KR101490644B1 - 전자사진용 감광성 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법 - Google Patents

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아츠시 오쿠다
시오 무라이
하루노부 오가키
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Abstract

전자사진용 감광성 부재는 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하는데, 상기 전하 수송층은 성분 β 및 γ를 포함하는 매트릭스; 및 성분 α를 포함하는 도메인을 갖는 매트릭스-도메인 구조를 갖는다.

Description

전자사진용 감광성 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER}
본 발명은, 전자사진용 감광성 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전하 발생 물질(유기 광전도성 물질)을 함유하는 유기 전자사진용 감광성 부재(이하에서, "전자사진용 감광성 부재"로 지칭됨)는 전자사진 장치 상에 장착된 전자사진용 감광성 부재로 공지되어 있다. 전자사진 과정에서, 다양한 부재, 예컨대 현상기, 대전(charging) 부재, 클리닝 블레이드(cleaning blade), 종이, 및 전사 부재(이하에서, "접촉 부재 등"으로 또한 지칭됨)가 전자사진용 감광성 부재의 표면과 접촉한다. 따라서, 상기 전자사진용 감광성 부재에서는 그러한 접촉 부재 등과의 접촉 응력(contact stress)으로 인한 상 열화의 발생이 감소되어야 한다. 특히, 최근에 전자사진용 감광성 부재는, 전자사진용 감광성 부재의 내구성 개선과 함께 접촉 응력으로 인한 상 열화를 감소시키는 지속적인 효과를 지녀야 한다.
접촉 응력의 지속적인 감소를 위해서, 특허 문헌 1에는, 실록산 구조를 분자 사슬 내로 통합시켜서 얻은 실록산 수지를 사용하여 표면 층에 매트릭스 도메인 구조를 형성시키는 방법이 제안되어 있다. 특히, 상기 문헌은, 특정 실록산 구조가 통합된 폴리에스테르 수지를 사용하면 접촉 응력의 지속적인 감소와 전자사진용 감광성 부재의 반복 사용시 전위 안정성(potential stability)(변동 억제) 사이에서 우수한 균형성이 얻어질 수 있음을 보여준다.
한편, 이 문헌에는 분자 사슬 중에 실록산 구조를 갖는 실록산 개질된 수지를 전자사진용 감광성 부재의 표면층으로 첨가하는 기술이 제안되었다. 특허 문헌 2 및 특허 문헌 3에는 각각, 특정 구조를 갖는 실록산 구조가 통합된 폴리카르보네이트 수지, 및 특정 구조를 갖는 실록산 구조가 통합된 폴리에스테르 수지를 함유하는 전자사진용 감광성 부재, 및 상기 감광성 부재 표면의 슬라이딩 특성 및 내구성에서의 개선과 같은 효과가 제안되었다.
인용 리스트
국제 특허 WO 2010/008095A호 일본 특허 출원 공개 번호 H05-158249호 일본 특허 출원 공개 번호 H08-234468호
특허 문헌 1에 개시된 전자사진용 감광성 부재는, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 우수한 균형성을 갖는다. 그러나, 본 발명의 발명자들은 연구를 실시한 결과, 특정 구조를 갖는 전하 수송 물질을 사용하는 경우 반복 사용시 전위 안정성이 추가로 개선될 수 있음을 발견하였다.
특허 문헌 2에는, 측쇄에 실록산 구조를 갖는 폴리카르보네이트 수지가 전자사진용 감광성 부재 표면의 슬라이딩 특성을 개선시키는데 사용되고 있음이 기재되었다. 그러나, 특허 문헌 2의 전자사진용 감광성 부재는, 접촉 응력의 지속적인 감소와 전자사진용 감광성 부재의 반복 사용시 전위 안정성(변동 억제) 사이에서 우수한 균형성을 충분히 나타내지는 못한다.
특허 문헌 3에는, 실록산 구조가 통합된 수지를 함유하는 감광성 부재에서 상기 표면의 슬라이딩 특성 및 내마모성이 개선됨이 기재되었다. 그러나, 특허 문헌 3의 전자사진용 감광성 부재는, 접촉 응력의 지속적인 감소와 전자사진용 감광성 부재의 반복 사용시 전위 안정성(변동 억제) 사이에서 우수한 균형성을 충분히 나타내지는 못한다.
본 발명의 과제는, 접촉 부재 등과의 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 우수한 균형성을 갖는, 특정 전하 수송 물질을 함유하는 전자사진용 감광성 부재를 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 과제는, 상기 전자사진용 감광성 부재를 구비한 프로세스 카트리지, 및 상기 전자사진용 감광성 부재를 구비한 전자사진 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 추가 과제는, 상기 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 언급된 과제들은 하기 본 발명에 의해 성취된다.
본 발명은, 도전성 지지체, 상기 도전성 지지체 상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및 상기 전하 발생층 상에 제공되고 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하고; 상기 전하 수송층은, 하기 화학식 A로 표시된 반복 구조 단위 및 하기 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 A를 포함하는 도메인; 및 하기 화학식 C로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리카르보네이트 수지 C 및 하기 화학식 D로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 수지, 및 하기화학식 1로 표시된 화합물, 하기 화학식 1'로 표시된 화합물, 하기 화학식 2로 표시된 화합물, 및 하기 화학식 2'로 표시된 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 전하 수송 물질을 포함하는 매트릭스를 갖는 매트릭스-도메인 구조를 가지며; 상기 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티(moiety)의 함량은 폴리에스테르 수지 A의 전체 질량에 대하여 5.0 질량% 이상 및 40 질량% 이하인, 전자사진용 감광성 부재에 관한 것이다:
[화학식 A]
Figure 112013056049642-pct00001
[화학식 B]
Figure 112013056049642-pct00002
[화학식 C]
Figure 112013056049642-pct00003
[화학식 D]
Figure 112013056049642-pct00004
[화학식 1]
Figure 112013056049642-pct00005
[화학식 1']
Figure 112013056049642-pct00006
[화학식 2]
Figure 112013056049642-pct00007
[화학식 2']
Figure 112013056049642-pct00008
상기 화학식 A에서, Y1은 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고; X1은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고; W1은 하기 화학식 a로 표시된 1가 기, 또는 하기 화학식 b로 표시된 1가 기를 나타내고:
([화학식 a]
Figure 112013056049642-pct00009
[화학식 b]
Figure 112013056049642-pct00010
상기 화학식 a 및 b에서, R41은 메틸 기 또는 페닐 기를 나타내고, R42 및 R43은 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고, "n"은 괄호 안 구조의 반복 횟수를 나타내고, 폴리에스테르 수지 A에서 "n"의 평균은 10 내지 150의 범위 내이고; "m" 및 "k"는 각각 독립적으로 괄호 안 구조의 반복 횟수를 나타내고, 폴리에스테르 수지 A에서 "m + k"의 평균은 10 내지 150의 범위 내이다);
상기 화학식 B에서, R51 내지 R54는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타내고, X2는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고, Y2는 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고;
상기 화학식 C에서, R61 내지 R64는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타내고, Y3은 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타낸다;
상기 화학식 D에서, R71 내지 R74는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타내고, X4는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 및 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고, Y4는 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타낸다;
상기 화학식 1 및 1'에서, Ar1은 페닐 기, 또는 메틸 기 또는 에틸 기로 치환된 페닐 기를 나타내고, Ar2는 페닐 기, 메틸 기로 치환된 페닐 기, 화학식 "-CH=CH-Ta"로 표시된 1가 기로 치환된 페닐 기, 또는 "화학식 -CH=CH-Ta"(식에서, Ta는 하나의 수소 원자의 손실에 의해 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 유래하거나, 하나의 수소 원자의 손실에 의해 메틸 기 또는 에틸 기로 치환된 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 유래한 1가 기를 나타낸다)로 표시된 1가 기로 치환된 비페닐 기를 나타내고, R1은 페닐 기, 메틸 기로 치환된 페닐 기, 또는 화학식 "-CH=C(Ar3)Ar4"(식에서, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다)로 표시된 1가 기로 치환된 페닐 기를 나타내고, R2는 수소 원자, 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타내고;
상기 화학식 2 및 2'에서, Ar21, Ar22, Ar24, Ar25, Ar27 및 Ar28은 각각 독립적으로 페닐 기 또는 톨릴 기를 나타내고, Ar23 및 Ar26은 각각 독립적으로 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다.
본 발명은 또한 전자사진 장치의 본체에 탈착가능하게 부착될 수 있는 프로세스 카트리지로서, 상기 프로세스 카트리지가 전자사진용 감광성 부재; 및 대전 장치, 현상 장치, 전사 장치, 및 클리닝 장치로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 장치를 통합적으로 지지하는 프로세스 카트리지에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 전자사진용 감광성 부재; 대전 장치; 노광 장치; 현상 장치; 및 전사 장치를 포함하는, 전자사진 장치에 관한 것이다.
본 발명은 또한 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법으로서, 상기 방법이 전하 발생층 상에 전하 수송층 도포액을 도포하고 상기 도포액을 건조시켜서 전하 수송층을 형성시키는 단계를 포함하고, 상기 전하 수송층 도포액이 폴리에스테르 수지 A, 폴리카르보네이트 수지 C 및 폴리에스테르 수지 D로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 수지, 및 화학식 1로 표시된 화합물, 화학식 1'로 표시된 화합물, 화학식 2로 표시된 화합물 및 화학식 2'로 표시된 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 전하 수송 물질을 포함하는, 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 접촉 부재 등과의 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 우수한 균형성을 갖는, 특정 전하 수송 물질을 함유하는 전자사진용 감광성 부재를 제공할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따르면, 전자사진용 감광성 부재를 구비한 프로세스 카트리지, 및 상기 전자사진용 감광성 부재를 구비한 전자사진 장치를 또한 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법을 또한 제공할 수 있다.
본 발명의 추가 특성들은, 첨부된 도면을 참고하여 예시적인 실시양태의 하기 설명으로부터 자명해지게 될 것이다:
도 1은, 본 발명의 전자사진용 감광성 부재를 구비한 프로세스 카트리지를 포함하는 전자사진 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
이하에서, 폴리에스테르 수지 A는 성분 α로 지칭된다. 하기 화학식 C로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리카르보네이트 수지 C, 및 하기 화학식 D로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 수지는 성분 β로 지칭된다. 하기 화학식 1로 표시된 화합물, 화학식 1'로 표시된 화합물, 화학식 2로 표시된 화합물, 및 화학식 2'로 표시된 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 전하 수송 물질은 성분 γ로 지칭된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 전자사진용 감광성 부재는, 도전성 지지체, 상기 도전성 지지체 상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및 상기 전하 발생층 상에 제공되고 상기 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하고, 상기 전하 수송층은 성분 β 및 성분 γ를 포함하는 매트릭스, 및 성분 α를 포함하는 도메인을 갖는 매트릭스-도메인 구조를 갖는다.
본 발명의 매트릭스-도메인 구조를 "해도(sea-island) 구조"와 비교하면, 매트릭스는 바다에 상응하고 도메인은 섬에 상응한다. 성분 α를 포함하는 도메인은, 성분 β 및 성분 γ를 포함하는 매트릭스 중에 형성된 과립상(섬과 유사한) 구조를 갖는다. 성분 α를 포함하는 도메인은, 독립 도메인으로 매트릭스 중에 존재한다. 상기 매트릭스-도메인 구조는 전하 수송층의 표면 또는 전하 수송층의 단면을 관찰함으로써 확인할 수 있다.
매트릭스-도메인 구조의 상태 관찰, 또는 도메인 구조의 측정은, 예를 들어 상업적으로 입수가능한 레이저 현미경, 광 현미경, 전자 현미경, 또는 원자간력 현미경을 사용하여 실시될 수 있다. 매트릭스-도메인 구조의 상태 관찰, 또는 도메인 구조의 측정은, 상기 언급된 현미경 중의 임의 것을 소정 배율에서 사용함으로써 실시될 수 있다.
본 발명에서 성분 α를 포함하는 도메인의 수 평균 입도는 바람직하게는 100 nm 이상 및 1,000 nm 이하이다. 또한, 각각의 도메인 입도의 입도 분포는 바람직하게는, 접촉 응력을 감소시키는 지속적인 효과의 측면에서 좁다. 본 발명에서의 수 평균 입도는, 상기 언급된 현미경으로 본 발명의 전하 수송층을 수직으로 절단시켜서 얻은 단면을 관찰하여 확인된 100개의 도메인을 임의로 선택하여 측정된다. 그 후, 각각의 선택된 도메인의 최대 직경을 측정하고 평균화하여 각각의 도메인의 수 평균 입도를 계산한다. 전하 수송층의 단면 표면을 현미경으로 관찰하면, 전하 수송층의 3차원 상을 제공하도록 깊이 방향에서의 상 정보가 얻어질 수 있음이 주목되어야 한다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재에서 전하 수송층의 매트릭스-도메인 구조는, 성분 α, β 및 γ를 함유하는 전하 수송층 도포액을 사용하여 형성시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 전자사진용 감광성 부재는, 전하 발생층 상에 상기 전하 수송층 도포액을 도포하고 상기 도포액을 건조시켜서 전하 수송층을 형성시킴으로써 제조될 수 있다.
본 발명의 매트릭스-도메인 구조는, 성분 α를 포함하는 도메인이 성분 β 및 γ를 포함하는 매트릭스 중에서 형성되는 구조이다. 접촉 응력의 감소 효과는, 전하 수송층의 표면 상에서 뿐만 아니라 전하 수송층 중에서 성분 α를 포함하는 도메인을 형성시킴으로써 지속적으로 나타나는 것으로 생각된다. 구체적으로, 이것은 아마도, 부재, 예컨대 종이 또는 클리닝 블레이드의 마찰에 의해 감소되는 접촉 응력의 감소 효과를 갖는 실록산 수지 성분이 전하 수송층 내 도메인으로부터 공급될 수 있기 때문일 것이다.
본 발명의 발명자들은, 특정 구조를 갖는 전하 수송 물질이 전하 수송 물질로 사용되는 경우에, 반복 사용시 전위 안정성이 추가로 개선될 수 있음을 발견하였다. 또한, 본 발명자들은, 본 발명의 특정 전하 수송 물질(성분 γ)을 함유하는 전자사진용 감광성 부재에서 반복 사용시 전위 안정성이 추가로 향상되는 이유를 하기와 같이 추정하였다.
본 발명의 매트릭스-도메인 구조를 갖는 전하 수송층을 포함하는 전자사진용 감광성 부재에서, 반복 사용시 전위 변동을 억제하기 위해서는 형성된 매트릭스-도메인 구조의 도메인 내 전하 수송 물질의 함량을 가능한 한 많이 감소시키는 것이 중요하다. 전하 수송 물질과, 도메인을 형성시키는 실록산 구조가 통합된 수지 사이에서의 상용성(compatibility)이 높아지게 되는 경우, 상기 도메인 내 전하 수송 물질 함량이 높아지게 되어 응집이 일어나고, 전하가 상기 감광성 부재의 반복 사용시 도메인 내 전하 수송 물질 중에 포획되어 전위 안정성이 불충분해지게 된다.
특정 구조를 갖는 전하 수송 물질을 함유하는 전자사진용 감광성 부재에서 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 우수한 균형성을 얻기 위해서는, 실록산 구조가 통합된 수지에 의해 상기 특성을 개선시켜야 한다. 본 발명에서의 성분 γ는, 상기 전하 수송층 내 수지와 높은 상용성을 갖는 전하 수송 물질이고, 성분 γ의 응집체는, 성분 γ가 실록산 함유 수지를 포함하는 도메인 중에 다량으로 함유되기 때문에 용이하게 형성될 수 있다.
본 발명에서, 우수한 전하 수송 능력은, 성분 γ를 포함하는 전자사진용 감광성 부재 중에 본 발명의 성분 α를 포함하는 도메인을 형성시킴으로써 유지될 수 있다. 이것은 아마도, 도메인 내 성분 γ의 함량이 성분 α를 포함하는 도메인을 형성시킴으로써 감소되기 때문일 것이다. 이것은 아마도, 성분 α인 폴리에스테르 수지 A 내 분지된 실록산 구조가, 상기 수지와 상용성인 구조를 갖는 성분 γ의 도메인 내 잔류를 억제할 수 있기 때문일 것이다.
[성분 γ]
본 발명의 성분 γ는 하기 화학식 1로 표시된 화합물, 하기 화학식 1'로 표시된 화합물, 하기 화학식 2로 표시된 화합물, 및 하기 화학식 2'로 표시된 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 전하 수송 물질이다:
[화학식 1]
Figure 112013056049642-pct00011
[화학식 1']
Figure 112013056049642-pct00012
[화학식 2]
Figure 112013056049642-pct00013
[화학식 2']
Figure 112013056049642-pct00014
상기 화학식 1 및 1'에서, Ar1은 페닐 기, 또는 메틸 기 또는 에틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다. Ar2는 페닐 기, 메틸 기로 치환된 페닐 기, 화학식 "-CH=CH-Ta"(식에서, Ta는 하나의 수소 원자의 손실에 의해 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 유래하거나, 하나의 수소 원자의 손실에 의해 메틸 기 또는 에틸 기로 치환된 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 유래한 1가 기를 나타낸다)로 표시된 1가 기로 치환된 페닐 기, 또는 화학식 "-CH=CH-Ta"로 표시된 1가 기로 치환된 비페닐 기를 나타낸다. R1은 페닐 기, 메틸 기로 치환된 페닐 기, 화학식 "-CH=C(Ar3)Ar4"(식에서, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다)로 표시된 1가 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다. R2는 수소 원자, 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다.
상기 화학식 2 및 2'에서, Ar21, Ar22, Ar24, Ar25, Ar27 및 Ar28은 각각 독립적으로 페닐 기, 톨릴 기를 나타내고, Ar23 및 Ar26은 각각 독립적으로 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다.
성분 γ이며 상기 언급된 화학식 1, 1', 2 및 2'로 표시된 구조를 갖는 전하 수송 물질의 구체적인 예가 이하에 도시되어 있다:
Figure 112013056049642-pct00015
Figure 112013056049642-pct00016
Figure 112013056049642-pct00017
그 중에서, 성분 γ는 바람직하게는 상기 언급된 화학식 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-7, 1-8, 1-9, 2-1 또는 2-5로 표시된 구조를 갖는 전하 수송 물질이다.
[성분 α]
본 발명의 성분 α는, 하기 화학식 A로 표시된 반복 구조 단위, 및 하기 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 A이다. 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 함량은 5.0 질량%(5% 질량) 이상 및 40 질량% 이하이다:
[화학식 A]
Figure 112013056049642-pct00018
[화학식 B]
Figure 112013056049642-pct00019
상기 화학식 A에서, Y1은 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고; X1은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고; W1은 하기 화학식 a로 표시된 1가 기, 또는 하기 화학식 b로 표시된 1가 기를 나타내고:
([화학식 a]
Figure 112013056049642-pct00020
[화학식 b]
Figure 112013056049642-pct00021
상기 화학식 a 및 b에서, R41은 메틸 기 또는 페닐 기를 나타내고; R42 및 R43은 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고; "n"은 괄호 안 구조의 반복 횟수를 나타내고, 폴리에스테르 수지 A에서 "n"의 평균은 10 내지 150의 범위 내이고; "m" 및 "k"는 각각 독립적으로 괄호 안 구조의 반복 횟수를 나타내고, 폴리에스테르 수지 A에서 "m + k"의 평균은 10 내지 150의 범위 내이다);
상기 화학식 B에서, R51 내지 R54는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타내고; X2는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고; Y2는 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
이하에서, 성분 α이며 상기 언급된 화학식 A로 표시된 반북 구조 단위 및 상기 언급된 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 A를 설명한다.
상기 언급된 화학식 A로 표시된 반복 구조 단위의 구체적인 예가 이하에 도시되어 있다:
Figure 112013056049642-pct00022
Figure 112013056049642-pct00023
그 중에서, 상기 언급된 화학식 A로 표시된 반복 구조 단위는 바람직하게는 상기 언급된 화학식 A-1 및 A-2 중 하나로 표시된 반북 구조 단위이다.
상기 언급된 화학식 A-1 내지 A-12 중 하나로 표시된 구조 단위에서 W1은 화학식 a 또는 화학식 b로 표시된 1가 기를 나타낸다.
상기 언급된 화학식 a 및 b에서, 폴리에스테르 수지 A에서 "n"의 평균은 10 이상 내지 150 이하이다. 또한, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 우수한 균형성의 측면에서, "n"의 평균은 바람직하게는 30 이상 내지 100 이하이다. 화학식 b에서 "m" 및 "k"에 관해서, 폴리에스테르 수지 A에서 "m + k"의 평균은 10 이상 내지 150 이하이다. 또한, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 우수한 균형성의 측면에서, "m + k"의 평균은 바람직하게는 30 이상 내지 100 이하이다.
상기 언급된 화학식 a에서, 본 발명의 효과가 안정적으로 얻어질 수 있기 때문에, 괄호 안 구조의 반복 횟수 "n"이, 반복 횟수 "n"의 평균으로 표시된 값의 ±10%의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 상기 언급된 화학식 b에서, 본 발명의 효과가 안정적으로 얻어질 수 있기 때문에, 괄호 안 구조의 반복 횟수인 "m" 및 "k"의 합 "m + k"가 반복 횟수 "m + k"의 평균으로 표시된 값의 ±10%의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.
상기 언급된 화학식 a 및 b로 표시된 구조의 구체적인 예가 도시되어 있다:
Figure 112013056049642-pct00024
그 중에서, 상기 언급된 화학식 a-1 또는 a-3으로 표시된 구조가 바람직하다.
다음으로, 상기 언급된 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위를 설명한다. 상기 언급된 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위의 구체적인 예가 이하에 도시되어 있다:
Figure 112013056049642-pct00025
그 중에서, 상기 언급된 화학식 B-1, B-2, B-6, B-11 또는 B-12로 표시된 구조가 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 언급한 성분 α인 폴리에스테르 수지 A는 폴리에스테르 수지 A의 전체 질량에 대해 5.0 질량% 이상 및 40 질량% 이하의 함량으로 실록산 모이어티를 함유한다. 실록산 모이어티의 함량이 5.0 질량%(5 질량%) 미만이면, 접촉 응력을 감소시키는 지속적인 효과가 불충분하고 성분 β 또는 γ를 함유하는 매트릭스 중에서 도메인이 효과적으로 형성되지 않는다. 한편, 실록산 모이어티의 함량이 40 질량% 초과이면, 성분 γ가 성분 α를 포함하는 도메인 중에서 응집체를 형성하여 반복 사용시 전위 안정성이 불충분해지게 된다.
본 발명에서, 실록산 모이어티는 실록산 구조의 양 말단에 존재하는 실리콘 원자, 상기 실리콘 원자에 결합된 기, 및 산소 원자, 실리콘 원자, 및 양 말단에 존재하는 실리콘 원자 사이에 존재하는 원자에 결합된 기를 포함하는 모이어티이다. 구체적으로, 예를 들어, 실록산 모이어티는 하기 화학식 A-S로 표시된 반복 구조 단위에서 점선으로 둘러싸인 모이어티를 지칭한다:
Figure 112013056049642-pct00026
즉, 하기 도시된 구조는 상기 언급된 화학식 A-S에서의 실록산 모이어티를 나타낸다. 또한, 화학식 a 및 b에서의 실록산 모이어티의 구조가 또한 이하에 도시되어 있다:
Figure 112013056049642-pct00027
화학식 A-S에서의 실록산 모이어티
Figure 112013056049642-pct00028
화학식 a에서의 실록산 모이어티
Figure 112013056049642-pct00029
화학식 b에서의 실록산 모이어티
본 발명의 성분 α인 폴리에스테르 수지 A의 전체 질량에 대한 실록산 모이어티의 함량은 일반적인 분석 기술로 분석할 수 있다. 상기 분석 기술의 한 예가 이하에서 설명되어 있다.
먼저, 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층을 용매를 사용하여 용해시킨다. 그 후, 표면층인 전하 수송층 내 다양한 물질을, 성분을 분리하고 수집할 수 있는 분류(fractionation) 장치, 예컨대 크기 배제 크로마토그래피 또는 고성능 액체 크로마토그래피를 사용하여 분류시킨다. 성분 α인 분류된 폴리에스테르 수지 A 내 성분 물질의 구조 및 상기 물질의 함량을, 1H-NMR 측정치로 측정된 수소 원자(상기 수지 중에 포함되는 수소 원자)의 피크 위치 및 피크 면적 비를 기초로 한 전환 방법으로 측정할 수 있다. 실록산 모이어티의 반복 횟수 및 몰 비를 결과로부터 계산하고 이것을 함량(질량 비)으로 전환시킨다. 또한, 성분 α인 분류된 폴리에스테르 수지 A는 알칼리의 존재 하에서 가수분해되어, 상기 성분은 카르복실산 모이어티 및 비스페놀 모이어티로 분해된다. 핵 자기 공명 스펙트럼 분석 또는 질량 분광법은, 함량(질량 비)으로 전환되는 실록산 모이어티의 반복 횟수 및 몰 비를 계산하기 위해 생성된 비스페놀 모이어티에 대해 실시한다.
본 발명에서, 성분 α인 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 질량 비를 상기 언급한 기술로 측정하였다.
또한, 성분 α인 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 질량 비는, 중합에 사용된 실록산 모이어티를 함유하는 단량체 단위의 원료의 양에 관한 것이고, 따라서 사용된 원료의 양은 실록산 모이어티의 목적하는 질량 비를 얻도록 조정되었다.
본 발명에서 상기 언급된 성분 α로 사용되는 폴리에스테르 수지 A는, 상기 언급된 화학식 A로 표시된 반복 구조 단위 - 상기 언급된 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위 공중합체이다. 또한, 공중합 형태는 블록 공중합, 랜덤 공중합, 또는 교대 공중합과 같은 임의의 형태일 수 있다.
상기 언급된 성분 β 및 γ를 포함하는 매트릭스 중에서 도메인 구조를 형성시키는 관점에서, 본 발명에서 상기 언급된 성분 α로 사용되는 폴리에스테르 수지 A의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 30,000 이상 및 150,000 이하, 더욱 바람직하게는 40,000 이상 및 100,000 이하이다.
본 발명에서, 상기 수지의 수 평균 분자량은, 일본 특허 출원 공개 번호 2007-79555호에 기재된 방법에 의해 통상적인 방법에 따라 측정된 폴리스티렌의 측면에서, 중량 평균 분자량이다.
본 발명에서 상기 언급된 성분 α인 폴리에스테르 수지 A는 예를 들어, 통상적인 포스겐 방법 또는 트랜스에스테르화 방법으로 합성될 수 있다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층은 폴리에스테르 수지 A 이외에 실록산 구조를 갖는 수지를 함유할 수 있다. 그의 구체적인 예에는, 실록산 구조를 갖는 폴리카르보네이트 수지, 실록산 구조를 갖는 폴리에스테르 수지, 및 실록산 구조를 갖는 아크릴 수지가 포함된다. 실록산 모이어티를 갖는 또 다른 수지를 사용하는 경우에, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 균형성의 측면에서, 전하 수송층 내 성분 α의 함량은 각각 전하 수송층 중에 실록산 모이어티를 갖는 수지의 전체 질량에 대하여 바람직하게는 90 질량% 이상 및 100 질량% 미만이다.
본 발명의 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 함량은 바람직하게는 전하 수송층 내 전체 수지의 전체 질량에 대하여 1 질량% 이상 및 20 질량% 이하이다. 실록산 모이어티의 함량이 1 질량% 이상 및 20 질량% 이하이면, 매트릭스-도메인 구조가 안정적으로 형성되어, 접촉 응력의 지속적인 감소와 반복 사용시 전위 안정성 사이에서 균형성이 높은 수준에서 나타나게 된다. 또한, 상기 함량은 더욱 바람직하게는 2 질량% 이상 및 10 질량% 이하인데, 이에 의해 접촉 응력의 지속적인 감소 및 반복 사용시 전위 안정성이 추가로 향상될 수 있다.
본 발명에서 성분 α로 사용된 폴리에스테르 수지 A의 합성예가 이하에 도시되어 있다. 폴리에스테르 수지 A는, 일본 특허 출원 공개 번호 H05-043670호 및 일본 특허 출원 공개 번호 H08-234468호에 기재된 합성 방법에 의해 합성될 수 있다. 또한 본 발명에서, 하기 표 1의 합성예에서 표시된 폴리에스테르 수지 A를, 화학식 A로 표시된 반복 구조 단위, 및 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위에 상응하는 원료를 사용하여 동일한 합성 방법으로 합성하였다. 하기 표 1에는, 합성된 폴리에스테르 수지 A의 중량 평균 분자량, 및 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티 함량이 기재되어 있다. 또한, 하기 표 1에는, 2 질량%의 실록산 모이어티 함량을 갖는 폴리에스테르 수지 A의 비교 합성 실시예 1(수지 E(1)), 및 50 질량%의 실록산 모이어티 함량을 갖는 폴리에스테르 수지 A의 비교 합성 실시예 2(수지 E(2))가 기재되어 있다:
[표 1]
Figure 112013056049642-pct00030
Figure 112013056049642-pct00031
Figure 112013056049642-pct00032
상기 표 1에서의 용어 "테레프탈산/이소프탈산 비"는 상기 언급된 화학식 A, "A-1 내지 A-7"로 표시된 반복 구조 단위의 구체적인 예, 및 상기 언급된 화학식 B "B-1 내지 B-9"로 표시된 반복 구조 단위의 구체적인 예에서 이소프탈산 골격에 대한 테레프탈산 골격의 비를 지칭한다.
합성 실시예(수지 A(1))에서, 상기 언급된 화학식 a로 표시된 괄호 안 구조의 반복 횟수 "n"의 최대 값 및 최소 값은 각각 63 및 57이었다. 합성 실시예(수지 A(18))에서, 상기 언급된 화학식 b로 표시된 괄호 안 구조의 반복 횟수 "m" 및 "k"의 합 (m + k)의 최대 값 및 최소 값은 각각 64 및 56이었다.
[성분 β]
본 발명의 성분 β는 하기 화학식 C로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리카르보네이트 수지 C 및 하기 화학식 D로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 수지이다.
[화학식 C]
Figure 112013056049642-pct00033
상기 화학식 C에서, R61 내지 R64는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸 기를 나타낸다. Y3은 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
[화학식 D]
Figure 112013056049642-pct00034
상기 화학식 D에서, R71 내지 R74는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타낸다. X4는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타낸다. Y4는 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타낸다.
상기 언급된 화학식 C로 표시된 반복 구조 단위의 구체적인 예가 이하에 도시되어 있다:
Figure 112013056049642-pct00035
그 중에서, 상기 언급된 화학식 C-1, C-2, C-3, C-7 또는 C-9로 표시된 반복 구조 단위가 바람직하다.
상기 언급된 화학식 D로 표시된 반복 구조 단위의 구체적인 예가 이하에 도시되어 있다:
Figure 112013056049642-pct00036
그 중에서, 상기 언급된 화학식 D-3, D-4, D-8 또는 D-9로 표시된 반복 구조 단위가 바람직하다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층은 수지로 성분 α 및 β를 함유하고, 추가 수지가 그 내부에 혼입될 수 있다. 혼입될 수 있는 추가 수지의 예에는 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 및 폴리카르보네이트 수지가 포함된다. 추가 수지가 혼합되는 경우에, 추가 수지에 대한 성분 β(폴리카르보네이트 수지 C 또는 폴리에스테르 수지 D)의 비는 바람직하게는, 성분 β의 함량이 90 질량% 이상 내지 100 질량%(질량 비) 미만인 범위 내이다. 본 발명에서, 성분 β 이외에 추가 수지가 혼합되는 경우에, 전하 수송 물질과 균일한 매트릭스를 형성시키는 관점에서, 상기 추가 수지는 바람직하게는 실록산 구조를 갖지 않는다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층은 전하 수송 물질로 성분 γ를 함유하며 또 다른 구조를 갖는 전하 수송 물질을 함유할 수 있다. 또 다른 구조를 갖는 전하 수송 물질의 예에는 트리아릴아민 화합물 및 히드라존 화합물이 포함된다. 그 중에서, 전하 수송 물질로 트리아릴아민 화합물을 사용하는 것은 반복 사용시 전위 안정성의 측면에서 바람직하다. 또 다른 구조를 갖는 전하 수송 물질이 혼합되는 경우에, 성분 γ는 전하 수송층 내 전체 전하 수송 물질 중에 바람직하게는 50 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70 질량% 이상의 함량으로 함유된다.
다음으로, 본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 구성에 대해 설명한다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재는, 도전성 지지체, 상기 도전성 지지체 상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및 상기 전하 발생층 상에 제공되고 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층을 갖는다. 또한, 상기 전자사진용 감광성 부재에서, 전하 수송층은 전자사진용 감광성 부재의 표면층(최외층)이다.
또한, 본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 전하 수송층은 상기 언급한 성분 α, β 및 γ를 포함한다.
또한, 상기 전하 수송층은 적층체 구조를 가질 수 있고, 그러한 경우에 이 층은, 최외 표면 상에 제공된 적어도 전하 수송층이 상기 언급된 매트릭스-도메인 구조를 갖도록 형성된다.
일반적으로, 전자사진용 감광성 부재로, 원통형의 도전성 지지체 상에 감광층(전하 발생층 또는 전하 수송층)을 형성시켜서 제조한 원통형의 전자사진용 감광성 부재가 광범위하게 사용되지만, 상기 부재는 벨트 또는 시트의 형태를 지닐 수 있다.
[도전성 지지체]
본 발명의 전자사진용 감광성 부재에서 사용되는 도전성 지지체는 바람직하게는 도전성(도전성 지지체)이며, 이것은 예를 들어, 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 스테인레스 스틸 재질의 것이다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 경우에, 사용된 도전성 기판은 ED 튜브 또는 EI 튜브 또는 상기 ED 튜브 또는 EI 튜브에 절단, 전기영동 복합 연마, 또는 습식- 또는 건식-호닝(honing) 공정을 실시하여서 얻은 것일 수 있다. 그 추가 예에는, 위에 도전성 물질, 예컨대 알루미늄, 알루미늄 합금, 또는 산화인듐-산화주석 합금의 박막이 형성된 수지 또는 금속 재질의 도전성 지지체가 포함된다. 상기 지지체의 표면에는 예를 들어, 절단 처리, 거칠게하는(roughening) 처리, 또는 알루마이트(alumite) 처리가 실시될 수 있다.
또한, 도전성 입자, 예컨대 카본 블랙, 산화주석 입자, 산화티타늄 입자, 또는 은 입자를 수지 등에 함침시켜서 얻은 도전성 지지체, 또는 도전성 결합제 수지를 포함하는 플라스틱이 사용될 수 있다.
[도전성 층]
본 발명의 전자사진용 감광성 부재에서, 도전성 입자 및 수지를 갖는 도전성 층이 지지체 상에 제공될 수 있다. 지지체 상에, 도전성 입자 및 수지를 갖는 도전성 층을 형성시키는 방법에서, 도전성 입자를 함유하는 분말이 도전성 층 중에 함유된다. 도전성 입자의 예에는, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 예를 들어 알루미늄, 니켈, 철, 니크롬, 구리, 아연 및 은 재질의 금속 분말, 및 예를 들어 도전성 산화주석 및 ITO 재질의 산화금속 분말이 포함된다.
상기 도전성 층에 사용되는 수지의 예에는, 폴리에스테르 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 및 알키드 수지가 포함된다. 그러한 수지는 각각 단독으로 또는 그의 둘 이상의 종류가 조합되어 사용될 수 있다.
도전성 층 도포액으로 사용된 용매의 예에는, 에테르 기재 용매, 알콜 기재 용매, 케톤 기재 용매, 및 방향족 탄화수소 용매가 포함된다. 상기 도전성 층의 막 두께는 바람직하게는 0.2 ㎛ 이상 내지 40 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1 ㎛ 이상 내지 35 ㎛ 이하, 더욱 더 바람직하게는 5 ㎛ 이상 내지 30 ㎛ 이하이다.
[중간층]
본 발명의 전자사진용 감광성 부재에는, 도전성 지지체 또는 도전성 층과 전하 발생층 사이에 중간층이 포함될 수 있다.
상기 중간층은, 지지체 또는 도전성 층 상에 수지를 함유하는 중간층 도포액을 도포하고, 상기 도포액을 건조 또는 경화시켜서 형성시킬 수 있다.
중간층에 사용되는 수지의 예에는 폴리아크릴 산, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 산 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지, 및 폴리우레탄 수지가 포함된다. 중간층에 사용되는 수지는 바람직하게는 열가소성 수지, 및 구체적으로는 열가소성 폴리아미드 수지가 바람직하다. 폴리아미드 수지의 예에는, 용액 상태에서 도포될 수 있는 낮은 결정화도 또는 무정형성을 갖는 공중합체 나일론이 포함된다.
중간층의 막 두께는 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상 내지 40 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상 내지 20 ㎛ 이하이다. 상기 중간층은 추가로 반도전성 입자, 전자 수송 물질, 또는 전자 수용 물질을 함유할 수 있다.
[전하 발생층]
본 발명의 전자사진용 감광성 부재에서, 전하 발생층은 도전성 지지체, 도전성 층, 또는 중간층 상에 제공된다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재에서 사용되는 전하 발생 물질의 예에는, 아조 안료, 프탈로시아닌 안료, 인디고 안료, 및 페릴렌 안료가 포함된다. 단 한 종류의 그러한 전하 발생 물질이 사용될 수 있거나, 그의 둘 이상의 종류가 사용될 수 있다. 그 중에서, 옥시티타늄 프탈로시아닌, 히드록시갈륨 프탈로시아닌, 및 클로로갈륨 프탈로시아닌이 그들의 높은 감도 때문에 특히 바람직하다.
전하 발생층에서 사용되는 수지의 예에는, 폴리카르보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 부티랄 수지, 폴리비닐 아세탈 수지, 아크릴 수지, 비닐 아세테이트 수지, 및 우레아 수지가 포함된다. 그 중에서, 부티랄 수지가 특히 바람직하다. 그러한 수지의 한 종류가 단독으로 사용될 수 있거나, 그의 둘 이상의 종류가 혼합물로 또는 공중합체로 사용될 수 있다.
상기 전하 발생층은, 전하 발생 물질을 수지 및 용매와 함께 분산시켜서 제조한 전하 발생층 도포액을 도포시킨 다음, 상기 도포액을 건조시켜서 형성시킬 수 있다. 또한, 상기 전하 발생층은 또한 전하 발생 물질의 증착시킨 막일 수 있다.
상기 분산 방법의 예에는, 균질화기, 초음파, 볼 분쇄기, 모래 분쇄기(sand mill), 진탕기, 또는 롤 분쇄기를 사용하는 방법이 포함된다.
전하 발생 물질과 수지 사이의 비는, 상기 수지 1 질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 질량부 이상 내지 10 질량부 이하, 특히 바람직하게는 1 질량부 이상 내지 3 질량부 이하의 전하 발생 물질이다.
상기 전하 발생층 도포액에서 사용되는 용매의 예에는, 알콜 기재 용매, 술폭시드 기재 용매, 케톤 기재 용매, 에테르 기재 용매, 에스테르 기재 용매, 및 방향족 탄화수소 용매가 포함된다.
전하 발생층의 막 두께는 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상 내지 5 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상 내지 2 ㎛ 이하이다. 또한, 전하 발생층은 필요에 따라 다양한 감광제(sensitizer), 항산화제, UV 흡수제, 가소제 등의 임의 것과 함께 첨가될 수 있다. 전하 흐름이 전하 발생층 중에서 파괴되는 것을 방지하기 위해서 전하 수송 물질 또는 전하 수용 물질이 또한 상기 전하 발생층에 첨가될 수 있다.
[전하 수송층]
본 발명의 전자사진용 감광성 부재에서, 전하 수송층이 전하 발생층 상에 제공된다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층은 특정 전하 수송 물질로 성분 γ를 함유하고, 이상에서 설명한 또 다른 구조를 갖는 전하 수송 물질을 또한 함유할 수 있다. 또 다른 구조를 가지며 혼합될 수 있는 전하 수송 물질은 이상에서 설명한 바와 같다.
본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층은 수지로 성분 α 및 β를 함유하지만, 이상에서 설명한 바와 같이 또 다른 수지가 또한 혼합될 수 있다. 혼합될 수 있는 수지는 이상에서 설명한 바와 같다.
전하 수송층은, 전하 수송 물질 및 상기 언급된 수지를 용매 내로 용해시켜서 얻은 전하 수송층 도포액을 도포한 다음, 상기 도포액을 건조시켜서 형성될 수 있다.
전하 수송 물질 및 수지 사이의 비는 1 질량부의 수지에 대하여 바람직하게는 0.4 질량부 이상 내지 2 질량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 질량부 이상 내지 1.2 질량부 이하의 전하 수송 물질이다.
전하 수송층 도포액에 대해 사용되는 용매의 예에는, 케톤 기재 용매, 에스테르 기재 용매, 에테르 기재 용매, 및 방향족 탄화수소 용매가 포함된다. 그러한 용매는 각각 단독으로 또는 그의 둘 이상의 종류이 혼합물로 사용될 수 있다. 그러한 용매 중에서, 수지 용해성의 측면에서 에테르 기재 용매 및 방향족 탄화수소 용매 중 임의 것을 사용하는 것이 바람직하다.
전하 수송층은 바람직하게는 5 ㎛ 이상 내지 50 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이상 내지 35 ㎛ 이하의 막 두께를 갖는다. 또한, 상기 전하 수송층에는 필요에 따라 항산화제, UV 흡수제, 또는 가소제가 첨가될 수 있다.
다양한 첨가제가 본 발명의 전자사진용 감광성 부재의 각각의 층에 첨가될 수 있다. 상기 첨가제의 예에는, 열화 방지제, 예컨대 항산화제, UV 흡수제, 또는 광 안정화제; 및 미세 입자, 예컨대 유기 미세 입자 또는 무기 미세 입자가 포함된다. 상기 열화 방지제의 예에는, 장애(hindered) 페놀 기재 항산화제, 장애 아민 기재 광 안정화제, 황 원자 함유 항산화제, 및 황 원자 함유 항산화제가 포함된다. 상기 유기 미세 입자의 예에는, 중합체 수지 입자, 예컨대 플루오린 원자 함유 수지 입자, 폴리스티렌 미세 입자, 및 폴리에틸렌 수지 입자가 포함된다. 상기 무기 미세 입자의 예에는 금속 산화물, 예컨대 실리카 및 알루미나가 포함된다.
상기 언급된 각각의 층에 상응하는 도포액의 각각의 도포를 위해, 임의의 도포 방법, 예컨대 침지 코팅, 분무 코팅, 스피너(spinner) 코팅, 롤러 코팅, 메이어 바(Mayer bar) 코팅, 및 블레이드 코팅이 사용될 수 있다.
[전자사진 장치]
도 1은, 본 발명의 전자사진용 감광성 부재를 포함하는 프로세스 카트리지를 포함하는 전자사진 장치의 개략적인 구성의 한 예를 도시한다.
도 1에서, 원통형의 전자사진용 감광성 부재(1)가, 소정의 선단 속도에서 화살표로 표시된 방향으로 축(2) 주위로 회전되도록 구동될 수 있다. 회전된 전자사진용 감광성 부재(1)의 표면은, 회전 과정 동안에 대전 장치(주요 대전 장치: 예컨대, 대전 롤러)(3)에 의해 소정 전위에서 음으로 균일하게 대전된다. 후속적으로, 전자사진용 감광성 부재(1)의 표면은, 노광 장치(도시되지 않음), 예컨대 슬릿(slit) 노광 또는 레이저 빔 스캐닝 노광부터 방출되며 목적하는 상 정보의 시 계열 전기 디지털 상 신호에 따라 세기 조절되는 노광 광(상 노광 광)(4)을 수용한다. 이러한 방식으로, 목적하는 상 정보에 상응하는 정전기적 잠상(latent image)이 전자사진용 감광성 부재(1)의 표면 상에 순차적으로 형성된다.
전자사진용 감광성 부재(1)의 표면 상에 형성된 상기 정전기적 잠상은 현상 장치(5)의 현상기 중에 포함된 토너를 사용한 역(reversal) 현상에 의해 토너 상으로 전환된다. 후속적으로, 전자사진용 감광성 부재(1)의 표면 상에서 형성되고 유지되는 토너 상은 전사 장치(예컨대 전사 롤러)(6)로부터 전사 바이어스(bias)에 의해 전사 물질(예컨대, 종이)로 순차적으로 전사된다. 전사 물질 P가 전자사진용 감광성 부재(1)의 회전과 동시에 전사 물질 공급 장치(도시되지 않음)로부터 취해져서, 전자사진용 감광성 부재(1)와 전사 장치(6) 사이의 부분(접촉 부분)으로 공급된다. 또한, 전하의 극성에 대해 반대되는 극성을 갖는 바이어스 전압이 바이어스 전원(도시되지 않음)으로부터 전사 장치(6)로 가해진다.
전사되는 토너 상을 수용하는 전사 물질 P는 전자사진용 감광성 부재(1)의 표면으로부터 분리된 다음, 고정 장치(8)로 도입된다. 전사 물질 P에는 토너 상의 상 고정이 실시된 다음, 상기 장치 밖에서 상 형성된 생성물(인쇄물 또는 복사본)로 인쇄된다.
토너 상이 전사된 후의 전자사진용 감광성 부재(1)의 표면은, 이러한 전사 후 잔류하는 현상액(잔류 토너)을 클리닝 장치(예컨대 클리닝 블레이드)(7)에 의해 제거함으로써 클리닝된다. 후속적으로, 전자사진용 감광성 부재(1)의 표면에는 사전 노광 장치(도시되지 않음)로부터의 사전 노광 광(도시되지 않음)을 사용하여 중화 공정이 실시된 다음, 상 형성에서 반복적으로 사용된다. 도면에 도시된 바와 같이, 또한 대전 장치(3)가 대전 롤러를 사용하는 접촉식 대전 장치인 경우에, 사전 노광이 항상 필요한 것은 아니다.
본 발명에서, 전자사진용 감광성 부재(1)를 포함하는 구성요소 중에서, 이상에서 설명된 대전 장치(3), 현상 장치(5), 전사 장치(6), 및 클리닝 장치(7) 중에서, 상기한 것들의 복수개를 선택하여 용기 중에 수용시킨 다음, 프로세스 카트리지로 통합적으로 지지될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 카트리지는 전자사진 장치, 예컨대 복사기 또는 레이저 빔 인쇄기의 본체 상에 탈착가능하게 장착되도록 설계될 수 있다. 도면에서, 전자사진용 감광성 부재(1), 대전 장치(3), 현상 장치(5), 및 클리닝 장치(7)는 카트리지 중에서 통합적으로 지지되고 위치되어, 프로세스 카트리지(9)를 형성시킨다. 프로세스 카트리지(9)는, 안내 장치(10), 예컨대 전자사진 장치의 본체의 레일을 사용하여, 전자사진 장치의 본체 상에 탈착가능하게 장착된다.
실시예
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 참고로 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 하기 실시예를 어떠한 방식으로든 제한하지 않는다. 또한, "부(들)"는 실시예에서 "질량부(들)"를 의미한다.
실시예 1
직경이 30 mm이고 길이가 260.5 mm인 알루미늄 원통을 도전성 지지체로 사용하였다. 다음으로, 10 부의 SnO2 코팅된 황산바륨(도전성 입자), 2 부의 산화티타늄(저항 조절용 안료), 6 부의 페놀 수지(결합제 수지), 및 0.001 부의 실리콘 오일(평탄화제)을 4 부의 메탄올과 16부의 메톡시프로판올의 혼합시킨 용매와 함께 사용하여 도전성 층 도포액을 제조하였다. 상기 도전성 층 도포액을 침지 코팅으로 상기 언급한 알루미늄 원통 상에 도포시키고, 30분 동안 140℃에서 경화시켜서, 막 두께가 15 ㎛인 도전성 층을 형성시켰다.
다음으로, 3 부의 N-메톡시메틸화 나일론 및 3 부의 공중합체 나일론을 65 부의 메탄올과 30 부의 n-부탄올의 혼합한 용매 중에 용해시켜서, 중간층 도포액을 제조하였다. 상기 중간층 도포액을 침지 코팅에 의해 상기 언급한 도전성 층 상에 도포시키고 10분 동안 100℃에서 경화시켜서, 막 두께가 0.7 ㎛인 도전성 층을 형성시켰다.
다음으로, CuKα 특징적인 X선 회절에서 7.5°, 9.9°, 16.3°, 18.6°, 25.1° 및 28.3°의 브래그 각(2θ ± 0.2°)에서 강력한 피크를 보이는 결정 구조를 갖는 10 부의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(전하 발생 물질)을 제조하였다. 상기 결정에 250 부의 시클로헥사논 및 5 부의 폴리비닐 부티랄 수지(제품 명칭: S-LEC BX-1, 세키수이 케미컬 코포레이션, 리미티드(Sekisui Chemical Co., Ltd.) 제품)를 첨가하고, 생성된 혼합물을 23 ± 3℃의 대기 아래에서 1시간 동안 1 mm의 직경을 갖는 유리 비드를 사용하여 모래 분쇄기 장치에 의해 분산시켰다. 분산 후에, 250 부의 에틸 아세테이트를 첨가하여 전하 발생층 도포액을 제조하였다. 상기 전하 발생층 도포액을 침지 코팅에 의해 상기 언급한 중간층 상에 도포시키고, 10분 동안 100℃에서 경화시켜서, 막 두께가 0.26 ㎛인 도전성 층을 형성시켰다.
다음으로, 성분 γ로 상기 언급된 화학식 1-3으로 표시된 구조를 갖는 10 부의 전하 수송 물질; 성분 α로 합성 실시예 1에서 합성된 4 부의 폴리에스테르 수지 A(1); 및 성분 β로, 이상에서 설명된 화학식 C-1로 표시된 반복 구조 및 화학식 C-7로 표시된 반복 구조를 8:2의 비율로 포함하는 6 부의 폴리카르보네이트 수지 C(중량 평균 분자량: 120,000)를 20 부의 테트라히드로푸란 및 60 부의 톨루엔의 혼합 용매 중에 용해시켜서, 전하 수송층 도포액을 제조하였다. 상기 전하 수송층 도포액을 침지 코팅에 의해 상기 언급한 전하 발생층 상에 도포시키고, 1시간 동안 110℃에서 건조시켜서, 막 두께가 16 ㎛인 전하 수송층을 형성시켰다. 생성된 전하 수송층이, 성분 β 및 γ를 포함하는 매트릭스 중에 성분 α를 포함하는 도메인을 포함하고 있었음을 확인하였다.
따라서, 표면층으로 전하 수송층을 포함하는 전자사진용 감광성 부재를 제조하였다. 하기 표 2에는, 생성된 전하 수송층 중의 성분 α, β 및 γ, 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 함량(실록산 함량 A), 및 전하 수송층 내 전체 수지의 전체 질량에 대한 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 함량(실록산 함량 B)이 기재되어 있다.
다음으로, 평가에 대해 설명한다.
2000장 종이의 반복 사용시 밝은 부분 전위의 변동(전위 변동), 초기 및 2000장 종이의 반복 사용시 토크 상대 값, 및 토크 측정에서 전자사진용 감광성 부재의 표면 관찰에 대해 평가를 실시하였다.
전자사진용 감광성 부재의 전하 전위(어두운 부분 전위)를 조정하도록 변동된, 캐논 인코포레이티드(Canon, Inc.) 제품인 레이저 빔 인쇄기 LBP-2510(대전(1차 대전): 접촉-대전 모드, 프로세스 속도: 94.2mm/s)을 평가 장치로 사용하였다. 또한, 폴리우레탄 고무 재질의 클리닝 블레이드를, 전자사진용 감광성 부재의 표면에 대해 25°의 접촉 각 및 35 g/㎠의 접촉 압력을 갖도록 설정하였다. 평가는 23℃의 온도 및 50%의 상대 습도의 환경 아래에서 실시하였다.
[전위 변동의 평가]
전자사진용 감광성 부재의 표면 상에서의 빛 휘도(intensity)가 0.3 μJ/㎠이도록, 평가 장치로 사용된 780 nm 레이저 광원의 노광량(상 노광량)을 설정하였다. 전자사진용 감광성 부재의 표면 전위(어두운 부분 전위 및 밝은 부분 전위)의 측정을, 전위 측정용 프로브가 전자사진용 감광성 부재의 말단으로부터 130 mm의 위치에 위치하도록 현상 장치를 고정된 고정구(fixture)로 대체시킨 후에, 현상 장치의 위치에서 실시하였다. 전자사진용 감광성 부재의 미노광 부분에서의 어두운 부분 전위를 -450 V로 설정하고, 레이저 광을 조사하고, 어두운 부분 전위로부터의 빛 감쇠에 의해 얻은 밟은 부분 전위를 측정하였다. 또한, 2000개의 상을 연속적으로 출력시키는데 A4 크기의 보통(plain) 종이를 사용하고, 출력 전과 후의 밝은 부분 전위의 변동을 평가하였다. 5%의 프린팅 비를 갖는 시험 차트를 사용하였다. 그 결과가 하기 표 7의 "전위 변동" 열에 기재되어 있다.
[토크 상대 값의 평가]
전자사진용 감광성 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 A)를, 이상에서 설명한 전위 변동의 평가에서와 동일한 조건 아래에서 측정하였다. 이 평가는 전자사진용 감광성 부재와 클리닝 블레이드 사이에서의 접촉 응력의 양을 평가하기 위해 실시하였다. 생성된 전류는, 전자사진용 감광성 부재와 클리닝 블레이드 사이에서의 접촉 응력의 양이 얼마나 큰지를 보여준다.
또한, 토크 상대 값을 비교하기 위한 전자사진용 감광성 부재를 하기 방법으로 제조하였다. 전자사진용 감광성 부재를, 실시예 1의 전자사진용 감광성 부재의 전자 수송층에서 사용된 성분 α인 폴리에스테르 수지 A(1)을 표 2에서의 성분 β로 대체하고 유일한 성분 β를 수지로 사용한 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 생성된 전자사진용 감광성 부재를, 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재로 사용하였다.
비교를 위한 생성된 전자사진용 감광성 부재를, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자사진용 감광성 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 B)를 측정하는데 사용하였다.
성분 α를 함유하지 않는 전자사진용 감광성 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 B)에 대한, 본 발명에 따른 성분 α를 함유하는 전자사진용 감광성 부재의 회전 모터의 구동 전류(전류 A)의 비를 계산하였다. (전류 A)/(전류 B)의 생성된 값을 토크 상대 값으로 비교하였다. 토크 상대 값은, 성분 α를 사용함에 의한 전자사진용 감광성 부재와 클리닝 블레이드 사이에서 접촉 응력에서의 감소 정도를 나타낸다. 토크 상대 값이 더욱 작아지게 됨에 따라, 전자사진용 감광성 부재와 클리닝 블레이드 사이에서 접촉 응력에서의 감소 정도는 더욱 커지게 된다. 그 결과가 하기 표 7의 "초기 토크 상대 값"의 열에 기재되어 있다.
후속적으로, A4 크기의 보통 종이를 2,000개의 상을 연속적으로 출력하는데 사용하였다. 5%의 프린팅 비를 갖는 시험 차트를 사용하였다. 그 후, 2,000장을 반복적으로 사용한 후 토크 상대 값의 측정을 실시하였다. 2,000장 종이를 반복적으로 사용한 후 토크 상대 값을, 초기 토크 상대 값의 평가에서와 동일한 방식으로 측정하였다. 이 과정에서, 2,000 장의 종이를 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재에 대해 반복되는 방식으로 사용하고, 회전 모터의 생성된 구동 전류를 2,000 장의 종이를 반복적으로 사용한 후 토크 상대 값을 계산하는데 사용하였다. 그 결과가 하기 표 7의 "2,000장 종이의 반복 사용 후 토크 상대 값"의 열에 기재되어 있다.
[매트릭스-도메인 구조의 평가]
상기 언급된 방법으로 제조한 전자사진용 감광성 부재에 대해 수직 방향으로 전하 수송층을 절단시켜서 얻은 전하 수송층의 단면 표면을, 울트라딥(ultradeep) 프로파일 측정 현미경 VK-9500(케옌스 코포레이션(KEYENCE CORPORATION) 제품)을 사용하여 관찰하였다. 이 과정에서, 전자사진용 감광성 부재의 표면 내 100 ㎛ × 100 ㎛(10,000 ㎛2)의 면적을 가시 구역(visual field)으로 정의하고, 이 가시 구역 내에서 무작위적으로 선택된 100개의 형성된 도메인의 최대 직경을 측정하기 위해 50배의 대물 렌즈 배율에서 관찰하였다. 최대 직경으로부터 평균을 계산하고, 이것을 수 평균 입도로 제공하였다. 하기 표 7에 그 결과를 기재하였다.
실시예 2 내지 104
전하 수송층 내 성분 α, β 및 γ를 표 2 내지 4에 기재된 것들로 대체하는 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자사진용 감광성 부재를 제조하고 평가하였다. 생성된 전하 수송층 각각이, 성분 β 및 γ를 포함하는 매트릭스 중에 성분 α를 포함하는 도메인을 함유함이 확인되었다. 하기 표 7 및 8에 그 결과를 기재하였다.
성분 β로 사용된 폴리카르보네이트 수지 C의 수 평균 분자량이 하기와 같은 것으로 확인되었음에 주목해야 한다:
(C-1)/(C-7) = 8/2: 120,000
(C-2)/(C-4) = 5/5: 130,000
(C-3)/(C-7) = 8/2: 100,000
(C-5)/(C-8) = 8/2: 120,000
(C-4)/(C-9) = 5/5: 90,000
(C-4)/(C-5) = 5/5: 150,000
(C-1)/(C-9) = 5/5: 130,000.
실시예 105 내지 108
전하 수송층 내 성분 α, β 및 γ를 표 4에 기재된 것들로 대체하는 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자사진용 감광성 부재를 제조하고 평가하였다. 생성된 전하 수송층 각각이, 성분 β 및 γ를 포함하는 매트릭스 중에 성분 α를 포함하는 도메인을 함유함이 확인되었다. 하기 표 8에 그 결과를 기재하였다. 하기 화학식 3-1 및 3-2 중 하나로 표시된 구조를 갖는 전하 수송 물질을 전하 수송 물질로, 성분 γ이고 상기 언급된 화학식 1 및 1' 중 하나로 표시된 구조를 갖는 전하 수송 물질과 혼합시켰음에 주목해야 한다:
Figure 112013056049642-pct00037
또한, 성분 β로 사용된 폴리카르보네이트 수지 C의 수 평균 분자량은 하기와 같은 것으로 확인되었다:
(C-1)/(C-9) = 5/5: 130,000.
실시예 109 내지 194
전하 수송층 내 성분 α, β 및 γ를 표 4 및 5에 기재된 것들로 대체하는 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전자사진용 감광성 부재를 제조하고 평가하였다. 생성된 전하 수송층 각각이, 성분 β 및 γ를 포함하는 매트릭스 중에 성분 α를 포함하는 도메인을 함유함이 확인되었다. 하기 표 8에 그 결과를 기재하였다.
성분 β로 사용된 폴리에스테르 수지 D의 중량 평균 분자량이 하기와 같은 것으로 확인되었음에 주목해야 한다:
(D-3)/(D-4) = 7/3: 150,000
(D-3)/(D-7) = 7/3: 130,000
(D-9): 120,000
(D-4)/(D-5) = 1/9: 100,000
(D-1)/(D-2) = 5/5: 120,000
(D-8)/(D-10) = 7/3: 110,000
(D-6)/(D-7) = 5/5: 130,000.
또한, 상기 언급된 화학식 D-1, D-2, D-3, D-4, D-5, D-6 및 D-7로 표시된 반복 구조 단위는 각각 1/1의 테레프탈산 골격/이소프탈산 골격 비를 갖는다.
비교 실시예 1 내지 16
전자사진용 감광성 부재를, 폴리에스테스 수지 A(1)을 표 1에 기재된 비교 합성 실시예 1의 폴리에스테르 수지 E(1)로 대체하고 표 6에 기재된 바와 같이 변형을 실시하는 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 평가를 실시예 1에서와 동일한 방식으로 실시하고, 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않은 것으로 확인되었다.
비교 실시예 17
전자사진용 감광성 부재를, 단지 상기 언급된 폴리에스테스 수지 E(1)을 전하 수송층 내 수지로 사용한 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 평가를 실시예 1에서와 동일한 방식으로 실시하고, 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않은 것으로 확인되었다. 실시예 1에서 사용된 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재를, 토크 상대 값의 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재로 사용하였음에 주목해야 한다.
비교 실시예 18 내지 29
전자사진용 감광성 부재를, 폴리에스테스 수지 A(1)을 표 1에 기재된 비교 합성 실시예 2의 폴리에스테르 수지 E(2)로 대체하고 표 6에 기재된 바와 같이 변형을 실시하는 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 평가를 실시예 1에서와 동일한 방식으로 실시하고, 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 확인되었다.
비교 실시예 30
전자사진용 감광성 부재를, 단지 상기 언급된 폴리에스테스 수지 E(2)를 전하 수송층 내 수지로 사용한 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 평가를 실시예 1에서와 동일한 방식으로 실시하고, 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않은 것으로 확인되었다. 실시예 1에서 사용된 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재를, 토크 상대 값의 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재로 사용하였음에 주목해야 한다.
비교 실시예 31 내지 36
전자사진용 감광성 부재를, 실시예 1의 폴리에스테스 수지 A(1)을, 특허 문헌 1에 기재된 구조인 하기 화학식 E-3으로 표시된 반복 구조 단위 및 상기 언급된 화학식 B-1로 표시된 반복 구조 단위를 함유하며 폴리에스테르 수지 내 30 질량%의 실록산 모이어티 함량을 갖는 폴리에스테르 수지(E(3): 중량 평균 분자량: 60,000)로 대체하고 표 6에 기재된 바와 같이 변형을 실시한 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 화학식 E-3 및 B-1로 표시된 반복 구조 단위들은 각각 1/1의 테레프탈산 골격/이소프탈산 골격을 지니고 있었다. 평가를 실시예 1에서와 동일한 방식으로 실시하고, 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 확인되었다. 실시예 188에서 사용된 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재를, 토크 상대 값의 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재로 사용하였음에 주목해야 한다. 하기 화학식 E-3으로 표시된 반복 구조 단위 내 실록산 모이어티의 반복 횟수를 나타내는 수치 값이 반복 횟수의 평균을 나타냄에 주목해야 한다. 이 경우에, 수지 E(3) 내 하기 화학식 E-3으로 표시된 반복 구조 단위 내 실록산 모이어티의 반복 횟수의 평균은 40이었다:
Figure 112013056049642-pct00038
비교 실시예 37
전자사진용 감광성 부재를, 실시예 63의 폴리에스테스 수지 A(2)를 하기 화학식 E-4로 표시된 반복 구조 단위 및 상기 언급된 화학식 C-2로 표시된 반복 구조 단위를 함유하며 폴리카르보네이트 수지 내 30 질량%의 실록산 모이어티 함량을 갖는 폴리카르보네이트 수지(E(4): 중량 평균 분자량: 80,000)로 대체한 것을 제외하고, 실시예 63에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않는 것으로 확인되었다. 하기 화학식 E-4로 표시된 반복 구조 단위 내 실록산 모이어티의 반복 횟수를 나타내는 수치 값이 반복 횟수의 평균을 나타냄에 주목해야 한다. 이 경우에, 수지 E(4)에서 하기 화학식 E-4로 표시된 반복 구조 단위 내 실록산 모이어티의 반복 횟수의 평균은 20이었다:
Figure 112013056049642-pct00039
비교 실시예 38 내지 40
전자사진용 감광성 부재를, 폴리에스테스 수지 A(1)을 상기 언급된 폴리카르보네이트 수지 E(4)로 대체하고 표 6에 기재된 바와 같이 변형을 실시한 것을 제외하고, 실시예 114에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 매트릭스-도메인 구조를 갖지 않은 것으로 확인되었다.
비교 실시예 41 내지 44
전자사진용 감광성 부재를, 폴리에스테스 수지 A(1)을 상기 언급한 수지 E(3)으로 대체하고, 전하 수송 물질을 상기 언급된 화학식 3-1로 표시된 물질로 대체하고, 표 6에서와 같이 변형을 실시한 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 평가를 실시예 1에서와 동일한 방식으로 실시하고, 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 확인되었다. 실시예 188에서 사용된 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재를, 토크 상대 값의 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재로 사용하였음에 주목해야 한다.
비교 실시예 45 및 46
전자사진용 감광성 부재를, 폴리에스테스 수지 A(1)을 폴리에스테르 수지 E(21)로 대체하고 전하 수송 물질을 상기 언급된 화학식 3-1로 표시된 물질로 대체하고 표 6에서와 같이 변형을 실시한 것을 제외하고, 실시예 1에서와 동일한 방식으로 제조하였다. 평가를 실시예 1에서와 동일한 방식으로 실시하고, 하기 표 9에 그 결과를 기재하였다. 생성된 전하 수송층은 각각 매트릭스-도메인 구조를 갖는 것으로 확인되었다. 실시예 144에서 사용된 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재를, 토크 상대 값의 비교를 위한 전자사진용 감광성 부재로 사용하였음에 주목해야 한다.
[표 2]
Figure 112013056049642-pct00040
Figure 112013056049642-pct00041
표 2 내지 6에서 용어 "성분 [γ]"는 전하 수송층 내 상기 언급된 성분 γ를 지칭한다. 전하 수송 물질의 혼합물을 사용하는 경우에, 이 용어는 성분 γ와 또 다른 전하 수송 물질의 유형 및 혼합 비를 지칭한다. 표 2 내지 6에서의 용어 "성분 [α]"는 상기 언급된 성분 α의 조성을 지칭한다. 표 2 내지 6에서의 용어 "실록산 함량 A(질량 %)"은 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 함량(질량 %)을 지칭한다. 표 2 내지 6에서의 용어 "성분 [β]"는 상기 언급된 성분 β의 조성을 지칭한다. 표 2 내지 6에서의 용어 "성분 [β]에 대한 성분 [α]의 혼합 비"는 전하 수송층 내 상기 언급된 성분 β에 대한 상기 언급된 성분 α의 혼합 비(성분 α/성분 β)를 지칭한다. 표 2 내지 6에서의 용어 "실록산 함량 B(질량 %)"는 전하 수송층 내 수지의 전체 질량에 대한 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티의 함량(질량 %)을 지칭한다:
[표 3]
Figure 112013056049642-pct00042
Figure 112013056049642-pct00043
[표 4]
Figure 112013056049642-pct00044
Figure 112013056049642-pct00045
Figure 112013056049642-pct00046
[표 5]
Figure 112013056049642-pct00047
Figure 112013056049642-pct00048
[표 6]
Figure 112013056049642-pct00049
Figure 112013056049642-pct00050
Figure 112013056049642-pct00051
표 6에서 용어 "전하 수송 물질"은 본 발명의 전하 수송층 내 전하 수송 물질을 지칭한다. 전하 수송 물질의 혼합물을 사용하는 경우에, 이 용어는 전하 수송 물질의 유형 및 혼합 비를 지칭한다. 표 6에서의 용어 "수지 E"는 실록산 모이어티를 갖는 수지 E를 지칭한다. 표 6에서의 용어 "실록산 함량 A(질량 %)"는 "수지 E" 또는 "수지 A" 내 실록산 모이어티의 함량(질량 %)을 지칭한다. 표 6에서의 용어 "성분 [β]"는 상기 언급된 성분 β의 조성을 지칭한다. 표 6에서의 용어 "성분 [β]에 대한 수지 E의 혼합 비"는 전하 수송층 내 상기 언급된 성분 β에 대한 폴리카르보네이트 수지 E 또는 수지 A의 혼합 비(수지 E 또는 수지 A/성분 β)를 지칭한다. 표 6에서의 용어 "실록산 함량 B(질량 %)"는 전하 수송층 내 전체 수지의 전체 질량에 대한 "수지 E" 내 실록산 모이어티의 함량(질량 %)을 지칭한다.
하기 표 7 내지 9에는, 실시예 1 내지 194 및 비교예 1 내지 46의 평가 결과가 기재되어 있다:
[표 7]
Figure 112013056049642-pct00052
Figure 112013056049642-pct00053
Figure 112013056049642-pct00054
[표 8]
Figure 112013056049642-pct00055
Figure 112013056049642-pct00056
Figure 112013056049642-pct00057
[표 9]
Figure 112013056049642-pct00058
Figure 112013056049642-pct00059
실시예들과 비교예 1 내지 16을 비교함으로써, 전하 수송층 내 실록산 모이어티를 갖는 폴리에스테르 수지에 대한 실록산의 함량이 낮은 경우에는 매트릭스-도메인 구조가 확인되지 않고, 접촉 응력 감소 효과가 불충분함이 드러난다. 이는 토크 감소 효과가 초기 및 2,000장 종이의 반복 사용 후에 얻어지지 않았다는 사실에 의해 입증된다. 또한, 비교예 17은, 실록산 모이어티를 갖는 폴리에스테르 수지에 대한 실록산의 함량이 낮은 경우에, 전하 수송층 내 실록산 함유 수지의 함량이 증가함에도 불구하고 접촉 응력 감소 효과가 불충분함을 보여준다.
실시예들과 비교예 18 내지 29를 비교함으로써, 전하 수송층 내 실록산 모이어티를 갖는 폴리에스테르 수지에 대한 실록산의 함량이 높은 경우에, 반복 사용시 전위 안정성이 불충분함이 드러난다. 이 경우에, 실록산 모이어티를 함유하는 폴리에스테르 수지로 인한 매트릭스-도메인 구조가 형성된다 하더라도, 폴리에스테르 수지 및 전하 수송층은 과량의 실록산 구조를 가지므로, 전하 수송 물질과의 상용성이 불충분해지게 된다. 따라서, 반복 사용시 전위 안정성에 대한 효과가 불충분하다. 또한, 비교예 30은, 반복 사용시 전위 안정성이 불충분함을 보여준다. 실시예 30의 결과는, 매트릭스-도메인 구조가 형성되지 않는다 하더라도 큰 전위 변동이 일어남을 보여준다. 즉, 비교예 18 내지 30에서는, 생성되는 부재가 전하 수송 물질 및 과량의 실록산 구조를 함유하는 수지를 함유하므로, 전하 수송 물질과의 상용성이 불충분할 수 있다.
실시예들과 비교예 31 내지 36을 비교함으로써, 본 발명에서 보여진 전하 수송 물질은, 매트릭스-도메인 구조가 실록산 구조를 갖는 수지를 사용하여 형성된다 하더라도, 몇몇의 경우에는 불충분한 전위 안정성을 가짐이 드러난다. 실시예들과 비교예 31 내지 36을 비교함으로써, 반복 사용시 전위 안정성이 본 발명의 폴리에스테르 수지의 사용에 의해 개선될 수 있음이 드러난다. 이 비교는, 전위 안정성에 대한 충분한 효과와 접촉 응력의 지속적인 감소 사이에서 우수한 균형성이 실시예에서 나타날 수 있음을 추가로 보여준다. 비교예 31 내지 36에서, 전하 수송층 내 수지와 높은 상용성을 갖는 성분 γ가, 실록산 함유 수지를 포함하는 도메인 중에 다량의 전하 수송 물질을 함유하여, 도메인 내에서 전하 수송 물질의 응집체를 형성시키기 때문에, 전위 안정성은 불충분할 수 있다. 그러나, 실시예에서는, 본 발명의 성분 α와 성분 γ 사이에서의 상용성이 낮으므로, 도메인 내 전하 수송 물질의 함량이 감소될 수 있다. 따라서, 전위 변동에 대한 인자인 도메인 내 전하 수송 물질의 함량이 감소되어 전위 안정성에 대한 우수한 효과가 제공되는 것으로 생각된다. 반복 사용시 전위 안정성이 성분 α와 γ 사이에서의 상용성에 의해 개선된다는 사실은, 비교예 41 내지 46의 결과에 의해 제안된다. 비교예 31 내지 36과 실시예들을 비교함으로써, 본 발명의 성분 α와 γ를 함유하는 전하 수송층을 형성시키는 경우 전위 변동을 억제하는 우수한 효과가 얻어질 수 있음이 드러난다.
실시예들과 비교예 37 내지 40을 비교함으로써, 상기 특허 문헌 2에 기재된 수지가 심지어 폴리에스테르 수지 C 또는 폴리에스테르 수지 D와 함께 사용되는 경우에, 매트릭스-도메인 구조를 형성시키지 않고 접촉 응력을 감소시키는 충분한 효과를 제공하지 않음으로써 큰 전위 변동을 초래함이 드러난다.
본 발명을 예시적인 실시양태를 참고로 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시양태로 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 하기 청구범위의 범주는 그러한 모든 변형예 및 등가의 구조 및 기능을 포함하도록 가장 광범위하게 해석되어야 한다.
본원은 2010년 12월 2일 출원된 일본 특허 출원 번호 2010-269732호를 우선권 주장하며, 상기 특허 출원서의 전문은 본원에 참고로 포함된다.

Claims (7)

  1. 도전성 지지체,
    상기 도전성 지지체 상에 제공되고 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층, 및
    상기 전하 발생층 상에 제공되고 전자사진용 감광성 부재의 표면층인 전하 수송층을 포함하고;
    상기 전하 수송층이,
    하기 화학식 A로 표시된 반복 구조 단위, 및 하기 화학식 B로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 A를 포함하는 도메인; 및
    하기 화학식 C로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리카르보네이트 수지 C 및 하기 화학식 D로 표시된 반복 구조 단위를 갖는 폴리에스테르 수지 D로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 수지, 및 하기 화학식 1로 표시된 화합물, 하기 화학식 1'로 표시된 화합물, 하기 화학식 2로 표시된 화합물, 및 하기 화학식 2'로 표시된 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 전하 수송 물질을 포함하는 매트릭스를 갖는 매트릭스-도메인 구조를 가지며;
    상기 폴리에스테르 수지 A 내 실록산 모이어티(moiety)의 함량이, 폴리에스테르 수지 A의 전체 질량에 대하여 5.0 질량% 이상 및 40 질량% 이하인, 전자사진용 감광성 부재.
    [화학식 A]
    Figure 112013056049642-pct00060

    [화학식 B]
    Figure 112013056049642-pct00061

    [화학식 C]
    Figure 112013056049642-pct00062

    [화학식 D]
    Figure 112013056049642-pct00063

    [화학식 1]
    Figure 112013056049642-pct00064

    [화학식 1']
    Figure 112013056049642-pct00065

    [화학식 2]
    Figure 112013056049642-pct00066

    [화학식 2']
    Figure 112013056049642-pct00067

    상기 화학식 A에서, Y1은 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고; X1은 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고, W1은 하기 화학식 a로 표시된 1가 기, 또는 하기 화학식 b로 표시된 1가 기를 나타내고:
    ([화학식 a]
    Figure 112013056049642-pct00068

    [화학식 b]
    Figure 112013056049642-pct00069

    상기 화학식 a 및 b에서, R41은 메틸 기 또는 페닐 기를 나타내고, R42 및 R43은 각각 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타내고, "n"은 괄호 안 구조의 반복된 횟수를 나타내고, 폴리에스테르 수지 A에서 "n"의 평균은 10 내지 150의 범위 내이고; "m" 및 "k"는 각각 독립적으로 괄호 안 구조의 반복 횟수를 나타내고, 폴리에스테르 수지 A에서 "m + k"의 평균은 10 내지 150의 범위 내이다);
    상기 화학식 B에서, R51 내지 R54는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타내고, X2는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 또는 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고, Y2는 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고;
    상기 화학식 C에서, R61 내지 R64는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타내고, Y3은 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 페닐에틸리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고;
    상기 화학식 D에서, R71 내지 R74는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 메틸 기를 나타내고, X4는 메타-페닐렌 기, 파라-페닐렌 기, 및 산소 원자를 사용하여 결합된 2개의 파라-페닐렌 기를 갖는 2가 기를 나타내고, Y4는 단결합, 메틸렌 기, 에틸리덴 기, 프로필리덴 기, 시클로헥실리덴 기, 또는 산소 원자를 나타내고;
    상기 화학식 1 및 1'에서, Ar1은 페닐 기, 또는 메틸 기 또는 에틸 기로 치환된 페닐 기를 나타내고, Ar2는 페닐 기, 메틸 기로 치환된 페닐 기, 화학식 "-CH=CH-Ta"로 표시된 1가 기로 치환된 페닐 기, 또는 화학식 "-CH=CH-Ta"(식에서, Ta는 하나의 수소 원자의 손실에 의해 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 유래하거나, 하나의 수소 원자의 손실에 의해 메틸 기 또는 에틸 기로 치환된 트리페닐아민의 벤젠 고리로부터 유래한 1가 기를 나타낸다)로 표시된 1가 기로 치환된 비페닐 기를 나타내고, R1은 페닐 기, 메틸 기로 치환된 페닐 기, 또는 화학식 "-CH=C(Ar3)Ar4"(식에서, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다)로 표시된 1가 기로 치환된 페닐 기를 나타내고, R2는 수소 원자, 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타내고;
    상기 화학식 2 및 2'에서, Ar21, Ar22, Ar24, Ar25, Ar27 및 Ar28은 각각 독립적으로 페닐 기 또는 톨릴 기를 나타내고, Ar23 및 Ar26은 각각 독립적으로 페닐 기, 또는 메틸 기로 치환된 페닐 기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 전하 수송층 내 실록산 모이어티의 함량이, 전하 수송층 내 전체 수지의 전체 질량에 대하여 1 질량% 이상 및 20 질량% 이하인, 전자사진용 감광성 부재.
  3. 전자사진 장치의 본체에 탈착가능하게 부착될 수 있는 프로세스 카트리지(process cartridge)로서,
    상기 프로세스 카트리지가,
    제1항 또는 제2항에 따른 전자사진용 감광성 부재; 및
    대전 장치(charging device), 현상 장치, 전사 장치, 및 클리닝(cleaning) 장치로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 장치를 통합적으로 지지하는, 프로세스 카트리지.
  4. 제1항 또는 제2항에 따른 전자사진용 감광성 부재; 대전 장치; 노광(exposing) 장치; 현상 장치; 및 전사 장치를 포함하는, 전자사진 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 따른 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법으로서,
    상기 방법이, 전하 발생층 상에 전하 수송층 도포액을 도포하고 상기 도포액을 건조시켜서 전하 수송층을 형성시키는 단계를 포함하고,
    상기 전하 수송층 도포액이,
    폴리에스테르 수지 A,
    폴리카르보네이트 수지 C 및 폴리에스테르 수지 D로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 수지, 및
    화학식 1로 표시된 화합물, 화학식 1'로 표시된 화합물, 화학식 2로 표시된 화합물, 및 화학식 2'로 표시된 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 전하 수송 물질을 포함하는, 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리에스테르 수지 A의 실록산 모이어티가 하기 화학식으로 표시되는 모이어티인 전자사진용 감광성 부재.
    Figure 112014090193629-pct00071
    화학식 a에서의 실록산 모이어티
    Figure 112014090193629-pct00072
    화학식 b에서의 실록산 모이어티
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 화학식 1로 표시된 화합물, 화학식 1'로 표시된 화합물 및 화학식 2'로 표시된 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 전자사진용 감광성 부재.
KR1020137016356A 2010-12-02 2011-11-25 전자사진용 감광성 부재, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 전자사진용 감광성 부재의 제조 방법 KR101490644B1 (ko)

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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5036901B1 (ja) 2010-10-29 2012-09-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4959022B2 (ja) 2010-10-29 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP5079153B1 (ja) 2011-03-03 2012-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法
JP5054238B1 (ja) 2011-03-03 2012-10-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP5089815B2 (ja) 2011-04-12 2012-12-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP5089816B2 (ja) 2011-04-12 2012-12-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP6108842B2 (ja) 2012-06-29 2017-04-05 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
US9029054B2 (en) 2012-06-29 2015-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US9069267B2 (en) 2012-06-29 2015-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
KR101599579B1 (ko) 2012-06-29 2016-03-03 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
JP6168905B2 (ja) * 2012-09-28 2017-07-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5911459B2 (ja) * 2012-09-28 2016-04-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、その製造方法、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
JP6214321B2 (ja) * 2012-11-14 2017-10-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6161297B2 (ja) * 2013-01-18 2017-07-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6489824B2 (ja) * 2014-01-31 2019-03-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US9684277B2 (en) 2014-11-19 2017-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and image-forming method
JP6588731B2 (ja) 2015-05-07 2019-10-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6639256B2 (ja) 2016-02-10 2020-02-05 キヤノン株式会社 電子写真装置、およびプロセスカートリッジ
US10331052B2 (en) * 2016-12-20 2019-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US10162278B2 (en) 2017-02-28 2018-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
US10203617B2 (en) 2017-02-28 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP6658664B2 (ja) * 2017-04-28 2020-03-04 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP6850205B2 (ja) 2017-06-06 2021-03-31 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7046571B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7187270B2 (ja) 2017-11-24 2022-12-12 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7057104B2 (ja) 2017-11-24 2022-04-19 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置
JP7034768B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP7034769B2 (ja) 2018-02-28 2022-03-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2019152699A (ja) 2018-02-28 2019-09-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7150485B2 (ja) 2018-05-31 2022-10-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US10747130B2 (en) 2018-05-31 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7059111B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法、並びにプロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7129225B2 (ja) 2018-05-31 2022-09-01 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法
JP7054366B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-13 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7059112B2 (ja) 2018-05-31 2022-04-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7413054B2 (ja) 2019-02-14 2024-01-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US11573499B2 (en) 2019-07-25 2023-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US11320754B2 (en) 2019-07-25 2022-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
JP7337652B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及びそれを用いた電子写真装置
JP7337649B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214807A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Mitsubishi Chemicals Corp 電子写真感光体
US20100092208A1 (en) * 2008-07-18 2010-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0543670A (ja) 1991-08-09 1993-02-23 Unitika Ltd ポリアリレートおよびその製造方法
JPH05155999A (ja) * 1991-12-06 1993-06-22 Mitsubishi Kasei Corp ポリシロキサンを側鎖に有するポリカーボネート樹脂およびその製法
JP3084861B2 (ja) 1991-12-06 2000-09-04 三菱化学株式会社 電子写真感光体
JPH08234468A (ja) 1995-02-24 1996-09-13 Konica Corp 電子写真感光体
JPH08262752A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Konica Corp 電子写真感光体、電子写真装置及び装置ユニット
CN1306342C (zh) 2002-04-26 2007-03-21 佳能株式会社 电摄影感光体、成像处理盒和电摄影装置
JP3913148B2 (ja) 2002-08-30 2007-05-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4174391B2 (ja) 2002-08-30 2008-10-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US7001699B2 (en) 2002-08-30 2006-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
EP1792232B1 (en) 2004-09-10 2015-09-02 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP4679914B2 (ja) 2005-01-27 2011-05-11 キヤノン化成株式会社 導電性ローラー及び該導電性ローラーを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4847245B2 (ja) 2005-08-15 2011-12-28 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4183267B2 (ja) 2006-01-31 2008-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4194631B2 (ja) 2006-01-31 2008-12-10 キヤノン株式会社 画像形成方法ならびに該画像形成方法を用いた電子写真装置
JP4059518B2 (ja) 2006-01-31 2008-03-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP4101278B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4101279B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
KR101189027B1 (ko) 2006-10-31 2012-10-08 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치
CN102253613B (zh) 2006-10-31 2013-06-12 佳能株式会社 电子照相感光构件、制造电子照相感光构件的方法、处理盒和电子照相设备
JP4041921B1 (ja) 2007-01-26 2008-02-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体製造方法
JP4018741B1 (ja) 2007-01-26 2007-12-05 キヤノン株式会社 表面に凹形状を有する固形物の製造方法
WO2008117806A1 (ja) 2007-03-27 2008-10-02 Canon Kabushiki Kaisha 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4372213B2 (ja) 2007-03-28 2009-11-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4235673B2 (ja) 2007-07-17 2009-03-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP5170391B2 (ja) 2008-01-29 2013-03-27 三菱瓦斯化学株式会社 電子写真感光体の感光層用バインダー樹脂。
US8846281B2 (en) 2008-09-26 2014-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP4663819B1 (ja) 2009-08-31 2011-04-06 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP4743921B1 (ja) 2009-09-04 2011-08-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4764953B1 (ja) * 2009-12-09 2011-09-07 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5629588B2 (ja) 2010-01-15 2014-11-19 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
CN103109236B (zh) 2010-09-14 2015-03-25 佳能株式会社 电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和制造电子照相感光构件的方法
JP4948670B2 (ja) 2010-10-14 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4959022B2 (ja) 2010-10-29 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5036901B1 (ja) 2010-10-29 2012-09-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP5079153B1 (ja) 2011-03-03 2012-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法
JP5755162B2 (ja) 2011-03-03 2015-07-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP5054238B1 (ja) 2011-03-03 2012-10-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214807A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Mitsubishi Chemicals Corp 電子写真感光体
US20100092208A1 (en) * 2008-07-18 2010-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP2646877A4 (en) 2016-07-06
US20130236823A1 (en) 2013-09-12
KR20130098415A (ko) 2013-09-04
CN103238114A (zh) 2013-08-07
US8980509B2 (en) 2015-03-17
EP2646877B1 (en) 2017-03-01
WO2012074082A1 (en) 2012-06-07
JP4959024B1 (ja) 2012-06-20
CN103238114B (zh) 2016-05-11
EP2646877A1 (en) 2013-10-09
JP2012133341A (ja) 2012-07-12

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