KR20140048946A - 가스 배리어 필름 적층체 및 전자 부재 - Google Patents

가스 배리어 필름 적층체 및 전자 부재 Download PDF

Info

Publication number
KR20140048946A
KR20140048946A KR20147002108A KR20147002108A KR20140048946A KR 20140048946 A KR20140048946 A KR 20140048946A KR 20147002108 A KR20147002108 A KR 20147002108A KR 20147002108 A KR20147002108 A KR 20147002108A KR 20140048946 A KR20140048946 A KR 20140048946A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas barrier
group
layer
barrier film
adhesive layer
Prior art date
Application number
KR20147002108A
Other languages
English (en)
Inventor
스구루 겐모치
사토시 나가나와
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2011162376A external-priority patent/JP5937312B2/ja
Priority claimed from JP2011162375A external-priority patent/JP5918488B2/ja
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20140048946A publication Critical patent/KR20140048946A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/285—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyethers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/286—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysulphones; polysulfides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/288—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyketones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B32B27/325—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins comprising polycycloolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J123/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J123/02—Adhesives based on homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Adhesives based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C09J123/18—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons having four or more carbon atoms
    • C09J123/20—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons having four or more carbon atoms having four to nine carbon atoms
    • C09J123/22—Copolymers of isobutene; Butyl rubber ; Homo- or copolymers of other iso-olefines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B32B2307/7244—Oxygen barrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B32B2307/7246—Water vapor barrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B32B2307/7248—Odour barrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/12—Photovoltaic modules
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31931—Polyene monomer-containing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여 적층된 가스 배리어 필름 적층체로서, 상기 가스 배리어 필름의 적어도 1 장이, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재와 그 기재 위에 형성된 적어도 1 층의 가스 배리어층을 가지고, 상기 점착제층이 고무계 화합물을 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 층인 것을 특징으로 하는 가스 배리어 필름 적층체, 및 이 가스 배리어 필름 적층체를 구비하는 전자 부재에 관한 것이다. 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 높은 수증기 배리어성을 가지고, 또한 적층 계면에서 단부의 들뜸이 발생하지 않는 것이다.

Description

가스 배리어 필름 적층체 및 전자 부재{GAS BARRIER FILM LAMINATE AND ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 우수한 가스 배리어성을 갖는 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여 적층된 가스 배리어 필름 적층체 및 이 가스 배리어 필름 적층체를 구비하는 전자 부재에 관한 것이다.
종래부터, 태양전지나 액정 디스플레이, 일렉트로 루미네선스 (EL) 디스플레이 등의 전자 부재용 기판으로서, 박형화, 경량화, 플렉시블화 및 내충격성 등을 실현하기 위해서, 유리판 대신에 투명 플라스틱 필름을 사용하는 것이 검토되고 있다. 그러나, 플라스틱 필름은 유리판에 비해 수증기나 산소 등을 투과하기 쉽고, 전자 부재 내부의 소자의 열화를 일으키기 쉽다는 문제가 있었다.
이 문제를 해결하기 위하여, 특허문헌 1 에는 투명 플라스틱 필름에 금속 산화물로 이루어지는 투명 가스 배리어층을 적층한 플렉시블 디스플레이 기판이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는 플라스틱 필름과 그 플라스틱 필름의 적어도 일방의 면에 폴리오르가노실세스키옥산을 주성분으로 하는 수지층을 적층하여 이루어지는 가스 배리어성 적층체가 개시되어 있다.
그러나, 상기와 같은 가스 배리어성이 부여된 투명 플라스틱 필름은 제조 공정에 있어서, 가스 배리어층에 흠집이나 핀홀이 발생하여 가스 배리어성이 저하되는 경우가 있었다.
또, 특허문헌 3 에는 고분자 필름, 수지 코트층 및 무기산화물 증착 박막층을 갖는 가스 배리어 필름이 적어도 2 장 이상 적층된 태양전지 모듈용 표면 보호 시트가 개시되어 있다.
그러나, 상기와 같이 가스 배리어 시트를 적층하였을 경우, 적층 계면에서, 단부의 들뜸이 발생하는 것이 문제가 되고 있었다.
한편, 플라스틱 필름을 일렉트로 루미네선스 소자나, 옥외에서 사용되는 전자 디바이스에 사용하는 경우, 소자로부터 발하는 자외선이나 외광으로부터의 자외선에 의해 플라스틱 필름이 열화되는 경우가 있었다.
이 문제를 해결하기 위하여, 특허문헌 4, 5 에는 가스 배리어 필름에 자외선 흡수제를 함유하는 자외선 차단층을 형성하는 것이 제안되어 있다.
그러나, 이들 문헌에 기재된 가스 배리어 필름은 가스 배리어성, 자외선 차단성, 및 광학 특성의 밸런스가 충분하지 않아, 전자 부재용으로 사용하기에는 문제가 있었다.
특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 2000－338901호 특허문헌 2 : 일본 공개특허공보 2006－123307호 특허문헌 3 : 일본 공개특허공보 2007－173449호 특허문헌 4 : 일본 공개특허공보 평6－286046호 특허문헌 5 : 일본 공개특허공보 2006－297737호
본 발명은 상기 종래기술을 감안하여 이루어진 것으로, 높은 수증기 배리어성을 가지고, 적층 계면에서 단부의 들뜸이 발생하지 않는 가스 배리어 필름 적층체 및 높은 배리어성과 자외선 차단성을 겸비하고 또한 광학 특성이 우수한 가스 배리어 필름 적층체, 그리고 이들 가스 배리어 필름 적층체를 구비하는 전자 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과,
(i) 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 점착제층을 개재하여 가스 배리어 필름끼리를 첩합함으로써, 수증기 배리어성이 우수하고, 또한 적층 계면에서 단부의 들뜸이 발생하지 않는 가스 배리어 필름 적층체가 얻어지는 것, 및
(ii) 상기 점착제층에 특정 자외선 흡수제를 함유시킴으로써, 높은 배리어성과 자외선 차단성을 겸비하고, 또한 광학 특성이 우수한 가스 배리어 필름 적층체 가 얻어지는 것,
을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이렇게 하여 본 발명에 따르면, 하기 (1) ~ (4) 의 가스 배리어 필름 적층체, 및 (5) 의 전자 부재가 제공된다.
(1) 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여 적층된 가스 배리어 필름 적층체로서, 상기 가스 배리어 필름의 적어도 1 장이, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재와 그 기재 위에 형성된 적어도 1 층의 가스 배리어층을 가지고, 상기 점착제층이 고무계 화합물을 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 층인 것을 특징으로 하는 가스 배리어 필름 적층체.
(2) 상기 플라스틱 필름은 투명한 플라스틱 필름이며, 또한 상기 점착제층이 추가로 벤조트리아졸계 자외선 흡수제를 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 것임을 특징으로 하는 (1) 에 기재된 가스 배리어 필름 적층체.
(3) 상기 고무계 화합물이 폴리이소부틸렌계 수지인 (1) 또는 (2) 에 기재된 가스 배리어 필름 적층체.
(4) 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이, 점착제층을 개재하여, 가스 배리어층과 가스 배리어층이 대향하도록 적층된 것인 (1) 또는 (2) 에 기재된 가스 배리어 필름 적층체.
(5) 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 가스 배리어 필름 적층체를 구비하는 전자 부재.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 높은 수증기 배리어성을 가지고, 또한 적층 계면에서 단부의 들뜸이 발생하지 않는 것이다.
또, 특정 자외선 흡수제를 함유하는 점착제층을 갖는 가스 배리어 필름 적층체는 상기 성능에 더하여, 자외선 차단성이 우수하고, 또한 황변, 헤이즈도 낮아 광학 특성이 우수한 것이다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 태양전지나 액정 디스플레이, 일렉트로 루미네선스 (EL) 디스플레이 등의 전자 부재용으로 바람직하다.
도 1 은 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체의 일례인 층 구성 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체를 제조하는 공정 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체를 제조하는 공정 단면도이다.
이하, 본 발명을 1) 가스 배리어 필름 적층체 및 2) 전자 부재로 항목별로 분류하여 상세하게 설명한다.
1) 가스 배리어 필름 적층체
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여 적층된 가스 배리어 필름 적층체로서, 상기 가스 배리어 필름의 적어도 1 장이, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재와 그 기재 위에 형성된 적어도 1 층의 가스 배리어층을 가지고, 상기 점착제층이 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 층인 것을 특징으로 한다.
(가스 배리어 필름)
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체에 사용하는 가스 배리어 필름은 수증기 등의 기체를 투과시키기 어려운 성질을 갖는 필름이다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체에 사용하는 가스 배리어 필름의 적어도 1 장은, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재 (이하, 단순히 「기재」라고 하는 경우가 있다.) 와, 그 기재 위에 형성된 적어도 1 층의 가스 배리어층을 갖는 것 (이하, 「가스 배리어 필름 (1)」이라고 하는 경우가 있다.) 이다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체에 있어서는 가스 배리어 필름 (1) 의 수증기 투과율이 40℃, 상대 습도 90% 의 분위기 하에서, 1.0 g/m2/day 이하인 것이 바람직하고, 0.5 g/m2/day 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 그 적층체를 구성하는 2 장 이상의 가스 배리어 필름 모두가 가스 배리어 필름 (1) 이어도 되고, 가스 배리어 필름 (1) 과 상기 수증기 투과율의 범위를 만족하는 단층 또는 복층의 합성 수지 필름 (이하, 「가스 배리어 필름 (2)」라고 하는 경우가 있다.) 을 갖는 것이어도 된다. 본 발명에 있어서는 적층체를 구성하는 2 장 이상의 가스 배리어 필름 모두가 가스 배리어 필름 (1) 인 것이 바람직하다. 또, 이 경우, 적층체를 구성하는 2 장 이상의 가스 배리어 필름 (1) 끼리는 기재나 가스 배리어층의 종류나 두께, 층 구성 등이 동일한 것이어도 되고, 상이한 것이어도 된다.
(플라스틱 필름으로 이루어지는 기재)
본 발명에 사용하는 가스 배리어 필름 (1) 중의 플라스틱 필름은 그 위에 가스 배리어층을 형성할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 그 중에서도 투명한 플라스틱 필름인 것이 바람직하다. 여기서, 「투명한 플라스틱 필름」이란 두께가 50μm 인 필름으로 하였을 때, 파장 500 nm 에서의 가시광선 투과율이 85% 이상, 바람직하게는 90% 이상인 플라스틱으로 형성된 필름을 말한다. 투명한 플라스틱 필름을 사용함으로써, 액정 디스플레이나 일렉트로 루미네선스 디스플레이 등의 전자 부재용으로 적합한 가스 배리어 필름 적층체를 얻을 수 있다.
플라스틱 필름으로 이루어지는 기재의 재료로서는 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌 술파이드, 폴리아릴레이트, 아크릴계 수지, 시클로올레핀계 폴리머, 방향족계 중합체 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 투명성이 우수하고 범용성이 있다는 점에서, 폴리에스테르, 폴리아미드 또는 시클로올레핀계 폴리머가 바람직하고, 폴리에스테르 또는 시클로올레핀계 폴리머가 보다 바람직하다.
폴리에스테르로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아릴레이트 등을 들 수 있다.
폴리아미드로서는 전방향족 폴리아미드, 나일론 6, 나일론 66, 나일론 공중합체 등을 들 수 있다.
시클로올레핀계 폴리머로서는 노르보르넨계 중합체, 단고리의 고리형 올레핀계 중합체, 고리형 공액 디엔계 중합체, 비닐 지환식 탄화수소 중합체, 및 이들의 수소화물을 들 수 있다.
사용하는 기재의 두께는 통상 100 nm 내지 1000μm, 바람직하게는 5 μm ~ 200 μm 의 범위이다.
(가스 배리어층)
가스 배리어 필름 (1) 에 있어서의 가스 배리어층은 산소나 수증기의 투과를 억제하는 특성 (이하, 「가스 배리어성」이라고 한다) 을 갖는 층이다.
가스 배리어층의 재료로서는 수증기 등과 같은 기체의 투과를 억제하는 것이면 특별한 제약은 없지만, 우수한 가스 배리어성에 더하여 투명성도 우수한 것이 바람직하다.
가스 배리어층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 통상 20 nm 내지 50μm, 바람직하게는 30 nm 내지 1μm, 보다 바람직하게는 40 nm ~ 500 nm 이다.
가스 배리어층의 재료로서는 예를 들어, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 주석 등의 금속；
산화규소, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 무기산화물；
질화규소 등의 무기 질화물；
무기 탄화물；무기 황화물；이들의 복합체인 무기 산화질화물；무기 산화탄화물；무기 질화탄화물；무기 산화질화탄화물；고분자 화합물；등을 들 수 있다.
가스 배리어층을 형성하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 서술한 재료를 증착법, 스퍼터링법, 이온 도금법, 열CVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 기재 위에 형성하는 방법이나, 상기 재료를 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 용액을 공지된 도포 방법에 의해 기재 위에 도포하고, 얻어진 도막을 적당히 건조시켜 형성하는 방법, 고분자 화합물로 구성되는 고분자층을 플라즈마 처리하는 방법을 들 수 있다.
이들 중에서도, 목적하는 가스 배리어층을 용이하게 형성할 수 있는 점에서, 고분자 화합물로 구성되는 고분자층에 플라즈마 처리를 실시함으로써 형성하는 방법이 바람직하다. 고분자 화합물로 구성되는 고분자층은 플라즈마 처리를 실시함으로써 개질되어 가스 배리어성이 향상된다.
플라즈마 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 사용할 수 있지만, 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 효율적으로 형성할 수 있는 점에서 이온을 주입하는 방법이 바람직하다.
또한 이 경우, 이온이 주입되어 형성되는 「가스 배리어층」은 이온 주입에 의해 개질된 부분만을 의미하는 것이 아니라, 「이온 주입에 의해 개질된 부분을 갖는 고분자층」을 의미한다.
고분자층을 구성하는 고분자 화합물로서는 규소계 고분자 화합물, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리아릴레이트, 아크릴계 수지, 시클로올레핀계 폴리머, 방향족계 중합체, 및 이들 고분자의 2 종 이상의 조합 등을 들 수 있다.
또, 고분자 화합물은 에너지선 경화성 화합물의 경화물이어도 된다. 에너지선 경화성 화합물로서는 1, 4－부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1, 6－헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메트)아크릴레이트, 이소시아누레이트디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트 등의 에너지선 중합성 모노머；폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리올(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트 올리고머；등을 들 수 있다. 여기서, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트의 의미이다.
이들 중에서도, 고분자 화합물로서는 가스 배리어성이 우수한 가스 배리어층을 용이하게 형성할 수 있는 점에서, 규소계 고분자 화합물, 폴리에스테르 또는 아크릴계 수지가 바람직하고, 규소계 고분자 화합물이 보다 바람직하다.
규소계 고분자 화합물로서는 규소를 함유하는 고분자라면 유기 화합물이어도 되고 무기 화합물이어도 된다. 예를 들어, 폴리오르가노실록산계 화합물, 폴리카르보실란계 화합물, 폴리실란계 화합물, 폴리실라잔계 화합물 등을 들 수 있다.
폴리오르가노실록산계 화합물은 알콕시기나 할로겐 원자 등의 가수분해성 관능기를 갖는 실란 화합물을 중축합하여 얻어지는 화합물이다.
폴리오르가노실록산계 화합물의 주사슬 구조에 제한은 없고, 직사슬형, 사다리형, 바구니형의 어느 것이나 된다.
예를 들어, 상기 직사슬형 주사슬 구조로서는 하기 식 (a) 로 나타내는 구조를, 사다리형 주사슬 구조로서는 하기 식 (b) 로 나타내는 구조를, 바구니형 주사슬 구조로서는 하기 식 (c) 로 나타내는 구조를 각각 들 수 있다.
[화학식 1]
Figure pct00001
[화학식 2]
Figure pct00002
[화학식 3]
Figure pct00003
식 중, Rx, Ry, Rz 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 무치환 또는 치환기를 갖는 알킬기, 무치환 또는 치환기를 갖는 알케닐기, 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기 등의 비가수분해성 기를 나타낸다. 또한, 식 (a) 의 복수의 Rx, 식 (b) 의 복수의 Ry, 및 식 (c) 의 복수의 Rz 는 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. 단, 상기 식 (a) 의 Rx 가 2 개 모두 수소 원자인 경우는 없다.
무치환 또는 치환기를 갖는 알킬기로서는 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n－프로필기, 이소프로필기, n－부틸기, 이소부틸기, sec－부틸기, t－부틸기, n－펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n－헥실기, n－헵틸기, n－옥틸기 등의 탄소수 1 ~ 10 의 알킬기를 들 수 있다.
알케닐기로서는 예를 들어, 비닐기, 1－프로페닐기, 2－프로페닐기, 1－부테닐기, 2－부테닐기, 3－부테닐기 등의 탄소수 2 ~ 10 의 알케닐기를 들 수 있다.
상기 알킬기 및 알케닐기의 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자；히드록실기；티올기；에폭시기；글리시독시기；(메트)아크릴로일옥시기；페닐기, 4－메틸페닐기, 4－클로로페닐기 등의 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기；등을 들 수 있다.
무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기로서는 예를 들어, 페닐기, 1－나프틸기, 2－나프틸기 등의 탄소수 6 ~ 10 의 아릴기를 들 수 있다.
상기 아릴기의 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자등의 할로겐 원자；메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1 ~ 6 의 알킬기；메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1 ~ 6 의 알콕시기；니트로기；시아노기；히드록실기；티올기；에폭시기；글리시독시기；(메트)아크릴로일옥시기；페닐기, 4－메틸페닐기, 4－클로로페닐기 등의 무치환 또는 치환기를 갖는 아릴기；등을 들 수 있다.
이들 중에서도, Rx, Ry, Rz 로서는 수소 원자, 탄소수 1 ~ 6 의 알킬기, 또는 페닐기가 바람직하고, 탄소수 1 ~ 6 의 알킬기가 특히 바람직하다.
폴리오르가노실록산계 화합물로서는 상기 식 (a) 로 나타내는 직사슬형의 화합물이 바람직하고, 입수 용이성, 및 우수한 가스 배리어성을 갖는 층을 형성할 수 있는 관점에서, 상기 식 (a) 에 있어서 2 개의 Rx 가 함께 메틸기의 화합물인 폴리디메틸실록산이 보다 바람직하다.
폴리오르가노실록산계 화합물은 예를 들어, 가수분해성 관능기를 갖는 실란 화합물을 중축합하는 공지된 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.
사용하는 실란 화합물은 목적으로 하는 폴리오르가노실록산계 화합물의 구조 에 따라 적절히 선택하면 된다. 바람직한 구체예로서는 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란 등의 2 관능 실란 화합물；메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n－프로필트리메톡시실란, n－부틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐디에톡시메톡시실란 등의 3 관능 실란 화합물；테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라n－프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라n－부톡시실란, 테트라t－부톡시실란, 테트라s－부톡시실란, 메톡시트리에톡시실란, 디메톡시디에톡시실란, 트리메톡시에톡시실란 등의 4 관능 실란 화합물 등을 들 수 있다.
폴리카르보실란계 화합물은 분자 내의 주사슬에, (－Si－C－) 결합을 갖는 고분자 화합물이다. 그 중에서도, 본 발명에 사용하는 폴리카르보실란계 화합물로서는 하기 식 (d) 로 나타내는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 4]
Figure pct00004
식 중, Rw, Rｖ 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 히드록실기, 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 또는 1 가의 복소 고리기를 나타낸다. 복수의 Rw, Rｖ 는 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
Rw, Rｖ 의 알킬기, 아릴기, 알케닐기로서는 상기 Rx 등으로 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
1 가의 복소 고리기의 복소 고리로서는 탄소 원자 외에 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 등의 헤테로 원자를 적어도 1 개 포함하는 3 ~ 10 원(員)의 고리형 화합물이면 특별한 제약은 없다.
1 가의 복소 고리기의 구체예로서는 2－피리딜기, 3－피리딜기, 4－피리딜기, 2－티에닐기, 3－티에닐기, 2－푸릴기, 3－푸릴기, 3－피라졸릴기, 4－피라졸릴기, 2－이미다졸릴기, 4－이미다졸릴기, 1, 2, 4－트리아진-3－일기, 1, 2, 4－트리아진-5－일기, 2－피리미딜기, 4－피리미딜기, 5－피리미딜기, 3－피리다질기, 4－피리다질기, 2－피라질기, 2－(1, 3, 5－트리아질)기, 3－(1, 2, 4－트리아질)기, 6－(1, 2, 4－트리아질)기, 2－티아졸릴기, 5－티아졸릴기, 3－이소티아졸릴기, 5－이소티아졸릴기, 2－(1, 3, 4－티아디아졸릴)기, 3－(1, 2, 4－티아디아졸릴)기, 2－옥사졸릴기, 4－옥사졸릴기, 3－이소옥사졸릴기, 5－이소옥사졸릴기, 2－(1, 3, 4－옥사디아졸릴)기, 3－(1, 2, 4－옥사디아졸릴)기, 5－(1, 2, 3－옥사디아졸릴)기 등을 들 수 있다.
이들 기는 임의의 위치에, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기 등의 치환기를 가지고 있어도 된다.
R 은 알킬렌기, 아릴렌기 또는 2 가의 복소 고리기를 나타낸다.
R 의 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기 등의 탄소수 1 ~ 10 의 알킬렌기를 들 수 있다.
아릴렌기로서는 p－페닐렌기, 1, 4－나프틸렌기, 1, 5－나프틸렌기, 2, 6－나프틸렌기 등의 탄소수 6 ~ 20 의 아릴렌기를 들 수 있다.
2 가의 복소 고리기로서는 탄소 원자 외에 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 등의 헤테로 원자를 적어도 1 개 포함하는 3 ~ 10 원의 복소 고리 화합물로부터 유도되는 2 가의 기이면 특별한 제약은 없다.
2 가의 복소 고리기의 구체예로서는 2, 5－티오펜디일기 등의 티오펜디일기；2, 5－푸란디일기 등의 푸란디일기；2, 5－셀레노펜디일기 등의 셀레노펜디일기；2, 5－피롤디일기 등의 피롤디일기；2, 5－피리딘디일기, 2, 6－피리딘디일기 등의 피리딘디일기；2, 5－티에노［3, 2－b］티오펜디일기, 2, 5－티에노［2, 3－b］티오펜디일기 등의 티에노티오펜디일기；2, 6－퀴놀린디일기 등의 퀴놀린디일기；1, 4－이소퀴놀린디일기, 1, 5－이소퀴놀린디일기 등의 이소퀴놀린디일기；5, 8－퀴녹살린디일기 등의 퀴녹살린디일기；4, 7－벤조［1, 2, 5］티아디아졸디일기 등의 벤조［1, 2, 5］티아디아졸디일기；4, 7－벤조티아졸디일기 등의 벤조티아졸디일기；2, 7－카르바졸디일기, 3, 6－카르바졸디일기 등의 카르바졸디일기；3, 7－페녹사진디일기 등의 페녹사진디일기；3, 7－페노티아진디일기 등의 페노티아진디일기；2, 7－디벤조실롤디일기 등의 디벤조실롤디일기；2, 6－벤조［1, 2－b：4, 5－b'］디티오펜디일기, 2, 6－벤조［1, 2－b：5, 4－b'］디티오펜디일기, 2, 6－벤조［2, 1－b：3, 4－b'］디티오펜디일기, 2, 6－벤조［1, 2－b：3, 4－b'］디티오펜디일기 등의 벤조디티오펜디일기 등을 들 수 있다.
또한, R 의, 알킬렌기, 아릴렌기, 2 가의 복소 고리기는 임의의 위치에, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 할로겐 원자 등의 치환기를 가지고 있어도 된다.
이들 중에서도, 식 (d) 에 있어서, Rw, Rｖ 가 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기이며, R 이 알킬렌기 또는 아릴렌기인 반복 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하고, Rw, Rｖ 가 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기이며, R이 알킬렌기인 반복 단위를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
식 (d) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리카르보실란계 화합물의 중량 평균 분자량은 통상 400 ~ 12,000 이다.
폴리카르보실란계 화합물의 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래의 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 폴리실란의 열분해 중합에 의해 제조하는 방법 (일본 공개특허공보 소 51－126300호), 폴리(디메틸실란)의 열 전위에 의해 제조하는 방법 (Journal of Materials Science, 2569－2576, Vol. 13, 1978), 클로로메틸트리클로로실란의 그리냐르 반응에 의해 폴리카르보실란계 화합물을 얻는 방법 (Organometallics, 1336－1344, Vol. 10, 1991), 디실라시클로부탄류의 개환 중합에 의해 제조하는 방법 (Journal of Organometallic Chemistry, 1－10, Vol. 521, 1996), 디메틸카르보실란과 SiH 기 함유 실란의 구조 단위를 갖는 원료 폴리머에, 염기성 촉매의 존재 하에서 물 및/또는 알코올을 반응시킴으로써 제조하는 방법 (일본 공개특허공보 2006－117917호), 말단에 트리메틸주석 등의 유기 금속기를 갖는 카르보실란을, n－부틸리튬 등의 유기 전형 금속 화합물을 개시제로 하여 중합 반응시켜 제조하는 방법 (일본 공개특허공보 2001－328991호) 등을 들 수 있다.
폴리실란계 화합물은 분자 내에, (－Si－Si－) 결합을 갖는 고분자 화합물이다. 이러한 폴리실란계 화합물로서는 하기 식 (e) 로 나타내는 구조 단위로부터 선택된 적어도 1 종의 반복 단위를 갖는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 5]
Figure pct00005
식 (e) 중, Rq 및 Rr 은 동일 또는 상이하고, 수소 원자, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 히드록실기, 알콕시기, 시클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 아르알킬옥시기, 치환기를 가지고 있어도 되는 아미노기, 실릴기, 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
Rq 및 Rr 의 알킬기, 알케닐기, 아릴기로서는 상기 Rx 등으로 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
시클로알킬기로서는 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 메틸시클로헥실기 등의 탄소수 3 ~ 10 의 시클로알케닐기를 들 수 있다.
시클로알케닐기로서는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등의 탄소수 4 ~ 10 의 시클로알케닐기를 들 수 있다.
알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, t－부톡시기, 펜틸옥시기 등의 탄소수 1 ~ 10 의 알콕시기를 들 수 있다.
시클로알킬옥시기로서는 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기 등의 탄소수 3 ~ 10 의 시클로알킬옥시기를 들 수 있다.
아릴옥시기로서는 페녹시기, 나프틸옥시기 등의 탄소수 6 ~ 20 의 아릴옥시기를 들 수 있다.
아르알킬옥시기로서는 벤질옥시기, 페네틸옥시기, 페닐프로필옥시기 등의 탄소수 7 ~ 20 의 아르알킬옥시기를 들 수 있다.
치환기를 가지고 있어도 되는 아미노기로서는 아미노기；알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 아실기 등으로 치환된 N－모노 또는 N, N－디치환 아미노기 등을 들 수 있다.
실릴기로서는 실릴기, 디실라닐기, 트리실라닐기 등의 규소수 1 ~ 10 의 실라닐기 (바람직하게는 규소수 1 ~ 6 의 실라닐기), 치환 실릴기 (예를 들어, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 알콕시기 등으로 치환된 치환 실릴기) 등을 들 수 있다.
할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
상기 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 알콕시기, 시클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 아르알킬옥시기, 실릴기는, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기 등의 치환기를 가지고 있어도 된다.
이들 중에서도, 보다 우수한 본 발명의 효과가 얻어지는 점에서, 상기 식 (e) 로 나타내는 반복 단위를 포함하는 화합물이 바람직하고, 식 (e) 에 있어서, Rq, Rr 가 각각 독립적으로, 수소 원자, 히드록실기, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 아미노기 또는 실릴기인 반복 단위를 포함하는 화합물이 보다 바람직하고, 식 (e) 에 있어서, Rq, Rr 가 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 반복 단위를 포함하는 화합물이 더욱 바람직하다.
폴리실란계 화합물의 형태는 특별히 제한되지 않고, 비고리형 폴리실란 (직사슬형 폴리실란, 분기사슬형 폴리실란, 그물코 모양 폴리실란 등) 이나, 고리형 폴리실란 등의 단독 중합체이어도 되고, 랜덤 공중합체, 블록 공중합체, 교호 공중합체, 빗형 공중합체 등의 공중합체이어도 된다.
폴리실란계 화합물이 비고리형 폴리실란인 경우에는 폴리실란계 화합물의 말단기 (말단 치환기) 는 수소 원자이어도 되고, 할로겐 원자 (염소 원자 등), 알킬기, 히드록실기, 알콕시기, 실릴기 등이어도 된다.
폴리실란계 화합물의 구체예로서는 폴리디메틸실란, 폴리(메틸프로필실란), 폴리(메틸부틸실란), 폴리(메틸펜틸실란), 폴리(디부틸실란), 폴리(디헥실실란) 등의 폴리디알킬실란, 폴리(디페닐실란) 등의 폴리디아릴실란, 폴리(메틸페닐실란) 등의 폴리(알킬아릴실란) 등의 호모폴리머；디메틸실란-메틸헥실실란 공중합체 등의 디알킬실란과 다른 디알킬실란의 공중합체, 페닐 실란-메틸페닐실란 공중합체 등의 아릴실란-알킬아릴실란 공중합체, 디메틸실란-메틸페닐실란 공중합체, 디메틸실란-페닐헥실실란 공중합체, 디메틸실란-메틸나프틸실란 공중합체, 메틸프로필실란-메틸페닐실란 공중합체 등의 디알킬실란-알킬아릴실란 공중합체 등의 코폴리머；등을 들 수 있다.
또한, 폴리실란계 화합물에 대해서는 예를 들어, R. D. Miller, J. Michl；Chemical Reｖiew, 제89권, 1359페이지 (1989), N. Matsumoto；Japanese Journal of Physics, 제37권, 5425페이지 (1998) 등에 상세하게 기재되어 있다. 본 발명에서는 이들 문헌에 기재된 폴리실란계 화합물을 사용할 수 있다.
폴리실란계 화합물의 평균 중합도 (예를 들어, 수평균 중합도) 는 통상, 5 ~ 400, 바람직하게는 10 ~ 350, 더욱 바람직하게는 20 ~ 300 정도이다.
또, 폴리실란계 화합물의 중량 평균 분자량은 300 ~ 100,000, 바람직하게는 400 ~ 50,000, 더욱 바람직하게는 500 ~ 30,000 정도이다.
폴리실란계 화합물의 상당수는 공지된 물질이며, 공지된 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 예를 들어, 마그네슘을 환원제로 하여 할로실란류를 탈할로겐 축중합시키는 방법 (「마그네슘 환원법」, WO98/29476호 등), 알칼리 금속의 존재 하에서 할로실란류를 탈할로겐 축중합시키는 방법 (「키핑법」, J. Am. Chem. Soc., 110, 124 (1988), Macromolecules, 23, 3423 (1990) 등), 전극 환원에 의해 할로실란류를 탈할로겐 축중합시키는 방법 (J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1161 (1990), J. Chem. Soc., Chem. Commun. 897 (1992) 등), 특정 중합용 금속 촉매의 존재 하에 하이드로실란류를 탈수소 축합시키는 방법 (일본 공개특허공보 평 4－334551호 등), 비페닐 등으로 가교된 디실렌의 아니온 중합에 의한 방법 (Macromolecules, 23, 4494 (1990) 등), 고리형 실란류의 개환 중합에 의한 방법 등을 들 수 있다.
폴리실라잔계 화합물로서는 식 (f)
[화학식 6]
Figure pct00006
로 나타내는 반복 단위를 갖는 화합물이 바람직하다. 또, 사용하는 폴리실라잔계 화합물의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 100 ~ 50,000 인 것이 바람직하다.
식 (f) 중, n 은 임의의 자연수를 나타낸다.
Rm, Rp, Rt 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 아릴기 또는 알킬실릴기 등의 비가수분해성 기를 나타낸다.
상기 알킬기, 알케닐기, 아릴기로서는 상기 Rx 등으로 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
시클로알킬기로서는 상기 Rq 등으로 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
알킬실릴기로서는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 트리t－부틸실릴기, 메틸디에틸실릴기, 디메틸실릴기, 디에틸실릴기, 메틸실릴기, 에틸실릴기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, Rm, Rp, Rt 로서는 수소 원자, 탄소수 1 ~ 6 의 알킬기, 또는 페닐기가 바람직하고, 수소 원자가 특히 바람직하다.
상기 식 (h) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리실라잔계 화합물로서는 Rm, Rp, Rt 가 모두 수소 원자인 무기 폴리실라잔, Rm, Rp, Rt 의 적어도 1 개가 수소 원자가 아닌 유기 폴리실라잔의 어느 것이어도 된다.
무기 폴리실라잔으로서는 하기 식
[화학식 7]
Figure pct00007
으로 나타내는 반복 단위를 갖는 직사슬형 구조를 가지고, 690 ~ 2000 의 분자량을 가지고, 1 분자 중에 3 ~ 10 개의 SiH3 기를 갖는 퍼히드로폴리실라잔 (일본 특허공보 소 63－16325호), 식 (A)
[화학식 8]
Figure pct00008
〔식 중, b, c 는 임의의 자연수를 나타내고, Y1 은 수소 원자 또는 식 (B)
[화학식 9]
Figure pct00009
(식 중, d 는 임의의 자연수를 나타내고, * 는 결합 위치를 나타내고, Y2 는 수소 원자, 또는 상기 (B) 로 나타내는 기를 나타낸다.) 로 나타내는 기를 나타낸다.〕 로 나타내는 반복 단위를 갖는, 직사슬형 구조와 분기 구조를 갖는 퍼히드로폴리실라잔, 식 (C)
[화학식 10]
Figure pct00010
로 나타내는 퍼히드로폴리실라잔 구조를 갖는, 분자 내에, 직사슬형 구조, 분기 구조 및 고리형 구조를 갖는 퍼히드로 폴리실라잔 등을 들 수 있다.
유기 폴리실라잔으로서는
(i) －(Rm'SiHNH)－ (Rm'는 Rm 과 동일한 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 아릴기 또는 알킬실릴기를 나타낸다. 이하의 Rm' 도 동일하다.) 를 반복 단위로 하여 주로 중합도가 3 ~ 5 인 고리형 구조를 갖는 것,
(ii) －(Rm'SiHNRt')－ (Rt'는 Rt 와 동일한 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 아릴기 또는 알킬실릴기를 나타낸다.) 를 반복 단위로 하여 주로 중합도가 3 ~ 5 인 고리형 구조를 갖는 것,
(iii) －(Rm'Rp'SiNH)－ (Rp'는 Rp 와 동일한 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 아릴기 또는 알킬실릴기를 나타낸다.) 를 반복 단위로 하여 주로 중합도가 3 ~ 5 인 고리형 구조를 갖는 것,
(iｖ) 하기 식으로 나타내는 구조를 분자 내에 갖는 폴리오르가노(하이드로)실라잔,
[화학식 11]
Figure pct00011
(ｖ) 하기 식
[화학식 12]
Figure pct00012
〔Rm', Rp' 는 상기와 동일한 의미를 나타내고, e, f 는 임의의 자연수를 나타내고, Y3 은 수소 원자 또는 하기 식 (D)
[화학식 13]
Figure pct00013
(식 중, g 는 임의의 자연수를 나타내고, * 는 결합 위치를 나타내고, Y4 는 수소 원자, 또는 상기 (D) 로 나타내는 기를 나타낸다.) 로 나타내는 기를 나타낸다.〕
로 나타내는 반복 구조를 갖는 폴리실라잔 등을 들 수 있다.
상기 유기 폴리실라잔은 종래의 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 하기 식
[화학식 14]
R1 4 - mSiXm
(식 중, m 은 2 또는 3 을 나타내고, X 는 할로겐 원자를 나타내고, R1 은 전술한, Rm, Rp, Rt, Rm', Rp', Rt' 의 어느 것의 치환기를 나타낸다.) 로 나타내는 무치환 또는 치환기를 갖는 할로게노실란 화합물과 2급 아민의 반응 생성물에, 암모니아 또는 1급 아민을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
사용하는 2급 아민, 암모니아 및 1급 아민은 목적으로 하는 폴리실라잔계 화합물의 구조에 따라 적절히 선택하면 된다.
또, 본 발명에 있어서는 폴리실라잔계 화합물로서 폴리실라잔 변성물을 사용할 수도 있다. 폴리실라잔 변성물로서는 예를 들어, 금속 원자 (그 금속 원자는 가교를 이루고 있어도 된다.) 를 포함하는 폴리메탈로실라잔, 반복 단위가〔(SiH2)j(NH)h)〕및〔(SiH2)iO〕(식 중, j, h, i 는 각각 독립적으로, 1, 2 또는 3 이다.) 로 나타내는 폴리실록사잔(일본 공개특허공보 소 62－195024호), 폴리실라잔에 붕소 화합물을 반응시켜 제조하는 폴리보론실라잔 (일본 공개특허공보 평 2－84437호), 폴리실라잔과 메탈알콕시드를 반응시켜 제조하는 폴리메탈로실라잔 (일본 공개특허공보 소 63－81122호 등), 무기 실라잔 고중합체나 개질 폴리실라잔 (일본 공개특허공보 평 1－138108호 등), 폴리실라잔에 유기 성분을 도입한 공중합 실라잔 (일본 공개특허공보 평 2－175726호 등), 폴리실라잔에 세라믹스화를 촉진하기 위한 촉매적 화합물을 부가 또는 첨가한 저온 세라믹스화 폴리실라잔 (일본 공개특허공보 평 5－238827호 등),
규소알콕시드 부가 폴리실라잔 (일본 공개특허공보 평 5－238827호), 글리시돌 부가 폴리실라잔 (일본 공개특허공보 평 6－122852호), 아세틸아세토나토 착물 부가 폴리실라잔 (일본 공개특허공보 평 6－306329호), 금속 카르복실산염 부가 폴리실라잔 (일본 공개특허공보 평 6－299118호 등),
상기 폴리실라잔 또는 그 변성물에, 아민류 및/또는 산류를 첨가하여 이루어지는 폴리실라잔 조성물 (일본 공개특허공보 평 9－31333호), 퍼히드로폴리실라잔에 메탄올 등의 알코올 또는 헥사메틸디실라잔을 말단 N원자에 부가하여 얻어지는 변성 폴리실라잔 (일본 공개특허공보 평 5－345826호, 일본 공개특허공보 평 4－63833호) 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 본 발명에 사용하는 폴리실라잔계 화합물로서는 Rm, Rp, Rt 가 모두 수소 원자인 무기 폴리실라잔, Rm, Rp, Rt 의 적어도 1 개는 수소 원자가 아닌 유기 폴리실라잔이 바람직하고, 입수 용이성, 및 우수한 가스 배리어성을 갖는 주입층을 형성할 수 있는 관점에서, 무기 폴리실라잔이 보다 바람직하다.
또한, 폴리실라잔계 화합물은 유리 코팅재 등으로서 시판되고 있는 시판품을 그대로 사용할 수도 있다.
상기 고분자층은 상기 서술한 고분자 화합물 외에, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 다른 성분을 함유하고 있어도 된다. 다른 성분으로서는 경화제, 다른 고분자, 노화 방지제, 광 안정제, 난연제 등을 들 수 있다.
고분자층 중의 고분자 화합물의 함유량은 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 관점에서, 50 질량% 이상인 것이 바람직하고, 70 질량% 이상인 것이 보다 바람직하다.
고분자층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 고분자 화합물의 적어도 1 종, 원하는 바에 따라 다른 성분, 및 용제 등을 함유하는 층 형성용 용액을 공지된 도포 방법에 의해 기재 또는 원하는 바에 따라 기재 위에 형성된 프라이머층 상에 도포하고, 얻어진 도막을 적당히 건조시켜 형성하는 방법을 들 수 있다.
도공 장치로서는 스핀 코터, 나이프 코터, 그라비아 코터 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다.
얻어진 도막의 건조 효율이나 필름의 가스 배리어성의 향상을 위해, 도막을 가열하는 것이 바람직하다. 가열, 건조 방법으로서는 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등, 종래의 공지된 건조 방법을 채용할 수 있다. 가열 온도는 통상, 80 ~ 150℃ 이며, 가열 시간은 통상 수십초 내지 수십분이다.
형성되는 고분자층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 통상 20 nm ~ 1000 nm, 바람직하게는 30 nm ~ 500 nm, 보다 바람직하게는 40 nm ~ 200 nm 이다.
본 발명에 있어서는 고분자층의 두께가 나노 오더일지라도, 후술하는 바와 같이 이온을 주입함으로써, 충분한 가스 배리어 성능을 갖는 필름을 얻을 수 있다.
고분자층에 주입되는 이온의 주입량은 형성하는 필름의 사용 목적, 예를 들어, 필요한 가스 배리어성, 투명성 등에 맞추어 적절히 결정하면 된다.
주입되는 이온으로서는 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 제논 등의 희가스의 이온；플루오로카본, 수소, 질소, 산소, 이산화탄소, 염소, 불소, 황 등의 이온；메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 펜탄, 헥산 등의 알칸계 가스류의 이온；에틸렌, 프로필렌, 부텐, 펜텐 등의 알켄계 가스류의 이온；펜타디엔, 부타디엔 등의 알카디엔계 가스류의 이온；아세틸렌, 메틸아세틸렌 등의 알킨계 가스류의 이온；벤젠, 톨루엔, 자일렌, 인덴, 나프탈렌, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소계 가스류의 이온；시클로프로판, 시클로헥산 등의 시클로알칸계 가스류의 이온；시크로펜텐, 시클로 헥센 등의 시클로알켄계 가스류의 이온；
금, 은, 구리, 백금, 니켈, 팔라듐, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 니오브, 탄탈, 텅스텐, 알루미늄 등의 도전성의 금속의 이온；
실란(SiH4) 또는 유기 규소화합물의 이온；등을 들 수 있다.
유기 규소 화합물로서는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라n－프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라n－부톡시실란, 테트라t－부톡시실란 등의 테트라알콕시실란；
디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, (3, 3, 3－트리플루오로프로필)트리메톡시실란 등의 무치환 또는 치환기를 갖는 알킬알콕시실란；
디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 아릴알콕시실란；
헥사메틸디실록산(HMDSO) 등의 디실록산；
비스(디메틸아미노)디메틸실란, 비스(디메틸아미노)메틸비닐실란, 비스(에틸아미노)디메틸실란, 디에틸아미노트리메틸실란, 디메틸아미노디메틸실란, 테트라키스디메틸아미노실란, 트리스(디메틸아미노) 실란 등의 아미노실란；
헥사메틸디실라잔, 헥사메틸시클로트리실라잔, 헵타메틸디실라잔, 노나메틸트리실라잔, 옥타메틸시클로테트라실라잔, 테트라메틸디실라잔 등의 실라잔；
테트라이소시아네이트실란 등의 시아나토실란；
트리에톡시플루오로실란 등의 할로게노실란；
디알릴디메틸실란, 알릴트리메틸실란 등의 알케닐실란；
디-t－부틸실란, 1, 3－디실라부탄, 비스(트리메틸실릴)메탄, 테트라메틸실란, 트리스(트리메틸실릴)메탄, 트리스(트리메틸실릴)실란, 벤질트리메틸실란 등의 무치환 또는 치환기를 갖는 알킬실란；
비스(트리메틸실릴)아세틸렌, 트리메틸실릴아세틸렌, 1－(트리메틸실릴)－1－프로핀 등의 실릴알킨；
1, 4－비스트리메틸실릴-1, 3－부타디인, 시클로펜타디에닐트리메틸실란 등의 실릴알켄；
페닐디메틸실란, 페닐트리메틸실란 등의 아릴알킬실란；
프로파르길트리메틸실란 등의 알키닐알킬실란；
비닐트리메틸실란 등의 알케닐알킬실란；
헥사메틸디실란 등의 디실란；
옥타메틸시클로테트라실록산, 테트라메틸시클로테트라실록산, 헥사메틸시클로테트라실록산 등의 실록산；
N, O－비스(트리메틸실릴)아세트아미드；
비스(트리메틸실릴)카르보디이미드；
등을 들 수 있다.
이들 이온은 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
그 중에서도, 보다 간편하게 주입할 수 있고, 특히 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층이 얻어지는 점에서, 수소, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 네온, 제논, 및 크립톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 일종의 이온이 바람직하다.
이온을 주입하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 전계에 의해 가속된 이온 (이온 빔) 을 조사하는 방법, 플라즈마 중의 이온을 주입하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명에 있어서는 간편하게 가스 배리어성의 필름이 얻어지는 점에서, 후자의 플라즈마 이온을 주입하는 방법이 바람직하다.
플라즈마 이온 주입법으로서는 (A) 외부 전계를 이용하여 발생시킨 플라즈마 중에 존재하는 이온을 고분자층의 표면부에 주입하는 방법, 또는 (B) 외부 전계를 사용하지 않고, 상기 층에 인가하는 부의 고전압 펄스에 의한 전계만으로 발생시킨 플라즈마 중에 존재하는 이온을 고분자층의 표면부에 주입하는 방법이 바람직하다.
상기 (A) 방법에 있어서는 이온 주입할 때의 압력 (플라즈마 이온 주입 시의 압력) 을 0.01 ~ 1 Pa 로 하는 것이 바람직하다. 플라즈마 이온 주입 시의 압력이 이러한 범위에 있을 때, 간편하게 또한 효율적으로 균일하게 이온을 주입할 수 있어, 목적하는 가스 배리어층을 효율적으로 형성할 수 있다.
상기 (B) 방법은 감압도를 높게 할 필요가 없고, 처리 조작이 간편하고, 처리 시간도 대폭 단축할 수 있다. 또, 상기 층 전체에 걸쳐서 균일하게 처리할 수 있고, 부의 고전압 펄스 인가 시에 플라즈마 중의 이온을 고에너지로 층의 표면부에 연속적으로 주입할 수 있다. 또한 radio frequency (고주파, 이하,「RF」라고 약기.) 나, 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 특별한 다른 수단을 필요로 하지 않고 층에 부의 고전압 펄스를 인가하는 것만으로, 층의 표면부에 양질의 이온 주입층을 균일하게 형성할 수 있다.
상기 (A) 및 (B) 의 어느 방법에서나, 부의 고전압 펄스를 인가할 때, 즉 이온 주입할 때의 펄스폭은 1 ~ 15 μsec 인 것이 바람직하다. 펄스폭이 이러한 범위에 있을 때, 보다 간편하게 또한 효율적으로 균일하게 이온을 주입할 수 있다.
또, 플라즈마를 발생시킬 때의 인가 전압은 바람직하게는 －1 ~ －50 kV, 보다 바람직하게는 －1 ~ －30 kV, 특히 바람직하게는 －5 ~ －20 kV 이다. 인가 전압이 －1 kV 보다 큰 값에서 이온 주입을 실시하면, 이온 주입량 (도즈량) 이 불충분해져, 원하는 성능이 얻어지지 않는다. 한편, －50 kV 보다 작은 값에서 이온 주입을 실시하면, 이온 주입 시에 필름이 대전하고, 또 필름으로의 착색 등의 문제가 생겨 바람직하지 않다.
플라즈마 이온 주입하는 이온종으로서는 상기 주입되는 이온으로 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
층의 표면부에 플라즈마 중의 이온을 주입할 때에는 플라즈마 이온 주입 장치를 사용한다.
플라즈마 이온 주입 장치로서는 구체적으로는 (α) 고분자층 (이하, 「이온 주입하는 층」이라고 하는 경우가 있다.) 에 부의 고전압 펄스를 인가하는 피드스루에 고주파 전력을 중첩하여 이온 주입하는 층의 주위를 균등하게 플라즈마로 둘러싸고, 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입, 충돌, 퇴적시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001－26887호), (β) 챔버 내에 안테나를 설치하고 고주파 전력을 부여하여 플라즈마를 발생시켜 이온 주입하는 층 주위에 플라즈마가 도달한 후, 이온 주입하는 층에 정과 부의 펄스를 교대로 인가함으로써, 정의 펄스로 플라즈마 중의 전자를 유인 충돌시켜 이온 주입하는 층을 가열하고, 펄스 상수를 제어하여 온도 제어를 실시하면서, 부의 펄스를 인가하여 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001－156013호), (γ) 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 외부 전계를 이용하여 플라즈마를 발생시켜, 고전압 펄스를 인가하여 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입시키는 플라즈마 이온 주입 장치, (δ) 외부 전계를 사용하지 않고 고전압 펄스의 인가에 의해 발생하는 전계만으로 발생하는 플라즈마 중의 이온을 주입하는 플라즈마 이온 주입 장치 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 처리 조작이 간편하고, 처리 시간도 대폭 단축할 수 있어 연속 사용에 적합한 점에서, (γ) 또는 (δ) 의 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 (γ) 및 (δ) 의 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하는 방법에 대해서는 국제 공개 WO2010/021326호에 기재된 것을 들 수 있다.
상기 (γ) 및 (δ) 의 플라즈마 이온 주입 장치에서는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 고전압 펄스 전원에 의해 겸용하고 있기 때문에, RF 나 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 특별한 다른 수단을 필요로 하지 않고 부의 고전압 펄스를 인가하는 것만으로, 플라즈마를 발생시켜, 고분자층의 표면부에 연속적으로 플라즈마 중의 이온을 주입하고, 표면부에 이온 주입에 의해 개질된 부분을 갖는 고분자층, 즉 가스 배리어층이 형성된 가스 배리어 필름을 양산할 수 있다.
이온이 주입되는 부분의 두께는 이온의 종류나 인가 전압, 처리 시간 등의 주입 조건에 따라 제어할 수 있고, 고분자층의 두께, 가스 배리어 필름의 사용 목적 등에 따라 결정하면 되지만, 통상 10 ~ 1000 nm 이다.
이온이 주입된 것은 X선 광 전자 분광 분석 (XPS) 을 이용하여 고분자층의 표면으로부터 10 nm 부근의 원소 분석 측정을 행함으로써 확인할 수 있다.
가스 배리어층은 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재의 편면에 형성되어 있어도 되고, 기재의 양면에 형성되어 있어도 된다. 또, 가스 배리어층은 단층이어도 되고, 연속된 복수층이 적층된 것이어도 된다.
상기 가스 배리어 필름 (2) 으로서는 단층 또는 복층의 합성 수지 필름을 들 수 있다. 예를 들어, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 불소계 수지, 폴리아미드계 수지, 에틸렌-비닐 알코올 공중합체, 폴리페닐렌설파이드, 폴리아크릴로니트릴 등의 단독 또는 2 종 이상의 합성 수지로 이루어지는 단층 또는 복층의 합성 수지 필름을 들 수 있다.
(점착제층)
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여 적층된 구조를 갖는다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체의 점착제층은 고무계 화합물을 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 층이다. 이러한 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 점착제층은 점착제층 단독에서의 수증기 투과율이 낮고, 점착력도 높은 것이 된다. 따라서, 적어도 2 장의 가스 배리어 필름을 점착제층을 개재하여 적층하였을 경우에, 점착제층의 단부로부터의 수증기의 투과를 억제할 수 있고, 단부의 들뜸이 발생하기 어려운 가스 배리어 필름 적층체를 얻을 수 있다.
고무계 화합물로서는 예를 들어, 천연 고무；천연 고무에 (메트)아크릴산알킬에스테르, 스티렌, (메트)아크릴로니트릴로부터 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 단량체를 그래프트 중합시킨 변성 천연 고무；폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 폴리 클로로프렌 등의 디엔계 호모폴리머；폴리스티렌-폴리부타디엔, 폴리스티렌-폴리이소프렌 등의 디엔계 코폴리머；스티렌-부타디엔 고무, 아크릴로니트릴-부타디엔 고무, 메타크릴산메틸-부타디엔 고무, 우레탄고무 등의 합성 고무；폴리이소부틸렌계 수지；폴리부텐 수지；등을 들 수 있다.
이들 고무계 화합물은 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
사용하는 고무계 점착제 조성물은 고무계 화합물로서 폴리이소부틸렌계 수지를 함유하는 것이 바람직하고, 폴리이소부틸렌계 수지와 폴리부텐 수지를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이들의 고무계 화합물을 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 점착제층을 형성함으로써, 고온 습열 조건 하에 장시간 놓여진 경우에도, 단부의 들뜸이 잘 발생하지 않는 가스 배리어 필름 적층체를 얻을 수 있다.
폴리이소부틸렌계 수지는 주사슬 또는 측사슬에 폴리이소부틸렌 골격〔하기 구성 단위 (g)〕을 갖는 수지이다.
폴리이소부틸렌계 수지의 구체예로서는 예를 들어, 이소부틸렌의 단독 중합체인 폴리이소부틸렌, 이소부틸렌과 이소프렌의 공중합체, 이소부틸렌과 n－부텐의 공중합체, 이소부틸렌과 부타디엔의 공중합체, 이들 공중합체를 브롬화 또는 염소화한 할로겐화 부틸 고무 등을 들 수 있다. 또한, 폴리이소부틸렌계 수지가 이소부틸렌과 n－부텐으로부터 얻어지는 공중합체인 경우에는 원료 모노머 중, 이소부틸렌은 주성분 (최대량의 모노머) 이다. 폴리이소부틸렌계 수지는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[화학식 15]
Figure pct00014
고무계 화합물의 중량 평균 분자량은 10,000 ~ 3,000,000 이 바람직하고, 200,000 ~ 2,000,000 이 보다 바람직하고, 500,000 ~ 2,000,000 이 더욱 바람직하다. 중량 평균 분자량이 이 범위이면, 고무계 점착제 조성물의 응집력이 지나치게 높아지는 경우가 없고, 앵커 효과가 충분히 얻어지기 때문에 바람직하다.
고무계 점착제 조성물 중에 있어서의 고무계 화합물의 함유량은 고형분으로서 20 질량% 이상인 것이 바람직하고, 30 질량% 이상 100 질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 50 질량% 이상 95 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 고무계 화합물의 함유량이 이러한 범위에 있음으로써, 수증기 투과율이 낮고, 우수한 점착력을 갖는 점착제층을 형성할 수 있다.
고무계 점착제 조성물은 추가로 고리형 올레핀계 중합체를 함유하는 것이어도 된다. 고리형 올레핀계 중합체는 도공 시의 점도의 조정, 가역성 효과에 의한 유연성의 향상, 젖음성 향상에 의한 초기 점착력의 향상, 응집력의 증대 등의 목적에 유용하다.
고리형 올레핀계 중합체는 중합체의 전체 반복 단위 중에 고리형 올레핀계 단량체의 반복 단위를 포함하는 것이다. 구체적으로는 점착 부여제로서 알려진 석유 수지를 수소 첨가한, 이른바 수첨 석유 수지 등을 들 수 있다. 고리형 올레핀계 중합체는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
고무계 점착제 조성물 중에 있어서의 고리형 올레핀계 중합체의 함유량은 고형분으로서 1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 5 질량% 이상 50 질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 질량% 이상 30 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
고무계 점착제 조성물은 공지된 광 중합 개시제나 광 증감제를 함유하는 것이어도 된다. 광 중합 개시제로서는 분자 내 개열형 광 중합 개시제와 수소 인발형 광 중합 개시제가 알려져 있지만, 수소 인발형 광 중합 개시제가 바람직하다.
수소 인발형 광 중합 개시제를 사용함으로써, 고무계 화합물 중에, 폴리머 라디칼을 생성시킬 수 있고, 생성된 복수의 폴리머 라디칼은 서로 반응하여 결합하고, 고무계 화합물간의 가교가 형성되기 때문에, 점착제층의 가교 밀도 및 응집력을 높일 수 있다. 이로써, 점착제층의 수증기 투과율을 더욱 낮출 수 있다.
수소 인발형 광 중합 개시제로서는 예를 들어, 아세토페논, 벤조페논, o－벤조일벤조산메틸-4－페닐벤조페논, 4, 4'－디클로로벤조페논, 히드록시벤조페논, 4, 4'－디메톡시벤조페논, 4, 4'－디클로로벤조페논, 4, 4'－디메틸벤조페논, 4－벤조일-4'－메틸-디페닐설파이드, 아크릴화벤조페논, 3, 3', 4, 4'－테트라(t－부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3, 3'－디메틸-4－메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물；2－이소프로필티오크산톤, 2, 4－디메틸티오크산톤, 2, 4－디에틸티오크산톤, 2, 4－디클로로티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물；미힐러케톤, 4, 4'－디에틸아미노벤조페논 등의 아미노벤조페논계 화합물；10－부틸-2－클로로아크리돈, 2－에틸안트라퀴논, 9, 10－페난트렌퀴논, 캄파퀴논 등；아세토나프톤, 1－하이드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤 화합물；테레프탈알데히드 등의 방향족 알데히드, 메틸안트라퀴논 등의 퀴논계 방향족 화합물；을 들 수 있다. 이들 수소 인발형 광 중합 개시제는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
광 증감제로서는 예를 들어, 지방족 아민, 4－디메틸아미노피리딘 등의 방향족 아민 등의 아민류, o－톨릴티오우레아 등의 우레아류, 나트륨디에틸디티오포스페이트, s－벤질이소티우로늄－p－톨루엔술포네이트 등의 황 화합물, 4－디메틸아미노피리딘 등을 들 수 있다.
광 중합 개시제나 광 증감제의 배합량은 상기 고무계 화합물 100 질량부에 대해, 통상 0.2 ~ 20 질량부의 범위이다.
또, 사용하는 고무계 점착제 조성물은 자외선 흡수제를 함유하는 것이어도 된다. 특정 자외선 흡수제를 함유하는 점착제층을 갖는 가스 배리어 필름 적층체는 상기 성능에 더하여, 자외선 차단성이 우수하고, 또한, 황변, 헤이즈도 낮아 광학 특성이 뛰어난다.
자외선 흡수제로서는 벤조트리아졸 골격을 갖는 화합물로 이루어지는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제가 바람직하다.
벤조트리아졸계 자외선 흡수제는 태양광 중의 유해한 자외선을 흡수하여 분자 내에서 무해한 열에너지로 변환시키고, 고분자 중의 광 열화 개시의 활성종이 여기되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. 고무계 화합물 및 벤조트리아졸계 자외선 흡수제를 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 점착제층은 가스 배리어성, 자외선 차단성, 점착력 및 광학 특성의 밸런스가 우수하여 바람직하다.
벤조트리아졸계 자외선 흡수제로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 1, 2, 3－벤조트리아졸, 1－［N, N－비스(2－에틸헥실)아미노메틸］벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2－［2－하이드록시-3, 5－비스(α,α－디메틸벤질)페닐］－2 H－벤조트리아졸, 2－(2－하이드록시-4－옥틸페닐)－2H－벤조트리아졸, 2－(2'－하이드록시-3', 5'－디－tert－부틸페닐)－5－클로로벤조트리아졸, 2－(2'－하이드록시-3'－tert－부틸-5'－메틸페닐)－5－클로로벤조트리아졸, 2－(2'－하이드록시-3'－tert－아밀-5'－이소부틸페닐)－5－클로로벤조트리아졸, 2－(2'－하이드록시-3'－이소부틸-5'－메틸페닐)－5－클로로벤조트리아졸, 2－(2'－하이드록시-3'－이소부틸-5'－프로필페닐)－5－클로로벤조트리아졸, 2－(2'－하이드록시-3', 5'－디tert－부틸페닐)벤조트리아졸, 2－(2'－하이드록시-5'－메틸페닐)벤조트리아졸, 2－［2'－하이드록시-5'－(1, 1, 3, 3－테트라메틸)페닐］벤조트리아졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1, 2, 3－벤조트리아졸이 특히 바람직하다.
벤조트리아졸계 자외선 흡수제의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 점착제층 전체를 100 질량부로 하였을 때, 0.01 ~ 30 질량부가 바람직하고, 0.05 ~ 25 질량부가 더욱 바람직하고, 0.1 ~ 20 질량부가 특히 바람직하다.
점착제층에 배합되는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제의 배합량이 0.01 질량부 이상이면 자외선을 충분히 차폐할 수 있고, 한편 배합량이 30 질량부 이하이면 석출이나 점착 물성 저하 등의 문제가 잘 생기지 않는다.
고무계 점착제 조성물은 배리어성 또는 점착성 등을 저해하지 않는 범위에 있어서, 각종 첨가제, 예를 들어, 광 안정제, 산화방지제, 점착 부여제, 가소제, 착색제, 수지 안정제, 충전제, 안료, 증량제, 대전 방지제, 실란커플링제 등의 다른 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 이들 첨가제는 1 종 단독으로, 또는 2 종이상을 조합하여 사용할 수 있다.
점착제층의 두께는 특별히 제한은 없고, 적절히 선정되지만, 바람직하게는 0.5 ~ 100μm, 보다 바람직하게는 1 ~ 60μm, 더욱 바람직하게는 3 ~ 40μm 이다. 0.5μm 이상이면 양호한 점착력을 얻을 수 있고 100μm 이하이면 생산성 면에서 유리하다.
점착제층의 수증기 투과율은 점착제층의 두께가 50μm 인 경우, 40℃, 상대 습도 90% 의 분위기 하에서, 바람직하게는 25 g/m2/day 이하, 보다 바람직하게는 20 g/m2/day 이하, 더욱 바람직하게는 15 g/m2/day 이하이다. 수증기 투과율이 25 g/m2/day 이면 점착제층의 단부로부터의 물 침입을 방지할 수 있기 때문에 단부의 들뜸이 잘 발생하지 않게 된다. 또한, 수증기 투과율에 대해서는 공지된 방법으로 측정할 수 있다. 본 발명에서는 점착제층의 수증기 투과율을 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
(가스 배리어 필름 적층체)
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 점착제층을 개재하여 적층되고, 상기 가스 배리어 필름의 적어도 1 장이 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재와 그 기재 위에 형성된 적어도 1 층의 가스 배리어층을 가지고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체의 형상은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 시트형, 직육면체형, 다각기둥형, 통형 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 후술하는 바와 같이 전자 부재에 적용할 수 있는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체에 있어서, 적층하는 가스 배리어 필름의 장 수는 2 이상이면 특별히 한정되지 않는다. 적층하는 가스 배리어 필름의 장 수는 통상 2 ~ 10 이다.
2 장의 가스 배리어 필름끼리를 점착제층을 개재하여 적층하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 후술하는 바와 같은 공지된 방법을 채용할 수가 있다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 원하는 바에 따라, 보호층, 도전체층, 프라이머층 등과 같은 그 밖의 층이 적층되어 있어도 된다. 또한, 그 밖의 층이 적층되는 위치는 특별히 한정되지 않는다. 그 밖의 층은 1 종 또는 동종 또는 이종의 2 층 이상이어도 된다.
(보호층)
보호층은 외부로부터 충격이 가해졌을 경우에, 가스 배리어 필름 적층체를 보호하는 역할을 담당하는 것이다. 보호층으로서는 투명성이 좋고, 내찰상성이 양호한 것이 바람직하다. 보호층이 적층되는 위치는 특별히 한정되지 않지만 가스 배리어 필름 적층체의 최외층에 적층되는 것이 바람직하다.
보호층을 구성하는 재료로서는 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 규소 함유 화합물；광 중합성 모노머 및/또는 광 중합성 프리폴리머로 이루어지는 광 중합성 화합물, 및 적어도 가시광역의 광으로 라디칼을 발생시키는 중합 개시제를 함유하는 중합성 조성물；폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지 (특히 폴리아크릴폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올 등과 이소시아네이트 화합물의 2 액 경화형 수지), 아크릴계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 염화비닐/아세트산비닐 공중합체, 폴리비닐부티랄계 수지, 니트로셀룰로오스계 수지 등의 수지류；알킬티타네이트；에틸렌이민；등을 들 수 있다. 이들 재료는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
보호층은 상기 보호층을 구성하는 재료를 적당한 용제에 용해 또는 분산시켜 이루어지는 보호층 형성용 용액을 공지된 방법에 따라 적층하는 층 위에 도공하고, 얻어진 도막을 건조시켜, 원하는 바에 따라 가열 및 자외선 조사 처리를 함으로써 형성할 수 있다.
보호층 형성용 용액을 보호층이 인접하는 층 위에 도공하는 방법으로서는 통상적인 습식 코팅 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 딥핑법, 롤 코트, 그라비아 코트, 나이프 코트, 에어나이프 코트, 롤나이프 코트, 다이 코트, 스크린 인쇄법, 스프레이 코트, 그라비아 오프셋법 등을 들 수 있다.
보호층 형성용 용액의 도막을 건조시키는 방법으로서는 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등, 종래의 공지된 건조 방법을 채용할 수 있다. 보호층의 두께는 가스 배리어 필름 적층체의 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.05 ~ 50μm 가 바람직하고, 0.1 ~ 10μm 가 보다 바람직하고, 0.2 ~ 5μm 가 더욱 바람직하다.
보호층의 두께가 0.05μm 이상이면 충분한 내찰상성을 갖게 된다. 한편, 보호층의 두께가 50μm 이하이면 보호층의 형성 후에 컬이 잘 생기지 않게 되므로 바람직하다.
(도전체층)
도전체층을 구성하는 재료로서는 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물, 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는 안티몬을 도핑한 산화주석 (ATO)；불소를 도핑한 산화주석 (FTO)；산화주석, 산화아연, 산화인듐, 산화인듐주석 (ITO), 산화아연인듐 (IZO) 등의 도전성 금속 산화물；금, 은, 크롬, 니켈 등의 금속；이들 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물；요오드화 구리, 황화구리 등의 무기 도전성 물질；폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기 도전성 재료；등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 투명성 관점에서, 도전성 금속 산화물이 바람직하고, ITO 가 특히 바람직하다. 도전체층은 이들 재료로 이루어지는 층이 복수 적층되어 있어도 된다.
도전체층의 형성 방법으로는 예를 들어, 증착법, 스퍼터링법, 이온 도금법, 열 CVD 법, 플라즈마 CVD 법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 간편하게 도전체층을 형성할 수 있는 점에서 스퍼터링법이 바람직하다.
스퍼터링법은 진공조 내에 방전 가스 (아르곤 등) 를 도입하고, 타깃과 기판 사이에 고주파 전압 또는 직류 전압을 가하여 방전 가스를 플라즈마화하고, 그 플라즈마를 타깃에 충돌시킴으로써 타깃 재료를 날려 기판에 부착시켜 박막을 얻는 방법이다. 타깃으로는 상기 도전체층을 형성하는 재료로 이루어지는 것이 사용된다.
도전체층의 두께는 그 용도 등에 따라 적절히 선택하면 된다. 통상 10 nm 내지 50μm, 바람직하게는 20 nm 내지 20μm 이다. 얻어지는 도전체층의 표면 저항율은 통상 1000Ω／□ 이하이다.
형성된 도전체층에는 필요에 따라 패터닝을 실시해도 된다. 패터닝하는 방법으로는 포토리소그래피 등에 의한 화학적 에칭, 레이저 등을 사용한 물리적 에칭 등, 마스크를 사용한 진공 증착법이나 스퍼터링법, 리프트 오프법, 인쇄법 등을 들 수 있다.
(프라이머층)
본 발명의 가스 배리어 필름은 기재층과 가스 배리어층 사이 또는 기재층 또는 가스 배리어층과 그 밖의 층 사이에 프라이머층을 가지고 있어도 된다.
프라이머층은 2 개 층의 층간 밀착성을 높이는 역할을 한다.
프라이머층을 구성하는 재료로는 특별히 한정되지 않고 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 규소 함유 화합물；광 중합성 모노머 및/또는 광 중합성 프리폴리머로 이루어지는 광 중합성 화합물, 및 적어도 가시광역의 광으로 라디칼을 발생시키는 중합 개시제를 함유하는 중합성 조성물；폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지 (특히 폴리아크릴폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올 등과 이소시아네이트 화합물의 2 액 경화형 수지), 아크릴계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 염화비닐/아세트산비닐 공중합체, 폴리비닐부티랄계 수지, 니트로셀룰로오스계 수지 등의 수지류；알킬티타네이트；에틸렌이민；등을 들 수 있다.
이들 재료는 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
프라이머층은 예를 들어, 상기 프라이머층을 구성하는 재료를 적당한 용제에 용해 또는 분산시켜 이루어지는 프라이머층 형성용 용액을 기재층의 편면 또는 양면에 도포하고, 얻어진 도막을 건조시켜, 원하는 바에 따라 가열함으로써 형성할 수 있다.
프라이머층 형성용 용액을 도포하는 방법으로서는 통상적인 습식 코팅 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 딥핑 법, 롤 코트, 그라비아 코트, 나이프 코트, 에어 나이프 코트, 롤 나이프 코트, 다이 코트, 스크린 인쇄법, 스프레이 코트, 그라비아 오프셋 (offset) 법 등을 들 수 있다.
프라이머층 형성용 용액의 도막을 건조시킬 때에는 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등, 종래의 공지된 건조 방법을 채용할 수 있다. 프라이머층의 두께는 통상, 10 nm ~ 5000 nm, 바람직하게는 20 nm ~ 4000 nm, 보다 바람직하게는 30 nm ~ 3000 nm 이다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 상기 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 점착제층을 개재하여 적층되어 있는 것이면 그 적층 구성은 특별히 한정되지 않는다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체의 일례를 도 1(a), (b) 에 나타낸다.
도 1(a) 에 나타내는 가스 배리어 필름 적층체 (100A) 는 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여, 가스 배리어층과 가스 배리어층이 점착제층을 사이에 두고 대향하도록 적층되어 이루어지는 것이다. 그 층 구조는 (기재/가스 배리어층/점착제층/가스 배리어층/기재) 이다.
도 1(b) 에 나타내는 가스 배리어 필름 적층체 (100B) 는 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여, 가스 배리어층과 기재가 점착제층을 사이에 두고 대향하도록 적층되어 이루어지는 것이다. 그 층 구조는 (기재/가스 배리어층/점착제층/기재/가스 배리어층)이다.
이들 중에서도, 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 도 1(a) 에 나타내는 층 구조 (기재/가스 배리어층/점착제층/가스 배리어층/기재) 의 가스 배리어 필름 적층체나 이러한 층 구조를 일부에 갖는 가스 배리어 필름 적층체가, 가스 배리어층에 흠집이나 핀홀이 잘 발생되지 않고, 수증기 배리어성이 잘 저하되지 않는 점에서 바람직하다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체 가운데, 예를 들어, 도 1(a) 에 나타내는 층 구조 (기재/가스 배리어층/점착제층/가스 배리어층/기재) 의 가스 배리어 필름 적층체 (100A) 는 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.
먼저, 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재 (1) 와 그 기재 (1) 상에 형성된 가스 배리어층 (2) 를 갖는 가스 배리어 필름 (10) 을 2 장 준비한다.
이어서, 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이 박리 필름 (3) 상에 점착제층 (4) 를 형성하여 점착제층 형성 박리 필름 (20) 을 얻는다.
점착제층을 형성하는 방법은 특별히 제한은 없고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 먼저, 고무계 화합물을 함유하는 고무계 점착제 조성물을 톨루엔, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 등의 적당한 유기 용제에 용해시킨 점착제층 형성용 조성물을 조제한다. 이어서, 이 조성물을 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등의 공지된 도공 방법에 의해, 박리 필름 (3) 상에 도공한 후, 얻어진 도막으로부터 용매를 건조시켜 제거하고, 원하는 바에 따라 가열함으로써, 점착제층 (4) 을 형성할 수 있다. 이 경우, 조성물 (용액) 의 농도는 10 ~ 60 질량%, 바람직하게는 10 ~ 30 질량% 이다.
여기서 사용하는 박리 필름으로서는 특별히 제한되지 않고, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름；폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름 등의 플라스틱 필름에, 실리콘 수지 등의 박리제를 도포하여 박리층을 형성한 것；등을 들 수 있다. 박리 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상 20 ~ 150μm 정도이다.
다음으로, 도 2(c) 에 나타내는 바와 같이 가스 배리어 필름 (10) 의 가스 배리어층 (2) 과 점착제층 형성 박리 필름 (20) 의 점착제층 (4) 을 첩합함으로써 적층체 (30) 를 얻는다. 첩합 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 공지된 라미네이터를 사용하는 방법을 들 수 있다.
그 후, 도 3(d) 에 나타내는 바와 같이 적층체 (30) 의 박리 필름 (3) 을 박리하고, 노출된 점착제층 (4) 에, 또 1 장의 가스 배리어 필름 (10) 의 가스 배리어층 (2) 을 첩합함으로써, 가스 배리어 필름 적층체 (100A) 를 얻을 수 있다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체를 제조하는 방법은 상기 방법에 한정되지 않고, 예를 들어, 도 2(a) 에 나타내는 가스 배리어 필름 (10) 의 가스 배리어층 (2) 상에 직접 점착제층을 형성하고, 이 점착제층과 또 1 장의 가스 배리어 필름을 중첩 압착함으로써, 가스 배리어 필름 적층체를 얻을 수도 있다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 높은 수증기 배리어성을 가지고, 또한 적층 계면에서 단부의 들뜸이 발생하지 않는 것이다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체의, 40℃, 상대 습도 90% 분위기 하에서의 수증기 투과율은 바람직하게는 0.001 g/m2/day 이하, 보다 바람직하게는 0.0005 g/m2/day 이하, 더욱 바람직하게는 0.0001 g/m2/day 이하이다.
또, 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 고온 습열 조건 하 (60℃, 상대 습도 90%) 에 150 시간 놓아둔 후, 23℃, 상대 습도 50% 환경 하에서, 1일 조온·조습을 실시한 후에도, 적층체의 단부에는 들뜸이 거의 관찰되지 않거나 전혀 관찰되지 않는 것인 것이 바람직하다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 투명성이 우수한 것이 바람직하다. 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체의 파장 500 nm 의 가시광선 투과율은 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 특히 바람직하게는 89% 이상이다.
또, 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체가, 사용하는 가스 배리어 필름의 적어도 1 장이 투명한 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재와 그 기재 위에 형성된 적어도 1 층의 가스 배리어층을 갖는 것이며, 또한 점착제층이 고무계 화합물 및 벤조트리아졸계 자외선 흡수제를 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 층인 것 (이하, 「본 발명의 가스 배리어 필름 적층체 (2)」 라고 하는 경우가 있다.) 은 상기 특성에 더하여 자외선 차단성 및 광학 특성이 우수하다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체 (2) 의 파장 350 nm 의 자외선 차단율은 바람직하게는 94% 이상, 보다 바람직하게는 95% 이상, 더욱 바람직하게는 97% 이상이다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체 (2) 의 황색도 (Y1) 는 4 이하인 것이 바람직하고, 3.5 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 헤이즈는 2 이하인 것이 바람직하고, 1.8 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 내구성이 우수하다. 특히, 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체 (2) 는 고온 습열 조건 하에 장시간 놓여진 경우라도, 광학 특성이 거의 변화되지 않는 것이다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체 (2) 를 60℃, 상대 습도 90% 분위기 하에 150 시간 놓아둔 전후에서의, 가시광선 투과율의 변화는 0.1% 이하, 황색도 (Y1) 의 변화는 0.2 이하, 헤이즈의 변화는 0.3 이하인 것이 각각 바람직하다.
본 발명의 가스 배리어 필름 적층체는 후술하는 본 발명의 전자 부재의 가스 배리어 필름으로서 유용하다.
2) 전자 부재
본 발명의 전자 부재는 상기 본 발명의 가스 배리어 필름 적층체를 구비하는 것을 특징으로 한다.
전자 부재로서는 예를 들어, 액정 디스플레이 부재, 유기 EL 디스플레이 부재, 무기 EL 디스플레이 부재, 전자 페이퍼 부재, 태양 전지, 열전 변환 부재 등의 플렉시블 기판 등을 들 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.
(제조예 1) 가스 배리어 필름의 제조
기재로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (PET38 T－100, 미츠비시쥬시사 제조, 두께 38μm, 이하, 「PET 필름」이라고 한다.) 에, 폴리실라잔 화합물(퍼히드로폴리실라잔을 주성분으로 하는 코팅재 (상품명：아크아미카 NL110－20, 클라리언트재팬사 제조)를 스핀 코트법에 의해 도포하고, 120℃ 에서 1분간 가열하고, PET 필름 위에, 두께 150 nm 의 퍼히드로폴리실라잔을 함유하는 층 (폴리실라잔 층) 을 형성하였다.
다음으로, 플라즈마 이온 주입 장치를 이용하여 폴리실라잔층의 표면에, 하기 조건에서, 아르곤 (Ar) 을 플라즈마 이온 주입하여 가스 배리어층을 형성하고, 가스 배리어 필름을 제작하였다.
가스 배리어층을 형성하기 위해서 사용한 플라즈마 이온 주입 장치 및 이온 주입 조건은 이하와 같다.
(플라즈마 이온 주입 장치)
RF 전원：형 번호 「RF」56000, 니폰덴시사 제조
고전압 펄스 전원：PV－3－HSHV－0835, 쿠리타 제작소사 제조
(플라즈마 이온 주입 조건)
플라즈마 생성 가스：Ar
가스 유량：100 sccm
Duty 비：0.5%
인가 전압：－6 kV
RF 전원：주파수 13.56 MHz, 인가 전력 1000 W
챔버 내압：0.2 Pa
펄스폭：5μsec
처리 시간 (이온 주입 시간)：200초
(제조예 2) 점착제 조성물 A 의 제조
고무계 화합물로서 폴리이소부틸렌 수지 (오파놀 B50, BASF 사 제조, Mw：340,000) 100 질량부, 폴리부텐 수지 (상품명：닛세키폴리부텐 그레이드 HV－1900, 신니폰석유사 제조, Mw：1900) 30 질량부, 시클로올레핀계 폴리머 (상품명：Eastotac H－100L Resin, 이스트만케미컬사 제조) 50 질량부를 톨루엔에 용해하고, 고형분 농도 약 18 질량% 의 「고무계 점착제 조성물 A」를 얻었다.
(제조예 3) 점착제 조성물 B 의 제조
고무계 화합물을 함유하는 수지 조성물 (상품명：TN－560, MORESCO 사 제조) 을 톨루엔에 용해하여 고형분 농도 약 20 질량% 의 「고무계 점착제 조성물 B」를 얻었다.
(제조예 4) 점착제 조성물 C 의 제조
고무계 화합물을 함유하는 수지 조성물 (상품명：TY－070, MORESCO 사 제조) 을 톨루엔에 용해하여 고형분 농도 약 30 질량% 의 「고무계 점착제 조성물 C」를 얻었다.
(제조예 5) 점착제 조성물 D 의 제조
고무계 화합물로서 폴리이소부틸렌 수지 (상품명：오파놀 B50, BASF 사 제조, Mw：340,000) 100 질량부, 수소 인발형 광 중합 개시제 (상품명：이르가큐아 500, BASF 재팬 사 제조) 1.5 질량부, 및 광 증감제 (4－디메틸아미노피리딘) 1.5 질량부를 톨루엔에 용해하여 고형분 농도 약 16.7 질량% 의 「고무계 점착제 조성물 D」를 얻었다.
(제조예 6) 점착제 조성물 E 의 제조
고무계 화합물을 함유하는 수지 조성물 (상품명：TN－560, MORESCO 사 제조) 100 질량부, 수소 인발형 광 중합 개시제 (상품명：이르가큐아 500, BASF 재팬 사 제조) 1.5 질량부, 및 광 증감제 (4－디메틸아미노피리딘) 1.5 질량부를 톨루엔에 용해하여 고형분 농도 약 18 질량% 의 「고무계 점착제 조성물 E」를 얻었다.
(제조예 7 ~ 11) 고무계 점착제 조성물 F ~ J 의 제조
고무계 화합물로서 폴리이소부틸렌 수지 (상품명：오파놀 B50, BASF 사 제조, Mw：340,000) 100 질량부, 폴리부텐 수지 (상품명：닛세키폴리부텐 그레이드 HV－1900, 신니폰 석유사 제조, Mw：1900) 30 질량부, 고리형 올레핀계 중합체 (상품명：Eastotac H－100L Resin, 이스트만케미컬사 제조) 50 질량부, 하기 표 1 에 나타낸 종류 및 양 (질량%) 의 자외선 흡수제를 톨루엔에 용해하여 고형분 농도 약 18 질량% 의, 고무계 점착제 조성물 F ~ J 를 각각 얻었다.
고무계 점착제 조성물 F ~ J 에서 사용한 자외선 흡수제를 이하에 나타낸다.
A：벤조트리아졸계 자외선 흡수제 (상품명：TINUVIN109, BASF 재팬사 제조)
B：벤조페논계 자외선 흡수제 (상품명：사이아소브 UV－24, 사이테크사 제조)
C：하이드록시페닐트리아진계 자외선 흡수제 (상품명：TINUVIN477, BASF 재팬사 제조)
Figure pct00015
(실시예 1)
38μm 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면에, 실리콘 박리층을 형성하여 이루어지는 박리 필름 (상품명：SP－PET381031, 린텍사 제조) 의 박리층 표면에, 고무계 점착제 조성물 A 를 콤마 다이렉트 코트법으로 도포하고, 100℃ 에서 1분간 건조시켜, 약 10μm 두께의 점착제층을 형성하여 점착제층 형성 박리 필름 A 를 얻었다.
이어서, 상기에서 제작한 가스 배리어 필름을 2 장 준비하고, 1 장의 가스 배리어 필름의 가스 배리어층면과 점착제층 형성 박리 필름 A 의 점착제층면을 첩합한 후, 박리 필름을 박리하였다.
다음으로, 노출된 점착제층면과 또 1 장의 가스 배리어 필름의 가스 배리어층면을 첩합하여 가스 배리어 필름 적층체 A 를 제작하였다.
(실시예 2)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 B 로 바꾸어 점착제층 형성 박리 필름 B 를 제작하고, 이것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 B 를 제작하였다.
(실시예 3)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 C 로 바꾸어 점착제층 형성 박리 필름 C 를 제작하고, 이것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 C 를 제작하였다.
(실시예 4)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 D 로 바꾸고, 박리 필름 위에 고무계 점착제 조성물 D 의 도막을 형성하고, 박리 필름측으로부터, 자외선 (UV) 을 1000 mJ/cm2 의 광량으로 조사하여 점착제층을 형성하고, 점착제층 형성 박리 필름 D 를 제작하였다. 이어서, 얻어진 점착제층 형성 박리 필름 D 를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 D 를 제작하였다.
(실시예 5)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 E 로 바꾸어, 박리 필름 위에 고무계 점착제 조성물 E 의 도막을 형성하고, 박리 필름측으로부터, 자외선 (UV) 을 1000 mJ/cm2 의 광량으로 조사하여 점착제층을 형성하고, 점착제층 형성 박리 필름 E 를 제작하였다. 이어서, 얻어진 점착제층 형성 박리 필름 E 를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 E 를 제작하였다.
(실시예 6)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 F 로 바꾸어 점착제층 형성 박리 필름 F 를 제작하고, 이것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 F 를 제작하였다.
(실시예 7)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 G 로 바꾸어 점착제층 형성 박리 필름 G 를 제작하고, 이것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 G 를 제작하였다.
(실시예 8)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 H 로 바꾸어 점착제층 형성 박리 필름 H 를 제작하고, 이것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 H 를 제작하였다.
(실시예 9)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 I 로 바꾸어 점착제층 형성 박리 필름 I 를 제작하고, 이것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 I 를 제작하였다.
(실시예 10)
실시예 1 에 있어서, 고무계 점착제 조성물 A 를 고무계 점착제 조성물 J 로 바꾸어 점착제층 형성 박리 필름 J 를 제작하고, 이것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어 필름 적층체 J 를 제작하였다.
(비교예 1)
상기에서 제작한 가스 배리어 필름을 2 장 준비하였다. 이어서, 박리 필름 위에 우레탄 점착제층을 갖는 점착 시트 (상품명：G－6, 쿠라시키보세키사 제조, 두께 25μm) 의 점착제층면과 상기에서 제작한 가스 배리어 필름의 가스 배리어층면을 히트 라미네이터 (라미롤 온도, 실측치 110℃, 속도：실측치 0.2 m/min) 로 첩합한 후, 박리 필름을 박리하고, 노출된 우레탄 점착제층과 또 1 장의 가스 배리어 필름의 가스 배리어층면을 상기 히트 라미네이터를 사용하여 첩합하고, 가스 배리어 필름 적층체 K 를 제작하였다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 가스 배리어 필름 적층체에 대해, 이하의 측정을 실시하여 성능을 평가하였다. 측정 결과를 하기 표 2, 표 3 에 나타낸다. 또한, 표 2, 표 3 에 있어서는 「60℃, 상대 습도 90% 분위기 하」를「60℃ 90% 라고 기재하였다.
(가스 배리어 필름 적층체의 수증기 투과율의 측정)
40℃, 상대 습도 90% 의 조건에서 가스 배리어 필름 적층체의 수증기 투과율을 측정하였다.
수증기 투과율이 0.01 g/m2/day 이상일 때에는 수증기 투과도계 (제품명：L89－500, LYSSY 사 제조) 를 이용하고, 수증기 투과율이 0.01 g/m2/day 미만일 때에는 수증기 투과도계 (제품명：deltaperm, TECHNOLOX 사 제조) 를 이용하여 측정하였다.
(점착제층의 수증기 투과율 측정)
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (상품명：K200－6E, 미츠비시쥬시사 제조, 두께 6μm, 이하, 「PET6E」라고 한다.) 위에, 점착제 조성물 A ~ J 를 콤마 다이렉트 코트법으로 도포하고, 얻어진 도막을 110℃ 에서 1 분간 건조시켜, 약 50μm 두께의 점착제층을 각각 형성하여 수증기 투과율 측정용 샘플로 하였다.
이어서, 얻어진 점착제층의 각각을 PET6E 와 첩합하고, PET6E/점착제층 (50μm)/PET6E 의 층 구성을 갖는 적층체를 제작하여 실시예 1 ~ 10 에 대응하는 수증기 투과율 측정용 샘플로 하였다.
또, 박리 필름 위에 우레탄 점착제층을 갖는 점착 시트 (상품명：G－6, 쿠라시키보세키사 제조, 두께 25μm) 를 2 장 준비하고, 점착제층끼리를 히트 라미네이터 (라미롤 온도：실측치 110℃, 속도：실측치 0.2 m/min) 로 첩합하였다.
다음으로, 박리 필름을 박리하고, 노출된 점착제층과 PET6E 를 첩합하고, 상기 히트 라미네이터를 사용하여 첩합하였다. 이어서, 다른 한쪽의 박리 필름을 박리하고, 노출된 우레탄 점착제층과 또 1 장의 PET6E 를 상기 히트 라미네이터를 사용하여 첩합하고, PET6E/우레탄 점착제층 (50μm)/PET6E 의 층 구성을 갖는 적층체를 제작하여 비교예 1 에 대응하는 수증기 투과율 측정용 샘플로 하였다.
점착제층의 수증기 투과율 측정용 샘플의 수증기 투과율은 가스 배리어 필름 적층체의 수증기 투과율의 측정과 동일하게 하여 측정하였다.
(고온 습열 조건 투입 후의 들뜸의 유무)
실시예 및 비교예에서 얻어진 가스 배리어 필름 적층체를 (120 mm×120 mm) 로 재단하고, 고온 습열 조건 하 (60℃, 상대 습도 90%) 에 150 시간 놓아두었다. 그 후, 23℃, 상대 습도 50% 환경 하에서 1일 조온·조습을 실시하고, 적층체의 단부를 육안으로 들뜸의 유무를 확인하였다.
평가 기준은 이하에 나타내는 바와 같다.
◎：적층체의 단부를 육안으로 관찰하였을 때 들뜸이 전혀 관찰되지 않은 것.
○：적층체의 단부를 육안으로 관찰하였을 때 들뜸이 거의 관찰되지 않은 것.
×：적층체의 단부를 육안으로 관찰하였을 때 들뜸이 관찰된 것.
(점착제층과 가스 배리어층 사이의 점착력 측정)
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (상품명：PET50A－4100, 토요보사 제조, 두께 50μm, 이하 「PET50A」라고 한다) 위에, 점착제 조성물 A ~ C, F ~ J 를 콤마 다이렉트 코트법으로 도포하고, 얻어진 도막을 100℃ 에서 1분간 건조시켜, 약 10μm 두께의 점착제층을 형성하여 실시예 1 ~ 3, 6 ~ 10 에 대응하는 점착력 측정용 샘플을 각각 제작하였다.
또, 점착제 조성물 D, E 를 PET50A 상에, 콤마 다이렉트 코트법으로 도포하고, 얻어진 도막을 100℃ 에서 1분간 건조시켜, 약 10μm 두께의 점착제층을 형성하였다.
다음으로, 박리 필름측으로부터 자외선 (UV) 을 1000 mJ/cm2 의 광량으로 조사하여 점착제층을 형성하고, 실시예 4, 5 에 대응하는 점착력 측정용 샘플을 각각 제작하였다.
이어서, 상기에서 제작한 가스 배리어 필름의 가스 배리어층면에, 점착력 측정용 샘플의 점착제층면을 첩부하여, 가스 배리어 필름 (기재/가스 배리어층)/점착력 측정용 샘플 (점착제층/PET50A) 의 층 구성을 갖는 적층체를 각각 얻었다.
또, 박리 필름 위에 우레탄 점착제층을 갖는 점착 시트 (상품명：G－6, 쿠라시키보세키사 제조, 두께 25μm) 의 점착제층면과 PET50A 를 히트 라미네이터 (라미롤 온도, 실측치 110℃, 속도：실측치 0.2 m/min) 로 첩합하여 비교예 1 의 점착력 측정용 샘플을 제작하였다.
다음으로, 박리 필름을 박리하고, 노출된 우레탄 점착제층과 상기에서 제작한 가스 배리어 필름의 가스 배리어층을 상기 히트 라미네이터를 사용하여 첩합하고, 가스 배리어 필름 (기재/가스 배리어층)/점착력 측정용 샘플 (우레탄 점착제층/PET50A) 의 층 구성을 갖는 적층체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 적층체의 각각에 대하여, 23℃, 50% RH 환경 하에서, JIS Z 0237 (2000년도 개정판) 의 점착력의 측정법에 준거하여 적층체를 제작 (첩부) 하고 24 시간 경과 후 180°에서의 박리 점착 강도 (N/25mm) 를 측정하였다.
(자외선 차단율의 측정)
가스 배리어 필름 적층체 A, F ~ J 의, 파장 350 nm 의 자외선 차단율 (%) 을 측정하였다. 측정은 자외·가시·근적외 분광 광도계 (제품명：UV－3600, 시마즈 제작소사 제조) 를 이용하여 실시하였다.
(광학 특성의 평가)
고온 습열 조건 (60℃, 습도 90%) 하에 150 시간 놓아둔 전후에서의, 가스 배리어 필름 적층체 A, F ~ J 의, 가시광선 투과율, 황색도, 및 헤이즈를 측정하였다.
측정 방법은 이하와 같다.
(1) 가시광선 투과율
헤이즈 미터 (제품명：HAZE METER NDH5000, 일본덴쇼쿠코교사 제조) 를 이용하여 JIS K 7631－1 에 준거하여 파장 500 nm 의 가시광선 투과율 (%) 을 측정하였다.
(2) 황색도 (Y1)
스펙트로 컬러 미터 (제품명：Spectro Color Meter SQ2000, 니폰덴쇼쿠코교사 제조) 를 이용하여 JIS K 7105 에 준거하여 황색도 (YI) 를 측정하였다.
(3) 헤이즈
헤이즈 미터 (제품명：HAZE METER NDH5000, 니폰덴쇼쿠코교사 제조) 를 이용하여 JIS K 7136 에 준거하여 헤이즈를 측정하였다.
Figure pct00016
Figure pct00017
표 2 에서, 고무계 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층을 개재하여 가스 배리어 필름끼리를 첩합하여 얻어진, 실시예 1 ~ 10 의 가스 배리어 필름 적층체는 수증기 배리어성 및 점착력이 우수하고, 또한 고온 습열 조건 하에서 투입한 후에도, 점착제층의 적층 계면에서 단부의 들뜸이 거의 발생하지 않는 것이었다.
한편, 우레탄계 점착제로 이루어지는 점착제층을 개재하여 가스 배리어 필름끼리를 첩합하여 얻어진 비교예 1 의 가스 배리어 필름 적층체는 실시예의 가스 배리어 필름 적층체와 비교하여 수증기 투과율 및 점착력이 열등하고, 또한 점착제층의 적층 계면에서 단부의 들뜸이 발생하였다.
표 3 에서, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제를 함유하는 실시예 6 ~ 8 의 가스 배리어 필름 적층체 F ~ H 는 자외선 차단성이 높고, 또한, 고온 습열 조건 하에서 투입한 전후에도 광학 특성이 우수하였다.
1 : 플라스틱으로 이루어지는 기재
2 : 가스 배리어층
3 : 박리 필름
4 : 점착제층
10 : 가스 배리어 필름
20 : 점착제층 형성 박리 필름
30 : 적층체
100A, 100B : 가스 배리어 필름 적층체

Claims (5)

  1. 적어도 2 장의 가스 배리어 필름이 점착제층을 개재하여 적층된 가스 배리어 필름 적층체로서,
    상기 가스 배리어 필름의 적어도 1 장이, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재와 그 기재 위에 형성된 적어도 1 층의 가스 배리어층을 가지고,
    상기 점착제층이 고무계 화합물을 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 층인 것을 특징으로 하는 가스 배리어 필름 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라스틱 필름은 투명한 플라스틱 필름이며, 또한
    상기 점착제층이 추가로 벤조트리아졸계 자외선 흡수제를 함유하는 고무계 점착제 조성물을 사용하여 형성된 것임을 특징으로 하는 가스 배리어 필름 적층체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고무계 화합물이 폴리이소부틸렌계 수지인, 가스 배리어 필름 적층체.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    적어도 2 장의 가스 배리어 필름이, 점착제층을 개재하여, 가스 배리어층과 가스 배리어층이 대향하도록 적층된 것인, 가스 배리어 필름 적층체.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 가스 배리어 필름 적층체를 구비하는, 전자 부재.
KR20147002108A 2011-07-25 2012-07-06 가스 배리어 필름 적층체 및 전자 부재 KR20140048946A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-162376 2011-07-25
JPJP-P-2011-162375 2011-07-25
JP2011162376A JP5937312B2 (ja) 2011-07-25 2011-07-25 ガスバリアフィルム積層体および電子部材
JP2011162375A JP5918488B2 (ja) 2011-07-25 2011-07-25 ガスバリアフィルム積層体及び電子部材
PCT/JP2012/067328 WO2013015096A1 (ja) 2011-07-25 2012-07-06 ガスバリアフィルム積層体及び電子部材

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140048946A true KR20140048946A (ko) 2014-04-24

Family

ID=47600950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20147002108A KR20140048946A (ko) 2011-07-25 2012-07-06 가스 배리어 필름 적층체 및 전자 부재

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9796156B2 (ko)
EP (1) EP2737997A4 (ko)
KR (1) KR20140048946A (ko)
CN (1) CN103842174B (ko)
TW (1) TWI552883B (ko)
WO (1) WO2013015096A1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160103806A (ko) 2015-02-25 2016-09-02 엘에스엠트론 주식회사 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법
WO2017047885A1 (ko) * 2015-09-18 2017-03-23 주식회사 상보 가스 배리어 필름 및 코팅액 제조
KR20190056172A (ko) * 2017-11-16 2019-05-24 주식회사 엘지화학 플라스틱 적층 필름
KR20190082760A (ko) * 2016-11-10 2019-07-10 린텍 가부시키가이샤 가스 배리어성 적층 시트, 가스 배리어성 적층 시트의 제조 방법, 및 전자 부재 또는 광학 부재

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI626163B (zh) * 2012-03-06 2018-06-11 Lintec Corp 氣體阻隔薄膜層積體、黏合薄膜以及電子元件
EP2927297A4 (en) * 2012-11-30 2016-08-03 Lintec Corp ADHESIVE COMPOSITION, ADHESIVE AND ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
US20150367602A1 (en) * 2013-02-15 2015-12-24 Lintec Corporation Gas barrier film laminate, production method therefor, and electronic device
JP6126884B2 (ja) * 2013-03-26 2017-05-10 リンテック株式会社 硬化性樹脂組成物、樹脂フィルム、ガスバリアフィルム及び電子デバイス
KR102104608B1 (ko) * 2013-05-16 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102133433B1 (ko) * 2013-05-24 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
TWI648892B (zh) * 2013-12-26 2019-01-21 日商琳得科股份有限公司 Sheet-like sealing material, sealing sheet, electronic device sealing body, and organic EL element
CN106457765B (zh) * 2014-06-17 2019-01-11 柯尼卡美能达株式会社 气体阻隔膜和其制造方法
JP2017071133A (ja) * 2015-10-08 2017-04-13 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアー性フィルム積層体及び電子デバイス
JP6202074B2 (ja) * 2015-11-20 2017-09-27 凸版印刷株式会社 波長変換シート
CN108602309B (zh) * 2016-02-01 2022-04-12 3M创新有限公司 阻挡复合物
JP2018060856A (ja) * 2016-10-03 2018-04-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 コーティング組成物および光半導体装置
CN106449976B (zh) * 2016-10-31 2019-08-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
WO2018181181A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 凸版印刷株式会社 透明導電性ガスバリア積層体及びこれを備えたデバイス
US9960389B1 (en) 2017-05-05 2018-05-01 3M Innovative Properties Company Polymeric films and display devices containing such films
WO2020179170A1 (ja) 2019-03-05 2020-09-10 株式会社村田製作所 電解コンデンサ
JP7287069B2 (ja) * 2019-04-02 2023-06-06 凸版印刷株式会社 透明導電性ガスバリア積層体及びその製造方法、並びにデバイス
FR3104059B1 (fr) * 2019-12-10 2022-07-08 Commissariat Energie Atomique Empilement hautement barriere aux gaz notamment pour cellules photovoltaiques

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51126300A (en) 1975-04-26 1976-11-04 Res Inst Iron Steel Tohoku Univ Method for manufacturing an organoo silicon polymer having silicon and carbon atoms as main skeleton component
JPS60145903A (ja) 1983-12-29 1985-08-01 Toa Nenryo Kogyo Kk 無機ポリシラザン及びその合成方法
JPH0618885B2 (ja) 1986-02-12 1994-03-16 東燃株式会社 ポリシロキサザンおよびその製法
JP2507714B2 (ja) 1986-09-24 1996-06-19 東然株式会社 新規ポリチタノシラザン及びその製造方法
JP2613787B2 (ja) 1987-08-13 1997-05-28 財団法人石油産業活性化センター 無機シラザン高重合体、その製造方法及びその用途
JP2760555B2 (ja) 1988-03-24 1998-06-04 東燃株式会社 ポリボロシラザン及びその製造方法
JP2700233B2 (ja) 1988-12-26 1998-01-19 財団法人石油産業活性化センター 共重合シラザンおよびその製造法
JP3042537B2 (ja) 1990-06-30 2000-05-15 東燃株式会社 改質ポリシラザン及びその製造方法
JPH04334551A (ja) 1991-05-10 1992-11-20 Tonen Corp ヒドロシランの重合触媒
JP3283276B2 (ja) 1991-12-04 2002-05-20 東燃ゼネラル石油株式会社 改質ポリシラザン及びその製造方法
JPH05238827A (ja) 1992-02-26 1993-09-17 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06122852A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Tonen Corp コーティング用組成物及びコーティング方法
JP3307471B2 (ja) 1993-02-24 2002-07-24 東燃ゼネラル石油株式会社 セラミックコーティング用組成物及びコーティング方法
JPH06286046A (ja) 1993-04-06 1994-10-11 Oike Ind Co Ltd 積層フイルム
JP3385060B2 (ja) 1993-04-20 2003-03-10 東燃ゼネラル石油株式会社 珪素−窒素−酸素−（炭素）−金属系セラミックス被覆膜の形成方法
JP4070828B2 (ja) 1995-07-13 2008-04-02 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜
CN1092215C (zh) 1996-12-27 2002-10-09 大阪瓦斯株式会社 聚硅烷的制造方法
JP2000338901A (ja) 1999-06-01 2000-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブルディスプレイ基板の製造方法
JP3555928B2 (ja) 1999-07-12 2004-08-18 独立行政法人産業技術総合研究所 表面改質方法及び表面改質装置
JP3517749B2 (ja) 1999-11-26 2004-04-12 独立行政法人産業技術総合研究所 表面改質装置
JP4635356B2 (ja) 2000-03-14 2011-02-23 チッソ株式会社 カルボシラン及びポリカルボシラン
WO2004101276A1 (ja) 2003-05-16 2004-11-25 Toppan Printing Co., Ltd. 透明ガスバリア積層フィルム、これを用いたエレクトロルミネッセンス発光素子、エレクトロルミネッセンス表示装置、及び電気泳動式表示パネル
JP4900557B2 (ja) 2004-09-22 2012-03-21 Ｊｓｒ株式会社 ポリカルボシラン
JP2006123307A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
JP4717497B2 (ja) 2005-04-20 2011-07-06 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルム
JP5115777B2 (ja) 2005-12-21 2013-01-09 東レフィルム加工株式会社 太陽電池モジュール用表面保護シート
JP2007197517A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Three M Innovative Properties Co 接着性封止組成物、封止フィルム及び有機ｅｌ素子
JP2007237588A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法
KR101078353B1 (ko) * 2007-12-24 2011-10-31 유티스 주식회사 점착제층을 포함하는 충격흡수 및 실링용 시트의 제조 방법
KR20110020862A (ko) * 2008-06-02 2011-03-03 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 접착성 캡슐화 조성물 및 그것을 사용하여 제조한 전자 소자
US9340869B2 (en) 2008-08-19 2016-05-17 Lintec Corporation Formed article, method for producing the same, electronic device member, and electronic device
JP5414426B2 (ja) * 2009-09-01 2014-02-12 富士フイルム株式会社 複合フィルム
JP5530715B2 (ja) * 2009-12-16 2014-06-25 リンテック株式会社 防水用両面粘着テープ
JP5990164B2 (ja) * 2010-07-02 2016-09-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 封入材及び光起電セルを有するバリア組立品
KR101886455B1 (ko) * 2010-09-07 2018-08-07 린텍 가부시키가이샤 점착 시트 및 전자 디바이스

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160103806A (ko) 2015-02-25 2016-09-02 엘에스엠트론 주식회사 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법
WO2017047885A1 (ko) * 2015-09-18 2017-03-23 주식회사 상보 가스 배리어 필름 및 코팅액 제조
KR20190082760A (ko) * 2016-11-10 2019-07-10 린텍 가부시키가이샤 가스 배리어성 적층 시트, 가스 배리어성 적층 시트의 제조 방법, 및 전자 부재 또는 광학 부재
KR20190056172A (ko) * 2017-11-16 2019-05-24 주식회사 엘지화학 플라스틱 적층 필름

Also Published As

Publication number Publication date
EP2737997A4 (en) 2015-04-15
US20140170431A1 (en) 2014-06-19
TWI552883B (zh) 2016-10-11
CN103842174B (zh) 2016-01-20
EP2737997A1 (en) 2014-06-04
TW201315608A (zh) 2013-04-16
CN103842174A (zh) 2014-06-04
US9796156B2 (en) 2017-10-24
WO2013015096A1 (ja) 2013-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140048946A (ko) 가스 배리어 필름 적층체 및 전자 부재
JP5937312B2 (ja) ガスバリアフィルム積層体および電子部材
JP6087340B2 (ja) ガスバリアフィルム積層体、粘着フィルム、および電子部材
JP5612277B2 (ja) ガスバリア性フィルム及び電子デバイス用部材
KR102055111B1 (ko) 가스 배리어 필름 적층체, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스
JP5992331B2 (ja) 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
JP6304712B2 (ja) 透明導電性積層体及び電子デバイス又はモジュール
JP5918488B2 (ja) ガスバリアフィルム積層体及び電子部材
JP5769512B2 (ja) ガスバリア性シート、積層シートおよび素子封止体
JP5697230B2 (ja) 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5750441B2 (ja) 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5530123B2 (ja) ガスバリア性フィルム及びその製造方法
KR20130018254A (ko) 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application