KR20130112921A - 하전 입자선 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 시료에 틸트 빔을 조사해서 취득한 틸트상 또는 좌우 시차각상을, 초점을 연속적으로 보정하면서 관찰할 때 발생하는 시야 어긋남을 억제할 수 있는 하전 입자선 장치를 제공한다. 시료(10) 표면에 1차 하전 입자선의 초점을 연결시키는 대물 렌즈(7)와 1차 하전 입자선을 틸트시키는 경사각 제어용 편향기(53)의 사이에 설치한 시야 보정용 얼라이너(54)에 의해, 경사각 제어용 편향기(53)의 틸트각, 렌즈 조건, 대물 렌즈(7)와 시료(10)의 거리로부터 구해지는 보정량으로, 1차 하전 입자선의 틸트 시에 발생하는 시야 어긋남을, 대물 렌즈(7)의 초점 보정에 연동해서 억제한다.

Description

하전 입자선 장치{CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE}
본 발명은 하전 입자선 장치에 관한 것이다.
시료 상에서 전자선이나 이온선 등 하전 입자선을 틸트시켜, 시료의 틸트상 표시 혹은, 좌우 시차 화상 데이터로 입체상 표시를 행하는 종래 기술로서, 예를 들어 일본 특허 공개 평2-33843호 공보(특허문헌 1)나 일본 특허 공개 제2010-9907호 공보(특허문헌 2)가 있다. 특허문헌 1에는, 하전 입자선을 대물 렌즈 상방에서 틸트시켜, 대물 렌즈의 축외에 있어서의 방향 회귀(return swing) 작용을 이용하여, 하전 입자선을 시료에 틸트시켜서 조사하고, 시료의 틸트상을 취득하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 인용문헌 2에는, 하전 입자선 장치를 사용해서 입체 관찰을 행하는 기술이 개시되어 있다. 본 문헌의 기술에서는, 전자 코일을 사용하여, 좌우 시차각분 틸트시킨 하전 입자선으로 시료를 주사하고, 좌우의 스테레오 페어 화상을 취득, 그것을 입체 액정 디스플레이 등에 표시함으로써, 실시간(리얼타임)으로 입체상 관찰을 가능하게 하고 있다.
또한, 틸트 시에 발생하는 초점, 비점, 시야를 보정하는 방법의 예로는, 일본 특허 공개 제2010-16007호 공보(특허문헌 3)가 있다. 비점 보정에 대해서는, 복수의 비점 보정값의 조합을 평가하여, 최적인 비점 보정값을 검출하고, 시야 어긋남에 대해서는 경사 전후의 화상을 비교해서 시야 어긋남 양을 평가하고, 이미지 시프트, 혹은 시료 스테이지의 이동으로 보정을 행하고 있다.
한편, 시료 표면 자체가, 하전 입자선의 초점 심도를 초과해서 크게 경사져 있는 샘플의 관찰 방법으로서, 시료 표면 경사에 맞춰서 하전 입자선의 초점을 연속적으로 변화시켜서, 항상 초점이 맞는 화상을 제공하는 경사 초점 보정(다이나믹 포커스) 기능, 그리고, 시료 경사 각도에 맞추어 하전 입자 빔 주사 폭을 변경하여, 경사 전과 동일한 영역을 주사해서 화상 취득을 행하는, 경사 배율 보정(틸트 컴펜세이션) 기능이 있고, 이것들은 이미 제품화되어 있다.
일본 특허 공개 평2-33843호 공보 일본 특허 공개 제2010-9907호 공보 일본 특허 공개 제2010-16007호 공보
하전 입자선을 대물 렌즈 상방에서 틸트시켜, 대물 렌즈 축외의 방향 회귀 작용을 이용하여 틸트한 하전 입자선을 시료에 조사하고, 시료를 관찰하면, 틸트시키지 않았을 때와 비교해서 시야 어긋남이 발생한다. 전자 현미경으로 대표되는 하전 입자선 장치에 있어서는, 통상, 광축 중심 상에 위치하는 대물 렌즈의 상측 크로스오버가, 하전 입자선을 틸트시킴으로써 가상적으로 광축으로부터 어긋나게 되어, 이 어긋남 양과 대물 렌즈 축소율의 곱으로서, 시야 어긋남은 발생한다.
이것을 피하기 위해서는, 하전 입자선을 크로스오버 위치에서 틸트시키는 크로스오버 방식이 알려져 있지만, 장치 성능, 실장에 대한 제한이 크다.
이들 틸트상 관찰, 입체상 관찰을 사용하여, 시료 스테이지 등을 사용해서 시료 자체를 크게 경사지게 해서 관찰할 경우, 종래 기술에 의해, 시료 경사 각도에 따라서 경사 초점 보정(다이나믹 포커스) 기능을 사용해서 연속적으로 초점을 변경하여, 관찰 시야 전체면에 있어서 초점이 맞는 화상을 취득하는 것은 가능하다. 그러나, 본 발명자들이 검토한 결과, 1000배 이상의 고배율에서는 상기의 시야 어긋남에 의해, 경사상 관찰 시에는 소정의 관찰 위치에 대하여 시야가 크게 어긋나는 것, 그리고 입체상 관찰 시에는 좌우의 시차 화상 모두 시야가 어긋나서 상이한 위치를 관찰하게 되어, 입체 관찰할 수 없게 된다는 사태가 발생하는 것을 알았다.
본 발명의 제1 목적은, 1차 하전 입자선을 틸트함으로써 발생하는 시야 어긋남의 보정을 용이하게 행할 수 있는 하전 입자선 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제2 목적은, 시야 어긋남이 억제되어 양호한 입체 화상이 얻어지는 하전 입자선 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제3 목적은, 경사 시료이어도, 틸트한 하전 입자선에 의해 소정 위치의 관찰이 가능한 하전 입자선 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 실시 형태로서, 하전 입자원과, 상기 하전 입자원으로부터 방출되는 1차 하전 입자선을 수속하는 복수의 렌즈와, 상기 1차 하전 입자선을 시료 상에서 주사하는 주사 코일과, 상기 1차 하전 입자를 수속해서 상기 시료에 조사하는 대물 렌즈와, 상기 대물 렌즈보다도 상단에 배치되고, 상기 1차 하전 입자선을 틸트시키는 편향기를 갖고, 상기 대물 렌즈의 방향 회귀를 사용해서 틸트시킨 상기 1차 하전 입자선을 상기 시료에 조사함으로써, 상기 시료의 틸트상, 혹은 좌우 시차각상을 취득하는 하전 입자선 장치에 있어서, 상기 대물 렌즈와 상기 편향기의 사이에 얼라이너가 더 구비되고, 상기 얼라이너는, 상기 편향기의 틸트각, 상기 복수의 렌즈 조건, 상기 대물 렌즈와 상기 시료까지의 거리를 사용하여, 상기 1차 하전 입자선의 틸트 시에 발생하는 상기 시료의 시야 어긋남을 보정하는 빔 틸트 시야 보정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치로 한다.
또한, 상기 하전 입자선 장치에 있어서, 상기 시료의 표면 경사에 대응하여, 상기 1차 하전 입자선이 상기 시료 상을 1 라인 주사중에 상기 대물 렌즈의 초점과 틸트한 상기 1차 하전 입자선에 의한 시야 어긋남을 동시, 연속적으로 보정하는 경사 초점 보정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치로 한다.
또한, 하전 입자원과, 시료 스테이지와, 상기 하전 입자원으로부터 방출되는1차 하전 입자선을 수속해서 광축 상에 크로스오버를 형성하는 복수의 렌즈와, 상기 1차 하전 입자를 수속해서 상기 시료 스테이지에 적재되는 시료에 조사하는 대물 렌즈와, 상기 대물 렌즈와 상기 크로스오버의 사이에 배치되고, 상기 1차 하전 입자선을 틸트시키는 편향기를 갖는 하전 입자선 장치에 있어서, 상기 대물 렌즈와 상기 편향기의 사이에 시야 보정용 얼라이너가 더 구비되고, 상기 시야 보정용 얼라이너는, 상기 편향기에 의해 상기 1차 하전 입자선을 틸트함으로써 상기 크로스오버와는 상이한 위치에 형성되는 가상적인 크로스오버의 상기 광축으로부터의 위치 어긋남이 상기 광축과 일치하도록 상기 1차 하전 입자선의 틸트 각도를 보정하는 것인 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치로 한다.
또한, 하전 입자원과, 시료 스테이지와, 상기 스테이지를 경사지게 하는 경사 기구와, 상기 하전 입자원으로부터 방출되는 1차 하전 입자선을 수속해서 광축 상에 크로스오버를 형성하는 복수의 렌즈와, 상기 1차 하전 입자선을 상기 시료 스테이지에 적재되는 시료 상에서 주사하는 주사 코일과, 상기 1차 하전 입자를 수속해서 상기 시료에 조사하는 대물 렌즈와, 상기 대물 렌즈와 상기 크로스오버의 사이에 배치되고, 상기 1차 하전 입자선을 틸트시키는 편향기와, 이들을 제어하는 제어 CPU와, 상기 제어 CPU에 접속된 화상 표시 장치를 갖는 하전 입자선 장치에 있어서, 상기 대물 렌즈와 상기 편향기의 사이에 시야 보정용 얼라이너가 더 구비되고, 상기 경사 기구를 사용해서 경사지게 한 상기 시료 스테이지에 적재되는 상기 시료의 표면에 상기 1차 하전 입자선을 조사해서 틸트상을 관찰할 때, 상기 제어 CPU는, 상기 주사 코일이, 기울어진 상기 시료 스테이지의 경사 방향으로 상기 1차 하전 입자선을 주사하도록, 또한 상기 대물 렌즈가, 주사되는 상기 1차 하전 입자선이 상기 시료의 표면에 있어서 초점을 연결하도록, 또한 상기 시야 보정용 얼라이너가, 상기 편향기에 의해 상기 1차 하전 입자선을 틸트하는 것 및 상기 대물 렌즈에 의해 상기 1차 하전 입자선의 초점 위치를 변경함으로써 상기 크로스오버와는 상이한 위치에 형성되는 가상적인 크로스오버의 상기 광축으로부터의 위치 어긋남을 상기 광축과 일치시켜 상기 1차 하전 입자선의 틸트 각도를 보정하도록 제어하는 것인 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치로 한다.
본 발명에 따르면, 시야 어긋남을 보정하는 얼라이너를 가짐으로써, 1차 하전 입자선을 틸트함으로써 발생하는 시야 어긋남의 보정을 용이하게 행할 수 있는 하전 입자선 장치를, 또한 시야 어긋남이 억제되어, 양호한 입체 화상이 얻어지는 하전 입자선 장치를 제공할 수 있다. 또한, 시료의 표면 경사에 대응하여, 1차 하전 입자선이 시료 상을 1 라인 주사중에 대물 렌즈의 초점과 틸트한 1차 하전 입자선에 의한 시야 어긋남을 동시, 연속적으로 보정하는 경사 초점 보정 기능을 가짐으로써, 경사 시료이어도, 틸트한 하전 입자선에 의해 소정 위치의 관찰이 가능한 하전 입자선 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부 도면에 관한 이하의 본 발명의 실시예의 기재로부터 밝혀질 것이다.
도 1은 제1 실시예에 관한 하전 입자선 장치의 일례인 주사 전자 현미경의 전체 개략 구성도이다.
도 2는 틸트상 관찰 시의 전자선 궤도를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 입체상 관찰 시의 전자선 궤도를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 전자선 틸트에 의한 시야 어긋남 발생의 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 전자선 틸트에 의한 시야 어긋남의 보정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 제2 실시예에 관한 하전 입자선 장치를 사용해서 표면 경사 시료의 틸트 빔 관찰 시의 하전 입자선 궤도를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 초점, 시야 어긋남 동시 보정시의 신호 타임챠트다.
도 8은 제2 실시예에 관한 하전 입자선 장치를 사용해서 경사 시료의 틸트 빔 관찰 시(경사 배율 보정시)의 하전 입자선 궤도를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 초점, 시야 어긋남, 배율 동시 보정시의 신호 타임챠트다.
도 10은 제2 실시예에 관한 하전 입자선 장치의 조작 GUI의 일례를 도시하는 도면이다.
본 발명은 하전 입자원으로부터 방출되는 1차 하전 입자선을, 복수의 렌즈에 의해 수속하고, 대물 렌즈보다도 상단의 전자 코일에 의해, 상기 1차 하전 입자선을 틸트시켜, 상기 대물 렌즈의 방향 회귀를 사용해서 틸트한 하전 입자선으로 시료를 주사함으로써, 상기 시료의 틸트상, 혹은 좌우 시차각상을 취득하는 하전 입자선 장치에 있어서, 상기 대물 렌즈와 상기 전자 코일의 중간에 설치한 얼라이너를 사용하여, 상기 전자 코일의 틸트각, 상기 복수의 렌즈 조건, 상기 대물 렌즈와 상기 시료까지의 거리로부터 구해지는 보정량으로, 상기 하전 입자선의 틸트 시에 발생하는 상기 시료의 시야 어긋남을, 대물 렌즈 초점 변화에 연동하여, 동적으로 보정하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성으로 함으로써, 경사 시료의 경사상, 입체상 관찰 실시 시에 있어서, 시야 어긋남 없이 양호한 경사 시료의 틸트상 관찰, 입체상 관찰이 가능하게 된다.
이하, 도면을 사용해서 본 발명의 실시예를 설명한다.
실시예 1
제1 실시예에 대해서 도 1 내지 도 5를 사용해서 설명한다. 도 1은, 본 실시예에 관한 하전 입자선 장치의 일례인 주사 전자 현미경의 개략 구성도이다. 여기에서는 전자선을 사용한 예에 대해서 설명하지만, 이온 빔을 사용하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 동일 부호는 동일 구성 요소를 나타낸다. 필라멘트(음극)(1)와 양극(3)에는, 제어 CPU(40)로 제어되는 고압 제어 전원(20)에 의해 전압이 인가되고, 소정의 에미션 전류로 1차 전자선(4)이 필라멘트(1)로부터 인출된다. 또한, 도 1에 있어서 제어 CPU(40)와 직접 혹은 간접적으로 접속되어 있는 구성 요소는 제어 CPU(40)에 의해 제어된다. 필라멘트(1)와 양극(3)의 사이에는, CPU(40)로 제어되는 고압 제어 전원(20)에 의해 가속 전압이 인가되고, 음극(필라멘트)(1)으로부터 방출된 1차 전자선(4)이 가속되어서 후단의 렌즈계로 진행한다. 또한, 부호 2는 웨넬트(wehnelt)이다. 1차 전자선(4)은, 제1 및 제2 렌즈 제어 전원(21, 22)으로 제어된 제1 및 제2 수속 렌즈(5, 6)에 의해 수속되고, 구경판(aperture plate: 8)에 의해 1차 전자선의 불필요한 영역이 제거된 후에, 대물 렌즈 제어 전원(23)으로 제어된 대물 렌즈(7)에 의해 시료(10)에 미소 스폿으로서 수속된다.
1차 전자선(4)은, 상하 2단으로 구성된 주사 코일(9)로 시료(10) 상을 이차원적으로 주사된다. 부호 24는 주사 코일 제어 전원이다. 1차 전자선의 조사로 시료(10)로부터 발생한 2차 전자 등의 2차 신호(12)는, 대물 렌즈(7)의 하부로 진행한 후, 2차 신호 검출기(13)에서 검출된다. 2차 신호 검출기(13)로 검출된 신호는, 신호 증폭기(14)로 증폭된 후, 화상 표시 장치(41)에 시료상으로서 표시된다.
대물 렌즈(7)와 구경판(8)의 사이에는 X 및 Y 방향의 비점을 보정하기 위한 8극의 비점 보정기(51)가 배치된다. 부호 32는 비점 보정기용 제어 전원이다. 비점 보정기(52)의 근방, 혹은 동일 위치에는 비점 보정기(52)의 축 어긋남을 보정하는 비점 보정기용 얼라이너가 배치된다. 부호 33은 비점 보정기용 얼라이너 제어 전원이다.
관찰 대상인 시료(10)는 시료 스테이지(15) 상에 설치되고, 시료 스테이지(15)를 이동시킴으로써, 관찰 시야의 변경이 가능하다. 시료 스테이지(15)의 이동은 수동, 혹은 전동으로 행해지고, 이동 방향은 광축 방향을 Z 방향으로 하여, XYZ의 3방향뿐만 아니라 광축을 회전축으로 해서 시료를 회전시키는 것도 가능하고, 광축에 수직인 면을 0°로 하고, 거기에서 시료(10)를 경사지게 하는 것도 가능하다. 본 실시예에서는 스테이지 구동 유닛 및 전원(16)을 사용해서 시료 스테이지를 구동하였다.
다음으로 틸트상 관찰 및 입체상 관찰에 대해서 도 2 및 도 3을 사용해서 설명한다. 도 2는 틸트상 관찰 시의 전자선 궤도를 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 입체상 관찰 시의 전자선 궤도를 설명하기 위한 도면이다.
주사 코일(9) 상단의 동일 위치에는, 틸트(경사)각 제어용 편향기(53)가 배치되고, 틸트상 및 입체상 관찰 시에는, 1차 전자선(4)을 경사지게 하고, 대물 렌즈(7)의 방향 회귀 작용을 사용하여, 시료(10)에 1차 전자선(4)을 틸트시켜서 조사한다. 부호 34는 경사각 제어용 편향기 제어 전원이다.
도 2에 있어서는, 1차 전자선(4)의 중심 궤도뿐만 아니라, 전자선의 확대도 도시한다. 필라멘트(1)로부터 인출되어, 제1 수속 렌즈(5) 및 제2 수속 렌즈(6)를 통과한 1차 전자선(4)은, 광축 상에 크로스오버(100)를 연결하고, 구경판(8)을 통과하여, 틸트각 제어용 편향기(53)로써 경사진다. 틸트한 전자선(61)은 대물 렌즈(7)의 축외를 통과하여, 대물 렌즈(7)의 방향 회귀 작용에 의해, 광축으로부터 틸트해서 시료(10)에 조사되어, 틸트상이 얻어진다.
입체상 관찰 시에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기와 마찬가지로 1차 전자선(4)이 크로스오버(100)를 연결하고, 구경판(8)을 통과한 후, 틸트각 제어용 편향기(53)를 사용해서 광축을 대상 축으로 좌우 2개의 틸트한 전자선(62, 63)을 형성하고, 좌우의 스테레오 페어 화상을 취득한다. 취득한 화상은, 제어 CPU(40)에서 화상 처리되어, 입체 표시 모니터(화상 표시 장치(41)) 등에 표시함으로써 입체상 관찰이 가능하게 된다.
이어서, 전자선 틸트 시의 시야 어긋남의 발생 메커니즘에 대해서 도 4를 사용해서 설명한다. 도 4는 전자선 틸트에 의한 시야 어긋남 발생의 메커니즘의 설명도이다. 여기에서는 간단화를 위하여, 주사를 위한 편향 신호를 받지 않고 있는, 전자선 중심 궤도로 설명한다.
제2 집속 렌즈(6)를 통과한 전자선은, 편향 코일(주사 코일)(9) 및 틸트각 제어용 편향기(53) 상방에서 크로스오버(100)를 연결한다. 이어서, 시료(10)에 각도 ωi[rad]로 조사하는 것을 목적으로, 틸트각 제어용 편향기(53)로 각도ω0[rad]로 편향해서, 대물 렌즈(7)에 의해 방향 회귀되어 시료(10)에 조사된다. 그러나, 전자선 도달점은 광축 상이 아닌, 광축보다 거리 Δri만큼 어긋난 점이 된다.
이것은, 틸트각 제어용 편향기(53)에 의해, 도 4에 도시한 바와 같이 틸트 전자선의 크로스오버(100)가 가상적으로 광축보다 거리 Δr0 어긋난 점이 되기 때문이다. 도 4의 광학계 배치에 있어서는 기하학적 계산으로부터 위치 어긋남 거리 Δri는 이하와 같이 구해진다.
Figure pct00001
여기서 Mobj, Δr0는 이하와 같다.
Figure pct00002
위치 어긋남 거리 Δri는 a, b, ωi, 특히 ωi에 따라 변화하고, 10° 이하의ωi에서도 수십㎛ 발생한다. 수백배의 관찰로도 무시할 수 없는 것이다. 또한, a는 크로스오버로부터 대물 렌즈까지의 거리, b는 대물 렌즈로부터 관찰 시료 표면까지의 거리, D1은 틸트각 제어용 편향기(53)로부터 시야 보정용 얼라이너(54)까지의 거리를 나타낸다.
이어서, 도 5를 사용해서 시야 어긋남의 보정 방법에 대해서 설명한다. 도 5는, 상기 전자선 틸트에 의한 시야 어긋남의 보정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 시야 어긋남의 보정은 시야 보정용 얼라이너(54)를 사용해서 행한다. 구체적으로는, 틸트각 제어용 편향기(53)에 의해, 각도 ω0만큼 편향된 틸트 전자선을 보정 각도 Δω0[rad]만큼 편향하고, 가상적으로 광축으로부터 거리 Δr0만큼 어긋나 있었던 크로스오버를, 광축과 일치하도록 보정한다. 부호 35는 시야 보정용 얼라이너 제어 전원이다. 또한, 가상적인 크로스오버의 광축으로부터의 위치 어긋남에 관하여, 거리 Δr0가 ±200㎛ 이내이면 광축과 일치하고 있다고 간주할 수 있다.
도 5의 광학계 배치에 있어서는, 기하학적 계산으로부터 보정 각도 Δω0는 이하와 같이 구해진다.
Figure pct00003
상기 식에 기초하여, 시야 보정용 얼라이너(54)를 사용해서 틸트 전자선 관찰 시의 시야 어긋남을 억제하는 것이 가능하다. 현실적으로는, 시야 보정용 얼라이너(54)에 부여하는 신호는, 얼라이너가 전자 코일이면 전류가 되기 때문에, 보정 각도에 따른 전류를 부여하게 된다.
또한, 수학식 3으로부터 보정 각도 Δω0는 각도 ωi, 거리 a를 어느 관찰 조건으로 결정해도, 거리 b에 따라 변화한다(거리 D1, D2는 장치 고유의 치수 상수).
시야 보정용 얼라이너를 구비한 하전 입자선 장치를 사용해서 하전 입자선을 대물 렌즈 상방에서 틸트시켜, 가상적으로 광축으로부터 어긋나는 크로스오버를 광축과 일치하도록 보정해서 시료 관찰을 행한 결과, 1000배 이상의 고배율로도 원하는 위치의 틸트상을 관찰 시야 내에서 관찰할 수 있었다.
또한, 상기 하전 입자선 장치를 사용해서 세포나 금속 결정, 분체의 입체 관찰을 행한 결과, 좌우의 관찰 위치가 어긋나는 일 없이, 양호한 입체 화상을 얻을 수 있었다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 시야 보정용 얼라이너를 구비함으로써, 1차 전자선을 틸트시켜서 시료 관찰하는 경우에도, 시야 어긋남의 보정을 용이하게 행할 수 있는 하전 입자선 장치를 제공할 수 있다. 또한, 광축을 대상 축으로 좌우 2개의 틸트한 하전 입자선을 사용해서 좌우의 스테레오 페어 화상을 취득하는 경우에도 시야 어긋남이 억제되어, 양호한 입체 화상이 얻어지는 하전 입자선 장치를 제공할 수 있다.
실시예 2
제2 실시예에 대해서 도 6 내지 도 10을 사용해서 설명한다. 또한, 실시예 1에 기재되고, 본 실시예에 미기재된 사항은 특별한 사정이 없는 한 본 실시예에도 적용할 수 있다. 도 6은 본 실시예에 관한 하전 입자선 장치(주사 전자 현미경)를 사용해서 표면 경사 시료의 틸트 빔 관찰 시의 하전 입자선 궤도를 설명하기 위한 도면이며, 도 7은 초점, 시야 어긋남 동시 보정시의 신호 타임챠트다.
도 6과 같이, 시료 스테이지(15)의 경사 축 이동 등을 사용한, 대폭적인 시료 표면 경사 θ가 보여지는 시료(10)에 대하여, 시료 표면 경사 θ에 맞춰서 포커스를 연속적으로 변화시키는 경사 초점 보정을 사용한 경우, 동시에 시야 보정용 얼라이너(54)에 의한 시야 어긋남도 연속적으로 보정할 필요가 있다. 시료 스테이지(15)는 수평면(광축에 대하여 수직인 면)에 대하여 -20도 내지 90도의 각도로 기울이는 것이 가능하다. 또한, 부호 105는 1차 전자선의 스캔 방향을 나타낸다. 또한, bmin1은 1차 전자를 주사했을 때의 관찰 시야 내에 있어서의 대물 렌즈와 시료 표면과의 최소 거리, bmax1은 최대 거리를 나타낸다.
이때의 각종 신호 제어도가 도 7이다. 도면 중, IDEF는 1차 전자선을 주사하기 위해서 주사 코일 제어 전원(24)으로부터 주사 코일(9)에 공급되는 편향 신호, Iobj는 1차 전자선을 시료 표면에 수속시키기 위해서 대물 렌즈 제어 전원으로부터 대물 렌즈에 공급되는 대물 렌즈 신호, ITilt _ AL은 가상적인 크로스오버의 광축으로부터의 위치 어긋남을 보정하기 위해서 시야 보정용 얼라이너 제어 전원으로부터 시야 보정용 얼라이너에 공급되는 시야 보정용 얼라이너 제어 신호를 나타내고, ITilt는 경사각 제어용 편향기 신호를 나타낸다. 상단의 편향 신호 IDEF에 맞춰서 관찰해야 할 시료의 높이 위치가 변화하기 때문에, 중단의 대물 렌즈 신호 Iobj를 경사 초점 보정으로 변화시킨다. 또한 초점 보정에 연동해서 가상적인 크로스오버 위치가 변화하기 때문에 시야 보정용 얼라이너 제어 신호 ITilt _ AL도 변화시킨다. 도 7에 있어서는, 편향 신호 IDEF가 진행함(1차 전자선이 도면 우측 방향으로 스캔(105)됨)에 따라서, 시료는 내려가고 있기 때문에, 대물 렌즈의 성질로서, 대물 렌즈 전류Iobj를 작게 한다(대물 렌즈 포커스 특성은 비선형이며, 도 7과 같은 경향을 가짐). 그것에 연동하여, 시야 보정용 얼라이너의 신호 ITilt _ AL은 b가 커지기 때문에(bmin1→bmax1), 수학식 3을 따라 서서히 커져 간다. 이것들은 제어 CPU를 사용해서 행한다.
단, 이 경우, 시료 경사에 맞춰서 편향 신호 IDEF는 변화시키지 않고 있으므로, 경사진 시료가 주사되는 폭의 범위는, 시료 경사를 행하지 않는 경우의 주사 범위(±L)와 비교해서 상이하고, 외관 상 배율도 상이한 것이 된다.
시야 보정용 얼라이너(54)에 의한 시야 어긋남 보정은, 경사 초점 보정뿐만 아니라, 경사 배율 보정을 동시 사용함으로써, 더욱 사용의 편의성이 좋은 것이 된다. 경사 배율 보정은, 화상의 배율을 시료 경사의 전후에서 변화하지 않도록 하는 기술이며, 주사 코일(9)의 주사 범위를 시료 경사 각도에 맞춰서 변경함으로써 행해진다. 경사 배율 보정을 위한 주사 범위의 변경은 제어 CPU를 사용해서 행한다.
이들 기능을 조합함으로써, 경사 시료의 틸트상, 입체상 관찰에 있어서, 초점을 맞추면서, 주사 범위 및 배율을 유지하고, 그리고 시야 어긋남 없이 관찰을 행하는 것이 가능하다.
따라서, 다음으로 경사 초점 보정을 행할 때, 시야 어긋남 보정뿐만 아니라, 경사 배율 보정을 행하는 방법에 대해서 도 8, 도 9를 사용해서 설명한다. 도 8은 경사 배율 보정을 행하면서 경사 시료의 틸트 빔 관찰을 행할 때의 하전 입자선 궤도를 설명하기 위한 도면이며, 도 9는 초점, 시야 어긋남, 배율 동시 보정시의 신호 타임챠트다. 또한, 도 9에 있어서, 실선이 배율 보정을 행하는 경우, 파선은 배율 보정을 행하지 않은 경우를 나타낸다.
경사 배율 보정 기능을 사용해서 경사 각도 θ로 경사진 시료면 상을, 편향 신호 IDEF를 제어하여, 경사 전과 동등한 주사 범위 ±L에서 주사를 행한다. 그 때의 제어 신호의 변화를 보면, 시료 중심 높이(b)를 기준으로 하여, 광축 좌측에서는 편향 폭을 증가시키고, 우측에서는 감소시키게 된다. 그러나, 주사 폭의 변화량의 좌우에 있어서의 차이는 2％ 미만으로 작고, 실제로는 좌우 모두 경사 배율 기능을 사용 전의 주사 폭 L에 경사 각도 θ의 코사인 cosθ를 곱한 Lcosθ로 변경해도 지장이 없다. 그와 동시에 초점 보정, 시야 어긋남 보정 신호도 수정한다.
이어서, 본 실시예에 관한 하전 입자선 장치의 위치 어긋남 보정에 관한 GUI 화면에 대해서 도 10을 사용해서 설명한다. 도 10은, 본 실시예에 관한 주사 전자 현미경에 있어서의 유저 입력 화면의 일례를 도시한다. 도면으로부터 유저는, 시야 어긋남 보정인 “빔 틸트 시야 보정”과 “경사 초점 보정”, “경사 배율 보정”의 3가지 기능에 대해서, 체크 박스(107)를 체크함으로써 사용 가능하다. 이들 기능은, 개별로도 복수의 조합으로도 사용 가능하다. “경사 초점 보정”, “경사 배율 보정”에는 슬라이더(109)가 있어, 시료의 경사 각도를 유저가 결정한다.
본 실시예에 관한 하전 입자선 장치를 사용해서 반도체 소자를 경사지게 하고, 경사 초점 보정을 행하면서 틸트상을 관찰할 시에, 경사 초점 보정에 맞추어, 가상적으로 광축으로부터 어긋나는 크로스오버를 광축과 일치하도록 위치 어긋남 보정하면서 시료 관찰을 행한 결과, 소정 위치에 있어서의 양호한 사시 화상을 얻을 수 있었다. 또한, 상기 경사 초점 보정에 맞추어, 위치 어긋남 보정과 배율 보정을 행한 결과, 보다 치수 정밀도가 높은 화상을 얻을 수 있었다.
이상, 본 실시예에 의하면, 시야 보정용 얼라이너를 구비함으로써, 경사 초점 보정을 행하는 경사 시료이어도 위치 어긋남이 억제되기 때문에 소정 위치의 관찰이 가능한 하전 입자선 장치를 제공할 수 있다. 또한, 경사 초점 보정 기능을 구비함으로써, 치수 정밀도가 높은 사시 화상을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 변형예가 포함된다.
예를 들어, 상기한 실시예는 본 발명을 이해하기 쉽게 설명하기 위해서 상세하게 설명한 것이며, 반드시 설명한 모든 구성을 구비하는 것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 어느 실시예의 구성의 일부를 다른 실시예의 구성으로 치환하는 것도 가능하고, 또한 어느 실시예의 구성에 다른 실시예의 구성을 추가하는 것도 가능하다. 또한, 각 실시예의 구성의 일부에 대해서, 다른 구성의 추가·삭제·치환을 하는 것이 가능하다.
1: 필라멘트(음극)
2: 웨넬트
3: 양극
4: 1차 전자선
5: 제1 수속 렌즈
6: 제2 수속 렌즈
7: 대물 렌즈
8: 구경판
9: 주사 코일
10: 시료
12: 2차 신호
13: 2차 신호 검출기
14: 신호 증폭기
15: 시료 스테이지
16: 스테이지 구동 유닛 및 전원
20: 고압 제어 전원
21: 제1 수속 렌즈 제어 전원
22: 제2 수속 렌즈 제어 전원
23: 대물 렌즈 제어 전원
24: 주사 코일 제어 전원
32: 비점 보정기용 제어 전원
33: 비점 보정기용 얼라이너 제어 전원
34: 경사각 제어용 편향기 제어 전원
35: 시야 보정용 얼라이너 제어 전원
40: 제어 CPU
41: 표시 모니터
51: 비점 보정기
52: 비점 보정기용 얼라이너
53: 경사(틸트)각 제어용 편향기
54: 시야 보정용 얼라이너
61: 틸트 전자선
62: 좌측 틸트 전자선
63: 우측 틸트 전자선
100: 크로스오버
105: 스캔 방향
107: 체크 박스
109: 슬라이더

Claims (10)

  1. 하전 입자원과, 상기 하전 입자원으로부터 방출되는 1차 하전 입자선을 수속하는 복수의 렌즈와, 상기 1차 하전 입자선을 시료 상에서 주사하는 주사 코일과, 상기 1차 하전 입자를 수속해서 상기 시료에 조사하는 대물 렌즈와, 상기 대물 렌즈보다도 상단에 배치되고, 상기 1차 하전 입자선을 틸트시키는 편향기를 갖고, 상기 대물 렌즈의 방향 회귀를 사용해서 틸트시킨 상기 1차 하전 입자선을 상기 시료에 조사함으로써, 상기 시료의 틸트상, 혹은 좌우 시차각상을 취득하는 하전 입자선 장치로서,
    상기 대물 렌즈와 상기 편향기의 사이에 얼라이너가 더 구비되고,
    상기 얼라이너는, 상기 편향기의 틸트각, 상기 복수의 렌즈 조건, 상기 대물 렌즈와 상기 시료까지의 거리를 사용하여, 상기 1차 하전 입자선의 틸트 시에 발생 하는 상기 시료의 시야 어긋남을 보정하는 빔 틸트 시야 보정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 시료의 표면 경사에 대응하여, 상기 1차 하전 입자선이 상기 시료 상을 1 라인 주사중에 상기 대물 렌즈의 초점과 틸트한 상기 1차 하전 입자선에 의한 시야 어긋남을 동시, 연속적으로 보정하는 경사 초점 보정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 대물 렌즈의 초점 보정과 틸트한 상기 1차 하전 입자선에 의한 시야 어긋남 보정과 동시에 주사 폭을 변경하고, 상기 시료 표면 경사를 행하지 않는 경우와 동등한 영역을 주사하는 경사 배율 보정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    화상 표시 장치를 더 구비하고,
    상기 화상 표시 장치는, 빔 틸트 시야 보정, 경사 초점 보정, 경사 배율 보정의 3개 중 적어도 하나를 실행 가능하게 하는 입력 수단을 포함하는 GUI 화면을 표시하는 것인 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  5. 하전 입자원과, 시료 스테이지와, 상기 하전 입자원으로부터 방출되는 1차 하전 입자선을 수속해서 광축 상에 크로스오버를 형성하는 복수의 렌즈와, 상기 1차 하전 입자를 수속해서 상기 시료 스테이지에 적재되는 시료에 조사하는 대물 렌즈와, 상기 대물 렌즈와 상기 크로스오버의 사이에 배치되고, 상기 1차 하전 입자선을 틸트시키는 편향기를 갖는 하전 입자선 장치로서,
    상기 대물 렌즈와 상기 편향기의 사이에 시야 보정용 얼라이너가 더 구비되고,
    상기 시야 보정용 얼라이너는, 상기 편향기에 의해 상기 1차 하전 입자선을 틸트함으로써 상기 크로스오버와는 상이한 위치에 형성되는 가상적인 크로스오버의 상기 광축으로부터의 위치 어긋남이 상기 광축과 일치하도록 상기 1차 하전 입자선의 틸트 각도를 보정하는 것인 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 일치는 ±200㎛ 이내의 범위를 허용하는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 틸트 각도의 보정 각도는, 상기 편향기에 의해 틸트되는 상기 1차 하전 입자선의 틸트 각도와, 상기 편향기와 상기 시야 보정용 얼라이너 사이의 거리와, 상기 시야 보정용 얼라이너와 상기 대물 렌즈 사이의 거리와, 상기 복수의 렌즈에 의해 형성되는 상기 1차 하전 입자선의 크로스오버와 상기 대물 렌즈 사이의 거리를 사용해서 결정되는 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 1차 하전 입자선은, 상기 편향기에 의해 상기 광축을 대칭축으로 하여 좌우로 틸트해서 2개의 1차 하전 입자선으로 되고, 상기 시료의 좌우의 스테레오 페어 화상 취득용으로서 사용되는 것인 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  9. 하전 입자원과, 시료 스테이지와, 상기 스테이지를 경사지게 하는 경사 기구와, 상기 하전 입자원으로부터 방출되는 1차 하전 입자선을 수속해서 광축 상에 크로스오버를 형성하는 복수의 렌즈와, 상기 1차 하전 입자선을 상기 시료 스테이지에 적재되는 시료 상에서 주사하는 주사 코일과, 상기 1차 하전 입자를 수속해서 상기 시료에 조사하는 대물 렌즈와, 상기 대물 렌즈와 상기 크로스오버의 사이에 배치되고, 상기 1차 하전 입자선을 틸트시키는 편향기와, 이들을 제어하는 제어 CPU와, 상기 제어 CPU에 접속된 화상 표시 장치를 갖는 하전 입자선 장치로서,
    상기 대물 렌즈와 상기 편향기의 사이에 시야 보정용 얼라이너가 더 구비되고,
    상기 경사 기구를 사용해서 경사지게 한 상기 시료 스테이지에 적재되는 상기 시료의 표면에 상기 1차 하전 입자선을 조사해서 틸트상을 관찰할 때,
    상기 제어 CPU는,
    상기 주사 코일이, 기울어진 상기 시료 스테이지의 경사 방향으로 상기 1차 하전 입자선을 주사하도록, 또한
    상기 대물 렌즈가, 주사되는 상기 1차 하전 입자선이 상기 시료의 표면에 있어서 초점을 연결하도록, 또한
    상기 시야 보정용 얼라이너가, 상기 편향기에 의해 상기 1차 하전 입자선을 틸트하는 것 및 상기 대물 렌즈에 의해 상기 1차 하전 입자선의 초점 위치를 변경함으로써 상기 크로스오버와는 상이한 위치에 형성되는 가상적인 크로스오버의 상기 광축으로부터의 위치 어긋남을 상기 광축과 일치시켜 상기 1차 하전 입자선의 틸트 각도를 보정하도록 제어하는 것인 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어 CPU는, 또한
    상기 경사 전과 동등한 주사 범위에서 주사를 행하도록 상기 주사 코일을 제어하는 것인 것을 특징으로 하는, 하전 입자선 장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5331780B2 (ja) * 2010-11-30 2013-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡，電子顕微鏡用画像再構成システム、および電子顕微鏡用画像再構成方法
JP5698157B2 (ja) 2012-01-06 2015-04-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置および傾斜観察画像表示方法
JP6022344B2 (ja) * 2012-12-21 2016-11-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 演算装置及び荷電粒子線応用装置
JP6165643B2 (ja) * 2014-01-23 2017-07-19 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置の制御方法及び断面加工観察装置
US10593514B2 (en) * 2015-06-08 2020-03-17 Nikon Corporation Charged particle beam irradiation apparatus and device manufacturing method
WO2017130363A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびその光軸調整方法
JP6743787B2 (ja) * 2017-09-13 2020-08-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及びブランキング回路の故障診断方法
JP6930431B2 (ja) * 2018-01-10 2021-09-01 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP7047523B2 (ja) * 2018-03-26 2022-04-05 株式会社島津製作所 荷電粒子ビーム軸合わせ装置、荷電粒子ビーム照射装置および荷電粒子ビーム軸合わせ方法
US10504684B1 (en) * 2018-07-12 2019-12-10 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High performance inspection scanning electron microscope device and method of operating the same
CN115497793B (zh) * 2022-10-20 2023-08-22 国仪量子(合肥)技术有限公司 扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7012671A (ko) 1970-08-27 1972-02-29
JPS60200450A (ja) 1984-03-26 1985-10-09 Hitachi Ltd 走査形電子顕微鏡
US5338839A (en) 1988-04-12 1994-08-16 Massachusetts Institute Of Technology DNA encoding nestin protein
JPH0233843A (ja) 1988-07-25 1990-02-05 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2509075Y2 (ja) * 1988-09-26 1996-08-28 北川工業株式会社 雑音電流吸収具
US5338939A (en) * 1992-01-13 1994-08-16 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure including a heat blocking partition positioned near deflecting coils
JPH05258700A (ja) * 1992-03-13 1993-10-08 Jeol Ltd 走査像観察方法および走査電子顕微鏡
US5414261A (en) * 1993-07-01 1995-05-09 The Regents Of The University Of California Enhanced imaging mode for transmission electron microscopy
JP3654022B2 (ja) 1998-12-25 2005-06-02 株式会社日立製作所 荷電粒子線装置
JP2001273861A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Toshiba Corp 荷電ビーム装置およびパターン傾斜観察方法
JP2002343293A (ja) 2001-05-17 2002-11-29 Hitachi Ltd 走査形電子顕微鏡装置
JP2003100246A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Toshiba Corp 荷電ビーム装置並びにパターン測定方法およびパターン描画方法
JP3968334B2 (ja) * 2002-09-11 2007-08-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
JP4094042B2 (ja) * 2002-09-11 2008-06-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
US7067808B2 (en) * 2003-10-14 2006-06-27 Topcon Corporation Electron beam system and electron beam measuring and observing method
JP4229799B2 (ja) * 2003-10-14 2009-02-25 株式会社トプコン 電子線測定または観察装置、電子線測定または観察方法
JP4383950B2 (ja) * 2004-04-23 2009-12-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
US7075093B2 (en) * 2004-05-12 2006-07-11 Gorski Richard M Parallel multi-electron beam lithography for IC fabrication with precise X-Y translation
JP4620981B2 (ja) * 2004-08-10 2011-01-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置
JP4857101B2 (ja) * 2006-12-21 2012-01-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プローブ評価方法
CZ2007510A3 (cs) 2007-07-30 2008-01-30 Tescan, S. R. O. Zarízení pro prostorové zobrazování vzorku v reálném case
JP5028297B2 (ja) * 2008-02-22 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 収差補正器を備えた荷電粒子線装置
JP2009205904A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Hitachi High-Technologies Corp 冷陰極型電界放出電子銃及びそれを用いた電子線装置
JP5183318B2 (ja) * 2008-06-26 2013-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP4431624B2 (ja) 2008-08-25 2010-03-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
JP2010016007A (ja) 2009-10-22 2010-01-21 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置
DE102009052392A1 (de) * 2009-11-09 2011-12-15 Carl Zeiss Nts Gmbh SACP-Verfahren und teilchenoptisches System zur Ausführung eines solchen Verfahrens

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