CN115497793B - 扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质 - Google Patents

扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质。扫描电镜包括电子源、物镜和偏转模组。控制方法包括根据电子束的偏转角度，确定目标焦距；根据目标焦距，调整物镜的焦距至目标焦距。上述控制方法能够根据电子束的偏转角度，确定目标焦距并根据目标焦距调整物镜的焦距，使得物镜的焦点一直位于样品上，避免由于焦点与样品之间具有偏差导致图像分辨率不高的问题。

Description

扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质
技术领域
本申请涉及扫描电镜技术领域，特别涉及一种扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质。
背景技术
扫描电镜的主要功能是观察样品表面微观形貌和分析样品元素或结构。扫描电镜需要通过物镜将发散的电子束聚焦并通过偏转模组将电子束偏转，使得焦点落在样品上并在样品上扫描。然而，随着电子束在样品上扫描面积的增大，物镜的焦点与样品产生偏差，使得图像分辨率不高。
发明内容
本申请实施方式提供了一种扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质。
本申请实施方式的扫描电镜包括电子源、物镜和偏转模组，所述电子源用于发出电子束，所述偏转模组用于偏转所述电子束，所述物镜用于汇聚所述电子束。所述控制方法包括：根据所述电子束的偏转角度，确定目标焦距；根据所述目标焦距，调整所述物镜的焦距至所述目标焦距。
在某些实施方式中，所述物镜包括电透镜，所述根据所述目标焦距，调整所述物镜的焦距至所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述电透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距。
在某些实施方式中，所述根据所述目标焦距，调整所述电透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述电透镜的电压以调整所述电透镜的焦距。
在某些实施方式中，所述扫描电镜包括样品台，所述根据所述目标焦距，调整所述电透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述样品台的电压以调整所述电透镜的焦距。
在某些实施方式中，所述电透镜包括多个电极瓣，所述多个电极瓣具有偏转电压，所述偏转电压用于偏转所述电子束，所述扫描电镜的控制方法还包括：
控制所述偏转模组和所述偏转电压，以控制所述电子束的偏转角度。
在某些实施方式中，所述物镜包括磁透镜，所述根据所述目标焦距，调整所述物镜的焦距至所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述磁透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距。
在某些实施方式中，所述根据所述目标焦距，调整所述磁透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述磁透镜的线圈电流以调整所述磁透镜的焦距。
本申请实施方式的扫描电镜包括电子源、物镜、偏转模组和控制器，所述电子源用于发出电子束，所述偏转模组用于偏转所述电子束，所述物镜用于汇聚所述电子束，所述控制器用于上述实施方式中任一项所述的扫描电镜的控制方法的步骤。
本申请实施方式的扫描电镜的控制装置包括处理器和存储器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行的情况下，实现上述实施方式中任一项所述的扫描电镜的控制方法的步骤。
本申请实施方式的一种包含计算机程序的非易失性计算机可读存储介质，在所述计算机程序被一个或多个处理器执行的情况下，实现上述任一实施方式所述的扫描电镜的控制方法的步骤。
本申请实施方式的扫描电镜及其控制方法、控制装置和存储介质能够根据电子束的偏转角度，确定目标焦距并根据目标焦距调整物镜的焦距，使得物镜的焦点一直位于样品上，避免由于焦点与样品之间具有偏差导致图像分辨率不高的问题。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本申请实施方式的扫描电镜的控制方法的流程示意图；
图2是本申请实施方式的扫描电镜的结构示意图；
图3是相关技术中扫描电镜的结构示意图；
图4是扫描电镜在样品上的束斑的示意图；
图5是本申请实施方式的电透镜的结构示意图；
图6是本申请实施方式的扫描电镜的控制装置的示意图。
附图标记：
扫描电镜100；
电子源10、电子束15、偏转模组20、上偏转器21、下偏转器22、物镜30、电透镜31、电极瓣311、磁透镜32、样品台40；
扫描电镜的控制装置500；
处理器510、存储器520。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的实施方式在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的实施方式的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的实施方式的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请的实施方式中的具体含义。
请参阅图1和图2，本申请实施方式的扫描电镜100的控制方法，包括：
步骤102，根据电子束15的偏转角度，确定目标焦距；
步骤104，根据目标焦距，调整物镜30的焦距至目标焦距。
本申请实施方式的扫描电镜100的控制方法，能够根据电子束15的偏转角度，确定目标焦距并根据目标焦距调整物镜30的焦距，使得物镜30的焦点一直位于样品上，避免由于焦点与样品之间具有偏差导致图像分辨率不高的问题。
具体的，本申请实施方式的扫描电镜100可以包括但不限于控制器、电子源10、物镜30、偏转模组20和样品台40。
控制器用于控制实现扫描电镜100的控制方法，其可以与物镜30、偏转模组20、样品台40等电连接或通信连接，本申请不做具体限制。
电子源10用于发出电子束15。电子源10可以包括但不限于热发射电子源10、场发射电子源10等，本申请不做具体限制。
偏转模组20用于偏转电子束15。偏转模组20可以包括但不限于静电偏转器、磁偏转器等。在某个实施方式中，偏转模组20可以包括上偏转器21和下偏转器22，上偏转器21和下偏转器22的磁场或电场一同周期性变化，以偏转电子束15，使得电子束15在样品表面巡回扫描，从而产生相应的信号以在屏幕上成像。
物镜30用于汇聚电子束15。可以理解的，电子束15在样品上的束斑越小，则成像后的图像分辨率越高，在物镜30的焦点位于样品上时，电子束15在样品上的束斑越小，在物镜30的焦点与样品之间有误差时，则电子束15在样品上的束斑变大，会使图像分辨率不高。
具体的，请参阅图3，图3所示为相关技术中，物镜的焦距不跟随电子束的偏转角度改变的实施方式。在图3中，在电子束处于图中实线部分所示的状态时，由于物镜的焦点位于样品上，即此时电子束在样品上的束斑较小，然而，电子束在焦距不变的物镜上的聚焦面为近似球面的形状，在电子束扫描样品边缘时，样品与电子束聚焦面间隔，从而导致电子束在样品上的束斑变大、产生场曲像差，使得图像分辨率不高。即在图3中，当电子束处于图中虚线部分所示的状态下，样品不位于电子束聚焦面上，使得扫描电镜的图像分辨率不高。
请参阅图2，本申请实施方式的扫描电镜100的控制方法，能够随着电子束15的偏转角度，调整物镜30的焦距，即电子束15处于实线部分所示的状态时，物镜30的焦点位于样品上，在电子束15处于虚线部分所示的状态时，物镜30的焦点也位于样品上，从而避免电子束15在样品上的束斑变大，使得图像分辨率较高。具体的，可参阅图4，图4中左侧所示为相关技术中，电子束15在样品上的束斑的分布情况，图4中右侧所示为本申请某个实施方式中，电子束15在样品上的束斑的分布情况，图中标尺用于展示100um*100um的扫描面积下，电子束斑在不同位置的大小。
值得说明的是，电子束15在样品上的束斑可用于表示电子束15打在样品上所呈现的形状。
电子束15的偏转角度可以通过偏转模组20改变，也可以通过其他偏转装置改变，本申请不做具体限制。值得说明的是，电子束15的偏转角度与目标焦距的对应关系，可以通过实验、计算等方式获得。具体的，电子束15的偏转角度与目标焦距的对应关系可以与物镜30与样品之间的距离、偏转模组20与物镜30之间的距离等因素有关，即不同类型不同安装方式的扫描电镜100，电子束15的偏转角度与目标焦距的对应关系的系数可能不同，可以对不同的扫描电镜100通过实验、计算等方式获得对应的电子束15的偏转角度与目标焦距的关系，本申请不做具体赘述。可以理解的，在某些实施方式中，电子束15的偏转角度与物镜30的中轴的夹角越大，目标焦距也应越大，电子束15的偏转角度与物镜30的中轴的夹角为零时，目标焦距可以最小。
在某些实施方式中，物镜30包括电透镜31，步骤104包括：
根据目标焦距，调整电透镜31的焦距以使物镜30的焦距达到目标焦距。
如此，能够通过调节电透镜31的焦距，实现物镜30的焦距的调节。
具体的，电透镜31的焦距与施加在电透镜31上的电压、电透镜31的形状、电透镜31周围的点位等因素有关，可以通过调节影响电透镜31的焦距的因素，调节电透镜31的焦距。
下面对调整电透镜31的焦距的方式进行具体举例。
在某个实施方式中，根据目标焦距，调整电透镜31的焦距以使物镜30的焦距达到目标焦距，包括：
根据目标焦距，调整电透镜31的电压以调整电透镜31的焦距。
如此，能够实现调整电透镜31的焦距。
具体的，在某个实施方式中，电子束15的偏转角度仅由偏转模组20调整，此时，调整电透镜31的电压以调整电透镜31的焦距，可以视为通过在电透镜31施加与偏转模组20同频率的电位浮动，以使得物镜30的焦距与电子束15的偏转角度相适应，使得电子束15都能聚焦在样品上，降低场曲带来的像差。在另一个实施方式中，电子束15的偏转角度由偏转模组20和电透镜31调整，此时调整电透镜31的电压以调整电透镜31的焦距，可以视为通过在电透镜31施加与偏转模组20和电透镜31同频率的电位浮动，以使得物镜30的焦距与电子束15的偏转角度相适应。
在另一个实施方式中，扫描电镜100包括样品台40，根据目标焦距，调整电透镜31的焦距以使物镜30的焦距达到目标焦距，包括：
根据目标焦距，调整样品台40的电压以调整电透镜31的焦距。
如此，能够根据调整样品台40的电压，实现电透镜31的焦距的调整。
进一步的，电透镜31包括多个电极瓣311，多个电极瓣311具有偏转电压，偏转电压用于偏转电子束15，扫描电镜100的控制方法还包括：
控制偏转模组20和偏转电压，以控制电子束15的偏转角度。
如此，电透镜31不仅具有聚焦电子束15的作用，电透镜31还具有偏转电子束15的作用，此外，电透镜31随电子束15的偏转角度调整焦距，使得电透镜31还具有消除场曲的作用。
具体的，电透镜31可以包括4个电极瓣311、8个电极瓣311、12个电极瓣311等，本申请不做具体限制。各电极瓣311上施加偏转电压，以偏转电子束15。值得说明的是，各电极瓣311上施加的偏转电压根据电子束15所需的偏转角度调整，具体的电子束15的偏转角度与各电极瓣311上施加的偏转电压的对应关系，可以通过计算、实验等方式获得，本申请不做具体赘述了。
为方便理解，下面进行举例说明，请参阅图5，在某个实施方式中，电透镜31包括八个电极瓣311，各个电极瓣311上施加的偏转电压如图所示，如此，电透镜31实现偏转功能。值得说明的是，图5所示的偏转电压对应某一偏转角度，不同的偏转角度对应不同的偏转电压。电透镜31具有偏转功能和聚焦功能。另外，图5中所示的电压为用于偏转功能的电压施加方式。电透镜31用于聚焦功能的施加方式是在每一个瓣上在叠加一个聚焦电压。电透镜31用于改变焦距的长短时，可以在聚焦电压的基础上在叠加一个浮动电压。可以理解的是，在本申请实施方式中电透镜31可以是4瓣的，可以是8瓣的，可以是12瓣的，还可以是20瓣，具体在此不作限定，图5只是给出8瓣的偏转电压的施加方法。
值得注意的是，电透镜31上施加的电压，不仅可以包括用于偏转电子束15的偏转电压，还可以包括用于聚焦的聚焦电压，还可以包括用于根据电子束15的偏转角度调整焦距的浮动电压，即偏转电压、聚焦电压和浮动电压可以叠加施加于电透镜31上，本申请不做具体限制。
值得说明的是，在某个实施方式中，偏转模组20包括上偏转器21和下偏转器22，调整上偏转器21、下偏转器22和施加了偏转电压的电透镜31的相对安装角度至预设角度，可以减小场曲、降低慧差、像散等多种像差，提高样品边缘处的图像分辨能力。具体的，上偏转器21、下偏转器22和电透镜31的预设角度，可以通过计算、实验等方式获得，本申请不做具体赘述。
在某些实施方式中，物镜30包括磁透镜32，步骤102包括：
根据目标焦距，调整磁透镜32的焦距以使物镜30的焦距达到目标焦距。
如此，能够通过调整磁透镜32的焦距，实现物镜30的焦距的调整。
具体的，物镜30可以包括磁透镜32，物镜30也可以包括电透镜31，物镜30还可以包括电透镜31和磁透镜32。在某些实施方式中，物镜30包括电透镜31和磁透镜32，可以通过调整电透镜31的焦距调整物镜30的焦距，也可以通过调整磁透镜32的焦距调整物镜30的焦距，还可以既调整电透镜31的焦距又调整磁透镜32的焦距实现调整物镜30的焦距，本申请不做具体限制。
进一步的，根据目标焦距，调整磁透镜32的焦距以使物镜30的焦距达到目标焦距，包括：
根据目标焦距，调整磁透镜32的线圈电流以调整磁透镜32的焦距。
如此，能够实现磁透镜32焦距的调整。
具体的，为方便叙述，下面将对电子束15起偏转作用的器件统称为偏转器件，具体的，在电子束15仅由偏转模组20偏转时，偏转器件包括偏转模组20；在电子束15由偏转模组20和电透镜31偏转时，偏转器件包括电透镜31和偏转模组20；在电子束15仅由电透镜31偏转时，偏转器件包括电透镜31。由于目标焦距与电子束15的偏转角度有关，因此目标焦距与调整电子束15的偏转角度的偏转器件的电位浮动相关，即在通过调整磁透镜32的线圈电流以调整物镜30的焦距至目标焦距的过程中，可以理解为磁透镜32的线圈电流与偏转器件同频率浮动。综上所述，施加到电透镜31的用于聚焦的电压可以随着偏转器件的电压同频浮动。
本申请实施方式的一种扫描电镜100的控制装置500，包括处理器510和存储器520。存储器520存储有计算机程序，计算机程序被处理器510执行的情况下，实现上述任一实施方式的扫描电镜100的控制方法的步骤。
本申请实施方式还提供一种包含计算机程序的非易失性计算机可读存储介质，在计算机程序被一个或多个处理器执行的情况下，实现上述任一项扫描电镜100的控制方法的步骤。
例如，程序被处理器执行的情况下，实现以下控制方法的步骤：
步骤102，根据电子束15的偏转角度，确定目标焦距；
步骤104，根据目标焦距，调整物镜30的焦距至目标焦距。
值得说明的是，上述有关于扫描电镜100的控制方法的有益效果，也适用于本申请的扫描电镜100、扫描电镜100的控制装置500以及计算机可读存储介质，本申请不做具体赘述。
非易失性计算机可读存储介质可设置在扫描电镜100，也可设置在服务器，扫描电镜100能够与服务器进行通讯来获取到相应的程序。
可以理解，计算机程序包括计算机程序代码。计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。计算机可读存储介质可以包括：能够携带计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、以及软件分发介质等。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理模块的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本申请的实施方式的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器520中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
此外，在本申请的各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型。

Claims (8)

1.一种扫描电镜的控制方法，其特征在于，所述扫描电镜包括电子源、物镜和偏转模组，所述电子源用于发出电子束，所述偏转模组用于偏转所述电子束，所述物镜用于汇聚所述电子束，所述控制方法包括：
根据所述电子束的偏转角度，确定目标焦距；
根据所述目标焦距，调整所述物镜的焦距至所述目标焦距；
所述物镜包括电透镜，所述根据所述目标焦距，调整所述物镜的焦距至所述目标焦距，包括：根据所述目标焦距，调整所述电透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距；
所述电透镜包括多个电极瓣，所述多个电极瓣具有偏转电压，所述偏转电压用于偏转所述电子束，所述扫描电镜的控制方法还包括：控制所述偏转模组和所述偏转电压，以控制所述电子束的偏转角度。
2.根据权利要求1所述的扫描电镜的控制方法，其特征在于，所述根据所述目标焦距，调整所述电透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述电透镜的电压以调整所述电透镜的焦距。
3.根据权利要求1所述的扫描电镜的控制方法，其特征在于，所述扫描电镜包括样品台，所述根据所述目标焦距，调整所述电透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述样品台的电压以调整所述电透镜的焦距。
4.根据权利要求1所述的扫描电镜的控制方法，其特征在于，所述物镜包括磁透镜，所述根据所述目标焦距，调整所述物镜的焦距至所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述磁透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距。
5.根据权利要求4所述的扫描电镜的控制方法，其特征在于，所述根据所述目标焦距，调整所述磁透镜的焦距以使所述物镜的焦距达到所述目标焦距，包括：
根据所述目标焦距，调整所述磁透镜的线圈电流以调整所述磁透镜的焦距。
6.一种扫描电镜，其特征在于，所述扫描电镜包括电子源、物镜、偏转模组和控制器，所述电子源用于发出电子束，所述偏转模组用于偏转所述电子束，所述物镜用于汇聚所述电子束，所述控制器用于实现权利要求1至5任一项所述的扫描电镜的控制方法的步骤。
7.一种扫描电镜的控制装置，其特征在于，所述扫描电镜的控制装置包括处理器和存储器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行的情况下，实现权利要求1至5任一项所述的扫描电镜的控制方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行的情况下，实现权利要求1至5任一项所述的扫描电镜的控制方法的步骤。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201140640A (en) * 2010-04-21 2011-11-16 Hermes Microvision Inc Dynamic focus adjustment with optical height detection apparatus in electron beam system
CN103348437A (zh) * 2011-01-25 2013-10-09 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
TW201342420A (zh) * 2012-02-20 2013-10-16 Integrated Circuit Testing 具有動態焦點的帶電粒子束裝置及其操作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201140640A (en) * 2010-04-21 2011-11-16 Hermes Microvision Inc Dynamic focus adjustment with optical height detection apparatus in electron beam system
CN103348437A (zh) * 2011-01-25 2013-10-09 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
TW201342420A (zh) * 2012-02-20 2013-10-16 Integrated Circuit Testing 具有動態焦點的帶電粒子束裝置及其操作方法

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