KR20220090544A - 표시 장치용 지지 기판, 유기 el 표시 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치용 지지 기판, 유기 el 표시 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220090544A
KR20220090544A KR1020227017099A KR20227017099A KR20220090544A KR 20220090544 A KR20220090544 A KR 20220090544A KR 1020227017099 A KR1020227017099 A KR 1020227017099A KR 20227017099 A KR20227017099 A KR 20227017099A KR 20220090544 A KR20220090544 A KR 20220090544A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
polyimide resin
display device
glass substrate
dianhydride
Prior art date
Application number
KR1020227017099A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102628727B1 (ko
Inventor
타카시 키노
박찬효
박진영
김수경
타카시 야마시타
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20220090544A publication Critical patent/KR20220090544A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102628727B1 publication Critical patent/KR102628727B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C08G73/1053—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the tetracarboxylic moiety
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L51/0096—
    • H01L51/5253—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

유기 EL 표시 장치의 박형화 및 플렉시블화를 실현하면서, 높은 투명성을 실현할 수 있는 표시 장치용 지지 기판을 제공하는 것을 과제로 한다.
10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과, 상기 TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 지지 기판에 의해, 상기 과제를 해결한다.

Description

표시 장치용 지지 기판, 유기 EL 표시 장치, 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법
본 명세서는 2019년 11월 22일 일본특허청에 제출된 일본 특허 출원 제2019-211567호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 표시 장치용 지지 기판, 이 표시 장치용 지지 기판을 구비하는 유기 EL 표시 장치, 및 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 유기 일렉트로 루미네선스(이하 "유기 EL"이라고도 한다) 표시 장치 등의 표시 장치 분야에서, 제품의 경량화, 소형화 및 플렉시블화가 요망되고 있다. 이러한 유기 EL 표시 장치에는, 유리나 수지에 의한 투명 기판이 이용되고 있다.
예를 들면, 특허 문헌 1에는, 수 10μm 이하의 두께를 갖는 얇은 유리 기판을 이용하여, 그 얇은 유리 기판 상에 박막 트랜지스터 회로가 형성된 표시 장치에 있어서, 상기 얇은 유리 기판이 유지 부재 상에 투명 수지막을 형성하고, 그 투명 수지막 상에 도포 유리재를 도포하고 나서 소성하며, 그 후, 상기 유지 부재가 제거되어 형성된 유리 기판인 것을 특징으로 하는 표시 장치가 기재되어 있다.
또, 특허 문헌 2에는, 유리 기판의 총 두께를 보다 얇게 해도 플렉시블성과 내굴곡성을 겸비한 전기 광학 장치로서, 한 쌍의 유리 기판 사이에 끼워진 전기 광학층과, 상기 전기 광학층에서 광이 사출되는 측의 제1 면과, 상기 제1 면과는 반대측의 제2 면을 갖는 전기 광학 패널과, 상기 전기 광학 패널의 상기 제1 면 상에 설치된 보호층과, 상기 보호층의 위쪽에 설치된 제1 표면층과, 상기 전기 광학 패널의 측면과 상기 제2 면을 덮도록 설치된 수지층과, 상기 수지층을 통해 상기 제2 면에 대향하도록 설치된 제2 표면층을 구비하고, 상기 보호층은, 에칭액에 대해 유리보다 높은 내성을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 장치가 기재되어 있다.
또, 특허 문헌 3에는, 기판 상에 유기 수지층을 형성하는 공정과, 상기 유기 수지층 상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상에 소자층을 형성하는 공정과, 광학계에 의해 레이저광을 신장하는 공정과, 상기 레이저광을 축소하여, 선형 빔을 형성하는 공정과, 상기 기판을 통해, 상기 기판과 상기 유기 수지층의 계면의 가공 영역에 상기 선형 빔을 조사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 표시 품위가 양호하며 또한 수율이 높은 가요성 표시 장치의 제작 방법이 기재되어 있다.
일본 특개 2011-227205호 공보 일본 특개 2011-14483호 공보 일본 특개 2018-55103호 공보
그러나, 종래의 유기 수지층을 포함하는 플렉시블 유기 EL 표시 장치용 지지 기판은, 박막 트랜지스터(이하, "TFT"라고도 한다) 회로층을 형성할 때에 대략 450 ℃로 소성되기 때문에, 기판에 포함되는 유기 수지층이 황변되어 버린다는 문제가 있었다. 그 때문에, 예를 들면, 스마트폰이나 태블릿 등, 카메라 모듈과 표시 장치를 탑재하고 있는 휴대 정보 단말 등의 전자 기기에 있어서, 표시 장치의 유기 수지층이 황변되어 버린 경우, 표시 장치의 배면에 카메라 모듈을 겹쳐 설치할 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 상기 과제를 해결하기 위해, 유기 EL 표시 장치의 박형화 및 플렉시블화를 실현하면서, 높은 투명성을 실현할 수 있는 표시 장치용 지지 기판을 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 다른 목적은, 박형이며, 플렉시블성을 가짐과 더불어, 높은 투명성을 갖는 유기 EL 표시 장치를 제공하는 것에 있다. 또, 본 발명의 또 다른 목적은, 박형이며, 플렉시블성을 가짐과 더불어, 높은 투명성을 갖는 유기 EL 표시 장치를 제조할 수 있는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자는, 상술한 과제를 해결하기 위해 예의 검토하여, 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과, 상기 TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 고내열성을 갖는 폴리이미드 수지층의 조합을 포함하는 표시 장치용 지지 기판에 의해, 고온에 노출된 경우에도 표시 장치용 지지 기판의 착색을 억제할 수 있으며, 그 결과 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
따라서, 본 발명의 표시 장치용 지지 기판은,
10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과,
상기 TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수지층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 표시 장치는 유기 EL 표시 장치이다.
폴리이미드 수지층의 두께는 0.1nm 이상일 수 있다.
폴리이미드 수지층의 두께는 100nm 이하일 수 있다.
TFT 유리 기판의 두께는 30~100μm일 수 있다.
폴리이미드 수지층은, 산이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물(BPDA), 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판 이무수물(BSAA), 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물(6FDA), 또는 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물(CBDA)을 포함하고, 디아민으로서 2,2-비스[3-(3-아미노벤즈아미드)-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판(HFHA), trans-1,4-디아미노시클로헥산, 또는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB)을 포함하는 폴리이미드 수지로 형성될 수 있다.
본 발명은 또한, 본 발명의 표시 장치용 지지 기판을 구비하는 유기 EL 표시 장치에 관한 것이기도 하다.
본 발명은 또한, 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이기도 하며, 유리 기판 상에 20~150nm 두께의 폴리이미드 수지층을 형성하는 공정과, 상기 폴리이미드 수지층 상에 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판을 설치하는 공정과, 상기 TFT 유리 기판에 TFT 회로층을 형성하는 공정과, 상기 TFT 회로층 상에 유기층을 포함하는 발광층을 설치하는 공정과, 상기 발광층을 봉지(封止)층에 의해 봉지하는 공정을 포함하고, 또한 상기 폴리이미드 수지층에 레이저광을 조사함으로써, 상기 폴리이미드 수지층을 상기 유리 기판으로부터 박리하는 공정을 포함한다.
본 발명의 표시 장치용 지지 기판에 의하면, 박형화 및 플렉시블화를 실현하면서, 높은 투명성을 갖는 유기 EL 표시 장치를 제공할 수 있다. 또, 본 발명의 유기 EL 표시 장치에 의하면, 본 발명의 표시 장치용 지지 기판을 구비하므로, 박형이며, 플렉시블성을 가짐과 더불어, 높은 투명성을 갖는 유기 EL 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 박형이며, 플렉시블성을 가짐과 더불어, 높은 투명성을 갖는 유기 EL 표시 장치를 제조 할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 표시 장치용 지지 기판의 구조를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 구조를 나타내는 모식적인 단면도이다.
발명의 실시를 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다.
[표시 장치용 지지 기판]
본 발명의 표시 장치용 지지 기판은,
10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과,
상기 TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수지층을 포함하는 것에 특징이 있다.
바람직하게는 본 발명의 표시 장치용 지지 기판은, 유기 EL 표시 장치용의 지지 기판이다.
도 1은, 본 발명의 표시 장치용 지지 기판의 구조를 나타내는 모식적인 단면도이다. 본 발명의 표시 장치용 지지 기판(1)은, 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판(2)과, TFT 유리 기판(2)에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수 지층(3)으로 이루어진다. 바람직하게는 폴리이미드 수지층(3)은, TFT 유리 기판(2)의 TFT 회로층이 형성되는 면과는 반대의 면에 접하여 설치된다.
이러한 본 발명의 표시 장치용 지지 기판에 의하면, 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과, 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수지층으로 구성되므로, 실장되는 표시 장치의 박형화 및 플렉시블화를 실현할 수 있다. 또, 150nm 이하의 두께의 고내열성의 폴리이미드 수지층을 포함하므로, 높은 투명성을 갖는 표시 장치를 제공할 수 있다. 이하, 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.
(TFT 유리 기판)
본 발명의 표시 장치용 지지 기판은, 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판을 포함한다.
본 발명의 TFT 유리 기판은, 표시 장치용 지지 기판으로서 기능함과 더불어, TFT 회로층이 형성되는 TFT 형성용의 유리 기판으로도 기능한다. 본 발명의 표시 장치용 지지 기판은, TFT 유리 기판이 뛰어난 가스 배리어성을 가지므로, 폴리이미드 필름만으로 이루어지는 종래의 플렉시블 기판 재료를 이용하는 경우에 비해, TFT를 형성하기 위한 가스 배리어층을 형성할 필요가 없다는 유리한 점을 갖는다.
TFT 유리 기판의 두께는 10~150μm이다. 바람직하게는, 본 발명의 TFT 유리 기판의 두께는 20μm 이상이며, 보다 바람직하게는 30μm 이상이다. 또, 본 발명의 TFT 유리 기판의 두께는, 바람직하게는 125μm 이하이며, 보다 바람직하게는 100μm 이하이다. TFT 유리 기판의 두께는, 예를 들면, 단면을 주사 전자 현미경 (SEM)으로 관찰함으로써 측정할 수 있다.
(폴리이미드 수지층)
본 발명의 표시 장치용 지지 기판은, TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수지층을 포함한다. 폴리이미드 수지층은, TFT 유리 기판의 TFT 회로층이 형성되지 않는 면에 접하여 설치된다.
폴리이미드 수지층의 두께는, 150nm 이하이고, 바람직하게는 100nm 이하이고, 보다 바람직하게는 90nm 이하이며, 더욱 바람직하게는 80nm 이하이다. 폴리이미드 수지층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 0nm 초과, 0.1nm 이상, 1nm 이상, 5nm 이상, 또는 10nm 이상이다. 폴리이미드 수지층의 두께는, 예를 들면, 단면을 투과 전자 현미경(TEM)으로 관찰함으로써 측정할 수 있다. 폴리이미드 수지층의 두께를 150nm 이하로 얇게 함으로써, 가령 폴리이미드 수지가 고온에 노출되어 황변되어 버렸다고 해도, 표시 장치용 지지 기판의 투명성을 확보할 수 있다는 유리한 점을 갖는다.
폴리이미드 수지층은, 바람직하게는 투명 폴리이미드 수지로 형성된다. 이러한 폴리이미드 수지로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 구체적인 예로는, 하기 일반식 (11)로 표시되는 폴리이미드 수지를 이용할 수 있다. 이는 예를 들면 하기 일반식 (12)로 표시되는 폴리이미드 전구체 수지를 이미드 폐환(이미드화 반응)시킴으로써 얻어진다. 이미드화 반응의 방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 열 이미드화나 화학 이미드화를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리이미드 수지막의 내열성, 가시광 영역에서의 투명성의 관점에서 열 이미드화가 바람직하다.
Figure pct00001
일반식 (11) 및 (12) 중, R2는 4가의 유기기, R3은 2가의 유기기를 나타낸다. X1 및 X2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 1가의 유기기 또는 탄소수 1~10의 1가의 알킬실릴기를 나타낸다.
폴리아미드산이나 폴리아미드산 에스테르, 폴리아미드산 실릴에스테르 등의 폴리이미드 전구체 수지는, 디아민 화합물과 산이무수물 또는 그 유도체의 반응에 의해 합성할 수 있다. 유도체로는, 상기 산이무수물의 테트라카르복시산, 그 테트라카르복시산의 모노, 디, 트리 또는 테트라 에스테르, 산염화물 등을 들 수 있으며, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등으로 에스테르화된 구조를 들 수 있다. 중합 반응의 반응 방법은, 목적으로 하는 폴리이미드 전구체 수지를 제조할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 공지의 반응 방법을 이용할 수 있다.
구체적인 반응 방법으로는, 소정량의 모든 디아민 성분 및 용제를 반응기에 넣어 용해시킨 후, 소정량의 산이무수물 성분을 넣어, 실온~80℃에서 0.5~30시간 교반하는 방법 등을 들 수 있다.
폴리이미드 전구체 수지의 합성에 이용되는 산이무수물과 디아민은 기존에 알려진 것을 사용할 수 있다.
산이무수물로는 특별히 한정되지 않으며, 방향족 산이무수물, 지환식 산이무수물 또는 지방족 산이무수물을 들 수 있다.
방향족 산이무수물로는, 4,4'-옥시디프탈산 무수물, 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판 이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복시산 이무수물, 3,3',4,4'-터페닐테트라카르복시산 이무수물, 3,3',4,4'-옥시프탈산 이무수물, 2,3,3',4'-옥시프탈산 이무수물, 2,3,2',3'-옥시프탈산 이무수물, 디페닐술폰-3,3',4,4'-테트라카르복시산 이무수물, 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복시산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 1,4-(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 비스(1,3-디옥소-1,3-디히드로이소벤즈퓨란-5-카르복시산), 1,4-페닐렌-2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복시산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산 이무수물, 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 이무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복시산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복시산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시벤조일옥시)페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 1,6-디플루오로피로멜리트산 이무수물, 1-트리플루오로메틸피로멜리트산 이무수물, 1,6-디트리플루오로메틸피로멜리트산 이무수물, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)비페닐 이무수물, 2,2'-비스[(디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2'-비스[(디카르복시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 이무수물, 9,9'-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌산 이무수물 혹은 이들의 방향족환에 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등으로 치환한 산이무수물 화합물을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
지환식 산이무수물로는, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복시산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복시산 이무수물, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물, 1,3-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물, 1,2,3,4-시클로헵탄테트라카르복시산 이무수물, 2,3,4,5-테트라히드로푸란테트라카르복시산 이무수물, 3,4-디카르복시-1-시클로헥실숙신산 이무수물, 2,3,5-트리카르복시시클로펜틸아세트산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산 이무수물, 비시클로[3,3,0]옥탄-2,4,6,8-테트라카르복시산 이무수물, 비시클로[4,3,0]노난-2,4,7,9-테트라카르복시산 이무수물, 비시클로[4,4,0]데칸-2,4,7,9-테트라카르복시산 이무수물, 비시클로[4,4,0]데칸-2,4,8,10-테트라카르복시산 이무수물, 트리시클로[6,3,0,0<2,6>]운데칸-3,5,9,11-테트라카르복시산 이무수물, 비시클로[2,2,2]옥탄-2,3,5,6-테트라카르복시산 이무수물, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복시산 이무수물, 비시클로[2,2,1]헵탄테트라카르복시산 이무수물, 비시클로[2,2,1]헵탄-5-카르복시메틸-2,3,6-트리카르복시산 이무수물, 7-옥사비시클로[2,2,1]헵탄-2,4,6,8-테트라카르복시산 이무수물, 옥타히드로나프탈렌-1,2,6,7-테트라카르복시산 이무수물, 테트라데카히드로안트라센-1,2,8,9-테트라카르복시산 이무수물, 3,3',4,4'-디시클로헥산테트라카르복시산 이무수물, 3,3',4,4'-옥시디시클로헥산테트라카르복시산 이무수물, 및 5-(2,5-디옥소테트라히드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복시산 무수물, 그리고 이들의 유도체, 혹은 이들의 지환에 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등으로 치환한 산이무수물 화합물을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
지방족 산이무수물로는, 1,2,3,4-부탄테트라카르복시산 이무수물, 1,2,3,4-펜탄테트라카르복시산 이무수물 및 그들의 유도체 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
이들 방향족 산이무수물, 지환식 산이무수물, 또는 지방족 산이무수물은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중, 시판되어 입수하기 쉽다는 관점, 반응성의 관점에서, 피로멜리트산이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물, 3,3',4,4'-옥시프탈산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2'-비스[(디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복시산 이무수물, 3,3',4,4'-디시클로헥산테트라카르복시산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물, 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판 이무수물을 이용하는 것이 바람직하다.
디아민으로는 특별히 한정되지 않으며, 방향족 디아민 화합물, 지환식 디아민 화합물, 또는 지방족 디아민 화합물을 들 수 있다.
방향족 디아민 화합물로는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디 페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디 페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2',3,3'-테트라메틸벤지딘, 2,2'-디클로로벤지딘, 3,3'-디클로로벤지딘, 2,2',3,3'-테트라클로로벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 2,2'-비스[3-(3-아미노벤즈아미드)-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 4-아미노페닐-4-아미노벤젠설포네이트, 3-아미노페닐-4-아미노벤젠설포네이트, 1,4-페닐렌-비스(4-아미노벤젠설포네이트) 혹은 이들의 방향족환에 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등으로 치환한 디아민 화합물을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
지환식 디아민 화합물로는, 시클로부탄디아민, 이소포론디아민, 비시클로[2,2,1]헵탄비스메틸아민, 트리시클로[3,3,1,13,7]데칸-1,3-디아민, 1,2-시클로헥실디아민, 1,3-시클로헥실디아민, 1,4-시클로헥실디아민, trans-1,4-디아미노시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 3,3',5,5'-테트라에틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 3,5-디에틸-3',5'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실메탄, 4,4'-디아미노디시클로헥실에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실에테르, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디시클로헥실에테르, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실에테르, 3,3',5,5'-테트라에틸-4,4'-디아미노디시클로헥실에테르, 3,5-디에틸-3',5'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실에테르, 2,2-비스(4-아미노시클로헥실)프로판, 2,2-비스(3-메틸-4-아미노시클로헥실)프로판, 2,2-비스(3-에틸-4-아미노시클로헥실)프로판, 2,2-비스(3,5-디메틸-4-아미노시클로헥실)프로판, 2,2-비스(3,5-디에틸 -4-아미노시클로헥실)프로판, 2,2-(3,5-디에틸-3',5'-디메틸-4,4'-디아미노디시클로헥실)프로판, 혹은 이들의 지환에 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등으로 치환한 디아민 화합물을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
지방족 디아민 화합물로는, 에틸렌디아민, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸 등의 알킬렌 디아민류, 비스(아미노메틸)에테르, 비스(2-아미노에틸)에테르, 비스(3-아미노프로필)에테르 등의 에틸렌글리콜 디아민류, 및 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,3-비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, α,ω-비스(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산 등의 실록산 디아민류를 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
이들 방향족 디아민, 지환식 디아민, 또는 지방족 디아민은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
표시 장치용 지지 기판의 폴리이미드 수지에는, 내열성 및 가시광 영역에서의 높은 투명성이 요구되므로, 투명성을 부여하기 위해 산이무수물이나 디아민 성분에 부피가 큰 불소 치환기로서 트리플루오로메틸기나, 지환식 모노머 성분을 갖고 있는 것이 바람직하다. 즉, 폴리이미드 수지가, 트리플루오로메틸기 및 지환식 탄화수소기로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 갖는 것이 바람직하다. 트리플루오로메틸기 함유 모노머, 지환식 모노머 성분은 산이무수물과 디아민 성분의 양쪽 모두에 이용해도, 한쪽에 이용해도 되지만, 모노머의 입수 용이성의 관점에서 디아민 성분에 이용하는 것이 바람직하다. 또 충분한 투명성을 발현하기 위해, 폴리이미드 수지에 포함되는 디아민 잔기의 전체량에 대해, 트리플루오로메틸기 또는 지환식 탄화수소기로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 갖는 디아민 잔기가 50몰% 이상 포함되는 것이 바람직하다.
다른 바람직한 실시형태로서, 산이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물(BPDA), 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물(6FDA), 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판 이무수물(BSAA), 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물(CBDA), 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복시산 이무수물(PMDA-H)을 포함하는 것이 바람직하다. 디아민으로는 2,2-비스[3-(3-아미노벤즈아미드)-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판(HFHA), trans-1,4-디아미노시클로헥산(t-DACH), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB)을 포함하는 것이 바람직하다.
또, 다른 바람직한 실시형태로서, 산이무수물로서, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물(BPDA), 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복시산 이무수물(PMDA-H), 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판 이무수물(BSAA) 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물(6FDA), 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물(CBDA)을 포함하는 것이 바람직하고, 디아민으로는, 4,4'-디아미노디페닐에테르, p-페닐렌디아민, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2-비스[3-(3-아미노벤즈아미드)-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판(HFHA), trans-1,4-디아미노시클로헥산, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB)을 포함하는 것이 바람직하다.
특히, 투명성이 높은 표시 장치용 지지 기판을 얻을 목적으로, 산이무수물이나 디아민 성분에 트리플루오로메틸기나 지환식 모노머 성분을 도입하는 것이 유효하다. 이 경우의 산이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물(BPDA), 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판 이무수물(BSAA), 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물(6FDA), 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물(CBDA)을 포함하는 것이 바람직하다. 디아민으로는 2,2-비스[3-(3-아미노벤즈아미드)-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판(HFHA), trans-1,4-디아미노시클로헥산, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB)을 포함하는 것이 바람직하다.
특히 바람직한 폴리이미드 수지로서, 일반식 (1)~(3)으로 표시되는 반복 구조 단위 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 폴리이미드를 들 수 있다.
Figure pct00002
일반식 (1)~(3) 중, R1은 (4)~(9)로 표시되는 적어도 1종류 이상의 기이다.
Figure pct00003
상기 폴리이미드 및 폴리이미드 전구체 수지는, 분자량을 바람직한 범위로 조정하기 위해 말단 봉지제에 의해 양 말단을 봉지해도 된다. 산이무수물과 반응하는 말단 봉지제로는, 모노아민이나 1가의 알코올 등을 들 수 있다. 또, 디아민 화합물과 반응하는 말단 봉지제로는, 산무수물, 모노카르복시산, 모노산클로라이드 화합물, 모노활성에스테르 화합물, 이탄산 에스테르류, 비닐에테르류 등을 들 수 있다. 또, 말단 봉지제를 반응시킴으로써, 말단기로서 여러 가지 유기기를 도입할 수 있다.
본 발명의 표시 장치용 지지 기판은, 고온에 노출된 경우에도 높은 투명성을 나타낼 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 표시 장치용 지지 기판은, 450℃에 120분간 노출된 경우에도 높은 투명성을 유지하고, 구체적으로는, 가시광 영역의 전광선 투과량이 70% 이상이고, 바람직하게는 80% 이상이며, 보다 바람직하게는 90% 이상일 수 있다. 가시광 영역의 전광선 투과량은, 예를 들면 가시광 투과 측정기에 의해 측정할 수 있다.
[유기 EL 표시 장치]
본 발명은 또한, 상기에서 설명한 본 발명의 표시 장치용 지지 기판을 구비하는 유기 EL 표시 장치에 관한 것이기도 하다.
도 2는, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 구조를 나타내는 모식적인 단면도이다. 본 발명의 유기 EL 표시 장치(10)는, 상기에서 설명한 표시 장치용 지지 기판(1)을 구비하고, 표시 장치용 지지 기판(1)의 TFT 유리 기판(2) 상에 TFT 회로 층(11)이 설치되고, 또한 TFT 회로층(11) 상에 TFT 회로층의 구동 회로와 전기적으로 접속된, 유기층을 포함하는 발광층(12)이 설치되며, 또한 발광층(12) 상에 봉지층(13)이 설치된 구조를 포함한다. 또한, 본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 배면 발광 구조여도 되고, 또 전면 발광 구조여도 된다.
TFT 회로층으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비정질 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 저온 폴리실리콘, 또는 미결정 실리콘으로 이루어지는 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터로 이루어지는 TFT 회로층을 들 수 있다. 또 TFT 회로층은, 통상적으로, 상기한 반도체층 이외에, TFT 유리 기판 상에 설치된 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
발광층은, 당해 기술 분야에서 공지된 유기층을 포함하는 발광층이어도 되고, 일반적으로 양극 전극, 다층 구조의 유기 화합물을 포함하는 유기층, 및 음극 전극으로 이루어지는 발광층이다. 일 실시형태에 있어서, 발광층은, 제1 전극 상에 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 포함할 수 있다. 여기서, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1개 또는 2개 이상의 층은 생략 가능하다. 또 발광층은, 발광층에 주입되는 전자 및/또는 정공을 제어하기 위한 적어도 1개의 기능층을 더 포함할 수 있다.
봉지층은, 발광층에 산소 및/또는 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 것이다. 봉지층을 구성하는 물질은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 무기층 또는 유기층으로 형성되거나, 또는 무기층과 유기층이 번갈아 적층된 복층 구조로 형성되어도 된다. 무기층의 재료로는, 예를 들면, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화알루미늄(AlxOy)을 들 수 있으며, 유기층의 재료로는, 예를 들면, 벤조시클로부텐 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리아미드 수지, 또는 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 상기한 층 구조 이외에 다른 기능층을 설치해도 된다. 이러한 다른 기능층으로는, 예를 들면, 터치 패널층, 하드 코팅층, 점착제층, 반사 방지층, 대전 방지층 등을 들 수 있다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 높은 투명성을 갖는다. 바람직하게는, 본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 가시광 영역의 전광선 투과량이 70% 이상이고, 바람직하게는 80% 이상이며, 보다 바람직하게는 90% 이상일 수 있다. 가시광 영역의 전광선 투과량은, 예를 들면 가시광 투과 측정기에 의해 측정할 수 있다.
이러한 본 발명의 유기 EL 표시 장치에 의하면, 지지 기판으로서, 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과, TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 높은 내열성을 갖는 폴리이미드 수지층으로 구성되는 본 발명의 표시 장치용 지지 기판을 이용하고 있으므로, 박형이며, 플렉시블성을 가짐과 더불어, 높은 투명성을 갖는다.
[유기 EL 표시 장치의 제조 방법]
본 발명은 또한, 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것이기도 하다. 본 발명의 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법은, 유리 기판 상에 20~150nm 두께의 폴리이미드 수지층을 형성하는 공정, 상기 폴리이미드 수지층 상에 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판을 설치하는 공정, 상기 TFT 유리 기판에 TFT 회로층을 형성하는 공정, 상기 TFT 회로층 상에 발광층을 설치하는 공정 및 상기 발광층을 봉지층에 의해 봉지하는 공정을 포함하고, 상기 폴리이미드 수지층에 레이저광을 조사함으로써, 상기 폴리이미드 수지를 상기 유리 기판으로부터 박리하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
유리 기판 상에 20~150nm 두께의 폴리이미드 수지층을 형성하는 공정은, 캐리어 기판인 유리 기판 상에, 두께 20~150nm의 폴리이미드 수지층을 설치하는 공정이다. 폴리이미드 수지층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 100~750nm의 두께로 폴리이미드 수지의 전구체 NMP 용액을 코팅하고, 그후 건조, 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 50℃~300℃에서 10분~10시간 가열함으로써 행할 수 있다. 또 경화 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 300℃ 초과~500℃의 온도에서 10분~3시간 가열함으로써 행할 수 있다. 폴리이미드 수지를 코팅하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지의 방법을 사용할 수 있고, 예를 들면, 스핀 코팅법, 슬릿 코팅법, 스프레이 코팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법 등이 예시된다. 폴리이미드 수지의 경화는, 통상적으로, 가열에 의해 행해진다. 또한, 캐리어 기판인 유리 기판의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 0.1mm~30mm이다.
폴리이미드 수지층 상에 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판을 설치하는 공정은, 상기한 공정에서 얻어진 폴리이미드 수지층 상에, TFT 회로를 형성하기 위한 유리 기판을 적층하는 공정이다. 폴리이미드 수지층과 TFT 유리 기판은, 통상적으로, 가열에 의해 접착된다. 이 가열 조건은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 300℃~400℃에서 1분~30분 가열함으로써 행할 수 있다.
TFT 유리 기판에 TFT 회로층을 형성하는 공정은, 상기 공정에서 적층한 TFT 유리 기판에 TFT 회로를 형성하는 공정이다. TFT 회로를 형성하는 공정은, 종래 공지의 방법에 의해 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 행해진다. 또, TFT 회로층으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비정질 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 저온 폴리실리콘, 또는 미결정 실리콘으로 이루어지는 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터로 이루어지는 TFT 회로층을 들 수 있다. 이러한 TFT 회로층을 형성하는 공정은, 통상적으로, 반도체층을 400~450℃에서 1시간~5시간 어닐링하는 공정을 포함한다.
TFT 회로층 상에 유기층을 포함하는 발광층을 설치하는 공정은, 상기 공정에서 형성한 TFT 회로층 상에 유기 EL 발광층을 형성하는 공정이다. 발광층은 종래 공지의 방법으로 형성할 수 있으며, 통상적으로, 제1 전극 상에 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 유기층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있고, 여기서 TFT 회로층의 구동 회로와 발광층은 전기적으로 접속된다. 각 층은 증착법에 의해 형성해도 되고, 도포법에 의해 형성해도 된다.
상기 발광층을 봉지층에 의해 봉지하는 공정은, 상기 공정에서 형성한 발광층 상에 봉지층을 설치하는 공정이다. 봉지층을 구성하는 물질은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 무기층 또는 유기층으로 형성되거나, 또는 무기층과 유기층이 번갈아 적층된 복층 구조로 형성되어도 된다. 무기층의 재료로는, 예를 들면, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화알루미늄(AlxOy)을 들 수 있으며, 유기층의 재료로는, 예를 들면, 벤조시클로부텐 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리아미드 수지, 또는 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 또 봉지층의 형성은, 종래 공지의 방법에 의해 행할 수 있으며, 예를 들면, 스퍼터법, 진공 증착법, 플라즈마 CVD법, 이온 플레이팅법 등에 의해 행해질 수 있다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법은, 상기한 공정에 더하여, 또한, 폴리이미드 수지층에 레이저광을 조사함으로써, 폴리이미드 수지층을 유리 기판으로부터 박리하는 공정을 포함한다. 즉, 본 발명의 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법은, 유기 EL 표시 장치를 취출(取出)하기 위해, 폴리이미드 수지층에 레이저광을 조사함으로써, 캐리어 기판인 유리 기판과 폴리이미드 수지의 계면을 변질시켜, 폴리이미드 수지층을 유리 기판으로부터 박리시키는 공정을 포함한다.
폴리이미드 수지층을 유리 기판으로부터 박리하는 공정에 있어서, 레이저광은 캐리어 기판인 유리 기판측으로부터 폴리이미드 수지층에 조사된다. 레이저광의 파장은, 폴리이미드 수지를 변질시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로는 자외선이다. 레이저광은, 바람직하게는 레이저 리프트법에 의해 조사된다.
폴리이미드 수지층에 레이저광을 조사하는 것에 의한 유리 기판과 폴리이미드 수지의 계면의 변질은, 폴리이미드 수지층의 소성을 포함할 수 있다. 그 때문에, 폴리이미드 수지층의 두께는 레이저광을 조사함으로써 박층화되고, 박리 후의 폴리이미드 수지층의 두께는 당초 형성한 폴리이미드 수지층의 두께보다 얇아질 수 있다. 즉, 박리 후의 유기 EL 표시 장치의 폴리이미드 수지층의 두께는, 150nm 이하이고, 바람직하게는 100nm 이하이고, 보다 바람직하게는 90nm 이하이며, 더욱 바람직하게는 80nm 이하이다. 폴리이미드 수지층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 0.01nm 초과, 0.1nm 이상, 1nm 이상, 5nm 이상, 또는 10nm 이상이다. 폴리이미드 수지층의 두께는, 예를 들면, 단면을 투과 전자 현미경(TEM)으로 관찰함으로써 측정할 수 있다.
종래, 10~150μm의 박층 유리 기판을 지지 기판으로서 이용하고, 이 박층 유리 기판이 캐리어 기판으로서의 유리 기판과 직접 접하고 있었던 경우, TFT 회로를 형성하는 공정에서 고온에 노출되면, 박층 유리 기판을 유리 기판으로부터 박리하는 것이 곤란해진다는 문제가 있었다. 본 발명의 박리 공정에 의하면, 캐리어 기판으로서의 유리 기판과 박층 유리 기판의 사이에 고내열성의 폴리이미드 수지층을 설치하고, 이 폴리이미드 수지층과 유리 기판 사이의 계면을 레이저광으로 변질시킴으로써, 박층 유리 기판을 지지 기판으로서 이용한 경우이며, 고온에 노출된 경우에도, 지지 기판을 유리 기판으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 그 때문에, 본 발명은, 10~150μm의 박층 유리 기판과, 캐리어 기판으로서의 유리 기판을 박리하기 위한, 폴리이미드 수지 조성물의 사용에 관한 것이기도 하며, 이 폴리이미드 수지 조성물은, 150nm 이하의 두께를 갖는 폴리이미드 수지층을 형성한다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법에 의하면, 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과, TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수지층으로 구성되는 표시 장치용 지지 기판을 구비하는 유기 EL 표시 장치를 제조할 수 있으므로, 박형이며, 플렉시블성을 가짐과 더불어, 높은 투명성을 갖는 유기 EL 표시 장치를 제조할 수 있다.
발명의 실시를 위한 형태
본 발명을 이하의 실시예 및 비교예에 의해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예의 기재에 한정되지 않는다.
[실시예]
0.5mm 두께의 유리 기판 상에 산이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA) 및 디아민으로서 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB)을 포함하는 바니시를 슬롯 다이로 500nm의 두께로 도포하고, 질소 오븐(고요써모시스템사 제조)에 투입하여, 50℃에서 30분간 건조시킨 후, 100℃에서 30분간 건조시키고, 150℃에서 30분간 건조시키고, 200℃에서 30분간 건조시키고, 250℃에서 30분간 건조시키고, 300℃에서 30분간 건조시키고, 350℃에서 30분간 경화시켜 두께 100nm의 폴리이미드 수지층을 형성했다. 이어서, 폴리이미드 수지층 상에 TFT 유리 기판으로서의 두께 50μm의 박층 유리(니혼덴키글라스사 제조)를 적층하고, 350℃에서 10분간 가열하여 폴리이미드 수지층과 TFT 유리 기판으로서의 박층 유리를 접착했다. 이어서, 이 박층 유리 상에 공지의 방법으로 TFT 회로층과 발광층을 형성하고, 또한 발광층 상에 봉지층을 형성하여 유리 기판 상에 표시 장치를 형성했다. TFT 회로층을 형성하는 공정에 있어서, 반도체층을 450℃에서 2시간 어닐링했다. 마지막으로, 유리 기판의 표시 장치가 적층되어 있는 면과 반대의 면으로부터 레이저 리프트 오프법에 의해 파장 308nm의 레이저광을 폴리이미드 수지층에 조사하여, 폴리이미드 수지층을 유리 기판으로부터 박리하여, 유기 EL 표시 장치를 얻었다. 얻어진 유기 EL 표시 장치의 폴리이미드 수지층의 두께를 단면 TEM 관찰에 의해 측정한 결과, 70nm였다.
[비교예]
상기 실시예의 폴리이미드 수지층 대신에 일반적인 에폭시 수지층을 이용하여, 에폭시 수지층에 박층 유리를 적층한 후, 160℃에서 10분간 가열한 것 이외에는 실시예와 동일하게 하여 유기 EL 표시 장치의 제조를 행하였는데, TFT 회로층을 형성하는 공정에 있어서, 반도체층을 450℃에서 2시간 어닐링했을 때에 에폭시 수지층이 발포하여 에폭시 수지층과 박층 유리가 박리해 버려, 유기 EL 표시 장치를 제조할 수 없었다.
[평가]
(가시광 투과 시험)
얻어진 실시예 1의 유기 EL 표시 장치의 가시광에 대한 투과도를 가시광 투과 측정기(일본 분광사 제조 UV-500)로 측정하였다. 실시예 1의 유기 EL 표시 장치는, 가시광 영역의 전광선 투과율이 90% 이상이었다. 그 때문에, 본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 투명성이 뛰어난 것이었다.
본 발명의 표시 장치용 지지 기판은, 높은 투명성을 가지므로, 예를 들면, 스마트폰이나 태블릿 등, 복수의 모듈을 탑재하고 있는 전자 기기에 특히 유용하며, 예를 들면, 카메라 모듈과 표시 장치를 탑재하고 있는 휴대 정보 단말 등의 전자 기기에 있어서, 표시 장치의 배면에 카메라 모듈을 설치하는 것이 가능해진다.

Claims (8)

10~150μm 두께의 TFT 유리 기판과,
상기 TFT 유리 기판에 접하여 설치된 150nm 이하의 두께의 폴리이미드 수지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 지지 기판.
청구항 1에 있어서,
표시 장치가 유기 EL 표시 장치인, 표시 장치용 지지 기판.
청구항 1에 있어서,
상기 폴리이미드 수지층의 두께가 0.1nm 이상인, 표시 장치용 지지 기판.
청구항 1에 있어서,
상기 폴리이미드 수지층의 두께가 100nm 이하인, 표시 장치용 지지 기판.
청구항 1에 있어서,
상기 TFT 유리 기판의 두께가 30~100μm인, 표시 장치용 지지 기판.
청구항 1에 있어서,
상기 폴리이미드 수지층이, 산이무수물로서 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산 이무수물(BPDA), 2,2-비스(4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐)프로판 이무수물(BSAA), 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물(6FDA), 또는 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복시산 이무수물(CBDA)을 포함하고, 디아민으로서 2,2-비스[3-(3-아미노벤즈아미드)-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판(HFHA), trans-1,4-디아미노시클로헥산, 또는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB)을 포함하는 폴리이미드 수지로 형성되는, 표시 장치용 지지 기판.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치용 지지 기판을 구비하는, 유기 EL 표시 장치.
유리 기판 상에 20~150nm 두께의 폴리이미드 수지층을 설치하는 공정;
상기 폴리이미드 수지층 상에 10~150μm 두께의 TFT 유리 기판을 형성하는 공정;
상기 TFT 유리 기판에 TFT 회로층을 형성하는 공정;
상기 TFT 회로층 상에 유기층을 포함하는 발광층을 설치하는 공정; 및
상기 발광층을 봉지층에 의해 봉지하는 공정을 포함하는, 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법으로서,
상기 폴리이미드 수지층에 레이저광을 조사함으로써, 상기 폴리이미드 수지층을 상기 유리 기판으로부터 박리하는 공정을 포함하는, 방법.
KR1020227017099A 2019-11-22 2020-07-13 표시 장치용 지지 기판, 유기 el 표시 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법 KR102628727B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-211567 2019-11-22
JP2019211567A JP7398934B2 (ja) 2019-11-22 2019-11-22 表示装置用支持基板、有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ表示装置の製造方法
PCT/KR2020/009183 WO2021101008A1 (ko) 2019-11-22 2020-07-13 표시 장치용 지지 기판, 유기 el 표시 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220090544A true KR20220090544A (ko) 2022-06-29
KR102628727B1 KR102628727B1 (ko) 2024-01-23

Family

ID=75965934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227017099A KR102628727B1 (ko) 2019-11-22 2020-07-13 표시 장치용 지지 기판, 유기 el 표시 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230006157A1 (ko)
JP (1) JP7398934B2 (ko)
KR (1) KR102628727B1 (ko)
CN (1) CN114747035A (ko)
WO (1) WO2021101008A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114763725B (zh) * 2021-01-13 2024-09-27 群创光电股份有限公司 窗户与透明显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003035905A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Dainippon Printing Co Ltd 液晶ディスプレイおよび液晶ディスプレイ用のカラーフィルタとアレイ基板
JP2003330006A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Sony Corp 液晶表示素子の製造方法
JP2011014483A (ja) 2009-07-06 2011-01-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2011227205A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2018055103A (ja) 2013-12-02 2018-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 加工装置
JP2018104525A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 新日鉄住金化学株式会社 フレキシブルデバイス用ポリイミドフィルム、その前駆体、及び機能層付ポリイミドフィルム

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6457168B2 (ja) * 2012-06-19 2019-01-23 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 表示装置支持基材用ポリイミドフィルム、及びその積層体、並びその製造方法
KR20140023142A (ko) * 2012-08-17 2014-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 제조하기 위한 캐리어 기판
KR102087647B1 (ko) * 2012-09-27 2020-03-11 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 표시 장치의 제조 방법
CN104395375B (zh) * 2013-06-26 2017-04-05 东丽株式会社 聚酰亚胺前体、聚酰亚胺、使用了它们的柔性基板、滤色器及其制造方法以及柔性显示器件
JP6331314B2 (ja) * 2013-10-03 2018-05-30 東レ株式会社 フレキシブルカラーフィルター、その製造方法ならびにそれを用いたフレキシブル発光デバイス
JP6354338B2 (ja) * 2014-05-30 2018-07-11 東レ株式会社 積層体、積層体の製造方法、及びこれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法
KR20170066340A (ko) * 2014-09-30 2017-06-14 도레이 카부시키가이샤 디스플레이용 지지 기판, 그것을 이용한 컬러 필터 및 그 제조 방법, 유기 el 소자 및 그 제조 방법, 및 플렉시블 유기 el 디스플레이
JP2017041391A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 旭硝子株式会社 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
JP6883275B2 (ja) * 2016-12-19 2021-06-09 大日本印刷株式会社 表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法
JP2019039983A (ja) * 2017-08-23 2019-03-14 大日本印刷株式会社 表示装置形成用中間体、表示装置および表示装置の製造方法
CN112004858B (zh) * 2018-03-30 2023-06-30 株式会社钟化 聚酰胺酸、聚酰胺酸溶液、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜、层叠体及柔性装置、以及聚酰亚胺膜的制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003035905A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Dainippon Printing Co Ltd 液晶ディスプレイおよび液晶ディスプレイ用のカラーフィルタとアレイ基板
JP2003330006A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Sony Corp 液晶表示素子の製造方法
JP2011014483A (ja) 2009-07-06 2011-01-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2011227205A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2018055103A (ja) 2013-12-02 2018-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 加工装置
JP2018104525A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 新日鉄住金化学株式会社 フレキシブルデバイス用ポリイミドフィルム、その前駆体、及び機能層付ポリイミドフィルム

Also Published As

Publication number Publication date
US20230006157A1 (en) 2023-01-05
WO2021101008A1 (ko) 2021-05-27
JP2021082559A (ja) 2021-05-27
CN114747035A (zh) 2022-07-12
JP7398934B2 (ja) 2023-12-15
KR102628727B1 (ko) 2024-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6787124B2 (ja) 樹脂積層膜、それを含む積層体、ｔｆｔ基板、有機ｅｌ素子カラーフィルターならびにそれらの製造方法。
CN108431135B (zh) 树脂组合物、树脂的制造方法、树脂膜的制造方法和电子设备的制造方法
TW201813993A (zh) 聚醯亞胺前驅體、樹脂組合物、樹脂膜及其製造方法
KR20140122676A (ko) 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
KR20160023531A (ko) 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 그것을 사용한 플렉시블 기판, 컬러 필터와 그 제조 방법, 및 플렉시블 표시 디바이스
TW201920485A (zh) 聚醯亞胺前驅物樹脂組成物、聚醯亞胺樹脂組成物、聚醯亞胺樹脂膜、積層體的製造方法、彩色濾光片的製造方法、液晶元件的製造方法以及有機el元件的製造方法
JP7363030B2 (ja) 樹脂組成物、硬化膜、硬化膜のレリーフパターンの製造方法、電子部品、半導体装置、電子部品の製造方法、半導体装置の製造方法
JPWO2018180926A1 (ja) 導電層付きフィルム、タッチパネル、導電層付きフィルムの製造方法およびタッチパネルの製造方法
KR20200107953A (ko) 디스플레이 기판용 수지 조성물, 디스플레이 기판용 수지막 및 그것을 포함하는 적층체, 화상 표시 장치, 유기 el 디스플레이, 그리고 그들의 제조 방법
JP2019077863A (ja) ポリイミド前駆体及びポリイミド
JP2024028330A (ja) ポリイミド前駆体樹脂組成物
TW202035520A (zh) 聚醯亞胺前體組合物及由其產生的聚醯亞胺膜以及柔性器件、聚醯亞胺膜的製造方法
KR102628727B1 (ko) 표시 장치용 지지 기판, 유기 el 표시 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법
CN115956222A (zh) 正型感旋光性树脂组合物
TW201819471A (zh) 聚醯亞胺及利用聚醯亞胺之可撓性器件
TW202319448A (zh) 聚醯亞胺前驅體組合物及聚醯亞胺膜
TWI859238B (zh) 聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺樹脂組合物
TW201945470A (zh) 含矽化合物
KR102693676B1 (ko) 폴리이미드 전구체 조성물, 폴리이미드 필름 및 폴리이미드 필름/기재 적층체
TWI782790B (zh) 顯示裝置或可撓式顯示裝置之基板以及使用其之顯示裝置或可撓式顯示裝置
US20230279183A1 (en) Polyimide precursor composition, polyimide film formed from the same and method of manufacturing semiconductor device using the same
CN114341270A (zh) 树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法
TW202142599A (zh) 聚醯亞胺前驅體組合物及聚醯亞胺膜/基材積層體
JP2023020948A (ja) 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物およびディスプレイの製造方法
JP2022176116A (ja) 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物、ディスプレイおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant