KR20150063987A - 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 - Google Patents

마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

전자선 묘화에 의해 전자선 레지스트(4)의 레지스트 패턴을 형성하는 전자선 묘화용의 마스크 블랭크로서, 투명 기판(1) 상에, 차광막(2)과, 상기 차광막의 에칭에 대하여 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어지는 에칭 마스크막(3)이 이 순서로 형성된 마스크 블랭크의 제조 방법에서, 상기 에칭 마스크막(3)을 성막할 때에, 상기 기판의 적어도 측면에는 성막되지 않도록 차폐판에 의해 차폐한다.

Description

마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법{MASK BLANK AND TRANSFER MASK MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 반도체 디바이스나 표시 디바이스(표시 패널) 등의 제조에서 사용되는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 미세화는, 성능, 기능의 향상(고속 동작이나 저소비 전력화 등)이나 저코스트화를 가져오는 이점이 있어, 미세화는 점점 가속되고 있다. 이 미세화를 지지하고 있는 것이 리소그래피 기술이며, 전사용 마스크는, 노광 장치, 레지스트 재료와 함께 키 기술로 되어 있다.
최근, 위상 시프트 기술 등의 초해상 기술(Resolution Enhancement Techno1ogy: RET)을 적용한 포토마스크가 사용되고 있다. 위상 시프트 마스크는, 위상 시프터에 의한 광의 간섭 작용을 이용하여 전사 패턴의 해상도를 향상할 수 있게 한 포토마스크이다.
또한，통상적으로，반도체 기판을 미세 가공할 때의 포토리소그래피는 축소 투영 노광에 의해 행해지기 때문에, 전사용 마스크에 형성되는 패턴 사이즈는, 반도체 기판 상에 형성되는 패턴 사이즈의 4배 정도의 크기로 되어 있다. 그러나，반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치(hp) 45㎚ 이후에서의 포토리소그래피에서는，마스크 상의 회로 패턴의 사이즈는 노광 광의 파장보다도 작아져 있다. 그 때문에，회로 패턴의 디자인대로 전사 패턴이 형성된 전사용 마스크를 사용하여 축소 투영 노광하면，노광 광의 간섭 등의 영향으로, 전사 패턴대로의 형상을 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사할 수 없게 된다.
따라서, 초해상 기술을 사용한 마스크로 하여, 광 근접 효과 보정(Optical Proximity Effect Correction: OPC)을 행함으로써, 전사 특성을 열화시키는 광 근접 효과의 보정 기술을 적용한 OPC 마스크 등이 이용되고 있다(특허 문헌 1). 예를 들면 OPC 마스크에는, 회로 패턴의 1/2 이하 사이즈의 OPC 패턴(예를 들면, 100㎚ 미만의 선폭의 어시스트 바(assist bar)나 햄머 헤드(hammer head)등)을 형성할 필요가 있다.
반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치(hp) 45㎚ 이후의 미세 패턴의 형성에는, 개구수가 NA>1인 고 NA(Hyper-NA) 노광 방법, 예를 들면 액침 노광을 이용할 필요가 있다.
액침 노광은, 웨이퍼와 노광 장치의 최하 렌즈의 사이를 액체로 채움으로써, 굴절률이 1인 공기의 경우에 비하여, 액체의 굴절률배로 NA를 높일 수 있기 때문에, 해상도를 향상할 수 있는 노광 방법이다. 개구수(NA: Numerical Aperture)는, NA=n×sinθ로 표현된다. θ는 노광 장치의 최하 렌즈의 가장 외측에 들어가는 광선과 광축이 이루는 각도, n은 웨이퍼와 노광 장치의 최하 렌즈의 사이의 매질의 굴절률이다.
그러나，개구수가 NA>1인 액침 노광 방법을 적용하고, 반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치(hp) 45㎚(이하 'hp45㎚'라 함) 이후의 미세한 패턴의 형성을 행하고자 한 경우, 기대한 CD 정밀도가 얻어지지 않는다고 하는 과제가 있는 것이 판명되었다.
그 원인으로서는, 이하에서 설명하는 마스크 블랭크의 차지업(charge up)의 영향이 있다.
마스크 패턴의 미세화에 수반하여，마스크의 가공 정밀도의 요구도 엄격해져 있다. 특히 hp45㎚ 이후의 경우에서는，한층 더한 마스크 패턴의 미세화에 수반하여，마스크의 가공 정밀도의 요구도 엄격해져서, 마스크 가공은 곤란한 것으로 될 수 있다. 마스크의 가공 정밀도를 담당하는 요인의 하나로서, 레지스트의 해상성을 들 수 있다. hp45㎚ 이후의 마스크 가공에서의 레지스트 패턴의 형성에서는，패턴이 미세화하고, 복잡화하기 때문에, 고정밀도의 묘화가 가능한 EB로 행해진다. EB 묘화를 이용한 레지스트 패턴의 형성에서, 차지업의 문제를 예로 들 수 있다(일본 특허 공개 평8-137089호 공보(특허 문헌 1) 참조). 이것은, 레지스트의 EB 묘화 시，레지스트의 기초막이 차지업하여, 레지스트의 해상성에 영향을 미친다고 하는 문제이다. EB 묘화에서는，차지업의 방지로서, 마스크 블랭크의 표면 저항을 낮게 하는 것 등의 연구가 필요하다.
일반적인 마스크 블랭크의 층 구조는 기판/차광막/레지스트로 되어 있으며, EB 묘화기 스테이지에 세트된 마스크 블랭크로부터의 접지는, 통상적으로，기판의 측면 또는 면취면으로 이루어진다(어느 면에서 접지할지는 묘화 장치의 타입에 의함). 기판 단면(기판의 측면 및 면취면을 말함, 이하 마찬가지)의 구조는, 효율적으로 접지하기 위해서, 기판 측면까지 Cr막을 성막시키고(도 1 참조), 또한, 기판의 측면 및 면취면의 근방의 레지스트를 제거한 구조로 되어 있다(일본 특허 공개 제2006-184353호 공보(특허 문헌 2)).
한편，에칭 마스크(하드 마스크라고도 함)막을 갖는 마스크 블랭크의 층 구조는, 예를 들면, 기판/하프톤막/Cr막/에칭 마스크막/레지스트의 구조로 되어 있다. 기판의 측면 또는 면취면의 근방에서, 에칭 마스크막이 Cr막을 피복하면，에칭 마스크막의 표면 저항(시트 저항)은 Cr막의 표면 저항율보다도 높다. 그 때문에，EB 묘화 시，에칭 마스크막 표면이 차지업하고, 레지스트의 해상성에의 영향이 커져서, 미세한 패터닝의 방해로 된다. 이 때문에, 패턴의 가공 제어성이 저하한다. 따라서，hp45㎚ 이후의 미세한 패턴을 갖는 마스크에 사용하는 에칭 마스크막에서, EB 묘화에 의한 차지업을 억제하기 위해서는, EB 묘화기 스테이지에서, 마스크 블랭크로부터 효율 좋게 접지하는 대책이 요구된다.
EB 묘화기 스테이지에서, 마스크 블랭크로부터 효율적으로 접지하기 위해서는, 접지하는 에리어(기판의 측면 또는 면취면)에 에칭 마스크막의 성막을 행하지 않고，즉, 기판의 단면부(측면 또는 면취면)에 성막시키지 않고, Cr막의 노출 면적을 늘리는 것이 고려된다.
그러나, 예를 들면, 특허 문헌 3의 도 2에 기재된 차폐판을 이용한 경우, 기판 단면(측면 또는 면취면)에 성막시키지 않도록 하기 위해서는, 피성막 물질의 돌아 들어감을 피하기 위해, 차폐판으로 주 표면을 어느 정도 덮을 필요가 있다. 이 때문에 에칭 마스크막의 성막 범위가 좁아진다. 그리고，주 표면의 주연부에 에칭 마스크막이 성막되지 않는 범위가 있기 때문에, 에칭 마스크막이 없는 부분에서는, 패턴을 형성할 수 없다고 하는 다른 문제가 생긴다. 상세하게는, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 주 표면의 주연부 부근에는, 마스크를 웨이퍼 노광기(스테퍼)에 탑재할 때에 사용하는 얼라인먼트 마크(5)가 있다. 기판의 주 표면의 주연부 부근에 에칭 마스크막(3)이 성막되어 있지 않으면, 차광막(2)에 의해 형성되는 얼라인먼트 마크에 이지러짐이 생기고, 이 얼라이먼트 패턴의 이지러짐이 현저한 경우에는 노광기에 마스크를 탑재할 수 없게 되는 문제가 있다. 이 얼라인먼트 마크에 이지러짐을 발생시키지 않기 위해서는, 에칭 마스크막의 성막 범위를 더욱 넓힐 필요가 있지만, 일본 특허 공개 제2002-90977호 공보(특허 문헌 3)의 도 2에 기재된 차폐판을 이용하는 경우로서, 마스크 상의 얼라인먼트 마크의 위치를 고려하여 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓히고자 한 경우에는, 에칭 마스크막이 기판 단면 부근 등에 성막된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 차지업을 발생시키지 않도록 에칭 마스크막을 기판 단면에 성막시키지 않고, 또한, 얼라인먼트 마크의 이지러짐을 발생시키지 않도록 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓힐 수 있는 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 이하의 구성을 갖는다.
<구성 1>
전자선 묘화에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 전자선 묘화용의 마스크 블랭크이며, 투명 기판 상에, 차광막과, 상기 차광막의 에칭에 대하여 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어지는 에칭 마스크막이 이 순서로 형성된 마스크 블랭크의 제조 방법으로서，상기 에칭 마스크막을 성막할 때에, 상기 기판의 적어도 측면에는 성막되지 않도록 차폐판에 의해 차폐하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
상기 구성 1에 따른 발명에 의하면, 에칭 마스크막을 성막할 때에, 기판의 적어도 측면에는 성막되지 않도록 차폐판에 의해 차폐함으로써, 기판의 적어도 측면에 에칭 마스크막이 존재하지 않는 마스크 블랭크가 얻어진다. 이 마스크 블랭크에서는, 기판의 측면에서 차광막을 노출함으로써, EB 묘화 시에, 기판의 측면에서 접지를 효율 좋게 행할 수 있어，마스크 블랭크의 차지업을 방지하는 것이 가능하게 되어 레지스트의 해상성에의 영향을 작게 하는 것이 가능하게 된다.
<구성 4>
전자선 묘화에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 전자선 묘화용의 마스크 블랭크이며, 그 마스크 블랭크는, 투명 기판 상에, 차광막과, 상기 차광막의 에칭에 대하여 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어지는 에칭 마스크막이 이 순서로 형성된 마스크 블랭크로서, 상기 차광막은, 전자선 묘화하여 패터닝할 때에 차지업하지 않는 정도로 도전성을 갖는 재료로 하고, 또한 상기 기판의 적어도 측면에 상기 에칭 마스크막이 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
상기 구성 4에 따른 마스크 블랭크에 의하면, 기판의 적어도 측면에 에칭 마스크막이 존재하지 않는 마스크 블랭크가 얻어진다. 이 마스크 블랭크에서는, 기판의 측면에서 차광막을 노출함으로써, EB 묘화 시에, 기판의 측면에서 접지를 효율 좋게 행할 수 있어，마스크 블랭크의 차지업을 방지하는 것이 가능하게 되어 레지스트의 해상성에의 영향을 작게 하는 것이 가능하게 된다.
<구성 2>
상기한 각 구성에서, 상기 에칭 마스크막의 성막 범위는, 상기 기판의 적어도 측면보다도 내측이며, 얼라인먼트 마크의 이지러짐을 발생시키지 않도록 얼라인먼트 마크의 외측까지 성막된다.
이와 같이 구성하면, 상기 구성 1 또는 4에 기재된 작용 효과 외에, 에칭 마스크막을 기판 단면(기판의 측면 또는 면취면)에 성막시키지 않고, 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓힐 수 있다. 이 때문에, 에칭 마스크막의 차지업을 방지하는 것이 가능하게 되는 것 외에, 성막 범위를 넓힐 수 있기 때문에 얼라인먼트 마크를 확실하게 형성할 수 있다.
본 발명에서, EB 묘화기의 스테이지에서 마스크 블랭크의 접지를 행하는 개소가 기판의 면취면인 경우에 있어서는, 기판(1)의 주 표면의 가장 외측의 변 B와 평행하게 일정 거리 내측의 선 B'의 위치까지 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓히는 것이 바람직하다(도 1 참조). 상기 B-B'사이의 일정 거리는 2㎜ 이내인 것이, 얼라인먼트 마크를 확실하게 형성하기 때문에 바람직하다.
본 발명에서, EB 묘화기 스테이지에서 마스크 블랭크의 접지를 행하는 개소가 기판의 측면인 경우에 있어서는, 기판(1)의 측면 A와 평행하게 일정 거리 내측의 선 A'의 위치까지 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓힐 수 있다(도 1 참조). 상기 A-A' 사이의 일정 거리는 1㎜ 이내인 것이, 얼라인먼트 마크를 확실하게 형성하기 때문에 바람직하다.
본 발명에서는，에칭 마스크막의 성막 범위는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 주 표면의 가장 외측의 변 B(주 표면의 끝 B, 주 표면과 면취면의 교선 B)까지 넓히는 것이 가장 바람직하다. 이 양태에 의하면, 이 양태보다 성막 범위가 좁은 경우에 비하여, 얼라인먼트 마크를 더욱 확실하게 형성할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한，이 양태에 의하면, 기판의 측면 및 면취면에 에칭 마스크막이 성막되어 있지 않으므로, 기판의 측면 또는 면취면 중 어느 하나로 접지를 행할 수 있어，묘화기의 접지 타입에 상관없이 어느 묘화기에 대해서도 적용할 수 있는 마스크를 제공할 수 있다.
<구성 3>
상기한 각 구성에서, 상기 차폐판은, 탄력성이 있는 재료로 형성되고, 상기 기판에 접촉 또는 근접시켜서 차폐한다.
이와 같이 구성하면, 에칭 마스크막을 기판 단면(기판의 측면 또는 면취면)에 성막시키지 않고, 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓힐 수 있다.
본 발명에서, 탄력성이 있는 재료로서는, 고무 재료 외，불소계 수지(예를 들면 테플론(등록 상표)) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에서, 차폐판의 형태로서는, 예를 들면, 주 표면의 면적과 동일한 개구를 갖는 고무 재료로 이루어지는 시트(판 형상체)를, 기판에 꽉 눌러서 접촉 또는 밀착시켜 차폐한다. 차폐판의 개구는 확대·축소나 변형이 가능하다. 또한，기판에 차폐판을 근소한 간극으로 근접시켜 차폐하는 것이 가능하다.
본 발명에서, 차폐판은, 예를 들면, 기판의 외주에 걸쳐서, 기판의 측면 및 면취면과 접촉 또는 근소한 간극으로 근접하고, 이들 부분을 차폐함과 함께, 주 표면은 그 끝 B까지 차폐하지 않는 구조로 할 수 있다(도 3 참조).
<구성 5>
전술한 본 발명에 따른 마스크 블랭크에서의 에칭 마스크막 상에, 전자선 묘화용의 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 전자선 묘화용의 레지스트층에, 전자선 묘화를 실시하고, 현상하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 에칭하고, 레지스트 패턴을 상기 에칭 마스크막에 전사하여, 에칭 마스크막의 패턴을 형성하는 공정과, 상기 레지스트 패턴 및 상기 에칭 마스크막의 패턴을 마스크로 하거나, 또는, 상기 에칭 마스크막의 패턴을 마스크로 하여, 상기 차광막을 에칭하고, 상기 패턴을 상기 차광막에 전사하여, 차광막의 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
상기 구성 5에 따른 발명에 의하면, 기판의 측면이나 면취면에 에칭 마스크막이 존재하지 않는 마스크 블랭크, 즉, 기판의 측면이나 면취면에서 차광막이 노출된 마스크 블랭크를 이용하고 있으므로, EB 묘화 시에, 기판의 측면이나 면취면에서 접지를 효율 좋게 행할 수 있어，마스크 블랭크의 차지업을 방지하는 것이 가능하게 되어 레지스트의 해상성에의 영향을 작게 하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 의하면, 에칭 마스크막이 상기 기판의 측면 또는 면취면에 성막되지 않도록 차폐함으로써, 차광막을 노출한다. 이것에 의해，EB 묘화 시에, 접지를 효율 좋게 행할 수 있어，마스크 블랭크의 차지업을 방지하는 것이 가능하게 되어 레지스트의 해상성에의 영향을 작게 하는 것이 가능하게 된다. 이 외에도 에칭 마스크막을 기판 단면에 성막시키지 않고, 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓힐 수 있다. 이 때문에, 에칭 마스크막의 차지업을 방지하는 것이 가능하게 되는 것 외에, 성막 범위를 넓힐 수 있기 때문에 얼라인먼트 마크를 확실하게 형성할 수 있다.
도 1은, 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 일례를 나타내는 부분 단면도.
도 2는, 얼라인먼트 마크의 이지러짐의 문제를 설명하기 위한 부분 평면도.
도 3은, 본 발명에 따른 차폐판의 일 양태를 설명하기 위한 부분 단면도.
<도면의 주요 부분에 한 부호의 설명>
1: 기판
2: 차광성막
3: 에칭 마스크막
4: 레지스트막
이하, 본 발명에 따른 실시 형태를, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크의 일례를 나타낸다. 본 예에서，마스크 블랭크는, 바이너리용의 마스크 블랭크이며, 투명 기판(1), 차광성막(2), 에칭 마스크막(3), 레지스트막(4)을 이 순서로 구비한다.
차광성막(2)으로서는, 금속을 함유하는 금속막을 이용할 수 있다. 금속을 함유하는 금속막으로서는, 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐이나, 이들 원소를 함유하는 합금, 또는 상기 원소나 상기 합금을 함유하는 재료(예를 들면, 상기 원소나 상기 합금을 함유하는 재료 외에, 산소, 질소, 규소, 탄소 중 적어도 하나를 함유하는 막)로 이루어지는 막을 예로 들 수 있다.
차광성막(2)으로서는, 예를 들면, 크롬 단체나, 크롬에 산소, 질소, 탄소, 수소로 이루어지는 원소를 적어도 1종을 함유하는 재료(Cr을 함유하는 재료) 등의 재료를 이용할 수 있다. 차광성막의 막 구조로서는, 상기 막 재료로 이루어지는 단층, 복수층 구조로 할 수 있다. 또한，서로 다른 조성에서는，단계적으로 형성한 복수층 구조나, 연속적으로 조성이 변화된 막 구조로 할 수 있다.
구체적인 차광성막(2)은, 질화크롬막(CrN막) 및 탄화질화크롬막(CrCN막)으로 이루어지는 차광층과, 크롬에 산소 및 질소가 함유되어 있는 막(CrON막)으로 이루어지는 반사 방지층과의 적층막이다. 질화크롬막은, 질화크롬(CrN)을 주성분으로 하는 층이며, 예를 들면 10∼20㎚의 막 두께를 갖는다. 탄화질화크롬막은, 탄화질화크롬(CrCN)을 주성분으로 하는 층이며, 예를 들면 25∼60㎚의 막 두께를 갖는다. 크롬에 산소 및 질소가 함유되어 있는 막(CrON막)은, 예를 들면 15∼30㎚의 막 두께를 갖는다.
본 발명에서, 차광성막(2)으로서는, 전자선 묘화하여 패터닝할 때에 차지업하지 않는 정도로 도전성을 갖는 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 차광성막(2)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판의 주 표면으로부터, 기판의 측면, 또는, 기판의 면취면에까지 걸쳐, 형성한다.
에칭 마스크막(3)으로서는, 예를 들면, 규소를 함유하는 규소 함유막을 이용할 수 있다. 규소 함유막으로서는, 규소막이나, 규소와 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐의 금속을 함유하는 금속 실리사이드막, 또한，규소막이나 금속 실리사이드막에, 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나를 함유하는 막을 들 수 있다. 에칭 마스크막(3)으로서는, 예를 들면, 천이 금속 실리사이드 산화물, 천이 금속 실리사이드 질화물, 천이 금속 실리사이드 산질화물, 천이 금속 실리사이드 산화 탄화물, 천이 금속 실리사이드 질화탄화물 또는 천이 금속 실리사이드 산질화탄화물을 주성분으로 하는 막을 이용할 수 있다. 에칭 마스크막(3)으로서는, 예를 들면, 몰리브덴계(MoSiON, MoSiN, MoSiO 등), 텅스텐계(WSiON, WSiN, WSiO 등), 실리콘계(SiN, SiON 등), 크롬계(CrO, CrF 등) 등의 막을 이용할 수 있다. 예를 들면, 에칭 마스크막(3)은, MoSiN, SiON인 것이 바람직하다.
본 발명에서는，에칭 마스크막(3)의 성막 범위는, 가장 바람직하게는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 주 표면의 가장 외측의 변 B(주 표면의 끝 B, 주 표면과 면취면과의 교선 B)까지 넓히는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 마스크 블랭크에는, 포토마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 임프린트용 전사 플레이트 기판도 포함된다. 또한，마스크 블랭크에는, 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크, 레지스트막 형성 전의 마스크 블랭크가 포함된다. 위상 시프트 마스크 블랭크에는, 하프톤막 상에 크롬계 재료 등의 차광성막이 형성되는 경우를 포함한다. 또한，반사형 마스크 블랭크의 경우에는, 다층 반사막 상, 또는 다층 반사막 상에 형성된 버퍼층 상에, 전사 패턴으로 되는 탄탈계 재료나 크롬계 재료의 흡수체막이 형성되는 구성, 임프린트용 전사 플레이트의 경우에는, 전사 플레이트로 되는 기재 상에 크롬계 재료 등의 전사 패턴 형성용 박막이 형성되는 구성을 포함한다.
본 발명에서, 마스크 블랭크에는, 투명 기판 상에, 전사 패턴 형성용 박막과, 상기 전사 패턴 형성용 박막의 에칭에 대하여 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어지는 에칭 마스크막이 이 순서로 형성된 마스크 블랭크가 포함된다. 이 경우, 상기 전사 패턴 형성용 박막은, 전자선 묘화하여 패터닝할 때에 차지업하지 않는 정도로 도전성을 갖는 재료로 한다. 또한，상기에서 설명한 내용은, '차광막'을 '전사 패턴 형성용 박막'으로 대체하여 적용 가능하다.
본 발명에서, 마스크에는, 포토마스크, 위상 시프트 마스크, 반사형 마스크, 임프린트용 전사 플레이트가 포함된다. 마스크에는 레티클이 포함된다. 위상 시프트 마스크에는, 위상 시프터가 기판의 새겨넣기에 의해 형성되는 경우를 포함한다.
본 발명에서, 기판으로서는, 합성 석영 기판, 소다 라임 글래스 기판, 무알카리 글래스 기판, 저열 팽창 글래스 기판 등을 들 수 있다.
본 발명에서, 크롬계 박막의 드라이 에칭에는, 염소계 가스, 또는, 염소계 가스와 산소 가스를 함유하는 혼합 가스로 이루어지는 드라이 에칭 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 이 이유는, 크롬과 산소, 질소 등의 원소를 함유하는 재료로 이루어지는 크롬계 박막에 대해서는, 상기의 드라이 에칭 가스를 이용하여 드라이 에칭을 행함으로써, 드라이 에칭 속도를 높일 수 있어, 드라이 에칭 시간의 단축화를 도모할 수 있어, 단면 형상이 양호한 차광성 막 패턴을 형성할 수 있기 때문이다. 드라이 에칭 가스에 이용하는 염소계 가스로서는, 예를 들면, Cl2, SiCl4, HCl, CCl4, CHCl3 등을 들 수 있다.
본 발명에서, 규소를 함유하는 규소 함유막이나, 금속 실리사이드계 박막의 드라이 에칭에는, 예를 들면, SF6, CF4, C2F6, CHF3 등의 불소계 가스, 이들과 He, H2, N2, Ar, C2H4, O2 등의 혼합 가스, 또는 Cl2, CH2Cl2 등의 염소계의 가스 또는, 이들과 He, H2, N2, Ar, C2H4 등의 혼합 가스를 이용할 수 있다.
본 발명에서, 위상 시프트막으로서는, 예를 들면, 규소를 함유하는 규소 함유막을 이용할 수 있다. 규소 함유막으로서는, 규소막이나, 규소와 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐의 금속을 함유하는 금속 실리사이드막, 또한，규소막이나 금속 실리사이드막에, 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나를 함유하는 막을 들 수 있다. 위상 시프트막으로서는, 예를 들면, 천이 금속 실리사이드 산화물, 천이 금속 실리사이드 질화물, 천이 금속 실리사이드 산질화물, 천이 금속 실리사이드 산화탄화물, 천이 금속 실리사이드 질화탄화물 또는 천이 금속 실리사이드 산질화탄화물을 주성분으로 하는 막을 이용할 수 있다. 위상 시프트막(5)으로서는, 예를 들면, 몰리브덴계(MoSiON, MoSiN, MoSiO 등), 텅스텐계(WSiON, WSiN, WSiO 등), 실리콘계(SiN, SiON 등), 크롬계(CrO, CrF 등) 등의 하프톤막을 이용할 수 있다.
위상 시프트막으로서는, 예를 들면, 주로 노광 광의 위상을 제어하는 위상 조정층과, 주로 노광 광의 투과율을 제어하는 기능을 갖는 투과율 조정층의 2층으로 이루어지는 하프톤막을 이용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 나타낸다.
<실시예 1 및 비교예 1, 2>
<마스크 블랭크의 제작>
도 2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 의한 포토마스크의 제조 방법에 대하여 설명한다.
우선，석영으로 이루어지는 기판을 경면 연마하여 소정의 세정을 실시함으로써, 6인치×6인치×0.25인치의 투광성 기판(1)을 얻었다.
다음으로, 투광성 기판(1) 상에, 동일한 챔버 내에 복수의 크롬(Cr) 타겟이 배치된 인라인 스퍼터 장치를 이용하여, CrN막, CrC막 및 CrON막으로 이루어지는 차광성 크롬막(2)을 성막하였다. 구체적으로는，우선，아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합 가스 분위기(Ar:N2=72:28[체적％], 압력 0.3[Pa]) 중에서, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께 15[㎚]의 CrN막을 성막하였다. 계속해서, 아르곤(Ar)과 메탄(CH4)의 혼합 가스 분위기(Ar:CH4=96.5:3.5[체적％], 압력 0.3[pa]) 중에서, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, CrN막 상에, 막 두께 20[㎚]의 CrC막을 성막하였다. 계속해서, 아르곤(Ar)과 일산화질소(NO)의 혼합 가스 분위기(Ar:NO=87.5:12.5[체적％], 압력 0.3[Pa]) 중에서, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, CrC막 상에, 막 두께가 20[㎚]인 CrON막을 성막하였다. 이상의 CrN막, CrC막 및 CrON막은, 인라인 스퍼터 장치를 이용하여 연속적으로 성막된 것이며, 이들 CrN, CrC 및 CrON을 함유하여 이루어지는 차광성 크롬막(2)은, 그 두께 방향을 향해서 해당 성분이 연속적으로 변화하여 구성되어 있다.
다음으로, 차광성 크롬막(2) 상에, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타겟(Mo:Si=1:9[원자％])을 이용하여, 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합 가스 분위기(Ar:N2=10:90[체적％], 압력 0.3[Pa]) 중에서, 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 막 두께가 20[㎚]인 MoSiN계의 무기계 에칭 마스크막(3)을 성막하였다.
이 때, 실시예 1에서는，주 표면의 면적과 동일한 개구를 갖는 실리콘 고무 재료로 이루어지는 시트(판 형상체)를, 기판에 꽉 눌러서 밀착시키고, 기판의 측면 및 면취면을 차폐하여, 에칭 마스크막(3)을 성막하였다. 이것에 의해，에칭 마스크막(3)의 성막 범위는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(1)의 주 표면의 가장 외측의 변 B까지 넓힐 수 있었다.
또한，비교예에서는，특허 문헌 3의 도 2에 기재된 차폐판을 이용하여, 에칭 마스크막(3)을 성막하였다. 그러나， 마스크 상의 얼라인먼트 마크의 위치를 고려하여 에칭 마스크막의 성막 범위를 넓히고자 한 경우에는, 에칭 마스크막이 기판의 측면 또는 면취면에 성막되었다(비교예 1). 또한，에칭 마스크막이 기판의 측면 또는 면취면에 성막되지 않도록 한 경우에는, 에칭 마스크막의 성막 범위는 좁게 (예를 들면 B'보다 내측) 되었다(비교예 2).
다음으로, 무기계 에칭 마스크막(3) 상에, 전자선 묘화(노광)용 화학 증폭형 포지티브 레지스트(4)(FEP171: 후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼사 제조)를 스핀코트법에 의해 막 두께가 200[㎚]로 되도록 도포하였다(도 2 참조).
이상에 의해, 투광성 기판(1) 상에, Cr계 재료로 이루어지는 차광성 크롬 막(2)과, MoSiN계 재료로 이루어지는 무기계 에칭 마스크용막(3)과, 레지스트(4)가 순차적으로 형성된 마스크 블랭크를 준비하였다.
또한, 차광성 크롬막(2)을 형성한 단계에서의 시료에 대하여 시트 저항을 측정한 바, 120Ω/□이었다.
또한，에칭 마스크막(3)까지 형성한 단계에서의 시료에 대하여 시트 저항을 측정한 바, 170Ω/□이었다.
<마스크의 제작>
다음으로, 레지스트(4)에 대하여, 니혼덴시사가 제조한 JBX9000에 의해 전자선 묘화하고, 현상하여, 레지스트 패턴을 형성하였다. 이 때, 실시예 1 및 비교예 1, 2에서는，EB 묘화기 스테이지에서, 마스크 블랭크의 측면 또는 면취면으로부터 접지하였다.
다음으로, 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 무기계 에칭 마스크막(3)을, SF6과 He의 혼합 가스를 이용하여, 압력: 5[㎜Torr]의 조건에서 이온성 주체의 드라이 에칭을 행하여, 무기계 에칭 마스크 패턴을 형성하였다.
다음으로, 레지스트 패턴을 제거한 후, 무기계 에칭 마스크 패턴만을 마스크로 하여, 차광성 크롬막(2)을, Cl2와 O2의 혼합 가스를 이용하여, 압력: 3㎜Torr의 조건에서, 이온성을 한계 없이 높인(= 이온과 래디컬이 거의 동등하게 될 정도까지 이온성을 높인) 래디컬 주체의 드라이 에칭을 행하여, 차광성 크롬 패턴을 형성하였다.
다음으로, 무기계 에칭 마스크 패턴을 박리하고, 소정의 세정을 실시하여 포토마스크(10)를 얻었다.
<평가>
상기에서 얻어진 마스크를 평가하였다.
그 결과, 실시예 1에 따른 마스크에서는, 마스크의 제작 공정에서, 차지업은 보이지 않고, 차지업이 원인이라고 생각되는 CD 정밀도의 저하는 확인되지 않았다. 이것에 의해，hp45㎚ 마스크에 보여지는 미세한 패턴을 고정밀도로 가공하는 것이 가능하게 되는 것을 확인하였다. 또한，얼라인먼트 마크(도 2 참조)는 이지러지는 일 없이, 얼라인먼트 마크를 확실하게 형성할 수 있었다.
비교예 1에 따른 마스크에서는, 마스크의 제작 공정에서, 차지업이 확인되고, 차지업이 원인으로 생각되는 CD 정밀도의 저하는 확인되었다.
비교예 2에 따른 마스크에서는, 얼라인먼트 마크(도 2 참조)의 이지러짐이 있어, 얼라인먼트에 지장을 초래하였다.
<실시예 2>
실시예 1에서 무기계 에칭 마스크막(3)으로서 MoSiN 대신에 SiON을 성막한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하였다.
마찬가지의 평가 결과는, 실시예 1과 마찬가지이었다.
이상, 본 발명을 실시 형태를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시 형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능한 것은, 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.

Claims (13)

  1. 전자선 묘화에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 전자선 묘화용의 마스크 블랭크이며, 그 마스크 블랭크는, 기판 상에, 전사 패턴 형성용 박막과, 상기 전사 패턴 형성용 박막의 에칭에 대하여 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어지는 에칭 마스크막이 이 순서로 형성된 마스크 블랭크로서,
    상기 마스크 블랭크는, 다층 반사막 상 또는 다층 반사막 상에 형성된 버퍼층 상에, 상기 전사 패턴 형성용 박막이 형성된 반사형 마스크 블랭크이며,
    상기 전사 패턴 형성용 박막은, 전자선 묘화하여 패터닝할 때에 차지업하지 않지 않는 정도로 도전성을 갖는 재료로 하고, 상기 기판의 주 표면으로부터, 기판의 측면 또는 면취면(面取面)까지 걸쳐 형성되고,
    상기 에칭 마스크막은, 상기 기판의 적어도 측면에 존재하지 않고, 상기 전사 패턴 형성용 박막이 노출되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전사 패턴 형성용 박막은, 탄탈계 재료 또는 크롬계 재료로 이루어지는 흡수체막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 마스크막의 시트 저항은, 상기 전사 패턴 형성용 박막의 시트 저항보다도 높은 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  4. 제1항에 있어서,
    전자선 묘화 시에, 기판의 측면 또는 면취면에서 접지하도록 상기 전사 패턴 형성용 박막을 노출시키는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 마스크막은, 규소막, 또는 규소와 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐의 금속을 포함하는 금속 실리사이드막, 또는 상기 규소막 또는 금속 실리사이드막에 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나를 포함하는 막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 블랭크는, 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  7. 전자선 묘화에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 전자선 묘화용의 마스크 블랭크로서, 기판 상에, 전사 패턴 형성용 박막과, 상기 전사 패턴 형성용 박막의 에칭에 대하여 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어지는 에칭 마스크막이 이 순서로 형성된 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
    상기 마스크 블랭크는, 다층 반사막 상 또는 다층 반사막 상에 형성된 버퍼층 상에, 상기 전사 패턴 형성용 박막이 형성된 반사형 마스크 블랭크이며,
    상기 전사 패턴 형성용 박막은, 기판의 주 표면으로부터 기판의 측면 또는 면취면까지 걸쳐 형성되고,
    상기 에칭 마스크막을 성막 할 때에, 상기 기판의 적어도 측면에는 성막되지 않고, 상기 전사 패턴 형성용 박막이 노출되도록 차폐판에 의해 차폐하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전사 패턴 형성용 박막은, 탄탈계 재료 또는 크롬계 재료로 이루어지는 흡수체막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 에칭 마스크막의 성막 범위는, 상기 기판의 적어도 측면보다도 내측으로서, 전사용 마스크로 했을 때에 에칭 마스크막을 이용하여 상기 전사 패턴 형성용 박막에 형성되는 얼라이먼트 마크의 이지러짐을 발생시키지 않도록 얼라이먼트 마크의 외측까지 성막되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 차폐판은, 탄력성이 있는 재료로 형성되며, 상기 기판에 접촉 또는 근접시켜서 차폐하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 전사 패턴 형성용 박막은, 전자선 묘화하여 패터닝할 때에 차지업하지 않지 않는 정도로 도전성을 갖는 재료로 하고,
    상기 에칭 마스크막의 시트 저항은, 상기 전사 패턴 형성용 박막의 시트 저항보다도 높은 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    전자선 묘화 시에, 상기 전사 패턴 형성용 박막이 노출된 기판의 측면 또는 면취면에서 접지하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.
  13. 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
    제1항 내지 제6항의 마스크 블랭크에서의 에칭 마스크막 상에, 전자선 묘화용의 레지스트층을 형성하는 공정과,
    상기 전자선 묘화용의 레지스트층에, 전자선 묘화를 실시하고, 현상하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 에칭 마스크막을 에칭하고, 레지스트 패턴을 상기 에칭 마스크막에 전사하여, 에칭 마스크막의 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트 패턴 및 상기 에칭 마스크막의 패턴을 마스크로 하거나, 또는 상기 에칭 마스크막의 패턴을 마스크로 하여, 상기 전사 패턴 형성용 박막을 에칭하고, 상기 패턴을 상기 전사 패턴 형성용 박막에 전사하여, 전사 패턴 형성용 박막의 패턴을 형성하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5201361B2 (ja) * 2009-05-15 2013-06-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの加工方法
JP5704754B2 (ja) 2010-01-16 2015-04-22 Hoya株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
JP5772499B2 (ja) * 2011-10-24 2015-09-02 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ（ｅｕｖｌ）用反射型マスクブランクの製造方法およびｅｕｖｌ用反射層付基板の製造方法
JP5637485B2 (ja) * 2012-10-15 2014-12-10 クリーンサアフェイス技術株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク
CN102967996A (zh) * 2012-11-02 2013-03-13 上海华力微电子有限公司 一种改善光刻机对准精度的方法
US20140272684A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US10739671B2 (en) * 2017-11-10 2020-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing phase shift photo masks
JP6557381B1 (ja) * 2018-05-08 2019-08-07 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
JP2019020749A (ja) * 2018-10-26 2019-02-07 信越化学工業株式会社 マスクブランクス及びその製造方法
JP7370943B2 (ja) 2020-07-15 2023-10-30 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002090977A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Hoya Corp 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法
KR20050119202A (ko) * 2003-04-09 2005-12-20 호야 가부시키가이샤 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크
WO2007029826A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Hoya Corporation フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
KR20070039909A (ko) * 2003-09-29 2007-04-13 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 그 제조방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6111749A (ja) * 1984-06-27 1986-01-20 Toppan Printing Co Ltd フオトマスクブランク
JPS62257166A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Toshiba Corp マスクパタ−ンの形成方法
JPH01173718A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクおよびその製造方法
JPH01173717A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Dainippon Printing Co Ltd ブランク板
JPH01106558U (ko) * 1988-01-07 1989-07-18
JPH01217349A (ja) * 1988-02-25 1989-08-30 Dainippon Printing Co Ltd ブランク板、ブランク板を用いたフォトマスクおよびそれらの製造方法
JP2508841Y2 (ja) * 1990-02-28 1996-08-28 ホーヤ株式会社 フオトマスクブランクス用保持具
JPH07230162A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Fujitsu Ltd ホトプレートの製造方法
JPH08137089A (ja) 1994-11-07 1996-05-31 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2863131B2 (ja) * 1996-05-08 1999-03-03 ホーヤ株式会社 フォトマスクブランクスの製造方法
JP3529308B2 (ja) * 1999-11-15 2004-05-24 鹿児島日本電気株式会社 スパッタ装置及びスパッタ方法
JP4082852B2 (ja) * 2000-07-13 2008-04-30 松下電器産業株式会社 薄膜形成装置
JP2003231965A (ja) * 2003-02-17 2003-08-19 Hoya Corp 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法
JP2005032963A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Toshiba Mach Co Ltd 電子ビーム露光装置
JP4405443B2 (ja) * 2004-10-22 2010-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP4413828B2 (ja) * 2004-10-22 2010-02-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
TWI375114B (en) * 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
JP4673039B2 (ja) * 2004-11-05 2011-04-20 株式会社東芝 マスクブランクス基板
JP4587806B2 (ja) 2004-12-27 2010-11-24 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP4883278B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4737426B2 (ja) * 2006-04-21 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP2008058809A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Nuflare Technology Inc 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002090977A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Hoya Corp 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法
KR20050119202A (ko) * 2003-04-09 2005-12-20 호야 가부시키가이샤 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크
KR20070039909A (ko) * 2003-09-29 2007-04-13 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 그 제조방법
WO2007029826A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Hoya Corporation フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法

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