KR20170094111A - 적층판, 금속박 적층판, 인쇄 배선판, 다층 인쇄 배선판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열 팽창률을 낮출 수 있고, 탄성률을 높일 수 있는 동시에 외관이 양호한 적층판을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은 무기 성분 및 유기 성분으로 구성되는 수지 조성물(1)을 기재(2)에 함침(含浸)시켜 경화시킨 적층판(3)에 관한 것이다. 상기 수지 조성물(1)은, 적층판(3) 전량에 대해 51 ~ 66 질량% 함유되어 있다. 상기 무기 성분은, 수지 조성물(1) 전량에 대해 66.7 ~ 80 질량% 함유되어 있다. 상기 무기 성분은 제1 무기 충전재, 제2 무기 충전재 또는 제3 무기 충전재를 포함한다. 상기 제1 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 미만이다. 상기 제2 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 이상 1.0μm 미만이다. 상기 제3 무기 충전재의 평균 입자 직경은 1.0μm 이상이다. 상기 유기 성분은, 제1 열경화성 수지 및 제2 열경화성 수지를 포함한다. 상기 제1 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s 이하이다. 상기 제2 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s를 초과한다. 상기 기재(2)는 유리 섬유 직물이다.
본 발명은 무기 성분 및 유기 성분으로 구성되는 수지 조성물(1)을 기재(2)에 함침(含浸)시켜 경화시킨 적층판(3)에 관한 것이다. 상기 수지 조성물(1)은, 적층판(3) 전량에 대해 51 ~ 66 질량% 함유되어 있다. 상기 무기 성분은, 수지 조성물(1) 전량에 대해 66.7 ~ 80 질량% 함유되어 있다. 상기 무기 성분은 제1 무기 충전재, 제2 무기 충전재 또는 제3 무기 충전재를 포함한다. 상기 제1 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 미만이다. 상기 제2 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 이상 1.0μm 미만이다. 상기 제3 무기 충전재의 평균 입자 직경은 1.0μm 이상이다. 상기 유기 성분은, 제1 열경화성 수지 및 제2 열경화성 수지를 포함한다. 상기 제1 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s 이하이다. 상기 제2 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s를 초과한다. 상기 기재(2)는 유리 섬유 직물이다.
Description
본 발명은 인쇄 배선판 등의 제조에 사용되는 적층판(laminate) 및 금속박(matal-clad) 적층판, 및 이들을 사용하여 제조되는 인쇄 배선판 및 다층 인쇄 배선판에 관한 것이다.
종래, 낮은 열 팽창성 등을 만족시키는 적층판으로서 다양한 것이 개발되어 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 적층판은, 소정의 비스말레이미드 유도체를 함유하는 열 경화성 수지 조성물을 섬유 시트형 보강 기재(基材)에 함침(含浸)·코팅하고, B 스테이지(stage)화하여 프리프레그(prepreg)를 얻은 후, 이 프리프레그를 사용하여 적층 성형함으로써 얻어진 것이다.
또 특허문헌 2에 기재된 적층판은, 소정의 열 경화성 수지와 용융 실리카를 함유하는 열 경화성 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포하여 프리프레그를 얻은 후, 이 프리프레그를 소정의 매수 적층함으로써 형성되어 있다.
그러나, 특히 CSP(chip size package) 등의 패키지에 사용되는 적층판에는, 생산성 및 접속 신뢰성의 관점에서, 열 팽창률(CTE: coefficient of thermal expansion)을 낮출 뿐 아니라, 탄성률도 높일 것이 요구된다. 이것을 실현하기 위해서는, 수지 조성물에서의 무기 충전재의 배합량을 증가시키는 것을 생각할 수 있지만, 실제로는 수지 조성물의 점도 증가(增粘)에 의해 생산성이 저하되므로, 무기 충전재의 증량에는 한계가 있었다.
또 단지 무기 충전재를 증량하는 것만으로는, 수지와 무기 충전재가 분리되어 적층판에 외관 불량이 발생하기 쉬워진다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 열 팽창률을 낮출 수 있고, 탄성률을 높일 수 있는 동시에 외관이 양호한 적층판, 금속박 적층판, 인쇄 배선판 및 다층 인쇄 배선판을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 적층판은, 무기 성분 및 유기 성분으로 구성되는 수지 조성물을 기재에 함침(含浸)시켜 경화시킨 적층판으로서,
상기 수지 조성물은, 상기 적층판 전량에 대해 51 ~ 66 질량% 함유되어 있고,
상기 무기 성분은, 상기 수지 조성물 전량에 대해 66.7 ~ 80 질량% 함유되어 있고,
상기 무기 성분은 제1 무기 충전재, 제2 무기 충전재 또는 제3 무기 충전재를 포함하고,
상기 제1 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 미만이며,
상기 제2 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 이상 1.0μm 미만이고,
상기 제3 무기 충전재의 평균 입자 직경은 1.0μm 이상이며,
상기 유기 성분은, 제1 열경화성 수지 및 제2 열경화성 수지를 포함하고,
상기 제1 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s 이하이며,
상기 제2 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s를 초과하고,
상기 기재는 유리 섬유 직물이다.
본 발명에 따른 금속박 적층판은, 상기 적층판의 양면(兩面) 또는 단면(單面)에 금속박을 적층하여 형성되어 있다.
본 발명에 따른 인쇄 배선판은, 상기 적층판 또는 상기 금속박 적층판의 양면 또는 단면에 도체 패턴을 설치하여 형성되어 있다.
본 발명에 따른 다층 인쇄 배선판은, 상기 인쇄 배선판을 사용하여, 상기 도체 패턴의 층을 적어도 3층 이상 설치하여 형성되어 있다.
본 발명에 의하면, 열 팽창률을 낮출 수 있고, 탄성률을 높일 수 있는 동시에, 양호한 외관을 얻을 수 있는 것이다.
도 1A ~ 도 1C은 본 발명의 실시 태양에 따른 적층판의 일례를 나타낸다. 도 1A는 양면 금속박 적층판의 단면도이다. 도 1B는 단면 금속박 적층판의 단면도이다. 도 1C는 금속박이 적층되어 있지 않은 적층판의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.
본 발명에 따른 적층판은, 1장 또는 복수 장의 프리프레그(4)를 중첩하고, 이것을 가열 가압하여 형성되어 있다. 또 본 발명에 따른 금속박 적층판은, 상기한 적층판(3)의 양면 또는 단면에 금속박(5)을 적층하여 형성되어 있다. 즉, 1장의 프리프레그(4) 또는 복수 장의 프리프레그(4)를 중첩한 것의 양면에 금속박(5)을 중첩하고, 이것을 가열 가압함으로써, 도 1A에 나타낸 바와 같은 양면 금속박 적층판을 형성할 수 있다. 또, 1장의 프리프레그(4) 또는 복수 장의 프리프레그(4)를 중첩한 것의 단면에 금속박(5)을 중첩하고, 이것을 가열 가압함으로써, 도 1B에 나타낸 바와 같은 단면 금속박 적층판을 형성할 수 있다. 상기한 금속박(5)으로서는, 예를 들면, 동박(銅箔), 알루미늄박, 스테인레스박 등을 사용할 수 있다. 그리고, 도 1C에 나타낸 것은, 금속박(5)이 적층되어 있지 않은 적층판이다.
상기한 프리프레그(4)는, 수지 조성물(1)을 기재(2)에 함침시키는 동시에, 이것을 반경화 상태(B 스테이지 상태)가 될 때까지 가열 건조함으로써 제조할 수 있다.
상기한 기재(2)로서는, 예를 들면, 유리 섬유 직물(glass cloth), 유리 섬유 종이(glass mat), 유리 섬유 매트(glass mat) 등과 같이 무기 섬유로 이루어지는 것이나, 아라미드 직물(aramid cloth) 등과 같이 유기 섬유로 이루어지는 것을 사용할 수 있다. 기재(2)의 두께는 10∼200μm인 것이 바람직하다. 이와 같이, 기재(2)의 두께가 10μm 이상인 것에 의해, 적층판(3)의 탄성률을 더욱 높일 수 있는 것이다. 또 기재(2)의 두께가 200μm 이하인 것에 의해, 패키지의 박형화를 도모할 수 있는 것이다.
상기한 수지 조성물(1)은 무기 성분 및 유기 성분으로 구성된다.
상기한 무기 성분은 무기 충전재를 포함한다. 무기 충전재로서는, 제1 무기 충전재(이하 「제1 충전재」라고도 함), 제2 무기 충전재(이하 「제2 충전재」라고도 함), 제3 무기 충전재(이하 「제3 충전재」라고도 함)의 군 중에서 적어도 2 종류 이상의 충전재를 함유한다. 제1 충전재는, 평균 입자 직경이 0.2μm 미만(하한은 0.01μm 정도)이며, 제2 충전재는, 평균 입자 직경이 0.2μm 이상 1.0μm 미만이며, 제3 충전재는, 평균 입자 직경이 1.0μm 이상(상한은 5.0μm정도)이다. 이와 같이, 평균 입자 직경이 상이한 무기 충전재를 조합하여 사용하면, 입자 직경이 큰 무기 충전재 사이의 간극에 입자 직경이 작은 무기 충전재가 충전되게 된다. 이로써 수지 조성물(1)에서의 무기 충전재의 함유량을 증가시킬 수 있어, 적층판(3)의 열 팽창률을 낮출 수 있고, 탄성률을 높일 수 있는 동시에, 양호한 외관을 얻을 수 있는 것이다.
무기 충전재의 재질로서는, 예를 들면, 실리카, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탈크(talc), 알루미나 등을 사용할 수 있다. 특히 무기 충전재는, 실리카와 같이 Si 성분을 포함하는 것이 바람직하다. 이로써 적층판(3)의 열 팽창률을 더욱 낮출 수 있는 것이다.
상기한 유기 성분은, 예를 들면, 열 경화성 수지, 경화제 및 경화 촉진제 등을 포함한다. 이와 같은 유기 성분은, 적층판(3) 전량에 대해 5∼20 질량% 함유되어 있다. 유기 성분의 함유량이 5 질량% 미만이면, 상대적으로 무기 성분이 너무 많아, 수지 조성물(1)의 점성이 증가하여 기재(2)에 함침하기 어려워져, 적층판(3)의 생산성이 저하되는 것이다. 유기 성분의 함유량이 20 질량%를 넘으면, 상대적으로 무기 성분이 너무 적어, 적층판(3)의 열 팽창률이 높아지는 동시에, 탄성률이 낮아지는 것이다. 그리고, 상기한 적층판(3) 전량에는 기재(2)의 질량은 포함되지만, 금속박(5)의 질량은 포함되지 않는다.
열 경화성 수지로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀 수지, 시아네이트 수지, 멜라민 수지, 이미드 수지 등을 사용할 수 있다. 특히 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 다관능성 에폭시 수지(polyfunctional epoxy resin), 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.
특히 유기 성분은, 150℃에서의 ICI 점도가 0.3 Pa·s 이하인 수지(이하 「제1 열경화성 수지」라고도 함)를 포함하는 것이 바람직하다. ICI 점도는 낮을수록 바람직하므로 하한은 특별히 한정되지 않는다. ICI 점도가 0.3 Pa·s 이하인 수지와 ICI 점도가 0.3 Pa·s를 초과하는 수지(이하 「제2 열경화성 수지」라고도 함)를 병용하는 경우에는, ICI 점도가 0.3 Pa·s 이하인 수지는, 유기 성분 전량에 대해 5∼70 질량% 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 유기 성분이 저점도인 수지를 포함함으로써, 수지 조성물(1)의 기재(2)에의 함침성을 높일 수 있는 것이다. 그러므로, 무기 충전재 사이에 비록 작은 간극이 남아도, 이 간극에 유기 성분을 충전시킬 수 있어, 적층판(3)의 외관을 향상시킬 수 있는 것이다. 또한 적층판(3)의 생산성의 저하를 억제할 수도 있는 것이다. 그리고, ICI 점도는, 예를 들면 Research Equipment (London) Limited제의 ICI 점도계를 사용하여 측정할 수 있다.
경화제로서는, 예를 들면, 페놀계 경화제, 디시안디아미드 경화제 등을 사용할 수 있다.
경화 촉진제로서는, 예를 들면, 이미다졸류, 페놀 화합물, 아민류, 유기 포스핀류 등을 사용할 수 있다.
그리고, 상기한 무기 성분 및 유기 성분을 배합함으로써 수지 조성물(1)을 조제 할 수 있고, 또한 이것을 용제로 희석함으로써 수지 조성물(1)의 바니스(varnish)를 조제할 수 있다. 용제로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 스티렌, 메톡시 프로판올 등을 사용할 수 있다.
다음에, 프리프레그(4)는, 상기한 수지 조성물(1)을 기재(2)에 함침시키는 동시에, 이것을 반경화 상태가 될 때까지 가열 건조하여 제조할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 적층판(3)은, 1장 또는 복수 장의 프리프레그(4)를 충접하고, 필요에 따라 금속박(5)을 더 중첩하고, 이것을 가열 가압 성형함으로써 제조할 수 있다. 프리프레그(4)는 경화되어 절연층이 된다. 이 경우의 가열 가압 성형은, 예를 들면, 다단 진공 프레스(multi-stage vacuum press), 이중 벨트 프레스(double belt press), 선압롤(nip pressure roller), 진공 라미네이터(vacuum laminator) 등을 사용하여 행할 수 있다. 성형 조건은, 예를 들면, 온도가 140∼350℃, 압력이 0.5∼6.0 MPa, 시간이 1∼240분간이다.
상기와 같이 하여 얻어진 적층판(3)의 열 분해 온도(5% 중량 감소 온도)는 400℃ 이상(상한은 600℃ 정도)인 것이 바람직하다. 적층판(3) 전량에 대한 유기 성분의 함유량이 20 질량% 이하이면, 상기한 바와 같이 적층판(3)의 열 분해 온도가 400℃ 이상이 되기 쉽다. 이와 같이, 열 분해 온도가 높은 것에 의해, 적층판(3)의 내열성을 향상시킬 수 있고, 유기 성분의 분해에 의해 발생하는 저분자 성분을 줄일 수 있는 것이다. 그리고, 상기한 열 분해 온도는, 열중량 분석(TGA) 장치를 사용하여, 적층판(3)을 승온(昇溫) 속도 10℃/분으로 가열한 경우에 중량 감소율이 5%가 되는 온도이다.
또 적층판(3)의 유리 전이 온도(Tg)는 250℃ 이상(상한은 400℃ 정도)인 것이 바람직하다. 적층판(3) 전량에 대한 유기 성분의 함유량이 20 질량% 이하이면, 상기한 바와 같이 적층판(3)의 유리 전이 온도(Tg)가 250℃ 이상이 되기 쉽다. 이와 같이, 유리 전이 온도(Tg)가 높은 것에 의해, 적층판(3)의 내열성을 더욱 향상시킬 수 있고, 열 팽창률이나 탄성률 등의 물성의 변화량을 작게 할 수 있는 것이다. 그리고, 유리 전이 온도(Tg)는 DMA법에 의해 측정할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 인쇄 배선판은, 도시를 생략하고 있지만, 상기한 적층판(3) 또는 금속박 적층판의 양면 또는 단면에 도체 패턴을 설치하여 형성되어 있다. 예를 들면, 상기한 적층판(3)의 표면에 애디티브법(additive process) 등에 의해 도체 패턴을 형성함으로써, 인쇄 배선판을 제조할 수 있다. 또, 상기한 금속박 적층판의 표면에 서브트랙티브법(subtractive process) 등에 의해 도체 패턴을 형성함으로써, 인쇄 배선판을 제조할 수도 있다. 상기와 같이 하여 제조된 인쇄 배선판도, 열 팽창률이 낮고, 탄성률이 높은 것이다.
또 본 발명에 따른 다층 인쇄 배선판은, 상기한 인쇄 배선판을 사용하여, 도체 패턴의 층을 적어도 3층 이상 설치하여 형성되어 있다. 인쇄 배선판은, 통상, 도체 패턴의 층이 2층 이하이지만, 다음과 같이 하여 도체 패턴의 층이 3층 이상 있는 다층 인쇄 배선판을 제조할 수 있다.
즉, 도시를 생략하고 있지만, 본 발명에 따른 다층 인쇄 배선판은, 상기한 인쇄 배선판의 양면 또는 단면에 상기한 프리프레그(4)를 개재시켜 금속박(5)을 적층하고, 이 금속박의 불필요한 부분을 제거하여 도체 패턴의 층을 설치하여 형성할 수 있다. 이 경우, 상기한 프리프레그(4)를 사용하는 것이 바람직하지만, 그 외의 프리프레그를 사용해도 된다. 또, 금속박(5)으로서는, 상기와 동일한 것을 사용할 수 있다. 적층 성형 및 성형 조건은, 상기한 적층판(3)을 제조하는 경우와 동일하다. 도체 패턴의 형성은, 인쇄 배선판을 제조하는 경우와 동일하게 행할 수 있다. 즉, 금속박(5)이 있는 경우에는 서브트랙티브법에 의해 도체 패턴의 층을 형성할 수 있고, 금속박(5)이 없는 경우에는 애디티브법에 의해 도체 패턴의 층을 형성할 수 있다. 상기와 같이 하여 제조된 다층 인쇄 배선판도, 열 팽창률이 낮고, 탄성률이 높은 것이다. 그리고, 도체 패턴의 층수는 특별히 한정되지 않는다.
그 후, 상기한 인쇄 배선판 또는 다층 인쇄 배선판에 반도체 소자를 실장하여 밀봉함으로써, CSP(Chip Size Package) 등의 패키지를 제조할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 따라 구체적으로 설명한다.
[무기 성분]
수지 조성물(1)을 구성하는 무기 성분으로서 다음과 같은 제1 충전재, 제2 충전재 및 제3 충전재를 사용하다.
(제1 충전재)
·가부시키가이샤 아드마텍스(Admatechs Company Limited)제 「YA010C-MFF」(실리카, 평균 입자 직경 0.01μm)
·가부시키가이샤 아드마텍스제 「YC100C-MLE」(실리카, 평균 입자 직경 0.1μm)
(제2 충전재)
·가부시키가이샤 아드마텍스제 「S0-25 R」(실리카, 평균 입자 직경 0.5μm)
·사카이 가가쿠고교 가부시키가이샤(Sakai Chemical Industry Co., Ltd.)제 「MGZ-5」(수산화마그네슘, 평균 입자 직경 0.8μm)
(제3 충전재)
·사카이 가가쿠고교 가부시키가이샤제 「MGZ-6」(수산화 마그네슘, 평균 입자 직경 1.6μm)
·가부시키가이샤 아드마텍스제 「S0-C6」(실리카, 평균 입자 직경 2.0μm)
·스미토모 가가쿠 가부시키가이샤(Sumitomo Chemical Co., Ltd.)제 「CL-303」(수산화알루미늄, 평균 입자 직경 4.0μm)
[유기 성분]
수지 조성물(1)을 구성하는 유기 성분으로서 다음과 같은 열 경화성 수지, 경화제 및 경화 촉진제를 사용하다.
(열 경화성 수지)
·DIC 가부시키가이샤(DIC Corporation)제 「830S」(에폭시 수지, 150℃에서의 ICI 점도< 0.01 Pa·s(검출 하한 이하))
·DIC 가부시키가이샤제 「HP9500」(에폭시 수지, 150℃에서의 ICI 점도 2.6 Pa·s)
·DIC 가부시키가이샤제 「N540」(에폭시 수지, 150℃에서의 ICI 점도 0.04 Pa·s)
·닛폰 가야쿠 가부시키가이샤(Nippon Kayaku Co., Ltd.)제 「EPPN502H」(에폭시 수지, 150℃에서의 ICI 점도 0.2 Pa·s)
·론자(Lonza)사제 「BADCy」(시아네이트 수지, 150℃에서의 ICI 점도< 0.01 Pa·s(검출 하한 이하))
·마루젠 세키유카가쿠 가부시키가이샤(Maruzen Petrochemical Co., Ltd.)제 「BANI-M」(이미드 수지, 150℃에서의 ICI 점도 0.7 Pa·s)
·다이와 가세이 가부시키가이샤(Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd.)제 「BMI2300」(이미드 수지, 150℃에서의 ICI 점도 0.08 Pa·s)
(경화제)
·DIC 가부시키가이샤제 「TD2090」(페놀성 경화제)
·DIC 가부시키가이샤제 「HPC9500」(페놀성 경화제)
·메이와 카세이 가부시키가이샤(Meiwa Plastic Industries, Ltd)제 「MEH7600」(페놀성 경화제)
(경화 촉진제)
·시코쿠 카세이고교 가부시키가이샤(Shikoku Chemicals Corporation)제 「2 E4MZ」(이미다졸)
[기재]
기재(2)로서 다음과 같은 것을 사용하다.
·닛토 보세키 가부시키가이샤(Nitto Boseki Co., Ltd.)제 「1037」(유리 섬유 직물, 두께 27μm)
·닛토 보세키 가부시키가이샤제 「1036」(유리 섬유 직물, 두께 28μm)
·닛토 보세키 가부시키가이샤제 「2116」(유리 섬유 직물, 두께 94μm)
·닛토 보세키 가부시키가이샤제 「1017」(유리 섬유 직물, 두께 15μm)
[프리프레그]
상기한 무기 성분 및 유기 성분을 표 1∼표 3에 나타낸 배합량(질량부)으로 배합하고, 또한 용제(메틸 에틸 케톤)로 희석함으로써 수지 조성물(1)의 바니스를 조제하였다.
다음에, 상기한 수지 조성물(1)을 기재(2)에 함침시키는 동시에, 이것을 반경화 상태가 될 때까지 100∼200℃에서 1∼5분간, 건조로 내에서 가열 건조시킴으로써 프리프레그(4)를 제조하였다.
[적층판]
상기한 프리프레그(4)를 2장 중첩하고, 그 양면에 금속박(5)으로서 동박(미츠이 긴조쿠고교 가부시키가이샤(Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.))제 「3 EC-VLP」, 두께 12μm)을 중첩하여 가열 가압 성형함으로써, 적층판(3)으로 동박 적층판(Copper-Clad Laminate, CCL)을 제조하였다(실시예1∼10, 12∼14). 상기한 가열 가압 성형은, 다단 진공 프레스를 사용하여 행하였다. 성형 조건은, 온도가 230℃, 압력이 4 MPa, 시간이 120분간이다.
[인쇄 배선판]
프리프레그(4)의 장수를 1장으로 한 것 외에는, 상기와 동일하게 하여, 적층판(3)으로서 동박 적층판(CCL)을 제조하였다(실시예 11). 다음에 이 적층판(3)의 양면에 서브트랙티브법에 의해 도체 패턴을 형성함으로써, 인쇄 배선판을 제조하였다.
[다층 인쇄 배선판]
상기한 인쇄 배선판의 단면에 프리프레그(4)를 1장, 또한 금속박(5)으로서 동박(미츠이 긴조쿠고교 가부시키가이샤제 「3 EC-VLP」, 두께 12μm)을 1장 중첩하여 가열 가압 성형함으로써, 다층 인쇄 배선판을 제조하였다(실시예 15). 상기한 가열 가압 성형은, 다단 진공 프레스를 사용하여 행하였다. 성형 조건은, 온도가 220℃, 압력이 6.0 MPa, 시간이 160분간이다.
(CCL 외관)
적층판(3)의 금속박(5)을 에칭에 의해 제거하고, 제거면을 육안으로 관찰하여 외관의 양호 또는 불량을 다음과 같이 판정하였다.
「○」: 보이드(void), 끊김, 수지 분리를 볼 수 없는 것
「△」: 보이드, 끊김은 볼 수 없지만, 수지 분리를 볼 수 있는 것
「×」: 보이드 또는 끊김을 볼 수 있는 것
(유리 전이 온도(Tg))
적층판(3)의 유리 전이 온도(Tg)를 JIS C 6481에 준하여 DMA법(dynamic mechanical analysis method)에 의해 측정하였다. 구체적으로는, 먼저 적층판(3)의 금속박(5)을 에칭에 의해 제거하여 시료를 제작하였다. 다음에 이 시료에 대하여 동적 점탄성(粘彈性) 측정 장치(에스아이아이·나노 테크놀로지 가부시키가이샤(SII Nano Technology Inc.)제 「DMS6100」)를 사용하고, 5℃/분의 조건 하에서 승온하여, tanδ의 피크 위치를 유리 전이 온도(Tg)로 하였다.
(열 팽창률)
적층판(3)의 열 팽창률을 JIS C 6481에 준하여 TMA법(Thermal Mechanical Analysis method)에 의해 측정하였다.
(탄성률)
적층판(3)의 탄성률을 DMA법에 의해 25℃에서의 저장(貯藏) 탄성률(E´)로서 측정하였다.
(열 분해 온도)
적층판(3)의 열 분해 온도를, 열중량 분석(TGA) 장치를 사용하여, 적층판(3)을 승온 속도 10℃/분으로 가열한 경우에 중량 감소율이 5%가 되는 온도로서 측정하였다.
그리고, 실시예 15에 대해서는, 외부의 금속박(5)을 제거해도, 내부에 도체 패턴이 있는 부분이 존재하지만, 유리 전이 온도(Tg), 열 팽창률, 탄성률, 열 분해 온도를 측정할 때는, 내부에 도체 패턴이 없는 부분을 사용하였다.
이상의 결과를 표 1∼표 3에 나타낸다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
표 1 및 표 2로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1∼15에서는, 열 팽창률이 낮고, 탄성률이 높고, 외관이 양호한 적층판을 얻을 수 있었다. 그러나, 표 3에 나타낸 바와 같이 비교예 1∼3에서는, 외관이 양호한 적층판을 얻을 수 없고, 또 비교예 4에서는, 처음부터 적층판을 제조하는 것이 곤란하고, 또 비교예 5에서는, 적층판의 열 팽창률이 높고, 탄성률이 낮아졌다.
1: 수지 조성물
2: 기재
3: 적층판
2: 기재
3: 적층판
Claims (15)
- 무기 성분 및 유기 성분으로 구성되는 수지 조성물을 기재에 함침(含浸)시켜 경화시킨 적층판으로서,
상기 수지 조성물은, 상기 적층판 전량에 대해 51 ~ 66 질량% 함유되어 있고,
상기 무기 성분은, 상기 수지 조성물 전량에 대해 66.7 ~ 80 질량% 함유되어 있고,
상기 무기 성분은 제1 무기 충전재, 제2 무기 충전재 또는 제3 무기 충전재를 포함하고,
상기 제1 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 미만이며,
상기 제2 무기 충전재의 평균 입자 직경은 0.2μm 이상 1.0μm 미만이고,
상기 제3 무기 충전재의 평균 입자 직경은 1.0μm 이상이며,
상기 유기 성분은, 제1 열경화성 수지 및 제2 열경화성 수지를 포함하고,
상기 제1 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s 이하이며,
상기 제2 열경화성 수지의 150 ℃에서의 ICI 점도는 0.3 Pa·s를 초과하고,
상기 기재는 유리 섬유 직물인, 적층판. - 제1항에 있어서,
상기 제1 무기 충전재, 상기 제2 무기 충전재 및 상기 제3 무기 충전재의 재질은 실리카인, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 무기 충전재는, 상기 무기 성분 전량에 대해 12.5 ~ 25 질량% 함유되어 있는, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 무기 충전재는, 상기 제1 무기 충전재와 상기 제2 무기 충전재의 합계량 또는 상기 제1 무기 충전재와 상기 제3 무기 충전재의 합계량에 대해 12.5 ~ 25 질량% 함유되어 있는, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 열경화성 수지는, 상기 유기 성분 전량에 대해 30 ~ 50 질량% 함유되어 있는, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 열경화성 수지는, 상기 제1 열경화성 수지와 상기 제2 열경화성 수지의 합계량에 대해 30 ~ 50 질량% 함유되어 있는, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 열경화성 수지는, 150 ℃에서의 ICI 점도가 0.04 Pa·s 이하인 에폭시 수지를 포함하고,
상기 제2 열경화성 수지는, 150 ℃에서의 ICI 점도가 2.6 Pa·s 이상인 에폭시 수지를 포함하는, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 열경화성 수지는, 시아네이트 수지를 포함하고,
상기 제2 열경화성 수지는, 에폭시 수지를 포함하는, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 열경화성 수지는, 이미드 수지를 포함하고,
상기 제2 열경화성 수지는, 이미드 수지를 포함하는, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 적층판의 열 분해 온도(5% 중량 감소 온도)가 400℃ 이상인, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 적층판의 유리 전이 온도(Tg)가 250℃ 이상인, 적층판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기재의 두께가 10∼200μm인, 적층판. - 제1항에 기재된 적층판의 양면 또는 단면에 금속박을 적층하여 형성되어 있는 금속박(metal-clad) 적층판.
- 제1항 또는 제2항에 기재된 적층판, 또는 제13항에 기재된 금속박 적층판의 양면 또는 단면에 도체 패턴을 설치하여 형성되어 있는 인쇄 배선판.
- 제14항에 기재된 인쇄 배선판을 사용하여, 상기 도체 패턴의 층을 적어도 3층 이상 설치하여 형성되어 있는 다층 인쇄 배선판.
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