KR20180013751A - 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 - Google Patents

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

기판과, 기판 상에 탑재되는 반도체 소자 중, 적어도 한쪽 혹은 양쪽 모두에 플럭스 잔사가 부착된 상태에 있는 구조체에 있어서, 반도체 소자를 봉지하기 위하여 이용하는, 고형의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물로서, 당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제를 포함하고, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 Fedors법에 근거하는 평균 용해도 파라미터(SP1)와, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 사이에, Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립된다.

Description

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 봉지용(封止用) 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치에 관한 것이다.
종래의 대표적인 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서는, 통상, 땜납 리플로할 때에 플럭스제를 사용하여 반도체 소자와 기판을 접속시킨 후, 기판 상에 잔존하고 있는 플럭스제(플럭스 잔사)를 용제로 세정함으로써 제거한 후, 반도체 봉지용 수지 조성물을 이용하여 상기 반도체 소자를 봉지하고 있었다(특허문헌 1 등).
그러나, 최근에 있어서는, 반도체 장치의 협(狹)피치화나 협(狹)갭화에 대응하기 위하여 요구 수준이 높아지고 있는 경향이 있는 점에서, 플럭스 잔사의 세정 제거 처리를 거칠 필요가 없는, 반도체 봉지용 수지 조성물의 실현이 요구되고 있다. 이와 같은, 플럭스 잔사의 세정 제거 처리를 거칠 필요가 없는 반도체 봉지용 수지 조성물에 관한 기술로서는, 예를 들면 이하의 것을 들 수 있다.
특허문헌 2에는, 플럭스 잔사의 세정 제거 처리를 거칠 필요가 없는 반도체 봉지용 수지 조성물로서, 에폭시 수지와, 플럭스 활성제를 포함하는 경화제와, 구상 알루미나를 포함하는 액상의 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2008-226926호 일본 공개특허공보 2008-274083호
Polymer Eng. Sci., 14, No. 2, 147-154, 1974 도료의 연구, No. 152 Oct, 41-46, 2010
그러나, 특허문헌 2 등에 기재된 종래의 액상의 에폭시 수지 조성물을 이용한 경우, 충전제의 배합량 등과 같은 제조 조건에 제한이 가해지게 되기 때문에, 결과적으로 땜납 리플로 시에 박리가 발생하고, 미충전 영역이 발생하거나, 나아가서는 내습신뢰성의 저하에 따라, 결과적으로, 경화 성능이 저해되거나, 기판에 대한 밀착성이 저하되는 등과 같은 문제가 발생할 가능성을 갖고 있었다.
따라서, 본 발명은 플럭스 잔사를 상용(相溶)하여 봉지재 내에 도입하는 것이 가능한 고형의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 기술을 제공한다.
본 발명에 의하면, 기판과, 상기 기판 상에 탑재되는 반도체 소자 중, 적어도 한쪽 혹은 양쪽 모두에 플럭스 잔사가 부착된 상태에 있는 구조체에 있어서, 상기 반도체 소자를 봉지하기 위하여 이용하는, 고형의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물로서,
당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이,
에폭시 수지와,
페놀 수지 경화제를 포함하고,
상기 에폭시 수지 및 상기 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 Fedors법에 근거하는 평균 용해도 파라미터(SP1)와,
상기 에폭시 수지 및 상기 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 사이에,
Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판과,
상기 기판 상에 탑재된 반도체 소자와,
상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지재를 갖고,
상기 봉지재가, 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 반도체 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 플럭스 잔사를 상용하여 봉지재 내에 도입하는 것이 가능한 고형의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 기술을 제공할 수 있다.
상술한 목적, 및 그 외의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 설명하는 적합한 실시형태, 및 그에 부수하는 이하의 도면에 의하여 더 명확해진다.
도 1은 본 실시형태에 관한 반도체 장치의 일례를 나타내는 도이다.
도 2는 본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 3은 실시예 및 비교예에 관한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 중에 포함되어 있는 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 평균 용해도 파라미터(SP1)와, 그 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 관계성을 나타내는 도이다.
이하, 실시형태에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여, 적절히 설명을 생략한다.
<반도체 장치>
도 1은 본 실시형태에 관한 반도체 장치(100)의 일례를 나타내는 도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관한 반도체 장치(100)는, 기판(10)과, 상기 기판(10) 상에 탑재된 반도체 소자(20)와, 반도체 소자(20)를 봉지하는 봉지재(50)를 갖는 것이다. 또한, 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)는, 반도체 소자(20)와 기판(10)이 땜납 범프(30)를 통하여 전기적으로 접속된 것이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 실시형태에 관한 반도체 장치(100)의 제조 방법에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 또한, 도 2는 본 실시형태에 관한 반도체 장치(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 도이다.
먼저, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 땜납 범프(30)를 갖는 반도체 소자(20)를 준비한다. 여기에서, 본 실시형태에 관한 반도체 소자(20)로서는, 예를 들면 집적 회로, 대규모 집적 회로, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드, 고체 촬상 소자 등을 들 수 있다.
다음으로, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 소자(20)에 마련된 땜납 범프(30)에 플럭스제(200)를 도포한다. 구체적으로는, 준비한 반도체 소자(20)에 있어서의 땜납 범프(30)가 마련되어 있는 측의 면을, 플럭스제(200)가 도포된 대(臺) 상에 접촉시킴으로써, 반도체 소자(20)에 마련된 땜납 범프(30)에 플럭스제(200)를 부착시킨다. 또한, 상기 플럭스제(200)의 상세에 대해서는 후술한다.
다음으로, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 플럭스제(200)가 땜납 범프(30)에 부착된 상태에 있는 반도체 소자(20)를, 기판(10) 상에 있어서의 원하는 위치에 배치한다. 구체적으로는, 기판(10) 상에 노출되어 있는 도체부와, 땜납 범프(30)가 플럭스제(200)를 통하여 맞닿도록, 반도체 소자(20)를 기판(10) 상에 배치한다.
다음으로, 땜납 리플로 처리를 실시함으로써, 도 2(d)에 나타내는 구조체를 얻는다. 구체적으로는, 도 2(c)에 나타내는 구조체에 대하여, 땜납 리플로 처리를 실시함으로써, 땜납 범프(30)를 통하여, 반도체 소자(20)와, 기판(10)을 전기적으로 접속시킨 도 2(d)에 나타내는 구조체를 얻는다. 여기에서, 도 2(d)에 나타내는 구조체에 있어서는, 통상, 땜납 범프(30)의 근방 영역에 플럭스 잔사(300)가 부착되어 있다. 구체적으로는, 도 2(d)에 나타내는 구조체에 있어서는, 통상, 기판(10)과, 기판(10) 상에 탑재되는 반도체 소자(20)와, 반도체 소자(20)가 구비하는 땜납 범프(30) 중, 적어도 하나 혹은 모두에 플럭스 잔사(300)가 부착되어 있다.
다음으로, 도 2(d)에 나타내는 구조체에 구비되는 반도체 소자(20)를, 후술하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지함으로써, 봉지재(50)를 형성한다. 이렇게 함으로써, 도 2(e)에 나타내는 본 실시형태에 관한 반도체 장치(100)를 얻을 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 플럭스 잔사(300)가 부착된 상태에 있는 도 2(d)에 나타내는 구조체를, 그 상태 그대로 봉지재(50)의 성형에 사용할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서는, 도 2(d)에 나타내는 구조체로부터, 플럭스 잔사(300)를 제거하지 않고, 봉지재(50)의 성형을 실시할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 상기 봉지재(50)의 성형 방법으로서는, 트랜스퍼 성형법, 압축 성형법, 인젝션 성형법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 수지 조성물의 충전성을 양호하게 하는 관점에서, 트랜스퍼 성형법 또는 압축 성형법을 채용하는 것이 바람직하다. 이로 인하여, 본 수지 조성물의 형태는, 작업성의 관점에서, 분립(粉粒) 형상, 과립 형상, 태블릿 형상 또는 시트 형상으로 가공된 것인 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 플럭스제(200)의 함유 성분에 대하여 설명한다. 여기에서, 상술한 플럭스 잔사(300)는, 플럭스제(200)의 잔존물이기 때문에, 플럭스제(200)와 동일 성분을 포함하는 것이다.
본 실시형태에 관한 플럭스제(200)는, 땜납 접합에 사용할 수 있는 것이면 공지의 것을 사용할 수 있다. 상기 플럭스제(200)의 구체예로서는, 분자 구조 중에 카복실기 또는 페놀성 수산기를 포함하는 화합물을 활성종으로서 포함하는 것을 들 수 있다.
상기 분자 구조 중에 카복실기를 포함하는 화합물로서는, 지방족 산무수물, 지환식 산무수물, 방향족 산무수물, 지방족 카복실산, 방향족 카복실산 등을 들 수 있다. 그리고, 상기 지방족 산무수물의 구체예로서는, 무수 숙신산, 폴리아디프산 무수물, 폴리아젤라산 무수물, 폴리세바신산 무수물 등을 들 수 있다. 상기 지환식 산무수물의 구체예로서는, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 무수 메틸하이믹산(MHAC-P), 헥사하이드로 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸시클로헥센디카복실산 무수물 등을 들 수 있다. 상기 방향족 산무수물의 구체예로서는, 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 글리세롤트리스트리멜리테이트 등을 들 수 있다. 상기 지방족 카복실산의 구체예로서는, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 뷰티르산, 발레르산, 피발산 카프로산, 카프릴산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 올레산, 푸마르산, 말레산, 옥살산, 말론산, 숙신산 등을 들 수 있다. 상기 방향족 카복실산의 구체예로서는, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 헤미멜리트산, 트리멜리트산, 트리메스산, 멜로판산, 프레니트산, 피로멜리트산, 멜리트산, 트리일산, 자일릴산, 헤멜리트산, 메시틸렌산, 프레니틸산, 톨루일산, 신남산, 살리실산, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 겐티스산(2,5-디하이드록시벤조산), 2,6-디하이드록시벤조산, 3,5-디하이드록시벤조산, 갈산(3,4,5-트리하이드록시벤조산), 1,4-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산 등의 나프토산 유도체, 페놀프탈린, 디페놀산 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 분자 구조 중에 페놀성 수산기를 포함하는 화합물로서는, 페놀류를 들 수 있다. 이러한 페놀류의 구체예로서는, 페놀, o-크레졸, 2,6-자일레놀, p-크레졸, m-크레졸, o-에틸페놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, m-에틸페놀, 2,3-자일레놀, 메디톨, 3,5-자일레놀, p-터셔리부틸페놀, 카테콜, p-터셔리아밀페놀, 레조시놀, p-옥틸페놀, p-페닐페놀, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AF, 비페놀, 디알릴비스페놀 F, 디알릴비스페놀 A, 트리스페놀, 테트라키스페놀 등의 페놀성 수산기를 함유하는 모노머류, 페놀 노볼락 수지, o-크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 F 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
본 실시형태에 관한 플럭스제(200)는, 기판(10)과, 반도체 소자(20)의 전기적 접속 신뢰성을 확보하는 관점에서, 디하이드록시벤조산, 아디프산, 푸마르산 및 글루타르산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 활성종으로서 포함하는 것이 바람직하다.
상술한 활성종을 포함하는 플럭스제(200)의 시판품으로서는, 구체적으로는, 센주 긴조쿠 고교사제의 델타락스 GTN-68 등을 들 수 있다.
<반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물>
이하에 있어서는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 본 수지 조성물이라고도 한다.
본 실시형태에 관한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 기판(10)과, 기판(10) 상에 탑재되는 반도체 소자(20) 중, 적어도 한쪽 혹은 양쪽 모두에 플럭스 잔사(300)가 부착된 상태에 있는 구조체에 있어서, 반도체 소자(20)를 봉지하기 위하여 이용하는 것을 상정한 것이며, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제를 포함하는 고형의 수지 조성물이다. 그리고, 본 수지 조성물은, 다음의 조건을 충족시키는 것을 특징으로 한 것이다. 구체적으로는, 본 수지 조성물은, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 Fedors법에 근거하는 평균 용해도 파라미터(SP1)와, 상기 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 사이에, Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는 것을 특징으로 한 것이다. 이로써, 플럭스 잔사(300)를 상용하여 봉지재(50) 내에 도입하는 것이 가능하고, 또한 성형 작업성이 우수한 수지 조성물로 할 수 있다.
먼저, 상술한 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 Fedors법에 근거하는 평균 용해도 파라미터(SP1)에 대하여 설명한다. 여기에서, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군이란, 본 수지 조성물 중에 필수 성분으로서 포함되어 있는 수지 성분 중, 1종 이상의 에폭시 수지 및 1종 이상의 페놀 수지 경화제로 구성되는 수지 재료로 이루어지는 군을 가리킨다. 또, Fedors법에 근거하는 용해도 파라미터란, 어떤 물질이 다른 어떤 물질에 대하여 어느 정도 용해되는지와 같은 용해성을 정량적으로 나타내는 지표이며, 화합물의 분자 구조 중에 포함되어 있는 관능기의 종류나 수를 고려하여, 응집 에너지 밀도와 몰 분자 부피에 근거하여 비특허문헌 1에 기재되어 있는 Fedors에 의하여 제안된 추산법에 의하여 산출되는 것이다.
상기 평균 용해도 파라미터(SP1)는, 이하의 식 1에 의하여 산출할 수 있다.
식 1: 평균 용해도 파라미터(SP1)=Σ(A(n)×Ca(n))+Σ(B(n)×Cb(n))
(상기 식 1에 있어서, A(n)는, 본 수지 조성물 중에 포함되어 있는 n종의 에폭시 수지 각각에 관한 Fedors법에 근거하여 산출된 용해도 파라미터를 가리킨다. Ca(n)는, 본 수지 조성물 중에 있어서의 전체 에폭시 수지와 전체 페놀 수지 경화제의 합계 함유량에 대한 n종의 에폭시 수지 각각의 함유량을 가리킨다. B(n)는, 본 수지 조성물 중에 포함되어 있는 n종의 페놀 수지 경화제 각각에 관한 Fedors법에 근거하여 산출된 용해도 파라미터를 가리킨다. Cb(n)는, 본 수지 조성물 중에 있어서의 전체 에폭시 수지와 전체 페놀 수지 경화제의 합계 함유량에 대한 n종의 페놀 수지 경화제 각각의 함유량을 가리킨다. 또한, 상기 n은 1 이상의 정수이다.)
즉, 본 수지 조성물 중에 포함되어 있는 상기 수지군이, 서로 다른 2종의 에폭시 수지와, 서로 다른 2종의 페놀 수지 경화제에 의하여 구성되어 있는 경우, 상기 평균 용해도 파라미터(SP1)는, 이하의 식 2로 산출되게 된다. 이하, 서로 다른 2종의 에폭시 수지를 제1 에폭시 수지, 제2 에폭시 수지라고 한다. 또, 서로 다른 2종의 페놀 수지 경화제를 제1 경화제, 제2 경화제라고 한다.
또한, 하기 식 2에 있어서, A1은, 제1 에폭시 수지에 관한 Fedors법에 근거하여 산출된 용해도 파라미터의 값을 가리킨다. A2는, 제2 에폭시 수지에 관한 Fedors법에 근거하여 산출된 용해도 파라미터의 값을 가리킨다. B1은, 제1 경화제에 관한 Fedors법에 근거하여 산출된 용해도 파라미터의 값을 가리킨다. B2는, 제2 경화제에 관한 Fedors법에 근거하여 산출된 용해도 파라미터의 값을 가리킨다. Ca1은, 수지군 전체량에 대한 제1 에폭시 수지의 함유량을 가리킨다. Ca2는, 수지군 전체량에 대한 제2 에폭시 수지의 함유량을 가리킨다. Cb1은, 수지군 전체량에 대한 제1 경화제의 함유량을 가리킨다. Cb2는, 수지군 전체량에 대한 제2 경화제의 함유량을 가리킨다.
식 2: 평균 용해도 파라미터(SP1)=A1×Ca1+A2×Ca2+B1×Cb1+B2×Cb2
다음으로, 상술한 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 산출 방법에 대하여 설명한다. 구체적으로는, 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 산출 방법은, 이하의 식 3에 의하여 산출할 수 있다.
식 3: 수지군의 수평균 분자량(Mn1)=Σ(a(n)×Ca(n))+Σ(b(n)×Cb(n))
(상기 식 3에 있어서, a(n)는, 본 수지 조성물 중에 포함되어 있는 n종의 에폭시 수지 각각에 관한 수평균 분자량의 값을 가리킨다. Ca(n)는, 본 수지 조성물 중에 있어서의 전체 에폭시 수지와 전체 페놀 수지 경화제의 합계 함유량에 대한 n종의 에폭시 수지 각각의 함유량을 가리킨다. b(n)는, 본 수지 조성물 중에 포함되어 있는 n종의 페놀 수지 경화제 각각에 관한 수평균 분자량의 값을 가리킨다. Cb(n)는, 본 수지 조성물 중에 있어서의 전체 에폭시 수지와 전체 페놀 수지 경화제의 합계 함유량에 대한 n종의 페놀 수지 경화제 각각의 함유량을 가리킨다. 또한, 상기 n은 1 이상의 정수이다.)
즉, 본 수지 조성물 중에 포함되어 있는 상기 수지군이, 서로 다른 2종의 에폭시 수지와, 서로 다른 2종의 페놀 수지 경화제에 의하여 구성되어 있는 경우, 상기 수지군의 수평균 분자량(Mn1)은, 이하의 식 4로 산출되게 된다. 이하, 서로 다른 2종의 에폭시 수지를 제1 에폭시 수지, 제2 에폭시 수지라고 한다. 또, 서로 다른 2종의 페놀 수지 경화제를 제1 경화제, 제2 경화제라고 한다.
또한, 하기 식 4에 있어서, a1은, 제1 에폭시 수지의 수평균 분자량을 가리킨다. a2는, 제2 에폭시 수지의 수평균 분자량을 가리킨다. b1은, 제1 경화제의 수평균 분자량을 가리킨다. b2는, 제2 경화제의 수평균 분자량을 가리킨다. Ca1은, 수지군 전체량에 대한 제1 에폭시 수지의 함유량을 가리킨다. Ca2는, 수지군 전체량에 대한 제2 에폭시 수지의 함유량을 가리킨다. Cb1은, 수지군 전체량에 대한 제1 경화제의 함유량을 가리킨다. Cb2는, 수지군 전체량에 대한 제2 경화제의 함유량을 가리킨다.
식 4: 평균 용해도 파라미터(SP1)=a1×Ca1+a2×Ca2+b1×Cb1+b2×Cb2
또, Fedors법에 근거하는 본 실시형태에 관한 에폭시 수지 고유의 용해도 파라미터의 값이나, Fedors법에 근거하는 본 실시형태에 관한 페놀 수지 경화제 고유의 용해도 파라미터의 값은, 예를 들면 대상이 되는 에폭시 수지나 페놀 수지 경화제의 분자 구조 정보에 근거하여, 비특허문헌 2에 기재되어 있는 방법에 의하여 추산할 수 있다. 또, 실용적으로는 "신판 플라스틱 배합제-기초와 응용-(다이세이사 간행)" 등의 공지의 문헌에 기재되어 있는 값을 이용할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서, 상술한 평균 용해도 파라미터(SP1)의 하한값은, 예를 들면 10[(cal/cm3)0.5] 이상인 것이 바람직하고, 11.5[(cal/cm3)0.5] 이상인 것이 보다 바람직하며, 12.0[(cal/cm3)0.5] 이상인 것이 더 바람직하다. 이렇게 함으로써, 플럭스 잔사(300) 중에 포함되어 있는 활성종과, 에폭시 수지나 페놀 수지 경화제의 분자 구조 중에 포함되어 있는 관능기의 사이에 발생하는 상호 작용이 촉진되고, 결과적으로, 봉지재(50)의 플럭스 잔사(300)에 대한 상용성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, SP1의 값이 상기 하한값 이상이 됨으로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄끼리의 상호 작용이 커지고, 플럭스 잔사(300)의 분자의 상호 작용과 동일한 정도가 되기 때문에, 양자의 상호 작용이 강해져, 상용성이 향상된다고 생각된다.
또, 상술한 평균 용해도 파라미터(SP1)의 상한값은, 예를 들면 17.5[(cal/cm3)0.5] 이하인 것이 바람직하고, 15.0[(cal/cm3)0.5] 이하인 것이 보다 바람직하며, 13.5[(cal/cm3)0.5] 이하인 것이 더 바람직하다. 이렇게 함으로써, 플럭스 잔사(300) 중에 포함되어 있는 활성종과, 에폭시 수지나 페놀 수지 경화제의 분자 구조 중에 포함되어 있는 관능기의 사이에 발생하는 상호 작용이 촉진되고, 결과적으로, 봉지재(50)의 플럭스 잔사(300)에 대한 상용성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, SP1의 값이 상기 상한값 이하가 됨으로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄끼리의 상호 작용이 작아지고, 플럭스 잔사(300)의 분자끼리의 상호 작용과 동일한 정도가 되기 때문에, 양자의 상호 작용이 강해져, 상용성이 향상된다고 생각된다.
이상으로부터, 상술한 평균 용해도 파라미터(SP1)의 값이 상기 수치 범위 내가 되도록 제어한 경우에는, 플럭스 잔사(300)와의 상용성이 보다 더 우수한 봉지재(50)를 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 상호 작용이란, 구체적으로는, 수소 결합, 분산력, 쌍극자 상호 작용 등을 들 수 있다. 여기에서, 상술한 활성종을 포함하는 플럭스제(200)는, 예를 들면 동일한 정도의 SP값을 갖는다고 생각된다.
본 실시형태에 있어서, 상술한 수평균 분자량(Mn1)의 하한값은, 예를 들면 200 이상인 것이 바람직하고, 300 이상인 것이 보다 바람직하며, 410 이상인 것이 더 바람직하다. 이렇게 함으로써, 플럭스 잔사(300) 중에 포함되어 있는 활성종과, 에폭시 수지나 페놀 수지 경화제의 분자 구조를 구성하는 주쇄의 사이에 발생하는 상호 작용이 촉진되고, 결과적으로, 봉지재(50)의 플럭스 잔사(300)에 대한 상용성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 수평균 분자량(Mn1)이 상기 하한값 이상이 됨으로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄끼리의 얽힘이 커진다. 이로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄끼리의 운동성이 제한된다. 따라서, 플럭스 잔사가, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제에 대하여 상호 작용하기 쉬워져, 상용성을 향상시킬 수 있다고 생각된다.
또, 상술한 수평균 분자량(Mn1)의 상한값은, 예를 들면 650 이하인 것이 바람직하고, 550 이하인 것이 보다 바람직하며, 520 이하인 것이 더 바람직하다. 이렇게 함으로써, 플럭스 잔사(300) 중에 포함되어 있는 활성종과, 에폭시 수지나 페놀 수지 경화제의 분자 구조를 구성하는 주쇄의 사이에 발생하는 상호 작용이 촉진되고, 결과적으로, 봉지재(50)의 플럭스 잔사(300)에 대한 상용성을 향상시킬 수 있다.
구체적으로는, 수평균 분자량(Mn1)이 상기 상한값 이하인 경우, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄끼리의 얽힘이 적절해지고, 플럭스제의 분자쇄가 침입하는 데 보다 적합한 물리적 성질을 발현한다고 생각된다. 이상으로부터, 수평균 분자량(Mn1)이 상기 상한값 이하인 것에 의하여, 플럭스 잔사가, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제에 대하여 상호 작용하기 쉬워져, 상용성을 향상시킬 수 있다고 생각된다.
이상으로부터, 상술한 수평균 분자량(Mn1)의 값이 상기 수치 범위 내가 되도록 제어한 경우에는, 플럭스 잔사(300)와의 상용성이 보다 더 우수한 봉지재(50)를 형성하는 것이 가능해진다.
또, 본 실시형태에 있어서, 상술한 평균 용해도 파라미터(SP1)와, 상술한 수평균 분자량(Mn1)의 사이에는, -127×SP1+2224≥Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는 것이 바람직하다. 플럭스 잔사(300) 중에 포함되어 있는 활성종과, 에폭시 수지나 페놀 수지 경화제의 분자 구조를 구성하는 주쇄나, 에폭시 수지나 페놀 수지 경화제의 분자 구조 중에 포함되어 있는 관능기의 사이에 발생하는 상호 작용이 촉진되고, 결과적으로, 봉지재(50)의 플럭스 잔사(300)에 대한 상용성을 향상시킬 수 있다. 이로 인하여, 상술한 수평균 분자량(Mn1)의 값이 상기 수치 범위 내가 되도록 제어한 경우에는, 플럭스 잔사(300)와의 상용성이 보다 더 우수한 봉지재(50)를 형성하는 것이 가능해진다.
본 발명자들은, 플럭스 잔사를 상용하여 봉지재 내에 도입하는 것이 가능한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 얻기 위하여, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 중의 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제의 조합에 대하여 검토했다. 그 결과, 수소 결합, 분산력, 쌍극자 상호 작용과 같은 분자쇄의 화학적 상성(相性)인 SP1과, 분자쇄의 형상과 같은 물리적인 상성인 Mn1이, 각각 특정 수치 이상이 됨으로써, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물과, 플럭스 잔사를 상용시킬 수 있는 것을 발견했다. 구체적으로는, Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는 것이 바람직하다. 이것은, 도 3에 나타내는 바와 같이, Mn1-SP1로 플롯했을 때에, Mn1=-127×SP1+2074의 직선상, 혹은 그것보다 Mn1 또는 SP1이 커지는 것을 나타낸다.
상세한 메커니즘은 확실하지 않지만, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물과, 플럭스 잔사를 상용시킬 수 있는 이유는 이하와 같이 추측된다.
먼저, Mn1의 값이 커짐으로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄의 얽힘이 적절히 제어된다고 추측된다. 이로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄가, 플럭스 잔사(300) 중에 포함되어 있는 활성종의 분자쇄를 도입하기 쉬워진다.
또, SP1의 값이 커짐으로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄와, 플럭스 잔사(300)의 분자쇄의 상호 작용을 향상시킬 수 있다고 추측된다. 종래의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에서는, 플럭스 잔사(300)의 분자쇄끼리의 상호 작용이, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄와, 플럭스 잔사(300)의 분자쇄의 상호 작용보다 훨씬 더 컸다. 그러나, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄와, 플럭스 잔사(300)의 분자쇄의 상호 작용을 강하게 함으로써, 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제의 분자쇄가, 플럭스 잔사(300) 중에 포함되어 있는 분자쇄를 도입하기 쉬워진다.
이상으로부터, Mn1 및 SP1이, 모두 적절한 수치 범위가 됨으로써, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물과, 플럭스 잔사를 상용시킬 수 있다고 추측된다.
또한, SP1 및 Mn1은, 기본적으로 커질수록, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물과, 플럭스 잔사(300)의 상용성을 향상시킬 수 있다. SP1 및 Mn1의 상한값으로서는, 예를 들면 -127×SP1+2224≥Mn1로 할 수 있다. 이것은, 도 3에 나타내는 바와 같이, Mn1-SP1로 플롯했을 때에, Mn1=-127×SP1+2224의 직선상, 혹은 그것보다 Mn1 또는 SP1이 작아지는 것을 나타낸다. 또한, SP1 및 Mn1의 상한값으로서는, 예를 들면 -127×SP1+2224≥Mn1로 해도 되고, -127×SP1+2149≥Mn1로 해도 된다.
다음으로, 본 수지 조성물의 배합 조성에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 부호를 생략하여 설명한다.
본 수지 조성물은, 상술한 바와 같이, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제를 필수 성분으로서 포함하는 고형의 수지 조성물이다. 이와 같이, 본 수지 조성물은, 고형 형상이기 때문에, 액상의 형태에 있는 종래의 수지 조성물을 이용하는 경우와 비교하여, 원하는 반도체 장치에 있어서의 봉지재의 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 수지 조성물의 형태는, 상술한 바와 같이, 작업성의 관점에서, 분립 형상, 과립 형상, 태블릿 형상 또는 시트 형상으로 가공된 것인 것이 바람직하다.
여기에서, 본 수지 조성물을 얻기 위해서는, 예를 들면 이하의 2개의 조건을, 각각 적절히 조정하는 것이 중요하다.
(1) 사용하는 에폭시 수지의 종류와, 사용하는 페놀 수지 경화제의 종류의 조합
(2) 사용하는 에폭시 수지 자체의 배합량비와, 사용하는 페놀 수지 경화제 자체의 배합량비의 밸런스
구체적으로는, 실시예에서 후술한다.
(에폭시 수지)
본 실시형태에 관한 에폭시 수지로서는, 1분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반을 이용할 수 있고, 그 분자량이나 분자 구조는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시형태에 있어서, 에폭시 수지는, 예를 들면 비페닐형 에폭시 수지; 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 테트라메틸비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 스틸벤형 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지 등에 예시되는 트리스페놀형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지; 페닐렌 골격을 갖는 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐렌 골격을 갖는 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지 등의 아랄킬형 에폭시 수지; 디하이드록시 나프탈렌형 에폭시 수지, 디하이드록시나프탈렌의 2량체를 글리시딜에테르화하여 얻어지는 에폭시 수지 등의 나프톨형 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트, 모노알릴디글리시딜이소시아누레이트 등의 트리아진핵 함유 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 유교 환상 탄화 수소 화합물 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상을 포함한다. 이들 중, 비페닐형 에폭시 수지, 아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 테트라메틸비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 및 스틸벤형 에폭시 수지는 결정성을 갖는 것인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서는, 성형성이나 내열성 등을 향상시키는 관점에서, 아랄킬형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 또는 트리스페놀형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
또, 플럭스 잔사와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지를 단독으로 포함하는, 또는 비페닐아랄킬형 에폭시 수지 및 트리페놀메탄형 에폭시 수지를 모두 포함하는 것이 바람직하다.
에폭시 수지의 함유량은, 예를 들면 본 수지 조성물 전체량에 대하여 7질량% 이상인 것이 바람직하고, 9질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 본 수지 조성물을 이용하여 형성되는 봉지재와 반도체 소자의 밀착성 향상에 기여할 수 있다. 한편, 에폭시 수지의 함유량은, 예를 들면 본 수지 조성물 전체량에 대하여 19질량% 이하인 것이 바람직하고, 18.5질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 본 수지 조성물을 이용하여 형성되는 봉지재의 내열성이나 내습성의 향상을 도모할 수 있다.
(페놀 수지 경화제)
본 수지 조성물 중에는, 상술한 바와 같이, 페놀 수지 경화제가 필수 성분으로서 포함되어 있다. 이로써, 당해 수지 조성물의 유동성 및 핸들링성을 향상시킬 수 있다. 이러한 페놀 수지 경화제는, 1분자 내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반이며, 그 분자량, 분자 구조에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 페놀 수지 경화제의 구체예로서는, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 트리스페놀메탄형 페놀 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지 등의 노볼락형 수지; 트리페놀메탄형 페놀 수지 등의 다관능형 페놀 수지; 테르펜 변성 페놀 수지, 포름알데하이드로 변성한 트리페닐메탄형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀 수지 등의 변성 페놀 수지; 페닐렌 골격 및/또는 비페닐렌 골격을 갖는 페놀아랄킬 수지, 페닐렌 골격 및/또는 비페닐렌 골격을 갖는 나프톨아랄킬 수지, 페닐아랄킬형 페놀 수지, 비페닐아랄킬형 페놀 수지 등의 아랄킬형 수지; 비스페놀 A, 비스페놀 F 등의 비스페놀 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 이와 같은 페놀 수지 경화제를 배합시킴으로써, 내연성, 내습성, 전기 특성, 경화성, 보존 안정성 등의 밸런스를 양호한 것으로 할 수 있다. 특히, 경화성의 점에서, 페놀 수지 경화제의 수산기 당량은 90g/eq 이상 250g/eq 이하인 것이 바람직하다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 에폭시 수지와 반응하여 경화시키는 경화제라면, 후술하는 중부가형의 경화제, 촉매형의 경화제, 축합형의 경화제 등의 경화제를, 페놀 수지 경화제와 병용하는 것도 가능하다.
상기 중부가형의 경화제의 구체예로서는, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 메타자일렌디아민 등의 지방족 폴리아민, 디아미노디페닐메탄, m-페닐렌디아민, 디아미노디페닐설폰 등의 방향족 폴리아민 외에, 디시안디아미드, 유기산 디히드라지드 등을 포함하는 폴리아민 화합물; 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산 등의 지환족 산무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 등의 방향족 산무수물 등을 포함하는 산무수물; 노볼락형 페놀 수지, 페놀 폴리머 등의 폴리페놀 화합물; 폴리설파이드, 티오에스테르, 티오에테르 등의 폴리머캅탄 화합물; 이소시아네이트 프리폴리머, 블록화 이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물; 카복실산 함유 폴리에스테르 수지 등의 유기산류 등을 들 수 있다.
상기 촉매형의 경화제의 구체예로서는, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스디메틸아미노메틸페놀 등의 3급 아민 화합물; 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물; BF3 착체 등의 루이스산 등을 들 수 있다.
상기 축합형의 경화제의 구체예로서는, 메틸올기 함유 요소 수지와 같은 요소 수지; 메틸올기 함유 멜라민 수지와 같은 멜라민 수지 등을 들 수 있다.
본 수지 조성물 중에 페놀 수지 경화제와 상술한 다른 경화제를 병용하는 경우, 페놀 수지 경화제의 함유량은, 모든 경화제에 관한 합계 함유량에 대하여, 바람직하게는, 20질량% 이상 95질량% 이하이고, 더 바람직하게는, 30질량% 이상 95질량% 이하이며, 보다 바람직하게는, 50질량% 이상 95질량% 이하이다. 이렇게 함으로써, 내연성, 내땜납성을 유지하면서, 양호한 유동성을 발현시킬 수 있다.
또, 본 수지 조성물 전체량에 대한, 수지 조성물의 페놀 수지 경화제의 함유량의 하한값은, 예를 들면 2.5질량% 이상인 것이 바람직하고, 3질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이렇게 함으로써, 경화 특성과 내땜납성의 밸런스가 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또, Mn1 및 SP1을 적절히 제어할 수 있다.
또한, 본 수지 조성물 전체량에 대한, 수지 조성물의 페놀 수지 경화제의 함유량의 상한값은, 예를 들면 10.5질량% 이하인 것이 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이렇게 함으로써, 경화 특성과 내땜납성의 밸런스가 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또, Mn1 및 SP1을 적절히 제어할 수 있다.
본 수지 조성물은, 충전재를 포함하고 있어도 된다. 이러한 충전재로서는, 일반적으로 반도체 봉지 재료에 이용되고 있는 무기 충전재 또는 유기 충전재이면 된다. 구체적으로는, 상기 무기 충전재로서, 용융 파쇄 실리카, 구상 용융 실리카, 결정 실리카, 2차 응집 실리카 등의 실리카; 알루미나; 타이타늄 화이트; 수산화 알루미늄; 탤크; 클레이; 마이카; 유리 섬유 등을 들 수 있다. 또, 이러한 유기 충전재로서는, 오가노 실리콘 파우더, 폴리에틸렌 파우더 등을 들 수 있다. 이들 충전재는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 무기 충전재가 바람직하고, 용융 구상 실리카를 이용하는 것이 특히 바람직하다.
또, 충전재의 형상으로서는, 본 수지 조성물의 용융 점도의 상승을 억제하면서, 충전재의 함유량을 높이는 관점에서, 가능한 한 진구상(眞球狀)이며, 또한 입도 분포가 넓은 것이 바람직하다.
또, 입자의 크기가 다른 것을 혼합함으로써 충전재의 충전량을 많게 할 수 있다.
충전재의 평균 입경(d50)의 하한값은, 예를 들면 0.01μm 이상인 것이 바람직하고, 0.1μm 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.2μm 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 평균 입경이 큰 충전재가 채워짐으로써, 충전성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또, 충전재의 평균 입경(d50)의 상한값은, 예를 들면 150μm 이하인 것이 바람직하고, 100μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 50μm 이하인 것이 더 바람직하다. 이로써, 충전재의 비표면적이 너무 커져, 조성물의 점도가 과도하게 증가하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 수지 조성물의 유동성이 양호한 상태가 되도록 제어할 수 있다.
또, 본 실시형태에 있어서의 충전재는, 본 수지 조성물의 유동성을 향상시키면서, 제작하는 반도체 장치의 기계적 강도를 향상시키는 관점에서, 평균 입경(d50)이 5μm 이하인 충전재와, 평균 입경(d50)이 10μm 이상인 충전재를 병용하는 것이 바람직하다.
또한, 무기 충전재의 평균 입경(d50)은, 예를 들면 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(호리바(HORIBA)사제, LA-500)를 이용하여 측정하는 것이 가능하다.
본 수지 조성물 전체량에 대한 충전재의 함유량의 하한값은, 예를 들면 35질량% 이상인 것이 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 65질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 충전재의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 저흡습성 및 저열 팽창성을 향상시켜, 내습신뢰성이나 내(耐)리플로성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또, 본 수지 조성물 전체량에 대한 충전재의 함유량의 상한값은, 예를 들면 95질량% 이하인 것이 바람직하고, 93질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 충전재의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 본 수지 조성물의 유동성의 저하에 따른 성형성의 저하 등을 억제하는 것이 가능해진다.
또, 본 수지 조성물은, 경화 촉진제를 포함하고 있어도 된다.
경화 촉진제는, 에폭시 수지의 에폭시기와, 페놀 수지 경화제의 페놀성 수산기의 가교 반응을 촉진시키는 것이면 되고, 일반적인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 사용하는 것을 이용할 수 있다. 이러한 경화 촉진제의 구체예로서는, 유기 포스핀, 테트라 치환 포스포늄 화합물, 포스포베타인 화합물, 트리페닐포스핀 등의 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물, 포스포늄 화합물과 실란 화합물의 부가물 등의 인 원자 함유 화합물; 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7, 벤질디메틸아민, 2-메틸이미다졸 등이 예시되는 아미딘이나 3급 아민, 나아가서는 상기 아미딘, 아민의 4급염 등의 질소 원자 함유 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
본 수지 조성물 전체량에 대한 경화 촉진제의 함유량의 하한값은, 예를 들면 0.05질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.1질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 본 수지 조성물의 경화성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
본 수지 조성물 전체량에 대한 경화 촉진제의 함유량의 상한값은, 예를 들면 1질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.8질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 본 수지 조성물의 유동성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또, 본 수지 조성물은, 그 수지 조성물의 경화물에 의하여 구성되는 봉지재와, 봉지 대상물인 반도체 소자나 기판과의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 커플링제를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관한 커플링제로서는, 에폭시실란, 머캅토실란, 아미노실란, 알킬실란, 유레이도실란, 비닐실란 등의 각종 실란계 화합물, 타이타늄계 화합물, 알루미늄 킬레이트류, 알루미늄/지르코늄계 화합물 등의 공지의 커플링제를 이용할 수 있다. 이들을 예시하면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-아닐리노프로필메틸디메톡시실란, γ-[비스(β-하이드록시에틸)]아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-(β-아미노에틸)아미노프로필디메톡시메틸실란, N-(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민, N-(디메톡시메틸실릴이소프로필)에틸렌디아민, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실란, 비닐트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민의 가수분해물 등의 실란계 커플링제, 이소프로필트리이소스테아로일타이타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸피로포스페이트)타이타네이트, 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸)타이타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)타이타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트타이타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)옥시아세테이트타이타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)에틸렌타이타네이트, 이소프로필트리옥탄오일타이타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일타이타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠설폰일타이타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴타이타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)타이타네이트, 이소프로필트리큐밀페닐타이타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)타이타네이트 등의 타이타네이트계 커플링제를 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 에폭시실란, 머캅토실란, 아미노실란, 알킬실란, 유레이도실란 또는 비닐실란의 실란계 화합물이 보다 바람직하다. 또, 충전성이나 성형성을 보다 효과적으로 향상시키는 관점에서는, N-페닐γ-아미노프로필트리메톡시실란으로 대표되는 2급 아미노실란을 이용하는 것이 특히 바람직하다.
본 수지 조성물 전체량에 대한 커플링제의 함유량의 하한값은, 예를 들면 0.1질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.15질량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이렇게 함으로써, 봉지 성형 시에 있어서의 본 수지 조성물의 유동성을 향상시켜, 충전성이나 성형성의 향상을 도모할 수 있다.
본 수지 조성물 전체량에 대한 커플링제의 함유량의 상한값은, 예를 들면 1.0질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.5질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 수지 조성물에는, 상기 각 성분 이외에, 필요에 따라 레벨링제, 착색제, 이형제, 저응력제, 감광제, 소포제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 및 이온 포착제 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 첨가물을 첨가해도 된다. 레벨링제로서는, 아크릴계 공중합물 등을 들 수 있다. 착색제로서는, 카본 블랙 등을 들 수 있다. 이형제로서는, 카나우바 왁스 등의 천연 왁스, 몬탄산 에스테르 등의 합성 왁스, 고급 지방산 혹은 그 금속염류, 파라핀, 산화 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. 저응력제로서는, 실리콘 오일, 실리콘 고무 등을 들 수 있다. 이온 포착제로서는, 하이드로탈사이트 등을 들 수 있다. 난연제로서는, 수산화 알루미늄 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
이하, 참고 형태의 예를 부기한다.
1. 기판과, 상기 기판 상에 탑재되는 반도체 소자 중, 적어도 한쪽 혹은 양쪽 모두에 플럭스 잔사가 부착된 상태에 있는 구조체에 있어서, 상기 반도체 소자를 봉지하기 위하여 이용하는, 고형의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물로서,
당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이,
에폭시 수지와,
페놀 수지 경화제를 포함하고,
상기 에폭시 수지 및 상기 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 Fedors법에 근거하는 평균 용해도 파라미터(SP1)와,
상기 에폭시 수지 및 상기 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 사이에,
Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
2. 상기 평균 용해도 파라미터(SP1)가 10[(cal/cm3)0.5] 이상 17.5[(cal/cm3)0.5] 이하인, 1.에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
3. 상기 수평균 분자량(Mn1)이 300 이상 550 이하인, 1. 또는 2.에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
4. 상기 평균 용해도 파라미터(SP1)와 상기 수평균 분자량(Mn1)의 사이에, -127×SP1+2224≥Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는, 1. 내지 3. 중 어느 하나에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
5. 당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체량에 대한 상기 에폭시 수지의 함유량이, 7질량% 이상 19질량% 이하인, 1. 내지 4. 중 어느 하나에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
6. 당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체량에 대한 상기 페놀 수지 경화제의 함유량이, 2.5질량% 이상 10.5질량% 이하인, 1. 내지 5. 중 어느 하나에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
7. 상기 에폭시 수지가 다관능 에폭시 수지를 포함하는, 1. 내지 6. 중 어느 하나에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
8. 커플링제를 더 포함하는, 1. 내지 7. 중 어느 하나에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
9. 상기 커플링제가 N-페닐γ-아미노프로필트리메톡시실란인, 8.에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
10. 기판과,
상기 기판 상에 탑재된 반도체 소자와,
상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지재를 갖고,
상기 봉지재가, 1. 내지 9. 중 어느 하나에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 반도체 장치.
실시예
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의하여 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제작)
실시예 1~8 및 비교예 1~8의 각각에 대하여, 다음의 방법으로, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 조제했다.
먼저, 표 1에 따라 배합된 각 원재료를 상온에서 믹서를 이용하여 혼합한 후, 70~100℃에서 롤 혼련했다. 이어서, 얻어진 혼련물을 냉각시킨 후, 이것을 분쇄함으로써, 분립 형상의 수지 조성물을 원하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물로서 얻었다. 표 1 중에 있어서의 각 성분의 상세는 후술하는 바와 같다. 또, 표 1 중의 단위는 질량%이다.
또, 얻어진 실시예 및 비교예에 관한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 중에 포함되어 있는 에폭시 수지 및 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 평균 용해도 파라미터(SP1)와, 그 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 관계성은, 도 3에 나타내는 바와 같다.
(에폭시 수지)
·에폭시 수지 1: 비페닐아랄킬형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠사제, NC-3000, 수평균 분자량 Mn: 462)
·에폭시 수지 2: 비페닐형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, YL6677, 수평균 분자량 Mn: 248)
·에폭시 수지 3: 트리페놀메탄형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, E-1032 H60, 수평균 분자량 Mn: 419)
·에폭시 수지 4: 비페닐형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, YX4000H, 수평균 분자량 Mn: 202)
·에폭시 수지 5: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, YL6810, 수평균 분자량 Mn: 225)
·에폭시 수지 6: 비페닐아랄킬형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠사제, NC-2000 L, 수평균 분자량 Mn: 535)
상기 에폭시 수지 1~6 각각에 관한 Fedors법에 근거하는 용해도 파라미터의 값(SP값)은, 각각 이하와 같았다. 또한, 이하에 나타내는 용해도 파라미터의 값(SP값)은, 모두 각종 에폭시 수지의 분자 구조 정보에 근거하여, 비특허문헌 2에 기재되어 있는 방법에 의하여 산출된 것이다.
·에폭시 수지 1의 용해도 파라미터: 12.0[(cal/cm3)0.5]
·에폭시 수지 2의 용해도 파라미터: 12.4[(cal/cm3)0.5]
·에폭시 수지 3의 용해도 파라미터: 12.6[(cal/cm3)0.5]
·에폭시 수지 4의 용해도 파라미터: 11.0[(cal/cm3)0.5]
·에폭시 수지 5의 용해도 파라미터: 10.9[(cal/cm3)0.5]
·에폭시 수지 6의 용해도 파라미터: 12.0[(cal/cm3)0.5]
(페놀 수지 경화제)
·페놀 수지 경화제 1: 비페닐아랄킬형 페놀 수지(닛폰 가야쿠사제, GPH-65, 수평균 분자량 Mn: 454)
·페놀 수지 경화제 2: 포름알데하이드로 변성한 트리페닐메탄형 페놀 수지(에어·워터사제, HE910-20, 수평균 분자량 Mn: 310)
·페놀 수지 경화제 3: 비페닐아랄킬형 페놀 수지(메이와 가세이사제, MEH-7851H, 수평균 분자량 Mn: 643)
·페놀 수지 경화제 4: 페닐아랄킬형 페놀 수지(미쓰이 가가쿠사제, XLC-4L, 수평균 분자량 Mn: 488)
·페놀 수지 경화제 5: 페놀 노볼락 수지(스미토모 베이크라이트사제, PR-HF3, 수평균 분자량 Mn: 392)
·페놀 수지 경화제 6: 트리스페놀메탄형 페놀 노볼락 수지(메이와 가세이사제, MEH-7500, 수평균 분자량 Mn: 299)
상기 페놀 수지 경화제 1~6 각각에 관한 Fedors법에 근거하는 용해도 파라미터의 값(SP값)은, 각각 이하와 같았다. 또한, 이하에 나타내는 용해도 파라미터의 값(SP값)은, 모두 각종 페놀 수지 경화제의 분자 구조 정보에 근거하여, 비특허문헌 2에 기재되어 있는 방법에 의하여 산출된 것이다.
·페놀 수지 경화제 1의 용해도 파라미터: 13.4[(cal/cm3)0.5]
·페놀 수지 경화제 2의 용해도 파라미터: 16.7[(cal/cm3)0.5]
·페놀 수지 경화제 3의 용해도 파라미터: 13.4[(cal/cm3)0.5]
·페놀 수지 경화제 4의 용해도 파라미터: 13.9[(cal/cm3)0.5]
·페놀 수지 경화제 5의 용해도 파라미터: 16.4[(cal/cm3)0.5]
·페놀 수지 경화제 6의 용해도 파라미터: 17.0[(cal/cm3)0.5]
(그 외의 성분)
·경화 촉진제: 트리페닐포스핀(홋코 가가쿠 고교사제, TPP)
·무기 충전재: 구상 용융 실리카(덴키 가가쿠 고교사제, FB-950FC, 평균 입경(d50): 24μm, 입경 75μm를 넘는 조대(粗大) 입자의 함유량: 0.5중량% 이하)
·착색제: 카본 블랙(미쓰비시 가가쿠사제, MA-600)
·커플링제: N-페닐γ-아미노프로필트리메톡시실란(신에쓰 가가쿠사제, KBM-573)
·이형제: 카나우바 왁스(닛코 파인사제, 닛코 카나바)
(후술하는 평가 시험에 이용하는 시험 구조체의 제작)
먼저, 플럭스제(센주 긴조쿠 고교사제, 델타락스 GTN-68)를, 도포막의 두께가 30μm가 되도록, 플럭스대 상에 도포하고, 플럭스제로 이루어지는 수지층을 플럭스대 상에 형성했다. 다음으로, 범프 사이즈 100μm, 범프 간격 200μm의 땜납 범프가 마련된 평방 15mm(범프 수: 3872개)의 반도체 소자를 준비했다. 이어서, 준비한 반도체 소자에 있어서의 땜납 범프가 마련되어 있는 측의 면을, 상술한 방법으로 형성한 플럭스제로 이루어지는 수지층과 접촉시킴으로써, 반도체 소자에 마련된 땜납 범프에 플럭스제를 부착시켰다.
그 후, 플럭스제가 땜납 범프에 부착된 상태에 있는 반도체 소자를, 42 알로이 기판 상에 압압시킴으로써, 42 알로이 기판 상에 플럭스제를 부착시켰다. 플럭스가 부착된 42 알로이 기판 상을 300℃에서 10초간 가열함으로써, 42 알로이 기판 상에 플럭스 잔사를 형성시켰다.
다음으로, 상술한 방법으로 제작한 플럭스 잔사가 형성된 42 알로이 기판 상에, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물을 성형함으로써 원하는 시험 구조체를 얻었다. 경화물의 성형은, 압축 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 성형 압력 8.3MPa, 경화 시간 2분의 조건으로 행했다.
(후술하는 평가 시험에 이용하는 반도체 장치의 제작)
상술한 방법으로 제작한 각 실시예 및 각 비교예에 관한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여, 도 2를 참조하여 실시형태에 있어서 설명한 순서대로, 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제작했다.
먼저, 플럭스제(센주 긴조쿠 고교사제, 델타락스 GTN-68)를, 도포막의 두께가 30μm가 되도록, 플럭스대 상에 도포하고, 플럭스제로 이루어지는 수지층을 플럭스대 상에 형성했다. 다음으로, 범프 사이즈 100μm, 범프 간격 200μm의 땜납 범프가 마련된 평방 15mm(범프 수: 3872개)의 반도체 소자를 준비했다. 이어서, 준비한 반도체 소자에 있어서의 땜납 범프가 마련되어 있는 측의 면을, 상술한 방법으로 형성한 플럭스제로 이루어지는 수지층과 접촉시킴으로써, 반도체 소자에 마련된 땜납 범프에 플럭스제를 부착시켰다.
그 후, 플럭스제가 땜납 범프에 부착된 상태에 있는 반도체 소자를, 기판 상에 있어서의 원하는 위치에 배치한 후, 300℃에서 10초간 가열함으로써, 땜납 범프를 기판에 용융 접합시켰다. 또, 이때, 기판과, 반도체 소자의 접합 계면 근방에 플럭스 잔사가 부착되어 있는 것을 확인했다.
다음으로, 상술한 방법으로 제작한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여, 기판 상에 탑재한 반도체 소자를 봉지 성형함으로써, 도 1에 나타내는 반도체 장치를 얻었다. 반도체 소자의 봉지 성형은, 압축 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 성형 압력 8.3MPa, 경화 시간 2분의 조건으로 행한 후, 얻어진 2차 패키지를 175℃, 4시간의 조건에서 후경화(포스트 큐어)함으로써 실시했다.
상술한 방법으로 얻어진 시험 구조체 및 반도체 장치를 이용하여, 이하의 평가를 실시했다.
·반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물과 플럭스 잔사의 상용성 시험: 상술한 방법으로 얻어진 시험 구조체에 대하여, 42 알로이 기판으로부터 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물을 박리함으로써, 양자를 분리시켰다. 이와 같이 하여 얻어진 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물의 42 알로이 기판과 밀착되어 있던 측의 표면 및 42 알로이 기판의 표면에 대하여, 그 외관을 이하의 기준으로 평가했다.
○: 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물의 표면 및 42 알로이 기판의 표면에 플럭스 잔사가 존재하지 않고, 성형 전에 부착되어 있던 플럭스 잔사가 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물 내에 도입된 것이 확인되었다.
×: 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물의 표면 및 42 알로이 기판의 표면에 플럭스 잔사가 존재하고, 성형 전에 부착되어 있던 플럭스 잔사가 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물 내에 도입되지 않고 잔존하고 있는 것이 확인되었다.
·충전성: 상술한 방법으로 제작한 반도체 장치에 구비되는 봉지재에 대하여, 초음파 영상 장치(히타치 겐키 파인텍사제, 파인 사트(Fine SAT) FS300)를 이용하여, 그 봉지재 중에 있어서의 보이드(미충전 부분)의 유무를 확인했다.
평가 결과는 하기와 같다.
○: 반도체 장치에 구비되는 봉지재 중에는 보이드가 존재하지 않고, 그 봉지재의 성형 시에 미충전 부분을 발생시키지 않아, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 원하는 영역에 완전히 충전할 수 있었던 것이 확인되었다.
×: 반도체 장치에 구비되는 봉지재 중에는 보이드가 존재하고, 그 봉지재의 성형 시에 미충전 부분이 발생하여, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 원하는 영역에 대하여 충분히 충전할 수 없었던 것이 확인되었다.
·반도체 장치의 밀착성: 먼저, 상술한 방법으로 제작한 반도체 장치를, 온도 60℃, 습도 60%RH의 조건하에서 40시간 정치시킨 후, 그 반도체 장치에 대하여 온도 260℃의 조건에서의 땜납 리플로 처리를 실시했다. 이와 같이 하여 얻어진 땜납 리플로 처리 후의 반도체 장치에 대하여, 초음파 영상 장치(히타치 겐키 파인텍사제, 파인 사트 FS300)를 이용하여, 그 반도체 장치가 구비하는 봉지재 중에 있어서의 박리의 유무를 확인했다.
평가 결과는 하기와 같다.
○: 반도체 장치가 구비하는 봉지재 중에는 박리가 발생하지 않았다.
×: 반도체 장치가 구비하는 봉지재와, 기판 및 반도체 소자와의 접합 계면 영역에 박리가 발생했다.
상기 평가 항목에 관한 평가 결과를, 이하의 표 1에 각 성분의 배합 비율과 함께 나타낸다.
[표 1]
Figure pat00001
표 1로부터도 알 수 있듯이, 실시예의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 모두 플럭스 잔사를 상용하여 봉지재 내에 도입할 수 있는 것이었다.
이 출원은, 2016년 7월 29일에 출원된 일본 출원특원 2016-150431호를 기초로 하는 우선권을 주장하며, 그 개시의 전부를 여기에 원용한다.

Claims (14)

  1. 기판과, 상기 기판 상에 탑재되는 반도체 소자 중, 적어도 한쪽 혹은 양쪽 모두에 플럭스 잔사가 부착된 상태에 있는 구조체에 있어서, 상기 반도체 소자를 봉지하기 위하여 이용하는, 고형의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물로서,
    당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이,
    에폭시 수지와,
    페놀 수지 경화제를 포함하고,
    상기 에폭시 수지 및 상기 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 Fedors법에 근거하는 평균 용해도 파라미터(SP1)와,
    상기 에폭시 수지 및 상기 페놀 수지 경화제로 이루어지는 수지군의 수평균 분자량(Mn1)의 사이에,
    Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 평균 용해도 파라미터(SP1)가 10[(cal/cm3)0.5] 이상 17.5[(cal/cm3)0.5] 이하인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 수평균 분자량(Mn1)이 300 이상 550 이하인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 평균 용해도 파라미터(SP1)와 상기 수평균 분자량(Mn1)의 사이에, -127×SP1+2224≥Mn1≥-127×SP1+2074의 관계가 성립되는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체량에 대한 상기 에폭시 수지의 함유량이, 7질량% 이상 19질량% 이하인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 중의 상기 페놀 수지 경화제의 함유량이, 당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체량에 대하여, 2.5질량% 이상 10.5질량% 이하인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 에폭시 수지가 다관능 에폭시 수지를 포함하는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 충전재를 더 포함하는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 충전재의 평균 입경(d50)은, 0.01μm 이상 150μm 이하인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  10. 청구항 8에 있어서,
    당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 중의 상기 충전재의 함유량이, 당해 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체량에 대하여, 35질량% 이상 95질량% 이하인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 플럭스 잔사는, 카복실기 또는 페놀성 수산기를 포함하는 화합물인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서,
    당해 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 커플링제를 더 포함하는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 커플링제가 N-페닐γ-아미노프로필트리메톡시실란인, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  14. 기판과,
    상기 기판 상에 탑재된 반도체 소자와,
    상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지재를 갖고,
    상기 봉지재가, 청구항 1에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 반도체 장치.
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