JP2012504309A - 荷電粒子ビームの位置合わせ - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、荷電粒子システム2000の一部の断面図を示す概略図であり、荷電粒子システム2000は、システム2000により生成される荷電粒子ビームをシステム2000の荷電粒子光学素子に対して位置合わせするように構成した場発生素子を含む。荷電粒子システム2000は、荷電粒子(例えば、希ガスイオン等のイオン、電子)のビーム2100を発生する先端部2010を含む。荷電粒子ビーム2100は、抽出器2020及び随意の抑制器又は電界分路(field-shunt)2030を通過する。荷電粒子光学系2040(例えば、荷電粒子コラム)に入る前に、粒子ビーム2100は、場発生素子2050及び2060を通過する。図1に示す実施形態では、場発生素子2050及び2060は、ビーム2100における荷電粒子を粒子光学系2040の中心軸線2045に対して位置合わせする(整列させる)ための電場(電界)を発生させる電極として実施する。さらに、図1に示す実施形態及び以下の説明では、抑制器2030は、先端部2010と荷電粒子光学系2040との間に位置決めする。しかしながら、概して、抑制器2030は、図1に示すように先端部2010の後または先端2010の前に位置決めすることができる。以下の説明は、抑制器2030の位置に関係なく抑制器2030に適用される。すなわち抑制器2030が先端部2010の前に位置決めされていようと後に位置決めされていようと、抑制器230は、複数の場発生セグメントで形成した場発生素子を含むことができる。
本開示による発明のこの部分は、イオンビームを生成し、関心対象の試料(例えば、様々な回路素子を含む半導体デバイス)をイオンビームに被曝させることにより試料から離脱する二次電子及び散乱イオンを含む粒子を検出するシステム及び方法に関する。このシステム及び方法を用いて、例えば、試料の1つ又は複数の画像を得ることができる。
概して、上述の方法のいずれも、コンピュータのハードウェア若しくはソフトウェア又は両方の組み合わせで実施及び/又は制御することができる。これら方法は、本明細書に記載の方法及び図に従って標準的なプログラミング技法を用いてコンピュータプログラムで実施することができる。プログラムコードを入力データに適用して、本明細書に記載の機能を実施すると共に出力情報を生成する。出力情報は、ディスプレイモニタ等の1つ又は複数の出力装置に適用される。各プログラムを高レベルの手続き言語又はオブジェクト指向プログラミング言語で実施して、コンピュータシステムと通信することができる。しかしながら、プログラムは、所望であればアセンブリ言語又は機械語で実施することもできる。いずれの場合も、言語はコンパイル言語又はインタープリタ言語であり得る。さらに、プログラムは、その目的でプログラムされた専用集積回路で実行することができる。
Claims (21)
- 荷電粒子源と、
複数の電極を含む荷電粒子光学コラムであって、該荷電粒子光学コラムの第1電極は、円筒形でありかつ前記荷電粒子源に最も近接して位置決めし、また複数のセグメントを有する構成とした、該荷電粒子光学コラムと、及び
前記荷電粒子源と前記荷電粒子光学コラムとの間に位置決めした第2電極であって、円筒形であり複数のセグメントを有する構成とした、該第2電極と
を備え、
異なる電位を前記セグメントの少なくとも若干に印加する、
システム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、さらに、前記荷電粒子光学コラムにおける前記第1電極に隣接して位置決めした第3電極であって、円筒形でありかつ複数のセグメント有する構成とした、該第3電極を備えた、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第1電極及び第2電極のそれぞれにおける前記セグメントの全部に異なる電位を印加する、システム。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記第1電極及び前記第2電極のそれぞれにおける前記セグメントに異なる電位を印加する、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、動作中、前記荷電粒子源は、第1の方向に沿って伝播する荷電粒子を生成するよう構成し、前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1の方向とは異なる第2の方向に沿って伝播するよう前記荷電粒子を指向させるように構成する、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、さらに、荷電粒子検出器及び電子プロセッサを備え、動作中、該電子プロセッサは、前記荷電粒子検出器を前記荷電粒子源により生成される荷電粒子を測定するよう指向させ、また測定した粒子に基づいて前記第1電極及び前記第2電極における前記セグメントの少なくとも若干に印加する電位を調整するよう構成した、システム。
- 請求項6に記載のシステムにおいて、前記電子プロセッサは、前記検出器により測定した荷電粒子電流を増大させるよう前記電位を調整するよう構成した、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第1電極における前記複数のセグメントのそれぞれは、放射状セグメントとした、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第1電極における前記複数のセグメントのそれぞれは、共通の形状を有する、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第1電極は、それぞれが共通の形状を有する放射状セグメントを含み、前記第2電極は、それぞれが共通の形状を有する放射状セグメントを含む、システム。
- 請求項10に記載のシステムにおいて、前記第1電極の前記放射状セグメントは、前記第2電極の前記放射状セグメントの形状とは異なる形状にした、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第1電極は4個のセグメントを含む、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第1電極は少なくとも8個のセグメントを含む、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第2電極は4個のセグメントを含む、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記第2電極は少なくとも8個のセグメントを含む、システム。
- 荷電粒子源と、
複数の荷電粒子光学素子を含む荷電粒子光学コラムであって、該荷電粒子光学コラムの第1素子は第1荷電粒子検出器を有し、前記第1素子は、前記荷電粒子源に最も近接して位置決めし、かつ複数の場発生セグメントを有する構成とした、該荷電粒子光学コラムと、
を備え、及び
前記荷電粒子源と前記荷電粒子光学コラムとの間に位置決めした第2荷電粒子ディフレクタであって、複数の場発生セグメントを含む、該第2荷電粒子ディフレクタと
を備えた、システム。 - ビーム経路を有する荷電粒子ビームを発生させるように構成した荷電粒子源と、
第1可変場を発生するよう構成した第1分割素子と、
第2可変場を発生するよう構成した第2分割素子を有する荷電粒子光学系と、
を備え、
前記第1分割素子を、前記ビーム経路に沿って前記荷電粒子源と前記荷電粒子光学系との間に配置した、システム。 - ビーム経路を有する荷電粒子ビームを発生させるよう構成した荷電粒子源と、
第1ビーム偏向手段と、及び
第2ビーム偏向手段を有する荷電粒子光学系と、
を備え、
前記第1ビーム偏向手段は、前記ビーム経路に沿って前記荷電粒子源と前記荷電粒子光学系との間に配置した、システム。 - イオンビームを発生させるよう構成したガス電界イオン源と、及び
軸線を有し、前記イオンビームを試料に指向させるよう構成したイオン光学系と、
を備え、
使用中に、前記ガス電界イオン源が前記イオン光学系の前記軸線に対して直線移動できないよう構成した、システム。 - イオンビームを発生させるよう構成したガス電界イオン源と、
軸線を有し、前記イオンビームを試料に指向させるよう構成したイオン光学系と、
を備え、
使用中、前記ガス電界イオン源が前記イオン光学系の前記軸線に対して直線移動できないよう構成した、システム。 - 荷電粒子源と、
複数の電極を含む荷電粒子光学コラムであって、第1電極は、前記荷電粒子源に最も近接して位置決めし、かつ複数のセグメントを有する構成とした、該荷電粒子光学コラムと、
荷電粒子検出器と、及び
電子プロセッサと
を備え、
動作中、前記電子プロセッサは、前記荷電粒子検出器を前記荷電粒子源により生成される荷電粒子を測定するよう指向させ、また測定した粒子に基づいて前記第1電極における前記セグメントのそれぞれに印加する電位を調整し、これにより、前記第1電極における前記セグメントのそれぞれに印加する電位が、前記第1電極における他の前記セグメントそれぞれに印加する電位とは独立して印加されるよう構成した、システム。
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