CN114341270A - 树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114341270A
CN114341270A CN202080061657.2A CN202080061657A CN114341270A CN 114341270 A CN114341270 A CN 114341270A CN 202080061657 A CN202080061657 A CN 202080061657A CN 114341270 A CN114341270 A CN 114341270A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin film
chemical formula
carbon atoms
polyimide
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202080061657.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114341270B (zh
Inventor
芦部友树
宫崎大地
宫内拓也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of CN114341270A publication Critical patent/CN114341270A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114341270B publication Critical patent/CN114341270B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003—Preparatory processes
    • C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • C08G73/101—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines containing chain terminating or branching agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003—Preparatory processes
    • C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • C08G73/101—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines containing chain terminating or branching agents
    • C08G73/1014—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines containing chain terminating or branching agents in the form of (mono)anhydrid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1075—Partially aromatic polyimides
    • C08G73/1082—Partially aromatic polyimides wholly aromatic in the tetracarboxylic moiety
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

作为本发明的一个方式的树脂膜为包含聚酰亚胺的树脂膜，并且满足“将波长为470nm并且强度为4.0μW/cm2的光照射了30分钟时的、相对于光照射前而言的膜中电荷变化量为1.0×1016cm‑3以下”这样的条件。通过将这样的树脂膜用作半导体元件的基板，可以构成具备该树脂膜、和形成于该树脂膜上的半导体元件的电子器件。

Description

树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法。
背景技术
聚酰亚胺由于其优异的电绝缘性、耐热性、机械特性而被用作半导体、显示器之类的各种电子器件的材料。最近，正在进行在有机EL显示器、电子纸、滤色器等图像显示装置、触摸面板等的基板(特别是柔性基板)中使用了聚酰亚胺膜的、柔性电子器件的开发。
在使用聚酰亚胺作为基板的材料的情况下，通过将聚酰胺酸溶液(以下，适当地称为清漆)涂布于支承体，对涂膜进行烧成，从而使聚酰亚胺膜成膜。基板用的聚酰亚胺需要：优异的机械特性，线性热膨胀系数(以下，适当地称为CTE)低以抑制制造时的基板的翘曲，具有可耐受制造电子器件时的温度的高耐热性，等等。
例如，在专利文献1中，公开了通过制造机械强度优异的聚酰亚胺膜并在该膜上形成作为半导体元件的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor：TFT)及有机EL元件从而制造柔性的有机EL显示器的例子。另外，在专利文献2中，公开了通过制造机械强度、耐热性优异且线性热膨胀系数低的聚酰亚胺膜并在该膜上形成TFT及有机EL元件从而制造柔性的有机EL显示器的例子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/099183号
专利文献2：国际公开第2019/049517号
发明内容
发明所要解决的课题
然而，对于专利文献1及专利文献2中记载的聚酰亚胺膜而言，在用作有机EL显示器内的TFT的基板的情况下，有在有机EL显示器的长期驱动时TFT的阈值电压漂移(shift)的担忧。因此存在如下课题：有机EL元件的发光亮度发生经时变化，或者即使将电源关闭(OFF)，有机EL元件的微弱发光也非期望地持续进行，等等，产生导致有机EL显示器的可靠性降低的情形。
本发明是鉴于上述课题而作出的，其第1目的在于提供在用作TFT等半导体元件的基板时能抑制长期驱动时的半导体元件的特性变化从而有助于提高电子器件的可靠性的树脂膜。另外，本发明的第2目的在于提供通过将这样的树脂膜用作半导体元件的基板从而能够提高可靠性的电子器件。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题并达成目的，本发明涉及的树脂膜的特征在于，其为包含聚酰亚胺的树脂膜，将波长为470nm、强度为4.0μW/cm2的光照射了30分钟时的、相对于前述光的照射前而言的该树脂膜中的电荷变化量即膜中电荷变化量为1.0×1016cm-3以下。
另外，本发明涉及的树脂膜的特征在于，在上述的发明中，0.05％重量减少温度为490℃以上。
另外，本发明涉及的树脂膜的特征在于，在上述的发明中，将该树脂膜的膜厚换算为10μm时的、波长470nm处的透光率为60％以上。
另外，本发明涉及的树脂膜的特征在于，在上述的发明中，前述聚酰亚胺中包含的四羧酸残基100摩尔％中的50摩尔％以上由选自均苯四甲酸残基及联苯四甲酸残基中的至少一种形成，前述聚酰亚胺中包含的二胺残基100摩尔％中的50摩尔％以上由对苯二胺残基形成。
另外，本发明涉及的树脂膜的特征在于，在上述的发明中，将前述聚酰亚胺中包含的四羧酸残基的摩尔数除以前述聚酰亚胺中包含的二胺残基的摩尔数而得到的值为1.001以上且1.100以下。
另外，本发明涉及的树脂膜的特征在于，在上述的发明中，前述聚酰亚胺包含化学式(1)所示的结构及化学式(2)所示的结构中的至少一种。
[化学式1]
Figure BDA0003528038010000031
(化学式(1)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基。R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基。)
(化学式(2)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基。R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。R14表示碳原子数为1以上的1价的羧酸残基。)
另外，本发明涉及的电子器件的特征在于，具备：上述的发明中任一项所述的树脂膜；和形成于前述树脂膜上的半导体元件。
另外，本发明涉及的电子器件的特征在于，在上述的发明中，前述半导体元件为薄膜晶体管。
另外，本发明涉及的电子器件的特征在于，在上述的发明中，还具备图像显示元件。
另外，本发明涉及的树脂膜的制造方法的特征在于，为制造上述的发明中任一项所述的树脂膜的树脂膜的制造方法，所述制造方法包括下述工序：涂布工序，将包含聚酰亚胺前体及溶剂的树脂组合物涂布于支承体；和加热工序，对通过前述涂布工序得到的涂膜进行加热，得到树脂膜。
另外，本发明涉及的树脂膜的制造方法的特征在于，在上述的发明中，前述加热工序中的前述涂膜的加热温度为420℃以上且490℃以下。
另外，本发明涉及的树脂膜的制造方法的特征在于，在上述的发明中，前述聚酰亚胺前体具有化学式(3)所示的结构。
[化学式2]
Figure BDA0003528038010000041
(化学式(3)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基。R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。R15表示化学式(4)所示的结构。R1及R2各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。)
(化学式(4)中，α表示碳原子数为2以上的1价的烃基。β及γ各自独立地表示氧原子或硫原子。)
另外，本发明涉及的树脂膜的制造方法的特征在于，在上述的发明中，前述聚酰亚胺前体具有化学式(5)所示的结构。
[化学式3]
Figure BDA0003528038010000042
(化学式(5)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基。R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。R16表示化学式(6)所示的结构或化学式(7)所示的结构。)
(化学式(6)中，R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基。)
(化学式(7)中，R14表示碳原子数为1以上的1价的单羧酸残基。)
另外，本发明涉及的树脂膜的制造方法的特征在于，在上述的发明中，前述树脂组合物包含相对于前述聚酰亚胺前体100质量份而言为0.05质量份以上且5.0质量份以下的、化学式(8)所示的结构的化合物及化学式(9)所示的结构的化合物中的至少一种。
[化学式4]
Figure BDA0003528038010000051
(化学式(8)中，R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基。R3及R4各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。)
(化学式(9)中，R14表示碳原子数为1以上的1价的单羧酸残基。R5表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。)
另外，本发明涉及的电子器件的制造方法的特征在于，包括下述工序：膜制造工序，利用上述的发明中任一项所述的树脂膜的制造方法在支承体上制造树脂膜；元件形成工序，在前述树脂膜上形成半导体元件；和剥离工序，将前述树脂膜从前述支承体剥离。
另外，本发明涉及的电子器件的制造方法的特征在于，在上述的发明中，前述半导体元件为薄膜晶体管。
发明效果
本发明涉及的树脂膜发挥如下效果：在用作半导体元件的基板时，能够抑制长期驱动时的半导体元件的特性变化，由此，能够有助于提高具备该半导体元件的电子器件的可靠性。另外，本发明涉及的电子器件发挥如下效果：通过具备这样的树脂膜作为半导体元件的基板，能够提高长期驱动时的可靠性。
附图说明
[图1]图1为示出本发明的实施方式涉及的电子器件的一个构成例的截面示意图。
具体实施方式
以下，对本发明具体实施方式进行详细说明。但是，本发明不限于以下的实施方式，可以根据目的、用途进行各种变更而实施。
(树脂膜)
本发明的实施方式涉及的树脂膜(以下，适当地简记为“本发明的树脂膜”)为包含聚酰亚胺的树脂膜，并且满足以下所示的膜中电荷变化量的条件。即，本发明的树脂膜是满足“将波长为470nm、强度为4.0μW/cm2的光照射了30分钟时的膜中电荷变化量为1.0×1016cm-3以下”这样的条件的树脂膜。本发明中，所谓膜中电荷变化量，是将上述光照射了30分钟时的、相对于上述光的照射前而言的树脂膜中的电荷变化量。这样的膜中电荷变化量例如可以通过从在将上述光照射了30分钟时积蓄于树脂膜中的电荷量减去上述光的照射前的该树脂膜中的电荷量而算出。
具有上述构成的本发明的树脂膜在用作半导体元件的基板(例如柔性基板)时，能够抑制长期驱动时的半导体元件的特性变化。另外，本发明的树脂膜在作为半导体元件的基板而设置于电子器件中时，能够提高该电子器件的可靠性。特别是在半导体元件为TFT、电子器件为有机EL显示器的情况下，本发明的树脂膜能够抑制TFT的阈值电压的漂移，由此，能够提高有机EL显示器的可靠性。
本发明的实施方式涉及的树脂膜呈现上述效果的理由可如下推断。即，在形成于基板上的半导体元件中，若在基板中存在电荷，则通过因该电荷而产生的电场的影响，使得半导体元件中的载流子密度变化，半导体元件的电特性变化。例如，在基板上形成有顶栅型TFT的情况下，若在基板中存在电荷，则该基板作为背栅发挥功能，因此该TFT的阈值电压变化。若基板中的电荷量在半导体元件的驱动过程中变化，则半导体元件的电特性发生经时变化，因此，具备该半导体元件的电子器件的可靠性受损。具体而言，推断在使用聚酰亚胺膜作为基板时，伴随着聚酰亚胺膜上的半导体元件的驱动，该聚酰亚胺膜中的电荷量(以下，适当地称为膜中电荷量)发生了变化。
关于在使用了聚酰亚胺膜时膜中电荷量变化的机理，可如下所述地推断。即，在具有高耐热性的聚酰亚胺的大多数中，最高已占轨道(HOMO)偏在于二胺部位，最低空轨道(LUMO)偏在于酸二酐部位。因此，聚酰亚胺膜中的从HOMO向LUMO的电子跃迁是伴有从二胺部位向酸二酐部位的电荷转移的、电荷转移跃迁。发生了电荷转移跃迁时，伴随着该电荷转移跃迁而在聚酰亚胺膜中产生电荷，进而该产生的电荷被捕集在聚酰亚胺膜中。推断其结果是，膜中电荷量变化。
在半导体元件的基板中，伴随着基板上的半导体元件的驱动，受到光(环境光及从显示器件发出的光等)、热(焦耳热等)及电场等外部刺激。因此认为，在使用聚酰亚胺作为基板的材料的情况下，伴随着半导体元件的驱动，由于上述的外部刺激而引起聚酰亚胺的电荷转移跃迁，因此该基板的膜中电荷量变化。特别是，已知聚酰亚胺的电荷转移跃迁是通过包含波长470nm的光的可见区域的光激发而引起的，推断即使在上述的外部刺激中，光的影响也大。进而，在电子器件为有机EL显示器的情况下，从有机EL显示器(具体而言为有机EL元件)发出的蓝色光中包含波长470nm的光。因此推断，在有机EL显示器中，显著引起聚酰亚胺的电荷转移跃迁，伴随着有机EL显示器的驱动，基板的膜中电荷量容易变化。
如上所述，本发明的实施方式涉及的树脂膜为包含聚酰亚胺的树脂膜，并且满足“将波长为470nm、强度为4.0μW/cm2的光照射了30分钟时的膜中电荷变化量为1.0×1016cm-3以下”这样的条件。即，本发明的树脂膜是即使包含聚酰亚胺、由上述外部刺激引起的膜中电荷变化量也少的树脂膜。因此，将本发明的树脂膜用作半导体元件的基板时，与半导体元件的驱动相伴的膜中电荷变化量少，能够抑制半导体元件的载流子量的变化，由此抑制半导体元件的特性变化，能够得到可靠性优异的电子器件。
(膜中电荷变化量)
本发明中的膜中电荷变化量是通过以下方法求出的值。在本发明中的膜中电荷变化量的导出方法中，首先，作为测定样品，准备将形成半导体层的硅晶片、热氧化膜、和包含聚酰亚胺的树脂膜(测定对象的树脂膜)依次层叠而成的层叠体。接着，在静电电容-电压特性(CV特性)的测定装置中的暗室内放入测定样品，在该测定装置所具备的一对电极之间夹入测定样品，由此形成包含测定样品的电容器结构。接着，对该电容器结构外加直流偏置电压和交流电压，测定积蓄有由外加电压导致的电荷的状态的电容器结构的静电电容和外加电压。基于所得到的静电电容及外加电压的各测定值，测定该电容器结构的CV特性。其后，基于该CV特性的测定结果，导出该电容器结构的平带电压VFB1。
接下来，针对构成上述电容器结构的测定样品的树脂膜，从该测定装置的光源照射光，由此，使该树脂膜中产生由光激发导致的电荷。此时，使在上述电容器结构中夹持测定样品的一对电极中的、光源侧的电极从测定样品的树脂膜远离，在针对该树脂膜的光照射之后再次使其与测定样品接触。本实施方式中，来自该光源的光的波长为470nm，该光的强度为4.0μW/cm2。该光的照射时间为30分钟。接着，针对该光照射后的电容器结构，外加与上述同样的直流偏置电压和交流电压，测定处于积蓄有由外加电压导致的电荷和由光激发导致的电荷的状态下的光照射后的电容器结构的静电电容和外加电压。基于所得到的静电电容及外加电压的各测定值，测定该光照射后的电容器结构的CV特性。其后，基于该CV特性的测定结果，导出该光照射后的电容器结构的平带电压VFB2。
接着，使用如上所述地得到的光照射前及光照射后的各平带电压VFB1、VFB2，基于下述的式(F1)，导出平带电压差ΔVFB。其后，使用所得到的平带电压差ΔVFB及电荷积蓄状态的静电电容CI，基于下述的式(F2)，导出该树脂膜中的每单位体积的由光激发导致的电荷的增加量、即该树脂膜的膜中电荷变化量Q[cm-3]。
ΔVFB＝|VFB2-VFB1|···(F1)
Q＝CI×ΔVFB/(qSt)···(F2)
需要说明的是，式(F2)中，q为元电荷量(1.6×10-19[C])，S为光源侧的电极的面积[cm2]，t为测定对象的树脂膜的膜厚[cm]。
如上所述地得到的膜中电荷变化量Q为1.0×1016cm-3以下的测定样品的树脂膜可作为本发明中的树脂膜而被采用。需要说明的是，在上述电容器结构的CV特性的测定中，一对电极中的光源侧的电极是作为以可远离的方式与测定样品的树脂膜接触的可动型电极的汞探针。
(聚酰亚胺)
本发明的实施方式涉及的树脂膜包含聚酰亚胺。该聚酰亚胺优选为具有化学式(10)所示的重复单元的树脂。
[化学式5]
Figure BDA0003528038010000091
化学式(10)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基。R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。本发明中，化学式(10)中，R11优选为碳原子数为2～80的4价的烃基。另外，R11可以是将氢及碳作为必需成分、并且包含选自硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素中的1种以上的原子的碳原子数为2～80的4价的有机基团。该有机基团中包含的硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素的各原子的数量各自独立地优选为20以下的范围，更优选为10以下的范围。
作为提供R11的四羧酸，没有特别限制，可以使用已知的四羧酸。例如，作为该四羧酸，可举出均苯四甲酸、3,3’,4,4’-联苯四甲酸、2,3,3’,4’-联苯四甲酸、2,2’,3,3’-联苯四甲酸、3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷、双(3,4-二羧基苯基)砜、双(3,4-二羧基苯基)醚、环丁烷四甲酸、1,2,3,4-环戊烷四甲酸、1,2,4,5-环己烷四甲酸、国际公开第2017/099183号中记载的四羧酸等。
这些四羧酸可以以保持原样的状态使用，或者也可以以酸酐、活性酯或活性酰胺的状态使用。另外，作为提供R11的四羧酸，可以使用它们中的2种以上。
从提高本发明的树脂膜的耐热性这样的观点考虑，优选上述聚酰亚胺中包含的四羧酸残基100摩尔％中的50摩尔％以上由芳香族四羧酸残基形成。其中，更优选上述四羧酸残基的50摩尔％以上由选自均苯四甲酸残基及联苯四甲酸残基中的至少一种形成。进而，更优选上述四羧酸残基100摩尔％中的80摩尔％以上由选自均苯四甲酸残基及联苯四甲酸残基中的至少一种形成。若为由这些四羧酸得到的聚酰亚胺，则能够得到CTE低的树脂膜。
另外，作为提供R11的四羧酸，为了提高对于支承体的涂布性、对于用于清洗等的氧等离子体、UV臭氧处理的耐性，可以使用二甲基硅烷二邻苯二甲酸、1,3-双(邻苯二甲酸)四甲基二硅氧烷等含硅四羧酸。使用这些含硅四羧酸的情况下，优选使用四羧酸整体的1～30摩尔％。
如上所述地示例的四羧酸中，四羧酸的残基中包含的氢的一部分可以被甲基、乙基等碳原子数为1～10的烃基、三氟甲基等碳原子数为1～10的氟烷基、F、Cl、Br、I等基团取代。此外，若该残基中包含的氢的一部分被OH、COOH、SO3H、CONH2、SO2NH2等酸性基团取代，则聚酰亚胺及其前体在碱水溶液中的溶解性提高，因此，在作为后述的感光性树脂组合物来使用的情况下是优选的。
化学式(10)中，R12优选为碳原子数为2～80的2价的烃基。另外，R12可以是将氢及碳作为必需成分、并且包含选自硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素中的1种以上的原子的碳原子数为2～80的2价的有机基团。R12中包含的硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素的各原子的数量各自独立地优选为20以下的范围，更优选为10以下的范围。
作为提供R12的二胺，没有特别限制，可以使用已知的二胺。例如，作为该二胺，可举出间苯二胺、对苯二胺、4,4’-二氨基苯酰替苯胺、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基醚、2,2’-二甲基-4,4’-二氨基联苯、2,2’-二(三氟甲基)-4,4’-二氨基联苯、双(4-氨基苯氧基苯基)砜、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、双(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷、乙二胺、丙二胺、丁二胺、1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷、环己二胺、4,4’-亚甲基双(环己基胺)、国际公开第2017/099183号中记载的二胺等。
这些二胺可以以保持原样的状态使用，或者也可以以对应的三甲基甲硅烷基化二胺的形式使用。另外，作为提供R12的二胺，可以使用它们中的2种以上。
从提高本发明的树脂膜的耐热性这样的观点考虑，优选上述聚酰亚胺中包含的二胺残基100摩尔％中的50摩尔％以上由芳香族二胺残基形成。其中，更优选上述二胺残基的50摩尔％以上由对苯二胺残基形成。进而，更优选上述二胺残基100摩尔％中的80摩尔％以上由对苯二胺残基形成。若为使用对苯二胺得到的聚酰亚胺，则能够得到CTE低的树脂膜。
作为本发明的树脂膜中包含的聚酰亚胺而言特别优选的是，该聚酰亚胺中包含的四羧酸残基100摩尔％中的50摩尔％以上由选自均苯四甲酸残基及联苯四甲酸残基中的至少一种形成，并且，该聚酰亚胺中包含的二胺残基100摩尔％中的50摩尔％以上由对苯二胺残基形成。若为这样的结构的聚酰亚胺，则能够得到CTE适宜地低的树脂膜。
另外，将上述聚酰亚胺中包含的四羧酸残基的摩尔数除以上述聚酰亚胺中包含的二胺残基的摩尔数而得到的值(除算值Ka)优选为1.001以上，更优选为1.005以上。另外，上述除算值Ka优选为1.100以下，更优选为1.060以下。若上述除算值Ka为1.001以上，则聚酰亚胺的末端结构容易成为酸酐，能够减少聚酰亚胺中易于捕集电荷的胺末端。因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。若上述除算值Ka为1.100以下，则聚酰亚胺的分子量变高，因此存在于树脂膜中的聚酰亚胺的末端结构变少。因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。
另外，作为提供R12的二胺，为了提高对于支承体的涂布性、对于用于清洗等的氧等离子体、UV臭氧处理的耐性，可以使用1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷、1,3-双(4-苯胺基)四甲基二硅氧烷等含硅二胺。使用这些含硅二胺化合物的情况下，优选使用二胺化合物整体的1～30摩尔％。
如上所述地示例的二胺化合物中，二胺化合物中包含的氢的一部分可以被甲基、乙基等碳原子数为1～10的烃基、三氟甲基等碳原子数为1～10的氟烷基、F、Cl、Br、I等基团取代。此外，若该二胺化合物中包含的氢的一部分被OH、COOH、SO3H、CONH2、SO2NH2等酸性基团取代，则聚酰亚胺及其前体在碱水溶液中的溶解性提高，因此，在作为后述的感光性树脂组合物来使用的情况下是优选的。
另外，本发明的树脂膜中包含的聚酰亚胺也可以是末端被封端剂封闭而得到的聚酰亚胺。对于上述聚酰亚胺而言，其末端被封闭的情况下，优选包含化学式(1)所示的结构及化学式(2)所示的结构中的至少一种。
[化学式6]
Figure BDA0003528038010000121
化学式(1)中，R11及R12分别与上述的化学式(10)中的R11及R12相同。R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基。另外，化学式(2)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基。R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。R14表示碳原子数为1以上的1价的单羧酸残基。
化学式(1)中，R13优选为碳原子数为2～80的2价的烃基。另外，R13可以是将氢及碳作为必需成分、并且包含选自硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素中的1种以上的原子的碳原子数为2～80的2价的有机基团。R13中包含的硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素的各原子的数量各自独立地优选为20以下的范围，更优选为10以下的范围。
作为提供R13的二羧酸，没有特别限制，但从提高树脂膜的耐热性的观点考虑，优选为芳香族二羧酸。作为该芳香族二羧酸的例子，可举出邻苯二甲酸、3,4-联苯二甲酸、2,3-联苯二甲酸、2,3-萘二甲酸等。
化学式(2)中，R14优选为碳原子数为1～80的1价的烃基。另外，R14可以是将氢及碳作为必需成分、并且包含选自硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素中的1种以上的原子的碳原子数为1～80的1价的有机基团。R14中包含的硼、氧、硫、氮、磷、硅及卤素的各原子的数量各自独立地优选为20以下的范围，更优选为10以下的范围。
作为提供R14的单羧酸，没有特别限制，但从提高树脂膜的耐热性的观点考虑，优选为芳香族单羧酸。作为该芳香族单羧酸的例子，可举出苯甲酸、2-联苯甲酸、3-联苯甲酸、4-联苯甲酸、1-萘甲酸、2-萘甲酸等。
化学式(1)所示的结构是将聚酰亚胺的胺末端用二羧酸化合物封闭而得到的结构。另外，化学式(2)所示的结构是将聚酰亚胺的胺末端用单羧酸化合物封闭而得到的结构。因此，聚酰亚胺具有这些结构的情况下，存在于树脂膜中的聚酰亚胺的胺末端变少，因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。
另外，具有化学式(1)所示的结构的树脂(化学式(1)的树脂)优选满足以下所示的条件。即，将化学式(1)的树脂中包含的四羧酸残基的摩尔数除以该树脂中包含的二胺残基的摩尔数而得到的值(除算值Ka)优选为1.001以上，更优选为1.005以上。另外，上述除算值Ka优选为1.100以下，更优选为1.060以下。若上述除算值Ka为1.001以上，则化学式(1)的树脂的末端结构容易成为酸酐，能够减少该树脂中易于捕集电荷的胺末端。因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。若上述除算值Ka为1.100以下，则聚酰亚胺的分子量变高，因此存在于树脂膜中的聚酰亚胺的末端结构变少。因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。
与其同样地，具有化学式(2)所示的结构的树脂(化学式(2)的树脂)优选满足以下所示的条件。即，化学式(2)的树脂中的除算值Ka优选为1.001以上，更优选为1.005以上。另外，上述除算值Ka优选为1.100以下，更优选为1.060以下。若上述除算值Ka为1.001以上，则化学式(2)的树脂的末端结构容易成为酸酐，能够减少该树脂中易于捕集电荷的胺末端。因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。若上述除算值Ka为1.100以下，则聚酰亚胺的分子量变高，因此存在于树脂膜中的聚酰亚胺的末端结构变少。因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。
(树脂组合物的制造方法)
本发明的实施方式涉及的树脂膜可以通过将包含聚酰亚胺或其前体及溶剂的树脂组合物涂布于支承体并进行烧成而得到。所谓聚酰亚胺前体，是指可以通过加热处理、化学处理等而转化为聚酰亚胺的树脂。本发明中可优选使用的聚酰亚胺前体是聚酰胺酸。需要说明的是，聚酰胺酸优选为具有化学式(11)所示的重复单元的树脂。
[化学式7]
Figure BDA0003528038010000141
化学式(11)中，R1及R2表示氢原子、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子、碳原子数为1～10的烃基或碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基。R11及R12分别与上述的化学式(10)中的R11及R12相同。作为化学式(11)中的R11的具体例，可举出作为上述的化学式(10)中的R11的具体例而记载的结构。作为化学式(11)中的R12的具体例，可举出作为上述的化学式(10)中的R12的具体例而记载的结构。
另外，本发明中，聚酰亚胺前体也可以是末端被封端剂封闭而得到的聚酰亚胺前体。通过将聚酰亚胺前体的末端封闭，能够将聚酰亚胺前体的分子量调整至优选的范围内。
聚酰亚胺前体的末端的单体为二胺化合物的情况下，为了将该二胺化合物的氨基封闭，可以使用二羧酸酐、单羧酸、单甲酰氯化合物、单羧酸活性酯化合物、二碳酸二烷基酯等作为封端剂。另外，聚酰亚胺前体的末端的单体为酸二酐的情况下，为了将该酸二酐的酸酐基封闭，可以使用单胺、单醇等作为封端剂。
聚酰亚胺前体为将胺末端封闭而得到的聚酰亚胺前体的情况下，该聚酰亚胺前体优选具有化学式(3)所示的结构。
[化学式8]
Figure BDA0003528038010000151
化学式(3)中，R11及R12分别与上述的化学式(10)中的R11及R12相同。R15表示树脂的末端结构，具体而言，表示化学式(4)所示的结构。R1及R2各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。
化学式(4)中，α表示碳原子数为2以上的1价的烃基。α优选为碳原子数为2～10的1价的烃基。更优选α为脂肪族烃基。该脂肪族烃基可以为直链状、支链状、环状中的任意。另外，化学式(4)中，β及γ各自独立地表示氧原子或硫原子。作为β及γ，优选为氧原子。
作为这样的烃基，例如，可举出乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等直链状烃基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、仲戊基、叔戊基、异己基、仲己基等支链状烃基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、降冰片基、金刚烷基等环状烃基。
这些烃基中，优选碳原子数为2～10的1价的支链状烃基及环状烃基，更优选异丙基、环己基、叔丁基、叔戊基，最优选叔丁基。
若对具有化学式(3)所示的结构的树脂进行加热，则R15发生热分解而在树脂的末端产生氨基。在末端产生的氨基可以与在末端具有四羧酸的其他树脂反应。因此，对具有化学式(3)所示的结构的树脂进行加热而得到的树脂成为分子量高且末端结构少的树脂。包含这样的树脂(具体而言为聚酰亚胺)的树脂膜能够抑制光照射时的膜中电荷量的变化。
另外，具有化学式(3)所示的结构的树脂优选满足以下条件。即，将该树脂中包含的四羧酸残基的摩尔数除以该树脂中包含的二胺残基的摩尔数而得到的值(除算值Kb)更优选为1.001以上，进一步优选为1.005以上。另外，上述除算值Kb更优选为1.100以下，进一步优选为1.060以下。若上述除算值Kb为1.001以上，则在该树脂的加热时R15发生热分解而产生的氨基几乎全部与存在于其他树脂的末端的酸酐基进行反应，因此，进行加热而得到的树脂(具体而言为聚酰亚胺)成为分子量极高、并且胺末端特别少的树脂。因此，能够适宜地抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。若上述除算值Kb为1.100以下，则进行加热而得到的树脂(具体而言为聚酰亚胺)的分子量变高，因此存在于树脂膜中的聚酰亚胺的末端结构变少。因此，能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。
另外，聚酰亚胺前体为将胺末端封闭而得到的聚酰亚胺前体的情况下，该聚酰亚胺前体也优选具有化学式(5)所示的结构。
[化学式9]
Figure BDA0003528038010000171
化学式(5)中，R11及R12分别与上述的化学式(10)中的R11及R12相同。R16表示树脂的末端结构，具体而言，表示化学式(6)所示的结构或化学式(7)所示的结构。化学式(6)中，R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基。化学式(7)中，R14表示碳原子数为1以上的1价的单羧酸残基。
化学式(5)中的R16为化学式(6)所示的结构的情况下，通过对具有化学式(5)所示的结构的树脂进行加热，可得到具有上述的化学式(1)所示的结构的树脂。化学式(5)中的R16为化学式(7)所示的结构的情况下，通过对具有化学式(5)所示的结构的树脂进行加热，可得到具有上述的化学式(2)所示的结构的树脂。
上述树脂组合物中包含的溶剂只要将聚酰亚胺及其前体溶解即可，可以没有特别限制地使用。作为这样的溶剂，例如，可举出N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺、N,N-二甲基异丁酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、N,N’-二甲基丙烯基脲、二甲基亚砜等非质子性极性溶剂、四氢呋喃、二氧杂环己烷、丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇二甲基醚等醚类、丙酮、甲基乙基酮、二异丁基酮、二丙酮醇、环己酮等酮类、乙酸乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、乙酸3-甲氧基丁酯等酯类、甲苯、二甲苯等芳香族烃类、国际公开第2017/099183号中记载的溶剂等。作为上述溶剂，可以单独使用它们之中的任何溶剂，也可以组合使用它们之中的2种以上。
聚酰亚胺或其前体可以通过已知的方法进行聚合。例如，作为聚酰亚胺前体而制造聚酰胺酸的情况下，可以将四羧酸、或对应的酸二酐、活性酯、活性酰胺等作为酸成分，将二胺或对应的三甲基甲硅烷基化二胺等作为二胺成分，在反应溶剂中进行聚合，由此得到聚酰胺酸。另外，该聚酰胺酸也可以是羧基与碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子形成盐、或者用碳原子数为1～10的烃基或碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基进行酯化而得到的物质。
在制造末端被封闭的聚酰亚胺或其前体的情况下，可以使封端剂与聚合前的单体进行反应、或者与聚合中及聚合后的聚酰亚胺或其前体进行反应，由此得到作为目标的聚酰亚胺或其前体。例如，作为末端被封闭的聚酰亚胺或其前体，具有前述的化学式(3)或化学式(5)所示的结构的树脂可以通过以下的2种方法来制造。
第1制造方法是通过以下所示的2个阶段的方法来制造具有化学式(3)或化学式(5)所示的结构的树脂的方法。具体而言，该制造方法中，在第1个阶段中，使二胺化合物与末端氨基封闭剂反应，生成化学式(41)或化学式(51)所示的化合物。本发明中，末端氨基封闭剂为用于将聚酰亚胺或其前体的末端封闭的封端剂的一个例子，具体而言，是与二胺化合物的氨基反应而使其生成化学式(41)或化学式(51)所示的化合物的化合物。在后续的第2个阶段中，使化学式(41)或化学式(51)所示的化合物、二胺化合物、与四羧酸反应，制造具有化学式(3)或化学式(5)所示的结构的树脂。
[化学式10]
Figure BDA0003528038010000181
化学式(41)中，R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。R15表示化学式(4)所示的结构。另外，化学式(51)中，R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基。R16表示化学式(6)所示的结构或化学式(7)所示的结构。
第2制造方法是通过以下所示的2个阶段的方法来制造具有化学式(3)或化学式(5)所示的结构的树脂的方法。具体而言，该制造方法中，在第1个阶段中，使二胺化合物与四羧酸反应，生成具有化学式(42)所示的结构的树脂。在后续的第2个阶段中，使具有化学式(42)所示的结构的树脂与上述的末端氨基封闭剂反应，制造具有化学式(3)或化学式(5)所示的结构的树脂。
[化学式11]
Figure BDA0003528038010000191
化学式(42)中，R11及R12分别与上述的化学式(10)中的R11及R12相同。R1及R2各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。
作为上述的反应溶剂，可以将作为树脂组合物中包含的溶剂的具体例而记载的溶剂等单独使用或使用2种以上。上述的反应溶剂的使用量优选以四羧酸及二胺化合物的总量成为反应溶液的整体的0.1～50质量％的方式调整。
另外，反应温度优选为-20℃～150℃，更优选为0℃～100℃。此外，反应时间优选为0.1～24小时，更优选为0.5～12小时。
作为聚酰亚胺前体而得到的聚酰胺酸的溶液可以直接用作树脂组合物。在该情况下，通过使用与作为树脂组合物所使用的溶剂相同的溶剂作为反应溶剂，或者在反应结束后添加溶剂，能够在不对树脂进行分离的情况下得到目标树脂组合物。
另外，对于如上所述地得到的聚酰胺酸而言，也可以进一步使聚酰胺酸的重复单元的一部分进行酰亚胺化、或者酯化。在该情况下，可以将通过聚酰胺酸的聚合而得到的聚酰胺酸溶液直接用于反应，也可以在对聚酰胺酸进行分离后用于反应。
另外，上述树脂组合物也优选包含具有化学式(8)所示的结构的化合物及具有化学式(9)所示的结构的化合物中的至少一种。这些化合物在聚酰胺酸的烧成过程中与该聚酰胺酸的胺末端反应。因此，通过对包含这些化合物中的至少一种的树脂组合物进行烧成，可在不使聚酰胺酸的分子量降低的情况下得到具有上述的化学式(1)或化学式(2)所示的结构的树脂(具体而言为聚酰亚胺)。
[化学式12]
Figure BDA0003528038010000201
化学式(8)中，R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基。R3及R4各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。作为R13的具体例，可举出作为上述的化学式(1)中的R13的具体例而记载的结构。另外，化学式(9)中，R14表示碳原子数为1以上的1价的单羧酸残基。R5表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。作为R14的具体例，可举出作为上述的化学式(2)中的R14的具体例而记载的结构。
化学式(8)所示的结构的化合物及化学式(9)所示的结构的化合物中的至少一种在上述树脂组合物中的含量优选相对于上述树脂组合物中的聚酰亚胺前体100质量份而言为0.05质量份以上，更优选为0.1质量份以上。另外，该含量优选相对于上述树脂组合物中的聚酰亚胺前体100质量份而言为5.0质量份以下，更优选为3.0质量份以下。若该含量为0.05质量份以上，则能够减少聚酰胺酸的胺末端，因此能够抑制包含聚酰亚胺的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。若该含量为5.0质量以下，则能够抑制由未与胺末端反应的残留成分导致的上述树脂膜的耐热性降低。
另外，上述树脂组合物也可以根据需要而含有选自光产酸剂(a)、热交联剂(b)、热产酸剂(c)、包含酚式羟基的化合物(d)、密合改良剂(e)、及表面活性剂(f)中的至少一种添加剂。作为这些添加剂的具体例，例如，可以举出国际公开第2017/099183号中记载的添加剂。
(光产酸剂(a))
对于上述树脂组合物而言，通过含有光产酸剂(a)，能够制成感光性树脂组合物。通过含有光产酸剂(a)，在树脂组合物的光照射部产生酸，该光照射部在碱水溶液中的溶解性增大，能够得到该光照射部溶解的正型的浮凸图案。另外，通过含有光产酸剂(a)和环氧化合物或后述的热交联剂(b)，在该光照射部产生的酸促进环氧化合物、热交联剂(b)的交联反应，能够得到该光照射部不溶的负型的浮凸图案。
作为光产酸剂(a)，例如，可举出醌二叠氮化合物、锍盐、鏻盐、重氮鎓盐、碘鎓盐等。树脂组合物可以含有它们中的2种以上，由此，能够得到高敏感度的感光性树脂组合物。
(热交联剂(b))
对于上述树脂组合物而言，通过含有热交联剂(b)，能够提高进行加热而得到的树脂膜的耐化学药品性、硬度。相对于树脂组合物100质量份而言，热交联剂(b)的含量优选为10质量份以上且100质量份以下。若热交联剂(b)的含量为10质量份以上且100质量份以下，则得到的树脂膜的强度高，树脂组合物的保存稳定性也优异。
(热产酸剂(c))
上述树脂组合物可以还含有热产酸剂(c)。热产酸剂(c)通过后述的显影后加热而产生酸，除了促进聚酰亚胺或其前体与热交联剂(b)的交联反应以外，还促进固化反应。因此，得到的耐热性树脂膜(具体而言为包含聚酰亚胺的树脂膜)的耐化学药品性提高，能够降低膜减少量。由热产酸剂(c)产生的酸优选为强酸，例如，优选为对甲苯磺酸、苯磺酸等芳基磺酸、甲磺酸、乙磺酸、丁磺酸等烷基磺酸等。从进一步促进交联反应这样的观点考虑，相对于树脂组合物100质量份而言，热产酸剂(c)的含量优选为0.5质量份以上，优选为10质量份以下。
(包含酚式羟基的化合物(d))
上述树脂组合物可以根据需要出于弥补感光性树脂组合物的碱显影性的目的而含有包含酚式羟基的化合物(d)。通过含有包含酚式羟基的化合物(d)，从而得到的感光性树脂组合物在曝光前几乎不溶于碱显影液，若曝光则容易地溶解于碱显影液，因此，由显影导致的膜减少量少，并且可在短时间内容易地进行显影。因此，容易提高敏感度。相对于树脂组合物100质量份而言，这样的包含酚式羟基的化合物(d)的含量优选为3质量份以上且40质量份以下。
(密合改良剂(e))
上述树脂组合物可以含有密合改良剂(e)。通过含有密合改良剂(e)，从而在对感光性树脂组合物进行显影的情况等情况下，能够提高硅晶片、ITO、SiO2、氮化硅等基底基材与感光性树脂组合物的密合性。另外，通过提高感光性树脂组合物与基底基材的密合性，还能够提高感光性树脂组合物对于用于清洗等的氧等离子体、UV臭氧处理的耐性。另外，能够抑制在烧成时、制造显示器时的真空工艺中树脂膜从基板浮起的膜浮起现象。相对于树脂组合物100质量份而言，密合改良剂(e)的含量优选为0.005质量份以上且10质量份以下。
(表面活性剂(f))
上述树脂组合物可以为了提高涂布性而含有表面活性剂(f)。作为表面活性剂(f)，例如，可举出住友3M公司制的“FLOURAD”(注册商标)、DIC公司制的“MEGAFACE”(注册商标)、旭硝子公司制的“Sulfuron”(注册商标)等氟系表面活性剂、信越化学工业公司制的KP341、Chisso公司制的DBE、共荣社化学公司制的“Polyflow”(注册商标)、“Glanol”(注册商标)、BYK Chemie公司制的BYK等有机硅氧烷表面活性剂、共荣社化学公司制的Polyflow等丙烯酸系聚合物表面活性剂。相对于树脂组合物100质量份而言，表面活性剂(f)的含量优选为0.01质量份以上且10质量份以下。
作为使上述的光产酸剂(a)、热交联剂(b)、热产酸剂(c)、包含酚式羟基的化合物(d)、密合改良剂(e)及表面活性剂(f)等添加剂溶解于树脂组合物的方法，可举出搅拌、加热。包含光产酸剂(a)的情况下，加热温度优选在不损害作为感光性树脂组合物的性能的范围内设定，通常为室温～80℃。另外，各成分的溶解顺序没有特别限定，例如有从溶解性低的化合物开始依次溶解的方法。另外，关于表面活性剂(f)等在搅拌溶解时容易产生气泡的成分，可以通过将其他成分溶解后在最后添加，从而防止由气泡的产生导致的其他成分的溶解不良。
作为通过上述制造方法得到的树脂组合物的一个例子的清漆，优选使用过滤器进行过滤从而除去垃圾等异物。该过滤器的孔径例如有10μm、3μm、1μm、0.5μm、0.2μm、0.1μm、0.07μm、0.05μm等，但并不限定于这些。该过滤器的材质包括聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、尼龙(NY)、聚四氟乙烯(PTFE)等，但优选为聚乙烯、尼龙。
(树脂膜的制造方法)
接下来，对本发明的实施方式涉及的树脂膜的制造方法进行说明。该树脂膜的制造方法为由上述树脂组合物制造本发明的实施方式涉及的树脂膜的方法的一个例子。详细而言，该树脂膜的制造方法包括下述工序：涂布工序，将包含聚酰亚胺或聚酰亚胺前体和溶剂的树脂组合物涂布于支承体；和加热工序，对通过该涂布工序得到的涂膜进行加热，得到树脂膜。
涂布工序中，首先，将作为本发明中的树脂组合物中的一种的清漆涂布于支承体上。作为支承体，可举出硅、砷化镓等晶片基板、蓝宝石玻璃、钠钙玻璃、无碱玻璃等玻璃基板、不锈钢、铜等金属基板或金属箔、陶瓷基板等。其中，从表面平滑性、加热时的尺寸稳定性的观点考虑，优选为无碱玻璃。
作为清漆的涂布方法，可举出旋涂法、狭缝涂布法、浸涂法、喷涂法、印刷法等，也可以将它们组合。将树脂膜用作显示器用基板(例如设置于显示器中的TFT等半导体元件的基板)的情况下，由于需要涂布于大型尺寸的支承体上，因此特别优选使用狭缝涂布法。
在涂布之前，可以预先对支承体进行前处理。作为该前处理的方法，例如，可举出下述方法：使用在异丙醇、乙醇、甲醇、水、四氢呋喃、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚、乳酸乙酯、己二酸二乙酯等溶剂中溶解0.5～20质量％的前处理剂而得到的溶液，通过旋涂、狭缝模涂、棒涂、浸涂、喷涂、蒸气处理等方法对支承体表面进行处理。另外，根据需要，可以实施减压干燥处理，其后，通过50℃～300℃的热处理而使支承体与前处理剂的反应进行。
涂布后，通常使清漆的涂膜干燥。作为干燥方法，可以使用减压干燥、加热干燥，或者将它们组合使用。作为减压干燥的方法，例如，可举出下述方法：在真空腔室内放置形成有涂膜的支承体，将真空腔室内减压，由此对涂膜进行干燥。另外，作为加热干燥的方法，可举出使用加热板、烘箱、红外线等对涂膜进行干燥的方法。使用加热板的情况下，将形成有涂膜的支承体直接保持在板上、或者保持在设置于板上的固定销等夹具上，对该涂膜进行加热干燥。加热温度根据清漆中使用的溶剂的种类、目的而为各种各样，优选在室温至180℃的范围内进行1分钟～数小时的加热。
在涂布对象的树脂组合物中包含光产酸剂(a)的情况下，可以通过以下说明的方法而由干燥后的涂膜形成图案。例如，该方法中，在涂膜上，通过具有所期望的图案的掩模而照射化学射线，进行曝光。作为曝光中使用的化学射线，有紫外线、可见光线、电子射线、X射线等，但在本发明中，优选使用汞灯的i线(365nm)、h线(405nm)、g线(436nm)。涂膜具有正型的感光性的情况下，该涂膜中的曝光部溶解于显影液中。涂膜具有负型的感光性的情况下，该涂膜中的曝光部发生固化，不溶于显影液。
曝光后，使用显影液，在正型的情况下将曝光部除去，另外，在负型的情况下将非曝光部除去，由此在涂膜上形成所期望的图案。作为显影液，在正型及负型中的任意情况下，均优选为四甲基铵等显示碱性的化合物的水溶液。另外，根据情况，可以在这些碱水溶液中单独添加或以组合多种的方式添加N-甲基-2-吡咯烷酮等极性溶剂、醇类、酯类、酮类等。
其后，实施对支承体上的涂膜进行加热处理从而制造树脂膜的加热工序。该加热工序中，在180℃以上且600℃以下、优选为220℃以上且600℃以下、进一步优选为420℃以上且490℃以下的范围内对涂膜进行加热处理，从而对该涂膜进行烧成。由此，能够在支承体上制造树脂膜。若加热工序中的涂膜的加热温度(烧成温度)为220℃以上，则酰亚胺化充分进行，可得到机械特性优异的树脂膜。若该加热温度为420℃以上，则可得到耐热性优异的树脂膜。另外，若该加热温度为490℃以下，则可得到不易发生电荷转移跃迁的树脂膜。因此，若该加热温度为420℃以上且490℃以下，则能够更容易地抑制包含聚酰亚胺的树脂膜等机械特性及耐热性优异的树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。
对于经由以上的涂布工序及加热工序等而得到的树脂膜而言，可以从支承体剥离后使用，或者，也可以不从支承体剥离而直接使用。
作为剥离方法的例子，可举出机械性的剥离方法、在水中浸渍的方法、在盐酸、氢氟酸等药液中浸渍的方法、将紫外光至红外光的波长范围内的激光照射至树脂膜与支承体的界面的方法等。特别是在包含聚酰亚胺的树脂膜上制作器件后进行剥离的情况下，需要以不向器件赋予损伤的方式进行剥离，因此优选为使用了紫外光的激光的剥离。需要说明的是，为了使剥离容易进行，可以在向支承体涂布树脂组合物之前预先在支承体上涂布脱模剂、或者制膜成牺牲层。作为脱模剂，可举出有机硅系、氟系、芳香族高分子系、烷氧基硅烷系等。作为牺牲层，可举出金属膜、金属氧化物膜、非晶硅膜等。
本发明的实施方式涉及的树脂膜的膜厚没有特别限定，但优选为4μm以上，更优选为5μm以上，进一步优选为6μm以上。另外，该树脂膜的膜厚优选为40μm以下，更优选为30μm以下，进一步优选为25μm以下。若该树脂膜的膜厚为4μm以上，则可得到作为半导体元件的基板而言充分的机械特性。若该树脂膜的膜厚为40μm以下，则可得到作为半导体元件的基板而言充分的韧性。
另外，本发明的实施方式涉及的树脂膜中，0.05％重量减少温度没有特别限定，但优选为490℃以上，更优选为495℃以上。若该树脂膜的0.05％重量减少温度为490℃以上，则能够抑制形成于树脂膜上的无机膜因器件制造的高温工艺而从膜面浮起的膜浮起现象。
另外，本发明的实施方式涉及的树脂膜中，将其膜厚换算为10μm时的、波长470nm处的透光率没有特别限定，但优选为60％以上，更优选为65％以上。若该透光率为60％以上，则不易发生树脂膜的光激发，因此能够更容易地抑制树脂膜中的光照射时的膜中电荷量的变化。
(电子器件)
接下来，对本发明的实施方式涉及的电子器件进行说明。图1为示出本发明的实施方式涉及的电子器件的一个构成例的截面示意图。如图1所示，该电子器件1具备树脂膜10、和形成于树脂膜10上的半导体元件21。另外，电子器件1在例如为图像显示装置的情况下，还具备图像显示元件31～33。
树脂膜10为本发明的实施方式涉及的树脂膜，如图1所示，作为电子器件1的基板(例如柔性基板)而发挥功能。在树脂膜10上，如图1所示地形成有半导体元件21。半导体元件21例如为薄膜晶体管(TFT)，如图1所示，具备半导体层22、栅极绝缘膜23、栅电极24、漏电极25、和源电极26。半导体层22设置于漏电极25与源电极26之间。栅极绝缘膜23将半导体层22与栅电极24电绝缘。另外，在栅电极24与漏电极25及源电极26之间，设置有能将这些电极彼此电绝缘的层间绝缘膜27。在漏电极25及源电极26上设置有层间绝缘膜28。电子器件1在树脂膜10上具备包含多个半导体元件21及层间绝缘膜27、28的元件层20。
另外，如图1所示，电子器件1在元件层20上具备发光层30。发光层30中包含多个图像显示元件31～33、像素电极34、隔壁35、对置电极36、和密封膜37。图像显示元件31～33分别为发出图像显示所需要的颜色的光的元件。例如，电子器件1为有机EL显示器的情况下，图像显示元件31～33为分别发出红色光、绿色光、蓝色光的有机EL元件。这些图像显示元件31～33分别介由像素电极34而与半导体元件21的源电极26电连接。发光层30内的像素电极34通过层间绝缘膜28而与元件层20内的漏电极25电绝缘。另外，在图像显示元件31～33各自之间，设置有隔壁35。在图像显示元件31～33及隔壁35上，形成有对置电极36。密封膜37形成于对置电极36上，对图像显示元件31～35等进行保护。
需要说明的是，图1中例示了作为图像显示装置发挥功能的电子器件1，但本发明不限于此。例如，电子器件1也可以为触摸面板等除图像显示装置以外的其他装置。在该情况下，电子器件1可以在元件层20上具备触摸面板用单元等除发光层30以外的其他部件。另外，电子器件1所具备的半导体元件21不限于图1所示的TFT，可以为顶栅型或底栅型中的任意TFT，也可以为除TFT以外的半导体元件。此外，本发明中，电子器件1中的半导体元件、图像显示元件的配置数量无关紧要。
(电子器件的制造方法)
接下来，对本发明的实施方式涉及的电子器件的制造方法进行说明。下文中，一边适当地参照图1中例示的电子器件1，一边对具备本发明的实施方式涉及的树脂膜作为基板的电子器件的制造方法的一个例子进行说明。该电子器件的制造方法中，包括下述工序：膜制造工序，利用上述的树脂膜的制造方法在支承体上制造树脂膜；元件形成工序，在该树脂膜上形成半导体元件；和剥离工序，将树脂膜(详细而言为形成有半导体元件的树脂膜)从上述支承体剥离。
首先，在膜制造工序中，按照上述的树脂膜的制造方法，进行涂布工序及加热工序等，在玻璃基板等支承体上制造上述的树脂膜。这样制造的树脂膜无论为形成于支承体上的状态或已从支承体剥离的状态中的任意状态，均可以用作电子器件中的半导体元件的基板(以下，适当地称为元件基板)。另外，在树脂膜上，可根据需要设置无机膜。由此，能够防止水分、氧从基板外部通过树脂膜而引起像素驱动元件、发光元件的劣化的情况。作为无机膜，例如，可举出硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNy)、硅氧氮化物(SiOxNy)等。它们可以以形成单层的方式使用，也可以以将多种层叠而形成多层的方式使用。另外，这些无机膜也可以与例如聚乙烯醇等有机膜交替层叠而使用。对于这些无机膜的成膜方法而言，优选使用化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)等蒸镀法来进行。另外，根据需要，可以在无机膜上形成树脂膜，或者进一步形成无机膜，由此制造具备多层的无机膜、树脂膜的元件基板。需要说明的是，从工艺的简化的观点考虑，用于制造各树脂膜的树脂组合物优选为相同的树脂组合物。
接着，在元件形成工序中，在如上所述地得到的树脂膜上形成半导体元件。具体而言，半导体元件为TFT的情况下，在树脂膜上形成顶栅型TFT或底栅型TFT等TFT。例如，半导体元件为顶栅型TFT的情况下，如图1所示地在树脂膜10上形成半导体层22、栅极绝缘膜23、和栅电极24，以将它们覆盖的方式形成层间绝缘膜27。接着，在该层间绝缘膜27上形成接触孔，以将接触孔埋入的方式形成一对漏电极25及源电极26。进一步地，以将它们覆盖的方式形成层间绝缘膜28。
半导体层(图1中例示的半导体层22等)在与栅电极对置的区域包含沟道区域(活性层)。半导体层可以由低温多晶硅(LTPS)或非晶硅(a-Si)等构成，也可以由氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟镓锌(IGZO：InGaZnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锡(ITO)及氧化铟(InO)等氧化物半导体构成。需要说明的是，形成这些半导体层的情况下，通常使上述树脂膜等结构体经过高温工艺。例如，形成LTPS的情况下，在形成a-Si后，有时以脱氢为目的而实施450℃、120分钟等的退火。在这些高温工艺中，树脂膜的耐热性不足的情况下，有时树脂膜上的无机膜发生膜浮起，由于半导体层被破坏等而使TFT破损。
栅极绝缘膜(图1中例示的栅极绝缘膜23等)优选利用由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)及氧化铝(AlOx)等中的1种形成的单层膜、或由它们之中的2种以上形成的层叠膜而构成。
栅电极(图1中例示的栅电极24等)通过所外加的栅极电压而对半导体层中的载流子密度进行控制，并且具有作为供给电位的布线的功能。作为该栅电极的构成材料，例如，可举出包含钛(Ti)、钨(W)、钽(Ta)、铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)、钕(Nd)、铜(Cu)中的至少1种的、单质及合金。或者，该栅电极的构成材料也可以为包含它们之中的至少1种的化合物、及包含2种以上的层叠膜。另外，作为该栅电极的构成材料，也可以使用例如ITO等透明导电膜。
层间绝缘膜(图1中例示的层间绝缘膜27、28等)由例如丙烯酸系树脂、聚酰亚胺(PI)、Novolac系树脂等有机材料构成。或者，在层间绝缘膜中，也可以使用硅氧化膜、硅氮化膜、硅氧氮化膜及氧化铝等无机材料。
源电极及漏电极(图1中例示的源电极26及漏电极25等)分别作为TFT中的源极或漏极而发挥功能。源电极及漏电极例如包含与作为上述的栅电极的构成材料而列举的材料同样的金属或透明导电膜而构成。作为这些源电极及漏电极，期望选择导电性良好的材料。
如上所述，作为半导体元件的一个例子而得到的TFT可以用于有机EL显示器、液晶显示器、电子纸、μLED显示器等图像显示装置。本发明中的电子器件为有机EL显示器的情况下，该有机EL显示器中使用的图像显示元件可通过以下的步骤形成于TFT上。即，在TFT上依次形成像素电极、有机EL元件、对置电极、密封膜。像素电极例如与上述的源电极及漏电极连接。对置电极例如以通过布线等来供给各像素共用的阴极电位的方式构成。密封膜(图1中例示的密封膜37等)是用于从外部对有机EL元件进行保护的层。该密封膜可以由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等无机材料、其他有机材料构成。
最后，在剥离工序中，将如上所述地形成有半导体元件的树脂膜从支承体剥离，制造具备该树脂膜的电子器件。作为将支承体与树脂膜在它们的界面处剥离的方法，可举出使用激光的方法、机械性的剥离方法、对支承体进行蚀刻的方法等。在使用激光的方法中，可以针对玻璃基板等支承体，从没有形成半导体元件的一侧照射激光，由此在不对半导体元件赋予损伤的情况下进行支承体与树脂膜的剥离。另外，也可以在支承体与树脂膜之间设置用于使支承体与树脂膜容易剥离的底漆层。作为激光，可以使用紫外光至红外光的波长范围内的激光，但特别优选为紫外光。更优选的激光为308nm的准分子激光。支承体与树脂膜的剥离中的剥离能量优选为250mJ/cm2以下，更优选为200mJ/cm2以下。
实施例
以下，举出实施例等而对本发明进行说明，但本发明不受下述实施例等的限定。首先，对下述的实施例及比较例中实施的评价、测定及试验等进行说明。
(第1项目：树脂膜的膜中电荷变化量)
在第1项目中，对树脂膜的膜中电荷变化量的测定进行说明。在该测定中，针对各实施例中得到的树脂膜，分别制作树脂膜与带有热氧化膜的Si晶片的层叠体，对于所制作的层叠体，通过以下的步骤实施膜中电荷变化量的测定。
首先，在暗室内的作为测定台的电极上，以Si晶片侧接触的方式载置作为测定样品的上述层叠体，在所载置的层叠体的树脂膜上，使电极面积为0.026cm2的汞探针接触，形成包含该树脂膜的电容器结构。接下来，对该电容器结构外加直流偏置电压和交流电压，测定该电容器结构的CV特性，基于该CV特性的测定结果，求出该电容器结构的平带电压VFB1[V]和电荷积蓄状态的静电电容CI[F]。关于该CV特性的测定条件，使交流频率为100kHz，使直流偏置电压(扫描电压)为-60V至+60V。
接着，使汞探针从层叠体的树脂膜远离，对该树脂膜照射波长为470nm、强度为4.0μW/cm2的光30分钟。对该树脂膜的光照射结束后，再次使汞探针与该树脂膜接触，与上述同样地进行CV特性的测定，由所得到的CV特性的测定结果求出光照射后的平带电压VFB2[V]。
使用如上所述地得到的光照射前后的各平带电压VFB1、VFB2及静电电容CI、和元电荷量q、汞探针的电极面积S及树脂膜的膜厚t，基于前述的式(F1)、(F2)，算出作为测定对象的树脂膜的膜中电荷变化量Q。
(第2项目：树脂膜的透光率)
在第2项目中，对树脂膜的透光率的测定进行说明。在该测定中，针对各实施例中得到的树脂膜，分别制作树脂膜与玻璃基板的层叠体，对于所制作的层叠体，使用紫外可见分光光度计(岛津制作所公司制，MultiSpec1500)，测定波长470nm处的树脂膜的透光率。
(第3项目：树脂膜的0.05％重量减少温度)
在第3项目中，对树脂膜的0.05％重量减少温度的测定进行说明。在该测定中，对于各实施例中得到的树脂膜(试样)，使用热重量测定装置(岛津制作所公司制，TGA-50)，实施0.05％重量减少温度的测定。此时，在第1个阶段中，以10℃/min这样的升温速率将试样升温至150℃，由此，将该试样的吸附水除去。在后续的第2个阶段中，以10℃/min这样的降温速率将试样进行空气冷却至室温。在后续的第3个阶段中，以10℃/min这样的升温速率对试样的0.05％重量减少温度进行测定。
(第4项目：树脂膜的CTE)
在第4项目中，对树脂膜的CTE的测定进行说明。在该测定中，对于各实施例中得到的树脂膜(试样)，使用热机械分析装置(SII NanoTechnology Inc.制，EXSTAR6000TMA/SS6000)，实施CTE的测定。此时，在第1个阶段中，以5℃/min这样的升温速率将试样升温至150℃，由此，将该试样的吸附水除去。在后续的第2个阶段中，以5℃/min这样的降温速率将试样进行空气冷却至室温。在后续的第3个阶段中，以5℃/min这样的升温速率对试样的CTE进行测定。在本测定的50℃～150℃的温度范围内求出作为目标的树脂膜的CTE。
(第5项目：膜浮起评价)
在第5项目中，对膜浮起评价进行说明。在该评价中，针对各实施例中得到的树脂膜，分别制作由树脂膜和玻璃基板形成的层叠体，对于所制作的层叠体，在树脂膜上通过CVD而将厚度为50nm的SiO膜成膜后，于450℃进行120分钟的加热处理。其后，通过目视及光学显微镜下的观察，导出SiO膜从树脂膜浮起的膜浮起的数量。
(第6项目：TFT的可靠性试验)
在第6项目中，对TFT的可靠性试验进行说明。在该试验中，对于各实施例中得到的有机EL显示器，使用半导体器件分析仪(Agilent公司制，B1500A)，测定初始的阈值电压Vth0、与驱动1小时后的阈值电压Vth1的变化量ΔVth＝Vth1-Vth0。对于变化量ΔVth而言，其测定值越小，表示能越长期地保持TFT的可靠性。需要说明的是，作为TFT的驱动条件，使漏电压Vd为15V，使源电压Vs为0V，使栅极电压Vg为15V。
(化合物)
实施例及比较例中，适当使用下述所示的化合物。实施例及比较例中适当使用的化合物及简称如以下所示的那样。
PMDA：均苯四甲酸二酐
BPDA：3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐
PDA：对苯二胺
BPAF：9,9-双(3,4-二羧基苯基)芴二酸酐
CHDA：反式-1,4-环己二胺
DIBOC：二碳酸二叔丁酯
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮
(合成例1)
对合成例1的清漆进行说明。合成例1中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(8.84g(81.7mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释DIBOC(0.54g(2.5mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(9.76g(33.2mmol))和PMDA(10.86g(49.8mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例2)
对合成例2的清漆进行说明。合成例2中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(7.85g(72.6mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释DIBOC(0.48g(2.2mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(21.67g(73.7mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例3)
对合成例3的清漆进行说明。合成例3中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入CHDA(8.17g(71.5mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释DIBOC(0.48g(2.2mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(21.36g(72.6mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例4)
对合成例4的清漆进行说明。合成例4中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(6.32g(58.4mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释DIBOC(0.39g(1.8mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(6.98g(23.7mmol))和BPAF(16.31g(35.6mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例5)
对合成例5的清漆进行说明。合成例5中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(8.84g(81.7mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释DIBOC(0.54g(2.5mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(9.76g(33.2mmol))和PMDA(10.86g(49.8mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，添加邻苯二甲酸(0.45g(2.7mmol))。最后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例6)
对合成例6的清漆进行说明。合成例6中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(170g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(9.00g(83.2mmol))，确认已溶解后，投入BPDA(9.94g(33.8mmol))和PMDA(11.06g(50.7mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，添加邻苯二甲酸(0.45g(2.7mmol))。最后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例7)
对合成例7的清漆进行说明。合成例7中，将添加的邻苯二甲酸的量变更为2.1g(12.6mmol)，除此以外，与合成例5同样地操作而得到清漆。
(合成例8)
对合成例8的清漆进行说明。合成例8中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(8.89g(82.2mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释DIBOC(0.89g(4.1mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(9.58g(32.5mmol))和PMDA(10.65g(48.8mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例9)
对合成例9的清漆进行说明。合成例9中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(170g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(9.00g(83.2mmol))，确认已溶解后，投入BPDA(9.94g(33.8mmol))和PMDA(11.06g(50.7mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例10)
对合成例10的清漆进行说明。合成例10中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(8.28g(76.6mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释DIBOC(0.56g(2.6mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(10.02g(34.0mmol))和PMDA(11.14g(51.1mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例11)
对合成例11的清漆进行说明。合成例11中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(170g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(8.15g(75.4mmol))，确认已溶解后，投入BPDA(21.85g(74.3mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例12)
对合成例12的清漆进行说明。合成例12中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(160g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(8.88g(82.1mmol))，确认已溶解后，将用NMP(10g)稀释邻苯二甲酸酐(0.41g(2.5mmol))而得到的产物经10分钟以滴加方式加入。在该滴加结束起1小时后，投入BPDA(9.81g(33.3mmol))和PMDA(10.90g(50.0mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例13)
对合成例13的清漆进行说明。合成例13中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(170g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(8.06g(74.6mmol))，确认已溶解后，投入BPDA(21.94g(74.6mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例14)
对合成例14的清漆进行说明。合成例14中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(170g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(7.97g(73.7mmol))，确认已溶解后，投入BPDA(22.03g(74.9mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
(合成例15)
对合成例15的清漆进行说明。合成例15中，在300mL四颈瓶上设置温度计、带有搅拌叶片的搅拌棒。接下来，在干燥氮气流下，投入NMP(170g)，升温至40℃。升温后，一边搅拌一边投入PDA(9.21g(85.2mmol))，确认已溶解后，投入BPDA(9.65g(32.8mmol))和PMDA(11.14g(51.1mmol))，搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，利用过滤器孔径为0.2μm的过滤器进行过滤而得到清漆。
关于在合成例1～15中分别得到的各清漆的组成，示于表1-1、1-2。
[表1-1]
(表1-1)
Figure BDA0003528038010000371
*将聚酰亚胺或其前体作为100质量份。
[表1-2]
(表1-2)
Figure BDA0003528038010000372
*将聚酰亚胺或其前体作为100质量份。
(实施例1)
实施例1中，使用合成例1中得到的清漆进行以下的评价。需要说明的是，在不能形成所期望的膜厚的涂膜的情况下，根据需要将清漆用NMP稀释而使用。
首先，使用旋涂装置，在厚度为50nm的带有热氧化膜的P型Si晶片的热氧化膜面上涂布合成例1的清漆。接着，使用气体烘箱(INH-21CD，Koyo Thermo Systems Co.,Ltd.制)，在氮气氛下(氧浓度为100ppm以下)，于400℃对该清漆的涂膜进行30分钟加热，在带有热氧化膜的P型Si晶片上形成膜厚为0.7μm的树脂膜。使用所得到的树脂膜与带有热氧化膜的P型Si晶片的层叠体，通过上述第1项目的方法来测定树脂膜的膜中电荷变化量。
另外，在长100mm×宽100mm×厚度0.5mm的无碱玻璃基板(AN-100，旭硝子公司制)上涂布合成例1的清漆，在与上述加热条件相同的条件下对该清漆的涂膜进行加热。由此，在该玻璃基板上形成膜厚为10μm的树脂膜。使用所得到的树脂膜与玻璃基板的层叠体，通过上述第2项目的方法来测定树脂膜的透光率。
接着，将上述玻璃基板在氢氟酸中浸渍4分钟，将树脂膜从玻璃基板剥离，风干而得到树脂膜。对于所得到的树脂膜，进行基于上述第3项目的方法的树脂膜的0.05％重量减少温度的测定、和基于上述第4项目的方法的树脂膜的CTE的测定。
接着，使用从上述玻璃基板剥离前的树脂膜与玻璃基板的层叠体，通过上述第5项目的方法来实施膜浮起评价。
接着，在从上述玻璃基板剥离前的树脂膜上，通过CVD法形成SiO膜。接着，在该SiO膜上形成TFT。具体而言，将半导体层成膜，通过光刻及蚀刻，将该半导体层图案化为规定的形状。接着，在该半导体层上，通过CVD法将栅极绝缘膜成膜。其后，在栅极绝缘膜上形成栅电极的图案，将该栅电极作为掩模，对栅极绝缘膜进行蚀刻，由此将栅极绝缘膜图案化。接着，以覆盖栅电极等的方式形成层间绝缘膜，其后，在与半导体层的一部分对置的区域形成接触孔。其后，在层间绝缘膜上，以将该接触孔埋入的方式形成由金属材料形成的一对源电极及漏电极。然后，以将这些层间绝缘膜、一对源电极及漏电极覆盖的方式形成层间绝缘膜。通过上述方式，形成TFT。最后，针对上述玻璃基板，从未形成树脂膜的一侧照射激光(波长：308nm)，将树脂膜与玻璃基板在它们的界面处剥离。对于这样得到的TFT，通过上述第6项目的方法来实施TFT的可靠性试验。
接着，对于从上述玻璃基板剥离前的TFT，以与TFT的源电极连接的方式形成像素电极的图案。接下来，形成将像素电极的周边覆盖的形状的隔壁。接着，在真空蒸镀装置内，隔着所期望的图案掩模，在像素电极上依次蒸镀设置空穴传输层、有机发光层、电子传输层。接着，形成对置电极的图案后，通过CVD法形成密封膜。最后，针对上述玻璃基板，从未形成树脂膜的一侧照射激光(波长：308nm)，在与树脂膜的界面处进行剥离。
如上所述地操作，得到具备上述树脂膜作为基板的有机EL显示器。对于所得到的有机EL显示器，介由驱动电路而外加电压，使其发光。此时，求出刚刚外加电压之后的发光亮度L0、与驱动1小时后的发光亮度L1之比L1/L0。L1/L0为越接近1的值，表示能越长期地保持有机EL显示器的可靠性。
(实施例2～12及比较例1～8)
实施例2～12及比较例1～8中，如表2、3-1、3-2中记载的那样，将使用的清漆变更为合成例1～15的各清漆中的任一清漆，将涂膜的加热温度变更为350℃、400℃、450℃、500℃中的任一温度，除此以外，与实施例1同样地操作，进行评价。
实施例1～12及比较例1～8的各评价结果示于表2、3-1、3-2。
[表2]
Figure BDA0003528038010000401
[表3-1]
Figure BDA0003528038010000411
[表3-2]
Figure BDA0003528038010000421
产业上的可利用性
如上所述，本发明涉及的树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法适合于：实现在用作半导体元件的基板时能抑制长期驱动时的半导体元件的特性变化的树脂膜；以及，通过具备该树脂膜作为半导体元件的基板而提高电子器件的可靠性。
附图标记说明
1 电子器件
10 树脂膜
20 元件层
21 半导体元件
22 半导体层
23 栅极绝缘膜
24 栅电极
25 漏电极
26 源电极
27、28 层间绝缘膜
30 发光层
31、32、33 图像显示元件
34 像素电极
35 隔壁
36 对置电极
37 密封膜

Claims (16)

1.树脂膜，其特征在于，为包含聚酰亚胺的树脂膜，
将波长为470nm、强度为4.0μW/cm2的光照射了30分钟时的、相对于所述光的照射前而言的该树脂膜中的电荷变化量即膜中电荷变化量为1.0×1016cm-3以下。
2.如权利要求1所述的树脂膜，其特征在于，0.05％重量减少温度为490℃以上。
3.如权利要求1或2所述的树脂膜，其特征在于，将该树脂膜的膜厚换算为10μm时的、波长470nm处的透光率为60％以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的树脂膜，其特征在于，所述聚酰亚胺中包含的四羧酸残基100摩尔％中的50摩尔％以上由选自均苯四甲酸残基及联苯四甲酸残基中的至少一种形成，
所述聚酰亚胺中包含的二胺残基100摩尔％中的50摩尔％以上由对苯二胺残基形成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的树脂膜，其特征在于，将所述聚酰亚胺中包含的四羧酸残基的摩尔数除以所述聚酰亚胺中包含的二胺残基的摩尔数而得到的值为1.001以上且1.100以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的树脂膜，其特征在于，所述聚酰亚胺包含化学式(1)所示的结构及化学式(2)所示的结构中的至少一种，
[化学式1]
Figure FDA0003528035000000021
化学式(1)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基；R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基；R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基；
化学式(2)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基；R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基；R14表示碳原子数为1以上的1价的羧酸残基。
7.电子器件，其特征在于，具备：
权利要求1～6中任一项所述的树脂膜；和
形成于所述树脂膜上的半导体元件。
8.如权利要求7所述的电子器件，其特征在于，所述半导体元件为薄膜晶体管。
9.如权利要求7或8所述的电子器件，其特征在于，还具备图像显示元件。
10.树脂膜的制造方法，其特征在于，为制造权利要求1～6中任一项所述的树脂膜的树脂膜的制造方法，所述制造方法包括下述工序：
涂布工序，将包含聚酰亚胺前体及溶剂的树脂组合物涂布于支承体；和
加热工序，对通过所述涂布工序得到的涂膜进行加热，得到树脂膜。
11.如权利要求10所述的树脂膜的制造方法，其特征在于，所述加热工序中的所述涂膜的加热温度为420℃以上且490℃以下。
12.如权利要求10或11所述的树脂膜的制造方法，其特征在于，所述聚酰亚胺前体具有化学式(3)所示的结构，
[化学式2]
Figure FDA0003528035000000031
化学式(3)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基；R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基；R15表示化学式(4)所示的结构；R1及R2各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子；
化学式(4)中，α表示碳原子数为2以上的1价的烃基；β及γ各自独立地表示氧原子或硫原子。
13.如权利要求10～12中任一项所述的树脂膜的制造方法，其特征在于，所述聚酰亚胺前体具有化学式(5)所示的结构，
[化学式3]
Figure FDA0003528035000000032
化学式(5)中，R11表示碳原子数为2以上的4价的四羧酸残基；R12表示碳原子数为2以上的2价的二胺残基；R16表示化学式(6)所示的结构或化学式(7)所示的结构；
化学式(6)中，R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基；
化学式(7)中，R14表示碳原子数为1以上的1价的单羧酸残基。
14.如权利要求10～13中任一项所述的树脂膜的制造方法，其特征在于，所述树脂组合物包含相对于所述聚酰亚胺前体100质量份而言为0.05质量份以上且5.0质量份以下的、化学式(8)所示的结构的化合物及化学式(9)所示的结构的化合物中的至少一种，
[化学式4]
Figure FDA0003528035000000041
化学式(8)中，R13表示碳原子数为2以上的2价的二羧酸残基；R3及R4各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子；
化学式(9)中，R14表示碳原子数为1以上的1价的单羧酸残基；R5表示氢原子、碳原子数为1～10的烃基、碳原子数为1～10的烷基甲硅烷基、碱金属离子、铵离子、咪唑鎓离子或吡啶鎓离子。
15.电子器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
膜制造工序，利用权利要求10～14中任一项所述的树脂膜的制造方法在支承体上制造树脂膜；
元件形成工序，在所述树脂膜上形成半导体元件；和
剥离工序，将所述树脂膜从所述支承体剥离。
16.如权利要求15所述的电子器件的制造方法，其特征在于，所述半导体元件为薄膜晶体管。
CN202080061657.2A 2019-09-24 2020-09-14 树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法 Active CN114341270B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-173521 2019-09-24
JP2019173522 2019-09-24
JP2019173521 2019-09-24
JP2019-173522 2019-09-24
PCT/JP2020/034784 WO2021060058A1 (ja) 2019-09-24 2020-09-14 樹脂膜、電子デバイス、樹脂膜の製造方法および電子デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114341270A true CN114341270A (zh) 2022-04-12
CN114341270B CN114341270B (zh) 2024-03-08

Family

ID=75165697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080061657.2A Active CN114341270B (zh) 2019-09-24 2020-09-14 树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220336761A1 (zh)
JP (1) JPWO2021060058A1 (zh)
KR (1) KR20220066263A (zh)
CN (1) CN114341270B (zh)
TW (1) TW202112911A (zh)
WO (1) WO2021060058A1 (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005187768A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ポリイミド／無機複合材料の製造方法
JP2012236886A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Kaneka Corp 導電性ポリイミドフィルムの製造方法
CN103180390A (zh) * 2010-10-28 2013-06-26 株式会社钟化 导电性聚酰亚胺膜的制造方法
CN104508008A (zh) * 2012-08-01 2015-04-08 东丽株式会社 聚酰胺酸树脂组合物、使用了该组合物的聚酰亚胺膜及其制造方法
JP2016072246A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 東レ株式会社 ディスプレイ用支持基板、それを用いたカラーフィルターおよびその製造方法、有機ｅｌ素子およびその製造方法、ならびにフレキシブル有機ｅｌディスプレイ
WO2019065164A1 (ja) * 2017-09-26 2019-04-04 東レ株式会社 ポリイミド前駆体樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、積層体の製造方法、カラーフィルタの製造方法、液晶素子の製造方法および有機ｅｌ素子の製造方法
JP2019116563A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 ユニチカ株式会社 ガラス基板への塗工用溶液
JP2019124771A (ja) * 2018-01-15 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108431135B (zh) 2015-12-11 2020-06-23 东丽株式会社 树脂组合物、树脂的制造方法、树脂膜的制造方法和电子设备的制造方法
JP7017144B2 (ja) 2017-09-07 2022-02-08 東レ株式会社 樹脂組成物、樹脂膜の製造方法および電子デバイスの製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005187768A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ポリイミド／無機複合材料の製造方法
CN103180390A (zh) * 2010-10-28 2013-06-26 株式会社钟化 导电性聚酰亚胺膜的制造方法
JP2012236886A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Kaneka Corp 導電性ポリイミドフィルムの製造方法
CN104508008A (zh) * 2012-08-01 2015-04-08 东丽株式会社 聚酰胺酸树脂组合物、使用了该组合物的聚酰亚胺膜及其制造方法
JP2016072246A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 東レ株式会社 ディスプレイ用支持基板、それを用いたカラーフィルターおよびその製造方法、有機ｅｌ素子およびその製造方法、ならびにフレキシブル有機ｅｌディスプレイ
WO2019065164A1 (ja) * 2017-09-26 2019-04-04 東レ株式会社 ポリイミド前駆体樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、積層体の製造方法、カラーフィルタの製造方法、液晶素子の製造方法および有機ｅｌ素子の製造方法
JP2019116563A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 ユニチカ株式会社 ガラス基板への塗工用溶液
JP2019124771A (ja) * 2018-01-15 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220066263A (ko) 2022-05-24
WO2021060058A1 (ja) 2021-04-01
JPWO2021060058A1 (zh) 2021-04-01
CN114341270B (zh) 2024-03-08
US20220336761A1 (en) 2022-10-20
TW202112911A (zh) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6241557B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂の製造方法、樹脂組成物の製造方法、樹脂膜の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP6819292B2 (ja) ディスプレイ基板用樹脂組成物、並びに、それを用いた耐熱性樹脂フィルム、有機ｅｌディスプレイ基板及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP7322699B2 (ja) ディスプレイ基板用樹脂組成物、ディスプレイ基板用樹脂膜およびそれを含む積層体、画像表示装置、有機ｅｌディスプレイ、並びに、それらの製造方法
KR20170131382A (ko) 박막 트랜지스터용 감광성 수지 조성물, 경화막, 박막 트랜지스터, 액정 표시 장치 또는 유기 전계 발광 표시 장치, 경화막의 제조 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 액정 표시 장치 또는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2013077521A (ja) 電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板およびそれを用いた電子素子の製造方法
KR20170137779A (ko) 내열성 수지 조성물, 내열성 수지막의 제조 방법, 층간 절연막 또는 표면 보호막의 제조 방법, 및 전자 부품 또는 반도체 부품의 제조 방법
JP2019077871A (ja) 耐熱性樹脂膜およびその製造方法、加熱炉ならびに画像表示装置の製造方法
CN110382626B (zh) 树脂组合物
JPWO2019065164A1 (ja) ポリイミド前駆体樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、積層体の製造方法、カラーフィルタの製造方法、液晶素子の製造方法および有機ｅｌ素子の製造方法
JP7017144B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂膜の製造方法および電子デバイスの製造方法
KR20160093610A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
CN114341270B (zh) 树脂膜、电子器件、树脂膜的制造方法及电子器件的制造方法
CN115956222A (zh) 正型感旋光性树脂组合物
JP7226309B2 (ja) 樹脂膜、それを含むディスプレイおよびそれらの製造方法
KR20220090544A (ko) 표시 장치용 지지 기판, 유기 el 표시 장치, 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법
JP2019172970A (ja) 表示デバイスまたは受光デバイスの基板用樹脂組成物、並びに、それを用いた表示デバイスまたは受光デバイスの基板、表示デバイス、受光デバイス、表示デバイスまたは受光デバイスの製造方法。
WO2021193530A1 (ja) 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物、ディスプレイおよびその製造方法
JP2022176115A (ja) 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物、ディスプレイおよびその製造方法
JP2022146919A (ja) 樹脂組成物、それを用いた表示デバイスまたは受光デバイスの製造方法、基板ならびにデバイス
JP2022176116A (ja) 樹脂膜、その製造方法、樹脂組成物、ディスプレイおよびその製造方法
CN115335458A (zh) 树脂组合物、使用了该树脂组合物的显示器件或受光器件的制造方法、基板以及器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant