KR20200093554A - 광학 적층체 - Google Patents

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KR20200093554A
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carbon atoms
layer
substituent represented
wavelength conversion
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KR1020207015230A
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고조 나카무라
펑 왕
마이클 웰치
시준 정
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

화상 표시 장치에 사용한 경우에, 반사율을 억제하면서, 충분한 휘도를 발현할 수 있고, 양호한 색상을 발현할 수 있고, 비용 저감을 실현할 수 있는, 광학 적층체를 제공한다. 본 발명의 광학 적층체는, 파장 변환층과, 파장 변환층의 편측에 배치된 흡수층을 구비하고, 흡수층이, 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 의 파장 대역에 흡수 피크를 갖고, 그 흡수층이, 일반식 (I) 또는 일반식 (II) 로 나타내는 화합물 X 를 포함한다.

Description

광학 적층체
본 발명은 광학 적층체에 관한 것이다.
최근, 색 재현성이 우수한 화상 표시 장치로서, 양자 도트 등의 발광 재료로 구성되는 발광층을 구비하는 화상 표시 장치가 주목받고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1). 예를 들어, 양자 도트를 사용한 양자 도트 필름은, 광이 입사하면, 양자 도트가 여기되어 형광을 발광한다. 예를 들어, 청색 LED 의 백라이트를 사용하면, 양자 도트 필름에 의해 청색광의 일부가 적색광 및 녹색광으로 변환되고, 청색광의 일부는 그대로 청색광으로서 출사된다. 그 결과, 백색광을 실현할 수 있다. 또한 이와 같은 양자 도트 필름을 사용함으로써, NTSC 비 100 ％ 이상의 색 재현성이 실현될 수 있다고 되어 있다.
상기와 같은 화상 표시 장치는 반사율이 높다. 그래서, 반사율 저감을 위해서, 상기와 같은 화상 표시 장치에는 편광판이 사용되는 것이 일반적이다.
그러나, 편광판이 사용되는 경우, 휘도의 저하, 색상의 이상, 비용 상승 등의 문제가 발생한다. 이 때문에, 상기와 같은 화상 표시 장치에 있어서, 휘도의 향상, 색상의 개선, 비용 저감이 요구되고 있다.
일본 공개특허공보 2015-111518호
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 주된 목적은, 화상 표시 장치에 사용한 경우에, 반사율을 억제하면서, 충분한 휘도를 발현할 수 있고, 양호한 색상을 발현할 수 있고, 비용 저감을 실현할 수 있는, 광학 적층체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 광학 적층체는, 파장 변환층과, 그 파장 변환층의 편측에 배치된 흡수층을 구비하고, 그 흡수층이, 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 인 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 갖고, 그 흡수층이, 하기 일반식 (I) 또는 일반식 (II) 로 나타내는 화합물 X 를 포함한다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 흡수층이, 하기 일반식 (I) 또는 일반식 (II) 로 나타내는 화합물 X 를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pct00001
식 (I) 에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R1 과 R2 가 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R2 와 R3 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R5 와 R6 이 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R2, R3, R4, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R6 과 R7 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R2, R3, R4, R5 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R1 과 R2 가 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R5 와 R6 이 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R3, R4, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ; 혹은,
R2 와 R3 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R6 과 R7 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R4, R5 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이고 ;
식 (II) 에 있어서, R4, 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기이다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 광학 적층체는, 상기 흡수층의 파장 변환층과는 반대측에, 편광판을 갖지 않는다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 파장 변환층이, 파장 변환 재료로서, 양자 도트 또는 형광체를 포함한다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 파장 변환층이 컬러 필터이다.
본 발명의 다른 국면에 의하면, 화상 표시 장치가 제공된다. 이 화상 표시 장치는, 상기 광학 적층체를 포함한다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 화상 표시 장치는, 상기 광학 적층체를 포함하는 액정 패널과, 백라이트를 구비한다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 액정 패널이, 상기 흡수층과, 상기 파장 변환층과, 시인측 편광판과, 액정 셀과, 백라이트측 편광판을, 시인측으로부터 이 순서로 구비한다.
본 발명에 의하면, 화상 표시 장치에 사용한 경우에, 반사율을 억제하면서, 충분한 휘도를 발현할 수 있고, 양호한 색상을 발현할 수 있고, 비용 저감을 실현할 수 있는, 광학 적층체를 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 광학 적층체를 포함하는 화상 표시 장치의 하나의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다.
도 4 는, 본 발명의 광학 적층체를 포함하는 화상 표시 장치의 하나의 실시형태의 개략 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에는 한정되지 않는다.
≪≪광학 적층체≫≫
도 1 은, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 광학 적층체의 개략 단면도이다.
본 실시형태의 광학 적층체 (100) 는, 파장 변환층 (10) 과, 파장 변환층 (10) 의 편측에 배치된 흡수층 (20) 을 구비한다. 하나의 실시형태에 있어서는, 상기 광학 적층체 (100) 는, 흡수층 (20) 이 시인측이 되도록 하여, 화상 표시 장치의 시인측에 배치된다.
파장 변환층은, 입사광의 일부의 파장을 변환하여 발광하는 층이다.
흡수층은, 후술하는 특정한 색소 (일반식 (I) 또는 (II) 로 나타내는 색소) 를 포함한다. 이와 같은 특정한 색소를 포함하여 흡수층을 형성함으로써, 화상 표시 장치에 사용한 경우에, 반사율을 억제하면서, 충분한 휘도를 발현할 수 있고, 양호한 색상을 발현할 수 있고, 비용 저감을 실현할 수 있는, 광학 적층체를 제공할 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 광학 적층체는, 흡수층의 파장 변환층과는 반대측에, 편광판을 갖지 않는다. 본 발명의 광학 적층체는, 편광판을 구비하지 않아도, 반사율을 억제하면서, 충분한 휘도를 발현할 수 있고, 양호한 색상을 발현할 수 있다. 또, 편광판을 배제함으로써, 휘도 저하의 방지, 및 비용 저감이 가능해진다. 또한 상기 흡수층은, 그 기계적 특성을 자유도 높게 조정하는 것이 가능하기 때문에, 반사 저감 기능에 더하여, 하드 코트층으로서의 기능을 부가하는 등의 설계도 가능하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「흡수층의 파장 변환층과는 반대측에 편광판을 갖지 않는」 형태에는, 당해 지점에 편광자를 갖지 않는 형태, 및 당해 지점에 원 편광판을 갖지 않는 형태도 포함한다.
본 발명의 광학 적층체의 두께는, 바람직하게는 10 ㎛ ∼ 1000 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 15 ㎛ ∼ 800 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 20 ㎛ ∼ 600 ㎛ 이고, 특히 바람직하게는 20 ㎛ ∼ 500 ㎛ 이다.
광학 적층체의 전광선 반사율 (측정 방법에 대해서는 이후에 상세히 서술) 은, 바람직하게는 60 ％ 이하이고, 보다 바람직하게는 50 ％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 40 ％ 이하이고, 특히 바람직하게는 35 ％ 이하이고, 가장 바람직하게는 30 ％ 이하이다. 광학 적층체의 전광선 반사율의 하한값은, 작으면 작을수록 바람직하지만, 예를 들어 5 ％ 이다.
본 발명에 있어서는, 광학 적층체의 반사 색상 (a*, b*) (측정 방법에 대해서는 이후에 상세히 서술) 에 기초하는 D65 에 대한 Δab 가, 바람직하게는 8 이하이고, 보다 바람직하게는 7 이하이고, 더욱 바람직하게는 6 이하이다. Δab 의 하한값은 작으면 작을수록 바람직하고, 이상적으로는 0 이다. 본 발명의 광학 적층체의 Δab 가 상기 범위 내에 있으면, 화상 표시 장치에 사용한 경우에, 보다 양호한 색상을 발현할 수 있다. 또한, Δab 는, (a2 + b2)1/2 의 식에 의해 구해진다.
본 발명의 광학 적층체는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 임의의 적절한 다른 층을 가질 수 있다.
본 발명의 광학 적층체는, 보호 필름을 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 본 발명의 광학 적층체는, 예를 들어, 흡수층의 파장 변환층과는 반대측에 보호 필름을 가지고 있어도 된다.
본 발명의 광학 적층체는, 굴절률 조정층을 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 본 발명의 광학 적층체는, 예를 들어, 흡수층의 파장 변환층과는 반대측에 굴절률 조정층을 가지고 있어도 된다.
≪파장 변환층≫
파장 변환층은, 대표적으로는, 파장 변환 재료를 포함한다. 보다 상세하게는, 파장 변환층은, 매트릭스와 그 매트릭스 중에 분산된 파장 변환 재료를 포함할 수 있다.
파장 변환층은, 예를 들어, 컬러 필터로서 채용해도 된다.
파장 변환층은, 단일층이어도 되고, 적층 구조를 가지고 있어도 된다. 파장 변환층이 적층 구조를 갖는 경우에는, 각각의 층은, 대표적으로는, 상이한 발광 특성을 갖는 파장 변환 재료를 포함할 수 있다.
파장 변환층의 두께 (적층 구조를 갖는 경우에는, 그 총두께) 는, 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 500 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 100 ㎛ ∼ 400 ㎛ 이다. 파장 변환층의 두께가 이와 같은 범위이면, 변환 효율 및 내구성이 우수한 광학 적층체를 얻을 수 있다. 파장 변환층이 적층 구조를 갖는 경우의 각 층의 두께는, 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 300 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 10 ㎛ ∼ 250 ㎛ 이다.
<매트릭스>
매트릭스를 구성하는 재료 (이하, 매트릭스 재료라고도 칭한다) 로는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 임의의 적절한 재료를 사용할 수 있다. 이와 같은 재료로는, 예를 들어, 수지, 유기 산화물, 무기 산화물을 들 수 있다. 매트릭스 재료는, 바람직하게는, 낮은 산소 투과성 및 낮은 투습성을 갖고, 높은 광 안정성 및 높은 화학적 안정성을 갖고, 소정의 굴절률을 갖고, 우수한 투명성을 갖고, 및/또는 파장 변환 재료에 대해 우수한 분산성을 갖는다. 매트릭스는, 실용적으로는, 수지 필름 또는 점착제로 구성될 수 있다.
(수지 필름)
매트릭스가 수지 필름인 경우, 수지 필름을 구성하는 수지로는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 임의의 적절한 수지를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 수지는, 열가소성 수지이어도 되고, 열경화성 수지이어도 되고, 활성 에너지선 경화성 수지이어도 된다. 활성 에너지선 경화성 수지로는, 예를 들어, 전자선 경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 가시광선 경화형 수지를 들 수 있다.
매트릭스가 수지 필름인 경우, 수지 필름을 구성하는 수지의 구체예로는, 예를 들어, 에폭시, (메트)아크릴레이트 (예를 들어, 메틸메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트), 노르보르넨, 폴리에틸렌, 폴리(비닐부티랄), 폴리(비닐아세테이트), 폴리우레아, 폴리우레탄, 아미노실리콘 (AMS), 폴리페닐메틸실록산, 폴리페닐알킬실록산, 폴리디페닐실록산, 폴리디알킬실록산, 실세스퀴옥산, 불화실리콘, 비닐 및 수소화물 치환 실리콘, 스티렌계 폴리머 (예를 들어, 폴리스티렌, 아미노폴리스티렌 (APS), 폴리(아크릴니트릴에틸렌스티렌)(AES)), 2 관능성 모노머와 가교한 폴리머 (예를 들어, 디비닐벤젠), 폴리에스테르계 폴리머 (예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트), 셀룰로오스계 폴리머 (예를 들어, 트리아세틸셀룰로오스), 염화비닐계 폴리머, 아미드계 폴리머, 이미드계 폴리머, 비닐알코올계 폴리머, 에폭시계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 아크릴우레탄계 폴리머를 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 되고, 조합하여 (예를 들어, 블렌드, 공중합) 사용해도 된다. 이들 수지는, 막을 형성 후에 연신, 가열, 가압과 같은 처리를 실시해도 된다. 수지는, 바람직하게는, 열경화성 수지 또는 자외선 경화형 수지이고, 보다 바람직하게는 열경화성 수지이다.
(점착제)
매트릭스가 점착제인 경우, 점착제로는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 임의의 적절한 점착제를 사용할 수 있다. 점착제는, 바람직하게는, 투명성 및 광학적 등방성을 갖는다. 점착제의 구체예로는, 예를 들어, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 에폭시계 점착제, 셀룰로오스계 점착제를 들 수 있다. 점착제는, 바람직하게는, 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제이다.
<파장 변환 재료>
파장 변환 재료는, 파장 변환층의 파장 변환 특성을 제어할 수 있다. 파장 변환 재료로는, 예를 들어, 양자 도트, 형광체를 들 수 있다. 즉, 파장 변환층은, 파장 변환 재료로서, 바람직하게는, 양자 도트 또는 형광체를 포함한다.
파장 변환층에 있어서의 파장 변환 재료의 함유량 (2 종 이상을 사용하는 경우에는 합계의 함유량) 은, 매트릭스 재료 (대표적으로는, 수지 또는 점착제 고형분) 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 중량부 ∼ 50 중량부, 보다 바람직하게는 0.01 중량부 ∼ 30 중량부이다. 파장 변환 재료의 함유량이 이와 같은 범위이면, RGB 모든 색상 밸런스가 우수한 화상 표시 장치를 실현할 수 있다.
(양자 도트)
양자 도트의 발광 중심 파장은, 양자 도트의 재료 및/또는 조성, 입자 사이즈, 형상 등에 따라 조정할 수 있다.
양자 도트는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 임의의 적절한 재료로 구성될 수 있다. 양자 도트는, 바람직하게는 무기 재료, 보다 바람직하게는 무기 도체 재료 또는 무기 반도체 재료로 구성될 수 있다. 반도체 재료로는, 예를 들어, II-VI 족, III-V 족, IV-VI 족, 및 IV 족의 반도체를 들 수 있다. 구체예로는, Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (다이아몬드를 포함한다), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al, Ga, In)2(S, Se, Te)3, Al2CO 를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 양자 도트는, p 형 도펀트 또는 N 형 도펀트를 포함하고 있어도 된다. 양자 도트는 코어 쉘 구조를 가지고 있어도 된다. 이와 같은 코어 쉘 구조에 있어서는, 쉘의 주위에 목적에 따라 임의의 적절한 기능층 (단일층 또는 복수층) 이 형성되어 있어도 되고, 쉘 표면에 표면 처리 및/또는 화학 수식이 이루어져 있어도 된다.
양자 도트의 형상으로는, 목적에 따라 임의의 적절한 형상이 채용될 수 있다. 양자 도트의 형상의 구체예로는, 예를 들어, 진구상, 인편상, 판상, 타원구상, 부정형을 들 수 있다.
양자 도트의 사이즈는, 원하는 발광 파장에 따라 임의의 적절한 사이즈가 채용될 수 있다. 양자 도트의 사이즈는, 바람직하게는 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 이고, 보다 바람직하게는 2 ㎚ ∼ 8 ㎚ 이다. 양자 도트의 사이즈가 이와 같은 범위이면, 녹색 및 적색의 각각이 샤프한 발광을 나타내고, 고연색성을 실현할 수 있다. 예를 들어, 녹색광은 양자 도트의 사이즈가 7 ㎚ 정도에서 발광할 수 있고, 적색광은 3 ㎚ 정도에서 발광할 수 있다. 또한, 양자 도트의 사이즈는, 예를 들어, 양자 도트가 진구상인 경우에는 평균 입경이고, 그 이외의 형상인 경우에는 그 형상에 있어서의 최소축에 따른 치수이다.
양자 도트의 자세한 것은, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2012-169271호, 일본 공개특허공보 2015-102857호, 일본 공개특허공보 2015-65158호, 일본 공표특허공보 2013-544018호, 일본 공표특허공보 2010-533976호에 기재되어 있고, 이들 공보의 기재는 본 명세서에 참고로서 원용된다. 양자 도트는, 시판품을 사용해도 된다.
(형광체)
형광체로는, 목적에 따라 원하는 색의 광을 발광할 수 있는 임의의 적절한 형광체를 사용할 수 있다. 구체예로는, 예를 들어, 적색 형광체, 녹색 형광체를 들 수 있다.
적색 형광체로는, 예를 들어, Mn4+ 로 활성화된 복합 불화물 형광체를 들 수 있다. 복합 불화물 형광체란, 적어도 하나의 배위 중심 (예를 들어, 후술하는 M) 을 함유하고, 배위자로서 작용하는 불화물 이온에 둘러싸이고, 필요에 따라 카운터 이온 (예를 들어, 후술하는 A) 에 의해 전하가 보상되는 배위 화합물을 말한다. 이와 같은 복합 불화물 형광체의 구체예로는, A2[MF5]:Mn4+, A3[MF6]:Mn4+, Zn2[MF7]:Mn4+, A[In2F7]:Mn4+, A2[M'F6]:Mn4+, E[M'F6]:Mn4+, A3[ZrF7]:Mn4+, Ba0.65Zr0.35F2.70:Mn4+ 를 들 수 있다. 여기서, A 는, Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 또는 그 조합이다. M 은, Al, Ga, In 또는 그 조합이다. M' 는, Ge, Si, Sn, Ti, Zr 또는 그 조합이다. E 는, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 또는 그 조합이다. 배위 중심에 있어서의 배위수가 6 인 복합 불화물 형광체가 바람직하다. 이와 같은 적색 형광체의 자세한 것은, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2015-84327호에 기재되어 있다. 당해 공보의 기재는, 그 전체가 참고로서 본 명세서에 원용된다.
녹색 형광체로는, 예를 들어, β 형 Si3N4 결정 구조를 갖는 사이알론의 고용체를 주성분으로서 포함하는 화합물을 들 수 있다. 바람직하게는, 이와 같은 사이알론 결정 중에 포함되는 산소량을 특정량 (예를 들어, 0.8 질량％) 이하로 하는 처리가 실시된다. 이와 같은 처리를 실시함으로써, 피크폭이 좁은, 샤프한 광을 발광하는 녹색 형광체가 얻어질 수 있다. 이와 같은 녹색 형광체의 자세한 것은, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2013-28814호에 기재되어 있다. 당해 공보의 기재는, 그 전체가 참고로서 본 명세서에 원용된다.
≪흡수층≫
흡수층은, 바람직하게는, 임의의 적절한 1 종 이상의 색재를 포함한다. 대표적으로는, 흡수층에 있어서, 색재는, 매트릭스 중에 존재한다.
상기와 같이, 상기 흡수층은, 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 의 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 갖는다. 이와 같은 흡수층을 형성하면, 가시광 투과율의 저하 (즉, 휘도의 저하) 를 억제하면서, 반사 방지 기능을 높일 수 있다. 또, 흡수되는 광의 파장을 조정함으로써, 반사 색상을 뉴트럴로 할 수 있고, 착색이 적은 광학 적층체를 얻을 수 있다. 또한, 흡수 스펙트럼은, 분광 광도계 (주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제조, 상품명 「U-4100」) 에 의해 측정할 수 있다.
상기 흡수층의 파장 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 에 있어서의 최대 흡수 피크의 흡광도 Amax 와, 파장 545 ㎚ 에 있어서의 흡광도 A545 의 비 (A545/Amax) 는, 바람직하게는 0.13 이하이고, 보다 바람직하게는 0.12 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.11 이하이고, 특히 바람직하게는 0.1 이하이다. 이와 같이, 파장 545 ㎚ 에 있어서의 흡광도가 작은 흡수층을 형성하면, 색 표현에 불필요한 광을 흡수하여, 화상 표시 장치의 광색역화에 기여할 수 있는 광학 적층체를 얻을 수 있다. 또, 시감도가 높은 545 ㎚ 부근의 광원으로부터의 발광을 잘 흡수하지 않기 때문에, 휘도의 저하를 저감시킬 수 있다.
상기 흡수층에 있어서, 파장 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 의 범위 내에 있는 흡수 피크의 반치폭은, 바람직하게는 35 ㎚ 이하이고, 보다 바람직하게는 30 ㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 25 ㎚ 이하이고, 특히 바람직하게는 20 ㎚ 이하이다. 이와 같은 범위이면, 화상 표시 장치의 광색역화에 기여할 수 있는 광학 적층체를 얻을 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 흡수층은, 530 ㎚ ∼ 570 ㎚ 의 범위 내에 흡수 피크를 갖지 않는다. 보다 구체적으로는, 상기 흡수층은, 530 ㎚ ∼ 570 ㎚ 의 범위 내에서, 흡광도 0.1 이상의 흡수 피크를 갖지 않는다. 이와 같은 흡수층을 형성하면, 화상 표시 장치의 광색역화에 기여할 수 있는 광학 적층체를 얻을 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 흡수층은, 440 ㎚ ∼ 510 ㎚ 의 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 추가로 갖는다. 즉, 본 실시형태에 있어서는, 상기 흡수층은, 440 ㎚ ∼ 510 ㎚ 및 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 의 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 갖는다. 이와 같은 구성이면, 적색광과 녹색광, 및 녹색광과 청색광의 혼색이 양호하게 방지될 수 있다. 이와 같이 구성된 광학 적층체를, 화상 표시 장치의 반사 방지 필름으로서 사용하면, 화상 표시 장치의 광색역화가 가능해져, 밝고 또한 선명한 화질을 얻을 수 있다. 상기와 같이, 2 이상의 흡수 피크를 갖는 흡수층은, 복수종의 색재를 사용함으로써 얻을 수 있다.
흡수층의 흡수 피크에서의 투과율은, 바람직하게는 0 ％ ∼ 80 ％ 이고, 보다 바람직하게는 0 ％ ∼ 70 ％ 이다. 이와 같은 범위이면, 본 발명의 상기 효과는 보다 현저해진다.
상기 흡수층의 가시광 투과율은, 바람직하게는 30 ％ ∼ 90 ％ 이고, 보다 바람직하게는 30 ％ ∼ 80 ％ 이다. 이와 같은 범위이면, 휘도 저하를 억제하면서, 반사 방지 기능을 발휘할 수 있는 광학 적층체를 얻을 수 있다.
상기 흡수층의 헤이즈값은, 바람직하게는 15 ％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10 ％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5 ％ 이하이다. 흡수층의 헤이즈값은 작을수록 바람직하지만, 그 하한은, 예를 들어, 0.1 ％ 이다.
흡수층의 두께는, 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 100 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 2 ㎛ ∼ 30 ㎛ 이다.
(색재)
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 흡수층은, 색재로서, 하기 일반식 (I) 또는 일반식 (II) 로 나타내는 화합물 X 를 포함한다. 화합물 X 는, 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 의 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 갖는 화합물이다.
[화학식 2]
Figure pct00002
식 (I) 에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R1 과 R2 가 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R2 와 R3 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R5 와 R6 이 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R2, R3, R4, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R6 과 R7 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R2, R3, R4, R5 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
R1 과 R2 가 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R5 와 R6 이 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R3, R4, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ; 혹은,
R2 와 R3 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R6 과 R7 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R4, R5 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이다.
식 (II) 에 있어서, R4 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기이다.
R1 과 R2 를 포함하여 형성되는 상기 포화 고리형 골격 (탄소수 : 5 또는 6) 및 R5 와 R6 을 포함하여 형성되는 상기 포화 고리형 골격 (탄소수 : 5 또는 6) 은, 치환기를 가지고 있어도 된다. 당해 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 들 수 있다. 또, R2 와 R3 을 포함하여 형성되는 상기 포화 고리형 골격 (탄소수 : 5 ∼ 7) 및 R6 과 R7 을 포함하여 형성되는 상기 포화 고리형 골격 (탄소수 : 5 ∼ 7) 은, 치환기를 가지고 있어도 된다. 당해 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 들 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, R4 및/또는 R8 은, 치환기로서 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리를 갖는다.
상기 식 (I) 또는 (II) 로 나타내는 구체적인 화합물 X 로는, 예를 들어, 하기 일반식 (I-1) ∼ (I-27) 또는 (II-1) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다. (I-1) ∼ (I-23) 에 대해서는, 지방족 폴리카보네이트에 화합물 X 를 혼합하여 조제된 수지 조성물로 이루어지는 필름의 흡광도를 측정하여 얻어진 흡수 피크가 나타나고, (I-24) ∼ (I-27) 및 (II-1) 에 대해서는, 폴리메타크릴산메틸 수지에 화합물 X 를 혼합하여 조제된 수지 조성물로 이루어지는 필름의 흡광도를 측정하여 얻어진 흡수 피크가 나타나 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
[화학식 4]
Figure pct00004
[화학식 5]
Figure pct00005
[화학식 6]
Figure pct00006
[화학식 7]
Figure pct00007
[화학식 8]
Figure pct00008
상기 화합물 X 의 함유량은, 매트릭스 재료 100 중량부에 대하여, 바람직하게는, 0.01 중량부 ∼ 50 중량부이고, 보다 바람직하게는 0.05 중량부 ∼ 10 중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.1 중량부 ∼ 5 중량부이고, 특히 바람직하게는 0.1 중량부 ∼ 1 중량부이다.
상기 흡수층은, 440 ㎚ ∼ 510 ㎚ 의 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 갖는 화합물을 추가로 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 화합물로는, 예를 들어, 안트라퀴논계, 옥심계, 나프토퀴논계, 퀴니자린계, 옥소놀계, 아조계, 크산텐계 또는 프탈로시아닌계의 화합물 (염료) 이 사용된다.
440 ㎚ ∼ 510 ㎚ 의 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 갖는 화합물의 함유량은, 매트릭스 재료 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 중량부 ∼ 50 중량부이고, 보다 바람직하게는 0.01 중량부 ∼ 25 중량부이다.
(매트릭스)
매트릭스는, 점착제이어도 되고, 수지 필름이어도 된다. 바람직하게는 점착제이다. 또, 수지 필름을 사용하여 흡수층을 형성하고, 당해 흡수층을 하드 코트층 등의 기능층으로 해도 (혹은, 기능층의 한 요소로 해도) 된다.
매트릭스가 점착제인 경우, 점착제로는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 임의의 적절한 점착제를 사용할 수 있다. 점착제는, 바람직하게는, 투명성 및 광학적 등방성을 갖는다. 점착제의 구체예로는, 예를 들어, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 에폭시계 점착제, 셀룰로오스계 점착제를 들 수 있다. 점착제는, 바람직하게는, 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제이다.
고무계 점착제 (점착제 조성물) 의 고무계 폴리머는, 실온 부근의 온도역에 있어서 고무 탄성을 나타내는 폴리머이다. 바람직한 고무계 폴리머 (A) 로는, 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (A1), 이소부틸렌계 폴리머 (A2), 및 그 조합을 들 수 있다.
스티렌계 열가소성 엘라스토머 (A1) 로는, 예를 들어, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체 (SEBS), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체 (SBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체 (SEPS, SIS 의 수첨물), 스티렌-에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 (SEP, 스티렌-이소프렌 블록 공중합체의 수첨물), 스티렌-이소부틸렌-스티렌 블록 공중합체 (SIBS), 스티렌-부타디엔 고무 (SBR) 등의 스티렌계 블록 코폴리머를 들 수 있다. 이들 중에서도, 분자의 양 말단에 폴리스티렌 블록을 갖고, 폴리머로서 높은 응집력을 갖는 점에서, 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체 (SEPS, SIS 의 수첨물), 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체 (SEBS), 스티렌-이소부틸렌-스티렌 블록 공중합체 (SIBS) 가 바람직하다. 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (A1) 로서 시판품을 사용해도 된다. 시판품의 구체예로는, 예를 들어, 쿠라레사 제조의 SEPTON, HYBRAR, 아사히 화성 케미컬즈사 제조의 터프텍, 카네카사 제조의 SIBSTAR 를 들 수 있다.
스티렌계 열가소성 엘라스토머 (A1) 의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 5 만 ∼ 50 만 정도이고, 보다 바람직하게는 5 만 ∼ 30 만 정도이고, 더욱 바람직하게는 5 만 ∼ 25 만 정도이다. 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (A1) 의 중량 평균 분자량이 이와 같은 범위이면, 폴리머의 응집력과 점탄성을 양립할 수 있기 때문에 바람직하다.
스티렌계 열가소성 엘라스토머 (A1) 중의 스티렌 함유량은, 바람직하게는 5 중량％ ∼ 70 중량％ 정도이고, 보다 바람직하게는 5 중량％ ∼ 40 중량％ 정도이고, 더욱 바람직하게는 10 중량％ ∼ 20 중량％ 정도이다. 스티렌계 열가소성 엘라스토머 (A1) 중의 스티렌 함유량이 이와 같은 범위이면, 스티렌 부위에 의한 응집력을 유지하면서, 소프트 세그먼트에 의한 점탄성을 확보할 수 있기 때문에 바람직하다.
이소부틸렌계 폴리머 (A2) 로는, 이소부틸렌을 구성 단량체로서 포함하여, 중량 평균 분자량 (Mw) 이 바람직하게는 50 만 이상인 것을 들 수 있다. 이소부틸렌계 폴리머 (A2) 는, 이소부틸렌의 호모폴리머 (폴리이소부틸렌, PIB) 이어도 되고, 이소부틸렌을 주모노머로 하는 코폴리머 (즉, 이소부틸렌이 50 몰％ 를 초과하는 비율로 공중합된 코폴리머) 이어도 된다. 이와 같은 코폴리머로는, 예를 들어, 이소부틸렌과 노르말부틸렌의 공중합체, 이소부틸렌과 이소프렌의 공중합체 (예를 들어, 레귤러 부틸 고무, 염소화부틸 고무, 브롬화부틸 고무, 부분 가교 부틸 고무 등의 부틸 고무류), 이들 가황물이나 변성물 (예를 들어, 수산기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기 등의 관능기로 변성한 것) 을 들 수 있다. 이들 중에서도, 주사슬 중에 이중 결합을 포함하지 않고 내후성이 우수한 점에서, 폴리이소부틸렌 (PIB) 이 바람직하다. 이소부틸렌계 폴리머 (A2) 로서 시판품을 사용해도 된다. 시판품의 구체예로는, BASF 사 제조의 OPPANOL 을 들 수 있다.
이소부틸렌계 폴리머 (A2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 바람직하게는 50 만 이상이고, 보다 바람직하게는 60 만 이상이고, 더욱 바람직하게는 70 만 이상이다. 또, 중량 평균 분자량 (Mw) 의 상한은, 바람직하게는 500 만 이하이고, 보다 바람직하게는 300 만 이하이고, 더욱 바람직하게는 200 만 이하이다. 이소부틸렌계 폴리머 (A2) 의 중량 평균 분자량을 50 만 이상으로 함으로써, 고온 보관시의 내구성이 보다 우수한 점착제 조성물로 할 수 있다.
점착제 (점착제 조성물) 에 있어서의 고무계 폴리머 (A) 의 함유량은, 점착제 조성물의 전체 고형분 중, 바람직하게는 30 중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 40 중량％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 50 중량％ 이상이고, 특히 바람직하게는 60 중량％ 이상이다. 고무계 폴리머의 함유량의 상한은, 바람직하게는 95 중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 90 중량％ 이하이다.
고무계 점착제에 있어서 고무계 폴리머 (A) 와 다른 고무계 폴리머를 조합하여 사용해도 된다. 다른 고무계 폴리머의 구체예로는, 예를 들어, 부틸 고무 (IIR), 부타디엔 고무 (BR), 아크릴로니트릴-부타디엔 고무 (NBR), EPR (2 원계 에틸렌-프로필렌 고무), EPT (3 원계 에틸렌-프로필렌 고무), 아크릴 고무, 우레탄 고무, 폴리우레탄계 열가소성 엘라스토머 ; 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머 ; 폴리프로필렌과 EPT (3 원계 에틸렌-프로필렌 고무) 의 폴리머 블렌드 등의 블렌드계 열가소성 엘라스토머를 들 수 있다. 다른 고무계 폴리머의 배합량은, 고무계 폴리머 (A) 100 중량부에 대하여 바람직하게는 10 중량부 정도 이하이다.
아크릴계 점착제 (점착제 조성물) 의 아크릴계 폴리머는, 대표적으로는, 알킬(메트)아크릴레이트를 주성분으로서 함유하고, 목적에 따른 공중합 성분으로서, 방향 고리 함유 (메트)아크릴레이트, 아미드기 함유 모노머, 카르복실기 함유 모노머 및/또는 하이드록실기 함유 모노머를 함유할 수 있다. 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴레이트」 란, 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 의미한다. 알킬(메트)아크릴레이트로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기의 탄소수 1 ∼ 18 의 것을 예시할 수 있다. 방향 고리 함유 (메트)아크릴레이트는, 그 구조 중에 방향 고리 구조를 포함하고, 또한 (메트)아크릴로일기를 포함하는 화합물이다. 방향 고리로는, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 또는 비페닐 고리를 들 수 있다. 방향 고리 함유 (메트)아크릴레이트는, 내구성 (특히, 투명 도전층에 대한 내구성) 을 만족시키고, 또한 주변부의 백화에 의한 표시 불균일을 개선할 수 있다. 아미드기 함유 모노머는, 그 구조 중에 아미드기를 포함하고, 또한 (메트)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성 불포화 이중 결합을 포함하는 화합물이다. 카르복실기 함유 모노머는, 그 구조 중에 카르복실기를 포함하고, 또한 (메트)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성 불포화 이중 결합을 포함하는 화합물이다. 하이드록실기 함유 모노머는, 그 구조 중에 하이드록실기를 포함하고, 또한 (메트)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성 불포화 이중 결합을 포함하는 화합물이다. 아크릴계 점착제의 자세한 것은, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2015-199942호에 기재되어 있고, 당해 공보의 기재는 본 명세서에 참고로서 원용된다.
매트릭스가 수지 필름인 경우, 수지 필름을 구성하는 수지로는, 임의의 적절한 수지를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 수지는, 열가소성 수지이어도 되고, 열경화성 수지이어도 되고, 활성 에너지선 경화성 수지이어도 된다. 활성 에너지선 경화성 수지로는, 예를 들어, 전자선 경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 가시광선 경화형 수지를 들 수 있다.
매트릭스가 수지 필름인 경우, 수지 필름을 구성하는 수지의 구체예로는, 예를 들어, 에폭시, (메트)아크릴레이트 (예를 들어, 메틸메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트), 노르보르넨, 폴리에틸렌, 폴리(비닐부티랄), 폴리(비닐아세테이트), 폴리우레아, 폴리우레탄, 아미노실리콘 (AMS), 폴리페닐메틸실록산, 폴리페닐알킬실록산, 폴리디페닐실록산, 폴리디알킬실록산, 실세스퀴옥산, 불화실리콘, 비닐 및 수소화물 치환 실리콘, 스티렌계 폴리머 (예를 들어, 폴리스티렌, 아미노폴리스티렌 (APS), 폴리(아크릴니트릴에틸렌스티렌) (AES)), 2 관능성 모노머와 가교한 폴리머 (예를 들어, 디비닐벤젠), 폴리에스테르계 폴리머 (예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트), 셀룰로오스계 폴리머 (예를 들어, 트리아세틸셀룰로오스), 염화비닐계 폴리머, 아미드계 폴리머, 이미드계 폴리머, 비닐알코올계 폴리머, 에폭시계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 아크릴우레탄계 폴리머를 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 되고, 조합하여 (예를 들어, 블렌드, 공중합) 사용해도 된다. 이들 수지는, 막을 형성 후에 연신, 가열, 가압과 같은 처리를 실시해도 된다. 수지는, 바람직하게는, 열경화성 수지 또는 자외선 경화형 수지이고, 보다 바람직하게는 열경화성 수지이다.
≪보호 필름≫
보호 필름으로는, 임의의 적절한 필름이 사용된다. 이와 같은 필름의 주성분이 되는 재료의 구체예로는, 예를 들어, 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) 등의 셀룰로오스계 수지, (메트)아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리술폰계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리노르보르넨계 수지, 폴리올레핀계 수지, 아세테이트계 수지 등의 투명 수지를 들 수 있다. 또, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지 등의 열경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지도 들 수 있다. 이 밖에도, 예를 들어, 실록산계 폴리머 등의 유리질계 폴리머도 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2001-343529호 (WO01/37007) 에 기재된 폴리머 필름도 사용할 수 있다. 이 필름의 재료로는, 예를 들어, 측사슬에 치환 또는 비치환의 이미드기를 갖는 열가소성 수지와, 측사슬에 치환 또는 비치환의 페닐기 그리고 니트릴기를 갖는 열가소성 수지를 함유하는 수지 조성물을 사용할 수 있고, 예를 들어, 이소부텐과 N-메틸말레이미드로 이루어지는 교호 공중합체와, 아크릴로니트릴·스티렌 공중합체를 갖는 수지 조성물을 들 수 있다. 상기 폴리머 필름은, 예를 들어, 상기 수지 조성물의 압출 성형물일 수 있다. 편광자와 보호 필름의 적층에는, 임의의 적절한 점착제층 또는 접착제층이 사용된다. 점착제층은, 대표적으로는 아크릴계 점착제로 형성된다. 접착제층은, 대표적으로는 폴리비닐알코올계 접착제로 형성된다.
≪굴절률 조정층≫
굴절률 조정층의 굴절률은, 바람직하게는 1.2 이하이고, 보다 바람직하게는 1.15 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.01 ∼ 1.1 이다. 굴절률 조정층의 굴절률이 이와 같은 범위 내에 있으면, 파장 변환층으로부터 출사하는 광의 이용 효율을 높이고, 또한 외광 반사를 억제할 수 있다.
굴절률 조정층은, 대표적으로는, 내부에 공극을 갖는다. 굴절률 조정층의 공극률은, 임의의 적절한 값을 취할 수 있다. 굴절률 조정층의 공극률은, 바람직하게는 5 ％ ∼ 99 ％ 이고, 보다 바람직하게는 25 ％ ∼ 95 ％ 이다. 굴절률 조정층의 공극률이 이와 같은 범위 내에 있음으로써, 굴절률 조정층의 굴절률을 충분히 낮게 할 수 있고, 또한 높은 기계적 강도를 얻을 수 있다.
내부에 공극을 갖는 굴절률 조정층으로는, 예를 들어, 입자상, 섬유상, 평판상 중 적어도 하나의 형상을 갖는 구조로 이루어져 있어도 된다. 입자상을 형성하는 구조체 (구성 단위) 는, 실 (實) 입자이어도 되고 중공 입자이어도 되고, 구체적으로는, 예를 들어, 실리콘 입자나 미세공을 갖는 실리콘 입자, 실리카 중공 나노 입자나 실리카 중공 나노 벌룬을 들 수 있다. 섬유상의 구성 단위는, 예를 들어, 직경이 나노 사이즈의 나노 파이버이고, 구체적으로는, 셀룰로오스 나노 파이버나 알루미나 나노 파이버를 들 수 있다. 평판상의 구성 단위는, 예를 들어, 나노 클레이를 들 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어, 나노 사이즈의 벤토나이트 (예를 들어 쿠니피아 F (상품명)) 를 들 수 있다.
굴절률 조정층을 구성하는 재료로는, 임의의 적절한 재료를 채용할 수 있다. 이와 같은 재료로는, 예를 들어, 국제 공개 제2004/113966호 팜플렛, 일본 공개특허공보 2013-254183호, 및 일본 공개특허공보 2012-189802호에 기재된 재료를 채용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 실리카계 화합물 ; 가수분해성 실란류, 그리고 그 부분 가수분해물 및 탈수 축합물 ; 유기 폴리머 ; 실란올기를 함유하는 규소 화합물 ; 규산염을 산이나 이온 교환 수지에 접촉시킴으로써 얻어지는 활성 실리카 ; 중합성 모노머 (예를 들어, (메트)아크릴계 모노머, 및 스티렌계 모노머) ; 경화성 수지 (예를 들어, (메트)아크릴계 수지, 불소 함유 수지, 및 우레탄 수지) ; 및 이들의 조합을 들 수 있다.
유기 폴리머로는, 예를 들어, 폴리올레핀류 (예를 들어, 폴리에틸렌, 및 폴리프로필렌), 폴리우레탄류, 불소 함유 폴리머 (예를 들어, 불소 함유 모노머 단위와 가교 반응성 부여를 위한 구성 단위를 구성 성분으로 하는 함불소 공중합체), 폴리에스테르류 (예를 들어, 폴리(메트)아크릴산 유도체 (본 명세서에서는 (메트)아크릴산이란, 아크릴산 및 메타크릴산을 의미하고, 「(메트)」 는, 모두 이와 같은 의미로 사용하는 것으로 한다.)), 폴리에테르류, 폴리아미드류, 폴리이미드류, 폴리우레아류, 및 폴리카보네이트류를 들 수 있다.
굴절률 조정층을 구성하는 재료는, 바람직하게는, 실리카계 화합물 ; 가수분해성 실란류, 그리고 그 부분 가수분해물 및 탈수 축합물을 포함한다.
실리카계 화합물로는, 예를 들어, SiO2 (무수 규산) ; SiO2 와, Na2O-B2O3 (붕규산), Al2O3 (알루미나), B2O3, TiO2, ZrO2, SnO2, Ce2O3, P2O5, Sb2O3, MoO3, ZnO2, WO3, TiO2-Al2O3, TiO2-ZrO2, In2O3-SnO2, 및 Sb2O3-SnO2 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 화합물을 포함하는 화합물 (상기 「-」 는 복합 산화물인 것을 나타낸다.) 을 들 수 있다.
가수분해성 실란류로는, 예를 들어, 치환기 (예를 들어, 불소) 를 가지고 있어도 되는 알킬기를 함유하는 가수분해성 실란류를 들 수 있다. 가수분해성 실란류, 그리고 그 부분 가수분해물 및 탈수 축합물은, 바람직하게는, 알콕시실란, 및 실세스퀴옥산이다.
알콕시실란은 모노머이어도 되고, 올리고머이어도 된다. 알콕시실란 모노머는 알콕실기를 3 게 이상 갖는 것이 바람직하다. 알콕시실란 모노머로는, 예를 들어 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라프로폭시실란, 디에톡시디메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 및 디메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 알콕시실란 올리고머로는, 알콕시실란 모노머의 가수분해 및 중축합에 의해 얻어지는 중축합물이 바람직하다. 굴절률 조정층을 구성하는 재료로서 알콕시실란을 사용함으로써, 우수한 균일성을 갖는 굴절률 조정층이 얻어진다.
실세스퀴옥산은, 일반식 RSiO1.5 (단 R 은 유기 관능기를 나타낸다.) 에 의해 나타내는 네트워크상 폴리실록산의 총칭이다. R 로는, 예를 들어, 알킬기 (직사슬이어도 되고 분기 사슬이어도 되고, 탄소수 1 ∼ 6 이다.), 페닐기, 및 알콕시기 (예를 들어, 메톡시기, 및 에톡시기) 를 들 수 있다. 실세스퀴옥산의 구조로는, 예를 들어, 래더형, 및 바구니형을 들 수 있다. 상기 재료로서 실세스퀴옥산을 사용함으로써, 우수한 균일성, 내후성, 투명성, 및 경도를 갖는 굴절률 조정층이 얻어진다.
상기 입자로는, 임의의 적절한 입자를 채용할 수 있다. 상기 입자는, 대표적으로는, 실리카 입자이다.
실리카 입자의 형상은, 예를 들어, 투과 전자 현미경으로 관찰함으로써 확인할 수 있다. 실리카 입자의 평균 입자경은, 바람직하게는 5 ㎚ ∼ 200 ㎚ 이고, 보다 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 200 ㎚ 이다. 이와 같은 구성을 가짐으로써, 충분히 굴절률이 낮은 굴절률 조정층을 얻을 수 있고, 또한 굴절률 조정층의 투명성을 유지할 수 있다. 또한, 본 명세서에서는, 평균 입자경이란, 질소 흡착법 (BET 법) 에 의해 측정된 비표면적 (㎡/g) 으로부터, 평균 입자경 = (2720/비표면적) 의 식에 의해 부여된 값을 의미하는 것으로 한다 (일본 공개특허공보 평1-317115호 참조).
굴절률 조정층을 얻는 방법으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-189212호, 일본 공개특허공보 2008-040171호, 일본 공개특허공보 2006-011175호, 국제 공개 제2004/113966호 팜플렛, 및 그들의 참고 문헌에 기재된 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 실리카계 화합물 ; 가수분해성 실란류, 그리고 그 부분 가수분해물 및 탈수 축합물의 적어도 어느 하나를 가수분해 및 중축합시키는 방법, 다공질 입자 및/또는 중공 미립자를 사용하는 방법, 그리고 스프링백 현상을 이용하여, 에어로겔층을 생성하는 방법, 졸 겔에 의해 얻어진 겔을 분쇄하고, 또한 상기 분쇄액 중의 미세공 입자끼리를 촉매 등으로 화학적으로 결합시킨 분쇄 겔을 사용하는 방법을 들 수 있다. 단, 굴절률 조정층은, 이 제조 방법에 한정되지 않고, 어떠한 제조 방법에 의해 제조해도 된다.
굴절률 조정층은, 임의의 적절한 접착층 (예를 들어, 접착제층, 점착제층 : 도시 생략) 을 개재하여, 파장 변환층이나 흡수층에 첩합 (貼合) 될 수 있다. 굴절률 조정층이 점착제로 구성되는 경우에는, 접착층을 생략할 수 있다.
굴절률 조정층의 헤이즈는, 예를 들어 0.1 ％ ∼ 30 ％ 이고, 바람직하게는 0.2 ％ ∼ 10 ％ 이다.
굴절률 조정층의 기계 강도는, 예를 들어, 벰코트 (등록상표) 에 의한 내찰상성이 60 ％ ∼ 100 ％ 인 것이 바람직하다.
굴절률 조정층과 파장 변환층이나 흡수층 사이의 투묘력은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 0.01 N/25 ㎜ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.1 N/25 ㎜ 이상이고, 더욱 바람직하게는 1 N/25 ㎜ 이상이다. 또한, 기계 강도나 투묘력을 높이기 위해서, 도막 형성 전후나 임의의 적절한 접착층, 혹은 다른 부재와의 첩합의 전후의 공정에서, 하도 처리, 가열 처리, 가습 처리, UV 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등을 실시해도 된다.
굴절률 조정층의 두께는, 바람직하게는 100 ㎚ ∼ 5000 ㎚ 이고, 보다 바람직하게는 200 ㎚ ∼ 4000 ㎚ 이고, 더욱 바람직하게는 300 ㎚ ∼ 3000 ㎚ 이고, 특히 바람직하게는 500 ㎚ ∼ 2000 ㎚ 이다. 이와 같은 범위이면, 가시광 영역의 광에 대해 광학적으로 충분히 기능을 발현함과 함께, 우수한 내구성을 갖는 굴절률 조정층을 실현할 수 있다.
≪≪화상 표시 장치≫≫
도 2 는, 본 발명의 광학 적층체를 포함하는 화상 표시 장치의 하나의 실시형태의 개략 단면도이다. 도 2 에 있어서는, 대표예로서, 화상 표시 장치가 액정 표시 장치인 경우를 도시하고 있다. 액정 표시 장치 (1000) 는, 액정 패널 (200) 과 백라이트 (300) 를 구비하고, 본 발명의 광학 적층체는, 액정 패널 (200) 의 부재일 수 있다. 파장 변환층은, 액정 패널 (200) 에 구비되는 컬러 필터로 할 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, 광학 적층체는, 파장 변환층과 흡수층을 갖는 광학 적층체로서, 흡수층의 파장 변환층과는 반대측에 편광판을 갖지 않는다. 이와 같은 본 발명의 광학 적층체의 하나의 실시형태는, 예를 들어, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 흡수층 (20) 과 파장 변환층 (10) 과 편광판 (30) 을 이 순서로 갖는다. 도 3 에 있어서, 대표적으로는, 흡수층 (20) 측이 시인측이고, 편광판 (30) 의 측이 백라이트측이 된다. 물론, 도 3 은 본 발명의 광학 적층체의 하나의 실시형태에 지나지 않고, 본 발명의 광학 적층체는 도 3 에 나타내는 실시형태에는 한정되지 않는다.
액정 표시 장치 (1000) 는, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같은 실시형태를 취할 수 있다. 도 4 에 있어서, 액정 표시 장치 (1000) 는, 액정 패널 (200) 과 백라이트 (300) 를 구비하고, 액정 패널 (200) 은, 흡수층 (20) 과 파장 변환층 (10) 과 편광판 (시인측 편광판) (30a) 과 액정 셀 (40) 과 편광판 (백라이트측 편광판) (30b) 을 이 순서로 갖는다. 도 4 에 있어서는, 흡수층 (20) 측이 시인측이고, 편광판 (백라이트측 편광판) (30b) 측이 백라이트측이다. 물론, 도 4 는 본 발명의 광학 적층체를 포함하는 화상 표시 장치의 하나의 실시형태에 지나지 않고, 본 발명의 광학 적층체를 포함하는 화상 표시 장치는 도 4 에 나타내는 실시형태에는 한정되지 않는다.
백라이트가 구비하는 광원으로는, 예를 들어, 냉음극관 광원 (CCFL), LED 광원 등을 들 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서는, 상기 백라이트는, LED 광원을 구비한다. LED 광원을 사용하면, 시야각 특성이 우수한 화상 표시 장치를 얻을 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서는, 청색의 광을 발하는 광원 (바람직하게는 LED 광원) 이 사용된다.
백라이트는, 직하형 방식이어도 되고, 에지 라이트 방식이어도 된다.
백라이트는, 광원 외에, 필요에 따라, 도광판, 확산판, 프리즘 시트 등의 그 밖의 부재를 추가로 구비할 수 있다.
액정 패널은, 대표적으로는, 액정 셀을 구비한다.
액정 셀은, 1 쌍의 기판과, 그 기판 사이에 협지된 표시 매체로서의 액정층을 갖는다. 일반적인 구성에 있어서는, 일방의 기판에, 컬러 필터 (예를 들어, 파장 변환층) 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있고, 타방의 기판에, 액정의 전기 광학 특성을 제어하는 스위칭 소자와, 이 스위칭 소자에 게이트 신호를 부여하는 주사선 및 소스 신호를 부여하는 신호선과, 화소 전극 및 대향 전극이 형성되어 있다. 상기 기판의 간격 (셀 갭) 은, 스페이서 등에 의해 제어할 수 있다. 상기 기판의 액정층과 접하는 측에는, 예를 들어, 폴리이미드로 이루어지는 배향막 등을 형성할 수 있다.
하나의 실시형태에 있어서는, 액정층은, 전계가 존재하지 않는 상태에서 호메오트로픽 배열로 배향시킨 액정 분자를 포함한다. 이와 같은 액정층 (결과적으로, 액정 셀) 은, 대표적으로는, nz > nx = ny 의 3 차원 굴절률을 나타낸다. 전계가 존재하지 않는 상태에서 호메오트로픽 배열로 배향시킨 액정 분자를 사용하는 구동 모드로는, 예를 들어, 버티칼·얼라인먼트 (VA) 모드를 들 수 있다. VA 모드는, 멀티 도메인 VA (MVA) 모드를 포함한다.
다른 실시형태에 있어서는, 액정층은, 전계가 존재하지 않는 상태에서 호모지니어스 배열로 배향시킨 액정 분자를 포함한다. 이와 같은 액정층 (결과적으로, 액정 셀) 은, 대표적으로는, nx > ny = nz 의 3 차원 굴절률을 나타낸다. 또한, 본 명세서에 있어서, ny = nz 란, ny 와 nz 가 완전히 동일한 경우뿐만 아니라, ny 와 nz 가 실질적으로 동일한 경우도 포함한다. 이와 같은 3 차원 굴절률을 나타내는 액정층을 사용하는 구동 모드의 대표예로는, 인플레인 스위칭 (IPS) 모드, 프린지 필드 스위칭 (FFS) 모드 등을 들 수 있다. 또한, 상기의 IPS 모드는, V 자형 전극 또는 지그재그 전극 등을 채용한, 슈퍼·인플레인 스위칭 (S-IPS) 모드나, 어드밴스드·슈퍼·인플레인 스위칭 (AS-IPS) 모드를 포함한다. 또, 상기의 FFS 모드는, V 자형 전극 또는 지그재그 전극 등을 채용한, 어드밴스드·프린지 필드 스위칭 (A-FFS) 모드나, 울트라·프린지 필드 스위칭 (U-FFS) 모드를 포함한다. 또한, 「nx」 는 면내의 굴절률이 최대가 되는 방향 (즉, 지상축 방향) 의 굴절률이고, 「ny」 는 면내에서 지상축과 직교하는 방향 (즉, 진상축 방향) 의 굴절률이고, 「nz」 는 두께 방향의 굴절률이다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 특성의 측정 방법은 이하와 같다.
[반사율, 반사 스펙트럼, 반사 색상 (a*, b*)]
실시예 및 비교예에서 얻어진 광학 적층체의 전광선 반사율, 반사 스펙트럼, 반사 색상 (a*, b*) 을, 코니카 미놀타사 제조의 분광 측색계 CM-2600d (광원 : D65) 를 사용하여, 측정하였다. 또한, 파장 변환층과 흡수층을 갖는 광학 적층체의 경우에는, 파장 변환층측에 반사판 (도레이 필름 가공사 제조, 세라필 DMS-X42) 을, 일본 특허 2549388호를 참고로 하여 제조한 아크릴계 점착제 (두께 20 ㎛) 에 의해 첩합하고, 흡수층측으로부터 광을 입사시켰다.
[Δab]
상기 반사 색상 (a*, b*) 으로부터, (a2 + b2)1/2 의 식에 의해 Δab 를 구하였다.
[정면 휘도]
실시예 및 비교예에서 얻어진 광학 적층체를, 파장 변환층이 광원측이 되도록 설치하고, 광원에 청색 LED 의 균일 발광 조명 (아이텍 시스템사 제조 : 형번 : TMN150 × 180-22BD-4) 을 사용하여, 휘도계 (코니카 미놀타사 제조, 상품명 「SR-UL1」) 로 휘도를 측정하였다. 또한, 균일 발광 조명의 발광 휘도는, 파장 변환층만인 경우에서 1335 cd/㎡ 이었다.
[실시예 1]
(파장 변환층)
시판되는 TV (Samsung 사 제조, 상품명 「UN65JS9000FXZA」) 를 분해하여, 백라이트측에 포함되는 파장 변환 재료, 즉 양자 도트 시트를 얻었다. 이 양자 도트 시트를 파장 변환층 (1) 으로 하였다.
(흡수층)
아크릴산n-부틸, 수산기 함유 모노머를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 폴리머 100 중량부에 대하여, 라디칼 발생제 (벤조일퍼옥사이드, 닛폰 유지사 제조, 상품명 「나이퍼 BMT」) 를 0.3 중량부, 이소시아네이트계 가교제 (토소사 제조, 상품명 「콜로네이트 L」) 를 1 중량부, 하기 일반식 (I-20) 으로 나타내는 스쿠아레인 화합물을 0.3 중량부, 페놀계 산화 방지제 (BASF 재팬사 제조, 상품명 「IRGANOX1010」) 를 0.2 중량부 포함하여 이루어지는 색소 함유 점착제를 제조하였다. 점착제의 박리가 용이해지는 처리를 실시한 PET 기재 (미츠비시 수지사 제조, 상품명 「MRF38CK」) 상에, 애플리케이터로 상기에서 얻어진 색소 함유 점착제를 20 ㎛ 의 두께로 도공하고, 155 ℃ 에서 2 분간 건조시킨 후, TAC (트리아세틸셀룰로오스 필름, 후지 필름사 제조) 에 첩합하여, TAC 상에 흡수층 (1) (흡수 극대 파장 : 594 ㎚) 을 형성하였다.
또한, 일반식 (I-20) 으로 나타내는 스쿠아레인 화합물은, 이하의 방법으로 합성하였다.
<스쿠아레인 화합물의 합성>
1-페닐-1,4,5,6-테트라하이드로시클로펜타[b]피롤을 "M. Beller et. al., J. Am. Chem. Soc., 2013, 135(30), 11384-11388)" 에 기재되는 방법으로 합성하였다.
에탄올 5 ㎖ 중에서, 1-페닐-1,4,5,6-테트라하이드로시클로펜타[b]피롤 300 ㎎ 과, 스쿠아르산 80 ㎎ 을 혼합하고, 80 ℃ 에서 2 시간 교반하였다. 그 후, 실온까지 냉각시키고, 생성물을 여과 채취하였다. 여과 채취한 생성물을 에탄올로 세정하고, 70 ℃ 에서 감압 건조시켜, 197 ㎎ 의 스쿠아레인 화합물을 얻었다. 또한 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하여, 120 ㎎ 의 스쿠아레인 화합물을 얻었다.
[화학식 9]
Figure pct00009
(광학 적층체)
상기 파장 변환층 (1) 과 상기 흡수층 (1) 을 적층하여, 파장 변환층/흡수층의 적층 구조를 갖는 광학 적층체 (1) 를 얻었다. 광학 적층체 (1) 를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[비교예 1]
일반식 (I-20) 으로 나타내는 스쿠아레인 화합물 0.3 중량부 대신에, 포르피린계 색소 (야마모토 화성사 제조, 상품명 「PD-320」) 0.3 중량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 파장 변환층 (1) 과 흡수층 (1) (흡수 극대 파장 : 595 ㎚) 을 포함하는 광학 적층체 (2) 를 얻었다. 광학 적층체 (2) 를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[비교예 2]
흡수층을 형성하는 점착제에, 색소 (스쿠아레인 화합물) 를 함유시키지 않았던 것 (즉, 흡수층 대신에 점착제층을 형성한 것) 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 광학 적층체 (3) 를 얻었다. 광학 적층체 (3) 를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00010
산업상 이용가능성
본 발명의 광학 적층체는, 화상 표시 장치에 바람직하게 이용 가능하다.
10 파장 변환층
20 흡수층
100 광학 적층체
200 액정 패널
300 백라이트
1000 액정 표시 장치

Claims (7)

  1. 파장 변환층과, 상기 파장 변환층의 편측에 배치된 흡수층을 구비하고,
    상기 흡수층이, 580 ㎚ ∼ 610 ㎚ 의 범위의 파장 대역에 흡수 피크를 갖고,
    상기 흡수층이, 하기 일반식 (I) 또는 일반식 (II) 로 나타내는 화합물 X 를 포함하는 원 편광판 :
    Figure pct00011

    식 (I) 에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
    R1 과 R2 가 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
    R2 와 R3 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R4, R5, R6, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
    R5 와 R6 이 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R2, R3, R4, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
    R6 과 R7 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R2, R3, R4, R5 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ;
    R1 과 R2 가 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R5 와 R6 이 5 또는 6 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R3, R4, R7 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이거나 ; 혹은,
    R2 와 R3 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R6 과 R7 이 5 ∼ 7 의 탄소 원자로 구성되는 포화 고리형 골격을 형성하고, R1, R4, R5 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 (바람직하게는 Cl), 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기, 식 (a) 로 나타내는 치환기 또는 식 (b) 로 나타내는 치환기이고 ;
    식 (II) 에 있어서, R4, 및 R8 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 치환 혹은 비치환의 알킬기이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 흡수층의 파장 변환층과는 반대측에 편광판을 갖지 않는, 광학 적층체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장 변환층이 파장 변환 재료로서, 양자 도트 또는 형광체를 포함하는, 광학 적층체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장 변환층이 컬러 필터인, 광학 적층체.
  5. 제 1 항에 기재된 광학 적층체를 포함하는, 화상 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    제 1 항에 기재된 광학 적층체를 포함하는 액정 패널과, 백라이트를 구비하는, 화상 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 액정 패널이, 상기 흡수층과, 상기 파장 변환층과, 시인측 편광판과, 액정 셀과, 백라이트측 편광판을, 시인측으로부터 이 순서로 구비하는, 화상 표시 장치.
KR1020207015230A 2017-11-29 2018-11-29 광학 적층체 KR20200093554A (ko)

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