KR20220046557A - 피착체의 박리 방법 및 점착제 조성물 - Google Patents

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유 다치카와
게이스케 히라노
기이치로 마쓰시타
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

[해결수단] 본 발명의 피착체의 박리 방법은, 제 1 공정 및 제 2 공정을 포함한다. 제 1 공정에서는, 점착제층(10)과 이것에 첩합되어 있는 피착체(20)를 포함하는 첩합체(100)를 준비한다. 점착제층(10)은, 점착 성분 및 가스 발생제를 함유한다. 제 2 공정에서는, 첩합체(100)에 있어서의 점착제층(10)측에 레이저광(L)을 조사하여 점착제층(10)의 일부를 가열한다. 본 발명의 점착제 조성물은, 당해 방법에 있어서의 점착제층(10)을 형성하기 위해서 이용되는 조성물이다.

Description

피착체의 박리 방법 및 점착제 조성물
본 발명은, 피착체의 박리 방법 및 점착제 조성물에 관한 것이다.
종래, 가열 박리형의 점착제층을 구비하는 점착 시트가 알려져 있다. 가열 박리형의 점착제층은, 예를 들어, 가열되어 발포할 수 있는 가열 발포제를 함유한다. 이와 같은 점착 시트는, 그 가열 박리형 점착제층으로 피착체에 첩합된 후, 당해 피착체로부터 박리될 때에, 점착제층이 가열되어 가열 발포제가 발포된다. 이것에 의해, 점착제층의 점착력이 저하되어, 피착체와 점착제층 사이가 분리된다. 가열 박리형의 점착 시트에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1에 기재되어 있다.
일본 특허공개 2012-167178호 공보
종래의 가열 발포형 점착 시트와 이것에 첩합되어 있는 피착체의 첩합체에 있어서의 전술한 분리를 위한 작업에서는, 점착 시트 점착제층의 전체가 가열된다. 예를 들어, 가열 블록 내장의 히트 스테이지 상에서 첩합체가 가열되어, 점착제층의 전체가 가열된다.
혹은, 가열로 내에서 첩합체가 가열되어, 점착제층의 전체가 가열된다. 가열 발포형 점착 시트에 복수의 피착체가 첩합되어 있는 경우, 이와 같은 분리 수법에 의하면, 점착제층과 모든 피착체 사이가 분리된다.
본 발명은, 점착제층에 첩합된 복수의 피착체 중 일부의 피착체를 점착제층으로부터 선택적으로 박리하는 데 적합한 박리 방법, 및 그것에 이용하는 점착제 조성물을 제공한다.
본 발명［1］은, 점착 성분 및 가스 발생제를 함유하는 점착제층과, 당해 점착제층에 첩합되어 있는 복수의 피착체를 포함하는 첩합체를 준비하는 제 1 공정과, 상기 첩합체에 있어서의 상기 점착제층측에 레이저광을 조사하여 상기 점착제층의 일부를 가열하는 제 2 공정을 포함하는, 피착체의 박리 방법을 포함한다.
본 방법의 제 2 공정에서는, 전술한 바와 같이, 복수의 피착체가 첩합되어 있는 점착제층에 대해서 레이저광이 조사된다. 지향성이 높은 에너지선인 레이저광의 조사는, 점착제층에 있어서의 일부의 영역을 국소적으로 가열하는 데 적합하고, 따라서, 점착제층의 부분 영역에 있어서 가스 발생제를 가열하여 가스를 발생시키는 데 적합하다. 이와 같은 레이저광 조사가 행해지는 본 방법은, 점착제층에 있어서, 복수의 피착체 중 일부의 피착체가 첩합되어 있는 영역을 선택적으로 가열하는 데 적합하고, 따라서, 당해 영역에 있어서의 대피착체 점착력을 저하시켜 상기 일부의 피착체를 점착제층으로부터 선택적으로 박리하는 데 적합하다.
본 발명［2］는, 상기 점착제층에 있어서의 상기 레이저광의 투과율이 85% 이하인, 상기 ［1］에 기재된 피착체의 박리 방법을 포함한다.
이와 같은 구성은, 레이저광 조사에 의해 점착제층 및 그것에 포함되는 가스 발생제를 효율 좋게 가열하여 점착제층 중에 가스를 발생시키는 데 적합하고, 따라서, 점착제층으로부터 피착체를 박리하기 위한 에너지를 억제하는 데 적합하다.
본 발명［3］은, 상기 레이저광의 파장이 351nm 또는 355nm인, 상기 ［1］ 또는 ［2］에 기재된 피착체의 박리 방법을 포함한다.
이와 같은 파장의 레이저광은, 지향성이 높은 레이저광으로서 실용적이다.
본 발명［4］는, 상기 ［1］ 내지 ［3］ 중 어느 하나에 기재된 피착체의 박리 방법에 있어서의 상기 점착제층을 형성하기 위해서 이용되는 점착제 조성물을 포함한다.
본 발명［5］는, 상기 점착제층이, 상기 레이저광을 흡수 가능한 성분을 함유하는, 상기 ［4］에 기재된 점착제 조성물을 포함한다.
이와 같은 구성은, 제 2 공정의 레이저광 조사에 의해 점착제층을 효율 좋게 승온시키는 데 적합하고, 따라서, 점착제층 중의 가스 발생제를 효율 좋게 가열하여 가스를 발생시키는 데 적합하다.
본 발명［6］은, 상기 성분이 자외선 흡수제인, 상기 ［5］에 기재된 점착제 조성물을 포함한다.
이와 같은 구성은, 제 2 공정에서의 레이저광으로서 자외선 레이저를 이용하는 경우에 특히, 레이저광 조사에 의해 점착제층을 효율 좋게 승온시키는 데 적합하고, 따라서, 점착제층 중의 가스 발생제를 효율 좋게 가열하여 가스를 발생시키는 데 적합하다.
본 발명［7］은, 상기 가스 발생제가 가스 발생 입자인, 상기 ［4］ 내지 ［6］ 중 어느 하나에 기재된 점착제 조성물을 포함한다.
가스 발생제로서의 가스 발생 입자의 이용은, 점착제층에 있어서 가스 발생제 함유 비율을 억제하여 점착 성분 함유 비율을 확보하는 것에 의해 양호한 대피착체 점착력을 실현함과 함께, 가스 발생제 함유 비율을 억제하면서도, 피착체 박리 시에 필요로 하는 가스 발생량을 확보하는 데 적합하다.
본 발명［8］은, 상기 가스 발생 입자가 아조 화합물 입자를 포함하는, 상기 ［7］에 기재된 점착제 조성물을 포함한다.
아조 화합물 입자는, 가스 발생률이 높은 가스 발생 입자로서 호적하게 이용할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 피착체의 박리 방법의 일 실시형태를 나타낸다. 도 1A는, 첩합체가 준비되는 제 1 공정을 나타내고, 도 1B는, 첩합체에 레이저광이 조사되는 제 2 공정을 나타내고, 도 1C는, 점착제층으로부터 피착체가 박리된 상태를 나타낸다.
[도 2] 도 2A는, 점착제층과 피착체와 투명 기재가 준비되는 공정을 나타내고, 도 2B는, 투명 기재와 점착제층이 첩합되는 공정을 나타내고, 도 2C는, 투명 기재 상의 점착제층과 피착체가 첩합되는 공정을 나타낸다.
[도 3] 첩합체의 하나의 변형예를 나타낸다.
도 1은, 본 발명의 피착체의 박리 방법의 일 실시형태를 단면 모식도로 나타낸다. 본 방법은, 이하와 같은 제 1 공정 및 제 2 공정을 포함한다.
제 1 공정에서는, 도 1A에 나타내는 바와 같이, 첩합체(100)를 준비한다. 첩합체(100)는, 점착제층(10)과, 복수의 피착체(20)를 포함하고, 본 실시형태에서는 투명 기재(30)도 포함하여, 이들을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 점착제층(10)은, 면(11) 및 이것과는 반대의 면(12)을 갖는다. 각 피착체(20)는, 점착제층(10)의 면(11)에 접촉하도록 배치되어 있다. 복수의 피착체(20)는, 면(11) 상에 있어서, 점착제층(10)의 두께 방향과 직교하는 면방향으로 서로 간격을 띄워 배치되어 있다. 피착체(20)는, 예를 들어, 투명 기재(30)에 대해서 점착제층(10)을 개재시켜 접합되어 소정의 과정을 거친 후에, 투명 기재(30)로부터 탈착되는 부품 또는 부재이다. 소정의 과정에는, 예를 들어, 피착체(20)에 대한 가공 및 검사가 포함된다. 그와 같은 피착체(20)로서는, 예를 들어, 반도체 부품 등의 전자 부품을 들 수 있다. 또한, 투명 기재(30)는, 점착제층(10)의 면(12)측에 배치되어 있고, 바람직하게는, 면(12)의 전면에 접촉하도록 배치되어 있다. 투명 기재(30)는, 피착체(20)를 지지하는 지지체로서 기능하고, 예를 들어, 투명 유리 기판 또는 투명 수지 기판이다. 투명 기재(30)의 두께는, 예를 들어 50μm 이상, 바람직하게는 100μm 이상이며, 또한, 예를 들어 10mm 이하, 바람직하게는 5mm 이하이다. 투명 기재(30)의 전광선 투과율은, 예를 들어 90% 이상, 바람직하게는 95% 이상, 보다 바람직하게는 99% 이상이다.
첩합체(100)는, 예를 들어 도 2에 나타내는 바와 같이 하여, 준비할 수 있다. 우선, 도 2A에 나타내는 바와 같이, 점착제층(10)을 갖는 점착 시트(X)와, 복수의 피착체(20)와, 투명 기재(30)를 준비한다. 다음에, 도 2B에 나타내는 바와 같이, 투명 기재(30)에 대해서 점착 시트(X)를 그 점착제층(10)의 일방면측에 첩합한다. 다음에, 도 2C에 나타내는 바와 같이, 투명 기재(30) 상의 점착제층(10)의 타방면측에 대해 복수의 피착체(20)를 첩합한다. 피착체 첩합 공정에서는, 점착제층(10)의 면(11)에 대해, 복수의 피착체(20)를 일괄적으로 첩합해도 되고, 피착체(20)마다의 첩합을 복수의 피착체(20)에 걸쳐서 행해도 된다.
점착제층(10)은, 점착 성분과, 가열에 의해 기화하는 가스 발생제를 함유하는 제 1 점착제 조성물로부터 형성된 층이다.
점착 성분은, 제 1 점착제 조성물에 있어서 점착성을 발현시킨다. 점착 성분으로서는, 예를 들어, 아크릴 폴리머, 고무계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 폴리에스터계 폴리머, 폴리아마이드계 폴리머, 유레테인계 폴리머, 스타이렌-다이엔 블록계 폴리머 등의 점착 폴리머(베이스 폴리머)를 들 수 있다. 점착 성분은, 바람직하게는 아크릴 폴리머이다.
아크릴 폴리머는, 예를 들어, (메트)아크릴산 알킬 에스터를 주모노머로서 포함하고 또한 극성기 함유 바이닐 모노머를 부모노머로서 포함하는 모노머 성분의 중합에 의해 얻어지는 폴리머이다. 「(메트)아크릴산」이란, 아크릴산 및/또는 메타크릴산을 말하는 것으로 한다.
(메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 예를 들어, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬 에스터를 들 수 있다. 그와 같은 (메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 아이소프로필, (메트)아크릴산 n-뷰틸, (메트)아크릴산 아이소뷰틸, (메트)아크릴산 sec-뷰틸, (메트)아크릴산 tert-뷰틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 네오펜틸, (메트)아크릴산 아이소펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 아이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 아이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 아이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 트라이데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 펜타데실, (메트)아크릴산 헥사데실, (메트)아크릴산 헵타데실, 및 (메트)아크릴산 옥타데실을 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬 에스터는, 단독으로 이용되어도 되고, 2종류 이상이 병용되어도 된다. 2종류 이상이 병용되는 경우, 바람직하게는, 메타크릴산 메틸(MMA)과, 탄소수 2∼18의 알킬기를 갖는 아크릴산 알킬 에스터가 병용되고, 보다 바람직하게는, MMA와 아크릴산 에틸과 아크릴산 2-에틸헥실이 병용된다.
극성기 함유 바이닐 모노머는, 주모노머와 공중합할 수 있는 공중합성 모노머이다. 극성기 함유 바이닐 모노머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산 하이드록시메틸, (메트)아크릴산 하이드록시에틸, (메트)아크릴산 하이드록시프로필, (메트)아크릴산 하이드록시뷰틸 등의 하이드록실기 함유 바이닐 모노머를 들 수 있다. 극성기 함유 바이닐 모노머로서, 예를 들어, (메트)아크릴산 등의 카복실기 함유 바이닐 모노머, (메트)아크릴아마이드 등의 아마이드기 함유 바이닐 모노머, (메트)아크릴산 아미노에틸 등의 아미노기 함유 바이닐 모노머, (메트)아크릴산 글라이시딜 등의 글라이시딜기 함유 바이닐 모노머, (메트)아크릴로나이트릴 등의 사이아노기 함유 바이닐 모노머, N-바이닐-2-피롤리돈 등의 헤테로환 함유 바이닐 모노머 등도 들 수 있다. 극성기 함유 바이닐 모노머로서는, 바람직하게는 하이드록실기 함유 바이닐 모노머가 이용되고, 보다 바람직하게는 아크릴산 하이드록시에틸이 이용된다.
아크릴 폴리머 형성용의 모노머 성분에 있어서의 주모노머의 비율은, 점착제층(10)에 있어서 점착성 등의 기본 특성을 적절히 발현시키는 관점에서는, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상이며, 또한, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 95질량% 이하이다. 모노머 성분에 있어서의 부모노머의 비율은, 바람직하게는 1질량% 이상이며, 또한, 바람직하게는 20질량% 이하이다.
제 1 점착제 조성물에 있어서의 베이스 폴리머의 배합 비율은, 제 1 점착제 조성물의 점착성의 확보의 관점에서는, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상이다.
동 비율은, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 95질량% 이하이다.
점착 성분은, 베이스 폴리머에 더하여 다른 성분을 포함해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어, 가교제 및 점착 부여제를 들 수 있다.
가교제로서는, 예를 들어, 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 및 금속 이온계 가교제를 들 수 있고, 바람직하게는 아이소사이아네이트계 가교제를 들 수 있다. 가교제의 배합 비율은, 점착 성분의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.01질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.3질량부 이상이며, 또한, 바람직하게는 10질량부 이하, 보다 바람직하게는 3질량부 이하이다.
점착 부여제로서는, 예를 들어, 로진계 수지, 로진 페놀계 수지, 터펜계 수지, 및 석유계 수지를 들 수 있고, 바람직하게는 로진 페놀계 수지를 들 수 있다. 점착 부여제의 배합 비율은, 점착 성분의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 1질량부 이상, 보다 바람직하게는 5질량부 이상이며, 또한, 바람직하게는 30질량부 이하이다.
제 1 점착제 조성물에 있어서의 점착 성분의 배합 비율은, 제 1 점착제 조성물의 점착성의 확보의 관점에서는, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상이다. 동 비율은, 바람직하게는 99질량% 이하, 보다 바람직하게는 95질량% 이하이다.
가스 발생제로서는, 점착 성분에 용해되지 않고 입자로서 분산되는 가스 발생 입자, 및 점착 성분에 용해되는 용해형 가스 발생제를 들 수 있다.
가스 발생 입자로서는, 예를 들어, 가열에 의해 용이하게 가스화되는 가열 발포제의 입자를 들 수 있다. 가열 발포제로서는, 예를 들어, 유기계 발포제 및 무기계 발포제를 들 수 있다. 가열 발포제는, 단독으로 이용되어도 되고, 2종류 이상이 병용되어도 된다.
유기계 발포제로서는, 예를 들어, 아조계 발포제, N-나이트로소계 발포제, 하이드라자이드계 발포제, 세미카바자이드계 발포제, 불화 알케인계 발포제, 및 트라이아졸계 발포제를 들 수 있다. 아조계 발포제로서는, 예를 들어, 아조다이카본아마이드(ADCA), 바륨 아조다이카복실레이트, 아조비스아이소뷰티로나이트릴(AIBN), 아조사이클로헥실나이트릴, 및 아조다이아미노벤젠을 들 수 있다. N-나이트로소계 발포제로서는, 예를 들어, N,N'-다이나이트로소펜타메틸렌테트라민(DTP), N,N'-다이메틸-N,N'-다이나이트로소테레프탈아마이드, 트라이나이트로소트라이메틸트라이아민을 들 수 있다. 하이드라자이드계 발포제로서는, 예를 들어, 4,4'-옥시비스(벤젠설폰일하이드라자이드)(OBSH), 파라톨루엔설폰일하이드라자이드, 다이페닐설폰-3,3'-다이설폰일하이드라자이드, 2,4-톨루엔다이설폰일하이드라자이드, p,p-비스(벤젠설폰일하이드라자이드)에터, 벤젠-1,3-다이설폰일하이드라자이드, 및 알릴비스(설폰일하이드라자이드)를 들 수 있다. 세미카바자이드계 발포제로서는, 예를 들어, p-톨루일렌설폰일세미카바자이드, 및 4,4'-옥시비스(벤젠설폰일세미카바자이드)를 들 수 있다. 불화 알케인계 발포제로서는, 예를 들어, 트라이클로로모노플루오로메테인 및 다이클로로모노플루오로메테인을 들 수 있다. 트라이아졸계 발포제로서는, 예를 들어 5-모폴릴-1,2,3,4-싸이아트라이아졸을 들 수 있다.
무기계 발포제로서는, 예를 들어, 탄산수소 나트륨 및 탄산수소 암모늄 등의 탄산수소염, 탄산 나트륨 및 탄산 암모늄 등의 탄산염, 아질산 나트륨 및 아질산 암모늄 등의 아질산염, 및 수소화 붕소 나트륨 등의 수소화 붕소염을 들 수 있다.
가스 발생 입자는, 바람직하게는 유기계 발포제의 입자, 보다 바람직하게는 아조계 발포제의 입자(아조 화합물 입자), 더 바람직하게는 ADCA 입자이다. ADCA 입자의 시판품으로서는, 비니포르 시리즈 및 FE 시리즈(이상, 에이와 화성 공업사제)를 들 수 있다. ADCA 등의 아조계 발포제는, OBSH 등의 하이드라자이드계 발포제와 달리, 가열 발포 후의 발포제 잔사가 적기 때문에, 후술하는 피착체 오염을 억제하는 데 호적하다.
가스 발생 입자의 형상으로서는, 예를 들어, 대략 구(球) 형상, 대략 판(편평) 형상, 대략 침 형상, 부정형 형상 등을 들 수 있다.
가스 발생 입자의 평균 입자경은, 점착제층(10)에 있어서의 발생 가스의 균일화의 관점에서는, 예를 들어 1000μm 이하, 바람직하게는 100μm 이하, 보다 바람직하게는 10μm 이하, 특히 바람직하게는 7.5μm 이하, 가장 바람직하게는 5μm 이하이다. 또한, 가스 발생 입자의 평균 입자경은, 가스 발생 입자를 미(微)분산시키기 위한 후술하는 분산제의 배합 비율을 저감하는 관점에서는, 바람직하게는 0.1μm 이상이다.
용해형 가스 발생제로서는, 예를 들어, 3-아자이도메틸-3-메틸옥세테인을 개환 중합하는 것에 의해 얻어지는 글라이시딜아자이드 폴리머 등의 아자이드기 함유 폴리머를 들 수 있다. 그 외, 예를 들어 일본 특허공개 2003-231867호 공보에 기재된 용해형 가스 발생제를 이용해도 된다.
가스 발생제의 가스 발생량은, 예를 들어 50ml/g 이상이고, 바람직하게는 100ml/g 이상, 보다 바람직하게는 125ml/g 이상이며, 또한, 예를 들어 1000ml/g 이하이다.
가스 발생제의 배합 비율은, 점착제층(10)에 있어서의 가스 발생량의 확보의 관점에서는, 점착 성분의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 1질량부 이상, 보다 바람직하게는 10질량부 이상, 더 바람직하게는 20질량부 이상이다. 또한, 동 배합 비율은, 점착제층(10)에 있어서의 점착 성분 배합량의 확보의 관점에서는, 점착 성분의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 100질량부 이하, 보다 바람직하게는 80질량부 이하, 더 바람직하게는 60질량부 이하이다.
제 1 점착제 조성물은, 점착 성분 및 가스 발생제에 더하여 다른 성분을 포함해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어, 분산제, 레이저광 흡수제, 및 안료를 들 수 있다.
분산제는, 제 1 점착제 조성물에 있어서의 가스 발생 입자의 분산성을 향상시킨다. 분산제로서는, 예를 들어, 폴리머형 분산제를 들 수 있다. 분산제의 시판품으로서는, 예를 들어, 플로렌 DOPA 시리즈(교에이샤 화학 주식회사제), 솔스퍼스 시리즈(닛폰 루브리졸 주식회사제), EFKA 시리즈(에프카 애디티브즈사제), DisperBYK 시리즈(빅케미·재팬 주식회사제), 및 디스파론 시리즈(구스모토 화성 주식회사)를 들 수 있다.
분산제의 배합 비율은, 가스 발생 입자 100질량부에 대해서, 바람직하게는 10질량부 이상, 보다 바람직하게는 30질량부 이상이며, 또한, 바람직하게는 100질량부 이하, 보다 바람직하게는 70질량부 이하이다.
레이저광 흡수제는, 후술하는 제 2 공정에서 사용되는 레이저광을 흡수 가능하고 흡수 에너지를 열이나 적외선 등으로 바꾸어 방출 가능한 성분이다. 제 2 공정에서의 레이저광으로서 자외선 레이저를 사용하는 경우에는, 레이저광 흡수제는, 바람직하게는 자외선 흡수제이다. 레이저광 흡수제의 배합 비율은, 점착 성분의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 1질량부 이상, 보다 바람직하게는 3질량부 이상이며, 또한, 바람직하게는 40질량부 이하, 보다 바람직하게는 30질량부 이하이다.
자외선 흡수제로서는, 예를 들어, 벤조페논계 자외선 흡수제, 벤조트라이아졸계 자외선 흡수제, 살리실산 에스터계 자외선 흡수제, 및 사이아노아크릴레이트계 자외선 흡수제를 들 수 있고, 바람직하게는 벤조페논계 자외선 흡수제를 들 수 있다. 점착 성분은, 1종류의 자외선 흡수제를 함유해도 되고, 2종류 이상의 자외선 흡수제를 함유해도 된다.
벤조페논계 자외선 흡수제로서는, 예를 들어, 2,4-다이하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논-5-설폰산, 2-하이드록시-4-옥틸옥시벤조페논, 4-도데실옥시-2-하이드록시벤조페논, 4-벤질옥시-2-하이드록시벤조페논, 2,2'-다이하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 및 2,2'-다이하이드록시-4,4'-다이메톡시벤조페논을 들 수 있다.
벤조트라이아졸계 자외선 흡수제로서는, 예를 들어, 2-(2-하이드록시-5-tert-뷰틸페닐)-2H-벤조트라이아졸, 벤젠프로판산 3-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-5-(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시의 탄소수 7∼9의 알킬 에스터, 2-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀, 2-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸뷰틸)페놀, 2-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-p-크레졸, 2-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀, 2-[5-클로로-2H-벤조트라이아졸-2-일]-4-메틸-6-(tert-뷰틸)페놀, 2-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-4,6-다이-tert-펜틸페놀, 및 2-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸뷰틸)페놀을 들 수 있다.
살리실산 에스터계 자외선 흡수제로서는, 예를 들어, 페닐 2-아크릴로일옥시벤조에이트, 페닐 2-아크릴로일옥시-3-메틸벤조에이트, 페닐 2-아크릴로일옥시-4-메틸벤조에이트, 페닐 2-아크릴로일옥시-5-메틸벤조에이트, 페닐 2-아크릴로일옥시-3-메톡시벤조에이트, 페닐 2-하이드록시벤조에이트, 페닐 2-하이드록시-3-메틸벤조에이트, 페닐 2-하이드록시-4-메틸벤조에이트, 페닐 2-하이드록시-5-메틸벤조에이트, 페닐 2-하이드록시-3-메톡시벤조에이트, 및 2,4-다이-tert-뷰틸페닐 3,5-다이-tert-뷰틸-4-하이드록시벤조에이트를 들 수 있다.
사이아노아크릴레이트계 자외선 흡수제로서는, 예를 들어, 알킬 2-사이아노아크릴레이트, 사이클로알킬 2-사이아노아크릴레이트, 알콕시알킬 2-사이아노아크릴레이트, 알켄일 2-사이아노아크릴레이트, 및 알킨일 2-사이아노아크릴레이트를 들 수 있다.
자외선 흡수제 등 레이저광 흡수제의 배합 비율은, 점착 성분의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 1질량부 이상, 보다 바람직하게는 3질량부 이상이며, 또한, 바람직하게는 50질량부 이하, 보다 바람직하게는 20질량부 이하이다.
가스 발생제를 함유하는 점착제층(10)의 1cm2당의 최대 가스 발생량은, 후술하는 제 2 공정에서의 피착체 박리성을 확보하는 관점에서는, 바람직하게는 2μl/cm2 이상, 보다 바람직하게는 5μl/cm2 이상이다. 동 최대 가스 발생량은, 예를 들어 50μl/cm2 이하, 바람직하게는 40μl/cm2 이하이다. 점착제층(10)의 1cm2당의 최대 가스 발생량이란, 점착제층(10)에 있어서의 1cm2당에 함유되는 가스 발생제의 모두가 가스화되었다는 상정에 있어서의 발생 가스의 양을, 0℃ 및 1기압의 조건에서의 체적으로 나타내는 것이다. 최대 가스 발생량의 구체적인 구하는 방법은, 후기하는 실시예에 관해서 기재하는 바와 같다.
점착제층(10)을 형성하는 제 1 점착제 조성물의 고형분 1g당의 최대 가스 발생량은, 후술하는 제 2 공정에서의 피착체 박리성을 확보하는 관점에서는, 바람직하게는 5ml/g 이상, 보다 바람직하게는 10ml/g 이상이다. 동 가스 발생량은, 바람직하게는 50ml/g 이하, 보다 바람직하게는 40ml/g 이하이다. 제 1 점착제 조성물의 고형분 1g당의 최대 가스 발생량이란, 제 1 점착제 조성물 고형분에 있어서의 1g당에 함유되는 가스 발생제의 모두가 가스화되었다는 상정에 있어서의 발생 가스의 양을, 0℃ 및 1기압의 조건에서의 체적으로 나타내는 것이다.
점착제층(10)의 두께는, 피착체(20)에 대한 점착력을 확보하는 관점에서는, 바람직하게는 1μm 이상, 보다 바람직하게는 5μm 이상, 더 바람직하게는 10μm 이상, 특히 바람직하게는 20μm 이상이다. 후술하는 제 2 공정에서 조사되는 레이저광의 투과율을 확보하는 관점에서는, 바람직하게는 200μm 이하, 보다 바람직하게는 100μm 이하, 더 바람직하게는 50μm 이하이다. 점착제층(10)의 두께는, 점착제층(10)의 면(11)과 면(12) 사이의 거리이다.
점착제층(10)에 있어서의 후술하는 레이저광의 투과율은, 바람직하게는 85% 이하, 보다 바람직하게는 60% 이하, 보다 바람직하게는 55% 이하, 보다 바람직하게는 40% 이하, 보다 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 5% 이하, 보다 바람직하게는 2% 이하이다. 점착제층(10)의 당해 투과율은, 예를 들어, 점착제층(10) 중의 베이스 폴리머의 모노머 조성 및 배합량, 점착제층(10) 중의 가스 발생제의 종류 및 배합량, 및 점착제층(10)의 두께에 의해, 조정하는 것이 가능하다.
제 1 점착제 조성물은, 점착 성분과, 가스 발생제와, 필요에 따라서 배합되는 그 외의 성분을 각각 준비한 후, 이들을 혼합하는 것에 의해 조제할 수 있다. 가스 발생제로서 가스 발생 입자를 이용하는 경우에는, 가스 발생 입자를 유기 용매(분산매)에 분산시켜 얻어지는 분산액과 점착 성분을 혼합하여, 제 1 점착제 조성물을 조제할 수 있다.
유기 용매로서는, 예를 들어, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 아이소뷰틸 케톤, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메탄올, 에탄올, 아이소프로판올, 에틸렌 글라이콜 모노메틸 에터 아세테이트, 프로필렌 글라이콜 모노메틸 에터 아세테이트, 다이클로로메테인, 및 클로로폼을 들 수 있다.
분산액에 있어서의 유기 용매의 배합 비율은, 분산액에 있어서의 가스 발생 입자의 함유 비율이, 예를 들어 1질량% 이상, 바람직하게는 5질량% 이상, 또한, 예를 들어 50질량% 이하, 바람직하게는 30질량% 이하가 되도록, 조정된다.
가스 발생 입자는, 상기한 분산제의 존재하에서 유기 용매에 분산시켜도 된다. 또한, 가스 발생 입자는, 비즈 밀 등의 밀 등의 분산기를 사용하여, 바람직하게는 분산제와 함께, 유기 용매 중에 분산시켜도 된다.
이와 같이 하여 얻어지는 제 1 점착제 조성물을 기재 시트 상에 도포하여 도막을 형성하고, 그 후, 그 도막을 건조하고 필요에 따라서 유기 용매를 제거하는 것에 의해, 점착제 조성물의 고형분으로 이루어지는 점착제층(10)을 점착 시트(X)로서 형성할 수 있다. 기재 시트 상의 점착제층(10)의 노출면은, 다른 기재 시트에 의해 피복해도 된다. 이들 기재 시트는, 전술한 첩합체(100)를 준비하기에 즈음하여 점착 시트(X)로부터 박리된다. 기재 시트로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 시트, 폴리에틸렌 시트, 폴리프로필렌 시트 등, 폴리염화 바이닐 시트, 폴리이미드 시트, 폴리아마이드 시트, 레이온 시트 등의 플라스틱계 기재 시트를 들 수 있다.
피착체의 박리 방법에 있어서의 제 2 공정에서는, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 첩합체(100)의 점착제층(10)측에 레이저광(L)을 조사하여, 점착제층(10)에 있어서의 일부의 영역을 가열한다.
본 공정에서는, 복수의 피착체(20) 중 일부의 피착체(20)가 첩합되어 있는, 점착제층(10)의 부분 영역에 대해서, 레이저광(L)이 조사된다. 레이저광 조사 개소는, 점착제층(10)에 있어서의 소정 영역에 걸쳐서 소인(掃引; sweep)되어도 된다. 또한, 일부의 피착체(20)란, 하나의 피착체(20)여도 되고, 2개 이상의 피착체(20)여도 된다. 도 1B에는, 복수의 피착체(20) 중 하나의 피착체(20)가 첩합되어 있는 점착제층(10)의 부분 영역에 대해서 레이저광(L)이 조사되는 경우를, 제 2 공정의 일례로서 나타낸다.
본 공정에서 사용되는 레이저광은, 바람직하게는 자외선 레이저이며, 보다 바람직하게는, 파장 351nm의 레이저광 또는 파장 355nm의 레이저광이다. 이와 같은 자외선 영역의 파장의 레이저광은, 지향성이 높은 레이저광으로서 실용적이다.
본 공정에서는, 점착제층(11)에 있어서의 부분적 가열에 의해 가열 영역 내의 가스 발생제가 가열되어 가스가 발생하여, 점착제층(10)의 당해 영역에 있어서 피착체(20)에 대한 점착력이 저하된다. 그 결과, 도 1C에 나타내는 바와 같이, 점착제층(10)으로부터 피착체(20)가 선택적으로 박리된다. 이와 같은 제 2 공정을 반복하는 것에 의해, 소정의 2 이상의 피착체(20)를 소망의 순번으로 선택적으로 박리해도 된다.
본 방법의 제 2 공정에서는, 전술한 바와 같이, 복수의 피착체(20)가 첩합되어 있는 점착제층(10)에 대해서 레이저광(L)이 조사된다. 지향성이 높은 에너지선인 레이저광(L)의 조사는, 점착제층(10)을 부분적으로 가열하는 데 적합하고, 따라서, 점착제층(10)의 부분 영역에 있어서 가스 발생제를 가열하여 가스를 발생시키는 데 적합하다. 이와 같은 레이저광(L) 조사가 행해지는 본 방법은, 점착제층(10)에 있어서, 복수의 피착체(20) 중 일부의 피착체(20)가 첩합되어 있는 영역을 선택적으로 가열하는 데 적합하고, 따라서, 당해 영역에 있어서의 대피착체 점착력을 저하시켜 일부의 피착체(20)를 점착제층(10)으로부터 선택적으로 박리하는 데 적합하다.
점착제층(10)에 있어서의 레이저광(L)(제 2 공정에서의 조사 레이저광)의 투과율은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 85% 이하, 보다 바람직하게는 60% 이하, 보다 바람직하게는 55% 이하, 보다 바람직하게는 40% 이하, 보다 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 5% 이하, 보다 바람직하게는 2% 이하이다. 이와 같은 구성은, 레이저광 조사에 의해 점착제층(10) 및 그것에 포함되는 가스 발생제를 효율 좋게 가열하여 점착제층(10) 중에 가스를 발생시키는 데 적합하고, 따라서, 점착제층(10)으로부터 피착체(20)를 선택적으로 박리하기 위한 에너지를 억제하는 데 적합하다. 제 2 공정에서 이용되는 레이저광의 조사 에너지는, 바람직하게는 1500mJ/cm2 이하, 보다 바람직하게는 850mJ/cm2 이하, 더 바람직하게는 650mJ/cm2 이하, 특히 바람직하게는 400mJ/cm2 이하이다.
또한, 제 2 공정에서는, 첩합체(100)의 점착제층(10)(조사 레이저광 투과율 60% 이하)측에 대해 가열용의 레이저광(L)이 조사된다. 이와 같은 구성은, 피착체(20)의 열부하를 억제하는 데 적합하다.
점착제층(10)을 형성하는 제 1 점착제 조성물은, 전술한 바와 같이, 레이저광(L)을 흡수 가능한 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 당해 성분은, 전술한 레이저광(L)으로서 자외선 레이저를 이용하는 경우에는 특히, 바람직하게는 자외선 흡수제이다. 이들 구성은, 제 2 공정에 있어서, 자외선 레이저 등의 레이저광(L)의 조사에 의해 점착제층(10)을 효율 좋게 승온시키는 데 적합하고, 따라서, 점착제층(10) 중의 가스 발생제를 효율 좋게 가열하여 가스를 발생시키는 데 적합하다.
점착제층(10) 중의 가스 발생제는, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 가스 발생 입자이며, 보다 바람직하게는 아조 화합물 입자이다. 가스 발생량이 큰 가스 발생제를 점착제층(10)이 함유한다고 하는 당해 구성은, 점착제층(10)에 있어서 가스 발생제 함유 비율을 억제하여 점착 성분 함유 비율을 확보하는 것에 의해 양호한 대피착체 점착력을 실현함과 함께, 가스 발생제 함유 비율을 억제하면서도 피착체 박리 시의 가스 발생량을 확보하는 데 적합하다.
첩합체(100)의 점착제층(10)은, 전술한 바와 같은 단층 구성 대신에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 피착체(20)측에 위치하는 제 1 층(10A)과 투명 기재(30)측에 위치하는 제 2 층(10B)의 2층 구성을 가져도 된다. 제 1 층(10A)은, 전술한 제 1 점착제 조성물로부터 형성되는 층으로서, 그 조성은, 점착제층(10)에 관해서 전술한 것과 마찬가지이다. 제 2 층(10B)은, 가스 발생제를 함유하지 않는 층이며, 예를 들어, 가스 발생제를 함유하지 않는 것 이외에는 제 1 점착제 조성물과 마찬가지의 조성의 제 2 점착제 조성물로부터 형성되는 층이다. 이와 같은 변형예에 의하면, 점착제층(10)의 두께를 확보하는 것에 의해 피착체(20)에 대한 점착제층(10)의 점착력을 확보하면서, 전술한 제 2 공정에서, 점착제층(10)에 있어서의 피착체(20)측의 점착력을 적절히 저감하는 것이 가능하다. 본 변형예에 있어서, 점착제층(10)의 1cm2당의 최대 가스 발생량이란, 제 1 층(10A) 및 제 2 층(10B)을 포함하는 점착제층(10)에 있어서의 1cm2당에 함유되는 가스 발생제의 모두가 가스화되었다는 상정에 있어서의 발생 가스의 양을, 0℃ 및 1기압의 조건에서의 체적으로 나타내는 것이다.
실시예
〔실시예 1〕
〈가스 발생 입자 분산액의 조제〉
가스 발생 입자(상품명 「FE-788」, ADCA 입자, 평균 입자경 6μm, 가스 발생량 135ml/g, 에이와 화성사제) 20g과, 분산제(상품명 「플로렌 DOPA-100」, 교에이샤 화학사제) 10g과, 아세트산 에틸 70g을 포함하는 혼합물을, 비즈 밀로 1시간 교반하여, 가스 발생 입자를 분쇄했다. 이것에 의해, 가스 발생 입자로서 평균 입자경 0.5μm의 ADCA 입자를 함유하는 가스 발생 입자 분산액을 얻었다.
〈점착 시트의 제작〉
아크릴 폴리머(상품명 「SK-1811L」, 소켄 화학 주식회사제) 100질량부와, 아이소사이아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」, 닛폰 폴리우레탄 공업사제) 3질량부와, 가스 발생 입자 분산액 125질량부(가스 발생 입자 25질량부를 함유 한다)와, 점착 부여제(상품명 「수미라이트 레진 PR-12603」, 로진 페놀계 수지, 스미토모 베이클라이트사제) 10질량부와, 아세트산 에틸을 균일하게 혼합하여 도포액(바니시)을 조제했다. 다음에, 제 1 기재 시트(두께 38μm의 PET제 세퍼레이터) 상에 도포액을 도포하여 도막을 형성한 후, 기재 시트 상에 있어서, 도막을 건조하여 점착제층의 제 1 층(두께 5μm)을 형성했다. 한편, 가스 발생 입자 분산액을 이용하지 않았던 것, 및 두께를 5μm 대신에 20μm로 한 것 이외에는 점착제층의 제 1 층의 형성과 마찬가지로 하여, 점착제층의 제 2 층을 제 2 기재 시트(두께 38μm의 PET제 세퍼레이터) 상에 형성했다.
그리고, 제 1 기재 시트 상의 제 1 층의 노출면과, 제 2 기재 시트 상의 제 2 층의 노출면을 첩합하여, 제 1 기재 시트와 제 2 기재 시트에 끼워진 점착 시트를 제작했다. 실시예 1에 있어서의 점착제층의 제 1 층에 관한 조성을 표 1에 게시한다(후기하는 각 실시예와 각 비교예에 대해서도 마찬가지이다). 표 1에 있어서, 조성을 나타내는 각 수치의 단위는 「질량부」이다.
〈첩합체의 제작〉
우선, 점착 시트를 3cm각의 사이즈로 절출하여 점착 시트편을 얻었다. 다음에, 점착 시트편으로부터 그 제 2 층측의 제 2 기재 시트를 박리한 후, 점착 시트를 그 제 2 층측에 유리 기판(상품명 「대형 슬라이드 글라스 S9111」, 두께 1mm, 마쓰나미 유리 공업 주식회사제)에 첩합하고, 2kg의 핸드 롤러를 1왕복시키는 압착 작업에 의해 유리와 점착 시트편을 압착시켰다. 다음에, 점착 시트편의 제 1 층측의 제 1 기재 시트를 박리한 후, 이것에 의해 노출된 점착제층의 제 1 층에 대해, 피착체로서 복수의 실리콘 칩을 첩부했다. 각 실리콘 칩은, 실리콘 웨이퍼(두께 50μm)로부터 0.5mm각의 사이즈로 절출된 것이다. 이상과 같이 하여, 실시예 1의 첩합체를 제작했다. 실시예 1의 첩합체는, 투명한 유리 기재와 복수의 실리콘 칩이 점착제층에 의해 접합된 구성을 갖고, 점착제층은, 실리콘 칩측의 제 1 층(5μm)과 유리 기재측의 제 2 층(20μm)의 적층 구성을 갖는다.
〔실시예 2, 3〕
점착 시트(점착제층)의 제 1 층의 형성에 있어서 그 두께를 5μm로부터 10μm(실시예 2) 또는 20μm(실시예 3)로 대신한 것 이외에는 실시예 1의 첩합체와 마찬가지로 하여, 실시예 2, 3의 각 첩합체를 제작했다.
〔실시예 4〕
점착 시트의 제 1 층의 형성에 있어서, 도포액에 자외선 흡수제(상품명 「KEMISORB 111」, 벤조페논계 자외선 흡수제, 케미프로 화성 주식회사제) 5질량부를 배합한 것, 및 제 1 층의 두께를 5μm로부터 10μm로 한 것 이외에는 실시예 1의 첩합체와 마찬가지로 하여, 실시예 4의 첩합체를 제작했다.
〔실시예 5〕
점착 시트의 제 1 층의 형성에 있어서, 가스 발생 입자의 배합량을 25질량부 대신에 50질량부로 한 것, 도포액에 자외선 흡수제(상품명 「KEMISORB 111」, 케미프로 화성 주식회사제) 20질량부를 배합한 것, 및 제 1 층의 두께를 5μm로부터 10μm로 한 것 이외에는 실시예 1의 첩합체와 마찬가지로 하여, 실시예 5의 첩합체를 제작했다.
〔실시예 6〕
점착 시트의 제 1 층의 형성에 있어서, 가스 발생 입자의 배합량을 25질량부 대신에 10질량부로 한 것 이외에는 실시예 1의 첩합체와 마찬가지로 하여, 실시예 6의 첩합체를 제작했다.
〔비교예 1〕
점착 시트의 제 1 층의 형성에 있어서, 가스 발생 입자 분산액을 이용하지 않았던 것 이외에는 실시예 1의 첩합체와 마찬가지로 하여, 비교예 1의 첩합체를 제작했다.
〔비교예 2〕
점착 시트의 제 1 층의 형성에 있어서, 가스 발생 입자 분산액을 이용하지 않았던 것, 및 도포액에 자외선 흡수제(상품명 「KEMISORB 111」, 케미프로 화성 주식회사제) 20질량부를 배합한 것 이외에는 실시예 1의 첩합체와 마찬가지로 하여, 비교예 2의 첩합체를 제작했다.
〈최대 가스 발생량〉
실시예 및 비교예에 있어서의 각 점착 시트에 대해, 최대 가스 발생량을 조사했다. 구체적으로는, 점착 시트로부터 절출한 2∼3mg의 점착 시트편(점착제층)을, 그것에 알루미늄 호일을 첩합한 후, 가열로형 파일로라이저(DSP)를 사용하여 가열했다. 이 가열에 있어서, 승온 속도를 2℃/분으로 하고, 최종 온도를 250℃로 했다. 그리고, DSP에서 발생한 가스의 양을, 가스 크로마토그래피 질량 분석법에 의해 측정했다. 동 법에 있어서, 가스 크로마토그래피에는, 가스 크로마토그래피 장치(상품명 「6890Plus」, Agilent Technologies제)를 사용하고, 질량 분석에는, 질량 분석 장치(상품명 「5973N」, Agilent Technologies제)를 사용하고, 가스 발생량은 데케인 환산치로서 구했다. 그리고, 점착 시트(점착제층)의 단위 질량(1g)당의 가스 발생량으로부터, 점착제층을 이루는 점착제 조성물 고형분 1g당의 최대 가스 발생량(0℃ 및 1기압의 조건에서의 체적)을 구한 후, 동 점착 시트의 단위 면적(1cm2)당의 최대 가스 발생량(0℃ 및 1기압의 조건에서의 체적)을 구했다. 점착 시트의 단위 면적(1cm2)당의 최대 가스 발생량(μl/cm2)을 표 1에 게시한다.
〈점착력〉
실시예 및 비교예에 있어서의 각 점착 시트(점착제층)에 대해, 다음과 같이 하여 점착력을 조사했다. 우선, 제 1 기재 시트와 제 2 기재 시트에 끼워진 점착 시트로부터 제 2 기재 시트를 박리하고, 이것에 의해 노출된 점착제층의 제 2 층측에 PET 시트(두께 25μm)를 첩합하여 적층체를 얻었다. 다음에, 이 적층체로부터 점착 시트 시료편(폭 20mm×길이 100mm)을 절출했다. 다음에, 점착 시트 시료편으로부터 제 1 기재 시트를 박리하고, 이것에 의해 노출된 제 1 층측을, 23℃ 환경하에 있어서, 피착체인 SUS판(SUS304)에 첩합하고, 2kg의 롤러를 1왕복시키는 압착 작업에 의해 시료편과 피착체를 압착시켰다. 그리고, 23℃ 환경하에서의 30분간의 방치 후, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 시마즈 제작소제)를 사용하여, SUS판에 대한 점착 시트 시료편의 점착력(N/20mm)을 측정했다. 본 측정에서는, 측정 온도를 23℃로 하고, SUS판에 대한 시료편의 박리 각도를 180°로 하고, 점착 시트 시료편의 인장 속도를 300mm/분으로 했다. 그 결과를 표 1에 게시한다.
〈투과율〉
실시예 및 비교예에 있어서의 각 점착 시트(점착제층)의 투과율을 조사했다. 점착 시트(점착제층)의 투과율은, 유리와 압착시킨 후 또한 제 1 기재 시트를 박리한 후이고, 실리콘 칩이 첩부되기 전의 적층체 상태에서, 조사했다. 구체적으로는, 우선, 분광 광도계(상품명 「분광 광도계 U-4100」, 히타치 하이테크 사이언스제)를 사용하여, 유리 상의 점착 시트에 대해, 280nm∼800nm의 파장 범위에 걸친 광투과율을 측정했다. 점착 시트 자체에 있어서의 파장 355nm의 투과율(%)을 표 1에 게시한다.
〈박리성〉
실시예 및 비교예에 있어서의 각 첩합체에 대해, 실리콘 칩의 박리성을 조사했다. 구체적으로는, 레이저 조사 장치(상품명 「5335 XI」, ESI제)를 사용하여, 첩합체의 유리 기판 너머로 점착제층에 있어서의 하나의 실리콘 칩 첩착 영역에 대해서 레이저광 조사에 의한 부분 가열을 행하고, 당해 영역에 첩착되어 있는 실리콘 칩(0.5mm각)의 박리의 유무를 조사하는 박리 시험을 행했다. 본 시험에서는, 조사 레이저광으로서, 펄스 조사되는 파장 355nm의 레이저 빔(빔 직경 45μm)을 이용했다. 그 펄스의 반복 주파수는 90kHz로 했다. 하나의 실리콘 칩 첩착 영역(0.5mm×0.5mm)에 대한 부분 가열은, 동 영역의 전체에 걸쳐서 레이저 빔의 조사 개소를 소인하는 것에 의해 행했다. 구체적으로는, 레이저 빔 조사 개소가 소정 사이즈의 정방형의 네 변을 이루도록 레이저 빔 조사 개소를 소인하는 네모형[矩形] 소인을, 실리콘 칩 첩착 영역의 중앙부로부터 최외곽까지 이어지는 동심 네모형을 이루도록, 상이한 정방형 사이즈에 걸쳐서 복수회 행했다. 또한, 첩합체 자체에, 하나의 실리콘 칩 첩착 영역에 대한 조사 에너지 350mJ/cm2에서의 박리 시험과, 다른 실리콘 칩 첩착 영역에 대한 조사 에너지 630mJ/cm2에서의 박리 시험과, 추가로 다른 실리콘 칩 첩착 영역에 대한 조사 에너지 840mJ/cm2에서의 박리 시험과, 추가로 다른 실리콘 칩 첩착 영역에 대한 조사 에너지 1260mJ/cm2에서의 박리 시험을 행했다(사용 장치에 있어서, 레이저 빔의 펄스당의 조사 에너지를 조정하는 것에 의해 조사 에너지를 제어하는 것이 가능하다). 그리고, 점착제층으로부터의 실리콘 칩의 박리성에 대해, 레이저광 조사에 의해 점착제층으로부터 실리콘 칩이 박리되었을 경우를 ○라고 평가하고, 박리되지 않았던 경우를 ×라고 평가했다. 평가 결과를 표 1에 게시한다.
Figure pct00001
본 발명의 피착체의 박리 방법은, 예를 들어, 반도체 부품 등 전자 부품의 제조 과정에 있어서 당해 전자 부품에 첩합되는 점착 시트를 박리하는 데 이용할 수 있다. 본 발명의 점착제 조성물은, 당해 방법에 이용되는 점착 시트를 제작하는 데 이용할 수 있다.
100 첩합체
X 점착 시트
10 점착제층
11, 12 면
10A 제 1 층
10B 제 2 층
20 피착체
30 투명 기재
L 레이저광

Claims (8)

  1. 점착 성분 및 가스 발생제를 함유하는 점착제층과, 당해 점착제층에 첩합되어 있는 복수의 피착체를 포함하는 첩합체를 준비하는 제 1 공정과,
    상기 첩합체에 있어서의 상기 점착제층측에 레이저광을 조사하여 상기 점착제층의 일부를 가열하는 제 2 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 피착체의 박리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층에 있어서의 상기 레이저광의 투과율이 85% 이하인 것을 특징으로 하는,
    피착체의 박리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저광의 파장이 351nm 또는 355nm인 것을 특징으로 하는, 피착체의 박리 방법.
  4. 제 1 항에 기재된 피착체의 박리 방법에 있어서의 상기 점착제층을 형성하기 위해서 이용되는 것을 특징으로 하는, 점착제 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 점착제층이, 상기 레이저광을 흡수 가능한 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는, 점착제 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 성분이 자외선 흡수제인 것을 특징으로 하는, 점착제 조성물.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 가스 발생제가 가스 발생 입자인 것을 특징으로 하는, 점착제 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스 발생 입자가 아조 화합물 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 점착제 조성물.
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