 지방족 6-관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머들, 디아크릴레이트, 지방족 6-관능 아크릴레이트 올리고머들, 다관능성 우레탄 아크릴레이트 올리고머들, 지방족 우레탄 디아크릴레이트 올리고머들, 지방족 우레탄 아크릴레이트 올리고머들, 지방족 디아크릴레이트 올리고머들과의 지방족 폴리에스테르 우레탄 디아크릴레이트 블렌드(blend)들, 또는 이들의 조합들, 예를 들어 비스페놀-A 에톡실레이트 디아크릴레이트 또는 폴리부타디엔 디아크릴레이트, 4-관능 아크릴레이티드 폴리에스테르 올리고머들, 및 지방족 폴리에스테르 기반 우레탄 디아크릴레이트 올리고머들을 포함한다.
[0112]
적어도 2 개의 프리폴리머 조성물들 중 하나 또는 둘 모두를 형성하기 위해 사용될 수 있는 적합한 모노머들의 예들은 단관능성 모노머들 및 다관능성 모노머들 모두를 포함한다. 적합한 단관능성 모노머들은 테트라히드로푸르푸릴 아크릴레이트(예를 들어, Sartomer®의 SR285), 테트라히드로푸르푸릴 메타크릴레이트, 비닐 카프로락탐, 이소보르닐 아크릴레이트, 이소보르닐 메타크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 메타크릴레이트, 2-(2-에톡시에톡시)에틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 이소데실메타크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 라우릴 메타크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 스테아릴 메타크릴레이트, 사이클릭 트리메틸올프로판 포르말 아크릴레이트, 2-[[(부틸아미노) 카르보닐]옥시]에틸 아크릴레이트(예를 들어, RAHN USA Corporation의 Genomer 1122), 3,3,5-트리메틸시클로헥산 아크릴레이트, 또는 단관능성 메톡실레이티드 PEG (350) 아크릴레이트를 포함한다. 적합한 다관능성 모노머들은 디올들 및 폴리에테르 디올들의 디아크릴레이트들 또는 디메타크릴레이트들, 예를 들어 프로폭실화된 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 1,3-부틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 1,3-부틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 알콕시화 지방족 디아크릴레이트(예를 들어, Sartomer®의 SR9209A), 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 알콕실화된 헥산디올 디아크릴레이트들, 또는 이들의 조합들, 예를 들어 Sartomer®의 SR562, SR563, SR564를 포함한다.
[0113]
전형적으로, 프리폴리머 조성물들 중 하나 이상을 형성하기 위해 사용되는 반응성 희석제들은 최소 단관능성이고, 자유 라디칼들, 루이스 산들, 및/또는 전자기 방사선에 노출될 때 중합을 겪는다. 적합한 반응성 희석제들의 예들은 모노아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 옥틸데실 아크릴레이트, 사이클릭 트리메틸올프로판 포르말 아크릴레이트, 카프로락톤 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트(IBOA), 또는 알콕시화 라우릴 메타크릴레이트를 포함한다.
[0114]
적어도 2 개의 상이한 프리폴리머 조성물들 중 하나 이상을 형성하기 위해 사용되는 적합한 광개시제들의 예들은 폴리머 광개시제들 및/또는 올리고머 광개시제들, 예를 들어 벤조인 에테르, 벤질 케탈들, 아세틸 페논들, 알킬 페논들, 포스핀 옥사이드들, 벤조페논 화합물들, 및 아민 상승제를 포함하는 티오크산톤 화합물들, 또는 이들의 조합들을 포함한다.
[0115]
위에서 설명한 프리폴리머 조성물들로 형성된 연마 패드 재료들의 예들은 전형적으로 하기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 올리고머 및/또는 폴리머 세그먼트들, 화합물들, 또는 재료들 중 적어도 하나를 포함한다: 폴리아미드들, 폴리카보네이트들, 폴리에스테르들, 폴리에테르 케톤들, 폴리에테르들, 폴리옥시메틸렌들, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르이미드들, 폴리이미드들, 폴리올레핀들, 폴리실록산들, 폴리설폰들, 폴리페닐렌들, 폴리페닐렌 황화물들, 폴리우레탄들, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴들, 폴리아크릴레이트들, 폴리메틸메타크릴레이트들, 폴리우레탄 아크릴레이트들, 폴리에스테르 아크릴레이트들, 폴리에테르 아크릴레이트들, 에폭시 아크릴레이트들, 폴리카보네이트들, 폴리에스테르들, 멜라민들, 폴리술폰들, 폴리비닐 재료들, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 할로겐화 폴리머들, 블록 코폴리머들, 및 이들의 랜덤 코폴리머들, 및 이들의 조합들.
[0116]
위에서 설명된 구멍-피처들(314)을 형성하기 위해 사용될 수 있는 희생 재료 조성물(들)은 글리콜들(예를 들어, 폴리에틸렌 글리콜들), 글리콜-에테르들, 및 아민들과 같은 수용성 재료를 포함한다. 본 명세서에 설명된 구멍 형성 피처들을 형성하기 위해 사용될 수 있는 적합한 희생 재료 전구체들의 예들은 에틸렌 글리콜, 부탄디올, 다이머 디올, 프로필렌 글리콜-(1,2) 및 프로필렌 글리콜-(1,3), 옥탄-1,8-디올, 네오펜틸 글리콜, 시클로헥산 디메탄올 (1,4-비스-히드록시메틸시클로헥산), 2-메틸-1,3-프로판디올, 글리세린, 트리메틸올프로판, 헥산디올-(1,6), 헥산트리올-(1,2,6) 부탄 트리올-(1,2,4), 트리메틸올에탄, 펜타에리트리톨, 퀴니톨, 만니톨 및 소르비톨, 메틸글리코시드, 또한 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜들, 디부틸렌 글리콜, 폴리부틸렌 글리콜들, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(EGMBE), 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에탄올아민, 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA), 및 이들의 조합들을 포함한다.
[0117]
일부 실시예들에서, 희생 재료 전구체는 수용성 폴리머, 예를 들어 1-비닐-2-피롤리돈, 비닐이미다졸, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 아크릴산, 스티렌술폰산나트륨, Hitenol BC10®, Maxemul 6106®, 히드록시에틸 아크릴레이트 및 [2-(메타크릴로일옥시)에틸트리메틸암모늄 클로라이드, 3-알릴옥시-2-히드록시-1-프로판술폰산 나트륨, 4-비닐벤젠술폰산나트륨, [2-(메타크릴로일옥시)에틸]디메틸-(3-술포프로필) 수산화암모늄, 2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산, 비닐포스폰산, 알릴트리페닐포스포늄 클로라이드, (비닐벤질)트리메틸암모늄 클로라이드, 알릴트리페닐포스포늄 클로라이드, (비닐벤질)트리메틸암모늄 클로라이드, E-SPERSE RS-1618, E-SPERSE RS-1596, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 모노아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 트리아크릴레이트, 또는 이들의 조합들을 포함한다.
적층 제조 시스템 및 프로세스 예들
[0118]
도 7a는 본 명세서에 설명된 연마 패드들을 형성하기 위해 사용될 수 있는 일 실시예에 따른 적층 제조 시스템(700)의 개략적인 단면도이다. 여기서, 적층 제조 시스템(700)은 이동 가능한 제조 지지체(702), 제조 지지체(702) 위에 배치된 하나 이상의 프리폴리머 조성물 분배 헤드(head)들, 예를 들어 제1 분배 헤드(704) 및 제2 분배 헤드(706), 및 하나 이상의 희생 재료 분배 헤드들, 예를 들어, 제3 분배 헤드(708), 및 경화 소스(709)를 특징으로 한다. 일부 실시예들에서, 분배 헤드들(704, 706, 708)은 서로 독립적으로 그리고 연마 패드 제조 프로세스 동안 제조 지지체(702)와 독립적으로 이동한다. 여기서, 제1 및 제2 분배 헤드들(704, 706)은 상이한 재료 도메인들 및/또는 이들의 상이한 재료 마이크로-도메인들을 포함하는, 본 명세서에 설명된 연마 재료들을 형성하기 위해 사용되는 대응하는 프리폴리머 조성물 소스들(712 및 714)에 유체 결합된다. 제3 분배 헤드(708)는 구멍-피처들(314)을 형성하기 위해 사용되는 희생 재료 소스(715)에 결합된다. 일부 실시예들에서, 적층 제조 시스템(700)은 각각 상이한 프리폴리머 조성물 또는 희생 재료 전구체 조성물들을 분배하기 위해 원하는 만큼 많은 분배 헤드들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 적층 제조 시스템(700)은 복수의 분배 헤드들을 포함하고, 여기서 2 개 이상의 분배 헤드들이 동일한 프리폴리머 조성물들 또는 희생 재료 전구체 조성물들을 분배하도록 구성된다.
[0119]
여기서, 분배 헤드들(704, 706, 708) 각각은 분배 헤드 저장소들로 전달된 개개의 프리폴리머 조성물들(712, 714) 및 희생 재료 조성물(715)의 액적들(730, 732, 734)을 배출하도록 구성된 액적 배출 노즐들(716)의 어레이(array)를 특징으로 한다. 여기서, 액적들(730, 732, 734)은 제조 지지체를 향해 그리고 이에 따라 제조 지지체(702) 상으로 또는 제조 지지체(702) 상에 배치된 이전에 형성된 인쇄 층(718) 상으로 배출된다. 전형적으로, 분배 헤드들(704, 706, 708) 각각은 그의 다른 노즐들(716)의 발사(fire)와는 독립적으로 개개의 기하학적 어레이 또는 패턴으로 노즐들(716) 각각으로부터 액적들(730, 732, 734)을 발사(배출을 제어)하도록 구성된다. 여기서, 노즐들(716)은, 분배 헤드들(704, 706)이 제조 지지체(702)에 대해 이동할 때, 인쇄 층(724)과 같은, 형성될 인쇄 층에 대한 액적 분배 패턴에 따라 독립적으로 발사된다. 일단 분배되면, 프리폴리머 조성물의 액적들(730) 및/또는 희생 재료 조성물(715)의 액적들은, 부분적으로 형성된 인쇄 층(724)과 같은 인쇄 층을 형성하기 위해, 전자기 방사선, 예를 들어 UV 방사선 소스(709)와 같은 전자기 방사선 소스에 의해 제공되는 UV 방사선(726)에 대한 노출에 의해 적어도 부분적으로 경화된다.
[0120]
일부 실시예들에서, 제1 프리폴리머 조성물의 분배된 액적들(730)과 같은 프리폴리머 조성물들의 분배된 액적들은 도 7b의 설명에 제시된 것과 같은 평형 크기로 확산되기 전에 전자기 방사선에 노출되어 액적을 물리적으로 고정한다. 전형적으로, 분배된 액적들은 전자파 방사선에 노출되어, 제조 지지체(702)의 표면 또는 제조 지지체(702) 상에 배치된 이전에 형성된 인쇄 층(718)의 표면과 같은 표면과 액적이 접촉한 후 1 초 이하 이내에 그의 프리폴리머 조성물들을 적어도 부분적으로 경화시킨다.
[0121]
도 7b는 일부 실시예들에 따라 도 7a에 설명된 이전에 형성된 층(718)과 같은 이전에 형성된 층의 표면(719) 상에 배치된 액적(732a)을 개략적으로 예시하는 확대 단면도이다. 전형적으로 적층 제조 프로세스에서, 액적(732a)과 같은 프리폴리머 조성물의 액적은 확산되어, 액적(732a)이 표면(719)과 접촉하는 순간으로부터 약 1 초 이내에 이전에 형성된 층의 표면(719)과 평형 접촉각(α)에 도달할 것이다. 평형 접촉각(α)은 적어도 프리폴리머 조성물의 재료 특성들 및 이전에 형성된 층, 예를 들어 이전에 형성된 층(718)의 표면(719)에서의 에너지(표면 에너지)의 함수이다. 일부 실시예들에서, 이전에 형성된 층의 표면(719)과 액적 접촉각을 고정하기 위해 평형 크기에 도달하기 전에 분배된 액적을 적어도 부분적으로 경화시키는 것이 바람직하다. 이들 실시예들에서, 고정된 액적(732b)의 접촉각(θ)은 그의 평형 크기로 확산되도록 허용된 동일한 프리폴리머 조성물의 액적(732a)의 평형 접촉각(α)보다 크다.
[0122]
여기서, 분배된 액적을 적어도 부분적으로 경화시키는 것은 적어도 부분적인 중합, 예를 들어 액적들 내의 프리폴리머 조성물(들) 및 동일한 또는 상이한 프리폴리머 조성물의 인접하게 배치된 액적들과의 가교 결합을 유발시켜 연속 폴리머 상을 형성한다. 일부 실시예들에서, 프리폴리머 조성물이 분배되고 적어도 부분적으로 경화되어, 희생 재료 조성물이 이에 분배되기 전에 원하는 구멍 주위에 웰(well)을 형성한다.
[0123]
여기서, 적층 제조 시스템(700)은 그 동작을 지시하는 시스템 제어기(701)를 더 포함한다. 시스템 제어기(701)는 메모리(705)(예를 들어, 비휘발성 메모리) 및 지원 회로들(707)과 함께 동작할 수 있는 프로그래밍 가능한 중앙 프로세싱 유닛(CPU(703))을 포함한다. 지원 회로들(707)은 통상적으로 CPU(703)에 결합되고, 캐시(cache), 클록(clock) 회로들, 입력/출력 서브시스템들, 전력 공급기들 등, 및 적층 제조 시스템(700)의 다양한 컴포넌트들에 결합된 이들의 조합들을 포함하여, 이들의 제어를 용이하게 한다. CPU(703)는 적층 제조 시스템(700)의 다양한 컴포넌트들 및 하위 프로세서들을 제어하기 위해, 프로그래밍 가능한 논리 제어기(PLC)와 같은 산업 환경에서 사용되는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나이다. CPU(703)에 결합된 메모리(705)는 비-일시적이며, 전형적으로 RAM(random access memory), ROM(read only memory), 플로피 디스크 드라이브(floppy disk drive), 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 로컬 또는 원격의 디지털 스토리지(storage)와 같은 용이하게 사용 가능한 메모리들 중 하나 이상이다.
[0124]
전형적으로, 메모리(705)는, CPU(703)에 의해 실행될 때, 제조 시스템(700)의 동작을 용이하게 하는 명령어들을 포함하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체들(예를 들어, 비휘발성 메모리)의 형태이다. 메모리(705) 내의 명령어들은 본 개시내용의 방법들을 구현하는 프로그램과 같은 프로그램 제품의 형태이다.
[0125]
프로그램 코드는 다수의 상이한 프로그래밍 언어들 중 임의의 하나를 따를 수 있다. 일 예에서, 본 개시내용은 컴퓨터 시스템과 함께 사용하기 위해 컴퓨터 판독가능 저장 매체들에 저장된 프로그램 제품으로서 구현될 수 있다. 프로그램 제품의 프로그램(들)은 (본 명세서에 설명된 방법들을 포함하여) 실시예들의 기능들을 정의한다.
[0126]
예시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체들은, (i) 정보가 영구적으로 저장되는 쓰기 불가능한 저장 매체들(예를 들어, CD-ROM 드라이브에 의해 판독 가능한 CD-ROM 디스크들, 플래시 메모리, ROM 칩(chip)들, 또는 임의의 유형의 솔리드-스테이트(solid-state) 비휘발성 반도체 메모리와 같은 컴퓨터 내의 판독 전용 메모리 디바이스들); 및 (ii) 변경 가능한 정보가 저장되는 쓰기 가능한 저장 매체들(예를 들어, 디스켓 드라이브 또는 하드 디스크 드라이브 또는 임의의 유형의 솔리드-스테이트 랜덤 액세스 반도체 메모리 내의 플로피 디스크들)을 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 이러한 컴퓨터 판독가능 저장 매체들은, 본 명세서에 설명된 방법들의 기능들을 지시하는 컴퓨터 판독가능 명령어들을 운반할 때, 본 개시내용의 실시예들이다. 일부 실시예들에서, 본 명세서에 제시된 방법들, 또는 그 부분들은 하나 이상의 ASICs(application specific integrated circuits), FPGAs(field-programmable gate arrays), 또는 다른 유형들의 하드웨어 구현들에 의해 수행된다. 일부 다른 실시예들에서, 본 명세서에 제시된 연마 패드 제조 방법들은 소프트웨어 루틴들, ASIC(s), FPGAs 및/또는 다른 유형들의 하드웨어 구현들의 조합에 의해 수행된다.
[0127]
여기서, 시스템 제어기(710)는 제조 지지체(702)의 움직임, 분배 헤드들(704 및 706)의 움직임, 그로부터 프리폴리머 조성물들의 액적들을 배출하기 위한 노즐들(716)의 발사, 및 UV 방사선 소스(709)에 의해 제공되는 분배된 액적들의 경화 정도 및 타이밍을 지시한다. 일부 실시예들에서, 제조 시스템(700)의 동작을 지시하기 위해 시스템 제어기에 의해 사용되는 명령들은 형성될 인쇄 층들 각각에 대한 액적 분배 패턴들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 액적 분배 패턴들은 CAD 양립 가능한 디지털 인쇄 명령들로서 메모리(725)에 집합적으로 저장된다. 연마 패드(300)를 제조하기 위해 적층 제조 시스템(700)에 의해 사용될 수 있는 인쇄 명령들의 예가 도 8a 및 도 8b에 제공된다.
[0128]
도 8a 및 도 8b는 일부 실시예에 따라 본 명세서에 제시된 방법들을 실행하기 위해 적층 제조 시스템(700)에 의해 사용될 수 있는 CAD 양립 가능 인쇄 명령들의 부분들을 개략적으로 나타낸다. 여기서, 인쇄 명령들(800 또는 802)은 개개의 재료 마이크로-도메인들(502, 504)을 형성하기 위해 사용되는 프리폴리머 조성물들의 액적들(730, 732) 및 구멍-피처들(506)을 형성하기 위해 사용되는 희생 재료 전구체의 액적들(734)의 배치를 제어하기 위해 사용된다. 전형적으로, 액적들(730, 732, 734)의 배치는 적층 제조 시스템의 분배 헤드들이 제조 지지체에 대해 이동할 때 노즐들의 개개의 분배 헤드 어레이의 노즐들 중 하나 이상을 선택적으로 발사함으로써 제어된다. 도 8b는 CAD 양립 가능한 인쇄 명령을 개략적으로 나타내고, 여기서 분배 헤드들이 제조 지지체에 대해 이동함에 따라 노즐들 모두보다 적은 노즐이 발사되고, 그 사이의 공간이 생략된 액적들(810)로서 가상선으로 도시된다.
[0129]
전형적으로, 인쇄 층 또는 인쇄 층의 부분에 분배된 액적들의 조합된 부피는 그의 평균 두께를 결정한다. 따라서, 노즐들의 분배 헤드 어레이 내의 노즐들 모두보다 적은 노즐을 선택적으로 발사할 수 있는 능력은 인쇄 층의 Z-해상도(평균 두께)에 대한 미세한 제어를 허용한다. 예를 들어, 도 8a 및 도 8b의 인쇄 명령들(800 및 802)은 각각 동일한 적층 제조 시스템에서 연마 패드의 하나 이상의 개개의 인쇄 층들을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 분배된 액적들의 크기가 동일한 경우, 인쇄 명령들(802)을 사용하여 분배된 액적들의 조합된 부피는 인쇄 명령들(800)을 사용하여 분배된 액적들의 조합된 부피보다 작을 것이고, 따라서 더 얇은 인쇄 층을 형성할 것이다. 분배 헤드들이 제조 지지체에 대해 이동할 때 노즐들 모두보다 적은 노즐이 발사되는 실시예들과 같은 일부 실시예들에서, 액적들은 확산되어 이에 근접하게 분배된 다른 액적들과의 중합 또는 공중합을 용이하게 하여 이에 따라 이전에 형성된 인쇄 층의 실질적인 커버리지(coverage)를 보장하도록 허용된다.
[0130]
도 9a는 도 3a 내지 도 3d에 개략적으로 나타낸 연마 패드(300)의 실시예를 형성하기 위해 적층 제조 시스템(700)에 의해 사용될 수 있는 CAD 양립 가능한 인쇄 명령들(900)의 부분을 도시한다. 도 9b는 도 9a의 부분의 확대도이다. 여기서, 인쇄 명령(900)은 내부에 구멍-피처들(314)이 형성된 연마 요소들(304)의 부분을 포함하는 인쇄 층을 형성하기 위해 사용된다. 전형적으로, 폴리머 재료(312)를 형성하기 위해 사용되는 프리폴리머 조성물(들)의 액적들은 백색 구역들을 형성하는 픽셀들에 따라 분배되고, 희생 재료 조성물(들)의 액적들은 제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 흑색 픽셀들 내에 분배된다. 이러한 인쇄 층에서, 연마 요소들(304) 사이에 배치된 개별 채널들(310)을 정의하는 (제2 구멍-피처 밀도 구역들(308B) 외부의) 연마 요소들(304) 사이의 흑색 구역들에는 액적들이 분배되지 않을 것이다.
[0131]
도 10은 일 실시예에 따른 적층 제조 시스템을 사용하여 연마 패드를 형성하는 방법(1000)을 제시하는 흐름도이다. 방법(1000)은 도 7a의 적층 제조 시스템(700), 도 7b의 고정된 액적들, 도 8a 및 도 8b의 인쇄 명령들, 및 위에서 설명된 제형 및 재료 예들과 같은, 본 명세서에 설명된 시스템들, 시스템 동작들, 및 제형 및 재료 예들 중 하나 이상과 조합하여 사용될 수 있다. 또한, 방법(1000)의 실시예들은 본 명세서에 도시되고 설명된 연마 패드들의 실시예들 중 임의의 하나 또는 조합을 형성하기 위해 사용될 수 있다.
[0132]
여기서, 방법(1000)은 연마 패드의 연마 층을 형성하기 위해 사용된다. 연마 층은 제1 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들 및 제2 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제2 구역들을 특징으로 한다. 복수의 제1 구역들은 연마 패드의 연마 표면에 평행한 X-Y 평면을 가로질러 패턴으로 분포되고, 복수의 제2 구역들과 나란한 배열로 배치된다. 이 실시예에서, 제2 구멍-피처 밀도는 약 2 % 이상이고, 제1 구멍-피처 밀도는 제2 구멍-피처 밀도의 약 1/2 이하이다.
[0133]
활동(1002)에서, 방법(1000)은, 제1 패턴에 따라, 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들 및 희생 재료 조성물의 액적들을 이전에 형성된 인쇄 층의 표면 상으로 분배하는 단계를 포함한다. 전형적으로, 활동(1002)은 하나 이상의 프리폴리머 조성물들을 적어도 부분적으로 중합하고 제1 인쇄 층을 형성하기 위해 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시키는 단계를 더 포함한다. 여기서, 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들 및 희생 재료 조성물의 액적들은 제2 구역들에 복수의 구멍-피처들을 형성하기 위해 제1 패턴에 따라 분배되고, 구멍-피처들의 높이는 제1 인쇄 층의 두께에 대응한다. 일부 실시예들에서, 방법(1000)의 활동(1002)은 복수의 제1 인쇄 층들을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 구멍-피처들의 높이는 복수의 이웃하는 제1 인쇄 층들의 두께에 대응한다.
[0134]
활동(1004)에서, 방법(1000)은 활동(1002)에서 형성된 하나 이상의 제1 인쇄 층들의 표면 상으로 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들을 분배하고 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시켜 제2 인쇄 층을 형성하는 단계를 포함한다. 전형적으로, 활동(1004)은 하나 이상의 프리폴리머 조성물들을 적어도 부분적으로 중합하고 제2 인쇄 층을 형성하기 위해 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시키는 단계를 더 포함한다. 여기서, 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들은 활동(1002)에서 형성된 구멍-피처들 위에 폴리머 재료의 층을 형성하기 위해 제2 패턴에 따라 분배된다. 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들은 제2 인쇄 층의 두께만큼 Z-방향으로 이격되어 있다. 일부 실시예들에서, 활동(1004)은 복수의 제2 인쇄 층들을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 구멍-피처들은 복수의 이웃하는 제2 인쇄 층들의 두께만큼 Z-방향으로 이격되어 있다.
[0135]
전형적으로, 방법(1000)은 Z-방향, 즉, 제조 지지체의 표면 또는 그 위에 배치된 이전에 형성된 인쇄 층에 직교하는 방향으로 적층된 복수의 제1 및 제2 인쇄 층들을 형성하도록 활동들(1002 및 1004)의 순차적인 반복들을 더 포함한다.
[0136]
일부 실시예들에서, 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들은 제1 프리폴리머 조성물의 복수의 액적들 및 제2 프리폴리머 조성물의 복수의 액적들을 포함한다. 여기서, 제1 구역들은 제1 프리폴리머 조성물의 액적들로 형성되고, 제2 구역들은 제2 프리폴리머 조성물의 액적들로 형성된다. 상이한 프리폴리머 조성물들은 상응하는 상이한 제1 및 제2 재료 도메인들 및/또는 재료 마이크로-도메인들을 형성하기 위해 사용되고, 여기서 제1 재료 도메인들, 및/또는 재료 마이크로-도메인들은 제1 저장 탄성률을 갖고, 제2 재료 도메인들 및/또는 재료 마이크로-도메인들은 제1 저장 탄성률과 상이한 제2 저장 탄성률을 갖는다.
[0137]
바람직하게는, 본 명세서의 실시예들에 따라 형성된 연마 패드들은 균일한 구멍 분포를 갖는 적층 제조 프로세스를 사용하여 형성된 연마 패드들 및 종래의 연마 패드들과 비교할 때 우수한 평탄화 및 표면 마무리 성능을 모두 제공하고, 따라서 도 11에 도시된 바와 같이 평면성-결함 곡선이 시프트된다.
[0138]
도 11은 다공도가 그의 연마 패드 재료에 균일하게 분포되는 다양한 경도 및 다공도의 연마 패드들(1124A-D)에 대한 평면성-결함 곡선(1122), 및 여기에 제시된 실시예들에 따라 상이한 구멍-피처 밀도들의 공간적으로 배열된 구역들을 갖도록 형성된 연마 패드들(1128A-D)에 대한 평면성-결함 곡선(1126)을 예시하는 그래프(1100)이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 본 명세서에 제공된 연마 패드들에 대한 평면성-결함 곡선(1126)은 연마 패드들(1124A-D)에 대한 평면성-결함 곡선(1122)과 비교할 때 이상적인 널(null) 디싱 및 널 결함 연마 결과를 향해 유익하게 시프트된다.
[0139]
표 2는 다양한 연마 패드들(1124A-D)에 대한 경도 및 구멍 밀도 % 값들을 도시한다. 여기서, 곡선(1122)을 형성하는 연마 패드들(1124A-D)은 연마 패드의 연마 표면을 가로질러 균일한 다공도 및 일반적으로 균질한 재료 조성을 갖는다.
[0140]
표 3은 여기서, 실시예들에 따라 형성된 연마 패드들(1128A-D)에 대한 경도 및 구멍 밀도(%) 값들을 도시한다. 여기서, 연마 패드들(1128A-D)은 도 6d에 도시된 복수의 나선형 패턴들과 같은 복수의 나선형 패턴들의 대응하는 세그먼트들을 형성하도록 배열된 복수의 연마 요소들로 형성된다. 연마 패드(1128A)는 연마 표면을 가로질러 구멍-피처들의 균일한 분포를 갖도록 형성된다. 연마 패드들(1128B-C)은 도 9a의 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들(308B)의 X-Y 그리드와 같은, (위에서 볼 때) X-Y 그리드를 형성하기 위해 연속 매트릭스로 배열된 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들, 및 X-Y 그리드 내에 산재된 복수의 이격된 낮은 구멍-피처 밀도 구역들(308A)을 갖도록 형성된다. 연마 패드들(1128A-C)은 도 5a 내지 도 5d에 설명된 공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들(502 및 504)과 같은 비교적 경질의 그리고 비교적 연질의 연마 재료들의 공간적으로 배열된 마이크로-도메인들을 더 포함한다. 연마 패드들(1128A-C)의 경우, 공간적으로 배열된 재료 마이크로-도메인들은 (위에서 아래로 볼 때) 일반적으로 바둑판 패턴으로 배열되고 개별 재료 마이크로-도메인들 각각은 약 160 ㎛ x 약 160 ㎛의 치수를 갖지만, 상대적으로 높은 구멍-피처 밀도 구역들에서 개별 재료 마이크로-도메인들의 표면적의 일부는 그 안에 형성된 구멍-피처들에 의해 감소될 수 있다. 연마 패드(1128D)의 솔리드 구역들을 형성하기 위해 사용되는 연마 재료는 일반적으로 그 연마 표면을 가로질러 균질하다.
[0141]
전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (20)
- 기판의 표면을 연마하도록 구성된 연마 표면을 갖는 연마 패드(pad)로서,
연마 층을 포함하고,
상기 연마 층의 적어도 일부는 연마 재료의 연속 상(continuous phase)을 포함하고, 상기 연마 재료의 연속 상은,
제1 구멍-피처(pore-feature) 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들; 및
상기 제1 구멍-피처 밀도와 상이한 제2 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제2 구역들을 포함하고,
상기 복수의 제1 구역들은 상기 복수의 제2 구역들과 나란한 배열로 상기 연마 패드의 X-Y 평면에서 패턴으로 분포되고,
상기 복수의 제1 구역들 중 개별 부분들 또는 제1 구역들은 상기 복수의 제2 구역들 중 개별 부분들 또는 제2 구역들 사이에 개재되고,
상기 제1 및 제2 구멍-피처 밀도들은 상기 X-Y 평면에서 개개의 제1 및 제2 구역들의 총 면적의 백분율로서 복수의 구멍-피처들의 누적 면적을 포함하고,
상기 복수의 구멍-피처들은 상기 연마 층의 표면에 정의된 개구들, 상기 표면 아래에서 상기 연마 재료에 형성되는 보이드(void)들, 수용성 희생 재료를 포함하는 구멍 형성 피처들, 또는 이들의 조합들을 포함하고,
상기 X-Y 평면은 상기 연마 패드의 상기 연마 표면과 평행하고, 그리고
상기 복수의 제2 구역들 중 상기 개별 부분들 또는 제2 구역들 사이에 개재된 상기 복수의 제1 구역들 중 상기 개별 부분들 또는 제1 구역들은 약 100 ㎛와 같거나 또는 이보다 큰 제1 반경을 갖는 상기 X-Y 평면에서의 제1 원에 의해 정의되는 적어도 연속 영역을 포함하는, 연마 패드. - 제1항에 있어서,
상기 제2 구멍-피처 밀도는 약 2 % 이상이고, 상기 제1 구멍-피처 밀도는 상기 제2 구멍-피처 밀도의 약 1/2 이하인, 연마 패드. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 제2 구역들은 연속 매트릭스(matrix)를 형성하고, 상기 복수의 제1 구역들 중 개별 제1 구역들은 상기 개별 제1 구역들 사이에 배치된 제2 구역들의 상기 연속 매트릭스의 적어도 일부들에 의해 서로 이격되는, 연마 패드. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 제2 구역들에서의 개별 구멍-피처들은 약 50 ㎛ 이하인 Z-방향의 높이 및 약 50 ㎛ 내지 약 250 ㎛인 상기 X-Y 평면에서의 직경을 갖고, 상기 Z-방향은 상기 X-Y 평면에 직교하는, 연마 패드. - 제4항에 있어서,
상기 개별 구멍-피처들의 상기 높이는 상기 직경의 약 1/2 이하인, 연마 패드. - 제1항에 있어서,
상기 제2 구멍-피처 밀도는 약 2 % 이상이고,
상기 제1 구멍-피처 밀도는 상기 제2 구멍-피처 밀도의 약 1/2 이하이고,
상기 복수의 제1 구역들은 제1 저장 탄성률(storage modulus)을 갖는 대응하는 제1 재료 도메인들로 형성되고,
상기 복수의 제2 구역들은 제2 저장 탄성률을 갖는 대응하는 제2 재료 도메인들로 형성되고, 그리고
상기 제2 저장 탄성률은 상기 제1 저장 탄성률의 약 1/2 이하인, 연마 패드. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 구역들은 제1 저장 탄성률을 갖는 대응하는 제1 재료 도메인들로 형성되고, 상기 복수의 제2 구역들은 상기 제1 저장 탄성률과 상이한 제2 저장 탄성률을 갖는 대응하는 제2 재료 도메인들로 형성되는, 연마 패드. - 제1항에 있어서,
상기 연마 층이 상부에 배치된 기초 층(foundation layer)을 더 포함하고, 상기 기초 층은, 상기 연마 층을 형성하기 위해 사용되는 상이한 프리폴리머(pre-polymer) 조성물 또는 상이한 비율의 적어도 2 개의 프리폴리머 조성물들로 형성되고, 상기 기초 층은 상기 연마 층과 일체로 형성되어, 상기 기초 층과 상기 연마 층 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 폴리머 재료의 연속 상을 제공하는, 연마 패드. - 제8항에 있어서,
상기 연마 층은 상기 연마 표면을 형성하기 위해 상기 기초 층으로부터 상향으로 연장되는 복수의 연마 요소들을 포함하고, 상기 복수의 연마 요소들 중 개별 연마 요소들은 상기 개별 연마 요소들 사이에 복수의 채널들을 정의하기 위해 상기 X-Y 평면에서 서로 이격되고, 상기 연마 요소들 각각은 상기 제1 구멍-피처 밀도를 갖는 상기 복수의 제1 구역들 및 상기 제2 구멍-피처 밀도를 갖는 상기 복수의 제2 구역들을 포함하는, 연마 패드. - 연마 패드로서,
기초 층; 및
연마 층 － 상기 연마 층은 상기 기초 층 상에 배치되고 상기 기초 층과 일체로 형성되어 상기 연마 층과 상기 기초 층 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 폴리머 재료의 연속 상을 포함함 － 을 포함하고,
상기 연마 층은,
제1 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들; 및
약 2 % 이상의 제2 구멍-피처 밀도를 제공하기 위해 복수의 구멍-피처들을 포함하는 복수의 제2 구역들을 포함하고,
상기 제1 구역들의 적어도 일부들은 상기 제2 구역들의 적어도 일부들에 의해 상기 연마 패드의 X-Y 평면에서 서로 이격되고,
상기 제1 및 제2 구멍-피처 밀도들은 상기 X-Y 평면에서 개개의 제1 및 제2 구역들의 총 면적의 백분율로서 복수의 구멍-피처들의 누적 면적을 포함하고,
상기 복수의 구멍-피처들은 상기 연마 층의 표면에 정의된 개구들, 상기 표면 아래에서 상기 연마 재료에 형성되는 보이드들, 수용성 희생 재료를 포함하는 구멍 형성 피처들, 또는 이들의 조합들을 포함하고,
상기 제1 구멍-피처 밀도는 상기 제2 구멍-피처 밀도의 약 1/2 이하이고,
상기 복수의 제2 구역들에서 상기 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들은 상기 X-Y 평면에서 측정된 상기 구멍의 직경의 약 1/2 이하인 Z-방향의 높이를 갖고,
상기 X-Y 평면은 상기 연마 패드의 상기 연마 표면에 평행하고, 상기 Z-방향은 상기 X-Y 평면에 직교하며, 그리고
상기 복수의 제1 및 제2 구역들은 상기 복수의 제1 및 제2 구역들 사이의 계면 경계 구역들을 가로질러 폴리머 재료의 연속 상을 형성하는, 연마 패드. - 제10항에 있어서,
상기 복수의 제1 구역들 및 상기 복수의 제2 구역들은,
(a) 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들 및 희생 재료 조성물의 액적들을 미리 형성된 인쇄 층의 표면 상으로 분배하고, 상기 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시켜 제1 인쇄 층을 형성하는 것;
(b) 선택적으로, (a)를 반복하여 복수의 이웃하는 제1 인쇄 층들을 형성하는 것 ― 상기 희생 재료 조성물의 액적들은 상기 제2 구역들에 복수의 구멍 형성 피처들을 형성하기 위해 제1 패턴에 따라 분배되고, 상기 복수의 구멍 형성 피처들 중 개별 구멍 형성 피처들의 상기 높이는 상기 제1 인쇄 층들 각각의 두께 및 (a)의 반복들의 횟수에 의해 결정됨 ― ;
(c) (a) 및/또는 (b)에서 형성된 하나 이상의 제1 인쇄 층들의 표면 상으로 상기 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들을 분배하고, 상기 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시켜 제2 인쇄 층을 형성하는 것; 및
(d) 선택적으로, (c)를 반복하여 복수의 이웃하는 제2 인쇄 층들을 형성하는 것 ― 상기 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 상기 액적들은 폴리머 재료의 층을 형성하기 위해 제2 패턴에 따라 분배되고, 상기 복수의 구멍 형성 피처들 중 개별 구멍 형성 피처들은 상기 폴리머 재료의 층에 의해 상기 Z-방향으로 이격되어 있고, 상기 Z-방향으로의 상기 개별 구멍 형성 피처들의 간격은 상기 제2 인쇄 층들 각각의 두께 및 (c)의 반복들의 횟수에 의해 결정됨 ― 의 순차적인 반복들에 의해 형성되는, 연마 패드. - 제11항에 있어서,
상기 복수의 제1 구역들은 제1 저장 탄성률을 갖는 대응하는 제1 재료 도메인들로 형성되고, 상기 복수의 제2 구역들은 상기 제1 저장 탄성률과 상이한 제2 저장 탄성률을 갖는 대응하는 제2 재료 도메인들로 형성되는, 연마 패드. - 제12항에 있어서,
상기 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 상기 액적들은 제1 프리폴리머 조성물의 복수의 액적들 및 제2 프리폴리머 조성물의 복수의 액적들을 포함하고, 상기 제1 재료 도메인들은 상기 제1 프리폴리머 조성물의 상기 액적들로 형성되고, 상기 제2 재료 도메인들은 상기 제2 프리폴리머 조성물의 상기 액적들로 형성되는, 연마 패드. - 제10항에 있어서,
상기 복수의 제2 구역들의 상기 적어도 일부들 사이에 개재된 상기 복수의 제1 구역들의 상기 적어도 일부들은 약 100 ㎛와 같거나 또는 이보다 큰 제1 반경을 갖는 상기 X-Y 평면에서의 제1 원에 의해 정의되는 적어도 연속 영역을 포함하는, 연마 패드. - 제14항에 있어서,
상기 연마 층은 연마 표면을 형성하기 위해 상기 기초 층으로부터 상향으로 연장되는 복수의 연마 요소들을 포함하고, 상기 복수의 연마 요소들 중 개별 연마 요소들은 상기 개별 연마 요소들 사이에 복수의 채널들을 정의하기 위해 상기 X-Y 평면에서 서로 이격되어 있고, 상기 연마 요소들 각각은 상기 복수의 제1 구역들 및 상기 복수의 제2 구역들을 포함하는, 연마 패드. - 연마 패드를 형성하는 방법으로서,
제1 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제1 구역들 및 제2 구멍-피처 밀도를 갖는 복수의 제2 구역들을 포함하는 연마 층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 제1 구역들은 상기 연마 층의 연마 표면에 평행한 X-Y 평면을 가로질러 패턴으로 분포되고, 상기 복수의 제2 구역들과 나란한 배열로 배치되며,
상기 제1 및 제2 구멍-피처 밀도들은 상기 X-Y 평면에서 개개의 제1 및 제2 구역들의 총 면적의 백분율로서 복수의 구멍-피처들의 누적 면적을 포함하고,
상기 복수의 구멍-피처들은 상기 연마 층의 표면에 정의된 개구들, 상기 표면 아래에서 연마 재료에 형성되는 보이드들, 수용성 희생 재료를 포함하는 구멍 형성 피처들, 또는 이들의 조합들을 포함하고,
상기 제2 구멍-피처 밀도는 약 2 % 이상이고, 상기 제1 구멍-피처 밀도는 상기 제2 구멍-피처 밀도의 약 1/2 이하이며,
상기 연마 층을 형성하는 단계는,
(a) 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들 및 희생 재료 조성물의 액적들을 미리 형성된 인쇄 층의 표면 상으로 분배하고, 상기 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시켜 제1 인쇄 층을 형성하는 단계;
(b) 선택적으로, (a)를 반복하여 복수의 이웃하는 제1 인쇄 층들을 형성하는 단계 ― 상기 희생 재료 조성물의 액적들은 상기 제2 구역들에 복수의 구멍-피처들을 형성하기 위해 제1 패턴에 따라 분배되고, 상기 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들의 높이는 상기 제1 인쇄 층들 각각의 두께 및 (a)의 반복들의 횟수에 의해 결정됨 ― ;
(c) (a) 및/또는 (b)에서 형성된 하나 이상의 제1 인쇄 층들의 표면 상으로 상기 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 액적들을 분배하고, 상기 분배된 액적들을 전자기 방사선에 노출시켜 제2 인쇄 층을 형성하는 단계; 및
(d) 선택적으로, (c)를 반복하여 복수의 이웃하는 제2 인쇄 층들을 형성하는 단계 ― 상기 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 상기 액적들은 폴리머 재료의 층을 형성하기 위해 제2 패턴에 따라 분배되고, 상기 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들은 상기 폴리머 재료의 층에 의해 Z-방향으로 이격되어 있고, 상기 Z-방향으로의 상기 개별 구멍-피처들의 간격은 상기 제2 인쇄 층들 각각의 두께 및 (c)의 반복들의 횟수에 의해 결정됨 ― 의 순차적인 반복들을 포함하는, 연마 패드를 형성하는 방법. - 제16항에 있어서,
상기 복수의 제2 구역들에서 상기 복수의 구멍-피처들 중 개별 구멍-피처들은 상기 X-Y 평면에서 측정된 구멍의 직경의 약 1/2 이하인 Z-방향의 높이를 갖는, 연마 패드를 형성하는 방법. - 제16항에 있어서,
상기 복수의 제1 구역들의 적어도 일부들은 상기 복수의 제2 구역들의 상기 적어도 일부들 사이에 개재되고, 상기 복수의 제1 구역들의 상기 개재된 부분들은 약 100 ㎛와 같거나 또는 이보다 큰 제1 반경을 갖는 상기 X-Y 평면에서의 제1 원에 의해 정의된 연속 영역을 적어도 포함하는, 연마 패드를 형성하는 방법. - 제16항에 있어서,
상기 하나 이상의 프리폴리머 조성물들의 상기 액적들은 제1 프리폴리머 조성물의 복수의 액적들 및 제2 프리폴리머 조성물의 복수의 액적들을 포함하고, 상기 제1 구역들은 상기 제1 프리폴리머 조성물들의 상기 액적들로 형성되고, 상기 제2 구역들은 상기 제2 프리폴리머 조성물들의 상기 액적들로 형성되는, 연마 패드를 형성하는 방법. - 제16항에 있어서,
상기 제1 및 제2 패턴들은 연마 표면을 형성하기 위해 기초 층으로부터 상향으로 연장되는 복수의 연마 요소들을 형성하고, 상기 복수의 연마 요소들 중 개별 연마 요소들은 상기 개별 연마 요소들 사이에 복수의 채널들을 정의하기 위해 상기 X-Y 평면에서 서로 이격되어 있고, 상기 연마 요소들 각각은 상기 복수의 제1 구역들 및 상기 복수의 제2 구역들을 포함하는, 연마 패드를 형성하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/906,992 US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2020-06-19 | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
| US16/906,992 | 2020-06-19 | ||
| PCT/US2021/021370 WO2021257136A1 (en) | 2020-06-19 | 2021-03-08 | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230025012A true KR20230025012A (ko) | 2023-02-21 |
Family
ID=79022910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237002030A KR20230025012A (ko) | 2020-06-19 | 2021-03-08 | 고급 연마 패드들 및 관련 연마 패드 제조 방법들 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11806829B2 (ko) |
| EP (1) | EP4168210A1 (ko) |
| KR (1) | KR20230025012A (ko) |
| CN (1) | CN116133791A (ko) |
| TW (1) | TWI843945B (ko) |
| WO (1) | WO2021257136A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115609497A (zh) * | 2022-10-28 | 2023-01-17 | 安徽禾臣新材料有限公司 | 一种红外非球面光学零件抛光用的阻尼布及其制备工艺 |
Family Cites Families (372)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2001911A (en) | 1932-04-21 | 1935-05-21 | Carborundum Co | Abrasive articles |
| US3357598A (en) | 1965-09-21 | 1967-12-12 | Dole Valve Co | Adjustable liquid dispenser |
| US3741116A (en) | 1970-06-25 | 1973-06-26 | American Screen Process Equip | Vacuum belt |
| US4459779A (en) | 1982-09-16 | 1984-07-17 | International Business Machines Corporation | Fixed abrasive grinding media |
| US4575330A (en) | 1984-08-08 | 1986-03-11 | Uvp, Inc. | Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography |
| US4836832A (en) | 1986-08-11 | 1989-06-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of preparing coated abrasive having radiation curable binder |
| US4942001A (en) | 1988-03-02 | 1990-07-17 | Inc. DeSoto | Method of forming a three-dimensional object by stereolithography and composition therefore |
| DE3808951A1 (de) | 1988-03-17 | 1989-10-05 | Basf Ag | Photopolymerisierbare, zur herstellung von druckformen geeignete druckplatte |
| US4844144A (en) | 1988-08-08 | 1989-07-04 | Desoto, Inc. | Investment casting utilizing patterns produced by stereolithography |
| JPH07102724B2 (ja) | 1988-08-31 | 1995-11-08 | ジューキ株式会社 | 印字装置 |
| US5121329A (en) | 1989-10-30 | 1992-06-09 | Stratasys, Inc. | Apparatus and method for creating three-dimensional objects |
| US5387380A (en) | 1989-12-08 | 1995-02-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional printing techniques |
| DE3942859A1 (de) | 1989-12-23 | 1991-07-04 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von bauteilen |
| US5626919A (en) | 1990-03-01 | 1997-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solid imaging apparatus and method with coating station |
| US5096530A (en) | 1990-06-28 | 1992-03-17 | 3D Systems, Inc. | Resin film recoating method and apparatus |
| DE69215439T2 (de) | 1991-06-25 | 1997-05-22 | Eastman Kodak Co | Photographisches Element, enthaltend eine Spannung absorbierende, schützende Schicht |
| US5212910A (en) | 1991-07-09 | 1993-05-25 | Intel Corporation | Composite polishing pad for semiconductor process |
| US5287663A (en) | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
| US5178646A (en) | 1992-01-22 | 1993-01-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coatable thermally curable binder presursor solutions modified with a reactive diluent, abrasive articles incorporating same, and methods of making said abrasive articles |
| MY114512A (en) | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
| US6022264A (en) | 1997-02-10 | 2000-02-08 | Rodel Inc. | Polishing pad and methods relating thereto |
| US6099394A (en) | 1998-02-10 | 2000-08-08 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto |
| US6746225B1 (en) | 1992-11-30 | 2004-06-08 | Bechtel Bwtx Idaho, Llc | Rapid solidification processing system for producing molds, dies and related tooling |
| US5906863A (en) | 1994-08-08 | 1999-05-25 | Lombardi; John | Methods for the preparation of reinforced three-dimensional bodies |
| JPH08132342A (ja) | 1994-11-08 | 1996-05-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造装置 |
| US6719818B1 (en) | 1995-03-28 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations |
| US5533923A (en) | 1995-04-10 | 1996-07-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity |
| US5645471A (en) | 1995-08-11 | 1997-07-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of texturing a substrate using an abrasive article having multiple abrasive natures |
| US5605760A (en) | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
| JPH0976353A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-25 | Toshiba Corp | 光造形装置 |
| US5958794A (en) * | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
| US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
| US5905099A (en) | 1995-11-06 | 1999-05-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Heat-activatable adhesive composition |
| US5609517A (en) | 1995-11-20 | 1997-03-11 | International Business Machines Corporation | Composite polishing pad |
| US5624303A (en) | 1996-01-22 | 1997-04-29 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles |
| US6090475A (en) | 1996-05-24 | 2000-07-18 | Micron Technology Inc. | Polishing pad, methods of manufacturing and use |
| US5976000A (en) | 1996-05-28 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with incompressible, highly soluble particles for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
| US5795218A (en) | 1996-09-30 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with elongated microcolumns |
| US6244575B1 (en) | 1996-10-02 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same |
| US5876268A (en) | 1997-01-03 | 1999-03-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method and article for the production of optical quality surfaces on glass |
| KR100487455B1 (ko) | 1997-01-13 | 2005-05-09 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 사진석판술에 의해 유도된 표면 패턴(들)이 있는 연마용 중합체 패드 및 이에 관련된 방법 |
| US5965460A (en) | 1997-01-29 | 1999-10-12 | Mac Dermid, Incorporated | Polyurethane composition with (meth)acrylate end groups useful in the manufacture of polishing pads |
| US5944583A (en) | 1997-03-17 | 1999-08-31 | International Business Machines Corporation | Composite polish pad for CMP |
| US6062958A (en) | 1997-04-04 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization |
| US6682402B1 (en) | 1997-04-04 | 2004-01-27 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
| US6648733B2 (en) | 1997-04-04 | 2003-11-18 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
| US5940674A (en) | 1997-04-09 | 1999-08-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional product manufacture using masks |
| KR20010006518A (ko) | 1997-04-18 | 2001-01-26 | 매튜 네빌 | 반도체 기판용 연마 패드 |
| US6126532A (en) | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
| DE69841220D1 (de) | 1997-04-30 | 2009-11-19 | Minnesota Mining & Mfg | Verfahren zum planarisieren der oberfläche eines halbleiterwafers |
| US5945058A (en) | 1997-05-13 | 1999-08-31 | 3D Systems, Inc. | Method and apparatus for identifying surface features associated with selected lamina of a three-dimensional object being stereolithographically formed |
| US6273806B1 (en) | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
| US5921855A (en) | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
| US5919082A (en) | 1997-08-22 | 1999-07-06 | Micron Technology, Inc. | Fixed abrasive polishing pad |
| US6121143A (en) | 1997-09-19 | 2000-09-19 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification |
| US5932040A (en) | 1997-10-01 | 1999-08-03 | Bibielle S.P.A. | Method for producing a ring of abrasive elements from which to form a rotary brush |
| US6231942B1 (en) | 1998-01-21 | 2001-05-15 | Trexel, Inc. | Method and apparatus for microcellular polypropylene extrusion, and polypropylene articles produced thereby |
| JPH11254542A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光造形装置のモニタリングシステム |
| US6228133B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles having abrasive layer bond system derived from solid, dry-coated binder precursor particles having a fusible, radiation curable component |
| JPH11347761A (ja) | 1998-06-12 | 1999-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レーザによる３次元造形装置 |
| US6122564A (en) | 1998-06-30 | 2000-09-19 | Koch; Justin | Apparatus and methods for monitoring and controlling multi-layer laser cladding |
| US6117000A (en) | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
| US6322728B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-11-27 | Jeneric/Pentron, Inc. | Mass production of dental restorations by solid free-form fabrication methods |
| DE19834559A1 (de) | 1998-07-31 | 2000-02-03 | Friedrich Schiller Uni Jena Bu | Verfahren zur Herstellung von Werkzeugen für die Bearbeitung von Oberflächen |
| JP2000061817A (ja) | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Nikon Corp | 研磨パッド |
| US6095902A (en) | 1998-09-23 | 2000-08-01 | Rodel Holdings, Inc. | Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods |
| US6602380B1 (en) | 1998-10-28 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine |
| US6390890B1 (en) | 1999-02-06 | 2002-05-21 | Charles J Molnar | Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element |
| US6206759B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines |
| JP2002535843A (ja) | 1999-01-21 | 2002-10-22 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 改良された研磨パッド、及び、これに関連する方法 |
| US6994607B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-02-07 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
| US6179709B1 (en) | 1999-02-04 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitoring of linear substrate polishing operations |
| US6641463B1 (en) | 1999-02-06 | 2003-11-04 | Beaver Creek Concepts Inc | Finishing components and elements |
| US6749714B1 (en) | 1999-03-30 | 2004-06-15 | Nikon Corporation | Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device |
| US6217426B1 (en) | 1999-04-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | CMP polishing pad |
| US6213845B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same |
| US6328634B1 (en) | 1999-05-11 | 2001-12-11 | Rodel Holdings Inc. | Method of polishing |
| US6196899B1 (en) | 1999-06-21 | 2001-03-06 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatus |
| US6257973B1 (en) | 1999-11-04 | 2001-07-10 | Norton Company | Coated abrasive discs |
| WO2001043920A1 (en) | 1999-12-14 | 2001-06-21 | Rodel Holdings, Inc. | Method of manufacturing a polymer or polymer composite polishing pad |
| US6241596B1 (en) | 2000-01-14 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad |
| WO2001053040A1 (en) | 2000-01-19 | 2001-07-26 | Rodel Holdings, Inc. | Printing of polishing pads |
| US6991528B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-01-31 | Applied Materials, Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
| US20010046834A1 (en) | 2000-02-28 | 2001-11-29 | Anuradha Ramana | Pad surface texture formed by solid phase droplets |
| US6569373B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-05-27 | Object Geometries Ltd. | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
| US7300619B2 (en) | 2000-03-13 | 2007-11-27 | Objet Geometries Ltd. | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
| US8481241B2 (en) | 2000-03-13 | 2013-07-09 | Stratasys Ltd. | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
| US20030207959A1 (en) | 2000-03-13 | 2003-11-06 | Eduardo Napadensky | Compositions and methods for use in three dimensional model printing |
| US6860793B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-03-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Window portion with an adjusted rate of wear |
| US6423255B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-07-23 | Rainer Hoechsmann | Method for manufacturing a structural part by deposition technique |
| US20020058468A1 (en) | 2000-05-03 | 2002-05-16 | Eppert Stanley E. | Semiconductor polishing pad |
| US6387289B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
| US8485862B2 (en) | 2000-05-19 | 2013-07-16 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad for endpoint detection and related methods |
| US6860802B1 (en) | 2000-05-27 | 2005-03-01 | Rohm And Haas Electric Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization |
| US6454634B1 (en) | 2000-05-27 | 2002-09-24 | Rodel Holdings Inc. | Polishing pads for chemical mechanical planarization |
| US6736709B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-05-18 | Rodel Holdings, Inc. | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
| US6749485B1 (en) | 2000-05-27 | 2004-06-15 | Rodel Holdings, Inc. | Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
| JP3925041B2 (ja) | 2000-05-31 | 2007-06-06 | Ｊｓｒ株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
| US6478914B1 (en) | 2000-06-09 | 2002-11-12 | Micron Technology, Inc. | Method for attaching web-based polishing materials together on a polishing tool |
| US20020016139A1 (en) | 2000-07-25 | 2002-02-07 | Kazuto Hirokawa | Polishing tool and manufacturing method therefor |
| US6520834B1 (en) | 2000-08-09 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
| US6776699B2 (en) | 2000-08-14 | 2004-08-17 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive pad for CMP |
| US6736869B1 (en) | 2000-08-28 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates |
| US6592443B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-07-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for forming and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
| US6477926B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
| US6641471B1 (en) | 2000-09-19 | 2003-11-04 | Rodel Holdings, Inc | Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto |
| JP2002151447A (ja) | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Asahi Kasei Corp | 研磨パッド |
| US6684704B1 (en) | 2002-09-12 | 2004-02-03 | Psiloquest, Inc. | Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance |
| KR100857504B1 (ko) | 2000-12-01 | 2008-09-08 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드용 쿠션층 |
| GB0103754D0 (en) | 2001-02-15 | 2001-04-04 | Vantico Ltd | Three-dimensional structured printing |
| US20020112632A1 (en) | 2001-02-21 | 2002-08-22 | Creo Ltd | Method for supporting sensitive workpieces during processing |
| US6840843B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-01-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for manufacturing a polishing pad having a compressed translucent region |
| US6811680B2 (en) | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
| US6811937B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-11-02 | Dsm Desotech, Inc. | Radiation-curable resin composition and rapid prototyping process using the same |
| US6544373B2 (en) | 2001-07-26 | 2003-04-08 | United Microelectronics Corp. | Polishing pad for a chemical mechanical polishing process |
| KR100646702B1 (ko) | 2001-08-16 | 2006-11-17 | 에스케이씨 주식회사 | 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
| KR20030020658A (ko) | 2001-09-04 | 2003-03-10 | 삼성전자주식회사 | 화학적물리적 연마장치의 연마패드 콘디셔닝 디스크 |
| US6866807B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-03-15 | Stratasys, Inc. | High-precision modeling filament |
| US6599765B1 (en) | 2001-12-12 | 2003-07-29 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection |
| JP2003188124A (ja) | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Rodel Nitta Co | 研磨布 |
| US20030134581A1 (en) | 2002-01-11 | 2003-07-17 | Wang Hsing Maw | Device for chemical mechanical polishing |
| JP2003303793A (ja) | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4693024B2 (ja) | 2002-04-26 | 2011-06-01 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨材 |
| US20050276967A1 (en) | 2002-05-23 | 2005-12-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Surface textured microporous polishing pads |
| US6913517B2 (en) | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
| DE10224981B4 (de) | 2002-06-05 | 2004-08-19 | Generis Gmbh | Verfahren zum schichtweisen Aufbau von Modellen |
| US8602851B2 (en) | 2003-06-09 | 2013-12-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Controlled penetration subpad |
| JP3801100B2 (ja) | 2002-06-07 | 2006-07-26 | Ｊｓｒ株式会社 | 光硬化造形装置、光硬化造形方法及び光硬化造形システム |
| US7169014B2 (en) | 2002-07-18 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces |
| KR101016081B1 (ko) | 2002-07-26 | 2011-02-17 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법 |
| US7579071B2 (en) | 2002-09-17 | 2009-08-25 | Korea Polyol Co., Ltd. | Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same |
| US20040058623A1 (en) | 2002-09-20 | 2004-03-25 | Lam Research Corporation | Polishing media for chemical mechanical planarization (CMP) |
| US7311862B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-12-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size |
| US7267607B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-09-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Transparent microporous materials for CMP |
| US7435165B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-10-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Transparent microporous materials for CMP |
| US7043330B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-05-09 | Ehsan Toyserkani | System and method for closed-loop control of laser cladding by powder injection |
| DE10253445A1 (de) | 2002-11-16 | 2004-06-03 | Adam Opel Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abdichten und Aufpumpen von Reifen bei Pannen sowie Dichtmittelbehälter als auch Adapter hierfür |
| JP2004235446A (ja) | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド |
| JP4659338B2 (ja) | 2003-02-12 | 2011-03-30 | Ｈｏｙａ株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド |
| WO2004077511A2 (en) | 2003-02-24 | 2004-09-10 | The Regents Of The University Of Colorado | (meth)acrylic and (meth)acrylamide monomers, polymerizable compositions, and polymers obtained |
| DE10310385B4 (de) | 2003-03-07 | 2006-09-21 | Daimlerchrysler Ag | Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Körpern mittels pulverbasierter schichtaufbauender Verfahren |
| US7104773B2 (en) | 2003-03-07 | 2006-09-12 | Ricoh Printing Systems, Ltd. | Three-dimensional laminating molding device |
| JP2004281685A (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の研磨用パッドおよび半導体基板の研磨方法 |
| US7704125B2 (en) | 2003-03-24 | 2010-04-27 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
| US7377840B2 (en) | 2004-07-21 | 2008-05-27 | Neopad Technologies Corporation | Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs |
| US9278424B2 (en) | 2003-03-25 | 2016-03-08 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
| CA2519942A1 (en) | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Neopad Technologies Corporation | Chip customized polish pads for chemical mechanical planarization (cmp) |
| US8864859B2 (en) | 2003-03-25 | 2014-10-21 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
| DE10314075B4 (de) | 2003-03-28 | 2007-11-22 | Takata-Petri (Sachsen) Gmbh | Reifenfülleinrichtung und Pannenset mit einer solchen |
| CN100548576C (zh) | 2003-04-25 | 2009-10-14 | Jsr株式会社 | 抛光垫和化学机械抛光方法 |
| WO2004113042A2 (en) | 2003-05-21 | 2004-12-29 | Z Corporation | Thermoplastic powder material system for appearance models from 3d printing systems |
| IL156094A0 (en) | 2003-05-25 | 2003-12-23 | J G Systems Inc | Fixed abrasive cmp pad with built-in additives |
| US6998166B2 (en) | 2003-06-17 | 2006-02-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with oriented pore structure |
| US7435161B2 (en) | 2003-06-17 | 2008-10-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for CMP |
| US20050032464A1 (en) | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Swisher Robert G. | Polishing pad having edge surface treatment |
| US7120512B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-10-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and a system for solid freeform fabricating using non-reactive powder |
| WO2005021248A1 (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 三次元造形物の製造方法 |
| KR100590202B1 (ko) | 2003-08-29 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 및 그 형성방법 |
| JP2005074614A (ja) | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Nitta Haas Inc | 研磨パッドの製造方法および研磨パッド |
| KR100640998B1 (ko) | 2003-09-19 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 브라켓 구조 |
| GB0323462D0 (en) | 2003-10-07 | 2003-11-05 | Fujifilm Electronic Imaging | Providing a surface layer or structure on a substrate |
| US6855588B1 (en) | 2003-10-07 | 2005-02-15 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a double gate MOSFET device |
| US20050101228A1 (en) | 2003-11-10 | 2005-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising biodegradable polymer |
| US7264641B2 (en) | 2003-11-10 | 2007-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising biodegradable polymer |
| JP2005150235A (ja) | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Three M Innovative Properties Co | 半導体表面保護シート及び方法 |
| JP4555559B2 (ja) | 2003-11-25 | 2010-10-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨布及び研磨布の製造方法 |
| US6984163B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
| KR100576465B1 (ko) | 2003-12-01 | 2006-05-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 연마입자 함침 조성물을 이용한 연마 패드 |
| US20050153634A1 (en) | 2004-01-09 | 2005-07-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Negative poisson's ratio material-containing CMP polishing pad |
| US20050171224A1 (en) | 2004-02-03 | 2005-08-04 | Kulp Mary J. | Polyurethane polishing pad |
| US7132033B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a layered polishing pad |
| US7195544B2 (en) | 2004-03-23 | 2007-03-27 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP porous pad with component-filled pores |
| US6955588B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization |
| JP2004243518A (ja) | 2004-04-08 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 研摩装置 |
| US20050227590A1 (en) | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Chien-Min Sung | Fixed abrasive tools and associated methods |
| WO2005114322A2 (en) | 2004-05-12 | 2005-12-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Manufacturing process, such as three-dimensional printing, including solvent vapor filming and the like |
| WO2005113220A1 (ja) | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Bridgestone Corporation | シーリング剤注入装置、シーリング剤注入方法及びシーリング・ポンプアップ装置 |
| US20050261150A1 (en) | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Battelle Memorial Institute, A Part Interest | Reactive fluid systems for removing deposition materials and methods for using same |
| US7582127B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-09-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for a tungsten-containing substrate |
| US7252871B2 (en) | 2004-06-16 | 2007-08-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad having a pressure relief channel |
| JP4133945B2 (ja) | 2004-06-28 | 2008-08-13 | 住友ゴム工業株式会社 | タイヤのパンクシーリング剤送給、抜取り装置 |
| US7939003B2 (en) | 2004-08-11 | 2011-05-10 | Cornell Research Foundation, Inc. | Modular fabrication systems and methods |
| US8075372B2 (en) * | 2004-09-01 | 2011-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with microporous regions |
| DE102004042911A1 (de) | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Michael Stehle | Vorrichtung zum Ausbringen von Luft- und/oder Reifendichtmittel |
| WO2006057720A1 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Rajeev Bajaj | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor |
| US7815778B2 (en) | 2005-11-23 | 2010-10-19 | Semiquest Inc. | Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance |
| WO2006057713A2 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Rajeev Bajaj | Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance |
| US7846008B2 (en) | 2004-11-29 | 2010-12-07 | Semiquest Inc. | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad |
| CN102554766B (zh) | 2004-12-10 | 2014-11-05 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫及研磨垫的制造方法 |
| US7182677B2 (en) | 2005-01-14 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution |
| TWI385050B (zh) | 2005-02-18 | 2013-02-11 | Nexplanar Corp | 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途 |
| US7524345B2 (en) | 2005-02-22 | 2009-04-28 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles |
| US7875091B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-01-25 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles |
| JP2006231464A (ja) | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
| US7829000B2 (en) | 2005-02-25 | 2010-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Core-shell solid freeform fabrication |
| TWI410314B (zh) | 2005-04-06 | 2013-10-01 | 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 | 藉由反應-射出成形製造多孔化學機械研磨墊之裝置 |
| US7435364B2 (en) | 2005-04-11 | 2008-10-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for forming a porous polishing pad |
| US8398466B2 (en) | 2006-11-16 | 2013-03-19 | Chien-Min Sung | CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods |
| US8393934B2 (en) | 2006-11-16 | 2013-03-12 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
| KR101134432B1 (ko) | 2005-05-17 | 2012-04-10 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
| CN1897226A (zh) | 2005-07-11 | 2007-01-17 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种化学机械抛光机 |
| US20070117393A1 (en) | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Alexander Tregub | Hardened porous polymer chemical mechanical polishing (CMP) pad |
| JP4868840B2 (ja) | 2005-11-30 | 2012-02-01 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20070128991A1 (en) | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Yoon Il-Young | Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same |
| TW200744786A (en) | 2005-12-28 | 2007-12-16 | Jsr Corp | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method |
| KR20080087012A (ko) | 2006-01-25 | 2008-09-29 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드 및 그의 제조 방법 |
| DE102006010366B3 (de) * | 2006-03-03 | 2007-10-04 | Lukas-Erzett Vereinigte Schleif- und Fräswerkzeugfabriken GmbH & Co KG | Schleiflamelle und diese enthaltende Schleifscheibe |
| US7517488B2 (en) | 2006-03-08 | 2009-04-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering |
| WO2007104063A1 (en) | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Rimpad Tech Ltd. | Composite polishing pad |
| US20070235133A1 (en) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Strasbaugh | Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing |
| US20070235904A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Saikin Alan H | Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering |
| US7445847B2 (en) | 2006-05-25 | 2008-11-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
| US7169030B1 (en) | 2006-05-25 | 2007-01-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
| WO2007147221A1 (en) | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Katholieke Universiteit Leuven | Procedure and apparatus for in-situ monitoring and feedback control of selective laser powder processing |
| JP5186738B2 (ja) | 2006-07-10 | 2013-04-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 研磨パッドの製造方法及び被研磨体の研磨方法 |
| KR100842486B1 (ko) | 2006-10-30 | 2008-07-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｐ 장비의 폴리싱패드와 이의 제조장치 |
| CN101199994A (zh) | 2006-12-15 | 2008-06-18 | 湖南大学 | 智能化激光熔覆成型金属零件 |
| US7438636B2 (en) | 2006-12-21 | 2008-10-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
| US7371160B1 (en) | 2006-12-21 | 2008-05-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. | Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad |
| EP2097247B1 (en) | 2006-12-21 | 2016-03-09 | Agfa Graphics NV | 3d-inkjet printing methods |
| US7497885B2 (en) | 2006-12-22 | 2009-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles with nanoparticulate fillers and method for making and using them |
| WO2008093850A1 (ja) | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Kuraray Co., Ltd. | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
| CN101678527B (zh) | 2007-03-20 | 2011-08-03 | 可乐丽股份有限公司 | 用于抛光垫的衬垫和使用该衬垫的抛光垫 |
| JP4798713B2 (ja) | 2007-03-26 | 2011-10-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 研磨パッドの製造方法 |
| JP4954762B2 (ja) | 2007-03-27 | 2012-06-20 | 東洋ゴム工業株式会社 | ポリウレタン発泡体の製造方法 |
| US8784723B2 (en) | 2007-04-01 | 2014-07-22 | Stratasys Ltd. | Method and system for three-dimensional fabrication |
| US20090011679A1 (en) | 2007-04-06 | 2009-01-08 | Rajeev Bajaj | Method of removal profile modulation in cmp pads |
| FR2915016B1 (fr) | 2007-04-10 | 2009-06-05 | Siemens Vdo Automotive Sas | Systeme de creation automatisee d'une interface logicielle |
| JP5363470B2 (ja) | 2007-06-08 | 2013-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窓付きの薄い研磨パッド及び成形プロセス |
| US7455571B1 (en) | 2007-06-20 | 2008-11-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Window polishing pad |
| US20080314878A1 (en) | 2007-06-22 | 2008-12-25 | General Electric Company | Apparatus and method for controlling a machining system |
| US7862320B2 (en) | 2007-07-17 | 2011-01-04 | Seiko Epson Corporation | Three-dimensional object forming apparatus and method for forming three dimensional object |
| US7635290B2 (en) | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
| US7828634B2 (en) | 2007-08-16 | 2010-11-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interconnected-multi-element-lattice polishing pad |
| US7517277B2 (en) | 2007-08-16 | 2009-04-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing |
| CN101376234B (zh) | 2007-08-28 | 2013-05-29 | 侯家祥 | 一种研磨工具磨料颗粒有序排列的方法 |
| KR20100082770A (ko) * | 2007-09-03 | 2010-07-19 | 세미퀘스트, 인코포레이티드 | 폴리싱 패드 |
| EP2042649B1 (en) | 2007-09-27 | 2012-05-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Coated base fabric for airbags |
| JP5078527B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-11-21 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨布 |
| FR2921667B1 (fr) | 2007-10-01 | 2012-11-09 | Saint Gobain Abrasives Inc | Composition resinique liquide pour articles abrasifs |
| JP5143528B2 (ja) | 2007-10-25 | 2013-02-13 | 株式会社クラレ | 研磨パッド |
| US8377623B2 (en) | 2007-11-27 | 2013-02-19 | 3D Systems, Inc. | Photocurable resin composition for producing three dimensional articles having high clarity |
| DE102007056984A1 (de) | 2007-11-27 | 2009-05-28 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts mittels Lasersintern |
| US9180570B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-11-10 | Nexplanar Corporation | Grooved CMP pad |
| CN101977755A (zh) | 2008-03-25 | 2011-02-16 | 住友橡胶工业株式会社 | 轮胎穿孔修补装置 |
| KR101618273B1 (ko) | 2008-04-29 | 2016-05-04 | 세미퀘스트, 인코포레이티드 | 연마 패드 조성물, 및 이의 제조 방법 및 용도 |
| EP2305454B1 (en) | 2008-05-26 | 2017-03-22 | Sony Corporation | Shaping apparatus and shaping method |
| CN101612722A (zh) | 2008-06-25 | 2009-12-30 | 三芳化学工业股份有限公司 | 抛光垫及其制造方法 |
| JP5596030B2 (ja) | 2008-06-26 | 2014-09-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多孔質エレメントを有する研磨パッド及びその製造方法と使用方法 |
| US8282866B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Method and device for forming three-dimensional model, sheet material processing method, and sheet material processing device |
| US20100011672A1 (en) | 2008-07-16 | 2010-01-21 | Kincaid Don H | Coated abrasive article and method of making and using the same |
| CN102119069B (zh) | 2008-08-08 | 2015-04-15 | 可乐丽股份有限公司 | 抛光垫及抛光垫的制造方法 |
| KR20100028294A (ko) | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 주식회사 코오롱 | 연마패드 및 그의 제조방법 |
| KR101678114B1 (ko) | 2008-09-26 | 2016-11-21 | 로디아 오퍼레이션스 | 화학적 기계적 폴리싱용 연마제 조성물 및 그의 이용 방법 |
| US8118641B2 (en) | 2009-03-04 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature |
| US20100112919A1 (en) | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Applied Materials, Inc. | Monolithic linear polishing sheet |
| US8292692B2 (en) | 2008-11-26 | 2012-10-23 | Semiquest, Inc. | Polishing pad with endpoint window and systems and method using the same |
| DE102008060046A1 (de) | 2008-12-02 | 2010-06-10 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Verfahren zum Bereitstellen einer identifizierbaren Pulvermenge und Verfahren zur Herstellung eines Objekts |
| US20100140850A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | Objet Geometries Ltd. | Compositions for 3D printing |
| DE102008061311A1 (de) | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Doukas Ag | Vorrichtung zum Fördern eines Gases |
| US8435099B2 (en) | 2009-01-27 | 2013-05-07 | Innopad, Inc. | Chemical-mechanical planarization pad including patterned structural domains |
| US9951054B2 (en) | 2009-04-23 | 2018-04-24 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP porous pad with particles in a polymeric matrix |
| JP2012528487A (ja) | 2009-05-27 | 2012-11-12 | ロジャーズ コーポレーション | 研磨パッド、それを用いた組成物および、その製造と使用方法 |
| EP2477768B1 (en) | 2009-09-17 | 2019-04-17 | Sciaky Inc. | Electron beam layer manufacturing |
| JP4873667B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2012-02-08 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
| US8598523B2 (en) | 2009-11-13 | 2013-12-03 | Sciaky, Inc. | Electron beam layer manufacturing using scanning electron monitored closed loop control |
| US20130012108A1 (en) | 2009-12-22 | 2013-01-10 | Naichao Li | Polishing pad and method of making the same |
| SG181678A1 (en) | 2009-12-30 | 2012-07-30 | 3M Innovative Properties Co | Polishing pads including phase-separated polymer blend and method of making and using the same |
| JP5671554B2 (ja) | 2009-12-30 | 2015-02-18 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機微粒子装填研磨パッド、並びにその製造及び使用方法 |
| US9017140B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-04-28 | Nexplanar Corporation | CMP pad with local area transparency |
| DE102010007401A1 (de) | 2010-02-03 | 2011-08-04 | Kärcher Futuretech GmbH, 71364 | Vorrichtung und Verfahren zum automatisierten Formen und Abfüllen von Behältern |
| DE102010011059A1 (de) | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Global Beam Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Bauteils |
| JP5620141B2 (ja) | 2010-04-15 | 2014-11-05 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
| CN102892553B (zh) | 2010-05-11 | 2016-04-27 | 3M创新有限公司 | 用于化学机械平面化的具有表面活性剂的固定磨料垫片 |
| RU2555269C2 (ru) | 2010-07-02 | 2015-07-10 | Зм Инновейтив Пропертиз Компани | Покрытые абразивные изделия |
| US9156124B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
| WO2012040212A2 (en) | 2010-09-22 | 2012-03-29 | Interfacial Solutions Ip, Llc | Methods of producing microfabricated particles for composite materials |
| US8257545B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith |
| US8702479B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-04-22 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters |
| WO2012100297A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Zydex Pty Ltd | A device for making an object |
| JP5893479B2 (ja) | 2011-04-21 | 2016-03-23 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッド |
| US20120302148A1 (en) | 2011-05-23 | 2012-11-29 | Rajeev Bajaj | Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon |
| JP5851124B2 (ja) | 2011-06-13 | 2016-02-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 研磨用構造体 |
| US8894799B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-11-25 | Dow Global Technologies Llc | Method of forming layered-open-network polishing pads |
| US9108291B2 (en) | 2011-09-22 | 2015-08-18 | Dow Global Technologies Llc | Method of forming structured-open-network polishing pads |
| US8801949B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-08-12 | Dow Global Technologies Llc | Method of forming open-network polishing pads |
| JP2013107254A (ja) | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Fujifilm Corp | 親水性部材及び親水性部材の製造方法 |
| US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
| KR20130084932A (ko) | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR20130095430A (ko) | 2012-02-20 | 2013-08-28 | 케이피엑스케미칼 주식회사 | 연마패드 및 그 제조방법 |
| CN104487221B (zh) | 2012-03-01 | 2017-09-26 | 纳斯达克有限公司 | 阳离子可聚合组合物及其使用方法 |
| DE102012203639A1 (de) | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Evonik Industries Ag | Additiv zur Einstellung der Glasübergangstemperatur von viskoelastischen Polyurethanweichschaumstoffen |
| US8986585B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-03-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window |
| US8709114B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-04-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
| DE102012007791A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Universität Duisburg-Essen | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Bauteilen in einer Strahlschmelzanlage |
| US9067299B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad |
| US9993873B2 (en) | 2012-05-22 | 2018-06-12 | General Electric Company | System and method for three-dimensional printing |
| US9481134B2 (en) | 2012-06-08 | 2016-11-01 | Makerbot Industries, Llc | Build platform leveling with tactile feedback |
| US9174388B2 (en) | 2012-08-16 | 2015-11-03 | Stratasys, Inc. | Draw control for extrusion-based additive manufacturing systems |
| US8888480B2 (en) | 2012-09-05 | 2014-11-18 | Aprecia Pharmaceuticals Company | Three-dimensional printing system and equipment assembly |
| KR101572009B1 (ko) | 2012-09-05 | 2015-11-25 | 아프레시아 파마슈티칼스 컴퍼니 | 3차원 인쇄 시스템 및 장비 어셈블리 |
| KR102131604B1 (ko) | 2012-10-11 | 2020-07-09 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 수성 실리콘 폴리에테르 마이크로에멀젼 |
| US20140120196A1 (en) | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Makerbot Industries, Llc | Quick-release extruder |
| US9522426B2 (en) | 2012-11-08 | 2016-12-20 | Georgia Tech Research Corporation | Systems and methods for additive manufacturing and repair of metal components |
| CN104853901B (zh) | 2012-12-17 | 2018-06-05 | 阿卡姆股份公司 | 添加材料制造方法和设备 |
| US10357435B2 (en) | 2012-12-18 | 2019-07-23 | Dentca, Inc. | Photo-curable resin compositions and method of using the same in three-dimensional printing for manufacturing artificial teeth and denture base |
| WO2014110679A1 (en) | 2013-01-17 | 2014-07-24 | Ehsan Toyserkani | Systems and methods for additive manufacturing of heterogeneous porous structures and structures made therefrom |
| US9649742B2 (en) | 2013-01-22 | 2017-05-16 | Nexplanar Corporation | Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions |
| US9587127B2 (en) | 2013-02-06 | 2017-03-07 | Sun Chemical Corporation | Digital printing inks |
| CN105209241B (zh) | 2013-03-14 | 2018-07-13 | 斯特塔西有限公司 | 基于聚合物的模具和其制造方法 |
| JP5955275B2 (ja) | 2013-06-12 | 2016-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成方法、加飾シートの製造方法、成形加工方法、加飾シート成形物の製造方法、インモールド成形品の製造方法 |
| US20140370788A1 (en) | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Low surface roughness polishing pad |
| US10183329B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-01-22 | The Boeing Company | Quality control of additive manufactured parts |
| US20150038066A1 (en) | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Nexplanar Corporation | Low density polishing pad |
| GB201313841D0 (en) | 2013-08-02 | 2013-09-18 | Rolls Royce Plc | Method of Manufacturing a Component |
| US9855698B2 (en) | 2013-08-07 | 2018-01-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Automatic process control of additive manufacturing device |
| WO2015023442A1 (en) * | 2013-08-10 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | Cmp pads having material composition that facilitates controlled conditioning |
| US20150056895A1 (en) | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure |
| CN105518832B (zh) | 2013-08-22 | 2018-06-08 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 具有多孔界面及实心核心的抛光垫、以及相关的装置和方法 |
| DE102013217422A1 (de) | 2013-09-02 | 2015-03-05 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Koordinatenmessgerät und Verfahren zur Vermessung und mindestens teilweisen Erzeugung eines Werkstücks |
| CN103465155B (zh) | 2013-09-06 | 2016-05-11 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种环氧树脂型金刚石研磨垫及其制备方法 |
| GB201316815D0 (en) | 2013-09-23 | 2013-11-06 | Renishaw Plc | Additive manufacturing apparatus and method |
| CN105579194B (zh) | 2013-09-25 | 2019-04-26 | 3M创新有限公司 | 多层抛光垫 |
| WO2015055550A1 (en) | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Luxexcel Holding B.V. | Device for printing a three-dimensional structure |
| CN203542340U (zh) | 2013-10-21 | 2014-04-16 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种化学机械研磨垫 |
| US9421666B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein |
| CN104625945B (zh) | 2013-11-07 | 2017-03-01 | 三芳化学工业股份有限公司 | 抛光垫及其制造方法 |
| US9993907B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-06-12 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having printed window |
| CN106414039B (zh) | 2014-01-23 | 2022-01-18 | 株式会社理光 | 三维物体及其形成方法 |
| US20160346997A1 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-01 | President And Fellows Of Harvard College | Three-dimensional (3d) printed composite structure and 3d printable composite ink formulation |
| US20170173865A1 (en) | 2014-02-10 | 2017-06-22 | Stratasys Ltd. | Composition and method for additive manufacturing of an object |
| US9259820B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window |
| WO2015153601A1 (en) | 2014-04-03 | 2015-10-08 | 3M Innovative Properties Company | Polishing pads and systems and methods of making and using the same |
| WO2015161210A1 (en) | 2014-04-17 | 2015-10-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp polishing pad with columnar structure and methods related thereto |
| US9333620B2 (en) | 2014-04-29 | 2016-05-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window |
| US9314897B2 (en) | 2014-04-29 | 2016-04-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
| US10144198B2 (en) | 2014-05-02 | 2018-12-04 | Corning Incorporated | Strengthened glass and compositions therefor |
| CN104400998B (zh) | 2014-05-31 | 2016-10-05 | 福州大学 | 一种基于红外光谱分析的3d打印检测方法 |
| US9259821B2 (en) | 2014-06-25 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance |
| JP2016023209A (ja) | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
| US9731398B2 (en) | 2014-08-22 | 2017-08-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. | Polyurethane polishing pad |
| KR20170054447A (ko) | 2014-09-05 | 2017-05-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판들의 열적 프로세싱을 위한 서셉터 및 예열 링 |
| CN104210108B (zh) | 2014-09-15 | 2017-11-28 | 宁波高新区乐轩锐蓝智能科技有限公司 | 3d打印机的打印缺陷弥补方法和系统 |
| US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
| WO2016057075A1 (en) | 2014-10-09 | 2016-04-14 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with internal channels |
| US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
| US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
| US9776361B2 (en) * | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
| KR102295988B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성 |
| US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
| TWI689406B (zh) | 2014-10-17 | 2020-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 研磨墊及製造其之方法 |
| US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
| CN104385595B (zh) | 2014-10-20 | 2017-05-03 | 合肥斯科尔智能科技有限公司 | 一种三维打印次品修复系统 |
| US10086500B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-10-02 | Applied Materials, Inc. | Method of manufacturing a UV curable CMP polishing pad |
| CN104607639B (zh) | 2015-01-12 | 2016-11-02 | 常州先进制造技术研究所 | 一种用于金属3d打印的表面修复塑形装置 |
| US10946495B2 (en) | 2015-01-30 | 2021-03-16 | Cmc Materials, Inc. | Low density polishing pad |
| US9475168B2 (en) | 2015-03-26 | 2016-10-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad window |
| US9539694B1 (en) * | 2015-06-26 | 2017-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Composite polishing layer chemical mechanical polishing pad |
| CN205703794U (zh) | 2015-06-29 | 2016-11-23 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫的研磨层 |
| CN112045556B (zh) | 2015-10-16 | 2022-06-28 | 应用材料公司 | 使用增材制造工艺形成先进抛光垫的方法和设备 |
| WO2017074773A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
| US10229769B2 (en) | 2015-11-20 | 2019-03-12 | Xerox Corporation | Three phase immiscible polymer-metal blends for high conductivty composites |
| US10189143B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method |
| US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
| CN117283450A (zh) | 2016-01-19 | 2023-12-26 | 应用材料公司 | 多孔化学机械抛光垫 |
| TWI642772B (zh) * | 2017-03-31 | 2018-12-01 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊及研磨方法 |
| US11059149B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using initial layer |
| WO2018237038A1 (en) | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Carbon, Inc. | ADDITIVE MANUFACTURING METHOD |
| US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
| US11813712B2 (en) * | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
| US11878389B2 (en) * | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
| US11951590B2 (en) * | 2021-06-14 | 2024-04-09 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads with interconnected pores |
-
2020
- 2020-06-19 US US16/906,992 patent/US11806829B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-08 EP EP21827073.4A patent/EP4168210A1/en active Pending
- 2021-03-08 WO PCT/US2021/021370 patent/WO2021257136A1/en unknown
- 2021-03-08 CN CN202180059349.0A patent/CN116133791A/zh active Pending
- 2021-03-08 KR KR1020237002030A patent/KR20230025012A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-04-21 TW TW110114361A patent/TWI843945B/zh active
-
2023
- 2023-10-03 US US18/480,060 patent/US20240025010A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116133791A (zh) | 2023-05-16 |
| TW202212054A (zh) | 2022-04-01 |
| TWI843945B (zh) | 2024-06-01 |
| US11806829B2 (en) | 2023-11-07 |
| US20240025010A1 (en) | 2024-01-25 |
| WO2021257136A1 (en) | 2021-12-23 |
| EP4168210A1 (en) | 2023-04-26 |
| US20210394333A1 (en) | 2021-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102514550B1 (ko) | 적층 제조 프로세스를 사용하여 형성되는 폴리싱 패드들 및 이와 관련된 방법들 | |
| US20240025009A1 (en) | Polishing pads having selectively arranged porosity | |
| US20240025010A1 (en) | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods | |
| KR20240018652A (ko) | 상호연결된 기공들을 갖는 연마 패드들 | |
| KR20230142595A (ko) | 인-시튜로 표면 텍스처를 재생성하기 위해 적층 제조 프로세스를 사용하여 형성된 구조들 | |
| KR20240009471A (ko) | 개선된 기공 구조를 갖는 연마 패드들 | |
| TW202315706A (zh) | 用於高溫處理的拋光墊 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |