CN110382626B - 树脂组合物 - Google Patents

树脂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN110382626B
CN110382626B CN201880018411.XA CN201880018411A CN110382626B CN 110382626 B CN110382626 B CN 110382626B CN 201880018411 A CN201880018411 A CN 201880018411A CN 110382626 B CN110382626 B CN 110382626B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
general formula
group
resin composition
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880018411.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110382626A (zh
Inventor
大内洋平
奥田良治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of CN110382626A publication Critical patent/CN110382626A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110382626B publication Critical patent/CN110382626B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1075—Partially aromatic polyimides
    • C08G73/1082—Partially aromatic polyimides wholly aromatic in the tetracarboxylic moiety
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F5/00—Coils
    • H01F5/003—Printed circuit coils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C08G73/105—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the diamino moiety
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
    • H01F27/323—Insulation between winding turns, between winding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F5/00—Coils
    • H01F5/06—Insulation of windings

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供可得到具有低介电损耗角正切、且能够耐受伴随于线圈图案形成的热处理、试剂处理的固化膜的树脂组合物。用于实现上述目的的本发明的构成如下所述。即，树脂组合物，其含有（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂，其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有包含2个以上脂环的基团，并且具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团。

Description

树脂组合物
技术领域
本发明涉及树脂组合物、树脂片材和固化膜、以及使用前述固化膜的电子部件、半导体部件和金属线。
背景技术
以聚酰亚胺、聚苯并噁唑为代表的树脂由于其优异的机械特性、耐热性、电绝缘性、耐化学品性等而被用于半导体元件等的表面保护膜、薄膜电感器的层间绝缘膜、绕线电感器的绝缘覆膜、有机EL元件的绝缘层、TFT基板的平坦化膜等。
近年来，被称为高频用电感器的电子部件受到瞩目。高频用电感器是指在数10MHz至数GHz的高频区域使用的电感器，主要用于智能手机、平板末端等移动通信设备、可穿戴设备等的无线通信功能所需的高频回路等。
高频用电感器根据加工方法不同，可以分类为绕线型、层叠型、薄膜型的3种类型。绕线型中，通过在磁性体芯或者非磁性体芯上缠绕涂覆了绝缘覆膜的金属线而形成线圈。层叠型中，通过在磁性片材或非磁性片材上印刷形成线圈图案，并将这些片材堆叠而形成线圈。薄膜型中，通过在基板上重复进行光刻、镀覆等步骤而形成螺旋状的薄膜线圈结构。
这些类型之中，伴随近年来以智能手机为主的移动通信设备的高功能・多功能化，由于要求基板内的部件数的增加和小型化，因此需要能够节省空间的薄膜电感器。
以往，为了形成这样的薄膜电感器的线圈图案而采用半加成法。利用半加成法的线圈图案形成中，在经由光刻、镀覆步骤形成线圈图案后，使用聚酰亚胺系的耐热性树脂组合物形成层间绝缘膜。形成层叠线圈结构时重复上述步骤。
但是，高频用电感器中存在如下的课题。
在高频区域中，线圈导体与层间绝缘膜的界面处的介电损耗变大，传输损耗增大，引起信号传导的效率降低、运转不良。因此，需要能够抑制高频区域的介电损耗增加的绝缘材料。即，下述树脂组合物，其能够形成低介电损耗角正切、且耐受伴随于线圈图案形成的热处理、试剂处理的绝缘材料。
作为低介电性的树脂组合物，可举出使芳族四羧酸二酐与1,4‐环己基二胺那样的脂环式二胺反应而得的聚酰亚胺前体和制造方法（专利文献1）、使均苯四甲酸二酐那样的芳族四羧酸与1,4‐环己基二胺那样的脂环式二胺和2,2’-双（三氟甲基）联苯胺那样的芳族二胺反应而得的聚酰亚胺及其前体（专利文献2）、在使脂环式四羧酸二酐与4,4’‐二氨基二环己基甲烷那样的脂环式二胺反应而得的溶剂可溶型聚酰亚胺中含有1个分子具有2个以上环氧基的环氧化合物而得的聚酰亚胺树脂组合物（专利文献3）、使芳族四羧酸二酐与1,4‐环己基二胺那样的脂环式二胺溶解于特定的有机溶剂而得的聚酰亚胺树脂组合物（专利文献4）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-161136号公报
专利文献2：日本特开2002-327056号公报
专利文献3：日本特开2008-163210号公报
专利文献4：日本特开2012-188614号公报。
发明内容
发明要解决的课题
但是，专利文献1～4中记载的任一树脂组合物均存在高频区域的介电损耗角正切不充分的课题，尚有改善的余地。
因此本发明的目的在于提供可得到具有低介电损耗角正切、且能够耐受伴随于线圈图案形成的热处理、试剂处理的固化膜的树脂组合物。
用于解决课题的方法
本发明人为了解决上述课题而进行了研究，结果得到了以下（I）～（III）的见解。
（I）通过在树脂的主链末端导入具有多个脂环的大体积结构，观察到低介电损耗角正切化的倾向。认为这是树脂的每摩尔体积的摩尔极化率减少和主链末端的极性基团减少的效果。
（II）通过在树脂中以特定的比率导入脂环结构，观察到低介电损耗角正切化的倾向。认为这是脂环结构的每摩尔体积的摩尔极化率比芳环结构等低的缘故。
（III）由于观察到高频区域的介电损耗角正切与低温区域的分子运动性相关，因此通过在树脂中导入刚性结构束缚自由旋转而抑制低温区域的分子运动性，由此观察到低介电损耗角正切化的倾向。
本发明的树脂组合物是发现上述见解并反复研究的结果而完成的，具有下述的构成。即，
［1］树脂组合物,其含有（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂，该组合物中，
前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有包含2个以上脂环的基团，并且具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团。
［2］上述［1］所述的树脂组合物，其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂中的包含2个以上脂环的基团由选自通式（1）和通式（2）的1种以上的基团表示，
[化1]
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE002
通式（1）中，o和p各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位；
[化2]
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE004
通式（2）中，q、r、s各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位。
［3］上述［1］或［2］所述的树脂组合物，其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的主链末端具有选自通式（1）和通式（2）的1种以上的基团，
[化3]
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE006
通式（1）中，o和p各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位，
[化4]
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE008
通式（2）中，q、r、s各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位。
［4］上述［1］～［3］中任一项所述的树脂组合物，其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂含有选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚苯并噁唑、多羟基酰胺的1种以上的树脂。
［5］上述［1］～［4］中任一项所述的树脂组合物,其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有（a）二胺残基与（b）羧酸残基，
相对于前述（a）二胺残基的总量100摩尔%，（a-1）脂环式二胺残基的含有比率为60～80摩尔%，且（a-2）芳族二胺残基的含有比率为20～40摩尔%，
相对于前述（b）羧酸残基的总量100摩尔%，（b-1）芳族四羧酸残基的含有比率为60～100摩尔%。
［6］上述［5］所述的树脂组合物，其中，前述（a-1）脂环式二胺残基具有选自通式（3）、通式（4）和通式（5）的1种以上的结构，
[化5]
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE010
通式（3）中，*标记表示键合部位；
[化6]
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE012
通式（4）中，R1、R2各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或三氟甲基；此外，m表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位；
[化7]
Figure DEST_PATH_IMAGE014
通式（5）中，R3、R4各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或三氟甲基；此外，*标记表示键合部位。
［7］上述［5］或［6］所述的树脂组合物，其中，前述（b-1）芳族四羧酸残基具有选自式（6）和通式（7）的1种以上的结构，
[化8]
Figure DEST_PATH_IMAGE016
式（6）中，*标记表示键合部位；
[化9]
Figure DEST_PATH_IMAGE018
通式（7）中，n表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位。
［8］上述［1］～［7］中任一项所述的树脂组合物，其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有包含酯基的侧链，
相对于前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂中的侧链的总量100摩尔%，前述包含酯基的侧链的比率为60～95摩尔%。
［9］上述［1］～［8］中任一项所述的树脂组合物，其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量为100以上且1,000,000以下的范围内。
［10］上述［9］所述的树脂组合物，其中，将前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量为100以上且1,000,000以下的范围内的成分的总计设为100质量%时，分子量5,000以上且1,000,000以下的范围内的成分的含有比率为95质量%以上且100质量%以下。
［11］树脂组合物，其含有（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂，该组合物中，
前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有选自通式（8）、通式（9）和通式（10）的1种以上的结构，并且具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团，
[化10]
Figure DEST_PATH_IMAGE020
通式（8）中，a表示1～10的范围内的整数；此外，n表示1～1000的范围的整数；
[化11]
Figure DEST_PATH_IMAGE022
通式（9）中，R5、R6各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基、或三氟甲基；此外，b、c各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，m表示1～10的范围内的整数；n表示1～1000的范围的整数；
[化12]
Figure DEST_PATH_IMAGE024
通式（10）中，R7、R8各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基、或三氟甲基；此外，d、e各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，n表示1～1000的范围的整数。
［12］树脂片材，其是由上述［1］～［11］中任一项所述的树脂组合物形成的树脂片材。
［13］上述［12］所述的树脂片材，其中，片材膜厚为3～50μm。
［14］固化膜，其是将上述［1］～［11］中任一项所述的树脂组合物、或者上述［12］或［13］所述的树脂片材固化而成的固化膜。
［15］电子部件或半导体部件，其配置有上述［14］所述的固化膜。
［16］电子部件，其具有上述［14］所述的固化膜重复配置2～10层作为层间绝缘膜的线圈结构。
［17］金属线，其配置有上述［14］所述的固化膜。
［18］电子部件，其具有由上述［17］所述的金属线构成的线圈结构。
发明效果
本发明可以得到树脂组合物，其可得到低介电损耗角正切、且能够耐受伴随于线圈图案形成的热处理、试剂处理的固化膜。
附图说明
[图1] 是具有层间绝缘膜的半导体部件的焊盘部分的放大的截面图。
[图2] 电子部件中的将绝缘层与线圈导体层交替层叠而成的多层结构部分的放大的截面图。
具体实施方式
本发明的树脂组合物的第一方式是含有（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的树脂组合物，其中，（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有包含2个以上脂环的基团，并且具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团。
作为（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂，本发明的树脂组合物优选含有选自丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、脲树脂、聚苯硫醚、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚苯并噁唑、多羟基酰胺、环烯烃聚合物的1种以上的树脂。其中，更优选含有选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚苯并噁唑、多羟基酰胺的1种以上的树脂。这些树脂可以通过加热或催化剂而形成具有酰亚胺环、噁唑环、其它环状结构的聚合物。通过形成环状结构，耐热性、耐化学品性容易显著提高。
本发明中，优选（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有（a）二胺残基，前述（a）二胺残基含有（a-1）脂环式二胺残基与（a-2）芳族二胺残基。这里，二胺残基是指除去了二胺类中的氨基而成的有机基团。
此外，本发明中，优选（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有（b）羧酸残基，前述（b）羧酸残基含有（b-1）芳族四羧酸残基。这里，羧酸残基是指除去了羧酸类中的羧基而成的有机基团。
例如，聚酰亚胺具有（a）二胺残基与（b）羧酸残基，可以通过使四羧酸、对应的四羧酸二酐、四羧酸二酯二氯化物等与二胺、对应的二异氰酸酯化合物、三甲基甲硅烷基化二胺等反应而得到。例如，可以通过将使二胺与四羧酸二酐反应而得的聚酰亚胺前体之一的聚酰胺酸进行加热处理而进行脱水闭环而得到。该加热处理时，还可以加入间二甲苯等与水共沸的溶剂。或者，还可以加入羧酸酐、二环己基碳二亚胺等脱水缩合剂、三乙基胺等碱等作为闭环催化剂，通过化学热处理进行脱水闭环而得到。或者，还可以通过加入弱酸性的羧酸化合物，在100℃以下的低温下进行加热处理，由此进行脱水闭环而得到。聚酰亚胺前体如后所述。
聚苯并噁唑具有包含酚性羟基的（a）二胺残基与（b）羧酸残基，可以使双氨基酚化合物与二羧酸、对应的二羧酰氯、二羧酸活性酯等反应而得到。例如，可以通过将使双氨基酚化合物与二羧酸反应而得的聚苯并噁唑前体之一的多羟基酰胺进行加热处理而脱水闭环而得到。或者，可以加入无水磷酸、碱、碳二亚胺化合物等，通过化学处理进行脱水闭环而得到。聚苯并噁唑前体如后所述。
聚酰亚胺前体、聚苯并噁唑前体是主链上具有酰胺键的树脂，通过加热处理、化学处理进行脱水闭环，成为前述的聚酰亚胺、聚苯并噁唑。结构单元的重复数优选为10～100,000。作为聚酰亚胺前体，可举出聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰胺酸酰胺、聚异酰亚胺等。其中，优选聚酰胺酸、聚酰胺酸酯。作为聚苯并噁唑前体，可举出多羟基酰胺、聚氨基酰胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺等。其中，优选多羟基酰胺。
本发明中，二胺残基和双氨基酚残基（以下，将它们一并称为（a）二胺残基）的优选成分具有（a-1）脂环式二胺残基与（a-2）芳族二胺残基。
本发明的树脂组合物中，优选（a-1）脂环式二胺残基具有选自通式（3）、通式（4）和通式（5）的1种以上的结构。
[化13]
Figure DEST_PATH_IMAGE026
通式（3）中，*标记表示键合部位。
[化14]
Figure DEST_PATH_IMAGE028
通式（4）中，R1、R2各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或三氟甲基。此外，m表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
[化15]
Figure DEST_PATH_IMAGE030
通式（5）中，R3、R4各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或三氟甲基。此外，*标记表示键合部位。
特别地，作为（a-1）脂环式二胺残基的优选结构，可举出下述所示的结构、将这些结构中的氢原子的一部分用碳原子数1～20的烷基、氟代烷基、烷氧基、酯基、硝基、氰基、氟原子或氯原子取代1～4个而成的结构等。
[化16]
Figure DEST_PATH_IMAGE032
*标记表示键合部位。
特别地，作为（a-2）芳族二胺残基的优选结构，可举出下述所示的结构、将这些结构中的氢原子的一部分用碳原子数1～20的烷基、氟代烷基、烷氧基、酯基、硝基、氰基、氟原子或氯原子取代1～4个而成的结构等。
[化17]
Figure DEST_PATH_IMAGE034
*标记表示键合部位。
[化18]
Figure DEST_PATH_IMAGE036
式中，J各自表示直接键、-COO-、-CONH-、-CH2-、-C2H4-、-O-、-C3H6-、-C3F6-、-SO2-、-S-、-Si（CH3）2-、-O-Si（CH3）2-O-、-C6H4-、-C6H4-O-C6H4-、-C6H4-C3H6-C6H4-、或-C6H4-C3F6-C6H4-的任一者。*标记表示键合部位。
本发明中，四羧酸残基和二羧酸残基（以下，将它们一并称为（b）羧酸残基）的优选成分具有（b-1）芳族四羧酸残基。
本发明中优选使用的（b-1）芳族四羧酸残基具有选自式（6）和通式（7）的1种以上的结构。
[化19]
Figure DEST_PATH_IMAGE038
式（6）中，*标记表示键合部位。
[化20]
Figure DEST_PATH_IMAGE040
通式（7）中，n表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
特别地，作为（b-1）芳族四羧酸残基的优选结构，可举出下述所示的结构、将这些结构中的氢原子的一部分用碳原子数1～20的烷基、氟代烷基、烷氧基、酯基、硝基、氰基、氟原子或氯原子取代1～4个而成的结构等。
[化21]
Figure DEST_PATH_IMAGE042
*标记表示键合部位。
特别地，作为（b-1）芳族四羧酸残基的上述式（6）和通式（7）之外的结构，可使用下述所示的结构、将这些结构中的氢原子的一部分用碳原子数1～20的烷基、氟代烷基、烷氧基、酯基、硝基、氰基、氟原子或氯原子取代1～4个而成的结构等。
[化22]
Figure DEST_PATH_IMAGE044
*标记表示键合部位。
[化23]
Figure DEST_PATH_IMAGE046
式中，J表示直接键、-COO-、-CONH-、-CH2-、-C2H4-、-O-、-C3H6-、-C3F6-、-SO2-、-S-、-Si（CH3）2-、-OSi（CH3）2-O-、-C6H4-、-C6H4-O-C6H4-、-C6H4-C3H6-C6H4-、或-C6H4-C3F6-C6H4-的任一者。*标记表示键合部位。
特别地，作为（b）羧酸残基的（b-1）芳族四羧酸残基之外的结构，可使用下述所示的结构、将这些结构中的氢原子的一部分用碳原子数1～20的烷基、氟代烷基、烷氧基、酯基、硝基、氰基、氟原子或氯原子取代1～4个而成的结构等。
[化24]
Figure DEST_PATH_IMAGE048
*标记表示键合部位。
作为构成（a）二胺残基的（a-1）脂环式二胺残基的二胺，可举出4,4’-二氨基二环己基甲烷、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基二环己基甲烷、1,3-二氨基环己烷、1,4-二氨基环己烷、异佛尔酮二胺、1,3-双氨基甲基环己烷、1,4-双氨基甲基环己烷、双(氨基甲基)降冰片烷、（4）,8（9）-双(氨基甲基)三环[5.2.1.0 2,6]癸烷、2,2’-双（4-氨基环己基）-六氟丙烷、2,2’-双（三氟甲基）-4,4’-二氨基二环己烷等。
上述（a-1）脂环式二胺残基的脂环式二胺中，从低介电损耗角正切和膜的强韧性的观点出发，优选为4,4’-二氨基二环己基甲烷、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基二环己基甲烷、1,3-二氨基环己烷、1,4-二氨基环己烷、2,2’-双（4-氨基环己基）-六氟丙烷、2,2’-双（三氟甲基）-4,4’-二氨基二环己烷。
此外，作为构成（a）二胺残基的（a-2）芳族二胺残基的芳族二胺，可举出2,2-双（3-氨基-4-羟基苯基）六氟丙烷、双（3-氨基-4-羟基苯基）砜、双（3-氨基-4-羟基苯基）丙烷、双（3-氨基-4-羟基苯基）甲烷、双（3-氨基-4-羟基苯基）醚、双（3-氨基-4-羟基）联苯、双（3-氨基-4-羟基苯基）芴等含羟基的二胺、3,5-二氨基苯甲酸、3-羧基-4,4’-二氨基二苯基醚等含羧基的二胺、3-磺酸-4,4’-二氨基二苯基醚等含磺酸的二胺、二巯基苯二胺、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基醚、3,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基砜、3,4’-二氨基二苯硫醚、4,4’-二氨基二苯硫醚、1,4-双（4-氨基苯氧基）苯、间苯二胺、对苯二胺、1,5-萘二胺、2,6-萘二胺、双（4-氨基苯氧基苯基）砜、双（3-氨基苯氧基苯基）砜、双（4-氨基苯氧基）联苯、双｛4-（4-氨基苯氧基）苯基｝醚、1,4-双（4-氨基苯氧基）苯、2,2’-二甲基-4,4’-二氨基联苯、2,2’-二乙基-4,4’-二氨基联苯、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基联苯、3,3’-二乙基-4,4’-二氨基联苯、2,2’,3,3’-四甲基-4,4’-二氨基联苯、3,3’,4,4’-四甲基-4,4’-二氨基联苯、2,2’-二（三氟甲基）-4,4’-二氨基联苯、或将这些芳香族环的氢原子的一部分用烷基、F、Cl、Br、I等卤素原子取代而成的化合物等。进一步，还可以将这些二胺的氢原子的一部分用甲基、乙基等碳原子数1～10的烷基、三氟甲基等碳原子数1～10的氟代烷基、F、Cl、Br、I等卤素原子取代。
上述的（a-2）芳族二胺残基的芳族二胺中，从低介电损耗角正切和膜的强韧性的观点出发，优选3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基醚。
这些二胺可以直接使用，或以对应的二异氰酸酯化合物、三甲基甲硅烷基化二胺的形式使用。此外，这些可以使用2种以上。
作为（a-1）脂环式二胺残基的脂环式二胺和（a-2）芳族二胺残基的芳族二胺之外的二胺，可举出乙二胺、1,3-二氨基丙烷、2-甲基-1,3-丙烷二胺、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、2-甲基-1,5-二氨基戊烷、1,6-二氨基己烷、1,7-二氨基庚烷、1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1,10-二氨基癸烷、1,11-二氨基十一烷、1,12-二氨基十二烷等脂肪族二胺、1,3-双（3-氨基丙基）四甲基二硅氧烷、1,3-双（4-苯胺基）四甲基二硅氧烷等含硅原子的二胺等。
作为构成（b）羧酸残基的成分，可举出：作为二羧酸的实例的对苯二甲酸、间苯二甲酸、二苯基醚二甲酸、双（羧基苯基）六氟丙烷、联苯二甲酸、二苯甲酮二甲酸、三苯基二甲酸等，作为三羧酸的实例的偏苯三酸、均苯三酸、二苯基醚三甲酸、联苯三甲酸等；作为（b-1）芳族四羧酸残基的芳族四羧酸的实例，可举出均苯四甲酸、3,3’,4,4’-联苯四甲酸、2,3,3’,4’-联苯四甲酸、2,2’,3,3’-联苯四甲酸、3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸、2,2’,3,3’-二苯甲酮四甲酸、2,2-双（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷、2,2-双（2,3-二羧基苯基）六氟丙烷、1,1-双（3,4-二羧基苯基）乙烷、1,1-双（2,3-二羧基苯基）乙烷、双（3,4-二羧基苯基）甲烷、双（2,3-二羧基苯基）甲烷、双（3,4-二羧基苯基）砜、双（3,4-二羧基苯基）醚、1,2,5,6-萘四甲酸、2,3,6,7-萘四甲酸、2,3,5,6-吡啶四甲酸、3,4,9,10-苝四甲酸、三苯基四甲酸等芳族四羧酸。
上述的（b-1）芳族四羧酸残基的芳族四羧酸中，从低介电损耗角正切和膜的强韧性的观点出发，优选3,3’,4,4’-联苯四甲酸、三苯基四甲酸。
作为（b-1）芳族四羧酸残基的芳族四羧酸之外的羧酸，可举出丁烷四甲酸、环丁烷四甲酸、1,2,3,4-环戊烷四甲酸、环己烷四甲酸、二环［2.2.1.］庚烷四甲酸、二环［3.3.1.］四甲酸、二环［3.1.1.］庚-2-烯四甲酸、二环［2.2.2.］辛烷四甲酸、金刚烷四甲酸等脂肪族四羧酸、二甲基硅烷二邻苯二甲酸、1,3-双（邻苯二甲酸）四甲基二硅氧烷等含硅原子的四羧酸等。
这些酸可以直接使用，或以酸酐、活性酯的形式使用。此外，这些可以使用2种以上。
本发明中，相对于（a）二胺残基的总量100摩尔%，（a-1）脂环式二胺残基的含有比率优选为60～80摩尔%。若为该含有比率，则在维持耐热性、耐化学品性的同时易于实现低介电损耗角正切化方面优选，更优选为65～75摩尔%。
此外，本发明中，相对于（a）二胺残基的总量100摩尔%，（a-2）芳族二胺残基的含有比率优选为20～40摩尔%。若为该含有比率，则在耐热性、耐化学品性方面优选，更优选为25～35摩尔%。
此外，可以将（a-2）芳族二胺残基的芳族二胺的一部分替换为1,3-双（3-氨基丙基）四甲基二硅氧烷、1,3-双（4-苯胺基）四甲基二硅氧烷等含硅原子的二胺，通过使用它们，可以提高对基板的粘接性，对用于洗涤等的氧等离子体、UV臭氧处理的耐性。这些含硅原子的二胺优选使用全部二胺成分的1～10摩尔%，为1摩尔%以上时，在可以提高粘接性、提高对等离子体处理的耐性方面优选。为10摩尔%以下时，在所得树脂的强韧性的方面优选。
此外，本发明中，相对于（b）羧酸残基的总量100摩尔%，（b-1）芳族四羧酸残基的含有比率优选为60～100摩尔%。若为该含有比率，则在耐热性、耐化学品性方面优选，更优选为70～100摩尔%。
此外，可以将（b-1）芳族四羧酸残基的芳族四羧酸的一部分替换为二甲基硅烷二邻苯二甲酸、1,3-双（邻苯二甲酸）四甲基二硅氧烷等含硅原子的四羧酸，通过使用它们，可以提高对基板的粘接性，对用于洗涤等的氧等离子体、UV臭氧处理的耐性。这些含硅原子的四羧酸优选使用全部酸成分的1～10摩尔%，为1摩尔%以上时，在对基板粘接性、等离子体处理的效果表现方面优选。为10摩尔%以下时，在所得树脂的机械特性方面优选。
本发明的树脂组合物中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有（a）二胺残基与（b）羧酸残基，相对于前述（a）二胺残基的总量100摩尔%，（a-1）脂环式二胺残基的含有比率为60～80摩尔%，并且（a-2）芳族二胺残基的含有比率为20～40摩尔%，相对于前述（b）羧酸残基的总量100摩尔%，（b-1）芳族四羧酸残基的含有比率为60～100摩尔%，在所得树脂的进一步低介电特性方面，更优选。
本发明的树脂组合物中，优选前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂中的包含2个以上脂环的基团由选自通式（1）和通式（2）的1种以上的基团表示。
[化25]
Figure DEST_PATH_IMAGE050
通式（1）中，o和p各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
[化26]
Figure DEST_PATH_IMAGE052
通式（2）中，q、r、s各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂优选在其主链的末端与侧链的任一者上、或者在两者上具有包含2个以上脂环的基团。
作为在侧链上具有包含2个以上脂环的基团的情形的实例，优选在聚酰亚胺、聚苯并噁唑、它们的前体的侧链上具有包含2个以上脂环结构的基团。侧链包含2个以上脂环的树脂可以通过公知方法聚合。例如，侧链包含2个以上脂环的聚酰亚胺前体可以通过使四羧酸二酐与包含2个以上脂环结构的醇类反应，得到酯化的四羧酸后，使二胺与酰胺缩聚，由此得到。通过在树脂的侧链导入包含多个脂环的大体积结构，可以减少树脂的每摩尔体积的摩尔极化率和减少主链的极性基团，使所得固化膜更容易低介电损耗角正切化。
在主链的末端具有包含2个以上脂环的基团的情形的实例如后所述。
本发明的树脂组合物中，优选前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的主链末端具有选自通式（1）和通式（2）的1种以上的基团。
[化27]
Figure DEST_PATH_IMAGE054
通式（1）中，o和p各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
[化28]
Figure DEST_PATH_IMAGE056
通式（2）中，q、r、s各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
作为在主链的末端具有包含2个以上脂环的基团的情形的实例，优选使聚酰亚胺、聚苯并噁唑、它们的前体的主链的末端与包含2个以上脂环结构的单胺、二胺、酸酐、醇、单羧酸、酰氯反应而引入包含2个以上脂环的基团，这些可以使用2种以上。通过在树脂的主链末端导入前述那样的包含多个脂环的大体积结构，可以减少树脂的每摩尔体积的摩尔极化率和减少主链末端的极性基团，使所得固化膜更容易低介电损耗角正切化。
前述包含2个以上脂环结构的单胺的优选实例具有选自上述通式（1）和通式（2）的1种以上的基团。
作为具有2个以上脂环结构的单胺的特别优选的结构，可举出下述所示的结构、将这些结构中的氢原子的一部分用碳原子数1～20的烷基、氟代烷基、烷氧基、酯基、硝基、氰基、氟原子、或氯原子取代1～4个而成的结构等。
[化29]
Figure DEST_PATH_IMAGE058
作为具有2个以上脂环结构的酸酐的优选实例，可举出下述所示的结构等。
[化30]
Figure DEST_PATH_IMAGE060
作为具有2个以上脂环结构的醇的优选实例，可举出下述所示的结构等。
[化31]
Figure DEST_PATH_IMAGE062
前述具有2个以上脂环结构的单胺、二胺、酸酐、醇、单羧酸、酰氯等的含量优选为酸成分单体或二胺成分单体的添加摩尔数的0.1～20摩尔%的范围，更优选为0.5～10摩尔%。通过设为这样的范围，容易获得低介电损耗角正切且具有优异膜物性的树脂组合物。
（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂中导入的包含2个以上脂环的基团可以通过以下的方法容易地检测。例如，将导入了包含2个以上脂环的基团的树脂溶解于酸性溶液，分解为树脂的构成单元即二胺成分与酸成分，对其进行气相色谱（GC）、NMR测定，可以容易地检测包含2个以上脂环的基团。除此之外，还可以通过将导入了包含2个以上脂环的基团的树脂直接进行热分解气相色谱（PGC）、红外光谱和13C-NMR光谱测定来进行检测。
本发明的树脂组合物中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团。通过具有该基团，由树脂组合物得到的固化膜会低介电损耗角正切化。前述2个以上的苯环通过单键键合而成的基团为由选自式（6）、通式（7）、通式（11）和通式（12）的1种以上所示的基团，在更容易使前述固化膜低介电损耗角正切化的方面优选。
[化32]
Figure DEST_PATH_IMAGE064
式（6）中，*标记表示键合部位。
[化33]
Figure DEST_PATH_IMAGE066
通式（7）中，n表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
[化34]
Figure DEST_PATH_IMAGE068
通式（11）中，*标记表示键合部位。
[化35]
Figure DEST_PATH_IMAGE070
通式（12）中，n表示1～10的范围内的整数。此外，*标记表示键合部位。
（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂优选在主链具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团。
在主链上具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团的树脂可以通过公知的方法聚合。例如，在主链上具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团的聚酰亚胺前体可以通过使具有2个以上的苯环通过单键键合而成的结构的芳族四羧酸二酐与二胺、或者具有2个以上的苯环通过单键键合而成的结构的二胺与酸二酐缩聚而得到。
本发明的树脂组合物中，优选前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有包含酯基的侧链，且相对于前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂中的侧链的总量100摩尔%，前述包含酯基的侧链的比率为60～95摩尔%。该比率若为60摩尔%以上，则在提高热固化时的铜迁移耐性方面优选，更优选为70摩尔%以上。此外，该比率若为95摩尔%以下，则在碱性显影液中的图案加工性的方面优选。
包含酯基的侧链的比率可以使用核磁共振装置（NMR），在检测树脂的主链的结构、侧链的结构所固有的峰的方法中确认。由树脂单体进行分析的情形中，可以通过1H-NMR光谱针对主链的结构所固有的峰和侧链的酯基所固有的峰算出面积比来确认。由树脂组合物、固化膜进行分析的情形中，利用有机溶剂进行提取、浓缩，同样地算出NMR峰面积比。
本发明的树脂组合物中，优选前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量为100以上且1,000,000以下的范围。
进一步，将前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量为100以上且1,000,000以下的范围内的成分的总计设为100质量%时，优选分子量5,000以上且1,000,000以下的范围内的成分的含有比率为95质量%以上且100质量%以下。该含有比率若为95质量%以上，则固化膜中的低分子量成分少，因而在耐热性、耐化学性、介电特性容易提高的方面优选。
（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量可以通过凝胶渗透色谱法（GPC）、光散射法、X射线小角散射法等测定分子量而容易地算出。本发明中的分子量是指使用最简单的基于聚苯乙烯换算的GPC测定算出的值。
本发明中，（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量测定是使用GPC（凝胶渗透色谱）装置，以TOSOH制的RI-201型为差示折射率检测器，以TOSOH制的TSKgelguardcolumn α（1根）、TSK α-M（1根）、TSK α-3000（1根）作为柱，以添加了0.05M氯化锂和0.1%磷酸的二甲基乙酰胺作为展开溶剂，在流速0.7mL/min、柱温23℃、试样浓度0.1%、注入量0.2mL条件下，以聚苯乙烯换算进行分子量测定。将分子量测定所得的分子量分布图的全部峰面积设为1.00时，分子量100以上且1,000,000以下的范围内的峰面积为0.99以上且1.00以下时，则判断前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量为100以上且1,000,000以下的范围内。此外，由所得的分子量分布图与峰面积算出前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量的范围和分子量5,000以上且1,000,000以下的成分的含有比率。
本发明的树脂组合物的第二方式是含有（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的树脂组合物，其中，前述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有选自通式（8）、通式（9）和通式（10）的1种以上的结构，并且具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团。
[化36]
Figure DEST_PATH_IMAGE072
通式（8）中，a表示1～10的范围内的整数。此外，n表示1～1000的范围的整数。
[化37]
Figure DEST_PATH_IMAGE074
通式（9）中，R5、R6各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基、或三氟甲基。此外，b、c各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数。此外，m表示1～10的范围内的整数。n表示1～1000的范围的整数。
[化38]
Figure DEST_PATH_IMAGE076
通式（10）中，R7、R8各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基、或三氟甲基。此外，d、e各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数。此外，n表示1～1000的范围的整数。
本发明的树脂组合物可以含有粘接改良剂。作为粘接改良剂，可举出含烷氧基硅烷的化合物等。它们可以含有2种以上。通过含有这些化合物，可以提高烧成后或固化后的固化膜与基材的粘接性。
作为含烷氧基硅烷的化合物的具体例，可举出N-苯基氨基乙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基乙基三乙氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基氨基丁基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丁基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷等。
粘接改良剂的总含量优选相对于（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂100质量份为0.01～15质量份。为0.01质量份以上时，在可以提高烧成后或固化后的膜与基材的粘接性的方面优选。为15质量份以下时，不会因过度的密合而使碱性显影性降低，在提高粘接性方面优选。
本发明的树脂组合物可以含有表面活性剂。通过含有表面活性剂，可以提高与基板的润湿性。
作为表面活性剂，可举出“FLUORAD”（注册商标）（3M日本（株）制）、“MEGAFACE”（注册商标）（DIC（株）制）、“SURFLON”（注册商标）（旭硝子（株）制）等氟系表面活性剂，KP341（商品名、信越化学工业（株）制）、DBE（商品名、チッソ（株）制）、GLANOL（商品名、共荣社化学（株）制）、“BYK”（注册商标）（ビック・ケミー（株）制）等有机硅氧烷表面活性剂，Polyflow（商品名、共荣社化学（株）制）等丙烯酸类聚合物表面活性剂等，可以从上述各公司获得。
本发明的树脂组合物优选含有有机溶剂。
作为本发明中优选使用的有机溶剂，具体可举出，乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丁基醚等醚类，乙二醇单乙基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸异丁酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等乙酸酯类，乙酰丙酮、甲基丙基酮、甲基丁基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、2-庚酮等酮类，丁基醇、异丁基醇、戊醇、4-甲基-2-戊醇、3-甲基-2-丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、双丙酮醇等醇类，甲苯、二甲苯等芳族烃类，N-甲基-2-吡咯烷酮、N-环己基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、N,N-二甲基丙烯基脲、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、δ-戊内酯等。这些可以单独使用或使用2种以上。
它们之中，特别优选溶解（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂、且在大气压下沸点为100℃～210℃的那些。沸点若为该范围，则在组合物涂布时不会因有机溶剂过度挥发而变得无法涂布，并且由于可以不提高组合物的热处理温度，因此基底基板的材质上不会产生制约。此外，通过使用溶解（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的有机溶剂，可以在基底基板上形成均匀性良好的涂膜。
作为具有这样的沸点的特别优选的有机溶剂，具体可举出，环戊酮、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、丙二醇单甲基醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、双丙酮醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮。
此外，本发明的树脂组合物中使用的有机溶剂相对于（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的总量100质量份，优选为100质量份以上、特别优选为200质量份以上，优选为1500质量份以下、特别优选为1200质量份以下。
接着，对制造本发明的树脂组合物的方法进行说明。例如，通过将（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂与根据需要的光敏剂、交联剂、密合改良剤、交联剂等其它成分等溶解于有机溶剂，可以得到树脂组合物。作为溶解方法，可举出搅拌、加热。进行加热时，加热温度优选设定在不损害树脂组合物的性能的范围，通常为室温至90℃。此外，各成分的溶解顺序没有特别限定，例如存在从溶解性低的化合物起依次溶解的方法。此外，对于表面活性剂、一部分密合改良剂等在搅拌溶解时容易发生气泡的成分，通过在溶解其它成分后最后添加，可以防止因气泡的发生导致的其它成分的溶解不良。
所得树脂组合物优选使用过滤滤器进行过滤，除去污物、粒子。滤器孔径有例如0.5μm、0.2μm、0.1μm、0.07μm、0.05μm、0.03μm、0.02μm、0.01μm、0.005μm等，但并不受其限定。过滤滤器的材质有聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）、尼龙（NY）、聚四氟乙烯（PTFE）等，但优选PE、NY。
本发明的固化膜是将本发明的树脂组合物、或后述的本发明的树脂片材固化而成的。
首先，举出实例对使用本发明的树脂组合物制造树脂的固化膜的方法进行说明。
首先，将树脂组合物涂布于基板上。作为基板，可使用硅晶片、陶瓷类、砷化镓等，但并不受其限定。可以用硅烷偶联剂、钛螯合剂等试剂对基板进行前处理。例如，使前述的偶联剂在异丙醇、乙醇、甲醇、水、四氢呋喃、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚、乳酸乙酯、己二酸二乙酯等溶剂中溶解0.5～20质量%，将所得溶液通过旋涂、浸渍、喷涂、蒸汽处理等进行表面处理。通过根据情况在其后施加50℃～300℃的温度，可以使基板与上述偶联剂的反应进行。
作为树脂组合物的涂布方法，有使用了旋涂器的旋涂、喷涂、辊涂等方法。此外，涂布膜厚根据涂布手法、组合物的固体成分浓度、粘度等而不同，但通常以干燥后的膜厚达到1～50μm的方式进行涂布。
接着，对涂布了树脂组合物的基板进行干燥，得到涂布膜。也将该步骤称为预烘烤。干燥优选使用烘箱、热板、红外线等，在70～140℃的范围进行1分钟～数小时。使用热板的情形中，将涂布膜直接保持在板上、或者保持在设置于板上的接近销（proximity pin）等夹具上进行加热。作为接近销的材质，有铝、不锈钢等金属材料，或聚酰亚胺树脂、“テフロン（注册商标）”等合成树脂，只要具有耐热性则可以使用任意材质的接近销。接近销的高度根据基板的尺寸、涂布膜的种类、加热的目的等而各种各样，优选为0.1～10mm。
接着，在该涂布膜上形成光致抗蚀剂，通过具有所期望图案的掩膜照射化学射线，进行曝光。作为曝光所用的化学射线，有紫外线、可见光线、电子射线、X射线等，但本发明中优选使用汞灯的i线（365nm）、h线（405nm）、g线（436nm）。当光致抗蚀剂具有正型光敏性时，曝光部溶解于显影液。具有负型光敏性时，曝光部固化而不溶于显影液。
接着，根据需要进行曝光后的烘烤处理。作为该温度，优选为50～180℃的范围，特别更优选60～150℃的范围。时间没有特别限制，但从其后的显影性的观点出发优选为10秒～数小时。
曝光后，为了形成树脂膜的图案，光致抗蚀剂具有正型光敏性时，使用显影液除去曝光部。显影液优选使用四甲基铵水溶液、二乙醇胺、二乙基氨基乙醇、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、三乙基胺、二乙基胺、甲基胺、二甲基胺、乙酸二甲基氨基乙酯、二甲基氨基乙醇、二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、环己基胺、乙二胺、六亚基二胺等显碱性的化合物的水溶液。根据情况，可在这些碱性水溶液中添加1种以上的N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯、二甲基丙烯酰胺等极性溶剂，甲醇、乙醇、异丙醇等醇类，乳酸乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯等酯类，环戊酮、环己酮、异丁基酮、甲基异丁基酮等酮类等。显影后通常用水进行淋洗处理。淋洗处理中，可以将乙醇、异丙基醇等醇类，乳酸乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯、3-甲氧基甲基并酸酯等酯类等的1种以上添加至水中。
显影后，将所得涂布膜的图案在150～500℃的温度范围进行加热，将树脂膜转换为固化浮雕图案。该加热处理优选选择温度并阶段性地升温，或选择某温度范围连续性地升温并且实施5分钟～5小时。作为实例，可举出在130℃、200℃、350℃下每个温度进行各30分钟热处理的方法，用2小时从室温线性地升温至320℃的方法等。
本发明的树脂片材由本发明的树脂组合物形成。本发明中，树脂片材是将树脂组合物涂布于支撑体上并使之干燥而形成。
例示使用本发明的树脂片材制造树脂的固化膜的方法。
作为将本发明的树脂组合物涂布于支撑体的方法，可举出喷涂、辊涂、丝网印刷、刮刀涂布机、模涂布机、模涂布机、压光涂布机、弯月面涂布机、棒涂布机、辊涂布机、逗号涂布机、凹版涂布机、丝网涂布机、缝模涂布机等的方法。
此外，涂布膜厚根据涂布手法、组合物的固体成分浓度、粘度等而不同。本发明的树脂片材中，片材膜厚为3～50μm在容易提高对基板的层合性的方面优选。应予说明，这里的片材膜厚是指干燥后的膜厚。
支撑体没有特别限定，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜、聚苯硫醚膜、聚酰亚胺膜等通常市售的各种膜。
对于支撑体与树脂片材的接合面，为提高密合性与剥离性，可以实施有机硅、硅烷偶联剂、铝螯合剂、聚脲等的表面处理。
此外，支撑体的厚度没有特别限定，从操作性的观点出发，优选为10～100μm的范围。
此外，本发明的树脂片材中，为了保护表面，可以在树脂片材上具有保护膜。籍此，可以保护树脂片材表面免受大气中的污物、碎屑等污染物质的影响。
作为保护膜，可举出聚烯烃膜、聚酯膜等。保护膜优选与树脂片材的粘接力小的那些。
接着，举出实例说明使用树脂片材制造固化膜的方法。
使用树脂片材制造固化膜时，首先将树脂片材贴合于基板。作为基板，可举出玻璃基板、硅晶片、陶瓷类、砷化镓、有机系回路基板、无机系回路基板、和这些基板上配置了回路的构成材料的基板等，但并不受其限定。作为有机系回路基板的实例，可举出玻璃布・环氧覆铜层叠板等玻璃基板覆铜层叠板、玻璃无纺布・环氧覆铜层叠板等复合覆铜层叠板、聚醚酰亚胺树脂基板、聚醚酮树脂基板、聚砜系树脂基板等耐热・热塑性基板、聚酯覆铜膜基板、聚酰亚胺覆铜膜基板等柔性基板。此外，无机系回路基板的实例可举出：氧化铝基板、氮化铝基板、碳化硅基板等陶瓷基板、铝基质基板、铁基质基板等金属系基板。回路的构成材料的实例可举出：含有银、金、铜等金属的导体，含有无机系氧化物等的电阻，含有玻璃系材料和/或树脂等的低电介质，含有树脂、高介电率无机粒子等的高电介质，含有玻璃系材料等的绝缘体等。
树脂片材具有保护膜时，将其剥离，使树脂片材与基板对置，通过热压合使之贴合，得到树脂被膜。热压合可以通过热压处理、热层合处理、热真空层合处理等来进行。贴合温度从与基板的密合性、嵌入性的观点出发，优选为40℃以上，更优选为50℃以上。另外，在热压合时，为了除去气泡，可以在减压下进行。
对于由树脂片材得到的树脂被膜，可以通过如上述的树脂组合物那样进行曝光、曝光后烘烤、显影、热固化，由此得到固化浮雕图案。
由本发明的树脂组合物得到的固化膜可适宜地用作电子部件或半导体部件的层间绝缘膜或表面保护膜。
此外，由本发明的树脂组合物得到的固化膜可适宜地用作具有重复层叠2～10层而成的线圈结构的电子部件的层间绝缘膜。
此外，由本发明的树脂组合物得到的固化膜可适宜地用作金属线的绝缘覆膜。
此外，由本发明的树脂组合物得到的固化膜可适宜地用作具有以金属线构成的线圈结构的电子部件的绝缘覆膜。
本发明的电子部件或半导体部件配置有本发明的固化膜。本发明的电子部件或半导体部件通过将本发明的固化膜配置作为与导体接触的层间绝缘膜或表面保护膜，固化膜与导体的界面处的介电损耗变小，在传输损耗减少所带来的信号传输效率方面优选。
接着，使用附图对配置有本发明的固化膜的电子部件或半导体部件的制法例进行说明。图1是配置有本发明的固化膜作为层间绝缘膜的半导体部件的焊盘部分的放大截面图。如图1所示，在硅晶片11中，在输入输出用的Al焊盘12上形成有钝化膜13，在该钝化膜13上形成有通孔。进一步，在其上形成由本发明的树脂组合物形成的固化膜（层间绝缘膜14），进一步，以与Al焊盘12连接的方式形成金属（Cr、Ti等）膜15后，通过镀覆法成膜配线（Al、Cu等）16。接着，在该配线（Al、Cu等）16之上形成本发明的固化膜（层间绝缘膜17）。接着，形成阻挡金属18、焊料凸点20。继而，沿着最后的划线19进行切割，将每个芯片切割开。
本发明的电子部件的第一优选方式具有本发明的固化膜重复配置2～10层作为层间绝缘膜的线圈结构。本发明的线圈结构中，层叠的层间绝缘膜与线圈导体的界面处的介电损耗变小，在传输损耗减少所带来的信号传输效率方面优选。
接着，使用附图对具有本发明的固化膜重复配置2～10层作为层间绝缘膜的线圈结构的电子部件的制法例进行说明。图2是将本发明的固化膜配置作为层间绝缘膜的薄膜电感器的线圈部分的截面图。如图2所示，在基板21上形成层间绝缘膜22，在其上形成层间绝缘膜23。作为基板21，使用铁素体等。本发明的固化膜可用于层间绝缘膜22与层间绝缘膜23。在该层间绝缘膜23的开口部形成金属（Cr、Ti等）膜24，并在其上镀覆形成金属配线（Ag、Cu等）25。金属配线25（Ag、Cu等）形成在螺旋上。重复多次形成上述绝缘膜22～金属配线25的步骤进行层叠，由此可以使之具有作为线圈的功能。最后，金属配线25（Ag、Cu等）通过金属配线26（Ag、Cu等）与电极27连接，通过密封树脂28进行密封。绝缘层的层数没有上限，优选为2～10层。通过使用2层以上的层间绝缘膜，可以将层间绝缘膜之间形成的导体间效率良好地绝缘，容易改善电特性。此外，通过使用10层以下的层间绝缘膜，可以确保平坦性，容易改善加工精度。
本发明的金属线配置有本发明的固化膜。本发明的金属线在固化膜与金属线的界面处的介电损耗减少的方面优选。配置有本发明的固化膜的金属线的制法例中，将Cu、Al、Fe、Ag、Au、磷青铜等金属线用本发明的固化膜被覆金属线的外周而形成。
本发明的电子部件的第二优选方式具有用本发明的金属线构成的线圈结构。本发明的线圈结构中，固化膜与金属线的界面处的介电损耗变小，在传输损耗减少所带来的信号传输效率方面优选。具有用本发明的金属线构成的线圈结构的电子部件的制法例中，例如，在作为磁性材料的铁素体芯上卷绕本发明的金属线而形成线圈结构，并将金属线的两端焊接于外部电极制为绕线电感器。
实施例
以下举出实施例说明本发明，但本发明不受这些实例的限定。实施例中的树脂组合物的评价通过以下的方法进行。
＜树脂膜的制作＞
在6英寸硅晶片上以预烘烤后的膜厚达到16μm的方式涂布树脂组合物，然后使用热板（东京エレクトロン（株）制MARK-7），在120℃进行3分钟预烘烤，由此得到树脂膜。
＜膜厚的测定方法＞
使用大日本スクリーン制造（株）制ラムダエースSTM-602J，以聚酰亚胺为对象，以折射率1.63进行测定。
＜热固化（CURE）＞
将树脂膜使用惰性烘箱INH-21CD（光洋サーモシステム（株）社制），在氮气流下（氧浓度20ppm以下），用60分钟从50℃升高至350℃的固化温度，在350℃下进行60分钟加热处理。之后，缓慢冷却至烘箱内为50℃以下，得到固化膜。
＜固化膜的状态的评价＞
对于各实施例和比较例中记载的树脂组合物，通过前述方法得到制作于硅晶片上的固化膜。将其在47%氢氟酸中于室温浸渍3分钟后，用自来水洗涤，将固化膜从硅晶片剥离。剥离的固化膜优选为具有光泽的平滑的膜，将未见褶皱、凹凸的平滑的状态评价为“良”，将可见褶皱、凹凸或者发脆而不能成为自支撑膜的情形评价为“不良”。
＜介电特性的评价＞
为了测定固化膜的介电特性，使用了矢量网络分析仪Anritsu37225C（アンリツ（株）制）与用于1GHz左右的频率测定的微扰方式谐振器法夹具（キーコム（株）制）。通过上述方法，将从晶片剥离的固化膜插入微扰方式谐振器法夹具的PTFE筒进行测定，根据仅PTFE筒而没有插入固化膜的样品与插入了固化膜的样品的共振频率与Q值之差求出比介电常数与介电损耗角正切。若1GHz左右的比介电常数为3.5以下，则可判断为低介电常数。更优选为3.3以下，进一步优选为3.0以下。若1GHz左右的介电损耗角正切为0.0070以下，则可判断为低介电损耗角正切。更优选为0.0050以下，进一步优选为0.0030以下。
＜原料的简称＞
原料的简称与化合物名如下所示。
TFMB：2,2’-双（三氟甲基）联苯胺
TFDC：2,2’-双（三氟甲基）-4,4’-二氨基二环己烷
PDA：对苯二胺
DAE：4,4’-二氨基二苯基醚
t-DACH：反式-1,4-环己烷二胺
DCHM：4,4’-二氨基二环己基甲烷
SiDA：1,3-双（3-氨基丙基）四甲基二硅氧烷
BPDA：3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐
PMDA-HS：1,2,4,5-环己烷四甲酸二酐
ODPA：4,4’-氧双邻苯二甲酸酐
DMFDMA：N,N’-二甲基甲酰胺二甲基缩醛
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮。
＜合成例1＞ 脂环式单胺的合成
在0.2L的带搅拌机的不锈钢制高压釜中，加入三苯基甲基胺（东京化成工业株式会社制）50g、四氢呋喃50g、和5质量%Ru/Al2O3催化剂（エヌ・イー・ケムキャット社制）2.5g，进行氮置换。然后，进行氢置换，一边搅拌一边升温至150℃。将容器内的压力升温至7.0MPa后，在150℃进行8小时反应。然后，冷却至室温，除去残留压力，进行氮置换。将黑色的浆料从容器取出，滤去催化剂，减压蒸馏滤液，馏去四氢呋喃，得到目的物的下式所示的三环己基甲基胺。
[化39]
Figure DEST_PATH_IMAGE078
＜合成例2＞ 脂环式二胺TFDC的合成
在0.2L的带搅拌机的不锈钢制高压釜中，加入TFMB（东京化成工业（株）制）20g、六氟异丙醇100g、和5质量%Ru/Al2O3催化剂（エヌ・イー・ケムキャット社制）3.0g，进行氮置换。然后，进行氢置换，一边搅拌一边升温至150℃。将容器内的压力升温至7.0MPa后，在150℃进行4小时反应。然后，冷却至室温，除去残留压力，进行氮置换。将黑色的浆料从容器取出，滤去催化剂，减压蒸馏滤液，馏去溶剂，得到目标物的下式所示的TFDC。
[化40]
Figure DEST_PATH_IMAGE080
［实施例1］
在干燥氮气流下，将PDA（大新化成工业（株）制）8.11g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例2］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）8.56g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例3］
在干燥氮气流下，将DCHM（新日本理化（株）制）15.78g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例4］
在干燥氮气流下，将合成例2的TFDC24.92g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例5］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）8.22g（72毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）4.81g（24毫摩尔）、SiDA（信越化学（株）制）0.99g（4毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例6］
在干燥氮气流下，将DCHM（新日本理化（株）制）15.15g（72毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）4.81g（24毫摩尔）、SiDA（信越化学（株）制）0.99g（4毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例7］
在干燥氮气流下，将DCHM（新日本理化（株）制）15.15g（72毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）4.81g（24毫摩尔）、SiDA（信越化学（株）制）0.99g（4毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至40℃，用10分钟滴加将DMFDMA（三菱レーヨン（株）制）23.83g（200毫摩尔）用NMP20g稀释得到的溶液。滴加后，在40℃继续进行2小时搅拌。然后，滴加将乙酸30.0g（500毫摩尔）用NMP25g稀释得到的溶液，进行1小时搅拌。搅拌结束后，将溶液加入水3L中，通过过滤收集聚合物固体的沉淀。进一步用水3L进行3次洗涤，将收集到的聚合物固体用50℃的真空干燥机进行72小时干燥，得到聚酰亚胺前体。该聚酰亚胺前体的酯化率为77%。将该聚酰亚胺前体5g溶解于NMP25g中，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例8］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）7.42g（65毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）7.01g（35毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例9］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）8.56g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）23.83g（81毫摩尔）和PMDA-HS（岩谷瓦斯（株）制）4.48g（20毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）0.39g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例10］
在干燥氮气流下，将PDA（大新化成工业（株）制）8.11g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入合成例1的三环己基甲基胺0.55g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例11］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）8.56g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，加入合成例1的三环己基甲基胺0.55g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例12］
在干燥氮气流下，将DCHM（新日本理化（株）制）15.78g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入合成例1的三环己基甲基胺0.55g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例13］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）8.22g（72毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）4.81g（24毫摩尔）、SiDA（信越化学（株）制）0.99g（4毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，加入合成例1的三环己基甲基胺0.55g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例14］
在干燥氮气流下，将DCHM（新日本理化（株）制）15.15g（72毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）4.81g（24毫摩尔）、SiDA（信越化学（株）制）0.99g（4毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入合成例1的三环己基甲基胺0.55g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例15］
在干燥氮气流下，将PDA（大新化成工业（株）制）8.11g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）30.89g（105毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入二环己基甲烷胺（Enamine社制）1.95g（10毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［实施例16］
在干燥氮气流下，将DCHM（新日本理化（株）制）15.15g（72毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）4.81g（24毫摩尔）、SiDA（信越化学（株）制）0.99g（4毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.72g（101毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，加入DCHM（新日本理化（株）制）0.42g（2毫摩尔），进一步进行1小时搅拌后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［比较例1］
在干燥氮气流下，将PDA（大新化成工业（株）制）8.11g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入BPDA（三菱化学（株）制）29.42g（100毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［比较例2］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）8.56g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入OPDA（上海市合成树脂研究所制）31.02g（100毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［比较例3］
在干燥氮气流下，将t-DACH（日興リカ（株）制）11.42g（100毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入PMDA-HS（岩谷瓦斯（株）制）22.42g（100毫摩尔），在80℃进行8小时搅拌。然后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
［比较例4］
在干燥氮气流下，将PDA（大新化成工业（株）制）8.11g（75毫摩尔）、DAE（和歌山精化工业（株）制）5.01g（25毫摩尔）溶解于升温至40℃的NMP200g中。在其中加入PMDA-HS（岩谷瓦斯（株）制）22.42g（100毫摩尔），在60℃进行8小时搅拌。然后，冷却至室温，用滤器孔径0.5μm的过滤滤器进行过滤，得到聚酰亚胺前体的树脂组合物。
关于上述的组成和评价结果，实施例1～16与比较例1～4示于表1和表2。
[表1]
Figure DEST_PATH_IMAGE082
[表2]
Figure DEST_PATH_IMAGE084
产业实用性
本发明的树脂组合物可适宜地用于半导体元件的表面保护膜、再配线用绝缘膜、薄膜电感器的层间绝缘膜、绕线电感器的绝缘覆膜、有机电致发光（Electroluminescence：以下记为EL）元件的绝缘膜、使用有机EL元件的显示装置的驱动用薄膜晶体管（Thin FilmTransistor：以下记为TFT）基板的平坦化膜、回路基板的配线保护绝缘膜、固态图像传感器的片上微透镜、各种显示器・固态图像传感器用平坦化膜等的用途。
符号说明
11 硅晶片
12 Al焊盘
13 钝化膜
14 层间绝缘膜
15 金属（Cr、Ti等）膜
16 配线（Al、Cu等）
17 层间绝缘膜
18 阻挡金属
19 划线
20 焊料凸点
21 基板
22 层间绝缘膜
23 层间绝缘膜
24 金属（Cr、Ti等）膜
25 金属配线（Ag、Cu等）
26 金属配线（Ag、Cu等）
27 电极
28 密封树脂

Claims (18)

1.树脂组合物，其含有（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂，该树脂组合物中，
所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有包含2个以上脂环的基团，并且具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团；所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂中的具有2个以上脂环的基团由选自通式（1）和通式（2）的1种以上的基团所示，
[化1]
Figure DEST_PATH_IMAGE001
通式（1）中，o和p各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位；
[化2]
Figure DEST_PATH_IMAGE002
通式（2）中，q、r、s各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位。
2.权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的主链末端具有选自通式（1）和通式（2）的1种以上的基团，
[化3]
Figure DEST_PATH_IMAGE003
通式（1）中，o和p各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位；
[化4]
Figure DEST_PATH_IMAGE004
通式（2）中，q、r、s各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位。
3.权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂含有选自聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚苯并噁唑、多羟基酰胺的1种以上的树脂。
4.权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有（a）二胺残基与（b）羧酸残基，
相对于所述（a）二胺残基的总量100摩尔%，（a-1）脂环式二胺残基的含有比率为60～80摩尔%，且（a-2）芳族二胺残基的含有比率为20～40摩尔%；
相对于所述（b）羧酸残基的总量100摩尔%，（b-1）芳族四羧酸残基的含有比率为60～100摩尔%。
5.权利要求4所述的树脂组合物，其中，所述（a-1）脂环式二胺残基具有选自通式（3）、通式（4）和通式（5）的1种以上的结构，
[化5]
Figure DEST_PATH_IMAGE005
通式（3）中，*标记表示键合部位；
[化6]
Figure DEST_PATH_IMAGE006
通式（4）中，R1、R2各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或三氟甲基；此外，m表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位；
[化7]
Figure DEST_PATH_IMAGE007
通式（5）中，R3、R4各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或三氟甲基；此外，*标记表示键合部位。
6.权利要求4所述的树脂组合物，其中，所述（b-1）芳族四羧酸残基具有选自式（6）和通式（7）的1种以上的结构，
[化8]
Figure DEST_PATH_IMAGE008
式（6）中，*标记表示键合部位；
[化9]
Figure DEST_PATH_IMAGE009
通式（7）中，n表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位。
7.权利要求5所述的树脂组合物，其中，所述（b-1）芳族四羧酸残基具有选自式（6）和通式（7）的1种以上的结构，
[化8]
Figure 716839DEST_PATH_IMAGE008
式（6）中，*标记表示键合部位；
[化9]
Figure 633979DEST_PATH_IMAGE009
通式（7）中，n表示1～10的范围内的整数；此外，*标记表示键合部位。
8.权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有包含酯基的侧链；
相对于所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂中的侧链的总量100摩尔%，所述包含酯基的侧链的比率为60～95摩尔%。
9.权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量为100以上且1,000,000以下的范围内。
10.权利要求9所述的树脂组合物，其中，将所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂的分子量为100以上且1,000,000以下的范围内的成分的总计设为100质量%时，分子量5,000以上且1,000,000以下的范围内的成分的含有比率为95质量%以上且100质量%以下。
11.树脂组合物，其含有（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂，该树脂组合物中，
所述（P）具有脂环结构与芳环结构的树脂具有选自通式（8）、通式（9）和通式（10）的1种以上的结构，并且具有2个以上的苯环通过单键键合而成的基团，
[化10]
Figure DEST_PATH_IMAGE010
通式（8）中，a表示1～10的范围内的整数；此外，n表示1～1000的范围的整数；
[化11]
Figure DEST_PATH_IMAGE011
通式（9）中，R5、R6各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基、或三氟甲基；此外，b、c各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，m表示1～10的范围内的整数；n表示1～1000的范围的整数；
[化12]
Figure DEST_PATH_IMAGE012
通式（10）中，R7、R8各自可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或三氟甲基；此外，d、e各自可以相同也可以不同，表示1～10的范围内的整数；此外，n表示1～1000的范围的整数。
12.树脂片材，其是由权利要求1～11中任一项所述的树脂组合物形成的树脂片材。
13.权利要求12所述的树脂片材，其中片材膜厚为3～50μm。
14.固化膜，其是将权利要求1～11中任一项所述的树脂组合物、或者权利要求12或13所述的树脂片材固化而成的固化膜。
15.电子部件或半导体部件，其配置有权利要求14所述的固化膜。
16.电子部件，其具有权利要求14所述的固化膜重复配置2～10层作为层间绝缘膜的线圈结构。
17.金属线，其配置有权利要求14所述的固化膜。
18.电子部件，其具有由权利要求17所述的金属线构成的线圈结构。
CN201880018411.XA 2017-03-22 2018-03-15 树脂组合物 Active CN110382626B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-055611 2017-03-22
JP2017055611 2017-03-22
PCT/JP2018/010245 WO2018173920A1 (ja) 2017-03-22 2018-03-15 樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110382626A CN110382626A (zh) 2019-10-25
CN110382626B true CN110382626B (zh) 2021-12-07

Family

ID=63586067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880018411.XA Active CN110382626B (zh) 2017-03-22 2018-03-15 树脂组合物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200362113A1 (zh)
JP (1) JP7070406B2 (zh)
KR (1) KR102451559B1 (zh)
CN (1) CN110382626B (zh)
TW (1) TWI821178B (zh)
WO (1) WO2018173920A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7231931B2 (ja) * 2019-05-10 2023-03-02 ユニチカ株式会社 ポリイミドフィルム
JP7064054B2 (ja) * 2019-06-19 2022-05-09 三井化学株式会社 高い全光線透過率を持つポリイミド薄膜上に形成された触覚センサとそれを用いたスイッチングデバイス
JP7211322B2 (ja) * 2019-10-08 2023-01-24 株式会社村田製作所 インダクタ部品
WO2021176560A1 (ja) * 2020-03-03 2021-09-10 昭和電工マテリアルズ株式会社 絶縁電線用ポリイミド前駆体、絶縁電線用樹脂組成物、及び絶縁電線

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132632A (ja) * 1987-11-18 1989-05-25 Hitachi Chem Co Ltd 光透過性にすぐれたポリイミド
JPH0241319A (ja) * 1988-08-02 1990-02-09 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリイミド重合体
JP2005320393A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Rikogaku Shinkokai 蛍光材料
TW201400527A (zh) * 2012-03-30 2014-01-01 New Japan Chem Co Ltd 高透明性聚醯亞胺樹脂

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917634A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
EP1179750B1 (en) * 2000-08-08 2012-07-25 FUJIFILM Corporation Positive photosensitive composition and method for producing a precision integrated circuit element using the same
JP3972600B2 (ja) 2000-09-14 2007-09-05 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 ポリイミド前駆体、その製造方法及び感光性樹脂組成物
JP3859984B2 (ja) 2001-05-07 2006-12-20 セントラル硝子株式会社 ポリイミドおよびその製造方法
WO2004042475A1 (ja) * 2002-11-07 2004-05-21 Asahi Glass Company, Limited レジスト組成物
SG173327A1 (en) * 2006-07-04 2011-08-29 Sumitomo Electric Industries Heat-resistant resin varnish, heat-resistant resin films, heat-resistant resin composites, and insulated wire
JP5018082B2 (ja) 2006-12-28 2012-09-05 新日本理化株式会社 新規なポリイミド樹脂組成物及びそのワニス
JP5084459B2 (ja) * 2007-11-15 2012-11-28 太陽誘電株式会社 インダクタ及びその製造方法
WO2010100874A1 (ja) * 2009-03-04 2010-09-10 三井化学株式会社 ポリアミド酸およびポリイミド、それらの製造方法、組成物ならびに用途
WO2011088343A2 (en) * 2010-01-17 2011-07-21 Polyera Corporation Dielectric materials and methods of preparation and use thereof
JP2012188614A (ja) 2011-03-14 2012-10-04 Teijin Ltd ポリイミド溶液
US20130106552A1 (en) * 2011-11-02 2013-05-02 International Business Machines Corporation Inductor with multiple polymeric layers
JP2015134842A (ja) * 2012-03-30 2015-07-27 新日本理化株式会社 溶剤可溶性ポリイミド樹脂
CN105452327B (zh) * 2013-07-31 2017-06-06 富士胶片株式会社 复合聚酯组合物、润滑剂组合物、润滑剂及复合聚酯组合物的制造方法
KR101615431B1 (ko) * 2014-05-15 2016-04-25 코오롱인더스트리 주식회사 폴리이미드 및 이를 이용한 필름
TWI522393B (zh) * 2015-02-10 2016-02-21 台虹科技股份有限公司 聚合物、絕緣膜以及軟性銅箔基板
JP6915251B2 (ja) * 2016-09-30 2021-08-04 コニカミノルタ株式会社 ポリイミド樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物の製造方法、透明基板及びディスプレイ用フィルム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132632A (ja) * 1987-11-18 1989-05-25 Hitachi Chem Co Ltd 光透過性にすぐれたポリイミド
JPH0241319A (ja) * 1988-08-02 1990-02-09 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリイミド重合体
JP2005320393A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Rikogaku Shinkokai 蛍光材料
TW201400527A (zh) * 2012-03-30 2014-01-01 New Japan Chem Co Ltd 高透明性聚醯亞胺樹脂

Also Published As

Publication number Publication date
TWI821178B (zh) 2023-11-11
CN110382626A (zh) 2019-10-25
JPWO2018173920A1 (ja) 2020-01-23
KR20190124235A (ko) 2019-11-04
JP7070406B2 (ja) 2022-05-18
US20200362113A1 (en) 2020-11-19
TW201841988A (zh) 2018-12-01
KR102451559B1 (ko) 2022-10-06
WO2018173920A1 (ja) 2018-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110382626B (zh) 树脂组合物
CN109642028B (zh) 树脂组合物
JP6848434B2 (ja) 樹脂および感光性樹脂組成物
JP7073717B2 (ja) ジアミン化合物、それを用いた耐熱性樹脂および樹脂組成物
WO2017188153A1 (ja) 樹脂組成物
US10948821B2 (en) Photosensitive resin composition
JP6984322B2 (ja) 光重合性モノマー、それを用いた感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物の硬化膜
CN107407877B (zh) 感光性树脂组合物
WO2016167038A1 (ja) 耐熱性樹脂組成物、耐熱性樹脂膜の製造方法、層間絶縁膜または表面保護膜の製造方法、および電子部品または半導体部品の製造方法
JP7322699B2 (ja) ディスプレイ基板用樹脂組成物、ディスプレイ基板用樹脂膜およびそれを含む積層体、画像表示装置、有機ｅｌディスプレイ、並びに、それらの製造方法
JP2019077871A (ja) 耐熱性樹脂膜およびその製造方法、加熱炉ならびに画像表示装置の製造方法
WO2018043250A1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、半導体電子部品、半導体装置
JP2020033277A (ja) 化合物、それを用いた樹脂、樹脂組成物、硬化膜、有機ｅｌ表示装置装置、電子部品、半導体装置、電子部品または半導体装置の製造方法
JP2019101439A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、半導体装置および硬化膜のレリーフパターンの製造方法
TWI714703B (zh) 硬化膜及其製造方法
JP6903916B2 (ja) 樹脂組成物
CN111936552B (zh) 碱溶性树脂、感光性树脂组合物、感光性片材及固化膜
JP7131133B2 (ja) 樹脂組成物
TW201728621A (zh) 硬化膜及其製造方法
TW202319838A (zh) 硬化型感光性樹脂組成物、硬化物、抗蝕劑圖案及其製造方法、半導體元件及電子裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant