JP2023020948A - 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物およびディスプレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高透明性および高耐熱性を有し、加熱時のフッ化水素発生量が少ない樹脂膜を提供すること。【解決手段】所定の化学構造で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む、樹脂膜。【選択図】 なし

Description

本発明は、樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物およびディスプレイの製造方法に関するものである。

ポリイミドは、その優れた電気絶縁性、耐熱性、機械特性により、半導体、ディスプレイ用途といった、様々な電子デバイスの材料として使用されている。最近では、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー、カラーフィルターなどのディスプレイの基板にポリイミド膜を用いることで、衝撃に強く、フレキシブルなディスプレイを製造することができる。

電子デバイスに使用される材料は、デバイス製造における高温プロセスに耐える高い耐熱性が求められる。特に透明性を必要とする用途においては、耐熱性と透明性を両立可能な材料が求められる。

例えば、特許文献１には、高い耐熱性を有するポリイミドを基板として使用して、有機ＥＬディスプレイを製造する例が開示されている。また、特許文献２には、フッ素原子を含むジアミン化合物を使用して透明性に優れたポリイミドを製造し、有機ＥＬディスプレイの基板として使用する例が開示されている。また、特許文献３には、特定構造の酸二無水物を使用して低熱膨張性に優れた感光性ポリイミドを電子デバイス用途に使用する例が開示されている。

国際公開第２０１７／０９９１８３号 特表２０２０－５２８０８６号公報 特開２００３－２５５５２５号公報

特許文献１に記載されたポリイミド樹脂膜では、樹脂膜の光透過率が不足しているため、透明性を必要とする用途に適用できないという課題があった。

特許文献２に記載されたポリイミド樹脂膜は、デバイス製造時の高温プロセスにおいて、樹脂膜上に形成した無機膜やディスプレイ素子が損傷し、正常なデバイスを製造できないという課題があった。本発明者らよる検討の結果、これは、高温プロセスでの加熱時に発生するフッ化水素による損傷の影響であることが分かった。

特許文献３に記載されたポリイミド樹脂膜は、感光剤を含むため樹脂膜の光透過率が不足しており、透明性を必要とする用途に適用できないという課題があった。

本発明は、以下の構成をとる。
［１］化学式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む、樹脂膜。

化学式（１）中、Ａは炭素数２以上の４価のテトラカルボン酸残基を示す。Ｂは炭素数２以上のジアミン残基を示す。ただし、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの６０モル％以上が、非フッ化芳香族ジアミン残基である。

化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、チオカルボニル基、スルホニル基、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造である。

化学式（４）および化学式（５）中、Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、窒素原子、リン原子である。ｎは１または２であり、ｍは２～８の整数である。Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。Ｚは、それぞれ独立に、化学式（６）で表される構造または化学式（７）で表される構造である。

化学式（６）および化学式（７）中、Ｒ^４～Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。
［２］化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造であり、化学式（４）および化学式（５）中、Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭素数１～１０の芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基であり、Ｚは、化学式（６）で表される構造である、［１］に記載の樹脂膜。
［３］化学式（３）中、Ｘ^１が酸素原子であり、Ｘ^２が化学式（９）で表される構造である、［１］または［２］に記載の樹脂膜。

［４］化学式（１）中、Ｂの６０モル％以上が化学式（８）または化学式（１１）で表される構造のジアミン残基である、請求項［１］～［３］のいずれかに記載の樹脂膜。

（化学式（８）中、Ｒ^１０～Ｒ^１５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基である。ｔは１～３の整数、ｕは０または１である。化学式（１１）中、Ｒ^１６～Ｒ^２１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基である。）
［５］前記樹脂膜のＣＴＥが３０ｐｐｍ／℃以下である、［１］～［４］のいずれかに記載の樹脂膜。
［６］前記樹脂膜の０．１％重量減少温度が４６０℃以上である、［１］～［５］のいずれかに記載の樹脂膜。
［７］ディスプレイ基板として用いられる、［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂膜。
［８］化学式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂、および溶剤を含む樹脂組成物。

化学式（２）中、Ａは炭素数２以上の４価のテトラカルボン酸残基を示す。Ｂは炭素数２以上のジアミン残基を示す。ただし、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの６０モル％以上が、非フッ化芳香族ジアミン残基である。Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、炭素数１～１０のアルキルシリル基、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、イミダゾリウムイオンまたはピリジニウムイオンを示す。

化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、チオカルボニル基、スルホニル基、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造である。

化学式（４）および化学式（５）中、Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、窒素原子、リン原子である。ｎは１または２であり、ｍは２～８の整数である。Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。Ｚは、それぞれ独立に、化学式（６）で表される構造または化学式（７）で表される構造である。

化学式（６）および化学式（７）中、Ｒ^４～Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。
［９］［８］に記載の樹脂組成物を支持体に塗布し、４００℃以上５００℃以下で焼成する工程を含む、樹脂膜の製造方法。
［１０］［９］に記載の樹脂膜の製造方法によって支持体上に樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上にディスプレイ素子を形成する工程と、前記支持体から前記樹脂膜を剥離する工程と、を含む、ディスプレイの製造方法。

本発明に係る樹脂膜は、波長４００ｎｍの光透過率が高く、透明性に優れる。また、樹脂膜のガラス転移温度（以下、Ｔｇと適宜いう）が高く、加熱時のフッ化水素発生量が少なく耐熱性に優れる。このため、耐熱性と透明性を必要とする電子デバイス用途に好適に使用できる。

以下、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、目的や用途に応じて種々に変更して実施することができる。

＜樹脂膜＞
本発明の実施の形態にかかる樹脂膜は、化学式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む。

化学式（１）中、Ａは炭素数２以上の４価のテトラカルボン酸残基を示す。Ｂは炭素数２以上のジアミン残基を示す。ただし、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの６０モル％以上が、非フッ化芳香族ジアミン残基である。

化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、チオカルボニル基、スルホニル基、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造である。

化学式（４）および化学式（５）中、Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、窒素原子、リン原子である。ｎは１または２であり、ｍは２～８の整数である。Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。Ｚは、それぞれ独立に、化学式（６）で表される構造または化学式（７）で表される構造である。

化学式（６）および化学式（７）中、Ｒ^４～Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。

化学式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が挙げられる。

（テトラカルボン酸残基）
化学式（１）中、Ａは、炭素数２以上の４価のテトラカルボン酸残基を示すが、かかるテトラカルボン酸残基は、炭素数２～８０の４価の炭化水素基であることが好ましい。また、Ａは、水素原子および炭素原子を必須成分とし、ホウ素、酸素、硫黄、窒素、リン、ケイ素およびハロゲンから選ばれる１以上の原子を含む、炭素数２～８０の４価の有機基であってもよい。この有機基に含まれるホウ素、酸素、硫黄、窒素、リン、ケイ素およびハロゲンの各原子の数は、それぞれ独立に、２０以下の範囲であることが好ましく、１０以下の範囲であることがより好ましい。

化学式（１）中、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基である。これにより、樹脂膜のＴｇが高く、かつ４００ｎｍの透過率に優れる。化学式（１）中、好ましくは、Ａの５０モル％以上、より好ましくはＡの７０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基である。Ａの５０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であれば、４００ｎｍの透過率により優れ、線熱膨張係数（以下、ＣＴＥと適宜いう）が低く、Ｔｇがより高い樹脂膜となりやすい。

化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造が好ましい。Ｘ^１およびＸ^２がこれらの構造であれば、化学式（３）中のベンゼン環同士が非共役となるため、樹脂膜の透過率がより高くなる。Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、酸素原子または化学式（５）で表される構造が特に好ましい。

化学式（４）中、Ｒ^３は、炭素数１～１０の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であると、耐熱性に優れるため好ましい。化学式（５）中、Ｚは化学式（６）で表される構造であると、耐熱性に優れるため好ましい。特に、透明性と耐熱性の両立の観点から、化学式（５）で表される構造は化学式（９）で表される構造であると特に好ましい。化学式（９）で表される構造は、化学式（５）中の、Ｙが炭素原子であり、ｍが２であり、Ｚが化学式（６）で表される構造であり、化学式（６）中、Ｒ^４～Ｒ^７が水素原子である構造である。

最も好ましくは、化学式（３）中、Ｘ^１が酸素原子であり、Ｘ^２が化学式（９）で表される構造である。すなわち、最も好ましくは、化学式（３）が化学式（１０）で表される構造のテトラカルボン酸残基であることである。化学式（３）が化学式（１０）で表される構造のテトラカルボン酸残基であれば、樹脂膜は耐熱性および透明性に極めて優れたものとなる。

その他の化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基の例として、例えば以下に記載のテトラカルボン酸残基などが挙げられる。

その他のＡを与えるテトラカルボン酸としては、特に制限はなく、公知のものを用いることができる。例えば、単環芳香族テトラカルボン酸化合物、ビフェニルテトラカルボン酸の各種異性体、ビス（ジカルボキシフェニル）化合物、ビス（ジカルボキシフェノキシフェニル）化合物、ナフタレンまたは縮合多環芳香族テトラカルボン酸の各種異性体、ビス（トリメリット酸モノエステル）化合物などの芳香族テトラカルボン酸や、脂環式テトラカルボン酸、鎖状脂肪族テトラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸が挙げられる。

より耐熱性の高い樹脂膜が得られる観点から、樹脂に含まれる化学式（１）で表される繰り返し単位中の、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上において、Ａが芳香族テトラカルボン酸残基であることが好ましい。

また、加熱時のフッ化水素発生量を抑制する観点から、樹脂に含まれる化学式（１）で表される繰り返し単位中の、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上において、Ａが非フッ化芳香族テトラカルボン酸残基であることが好ましい。

非フッ化芳香族テトラカルボン酸とは、フッ素原子を含まない芳香族テトラカルボン酸である。非フッ化芳香族テトラカルボン酸の例として、例えば、ピロメリット酸、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル、９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレンなどが挙げられる。また、化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基を与えるテトラカルボン酸も、本発明においては非フッ化芳香族テトラカルボン酸であるとみなす。

非フッ化芳香族テトラカルボン酸以外の芳香族テトラカルボン酸の例として、例えば、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、などが挙げられる。

脂環式テトラカルボン酸の例として、例えば、シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸、ジシクロヘキシル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸、化学式（３３）、（３４）または（３５）で表されるテトラカルボン酸残基を与えるテトラカルボン酸などが挙げられる。

化学式（３３）中、ｐは０～３の整数を表す。化学式（３４）中、ｑは１～４の整数を表す。化学式（３５）中、ｒは０～２の整数を表す。

鎖状脂肪族テトラカルボン酸の例として、例えばブタンテトラカルボン酸などが挙げられる。

また、Ａを与えるテトラカルボン酸の例として、国際公開第２０１７／０９９１８３号に記載のテトラカルボン酸などが挙げられる。

これらのテトラカルボン酸は、そのままの状態、あるいは酸無水物、活性エステルまたは活性アミドの状態でもＡを与える原料として使用でき、また、これらを２種以上用いてもよい。

また、Ａを与えるテトラカルボン酸としては、樹脂膜を製造する際の支持体に対する塗布性や、樹脂膜上に素子を形成する際の洗浄などに用いられる酸素プラズマ、ＵＶオゾン処理に対する耐性を高めるため、ジメチルシランジフタル酸、１，３－ビス（フタル酸）テトラメチルジシロキサンなどのケイ素含有テトラカルボン酸を用いてもよい。これらケイ素含有テトラカルボン酸を用いる場合、テトラカルボン酸全体の１～３０モル％用いることが好ましい。

前記のように例示したテトラカルボン酸において、テトラカルボン酸の残基に含まれる水素の一部は、メチル基、エチル基などの炭素数１～１０の炭化水素基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＳＯ_３Ｈ、ＣＯＮＨ_２、ＳＯ_２ＮＨ_２などの基で置換されていてもよい。

（ジアミン残基）
化学式（１）中、Ｂは、炭素数２以上の２価のジアミン残基を示すが、かかるジアミン残基は、炭素数２～８０の２価の炭化水素基であることが好ましい。また、Ｂは、水素原子および炭素原子を必須成分とし、ホウ素、酸素、硫黄、窒素、リン、ケイ素およびハロゲンから選ばれる１以上の原子を含む、炭素数２～８０の２価の有機基であってもよい。この有機基に含まれるホウ素、酸素、硫黄、窒素、リン、ケイ素およびハロゲンの各原子の数は、それぞれ独立に、２０以下の範囲であることが好ましく、１０以下の範囲であることがより好ましい。

化学式（１）中、Ｂの６０モル％以上が非フッ化芳香族ジアミン残基である。これにより、加熱時のフッ化水素発生量を抑制することができる。化学式（１）中、好ましくは、Ｂの７０モル％以上、より好ましくはＡの８０モル％以上が非フッ化芳香族ジアミン残基である。Ａの７０モル％以上が非フッ化芳香族ジアミン残基であれば、加熱時のフッ化水素発生量をより抑制することができる。

非フッ化芳香族ジアミンとは、フッ素原子を含まない芳香族ジアミンである。非フッ化芳香族ジアミンの例として、例えば、化学式（８）または化学式（１１）で表されるジアミン残基を与えるジアミンなどが挙げられる。

化学式（８）中、Ｒ^１０～Ｒ^１５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基である。ｔは１～３の整数、ｕは０または１である。化学式（１１）中、Ｒ^１６～Ｒ^２１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基である。

化学式（８）で表されるジアミン残基を与えるジアミンの例として、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、２，５－ジメチル－１，４－フェニレンジアミン、２，３，５，６－テトラメチル－１，４－フェニレンジアミン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジメチルビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’，５，５’－テトラメチルビフェニル、などが挙げられる。

化学式（１１）で表されるジアミン残基を与えるジアミンの例として、例えば、１，５－ナフタレンジアミン、２－メチルナフタレン－１，５－ジアミン、４－メチルナフタレン－１，５－ジアミン、２，６－ジメチルナフタレン－１，５－ジアミン、などが挙げられる。

その他の非フッ化芳香族ジアミンの例として、例えば、ｍ－フェニレンジアミン、３，５－ジアミノ安息香酸、ビス（４－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノフェノキシフェニル）スルホン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、４，４’－ジアミノベンズアニリド、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４－アミノ安息香酸４－アミノフェニル、１，１’－ビナフタレン－４，４’－ジアミン、などが挙げられる。

その他のＢを与えるジアミンとしては、特に制限はなく、公知のものを用いることができる。例えば、非フッ化芳香族ジアミン以外の芳香族ジアミンや、鎖状脂肪族ジアミン化合物、脂環式ジアミン化合物、などの脂肪族ジアミンが挙げられる。

非フッ化芳香族ジアミン以外の芳香族ジアミンの例として、例えば、２，５－ジフルオロ－１，４－フェニレンジアミン、２，３，５，６－テトラフルオロ－１，４－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノ－２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、２－トリフルオロメチルナフタレン－１，５－ジアミン、４－トリフルオロメチルナフタレン－１，５－ジアミン、２，６－ビストリフルオロメチルナフタレン－１，５－ジアミン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、などが挙げられる。

鎖状脂肪族ジアミンの例として、例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブタンジアミン、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサンなどが挙げられる。

脂環式ジアミンの例として、例えば、シクロヘキサンジアミン、４，４’－メチレンビス（シクロヘキシルアミン）などが挙げられる。

また、Ｂを与えるジアミンとして、国際公開第２０１７／０９９１８３号に記載のジアミンなどが挙げられる。

これらのジアミンは、そのままの状態、あるいは対応するトリメチルシリル化ジアミンとしてもＢを与えるジアミンとして使用でき、また、これらを２種以上用いてもよい。

より耐熱性の高い樹脂膜が得られる観点から、樹脂に含まれる化学式（１）で表される繰り返し単位中の、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは８０モル％以上において、Ｂが芳香族ジアミン残基であることが好ましい。

また、化学式（１）中、好ましくはＢの６０モル％以上、より好ましくはＢの８０モル％以上が、化学式（８）または化学式（１１）で表される構造のジアミン残基である。Ｂの６０モル％以上が、化学式（８）または化学式（１１）で表される構造のジアミン残基であれば、ＣＴＥが低く、Ｔｇがより高い樹脂膜となりやすい。

特に好ましいのは、化学式（１）中、Ａの５０モル％以上が芳香族テトラカルボン酸残基であり、Ｂの５０モル％以上が芳香族ジアミン残基であることである。さらに好ましいのは、化学式（１）中、Ａの５０モル％以上が化学式（１０）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの６０モル％以上が化学式（８）または化学式（１１）で表される構造のジアミン残基であることである。ＡおよびＢがこれらの構造であれば、耐熱性と透明性により優れ、かつＣＴＥがより低い樹脂膜が得られやすい。

また、Ｂを与えるジアミンとしては、樹脂膜を製造する際の支持体に対する塗布性や、樹脂膜上に素子を形成する際の洗浄などに用いられる酸素プラズマ、ＵＶオゾン処理に対する耐性を高めるために、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３－ビス（４－アニリノ）テトラメチルジシロキサンなどのケイ素含有ジアミンを用いてもよい。これらケイ素含有ジアミン化合物を用いる場合、ジアミン化合物全体の１～３０モル％用いることが好ましい。

前記のように例示したジアミン化合物において、ジアミン化合物に含まれる水素の一部は、メチル基、エチル基などの炭素数１～１０の炭化水素基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＳＯ_３Ｈ、ＣＯＮＨ_２、ＳＯ_２ＮＨ_２などの基で置換されていてもよい。

上記樹脂に含まれるテトラカルボン酸残基のモル数を、当該樹脂に含まれるジアミン残基のモル数で除した値（以下、これを「除算値Ｋａ」と称する）は、特に制限はないが、０．９００以上１．１００以下が好ましい。上記除算値Ｋａが上記範囲内であれば、ポリイミドの分子量が高くなるため、機械特性に優れた膜となりやすい。また、透明性の観点から、上記除算値Ｋａは１．０００以上１．０５０以下であることがより好ましい。

なお、除算値Ｋａは、１に近いほどジアミン残基とテトラカルボン酸残基のモル数が等モルに近づくため、化学式（１）で表される繰り返し単位の繰り返し数が大きくなりやすい。また、除算値Ｋａは１より小さいと化学式（１）で表される繰り返し単位を有するポリマー構造の末端がジアミンとなりやすく、１より大きいと化学式（１）で表される繰り返し単位を有するポリマー構造の末端がテトラカルボン酸となりやすい。

本発明の実施の形態にかかる樹脂膜は、樹脂の末端が末端封止剤により封止されたものであってもよい。樹脂の末端が末端封止剤により封止されることで、透明性の高い樹脂膜となりやすい。

樹脂の末端のモノマーがジアミン化合物である場合は、そのアミノ基を封止するために、ジカルボン酸無水物、モノカルボン酸、モノカルボン酸クロリド化合物、モノカルボン酸活性エステル化合物、二炭酸ジアルキルエステルなどを末端封止剤として用いることができる。

樹脂の末端のモノマーが酸二無水物である場合は、その酸無水物基を封止するために、モノアミン、モノアルコールなどを末端封止剤として用いることができる。

本発明の実施の形態に係る樹脂膜は、特に限定されるものではないが、波長４００ｎｍの光透過率は５％以上であることが好ましく、１５％以上であることがより好ましく、３０％以上であることが更に好ましい。また、樹脂膜のＹＩは２０以下であることが好ましく、１７以下であることがより好ましく、１４以下であることが更に好ましい。上記光透過率および／またはＹＩがこれらの範囲を満たすと、樹脂膜は透明性により優れ、透明性を必要とする用途に好適に用いることができる。本発明において、樹脂膜の黄色度は、ＪＩＳ Ｋ ７３７３：２００６に準拠して求める。

本発明の実施の形態に係る樹脂膜の膜厚は、樹脂膜の伸度の観点から、４μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましく、６μｍ以上であることが更に好ましい。また、当該樹脂膜の膜厚は、４０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以下であることが更に好ましい。当該樹脂膜の膜厚が４μｍ以上４０μｍ以下であれば、樹脂膜の伸度が良好となる。また、より高い透明性が求められる用途においては、膜厚は０．５μｍ以上４μｍ以下であることも好ましく、１μｍ以上３μｍ以下であることもより好ましい。

本発明の実施の形態に係る樹脂膜は、ＣＴＥが３０ｐｐｍ以下であることが好ましい。ＣＴＥが３０ｐｐｍ以下であれば、樹脂膜を製膜した支持体の反りを抑制することができる。反りが大きいとデバイス製造時の支持体の搬送が困難となるため、樹脂膜のＣＴＥはより小さい方が好ましい。例えば、樹脂膜のＣＴＥは２５ｐｐｍ以下がより好ましく、２０ｐｐｍ以下が更に好ましく、１５ｐｐｍ以下が特に好ましい。

本発明の実施の形態に係る樹脂膜は、Ｔｇは４００℃以上であることが好ましい。Ｔｇが４００℃以上であれば、電子デバイスの製造における高温プロセスにおいて、樹脂膜に形成した膜に皺が生じるのを抑制することができる。樹脂膜のＴｇは高温であるほど、電子デバイス製造のプロセス温度を高温化できるため好ましい。例えば、Ｔｇは４２５℃以上であることがより好ましく、４５０℃以上であることが更に好ましい。

本発明におけるＣＴＥおよびＴｇは、熱機械分析装置を用いて測定する。この際、第１段階において、５℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を１５０℃まで昇温し、第２段階において、５℃／ｍｉｎという降温レートで試料を室温まで空冷し、第３段階において、５℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を昇温して求められる値とする。

本発明の実施の形態に係る樹脂膜は、０．１％重量減少温度（以下、Ｔｄ_０．１と適宜いう）は４６０℃以上であることが好ましい。また、樹脂膜のＴｄ_０．１は高温であるほど、電子デバイス製造のプロセス温度を高温化できるため好ましい。電子デバイス製造のプロセス温度を高温化できると、高温プロセスの処理時間を短縮できたり、より信頼性に優れる電子デバイスが得られたりするため好ましい。例えば、Ｔｄ_０．１は４７０℃以上であることがより好ましく、４７５℃以上であることが更に好ましい。

本発明におけるＴｄ_０．１は、熱重量測定装置を用いて測定する。この際、第１段階において、１０℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を３５０℃まで昇温し、第２段階において、１０℃／ｍｉｎという降温レートで試料を室温まで空冷し、第３段階において、１０℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を昇温して求められる値とする。

本発明の実施の形態に係る樹脂膜は、加熱時のフッ化水素発生量が分子数で３．０×１０^１５以下であることが好ましく、１．０×１０^１５以下であることがより好ましく、１．０×１０^１４以下であることが更に好ましい。加熱時のフッ化水素発生量が分子数で３．０×１０^１５以下であると、デバイス製造における高温プロセスで発生したフッ化水素により、樹脂膜上に形成した無機膜が白濁したり、ディスプレイ素子（例えばＴＦＴなど）の信頼性が低下したりするのを抑制することができる。

本発明における加熱時のフッ化水素発生量は、昇温脱離ガス分析装置を用いて測定する。この際、真空雰囲気下で、１０℃／ｍｉｎという昇温レートで、１ｃｍ×１ｃｍのサイズの試料を５０℃から４００℃まで昇温し、ｍ／ｚ２０の成分の発生量をフッ化水素発生量とする。

＜樹脂組成物＞
本発明の実施の形態にかかる樹脂組成物は、化学式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂、および溶剤を含む樹脂組成物である。

化学式（２）中、Ａは炭素数２以上の４価のテトラカルボン酸残基を示す。Ｂは炭素数２以上のジアミン残基を示す。ただし、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの６０モル％以上が、非フッ化芳香族ジアミン残基である。Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、炭素数１～１０のアルキルシリル基、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、イミダゾリウムイオンまたはピリジニウムイオンを示す。

化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、チオカルボニル基、スルホニル基、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造である。

化学式（４）および化学式（５）中、Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、窒素原子、リン原子である。ｎは１または２であり、ｍは２～８の整数である。Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。Ｚは、それぞれ独立に、化学式（６）で表される構造または化学式（７）で表される構造である。

化学式（６）および化学式（７）中、Ｒ^４～Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。

本発明の実施の形態に係る樹脂組成物を用いることで、前述の通りＴｇが高く、４００ｎｍの透過率に優れ、加熱時のフッ化水素発生量の少ない樹脂膜が得られる。

化学式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂は、加熱処理や化学的処理等により、化学式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂へと変換可能な樹脂である。以下、この様に化学式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂を「前駆体樹脂」と称する。また、前駆体樹脂を含む樹脂組成物を「前駆体樹脂組成物」と称する。前駆体樹脂としては、ポリイミド前駆体樹脂、ポリエーテルイミド前駆体樹脂、ポリアミドイミド前駆体樹脂等が挙げられる。

化学式（２）中のＡの具体例および好ましい例としては、前述した化学式（１）中のＡの具体例および好ましい例として記載した構造が挙げられる。化学式（２）中のＢの具体例および好ましい例としては、前述した化学式（１）中のＢの具体例として記載した構造が挙げられる。

また、前駆体樹脂に含まれるテトラカルボン酸残基のモル数を、当該樹脂に含まれるジアミン残基のモル数で除した値（以下、これを「除算値Ｋｃ」と称する）は、特に制限はないが、０．９００以上１．１００以下が好ましい。上記除算値Ｋｃが上記範囲内であれば、ポリイミドの分子量が高くなるため、機械特性に優れた膜となりやすい。また、得られる樹脂膜の透明性の観点から、上記除算値Ｋｃは１．０００以上１．０５０以下であることがより好ましい。

また、前駆体樹脂の末端は末端封止剤により封止されたものであってもよい。樹脂の末端のモノマーがジアミン化合物である場合は、そのアミノ基を封止するために、ジカルボン酸無水物、モノカルボン酸、モノカルボン酸クロリド化合物、モノカルボン酸活性エステル化合物、二炭酸ジアルキルエステルなどを末端封止剤として用いることができる。 樹脂の末端のモノマーが酸二無水物である場合は、その酸無水物基を封止するために、モノアミン、モノアルコールなどを末端封止剤として用いることができる。

前駆体樹脂組成物に含まれる溶媒は、前駆体樹脂を溶解するものであれば、特に制限なく使用可能である。このような溶媒として、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、γ－ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、３－ブトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ‘－ジメチルプロピレン尿素、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノンなどのケトン類、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、３－メトキシブチルアセテートなどのエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類や、国際公開第２０１７／０９９１８３号に記載の溶媒などが挙げられる。前記溶媒としては、これらのうち何れかを単独で使用することもできれば、これらのうち２種以上を組み合わせて使用することもできる。

前駆体樹脂組成物は、イミド化促進剤（ｉ）を含んでも良い。この場合、前駆体樹脂１００質量部に対しイミド化促進剤（ｉ）を０．１質量部以上１００質量部未満で含有することが好ましい。イミド化促進剤（ｉ）を上記範囲で含むと、透明性および機械特性に優れた樹脂膜が得られやすくなる。

イミド化促進剤（ｉ）としては、例えば窒素原子を含む複素環化合物（以下「含窒素複素環化合物」と適宜いう）、アミン系化合物、カルボン酸化合物、多価フェノール化合物などを用いることができる。これらの化合物は、１種を単独で用いても、２種以上を組合せて用いてもよい。

含窒素複素環化合物の例として、２－ヒドロキシピリジン、３－ヒドロキシピリジン、４－ヒドロキシピリジン、２－ヒドロキシニコチン酸、２－ヒドロキシベンズイミダゾール、４－ヒドロキシベンズイミダゾール、３－アミノ－４－ヒドロキシピリジン、２，４－ジヒドロキシピリジン、２，６－ジメチル－４－ヒドロキシピリジン、２，４－ジヒドロキシ－６－メチルピリジン、２－キノリノール、３－キノリノール、４－キノリノール、３－ヒドロキシ－２－メチルピリジン、５－ヒドロキシ－２－メチルピリジン、２－アミノ－３－ヒドロキシピリジン、２，３－ジヒドロキシピリジン、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、３－シアノイミダゾール、ベンズイミダゾール、ピリジン、４－ピリジンメタノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノピリジン、ニコチンアルデヒド、イソニコチンアルデヒド、ピコリンアルデヒド、ピコリンアルデヒドオキシム、ニコチンアルデヒドオキシム、イソニコチンアルデヒドオキシム、ピコリン酸エチル、ニコチン酸エチル、イソニコチン酸エチル、ニコチンアミド、イソニコチンアミド、２，２’－ジピリジル、４，４’－ジピリジル、３－メチルピリダジン、キノリン、イソキノリン、フェナントロリン、１，１０－フェナントロリン、１，２，４－トリアゾールなどが挙げられる。

アミン系化合物の例として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ－メチルピロリジン、Ｎ－エチルピロリジン、Ｎ－メチルピペリジン、Ｎ－エチルピペリジンなどが挙げられる。

多価フェノール化合物の例として、３，５－ジヒドロキシアセトフェノン、３，５－ジヒドロキシ安息香酸メチル、ピロガロール、メチルガレート、エチルガレート、ナフタレン－１，６－ジオール、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン等が挙げられる。

カルボン酸化合物として、４－ヒドロキシフェニル酢酸、３－ヒドロキシ安息香酸、Ｎ－アセチルグリシン、Ｎ－ベンゾイルグリシンなどが挙げられる。

前駆体樹脂組成物は、シラン化合物（ｈ）を含んでも良い。シラン化合物（ｈ）は化学式（４０）で表される構造の化合物であることが好ましい。

化学式（４０）中、Ｒ^３０およびＲ^３１は、それぞれ独立して、炭素数１～２０の炭化水素基を示す。ｋは１～４の整数を示す。

前駆体樹脂組成物がシラン化合物（ｈ）を含むと、前駆体樹脂組成物の焼成中に、シラン化合物（ｈ）が縮合してシロキサン結合を形成する。したがって、焼成して得られる樹脂膜中にシロキサン部位が形成されるため、樹脂膜の光透過率をより向上させることができる。

化学式（４０）で表される構造の化合物の例としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、１－ナフチルトリメトキシシラン、２－ナフチルトリメトキシシラン、１－ナフチルトリエトキシシラン、２－ナフチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、などがあげられる。

シラン化合物（ｈ）の含有量は、前駆体樹脂組成物１００質量部に対して、５質量部以上１００質量部以下であることが好ましい。シラン化合物（ｈ）の含有量が５質量部以上であれば樹脂膜の光透過率はより向上しやすい。１００質量部以下であれば伸度が良好な樹脂膜が得られやすい。

また、前駆体樹脂組成物は、必要に応じて、（ｄ）、密着改良剤（ｅ）、界面活性剤（ｆ）、および無機粒子（ｇ）から選ばれる少なくとも一つの添加剤を含んでも良い。これらの添加剤の具体例としては、例えば、国際公開第２０１７／０９９１８３号に記載のものを挙げることができる。

前駆体樹脂組成物における前駆体樹脂の濃度は、前駆体樹脂組成物１００質量部に対し、３質量部以上が好ましく、５質量部以上がより好ましい。また５０質量部以下が好ましく、４０質量部以下がより好ましい。

前駆体樹脂組成物の粘度は２０～２０，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、５０～１０，０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。

（前駆体樹脂組成物の製造方法）
次に、前駆体樹脂組成物を製造する方法について説明する。前駆体樹脂組成物の製造方法では、前駆体樹脂、必要に応じてイミド化促進剤（ｉ）、シラン化合物（ｈ）、密着改良剤（ｅ）、界面活性剤（ｆ）、および無機粒子（ｇ）などを溶媒に溶解または分散させる。これにより、前駆体樹脂組成物の一つであるワニスを得ることができる。

なお、化学式（２）で表される繰り返し単位を有する前駆体樹脂は、既知の方法によって重合することができる。例えば、テトラカルボン酸、あるいは対応する酸二無水物、活性エステル、活性アミドなどを酸成分とし、ジアミンあるいは対応するトリメチルシリル化ジアミンなどをジアミン成分として、反応溶媒中で重合させることにより得ることができる。また、前駆体樹脂は、カルボキシ基がアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、イミダゾリウムイオンと塩を形成したり、炭素数１～１０の炭化水素基または炭素数１～１０のアルキルシリル基でエステル化されたものであってもよい。

反応溶媒としては、例えば、前述の前駆体樹脂組成物に含まれる溶媒の具体例として記載した溶媒などを単独、または２種以上混合して使用することができる。反応溶媒の使用量は、テトラカルボン酸およびジアミン化合物の合計量が、反応溶液の全体の０．１～５０質量部となるように調整することが好ましい。また、反応温度は、－２０℃～１５０℃であることが好ましく、０～１００℃であることがより好ましい。さらに、反応時間は、０．１～２４時間であることが好ましく、０．５～１２時間であることがより好ましい。

なお、前記の製造方法において、テトラカルボン酸として、対応する酸二無水物、活性エステル、活性アミドなども使用することもできる。また、ジアミン化合物は、対応するトリメチルシリル化ジアミンなどを使用することもできる。また、得られる樹脂のカルボキシ基はアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、イミダゾリウムイオンと塩を形成したものでも、炭素数１～１０の炭化水素基または炭素数１～１０のアルキルシリル基でエステル化されたものであってもよい。

得られた前駆体樹脂溶液は、そのまま本発明の実施の形態に係る前駆体樹脂組成物として使用してもよい。この場合、反応溶媒として前駆体樹脂組成物に使用する溶媒と同じものを用いたり、反応終了後に溶媒を添加したりすることで、前駆体樹脂を単離することなく目的の前駆体樹脂組成物を得ることができる。

また、得られた前駆体樹脂は、更にアミド酸の繰り返し単位の一部をイミド化させたり、エステル化させたりしてもよい。この場合、前駆体樹脂の重合で得られた前駆体樹脂溶液をそのまま次の反応に用いてもよく、前駆体樹脂を単離したうえで、次の反応に用いてもよい。

前駆体樹脂のエステル化反応およびイミド化反応においても、反応溶媒として前駆体樹脂組成物に使用する溶媒と同じものを用いたり、反応終了後に溶媒を添加したりすることで、前駆体樹脂を単離することなく、目的の前駆体樹脂組成物を得ることができる。

（樹脂膜の製造方法）
次に、本発明の実施の形態に係る樹脂膜の製造方法について説明する。この樹脂膜の製造方法は、前述した前駆体樹脂組成物から本発明の実施の形態に係る樹脂膜を製造する方法の一例である。

まず、本発明の実施の形態に係る前駆体樹脂組成物の一つであるワニスを支持体上に塗布する。支持体としては、シリコン、ガリウムヒ素などのウェハ基板、サファイアガラス、ソーダ石灰硝子、無アルカリガラスなどのガラス基板、ステンレス、銅などの金属基板あるいは金属箔、セラミックス基板、などが挙げられる。中でも、表面平滑性、加熱時の寸法安定性の観点から、無アルカリガラスが好ましい。

ワニスの塗布方法としては、スピン塗布法、スリット塗布法、ディップ塗布法、スプレー塗布法、印刷法などが挙げられ、これらを組み合わせてもよい。樹脂膜をディスプレイ用基板として用いる場合には、大型サイズの支持体上に塗布する必要があるため、特にスリット塗布法が好ましく用いられる。

塗布後は、ワニスの塗膜を乾燥させることが一般的である。乾燥方法としては、減圧乾燥や加熱乾燥、あるいはこれらを組み合わせて用いることができる。減圧乾燥の方法としては、例えば、真空チャンバー内に塗膜を形成した支持体を置き、真空チャンバー内を減圧することで塗膜を乾燥するものが挙げられる。また、加熱乾燥の方法としては、ホットプレート、オーブン、赤外線などを使用して塗膜を乾燥するものが挙げられる。ホットプレートを用いる場合、プレート上に直接、もしくは、プレート上に設置したプロキシピン等の治具上に、塗膜を形成した支持体を保持して当該塗膜を加熱乾燥する。加熱温度は、ワニスに用いられる溶媒の種類や目的により様々であり、室温から１８０℃の範囲で１分間～数時間、加熱を行うことが好ましい。

その後、支持体上の塗膜を加熱処理して樹脂膜を製造する加熱工程が行われる。この加熱工程では、３７０℃以上６００℃以下、好ましくは４００℃以上５００℃以下の範囲、より好ましくは４１０℃以上４８０℃以下で塗膜を加熱処理して、この塗膜を焼成する。これにより、支持体上に樹脂膜を製造することができる。加熱工程における塗膜の加熱温度（焼成温度）が３７０℃以上であれば、イミド化が十分に進行し、伸度が大きい樹脂膜が得られる。当該加熱温度が４００℃以上であれば、耐熱性に優れた樹脂膜が得られる。また、当該加熱温度が５００℃以下であれば、樹脂の熱分解を抑制し、透明性に優れた樹脂膜が得られる。

以上の塗布工程および加熱工程などを経て得られた樹脂膜は、支持体から剥離して用いることができるし、あるいは、支持体から剥離せずに、そのまま用いることもできる。

剥離方法の例としては、機械的な剥離方法、水に浸漬する方法、塩酸やフッ酸などの薬液に浸漬する方法、紫外光から赤外光の波長範囲のレーザー光を樹脂膜と支持体との界面に照射する方法などが挙げられる。特に、樹脂膜の上にデバイスを作成してから剥離を行う場合は、デバイスへ損傷を与えることなく剥離を行う必要があるため、紫外光のレーザーを用いた剥離が好ましい。

なお、剥離を容易にするために、樹脂組成物を支持体へ塗布する前に、支持体に離型剤を塗布したり犠牲層を製膜したりしておいてもよい。離型剤としては、シリコーン系、フッ素系、芳香族高分子系、アルコキシシラン系等が挙げられる。犠牲層としては、金属膜、金属酸化物膜、アモルファスシリコン膜等が挙げられる。

本発明の実施の形態に係る樹脂膜は、有機ＥＬディスプレイ用基板、カラーフィルター用基板、タッチパネル用基板、電子ペーパー用基板、μＬＥＤディスプレイ用基板などのディスプレイ基板に好適に用いられ、特にフレキシブルディスプレイ基板に好適に用いられる。また、フレキシブルプリント基板、太陽電池用基板、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の絶縁層やスペーサー層、薄膜トランジスタ基板の平坦化膜、有機トランジスタの絶縁層、リチウムイオン二次電池の電極用バインダー、半導体用接着剤などに用いられる。

（ディスプレイ）
次に、本発明の実施の形態に係るディスプレイについて説明する。本発明の実施の形態に係るディスプレイは、本発明の実施の形態に係る樹脂膜を含むものである。

以下では、本発明の実施の形態に係るディスプレイを製造する方法を説明する。

本発明の実施の形態に係るディスプレイの一構成例は、樹脂膜と、樹脂膜上に形成されたディスプレイ素子とを含む。

樹脂膜は、本発明の実施の形態に係る樹脂膜であり、ディスプレイの基板として機能する。樹脂膜の上には、ディスプレイ素子が形成されている。

このディスプレイの製造方法では、上述した樹脂膜の製造方法によって支持体上に樹脂膜を製造する膜製造工程と、この樹脂膜の上にディスプレイ素子を形成する工程と、上記支持体から樹脂膜を剥離する剥離工程とを含む。

まず、前述の樹脂膜の製造方法に従って、本発明の実施の形態に係る樹脂膜を支持体上に製造する。

必要に応じて樹脂膜上に無機膜を設けても良い。無機膜を設けることで外部から水分や酸素が樹脂膜を通過してディスプレイ素子の劣化を引き起こすのを防ぐことができる。前記無機膜としては、例えば、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｙ）、ケイ素酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）などが挙げられる。これらは、単層、あるいは複数の種類を積層して用いることができる。これらの無機膜の成膜方法は、化学気相成長法（ＣＶＤ）や物理気相成長法（ＰＶＤ）などの蒸着法を用いて行われることが好ましい。これらの無機膜は、更に樹脂膜と無機膜を複数層交互に積層して用いることもできる。無機膜と積層する樹脂膜は本発明の実施の形態に係る樹脂膜であることが好ましい。また、支持体上に別の樹脂膜を形成し、該樹脂膜上に無機膜および本発明の実施の形態に係る樹脂膜を交互に積層して用いることもできる。

つづいて、得られた樹脂膜または樹脂膜と無機膜の積層体上に、目的のディスプレイに応じたディスプレイ素子を形成する。例えば、ディスプレイが有機ＥＬディスプレイである場合、ディスプレイ素子であるＴＦＴ、第一電極、発光素子、第二電極、封止膜を順に形成することにより、目的のディスプレイ素子として有機ＥＬ素子が形成される。ディスプレイが液晶ディスプレイである場合、画像駆動素子であるＴＦＴ、第一電極、第一配向膜を形成した第一基板と、第二電極、第二配向膜を形成した第二基板を用いて液晶セルを形成し、液晶を注入することにより、目的のディスプレイ素子として液晶表示素子が形成される。ディスプレイがカラーフィルターを含むディスプレイである場合、必要に応じてブラックマトリックスを形成した後、赤、緑、青などの着色画素を形成することにより、目的のディスプレイ素子としてカラーフィルター素子が形成される。ディスプレイがタッチパネルを含むディスプレイである場合、配線層と絶縁層とを形成することにより、目的のディスプレイ素子としてタッチパネル素子が形成される。

最後に、支持体から樹脂膜を剥離し、剥離した樹脂膜（目的のディスプレイ素子が形成されたもの）を用いることにより、本発明の樹脂膜を含むディスプレイが得られる。支持体と樹脂膜の界面で剥離する方法には、レーザーを用いる方法、機械的な剥離方法、支持体をエッチングする方法などが挙げられる。レーザーを用いる方法では、ガラス基板などの支持体に対し、素子が形成されていない側からレーザーを照射することで、素子にダメージを与えることなく、剥離を行うことができる。また、剥離しやすくするためのプライマー層を、支持体との間に設けても構わない。

以下、実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明は、下記の実施例等によって限定されるものではない。まず、下記の実施例および比較例で行った測定、評価および試験等について説明する。なお、特に断らない限り、測定ｎ数は１である。

（第１項目：樹脂膜の光透過率の測定）
各実施例で得られた樹脂膜別に、樹脂膜とガラス基板との積層体を作製し、作製した積層体について、紫外可視分光光度計（島津製作所社製、ＭｕｌｔｉＳｐｅｃ１５００）を用い、波長４００ｎｍにおける樹脂膜の光透過率を測定した。

（第２項目：樹脂膜のＹＩの測定）
各実施例で得られた樹脂膜別に、樹脂膜とガラス基板との積層体を作製し、作製した積層体について、分光ヘーズメーター（村上色彩技術研究所社製、ＨＳＰ－１５０Ｖｉｓ）を用い、ＪＩＳ Ｋ ７３７３：２００６に準拠してＹＩを測定した。

（第３項目：樹脂膜のＴｇおよびＣＴＥの測定）
各実施例で得られた樹脂膜（試料）について、熱機械分析装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００ＴＭＡ／ＳＳ６０００）を用い、ＴｇおよびＣＴＥの測定を実施した。この際、第１段階において、５℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を１５０℃まで昇温し、これにより、この試料の吸着水を除去した。続く第２段階において、５℃／ｍｉｎという降温レートで試料を室温まで空冷した。続く第３段階において、５℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を昇温し、試料のＴｇおよびＣＴＥを測定した。ＣＴＥは、第３段階の昇温過程の５０℃～１５０℃の温度範囲で求めた。

（第４項目：樹脂膜のＴｄ_０．１および０．５％重量減少温度（以下、Ｔｄ_０．５と適宜いう）の測定）
各実施例で得られた樹脂膜（試料）について、熱重量測定装置（島津製作所社製、ＴＧＡ－５０）を用い、Ｔｄ_０．１およびＴｄ_０．５の測定を実施した。この際、第１段階において、１０℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を３５０℃まで昇温し、これにより、この試料の吸着物を除去した。続く第２段階において、１０℃／ｍｉｎという降温レートで試料を室温まで空冷した。続く第３段階において、１０℃／ｍｉｎという昇温レートで試料のＴｄ_０．１およびＴｄ_０．５を測定した。

（第５項目：加熱時のフッ化水素発生量の測定）
各実施例で得られた樹脂膜別に、１ｃｍ×１ｃｍのサイズで樹脂膜とガラス基板との積層体を作製した。作製した積層体について、昇温脱離ガス分析装置（電子科学株式会社製、ＥＭＤ－ＷＡ１０００Ｓ）を用いて、フッ化水素発生量を測定した。この際、１０℃／ｍｉｎという昇温レートで試料を５０℃から４００℃まで昇温し、ｍ／ｚ２０の検出ピークをフッ化水素とみなして定量測定を行った。定量測定では、水素一定注入の標準試料を測定して感度係数を求めて水素の定量を行い、これを基準として装置付随の相対感動係数を用いてフッ化水素の分子数の定量を行った。測定雰囲気は真空とし、測定温度は試料表面温度とした。

（化合物）
実施例および比較例では、下記に示す化合物が適宜使用される。各化合物およびその略称は、以下に示す通りである。
ＰＤＡ：ｐ－フェニレンジアミン
ＤＤＳ：４，４’－ジアミノジフェニルスルホン
ＴＦＭＢ：４，４’－ジアミノ－２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル
ｍＴＢ：４，４’－ジアミノ－２，２’－ジメチルビフェニル
ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＳＦＤＡ：化学式（３）中、Ｘ^１が酸素原子であり、Ｘ^２が化学式（９）で表される構造のテトラカルボン酸二無水物
ＯＤＰＡ：４，４’－オキシジフタル酸無水物
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸無水物
ＮＭＰ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン。

（合成例１）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＰＤＡ（８．３１ｇ（７６．９ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＳＦＤＡ（３６．６９ｇ（７７．７ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例２）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＰＤＡ（９．４８ｇ（８７．７ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＳＦＤＡ（２５．１０ｇ（５３．１ｍｍｏｌ））とＢＰＤＡ（１０．４２ｇ（３５．４ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例３）
ＰＤＡの重量を１０．２０ｇ（９４．３ｍｍｏｌ）に、ＳＦＤＡの重量を１７．９９ｇ（３８．１ｍｍｏｌ）に、ＢＰＤＡの重量を１６．８１ｇ（５７．１ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、合成例２と同様にして樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例４）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＰＤＡ（５．４９ｇ（５０．８ｍｍｏｌ））とＤＤＳ（５．２３ｇ（２１．０ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＳＦＤＡ（３４．２８ｇ（７２．６ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例５）
ＰＤＡの重量を３．７５ｇ（３４．７ｍｍｏｌ）に、ＤＤＳの重量を８．４５ｇ（３４．０ｍｍｏｌ）に、ＳＦＤＡの重量を３２．８０ｇ（６９．４ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、合成例４と同様にして樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例６）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらｍＴＢ（１３．８６ｇ（６５．３ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＳＦＤＡ（３１．１４ｇ（６５．９ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例７）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＰＤＡ（１２．０１ｇ（１１１．０ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＢＰＤＡ（３２．９９ｇ（１１２．１ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例８）
ＰＤＡの重量を１１．５０ｇ（１０６．３ｍｍｏｌ）に、ＢＰＤＡの重量を２８．４３ｇ（９６．６ｍｍｏｌ）に、ＳＦＤＡの重量を５．０７ｇ（１０．７ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、合成例２と同様にして樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例９）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＰＤＡ（５．１８ｇ（４７．９ｍｍｏｌ））とＤＤＳ（１１．６５ｇ（４６．９ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＢＰＤＡ（２８．１７ｇ（９５．８ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例１０）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらｍＴＢ（１８．７５ｇ（８８．３ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＢＰＤＡ（２６．２５ｇ（８９．２ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例１１）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＴＦＭＢ（１８．０４ｇ（５６．５ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＳＦＤＡ（２６．９６ｇ（５７．１ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例１２）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＰＤＡ（３．４８ｇ（３２．２ｍｍｏｌ））とＴＦＭＢ（１０．４９ｇ（３２．８ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＳＦＤＡ（３１．０３ｇ（６５．７ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例１３）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＰＤＡ（１１．５５ｇ（１０６．８ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＯＤＰＡ（３３．４５ｇ（１０７．８ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

（合成例１４）
５００ｍＬ４つ口フラスコに、温度計、撹拌羽根付き撹拌棒をセットした。次に、乾燥窒素気流下、ＮＭＰ（２５５ｇ）を投入し、６０℃に昇温した。昇温後、攪拌しながらＴＦＭＢ（２６．６２ｇ（８３．４ｍｍｏｌ））を投入し、溶解したことを確認した後、ＰＭＤＡ（１８．３８ｇ（８４．２ｍｍｏｌ））を投入した。１２時間攪拌した後、反応溶液を室温まで冷却した。ＮＭＰで希釈した後、フィルター孔径０．２μｍのフィルターで濾過して樹脂組成物（ワニス）を得た。

合成例１～１４において各々得られた各樹脂組成物（ワニス）の組成について、表１に示す。

（実施例１）
スリット塗布装置（東レエンジニアリング社製）を用いて、縦３５０ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの無アルカリガラス基板（ＡＮ－１００、旭硝子社製）上に、合成例１の樹脂組成物（ワニス）をガラス基板の端から５ｍｍ内側のエリアに塗布した。つづいて、同じ装置により、４０℃の温度で加熱真空乾燥を行った。最後に、ガスオーブン（ＩＮＨ－２１ＣＤ 光洋サーモシステム社製）を用いて、窒素雰囲気下（酸素濃度１００ｐｐｍ以下）、４３０℃で３０分加熱して、ガラス基板上に膜厚１０μｍの樹脂膜を形成した。得られた基板上の樹脂膜について、上記第１項目の方法によって樹脂膜の光透過率を、上記第２項目の方法によってＹＩを、上記第５項目の方法によって加熱時のフッ化水素発生量を測定した。

つづいて、ガラス基板に対し、樹脂膜が成膜されていない側からレーザー（波長：３０８ｎｍ）を照射し、樹脂膜との界面で剥離を行った。得られた樹脂膜について、上記第３項目の方法によってＴｇおよびＣＴＥを測定し、上記第４項目の方法によってＴｄ_０．１およびＴｄ_０．５を測定した。

（実施例２～８および比較例１～８）
実施例２～８、比較例１～８では、表１および２に記載される合成例１～１３の各樹脂組成物（ワニス）を用いて、実施例１と同様の評価を行った。

実施例７では、加熱条件を４３０℃から３５０℃に変更した以外は、実施例１と同様の評価を行った。

実施例８では、加熱条件を４３０℃から４６０℃に変更した以外は、実施例１と同様の評価を行った。

実施例１～８および比較例１～８の各評価結果は、表２に示す。

実施例１～８では、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの３０モル％以上が非フッ化ジアミン残基であるため、波長４００ｎｍの光透過率が高く、ＹＩが低く、透明性に優れ、Ｔｇが高く、加熱時のフッ化水素発生量が少なく、耐熱性に優れる結果が得られた。

比較例１～４、７、および８では、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であるものではないため、透過率および耐熱性の少なくとも一方に劣るものであった。

比較例５、６および８では、Ｂの３０モル％以上が非フッ化ジアミン残基であるものではないため、加熱時のフッ化水素発生量が多く、耐熱性に劣るものであった。

（実施例１０１）
実施例１で得られたガラス基板上の樹脂膜の上にＣＶＤによりＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４の積層から成るガスバリア膜を成膜した。つづいてＴＦＴを形成し、このＴＦＴを覆う状態でＳｉ_３Ｎ_４から成る絶縁膜を形成した。なお、ＴＦＴ形成時の最高加熱温度は４５０℃、加熱時間は２時間とした。次に、この絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、このコンタクトホールを介してＴＦＴに接続される配線を形成した。

さらに、配線の形成による凹凸を平坦化するために、平坦化膜を形成した。次に、得られた平坦化膜上に、ＩＴＯからなる第一電極を配線に接続させて形成した。その後、レジストを塗布、プリベークし、所望のパターンのマスクを介して露光し、現像した。このレジストパターンをマスクとして、ＩＴＯエッチャントを用いたウエットエッチングによりパターン加工を行った。その後、レジスト剥離液（モノエタノールアミンとジエチレングリコールモノブチルエーテルの混合液）を用いて該レジストパターンを剥離した。剥離後の基板を水洗し、加熱脱水して平坦化膜付き電極基板を得た。次に、第一電極の周縁を覆う形状の絶縁膜を形成した。

さらに、真空蒸着装置内で所望のパターンマスクを介して、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を順次蒸着して設けた。次いで、基板上方の全面にＡｌ／Ｍｇから成る第二電極を形成した。さらにＣＶＤによりＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４の積層から成る封止膜を形成した。最後にガラス基板に対し、樹脂膜が成膜されていない側からレーザー（波長：３０８ｎｍ）を照射し、樹脂膜との界面で剥離を行った。このときの照射エネルギーは、２００ｍＪ／ｃｍ^２とした。

以上のようにして、樹脂膜上に形成された有機ＥＬ表示装置が得られた。駆動回路を介して電圧を印加したところ、良好な発光を示した。

（実施例１０２）
実施例１で得られたガラス基板上の樹脂膜を実施例７で得られたガラス基板上の樹脂膜に変更した以外は実施例１０１と同様の評価を行った。しかし、ＴＦＴ形成時に４５０℃で加熱した際に、ガスバリア膜に膜浮きが生じ、正常なＴＦＴを形成することができなかった。そこで、ＴＦＴ形成時の最高加熱温度を４５０℃から４３０℃に変更し、加熱時間を２時間から３時間に変更し、以降の操作は実施例１０１と同様の評価を行ったところ、樹脂膜上に形成された有機ＥＬ表示装置が得られ、駆動回路を介して電圧を印加したところ、良好な発光を示した。

（比較例１０１）
実施例１で得られたガラス基板上の樹脂膜を比較例５で得られたガラス基板上の樹脂膜に変更した以外は実施例１０１と同様の評価を行った。しかし、ＴＦＴ形成時に４５０℃で加熱した際に、樹脂膜上のガスバリア膜が白濁し、樹脂膜とガスバリア膜の積層体としての透明性が損なわれた。そこで、ＴＦＴ形成時の最高加熱温度を４５０℃から４３０℃に変更し、加熱時間を２時間から３時間に変更したが、樹脂膜上のガスバリア膜が白濁し、樹脂膜とガスバリア膜の積層体としての透明性が損なわれた。

（比較例１０２）
実施例１で得られたガラス基板上の樹脂膜を比較例７で得られたガラス基板上の樹脂膜に変更した以外は実施例１０１と同様の評価を行った。しかし、ＴＦＴ形成時に４５０℃で加熱した際に、ガスバリア膜に皺が発生し、正常なＴＦＴを形成することができなかった。そこで、ＴＦＴ形成時の最高加熱温度を４５０℃から４３０℃に変更し、加熱時間を２時間から３時間に変更したが、ガスバリア膜に皺が発生し、正常なＴＦＴを形成することができなかった。

Claims (10)

1. 化学式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂を含む、樹脂膜。
   

   

   （化学式（１）中、Ａは炭素数２以上の４価のテトラカルボン酸残基を示す。Ｂは炭素数２以上のジアミン残基を示す。ただし、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの６０モル％以上が、非フッ化芳香族ジアミン残基である。
   

   

   化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、チオカルボニル基、スルホニル基、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造である。
   

   

   化学式（４）および化学式（５）中、Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、窒素原子、リン原子である。ｎは１または２であり、ｍは２～８の整数である。Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。Ｚは、それぞれ独立に、化学式（６）で表される構造または化学式（７）で表される構造である。
   

   

   化学式（６）および化学式（７）中、Ｒ^４～Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。）
2. 化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造であり、化学式（４）および化学式（５）中、Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭素数１～１０の芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基であり、Ｚは、化学式（６）で表される構造である、請求項１に記載の樹脂膜。
3. 化学式（３）中、Ｘ^１が酸素原子であり、Ｘ^２が化学式（９）で表される構造である、請求項１に記載の樹脂膜。
   

   
4. 化学式（１）中、Ｂの６０モル％以上が化学式（８）または化学式（１１）で表される構造のジアミン残基である、請求項１または３に記載の樹脂膜。
   

   

   （化学式（８）中、Ｒ^１０～Ｒ^１５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基である。ｔは１～３の整数、ｕは０または１である。化学式（１１）中、Ｒ^１６～Ｒ^２１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基である。）
5. 前記樹脂膜のＣＴＥが３０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１または３に記載の樹脂膜。
6. 前記樹脂膜の０．１％重量減少温度が４６０℃以上である、請求項１または３に記載の樹脂膜。
7. ディスプレイ基板として用いられる、請求項１または３に記載の樹脂膜。
8. 化学式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂、および溶剤を含む樹脂組成物。
   

   

   （化学式（２）中、Ａは炭素数２以上の４価のテトラカルボン酸残基を示す。Ｂは炭素数２以上のジアミン残基を示す。ただし、Ａの３０モル％以上が化学式（３）で表される構造のテトラカルボン酸残基であり、Ｂの６０モル％以上が、非フッ化芳香族ジアミン残基である。Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、炭素数１～１０のアルキルシリル基、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、イミダゾリウムイオンまたはピリジニウムイオンを示す。
   

   

   化学式（３）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、チオカルボニル基、スルホニル基、化学式（４）で表される構造または化学式（５）で表される構造である。
   

   

   化学式（４）および化学式（５）中、Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、窒素原子、リン原子である。ｎは１または２であり、ｍは２～８の整数である。Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。Ｚは、それぞれ独立に、化学式（６）で表される構造または化学式（７）で表される構造である。
   

   

   化学式（６）および化学式（７）中、Ｒ^４～Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、または芳香族複素環基である。）
9. 請求項８に記載の樹脂組成物を支持体に塗布し、４００℃以上５００℃以下で焼成する工程を含む、樹脂膜の製造方法。
10. 請求項９に記載の樹脂膜の製造方法によって支持体上に樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜上にディスプレイ素子を形成する工程と、前記支持体から前記樹脂膜を剥離する工程と、を含む、ディスプレイの製造方法。