KR20160026853A - 도전 페이스트, 도전 패턴의 제조 방법 및 터치패널 - Google Patents

도전 페이스트, 도전 패턴의 제조 방법 및 터치패널 Download PDF

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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 밀착성이 현저하게 높고, 또한 비교적 저온의 경화 조건에 있어서 도전성을 발현하는 미세한 도전 패턴을 형성하는 것이 가능한 도전 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 도전 필러(A), 쌍성 이온 화합물(B) 및 열경화성 화합물(C)을 함유하는 도전 페이스트를 제공한다.

Description

도전 페이스트, 도전 패턴의 제조 방법 및 터치패널{ELECTROCONDUCTIVE PASTE, METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTROCONDUCTIVE PATTERN, AND TOUCH PANEL}
본 발명은 도전 페이스트, 도전 패턴의 제조 방법 및 터치패널에 관한 것이다.
최근, 스마트폰이나 태블릿 PC와 같은 모바일 전자기기의 개발이 왕성하다. 부재 중 하나인 디스플레이나 터치패널에는 소형화 및 고선명화가 요구되고 있다.
디스플레이나 터치패널 등의 기판 상에 도전 패턴을 형성하는 방법으로서는 증착법이 알려져 있다. 증착법은 20㎛ 이하의 고선명 패턴도 형성 가능하다. 그러나, 설비 투자나 번잡한 제조 공정에 의한 고비용화가 문제가 된다.
보다 저비용으로 도전 패턴을 형성하기 위해, 유기 성분인 수지와 무기 성분인 도전 필러를 포함하는 유기-무기 복합 도전 패턴을 형성하기 위한 재료가 실용화되어 있다. 즉, 수지나 수지를 포함한 접착제에, 도전 필러로서 은분, 동분 또는 카본 분말을 대량으로 혼합한, 소위 폴리머형의 도전 페이스트가 실용화되어 있다.
이들 도전 페이스트의 대부분은 스크린 인쇄법에 의해 형성한 패턴을 가열 경화시킴으로써 도전 패턴을 얻을 수 있다(특허문헌 1 및 2). 그러나, 100㎛ 이하의 도전 패턴을 정밀도 좋게 형성하는 것은 곤란하다.
그래서, 산성 에칭 가능한 도전 페이스트(특허문헌 3)나, 감광성 경화형 도전 페이스트가 개발되어 있다(특허문헌 4∼6).
일본 특허 공개 2012-18783호 공보 일본 특허 공개 2007-207567호 공보 일본 특허 공개 평 10-64333호 공보 일본 특허 공개 2004-361352호 공보 국제 공개 제 2004/61006호 일본 특허 공개 2013-101861호 공보
그러나, 특허문헌 3 기재의 산성 에칭 가능한 도전 페이스트에 대해서는 도전 패턴의 형성시에 있어서 레지스트층을 형성할 필요가 있다. 따라서, 제조 공정의 번잡화라고 하는 문제를 안는 것이었다.
또한, 특허문헌 4∼6 기재의 종래의 감광성 경화형 도전 페이스트에서는 얻어지는 도전 패턴의 도전성이 낮은 것이나, 얻어진 도전 패턴의 무름 또는 기판 등으로의 밀착성 부족이 문제시되고 있었다.
또한, 고분자로 이루어지는 기판을 사용하는 것으로의 요구가 높아지고 있었다. 고분자로 이루어지는 기판은 내열성이 뒤떨어지기 때문에, 보다 저온역의 경화 조건에 있어서의 도전성 발현이 요구되고 있었다.
그래서, 본 발명은 밀착성이 현저하게 높고, 또한 비교적 저온의 경화 조건에 있어서 도전성을 발현하는 미세한 도전 패턴을 형성하는 것이 가능한 도전 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 (1)∼(7)에 기재한 도전 페이스트 및 도전 패턴의 제조 방법, 및 터치패널을 제공한다.
(1) 도전 필러(A), 쌍성 이온 화합물(B) 및 열경화성 화합물(C)을 함유하는 도전 페이스트.
(2) 상기 도전 필러(A)에 대한 상기 쌍성 이온 화합물(B)의 비율이 0.05∼5중량%인 (1) 기재의 도전 페이스트.
(3) 광중합 개시제(D)를 더 함유하고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물(E) 및/또는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(F)을 함유하는 (1) 또는 (2) 기재의 도전 페이스트.
(4) 상기 카르복실기를 갖는 화합물(E)은 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머로서 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트를 포함하는 아크릴계 공중합체인 (3) 기재의 도전 페이스트.
(5) 상기 쌍성 이온 화합물(B)은 아미노산, 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물 및 하기 일반식(2)으로 나타내어지는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물인 (1)∼(4) 기재의 도전 페이스트.
Figure pct00001
(식 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립하여 유기기를 나타내고, L1은 2가의 연결기를 나타낸다. R3 및 R2 또는 L1은 서로 연결되어서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 환은 치환기를 갖고 있어도 좋다.)
Figure pct00002
(식 중, R4는 피리디늄환의 1∼6위치 중 어느 1개소에 결합되는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 수소를 나타내고, L2는 피리디늄환의 1∼6위치 중 어느 1개소에 결합되는 2가의 연결기를 나타낸다. R4 또는 L2 중 어느 하나는 피리디늄환의 1위치에 결합된다.)
(6) 상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립하여 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타내는 (5) 기재의 도전 페이스트.
(7) (1)∼(6) 중 어느 1항 기재의 도전 페이스트를 기판 상에 도포해서 도포막을 얻는 도포 공정과, 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 건조 공정과, 상기 건조막을 노광 및 현상해서 패턴을 얻는 패턴 형성 공정과, 상기 패턴을 100∼200℃로 경화해서 도전 패턴을 얻는 경화 공정을 구비하는 도전 패턴의 제조 방법.
(8) (7) 기재의 도전 패턴의 제조 방법에 의해 제조된 도전 패턴을 주위 배선으로서 구비하는 정전 용량형 터치패널.
(발명의 효과)
본 발명의 도전 페이스트에 의하면, 밀착성이 뛰어난 미세한 도전 패턴이 얻어질 뿐만 아니라, 저온 경화 조건에 있어서도 비저항이 낮은 도전 패턴을 얻는 것이 가능해진다.
도 1은 실시예의 비저항 평가에 사용한 포토마스크의 투광 패턴을 나타내는 모식도이다.
본 발명의 도전 페이스트는 도전 필러(A), 쌍성 이온 화합물(B) 및 열경화성 화합물(C)을 함유하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 도전 페이스트를 이용하여, 스크린 인쇄법 또는 감광성법(포토리소그래피법) 등의 방법에 의해 전극 배선을 구성하는 도전 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
본 발명의 도전 페이스트가 함유하는 도전 필러(A)로서는, 예를 들면 Ag, Au, Cu, Pt, Pb, Sn, Ni, Al, W, Mo, 산화루테늄, Cr, Ti, 카본 또는 인듐의 입자를 들 수 있다. 이것들의 재료가 복합화한 입자를 사용할 수도 있다. 이들 입자의 혼합물을 사용할 수도 있다. 도전성의 관점으로부터 Ag, Cu 또는 Au의 입자가 바람직하고, 비용 및 안정성의 관점으로부터 Ag의 입자가 보다 바람직하다.
도전 필러(A)의 메디안 지름(D50)은 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하가 바람직하고, 0.5㎛ 이상 6㎛ 이하가 보다 바람직하다. D50이 0.1㎛ 이상이면 경화 공정에서의 도전 필러(A)끼리의 접촉 확률이 향상되고, 제조된 도전 패턴의 비저항 및 단선 확률이 낮아진다. 또한, 노광 공정에 있어서 노광광이 도전 페이스트를 도포해서 얻어진 도포막 중을 스무스하게 투과할 수 있어 미세 패터닝이 용이해진다. 한편으로, D50이 10㎛ 이하이면 제조된 도전 패턴의 표면 평활도, 패턴 정밀도 및 치수 정밀도가 향상된다. 또한, D50은 레이저광 산란법에 의해 측정할 수 있다.
도전 페이스트 중의 전고형분에 차지하는 도전 필러(A)의 비율은 도전 페이스트 중의 전고형분에 대하여 60중량% 이상 95중량% 이하가 바람직하고, 70중량% 이상 90중량% 이하가 보다 바람직하다. 전고형분에 대한 첨가량이 60중량% 이상이면 경화 공정에서의 도전 필러(A)끼리의 접촉 확률이 향상되고, 제조된 도전 패턴의 비저항 및 단선 확률이 낮아진다. 한편, 전고형분에 대한 첨가량이 95중량% 이하이면 노광 공정에 있어서 노광광이 도전 페이스트를 도포해서 얻어진 도포막 중을 스무스하게 투과할 수 있어 미세한 패터닝이 용이해진다. 여기에서, 전고형분이란 용제를 제외한 도전 페이스트의 전구성 성분을 말한다.
도전 페이스트 중의 전고형분에 차지하는 도전 필러(A)의 비율은 도전 페이스트 제작시의 도전 필러(A) 및 쌍성 이온 화합물(B) 및 열경화성 화합물(C) 등의 유기 성분의 첨가량으로 제어할 수 있다. 또한, 전고형분에 차지하는 도전 필러(A)의 비율은 열중량 측정(이하, 「TGA」)에 의해 측정할 수 있다. 보다 구체적으로는 도전 페이스트 10㎎ 정도를 샘플로 하여, 25∼600℃의 중량 변화를 TGA(예를 들면, TGA-50; 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 제)에 의해 측정할 수 있다. 통상, 100∼150℃에서 도전 페이스트 중의 용매가 증발하므로, 150℃ 도달 시점의 샘플 중량은 전고형분의 중량에 상당한다. 600℃ 도달 시점의 샘플 중량은 쌍성 이온 화합물(B) 및 열경화성 화합물(C) 등이 제거되어 있고, 대략 도전 필러(A)의 중량에 상당한다. 따라서, 150℃ 도달 시점의 샘플 중량에 대한, 600℃ 도달 시점의 샘플 중량의 비율로부터 전고형분에 차지하는 도전 필러(A)의 비율이 구해진다. 또한, 도전 패턴을 샘플로 하는 경우에는 도전 패턴을 깎아내서 채취함으로써 페이스트와 마찬가지로 TGA에 의해 측정할 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트가 함유하는 쌍성 이온 화합물(B)(이하, 「화합물(B)」)이란 1분자 내에 정전하와 부전하의 양쪽을 갖는 화합물을 말한다. 상세한 기서는 불분명하지만, 화합물(B)을 함유함으로써 저온 경화 조건에 있어서도 비저항이 낮은 도전 패턴을 얻을 수 있다.
화합물(B)로서는, 예를 들면 카르니틴, 아세틸카르니틴, N,N,N-트리메틸글리신(별명: 글리신베타인), N,N,N-트리에틸글리신, N,N,N-트리프로필글리신, N,N,N-트리이소프로필글리신, N,N,N-트리메틸-γ-아미노부티르산, N,N,N-트리메틸알라닌, N,N,N-트리에틸알라닌, N,N,N-트리이소프로필알라닌, N,N,N-트리메틸-2-메틸알라닌, N,N,N-트리메틸암모니오프로피오네이트 또는 프롤린베타인 등의 제 4급 암모늄 양이온과 카르복실레이트 음이온을 갖는 저분자 베타인을 들 수 있다.
또한, 라우릴베타인{예를 들면, 암피톨 24B[유효 성분 26중량%; 카오(주) 제]}, 스테아릴베타인, 라우르산 아미드프로필베타인, 야자유 지방산 아미드프로필베타인, 옥탄산 아미드프로필베타인 또는 2-알킬-N-카르복시메틸-N-히드록시에틸이미다졸리늄베타인{예를 들면, 암피톨 20YB[유효 성분 40중량%; 카오(주) 제]} 등의 제 4급 암모늄 양이온과 카르복실레이트 음이온을 갖는 양성 계면활성제를 들 수 있다.
또한, 유카포머(등록상표) AMPHOSET, 유카포머(등록상표) 104D, 유카포머(등록상표) 301 또는 유카포머(등록상표) SM[이상, 모두 미츠비시카가쿠(주) 제] 또는 RAM 레진-1000, RAM 레진-2000, RAM 레진-3000 또는 RAM 레진-4000[이상, 모두 오사카유키카가쿠코교(주)] 등의 측쇄에 제 4급 암모늄 양이온과 카르복실레이트 음이온을 갖는 폴리머를 들 수 있다.
또한, 피리디노아세테이트, 피리디노프로피오네이트 또는 트리고넬린 등의 피리디늄 양이온과 카르복실레이트 음이온을 갖는 화합물을 들 수 있다.
또한, 옥타데실디메틸(3-술포프로필)암모늄히드록시드 분자 내 염, 도데실디메틸(3-술포프로필)암모늄히드록시드 분자 내 염, 스테아릴술포베타인, 팔미틸술포베타인, 미리스틸술포베타인, 라우릴술포베타인, 코카미도프로필히드록시술타인, 3-(에틸디메틸암모니오)프로판-1-술포네이트 또는 3-(벤질디메틸암모니오)프로판-1-술포네이트 등의 제 4급 암모늄 양이온과 술포네이트 음이온을 갖는 화합물을 들 수 있다.
또한, 1-(3-술포프로필)피리디늄히드록시드 분자 내 염 등의 피리디늄 양이온과 술포네이트 음이온을 갖는 화합물을 들 수 있다.
또한, 포스파티딜콜린 또는 레시틴 등의 제 4급 암모늄 양이온과 포스페이트 음이온을 갖는 화합물을 들 수 있다.
또한, 라우릴디메틸아민 N-옥시드, 올레일디메틸아민 N-옥시드, 니코틴산 N-옥시드, 2-메틸피리딘 N-옥시드, 트리메틸아민 N-옥시드 또는 피리딘 N-옥시드 등의 아민옥시드형 화합물을 들 수 있다.
또는 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파르트산, 시스테인, 글루타민, 글루탐산, 글리신, 히스티딘, 이소류신, 류신, 리신, 메티오닌, 페닐알라닌, 프롤린, 세린, 트레오닌, 트립토판, 티로신, 발린, N-메틸글리신, β-알라닌, 오르니틴, 크레아틴, γ-아미노부티르산, 테아닌 또는 카이닌산 등의 아미노산 등을 들 수 있다.
화합물(B)로서는 아미노산 또는 하기 일반식 (1) 또는 (2)의 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.
Figure pct00003
(식 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립하여 유기기를 나타내고, L1은 2가의 연결기를 나타낸다. R3 및 R2 또는 L1은 서로 연결되어서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 환은 치환기를 갖고 있어도 좋다.)
Figure pct00004
(식 중, R4는 피리디늄환의 1∼6위치 중 어느 1개소에 결합되는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 수소를 나타내고, L2는 피리디늄환의 1∼6위치 중 어느 1개소에 결합되는 2가의 연결기를 나타낸다. R4 또는 L2 중 어느 하나는 피리디늄환의 1위치에 결합된다.)
상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립하여 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 바람직하다. 일반식 (1) 또는 (2)의 구조를 갖고, 상기 R1, R2 및 R3이 탄소수 1∼6의 알킬기인 화합물로서는, 예를 들면 카르니틴, 아세틸카르니틴, N,N,N-트리메틸글리신, N,N,N-트리에틸글리신, N,N,N-트리프로필글리신, N,N,N-트리이소프로필글리신, N,N,N-트리메틸-γ-아미노부티르산, N,N,N-트리메틸알라닌, N,N,N-트리에틸알라닌, N,N,N-트리이소프로필알라닌, N,N,N-트리메틸-2-메틸알라닌 또는 N,N,N-트리메틸암모니오프로피오네이트를 들 수 있다. 카르니틴 또는 N,N,N-트리메틸글리신이 보다 바람직하다.
2가의 연결기로서는, 예를 들면 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기 또는 아릴렌기 등의 탄화수소기, 티오펜-2,5-디일기 또는 피라진-2,3-디일기 등의 방향족 복소환을 갖는 화합물(헤테로 방향족 화합물)로부터 유래되는 2가의 연결기, O 또는 S 등의 칼코겐 원자로부터 유래되는 2가의 연결기 또는 알킬이미노기, 디알킬실란디일기 또는 디아릴게르만디일기 등의 헤테로 원자를 통해서 연결되는 기를 들 수 있다. 알킬렌기는 히드록실기 또는 알킬기 등의 치환기를 가져도 상관없다. 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기 또는 테트라메틸렌기가 바람직하다.
도전 필러(A)에 대한 화합물(B)의 비율은 0.05중량% 이상 5중량% 이하인 것이 바람직하고, 0.1중량% 이상 2중량% 이하가 보다 바람직하다. 화합물(B)의 비율이 0.05중량% 이상이면 저온 경화 조건에 있어서 비저항이 낮은 도전 패턴이 얻어진다. 한편, 화합물(B)의 비율이 5중량% 이하이면 패터닝시의 현상 내성이 충분해서 미세한 패턴을 형성할 수 있다.
도전 필러(A)에 대한 화합물(B)의 비율은 도전 페이스트의 전성분 분석에 의해 도전 필러(A) 및 화합물(B)의 페이스트 중의 함유율을 각각 정량 분석함으로써 산출할 수 있다.
도전 페이스트의 전성분 분석 방법은 이하와 같다.
(i) 도전 페이스트를 유기 용매로 희석하고, 1H-NMR 측정, GC 측정 및 GC/MS 측정을 해서 그 개요를 조사한다.
(ii) 도전 페이스트를 유기 용매 추출한 후에 원심분리를 행하여, 가용분과 불용분을 분리한다.
(iii) 상기 불용분에 대해서 고극성 유기 용매로 추출한 후에 원심분리를 행하여, 가용분과 불용분을 더 분리한다.
(iv) 상기 (ii) 및 (iii)에서 얻어진 가용분의 혼합액에 대해서 IR 측정, 1H-NMR 측정 및 GC/MS 측정을 행한다. 또한, 상기 혼합액을 GPC 분취한다. 얻어진 분취물에 대해서 IR 측정 및 1H-NMR 측정을 행한다. 또한, 상기 분취물에 대해서는 필요에 따라서 GC 측정, GC/MS 측정, 열분해 GC/MS 측정 및 MALDI/MS 측정을 행한다.
(v) 상기 (iii)에서 얻어진 불용분에 대해서 IR 측정 또는 TOF-SIMS 측정을 행한다. 유기물이 존재하는 것이 확인되었을 경우에는 열분해 GC/MS 또는 TPD/MS 측정을 행한다.
(vi) 상기 (i), (iv) 및 (v)의 측정 결과를 종합적으로 판단함으로써 도전 페이스트가 함유하는 각 성분의 함유율을 구할 수 있다. 또한, 상기 (iii)에서 사용하는 고극성 유기 용매로서는 클로로포름 또는 메탄올 등이 바람직하다.
화합물(B)은 도전 필러(A)를 피복하는 상태로 도전 페이스트에 함유되어 있어도 상관없다. 도전 필러(A)를 화합물(B)로 피복하기 위한 표면 처리 방법으로서는, 습식 처리 또는 건식 처리 등의 공지의 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트가 함유하는 열경화성 화합물(C)(이하, 「화합물(C)」)에 의해, 도전 페이스트의 기판에 대한 밀착성의 강화 또는 도막의 강화를 달성할 수 있다. 열경화성 화합물(C)로서는, 예를 들면 에폭시 화합물, 옥세탄 화합물, 이소시아네이트 화합물 또는 알콕시 화합물을 들 수 있다.
에폭시 화합물로서는, 예를 들면 비스페놀A형, 수소 첨가 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀S형, 페놀노볼락형, 크레졸노볼락형, 비스페놀A 노볼락형, 비페놀형, 비크실레놀형, 트리스페놀메탄형, 글리시딜아민형 또는 글리시딜에스테르형 등의 에폭시 수지 또는 페녹시 수지를 들 수 있다.
또한, α-트리글리시딜이소시아누레이트, β-트리글리시딜이소시아누레이트, 지환식 에폭시 수지, 지환식 페녹시 수지, 복소환식 에폭시 수지 또는 복소환식 페녹시 수지를 들 수 있다.
에폭시 화합물로서는, 예를 들면 jER(등록상표) 828, 아데카레진 EPR-21, 아데카레진 EPR-4030, jER(등록상표) 1001, jER(등록상표) 1002 또는 jER(등록상표) 1256을 들 수 있다.
에폭시 화합물의 에폭시 당량은 200∼500g/당량인 것이 바람직하다. 에폭시 당량을 200∼500g/당량으로 함으로써 수지 필름이나 유리 기판과 같은 각종 기판과의 밀착성이 높은 도전 패턴을 얻을 수 있다. 에폭시 당량이란 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 중량을 말하고, 구조식으로부터 구한 분자량을 그 구조 중에 포함되는 에폭시기의 수로 나누어서 구할 수 있다.
옥세탄 화합물로서는, 예를 들면 3-에틸-3-히드록시메틸옥세탄[예를 들면, 얼론 옥세탄(등록상표) OXT-101; 도아고세이(주) 제], 2-에틸헥실옥세탄, 크실릴렌비스옥세탄, 3-에틸-{[(3-에틸옥세탄-3-일)메톡시]메틸}옥세탄, 3-에틸-3-(페녹시메틸)옥세탄, 3-에틸-3-(2-에틸헥실옥시메틸)옥세탄, 1,4-비스{[(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시]메틸}벤젠, 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르 또는 페놀노볼락 타입의 옥세탄 화합물을 들 수 있다.
이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면 페닐렌디이소시아네이트, 톨루일렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 시클로헥산디이소시아네이트, 트리메틸페닐렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 또는 테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트를 들 수 있다. 반응의 컨트롤이 용이하기 때문에, 이소포론디이소시아네이트가 바람직하다. 또한, 이소시아네이트기가 아민으로 블록된 블록 이소시아네이트 화합물을 이용해도 상관없다.
알콕시 화합물이란 가열에 의해 알콜을 발생시켜서 축합하는 알콕시기를 분자 내에 갖는 화합물을 말한다. 알콕시기로서는 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 부톡시기 또는 이소부톡시기를 들 수 있다. 알콕시 화합물로서는, 예를 들면 N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시에틸아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, HMOM-TPHAP(혼슈카가쿠코교사 제), MW-30M, MW-30, MW-22, MS-11, MS-001, MX-730, MX-750, MX-706, MX-035, BL-60, BX-37, MX-302, MX-45, MX-410, BX-4000 또는 BX-37(이상, 모두 산와케미컬사 제) 또는 니카라크(등록상표) MW-30HM, 니카라크(등록상표) MW-390, 니카라크(등록상표) MX-270, 니카라크(등록상표) MX-280, 니카라크(등록상표) MW-100LM 또는 니카라크(등록상표) MX-750LM(이상, 모두 산와케미컬사 제)을 들 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트는 필요에 따라서 광중합 개시제(D)를 함유하는 것이 바람직하다. 여기에서, 광중합 개시제(D)란 자외선 등의 단파장의 광을 흡수해서 분해하거나, 또는 수소 인발 반응을 일으켜서 라디칼을 발생시키는 화합물을 말한다. 광중합 개시제(D)로서는, 예를 들면 2-(벤조일옥시이미노)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1-옥탄온, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드, 6-[1-(아세틸옥시이미노)에틸]-9-에틸-9H-카르바졸-3-일(2-메틸페닐)케톤, 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루올레논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조수베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥산온, 6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥산온, 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온, 나프탈렌술포닐클로라이드, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부탄온[예를 들면, IRGACURE(등록상표) 369], 퀴놀린술포닐클로라이드, N-페닐티오아크리돈, 4,4'-아조비스이소부틸로니트릴, 디페닐디술피드, 벤즈티아졸디술피드, 트리페닐포스핀, 캠퍼퀴논, 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 4브롬화 탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화 벤조인, 에오신, 또는 메틸렌블루 등의 광환원성 색소와 아스코르브산 또는 트리에탄올아민 등의 환원제의 조합을 들 수 있다.
광중합 개시제(D)의 첨가량은 15중량부의 화합물(C)에 대하여 0.05중량부 이상 100중량부 이하가 바람직하고, 0.5중량부 이상 15중량부 이하가 보다 바람직하다. 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 0.05중량부 이상이면 도전 페이스트를 노광한 부분의 경화 밀도가 높아지고, 현상 후의 잔막률이 높아진다. 한편, 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 100중량부 이하이면 도전 페이스트를 도포해서 얻어진 도포막 상부에서의 과잉한 광흡수가 억제된다. 그 결과, 제조된 도전 패턴이 역 테이퍼 형상이 되는 것에 의한, 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
본 발명의 도전 페이스트는 광중합 개시제(D)와 함께 증감제를 포함하고 있어도 상관없다.
증감제로서는, 예를 들면 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜탄온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)시클로헥산온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥산온, 미힐러케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸 또는 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸을 들 수 있다.
증감제의 첨가량은 15중량부의 화합물(C)에 대하여 0.05중량부 이상 30중량부 이하가 바람직하고, 0.1중량부 이상 8중량부 이하가 보다 바람직하다. 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 0.05중량부 이상이면 노광 감도가 충분하게 향상된다. 한편, 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 30중량부 이하이면 도전 페이스트를 도포해서 얻어진 도포막 상부에서의 과잉한 광흡수가 억제된다. 그 결과, 제조된 도전 패턴이 역 테이퍼 형상이 되는 것에 의한, 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
본 발명의 도전 페이스트는 필요에 따라서 카르복실기를 갖는 화합물(E)(이하, 「화합물 E」)을 함유하는 것이 바람직하다. 화합물(E)이란 카르복실기를 하나 이상 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 말한다.
화합물(E)로서는, 예를 들면 아크릴계 공중합체를 들 수 있다. 여기에서, 아크릴계 공중합체란 공중합 성분에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체를 말한다. 본 발명의 도전 페이스트를 감광성으로 하는 경우에는 노광에 의한 경화 반응의 반응 속도를 크게 할 수 있으므로, 화합물(E)이 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(E)과 함께 광중합 개시제(D)를 함유함으로써 본 발명의 도전 페이스트에 감광성을 구비시킬 수 있다. 여기에서, 감광성이란 도포, 건조를 행한 후의 도막에 대하여 활성 광선을 조사함으로써 광가교, 광중합, 광해 중합 또는 광변성 등의 반응이 일어나고, 조사 부분의 화학 구조가 변화되어서 현상액에 의한 현상이 가능해지는 성질을 말한다.
탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머로서는, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 2-에틸헥실아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디메티롤프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트 또는 트리메티롤프로판트리아크릴레이트 등의 아크릴계 모노머를 들 수 있다.
또한, 에폭시기를 불포화산으로 개환시킨 수산기를 갖는 에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 글리세린디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 비스페놀A형 에폭시 수지의 아크릴산 부가물, 비스페놀F형 에폭시 수지의 아크릴산 부가물 또는 크레졸노볼락형 에폭시 수지의 아크릴산 부가물 등의 에폭시아크릴레이트 등도 아크릴계 모노머로서 들 수 있다.
화합물(E)로서는, 예를 들면 메타크릴계 공중합체를 들 수 있다. 여기에서, 메타크릴계 공중합체란 공중합 성분에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 메타크릴계 모노머를 포함하는 공중합체를 말한다. 메타크릴계 모노머로서는 상기 아크릴계 모노머의 아크릴기를 메타크릴기로 치환한 화합물을 들 수 있다. 이하, 메타크릴계 공중합체를 포함해서 아크릴계 공중합체라고 하는 경우가 있다.
보다 경도가 뛰어난 도전 패턴을 형성하기 위해서, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머로서 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트를 포함하는 아크릴계 공중합체가 바람직하고, 수산기에 다관능 이소시아네이트를 부가 반응시킨 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트를 포함하는 아크릴계 공중합체가 보다 바람직하다.
카르복실기를 갖는 알칼리 가용성의 아크릴계 공중합체는 모노머로서 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 사용함으로써 얻어진다. 불포화산으로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산 또는 비닐아세트산 또는 이것들의 산 무수물을 들 수 있다. 사용하는 불포화산의 다소에 의해, 얻어지는 아크릴계 공중합체의 산가를 조정할 수 있다.
또한, 카르복실기를 갖는 「수산기에 다관능 이소시아네이트를 부가 반응시킨 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트를 포함하는 아크릴계 공중합체」는 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트와, 다관능 이소시아네이트 및 카르복실기를 갖는 다가 알콜을 반응시킴으로써 얻어진다.
또한, 상기 아크릴계 공중합체가 갖는 카르복실기와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 측쇄에 반응성의 불포화 이중 결합을 갖는 알칼리 가용성의 아크릴계 공중합체가 얻어진다.
아크릴계 공중합체에 포함되는 그 밖의 공중합체 성분으로서는, 예를 들면 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌 또는 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 또는 1-비닐-2-피롤리돈을 들 수 있다.
화합물(E)의 산가는 화합물(E)의 알칼리 가용성을 최적인 것으로 하기 위해서, 40∼250㎎KOH/g인 것이 바람직하고, 50∼200㎎KOH/g인 것이 보다 바람직하다. 산가가 40㎎KOH/g 이상이면 가용 부분의 용해성이 양호해진다. 한편, 산가가 250㎎KOH/g 이하이면 현상 허용폭이 넓어진다. 또한, 화합물(E)의 산가는 JIS K 0070(1992)에 준거해서 측정할 수 있다.
화합물(E)의 첨가량은 15중량부의 화합물(C)에 대하여 5중량부 이상 150중량부 이하가 바람직하고, 15중량부 이상 80중량부 이하가 보다 바람직하다. 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 5중량부 이상이면 현상성이 향상된다. 한편, 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 150중량부 이하이면 화합물(C)의 함유량이 상대적으로 커지고, 밀착성이 양호해진다.
본 발명의 도전 페이스트는 필요에 따라서 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(F)(이하, 「화합물 F」)을 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제(D) 및 화합물(F)을 함유함으로써 본 발명의 도전 페이스트에 광경화성을 구비시킬 수 있다. 또한, 광중합 개시제(D), 화합물(E) 및 화합물(F)을 함유함으로써 본 발명의 도전 페이스트에 감광성을 구비시킬 수 있다. 또한, 상기 화합물(E)이 카르복실기에 추가해서 탄소-탄소 이중 결합도 가질 경우에는, 화합물(E) 자체가 광경화성을 구비하기 때문에 화합물(F)의 함유의 필요성이 저하될 경우가 있다. 상기 화합물(E)이 카르복실기에 추가해서 탄소-탄소 이중 결합도 가질 경우라도 화합물(F)에는 포함시키지 않는다.
화합물(F)로서는, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 글리세롤아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디트리메티롤프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트, 비스페놀A-에틸렌옥시드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀A-프로필렌옥시드 부가물의 디아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등의 각종 아크릴산 에스테르, 티오페놀아크릴레이트 또는 벤질메르캅탄아크릴레이트 또는 이들 모노머의 방향환의 수소 원자 중 1∼5개를 염소 또는 브롬 원자로 치환한 모노머, 또는 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, 염소화 스티렌, 브롬화 스티렌, α-메틸스티렌, 염소화 α-메틸스티렌, 브롬화 α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌, 카르복시메틸스티렌, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센 또는 비닐카르바졸을 들 수 있다.
또한, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 화합물의 분자 내의 아크릴레이트의 일부 또는 전부를 메타크릴레이트로 치환한 것도 들 수 있다. 또한, 다관능 모노머에 있어서는 아크릴기, 메타크릴기, 비닐기 또는 알릴기가 혼재하고 있어도 상관없다. 또한, 보다 경도가 뛰어난 도전 패턴을 형성하는 관점으로부터는 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트가 바람직하다.
본 발명의 도전 페이스트는 용제를 함유해도 상관없다. 용제로서는 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(이하, 「CA」), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 락트산 에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디아세톤알콜, 테트라히드로푸르푸릴알콜 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 들 수 있다.
화합물(F)의 첨가량은 15중량부의 화합물(C)에 대하여 0.3중량부 이상 90중량부가 바람직하고, 3중량부 이상 30중량부 이하가 보다 바람직하다. 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 0.3중량부 이상이면 노광부의 현상 내성이 향상된다. 한편, 15중량부의 화합물(C)에 대한 첨가량이 90중량부 이하이면 화합물(C)의 함유량이 상대적으로 커지고, 밀착성이 양호해진다.
본 발명의 도전 페이스트는 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위이면, 분자 내에 불포화 이중 결합을 갖지 않는 비감광성 폴리머 또는 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란커플링제, 경화제·경화 촉진제, 소포제 또는 안료 등의 첨가제를 함유해도 상관없다.
상기 비감광성 폴리머로서는, 예를 들면 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 화합물, 고분자량 폴리에테르 등을 들 수 있다.
가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜 또는 글리세린을 들 수 있다.
레벨링제로서는, 예를 들면 특수 비닐계 중합물 또는 특수 아크릴계 중합물을 들 수 있다.
실란커플링제로서는, 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 또는 비닐트리메톡시실란을 들 수 있다.
경화제·경화 촉진제로서는, 예를 들면 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 또는 4-페닐이미다졸 등의 이미다졸 유도체, 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민 또는 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물, 아디프산 디히드라지드 또는 세바스산 디히드라지드 등의 히드라지드 화합물 또는 트리페닐포스핀 등의 인 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트는, 예를 들면 3단 롤러, 볼 밀 또는 유성식 볼 밀 등의 분산기 또는 혼련기를 이용하여 제조된다.
이어서, 본 발명의 도전 페이스트를 사용한 도전 패턴의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 도전 패턴의 제조 방법에 의해 얻어진 도전 패턴은 유기 성분과 무기 성분의 복합물로 되어 있고, 본 발명의 도전 페이스트에 포함되는 도전 필러(C)끼리가 경화시의 경화 수축에 의해 서로 접촉함으로써 도전성이 발현되는 것이다.
도전 패턴을 제조하기 위해서는, 우선 본 발명의 도전 페이스트를 기판 상에 도포해서 도포막을 얻고, 얻어진 도포막을 건조해서 용제를 휘발시킨다. 그 후에 건조막을 패턴 형성용 마스크를 통해서 노광하고, 그 후 현상하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 그리고, 얻어진 패턴을 100℃ 이상 200℃ 이하로 경화하면 도전 패턴이 얻어진다. 경화 온도는 120℃ 이상 150℃ 이하가 보다 바람직하다. 경화 온도가 100℃ 미만이면, 수지의 체적 수축량이 커지지 않아 비저항을 낮게 할 수 없다. 한편으로, 가열 온도가 200℃를 초과하면 내열성이 낮은 기판 등의 재료 상에 도전 패턴을 형성할 수 없다. 즉, 저온 경화 조건이란 200℃ 이하이다.
기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, 「PET 필름」), 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 아라미드 필름, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리설폰계 수지 기판, 유리 기판, 규소 웨이퍼, 알루미나 기판, 질화알루미늄 기판, 탄화규소 기판, 장식층 형성 기판 또는 절연층 형성 기판을 들 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트를 기판에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄 또는 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 사용한 도포를 들 수 있다. 얻어지는 도포막의 막 두께는 도포의 방법 또는 도전 페이스트의 전고형분 농도 또는 점도 등에 따라서 적당하게 결정하면 좋지만, 건조 후의 막 두께가 0.1㎛ 이상 50㎛ 이하가 되는 것이 바람직하다. 또한, 막 두께는 예를 들면 서프컴(등록상표) 1400[(주)도쿄세이미츠 제]과 같은 촉침식 단차계를 이용하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로는, 임의적인 3개의 위치의 막 두께를 촉침식 단차계(측장: 1㎜, 주사 속도: 0.3㎜/sec)로 각각 측정하고, 그 평균값을 막 두께로 할 수 있다.
얻어진 도포막을 건조해서 용제를 휘발 제거하는 방법으로서는, 예를 들면 오븐, 핫플레이트 또는 적외선 등에 의한 가열 건조 또는 진공 건조를 들 수 있다. 가열 온도는 50℃ 이상 150℃ 이하가 바람직하고, 가열 시간은 1분∼수 시간이 바람직하다.
도포막은 건조 후, 노광을 행한다. 노광은 통상의 포토리소그래피에서 행해지는 바와 같이 포토마스크를 통해서 노광하는 방법이 일반적이다. 또한, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등으로 직접 묘화하는 방법을 이용해도 상관없다. 노광 장치로서는, 예를 들면 스텝퍼 노광기 또는 프록시미티 노광기를 들 수 있다. 이때 사용되는 활성광원으로서는, 예를 들면 근자외선, 자외선, 전자선, X선 또는 레이저광 등을 들 수 있지만, 자외선이 바람직하다. 자외선의 광원으로서는, 예를 들면 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 또는 살균등을 들 수 있지만, 초고압 수은등이 바람직하다.
노광 후의 건조막을 현상액을 이용하여 현상하고, 미노광부를 용해 제거함으로써 원하는 패턴이 얻어진다. 알칼리 현상을 행할 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 수산화 테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민 또는 헥사메틸렌디아민의 수용액을 들 수 있다. 이들 수용액에 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 또는 γ-부티로락톤 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올 등의 알콜류, 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 이소부틸케톤 또는 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 또는 계면활성제를 첨가해도 상관없다.
유기 현상을 행할 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 또는 헥사메틸포스포르트리아미드 등의 극성 용매 또는 이들 극성 용매와 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, 크실렌, 물, 메틸카르비톨 또는 에틸카르비톨의 혼합 용액을 들 수 있다.
현상의 방법으로서는, 예를 들면 기판을 정치 또는 회전시키면서 현상액을 도포막 면에 스프레이하는 방법, 기판을 현상액 중에 침지하는 방법, 또는 기판을 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법을 들 수 있다.
현상에 의해 얻어진 패턴은 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 상관없다. 여기에서 린스액으로서는, 예를 들면 물 또는 물에 에탄올 또는 이소프로필알콜 등의 알콜류 또는 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류를 첨가한 수용액을 들 수 있다.
얻어진 패턴을 경화하는 방법으로서는, 예를 들면 오븐, 이너트 오븐 또는 핫플레이트 등에 의한 가열, 적외선 또는 마이크로파 등에 의한 가열, 또는 크세논 플래시 램프 조사에 의한 가열을 들 수 있다.
본 발명의 도전 페이스트를 이용하여 제조되는 도전 패턴은 터치패널용 주위 배선으로서 바람직하게 사용된다. 터치패널의 방식으로서는, 예를 들면 저항막식, 광학식, 전자 유도형 또는 정전 용량형을 들 수 있지만, 정전 용량형 터치패널은 특히 미세 배선이 요구되기 때문에, 본 발명의 도전 페이스트를 이용하여 제조되는 도전 패턴이 보다 바람직하게 사용된다. 본 발명의 도전 페이스트를 이용하여 제조되는 도전 패턴을 그 주위 배선으로서 구비하고, 바람직하게는 상기 주위 배선이 50㎛ 피치(배선폭+배선간폭) 이하인 터치패널에 있어서는 프레임폭을 미세하게 할 수 있고, 뷰 에리어를 넓게 할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
각 실시예 및 비교예에서 사용한 평가 방법은 이하와 같다.
<패터닝성의 평가 방법>
[도포 공정]
PET 필름 기판 상에 도전 페이스트를 건조막의 막 두께가 7㎛가 되도록 도포했다.
[건조 공정]
얻어진 도포막을 100℃의 열풍 오븐 내에서 5분간 건조했다.
[패턴 형성 공정]
일정한 라인 폭/간격(이하, 「L/S」)으로 배열된 직선군, 즉 투광 패턴을 1개의 유닛으로 해서 L/S의 값이 다른 9종류의 유닛을 각각 갖는 포토마스크를 통해서 건조막을 노광 및 현상하여 L/S의 값이 다른 9종류의 패턴을 각각 얻었다.
[경화 공정]
그 후에, 얻어진 9개의 패턴을 60분간, 130℃의 열풍 오븐 내에서 모두 경화하여 L/S의 값이 다른 9종류의 도전 패턴을 각각 얻었다.
또한, 포토마스크가 갖는 각 유닛의 L/S의 값은 500/500, 250/250, 100/100, 50/50, 40/40, 30/30, 25/25, 20/20, 15/15로 했다[각각 라인폭(㎛)/간격(㎛)을 나타낸다]. 얻어진 도전 패턴을 광학 현미경으로 관찰하여 패턴간에 잔사가 없고, 또한 패턴 박리가 없는 L/S의 값이 최소인 도전 패턴을 확인하고, 그 L/S의 값을 현상 가능한 L/S의 값이라고 했다. 또한, 노광은 노광 장치(PEM-6M; 유니온코가쿠 가부시키가이샤 제)를 이용하여 노광량 150mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)로 전선 노광을 행하고, 현상은 0.2중량%의 Na2CO3 수용액에 기판을 30초 침지시킨 후, 초순수에 의한 린스 처리를 실시하여 행했다.
<비저항의 평가 방법>
PET 필름 상에 도전 페이스트를 건조막의 막 두께가 7㎛가 되도록 도포하고, 얻어진 도포막을 100℃의 열풍 오븐 내에서 5분간 건조했다. 도 1에 나타내는 패턴의 투광부(A)를 갖는 포토마스크를 통해서 건조 후의 도포막을 노광, 현상하여 패턴을 얻었다. 그 후에, 얻어진 패턴을 60분간, 130℃의 열풍 오븐 내에서 경화하여 비저항 측정용의 도전성 패턴을 얻었다. 얻어진 도전성 패턴의 라인폭은 0.400㎜이며, 라인 길이는 80㎜였다.
또한, 노광 및 현상의 조건은 상기 패터닝성의 평가 방법과 마찬가지로 했다. 얻어진 비저항 측정용의 도전 패턴의 각각의 단부에 저항계를 연결시켜서 저항값을 측정하고, 이하의 식(1)에 의거하여 비저항을 산출했다.
비저항=저항값×막 두께×선폭/라인 길이 ···(1)
또한, 선폭은 임의적인 3개의 위치의 선폭을 광학 현미경으로 관찰하고, 화상 데이터를 해석해서 얻어진 평균값이다.
<ITO와의 밀착성 평가 방법>
ITO가 부착된 PET 필름 ELECRYSTA(등록상표) V270L-TFS[니토덴코(주) 제] 상에 도전 페이스트를 건조막의 막 두께가 7㎛가 되도록 도포하고, 얻어진 도포막을 100℃의 열풍 오븐 내에서 5분간 건조하고 나서, 그 전면을 노광한 후에 현상했다. 또한, 노광 및 현상의 조건은 상기 패터닝성의 평가 방법과 마찬가지로 했다. 그 후에, 얻어진 막을 60분간, 130℃의 열풍 오븐 내에서 경화하고 나서, 1㎜폭으로 10×10의 바둑판 형상으로 커터로 절개를 넣고, 85℃, 85% RH의 항온 항습조 SH-661[에스펙(주) 제]에 240시간 투입했다. 인출한 샘플의 바둑판 형상의 절개 부위 전체에 셀로판 테이프[니치반(주) 제]를 점착하고 박리하여, 잔존 매스수를 카운트했다.
<연필 경도>
PET 필름 상에 도전 페이스트를 건조막의 막 두께가 7㎛가 되도록 도포하고, 얻어진 도포막을 100℃의 열풍 오븐 내에서 5분간 건조하고 나서, 그 전면을 노광한 후에 현상했다. 또한, 노광 및 현상의 조건은 상기 패터닝성의 평가 방법과 마찬가지로 했다. 그 후에, 얻어진 막을 60분간, 130℃의 열풍 오븐 내에서 경화하고 나서, JIS K5600-5-6의 시험 방법에 따라서 연필 경도를 측정했다. 연필 경도는 낮은 순으로 10B, 9B, 8B, 7B, 6B, 5B, 4B, 3B, 2B, B, HB, F, H, 2H, 3H, 4H, 5H, 6H, 7H, 8H, 9H, 10H의 22단계이다. 연필 경도 시험기를 이용하여 하중 1㎏을 가했을 때의 도막에 상처가 나지 않는 가장 높은 경도를 표시했다. 연필은 미쓰비시 하이유니[미쓰비시 엔피츠(주) 제]를 사용했다.
각 실시예 및 비교예에 사용한 재료는 이하와 같다.
[도전 필러(A)]
D50(메디안 지름)이 1㎛인 Ag 입자{D50은 Microtrac HRA[Model No.9320-X100; 니키소(주) 제]를 이용하여 측정}.
[쌍성 이온 화합물(B)]
L-알라닌[유효 성분 100중량%; 도쿄카세이코교(주) 제]
L-류신[유효 성분 100중량%; 도쿄카세이코교(주) 제]
L-페닐알라닌[유효 성분 100중량%; 도쿄카세이코교(주) 제]
N,N,N-트리메틸글리신[유효 성분 100중량%; 와코쥰야쿠코교(주) 제]
L-카르니틴[유효 성분 100중량%; 와코쥰야쿠코교(주) 제]
유카포머(등록상표) AMPHOSET[유효 성분 50중량%; 미츠비시 카가쿠(주) 제]
유카포머(등록상표) SM[유효 성분 30중량%; 미츠비시 카가쿠(주) 제]
암피톨 24B[유효 성분 26중량%; 카오(주) 제]
암피톨 20YB[유효 성분 40중량%; 카오(주) 제].
[열경화성 화합물(C)]
화합물(C-1): jER(등록상표) 828[에폭시기 함유, 에폭시 당량 188; 미츠비시카가쿠(주) 제]
화합물(C-2): 아데카레진 EPR-21[에폭시기 함유, 에폭시 당량 210; (주)ADEKA 제]
화합물(C-3): 아데카레진 EPR-4030[에폭시기 함유, 에폭시 당량 380; (주)ADEKA 제]
화합물(C-4): jER(등록상표) 1001[에폭시기 함유, 에폭시 당량 475, 미츠비시카가쿠(주) 제]
화합물(C-5): jER(등록상표) 1002[에폭시기 함유, 에폭시 당량 650; 미츠비시카가쿠(주) 제]
화합물(C-6): jER(등록상표) 1256[에폭시기 함유, 에폭시 당량 8000; 미츠비시카가쿠(주) 제]
화합물(C-7): 얼론 옥세탄(등록상표) OXT-101[옥세탄기 함유, 도아고세이(주) 제].
[광중합 개시제(D)]
IRGACURE(등록상표) 369[BASF(주) 제].
[카르복실기를 갖는 화합물(E)]
(합성예 1)
반응 용기 중에 200g의 에폭시에스테르 3000A[교에이샤카가쿠(주) 제; 비스페놀A 골격을 갖는 에폭시아크릴레이트 화합물], 260g의 CA, 0.5g의 2-메틸하이드로퀴논(열중합 금지제) 및 125g의 2,2-비스(히드록시메틸)프로피온산을 투입하고, 오일 배스를 이용하여 45℃까지 승온시켰다. 이것에 150g의 헥사메틸렌디이소시아네이트를 반응 온도가 50℃를 초과하지 않도록 서서히 적하했다. 적하 종료 후, 반응 온도를 80℃로 승온시켜, 6시간 후에 반응액을 적외 흡수 스펙트럼 측정법에 의해 분석하고, 2250㎝-1 부근의 흡수가 없는 것을 확인했다. 이 반응액에 22g의 글리시딜메타크릴레이트, 10g의 CA, 0.4g의 2-메틸하이드로퀴논, 1.5g의 트리페닐포스핀(반응 촉매)을 첨가 후, 또한 95℃로 승온시켜, 6시간 반응을 행해서 고형분율이 64.9중량%인 화합물(E-1)을 얻었다. 얻어진 화합물(E-1)의 산가(고형분)는 87㎎KOH/g, 중량 평균 분자량은 12000이었다.
(합성예 2)
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 CA를 투입하고, 오일 배스를 이용하여 80℃까지 승온했다. 이것에 20g의 에틸아크릴레이트, 40g의 2-에틸헥실메타크릴레이트, 20g의 스티렌, 15g의 아크릴산, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴 및 10g의 CA로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 또한 6시간 중합 반응을 행했다. 그 후에, 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하고, 중합 반응을 정지했다. 계속해서, 5g의 글리시딜메타크릴레이트, 1g의 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및 10g의 CA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 또한 2시간 부가 반응을 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 또한 24시간 진공 건조함으로써 카르복실기를 갖는 화합물(E-2)을 얻었다. 얻어진 화합물(E-2)의 산가는 97㎎KOH/g, 중량 평균 분자량은 16000이었다.
[탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(F)]
라이트아크릴레이트 BP-4EA[교에이샤카가쿠(주) 제].
[용제]
디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트[CA: 도쿄카세이코교(주) 제].
(실시예 1)
100mL 클린보틀에 쌍성 이온 화합물(B)로서 0.186g의 L-류신, 열경화성 화합물(C)로서 1.5g의 에폭시 화합물(C-3), 카르복실기를 갖는 화합물(E)로서 7.7g의 화합물(E-1)(고형분: 5.0g, CA: 2.7g), 광중합 개시제(D)로서 0.5g의 IRGACURE(등록상표) 369, 용제로서 2.3g의 CA, 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(F)로서 1.0g의 BP-4EA를 넣고, 자전 공전 믹서 "아와토리 렌타로"(THINKY MIXER)(등록상표)[ARE-310; (주)신키 제]로 혼합하여 13.186g의 수지 용액(고형분 62.1중량%)을 얻었다.
얻어진 13.186g의 수지 용액과, 도전 필러(A)로서 46.385g의 Ag 입자를 혼합하고, 3단 롤러(EXAKT M-50; EXAKT사 제)를 이용해서 혼련하여 59.571g의 도전 페이스트를 얻었다.
얻어진 도전 페이스트를 이용하여, 도전 패턴의 패터닝성, 비저항 및 ITO와의 밀착성, 연필 경도를 각각 평가했다. 패터닝성의 평가 지표가 되는 현상 가능한 L/S의 값은 15/15이며, 양호한 패턴 가공이 되어 있는 것이 확인되었다. 도전 패턴의 비저항은 58μΩ㎝였다. 잔존 매스수는 100이었다. 연필 경도는 2H였다.
(실시예 2∼14 및 실시예 17∼23)
표 1 및 표 2에 나타내는 조성의 도전 페이스트를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제조하고, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행한 결과를 표 3에 나타낸다.
(실시예 15)
100mL 클린보틀에 열경화성 화합물(C)로서 1.5g의 에폭시 화합물(C-2), 카르복실기를 갖는 화합물(E)로서 7.7g의 화합물(E-1)(고형분: 5.0g, CA: 2.7g), 광중합 개시제(D)로서 0.5g의 IRGACURE(등록상표) 369, 용제로서 2.3g의 CA, 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(F)로서 1.0g의 BP-4EA를 넣고, 자전 공전 믹서 "아와토리 렌타로"(등록상표)[ARE-310; (주)신키 제]로 혼합하여 13.0g의 수지 용액(고형분 61.5중량%)을 얻었다.
한편, 도전 필러(A)로서 93.86g의 Ag 입자와 쌍성 이온 화합물(B)로서, 우선 2.8g의 10중량% L-알라닌 수용액(L-알라닌: 0.28g)을 전동 커피 밀[MJ-518; 메리타 재팬(주)]에 넣고, 10초간 혼합 해쇄했다. 또한, 2.8g의 10중량% L-알라닌 수용액(L-알라닌: 0.28g)을 첨가하고, 20초간 혼합 해쇄했다. 해쇄 처리한 Ag 입자를 인출하고, 실온에서 1시간 진공 건조하여 용매를 제거함으로써 L-알라닌으로 표면 처리한 Ag 입자를 얻었다.
얻어진 13.0g의 수지 용액과, 47.21g의 L-알라닌으로 표면 처리한 Ag 입자를 혼합하고, 3단 롤러(EXAKT M-50; EXAKT사 제)를 이용해서 혼련하여 60.21g의 도전 페이스트를 얻었다.
얻어진 도전 페이스트를 이용하여, 도전 패턴의 패터닝성, 비저항 및 ITO와의 밀착성, 연필 경도를 각각 평가했다. 패터닝성의 평가 지표가 되는 현상 가능한 L/S의 값은 15/15이며, 양호한 패턴 가공이 되어 있는 것이 확인되었다. 도전 패턴의 비저항은 55μΩ㎝였다. 잔존 매스수는 100이었다. 연필 경도는 2H였다.
(실시예 16)
100mL 클린보틀에 쌍성 이온 화합물(B)로서 0.33g의 N,N,N-트리메틸글리신, 도전 필러(A)로서 47.21g의 Ag 입자, 용제로서 2.3g의 CA를 넣고, 자전 공전 믹서 "아와토리 렌타로"(등록상표)[ARE-310; (주)신키 제]로 혼합했다. 그 후에, 열경화성 화합물(C)로서 1.5g의 에폭시 화합물(C-2), 카르복실기를 갖는 화합물(E)로서 7.7g의 화합물(E-1)(고형분: 5.0g, CA: 2.7g), 광중합 개시제(D)로서 0.5g의 IRGACURE(등록상표) 369, 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(F)로서 1.0g의 BP-4EA를 넣고, 자전 공전 믹서 "아와토리 렌타로"(등록상표)[ARE-310; (주)신키 제]로 혼합했다. 그 후에 3단 롤러(EXAKT M-50; EXAKT사 제)를 이용해서 혼련하여 60.54g의 도전 페이스트를 얻었다.
얻어진 도전 페이스트를 이용하여, 도전 패턴의 패터닝성, 비저항 및 ITO와의 밀착성, 연필 경도를 각각 평가했다. 패터닝성의 평가 지표가 되는 현상 가능한 L/S의 값은 15/15이며, 양호한 패턴 가공이 되어 있는 것이 확인되었다. 도전 패턴의 비저항은 49μΩ㎝였다. 잔존 매스수는 100이었다. 연필 경도는 2H였다.
(비교예 1∼4)
표 2에 나타내는 조성의 도전 페이스트를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제조하고, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행한 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예 1∼23의 도전 페이스트에서는 모두 패터닝성, 비저항, ITO와의 밀착성 및 경도가 뛰어난 도전 패턴을 형성할 수 있었다. 비교예 1의 도전 페이스트에서 형성한 도전 패턴은 비저항이 높았다. 비교예 2∼4의 도전 페이스트에서 형성한 도전 패턴은 고온 고습도 하에 있어서 ITO와의 밀착성이 저하되었다. 또한, 경도도 불충분했다.
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
(산업상의 이용 가능성)
본 발명의 도전 페이스트는 터치패널용 주위 배선 등의 도전 패턴의 제조를 위해서 바람직하게 이용할 수 있다.
A : 투광부

Claims (8)

  1. 도전 필러(A), 쌍성 이온 화합물(B) 및 열경화성 화합물(C)을 함유하는 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전 필러(A)에 대한 상기 쌍성 이온 화합물(B)의 비율은 0.05∼5중량%인 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    광중합 개시제(D)를 더 함유하고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물(E) 및/또는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(F)을 함유하는 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 카르복실기를 갖는 화합물(E)은 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머로서 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트를 포함하는 아크릴계 공중합체인 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 쌍성 이온 화합물(B)은 아미노산, 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물 및 하기 일반식(2)으로 나타내어지는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물인 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
    Figure pct00008

    (식 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립하여 유기기를 나타내고, L1은 2가의 연결기를 나타낸다. R3 및 R2 또는 L1은 서로 연결되어서 환을 형성하고 있어도 좋고, 그 환은 치환기를 갖고 있어도 좋다.)
    Figure pct00009

    (식 중, R4는 피리디늄환의 1∼6위치 중 어느 1개소에 결합되는 탄소수 1∼6의 알킬기는 수소를 나타내고, L2는 피리디늄환의 1∼6위치 중 어느 1개소에 결합되는 2가의 연결기를 나타낸다. R4 또는 L2 중 어느 하나는 피리디늄환의 1위치에 결합된다.)
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립하여 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타내는 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 페이스트를 기판 상에 도포해서 도포막을 얻는 도포 공정과,
    상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 건조 공정과,
    상기 건조막을 노광 및 현상해서 패턴을 얻는 패턴 형성 공정과,
    상기 패턴을 100∼200℃로 경화해서 도전 패턴을 얻는 경화 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 기재된 도전 패턴의 제조 방법에 의해 제조된 도전 패턴을 주위 배선으로서 구비하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 터치패널.
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