JP4094042B2 - 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 - Google Patents
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Description
図1の構成を有する走査電子顕微鏡により、ビーム傾斜時に発生する軸外色収差を補正するための実施例について、その主要部分を抜粋した図4を用いて以下に詳細に説明する。
偏向コイル52(以下、この偏向コイル52を収差制御コイルという)により、集束レンズ6の物点が偏向支点となるように一次ビーム4を偏向すると、ビーム傾斜時と同じ性質の収差を集束レンズ6で発生させることができる。集束レンズ6の像点(クロスオーバ点)でのビームエネルギーをV1とすると、式(2)に対応するエネルギー幅のパラメータは、次式(13)となる。
Cc1:集束レンズ6の軸上色収差係数
これより、対物レンズ7が作る軸外色収差をキャンセルするための集束レンズ6のビーム傾斜条件(kの条件)は、式(17) より、式(18) となる。
ビーム傾斜時に軸外色収差とコマ収差が同程度に影響する場合、あるいは、ビーム傾斜角度が例えば5°以上と大きい場合には、軸外色収差とコマ収差とを同時に補正する必要がある。
軸外色収差とコマ収差とを同時に補正するには、式(18)と式(20)が同じkの値になることが必要である。この条件を満たすには、対物レンズの光学倍率(横倍率)を含む条件の設定が必要となる。この条件は、電子光学理論で周知の関係式(21) を用いて、式(22) で与えられる。
本実施例では、さらに、ビーム傾斜に連動して非点収差補正コイルと対物レンズ電流を制御する。ビーム傾斜で発生する非点収差は、式(9)から明らかなように、ビーム傾斜角(w't)の2乗に比例して増大する。ビーム傾斜角(w't)は、ビーム傾斜角制御コイル51の電流に比例するため、本実施例では、ビーム傾斜角制御コイル51の電流に対して予め定めた複数の条件に対して、図9に示すように非点収差が補正される非点収差補正コイル53の動作条件を記憶装置41に登録するなどしてプリセットしておく。ビーム傾斜によって発生する非点収差は、ビーム傾斜角が0(ビーム傾斜角制御コイル51の電流が0)のときの非点補正量(Isx0, Isy0)と任意のビーム傾斜角での非点補正量の差で与えられる。よって、ビーム傾斜角制御コイル51の電流(Ix, Iy)が(0, 0)の条件と、予め定めた電流(Ix0, Iy0)の条件における非点収差補正電流を(Isx0, Isy0)at (Ix, Iy)=(0, 0), (Isx1, Isy1) at (Ix, Iy)=(Ix0, 0), (Isx2, Isy2) at (Ix, Iy)=(0, Iy0), (Isx3, Isy3) at (Ix, Iy)=(Ix0, Iy0)として記憶装置41にプリセットしておき、コンピュータ40は、これらのプリセット値から任意のビーム傾斜角制御コイル51の電流(Ix, Iy)に対する非点収差補正コイル53の電流(Isx, Isy)を、次のように連動して制御する。
図7に、集束レンズ6を2個のレンズで構成した実施例を示す。ビーム傾斜により対物レンズで発生したコマ収差をキャンセルする収差を、対物レンズより電子源側の集束レンズで発生させるには、集束レンズの球面収差を大きくする必要がある。何となれば、式(23)で示される通り、集束レンズの球面収差が最終フォーカス点に与える寄与(収差の補正量)が対物レンズの光学倍率(M<1)の3乗に比例して小さくなるためである。そのため、ビーム傾斜時には大きな球面収差が得られるように、磁極孔径とギャップの小さい集束レンズが望ましい。一方で、球面収差が大きいレンズは、高分解能観察に対してはデメリットをもたらす。本実施例では、高分解能に特化した用途とビーム傾斜機能とを両立させるために、球面収差などの幾何収差が小さいレンズ61と逆に幾何収差の大きなレンズ62をペアにしている。
図10は、集束レンズ6と絞り8との間に偏向器を一個配置したときの軌道制御の例を示す図である。この例では、絞り8と集束レンズ5の間に配置した2段の偏向器からなる収差制御コイル52によって、一次電子線4が絞り8の孔中心で傾斜して通過する条件を作り、絞り8と集束レンズ6の間に配置した偏向器521で、集束レンズ6から見た一次電子線4の偏向支点が、集束レンズ5の集束点Aになるように軌道を制御する。また、集束レンズ6の集束点Bはビーム傾斜角制御コイル51の偏向支点に一致しており、ビーム傾斜角制御コイル51と対物レンズ7の動作で一次電子線4を傾斜させる。
図11は、集束レンズ6と絞り8の間に偏向器が配置できないときの軌道制御の例を示す図である。この例では、集束レンズ5と電子源の間に配置した2段の偏向器からなる収差制御コイル52によって、一次電子線4の偏向支点が見かけ上、電子源位置と一致するように一次電子線4の軌道を制御する。このとき、集束レンズ5で発生した収差は、集束レンズ6でその向きが反転するため、対物レンズ7で発生する収差をキャンセルするためには、集束レンズ5を通過するときの一次電子線4の軌道のずれ方向が図10の場合と逆向き(収差の向きが逆向き)になる。また、集束レンズ5の集束点Aの位置は偏向器521の位置(偏向支点)と一致しており、集束点Aを偏向支点として一次電子線4の軌道を再び光軸と一致させている。
図12は、絞り8を集束レンズ6と対物レンズ7との間に配置したときの軌道制御の例を示す図である。この例では、集束レンズ6で対物レンズ7の収差を補正することが困難なため、図11と同様に集束レンズ5によって、一次電子線4を傾斜したときに発生する対物レンズの収差を補正するのに必要な収差を発生させる。
図13は、2段のレンズ系を用いて、レンズ間で一旦ビームを集束させて使用する光学系において、収差を補正してビームを傾斜するときの軌道制御の例を示す図である。図13の例では、絞り8を集束レンズ5と電子源の間に配置し、絞り8と集束レンズ5の間に配置された2段の偏向器からなる収差制御コイル52により、見かけ上、電子源位置が偏向支点となるようにビームを偏向する。また、集束レンズ5によるビーム集束点には、ビーム傾斜角制御コイル51が配置され、このビーム傾斜角制御コイル51により試料10上でのビーム傾斜角を制御する。
図14は、2段のレンズ系を用い、レンズ間の途中でビームを集束させないで使用する光学系において、収差を補正してビームを傾斜するときの軌道制御の例を示す図である。レンズ間の途中でビームが集束しない場合には、集束レンズ5で発生した収差の方向が途中で反転しないため、集束レンズ5の収差と対物レンズ7の収差をキャンセルするために、ビーム傾斜角制御コイル51で偏向する方向と収差制御コイル52の偏向方向とが逆向きになる。
図15は、図14の光学系(途中でクロスオーバを作らない)に対して、絞り8の位置を集束レンズ5と対物レンズ7の途中に配置した実施例を示す図である。この例では、一次電子線4が絞り8の孔中心を通過するように、絞り8の前後にビーム傾斜角制御コイル51を配置し、偏向された軌道が絞り8の中心を通るようにビーム傾斜角制御コイル51を動作させる。
図16は、試料10に負の電圧(Vr)を印加した状態で、一次電子線4を対物レンズ7で傾斜したときの軌道制御の例を示す図である。試料10に負電圧(Vr)を印加すると、一次電子線4は試料10の直前で急激に減速するため、負電圧を印加しない場合に比べて試料上でのビーム傾斜角を大きくすることができる。
図17は、薄膜の試料10に対物レンズ7で傾斜させた一次電子線4を照射して、試料10を透過した電子121を検出する実施例を示す図である。結晶構造を有する薄膜試料の走査透過像(STEM像)を取得する場合、しばしば、一次電子線の照射方位を試料の結晶方位と対応させることが必要となる。試料の結晶方位は薄膜切片を切り出すときのばらつきで異なるため、結晶方位は任意の方向に数度から10度程度のずれを生じる。そのため、試料を機械的に傾斜させて方位合わせを行う方法に比較して、本実施例のように、分解能の低下を抑えて一次電子線を任意に傾斜させることにより、結晶と電子線の方位合わせ操作が極めて簡単になる。薄膜試料10より下方には、透過電子121を透過電子検出器131に対してアライメントするための偏向器54が配置され、この偏向器54は、一次電子線4の傾斜角に連動して制御される。また、図17には図示していないが、薄膜試料10と透過電子検出器131の間に、透過電子の検出角を制限する手段(レンズや絞りなど)を配置することも可能である。
図18は、絞り8と対物レンズ7との間に2個の集束レンズ6a,6bを配置したときの軌道制御の例を示す図である。この例では、集束レンズ6aと6bの間に一次電子線4の集束点を設け、この集束点の位置に収差制御コイル52を配置して、集束レンズ6bで収差を発生させる。集束レンズ6bによる一次電子線の焦点位置には、ビーム傾斜角制御コイル51が配置され、対物レンズ7の軸外に一次電子線4を入射させてビームを光軸に対して傾斜する。収差制御コイル52は、対物レンズ7で発生した収差が集束レンズ6bの収差でキャンセルするように制御される。
図19乃至図25は荷電粒子線を集束するための複数のレンズ群に対して入射位置を制御する光軸制御手段として、絞り移動機構を採用した実施例を示している。特に図19は半導体ウェーハ上に形成されたパターン寸法計測や形状観察のための走査電子顕微鏡の全体構成である。ここでは図1の概略構成図と違っている部分について説明する。
Claims (4)
- 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出された荷電粒子線を加速する陽極と、当該陽極によって加速された荷電粒子線を集束して試料上で走査する荷電粒子光学系とを備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子光学系は、その軸外に荷電粒子線を通過させることによって前記荷電粒子線を軸外から傾斜して試料に照射する対物レンズと、前記陽極によって加速される荷電粒子線のうち、軸外の荷電粒子線を選択的に通過させる絞りとを備え、
前記荷電粒子線の傾斜角に応じて、前記対物レンズと他のレンズが発生するコマ収差がキャンセルされるように前記絞りの位置を制御する制御装置を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出された荷電粒子線を加速する陽極と、当該陽極によって加速された荷電粒子線を集束して試料上で走査する荷電粒子光学系とを備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子光学系は、その軸外に荷電粒子線を通過させることによって前記荷電粒子線を軸外から傾斜して試料に照射する対物レンズと、前記陽極によって加速される荷電粒子線のうち、軸外の荷電粒子線を選択的に通過させる絞りとを備え、
前記荷電粒子線の傾斜角に応じて、前記対物レンズと他のレンズが発生する軸外色収差がキャンセルされるように前記絞りの位置を制御する制御装置を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出された荷電粒子線を加速する陽極と、当該陽極によって加速された荷電粒子線を集束して試料上で走査する荷電粒子光学系とを備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子光学系は、その軸外に荷電粒子線を通過させることによって前記荷電粒子線を軸外から傾斜して試料に照射する対物レンズと、前記陽極によって加速される荷電粒子線のうち、軸外の荷電粒子線を選択的に通過させる絞りとを備え、
前記荷電粒子線の傾斜角に応じて、前記対物レンズと他のレンズが発生する軸外色収差及びコマ収差がキャンセルされるように前記絞りの位置を制御する制御装置を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源から放出され陽極によって加速された荷電粒子線を、対物レンズを含む荷電粒子光学系で集束して軸外から傾斜して試料に照射し、試料上で走査する荷電粒子線の照射方法において、
絞りによって前記荷電粒子源から放出され前記陽極によって加速された荷電粒子線の通過を制限し、前記荷電粒子線のうち軸外の荷電粒子線を選択的に通過させ、
前記荷電粒子光学系の前記対物レンズの軸外に前記荷電粒子線を通過させることによって、前記荷電粒子線を軸外から傾斜して試料に照射し、
前記荷電粒子線の傾斜角に応じて、前記対物レンズと他のレンズが発生する軸外色収差及び/又はコマ収差がキャンセルされるように前記絞りの位置を制御することを特徴とする荷電粒子線の照射方法。
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