TWI479256B - 製造空白光罩及轉印光罩之方法 - Google Patents

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Description

製造空白光罩及轉印光罩之方法
本申請書係基於2007年11月5日所申請的日本專利申請案JP 2007-287272，並主張其優先權之權益，其揭露內容將以參考方式完整併入本文。
本發明係關於用於製造半導體裝置、顯示裝置(顯示面板)等之空白光罩和轉印光罩的製造方法。
半導體裝置等之微型化在造成性能和功能(較高速的運轉、較低的電力消耗等)改善及成本降低方面相當有幫助，因此已經愈來愈快速的發展。微影技術已持續用來支持這種微型化趨勢的發展，並且除了曝光設備及光阻材料之外，轉印光罩是一項關鍵技術。
近年來，已將解析度增進技術(RET)利用於光罩用途，例如相位移技術。相位移光罩是一種能利用移相器所造成的光干涉來改善轉移圖案之解析度的光罩。
一般而言，光微影係藉由半導體基板微加工的縮小投影曝光來進行的，並且轉印光罩的圖案大小約為半導體基板上所形成圖案大小的四倍。然而，依照45nm DRAM和更小之半節距的半導體設計準則的光微影技術中，光罩上的線路圖案尺寸會比曝光的波長要小。因此，如果使用以根據電路圖案設計所形成之轉印光罩來進行縮小投影曝光，會受到曝光干涉等之影響而無法將與轉印圖案相符的形狀轉移到半導體基板上的光阻膜之上。
在這樣的環境之下，對於利用解析度增進技術的光罩而言，係使用運用了光學鄰近效應之修正技術的OPC光罩等，其藉由光學鄰近效應修正(OPC)降低了轉印的特質(日本未經審查的專利申請公開案(JP-A)H08-137089號：專利文件1)。舉例來說，必須在OPC光罩上形成具有線路圖案一半或更小尺寸的OPC圖案(例如線寬小於100nm的協助條(assist bar)或鎚頭(hammer head))。
要依照45nm DRAM和更小之半間距(hp)的半導體設計準則來形成細微圖案時，必需使用具有大於1之數值孔徑NA的高-NA(超高-NA)曝光，例如浸式曝光。
浸式曝光是藉由在晶圓和曝光設備最底層透鏡之間填充液體來改善解析度的一種曝光方法，其可使得數值孔徑藉由液體折射率而倍數增加，其倍率係與在折射率為1的空氣中相比。數值孔徑可由NA=n×sinθ來求得，其中θ代表入射到曝光設備最底層透鏡上的最外面部分之光線和光學軸之間所形成的角度，並且n代表晶圓和曝光設備最底層透鏡之間的介質折射率。
然而，已發現有一個問題，亦即藉著使用NA>1的浸式曝光並依照45nm DRAM半節距(以下稱為“hp45nm”)和更小半節距之半導體設計準則來形成細微圖案時，不能得到預期的CD精度。
其原因之一是空白光罩帶電所造成的影響，這將在下文中敘述。
隨著光罩圖案微型化的發展，對於光罩製作精度的要求也變得愈來愈嚴格。
特別是在hp45nm和更小的例子中，隨著光罩圖案進一步的微型化，對於光罩製作精度的要求也會更嚴格，而使得光罩的製作變得困難。在決定光罩製作精度的因素中，光阻解析度是被想到的因素之一。在依照hp45nm和更小半節距來製作光罩形成光阻圖案時，係進行能夠高度準確寫入的電子束(EB)寫入，因為圖案是微型化且複雜的。在利用EB寫入來形成光阻圖案時，會引發帶電的問題(請參閱專利文件1)。這個問題是，在光阻圖案以EB寫入的期間，在光阻下方的膜會帶電並且影響到光阻的解析度。在EB寫入時，必需有例如降低空白光罩之表面電阻的措施，以避免帶電。
一般空白光罩的層狀結構是基板/遮光膜/光阻的積層板，並且放置在EB寫入儀器平台上之空白光罩的接地通常是在基板的側表面或是轉角表面進行(那一個表面用來接地係由寫入儀器的類型來決定)。為了有效接地，基板末端表面(代表基板的側表面和轉角表面；同樣的定義也適用於以下的敘述)的結構係使得Cr膜(遮光膜)朝向基板的側表面形成(參考第1圖)，並且在基板側表面和轉角表面的光阻被移除(請參考日本未經審查的公開專利(JP-A)2006-184353號：專利文件2)。
另一方面，具有蝕刻光罩(也稱為硬質光罩)之空白光罩的層狀結構為(例如)基板/半色調(halftone)膜/Cr膜/蝕刻光罩膜/光阻的積層板。如果蝕刻光罩膜覆蓋住基板側表面或轉角表面的Cr膜，由於蝕刻光罩膜的表面電阻(片電阻)比Cr膜的表面電阻大，蝕刻光罩膜的表面會在EB寫入期間帶電，以增加對光阻解析度的影響，因此擾亂了細微圖案化。因此，降低了圖案加工的控制能力。於是，為了抑制在EB寫入期間用於形成具有依照hp45nm和更小半節距細微圖案之光罩的蝕刻光罩膜的帶電情形，需要一種能將EB寫入儀器平台上之空白光罩有效接地的措施。
為了使EB寫入儀器平台上之空白光罩能有效地接地，可考慮藉由避免蝕刻光罩膜在接地區域(基板的側表面或轉角表面)中形成來增加Cr膜的曝光面積，亦即避免蝕刻光罩膜在基板的末端表面(側表面或轉角表面)形成。
然而，如果是使用日本未經審查的公開專利(JP-A)2002-90977號(專利文件3)的第2圖中所述的遮蔽板，必需以遮蔽板將基板的主要表面在某種程度上覆蓋住，以避免成膜材料到達基板的末端表面(側表面或轉角表面)而在那些表面上形成蝕刻光罩膜。因此，蝕刻光罩膜的成膜區域被窄化了。於是，引發了另一個問題，由於在主要表面的週邊部分有一塊區域沒有形成蝕刻光罩膜，在這樣的區域中無法形成圖案。特別是如第2圖中所示，在基板1之主要表面的週邊部分形成一個對準標記5，其被用於設定晶圓曝光設備(步進機)中的光罩。如果蝕刻光罩膜3未在基板1主要表面的週邊部分形成，會造成在遮光膜2所形成的對準標記中出現短少(lack)，如果對準標記中的短少很明 顯的話，此光罩將無法在曝光設備中就位。為了避免在對準標記5中出現短少，必需將蝕刻光罩膜3的成膜區域進一步延伸。然而，如果考量在光罩上之對準標記5的位置而企圖延伸蝕刻光罩膜3之成膜區域同時使用專利文件3的第2圖中所述的遮蔽板的話，會有蝕刻光罩膜3在基板1之末端表面形成的問題。
本發明係考量上述問題而提出，並且目的在於提供一種製造空白光罩的方法，和可避免在基板的末端表面形成蝕刻光罩膜之空白光罩，以避免發生帶電，並且還可以延伸蝕刻光罩膜的成膜區域，以避免在對準標記中出現短少。
本發明具有以下結構。
(結構1)一種製造空白光罩之方法，該空白光罩適合以電子束寫入來形成光阻圖案，並且具有遮光膜以及耐遮光膜蝕刻之無機材料的蝕刻光罩膜，其係在透明基板上依此順序形成，其中，當形成蝕刻光罩膜時，使用遮蔽板來進行遮蔽，以避免蝕刻光罩膜在至少一個基板側表面形成。
在此值得注意的是：結構1可能相當於申請專利範圍第1項所陳述之特色。依照本發明結構1，當形成蝕刻光罩膜時，使用遮蔽板來進行遮蔽，以至少避免蝕刻光罩膜在基板側表面形成。因此，在所獲得之空白光罩中，其蝕刻光罩膜不會出現在基板的側表面。對於這種空白光罩而言，由於遮光膜係曝露於基板的側表面，於EB寫入期間，空白光罩可以在基板的側表面有效地接地，而可避免空白光罩帶電，因而降低對光阻解析度之影響。
(結構4)一種空白光罩，其適合以電子束寫入來形成光阻圖案，並且具有遮光膜以及耐遮光膜蝕刻之無機材料的蝕刻光罩膜，其係在透明基板上依此順序形成，
其中，遮光膜是由導電材料所製成，而使得在以電子束寫入圖案的期間，遮光膜不會帶電，並且蝕刻光罩膜不會出現在基板的至少一個側表面。
在此值得注意的是：結構4可能相當於申請專利範圍第4項所陳述之特色。依照本發明結構4，在所獲得之空白光罩中，其蝕刻光罩膜不會出現在基板的側表面。對於這種空白光罩而言，由於遮光膜係曝露於基板的側表面，於EB寫入期間，空白光罩可以在基板的側表面有效地接地，而可避免空白光罩帶電，因而降低對光阻解析度之影響。
(結構2)在上述結構中，蝕刻光罩膜的成膜區域至少為基板側表面的內側和對準標記的外側，以避免在對準標記中出現短少。
在此值得注意的是：結構2可能相當於申請專利範圍第2項所陳述之特色。依照這種結構，除了上述結構的操作和效果之外，可能會延伸蝕刻光罩膜的成膜區域而不會在基板的末端表面(側表面或轉角表面)形成蝕刻光罩膜。因此，除了可避免蝕刻光罩膜帶電之外，也可以好好的形成對準標記，因為蝕刻光罩膜的成膜區域可以被延伸。
在本發明中，當用來使EB寫入儀器平台上之空白光罩接地的部分為基板轉角表面時，較佳係將蝕刻光罩膜的成膜區域延伸至與基板1主要表面最外側B平行之直線B’的位置，並且由B側向內偏移一段既定的距離(參考第1圖)。B和B’之間的距離較佳為2mm或更小，以確實形成對準標記。
在本發明中，當用來使EB寫入儀器平台上之空白光罩接地的部分為基板側表面時，可以將蝕刻光罩膜的成膜區域延伸至與基板1之側表面A平行之直線A’的位置，並且由側表面A向內偏移一段既定的距離(參考第1圖)。A和A’之間的距離較佳為1mm或更小，以確實形成對準標記。
在本發明中，如第1圖所闡釋，蝕刻光罩膜的成膜區域最佳係延伸至主要表面的最外側B(亦即主要表面的末端B或者是主要表面和轉角表面之間的交叉線B)。這種是較佳的型態，因為與可蝕刻光罩膜之成膜區域比這種型態要更窄的情況相比，它可以更確實的形成對準標記。依照這種型態，由於蝕刻光罩膜未在基板的側表面或者是在轉角表面形成，可以在基板的側表面或者是在轉角表面進行接地，因此無論其接地的型態為何，它可以提供可應用於寫入設備的空白光罩。
(結構3)在上述結構中，遮蔽板係由彈性材料所製成，並且可以與基板接觸或者是使其靠近基板的附近來進行遮蔽。
在此值得注意的是：結構3可能相當於申請專利範圍第3項所陳述之特色。依照這種結構，可能會延伸蝕刻光 罩膜的成膜區域而不會在基板的末端表面(側表面或轉角表面)形成蝕刻光罩膜。
在本發明中，可以適當的使用橡膠材料、氟系樹脂(例如鐵氟龍(註冊商標))等來做為彈性材料。
在本發明中，例如，遮蔽板為橡膠材料製成的薄片(類似板狀的構件)並且具有與基板主要表面相同面積的開口，將其對著基板加壓而使其與基板接觸，或者是與基板黏著，因而達成遮蔽的效果。遮蔽板開口的尺寸可以增加或減小，或者是改變形狀。此外，可以藉由使遮蔽板靠近基板附近而在之間有微小隙縫的方式來進行遮蔽。
在本發明中，它可以被配置成：例如使遮蔽板與基板的側表面和轉角表面接觸，或者是使其靠近基板附近而在之間有微小隙縫，因而遮蔽那些部分，同時主要表面的末端B不會被遮蔽板所遮蔽(參考第3圖)。
(結構5)一種製造轉印光罩之方法，其包括：在上述空白光罩中的蝕刻光罩膜上形成一層電子束寫入光阻層；對電子束寫入光阻層施以電子束寫入及顯影，以形成光阻圖案；利用光阻圖案做為光罩來進行蝕刻光罩膜的蝕刻，以將光阻圖案轉印至蝕刻光罩膜上，因而形成蝕刻光罩膜的圖案；以及利用光阻圖案和蝕刻光罩膜的圖案做為光罩來蝕刻遮光膜，或者是利用蝕刻光罩膜的圖案做為光罩而將圖案轉印至遮光膜上，因而形成了遮光膜的圖案。
在此值得注意的是：結構5可能相當於申請專利範圍第5項所陳述之特色。依照本發明的結構5，由於所使用空白光罩中的蝕刻光罩膜並未出現在基板的側表面或轉角表面，亦即空白光罩中的遮光膜曝露於基板的側表面或轉角表面，空白光罩可以於EB寫入期間在基板的側表面有效地接地，而可避免空白光罩帶電，因而降低對光阻解析度之影響。
依照本發明，藉由進行遮蔽以避免蝕刻光罩膜在基板的側表面或轉角表面形成，遮光膜係在該處曝露。
結果使得空白光罩可以於EB寫入期間有效地接地，而可避免空白光罩帶電，因而降低對光阻解析度之影響。除此之外，它可能延伸蝕刻光罩膜的成膜區域而不會在基板的末端表面形成蝕刻光罩膜。因此，除了避免蝕刻光罩膜帶電之外，也可以好好的形成對準標記，因為蝕刻光罩膜的成膜區域可以被延伸。
以下將參考附圖，根據本發明的實施實例加以描述。
第1圖說明了本發明實施實例之空白光罩的一個實例。在這個實例中，空白光罩為二元的空白光罩，並且依序包含透明基板1、遮光膜2、蝕刻光罩膜3和光阻膜4。
可以用含有金屬的金屬膜來製成遮光膜2。至於含有金屬的金屬膜方面，可使用的實例包括由鉻、鉭、鉬、鈦、鉿、鎢、含有上述元素的任何合金，或者是含有上述元素或合金的任何材料(例如除了含有上述元素或合金的任何材料之外，還含有氧、氮、矽或碳其中至少一種元素的膜)所製得之膜。
可以用(例如)單獨由鉻或者是含有鉻及至少一種選自氧、氮、碳或氫的材料(含Cr材料)所製成之膜來製作遮光膜2。遮光膜2可具有由單層或複數層所構成之膜結構，其中的薄層係由上述膜材料所製得。隨著不同的組成，遮光膜2可以是階梯式形成複數層的膜結構，或者是組成連續變化的膜結構。
特殊的遮光膜2係由形態為氮化鉻膜(CrN膜)和碳氮化鉻膜(CrCN膜)的遮光層和形態為含有鉻、氧和氮之膜(CrON膜)的抗反射層所組成的積層膜。氮化鉻膜是主要含有氮化鉻(CrN)之薄層，並且具有厚度為例如10至20nm。碳氮化鉻膜主要含有碳氮化鉻(CrCN)之薄層，並且具有厚度為例如25至60nm。含有鉻、氧和氮之膜(CrON膜)具有的厚度為(例如)15至30nm。
在本發明中，遮光膜2較佳係使用一種導電材料，而可使得在以電子束寫入進行圖案化的期間不會造成電荷累積。
在本發明中，如第1圖中所闡明，遮光膜2係由基板1的主要表面向下沿伸至基板1的側表面或轉角表面而形成。
可以使用例如含有矽的含矽膜來製成蝕刻光罩膜3。至於含矽膜方面，可使用的實例包括矽膜、含有矽和金屬(例如鉻、鉭、鉬、鈦、鉿或鎢)的金屬矽化物膜，或者含有氧、氮或碳其中至少一種元素的膜。至於蝕刻光罩膜3，可以用例如主要含有過渡金屬矽化氧化物、過渡金屬矽化氮化物、過渡金屬矽化氮氧化物、過渡金屬矽化碳氧化物、過渡金屬矽化氮化碳化物、或者是過渡金屬矽化氮氧化碳化物之膜來製成。至於蝕刻光罩膜3，可以用例如鉬系(MoSiON、MoSiN、MoSiO等)膜、鎢系(WSiON、WSiN、WSiO等)膜、矽系(SiN、SiON等)膜、或是鉻系(CrO、CrF等)膜來製成。例如，蝕刻光罩膜3較佳是由MoSiN或SiON所製得。
在本發明中，如第1圖中所闡明，蝕刻光罩膜3的成膜區域最佳係延伸至基板1之主要表面的最外側B(亦即主要表面的末端B或者是主要表面和轉角表面之間的交叉線B)。
空白光罩、相位移空白光罩、反射空白光罩和印記轉印片基板也包括在本發明之空白光罩中。此外，空白光罩也包括具有光阻膜的空白光罩和在形成光阻膜之前的空白光罩。相位移空白光罩可以具有一種結構，其中鉻系或之類材料的遮光膜係形成於半色調膜之上。反射空白光罩可以具有一種結構，其中做為轉印圖案之鉭系材料或鉻系材料的吸收膜係形成於多層反射膜或者是置放於多層反射膜上的緩衝層之上。印記轉印片基板可以具有一種結構，其中用於形成轉印圖案之鉻系或之類材料的薄膜係形成於做為轉印片的底部構件之上。
由用來形成轉印圖案的薄膜和可以承受用來形成轉印圖案之薄膜蝕刻的無機材料之蝕刻光罩膜依序在透明基板上形成之空白光罩係包含在本發明的空白光罩中。在這個例子中，用來形成轉印圖案的薄膜係由導電材料所製得，而可使得它在以電子束寫入進行圖案化的期間不會造成電荷累積。在以「用來形成轉印圖案的薄膜」來取代「遮光膜」的情況下，前述內容亦可適用。
光罩、相位移光罩、反射光罩和印記轉印片係包括在本發明之光罩中。光罩中包括了標線。相位移光罩可具有一種結構，其中的移相器係藉由蝕刻基板而形成。
可做為本發明之基板的實例為合成石英基板、鈉鈣玻璃基板、無鹼玻璃基板、低熱膨脹玻璃基板等。
在本發明中，在乾式蝕刻鉻系薄膜時，較佳係使用乾式蝕刻氣體，如氯系氣體或含有氯系氣體和氧氣的混合氣體。這是因為在利用上述乾燥蝕刻氣體來進行由含有鉻和例如氧或氮等元素材料所製成之鉻系薄膜的蝕刻時，可以提高乾式蝕刻速率並且縮短乾式蝕刻的時間，因而形成具有優越斷面形狀的遮光膜圖案。至於可用來做為乾式蝕刻氣體或是用於其中的氯系氣體之實例為例如Cl2 、SiCl4 、HCl、CCl4 或CHCl3 。
在本發明中，在乾式蝕刻含有矽之含矽膜或金屬矽化物系薄膜時，可使用例如氟系氣體，如SF6 、CF4 、C2 F6 或CHF3 或是其與He、H2 、N2 、Ar、C2 H4 或O2 之混合氣體，或者是氯系氣體，如Cl2 或CH2 Cl2 或是其與He、H2 、N2 、Ar或C2 H4 之混合氣體。
在本發明中，可以用例如含有矽的含矽膜做為相位移膜。至於含矽膜方面，可使用的實例包括矽膜、含有矽和金屬(例如鉻、鉭、鉬、鈦、鉿或鎢)的金屬矽化物膜，或者是在矽膜或金屬矽化物膜中含有氧、氮或碳其中至少一種元素的膜。至於相位移膜，可以用例如主要含有過渡金屬矽化氧化物、過渡金屬矽化氮化物、過渡金屬矽化氮氧化物、過渡金屬矽化碳氧化物、過渡金屬矽化氮化碳化物、或者是過渡金屬矽化氮氧化碳化物之膜來製成。至於相位移膜，可以用例如鉬系(MoSiON、MoSiN、MoSiO等)半色調膜、鎢系(WSiON、WSiN、WSiO等)半色調膜、矽系(SiN、SiON等)半色調膜、或是鉻系(CrO、CrF等)半色調膜來製成。
在相位移膜方面，可以利用例如雙層所構成的半色調膜所製成，亦即用於主要控制曝露光線相位的相位調整層和用於主要控制曝露光線透射率的透射率調整層。
以下將陳述的是本發明之實施例及其比較實施例。
(實施例1和比較實施例1和2) (製作空白光罩)
參考第2圖，將描述根據本發明實施例1之光罩製造方法。
首先，將石英所製成的基板予以鏡面拋光並且接著予以潔淨，而獲得一個6英吋×6英吋×0.25英吋的透光基板1。
接著使用連續式濺鍍設備，其中有複數個鉻(Cr)靶材置放在相同的腔室中，而在透光基板1之上形成了遮光鉻膜2，其係由CrN膜、CrC膜和CrON膜所組成。具體而言，首先在氬(Ar)和氮(N2 )的混合氣體環境(Ar：N2 =72：28[體積%]；壓力：0.3[Pa])中進行反應性濺鍍，因而形成了厚度為15[nm]的CrN膜。接下來，在氬(Ar)和甲烷(CH4 )的混合氣體環境(Ar：CH4 =96.5：3.5[體積%]；壓力：0.3[Pa])中進行反應性濺鍍，因而在CrN膜上形成了厚度為20[nm]的CrC膜。接下來，在氬(Ar)和一氧化氮(NO)的混合氣體環境(Ar：NO=87.5：12.5[體積%]；壓力：0.3[Pa])中進行反應性濺鍍，因而在CrC膜上形成了厚度為20[nm]的CrON膜。上述的CrN膜、CrC膜和CrON膜係利用連續式濺鍍設備連續形成，因此構建出含有CrN、CrC和CrON之遮光鉻膜2，使得這些成分在其厚度方向上連續的改變。
接著，利用鉬(Mo)和矽(Si)的混合靶材(Mo：Si=1：9[原子%])，在氬(Ar)和氮(N2 )的混合氣體環境(Ar：N2 =10：90[體積%]；壓力：0.3[Pa])中進行反應性濺鍍，因而在遮光鉻膜2上形成了厚度為20[nm]的MoSiN系無機蝕刻光罩膜3。
在這種情況下，於實施例1中，蝕刻光罩膜3係將矽橡膠材料所製成之薄片(類似板狀的構件)對著基板1緊密加壓而形成，以遮蔽基板1的側表面和轉角表面，該薄片具有與基板1主要表面相同面積之開口。這使得蝕刻光罩膜3之成膜區域可以延伸至基板1主要表面的最外側B，如第1圖中所示。
另一方面，在比較實施例1和2中，蝕刻光罩膜3係使用專利文件3的第2圖中所示之遮蔽板來形成。然而，當考量到光罩上對準標記的位置而企圖延伸蝕刻光罩膜的成膜區域時，蝕刻光罩膜會形成於基板的側表面或是轉角表面(比較實施例1)。此外，當不打算在基板的側表面或是轉角表面形成蝕刻光罩膜時，蝕刻光罩膜的成膜區域會變窄(例如到B’的內側)(比較實施例2)。
接著，將用於電子束寫入(曝光)的化學增幅正型光阻4(FEP171：由FUJIFILM電子材料公司製造)旋轉塗布於無機蝕刻光罩膜之上，使其厚度達200[nm](參考第1圖)。
依照這種方式，製備出一種空白光罩，其中Cr系材料的遮光鉻膜2、MoSiN系材料的無機蝕刻光罩膜3和光阻膜4係依此順序在透光基板1之上形成。
樣品的薄片電阻係在形成遮光鉻膜2的時期進行量測，所得之數值為120Ω/平方。
此外，在樣品形成蝕刻光罩3的時期亦進行薄片電阻的量測，所得之數值為170Ω/平方。
(製作光罩)
接著，使用JEOL公司製造的JBX9000對光阻膜4施以電子束寫入，接著予以顯影，因而形成了光阻圖案。在這種情況下，於實施例1和比較實施例1和2的每一個實施例中，空白光罩係以其側表面或是轉角表面在EB寫入儀器平台上進行接地。
接著，以光阻圖案做為光罩，使用SF6 和He的混合氣體，在5[毫米汞柱]的壓力下實施主要以離子性進行的乾式蝕刻，以蝕刻無機系蝕刻光罩膜3，因而形成了無機系蝕刻光罩圖案。
接著將光阻圖案移除。之後，只使用無機系蝕刻光罩圖案做為光罩，使用Cl2 和O2 的混合氣體，在3毫米汞柱的壓力下實施主要以自由基進行的乾式蝕刻(其中離子性被儘可能的提高=離子性被提高至離子和自由基變得彼此幾乎相等)，以蝕刻遮光鉻膜2，因而形成了遮光鉻圖案。
接著將無機系蝕刻光罩圖案剝除，接著進行清潔，因而獲得光罩。
(評估)
將所獲得的光罩予以評估。
有關實施例1之光罩，其評估結果為：在光罩製造方法中未觀察到電荷累積的現象，並且沒有觀察到因為帶電所造成CD精度降低的情形。因此，可以確認它能夠精確處理hp45nm光罩的精細圖案。此外，對準標記(參考第2圖)可以穩固的形成而沒有短少。
在比較實施例1之光罩的方面，在光罩製造方法中有觀察到電荷累積的現象，並且也觀察到因為帶電而造成CD精度降低。
在比較實施例2之光罩的方面，在對準標記(參考第2圖)中發生了短少，並且因而使得對準標記失去功能。
(實施例2)
除了無機系蝕刻光罩膜3是以SioN取代MoSiN而製成之外，實施例2係與實施例1相同。
評估的結果與實施例1的結果相同。
雖然本發明係基於實施實例來加以描述，但本發明的技術範疇並非侷限於此。在此領域具有一般技術能力者可以很容易了解，對於前述實施實例可加以各種不同的修改或改善。由申請專利範圍的敘述內容可以明顯的看出，加上那些修改或改善的方式也可以包括在本發明的技術範疇內。
1‧‧‧基板
2‧‧‧遮光膜
3‧‧‧蝕刻光罩膜
4‧‧‧光阻膜
5‧‧‧對準標記
6‧‧‧主要表面
7‧‧‧轉角表面
8‧‧‧側表面
9‧‧‧遮蔽板
第1圖係說明一個根據本發明之空白光罩實例之部分剖視圖；第2圖係用來解釋對準標記中短少問題的部分平面視圖；第3圖係用來解釋一種根據本發明遮蔽板之型態的部分剖視圖。
1．．．基板
2．．．遮光膜
3．．．蝕刻光罩膜
4．．．光阻膜

Claims (10)

  1. 一種製造空白光罩之方法，該空白光罩適合以電子束寫入來形成光阻圖案，並且具有遮光膜以及耐遮光膜蝕刻之無機材料的蝕刻光罩膜，其係在透明基板上依此順序形成，其中，遮光膜係由基板的主要表面沿伸至基板的側表面或轉角表面而形成，當形成蝕刻光罩膜時，使用遮蔽板來進行遮蔽，以使得蝕刻光罩膜在基板的至少一個側表面不會形成，且遮光膜在該處曝露。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中蝕刻光罩膜的成膜區域至少為基板側表面的內側和對準標記的外側，以避免在對準標記中出現短少。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中遮蔽板係由彈性材料所製成，並且可以與基板接觸或者是使其靠近基板的附近來進行遮蔽。
  4. 一種空白光罩，其適合以電子束寫入來形成光阻圖案，並且具有遮光膜以及耐遮光膜蝕刻之無機材料的蝕刻光罩膜，其係在透明基板上依此順序形成，其中，遮光膜是由導電材料所製成，而使得在以電子束寫入圖案的期間，遮光膜不會帶電，並且由基板的主要表面沿伸至基板的側表面或轉角表面而形成；蝕刻光罩膜係以不會出現在基板的至少一個側表面，且遮光膜在該處曝露而形成。
  5. 如申請專利範圍第4項之空白光罩，其中遮光膜係由鉻單體而成的材料以及於鉻中含有氧、氮、碳或氫而成的元素至少一種的材料的任何一種材料所製成。
  6. 如申請專利範圍第4項之空白光罩，其中遮光膜係由選自鉻、鉭、鉬、鈦、鉿或鎢的元素而成的第1材料、含有上述元素的任何合金而成的第2材料以及於該第1材料或第2材料中含有氧、氮、矽或碳之至少一種元素的第3材料的任何一種材料所製成。
  7. 如申請專利範圍第4項之空白光罩，其中蝕刻光罩膜係矽膜、含有矽和鉻、鉭、鉬、鈦、鉿或鎢的金屬矽化物膜、上述矽膜或金屬矽化物膜中含有氧、氮或碳至少一種的膜的任何一種膜所製成。
  8. 如申請專利範圍第4項之空白光罩，其中蝕刻光罩膜係由MoSiON、MoSiN、MoSiO、WSiON、WSiN、WSiO、SiN、SiON、CrO或CrF所製成的膜。
  9. 如申請專利範圍第4項之空白光罩，其中蝕刻光罩膜上具有一層電子束寫入光阻層。
  10. 一種製造轉印光罩之方法，其特徵為包括：在如申請專利範圍第4項之空白光罩中的蝕刻光罩膜上形成一層電子束寫入光阻層；對電子束寫入光阻層施以電子束寫入及顯影，以形成光阻圖案；利用光阻圖案做為光罩來進行蝕刻光罩膜的蝕刻， 以將光阻圖案轉印至蝕刻光罩膜上，因而形成蝕刻光罩膜的圖案；以及利用光阻圖案和蝕刻光罩膜的圖案做為光罩或者是利用蝕刻光罩膜的圖案做為光罩來蝕刻遮光膜，而將圖案轉印至遮光膜上，因而形成遮光膜的圖案。
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