KR20140093617A - 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 - Google Patents

전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140093617A
KR20140093617A KR1020140003231A KR20140003231A KR20140093617A KR 20140093617 A KR20140093617 A KR 20140093617A KR 1020140003231 A KR1020140003231 A KR 1020140003231A KR 20140003231 A KR20140003231 A KR 20140003231A KR 20140093617 A KR20140093617 A KR 20140093617A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
formula
group
mass
less
Prior art date
Application number
KR1020140003231A
Other languages
English (en)
Inventor
가즈미치 스기야마
다이스케 다나카
츠토무 니시다
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20140093617A publication Critical patent/KR20140093617A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503—Inert supplements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00—Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/16—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements
    • G03G21/18—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements using a processing cartridge, whereby the process cartridge comprises at least two image processing means in a single unit
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0525—Coating methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0546—Polymers comprising at least one carboxyl radical, e.g. polyacrylic acid, polycrotonic acid, polymaleic acid; Derivatives thereof, e.g. their esters, salts, anhydrides, nitriles, amides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/056—Polyesters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0564—Polycarbonates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0578—Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14717—Macromolecular material obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14734—Polymers comprising at least one carboxyl radical, e.g. polyacrylic acid, polycrotonic acid, polymaleic acid; Derivatives thereof, e.g. their esters, salts, anhydrides, nitriles, amides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14752—Polyesters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14756—Polycarbonates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14773—Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

지지체 및 지지체 상에 형성된 표면층을 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법이 제공되며, 본 방법은 표면층용 도포액의 도막을 형성하는 공정, 및 표면층을 형성하도록 도막을 건조하는 공정을 포함하고, 표면층용 도포액은 수지 α, 수지 β, 용제 γ 및 화합물δ를 함유한다.

Description

전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 {METHOD OF PRODUCING ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS}
본 발명은 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치에 관한 것이다.
전자 사진 장치에 탑재되는 전자 사진 감광체로서는, 유기 광도전성 물질(전하 발생 물질)을 함유하는 전자 사진 감광체가 종종 사용된다. 전자 사진 프로세스에 있어서, 클리닝 블레이드를 사용해서 전사 잔류 토너를 제거하는 클리닝 공정은, 클리닝 블레이드의 끼익 소리(squeaking) 또는 클리닝 블레이드의 뒤집어짐과 같은 현상의 발생을 억제하기 위해서, 클리닝 블레이드와 전자 사진 감광체와의 접촉 스트레스(마찰 계수)를 저감시키는 것이 요구된다.
전자 사진 감광체의 접촉 스트레스를 저감시키기 위해서, 실록산 부위를 분자쇄 중에 갖는 실록산 변성 수지를 접촉 부재(클리닝 블레이드 등)과 접촉하는 전자 사진 감광체의 표면층에 함유시키는 것이 제안되어 있다. 일본 특허 공개 제2009-037229호 공보에서는, 폴리카르보네이트 수지에 실록산 부위를 내장한 수지를 표면층에 함유시킴으로써, 전자 사진 감광체와 클리닝 블레이드와의 접촉 스트레스(마찰 계수)를 저감시키는 기술이 개시되어 있다.
전자 사진 감광체의 표면층은, 도막을 형성하기 위해 결착 수지 등을 용제에 용해 또는 분산해서 얻어지는 표면층용 도포액을 지지체 등에 도포하는 공정과, 도막을 건조시키는 공정에 의해 형성된다. 또한, 용제는 결착 수지 등의 용해성, 전자 사진 특성에 영향이 없는 것, 도포 시공시의 도막의 백화, 늘어짐(sagging) 등이 없는 것을 고려해서 선택된다. 전술한 바와 같이, 전자 사진 특성과 도포 시공성 간의 양립의 관점에서, 도포액의 용제로서 사용되는 용제에 대해 여러가지 검토가 행해지고 있다. 일본 특허 공개 제2001-343767호 공보에는, 전하 수송층용 도포액의 용제로서 방향족계 탄화수소와 에틸렌글리콜 디메틸에테르를 사용함으로써, 도포 시공시의 백화가 없고, 할로겐계 용제를 사용한 경우에 비해 동등하거나 우수한 전자 사진 특성을 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법이 제안되어 있다. 일본 특허 공개 H06-123987호 공보에는, 도막의 결함을 억제하기 위해 전자 사진 감광체의 제조 시의 건조 온도와, 감광층용 도포액에 사용하는 용제의 비점을 조절하는 것이 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2009-037229호 공보 등에는, 실록산 부위를 갖는 수지를 표면층에 함유하는 전자 사진 감광체를 제조할 때, 실록산 부위를 갖는 수지와 임의의 다른 재료의 용해성의 관점에서, 표면층용 도포액에 사용되는 용제는, 모노클로로 벤젠 등의 할로겐계 용제를 함유하고 있다. 그러나, 최근, 화학 물질의 환경에 대한 관련성에 주목하여 화학 물질의 관리나 배출량 규제가 강화되어 오고 있다. 환경에 대한 일환으로서, 할로겐계 용제를 비할로겐 용제로 대체하는 것이 진행되어 오고 있다. 또한, 할로겐계 용제는, 폐액 회수 시에 비할로겐계 용제로부터 분리해서 회수해야 하기 때문에, 생산성이 저하되기 쉽다. 전술한 관점에서 비할로겐 용제로의 대체가 요구된다. 전자 사진 감광체의 표면층용 도포액에 사용하는데 적합한 비할로겐계 용제의 예로서, 크실렌과 톨루엔을 포함한다.
그러나, 표면층의 접촉 스트레스를 저감하기 위해서, 실록산 부위를 갖는 수지를 함유한 표면층용 도포액의 용제로서 톨루엔 또는 크실렌을 사용하면, 모노클로로 벤젠을 사용하는 경우에 비해, 초기 마찰 계수 저감의 효과를 충분히 얻지 못하고, 따라서 초기 마찰 계수를 저감할 필요가 있다.
전술한 관점에서, 본 발명은 전자 사진 감광체의 제조 방법으로서, 표면층을 형성하기 위해, 실록산 부위를 갖는 수지와, 톨루엔 및 크실렌 중 1종 이상을 함유하는 표면층용 도포액을 도포하는 공정을 포함하며, 전자 사진 감광체의 표면에서의 초기 마찰 계수를 저감하는, 전자 사진 감광체를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은, 전자 사진 감광체의 제조 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체, 상기 전자 사진 감광체를 각각 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
전술한 목적들은 후술하는 본 발명에 의해 달성된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 표면층을 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법이 제공되며, 상기 제조 방법은, 표면층용 도포액의 도막을 형성하는 공정과; 표면층을 형성하도록 도막을 건조하는 공정을 포함하고, 상기 표면층용 도포액은, (α) 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리카르보네이트 수지 및 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지, (β) 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리카르보네이트 수지, 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리에스테르 수지 및 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지, (γ) 톨루엔 및 크실렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용제 및 (δ) 하기 화학식 1로 나타나는 화합물 중, 상기 (γ)보다 1기압에서 비점이 높은 화합물을 함유한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
화학식 1 중, R은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기를 나타내고, n은 0 또는 1을 나타낸다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 전자 사진 장치의 본체에 착탈 가능하게 장착되는 프로세스 카트리지가 제공되며, 상기 프로세스 카트리지는: 상기 전자 사진 감광체의 제조 방법으로 제조된 전자 사진 감광체와; 대전 디바이스, 현상 디바이스, 전사 디바이스 및 클리닝 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 디바이스를 일체로 지지한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 전자 사진 장치가 제공되며, 상기 전자 사진 장치는: 상기 전자 사진 감광체의 제조 방법으로 제조된 전자 사진 감광체; 대전 디바이스; 노광 디바이스; 현상 디바이스 및 전사 디바이스를 포함한다.
본 발명에 따르면, 도막을 형성하기 위해 실록산 부위를 갖는 수지와, 톨루엔 및 크실렌 중 1종 이상을 함유하는 표면층용 도포액을 도포하는 공정과, 표면층을 형성하도록 도막을 건조시키는 공정을 포함하여, 전자 사진 감광체의 표면의 초기 마찰 계수를 저감하는 전자 사진 감광체를 제조하는 방법이 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부 도면을 참조하여 실시예의 후술하는 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면.
본 발명의 전자 사진 감광체의 제조 방법은: 표면층용 도포액의 도막을 형성하는 공정과; 표면층을 형성하도록 도막을 건조시키는 공정을 포함하고, 상기 표면층용 도포액이, 구성 요소로서: (α) 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리카르보네이트 수지 및 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지(구성 요소(α)); (β) 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리카르보네이트 수지, 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리에스테르 수지 및 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리아크레이트 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지(구성 요소(β)), (γ) 톨루엔 및 크실렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용제(구성 요소(γ))를 함유하고, 또한, (δ) 하기 화학식 1로 나타나는 화합물 중, 상기 (γ)보다 1기압에서 비점이 높은 화합물(구성 요소(δ))을 함유한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
화학식 1 중, R은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기를 나타내고, n은 0 또는 1을 나타낸다.
이하, (α)를 "수지 α"라고도 칭하고, (β)를 "수지 β"라고도 칭하고, (γ)를 "용제 γ"라고도 칭하고, (δ)를 "화합물 δ"라고도 칭한다.
본 발명자들은, 본 발명의 표면층용 도포액에 화합물 δ를 함유함으로써, 전자 사진 감광체의 표면에서의 초기 마찰 계수를 저감시킬 수 있는 이유를 이하와 같이 추측하고 있다.
본 발명에 있어서, 초기 마찰 계수가 낮은 전자 사진 감광체의 표면은: 실록산 부위를 갖는 수지 β가 전자 사진 감광체의 표면으로 이행(표면 이행)하고; 그 실록산 부위가 전자 사진 감광체의 표면에 분포함으로써 얻어진다. 수지 β의 표면 이행은 표면층용 도포액을 도포해서 형성된 도막의 건조 공정 중에 행해진다. 감광체의 표면에 수지 β가 이행할 수 있도록 하기 위해서는, 건조 공정 중 수지 α와 수지 β가 서로 분리되기 쉬운 상태에 있을 필요가 있다.
그러나, 도포액(표면층용 도포액)의 안정성 및 도막 균일성의 관점에서, 수지 α와 수지 β는 서로 어느 정도 상용성일 필요가 있다. 따라서, 수지 α와 상용하기 쉬워지도록 실록산 부위를 갖는 수지 β의 반복 구조 단위가 선택될 필요가 있다. 본 발명의 수지 β 대신에 디메틸 실리콘 오일을 사용하면, 디메틸 실리콘 오일은 수지 α와 상용하기 어렵고, 전자 사진 감광체의 표면으로 이행하기 쉽다. 그러나, 디메틸실리콘 오일과 수지 α와의 상용성이 너무 낮아서, 디메틸 실리콘 오일은 전자 사진 감광체의 표면에 점재하고, 전자 사진 감광체의 표면은 균일한 낮은 마찰 계수가 얻어지지 않는다. 또한, 도포액의 상태에서도, 디메틸 실리콘 오일이 분리되어 백탁되고, 따라서 용액의 안정성이 충분히 얻어지지 않는다.
한편, 표면층용 도포액의 용제로서 크실렌이나 톨루엔을 사용하면, 수지 α와 수지 β가 상용하기 쉽고, 건조 공정에서 수지 α와 수지 β가 서로 분리되기 어렵기 때문에, 수지 β가 표면으로 이행하기 어렵고, 충분한 초기 마찰 계수가 얻어지지 않는다. 전술한 관점에서 본 발명에서는, 도포액의 안정성 및 도막의 균일성을 유지하면서, 건조 공정 중에 수지 α와 수지 β가 서로 분리되기 쉬운 상태를 만들기 위해 표면층용 도포액에 화합물 δ을 함유한다. 본 발명자들은, 화학식 1로 나타나는 구조를 갖는 화합물 중, 용매 γ보다 1기압에서 비점이 높은 화합물 δ을 함유함으로써, 수지 α와 수지 β가 분리되기 쉬워지는 이유를 이하와 같이 추측한다.
수지 α 및 수지 β의 각각의 반복 구조 단위 중의 극성기(COO 결합)와 화합물 δ의 극성기(C=O 결합)와는 상용성이 높다. 화합물 δ가 존재함으로써, 수지 α 및 수지 β의 반복 구조 단위가 서로 얽히기 어려워져, 수지 α와 수지 β가 서로 분리하기 쉬운 상태가 얻어진다고 생각된다. 또한, 화합물 δ의 비점이 용제 γ의 비점보다 높게 함으로써, 수지 α와 수지 β가 서로 분리되기 쉬운 상태를 건조 공정의 종료까지 유지할 수 있다. 화합물 δ의 비점이 용매 γ의 비점보다 높으면, 건조 공정에서 용제 γ가 화합물 δ보다 먼저 휘발하고, 따라서 도막 내의 화합물 δ의 비율이 높아진다. 따라서, 용제 γ에 비해 화합물 δ의 함유량이 낮기 때문에, 표면층용 도포액이 안정되는 한편, 건조 과정에서는 화합물 δ의 도막 내의 함유 비율이 높아지고, 따라서 수지 α와 수지 β가 분리하기 쉬운 상태가 되는 것으로 생각된다.
실제로, 표면층용 도포액의 수지 α와 수지 β에 용제로서 용제 γ만을 첨가했을 경우와, 용제 γ뿐만 아니라 화합물 δ을 첨가했을 경우를 비교하면, 화합물 δ을 첨가했을 경우의 표면층용 도포액에서, 수지 α와 수지 β가 분리 상태에 있는 것으로부터 유래된다고 생각되는 백탁이 보다 명확하게 관찰된다.
<화합물 δ>
본 발명의 화합물 δ는 하기 화학식 1로 나타나는 화합물 중, (γ)보다 1기압에서 비점이 높은 화합물이다. 크실렌의 비점은 138℃ 내지 144℃이다. 톨루엔의 비점은 111℃이다.
[화학식 1]
Figure pat00003
화학식 1 중, R은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기를 나타내고, n은 0 또는 1을 나타낸다.
(γ)보다 1기압에서 비점이 높은 화합물은, 용제 γ이 톨루엔만인 경우에는, 톨루엔보다 1기압에서 비점이 높은 화합물이다. 용제 γ로서 크실렌 및 톨루엔이 사용되는 경우에는, 화합물은 크실렌보다 1기압에서 비점이 높은 화합물이다. 용제 γ이 크실렌만인 경우에는, 화합물은 크실렌보다 1기압에서 비점이 높은 화합물이다.
화합물 δ의 구체적인 화합물로서는, 탄산프로필렌(240℃), γ-부티로락톤(204℃), δ-발레로락톤(230℃), ε-카프로락톤(253℃)을 들 수 있다. 괄호 안의 수치값은 1 기압에서의 비점을 나타낸다는 점에 유의한다.
이들 중에서, 탄산프로필렌, γ-부티로락톤, δ-발레로락톤이 바람직하다.
이하에, 화합물 δ의 구체적인 화합물의 화학식을 나타낸다.
Figure pat00004
표면층용 도포액에서의 화합물 δ의 함유량은, 수지 α와 수지 β의 전체 질량에 대해 3질량％ 이상 300질량％ 이하인 것이 바람직하다. 3질량％ 이상 300질량％ 이하의 함량은, 수지 α와 수지 β의 가장 우수한 분리시키는 작용이 얻어지기 때문에, 감광체의 표면의 초기 마찰 계수를 저감하는 효과의 관점에서 바람직하다. 또한, 표면층용 도포액의 안정성의 관점에서, 표면층용 도포액의 화합물 δ의 함유량은, 수지 α와 수지 β의 전체 질량에 대해 5질량％ 이상 80질량％ 이하가 바람직하다.
표면층용 도포액의 화합물 δ의 함유량은, 용제 γ의 전체 함유량에 대하여 0.5질량％ 이상 150질량％ 이하인 것이 바람직하다. 0.5질량％ 이상 150질량％ 이하의 함량은, 감광체의 표면에 있어서의 초기 마찰 계수를 저감하는 효과와 도포액의 안정성의 효과의 관점에서 바람직하다. 또한, 표면층용 도포액의 안정성의 관점에서, 표면층용 도포액의 화합물 δ의 함유량은 용제 γ의 전체 함유량에 대해 0.5질량％ 이상 40질량％ 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상 40질량％ 이하이다.
<수지 α>
수지 α는 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리카르보네이트 수지 및 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지이다.
본 발명에 있어서, 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리카르보네이트 수지는, 하기 화학식 A로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리카르보네이트 수지 A인 것이 바람직하다. 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리에스테르 수지는, 하기 화학식 B로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 B인 것이 바람직하다.
[화학식 A]
Figure pat00005
화학식 A 중, R21 내지 R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X1은, 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 하기 화학식 C로 나타나는 구조를 갖는 2가의 기를 나타낸다.
[화학식 B]
Figure pat00006
화학식 B 중, R31 내지 R34는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X2는, 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 하기 화학식 C로 나타나는 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고, Y1은, m-페닐렌기, p-페닐렌기 또는 2개의 p-페닐렌기가 산소 원자를 개재해서 결합한 2가의 기를 나타낸다.
[화학식 C]
Figure pat00007
화학식 C 중, R41 및 R42는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타낸다.
이하에, 화학식 A로 나타내어지는 폴리카르보네이트 수지 A의 반복 구조 단위의 구체예를 나타낸다.
Figure pat00008
이들 중에서, 화학식 (A-1), (A-2) 및 (A-4)로 나타나는 구조 단위가 바람직하다.
폴리카르보네이트 수지 A는 예를 들어 통상적인 포스겐법(phosgene method)d으로 합성될 수 있다. 또한, 수지는 에스테르 교환법에 의해 합성될 수 있다.
이하, 화학식 B로 나타내어지는 폴리에스테르 수지 B의 구조 단위의 구체예를 나타낸다.
Figure pat00009
Figure pat00010
이들 중에서, 화학식 (B-1), (B-2), (B-3), (B-6), (B-7) 및 (B-8)로 나타내어지는 구조 단위가 바람직하다.
이들 폴리카르보네이트 수지 A 및 폴리에스테르 수지 B는 공지된 방법으로 합성될 수 있다. 예를 들어, 이들 수지는 일본 특허출원 공개 제2007-047655호 또는 일본 특허출원 공개 제2007-072277호에 개시된 방법으로 합성될 수 있다.
폴리카르보네이트 수지 A 및 폴리에스테르 수지 B 중 1종이 단독으로 사용될 수 있거나, 이들의 2종 이상이 혼합물 또는 공중합체로서 사용될 수 있다. 그 공중합 형태는 블록 공중합, 랜덤 공중합 및 교대 공중합과 같은 형태 중 임의의 하나일 수 있다.
폴리카르보네이트 수지 A 및 폴리에스테르 수지 B의 각각의 중량 평균 분자량은 20,000 이상 300,000 이하가 바람직하고, 50,000 이상 200,000 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 있어서, 각각의 수지의 중량 평균 분자량은 일본 특허출원 공개 제2007-079555호에 기재된 방법에 의한 통상적인 방법에 따라 측정된 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
또한, 각각 수지 α로서의 역할을 하는 폴리카르보네이트 수지 A 및 폴리에스테르 수지 B는 화학식 A 또는 화학식 B로 나타내어지는 구조 단위 외에, 실록산 부위를 포함하는 구조 단위를 갖는 공중합체일 수 있다. 그 구체예는 하기 화학식 H-1 및 H-2로 나타내어지는 구조 단위를 포함한다. 공중합체는 하기 화학식 H-3으로 나타내어지는 구조 단위를 추가로 가질 수 있다.
[화학식 H-1]
Figure pat00011
[화학식 H-2]
Figure pat00012
[화학식 H-3]
Figure pat00013
이하, 각각 수지 α로서 사용되는 구체적인 수지를 나타낸다.
Figure pat00014
표 1 중, 수지 B(1) 및 수지 B(2)에 있어서의 화학식 (B-1) 및 (B-6)로 나타내어지는 구조 단위에 대해서, 이소프탈산 구조에 대한 테레프탈산 구조의 몰비(테레프탈산 골격/이소프탈산 골격)는 5/5이다.
<수지 β>
수지 β는 그 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리카르보네이트 수지, 그 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리에스테르 수지 및 그 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지이다.
본 발명에 있어서, 그 말단에 실록산 부위를 갖는 수지가 사용되면, 감광체의 표면은 높은 윤활성을 갖게 되고, 그에 따라 그 초기 마찰 계수가 저감될 수 있다. 이는 아마도, 말단에 있는 디메틸폴리실록산 부위의 존재가 실록산 부위의 자유도를 증가시키고, 그에 따라 수지의 표면 이행성을 향상시키기 때문일 것이다.
수지 α와의 상용성, 도포액의 안정성 및 도포 시공성(coatability)의 관점에서, 수지 β에 있어서 그 말단에 실록산 부위를 각각 갖는 수지는 폴리카르보네이트 수지, 폴리에스테르 수지 및 폴리아크릴레이트 수지이다.
본 발명에 있어서, 그 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리카르보네이트 수지는, 하기 화학식 A'로 나타내어지는 구조 단위와 하기 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조를 갖는 폴리카르보네이트 수지 D인 것이 바람직하다. 또한, 그 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리에스테르 수지는, 하기 화학식 B'로 나타내어지는 구조 단위와 하기 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조를 갖는 폴리에스테르 수지 E인 것이 바람직하다.
[화학식 A']
Figure pat00015
화학식 A' 중, R25 내지 R28은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X3은 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 하기식 C'로 나타내어지는 구조를 갖는 2가의 기를 나타낸다.
[화학식 B']
Figure pat00016
화학식 B' 중, R35 내지 R38은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X4는 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 하기 화학식 C'로 나타내어지는 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고, Y2는 m-페닐렌기, p-페닐렌기 또는 2개의 p-페닐렌기가 산소 원자를 개재해서 결합된 2가의 기를 나타낸다.
[화학식 C']
Figure pat00017
화학식 C' 중, R43 및 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타낸다.
[화학식 D]
Figure pat00018
화학식 D 중, a 및 b는 각각 독립적으로 각 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 폴리카르보네이트 수지 D 또는 폴리에스테르 수지 E에 대한 a의 평균값은 20 이상 100 이하이고, 이에 대한 b의 평균값은 1 이상 10 이하이다. 보다 바람직하게는, a의 평균값이 30 이상 60 이하이고, b의 평균값이 3 이상 10 이하이다.
본 발명에 있어서, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E의 각각은 수지의 한쪽 말단 또는 양쪽 말단에서 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조를 갖는다. 이러한 임의의 수지가 그 한쪽 말단에서 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조를 갖는 경우에는, 분자량 조절제(말단 정지제)가 사용된다. 이 분자량 조절제의 예들은 페놀, p-쿠밀페놀, p-tert-부틸페놀 및 벤조산을 포함한다. 본 발명에 있어서, 페놀 또는 p-tert-부틸페놀이 바람직하다.
이러한 임의의 수지가 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조를 그 한쪽 말단에 갖는 경우에, 그 다른 한쪽의 구조(다른 말단 구조)는 하기에 나타나는 구조이다.
[화학식 G-1]
Figure pat00019
[화학식 G-2]
Figure pat00020
이하, 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조의 구체예를 나타낸다.
Figure pat00021
폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E의 1종은 단독으로 사용될 수 있거나, 그 2종 이상이 혼합물 또는 공중합체로서 사용될 수 있다. 그 공중합 형태는 블록 공중합, 랜덤 공중합 및 교대 공중합과 같은 형태 중 임의이 하나일 수 있다. 또한, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E의 각각의 주쇄 중에 실록산 부위를 갖는 구조 단위가 있을 수 있다. 예를 들어, 하기 화학식 H로 나타내어지는 구조 단위를 갖는 공중합체가 허용된다.
[화학식 H]
Figure pat00022
화학식 H 중, f 및 g는 각각 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E에 대한 f의 평균값은 20 이상 100 이하이고, 이에 대한 g의 평균값은 1 이상 10 이하이다. 화학식 H로 나타내어지는 구조 단위의 구체예는 화학식 H-1 및 H-2로 나타내어지는 구조 단위를 포함한다.
폴리카르보네이트 수지 D에 있어서, 화학식 A'로 나타내어지는 구조 단위의 구체예는 화학식 A-1 내지 A-8로 나타내어지는 구조 단위를 포함한다. 이들 중에서, 화학식 A-1, A-2 및 A-4로 나타내어지는 구조 단위가 바람직하다. 폴리에스테르 수지 E에 있어서, 화학식 B'로 나타내어지는 구조 단위의 구체예는 화학식 B-1 내지 B-9로 나타내어지는 구조 단위를 포함한다. 이들 중에서, 화학식 B-1, B-3, B-6, B-7 및 B-8로 나타내어지는 구조 단위가 바람직하다. 그 중에서도, 화학식 A-4, B-1 및 B-3으로 나타내어지는 구조 단위가 특히 바람직하다.
본 발명에 있어서, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E의 각각의 실록산 부위는, 하기 화학식 D-S로 나타내어지는 말단 구조의 점선에 의해 나타내어지는 프레임 내의 구조를 말한다. 또한, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E 각각이 화학식 H로 나타내어지는 구조 단위를 갖는 경우, 하기 화학식 H-S로 나타내어지는 구조 단위의 점선에 의해 나타내어지는 프레임 내의 구조도 실록산 부위의 범주에 포함된다.
[화학식 D-S]
Figure pat00023
[화학식 H-S]
Figure pat00024
본 발명에 있어서, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E는 공지된 방법으로 합성될 수 있다. 예를 들어, 수지는 일본 특허출원 공개 제2007-199688호에 기재된된 방법으로 합성될 수 있다. 본 발명에서도, 동일한 합성 방법을 채용하고, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E에 대응하는 원재료를 사용하여, 표 2의 합성예에 나타내는 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E가 합성되었다. 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E의 각각의 정제는 후술하는 바와 같이 수행되었음에 유의해야 한다. 사이즈 배제 크로마토그래피를 채용해서 분획 및 분리가 수행된 후, 각 분획 성분이 1H-NMR 측정되고, 그 후 실록산 부위의 수지 중의 상대비로부터 수지 조성이 결정되었다. 표 2는 합성된 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E의 중량 평균 분자량 및 실록산 부위의 함유량을 나타낸다.
이하, 폴리카르보네이트 수지 D 및 폴리에스테르 수지 E의 구체예를 나타낸다.
Figure pat00025
표 2 중, 수지 D(3)에 있어서 주쇄의 각 구조 단위간 질량비는 "(A-4):(H-2)"는 9:1이다.
본 발명에 있어서, 그 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지가 화학식 F-1로 나타내어지는 말단 구조와 화학식 F-2로 나타내어지는 구조 단위를 갖는, 또는 화학식 F-1로 나타내어지는 말단 구조와 하기식 F-3으로 나타내어지는 구조 단위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지 F인 것이 바람직하다.
[화학식 F-1]
Figure pat00026
화학식 F-1 중, R51은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, c는 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 아크릴 수지 F에 대한 c의 평균값은 0 이상 5 이하이고, R52 내지 R54는 각각 독립적으로 화학식 F-1-2로 나타내어지는 구조, 메틸기, 메톡시기 또는 페닐기를 나타내고, R52 내지 R54 중 적어도 1개는 화학식 F-1-2로 나타내어지는 구조를 갖는다.
[화학식 F-1-2]
Figure pat00027
화학식 F-1-2 중, d는 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 폴리아크릴레이트 수지 F에 대한 d의 평균값은 10 이상 50 이하이고, R55는 히드록시기 또는 메틸기를 나타낸다.
[화학식 F-2]
Figure pat00028
[화학식 F-3]
Figure pat00029
화학식 F-3 중, R56은 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타내고, e는 0 또는 1을 나타낸다.
본 발명에 있어서, 폴리아크릴레이트 수지 F의 실록산 부위는 하기 화학식 F-S 또는 하기 화학식 F-T로 나타내어지는 구조의 점선에 의해 나타내어지는 프레임 내의 구조를 가리킨다.
[화학식 F-S]
Figure pat00030
[화학식 F-T]
Figure pat00031
이하, 표 3은 폴리아크릴레이트 수지 F의 구조 단위의 구체예를 나타낸다.
Figure pat00032
표 3으로 나타낸 폴리아크릴레이트 수지 F 중, 화합물예 F-B, 및 F-D로 표현되는 수지가 바람직하다.
이들 폴리아크릴레이트 수지는 공지된 방법으로 합성될 수 있다. 예를 들어, 수지는 일본 특허출원 공개 S58-167606호 또는 일본 특허출원 공개 S62-075462호 기재된 방법으로 합성될 수 있다.
표면층용 도포액에 있어서의 수지 β의 함유량은 수지 α의 함유량에 대하여 0.1질량％ 이상 50질량％ 이하인 것이 바람직하다. 함유량이 0.1질량％ 이상 50질량％ 이하인 경우, 초기 마찰 계수에 대한 저감 효과가 충분히 발휘된다.
<용제 γ>
본 발명의 표면층용 도포액에 있어서, 용제 γ은 톨루엔 및 크실렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제이다. 그 구체예들은, 톨루엔(비점: 111℃), o-크실렌(비점: 144℃), m-크실렌(비점: 139℃), p-크실렌(비점: 138℃), 혼합 크실렌(비점: 138 내지 144℃)을 포함한다. 이들 중에서 o-크실렌이 바람직하다. 이들 용제들 중 하나가 단독으로 사용될 수 있거나 2종 이상이 혼합물로서 사용될 수 있다. 괄호 내의 수치는 1 기압에 있어서의 비점을 나타낸다는 것에 유의해야 한다.
본 발명에 있어서의 전자 사진 감광체의 표면층용 도포액은, 톨루엔 및 크실렌 중 적어도 1종을 함유하며, 또한 균일한 두께를 갖는 표면층을 형성하기 위해서 임의의 다른 용제를 함유할 수도 있다. 도포액은 다른 용제로서, 저비점을 갖는 쇄상 에테르 또는 환상 에테르를 함유하는 것이 바람직하다. 저비점을 갖는 쇄상 에테르는 예를 들어, 디메톡시메탄이고, 저비점을 갖는 환상 에테르는 예를 들어, 테트라히드로푸란(THF)이다. 바람직하게는, 디메톡시메탄 및 테트라히드로푸란 중 적어도 1종(이하, 때때로 "(ε)"라고 칭함)을 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 용제 γ, 화합물 δ 및 (ε)를 합계하여 얻어진 액체의 전체 질량에 대하여, 용제 γ의 함유량이 15질량％ 이상 99질량％ 이하이고, 화합물 δ의 함유량이 0.5질량％ 이상 35질량％ 이하이고, (ε)의 함유량이 0.1질량％ 이상 65질량％ 이하인 것이 바람직하다.
이어서, 본 발명의 전자 사진 감광체의 구성에 대해서 설명한다.
본 발명의 전자 사진 감광체는 지지체 및 지지체 상에 형성된 감광층을 갖는다. 또한, 감광층의 예들은, 전하 수송 물질과 전하 발생 물질이 동일한 층에 통합되는 단층형 감광층과, 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층과 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층으로 분리된 적층형 (기능 분리형) 감광층을 포함한다. 본 발명에 있어서, 적층형 감광층이 바람직하다. 또한, 전하 발생층이 적층 구조일 수 있거나 전하 수송층이 적층 구조일 수 있다. 또한, 전자 사진 감광체의 내구성을 향상시키기 위해, 보호층이 감광층 상에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서의 전자 사진 감광체의 표면층에 대하여, 전하 수송층이 최표면인 경우, 전하 수송층이 표면층이며, 보호층이 전하 수송층 상에 제공되는 경우, 보호층이 표면층이다.
(지지체)
지지체는 도전성을 갖는 것(도전성 지지체)이다. 예를 들어, 지지체는 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인리스 강철, 구리, 니켈 또는 아연 또는 그 합금과 같은 금속으로 이루어진 것이다. 알루미늄이나 알루미늄 합금으로 이루어진 지지체의 경우에, 사용되는 지지체는 ED 관, EI 관 또는 이러한 관을 절삭, 전해 복합 연마(전해 작용을 갖는 전극과 전해질 용액에 의한 전해 및 연마 작용을 갖는 지석에 의한 연마) 또는 습식 또는 건식-호닝 처리함으로써 얻어진 것일 수 있다. 또한, 그 예들은 금속, 또는 그 위에 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 산화인듐-산화주석 합금과 같은 도전성 재료의 박막을 형성한 수지로 이루어진 지지체를 포함한다.
또한, 카본 블랙, 산화주석 입자, 산화티타늄 입자, 또는 은 입자와 같은 도전성 입자를 수지 등에 함침함으로써 얻어진 지지체나, 도전성 결착 수지를 갖는 플라스틱이 사용될 수도 있다.
도전성 지지체의 표면은, 예를 들어 레이저빔 등의 산란에 의한 간섭 패턴을 방지하기 위해, 예를 들어 절삭 처리, 조면화 처리 또는 알루마이트 처리를 받을 수 있다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 있어서, 지지체 상에 도전성 입자와 수지를 갖는 도전층에 제공될 수 있다. 도전층은, 도전성 입자가 결착 수지에 분산된 도전층용 도포액을 사용해서 형성되는 층이다.
도전성 입자의 예들은, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 예를 들어 알루미늄, 니켈, 철, 니크롬, 구리, 아연 및 은으로 이루어진 금속 분체, 예를 들어 도전성 산화주석 및 ITO로 이루어진 금속 산화물 분체를 포함한다.
도전층에 사용되는 결착 수지의 예들은, 폴리에스테르 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지 및 알키드 수지를 포함한다.
도전층용 도포액에 대한 용제로서는, 예를 들어 에테르계 용제, 알코올계 용제, 케톤계 용제 및 방향족 탄화수소 용제를 들 수 있다. 도전층의 두께는 0.2㎛ 이상 40㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1㎛ 이상 35㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 나아가 5㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
중간층이 도전성 지지체 또는 도전층과, 감광층 사이에 제공될 수 있다. 중간층은 감광층의 접착성 향상, 도포 시공성 향상, 도전성 지지체로부터의 전하 주입에 대한 특성 향상 및 감광층의 전기적 파괴에 대한 보호를 위해서 형성된다.
중간층은 결착 수지를 함유하는 중간층용 도포액을 도전성 지지체 또는 도전층 상에 도포하고, 도포액을 건조 또는 경화시킴으로써 형성될 수 있다.
중간층의 결착 수지의 예들은 폴리아크릴레이트류, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드산 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지 및 폴리우레탄를 포함한다. 중간층에 사용되는 결착 수지는 열가소성 수지가 바람직하고, 구체적으로는, 열가소성 폴리아미드 수지가 바람직하다. 폴리아미드 수지는 용액 상태에서 도포될 수 있는 저결정성 또는 비결정성의 공중합 나일론이 바람직하다.
중간층용 도포액의 용제로서는, 에테르계 용제, 알코올계 용제, 케톤계 용제 및 방향족 탄화수소 용제를 들 수 있다. 중간층의 두께는, 0.05㎛ 이상 40㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.1㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 중간층은 반도전성 입자, 전자 수송 물질 또는 전자 수용성 물질을 추가로 함유할 수 있다.
(감광층)
도전성 지지체, 도전층 또는 중간층 상에는 감광층(전하 발생층, 전하 수송층)이 형성된다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 사용되는 전하 발생 물질의 예들은, 아조 안료, 프탈로시아닌 안료, 인디고 안료 및 페릴렌 안료를 포함한다. 이들 전하 발생 물질 중 1종만이 사용될 수 있거나, 2종 이상이 사용될 수도 있다. 이들 중에서도, 옥시티타늄 프탈로시아닌, 히드록시갈륨 프탈로시아닌, 클로로갈륨 프탈로시아닌 등이 고감도이기 때문에 특히 바람직하다.
전하 발생층에 사용되는 결착 수지의 예들은, 폴리카르보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 부티랄 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 아세트산 비닐 수지 및 요소 수지를 포함한다. 이들 중에서도, 부티랄 수지가 특히 바람직하다. 이들 수지 중에서 1종이 단독으로 사용될 수 있거나, 2종 이상이 혼합물 또는 공중합체로서 사용될 수 있다.
전하 발생층은, 전하 발생 물질을 결착 수지 및 용제와 함께 분산해서 얻어지는 전하 발생층용 도포액을 도포하고, 도포액을 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 또한, 전하 발생층은 전하 발생 물질의 증착막일 수도 있다.
분산 방법의 예들은 호모게나이저, 초음파, 볼밀, 샌드밀, 아트라이터 또는 롤밀을 사용한 방법이다.
전하 발생 물질과 결착 수지간 비율은, 수지 1질량부에 대하여 전하 발생 물질이 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이상 3질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
전하 발생층용 도포액에 사용되는 용제의 예들은, 알코올계 용제, 술폭시드계 용제, 케톤계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제 및 방향족 탄화수소 용제를 포함한다.
전하 발생층의 두께는, 0.01㎛ 이상 5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.1㎛ 이상 2㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 전하 발생층에는, 임의의 다양한 증감제, 산화 방지제, UV 흡수제, 가소제 등이 필요에 따라 첨가할 수도 있다. 또한, 전하 발생층에, 전하(캐리어)의 흐름이 전하 발생층에서 방해받는 것을 방지하기 위해서, 전자 수송 물질 또는 전자 수용성 물질이 첨가될 수도 있다.
적층형 감광층을 포함하는 전자 사진 감광체에 있어서, 전하 수송층이 전하 발생층 상에 형성된다.
예를 들어, 본 발명에서 사용되는 전하 수송 물질로서는, 트릴아릴아민 화합물, 히드라존 화합물, 스티릴 화합물 및 스틸벤 화합물을 들 수 있다. 하기 구조 화학식 CTM-1 내지 CTM-7 중 임의의 하나로 나타내어지는 화합물이 바람직하다.
[CTM-1]
Figure pat00033
[CTM-2]
Figure pat00034
[CTM-3]
Figure pat00035
[CTM-4]
Figure pat00036
[CTM-5]
Figure pat00037
[CTM-6]
Figure pat00038
[CTM-7]
Figure pat00039
전하 수송층은 전하 수송 물질 및 결착 수지를 용제에 용해시킴으로써 얻어지는 전하 수송층용 도포액을 도포하고, 도포액을 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 전하 수송층이 표면층인 경우, 결착 수지로서 수지 α와 수지 β가 함유되며; 임의의 다른 수지가 추가적으로 사용 전에 그 내에 혼합될 수도 있다. 사용 전에 혼합될 수 있는 다른 수지에 대해서는 상술한 바와 같다.
본 발명의 전자 사진 감광체의 표면층이 전하 수송층인 경우, 전하 수송층용 도포액(표면층용 도포액)은 용제 γ 및 화합물 δ를 함유하며, 상술한 바와 같이 임의의 다른 용제를 추가로 함유할 수도 있다.
전하 수송 물질과 결착 수지간 비율은 이하와 같다: 결착 수지 1질량부당 전하 수송 물질의 양이 0.3질량부 이상 2질량부 이하가 바람직하고, 0.5질량부 이상 1.5질량부 이하가 보다 바람직하다.
전하 수송층의 두께는 5㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 10㎛ 이상 35㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체의 각 층에는 각종 첨가제가 첨가될 수 있다. 첨가제의 예들은, 산화 방지제, UV 흡수제 또는 광 안정제와 같은 열화 방지제; 및 유기 미립자나 무기 미립자와 같은 미립자를 포함한다.
열화 방지제의 예들은 힌더드(hindered) 페놀계 산화 방지제, 힌더드 아민계 광 안정제, 황 원자 함유 산화 방지제 및 인 원자 함유 산화 방지제를 포함한다.
유기 미립자의 예들은 불소 원자 함유 수지 입자, 폴리스티렌 미립자 및 폴리에틸렌 수지 입자와 같은 고분자 수지 입자를 포함한다. 무기 미립자의 예들은 실리카 및 알루미나와 같은 금속 산화물을 포함한다.
각 층에 대한 도포액 각각의 도포에 있어서, 침지 도포법, 스프레이 코팅법, 스피너(spinner) 코팅법, 롤러 코팅법, 마이어(Mayer) 바 코팅법 및 블레이드 코팅법과 같은 임의의 도포 방법이 채용될 수 있다. 그 중에서도 침지 도포법이 바람직하다.
각 층에 대한 도포액이 건조되어 도막을 형성하는 건조 온도는 이하와 같다: 도포액은 60℃ 이상 160℃ 이하로 건조되는 것이 바람직하다. 이러한 범위 중, 전하 수송층용 도포액(표면층용 도포액)의 건조 온도는 특히 110℃ 이상 140℃ 이하인 것이 바람직하다.
(전자 사진 장치)
도 1은 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 포함하는 전자 사진 장치의 개략 구성의 예를 나타낸다.
도 1에 있어서, 원통 형상의 전자 사진 감광체(1)는 축(2) 주위로 화살표 방향으로 미리 정해진 주변 속도로 회전 구동된다. 회전 구동되는 전자 사진 감광체(1)의 표면은 회전 프로세스 동안, 대전 디바이스(1차 대전 디바이스: 대전 롤러와 같음)(3)에 의해 미리 정해진 부(negative)의 전위로 균일하게 대전된다. 계속해서, 전자 사진 감광체(1)의 표면은 슬릿 노광이나 레이저 빔 주사 노광과 같은 노광 디바이스(도시하지 않음)로부터 방사되고, 원하는 화상 정보의 시계열 전기 디지털 화상 신호에 따라 강도 변조된 노광 광(화상 노광 광)(4)을 받는다. 이렇게 해서, 전자 사진 감광체(1)의 표면에, 원하는 화상에 대응한 정전 잠상이 순차적으로 형성된다.
전자 사진 감광체(1)의 표면에 형성된 정전 잠상은 현상 디바이스(5)의 현상제에 포함되는 토너의 반전 현상에 의해 토너 화상으로 변환된다. 계속해서, 전자 사진 감광체(1)의 표면에 형성 및 담지되어 있는 토너 화상이 전사 디바이스(전사 롤러와 같음)(6)로부터의 전사 바이어스에 의해 전사재(용지와 같음) P로 순차 전사된다. 전사재 P는 전사재 공급 디바이스(도시하지 않음)로부터 전자 사진 감광체(1)의 회전과 동기해서 취출된 후, 전자 사진 감광체(1)와 전사 디바이스(6) 사이의 부분(접촉부)에 급송된다. 또한, 전사 디바이스(6)에는, 바이어스 전원(도시하지 않음)으로부터 토너의 전하와는 역극성을 갖는 바이어스 전압이 인가된다.
토너 화상으로 전사된 전사재 P는 전자 사진 감광체(1)의 표면으로부터 분리된 후, 정착 디바이스(8)로 반입된다. 전사재 P는 토너 화상 정착 받은 후 화상 형성물 (프린트, 카피)로서 장치 외로 인쇄된다.
토너 화상의 전사 후의 전자 사진 감광체(1)의 표면은 클리닝 디바이스(클리닝 블레이드와 같음)(7)에 의해 전사 후의 잔류 현상제(전사 잔류 토너)의 제거에 의해 클리닝된다. 계속해서, 전자 사진 감광체(1)의 표면은 전노광(pre-exposing) 디바이스(도시하지 않음)로부터의 전노광 광(도시하지 않음)에 의해 제전 프로세스를 받은 후, 반복 화상 형성에 반복 사용된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 대전 디바이스(3)가 대전 롤러 등을 사용한 접촉 대전 디바이스인 경우, 전노광은 반드시 필요하지는 않다는 것에 유의해야 한다.
본 발명에 있어서, 전자 사진 감광체(1)와, 예를 들어 대전 디바이스(3), 현상 디바이스(5), 전사 디바이스(6) 및 클리닝 디바이스(7)로부터 선택된 복수의 요소가 용기에 수납되어 프로세스 카트리지를 형성하도록 일체로 지지될 수 있다. 프로세스 카트리지는 전자 사진 장치 본체에 착탈 가능하게 될 수 있다. 또한, 프로세스 카트리지는 복사기나 레이저 빔 프린터와 같은 전자 사진 장치 본체에 착탈 가능하게 될 수 있다. 도 1에서는, 대전 디바이스(3), 현상 디바이스(5) 및 클리닝 디바이스(7)가 전자 사진 감광체(1)와 일체로 지지되어 카트리지를 형성한다. 그 후, 카트리지는 전자 사진 장치 본체의 레일과 같은 안내 디바이스(10)를 사용해서 전자 사진 장치 본체에 착탈 가능한 프로세스 카트리지(9)로서 사용된다.
이하, 구체적인 예를 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 중 "부(들)"는 "질량부(들)"를 의미한다.
(실시예 1)
직경 30mm, 길이 260.5mm의 알루미늄 실린더를 지지체(도전성 지지체)로 사용하였다.
이어서, SnO2 코팅 처리 황산바륨(도전성 입자) 12부, 산화티타늄(저항 조절용 안료) 3부, 페놀 수지(결착 수지) 6부, 실리콘 오일(레벨링제) 0.001부, 메탄올 4부 및 메톡시프로판올 16부의 혼합 용제를 사용해서 도전층용 도포액을 제조하였다.
도전층용 도포액을 지지체 상에 침지 도포하고, 30분간 140℃로 경화(열경화)시킴으로써 두께가 25㎛인 도전층을 형성하였다.
이어서, N-메톡시메틸화 나일론 3부 및 공중합 나일론 3부를 메탄올 65부 및 n-부탄올 30부의 혼합 용제에 용해시킴으로써 중간층용 도포액을 제조하였다.
중간층용 도포액을 도전층 위로 침지 도포하고, 10분간 100℃에서 건조시킴으로써 두께가 0.7㎛인 중간층을 형성하였다.
이어서, CuKα 특성 X선 회절에 있어서의 브래그(Bragg) 각(2θ±0.2°)의 7.5°, 9.9°, 16.3°, 18.6°, 25.1° 및 28.3°에 강한 피크를 갖는 결정형의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(전하 발생 물질) 10부를, 시클로헥사논 250부에 폴리비닐부티랄 수지(상품명: S-LEC BX-1, Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조, 결착 수지) 5부를 용해시킨 용액에 첨가하였다. 최종 혼합물을 직경 1mm의 글래스 비즈(glass beads)를 사용한 샌드밀 장치로 23±3℃ 분위기 하에서 1시간 분산하였다. 분산 후, 아세트산 에틸 250부를 이에 첨가함으로써 전하 발생층용 도포액을 제조하였다.
이 전하 발생층용 도포액을 중간층 위로 침지 도포하고 10분간 100℃에서 건조시킴으로써 두께가 0.22㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 화학식 CTM-1로 나타내어지는 화합물(전하 수송 물질) 5.6부, 화학식 CTM-2로 나타내어지는 화합물(전하 수송 물질) 2.4부, 폴리카르보네이트 수지 A(1)(수지(A1)) 10부 및 폴리카르보네이트 수지 D(1)(수지(D1)) 0.36부를, o-크실렌 30부, 디메톡시메탄 20부, 탄산프로필렌 2.5부의 혼합 용매에 용해시킴으로써 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
전하 수송층용 도포액을 상기 전하 발생층 위로 침지 도포해서 도막을 형성한 후, 30분간 125℃에서 도막을 건조시킴으로써 두께가 15㎛인 전하 수송층을 형성하였다. 이에 따라, 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(실시예 2 및 3)
실시예 1에 있어서, 전하 수송층을 형성할 때의 건조 온도를 115℃ 또는 135℃로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 4 및 5)
실시예 1에 있어서, 전하 수송층의 두께를 10㎛ 또는 30㎛로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 6 내지 10)
실시예 1에 있어서, 용제 γ을 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 11)
실시예 6에 있어서, (ε)로서 디메톡시메탄을 테토라히드로푸란(THF)로 변경한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(실시예 12)
실시예 1에 있어서, 표 4에 나타낸 바와 같이 디메톡시메탄을 사용하지 않고, o-크실렌의 함유량을 50부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(실시예 13)
실시예 1에 있어서, 표 4에 나타낸 바와 같이, o-크실렌의 함유량을 20부로 변경하고 디메톡시메탄의 함유량을 30부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(실시예 14 내지 17)
실시예 1에 있어서, 화합물 δ를 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 18 및 19)
실시예 1에 있어서, 수지(D1)의 함유량을 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 20)
실시예 1에 있어서, 탄산프로필렌의 함유량을 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(실시예 21)
실시예 1에 있어서, 표 4에 나타낸 바와 같이, o-크실렌의 함유량을 28부로 변경하고, 탄산프로필렌의 함유량을 8부로 변경하고, 디메톡시메탄의 함유량을 18부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(실시예 22 및 23)
실시예 1에 있어서, 수지(D1)의 함유량 및 탄산프로필렌의 함유량을 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 24 내지 28 및 30 내지 79)
실시예 1에 있어서, 수지 α, 수지 β, 용제 γ, 화합물 δ, 전하 수송 물질 및 (ε)의 종류 및 함유량을 표 4 내지 6에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 29)
실시예 28에 있어서, 전하 수송층의 두께를 10㎛로 변경하고, 전하 수송층을 형성할 때의 건조 온도를 115℃로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(실시예 80 및 81)
실시예 1에 있어서, 첨가제로서 하기 화학식 AD-1로 나타내어지는 화합물 0.8부, 하기 화학식 AD-2로 나타내어지는 화합물 0.2부를 함유하고, 수지 α, 수지 β, 용제 γ, 화합물 δ, 전하 수송 물질 및 (ε)의 종류나 함유량을 표 6에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
[화학식 AD-1]
Figure pat00040
[화학식 AD-2]
Figure pat00041
(실시예 82 내지 85)
실시예 1에 있어서, 수지 α, 수지 β, 용제 γ, 화합물 δ, 전하 수송 물질 및 (ε)의 종류 및 함유량을 표 6에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(비교예 1 내지 7)
실시예 1에 있어서, 화합물 δ를 함유하지 않거나, 디이소부틸케톤 또는 아세트산 n-펜틸로 변경하고, 수지 β, 용제 γ 및 (ε)의 종류 및 함유량을 표 7에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다. 디이소부틸케톤, 아세트산 n-펜틸은 화합물 δ의 비교 화합물이라는 것에 유의해야 한다.
(비교예 8 내지 24)
실시예 1에 있어서, 수지 α, 수지 β, 용제 γ, 화합물 δ, 전하 수송 물질 및 (ε)의 종류 및 함유량을 표 7에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(비교예 25)
실시예 80에 있어서, 표 7에 나타낸 바와 같이, 화합물 δ를 함유하지 않는 것 이외에는, 실시예 80과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(비교예 26 내지 28)
실시예 1에 있어서, 표 7에 나타낸 바와 같이, 수지 β를 디메틸 실리콘 오일(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제조, KF-96-100cs)로 변경하고, 비교예 26에서는 화합물 δ을 함유하지 않거나, 비교예 27에서는 용제 γ를 클로로벤젠(모노클로로 벤젠)으로 변경하고, 화합물 δ를 함유하지 않는 것으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
(실시예 86 내지 157)
실시예 1에 있어서, 수지 α, 수지 β, 용제 γ, 화합물 δ, 전하 수송 물질 및 (ε)의 종류 및 함유량을 표 8 내지 10에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 158 및 159)
실시예 80 및 81에 있어서, 수지 α 및 수지 β의 종류 및 함유량을 표 10에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 80 및 81과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(실시예 160 내지 163)
실시예 1에 있어서, 수지 α, 수지 β, 용제 γ, 화합물 δ, 전하 수송 물질 및 (ε)의 종류 및 함유량을 표 10에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(비교예 29 내지 31)
실시예 86에 있어서, 표 11에 나타낸 바와 같이, 화합물 δ를 함유하지 않거나, 디이소부틸케톤 또는 아세트산 n-펜틸로 변경한 것 이외에는, 실시예 86과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다. 디이소부틸케톤 및 아세트산 n-펜틸은 화합물 δ의 비교 화합물이라는 것에 유의해야 한다.
(비교예 32 내지 49)
실시예 86에 있어서, 수지 α, 용제 γ, 화합물 δ, 전하 수송 물질 및 (ε)의 종류 및 함유량을 표 11에 나타낸 바와 각각 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
(비교예 50)
실시예 158에 있어서, 표 11에 나타낸 바와 같이, 화합물 δ를 함유하지 않는 것 이외에는, 실시예 158과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 제조하였다.
(비교예 51 내지 56)
실시예 1에 있어서, 수지 β를 함유하지 않고, 수지 α 및 화합물 δ의 종류와 함유량을 표 11에 나타낸 바와 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 전자 사진 감광체를 각각 제조하였다.
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
이어서, 평가에 대해 설명한다. 실시예 및 비교예에서 제조한 전자 사진 감광체의 동마찰 계수를 이하의 방법으로 측정하였다.
상온 상습 환경 하(23℃/50％RH)에서 Shinto Scientific Co., Ltd. 제조의 HEIDON-14를 사용해서 동마찰 계수를 측정하였다. 블레이드(우레탄 고무 블레이드)는, 일정한 하중(50g/cm2)이 블레이드에 가해진 상태에서 전자 사진 감광체에 접촉되도록 설치되었다. 전자 사진 감광체를 50mm/min의 프로세스 속도로 평행 이동시켰을 때의 전자 사진 감광체와 우레탄 고무 블레이드 사이에 작용하는 마찰력을 측정하였다. 마찰력은, 우레탄 고무 블레이드측에 설치한 왜곡 게이지의 왜곡양으로 측정하고, 인장 하중(감광체에 가해지는 힘)으로 환산하였다. 동마찰 계수는 우레탄 고무 블레이드가 움직이고 있을 때의 "감광체에 가해지는 힘(마찰력)(gf)"를 "블레이드에 가해진 하중(gf)"로 나눔으로써 결정된다. 우레탄 고무 블레이드로서는, Hokushin Kogyo Co., Ltd. 제조의 우레탄 블레이드(고무 경도 67°를 가짐)를 5mm×30mm×2mm의 치수로 절단한 단편을 사용하고, 하중 50g/cm2 및 각도 27°에서 폭방향으로 마찰 계수를 측정하였다.
또한, 전자 사진 감광체의 각각의 표면에 있어서의 규소 원소의 존재 비율을, 전자 분광 화학 분석법(electron spectroscopy for chemical analysis)(ESCA)을 채용하여 측정하였다. 전자 분광 화학 분석법은 물질의 지극히 표면 상의 원소 분포를 드러낸다. 측정에는, ULVAC-PHI, Inc. 제조의 Quantum 2000 Scanning ESCA Microprobe를 사용하였다.
표 12 및 13은 얻어진 동마찰 계수 및 규소 원소의 존재 비율을 나타낸다. 수지 β로서 폴리카르보네이트 수지 또는 폴리에스테르 수지를 각각 사용한 실시예 1 내지 85에 있어서, 실시예 1 내지 85의 동마찰 계수는, 수지 β가 폴리카르보네이트 수지 또는 폴리에스테르 수지인 비교예 6의 동마찰 계수를 1로 했을 때의 상대치로서 결정되었다는 것에 유의해야 한다. 비교예 1 내지 28에 대해서도 마찬가지로 동마찰 계수의 상대치를 결정하였다. 수지 β로서 폴리아크릴레이트 수지를 사용한 실시예 86 내지 163에 있어서, 실시예 86 내지 163의 동마찰 계수는, 수지 β가 폴리아크릴레이트 수지인 비교예 48의 동마찰 계수를 1로 했을 때의 상대치로서 결정하였다. 비교예 29 내지 56에 대해서도 마찬가지로 동마찰 계수의 상대치를 결정하였다.
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
표 12 중, 실시예 및 비교예의 "동마찰 계수"는 비교예 6의 동마찰 계수(0.39)에 대한 상대치를 나타낸다. 괄호 내의 수치는 동마찰 계수를 측정한 값이라는 것에 유의해야 한다. 표 13 중, 실시예 및 비교예의 "동마찰 계수"는, 비교예 48의 동마찰 계수(0.57)에 대한 상대치를 나타낸다. 괄호 내의 수치는 동마찰 계수를 측정한 값이라는 것에 유의해야 한다.
비교예 1 내지 3과 실시예 사이의 비교는, 화합물 δ를 함유하지 않을 경우에는, 실시예와 비교해서 표면의 규소 원소의 비율이 낮고, 동마찰 계수가 높은 것을 나타낸다. 수지 α, 수지 β, 용제 γ 등의 종류를 변경해도 상술한 바와 같은 마찬가지의 효과가 나타난다.
또한, 비교예 4 및 5와 실시예 사이의 비교는, 화학식 1로 나타내어지는 구조를 갖는 화합물 δ을 함유하지 않고, 크실렌 또는 톨루엔보다 높은 비점을 갖는 용제(디이소부틸케톤 또는 아세트산 n-펜틸)를 함유해도 표면의 규소 원소의 비율을 높게 할 수는 없고, 동마찰 계수를 저하시키지 않는 것을 나타낸다. 수지 α, 수지 β, 용제 γ 등의 종류를 변경해도 상술한 바와 같은 마찬가지의 효과가 나타난다.
비교예 51 내지 56의 각각으로부터 알 수 있는 바와 같이, 수지 β를 함유하지 않을 경우, 수지 α로서 실록산 부위를 갖는 수지를 함유할지의 여부에 관계없이, 동마찰 계수는 매우 높고, 화합물 δ을 첨가하는 것에 의한 마찰 계수의 저하도 관찰되지 않는다.
비교예 26 내지 28은, 수지 β 대신에 디메틸 실리콘 오일을 사용한 경우, 화합물 δ를 함유하는 것에 의한 효과가 관찰되지 않고, 동마찰 계수가 저하되지 않는 것을 각각 나타낸다. 또한, 모노클로로벤젠을 사용한 경우와, 크실렌을 사용한 경우 사이에, 동마찰 계수의 차는 없고, 디메틸 실리콘 오일에서는, 크실렌을 사용한 것에 의한 초기 마찰 계수의 변화는 거의 없었다.
실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 개시된 실시예로 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변경, 동등한 구성 및 기능을 포함하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (13)

  1. 표면층을 갖는 전자 사진 감광체의 제조 방법이며,
    표면층용 도포액의 도막을 형성하는 공정; 및
    표면층을 형성하도록 도막을 건조하는 공정을 포함하고,
    상기 표면층용 도포액은,
    (α) 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리카르보네이트 수지 및 말단에 실록산 부위를 갖지 않은 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지;
    (β) 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리카르보네이트 수지, 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리에스테르 수지 및 말단에 실록산 부위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수지;
    (γ) 톨루엔 및 크실렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용제; 및
    (δ) 1기압에서 상기 (γ)의 용제보다 비점이 높고, 화학식 1로 나타내어지는 화합물을 함유하고,
    [화학식 1]
    Figure pat00059

    상기 화학식 1 중, R은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기를 나타내고, n은 0 또는 1을 나타내는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (δ)의 화합물은 탄산프로필렌, γ-부티로락톤, δ-발레로락톤 및 ε-카프로락톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (δ)의 화합물의 함유량은 상기 (α)의 수지와 상기 (β)의 수지를 합계한 질량에 대하여 3질량％ 이상 300질량％ 이하이고, 상기 (γ)의 용제의 함유량에 대하여 0.5질량％ 이상 150질량％ 이하인, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 (δ)의 화합물의 함유량은 상기 (α)의 수지와 상기 (β)의 수지를 합계한 질량에 대하여 5질량％ 이상 80질량％ 이하이고, 상기 (γ)의 용제의 함유량에 대하여 0.5질량％ 이상 40질량％ 이하인, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 (β)의 수지의 함유량은 상기 (α)의 수지의 함유량에 대하여 0.1질량％ 이상 50질량％ 이하인, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 표면층용 도포액은,
    (ε) 디메톡시메탄 및 테트라히드로푸란 중 1종 이상
    을 더 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 (γ)의 용제, 상기 (δ)의 화합물 및 상기 (ε)를 합계한 질량에 대하여, 상기 (γ)의 용제의 함유량은 15질량％ 이상 99질량％ 이하이고, 상기 (δ)의 화합물의 함유량은 0.5질량％ 이상 35질량％ 이하이고, 상기 (ε)의 함유량은 0.1질량％ 이상 65질량％ 이하인, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    말단에 실록산 부위를 갖지 않는 폴리카르보네이트 수지는 화학식 A로 나타내어지는 구조 단위를 갖는 폴리카르보네이트 수지 A를 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
    [화학식 A]
    Figure pat00060

    상기 화학식 A 중, R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X1은 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 화학식 C로 나타내어지는 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고,
    [화학식 C]
    Figure pat00061

    상기 화학식 C 중, R41 및 R42는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타낸다.
  9. 제1항에 있어서,
    말단에 실록산 부위를 갖지 않는 폴리에스테르 수지는 화학식 B로 나타내어지는 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 B를 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
    [화학식 B]
    Figure pat00062

    상기 화학식 B 중, R31 내지 R34는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X2는 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 화학식 C로 나타내어지는 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고, Y1은 m-페닐렌기, p-페닐렌기 또는 2개의 p-페닐렌기가 산소 원자를 개재해서 결합된 2가의 기를 나타내고,
    [화학식 C]
    Figure pat00063

    상기 화학식 C 중, R41 및 R42는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타낸다.
  10. 제1항에 있어서,
    말단에 실록산 부위를 갖는 폴리카르보네이트 수지는 화학식 A'로 나타내어지는 구조 단위와 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조를 갖는 폴리카르보네이트 수지 D를 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
    [화학식 A']
    Figure pat00064

    상기 화학식 A' 중, R25 내지 R28은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X3은 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 화학식 C'로 나타내어지는 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고,
    [화학식 C']
    Figure pat00065

    상기 화학식 C' 중, R43 및 R44는 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타내고,
    [화학식 D]
    Figure pat00066

    상기 화학식 D 중, "a" 및 "b"는 각각 독립적으로 각 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 폴리카르보네이트 수지 D에 대한 "a"의 평균값은 20 이상 100 이하이고, "b"의 평균값은 1 이상 10 이하이다.
  11. 제1항에 있어서,
    말단에 실록산 부위를 갖는 폴리에스테르 수지는 화학식 B'로 나타내어지는 구조 단위와 화학식 D로 나타내어지는 말단 구조를 갖는 폴리에스테르 수지 E를 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
    [화학식 B']
    Figure pat00067

    상기 화학식 B' 중, R35 내지 R38은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X4는, 단결합, 시클로헥실리덴기 또는 화학식 C'로 나타내어지는 구조를 갖는 2가의 기를 나타내고, Y2는 m-페닐렌기, p-페닐렌기 또는 2개의 p-페닐렌기가 산소 원자를 개재해서 결합된 2가의 기를 나타내고,
    [화학식 C']
    Figure pat00068

    상기 화학식 C' 중, R43 및 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타내고,
    [화학식 D]
    Figure pat00069

    상기 화학식 D 중, "a" 및 "b"는 각각 독립적으로 각 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 폴리에스테르 수지 E에 대한 "a"의 평균값은 20 이상 100 이하이고, 폴리에스테르 수지 E에 대한 "b"의 평균값은 1 이상 10 이하이다.
  12. 제1항에 있어서,
    말단에 실록산 부위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지는 화학식 F-1로 나타내어지는 말단 구조와 화학식 F-2로 나타내어지는 구조 단위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지 F와, 화학식 F-1로 나타내어지는 말단 구조와 화학식 F-3으로 나타내어지는 구조 단위를 갖는 폴리아크릴레이트 수지 F 중 하나를 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
    [화학식 F-1]
    Figure pat00070

    상기 화학식 F-1 중, R51은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, "c"는 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 폴리아크릴레이트 수지 F에 대한 "c"의 평균값은 0 이상 5 이하이고, R52 내지 R54는 각각 독립적으로 화학식 F-1-2로 나타내어지는 구조, 메틸기, 메톡시기 또는 페닐기를 나타내고,
    [화학식 F-1-2]
    Figure pat00071

    상기 화학식 F-1-2 중, "d"는 괄호 내의 구조의 반복수를 나타내고, 폴리아크릴레이트 수지 F에 대한 "d"의 평균값은 10 이상 50 이하이고, R55는 히드록시기 또는 메틸기를 나타내고,
    [화학식 F-2]
    Figure pat00072

    [화학식 F-3]
    Figure pat00073

    상기 화학식 F-3 중, R56은 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기를 나타내고, "e"는 0 또는 1을 나타낸다.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 (γ)의 용제는 크실렌을 포함하는, 전자 사진 감광체의 제조 방법.
KR1020140003231A 2013-01-18 2014-01-10 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 KR20140093617A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-007477 2013-01-18
JP2013007477A JP6059025B2 (ja) 2013-01-18 2013-01-18 電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140093617A true KR20140093617A (ko) 2014-07-28

Family

ID=51189280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140003231A KR20140093617A (ko) 2013-01-18 2014-01-10 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9170507B2 (ko)
JP (1) JP6059025B2 (ko)
KR (1) KR20140093617A (ko)
CN (1) CN103941553B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6033097B2 (ja) 2013-01-18 2016-11-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2014160238A (ja) 2013-01-28 2014-09-04 Canon Inc 電子写真感光体の製造方法
JP6555877B2 (ja) 2013-12-26 2019-08-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体、及び、該電子写真感光体の製造方法、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
US20150346616A1 (en) 2014-06-03 2015-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, manufacturing method of electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and phthalocyanine crystal and manufacturing method of phthalocyanine crystal
JP6444085B2 (ja) 2014-07-23 2018-12-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP2017010009A (ja) 2015-06-24 2017-01-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US10095137B2 (en) 2016-04-04 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, method of producing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus
JP6978858B2 (ja) 2016-06-21 2021-12-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置
US10416581B2 (en) 2016-08-26 2019-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP7034768B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP7034769B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2019152699A (ja) 2018-02-28 2019-09-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US10747130B2 (en) 2018-05-31 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7054366B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-13 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7059112B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7059111B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、並びにプロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7129225B2 (ja) 2018-05-31 2022-09-01 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法
JP7150485B2 (ja) 2018-05-31 2022-10-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7413054B2 (ja) 2019-02-14 2024-01-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7358276B2 (ja) 2019-03-15 2023-10-10 キヤノン株式会社 電子写真画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP7337649B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7337652B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及びそれを用いた電子写真装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58167606A (ja) 1982-03-27 1983-10-03 Toagosei Chem Ind Co Ltd ラジカル共重合によるグラフト共重合体の製造方法
JPS6275462A (ja) 1985-09-27 1987-04-07 Canon Inc 像保持部材
US4716091A (en) 1985-02-19 1987-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic member with silicone graft copolymer in surface layer
JP3352723B2 (ja) 1992-09-03 2002-12-03 三菱化学株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP2001343767A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Canon Inc 電荷輸送層用塗布液及びそれを用いて製造した電子写真感光体
US6562530B2 (en) 2000-06-21 2003-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus having the electrophotographic photosensitive member
JP3781268B2 (ja) * 2000-10-25 2006-05-31 三菱化学株式会社 ポリエステル樹脂及びその製造方法、並びにそれを用いた電子写真感光体
JP2002244329A (ja) * 2001-02-19 2002-08-30 Konica Corp 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
MXPA02012321A (es) 2001-12-21 2004-12-13 Canon Kk Elemento fotosensible electrofotografico, cartucho del proceso y aparato electrofotografico.
US6913862B2 (en) 2001-12-21 2005-07-05 Canon Kabushiki Kaisha Phenolic compound, novel resol resin, cured products thereof, electrophotographic photosensitive member containing them, and process cartridge and electrophotographic apparatus which have the electrophotographic photosensitive member
US6806009B2 (en) 2001-12-21 2004-10-19 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
MXPA02012553A (es) 2001-12-21 2004-09-03 Canon Kk Miembro electrofotografico fotosensible, cartucho de proceso y aparato electrofotografico.
US7022446B2 (en) 2002-07-15 2006-04-04 Canon Kk Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
CN1310096C (zh) 2002-07-15 2007-04-11 佳能株式会社 电摄影感光体、电摄影装置和成像处理盒
CN100373262C (zh) 2002-11-18 2008-03-05 佳能株式会社 电摄影感光体、电摄影装置及成像处理盒
US7122283B2 (en) * 2004-04-14 2006-10-17 Xerox Corporation Photoconductive members
JP4416716B2 (ja) 2005-08-12 2010-02-17 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP4847245B2 (ja) 2005-08-15 2011-12-28 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4566867B2 (ja) 2005-09-08 2010-10-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4944591B2 (ja) 2005-12-28 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP5365077B2 (ja) 2007-07-06 2013-12-11 三菱化学株式会社 電子写真感光体、電子写真カートリッジ、及び画像形成装置
US20090087761A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Noriyuki Fukushima Resin composition for electrophotographic photoconductor and electrophotographic photoconductor using the same
KR101196105B1 (ko) * 2008-07-18 2012-11-01 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
CN102165375B (zh) 2008-09-26 2013-06-19 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
JP2010143950A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ポリカーボネート樹脂組成物及びそれを用いた電子写真感光体
JP4764953B1 (ja) * 2009-12-09 2011-09-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5036901B1 (ja) 2010-10-29 2012-09-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP2012123379A (ja) * 2010-11-15 2012-06-28 Mitsubishi Chemicals Corp 電子写真感光体、並びにそれを用いた電子写真カートリッジ及び画像形成装置
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP5672107B2 (ja) * 2011-03-29 2015-02-18 三菱化学株式会社 電子写真感光体、電子写真カートリッジ、及び画像形成装置
WO2012140761A1 (ja) * 2011-04-14 2012-10-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
WO2012165642A1 (en) 2011-05-31 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP5172031B2 (ja) 2011-07-29 2013-03-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5575182B2 (ja) 2011-07-29 2014-08-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6214321B2 (ja) * 2012-11-14 2017-10-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6059025B2 (ja) 2017-01-11
US20140205946A1 (en) 2014-07-24
US9170507B2 (en) 2015-10-27
JP2014137560A (ja) 2014-07-28
CN103941553A (zh) 2014-07-23
CN103941553B (zh) 2017-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140093617A (ko) 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
JP6033097B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5575182B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5172031B2 (ja) 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
KR101490644B1 (ko) 전자사진용 감광성 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법
KR101449885B1 (ko) 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치 및, 전자사진 감광체의 제조 방법
EP2633370B1 (en) Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP4948670B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP6161297B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4764953B1 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
WO2012140761A1 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5491208B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
EP2757419B1 (en) Method of producing electrophotographic photosensitive member

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application