KR20210058952A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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귀창 강
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Abstract

기판 처리 장치(1)에서는, 상하 방향으로 배열되는 복수의 처리부(31)보다 상방에, 복수의 집합관(61a~61c)이 배치된다. 복수의 집합관(61a~61c)은, 복수의 유체 구분에 각각 대응한다. 또, 복수의 처리부(31)로부터 상방을 향함과 더불어, 복수의 처리부(31)로부터의 배기가 각각 유입되는 복수의 배기관(4)이 설치된다. 각 배기관(4)의 상단부에는, 당해 상단부를 복수의 집합관(61a~61c)에 접속함과 더불어, 당해 배기관(4)을 흐르는 배기의 유로를 복수의 집합관(61a~61c) 사이에서 전환하는 유로 전환부(5)가 설치된다. 기판 처리 장치(1)에서는, 배기관(4)에 있어서의 압력 손실을 저감함과 더불어, 푸트프린트를 작게 할 수 있다.

Description

기판 처리 장치
본 발명은, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스의 제조에서는, 반도체 기판(이하, 간단히 「기판」이라고 한다.)에 대해, 여러 가지 종류의 처리 유체를 이용하여 처리를 행하는 기판 처리 장치가 이용되고 있다. 또, 일본국 특허공개 2016-72480호 공보(문헌 1)에서는, 기판 처리 장치로부터 배출되는 배기의 도출처를, 처리 유체의 종류에 따라, 3개의 배기 처리 장치 사이에서 전환하는 배기 전환 장치가 개시되어 있다. 문헌 1에서는, 기판 처리 장치는 클린 룸에 설치되고, 배기 전환 장치는, 서브패브(Sub-Fab)로 불리는, 클린 룸의 계하(階下) 스페이스에 설치된다. 배기 전환 장치를 설치함으로써, 환경 부하의 저감이 가능해진다. 또한, 국제 공개 제WO2014/103523호에서는, 복수의 처리실에 대응하는 배기 전환 유닛을 다단 상태로 편입하여 구성한 배기 전환 장치가 개시되어 있으며, 배기 전환 장치에 캐스터를 장착하여 이동 가능하게 하는 것이나, 배기 전환 장치를 설치 장소의 바닥면에 볼트로 고정하는 것이 기재되어 있다.
그런데, 문헌 1에 기재된 바와 같이, 배기 전환 장치를 서브패브에 배치하는 경우, 기판 처리 장치의 처리부로부터 배기 전환 장치까지 연속하는 배기관의 길이가 길어지기 때문에, 배기관에 있어서의 압력 손실이 커져 버린다. 배기 전환 장치를 처리부의 측방에 배치하여, 배기관을 짧게 하는 것도 생각할 수 있지만, 기판 처리 장치 전체의 푸트프린트가 커져 버린다.
본 발명은, 기판 처리 장치를 향해져 있으며, 배기관에 있어서의 압력 손실을 저감함과 더불어, 기판 처리 장치의 푸트프린트를 작게 하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 각각이 복수 종류의 처리 유체를 기판에 공급 가능하고, 상하 방향으로 배열된 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부로부터 상방을 향함과 더불어, 상기 복수의 처리부로부터의 배기가 각각 유입되는 복수의 배기관과, 상기 복수의 처리부보다 상방에 배치되고, 상기 복수 종류의 처리 유체를 분류한 2 이상의 유체 구분에 각각 대응하는 2 이상의 집합관과, 각각이 하나의 배기관의 상단부에 설치됨과 더불어, 상기 상단부를 상기 2 이상의 집합관에 접속하여, 상기 배기관을 흐르는 배기의 유로를 상기 2 이상의 집합관 사이에서 전환하는 복수의 유로 전환부와, 상기 복수의 처리부에 있어서 이용되는 처리 유체에 따라 상기 복수의 유로 전환부를 제어하는 제어부를 구비한다.
본 발명에 의하면, 배기관에 있어서의 압력 손실을 저감함과 더불어, 기판 처리 장치의 푸트프린트를 작게 할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 형태에서는, 상기 2 이상의 집합관이, 상기 상하 방향에 있어서 상기 복수의 처리부와 겹쳐진다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 기판 처리 장치가, 상기 복수의 처리부를 지지하는 지지 프레임을 추가로 구비하고, 상기 2 이상의 집합관이, 상기 지지 프레임에 대해 고정된다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 2 이상의 집합관이, 상기 상하 방향에 대략 수직인 길이 방향으로 연장되어 있으며, 상기 기판 처리 장치가, 상기 복수의 처리부, 상기 복수의 배기관 및 상기 복수의 유로 전환부의 집합을 적층 유닛으로 하여, 상기 적층 유닛과 같은 구성을 가짐과 더불어, 상기 적층 유닛에 대해 상기 길이 방향에 위치하는 또 하나의 적층 유닛을 추가로 구비한다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 각 배기관이, 처리부로부터 상방으로 연장되는 제1 배기 경로와, 상기 제1 배기 경로의 상단으로부터 상기 상하 방향에 대략 수직인 방향으로 연장되는 부위를 갖고, 유로 전환부에 접속되는 제2 배기 경로를 구비하고, 상기 복수의 배기관에 있어서의 복수의 제1 배기 경로의 상단이 서로 근접하여 배치되고, 상기 복수의 제1 배기 경로의 길이가 서로 상이하고, 상기 복수의 배기관에 있어서의 복수의 제2 배기 경로의 길이가 서로 상이하며, 상기 복수의 배기관에 포함되는 2개의 배기관의 각 조합에 있어서, 한쪽의 배기관에 있어서의 상기 제1 배기 경로의 길이가 다른 쪽의 배기관에 있어서의 상기 제1 배기 경로보다 길고, 상기 한쪽의 배기관에 있어서의 상기 제2 배기 경로의 길이가 상기 다른 쪽의 배기관에 있어서의 상기 제2 배기 경로보다 짧다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 각 처리부가, 상기 상하 방향으로 연장되는 긴 구멍을 통해, 상기 상하 방향으로 연장되는 배기관과 접속된다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 기판 처리 장치가, 상기 복수의 배기관 내에 소정의 액체를 각각 분출하는 복수의 액체 분출부와, 상기 복수의 배기관의 하단부로부터 하방을 향하는 복수의 배액관을 추가로 구비한다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 기판 처리 장치가, 상기 복수의 배기관에 각각 설치되는 복수의 압력 조정부를 추가로 구비하고, 각 압력 조정부가, 배기관 내의 압력을 측정하는 압력 센서와, 상기 압력 센서의 측정치에 의거하여 상기 배기관 내를 흐르는 상기 배기의 유량을 조정하는 유량 조정 기구를 구비한다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 각 압력 조정부가, 처리부의 배기구에 인접하는 영역에 배치된다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 기판 처리 장치가, 각각이 상기 2 이상의 집합관에 접속됨과 더불어, 상기 복수의 유로 전환부에 대응하는 복수의 외기 도입부를 추가로 구비하고, 각 유로 전환부에 대응하는 외기 도입부가, 상기 각 유로 전환부에 의해 상기 배기의 유로로서 선택된 집합관을 제외한 집합관에 외기를 도입한다.
이 경우에, 각 외기 도입부가, 상기 2 이상의 집합관에 연통하는 외기 도입구의 개구 면적을 변경하는 셔터를 갖는 것이 바람직하다.
상술의 목적 및 다른 목적, 특징, 양태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하고 이하에 행하는 이 발명의 상세한 설명에 의해 분명하게 된다.
도 1은, 기판 처리 장치의 외관을 나타내는 도면이다.
도 2는, 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은, 적층 유닛을 나타내는 도면이다.
도 4는, 제2 배기 경로를 나타내는 평면도이다.
도 5는, 유로 전환부 및 외기 도입부의 내부 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은, 배기관의 하단부 근방의 내부 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은, 집합관군에 접속되는 복수의 적층 유닛을 나타내는 도면이다.
도 8은, 복수의 집합관의 다른 배열을 나타내는 도면이다.
도 1은, 본 발명의 하나의 실시의 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 외관을 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치(1)는, 후술하는 처리부(31)에 있어서 기판(9)을 1장씩 처리하는 매엽식 장치이다. 도 1에서는, 서로 직교하는 3개의 방향을 X방향, Y방향 및 Z방향으로서 나타내고 있다. 전형적으로는, Z방향은 상하 방향(연직 방향)이며, X방향 및 Y방향은 수평 방향이다.
도 2는, (＋Z)측으로부터 (-Z)방향을 향하여 본 기판 처리 장치(1)를 나타내는 평면도이다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 제어부(10)와, 지지 프레임(20)과, 용기 재치(載置)부(21)와, 인덱서 로봇(22)과, 센터 로봇(23)과, 복수의 적층 유닛(3)과, 복수의 집합관군(6)을 구비한다. 제어부(10)는, 기판 처리 장치(1)의 전체 제어를 담당한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 용기 재치부(21)는, 기판 처리 장치(1)의 (-Y)측의 단부에 설치되고, 복수의 용기 재치대(211)를 갖는다. 복수의 용기 재치대(211)는 X방향으로 늘어선다. 각 용기 재치대(211)에는, 복수의 기판(9)을 수납하는 수납 용기(C)가 재치된다. 수납 용기(C)는, 복수의 기판(9)을 다단으로 수납하는 캐리어이다. 인덱서 로봇(22)은, 용기 재치부(21)의 근방에 배치된다. 인덱서 로봇(22)은, 수납 용기(C)로부터 미처리의 기판(9)을 반출함과 더불어, 처리가 끝난 기판(9)을 수납 용기(C) 내에 반입한다. 또, 인덱서 로봇(22)은, 센터 로봇(23)과의 사이에서 기판(9)을 수도(受渡)한다. 센터 로봇(23)은, 인덱서 로봇(22)의 (＋Y)측에 있어서, X방향의 거의 중앙에 배치된다. 센터 로봇(23)은, 인덱서 로봇(22)으로부터 받은 미처리의 기판(9)을 후술의 처리부(31) 내에 반입한다. 또, 센터 로봇(23)은, 처리부(31)로부터 처리가 끝난 기판(9)을 반출하고, 당해 기판(9)을 인덱서 로봇(22)에 넘겨준다.
복수의 적층 유닛(3)은, 센터 로봇(23)의 주위에 배치된다. 도 2의 예에서는, 센터 로봇(23)의 (＋X)측에 있어서 2개의 적층 유닛(3)이 Y방향으로 늘어서고, 센터 로봇(23)의 (-X)측에 있어서 2개의 적층 유닛(3)이 Y방향으로 늘어선다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 각 적층 유닛(3)은, 복수의 처리부(31)를 포함한다. 복수의 처리부(31)는, 상하 방향으로 배열된다. 본 실시의 형태에서는, 각 적층 유닛(3)은 3개의 처리부(31)를 갖는다. 각 적층 유닛(3)에 있어서의 처리부(31)의 개수는, 2이어도 되고, 4 이상이어도 된다. 지지 프레임(20)은, 기판 처리 장치(1)의 주된 구성을 지지하는 지지체이다. 도 1에서는, 지지 프레임(20)의 일부를 굵은 파선으로 나타내고 있다. 복수의 적층 유닛(3)의 처리부(31)는, 볼트 등에 의해 지지 프레임(20)에 장착되고, 지지 프레임(20)에 의해 지지된다.
도 1 및 도 2에서는, 각 처리부(31)에 있어서의 처리 챔버의 외형을 파선의 직사각형으로 나타내고 있다. 처리부(31)에서는, 처리 챔버의 내부에, 기판 유지부, 노즐부 등이 설치된다. 처리부(31)에서는, 기판 유지부에 유지되는 기판(9)에 대해, 노즐부를 통해 복수 종류의 처리 유체를 공급 가능하다. 처리 유체가, 액체인 경우, 예를 들면, 기판 유지부를 회전시키는 기판 회전부, 및, 기판 유지부의 주위를 둘러싸는 컵부가 추가로 설치되고, 회전하는 기판(9) 상에 공급된 처리 유체는 컵부에 의해 받아져 회수된다. 또, 처리 챔버의 상방에는, 팬 필터 유닛(FFU)이 설치되어 있어, 처리 챔버 내에 있어서 하방을 향하는 기류가 형성된다. 처리부(31)에 있어서 이용되는 처리 유체는, 복수의 유체 구분으로 분류된다. 본 실시의 형태에서는, 복수의 유체 구분은, 산성 약액, 알칼리성 약액 및 유기용제를 포함한다. 처리 유체는, 기체이어도 된다.
산성 약액은, 예를 들면, DHF(희불화수소산), SC2(염산과산화수소수), BHF(Buffered HF), 황산, SPM(황산과산화수소수), 불질산(불화수소산과 질산의 혼합액) 등이다. 알칼리성 약액은, 예를 들면, SC1(암모니아과산화수소수), 암모니아수, 불화암모늄 용액, TMAH(수산화테트라메틸암모늄) 등이다. 유기용제는, IPA(이소프로필알코올), 메탄올, 에탄올, HFE(하이드로플루오로에테르), 아세톤 등이다. 유기용제는 혼합액이어도 되고, 예를 들면, IPA와 아세톤의 혼합액, IPA와 메탄올의 혼합액 등이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에서는, 산성 약액 공급 유닛(81), 알칼리성 약액 공급 유닛(82) 및 유기용제 공급 유닛(83)도 설치된다. 산성 약액 공급 유닛(81), 알칼리성 약액 공급 유닛(82) 및 유기용제 공급 유닛(83)은, 복수의 적층 유닛(3)의 (＋Y)측에 배치된다. 산성 약액 공급 유닛(81)은, 산성 약액을 저류함과 더불어, 처리부(31)의 노즐부에 산성 약액을 공급한다. 알칼리성 약액 공급 유닛(82)은, 알칼리성 약액을 저류함과 더불어, 처리부(31)의 노즐부에 알칼리성 약액을 공급한다. 유기용제 공급 유닛(83)은, 유기용제를 저류함과 더불어, 처리부(31)의 노즐부에 유기용제를 공급한다.
복수의 집합관군(6)은, 복수의 적층 유닛(3)의 상방에 배치된다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 각 집합관군(6)은, 복수의 집합관(61a, 61b, 61c)을 구비한다. 각 집합관군(6)에 포함되는 복수의 집합관(61a~61c)은, 상하 방향으로 적층된 상태에서, 상하 방향에 대략 수직인 방향(도 1 중 Y방향이며, 이하, 「길이 방향」이라고 한다.)으로 연장된다. 본 실시의 형태에서는, 길이 방향에 수직인 집합관(61a~61c)의 단면 형상은, 직사각형이다(후술의 도 3 참조). 집합관(61a~61c)의 단면 형상은, 다른 형상이어도 된다. 복수의 집합관(61a~61c)은, 도시 생략의 부재를 통해 지지 프레임(20)에 대해 고정된다.
도 1 및 도 2의 예에서는, 2개의 집합관군(6)이 설치되고, 각 집합관군(6)이 3개의 집합관(61a~61c)을 포함한다. 또, 각 집합관군(6)은, 길이 방향으로 늘어서는 2개의 적층 유닛(3)의 상방에 배치되고, 당해 2개의 적층 유닛(3)에 포함되는 각 처리부(31)는, 후술의 배기관(4) 등을 통해 당해 집합관군(6)의 3개의 집합관(61a~61c)에 접속된다. 당해 집합관군(6)의 3개의 집합관(61a~61c)은, 당해 2개의 적층 유닛(3)에 포함되는 복수의 처리부(31)와 상하 방향으로 겹쳐진다. 즉, 도 2와 같이 기판 처리 장치(1)를 평면에서 봤을 경우에, 당해 3개의 집합관(61a~61c)은, 당해 복수의 처리부(31)와 겹쳐진다. 기판 처리 장치(1)에서는, 센터 로봇(23)의 상방에 있어서 팬 필터 유닛(FFU)이 설치되는데, 상하 방향에 있어서, 복수의 집합관(61a~61c)이 복수의 처리부(31)와 겹쳐짐으로써, 팬 필터 유닛에 있어서의 공기의 취입(取入)이, 집합관(61a~61c)에 의해 방해되는 것이 방지된다.
각 집합관군(6)에 포함되는 복수의 집합관(61a~61c)은, 기술(旣述)의 복수의 유체 구분에 각각 대응한다. 본 실시의 형태에서는, 상하 방향으로 적층되는 복수의 집합관(61a~61c) 중, 가장 상측의 집합관(61a)은, 산성 약액에 대응한다. 즉, 처리부(31) 내에 있어서 산성 약액을 이용할 때에, 처리부(31)로부터 배출되는 기체(이하, 「산성 배기」라고 한다.)의 배출 라인으로서, 가장 상측의 집합관(61a)이 이용된다. 산성 배기는, 예를 들면 산성 약액으로부터 발생하는 기체 및 미스트를 포함한다. 마찬가지로, 처리부(31) 내에 있어서 알칼리성 약액을 이용할 때에, 처리부(31)로부터 배출되는 기체(이하, 「알칼리성 배기」라고 한다.)의 배출 라인으로서, 가장 하측의 집합관(61c)이 이용된다. 알칼리성 배기는, 예를 들면 알칼리성 약액으로부터 발생하는 기체 및 미스트를 포함한다. 또, 처리부(31) 내에 있어서 유기용제를 이용할 때에, 처리부(31)로부터 배출되는 기체(이하, 「유기 배기」라고 한다.)의 배출 라인으로서, 중앙의 집합관(61b)이 이용된다. 유기 배기는, 예를 들면 유기용제로부터 발생하는 기체 및 미스트를 포함한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 복수의 집합관(61a~61c)의 (＋Y)측의 단부는, 배기 유닛(62)에 접속된다. 배기 유닛(62)에서는, 상하 방향으로 연장되는 복수의 배기로가 설치되어 있으며, 복수의 집합관(61a~61c)은, 복수의 배기로의 상단에 각각 접속된다. 각 배기로의 하단은, 공장 배관에 접속된다. 공장 배관은, 대략 일정한 압력으로 감압되어 있다. 산성 배기, 알칼리성 배기 및 유기 배기는, 공장 배관을 통해 개별의 배기 처리 설비로 안내되어, 적절히 처리된다. 공장 배관의 배치에 따라서는, 각 집합관(61a~61c)이, 당해 집합관(61a~61c)으로부터 상방으로 연장되는 배기로를 통해, 공장 배관에 접속되어도 된다.
도 3은, (-Y)측으로부터 (＋Y)방향을 향하여 본 적층 유닛(3)을 나타내는 도면이다. 각 적층 유닛(3)은, 복수의 처리부(31)에 더하여, 복수의 배기관(4)과, 복수의 유로 전환부(5)와, 복수의 외기 도입부(7)를 추가로 구비한다. 복수의 배기관(4)은, 복수의 처리부(31)에 각각 접속된다. 각 배기관(4)은, 처리부(31)로부터 배출되는 산성 배기, 알칼리성 배기 및 유기 배기(이하, 「배기」라고 총칭한다.)가 유입되는 유로이다. 또한, 처리부(31)에서 이용되는 처리액(산성 약액, 알칼리성 약액 및 유기용제를 포함한다.)은, 도시 생략의 배액 라인을 통해 배출된다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 각 배기관(4)은, 제1 배기 경로(41)와, 제2 배기 경로(42)를 구비한다. 제1 배기 경로(41)는 상하 방향으로 연장되어 있으며, 제1 배기 경로(41)의 하단(411)은, 처리부(31)에 접속된다. 제1 배기 경로(41)의 하단(411)은, 배기관(4)의 하단부이며, 이하, 「하단부(411)」라고 한다. 배기관(4)의 하단부(411) 근방에는, 후술의 압력 조정부(46) 등(도 6 참조)이 설치된다. 제1 배기 경로(41)의 상단(412)은, 당해 처리부(31)보다 상방에 위치한다. 제1 배기 경로(41)의 상단(412)에는, 제2 배기 경로(42)가 접속된다.
기술과 같이, 각 적층 유닛(3)에 있어서, 복수의 처리부(31)는 상하 방향으로 적층되어 있으며, 당해 복수의 처리부(31)에 접속되는 복수의 제1 배기 경로(41)에서는, 상하 방향에 있어서의 하단부(411)의 위치가 서로 상이하다. 한편, 당해 복수의 제1 배기 경로(41)에서는, 상하 방향에 있어서의 상단(412)의 위치가 서로 같다. 따라서, 복수의 제1 배기 경로(41)의 길이는 서로 상이하다. 당해 복수의 제1 배기 경로(41) 중, 가장 하측에 배치되는 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)의 길이가 최대가 되고, 가장 상측에 배치되는 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)의 길이가 최소가 된다. 상하 방향으로 3개의 처리부(31)가 적층되는 도 3의 예에서는, 하단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)의 길이가, 중단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)보다 길고, 중단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)의 길이가, 상단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)보다 길다.
또, 각 적층 유닛(3)에서는, 제1 배기 경로(41)의 하단부(411)의, 처리부(31)에 대한 상대 위치가, 복수의 제1 배기 경로(41)에 있어서 같다. 구체적으로는, 처리부(31)에 있어서의 Y방향을 향하는 측면에 있어서, X방향의 단부에 하단부(411)가 장착된다. 또, 복수의 제1 배기 경로(41)에 있어서의 상단(412)이 서로 근접하면서 X방향으로 늘어서도록, 중단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41), 및, 하단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)에서는, 상하 방향에 대해 경사진 방향으로 연장되는 부위가 설치된다.
도 4는, 도 3 중의 (＋X)측의 적층 유닛(3)에 있어서의 복수의 제2 배기 경로(42)를 나타내는 평면도이다. 각 제2 배기 경로(42)는, 제1 접속 단부(421)와, 제2 접속 단부(422)를 구비한다. 제1 접속 단부(421) 및 제2 접속 단부(422)는, 제2 배기 경로(42)의 양단부이다.
복수의 제2 배기 경로(42)의 제1 접속 단부(421)는, X방향으로 늘어서 있으며, 복수의 제1 접속 단부(421)에는, 복수의 제1 배기 경로(41)의 상단(412)이 각각 접속된다. 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 가장 (-X)측의 제1 접속 단부(421)에는, 상단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)의 상단(412)이 접속되고, 당해 제1 접속 단부(421)는, 당해 제1 배기 경로(41)를 통해 상단의 처리부(31)에 접속한다. 이와 같이, 가장 (-X)측의 제1 접속 단부(421), 및, 당해 제1 접속 단부(421)를 갖는 제2 배기 경로(42)는, 상단의 처리부(31)에 대응한다. 마찬가지로, 당해 제1 접속 단부(421)의 (＋X)측에 인접하는 제1 접속 단부(421)에는, 중단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)의 상단(412)이 접속되고, 당해 제1 접속 단부(421), 및, 당해 제1 접속 단부(421)를 갖는 제2 배기 경로(42)는, 중단의 처리부(31)에 대응한다. 또, 가장 (＋X)측의 제1 접속 단부(421)에는, 하단의 처리부(31)에 접속하는 제1 배기 경로(41)의 상단(412)이 접속되고, 당해 제1 접속 단부(421), 및, 당해 제1 접속 단부(421)를 갖는 제2 배기 경로(42)는, 하단의 처리부(31)에 대응한다.
복수의 제2 배기 경로(42)의 제2 접속 단부(422)는, 집합관(61a~61c)의 길이 방향(Y방향)을 따라 늘어서 있으며, 복수의 제2 접속 단부(422)에는, 복수의 유로 전환부(5)가 각각 접속된다. 제1 접속 단부(421)가 가장 (＋X)측에 배치되는 제2 배기 경로(42), 즉, 하단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)에서는, 제1 접속 단부(421)로부터 제2 접속 단부(422)까지의 경로는 X방향으로만 연장된다. 다른 2개의 제2 배기 경로(42), 즉, 중단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42), 및, 상단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)에서는, 제1 접속 단부(421)로부터 제2 접속 단부(422)까지의 경로가, Y방향으로 연장되는 부위와, X방향으로 연장되는 부위를 가지며, L자형이다. 복수의 제2 배기 경로(42)에 있어서의 상기 경로의 길이는, 서로 상이하다. 구체적으로는, 상단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)의 길이가, 중단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)보다 길고, 중단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)의 길이가, 하단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)보다 길다. 또한, 도 4의 제2 배기 경로(42)의 형상은 일례에 불과하며, 제2 배기 경로(42)는, 제1 배기 경로(41)의 상단으로부터 상하 방향에 대략 수직인 방향으로 연장되는 부위를 갖는 다른 형상이어도 된다.
기술과 같이, 각 적층 유닛(3)에 포함되는 복수의 배기관(4)에서는, 복수의 제1 배기 경로(41) 중, 상단의 처리부(31)에 대응하는 제1 배기 경로(41)의 길이가 최소이며, 하단의 처리부(31)에 대응하는 제1 배기 경로(41)의 길이가 최대이다. 또, 복수의 제2 배기 경로(42) 중, 상단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)의 길이가 최대이며, 하단의 처리부(31)에 대응하는 제2 배기 경로(42)의 길이가 최소이다. 따라서, 복수의 배기관(4)에 포함되는 2개의 배기관(4)의 각 조합에서는, 한쪽의 배기관(4)에 있어서의 제1 배기 경로(41)의 길이가 다른 쪽의 배기관(4)에 있어서의 제1 배기 경로(41)보다 길고, 당해 한쪽의 배기관(4)에 있어서의 제2 배기 경로(42)의 길이가 당해 다른 쪽의 배기관(4)에 있어서의 제2 배기 경로(42)보다 짧아진다. 또한, 기판 처리 장치(1)의 설계에 따라서는, 2개의 배기관(4)의 각 조합에 있어서의 상기 관계가 성립하지 않아도 된다.
도 5는, 유로 전환부(5) 및 외기 도입부(7)의 내부 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 5에서는, 후술의 압력 조정부(46)도 도시하고 있다. 기술과 같이, 유로 전환부(5)는, 배기관(4)의 상단부인 제2 배기 경로(42)(도 4 참조)에 장착되어 있으며, 배기관(4)을 통해 하나의 처리부(31)에 접속된다. 유로 전환부(5)는, 분기관(51)과, 복수의 배기 개폐 밸브(53a, 53b, 53c)를 구비한다. 분기관(51)의 일단은, 배기관(4)에 접속된다. 분기관(51)의 타단은, 복수의 분기로(52a, 52b, 52c)로 분기되어 있으며, 복수의 분기로(52a~52c)가, 집합관군(6)의 복수의 집합관(61a~61c)에 각각 접속된다. 이와 같이, 유로 전환부(5)는, 배기관(4)의 상단부를 복수의 집합관(61a~61c)에 접속한다.
본 실시의 형태에서는, 분기로(52a)는, 산성 배기용의 집합관(61a)에 접속되고, 분기로(52b)는, 유기 배기용의 집합관(61b)에 접속되며, 분기로(52c)는, 알칼리성 배기용의 집합관(61c)에 접속된다. 복수의 분기로(52a~52c)의 내부에는, 복수의 배기 개폐 밸브(53a~53c)가 각각 설치된다. 배기 개폐 밸브(53a~53c)는, 예를 들면 버터플라이 밸브이다. 배기 개폐 밸브(53a~53c)는, 다른 종류의 밸브이어도 된다. 각 배기 개폐 밸브(53a~53c)는, 에어 실린더 또는 모터 등의 액추에이터(도시 생략)에 접속되어 있으며, 배기 개폐 밸브(53a~53c)에 의해, 분기로(52a~52c)의 유로가 개폐 가능하다.
외기 도입부(7)는, 집합관군(6)을 사이에 두고 각 유로 전환부(5)에 대향하는 위치에 배치되고, 복수의 집합관(61a~61c)에 접속된다. 외기 도입부(7)는, 분기관(71)과, 복수의 외기 개폐 밸브(73a, 73b, 73c)와, 셔터(79)를 구비한다. 분기관(71)의 일단은, 외기 도입구(711)로서 개구하고 있다. 후술하는 바와 같이, 외기 도입구(711)는, 분기관(71)을 통해 복수의 집합관(61a~61c)에 연통한다. 외기 도입구(711)에는, 셔터(79)가 설치된다. 셔터(79)는, 예를 들면, 2개의 판형 부재(791)를 구비하고, 2개의 판형 부재(791)는, 외기 도입구(711)의 개구면을 따라 이동 가능하다. 셔터(79)에서는, 2개의 판형 부재(791)의 위치를 변경함으로써, 외기 도입구(711)의 개구 면적을 변경하는 것이 가능하다.
분기관(71)의 타단은, 복수의 분기로(72a, 72b, 72c)로 분기되어 있으며, 복수의 분기로(72a~72c)가, 집합관군(6)의 복수의 집합관(61a~61c)에 각각 접속된다. 즉, 분기로(72a)는, 산성 배기용의 집합관(61a)에 접속되고, 분기로(72b)는, 유기 배기용의 집합관(61b)에 접속되며, 분기로(72c)는, 알칼리성 배기용의 집합관(61c)에 접속된다. 복수의 분기로(72a~72c)의 내부에는, 복수의 외기 개폐 밸브(73a~73c)가 각각 설치된다. 외기 개폐 밸브(73a~73c)는, 예를 들면 버터플라이 밸브이다. 외기 개폐 밸브(73a~73c)는, 다른 종류의 밸브이어도 된다. 각 외기 개폐 밸브(73a~73c)는, 에어 실린더 또는 모터 등의 액추에이터(도시 생략)에 접속되어 있으며, 외기 개폐 밸브(73a~73c)에 의해, 분기로(72a~72c)의 유로가 개폐 가능하다.
기판 처리 장치(1)에서는, 각 처리부(31)에 있어서 이용되는 처리 유체에 따라, 당해 처리부(31)에 대응하는 유로 전환부(5) 및 외기 도입부(7)가 제어부(10)에 의해 제어된다. 구체적으로는, 각 유로 전환부(5)가 접속된 처리부(31) 내에 있어서 산성 약액을 이용할 때에는, 분기로(52a) 내의 배기 개폐 밸브(53a)가 열리고, 다른 배기 개폐 밸브(53b, 53c)가 닫혀진다. 이에 의해, 당해 처리부(31)로부터의 산성 배기가, 산성 배기용의 집합관(61a)에 안내되고, 다른 집합관(61b, 61c)에는 안내되지 않는다. 이 때, 외기 도입부(7)의 분기로(72a) 내의 외기 개폐 밸브(73a)가 닫혀지고, 다른 외기 개폐 밸브(73b, 73c)가 열린다. 이에 의해, 유기 배기용의 집합관(61b), 및, 알칼리성 배기용의 집합관(61c)에, 외기가 분기로(72b, 72c)를 통해 안내된다.
또, 당해 처리부(31) 내에 있어서 유기용제를 이용할 때에는, 분기로(52b) 내의 배기 개폐 밸브(53b)가 열리고, 다른 배기 개폐 밸브(53a, 53c)가 닫혀진다. 이에 의해, 당해 처리부(31)로부터의 유기 배기가, 유기 배기용의 집합관(61b)에 안내되고, 다른 집합관(61a, 61c)에는 안내되지 않는다. 이 때, 외기 도입부(7)의 분기로(72b) 내의 외기 개폐 밸브(73b)가 닫혀지고, 다른 외기 개폐 밸브(73a, 73c)가 열린다. 이에 의해, 산성 배기용의 집합관(61a), 및, 알칼리성 배기용의 집합관(61c)에, 외기가 분기로(72a, 72c)를 통해 안내된다.
또한, 당해 처리부(31) 내에 있어서 알칼리성 약액을 이용할 때에는, 분기로(52c) 내의 배기 개폐 밸브(53c)가 열리고, 다른 배기 개폐 밸브(53a, 53b)가 닫혀진다. 이에 의해, 당해 처리부(31)로부터의 알칼리성 배기가, 알칼리성 배기용의 집합관(61c)에 안내되고, 다른 집합관(61a, 61b)에는 안내되지 않는다. 이 때, 외기 도입부(7)의 분기로(72c) 내의 외기 개폐 밸브(73c)가 닫혀지고, 다른 외기 개폐 밸브(73a, 73b)가 열린다. 이에 의해, 산성 배기용의 집합관(61a), 및, 유기 배기용의 집합관(61b)에, 외기가 분기로(72a, 72b)를 통해 안내된다.
이상과 같이, 각 유로 전환부(5)에서는, 배기관(4)을 흐르는 배기의 유로가, 복수의 집합관(61a~61c) 사이에서 전환된다. 또, 당해 유로 전환부(5)에 대응하는 외기 도입부(7)에서는, 당해 유로 전환부(5)에 의해 배기의 유로로서 선택된 집합관을 제외한 집합관에 외기가 도입된다. 각 외기 도입부(7)에서는, 각 집합관(61a~61c)으로의 외기의 도입 유량이, 당해 집합관(61a~61c)에만 배기를 도입하는 경우의 배기의 유량과 근사하도록, 외기 도입구(711)의 개구 면적이 셔터(79)를 이용하여 미리 조정된다. 이에 의해, 각 집합관(61a~61c)에 유입되는 기체의 유량을, 상시 거의 일정하게 유지하는 것이 가능해져, 집합관(61a~61c)에 있어서의 압력 변동이 억제된다.
도 6은, 배기관(4)의 하단부(411) 근방의 내부 구성을 나타내는 도면이다. 처리부(31)의 처리 챔버에 있어서, Y방향을 향하는 면에는, 상하 방향으로 연장되는 긴 구멍(311)이 형성된다. 상하 방향으로 연장되는 배기관(4)의 하단부(411)에도, 상하 방향으로 연장되는 긴 구멍(413)이 형성된다. 처리부(31)의 긴 구멍(311)과 배기관(4)의 긴 구멍(413)이 겹쳐지도록, 배기관(4)이 처리부(31)에 장착된다. 이와 같이, 긴 구멍(311, 413)을 통해 처리부(31)와 배기관(4)이 접속됨으로써, 처리부(31)와 배기관(4)의 접속부에 있어서의 유로 면적을 크게 하여, 압력 손실을 작게 하는 것이 가능하다.
기판 처리 장치(1)는, 복수의 압력 조정부(46)와, 복수의 액체 분출부(47)와, 복수의 배액관(48)을 추가로 구비한다. 압력 조정부(46) 및 배액관(48)은, 각 배기관(4)의 하단부(411), 즉, 처리부(31)의 배기구(긴 구멍(311))에 인접하는 영역에 배치된다. 액체 분출부(47)는, 각 처리부(31) 내의 긴 구멍(311) 근방에 설치된다. 압력 조정부(46)는, 압력 센서(461)와, 유량 조정 기구(462)를 구비한다. 유량 조정 기구(462)는, 댐퍼(463)와, 개도(開度) 조정부(464)를 구비한다. 댐퍼(463)는, 긴 구멍(413)보다 상방에 있어서 배기관(4) 내에 설치된다. 개도 조정부(464)는, 예를 들면 모터를 갖고, 댐퍼(463)의 개도를 변경한다. 압력 센서(461)는, 배기관(4) 내에 있어서 긴 구멍(413)의 근방에 설치되어, 배기관(4) 내의 압력을 측정한다. 압력 센서(461)의 측정치는, 제어부(10)에 입력된다. 제어부(10)에서는, 압력 센서(461)의 측정치가 소정치로 일정하게 되도록, 개도 조정부(464)를 이용하여 댐퍼(463)의 개도가 조정된다. 이와 같이, 유량 조정 기구(462)에 의해, 압력 센서(461)의 측정치에 의거하여 배기관(4) 내를 흐르는 배기의 유량이 조정된다.
배액관(48)은, 배기관(4)의 하단부(411)로부터 하방을 향한다. 배액관(48)은, 공장 배관을 통해 배액 처리 설비에 접속된다. 기술과 같이, 액체 분출부(47)는, 처리부(31) 내에 있어서 긴 구멍(311) 근방에 설치된다. 액체 분출부(47)는, 배기관(4) 내에 소정의 액체를 분출하는 노즐부이다. 본 실시의 형태에서는, 순수가 액체 분출부(47)로부터 분출된다. 이에 의해, 약액 등으로부터 생성됨과 더불어, 배기에 포함되는 미소한 결정 등이, 분출된 순수에 포착되어, 순수와 함께 배액관(48)을 통해 배액 처리 설비로 배출된다. 이와 같이, 배기에 포함되는 미소한 결정 등이, 액체 분출부(47)로부터의 순수에 의해 배기로부터 분리된다. 액체 분출부(47)에서는, 순수 이외의 액체가 이용되어도 된다.
도 7은, 하나의 집합관군(6)에 접속되는 복수의 적층 유닛(3)을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 7에서는, 집합관군(6)의 복수의 집합관(61a~61c)을 굵은 실선으로 나타내고 있다. 도 1 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 하나의 적층 유닛(3)에 포함되는 각 처리부(31)가, 배기관(4) 및 유로 전환부(5)를 통해 복수의 집합관(61a~61c)에 접속된다. 또, 당해 하나의 적층 유닛(3)에 대해, 집합관(61a~61c)의 길이 방향(Y방향)에 다른 적층 유닛(3)이 위치하고 있으며, 당해 다른 적층 유닛(3)에 포함되는 각 처리부(31)가, 배기관(4) 및 유로 전환부(5)를 통해 복수의 집합관(61a~61c)에 접속된다. 이와 같이 하여, 각 집합관군(6)의 복수의 집합관(61a~61c)에는, 서로 동일한 구성을 갖는 복수의 적층 유닛(3)이 접속된다.
본 실시의 형태에서는, 배기관(4)에 설치되는 기술의 압력 조정부(46)와 동일한 구조를 갖는 압력 조정부(63)가, 도 7에 나타내는 바와 같이 각 집합관(61a~61c)에 설치된다. 이에 의해, 공장 배관의 압력이, 당해 공장 배관에 접속되어 있는 다른 장치의 영향 등에 의해 변동하는 경우이어도, 당해 공장 배관을 통해 감압되어 있는 집합관(61a~61c) 내의 압력(압력 조정부(63)보다 적층 유닛(3)측의 압력)이, 변동하는 것이 억제된다.
또, 기술과 같이, 각 유로 전환부(5)에 대해 외기 도입부(7)(도 7에서는, 도시를 생략하고 있다.)가 설치되어 있으며, 유로 전환부(5)에 의해 배기의 유로로서 선택되지 않은 집합관에도, 외기 도입부(7)에 의해 외기가 도입된다. 이에 의해, 각 집합관(61a~61c)에 유입되는 기체의 유량을, 거의 일정하게 유지하는 것이 가능해져, 집합관(61a~61c) 내의 압력이, 당해 집합관(61a~61c)에 접속되는 복수의 처리부(31)에 있어서의 처리의 내용에 의존하여 변동하는 것이 억제된다. 또한, 각 배기관(4)에 있어서 압력 조정부(46)가 설치됨으로써, 집합관(61a~61c) 내의 압력의 변동의 억제와 더불어, 처리부(31)의 배기구인 긴 구멍(311) 근방에 있어서의 압력을, 상시 거의 일정하게 유지하는 것이 가능해진다. 그 결과, 각 처리부(31)에 있어서 압력의 조건을 시간적으로 일정하게 함과 더불어, 복수의 처리부(31) 사이에 있어서도 압력의 조건을 일정하게 하는 것이 가능해진다.
그런데, 일본국 특허공개 2016-72480호 공보(상기 문헌 1)의 장치와 같이, 각 처리부에 대한 배기 전환 장치를 서브패브에 배치하는 경우, 처리부로부터 배기 전환 장치까지 연속하는 배기관의 길이가 길어지기 때문에, 배기관에 있어서의 압력 손실이 커져 버린다. 또, 배기 전환 장치의 배치에 따라서는, 복수의 배기관에 있어서 길이나 경로가 상이하여, 당해 복수의 배기관에 접속되는 복수의 처리부에 있어서 압력의 조건이 흐트러지는 경우도 있다. 이 경우, 복수의 처리부에 있어서의 처리 결과에 큰 차가 발생해 버린다. 배기 전환 장치를 처리부의 측방에 배치하여, 배기관을 짧게 하는 경우도 생각할 수 있지만, 기판 처리 장치 전체의 푸트프린트가 커져 버린다. 또, 처리부의 개수를 증가하는 경우에는, 필요로 되는 배기 전환 장치의 개수도 증가하기 때문에, 기판 처리 장치 전체의 푸트프린트는 더욱 커진다(배기 전환 장치를 서브패브에 배치하는 경우도 동일).
이에 대해, 기판 처리 장치(1)에서는, 상하 방향으로 배열되는 복수의 처리부(31)보다 상방에, 복수의 집합관(61a~61c)이 배치된다. 또, 복수의 배기관(4)이, 복수의 처리부(31)로부터 상방을 향하도록 장착된다. 그리고, 각 배기관(4)의 상단부에 유로 전환부(5)가 설치되어, 당해 배기관(4)을 흐르는 배기의 유로가 복수의 집합관(61a~61c) 사이에서 전환된다. 이와 같이, 유로 전환부(5)를 처리부(31)의 근방에 배치함으로써, 배기 전환 장치를 서브패브에 배치하는 경우에 비해, 배기관(4)을 짧게 할 수 있어, 배기관(4)에 있어서의 압력 손실을 저감하는 것이 가능해진다. 또, 복수의 처리부(31)에 있어서의 압력 조건의 편차를 저감하여, 복수의 처리부(31)에 있어서의 처리 결과에 차가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
기판 처리 장치(1)에서는, 복수의 집합관(61a~61c), 및, 복수의 유로 전환부(5)를 상부(천정부)에 배치함으로써, 배기 전환 장치를 처리부의 측방에 배치하는 경우에 비해, 기판 처리 장치(1)의 푸트프린트를 작게 할 수 있다. 또, 처리부의 개수를 증가하는 경우이어도, 푸트프린트의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 집합관(61a~61c) 및 유로 전환부(5)가, 다른 구성에 의해 덮이지 않는 설계가 용이해져, 이 경우, 집합관(61a~61c) 및 유로 전환부(5)의 메인터넌스 등도 용이하게 행하는 것이 가능해진다. 도 1의 기판 처리 장치(1)에서는, 집합관(61a~61c)도, 처리부(31)와 동일하게 지지 프레임(20)에 대해 고정되어 있어, 집합관(61a~61c), 유로 전환부(5) 및 처리부(31)를 일체적으로 설치한 구조가 실현된다.
각 배기관(4)에서는, 처리부(31)로부터 상방으로 연장되는 제1 배기 경로(41)와, 제1 배기 경로(41)의 상단에 접속되는 제2 배기 경로(42)가 설치된다. 제2 배기 경로(42)는, 제1 배기 경로(41)의 상단으로부터 상하 방향에 대략 수직인 방향으로 연장되는 부위를 갖고, 유로 전환부(5)에 접속된다. 각 적층 유닛(3)의 복수의 배기관(4)에 포함되는 2개의 배기관(4)의 각 조합에서는, 한쪽의 배기관(4)에 있어서의 제1 배기 경로(41)의 길이가 다른 쪽의 배기관(4)에 있어서의 제1 배기 경로(41)보다 길고, 당해 한쪽의 배기관(4)에 있어서의 제2 배기 경로(42)의 길이가 당해 다른 쪽의 배기관(4)에 있어서의 제2 배기 경로(42)보다 짧다. 이에 의해, 같은 적층 유닛(3)에 포함되는 복수의 배기관(4)에 있어서, 압력 손실의 차를 작게 할 수 있다.
기판 처리 장치(1)에서는, 배기관(4) 내에 소정의 액체를 분출하는 액체 분출부(47)와, 배기관(4)의 하단부(411)로부터 하방을 향하는 배액관(48)이 추가로 설치된다. 이에 의해, 배기에 포함되는 미소한 결정 등이, 액체 분출부(47)로부터 분출된 액체에 포착되어, 당해 액체와 함께 배액관(48)을 통해 배액 처리 설비로 배출된다. 이에 의해, 당해 결정 등이 배기관(4) 등의 내면에 부착되어, 압력 손실이 증대하는 것을 억제할 수 있다.
여기서, 만일, 처리부(31)로부터 하방을 향하는 배기관을 설치하는 경우에는, 액체 분출부(47)로부터 분출된 액체가 당해 배기관 내를 이동하여 하방으로 향한다. 이 경우, 당해 배기관의 도중에, 당해 액체를 회수하는 회수 탱크가 설치된다. 이러한 구조에서는, 당해 회수 탱크 내의 액체의 양에 의해, 처리부(31)의 배기구 근방에 있어서의 압력이 변동해 버린다. 이에 대해, 기판 처리 장치(1)에서는, 처리부(31)로부터 상방을 향하는 배기관(4)이 설치됨으로써, 상기 구조와 같이 회수 탱크 내의 액체의 양에 의존하는 압력 변동이 발생하는 것이 방지된다.
상기 기판 처리 장치(1)에서는 여러 가지 변형이 가능하다.
상기 실시의 형태에서는, 각 집합관군(6)에 있어서의 복수의 집합관(61a~61c)이 상하 방향으로 배열되는데, 도 8에 나타내는 바와 같이, 복수의 집합관(61a~61c)이, 길이 방향 및 상하 방향에 수직인 방향(X방향)으로 배열되어도 된다. 이 경우에도, 상하 방향에 있어서, 복수의 집합관(61a~61c)이 복수의 처리부(31)와 겹쳐짐으로써, 센터 로봇(23)(도 2 참조)의 상방에 설치되는 팬 필터 유닛에 있어서의 공기의 취입이, 집합관(61a~61c)에 의해 방해되는 것이 방지된다.
또, 각 집합관군(6)에 있어서, 2개의 집합관만이 설치되어도 된다. 이 경우, 일례에서는, 한쪽의 집합관은 산성 배기용이며, 다른 쪽의 집합관은 알칼리성 배기용이다. 다른 예에서는, 한쪽의 집합관은 산성 배기용이며, 다른 쪽의 집합관은 유기 배기용이다. 또, 각 집합관군(6)에 있어서, 4개 이상의 집합관이 설치되어도 되며, 이 경우, 처리부(31)에 있어서 공급 가능한 복수 종류의 처리 유체가, 4 이상의 유체 구분으로 분류된다. 이상과 같이, 기판 처리 장치(1)에서는, 복수 종류의 처리 유체를 분류한 2 이상의 유체 구분에 각각 대응하는 2 이상의 집합관이 설치되어 있으면 된다. 또한, 각 유로 전환부(5)의 배기 개폐 밸브의 개수, 및, 각 외기 도입부(7)의 외기 개폐 밸브의 개수는, 상기 2 이상의 집합관과 같다.
각 배기관(4)에 설치되는 도 6의 압력 조정부(46)에서는, 댐퍼(463)의 개도를 변경함으로써, 배기관(4) 내를 흐르는 배기의 유량이 조정되는데, 예를 들면, 송풍 팬을 유량 조정 기구로서 이용하여 압력 조정부(46)가 실현되어도 된다. 이 경우, 압력 센서(461)의 측정치에 의거하여 송풍 팬의 회전수를 변경함으로써, 배기관(4) 내를 흐르는 배기의 유량이 조정된다. 각 집합관(61a~61c)에 설치되는 압력 조정부(63)(도 7 참조)에 있어서도 동일하게 송풍 팬이 이용되어도 된다.
도 5의 외기 도입부(7)에 있어서, 복수의 분기로(72a~72c)(분기관(71))를 대신하여, 서로 독립된 복수의 관이 설치되어도 된다. 이 경우에, 당해 복수의 관에 있어서의, 복수의 집합관(61a~61c)과는 반대측의 단부에 복수의 외기 도입구(711)가 각각 설치되고, 각 외기 도입구(711)에 셔터(79)가 장착되어도 된다. 이에 의해, 외기의 도입 유량을 집합관(61a~61c)마다 정밀도 좋게 조정하는 것이 가능해진다.
기판 처리 장치(1)의 설계에 따라서는, 각 적층 유닛(3)에 있어서 외기 도입부(7)가 생략되어도 된다. 적층 유닛(3)은, 복수의 처리부(31), 복수의 배기관(4) 및 복수의 유로 전환부(5)의 집합을 적어도 포함하고 있으면 된다.
기판 처리 장치(1)에 있어서 처리가 행해지는 기판은 반도체 기판으로는 한정되지 않으며, 유리 기판이나 다른 기판이어도 된다.
상기 실시의 형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합되어도 된다.
발명을 상세하게 묘사하여 설명했지만, 기술의 설명은 예시적으로서 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한, 다수의 변형이나 양태가 가능하다고 할 수 있다.
1 기판 처리 장치
3 적층 유닛
4 배기관
5 유로 전환부
7 외기 도입부
9 기판
10 제어부
20 지지 프레임
31 처리부
41 제1 배기 경로
42 제2 배기 경로
46 압력 조정부
47 액체 분출부
48 배액관
53a~53c 배기 개폐 밸브
61a~61c 집합관
73a~73c 외기 개폐 밸브
79 셔터
311 (처리부의) 긴 구멍
411 (배기관의) 하단부
412 (제1 배기 경로의) 상단
461 압력 센서
462 유량 조정 기구
711 외기 도입구

Claims (11)

  1. 각각이 복수 종류의 처리 유체를 기판에 공급 가능하고, 상하 방향으로 배열된 복수의 처리부와,
    상기 복수의 처리부로부터 상방을 향함과 더불어, 상기 복수의 처리부로부터의 배기가 각각 유입되는 복수의 배기관과,
    상기 복수의 처리부보다 상방에 배치되고, 상기 복수 종류의 처리 유체를 분류한 2 이상의 유체 구분에 각각 대응하는 2 이상의 집합관과,
    각각이 하나의 배기관의 상단부에 설치됨과 더불어, 상기 상단부를 상기 2 이상의 집합관에 접속하여, 상기 배기관을 흐르는 배기의 유로를 상기 2 이상의 집합관 사이에서 전환하는 복수의 유로 전환부와,
    상기 복수의 처리부에 있어서 이용되는 처리 유체에 따라 상기 복수의 유로 전환부를 제어하는 제어부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 2 이상의 집합관이, 상기 상하 방향에 있어서 상기 복수의 처리부와 겹쳐지는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 처리부를 지지하는 지지 프레임을 추가로 구비하고,
    상기 2 이상의 집합관이, 상기 지지 프레임에 대해 고정되는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2 이상의 집합관이, 상기 상하 방향에 대략 수직인 길이 방향으로 연장되어 있으며,
    상기 기판 처리 장치가, 상기 복수의 처리부, 상기 복수의 배기관 및 상기 복수의 유로 전환부의 집합을 적층 유닛으로 하여, 상기 적층 유닛과 같은 구성을 가짐과 더불어, 상기 적층 유닛에 대해 상기 길이 방향에 위치하는 또 하나의 적층 유닛을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    각 배기관이,
    처리부로부터 상방으로 연장되는 제1 배기 경로와,
    상기 제1 배기 경로의 상단으로부터 상기 상하 방향에 대략 수직인 방향으로 연장되는 부위를 갖고, 유로 전환부에 접속되는 제2 배기 경로
    를 구비하고,
    상기 복수의 배기관에 있어서의 복수의 제1 배기 경로의 상단이 서로 근접하여 배치되고, 상기 복수의 제1 배기 경로의 길이가 서로 상이하고,
    상기 복수의 배기관에 있어서의 복수의 제2 배기 경로의 길이가 서로 상이하며,
    상기 복수의 배기관에 포함되는 2개의 배기관의 각 조합에 있어서, 한쪽의 배기관에 있어서의 상기 제1 배기 경로의 길이가 다른 쪽의 배기관에 있어서의 상기 제1 배기 경로보다 길고, 상기 한쪽의 배기관에 있어서의 상기 제2 배기 경로의 길이가 상기 다른 쪽의 배기관에 있어서의 상기 제2 배기 경로보다 짧은, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    각 처리부가, 상기 상하 방향으로 연장되는 긴 구멍을 통해, 상기 상하 방향으로 연장되는 배기관과 접속되는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 배기관 내에 소정의 액체를 각각 분출하는 복수의 액체 분출부와,
    상기 복수의 배기관의 하단부로부터 하방을 향하는 복수의 배액관
    을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 배기관에 각각 설치되는 복수의 압력 조정부를 추가로 구비하고,
    각 압력 조정부가,
    배기관 내의 압력을 측정하는 압력 센서와,
    상기 압력 센서의 측정치에 의거하여 상기 배기관 내를 흐르는 상기 배기의 유량을 조정하는 유량 조정 기구
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 각 압력 조정부가, 처리부의 배기구에 인접하는 영역에 배치되는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    각각이 상기 2 이상의 집합관에 접속됨과 더불어, 상기 복수의 유로 전환부에 대응하는 복수의 외기 도입부를 추가로 구비하고,
    각 유로 전환부에 대응하는 외기 도입부가, 상기 각 유로 전환부에 의해 상기 배기의 유로로서 선택된 집합관을 제외한 집합관에 외기를 도입하는, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    각 외기 도입부가, 상기 2 이상의 집합관에 연통하는 외기 도입구의 개구 면적을 변경하는 셔터를 갖는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116670801A (zh) * 2021-01-25 2023-08-29 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体器件的制造方法、压力控制装置及基板处理程序
JP2023020664A (ja) * 2021-07-30 2023-02-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2023140910A (ja) 2022-03-23 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006229262A (ja) * 2006-06-02 2006-08-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2012142404A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
WO2014103523A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理装置とその排気切換装置並びに排気切換ユニットと切換弁ボックス
KR20160052346A (ko) * 2014-10-31 2016-05-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3672444B2 (ja) 1998-09-29 2005-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100454241B1 (ko) * 2001-12-28 2004-10-26 한국디엔에스 주식회사 웨이퍼 건조 장비
JP4495618B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法
JP2006019584A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007049093A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5361847B2 (ja) * 2010-02-26 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
JP5240245B2 (ja) 2010-06-22 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
JP5474853B2 (ja) 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
TW201413780A (zh) 2012-09-24 2014-04-01 Eugene Technology Co Ltd 煙氣移除設備及基板處理設備
JP2014197592A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2016072383A (ja) 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6429314B2 (ja) 2014-09-30 2018-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システム
JP6289341B2 (ja) 2014-10-31 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
JP6739285B2 (ja) * 2016-08-24 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7023065B2 (ja) 2016-09-13 2022-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7036642B2 (ja) * 2018-03-23 2022-03-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及びその排気方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006229262A (ja) * 2006-06-02 2006-08-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2012142404A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
WO2014103523A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理装置とその排気切換装置並びに排気切換ユニットと切換弁ボックス
KR20160052346A (ko) * 2014-10-31 2016-05-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치

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