JP5772499B2 - Ｅｕｖリソグラフィ（ｅｕｖｌ）用反射型マスクブランクの製造方法およびｅｕｖｌ用反射層付基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）の製造方法に関する。
また、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法に関する。ＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶマスクブランクの前駆体として、あるいは、ＥＵＶリソグラフィ用反射型ミラー（以下、本明細書において、「ＥＵＶミラー」という。）として、用いられる。
また、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法に関する。ＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶマスクブランクの前駆体として、あるいは、ＥＵＶリソグラフィ用反射型ミラー（以下、本明細書において、「ＥＵＶミラー」という。）として、用いられる。
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来の光露光の露光限界に近づいてきた。光露光の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつ屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクと反射型ミラー（ＥＵＶミラー）とが用いられる。
マスクブランクは、フォトマスク製造用のパターニング前の積層体である。反射型フォトマスク用のマスクブランクの場合、ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、光線を層表面に照射した際の光線反射率、より具体的にはＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、ＣｒやＴａを主成分とする材料が用いられる。
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法といったスパッタリング法を用いてガラス基板の一方の面に成膜される。以下、本明細書において、多層反射膜および吸収層が形成される側のガラス基板の面をガラス基板の成膜面という。
多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持部によって保持される。ガラス基板の保持部として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、静電チャックによる吸着保持が好ましく用いられる。
ガラス基板は誘電率および導電率が低いため、十分なチャック力を得るには高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。そのため、ガラス基板よりも高い誘電率および高い導電率を有する材料の膜（導電膜）を、ガラス基板の成膜面に対する裏面（以下、本明細書において、「ガラス基板の裏面」という。）に形成して、ガラス基板のチャック力を高めることが通常行われている（特許文献１参照）。
多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持部によって保持される。ガラス基板の保持部として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、静電チャックによる吸着保持が好ましく用いられる。
ガラス基板は誘電率および導電率が低いため、十分なチャック力を得るには高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。そのため、ガラス基板よりも高い誘電率および高い導電率を有する材料の膜（導電膜）を、ガラス基板の成膜面に対する裏面（以下、本明細書において、「ガラス基板の裏面」という。）に形成して、ガラス基板のチャック力を高めることが通常行われている（特許文献１参照）。
上述したように、ＥＵＶマスクブランクの製造時、ガラス基板の成膜面には多層反射膜および吸収層が形成され、ガラス基板の裏面には該ガラス基板を静電チャックによりチャックして保持するための膜（チャック層）が通常形成される。すなわち、ガラス基板の両方の面に膜が形成される。このような場合、ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じる可能性がある。
ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じていると、ＥＵＶマスクブランクをパターニングして反射型フォトマスクを作製する際に実施する電子線描画において、既存技術である透過型のマスクブランクと等価回路が変化してしまうために、既存の電子線描画装置で設計通りのパターンを描画できなくなる。
ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じていると、ＥＵＶマスクブランクをパターニングして反射型フォトマスクを作製する際に実施する電子線描画において、既存技術である透過型のマスクブランクと等価回路が変化してしまうために、既存の電子線描画装置で設計通りのパターンを描画できなくなる。
このような問題を解決するため、特許文献２では、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面に不導通部を形成することによって、チャック層と反射層（または反射層と吸収層との積層膜）との導通がない状態としたＥＵＶマスクブランクが提案されている。
このような不導通部を形成する方法として、特許文献２では、（１）遮蔽部材を用いて不導通部が形成されるようにチャック層、または、反射層および吸収層を成膜する方法、（２）基板全面にチャック層、または、反射層および吸収層を成膜した後、形成された層の一部を除去することにより不導通部を形成する方法が提案されている。
これらの方法のうち、（２）の方法は、除去された層がパーティクル源となる可能性を潜在的にもつため、（１）のほうが好ましい。
但し、特許文献２には、上記（１）の方法で使用する遮蔽部材に関する詳細な記載は示されていない。
このような不導通部を形成する方法として、特許文献２では、（１）遮蔽部材を用いて不導通部が形成されるようにチャック層、または、反射層および吸収層を成膜する方法、（２）基板全面にチャック層、または、反射層および吸収層を成膜した後、形成された層の一部を除去することにより不導通部を形成する方法が提案されている。
これらの方法のうち、（２）の方法は、除去された層がパーティクル源となる可能性を潜在的にもつため、（１）のほうが好ましい。
但し、特許文献２には、上記（１）の方法で使用する遮蔽部材に関する詳細な記載は示されていない。
以上述べたように、ＥＵＶマスクブランクの製造時、ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じるのを防止するためには、遮蔽部材を用いて成膜することによって、ガラス基板の側面に不導通部を形成すること、すなわち、遮蔽部材を用いて成膜することによって、ガラス基板の側面への膜材料の付着を抑制することが好ましい。
また、フォトマスクの製造工程においては、数多くの自動搬送機構が導入されており、その一部にはフォトダイオード等によりガラス基板側面から光学的に基板を検知する手法が採用されている。このようなガラス基板側面から光学的に基板を検知する自動搬送機構において、ガラス基板の側面に膜材料が付着していることが基板検知の妨げとなることがしばしばある。このような理由からも、ガラス基板の側面への膜材料の付着を抑制することが好ましい。
成膜時に遮蔽部材を用いることによって、基板側面への膜材料の付着を抑制するフォトマスクブランクの製造方法が特許文献３，４に開示されている。すなわち、特許文献３には、電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであって、透明基板上に、遮光膜と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜がこの順に形成されたマスクブランクの製造方法が開示されている。そして、前記エッチングマスク膜を成膜する際に、前記基板の少なくとも側面には成膜されないように遮蔽板にて遮蔽することを特徴とするマスクブランクの製造方法が開示されている。また、特許文献４には、導電膜の成膜時に、成膜粒子が基板の周縁部には堆積しないように基板の少なくとも周縁部をマスキングする（覆う）保持具を用いて、基板上に導電膜をスパッタ成膜することが開示されている。
しかしながら、特許文献３に記載の方法では、上述したガラス基板側面への膜材料の付着による問題を必ずしも解消できないこと、および、製造されるＥＵＶマスクブランクの欠陥が増加するおそれがあることを本願発明者らは見出した。
特許文献３に記載の方法の場合、成膜時に遮蔽部材を用いて基板側面に不導通部を形成できるが、基板側面への膜材料の付着自体は抑制できない。この点については、同文献の図１において、基板の面取り面に近い側面に膜が形成されていることからも明らかである。
また、段落番号［００１２］に記載されているように、特許文献３に記載の方法では、弾力性のある材料で形成された遮蔽板（例えば、主表面の面積と同じ開口を有するゴム材料からなるシート）を、基板に押し当てて接触又は密着させて遮蔽する。なお、基板に遮蔽板を僅かな間隙で近接させて遮蔽することも可能としている。
ここで、遮蔽板には、膜材料が付着することが常である。したがって、このような方法を実施した場合、遮蔽板に付着していた膜材料が、該遮蔽板と接触または近接する基板に付着することによって、基板側面への膜材料の付着を生じたり、製造されるマスクブランクに欠陥を生じさせるおそれがある。
また、遮蔽板として、弾力性のある材料を使用した場合、形状変化（例えば、温度変化による遮蔽板の膨張や収縮）によって、遮蔽板に付着していた膜材料が、該遮蔽板と接触または近接する基板に付着することによって、基板側面への膜材料の付着を生じさせたり、製造されるマスクブランクに欠陥を生じさせたりするおそれがある。
このように、特許文献３に記載の方法では、使用する遮蔽板自体が、基板側面への膜材料の付着の原因となったり、製造されるマスクブランクにおける欠陥の発生源となるおそれがある。
ここで、遮蔽板には、膜材料が付着することが常である。したがって、このような方法を実施した場合、遮蔽板に付着していた膜材料が、該遮蔽板と接触または近接する基板に付着することによって、基板側面への膜材料の付着を生じたり、製造されるマスクブランクに欠陥を生じさせるおそれがある。
また、遮蔽板として、弾力性のある材料を使用した場合、形状変化（例えば、温度変化による遮蔽板の膨張や収縮）によって、遮蔽板に付着していた膜材料が、該遮蔽板と接触または近接する基板に付着することによって、基板側面への膜材料の付着を生じさせたり、製造されるマスクブランクに欠陥を生じさせたりするおそれがある。
このように、特許文献３に記載の方法では、使用する遮蔽板自体が、基板側面への膜材料の付着の原因となったり、製造されるマスクブランクにおける欠陥の発生源となるおそれがある。
また、特許文献３に記載の方法では、同文献の図１に示すように、基板の面取り面や面取り面に近い側面に膜が形成されているが、これらの部位に膜を形成した場合、基板の角部、具体的には、主表面と面取り面との角部や、面取り面と側面との角部にも膜が形成されることとなるが、これらの角部は膜材料が剥離しやすく、剥離した膜材料は基板側面への膜材料の付着の原因となったり、製造されるマスクブランクにおける欠陥の発生源となる。
特許文献４に記載の方法の場合、基板上の成膜分布を均一化するために、成膜時に基板主表面の中心を通る法線を回転軸をとして回転させている。この際、回転方向の基板位置ずれを抑制するために、基板の周縁部を保持具で固定している。この方法により、基板側面への膜形成は抑制できるが、基板側面と保持具との接触や摩擦により製造されるマスクブランクにおける欠陥の発生源となるおそれがある。
上記した従来技術の問題点を解決するため、本願発明者らは、特許文献５に記載のＥＵＶマスクブランクの製造方法を提案している。特許文献５に記載の方法では、ガラス基板の側面との距離が所定の関係を満たしつつ、該ガラス基板の側面の全周を覆うように側面保護板を配置し、かつ、ガラス基板の成膜面の外縁部との距離、および、ガラス基板の成膜面との関係が所定の関係を満たしつつ、該ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うように遮蔽板を配置した状態で、スパッタリング法により、ガラス基板上に反射層および吸収層を少なくともこの順に形成することで、成膜時のガラス基板側面への膜材料の付着を抑制する。
特許文献５に記載の方法では、ガラス基板との位置関係が所定の条件となるように、側面保護板および遮蔽板を配置した状態で、スパッタリング法により、ガラス基板上に反射層および吸収層を少なくともこの順に形成することによって、ガラス基板側面への膜材料の付着を抑制できる。
しかしながら、スパッタリング法の実施時には、ガラス基板の周囲に配置した側面保護板および遮蔽板にも膜材料が付着すること、および、製造後のＥＵＶマスクブランクを取り出す際には、ガラス基板の周囲に配置した側面保護板および遮蔽板を移動させる必要があることに留意する必要がある。
特許文献５に記載の方法では、ガラス基板の側面の全周を覆うように側面保護板を配置し、かつ、該ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うように遮蔽板を配置しているため、製造後のＥＵＶマスクブランクを取り出す際には、側面保護板および遮蔽板を移動させる必要がある。例えば、特許文献５に図示した態様の、製造後のＥＵＶマスクブランクを取り出す際には、側面保護板２０および遮蔽板３０の全体を製造後のＥＵＶマスクブランク（図１，２ではガラス基板１０）に対し上方に移動させる必要があるが、このような操作を実施すると、側面保護板２０および遮蔽板３０に付着した膜材料が剥離して、製造後のＥＵＶマスクブランクや、ガラス基板１０の保持手段（図示されていない）に付着するおそれがある。
しかしながら、スパッタリング法の実施時には、ガラス基板の周囲に配置した側面保護板および遮蔽板にも膜材料が付着すること、および、製造後のＥＵＶマスクブランクを取り出す際には、ガラス基板の周囲に配置した側面保護板および遮蔽板を移動させる必要があることに留意する必要がある。
特許文献５に記載の方法では、ガラス基板の側面の全周を覆うように側面保護板を配置し、かつ、該ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うように遮蔽板を配置しているため、製造後のＥＵＶマスクブランクを取り出す際には、側面保護板および遮蔽板を移動させる必要がある。例えば、特許文献５に図示した態様の、製造後のＥＵＶマスクブランクを取り出す際には、側面保護板２０および遮蔽板３０の全体を製造後のＥＵＶマスクブランク（図１，２ではガラス基板１０）に対し上方に移動させる必要があるが、このような操作を実施すると、側面保護板２０および遮蔽板３０に付着した膜材料が剥離して、製造後のＥＵＶマスクブランクや、ガラス基板１０の保持手段（図示されていない）に付着するおそれがある。
また、特許文献５に記載の方法では、ガラス基板の周囲に側面保護板および遮蔽板を配置した状態で、スパッタリング法の実施時にガラス基板側面へ膜材料の付着を抑制するが、スパッタリング法の実施時には、ガラス基板の裏面側を保持するガラス基板の保持手段にも膜材料が付着するおそれがある点に留意する必要がある。特に、ガラス基板の保持手段として、静電チャックを使用する場合は、静電引力によって基板を吸着保持する原理上、スパッタリング法の実施時に、静電引力に引き付けられた膜材料が静電チャックに付着しやすい。
ガラス基板の保持手段に膜材料が付着した場合、膜材料が付着した部位によっては、該保持手段によって保持されるガラス基板に転写されるおそれがある。
特に、同一の保持手段を用いて、ＥＵＶマスクブランクを複数製造する場合は、ＥＵＶマスクブランクの製造過程で該保持手段に蓄積された膜材料がガラス基板に転写されるおそれがあるので問題となる。
ガラス基板の保持手段に膜材料が付着した場合、膜材料が付着した部位によっては、該保持手段によって保持されるガラス基板に転写されるおそれがある。
特に、同一の保持手段を用いて、ＥＵＶマスクブランクを複数製造する場合は、ＥＵＶマスクブランクの製造過程で該保持手段に蓄積された膜材料がガラス基板に転写されるおそれがあるので問題となる。
上記ではＥＵＶマスクブランクの製造時における問題点として記載したが、ＥＵＶマスクブランクの前駆体として、あるいは、ＥＵＶミラーとして、用いられるＥＵＶＬ用反射層付基板の製造時においても同様の問題がある。
上記した従来技術の問題点を解決するため、本発明は、製造後のＥＵＶマスクブランクの取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制できるＥＵＶマスクブランクの製造方法の提供を目的とする。
また、本発明は、製造後の反射層付基板の取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制できるＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の提供を目的とする。
また、本発明は、製造後の反射層付基板の取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制できるＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、スパッタリング法により、ガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層を少なくとも成膜するＥＵＶリソグラフィ用（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の裏面側を保持する基板保持部と、前記ガラス基板の側面全周、前記基板保持部の側面全周のうち、該基板保持部の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、前記ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うことができ、かつ、下記（１）〜（７）を満たす遮蔽部と、ガラス基板または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出入用のアームと、を有するスパッタリング装置を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層を少なくとも成膜することを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
（１）前記遮蔽部は、ガラス基板またはＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出入用の開口部を、前記ガラス基板の側面と対向する側の面に有する。
（２）前記遮蔽部は、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を、上下方向に移動可能である。
（３）前記搬出入時の位置において、前記遮蔽部の下端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（４）前記遮蔽部は、前記成膜時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（５）前記遮蔽部は、前記搬出入時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が、前記ガラス基板の上端または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の上端よりも上方に位置し、前記搬出入用の開口部の下端が、前記搬出入用のアームの下端よりも下方に位置する。
（６）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さよりも０．５ｍｍ以上長い。
（７）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和よりも０．５ｍｍ以上大きい。
前記ガラス基板の裏面側を保持する基板保持部と、前記ガラス基板の側面全周、前記基板保持部の側面全周のうち、該基板保持部の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、前記ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うことができ、かつ、下記（１）〜（７）を満たす遮蔽部と、ガラス基板または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出入用のアームと、を有するスパッタリング装置を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層を少なくとも成膜することを特徴とするＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
（１）前記遮蔽部は、ガラス基板またはＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出入用の開口部を、前記ガラス基板の側面と対向する側の面に有する。
（２）前記遮蔽部は、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を、上下方向に移動可能である。
（３）前記搬出入時の位置において、前記遮蔽部の下端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（４）前記遮蔽部は、前記成膜時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（５）前記遮蔽部は、前記搬出入時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が、前記ガラス基板の上端または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の上端よりも上方に位置し、前記搬出入用の開口部の下端が、前記搬出入用のアームの下端よりも下方に位置する。
（６）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さよりも０．５ｍｍ以上長い。
（７）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和よりも０．５ｍｍ以上大きい。
また、本発明は、スパッタリング法により、ガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に成膜するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記ガラス基板の裏面側を保持する基板保持部と、前記ガラス基板の側面全周、前記基板保持部の側面全周のうち、該基板保持部の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、前記ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うことができ、かつ、下記（１）〜（７）を満たす遮蔽部と、ガラス基板または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有するスパッタリング装置を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層および前記吸収層を少なくともこの順に成膜することを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（ＥＵＶマスクブランク）の製造方法を提供する。
（１）前記遮蔽部は、ガラス基板またはＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用の開口部を、前記ガラス基板の側面と対向する側の面に有する。
（２）前記遮蔽部は、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を、上下方向に移動可能である。
（３）前記搬出入時の位置において、前記遮蔽部の下端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（４）前記遮蔽部は、前記成膜時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（５）前記遮蔽部は、前記搬出入時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が、前記ガラス基板の上端または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの上端よりも上方に位置し、前記搬出入用の開口部の下端が、前記搬出入用のアームの下端よりも下方に位置する。
（６）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さよりも０．５ｍｍ以上長い。
（７）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和よりも０．５ｍｍ以上大きい。
前記ガラス基板の裏面側を保持する基板保持部と、前記ガラス基板の側面全周、前記基板保持部の側面全周のうち、該基板保持部の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、前記ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うことができ、かつ、下記（１）〜（７）を満たす遮蔽部と、ガラス基板または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有するスパッタリング装置を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層および前記吸収層を少なくともこの順に成膜することを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクブランク（ＥＵＶマスクブランク）の製造方法を提供する。
（１）前記遮蔽部は、ガラス基板またはＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用の開口部を、前記ガラス基板の側面と対向する側の面に有する。
（２）前記遮蔽部は、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を、上下方向に移動可能である。
（３）前記搬出入時の位置において、前記遮蔽部の下端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（４）前記遮蔽部は、前記成膜時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（５）前記遮蔽部は、前記搬出入時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が、前記ガラス基板の上端または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの上端よりも上方に位置し、前記搬出入用の開口部の下端が、前記搬出入用のアームの下端よりも下方に位置する。
（６）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さよりも０．５ｍｍ以上長い。
（７）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和よりも０．５ｍｍ以上大きい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さ＋５ｍｍ以下であることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和＋１０ｍｍ以下であることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、前記搬出入用の開口部が開閉可能なシャッター機構を有していてもよい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、前記成膜時の位置における前記搬出入用の開口部の上端が、前記基板保持部の上端よりも０．５ｍｍ以上下方に位置することが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、前記成膜時の位置における前記遮蔽部と、前記ガラス基板の側面と、の距離が１〜１０ｍｍであることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法では、前記成膜時の位置において、前記遮蔽部で覆われる前記ガラス基板の成膜面の外縁部の長さが１〜９ｍｍであることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法では、前記成膜時の位置において、前記遮蔽部と、前記ガラス基板の成膜面と、の間隔が１〜８ｍｍであることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法、または、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、前記基板保持部が、静電チャック機構を有することが好ましい。
本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射層付基板、または、ＥＵＶマスクブランクにおいて、前記ガラス基板側面のシート抵抗値が、前記ガラス基板側面の全ての部位において１００ＭΩ／□以上であることが好ましい。
本発明の方法により製造されるＥＵＶＬ用反射層付基板、または、ＥＵＶマスクブランクにおいて、ＥＵＶＬ用反射層付基板またはＥＵＶマスクブランクの製造前後での前記ガラス基板側面の吸光度増加量が３５０ｎｍ〜８００ｎｍにわたり０．５以下であることが好ましい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法によれば、製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制できる。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、製造後のＥＵＶマスクブランクの取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制できる。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、製造後のＥＵＶマスクブランクの取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制できる。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板またはＥＵＶマスクブランクの製造方法では、以下に述べる所定の基板保持部、遮蔽部および搬出入用のアームを有するスパッタリング装置を用いて、ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を成膜するかまたは、該反射層および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に成膜することを特徴とする。
図１，２は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板またはＥＵＶマスクブランクの製造方法の実施時におけるガラス基板、ガラス基板保持部および遮蔽部の位置関係を示した側断面図である。図１において、遮蔽部３０は成膜時の位置で示されている。図２において、遮蔽部３０は搬出入時の位置で示されている。図３は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板またはＥＵＶマスクブランクの製造方法の実施時におけるガラス基板と、遮蔽部と、の位置関係を示した平面図である。
以下、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法を例に説明する。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板またはＥＵＶマスクブランクの製造方法では、以下に述べる所定の基板保持部、遮蔽部および搬出入用のアームを有するスパッタリング装置を用いて、ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を成膜するかまたは、該反射層および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に成膜することを特徴とする。
図１，２は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板またはＥＵＶマスクブランクの製造方法の実施時におけるガラス基板、ガラス基板保持部および遮蔽部の位置関係を示した側断面図である。図１において、遮蔽部３０は成膜時の位置で示されている。図２において、遮蔽部３０は搬出入時の位置で示されている。図３は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板またはＥＵＶマスクブランクの製造方法の実施時におけるガラス基板と、遮蔽部と、の位置関係を示した平面図である。
以下、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法を例に説明する。
図１，２において、ガラス基板１０の裏面１２の側が基板保持部２０で保持されている。図３では、ガラス基板１０の成膜面１１の側が示されている。
基板保持部２０としては、発塵の問題が起こりにくいことから静電チャック機構によってガラス基板１０を保持するものが好ましいが、機械的チャック機構によってガラス基板を保持するものであってもよい。
図１，２において、ガラス基板１０よりも基板保持部２０のほうが水平方向における寸法が小さくなっているがこれに限定されず、ガラス基板１０よりも基板保持部２０のほうが水平方向における寸法が大きくてもよい。
また、本発明の基板保持部２０は、ガラス基板１０の保持や、基板保持部２０からのガラス基板１０の着脱にとって必要な各種構造物（例えば、ガラス基板１０の着脱のためのリフトアップ機構や、基板保持部を固定するための治具）を有してもよい。
基板保持部２０としては、発塵の問題が起こりにくいことから静電チャック機構によってガラス基板１０を保持するものが好ましいが、機械的チャック機構によってガラス基板を保持するものであってもよい。
図１，２において、ガラス基板１０よりも基板保持部２０のほうが水平方向における寸法が小さくなっているがこれに限定されず、ガラス基板１０よりも基板保持部２０のほうが水平方向における寸法が大きくてもよい。
また、本発明の基板保持部２０は、ガラス基板１０の保持や、基板保持部２０からのガラス基板１０の着脱にとって必要な各種構造物（例えば、ガラス基板１０の着脱のためのリフトアップ機構や、基板保持部を固定するための治具）を有してもよい。
図１，２において、ガラス基板１０の側面、および、基板保持部２０の側面は、遮蔽部３０で覆われている。図１，２では、ガラス基板１０の左右方向の側面、および、基板保持部２０の左右方向の側面が遮蔽部３０で覆われている（別の言い方をすると、該側面に対向する位置に遮蔽部３０が配置されている）が、図面の手前側および奥側を含めた、ガラス基板１０の側面全周、および、基板保持部２０の側面全周が遮蔽部３０で覆われている（別の言い方をすると、該側面全周に対向する位置に遮蔽部３０が配置されている）。
なお、詳しくは後述するが、基板保持部２０は、その上端を含めた高さ方向における少なくとも一部において、遮蔽部３０によって、その側面全周が覆われていればよい。
また、図３に示すように、遮蔽部３０の上面には成膜用の開口部３１が存在する。ここで、開口部３１は、その大きさがガラス基板１０の成膜面１１よりも小さいため、ガラス基板１０の成膜面１１の外縁部は、遮蔽部３０によって覆われた状態となる。
なお、詳しくは後述するが、基板保持部２０は、その上端を含めた高さ方向における少なくとも一部において、遮蔽部３０によって、その側面全周が覆われていればよい。
また、図３に示すように、遮蔽部３０の上面には成膜用の開口部３１が存在する。ここで、開口部３１は、その大きさがガラス基板１０の成膜面１１よりも小さいため、ガラス基板１０の成膜面１１の外縁部は、遮蔽部３０によって覆われた状態となる。
ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板では、該ガラス基板の成膜面全体がマスクパターンの形成に用いられるわけではない。例えば、１５２ｍｍ角のガラス基板の場合、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスク」という。）における光学特性の品質保証領域は１３２ｍｍ角の領域である。このため、ＥＵＶマスクブランクをパターニングしてＥＵＶマスクを作製する際に、レジスト膜が形成される領域は１４２ｍｍ角の領域である。成膜面上に反射層および吸収層を成膜する場合も、レジスト膜が形成される１４２ｍｍ角の領域に反射層および吸収層を成膜すればよく、それよりも外側の成膜面の外縁部に反射層および吸収層を成膜することは、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着につながるので望ましくない。
また、ガラス基板の成膜面の外縁部には、安全上の理由や、ガラス基板の表裏を認識しやすくするために、面取り部やノッチマークが設けられる場合があるが、角部が存在する面取り部やノッチマークへの成膜は膜材料が剥離しやすく、剥離した膜材料は基板側面への膜材料の付着の原因となったり、製造されるＥＵＶマスクブランクにおける欠陥の発生源となるので望ましくない。
さらに、フォトマスクの製造工程において導入されている、ガラス基板側面から光学的に基板を検知する自動搬送機構においては、ガラス基板の側面に膜材料が付着していないほうが、基板検知をスムーズに実施できる。そのため、成膜面の外縁部に反射層および吸収層を成膜することは、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着につながるので望ましくない。
これらの理由から、ガラス基板１０の成膜面１１の外縁部を遮蔽部３０で覆うことにより、成膜面１１の外縁部の成膜を最小限に抑える。
なお、ガラス基板１０の側面全周を遮蔽部３０で覆うのも成膜時にガラス基板１０の側面に膜材料が付着することを防止するためである。
本発明では、さらに、基板保持部２０への膜材料の付着を防止するため、基板保持部２０の側面全周を遮蔽部３０で覆う。ここで、基板保持部２０として、静電チャック機構を使用する場合は、静電引力によって基板を吸着保持する原理上、静電引力に引き付けられた膜材料が静電チャックに付着しやすいので、とくに基板保持部２０への膜材料の付着を防止する必要がある。
基板保持部２０に膜材料が付着した場合、膜材料が付着した部位によっては、基板保持部２０によって保持されるガラス基板１０に転写されるおそれがある。特に、基板保持部２０を用いて、ＥＵＶマスクブランクを複数製造する場合は、ＥＵＶマスクブランクの製造過程で基板保持部２０に蓄積された膜材料がガラス基板１０に転写されるおそれがある。
そのため、遮蔽部３０で覆うことによって、基板保持部２０への膜材料の付着を防止する。
なお、ガラス基板１０の側面全周を遮蔽部３０で覆うのも成膜時にガラス基板１０の側面に膜材料が付着することを防止するためである。
本発明では、さらに、基板保持部２０への膜材料の付着を防止するため、基板保持部２０の側面全周を遮蔽部３０で覆う。ここで、基板保持部２０として、静電チャック機構を使用する場合は、静電引力によって基板を吸着保持する原理上、静電引力に引き付けられた膜材料が静電チャックに付着しやすいので、とくに基板保持部２０への膜材料の付着を防止する必要がある。
基板保持部２０に膜材料が付着した場合、膜材料が付着した部位によっては、基板保持部２０によって保持されるガラス基板１０に転写されるおそれがある。特に、基板保持部２０を用いて、ＥＵＶマスクブランクを複数製造する場合は、ＥＵＶマスクブランクの製造過程で基板保持部２０に蓄積された膜材料がガラス基板１０に転写されるおそれがある。
そのため、遮蔽部３０で覆うことによって、基板保持部２０への膜材料の付着を防止する。
但し、基板保持部２０に膜材料が付着した場合であっても、膜材料が付着した部位が該基板保持部２０によって保持されるガラス基板１０から離れている場合には、ガラス基板１０に膜材料が転写されるおそれがない。そのため、後述する条件を満たす限り、基板保持部２０の側面全周のうち、その上端を含めた高さ方向における一部のみを遮蔽部３０で覆ってもよい。
図２において、符号４０は、ガラス基板の搬入用、または製造後のＥＵＶマスクブランクの搬出用のアームを示している。搬出入用のアーム４０は、図中、左右方向に水平移動する。
遮蔽部３０の側面、別の言い方をすると、ガラス基板１０の側面と対向する側の遮蔽部３０の面には、アーム４０、および、該アーム４０によって搬入されるガラス基板、または、該アームによって搬出される製造後のＥＵＶマスクブランクがそこを通過する搬出入用の開口部３２が設けられている。
遮蔽部３０の側面、別の言い方をすると、ガラス基板１０の側面と対向する側の遮蔽部３０の面には、アーム４０、および、該アーム４０によって搬入されるガラス基板、または、該アームによって搬出される製造後のＥＵＶマスクブランクがそこを通過する搬出入用の開口部３２が設けられている。
遮蔽部３０は、図１に示す成膜時の位置と、図２に示す搬出入時の位置と、の間を、上下方向に移動可能である。
詳しくは後述するが、成膜時においては、ガラス基板１０の成膜面１１と、遮蔽部３０と、が接触せず、かつ、遮蔽部３０に付着した膜材料の成膜面１１への付着を防止できる程度に、成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が小さいほうが、成膜面１１の外縁部の成膜を最小限に抑えるうえで好ましい。
しかしながら、搬出入時においては、アーム４０によりガラス基板１０を基板保持部２０から持ち上げた状態で移動させるため、遮蔽部３０も上方向に移動させる必要がある。
このため、図１に示す成膜時の位置から図２に示す搬出入時の位置に変更する際は、遮蔽部３０を基板保持部２０に対して上方向に移動させる。一方、図２に示す搬出入時の位置から図１に示す成膜時の位置に変更する際は、遮蔽部３０を基板保持部２０に対して下方向に移動させる。
詳しくは後述するが、成膜時においては、ガラス基板１０の成膜面１１と、遮蔽部３０と、が接触せず、かつ、遮蔽部３０に付着した膜材料の成膜面１１への付着を防止できる程度に、成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が小さいほうが、成膜面１１の外縁部の成膜を最小限に抑えるうえで好ましい。
しかしながら、搬出入時においては、アーム４０によりガラス基板１０を基板保持部２０から持ち上げた状態で移動させるため、遮蔽部３０も上方向に移動させる必要がある。
このため、図１に示す成膜時の位置から図２に示す搬出入時の位置に変更する際は、遮蔽部３０を基板保持部２０に対して上方向に移動させる。一方、図２に示す搬出入時の位置から図１に示す成膜時の位置に変更する際は、遮蔽部３０を基板保持部２０に対して下方向に移動させる。
図２に示す搬出入時の位置において、遮蔽部３０の下端は基板保持部２０の上端よりも下方に位置している。
成膜時においては、遮蔽部３０にも膜材料が付着する。図１に示す成膜時の位置から図２に示す搬出入時の位置へと、基板保持部２０に対して遮蔽部３０を上方向に移動させる際には、遮蔽部３０に付着した膜材料が剥離するおそれがある。図２に示す搬出入時の位置において、遮蔽部３０の下端が基板保持部２０の上端よりも上方に位置していると、遮蔽部３０から剥離した膜材料が、基板保持部２０に保持されるガラス基板１０や該基板保持部２０の上端付近、すなわち、基板保持部２０の基板保持面やその周辺に付着するおそれがある。
図２に示す搬出入時の位置において、遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1は、０．５ｍｍ以上が好ましく、２ｍｍ以上がより好ましく、５ｍｍ以上がさらに好ましい。
成膜時においては、遮蔽部３０にも膜材料が付着する。図１に示す成膜時の位置から図２に示す搬出入時の位置へと、基板保持部２０に対して遮蔽部３０を上方向に移動させる際には、遮蔽部３０に付着した膜材料が剥離するおそれがある。図２に示す搬出入時の位置において、遮蔽部３０の下端が基板保持部２０の上端よりも上方に位置していると、遮蔽部３０から剥離した膜材料が、基板保持部２０に保持されるガラス基板１０や該基板保持部２０の上端付近、すなわち、基板保持部２０の基板保持面やその周辺に付着するおそれがある。
図２に示す搬出入時の位置において、遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1は、０．５ｍｍ以上が好ましく、２ｍｍ以上がより好ましく、５ｍｍ以上がさらに好ましい。
図２に示す搬出入時の位置においては、アーム４０、および、該アーム４０によって搬入されるガラス基板１０、または、該アーム４０によって搬出される製造後のＥＵＶマスクブランクが搬出入用の開口部３２を通過する。そのため、搬出入用の開口部３２の上端は、ガラス基板１０の上端または製造後のＥＵＶマスクブランクの上端よりも上方に位置する。一方、搬出入用の開口部３２の下端は、搬出入用のアーム４０の下端よりも下方に位置する。
また、搬出入用の開口部３２の長さは、ガラス基板１０の長さＬよりも長くする必要がある。ここで、搬出入用の開口部３２の長さは、開口部３２の水平方向における寸法を意図している。ガラス基板１０の長さについても同様であり、該ガラス基板１０の水平方向における寸法を意図している。ガラス基板１０の水平方向における寸法が縦横方向で異なる場合は、開口部３２と対向する側の側面での、水平方向における寸法を意図している。
搬出入時において、ガラス基板１０または製造後のＥＵＶマスクブランクが開口部３２の上端または下端に接触したり、該開口部３２周辺に付着した膜材料がガラス基板１０または製造後のＥＵＶマスクブランクに付着することを防止するためには、搬出入用の開口部３２の長さは、ガラス基板１０の長さＬ＋０．５ｍｍ以上が好ましく、Ｌ＋１ｍｍ以上がより好ましく、Ｌ＋２ｍｍ以上がさらに好ましい。
但し、搬出入用の開口部３２の長さが、ガラス基板１０の長さよりも長すぎると、成膜時において、膜材料が侵入しやすくなるので好ましくない。このため、搬出入用の開口部３２の長さは、ガラス基板１０の長さＬ＋５ｍｍ以下が好ましく、Ｌ＋４ｍｍ以下がより好ましく、Ｌ＋３ｍｍ以下がさらに好ましい。
搬出入時において、ガラス基板１０または製造後のＥＵＶマスクブランクが開口部３２の上端または下端に接触したり、該開口部３２周辺に付着した膜材料がガラス基板１０または製造後のＥＵＶマスクブランクに付着することを防止するためには、搬出入用の開口部３２の長さは、ガラス基板１０の長さＬ＋０．５ｍｍ以上が好ましく、Ｌ＋１ｍｍ以上がより好ましく、Ｌ＋２ｍｍ以上がさらに好ましい。
但し、搬出入用の開口部３２の長さが、ガラス基板１０の長さよりも長すぎると、成膜時において、膜材料が侵入しやすくなるので好ましくない。このため、搬出入用の開口部３２の長さは、ガラス基板１０の長さＬ＋５ｍｍ以下が好ましく、Ｌ＋４ｍｍ以下がより好ましく、Ｌ＋３ｍｍ以下がさらに好ましい。
同様の理由から、搬出入用の開口部３２の幅ｗは、ガラス基板１０の厚さｔ1および搬出入用のアーム４０の厚さｔ2の和よりも０．５ｍｍ以上大きいことが好ましく、１ｍｍ以上大きいことが好ましく、２ｍｍ以上大きいことがさらに好ましい。ここで、搬出入用の開口部３２の幅ｗは、開口部３２の垂直方向における寸法を意図している。
一方、成膜時において、膜材料の侵入を防止するためには、搬出入用の開口部３２の幅ｗは、ガラス基板１０の厚さｔ1および搬出入用のアーム４０の厚さｔ2の和＋１０ｍｍ以下が好ましく、ｔ1およびｔ2の和＋８ｍｍ以下がより好ましく、ｔ1およびｔ2の和＋６ｍｍ以下がさらに好ましい。
一方、成膜時において、膜材料の侵入を防止するためには、搬出入用の開口部３２の幅ｗは、ガラス基板１０の厚さｔ1および搬出入用のアーム４０の厚さｔ2の和＋１０ｍｍ以下が好ましく、ｔ1およびｔ2の和＋８ｍｍ以下がより好ましく、ｔ1およびｔ2の和＋６ｍｍ以下がさらに好ましい。
図１に示す成膜時の位置において、搬出入用の開口部３２の上端は基板保持部２０の上端よりも下方に位置している。成膜時の位置において、搬出入用の開口部３２の上端は基板保持部２０の上端よりも上方に位置していると、開口部３２から侵入した膜材料が基板保持部２０に保持されるガラス基板１０や、該基板保持部２０の上端付近、すなわち、基板保持部２０の基板保持面やその周辺に付着するおそれがある。
図１に示す成膜時の位置において、搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2は、０．５ｍｍ以上が好ましく、２ｍｍ以上がより好ましく、３ｍｍ以上がさらに好ましい。
なお、上述したように、図２に示す搬出入時の位置において、遮蔽部３０の下端は基板保持部２０の上端よりも下方に位置しているので、遮蔽部３０を基板保持部２０に対して下方向に移動させた図１に示す成膜時の位置では、遮蔽部３０の下端は基板保持部２０の上端よりも下方に位置している。
また、図１に示す成膜時の位置における遮蔽部３０の下端と基板保持部２０の上端との距離は、上述した図２に示す搬出入時の位置における遮蔽部３０の下端と基板保持部２０の上端との距離ｄ1よりも大きくなる。
図１に示す成膜時の位置において、搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2は、０．５ｍｍ以上が好ましく、２ｍｍ以上がより好ましく、３ｍｍ以上がさらに好ましい。
なお、上述したように、図２に示す搬出入時の位置において、遮蔽部３０の下端は基板保持部２０の上端よりも下方に位置しているので、遮蔽部３０を基板保持部２０に対して下方向に移動させた図１に示す成膜時の位置では、遮蔽部３０の下端は基板保持部２０の上端よりも下方に位置している。
また、図１に示す成膜時の位置における遮蔽部３０の下端と基板保持部２０の上端との距離は、上述した図２に示す搬出入時の位置における遮蔽部３０の下端と基板保持部２０の上端との距離ｄ1よりも大きくなる。
成膜時における膜材料の侵入を防止するために、搬出入用の開口部３２は、開閉可能なシャッターを有することが好ましい。この場合、図１に示す成膜時の位置では、シャッターを閉じておき、図２に示す搬出入時の位置では、シャッターを開くこととなる。
また、成膜時における膜材料の侵入や、開口部３２周辺への膜材料の付着を防止するために、開口部３２の上方にひさし状の構造物を設けてもよい。
また、成膜時における膜材料の侵入や、開口部３２周辺への膜材料の付着を防止するために、開口部３２の上方にひさし状の構造物を設けてもよい。
成膜面１１の外縁部の成膜を最小限に抑えるために、図１に示す成膜時の位置において、遮蔽部３０と、ガラス基板１１の側面と、の距離ｄ3、ガラス基板１０の成膜面１１と、遮蔽部３０と、の間隔ｄ4、および、遮蔽部３０で覆われるガラス基板１０の成膜面１１の外縁部の長さｌは、それぞれ以下に述べる条件を満たすことが好ましい。
図１に示す成膜時の位置において、遮蔽部３０と、ガラス基板１１の側面と、の距離ｄ3は１〜１０ｍｍが好ましい。
遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3が１ｍｍ未満の場合、両者の間隔が小さすぎるため、成膜時において、ガラス基板１０の側面が遮蔽部３０に接触して、該側面が損傷し異物が発生するおそれがある。
一方、遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3が１０ｍｍ超の場合、両者の間隔が大きすぎるため、ガラス基板１０の側面側への膜材料の廻り込みが起こり、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着するおそれがある。
遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3が１ｍｍ未満の場合、両者の間隔が小さすぎるため、成膜時において、ガラス基板１０の側面が遮蔽部３０に接触して、該側面が損傷し異物が発生するおそれがある。
一方、遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3が１０ｍｍ超の場合、両者の間隔が大きすぎるため、ガラス基板１０の側面側への膜材料の廻り込みが起こり、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着するおそれがある。
また、遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3が１０ｍｍ超の場合、遮蔽部３０の外径が大きくなるため、スパッタリング装置内への設置が困難となる。
遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3は１．５ｍｍ以上がより好ましい。
遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3は１．５ｍｍ以上がより好ましい。
図１に示す成膜時の位置において、ガラス基板１０の成膜面１１と、遮蔽部３０と、の間隔ｄ4は、１〜８ｍｍが好ましい。
ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が１ｍｍ未満の場合、両者の間隔が小さすぎるため、成膜時において、成膜面１１に遮蔽部３０が接触して、成膜面１１を損傷するおそれがある。
また、遮蔽部３０に付着していた膜材料が、ガラス基板１０の成膜面１１の側に付着することによって、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着を生じたり、製造されるＥＵＶマスクブランクに欠陥を生じさせるおそれがある。
一方、ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が８ｍｍ超の場合、両者の間隔が大きすぎるため、成膜面１１の外縁部への成膜を最小限に抑えられず、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着を抑制できないおそれがある。また、成膜面の外縁部に面取り部やノッチマークが設けられている場合、面取り部やノッチマークへの成膜を抑制できないおそれがある。
ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4は２〜５ｍｍがより好ましい。
ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が１ｍｍ未満の場合、両者の間隔が小さすぎるため、成膜時において、成膜面１１に遮蔽部３０が接触して、成膜面１１を損傷するおそれがある。
また、遮蔽部３０に付着していた膜材料が、ガラス基板１０の成膜面１１の側に付着することによって、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着を生じたり、製造されるＥＵＶマスクブランクに欠陥を生じさせるおそれがある。
一方、ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が８ｍｍ超の場合、両者の間隔が大きすぎるため、成膜面１１の外縁部への成膜を最小限に抑えられず、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着を抑制できないおそれがある。また、成膜面の外縁部に面取り部やノッチマークが設けられている場合、面取り部やノッチマークへの成膜を抑制できないおそれがある。
ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4は２〜５ｍｍがより好ましい。
図１に示す成膜時の位置において、遮蔽部３０で覆われるガラス基板１０の成膜面１１の外縁部の長さｌ（成膜面遮蔽長）は、１〜９ｍｍが好ましい。
成膜面遮蔽長ｌが１ｍｍ未満だと、成膜面１１の外縁部への成膜を最小限に抑えられず、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着を抑制できないおそれがある。また、成膜面の外縁部に面取り部やノッチマークが設けられている場合、面取り部やノッチマークへの成膜を抑制できないおそれがある。
成膜面遮蔽長ｌが９ｍｍ超だと、製造後のＥＵＶマスクブランクにおいて、レジスト膜が形成される領域付近まで遮蔽部３０で覆われるため、ガラス基板１０の成膜面１１上への反射層および吸収層の成膜に影響を及ぼし、製造されるＥＵＶマスクブランクの特性、例えば、ＥＵＶ光線反射率の低下、ＥＵＶ反射率分布の不均質化等を引き起こすおそれがある。
成膜面遮蔽長ｌは３〜７ｍｍがより好ましく、４〜６ｍｍがさらに好ましい。
成膜面遮蔽長ｌが１ｍｍ未満だと、成膜面１１の外縁部への成膜を最小限に抑えられず、ガラス基板１０の側面への膜材料の付着を抑制できないおそれがある。また、成膜面の外縁部に面取り部やノッチマークが設けられている場合、面取り部やノッチマークへの成膜を抑制できないおそれがある。
成膜面遮蔽長ｌが９ｍｍ超だと、製造後のＥＵＶマスクブランクにおいて、レジスト膜が形成される領域付近まで遮蔽部３０で覆われるため、ガラス基板１０の成膜面１１上への反射層および吸収層の成膜に影響を及ぼし、製造されるＥＵＶマスクブランクの特性、例えば、ＥＵＶ光線反射率の低下、ＥＵＶ反射率分布の不均質化等を引き起こすおそれがある。
成膜面遮蔽長ｌは３〜７ｍｍがより好ましく、４〜６ｍｍがさらに好ましい。
また、図１に示す成膜時の位置において、ガラス基板１０の成膜面１１と、該成膜面１１と対向する遮蔽部３０の面と、が平行であることが好ましい。なお、ここでいうガラス基板１０の成膜面１１とは、成膜面の外縁部に面取り部やノッチマークが設けられている場合は、これらを除いたいわゆる主面を指す。
特許文献３に記載の方法では、基板のうち、面取り部を主として遮蔽するために、遮蔽板の下面が面取り部の上面（面取り面）と平行になっているが、このような形状の遮蔽板を使用した場合、遮蔽板と重なる面取り部の面積は非常に小さいため、ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が上述した条件を満たすような位置制御が困難になる。
これに対し、ガラス基板１０の成膜面１１と、該成膜面１１と対向する遮蔽部３０の面と、が平行である場合は、上記のような問題を生じるおそれがない。
特許文献３に記載の方法では、基板のうち、面取り部を主として遮蔽するために、遮蔽板の下面が面取り部の上面（面取り面）と平行になっているが、このような形状の遮蔽板を使用した場合、遮蔽板と重なる面取り部の面積は非常に小さいため、ガラス基板１０の成膜面１１と遮蔽部３０との間隔ｄ4が上述した条件を満たすような位置制御が困難になる。
これに対し、ガラス基板１０の成膜面１１と、該成膜面１１と対向する遮蔽部３０の面と、が平行である場合は、上記のような問題を生じるおそれがない。
図１に示す成膜時の位置において、遮蔽部３０は形状変化しないことが望ましい。遮蔽部３０が形状変化すると、上述した遮蔽部３０とガラス基板１０との位置関係が変化するからである。
また、図１に示す成膜時の位置と、図２に示す搬出入時の位置と、の間で、遮蔽部３０を上下方向に移動する際においても、遮蔽部３０が形状変化すると、遮蔽部３０に付着した膜材料が剥離する原因となることからも望ましくない。
これらの理由から、遮蔽部３０として用いられる材料は、剛性が高く、熱膨張係数が小さい金属材料で作製されていることが好ましい。
また、使用する遮蔽部３０として用いられる材料は、取扱い性の観点から軽量であることが望ましい。
また、使用する遮蔽部３０として用いられる材料は、該遮蔽部３０に付着した膜材料が剥離しにくくするために、例えば溶射やブラスト処理などにより、表面粗さ加工ができるような材料が望ましい。
これらの理由から、遮蔽部３０として用いられる材料は、５０００番台のアルミニウム、チタン、ステンレス等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料で作製されていることが好ましい。これらの中でも、アルミニウムやステンレスが安価であることから、より好ましい。
また、図１に示す成膜時の位置と、図２に示す搬出入時の位置と、の間で、遮蔽部３０を上下方向に移動する際においても、遮蔽部３０が形状変化すると、遮蔽部３０に付着した膜材料が剥離する原因となることからも望ましくない。
これらの理由から、遮蔽部３０として用いられる材料は、剛性が高く、熱膨張係数が小さい金属材料で作製されていることが好ましい。
また、使用する遮蔽部３０として用いられる材料は、取扱い性の観点から軽量であることが望ましい。
また、使用する遮蔽部３０として用いられる材料は、該遮蔽部３０に付着した膜材料が剥離しにくくするために、例えば溶射やブラスト処理などにより、表面粗さ加工ができるような材料が望ましい。
これらの理由から、遮蔽部３０として用いられる材料は、５０００番台のアルミニウム、チタン、ステンレス等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料で作製されていることが好ましい。これらの中でも、アルミニウムやステンレスが安価であることから、より好ましい。
次に、ＥＵＶマスクブランクの製造に用いるガラス基板１０や、ガラス基板１０の成膜面上に成膜する反射層および吸収層等について説明する。
ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、低熱膨張係数を有することが求められる。
具体的には、２２℃における熱膨張係数が０±０．１×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．０５×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）である。このため、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板には、低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスや、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラス等が用いられる。
また、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、平滑性および平坦度に優れることが要求される。具体的には、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および高転写精度が得られるために好ましい。
また、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、マスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れることが要求される。
ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。
具体的には、２２℃における熱膨張係数が０±０．１×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．０５×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）である。このため、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板には、低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスや、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラス等が用いられる。
また、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、平滑性および平坦度に優れることが要求される。具体的には、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および高転写精度が得られるために好ましい。
また、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、マスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れることが要求される。
ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。
ＥＵＶマスクブランクの反射層に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。なお、反射層の上に保護層を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
反射層としては、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｓｉが広く使用され、低屈折率層にはＭｏが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いられる。
多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および多層反射膜に要求されるＥＵＶ波長域のピーク反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ波長域のピーク反射率が６０％以上の多層反射膜とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層と、を繰り返し単位数が３０〜６０になるようにこの順に積層させればよい。
なお、多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて所望の膜厚になるように成膜する。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を成膜する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで膜厚２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜し、次にターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで膜厚４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ膜およびＳｉ膜を３０〜６０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
反射層が多層反射膜の場合、該多層反射膜の表面が酸化されるのを防止するため、その多層反射膜の最上層を酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示できる。反射層をなす多層反射膜がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍが好ましい。
吸収層に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が、０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましく、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
このような吸収層としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有するもの（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
Ｂの含有率 １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率 １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ） ８：１〜１：１
Ｔａの含有率 好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率 好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましく、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
このような吸収層としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有するもの（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
Ｂの含有率 １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率 １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ） ８：１〜１：１
Ｔａの含有率 好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率 好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
上記組成の吸収層は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
上記組成の吸収層は、表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下である。吸収層表面の表面粗さが大きいと、吸収層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層表面は平滑であることが要求される。
吸収層表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
上記組成の吸収層は、表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下である。吸収層表面の表面粗さが大きいと、吸収層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収層表面は平滑であることが要求される。
吸収層表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、吸収層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収層表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
吸収層は、上記の構成により、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際のエッチング速度が速く、反射層（反射層上にバッファ層が形成されている場合はバッファ層）とのエッチング選択比は１０以上を示す。本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。
エッチング選択比
＝（吸収層のエッチング速度）／（反射層（反射層上にバッファ層が形成されている場合はバッファ層）のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上が好ましく、１２以上がさらにより好ましい。
エッチング選択比
＝（吸収層のエッチング速度）／（反射層（反射層上にバッファ層が形成されている場合はバッファ層）のエッチング速度）
エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上が好ましく、１２以上がさらにより好ましい。
吸収層の厚さは、５０〜１００ｎｍが好ましい。上記した構成の吸収層は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といたスパッタリング法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で吸収層を成膜できる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層を成膜する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させて吸収層を成膜する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させて吸収層を成膜する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節して、成膜する吸収層の組成を制御できる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層を成膜する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させて吸収層を成膜する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させて吸収層を成膜する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節して、成膜する吸収層の組成を制御できる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
上記例示した方法で吸収層を成膜するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＥＵＶマスクブランクを製造する場合、反射層および吸収層以外の各種機能層を成膜してもよい。このような機能層の具体例としては、パターニングの際に反射層がダメージを受けるのを防止する目的で反射層と吸収層との間に必要に応じて成膜するバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層上に必要に応じて成膜する低反射層（マスクパターンの検査光の波長域における低反射層）等が挙げられる。
バッファ層は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収層にパターン形成する際に、反射層がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層を保護することを目的として設けられる。したがって保護層の材質としては、吸収層のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＡｌ及びその窒化物、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ及びＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）およびＳｉＯ2が好ましい。
また、バッファ層中には、ＴａおよびＣｒを含まないことが、膜応力が大きくなるのを防ぐという理由で好ましい。保護層中のＴａ、Ｃｒの含有率は、それぞれ５ａｔ％以下、特に３ａｔ％以下が好ましく、さらにはＴａおよびＣｒを含まないことが好ましい。
バッファ層の厚さは１〜６０ｎｍ、特に１〜１０ｎｍが好ましい。
また、バッファ層中には、ＴａおよびＣｒを含まないことが、膜応力が大きくなるのを防ぐという理由で好ましい。保護層中のＴａ、Ｃｒの含有率は、それぞれ５ａｔ％以下、特に３ａｔ％以下が好ましく、さらにはＴａおよびＣｒを含まないことが好ましい。
バッファ層の厚さは１〜６０ｎｍ、特に１〜１０ｎｍが好ましい。
バッファ層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-1Ｐａ）を使用して投入電圧３０Ｖ〜１５００Ｖ、成膜速度０．０２〜１．０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）である。したがって、検査光の波長に対する反射層表面（または反射層上に形成されたバッファ層表面）と吸収層表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
吸収層の好適例として上述したＴａＢＳｉＮ膜は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランクの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長域について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長域での吸収層表面の反射率と反射層表面（または反射層上に成膜したバッファ層表面）の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
吸収層上に検査光の波長域における低反射層を成膜することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長域における光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層は、該低反射層表面に検査光の波長域の光線を照射した際に、該検査光の波長域における最大光線反射率が、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
検査光の波長域における最大光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、反射層表面（または反射層上に成膜したバッファ層表面）での反射光（検査光の波長域における反射光）と、低反射層表面での反射光（検査光の波長域における反射光）と、のコントラストが、４０％以上となる。
吸収層上に検査光の波長域における低反射層を成膜することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長域における光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層は、該低反射層表面に検査光の波長域の光線を照射した際に、該検査光の波長域における最大光線反射率が、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
検査光の波長域における最大光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、反射層表面（または反射層上に成膜したバッファ層表面）での反射光（検査光の波長域における反射光）と、低反射層表面での反射光（検査光の波長域における反射光）と、のコントラストが、４０％以上となる。
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求められる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、Ｒ2は反射層表面（または反射層上に成膜したバッファ層表面）での反射率（検査光の波長における反射率）であり、Ｒ1は低反射層表面での反射率（検査光の波長における反射率）である。
本発明において、上記式で表されるコントラストは、４５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、８０％以上が特に好ましい。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、Ｒ2は反射層表面（または反射層上に成膜したバッファ層表面）での反射率（検査光の波長における反射率）であり、Ｒ1は低反射層表面での反射率（検査光の波長における反射率）である。
本発明において、上記式で表されるコントラストは、４５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、８０％以上が特に好ましい。
低反射層は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層よりも低い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
このような低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび酸素（Ｏ）を以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯ））が挙げられる。
Ｂの含有率 １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率 １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏ） ７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
このような低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび酸素（Ｏ）を以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯ））が挙げられる。
Ｂの含有率 １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率 １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏ） ７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
また、低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＮを以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ））が挙げられる。
Ｂの含有率 １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは２〜４．０ａｔ％
Ｓｉの含有率 １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎ）） ７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
Ｂの含有率 １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは２〜４．０ａｔ％
Ｓｉの含有率 １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎ）） ７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、上記の構成により、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収層表面は平滑であることが要求される。低反射層は、吸収層上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
低反射層表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、低反射層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収層表面は平滑であることが要求される。低反射層は、吸収層上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。
低反射層表面の表面粗さが０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であれば、低反射層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層表面の表面粗さは０．４ｎｍ ｒｍｓ以下がより好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓ以下がさらに好ましい。
吸収層上に低反射層を成膜する場合、吸収層と低反射層との合計厚さ、５５〜１３０ｎｍが好ましい。また、低反射層の厚さが吸収層の厚さよりも大きいと、吸収層でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層の厚さは吸収層の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層の厚さは５〜３０ｎｍが好ましく、１０〜２０ｎｍがより好ましい。
低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて成膜でき、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜できる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させて低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で同時放電させて低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で放電させて低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、成膜する低反射層（ＴａＢＳｉＯ）の組成を制御できる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を成膜する場合、アルゴンで希釈した酸素雰囲気の代わりにアルゴンで希釈した酸素・窒素混合ガス雰囲気で、上記と同様の手順を実施すればよい。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させて低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で同時放電させて低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で放電させて低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、成膜する低反射層（ＴａＢＳｉＯ）の組成を制御できる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を成膜する場合、アルゴンで希釈した酸素雰囲気の代わりにアルゴンで希釈した酸素・窒素混合ガス雰囲気で、上記と同様の手順を実施すればよい。
上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を成膜するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を成膜するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０体積％、Ｎ2ガス濃度５〜３０体積％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５体積％、Ｎ2ガス濃度６〜２５体積％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０体積％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５体積％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０体積％、Ｎ2ガス濃度５〜３０体積％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５体積％、Ｎ2ガス濃度６〜２５体積％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０体積％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５体積％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０体積％、Ｎ2ガス濃度５〜３０体積％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５体積％、Ｎ2ガス濃度６〜２５体積％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０体積％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５体積％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０体積％、Ｎ2ガス濃度５〜３０体積％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５体積％、Ｎ2ガス濃度６〜２５体積％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０体積％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５体積％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｓｅｃ
なお、吸収層上に低反射層を成膜することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層上に低反射層を成膜する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層上に低反射層を成膜する必要はないと考えられる。
本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクは、反射層および吸収層、ならびに必要に応じて形成されるバッファ層および低反射層以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、基板保持部２０として静電チャック機構を用いる場合に、ガラス基板１０の裏面１２の側に形成される導電膜が挙げられる。裏面１２の側に導電膜が形成されていないガラス基板を静電チャック機構により、直接吸着保持することも可能である。しかしながら、絶縁物で誘電体であるガラス基板を静電チャック機構で直接吸着保持した場合、高電圧を印加する必要があることから、ガラス基板が絶縁破壊するおそれがある。このため、基板保持部２０として静電チャック機構を用いる場合、ガラス基板１０の裏面１２の側には導電膜を形成することが好ましい。
ガラス基板１０の裏面１２の側に導電膜を形成する場合、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電膜の構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。但し、導電膜表面の表面粗さが小さいことからチャック面との密着性に優れること、および、導電膜のシート抵抗が低く、チャック力に優れることから、導電膜としてＣｒＮ膜を形成することが好ましい。
導電膜の厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。
導電膜は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
導電膜の厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。
導電膜は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
上述したように、ＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶマスクブランクの前駆体として、あるいは、ＥＵＶミラーとして、用いられる。
ＥＵＶＬ用反射層付基板は、上述した構成のＥＵＶマスクブランクの吸収層を成膜する前の状態に相当し、ガラス基板の成膜面上に少なくとも反射層を成膜したものである。本発明におけるＥＵＶＬ用反射層付基板には、ガラス基板の成膜面上に反射層のみを成膜したものに加えて、該反射層としての多層反射膜の最上層をキャップ層としたものや、該反射層上にバッファ層を成膜したものも含まれる。また、ガラス基板の裏面側に導電膜を形成したものも含まれる。
上述したように、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法では、上述した所定の基板保持部、遮蔽部および搬出入用のアームを有するスパッタリング装置を用いて、ガラス基板の成膜面上に反射層を少なくとも成膜する。本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の場合、搬出入用のアームは、ガラス基板の搬入、または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出に用いられる。本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の場合、図２に示す搬出入時の位置において、搬出入用の開口部の上端が、ガラス基板の上端または製造後の反射層付基板の上端よりも上方に位置している。
また、後述する本発明のＥＵＶマスクブランクによる効果の記載中、製造後のＥＵＶマスクブランクと記載されている個所は、製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板と読み替える。
ＥＵＶＬ用反射層付基板は、上述した構成のＥＵＶマスクブランクの吸収層を成膜する前の状態に相当し、ガラス基板の成膜面上に少なくとも反射層を成膜したものである。本発明におけるＥＵＶＬ用反射層付基板には、ガラス基板の成膜面上に反射層のみを成膜したものに加えて、該反射層としての多層反射膜の最上層をキャップ層としたものや、該反射層上にバッファ層を成膜したものも含まれる。また、ガラス基板の裏面側に導電膜を形成したものも含まれる。
上述したように、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法では、上述した所定の基板保持部、遮蔽部および搬出入用のアームを有するスパッタリング装置を用いて、ガラス基板の成膜面上に反射層を少なくとも成膜する。本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の場合、搬出入用のアームは、ガラス基板の搬入、または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出に用いられる。本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法の場合、図２に示す搬出入時の位置において、搬出入用の開口部の上端が、ガラス基板の上端または製造後の反射層付基板の上端よりも上方に位置している。
また、後述する本発明のＥＵＶマスクブランクによる効果の記載中、製造後のＥＵＶマスクブランクと記載されている個所は、製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板と読み替える。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、製造後のＥＵＶマスクブランクの搬出時において、遮蔽部３０から剥離した膜材料が、製造後のＥＵＶマスクブランクや、基板保持部２０の基板保持面やその周辺へ付着することを抑制できる。
ガラス基板１０の搬入時あるいは製造後のＥＵＶマスクブランクの搬出時において、ガラス基板１０あるいは製造後のＥＵＶマスクブランクが搬出入用の開口部３２に接触したり、該開口部３２周辺に付着した膜材料がガラス基板１０あるいは製造後のＥＵＶマスクブランクに付着することが防止されている。
また、成膜時において、搬出入用の開口部３２から侵入した膜材料が基板保持部２０に保持されるガラス基板１０や基板保持部２０の基板保持面やその周辺に付着することを抑制できる。
基板保持部２０の基板保持面やその周辺へ膜材料が付着した場合、該基板保持部２０によって保持されるガラス基板に転写されるおそれがある。特に、同一の基板保持部２０を用いて、ＥＵＶマスクブランクを複数製造する場合は、ＥＵＶマスクブランクの製造過程で該基板保持部２０に蓄積された膜材料がガラス基板に転写されるおそれがあるので問題となる。本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、このような問題が解消される。
ガラス基板１０の搬入時あるいは製造後のＥＵＶマスクブランクの搬出時において、ガラス基板１０あるいは製造後のＥＵＶマスクブランクが搬出入用の開口部３２に接触したり、該開口部３２周辺に付着した膜材料がガラス基板１０あるいは製造後のＥＵＶマスクブランクに付着することが防止されている。
また、成膜時において、搬出入用の開口部３２から侵入した膜材料が基板保持部２０に保持されるガラス基板１０や基板保持部２０の基板保持面やその周辺に付着することを抑制できる。
基板保持部２０の基板保持面やその周辺へ膜材料が付着した場合、該基板保持部２０によって保持されるガラス基板に転写されるおそれがある。特に、同一の基板保持部２０を用いて、ＥＵＶマスクブランクを複数製造する場合は、ＥＵＶマスクブランクの製造過程で該基板保持部２０に蓄積された膜材料がガラス基板に転写されるおそれがあるので問題となる。本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、このような問題が解消される。
また、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、成膜時のガラス基板側面への膜材料の付着を抑制できる。これにより、製造されるＥＵＶマスクブランクは以下に述べる利点を有する。
上述したように、基板保持部２０として静電チャック機構を用いる場合には、ガラス基板１０の裏面１２の側に導電膜が成膜される。ガラス基板１０の成膜面１１には、反射層および吸収層が成膜され、必要に応じてバッファ層および低反射層が成膜される。すなわち、ガラス基板１０の両方の面１１，１２に膜が形成される。このような場合、ガラス基板１０の側面に膜材料が付着すると、ガラス基板１０の両方の面１１，１２に形成された膜間で導通が生じるおそれがある。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、成膜時のガラス基板側面への膜材料の付着を抑制できるので、製造されるＥＵＶマスクブランクにおいて、ガラス基板の両方の面に形成された膜間での導通を防止できる。ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じていないことは、ガラス基板側面のシート抵抗値を測定することで確認できる。本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクは、ガラス基板側面のシート抵抗値が、ガラス基板側面の全ての部位において、１００ＭΩ／□以上が好ましく、３００ＭΩ／□以上より好ましく、５００ＭΩ／□以上がさらに好ましい。
ガラス基板側面のシート抵抗値は、例えば市販の４探針測定器を用いて測定できる。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、成膜時のガラス基板側面への膜材料の付着を抑制できるので、製造されるＥＵＶマスクブランクにおいて、ガラス基板の両方の面に形成された膜間での導通を防止できる。ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じていないことは、ガラス基板側面のシート抵抗値を測定することで確認できる。本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクは、ガラス基板側面のシート抵抗値が、ガラス基板側面の全ての部位において、１００ＭΩ／□以上が好ましく、３００ＭΩ／□以上より好ましく、５００ＭΩ／□以上がさらに好ましい。
ガラス基板側面のシート抵抗値は、例えば市販の４探針測定器を用いて測定できる。
また、成膜時のガラス基板側面への膜材料の付着が抑制されていることは、マスクブランクの製造前後にガラス基板側面の吸光度を測定することによっても確認できる。ガラス基板側面に膜材料が付着すると、ガラス基板側面の吸光度が増加するからである。
膜材料の付着によって、ガラス基板側面の吸光度が増加すると、ガラス基板側面から光学的に基板を検知する自動搬送機構において、ガラス基板の検知が妨げられることがしばしばあるので問題である。
本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクは、下記手順で測定されるマスクブランクの製造前後でのガラス基板側面の吸光度増加量が３５０ｎｍ〜８００ｎｍにわたり０．５以下が好ましく、０．４５以下がより好ましく、０．４以下がさらに好ましい。
吸光度の測定方法
ＥＵＶマスクブランクを所定の寸法に切断し、市販の分光光度計に、基板側面部分が表面になるようにセットし、３５０〜８００ｎｍの反射率を測定して吸光度を計算する。
膜材料の付着によって、ガラス基板側面の吸光度が増加すると、ガラス基板側面から光学的に基板を検知する自動搬送機構において、ガラス基板の検知が妨げられることがしばしばあるので問題である。
本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクは、下記手順で測定されるマスクブランクの製造前後でのガラス基板側面の吸光度増加量が３５０ｎｍ〜８００ｎｍにわたり０．５以下が好ましく、０．４５以下がより好ましく、０．４以下がさらに好ましい。
吸光度の測定方法
ＥＵＶマスクブランクを所定の寸法に切断し、市販の分光光度計に、基板側面部分が表面になるようにセットし、３５０〜８００ｎｍの反射率を測定して吸光度を計算する。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、製造されるＥＵＶマスクブランクの欠陥を抑制できる。
本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクは、市販の欠陥検査装置にて７０ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域１４２ｍｍ角として測定した場合に、７０ｎｍ以上の欠陥数は、３０個以下が好ましく、１０個以下がより好ましく、５個以下がさらに好ましい。
本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランクは、市販の欠陥検査装置にて７０ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域１４２ｍｍ角として測定した場合に、７０ｎｍ以上の欠陥数は、３０個以下が好ましく、１０個以下がより好ましく、５個以下がさらに好ましい。
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。なお、以下に示す実施例および比較例では、ＥＵＶＬ用反射層付基板を作製した。
（実施例１）
実施例１では、ガラス基板１０に対して、図１〜３に示す位置関係となる基板保持部２０、遮蔽部３０、および、搬出入用のアーム４０を有するスパッタリング装置を用いて、以下の手順を実施してＥＵＶＬ用反射層付基板を得た。
ガラス基板１０は、主成分をＳｉＯ2としたゼロ膨張ガラスであり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。ガラス基板１０の寸法は、１５２ｍｍ角であり（Ｌ＝１５２ｍｍ）、厚さｔ1＝６．３５ｍｍである。
基板保持部２０は、静電チャック機構を有しており、該静電チャック機構により、ガラス基板１０は裏面１２の側を吸着保持した。なお、ガラス基板１０の裏面１２の側には、導電膜として、シート抵抗率９０Ω／□、厚さ７０ｎｍの窒化クロム（ＣｒＮ）膜が形成されている。
遮蔽部３０は、５０００番台のアルミニウム合金製であり、ガラス基板１０または基板保持部２０との位置関係は以下のとおりであった。
成膜時の位置（図１）
搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2：３ｍｍ
遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3：２ｍｍ
ガラス基板１０の成膜面１１と、遮蔽部材３０と、の間隔ｄ4：２ｍｍ
成膜面遮蔽長ｌ：２ｍｍ
搬出入時の位置（図２）
遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1：６．５ｍｍ
搬出入用の開口部３２
長さ：１５６ｍｍ
幅ｗ：２０ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）
搬出入用のアーム４０
厚さｔ2：３．５ｍｍ
実施例１では、ガラス基板１０に対して、図１〜３に示す位置関係となる基板保持部２０、遮蔽部３０、および、搬出入用のアーム４０を有するスパッタリング装置を用いて、以下の手順を実施してＥＵＶＬ用反射層付基板を得た。
ガラス基板１０は、主成分をＳｉＯ2としたゼロ膨張ガラスであり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。ガラス基板１０の寸法は、１５２ｍｍ角であり（Ｌ＝１５２ｍｍ）、厚さｔ1＝６．３５ｍｍである。
基板保持部２０は、静電チャック機構を有しており、該静電チャック機構により、ガラス基板１０は裏面１２の側を吸着保持した。なお、ガラス基板１０の裏面１２の側には、導電膜として、シート抵抗率９０Ω／□、厚さ７０ｎｍの窒化クロム（ＣｒＮ）膜が形成されている。
遮蔽部３０は、５０００番台のアルミニウム合金製であり、ガラス基板１０または基板保持部２０との位置関係は以下のとおりであった。
成膜時の位置（図１）
搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2：３ｍｍ
遮蔽部３０と、ガラス基板１０の側面と、の距離ｄ3：２ｍｍ
ガラス基板１０の成膜面１１と、遮蔽部材３０と、の間隔ｄ4：２ｍｍ
成膜面遮蔽長ｌ：２ｍｍ
搬出入時の位置（図２）
遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1：６．５ｍｍ
搬出入用の開口部３２
長さ：１５６ｍｍ
幅ｗ：２０ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）
搬出入用のアーム４０
厚さｔ2：３．５ｍｍ
図１に示す成膜時の位置に保持した状態で、ガラス基板１０の成膜面１１上にイオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを５０周期繰り返すことにより、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層）を成膜することによって、ＥＵＶＬ用反射層付基板を製造した。
Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下のとおりである。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ
Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下のとおりである。
Ｍｏ膜の成膜条件
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
Ｓｉ膜の成膜条件
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ
製造後の反射層付基板は、図２に示す搬出入時の位置において、アーム４０を用いて開口部３２から取り出した。同様の手順で、１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した。その結果、基板保持部２０の上端から２．５ｍｍ以上下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
（実施例２）
成膜時の位置（図１）における搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2を０．５ｍｍとし、搬出入時の位置（図２）における遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1を４ｍｍとした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端よりも下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
成膜時の位置（図１）における搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2を０．５ｍｍとし、搬出入時の位置（図２）における遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1を４ｍｍとした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端よりも下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
（実施例３）
搬出入用の開口部３２の幅ｗを１８ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端よりも下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。成膜材料が付着している部位の範囲は基板保持部２０の高さ方向において、実施例１よりも２ｍｍ狭かった。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
搬出入用の開口部３２の幅ｗを１８ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端よりも下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。成膜材料が付着している部位の範囲は基板保持部２０の高さ方向において、実施例１よりも２ｍｍ狭かった。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
（実施例４）
搬出入用の開口部３２の幅ｗを２５．５ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端から２．５ｍｍ以上下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。成膜材料が付着している部位の範囲は基板保持部２０の高さ方向において、実施例１よりも約１．５倍広かった。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
搬出入用の開口部３２の幅ｗを２５．５ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端から２．５ｍｍ以上下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。成膜材料が付着している部位の範囲は基板保持部２０の高さ方向において、実施例１よりも約１．５倍広かった。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
（比較例１）
成膜時の位置（図１）における搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2を０ｍｍとし、搬出入時の位置（図２）における遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1を３．５ｍｍとした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持面を含んだ基板保持部２０の上端にも成膜材料が付着していることが確認された。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められた。製造後の反射層付基板を目視により確認したところ、膜剥がれにより生じた異物の一部が該反射層付基板に転写されていることが確認された。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
成膜時の位置（図１）における搬出入用の開口部３２の上端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ2を０ｍｍとし、搬出入時の位置（図２）における遮蔽部３０の下端と、基板保持部２０の上端と、の距離ｄ1を３．５ｍｍとした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持面を含んだ基板保持部２０の上端にも成膜材料が付着していることが確認された。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められた。製造後の反射層付基板を目視により確認したところ、膜剥がれにより生じた異物の一部が該反射層付基板に転写されていることが確認された。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
（比較例２）
搬出入用の開口部３２の幅ｗを１７．５ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端よりも下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。成膜材料が付着している部位の範囲は基板保持部２０の高さ方向において、実施例１と同程度であった。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したところ、開口部３２への反射層付基板の接触が認められ、反射層付基板にキズが生じた。
搬出入用の開口部３２の幅ｗを１７．５ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の上端よりも下方にのみ成膜材料が付着していることが確認された。成膜材料が付着している部位の範囲は基板保持部２０の高さ方向において、実施例１と同程度であった。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したが、膜剥がれが認められなかった。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したところ、開口部３２への反射層付基板の接触が認められ、反射層付基板にキズが生じた。
（比較例３）
搬出入用の開口部３２の幅ｗを３４ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の広い範囲に成膜材料が多く付着していることが確認された。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したところ、７０枚を処理するまでは膜剥がれが認められなかったが、１００枚目の時点では膜剥がれが認められた。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
搬出入用の開口部３２の幅ｗを３４ｍｍ（ガラス基板の厚さｔ1とアームの厚さｔ2との合計は１７ｍｍ）とした以外、実施例１と同様の手順を実施した。
１００枚の反射層付基板を製造した後、基板保持部２０への成膜材料の付着をレーザ反射センサによる反射率の変化により確認した結果、基板保持部２０の広い範囲に成膜材料が多く付着していることが確認された。また、当該成膜材料が付着した部位からの膜剥がれの有無を目視により確認したところ、７０枚を処理するまでは膜剥がれが認められなかったが、１００枚目の時点では膜剥がれが認められた。また、製造後の反射層付基板の搬出時において、開口部３２への反射層付基板の接触の有無を目視により確認したが、開口部３２への反射層付基板の接触は認められなかった。
１０：ガラス基板
１１：成膜面
１２：裏面
２０：基板保持部
３０：遮蔽部
３１：開口部（成膜用）
３２：開口部（搬出入用）
４０：搬出入用のアーム
１１：成膜面
１２：裏面
２０：基板保持部
３０：遮蔽部
３１：開口部（成膜用）
３２：開口部（搬出入用）
４０：搬出入用のアーム
Claims (22)
- スパッタリング法により、ガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層を少なくとも成膜するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の裏面側を保持する基板保持部と、前記ガラス基板の側面全周、前記基板保持部の側面全周のうち、該基板保持部の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、前記ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うことができ、かつ、下記（１）〜（７）を満たす遮蔽部と、ガラス基板または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出入用のアームと、を有するスパッタリング装置を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層を少なくとも成膜するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
（１）前記遮蔽部は、ガラス基板またはＥＵＶＬ用反射層付基板の搬出入用の開口部を、前記ガラス基板の側面と対向する側の面に有する。
（２）前記遮蔽部は、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を、上下方向に移動可能である。
（３）前記搬出入時の位置において、前記遮蔽部の下端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（４）前記遮蔽部は、前記成膜時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（５）前記遮蔽部は、前記搬出入時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が、前記ガラス基板の上端または製造後のＥＵＶＬ用反射層付基板の上端よりも上方に位置し、前記搬出入用の開口部の下端が、前記搬出入用のアームの下端よりも下方に位置する。
（６）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さよりも０．５ｍｍ以上長い。
（７）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和よりも０．５ｍｍ以上大きい。 - 前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さ＋５ｍｍ以下である、請求項１に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和＋１０ｍｍ以下である、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記搬出入用の開口部が開閉可能なシャッター機構を有する、請求項１〜３のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記成膜時の位置における前記搬出入用の開口部の上端が、前記基板保持部の上端よりも０．５ｍｍ以上下方に位置する請求項１〜４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射膜付基板の製造方法。
- 前記成膜時の位置における前記遮蔽部と、前記ガラス基板の側面と、の距離が１〜１０ｍｍである、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記成膜時の位置において、前記遮蔽部で覆われる前記ガラス基板の成膜面の外縁部の長さが１〜９ｍｍである、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記成膜時の位置において、前記遮蔽部と、前記ガラス基板の成膜面と、の間隔が１〜８ｍｍである、請求項１〜７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 前記基板保持部が、静電チャック機構を有する、請求項１〜８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 製造されるＥＵＶＬ用反射層付基板において、前記ガラス基板側面のシート抵抗値が前記ガラス基板側面の全ての部位において１００ＭΩ／□以上である請求項１〜９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- 製造されるＥＵＶＬ用反射層付基板において、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造前後での前記ガラス基板側面の吸光度増加量が３５０ｎｍ〜８００ｎｍにわたり０．５以下である請求項１〜１０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
- スパッタリング法により、ガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に成膜するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記ガラス基板の裏面側を保持する基板保持部と、前記ガラス基板の側面全周、前記基板保持部の側面全周のうち、該基板保持部の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、前記ガラス基板の成膜面の外縁部を覆うことができ、かつ、下記（１）〜（７）を満たす遮蔽部と、ガラス基板または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有するスパッタリング装置を用いて、前記ガラス基板上に前記反射層および前記吸収層を少なくともこの順に成膜するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
（１）前記遮蔽部は、ガラス基板またはＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用の開口部を、前記ガラス基板の側面と対向する側の面に有する。
（２）前記遮蔽部は、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を、上下方向に移動可能である。
（３）前記搬出入時の位置において、前記遮蔽部の下端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（４）前記遮蔽部は、前記成膜時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が前記基板保持部の上端よりも下方に位置する。
（５）前記遮蔽部は、前記搬出入時の位置において、前記搬出入用の開口部の上端が、前記ガラス基板の上端または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの上端よりも上方に位置し、前記搬出入用の開口部の下端が、前記搬出入用のアームの下端よりも下方に位置する。
（６）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さよりも０．５ｍｍ以上長い。
（７）前記遮蔽部は、前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和よりも０．５ｍｍ以上大きい。 - 前記搬出入用の開口部の長さが、前記ガラス基板の長さ＋５ｍｍ以下である、請求項１２に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記搬出入用の開口部の幅が、前記ガラス基板および前記搬出入用のアームの厚さの和＋１０ｍｍ以下である、請求項１２または１３に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記搬出入用の開口部が開閉可能なシャッター機構を有する、請求項１２〜１４のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記成膜時の位置における前記搬出入用の開口部の上端が、前記基板保持部の上端よりも０．５ｍｍ以上下方に位置する請求項１２〜１５のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記成膜時の位置における前記遮蔽部と、前記ガラス基板の側面と、の距離が１〜１０ｍｍである、請求項１２〜１６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記成膜時の位置において、前記遮蔽部で覆われる前記ガラス基板の成膜面の外縁部の長さが１〜９ｍｍである、請求項１２〜１７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記成膜時の位置において、前記遮蔽部と、前記ガラス基板の成膜面と、の間隔が１〜８ｍｍである、請求項１２〜１８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基板保持部が、静電チャック機構を有する、請求項１２〜１９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクにおいて、前記ガラス基板側面のシート抵抗値が前記ガラス基板側面の全ての部位において１００ＭΩ／□以上である請求項１２〜２０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 製造されるＥＵＶＬ用反射型マスクブランクにおいて、マスクブランクの製造前後での前記ガラス基板側面の吸光度増加量が３５０ｎｍ〜８００ｎｍにわたり０．５以下である請求項１２〜２１のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
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