KR20180123721A - 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법 - Google Patents

적층체, 및 그 적층체의 분리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180123721A
KR20180123721A KR1020187032011A KR20187032011A KR20180123721A KR 20180123721 A KR20180123721 A KR 20180123721A KR 1020187032011 A KR1020187032011 A KR 1020187032011A KR 20187032011 A KR20187032011 A KR 20187032011A KR 20180123721 A KR20180123721 A KR 20180123721A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
substrate
layer
separation layer
supported
Prior art date
Application number
KR1020187032011A
Other languages
English (en)
Inventor
요시히로 이나오
야스시 후지이
아츠시 마츠시타
고키 다무라
아츠시 구보
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20180123721A publication Critical patent/KR20180123721A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/061—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y10T156/1158—Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Abstract

본 발명에 관련된 적층체는, 광 투과성의 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되는 피지지 기판과, 상기 피지지 기판에 있어서의 상기 지지체에 의해 지지되는 측의 면에 형성되어 있는 접착층과, 상기 지지체와 상기 피지지 기판 사이에 형성되어 있는, 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있고, 상기 분리층은, 상기 지지체를 통해 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있고, 상기 분리층에 있어서의 상기 접착층에 대향하는 측의 면은, 평탄하게 되어 있다.

Description

적층체, 및 그 적층체의 분리 방법{STACKED BODY AND METHOD FOR DETACHING STACKED BODY}
본 발명은, 지지체와 그 지지체에 의해 지지되는 피지지 기판을 접착한 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법에 관한 것이다.
휴대전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 따라, 탑재되는 반도체 실리콘 칩 (이하, 칩) 의 소형화 및 박형화에 의해, 패키지 내에 실리콘을 고집적화하는 요구가 높아지고 있다. 예를 들어, CSP (chip size package) 또는 MCP (multi-chip package) 로 대표되는 복수의 칩을 원 패키지화하는 집적 회로에 있어서, 박형화가 요구되고 있다. 패키지 내의 칩의 고집적화를 실현하기 위해서는, 칩의 두께를 25 ∼ 150 ㎛ 의 범위까지 얇게 할 필요가 있다.
그러나, 칩의 베이스가 되는 반도체 웨이퍼 (이하, 웨이퍼) 는, 연삭함으로써 두께가 얇아지기 때문에, 그 강도가 저하되어, 웨이퍼에 크랙 또는 휨이 발생하기 쉬워진다. 또, 박판화에 의해 강도가 저하된 웨이퍼를 자동 반송하는 것이 곤란하기 때문에, 사람의 손으로 반송해야만 하여, 그 취급이 번잡하였다.
그 때문에, 서포트 플레이트로 불리는 유리, 실리콘 또는 경질 플라스틱 등으로 이루어지는 플레이트를, 연삭하는 웨이퍼에 첩합 (貼合) 시켜 웨이퍼의 강도를 보충하여, 크랙의 발생 및 웨이퍼의 휨을 방지하는 웨이퍼 핸들링 시스템이 개발되어 있다. 웨이퍼 핸들링 시스템에 의해 웨이퍼의 강도가 보충되므로, 박판화한 웨이퍼의 반송을 자동화할 수 있다.
웨이퍼 핸들링 시스템에 있어서, 웨이퍼와 서포트 플레이트는 여러 가지의 열가소성 수지 또는 접착제 등을 이용하여 첩합된다. 그리고, 서포트 플레이트가 첩합된 웨이퍼를 박판화한 후, 웨이퍼를 다이싱하기 전에 서포트 플레이트를 웨이퍼로부터 분리한다. 예를 들어, 150 ㎛ 이하로 웨이퍼를 박판화하기 위해서는, 웨이퍼와 서포트 플레이트를 강고하게 접착하는 것이 매우 바람직하다.
일본 공개특허공보「일본 공개특허공보 2007-188967호 (2007년 7월 26일 공개)」 일본 공개특허공보「일본 공개특허공보 2004-640640호 (2004년 2월 26일 공개)」
그러나, 웨이퍼와 서포트 플레이트를 강고하게 접착한 경우, 접착 재료에 따라서는, 웨이퍼를 파손시키지 않고, 서포트 플레이트를 웨이퍼로부터 분리하는 것이 어렵다. 강고한 접착력은, 웨이퍼의 박판화에는 유효하지만, 서포트 플레이트의 분리시에는 강도가 저하된 웨이퍼의 파손을 초래하기 때문이다.
이와 같이, 웨이퍼 핸들링 시스템의 자동화에는, 서포트 플레이트에 대한 웨이퍼의 강고한 임시 고정을 실현하면서, 웨이퍼를 파손시키지 않고 분리할 수 있는는 매우 어려운 임시 고정 기술의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 대상물을 강고하게 접착하여 지지하면서, 지지체를 대상물로부터 용이하게 분리할 수 있는 적층체 및 그 적층체의 분리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 관련된 적층체는, 광 투과성의 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되는 피지지 기판과, 상기 피지지 기판에 있어서의 상기 지지체에 의해 지지되는 측의 면에 형성되어 있는 접착층과, 상기 지지체와 상기 피지지 기판 사이에 형성되어 있는, 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있고, 상기 분리층은, 상기 지지체를 통해 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있고, 상기 분리층에 있어서의 상기 접착층에 대향하는 측의 면은, 평탄하게 되어 있다.
또, 본 발명에 관련된 분리 방법은, 광 투과성의 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되는 피지지 기판과, 상기 피지지 기판에 있어서의 상기 지지체에 의해 지지되는 측의 면에 형성되어 있는 접착층과, 상기 지지체와 상기 피지지 기판 사이에 형성되어 있는, 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있고, 상기 분리층은, 상기 지지체를 통해 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있는 적층체에 있어서, 상기 피지지 기판과 상기 지지체를 분리하는 분리 방법으로서, 상기 지지체를 통해 상기 분리층에 광을 조사함으로써, 상기 분리층을 변질시키는 공정을 포함한다.
본 발명에 의하면, 대상물을 강고하게 접착하여 지지하면서, 지지체를 대상물로부터 용이하게 분리할 수 있는 적층체 및 그 분리 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 관련된 적층체의 제조 방법, 및 적층체로부터의 반도체 웨이퍼의 분리 처리를 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명에 관련된 적층체의 분리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
[적층체]
본 발명에 관련된 적층체는, 광 투과성의 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되는 피지지 기판과, 상기 피지지 기판에 있어서의 상기 지지체에 의해 지지되는 측의 면에 형성되어 있는 접착층과, 상기 지지체와 상기 피지지 기판 사이에 형성되어 있는, 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있고, 상기 분리층은, 상기 지지체를 통해 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있고, 상기 분리층에 있어서의 상기 접착층에 대향하는 측의 면이 평탄하게 되어 있다.
즉, 본 발명에 관련된 적층체는, 피지지 기판, 접착층, 분리층, 및 지지체가 이 순서로 적층되어 이루어지고, 피지지 기판은, 접착층 및 분리층을 개재하여 지지체에 임시 고정되어 있다.
본 발명의 적층체는, 피지지 기판을 지지체에 임시 고정시킨 적층체로서 사용하는 것이면, 구체적인 용도는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼 서포트 시스템에 있어서 이용되는, 반도체 웨이퍼 (피지지 기판) 를 서포트 플레이트 (지지체) 에 대해 임시 고정시킨 적층체를 예로 들어 설명한다.
(분리층)
상기 서술한 바와 같이, 본 발명에 관련된 적층체는 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있다. 당해 분리층은, 무기물에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있고, 그 결과, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가하는 (예를 들어, 지지체를 들어 올리거나 하는) 것에 의해, 분리층이 파괴되어, 지지체와 피지지 기판을 용이하게 분리할 수 있다.
상기 무기물은, 광을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 바람직하게 사용할 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 함유하는 화합물을 가리키고, 예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물일 수 있다. 이와 같은 무기물의 예시로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 금, 백금, 팔라듐, 코발트, 로듐, 이리듐, 칼슘, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 탄탈, 비스무트, 안티몬, 납, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, 주석 및 이들의 합금 등의 금속, SiO2, SiN, Si3N4, TiN 등의 금속 화합물, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 들 수 있다. 또한, 카본이란 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이며, 예를 들어, 다이아몬드, 플러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등일 수 있다. 금속으로서 바람직한 것은 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬 및 이들의 합금으로부터 선택된 적어도 1 개이다. 합금으로는 은주석이 바람직하다.
상기 무기물은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 무기물이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 상기 무기물을 바람직하게 변질시킬 수 있다.
분리층에 조사하는 광으로는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 화이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유전자 레이저 등의 레이저 광, 또는, 비레이저 광을 적절히 이용하면 된다.
본 명세서에 있어서 무기 화합물이“변질된다”란, 당해 중합체에 의해 구성되어 있는 분리층이, 약간의 외력을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 분리층과 접하는 구성과의 접착력이 저하된 상태로 하는 현상을 의미한다.
분리층은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라스마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해, 지지체 상에 형성될 수 있다. 분리층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 광을 충분히 흡수할 수 있는 막 두께이면 되지만, 예를 들어, 0.1 ∼ 10 ㎛ 의 막 두께로 하는 것이 보다 바람직하다.
또, 적층체의 제조 방법으로서, 상기 분리층을 구성하는 무기물로 이루어지는 무기막 (예를 들어, 금속막) 의 양면 또는 편면에 미리 접착제를 도포하고, 지지체 및 기판에 첩부해도 된다.
또한, 분리층으로서 금속막을 사용하는 경우에는, 분리층의 막질, 레이저 광원의 종류, 레이저 출력 등의 조건에 따라서는, 레이저의 반사나 막에 대한 대전 등이 일어날 수 있다. 그 때문에, 반사 방지막이나 대전 방지막을 분리층의 상하 또는 어느 일방에 형성함으로써, 그들의 대책을 세우는 것이 바람직하다.
또, 분리층은, 지지체와 접착층 사이에 형성되어 있다. 요컨대, 분리층과 피지지 기판 사이에는, 접착층이 형성되어 있다. 이와 같은 구성이면, 지지체를 통해 분리층에 조사된 광이 피지지 기판에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 피지지 기판에 있어서의 접착층과 접하는 면에, 예를 들어, 보호해야 할 미세 구조 등이 형성되어 있는 경우에, 이와 같은 미세 구조가 광의 조사에 의해 악영향을 받는 것을 방지할 수 있다.
또, 분리층에 있어서의 상기 접착층에 대향하는 측의 면이 평탄하게 되어 있는 (요철이 형성되어 있지 않는) 것에 의해, 분리층의 형성을 용이하게 실시할 수 있고, 또한 첩부에 있어서도 균일하게 첩부하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 관련된 적층체에 있어서, 분리층과 지지체 사이에 다른 층이 추가로 형성될 수 있다. 이 경우, 다른 층은 광을 투과하는 재료로 구성되어 있다. 이로써, 분리층으로의 광의 입사를 방해하지 않고, 적층체에 바람직한 성질 등을 부여하는 층을 적절히 추가할 수 있다. 또, 분리층을 구성하고 있는 무기물의 종류에 따라, 무기물을 변질시킬 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 무기물을 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시킬 수 있는 재료로부터 적절히 선택할 수 있다. 어쨌든, 분리층은 지지체 상에 직접 또는 다른 층을 개재하여 고정되어 있고, 분리층과 피지지 기판이 접착층을 개재하여 접착됨으로써, 피지지 기판이 지지체에 임시 고정된다. 예를 들어, 다른 층은, 분리층과 지지체를 접착하는 접착층일 수 있다.
(지지체)
상기 서술한 바와 같이, 지지체는 광 투과성을 가지고 있다. 이것은, 적층체의 외측으로부터 광을 조사했을 때에, 당해 광이 지지체를 통과하여 상기 분리층에 도달하는 것을 목적으로 하고 있다. 따라서, 지지체는, 반드시 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층에 흡수되어야 하는 (원하는 파장을 가지고 있는) 광을 투과시킬 수 있으면 된다.
또, 지지체는, 피지지 기판을 지지하는 구성이다. 따라서, 지지체는, 피지지 기판을 가공 및 반송하거나 하는 경우에, 피지지 기판의 파손 또는 변형 등을 방지하기 위해 필요한 강도를 가지고 있으면 된다.
지지체의 재료로는, 유리 또는 실리콘 등을 들 수 있고, 상기 서술한 목적을 이룰 수 있는 구성이면, 지지체로서 채용할 수 있다.
(접착층)
접착층은, 피지지 기판을 지지체에 접착 고정시킴과 동시에, 피지지 기판의 표면을 덮어 보호하는 구성이다. 따라서, 접착층은, 피지지 기판의 가공 또는 반송시에, 지지체에 대한 피지지 기판의 고정, 및 피지지 기판의 보호해야 할 면의 피복을 유지하는 접착성 및 강도를 가지고 있을 필요가 있다. 한편, 지지체에 대한 피지지 기판의 고정이 불필요해졌을 때에, 용이하게 피지지 기판으로부터 박리 또는 제거할 수 있을 필요가 있다.
따라서, 접착층은, 통상적으로는 강고한 접착성을 가지고 있고, 어떠한 처리에 의해 접착성이 저하되거나, 또는 특정한 용제에 대한 가용성을 갖는 접착제에 의해 구성된다. 접착제로는, 예를 들어 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 및 폴리이미드계 등의, 당해 분야에 있어서 공지된 여러 가지의 접착제가, 본 발명에 관련된 접착층을 구성하는 접착제로서 사용 가능하다.
또한, 광 경화성 수지 (예를 들어, UV 경화성 수지) 이외의 수지를 사용하여 접착층을 형성하는 것이 바람직하다. 이것은, 광 경화성 수지가, 접착층의 박리 또는 제거 후에, 피지지 기판의 미소한 요철의 주변에 잔류물로서 남아 버리는 경우가 있기 때문이다. 특히, 특정한 용제에 용해되는 접착제가 접착층을 구성하는 재료로서 바람직하다. 이것은, 피지지 기판에 물리적인 힘을 가하지 않고, 접착층을 용제에 용해시키는 것에 의해 제거 가능하기 때문이다. 접착층의 제거에 있어서, 강도가 저하된 피지지 기판으로부터조차, 피지지 기판을 파손시키거나 변형시키거나 하지 않고, 용이하게 접착층을 제거할 수 있다.
[적층체의 제조 방법]
본 발명에 관련된 적층체의 제조 방법에 대해, 도 1 을 참조하여 이하에 설명한다. 도 1 은, 적층체의 제조 방법, 및 적층체로부터의 반도체 웨이퍼의 분리 처리를 나타내는 도면이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 원하는 소자가 형성되어 있는 반도체 웨이퍼 (피지지 기판) 중, 소자의 형성면에 대해 접착제를 도포한다 (도 1 의 (1)). 접착제는, 예를 들어, 용제에 용해시킨 상태에서 반도체 웨이퍼에 도포된다. 그리고, 온도를 상승시키면서 단계적으로 베이크함으로써 접착제가 고화되어 접착층이 형성된다.
다음으로, 지지체 (지지체) 의 일방의 면에, 상기 무기물을 스퍼터 또는 도금 등에 의해 성막함으로써, 분리층이 형성된다 (도 1 의 (2)).
그리고, 반도체 웨이퍼의 일방의 면에 형성된 접착층에 대해, 지지체의 일방의 면에 형성된 분리층을 접착시켜, 200 ℃ 의 진공 중에서 가압하여 첩부한다 (도 1 의 (3)).
이상과 같이 하여, 본 발명에 관련된 적층체를 제조할 수 있다. 또한, 피지지 기판 상태 (표면의 요철, 강도 등), 접착층의 재료, 분리층의 재료, 및 지지체의 재료 등에 따라서, 접착층 및 분리층의 형성 수법, 접착층과 분리층의 첩부 수법 수법은, 종래 공지된 여러 가지의 수법으로부터, 바람직한 것이 적절히 선택된다.
당해 적층체는, 반도체 웨이퍼의 가공을 거친 후에, 광의 조사, 지지체의 분리, 및 접착층의 제거에 의해, 반도체 웨이퍼만의 상태가 될 수 있다.
[적층체의 분리 방법]
계속해서, 도 1 및 도 2 를 참조하여, 반도체 웨이퍼의 가공 후로부터, 반도체 웨이퍼의 제거까지에 관하여 설명한다. 도 2 는, 적층체의 분리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 가공이 끝난 후에, 지지체측의 면으로부터 적층체에 레이저가 조사된다 (도 1 의 (4)). 레이저의 조사를 받으면 (도 2 의 (1)), 분리층은 변질을 일으킨다 (도 2 의 (2)).
다음으로 반도체 웨이퍼로부터 지지체를 분리한다 (도 1 의 (5)). 변질된 분리층은, 그 강도가 현저하게 저하되어 있다. 따라서, 예를 들어, 약간의 외력을 가하여 지지체를 끌어올림으로써, 분리층이 용이하게 파괴되어, 지지체가 적층체로부터 분리된다 (도 2 의 (3)).
나머지의 접착층에 용제를 분무하여, 접착층을 제거한다 (도 1 의 (6)). 여기서, 지지체의 분리 후에 접착층에 분리층의 나머지가 부착되어 있는 경우가 있다. 소량의 분리층이 부착되어 있을 뿐이면, 상기 서술한 바와 같이 접착층을 용해시키는 용제를 분무하면 된다. 그러나, 그 전에 분리층의 재료를 용해시키는 용제를 분무해도 된다.
이상과 같이, 본 발명에 관련된 적층체는, 상기 서술한 바와 같은 분리층을 구비하고 있으므로, 광의 조사에 의해, 피지지 기판으로부터 지지체를 용이하게 분리할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련된 분리 방법은, 상기 서술한 바와 같은 본 발명에 관련된 적층체를 바람직하게 분리할 수 있지만, 이것에 한정되지 않고, 본 발명에 관련된 분리 방법은, 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있는 적층체이면, 예를 들어, 당해 분리층에 있어서의 상기 접착층에 대향하는 측의 면이 평탄하지 않은 적층체에 대해서도 분리 가능하다.
실시예
이하에, 본 발명에 관련된 적층체의 실시예를 나타낸다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는, 본 발명의 이해를 돕는 예시이지, 전혀 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1]
(적층체의 제조)
실시예 1 의 적층체를 이하와 같이 제조하였다. 두께 0.7 ㎜ 의 유리 지지체 상에, 스퍼터에 의해 알루미늄을 성막하였다. 이로써, 두께 0.2 ㎛ 의 분리층이 형성된 유리 지지체를 얻었다. 또한, 분리층의 표면은 평탄하다.
다음으로, 725 ㎛ 의 두께의 반도체 웨이퍼 기판 (직경 150 ㎜ 의 미연삭 실리콘 웨이퍼) 상에, 베이크 후에 50 ㎛ 의 두께가 되는 양의 탄화수소계의 접착제 「TZNR-A3007」(토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 을 도포하였다. 그리고, 90 ℃, 160 ℃ 및 220 ℃ 의 각각에 있어서, 단계적으로 15 분간씩 베이크하여 반도체 웨이퍼 기판 상에 접착층을 형성하였다. 상기 분리층 및 접착층을, 서로 마주 보게 하여 접착시킴으로써, 적층체를 제조하였다.
(분리성의 평가)
실시예 1 의 적층체를, 이하와 같은 처리를 한 다음, 유리 지지체가 반도체 웨이퍼 기판으로부터 분리되는지 여부에 대해 평가하였다.
상기 서술한 바와 같이 하여 얻어진 적층체에 있어서의 반도체 기판을 박화하였다. 그 후, 1064 ㎚ 또는 1090 ㎚ 의 파장을 갖는 적외선 레이저를, 적층체의 유리 지지체측으로부터 분리층을 향하여 조사하였다. 구체적으로는, 빔 형상이 60 ㎛, 조사 피치가 120 ㎛, 전송 속도가 3000 ㎜/sec 인 1064 ㎚ 또는 1090 ㎚ 의 파장을 갖는 적외선 레이저를, 1.3 ∼ 5.2 W 의 범위에서 선택한 평균 출력과, 30 ∼ 200 ㎑ 의 범위에서 선택한 펄스 주파수를 조합한 조건에 따라, 적층체에 조사하였다. 레이저의 스캔 횟수는 1 회였다.
그 결과, 실시예 1 의 적층체에 있어서의 분리층은, 1064 ㎚ 또는 1090 ㎚ 어느 레이저 조사를 받아도 변질되어 있고, 유리 지지체를 단순히 들어 올리는 것만으로, 유리 지지체는 반도체 웨이퍼 기판으로부터 용이하게 분리되었다. 또, 유리 지지체를 분리 후의 유리 지지체 및 반도체 웨이퍼 기판의 표면을 육안으로 관찰한 결과, 알루미늄의 광택이 관찰되지 않게 되어, 웨이퍼 반도체 기판 상에 무기물이 변질된 흑색의 분체가 약간 관찰된 것 이외에는, 잔류물은 없었다.
이상과 같이, 적층체의 분리층을 무기물에 의해 형성함으로써, 당해 분리층을 레이저 조사에 의해 변질시켜, 매우 용이하게 피지지 기판을 지지체로부터 분리할 수 있었다.
[실시예 2]
실시예 2 의 적층체를 이하와 같이 제조하였다. 두께 0.7 ㎜ 의 유리 지지체 상에, 은주석 화합물의 1-메톡시-2-프로판올아세테이트 25 ％ 분산액 (상세한 조성은, 은 (Ag) 및 은주석 화합물 (AgSn)：20 ∼ 30 wt％, 1-메톡시-2-프로판올아세테이트：65 ∼ 75 wt％, 및 분산액：1 ∼ 5 ％) 을 스핀 코트법에 의해 도포하고, 100 ℃, 160 ℃, 220 ℃ 에서 각 2 분씩 스텝 베이크를 실시하여, 두께 0.25 ㎛ 의 분리층이 형성된 유리 지지체를 얻었다. 또한, 분리층의 표면은 평탄하다. 이후는, 실시예 1 과 동일한 처리를 실시하여, 지지체가 반도체 웨이퍼 기판으로부터 분리되는지 여부에 대해 평가하였다.
그 결과, 실시예 2 에 있어서도, 실시예 1 과 동일하게 분리층을 레이저 조사에 의해 변질시켜, 매우 용이하게 피지지 기판을 지지체로부터 분리할 수 있었다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의하면, 여러 가지 제품의 제조시에 사용되는 임시 고정시킨 적층체를 제공할 수 있다. 특히, 반도체 웨이퍼 또는 칩을 여러 가지의 지지체에 임시 고정시켜 가공하는 공정에 있어서 바람직한 적층체를 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 광 투과성의 지지체와,
    상기 지지체에 의해 지지되는 피지지 기판과,
    상기 피지지 기판에 있어서의 상기 지지체에 의해 지지되는 측의 면에 형성되어 있는 접착층과,
    상기 지지체와 상기 피지지 기판 사이에 형성되어 있는, 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있고,
    상기 분리층은, 상기 지지체를 통해 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있고,
    상기 분리층에 있어서의 상기 접착층에 대향하는 측의 면은, 평탄하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기물이, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물인 것을 특징으로 하는 적층체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 무기물이, 금, 백금, 팔라듐, 코발트, 로듐, 이리듐, 칼슘, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 탄탈, 비스무트, 안티몬, 납, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, 주석 및 이들의 합금, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 그리고 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물인 것을 특징으로 하는 적층체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지체가, 유리 또는 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지체와 상기 분리층 사이에, 적어도 1 개의 층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 적층체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기물이 금속 또는 금속 화합물이고,
    상기 분리층의 적어도 일방의 측에, 반사 방지막 또는 대전 방지막을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 적층체.
  7. 광 투과성의 지지체와, 상기 지지체에 의해 지지되는 피지지 기판과, 상기 피지지 기판에 있어서의 상기 지지체에 의해 지지되는 측의 면에 형성되어 있는 접착층과, 상기 지지체와 상기 피지지 기판 사이에 형성되어 있는, 무기물로 이루어지는 분리층을 구비하고 있고, 상기 분리층은, 상기 지지체를 통해 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되도록 되어 있는 적층체에 있어서, 상기 피지지 기판과 상기 지지체를 분리하는 분리 방법으로서,
    상기 지지체를 통해 상기 분리층에 광을 조사함으로써, 상기 분리층을 변질시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 분리 방법.
KR1020187032011A 2010-10-29 2011-10-07 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법 KR20180123721A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-243153 2010-10-29
JP2010243153 2010-10-29
JPJP-P-2011-214817 2011-09-29
JP2011214817A JP2012109538A (ja) 2010-10-29 2011-09-29 積層体、およびその積層体の分離方法
PCT/JP2011/073245 WO2012056867A1 (ja) 2010-10-29 2011-10-07 積層体、およびその積層体の分離方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137012943A Division KR20140001218A (ko) 2010-10-29 2011-10-07 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180123721A true KR20180123721A (ko) 2018-11-19

Family

ID=45993595

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137012943A KR20140001218A (ko) 2010-10-29 2011-10-07 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법
KR1020187032011A KR20180123721A (ko) 2010-10-29 2011-10-07 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137012943A KR20140001218A (ko) 2010-10-29 2011-10-07 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9492986B2 (ko)
JP (1) JP2012109538A (ko)
KR (2) KR20140001218A (ko)
TW (1) TWI605953B (ko)
WO (1) WO2012056867A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013239650A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 支持体分離方法および支持体分離装置
WO2014031374A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Corning Incorporated Processing of flexible glass substrates and substrate stacks including flexible glass substrates and carrier substrates
JP2015532004A (ja) * 2012-08-22 2015-11-05 コーニング インコーポレイテッド フレキシブルガラス基板の処理
JP5982248B2 (ja) 2012-09-28 2016-08-31 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
WO2014188879A1 (ja) 2013-05-24 2014-11-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
TWI610374B (zh) 2013-08-01 2018-01-01 格芯公司 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑
JP6182491B2 (ja) 2013-08-30 2017-08-16 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用
EP3071381B1 (en) * 2013-11-22 2020-01-15 Tecna S.p.A. Method and associated unit for removing plate-like elements
WO2015140595A1 (zh) * 2014-03-19 2015-09-24 三星电子株式会社 制造半导体装置的方法
JP6546783B2 (ja) * 2015-05-21 2019-07-17 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法及び支持体分離方法
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
US10580666B2 (en) 2016-07-01 2020-03-03 Corning Incorporated Carrier substrates for semiconductor processing
WO2019106846A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム
JP7388004B2 (ja) 2019-05-30 2023-11-29 株式会社レゾナック 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4909806A (en) 1987-12-31 1990-03-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fluorine- and chromophore-containing polymer
EP0431637B1 (en) 1989-12-08 1993-06-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Pickup method and the pickup apparatus for a chip-type part
US5752442A (en) 1993-11-03 1998-05-19 Corning Incorporated Method for printing a color filter
JP3265806B2 (ja) 1994-03-23 2002-03-18 凸版印刷株式会社 透明積層体
US6372608B1 (en) 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
JP3809681B2 (ja) * 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
JP3768069B2 (ja) * 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
JP4061846B2 (ja) 2001-01-23 2008-03-19 セイコーエプソン株式会社 積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP2003020335A (ja) 2001-05-01 2003-01-24 Jsr Corp ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
US20030019576A1 (en) 2001-06-27 2003-01-30 Loctite Corporation Electronic component removal method through application of infrared radiation
US6814832B2 (en) * 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
US6896760B1 (en) 2002-01-16 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Fabrication of stacked microelectronic devices
US7534498B2 (en) 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US6864295B2 (en) 2002-07-23 2005-03-08 Asahi Kasei Chemicals Corporation Gas-generating, pressure-sensitive adhesive composition
JP4150557B2 (ja) 2002-09-02 2008-09-17 富士フイルム株式会社 多層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4645004B2 (ja) 2003-02-05 2011-03-09 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
US6881765B2 (en) 2003-03-10 2005-04-19 Toagosei Co., Ltd. Curable release agent and separator using same
JP2004319538A (ja) 2003-04-10 2004-11-11 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、集積回路、電子光学装置及び電子機器
US6911375B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-28 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding at low temperature
JP4130167B2 (ja) * 2003-10-06 2008-08-06 日東電工株式会社 半導体ウエハの剥離方法
JP4836445B2 (ja) * 2003-12-12 2011-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7084045B2 (en) 2003-12-12 2006-08-01 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2005183689A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Seiko Epson Corp 支持基板、搬送体、半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、並びに電子機器
JP2005302982A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Nitto Denko Corp 半導体チップの製造方法
JP4063277B2 (ja) * 2004-12-21 2008-03-19 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US8021962B2 (en) 2005-06-07 2011-09-20 Fujifilm Corporation Functional film containing structure and method of manufacturing functional film
US7297613B1 (en) * 2005-06-09 2007-11-20 The United States Of America As Represented By The National Security Agency Method of fabricating and integrating high quality decoupling capacitors
US7462551B2 (en) 2005-09-30 2008-12-09 Intel Corporation Adhesive system for supporting thin silicon wafer
US20100273326A1 (en) 2005-11-30 2010-10-28 Masahiro Nakamura Method for purifying unsaturated fluorocarbon compound, method for forming fluorocarbon film, and method for producing semiconductor device
JP2007188967A (ja) 2006-01-11 2007-07-26 Sony Corp 基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5087807B2 (ja) 2006-02-22 2012-12-05 東京応化工業株式会社 有機半導体素子の製造方法及びそれに用いる絶縁膜形成用組成物
US8173519B2 (en) * 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20080014532A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
JP2008041987A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレートとウェハとの剥離方法及び装置
JP2008166578A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5090789B2 (ja) 2007-05-30 2012-12-05 東京応化工業株式会社 貼り合わせ装置、接着剤の溶解を防ぐ方法、及び貼り合わせ方法
JP5255245B2 (ja) * 2007-08-28 2013-08-07 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼合方法
JP2009263316A (ja) 2008-04-30 2009-11-12 Konishi Kagaku Ind Co Ltd 不完全縮合オリゴシルセスキオキサンの製造方法
JP2009263596A (ja) 2008-04-30 2009-11-12 Konishi Kagaku Ind Co Ltd 不完全縮合オリゴシルセスキオキサン及びその製造方法
JP2009275060A (ja) 2008-05-12 2009-11-26 Nitto Denko Corp 粘着シート、その粘着シートを使用した被着体の加工方法、及び粘着シート剥離装置
JP5252283B2 (ja) 2008-10-15 2013-07-31 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法及びそのための装置
JP2010100686A (ja) 2008-10-21 2010-05-06 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着シート
JP2010120901A (ja) 2008-11-21 2010-06-03 Konishi Kagaku Ind Co Ltd 完全縮合オリゴシルセスキオキサン立体異性体、それを用いた重合体及びそれらの製造方法
US7867876B2 (en) 2008-12-23 2011-01-11 International Business Machines Corporation Method of thinning a semiconductor substrate
JP5349982B2 (ja) 2009-01-14 2013-11-20 株式会社ディスコ サブストレート付きウエーハの加工方法
KR20110041925A (ko) 2009-10-16 2011-04-22 삼성전자주식회사 이중층 패턴형성용 접착필름, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 패턴 접착층의 형성방법
JP5547954B2 (ja) 2009-12-14 2014-07-16 日東電工株式会社 粘着テープ剥離方法およびその装置
US7883991B1 (en) 2010-02-18 2011-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Temporary carrier bonding and detaching processes
JP6034796B2 (ja) 2011-10-31 2016-11-30 東京応化工業株式会社 ウエハと当該ウエハの支持体とを接着するための接着剤組成物、及びその利用
US20140144593A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 International Business Machiness Corporation Wafer debonding using long-wavelength infrared radiation ablation
JP6088230B2 (ja) 2012-12-05 2017-03-01 東京応化工業株式会社 積層体の形成方法
JP6125317B2 (ja) 2013-05-09 2017-05-10 東京応化工業株式会社 モールド材の処理方法及び構造体の製造方法
JP6088371B2 (ja) 2013-07-02 2017-03-01 東京応化工業株式会社 フッ化炭素、フッ化炭素の製造方法、及びその利用

Also Published As

Publication number Publication date
TWI605953B (zh) 2017-11-21
KR20140001218A (ko) 2014-01-06
US20130213582A1 (en) 2013-08-22
US9492986B2 (en) 2016-11-15
JP2012109538A (ja) 2012-06-07
TW201231291A (en) 2012-08-01
WO2012056867A1 (ja) 2012-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180123721A (ko) 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법
KR101561359B1 (ko) 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법
TW447025B (en) Process for precision alignment of chips for mounting on a substrate
AU729849B2 (en) Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier
KR101043836B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US7867876B2 (en) Method of thinning a semiconductor substrate
KR102050541B1 (ko) 초박막 웨이퍼의 임시 본딩을 위한 방법 및 장치
JP4769429B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5334411B2 (ja) 貼り合わせ基板および貼り合せ基板を用いた半導体装置の製造方法
US9355881B2 (en) Semiconductor device including a dielectric material
KR20060048012A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR20070070091A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
JPH11204551A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000040773A (ja) 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JP2000040711A (ja) 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
US9362105B2 (en) Pre-cut wafer applied underfill film on dicing tape
US20070057410A1 (en) Method of fabricating wafer chips
JPH1174230A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JP2006294685A (ja) 裏面金属膜を有する半導体チップの製造方法及びそれにより得られた半導体チップ
JP2005277103A (ja) 半導体ウェハ、支持体および半導体ウェハ製造方法ならびにスペーサ製造方法および半導体素子製造方法
JP2007242812A (ja) 半導体装置の製造方法及び支持テープ
US20200266089A1 (en) Carrier and method for manufacturing semiconductor device
JP2015201548A (ja) 半導体装置の製造方法
WO2022118929A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4966897B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2019101003296; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20191002

Effective date: 20200811