KR20120115948A - 기판 처리 장치, 기판 처리 장치 제어 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 장치 제어 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20120115948A
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

대기 중인 기판 수용기 내의 기판에 대하여, 기판 표면에의 파티클의 부착 등의 문제를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와, 상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와, 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와, 기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와, 상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와, 상기 덮개 개폐부와 상기 기판 확인부와 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫도록 제어한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 장치 제어 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, PROGRAM FOR CONTROLLING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치, 기판 처리 장치 제어 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 예를 들면, 반도체 집적 회로(이하, IC라고 함)가 만들어 넣어지는 반도체 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼)에 성막 등의 처리를 행하는 것이며, 특히, 복수의 기판을 수용한 기판 수용기를 복수 구비하고, 예를 들면, 제1 기판 수용기 내의 기판을 1매씩 순서대로 처리실로 반송하여 처리하고, 제1 기판 수용기 내의 기판의 처리가 종료되면, 다음으로, 제2 기판 수용기 내의 기판을 1매씩 순서대로 처리실로 반송하여 처리하는 기판 처리 장치, 기판 처리 장치 제어 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
종래는, 복수의 기판 수용기를 기판 처리 장치의 로드 포트에 재치하고, 그 재치한 복수의 기판 수용기 중, 예를 들면, 제1 기판 수용기의 덮개를 열어 기판 수용기 내에 수용한 웨이퍼의 유무나 위치를 확인하고 매수를 카운트하는 웨이퍼 맵핑을 행한 후, 제1 기판 수용기 내의 기판을 1매씩 순서대로 처리실로 반송하여 처리한다. 또한, 제1 기판 수용기에 대하여 웨이퍼 맵핑을 행한 후, 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 제2 기판 수용기에 대하여 웨이퍼 맵핑을 행한다. 웨이퍼 맵핑을 종료한 제2 기판 수용기는 덮개를 연 상태로 대기하고, 제1 기판 수용기 내의 모든 기판의 처리가 종료된 후, 제2 기판 수용기 내의 기판의 처리가 개시된다. 하기의 특허 문헌 1에는, 로드 포트에 재치한 복수의 기판 수용기로부터, 순차적으로, 기판을 취출하여 처리실로 반송하여 처리를 행하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2010-98247호 공보
종래의 기판 처리 장치에서는, 복수의 기판 수용기, 예를 들면, 제1 기판 수용기의 덮개를 열어 웨이퍼 맵핑을 행한 후, 제1 기판 수용기 내의 기판 처리를 개시함과 함께, 제2 기판 수용기의 덮개를 열어 웨이퍼 맵핑을 행하고, 웨이퍼 맵핑 종료 후도, 제2 기판 수용기는 덮개를 연 상태로 대기하고 있다. 이 때문에, 대기 중에서 제2 기판 수용기 내의 웨이퍼가, 기판 처리 장치 내의 공기에 노출되어, 웨이퍼 표면에 파티클이 부착되는 등의 우려가 있다.
상술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에서는, 기판 수용기의 덮개를 열어 웨이퍼 맵핑 등의 처리를 행한 후, 대기 중인 기판 수용기의 덮개를 닫고, 기판 수용기 내의 기판의 처리 개시에 맞추어, 다시 기판 수용기의 덮개를 여는 것이다.
본 명세서에서 개시되는 기판 처리 장치에 관한 발명 중, 대표적인 것은 다음과 같다. 즉,
기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와,
상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와,
덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와,
기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와,
상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와,
상기 덮개 개폐부와 상기 기판 확인부와 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫도록 제어하는 기판 처리 장치.
상기한 바와 같이 기판 처리 장치를 구성하면, 어떤 기판 수용기 내의 기판이 처리되고 있는 동안에, 다음 기판 수용기가 반송되어 웨이퍼 맵핑 등의 처리 후, 덮개를 자동적으로 닫을 수 있기 때문에, 다음 기판 수용기 내의 기판에 부착되는 파티클이 저감된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를, 상면으로부터 본 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를, 측면으로부터 본 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 컨트롤러의 설명도.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 처리부를, 측면으로부터 본 단면도.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 수용기의 덮개 개폐 동작 플로우차트.
도 6은 소정의 전공정을 행한 경우에 도 5의 덮개 개폐 동작을 실행하는 구성예에서의 제어부의 동작 플로우차트.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)에 대하여, 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한다. 도 1은 기판 처리 장치(10)를 상면으로부터 본 도면이고, 도 2는 기판 처리 장치(10)를 측면으로부터 본 도면이다.
본 발명이 적용되는 기판 처리 장치(10)에서는, 웨이퍼 등의 기판을 반송하는 캐리어(기판 수용기)로서, FOUP(front opening unified pod. 이하, 포드라고 함)가 사용된다. 포드는, 예를 들면 웨이퍼를 25매 수용할 수 있고, 웨이퍼를 출납하는 개구부를 폐색하는 덮개를 구비한다. 이 덮개에 의해, 포드 안의 분위기를 포드 밖의 분위기와 분리하여, 포드 안의 웨이퍼가 포드 밖의 분위기에 의해 악영향을 받지 않도록 하는 것이다.
또한, 이하의 설명에서, 전후 좌우는 도 1을 기준으로 한다. 즉, 전방 방향이란, 제1 반송실(110)로부터 보아, 제2 반송실(120)의 방향이다. 후방 방향이란, 제2 반송실(120)로부터 보아, 제1 반송실(110)의 방향이다. 좌측 방향이란, 제1 반송실(110)로부터 보아, 처리부(150)의 방향이다. 우측 방향이란, 제1 반송실(110)로부터 보아, 처리부(153)의 방향이다.
도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 기판 처리 장치는, 제1 반송실(110)을 구비하고 있다. 제1 반송실(110)은, 진공 상태 등의 대기압 미만의 압력(부압)에 견딜 수 있는 구조이다. 제1 반송실(110)의 케이스(111)는, 평면에서 본 형태(상측으로부터 본 형태)가 오각형이며, 폐색된 상자 형상으로 형성되어 있다. 제1 반송실(110)에는, 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)가 설치되어 있다. 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)는, 부압 하에서, 2매의 웨이퍼(200)를 동시에 이동 탑재 가능하다. 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)는, 제1 반송실(110)의 기밀성을 유지한 상태에서, 엘리베이터(113)에 의해, 승강할 수 있도록 구성되어 있다.
제1 반송실(110)의 케이스(111)의 5매의 측벽 중, 앞쪽의 1매의 측벽에는, 로드 로크실(Load Lock Chamber)(131, 141)이, 각각, 게이트 밸브(134, 144)를 통하여 연결되어 있다. 로드 로크실(131, 141)은, 각각, 부압에 견딜 수 있는 구조이다. 로드 로크실(131)에는, 기판을 일시적으로 재치하는 기판 거치대(132, 133)가 설치되고, 로드 로크실(141)에는, 기판 거치대(142, 143)가 설치되어 있다.
로드 로크실(131) 및 로드 로크실(141)의 앞쪽에는, 대략 대기압 하에서 이용되는 제2 반송실(120)이, 게이트 밸브(130, 140)를 통하여 연결되어 있다. 제2 반송실(120)에는, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)가 설치되어 있다. 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 2매의 웨이퍼(200)를 동시에 이동 탑재 가능하다. 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 제2 반송실(120)에 설치된 엘리베이터(123)에 의해 승강됨과 함께, 리니어 액튜에이터(124)에 의해 좌우 방향으로 이동된다.
주로 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)와 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)로부터, 기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구가 구성된다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 제2 반송실(120) 내의 좌측 부분에는, 노치 정합 장치(107)가 설치되어 있다. 또한, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 제2 반송실(120)의 상부에는, 클린 에어를 공급하는 클린 유닛(106)이 설치되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 제2 반송실(120)의 케이스(121)에는, 웨이퍼(200)를 제2 반송실(120)에 대하여 반입 반출하기 위한 웨이퍼 반입/반출구(104)와, 웨이퍼 반입/반출구(104)를 폐색하기 위한 도어(105)와, 포드 오프너(103)가 설치되어 있다.
포드 오프너(103)는, I/O 스테이지(로드 포트)(100)에 재치된 포드(101)의 캡(덮개)을 개폐하는 캡 개폐 기구(102)를 구비하고 있다. 주로 I/O 스테이지(100)로부터, 기판 수용기를 복수 재치하는 재치대가 구성된다. 주로 캡 개폐 기구(102)로부터, 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부가 구성된다. 캡 개폐 기구(102)는, 포드(101)의 캡과 함께, 웨이퍼 반입/반출구(104)를 폐색하는 도어(105)를 개폐한다. I/O 스테이지(100)에 재치된 포드(101)의 캡, 및 도어(105)를 여는 것에 의해, 포드(101) 내의 웨이퍼(200)의 출납이 가능하게 된다. 또한, 포드(101)는, 도시하지 않은 공정 내 반송 장치(AGV : Automatic Guided Vehicle/OHT : Overhead Hoist Transfer)에 의해, I/O 스테이지(100)에 공급되고, 또한, I/O 스테이지(100)로부터 배출된다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 제1 반송실(110)의 케이스(111)의 5매의 측벽 중, 좌우 및 뒷쪽에 위치하는 4매의 측벽에는, 웨이퍼(200)에 원하는 처리를 행하는 제1 처리부(150), 제2 처리부(151), 제3 처리부(152), 제4 처리부(153)가, 각각, 게이트 밸브(160, 161, 162, 163)를 통하여 연결되어 있다.
참조 부호 108은, 기판 처리 장치를 제어하는 제어부(컨트롤러)이며, 캡 개폐 기구(102), 노치 정합 장치(107), 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112) 등, 기판 처리 장치를 구성하는 각 구성부를 제어하는 것이다.
각 처리부(150, 151, 152, 153)는, 동일 종류의 기판 처리를 행하는 처리부이어도 되고, 또한 장치의 목적에 따라서, 각각 상이한 종류의 기판 처리를 행하는 처리부로 해도 된다.
본 실시예에서는, 동일 처리부로서, 이하에 설명한다. 또한, 처리부의 상세는 후술한다.
이하, 상기한 구성을 갖는 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 공정을 설명한다. 이 기판 처리 공정에서는, 기판 처리 장치의 각 구성부를, 제어부(108)가 제어하는 것이다.
우선, 미처리의 웨이퍼 25매를 수납한 포드(101)가, 공정 내 반송 장치에 의해, 기판 처리 장치로 반송되어 온다. 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 반송되어 온 포드(101)는, I/O 스테이지(100) 상에, 공정 내 반송 장치로부터 전달되어 재치된다.
I/O 스테이지(100) 상의 플레이트에 재치된 포드(101)는, 클램프(도시 생략)에 의해 플레이트에 고정되고, 그 포드(101)의 ID가 ID 판독 장치(도시 생략)에 의해 판독되어 인증된다. 그 후, 포드(101)를 실은 플레이트가, 포드(101)의 캡을 개폐할 수 있는 도크 위치로 이동한다.
도크 위치에 있어서, 포드(101)의 캡 및 웨이퍼 반입/반출구(104)를 폐색하는 도어(105)가, 캡 개폐 기구(102)에 의해 제거되어, 포드(101)의 웨이퍼 반입/반출구(104)가 개방된다. 캡이 개방된 포드(101)에 대하여, 웨이퍼 맵핑 장치(도시 생략)에 의해, 그 포드(101) 내의 웨이퍼(200)의 유무나 매수나 위치, 즉 웨이퍼 맵핑 상태가 조사되어 확인된다. 웨이퍼 맵핑 장치는, 웨이퍼(200)의 웨이퍼 맵핑 상태를 조사하면, 그 내용을, 컨트롤러(108)에 보고한다. 주로 웨이퍼 맵핑 장치로부터, 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치 또는 기판매수를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부가 구성된다.
웨이퍼 맵핑 상태의 조사, 확인이 종료되면, 다른 포드(미도시) 내의 웨이퍼(200)가 처리실(150, 151, 152, 153)에서 처리 중인 경우에는, 포드(101)의 캡 및 웨이퍼 반입/반출구(104)를 폐색하는 도어(105)가, 캡 개폐 기구(102)에 의해 부착되어, 포드(101)의 웨이퍼 반입/반출구(104)가 폐색된다. 웨이퍼 맵핑 상태 조사 종료 후의 포드(101)의 캡 폐색 동작의 상세에 대해서는, 후술한다.
웨이퍼 맵핑 상태 조사 종료 후의 포드(101)는, 처리실에 있어서의 처리 타이밍이 가까워지면, 포드 오프너(103)에 의해 개방된다.
웨이퍼 처리를 위해서 포드(101)가 포드 오프너(103)에 의해 개방되면, 제2 반송실(120)에 설치된 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 포드(101)로부터 웨이퍼(200)를 1매 픽업하여, 노치 정합 장치(107)에 재치한다.
노치 정합 장치(107)는, 재치된 웨이퍼(200)를, 수평의 종횡 방향(X 방향, Y 방향) 및 원주 방향으로 움직여, 웨이퍼(200)의 노치 위치 등을 조정한다.
노치 정합 장치(107)에서 1매째의 웨이퍼(200)의 위치 조정 실시 중에, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 2매째의 웨이퍼(200)를, 포드(101)로부터 픽업하여, 제2 반송실(120) 내로 반출하고, 제2 반송실(120) 내에서 대기한다.
노치 정합 장치(107)에 의해 상기 1매째의 웨이퍼(200)의 위치 조정이 종료된 후, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 노치 정합 장치(107) 상의 상기 1매째의 웨이퍼(200)를 픽업한다. 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 그때 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)가 보유 지지하고 있는 상기 2매째의 웨이퍼(200)를, 노치 정합 장치(107)에 재치한다. 그 후, 상기 2매째의 웨이퍼(200)에 대하여, 노치 정합이 행해진다.
다음으로, 게이트 밸브(130)가 열려지고, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 상기 1매째의 웨이퍼(200)를, 제1 로드 로크실(131)에 반입하여, 기판 거치대(133) 상에 이동 탑재한다. 이 이동 탑재 작업 중에는, 제1 반송실(110)측의 게이트 밸브(134)는 닫혀져 있어, 제1 반송실(110) 내의 부압은 유지되고 있다.
상기 1매째의 웨이퍼(200)의 기판 거치대(133)로의 이동 탑재가 완료되면, 게이트 밸브(130)가 닫혀지고, 제1 로드 로크실(131) 내가, 배기 장치(도시 생략)에 의해, 부압으로 되도록 배기된다.
제1 로드 로크실(131) 내의 분위기의 배기와 병행하여, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 노치 정합 장치(107)로부터 상기 2매째의 웨이퍼(200)를 픽업한다. 그리고, 게이트 밸브(140)가 열려지면, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 상기 2매째의 웨이퍼(200)를 제2 로드 로크실(141)에 반입하여, 기판 거치대(143)에 이동 탑재한다. 그리고 게이트 밸브(140)가 닫혀지고, 제2 로드 로크실(141) 내가, 배기 장치(도시 생략)에 의해, 부압으로 되도록 배기된다.
이하, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 이상의 동작을 반복한다. 이때, 제1 로드 로크실(131) 및 제2 로드 로크실(141)이 부압 상태인 경우에는, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 제1 로드 로크실(131) 및 제2 로드 로크실(141)로의 웨이퍼(200)의 반입을 실행하지 않고, 제1 로드 로크실(131) 또는 제2 로드 로크실(141)의 직전 위치에서 정지하여 대기한다.
로드 로크실(131)이, 미리 설정된 압력값으로 감압되면, 게이트 밸브(134)가 열려진다. 계속해서, 제1 반송실(110)의 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)는, 기판 거치대(133)로부터, 상기 1매째의 웨이퍼(200)를 픽업한다.
제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)가, 기판 거치대(133)로부터 상기 1매째의 웨이퍼(200)를 픽업한 후, 게이트 밸브(134)가 닫혀져, 기판 로드 로크실(131) 내가 대기압으로 복귀되고, 로드 로크실(131)에 다음 웨이퍼를 반입하기 위한 준비가 행해진다.
그것과 병행하여, 제1 처리부(150)의 게이트 밸브(160)가 열려지고, 웨이퍼 이동 탑재기(112)가, 상기 1매째의 웨이퍼(200)를, 제1 처리부(150)에 반입한다. 그리고 제1 처리부(150) 내에, 가스 공급 장치(도시 생략)로부터 처리용 가스가 공급되어, 원하는 처리가 상기 1매째의 웨이퍼(200)에 실시된다. 주로 가스 공급 장치나 기판 거치대(133)나, 후술하는 애노드 전극(420)이나 캐소드 전극(430)이나 배기 라인(410) 등으로부터, 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부가 구성된다.
계속해서, 제2 로드 로크실(141)이 미리 설정된 압력값으로 감압되면, 게이트 밸브(144)가 열려진다. 계속해서 제1 반송실(110)의 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)는, 기판 거치대(143)로부터, 상기 2매째의 웨이퍼(200)를 픽업한다.
제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)가, 상기 2매째의 웨이퍼(200)를 픽업한 후, 게이트 밸브(144)가 닫혀져, 제2 로드 로크실(141) 내가 대기압으로 복귀되고, 제2 로드 로크실(141)에 다음 웨이퍼를 반입하기 위한 준비가 행해진다.
그것과 병행하여, 제2 처리부(151)의 게이트 밸브(161)가 열려지고, 웨이퍼 이동 탑재기(112)가, 상기 2매째의 웨이퍼(200)를, 제2 처리부(151)에 반입한다. 그리고 제2 처리부(151) 내에 가스 공급 장치(도시 생략)로부터 처리 가스가 공급되어, 원하는 처리가 상기 2매째의 웨이퍼(200)에 실시된다.
이하, 마찬가지로 하여 제3 처리부(152), 제4 처리부(153)에, 다음 웨이퍼(200)가 반입되어, 원하는 처리가 실시된다.
제1 처리부(150)에서 처리가 종료되면, 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)는, 처리부(150)로부터 반출된 웨이퍼(200)를, 제1 로드 로크실(131)로 반입하여, 기판 거치대(132) 상에 재치한다.
이때, 제1 로드 로크실(131) 내의 기판 거치대(133) 상에 미처리의 웨이퍼가 존재하는 경우, 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)는, 상기 미처리 웨이퍼를, 제1 로드 로크실(131)로부터 제1 반송실(110)로 반출한다.
그리고, 게이트 밸브(134)가 닫혀지고, 제1 로드 로크실(131) 내에서 처리 완료된 웨이퍼(200)의 냉각이 개시됨과 동시에, 제1 로드 로크실(131)에 접속된 불활성 가스 공급 장치(도시 생략)로부터 불활성 가스가 도입되어, 제1 로드 로크실(131) 내의 압력이 대기압으로 복귀된다.
제1 로드 로크실(131)에 있어서, 미리 설정된 냉각 시간이 경과하고, 또한 제1 로드 로크실(131) 내의 압력이 대기압으로 복귀되면, 게이트 밸브(130)가 열려진다. 계속해서, 제2 반송실(120)의 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)가, 기판 거치대(132)로부터 처리 완료된 웨이퍼(200)를 픽업하여 제2 반송실(120)로 반출한 후, 게이트 밸브(130)가 닫혀진다.
그 후, 제2 웨이퍼 이동 탑재기(122)는, 제2 반송실(120)의 웨이퍼 반입/반출구(104)를 통하여, 처리 완료된 웨이퍼(200)를, 포드(101)에 수납한다.
전술한 공정에 의해 포드(101) 내의 모든 웨이퍼에 원하는 처리가 행해져, 처리 완료된 25매의 웨이퍼 모두가, 포드(101)에 수납되면, 포드(101)의 캡과 웨이퍼 반입/반출구(104)를 폐색하는 도어(105)가, 포드 오프너(103)에 의해 닫혀진다. 닫혀진 포드(101)는, I/O 스테이지(100) 상으로부터 다음 공정으로, 공정 내 반송 장치에 의해 반송된다.
이상의 동작이 반복됨으로써, 웨이퍼가 25매씩, 순차적으로 처리되어 간다.
다음으로, 컨트롤러(108)에 대하여 설명한다. 컨트롤러(108)는, 적어도 상술한 덮개 개폐부나 기판 확인부나 기판 처리부나 기판 반송 기구 등, 기판 처리 장치의 각 구성부를 제어하는 것이며, 반송 제어, 프로세스 제어를 행하는 제어 프로그램을 실행하도록 구성된다. 도 3은, 도 1 및 도 2에 도시한 기판 처리 장치를 제어하기 위한 컨트롤러(108)의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 3에 있어서, 컨트롤러(108)는, 덮개 개폐부나 기판 확인부나 기판 반송 기구 등을 제어하기 위한 통괄 제어 컨트롤러(13)와, 제1 처리부(150)를 제어하기 위한 프로세스 챔버 컨트롤러 PMC(1)(14)와, 제2 처리부(151)를 제어하기 위한 프로세스 챔버 컨트롤러 PMC(2)(15)와, 상기 제어 프로그램을 포함하는 조작부 프로그램을 기억하는 기억부를 구비한 조작부(12)가, LAN 회로(16)에 의해 접속되어, 구성되어 있다.
또한, 통괄 제어 컨트롤러(13)에는, 제1 이동 탑재기(112)를 제어하는 진공 로봇 컨트롤러(13a), 제2 이동 탑재기(122)를 제어하는 대기(大氣) 로봇 컨트롤러(13b), 매스 플로우 컨트롤러 MFC(13c) 등이 접속되어 있다.
또한, 조작부(12)는, 유저 인터페이스(GUI), Job 제어(생산의 순번 제어), Host 대응(Host의 이벤트/모니터 보고, Host로부터의 명령 처리) 등에 사용되는 조작부 프로그램을 실행하도록 구성된다.
프로세스 챔버 컨트롤러 PMC(1)(14)에는, 매스 플로우 컨트롤러 MFC(14a), APC(14b), 온도 조절기(14c), 밸브 I/O(14d) 등이 접속되어 있다.
여기서, MFC(14a)는, 가스의 유량을 제어하기 위한 매스 플로우 컨트롤러이며, APC(14b)는, 제1 처리부(150) 내의 압력을 제어하기 위한 오토 프레셔 컨트롤러이다. 또한, 온도 조절기(14c)는, 제1 처리부(150) 내의 온도 제어를 행하는 것이며, 밸브 I/O(14d)는, 가스나 배기용의 밸브의 ON/OFF를 제어하기 위한 입출력 포트이다. 또한, PMC(2)(15)도, PMC(1)(14)와 마찬가지의 구성이다. 또한, 도시되어 있지 않지만, 제3 처리부(152)를 제어하기 위한 프로세스 챔버 컨트롤러 PMC(3)와, 제4 처리부(153)를 제어하기 위한 프로세스 챔버 컨트롤러 PMC(4)도 마찬가지의 구성이며, 동일하게 LAN 회로(16)에 접속되어 있다.
조작부(12)는, 시스템 제어 커맨드의 지시, 모니터 표시, 로깅 데이터, 알람 해석, 및 파라미터 편집 등의 화면을 표시하는 표시부(18)를 갖고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 조작부(12)는, 후술하는 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행할지의 여부를 설정하는 화면을 표시한다.
또한, 조작부(12)에는, 표시부(18)에 표시되는 화면을 통하여 입력된 지시 데이터나 각종 레시피(프로세스 레시피, 더미 기판용 레시피 등)가 저장된다. 또한, 본 실시 형태에서의 웨이퍼 맵핑을 행하는 프로그램이나, 후술하는 덮개 개폐 제어 프로그램을 포함하는 조작부 프로그램이, 조작부(12)의 기억부에 저장되어 있다.
또한, 통괄 제어 컨트롤러(13)는, 시스템 전체의 운용 제어, 진공 로봇 컨트롤러(13a)의 제어, 대기 로봇 컨트롤러(13b)의 제어, MFC(13c)나 밸브나 펌프 등을 제어하는 가스 공급ㆍ배기계 제어를 행한다.
다음으로, 도 3에 도시한 컨트롤러(108)의 기본적인 운용예에 대하여 설명한다.
공정 내 반송 장치에 의해 반송되어 온 포드(101)가, I/O 스테이지(100) 상에 재치되면, 통괄 제어 컨트롤러(13)는, 포드(101)의 캡을 개방하고, 웨이퍼 맵핑 장치에 의해, 그 포드(101) 내의 웨이퍼(200)의 웨이퍼 맵핑 상태를 조사하여 확인한다. 웨이퍼 맵핑 상태 조사 종료 후에 있어서, 다른 포드(101) 내의 웨이퍼(200)가 처리실에서 처리 중인 경우에는, 포드(101)의 캡을 폐색한다.
조작부(12) 또는 기판 처리 장치의 상위의 호스트 컴퓨터로부터의, 어떤 포드(101)에 대한 생산 지시인 커맨드 지시를 받은 통괄 제어 컨트롤러(13)는, 그 포드(101)의 캡을 개방하고, 웨이퍼 반송 지시를 대기 로봇 컨트롤러(13b)에 지시한다. 그렇게 하면, 그 대기 로봇 컨트롤러(13b)는, 제2 이동 탑재기(122)를 제어하여, 웨이퍼(200)를 포드(101)로부터 노치 정합 장치(107)를 통하여 예비실 겸 냉각 실(131, 141)로 반송시킨다. 그리고, 통괄 제어 컨트롤러(13)는, 웨이퍼(200)를 반송시키면 예비실 겸 냉각실(131, 141)의 배기 제어(즉, 펌프나 밸브의 제어)를 실시한다. 그리고, 예비실 겸 냉각실(131, 141)이 소정의 부압력에 도달한 시점에서, 진공 로봇 컨트롤러(13a)에 지시하여 웨이퍼(200)를 해당하는 제1 처리부(150)로 반송시킨다.
계속해서, PMC(1)(14) 또는 PMC(2)(15) 등에 대하여, 웨이퍼(200)에 부가 가치를 부여하기 위한 프로세스 레시피의 실행 지시를 행하여, 웨이퍼(200)에 소정의 처리가 실시된다. 처리 완료된 웨이퍼(200)는, 제1 처리부(150)로부터 예비실 겸 냉각실(131, 141)로 반송되고, 다시 대기압으로 복귀된 후, 원래의 포드(101)에 반송된다. 또한, 미리 반송처에 상이한 포드 지정되어 있는 경우, 원래의 포드(110)가 아니라, 지정된 포드에 반송해도 된다.
다음으로, 처리부에 대하여 도 4를 이용하여 설명한다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 처리부를 측면으로부터 본 단면도이다. 도 4에는, 복수의 처리부(150, 151, 152, 153) 중 적어도 하나에 이용되는 처리 장치의 예로서, 플라즈마 처리 장치(400)가 도시되어 있다. 도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(400)는 처리실(402)을 형성하는 진공 용기(404)를 구비하고 있다. 진공 용기(404)의 측벽에는, 피처리 기판으로서의 웨이퍼(200)를 처리실 내로 반입 반출하기 위한 웨이퍼 반입 반출구(406)가 개설되어 있고, 웨이퍼 반입 반출구(406)는 게이트 밸브(408)에 의해 개폐되도록 구성되어 있다.
진공 용기(404)의 바닥벽에는 배기 라인(410)의 일단이 접속되어 있고, 배기 라인(410)의 타단은 진공 배기 수단으로서의 진공 배기 장치(411)에 접속되어 있다. 배기 라인(410)의 도중에는 배기 컨덕턴스 조정 수단으로서의 배기 컨덕턴스 조정 밸브(412)가 개재 설치되어 있다. 배기 컨덕턴스 조정 밸브(412)에는 배기 컨덕턴스 조정 밸브 제어 장치(414)가 전기적으로 접속되어 있고, 배기 컨덕턴스 조정 밸브 제어 장치(414)에는, 처리실(402) 내의 압력을 검출하는 압력 센서(416)가 전기적으로 접속되어 있다. 배기 컨덕턴스 조정 밸브 제어 장치(414)는 압력 센서(416)로부터의 검출 결과 및 컨트롤러(108)로부터의 명령에 기초하여, 배기 컨덕턴스 조정 밸브(412)를 제어함으로써, 처리실(402) 내의 압력을 조정하도록 구성되어 있다.
진공 용기(404)의 처리실(402) 내에는 애노드 전극(양극)(420)이 설치되어 있다. 애노드 전극(420)의 내부에는 가스 통로(424)가 형성되어 있고, 애노드 전극(420)의 하면에는 샤워판(422)이 가스 통로(424)를 구획하도록 끼워 넣어져 있다. 샤워판(422)에는 다수개의 분출구(426)가 가스를 샤워 형상으로 분출하도록 개설되어 있다. 애노드 전극(420)의 가스 통로(424)에는 가스 도입 수단으로서의 가스 도입 라인(428)이 접속되어 있고, 가스 통로(424)에는 가스 도입 라인(428)으로부터 여러 종류의 가스가 도입되도록 되어 있다.
한편, 진공 용기(404)의 처리실(402)의 하부에는 캐소드 전극(음극)(430)이 설치되어 있다. 캐소드 전극(430)은 웨이퍼(200)를 재치한 상태로 보유 지지하는 기판 재치대(서셉터)를 겸용하도록 구성되어 있고, 서셉터 겸용의 캐소드 전극(430)에는 보유 지지한 웨이퍼(200)를 가열하는 히터(도시 생략)가 내장되어 있다.
애노드 전극(420)과 캐소드 전극(430) 사이에는, 고주파 전력 공급 수단으로서의 고주파 발진기(432)가 임피던스 정합기(434)를 통하여 접속되어 있고, 고주파 발진기(432)는 전술한 PMC(1)(14)[혹은 PMC(2)(15)]에 상당하는 컨트롤러(418)에 통신선(436)에 의해 접속되어 있다. 고주파 발진기(432)는 컨트롤러(418)로부터의 명령에 응답하여 임피던스 정합기(434)를 통하여 애노드 전극(420)과 캐소드 전극(430) 사이에 고주파 전압을 인가하도록 되어 있다.
캐소드 전극(430)에는 자기 바이어스 전압 검출 수단으로서의 전압계(438)가 접속되어 있고, 전압계(438)는 검출 결과를 통신선(440)에 의해 컨트롤러(418)에 송신하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(418)에는 기억 장치(442), 표시 장치(444) 및 입력 장치(446)가 접속되어 있다. 여기서, 컨트롤러(418)는, 전술한 PMC(1)(14)이다. 또한, 기억 장치(442)가 별체로 되어 있는 예를 도시하고 있지만, 예를 들면, 컨트롤러(418) 내에 내장되어 있는 메모리 등을 이용해도 된다.
컨트롤러(418)에는 소프트웨어의 기능으로서, 진행파 전력량 및 누적 자기 바이어스 전압의 관리 기능이 내장되어 있다. 이 때문에, 컨트롤러(418)는 플라즈마 처리에 관한 데이터로서, 진행파 전력값을 고주파 발진기(432)로부터 통신선(436)을 통하여 취득하여, 기억 장치(442)에 저장하도록 구성되어 있다. 또한, 컨트롤러(418)는 플라즈마 처리에 관한 데이터로서, 자기 바이어스 전압값을 전압계(438)로부터 통신선(440)을 통하여 취득하여, 기억 장치(442)에 저장하도록 구성되어 있다.
다음으로, 상기 구성에 따른 플라즈마 처리 장치(400)에 의한 웨이퍼(200)에의 막의 형성 방법을 설명한다.
막을 형성해야 할 웨이퍼(200)가 웨이퍼 반입 반출구(406)로 반송되어 오면, 게이트 밸브(408)가 열려지고, 웨이퍼(200)가 웨이퍼 반입 반출구(406)로부터 처리실(402) 내로 반입되어, 서셉터를 겸용하는 캐소드 전극(430) 상에 재치된다. 웨이퍼(200)가 캐소드 전극(430)에 설치되어 보유 지지되면, 웨이퍼 반입 반출구(406)가 게이트 밸브(408)에 의해 닫혀진다. 처리실(402) 내가 진공 배기 장치(411)에 의해 배기 라인(410) 및 배기 컨덕턴스 조정 밸브(412)를 통하여 배기된다.
처리실(402) 내가 소정의 압력으로 유지되면서, 원료 가스가 가스 도입 라인(428)으로부터 가스 통로(424)에 도입되어, 처리실(402) 내에 샤워판(422)의 분출구(426)로부터 샤워 형상으로 분출된다. 처리실(402) 내의 압력을 일정하게 유지하는 방법으로서는, 압력 센서(416)로부터 출력되어 배기 컨덕턴스 조정 밸브 제어 장치(414)에 입력되는 신호에 기초하여, 배기 컨덕턴스 조정 밸브(412)가 제어되는 피드백 제어 방법이 사용된다.
처리실(402) 내가 소정의 압력으로 유지된 상태에서, 컨트롤러(418)에 입력 장치(446)로부터 설정된 전력값이 고주파 발진기(432)에 통신선(436)을 통하여 설정되어, 고주파 전력이 고주파 발진기(432)에 의해 발생된다. 고주파 발진기(432)에 의해 발생된 고주파 전력은, 애노드 전극(420)에 임피던스 정합기(434)를 통하여 인가된다. 고주파 전력이 인가되면, 애노드 전극(420)과 캐소드 전극(430) 사이에 플라즈마가 생성된다. 이와 같이 하여 생성된 플라즈마에 의해, 처리실(402) 내에 샤워 형상으로 분출된 원료 가스가 분해 또는 활성화되어, 서셉터를 겸하는 캐소드 전극(430)에 보유 지지된 웨이퍼(200) 상에 퇴적되어, 막이 형성된다.
다음으로, 웨이퍼 맵핑 장치에 의한 웨이퍼 맵핑 상태 조사 전후의 포드(101)의 캡 개폐 동작에 대하여, 도 5를 이용하여 상세하게 설명한다. 도 5는 본 실시 형태에 따른 기판 수용기의 덮개, 즉 포드(101)의 캡의 개폐 동작 플로우차트이다. 도 5에서의 개폐 동작은, 컨트롤러(108)에 의해 덮개 개폐 제어 프로그램이 실행됨으로써 실현된다.
전술한 바와 같이, I/O 스테이지(100)에 반입된 포드(101)는, 도크 위치에서, 포드(101)의 캡이, 캡 개폐 기구(102)에 의해 제거되어, 포드(101)의 웨이퍼 출납구(104)가 개방된다(스텝 S1). 이때, 캡 개방과 동시에, 캡이 개방된 포드(101)에 대하여, 웨이퍼 맵핑 장치에 의해, 그 포드(101) 내의 웨이퍼(200)의 웨이퍼 맵핑 상태가 조사되어 확인된다.
웨이퍼 맵핑 확인 후, 캡 폐색까지의 시간을 카운트하는 폐색 타이머를 스타트시킨다(스텝 S2). 그리고, 폐색 타이머가 타임 업할 때까지 대기한다(스텝 S3).
폐색 타이머가 타임 업하면(스텝 S3에서 '예'), I/O 스테이지(100)에 다른 포드(101)가 존재하는지의 여부를 판단한다(스텝 S4).
이와 같이, 상기의 폐색 타이머를 설치하여, 포드(101)의 캡 개방으로부터 소정 시간 후에 캡 폐색하는 이유, 즉, 포드(101)의 캡을 개방하여 웨이퍼 맵핑을 행하고, 웨이퍼 맵핑 종료부터 캡 폐색까지의 지연 시간을 설정하는 이유는, 웨이퍼 맵핑 종료 후의 불필요한 캡 폐색 동작을 생략하기 위해서이다. I/O 스테이지(100)에 다른 포드(101)가 존재하지 않는 경우에는, 웨이퍼 맵핑 종료 후에, 호스트 컴퓨터 등으로부터의 생산 지시가 발행된다. 그 때문에, 웨이퍼 맵핑 종료부터 캡 폐색까지의 지연 시간을 설정하지 않은 경우에는, 웨이퍼 맵핑 종료 후에 캡 폐색하고, 다음에 생산 지시를 수신하면 캡을 개방하게 된다.
또한, 이 폐색 타이머는 반드시 설치할 필요는 없고, 폐색 타이머 기능을 사용할지의 여부를, 조작부(12)로부터 설정할 수 있도록 해도 된다.
I/O 스테이지(100)에 다른 포드(101)가 존재하지 않는 경우에는(스텝 S4에서 '아니오'), 상기의 웨이퍼 맵핑 확인을 행한 포드(101)에 대하여, 호스트 컴퓨터 등으로부터의 생산 지시, 즉 그 포드(101) 내의 웨이퍼에 대하여 처리실에서의 처리를 행하는 지시가 발행되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 S11).
생산 지시가 이루어져 있는 경우에는(스텝 S11에서 '예'), 그 포드(101)의 캡은 폐색되지 않고, 개방된 상태를 유지하고, 스텝 S7 및 스텝 S8로 이행하여, 웨이퍼에 대한 처리를 개시한다. 구체적으로는, 포드(101) 내의 웨이퍼(200)가, 제2 이동 탑재기(122)에 의해 노치 정합 장치(107)를 통하여 예를 들면 예비실 겸 냉각 실(131)로 반송되고, 제1 웨이퍼 이동 탑재기(112)에 의해 예를 들면 제1 처리부(150)로 반송되어 처리된다.
생산 지시가 이루어져 있지 않은 경우에는(스텝 S11에서 '아니오'), 포드(101)의 캡이, 캡 개폐 기구(102)에 의해 일단 폐색되고(스텝 S12), 생산 지시가 이루어질 때까지 대기하고(스텝 S13), 생산 지시가 이루어지면(스텝 S13에서 '예'), 포드(101)의 캡을, 캡 개폐 기구(102)에 의해 개방하고(스텝 S14), 스텝 S7 및 스텝 S8로 이행하여, 웨이퍼에 대한 처리를 개시한다.
I/O 스테이지(100)에 다른 포드(101)가 존재하는 경우에는(스텝 S4에서 '예'), 그 다른 포드(101) 내의 웨이퍼를 처리 중인지의 여부를 판단하고(스텝 S5), 처리 중이 아닌 경우에는(스텝 S5에서 '아니오'), 상술한 스텝 S11로 이행한다.
여기서, 상술한, 다른 포드(101) 내의 웨이퍼를 처리 중인 상태에 대하여 설명한다. I/O 스테이지(100) 상의 포드(101) 내의 웨이퍼는, 호스트 컴퓨터 등으로부터의 생산 지시가 발행된 후, 노치 정합 장치(107)를 거쳐 예를 들면 예비실 겸 냉각실(131)로 반송되고, 예비실 겸 냉각실(131)로부터 예를 들면 제1 처리부(150)로 반송되어 처리된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼는, 제1 처리부(150)로부터 예비실 겸 냉각실(131)로 반송되고, 예비실 겸 냉각실(131)로부터 I/O 스테이지(100) 상의 포드(101) 내로 복귀된다.
상술한 다른 포드(101) 내의 웨이퍼를 처리 중인 상태란, 그 다른 포드(101)에 대한 호스트 컴퓨터 등으로부터의 생산 지시가 발행되고 나서, 다른 포드(101) 내의 최종의 미처리 웨이퍼[예를 들면, 포드(101) 내에 25매의 웨이퍼가 있는 경우에는, 24매가 처리 완료로 되고, 남은 25매째의 미처리 웨이퍼]가, 예를 들면 제1 처리부(150)로 반송되어 처리된 후, I/O 스테이지(100) 상의 포드(101) 내로 복귀될 때까지의 상태이다. 이 경우, 다른 포드(101)는, 전로트이어도 동일한 로트이어도 된다.
다른 포드(101) 내의 웨이퍼를 처리 중인 경우에는(스텝 S5에서 '예'), 상기의 웨이퍼 맵핑 확인을 행한 포드(101)에 대하여, 호스트 컴퓨터 등으로부터의 생산 지시가 발행되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 S6). 생산 지시가 발행되어 있지 않은 경우에는(스텝 S6에서 '아니오'), 상술한 스텝 S12로 이행하여, 포드(101)의 캡을 일단 폐색하고, 생산 지시를 대기한다.
여기서 본 실시 형태에서는, I/O 스테이지(100) 상에 복수의 포드(101)가 있는 경우, 직전에 처리 중인 다른 포드(101) 내의 최종의 미처리 웨이퍼를, 컨트롤러(108)가, I/O 스테이지(100) 상의 포드(101) 내로부터, 제2 이동 탑재기(122)에 탑재하였을 때, 즉, 컨트롤러(108)가 기판 반송 기구에 의해 상기 미처리 웨이퍼를 반출하였을 때에, 호스트 컴퓨터 등으로부터의 생산 지시가 발행되도록 되어 있다. 따라서, 웨이퍼 맵핑 종료 후의 포드(101)는, 처리실에서의 처리 타이밍이 가까워지면, 포드 오프너(103)에 의해 개방된다. 즉, 컨트롤러(108)는, 웨이퍼 맵핑 종료 후의 포드(101) 내의 웨이퍼에 대하여 처리가 개시되는 타이밍을 산출하고, 그 산출한 타이밍에 따라서, 웨이퍼 맵핑 종료 후의 포드(101)의 덮개를 열도록 제어한다.
또한, 상술한 바와 같이, I/O 스테이지(100) 상에 복수의 포드(101)가 있는 경우, 직전에 처리 중인 다른 포드(101) 내의 최종의 미처리 웨이퍼가, I/O 스테이지(100) 상의 포드(101) 내로부터, 제2 이동 탑재기(122)에 탑재되었을 때에, 호스트 컴퓨터 등으로부터의 생산 지시가 발행되도록 되어 있다. 이에 의해, 생산 지시가 있었던 경우에는, 포드(101)의 캡은 폐색되지 않고 개방된 상태를 유지하므로, 다른 포드(101)의 처리 후에 포드(101)의 캡을 개방하는 경우에 비해, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
덧붙여서 말하면 본 실시 형태에서는, 포드(101)의 캡을 개방하는 동작 시간은 약 10초이며, 캡을 폐색하는 동작 시간은 약 3초이고, 앞서 처리 중인 포드(101) 내의 최종의 미처리 웨이퍼가 I/O 스테이지(100) 상의 포드(101) 내로부터 반출되고 나서, 다음에 처리하는 포드(101) 내의 최초의 미처리 웨이퍼가 I/O 스테이지(100) 상의 포드(101) 내로부터 반출 개시될 때까지의 시간은 약 20초이다.
생산 지시가 발행되어 있는 경우에는(스텝 S6에서 '예'), 그 포드(101)의 캡은 폐색되지 않고 개방된 상태를 유지하여, I/O 스테이지(100) 상의 다른 포드(101)의 처리가 종료될 때까지 대기하고(스텝 S7), 웨이퍼에 대한 처리를 개시한다(스텝 S8).
이렇게 하여, 컨트롤러(108)는, 웨이퍼 맵핑 종료 시점에서, 웨이퍼 맵핑 종료 후의 포드(101) 내의 웨이퍼를 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 짧은 경우에는, 상기 웨이퍼 맵핑 종료 후의 포드(101)의 덮개를 연 상태를 유지하고, 상기 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 긴 경우에는, 상기 웨이퍼 맵핑 종료 후의 포드(101)의 덮개를 닫도록 제어한다.
상술한 실시 형태에서는, 기판 수용기가 재치대에 재치된 경우에, 도 5의 동작을 행하는 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행함으로써 실현되는 포드(101)의 캡 개폐 동작에 대하여 설명하였지만, 도 5의 동작을 행하는 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행할지의 여부를 선택할 수 있도록 구성할 수도 있다. 이 선택은, 조작자에 의한 조작부로부터의 지시에 기초하여 행할 수 있고, 혹은, 전(前)공정의 내용에 의해 제어부가 자동적으로 행할 수도 있다.
도 5의 동작을 행하는 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행할지의 여부를 선택할 수 있는 구성의 예를, 도 6을 이용하여 설명한다. 도 6은 소정의 전공정을 행한 경우에 도 5의 덮개 개폐 동작을 실행하는 구성예에서의 제어부의 동작 플로우차트이다. 또한, 이 소정의 전공정의 내용은, 예를 들면, 조작자에 의해 미리 설정되어, 조작부(12)의 기억부에 기억할 수 있도록 구성된다.
도 6에서, 컨트롤러(108)는, 덮개 개폐 제어 프로그램이 기동되면, 조작부(12)의 기억부에 기억된 소정의 전공정의 내용인 설정 조건을 판독한다(스텝 S21). 다음으로, 웨이퍼(200)를 복수 수용한 포드(101)가 I/O 스테이지(100)에 재치되면, 그 포드(101)에는 전공정의 내용의 정보가, 예를 들면 바코드에 의해 첨부되어 있으므로, 컨트롤러(108)는, 이 전공정의 내용 정보를, 기판 처리 장치에 장비된 바코드 리더를 이용하여 판독한다(스텝 S22).
컨트롤러(108)는, 덮개 개폐 제어 프로그램의 실행 조건을 만족시키는지의 여부를 판단하고(스텝 S23), 덮개 개폐 제어 프로그램의 실행 조건을 만족시키는 경우, 즉, 조작부(12)에 기억되어 있던 설정 조건과, 포드(101)에 첨부된 전공정의 내용 정보가 일치하는 경우에는(스텝 S23에서 '예'), 도 5의 동작을 행하는 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행한다(스텝 S24). 조작부(12)에 기억되어 있던 설정 조건과, 포드(101)에 첨부된 전공정의 내용 정보가 일치하지 않는 경우에는(스텝 S23에서 '아니오'), 도 5의 동작을 행하는 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행하지 않고, 포드(101)의 덮개를 열고, 도 5의 스텝 S2와 마찬가지로, 웨이퍼 맵핑 장치에 의해, 그 포드(101) 내의 웨이퍼(200)의 웨이퍼 맵핑 상태를 조사하여 확인한다. 그 후, 그 포드(101)는, 대기 상태로 들어가 생산 지시 대기로 된다(스텝 S25).
이상 설명한 실시 형태에 따르면, 다음의 (1)?(6)의 효과를 발휘한다.
(1) I/O 스테이지(100) 상에 재치된 제1 포드(101) 내의 웨이퍼 처리 중에, 제2 포드(101)가 I/O 스테이지(100) 상에 재치된 경우, 제2 포드(101)의 덮개를 열어, 제2 포드(101) 내의 웨이퍼에 대하여 웨이퍼 맵핑이 행해진 후, 재차, 덮개를 닫도록 제어되므로, 제2 포드(101)의 덮개가 열려진 채로 제2 포드(101) 내의 웨이퍼가 대기에 노출되는 것에 의한 웨이퍼 표면에의 파티클의 부착이나 웨이퍼 표면에의 오염 등을 억제할 수 있다.
(2) 처리 중인 제1 포드(101) 내의 최종의 미처리 웨이퍼에 대하여 기판 처리가 개시되면, 대기 중인 상기 제2 포드(101)의 덮개를 열도록 제어되므로, 제2 포드(101) 내의 웨이퍼에 대하여 기판 처리가 개시될 때에, 제2 포드(101)의 덮개가 열리는 것을 대기하는 일이 없어, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(3) 상기 제2 포드(101) 내의 웨이퍼에 대하여 기판 처리가 개시되는 타이밍을 산출하고, 이 산출한 타이밍에 따라서, 제2 포드(101)의 덮개를 열도록 제어되므로, 제2 포드(101) 내의 웨이퍼에 대하여 기판 처리가 개시될 예정의 타이밍 전에, 제2 포드(101)의 덮개를 확실하게 열어 둘 수 있다.
(4) I/O 스테이지(100) 상에 다른 포드(101)가 존재하지 않는 상태에서, 웨이퍼 맵핑 후에 덮개를 연 채로 소정 시간, 해당 포드(101) 내의 웨이퍼에 대한 기판 처리 명령(생산 지시)을 대기하도록 구성할 수 있으므로, 불필요하게 덮개의 개폐 동작을 행하지 않도록 할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(5) 웨이퍼 맵핑 후에 덮개를 닫는 제어를 행할지의 여부를, 조작자에 의한 조작부로부터의 지시에 기초하여, 선택이 가능한 구성으로 할 수 있다. 이와 같은 구성에 의해, 예를 들면, 웨이퍼 표면 상태에 따라서, 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행할지의 여부를 선택할 수 있다. 웨이퍼 표면에의 파티클 부착이 문제로 되지 않는 프로세스의 경우나, 기판 처리 장치 내의 공기에 노출되는 것에 의한 웨이퍼 표면에 형성된 막의 성질의 변화가 문제로 되지 않는 프로세스의 경우에는, 도 5의 덮개 개폐 제어 프로그램을 실행하지 않도록, 유연하게 대응할 수 있다.
(6) 웨이퍼 맵핑 후에 덮개를 닫는 제어를 행할지의 여부를, 전공정의 내용에 따라서 자동적으로 선택이 가능한 구성으로 되어 있으므로, 대기 중인 기판 수용기 내의 기판에 대하여, 전공정에서 기판 표면에 성막한 막의 성질이 변화하는 문제를 억제할 수 있다.
(7) 웨이퍼 맵핑 후에 덮개를 닫는 제어를 행할지의 여부를, 전공정의 내용에 따라서 자동적으로 선택이 가능한 구성으로 되어 있으므로, 특히 도 6의 플로우차트에 따르면, 조작부로부터 설정된 조건과 전공정의 내용이 일치한 경우에, 웨이퍼 맵핑 후에 덮개를 닫는 제어를 행하고, 조작부로부터 설정된 조건과 전공정의 내용이 일치하지 않는 경우에, 웨이퍼 맵핑 후에 덮개를 닫는 제어를 행하지 않도록 할 수 있다. 따라서, 전공정의 처리 내용에 상관없이, 파티클 저감과, 스루풋 저하의 억제를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경이 가능한 것은 물론이다.
또한, 본 발명은, 반도체 제조 장치뿐만 아니라, LCD 제조 장치와 같은 글래스 기판을 처리하는 장치나, 다른 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다. 기판 처리의 처리 내용은, CVD, PVD, 산화막, 질화막, 금속 함유막 등을 형성하는 성막 처리뿐만 아니라, 노광 처리, 리소그래피, 도포 처리 등이어도 된다.
본 명세서에는, 적어도 다음의 발명이 포함된다. 즉, 제1 발명은,
기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와,
상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와,
덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와,
기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와,
상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와,
상기 덮개 개폐부와 상기 기판 확인부와 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
제2 발명은, 상기 제1 발명의 기판 처리 장치로서,
상기 제어부는, 상기 제1 기판 수용기 내의 최종의 미처리 기판이 상기 기판 반송 기구에 의해 반출되면, 혹은, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시하는 타이밍이 가까워지면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
제3 발명은, 상기 제1 발명 또는 제2 발명의 기판 처리 장치로서,
상기 제어부는, 상기 재치대에 재치된 제1 기판 수용기 내의 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 처리가 개시되는 타이밍을 산출하고, 그 산출한 타이밍에 따라서, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
제4 발명은, 상기 제1 발명 내지 제3 발명의 기판 처리 장치로서,
상기 제어부는, 상기 재치대에 다른 기판 수용기가 존재하지 않는 상태에서, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫지 않고 연 상태를 유지하도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
제5 발명은,
기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와,
상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와,
덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와,
기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와,
상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와,
상기 덮개 개폐부와 기판 확인부와 기판 처리부와 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에서, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되었을 때에, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫을지의 여부를 선택할 수 있도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
제6 발명은, 상기 제5 발명의 기판 처리 장치로서,
상기 제어부는, 상기 재치대에 재치된 제1 기판 수용기 내의 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에서, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되었을 때에, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 해당 기판 처리 장치의 전공정에서 행해진 처리에 따라서, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫을지의 여부를 선택하도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
제7 발명은,
기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와,
상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와,
덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와,
기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와,
상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와,
조작자로부터의 지시를 접수하는 조작부와,
상기 덮개 개폐부와 상기 기판 확인부와 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송 기구와 상기 조작부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에서, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되었을 때에, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫을지의 여부를, 상기 조작부로부터의 지시에 기초하여 선택하도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
제8 발명은,
기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치대에 재치하는 재치 공정과,
상기 재치 공정 후에 상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 여는 제1 개방 공정과,
상기 제1 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판에 대하여 기판의 유무 또는 위치의 확인을 행하는 확인 공정과,
상기 확인 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 닫는 폐색 공정과,
상기 폐색 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 여는 제2 개방 공정과,
상기 제2 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 공정과,
상기 기판 반송 공정에 의해 처리실로 반송된 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
제9 발명은,
기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치대에 재치하는 재치 공정과,
상기 재치 공정 후에 상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 여는 제1 개방 공정과,
상기 제1 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판에 대하여 기판의 유무 또는 위치의 확인을 행하는 확인 공정과,
상기 확인 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 닫는 폐색 공정과,
상기 폐색 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 여는 제2 개방 공정과,
상기 제2 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 공정을 구비하는 기판 반송 방법이다.
제10 발명은,
제1 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인 공정과,
상기 기판 확인 공정 종료 시점에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 짧은 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 연 상태를 유지하고, 상기 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 긴 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫는 덮개 개폐 제어 공정을 포함하는 기판 처리 장치 제어 프로그램이다.
제11 발명은,
제1 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행한 후에,
상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫는 덮개 폐색 공정과,
상기 덮개 폐색 공정 후, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시하는 타이밍이 가까워지면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 여는 덮개 개방 공정을 포함하는 기판 수용기의 덮개 개폐 제어 프로그램이다.
제12 발명은, 상기 제1 발명의 기판 처리 장치로서,
상기 제어부는, 상기 기판 확인 종료 시점에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 짧은 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 연 상태를 유지하고, 상기 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 긴 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫도록 제어하는 기판 처리 장치이다.
12 : 조작부
13 : 통괄 제어 컨트롤러
13a : 진공 로봇 컨트롤러
13b : 대기 로봇 컨트롤러
13c : MFC
14 : PMC(1)
14a : MFC
14b : APC
14c : 온도 조절기
14d : 밸브 I/O
15 : PMC(2)
16 : LAN
18 : 표시부
100 : I/O 스테이지
101 : 포드
102 : 캡 개폐 기구
103 : 포드 오프너
104 : 웨이퍼 반입 반출구
105 : 도어
106 : 클린 유닛
107 : 노치 정합 장치
108 : 제어부(컨트롤러)
110 : 제1 반송실
111 : 제1 반송 케이스
112 : 제1 웨이퍼 이동 탑재기
113 : 엘리베이터
120 : 제2 반송실
121 : 제2 반송실 케이스
122 : 제2 웨이퍼 이동 탑재기
123 : 엘리베이터
124 : 리니어 액튜에이터
130 : 게이트 밸브
131 : 로드 로크실
132 : 기판 거치대
133 : 기판 거치대
134 : 게이트 밸브
140 : 게이트 밸브
141 : 로드 로크실
142 : 기판 거치대
143 : 기판 거치대
144 : 게이트 밸브
150 : 제1 처리부
151 : 제2 처리부
152 : 제3 처리부
153 : 제4 처리부
160 : 게이트 밸브
161 : 게이트 밸브
162 : 게이트 밸브
163 : 게이트 밸브
200 : 웨이퍼
400 : 플라즈마 처리 장치
402 : 처리실
404 : 진공 용기
406 : 웨이퍼 반입 반출구
408 : 게이트 밸브
410 : 배기 라인
412 : 배기 컨덕턴스 조정 밸브
414 : 배기 컨덕턴스 조정 밸브 제어 장치
416 : 압력 센서
418 : 컨트롤러
420 : 애노드 전극
422 : 샤워판
424 : 가스 통로
426 : 분출구
428 : 가스 도입 라인
430 : 캐소드 전극
432 : 고주파 발진기
434 : 임피던스 정합기
436 : 통신선
438 : 전압계
442 : 기억 장치
444 : 표시 장치
446 : 입력 장치

Claims (13)

  1. 기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와,
    상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와,
    덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와,
    기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와,
    상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와,
    상기 덮개 개폐부와 상기 기판 확인부와 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫도록 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 기판 확인 종료 시점에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 짧은 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 연 상태를 유지하고, 상기 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 긴 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫도록 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치대에 재치하는 재치 공정과,
    상기 재치 공정 후에 상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 여는 제1 개방 공정과,
    상기 제1 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판에 대하여 기판의 유무 또는 위치의 확인을 행하는 확인 공정과,
    상기 확인 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 닫는 폐색 공정과,
    상기 폐색 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 여는 제2 개방 공정과,
    상기 제2 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 공정과,
    상기 기판 반송 공정에 의해 처리실로 반송된 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인 공정과,
    상기 기판 확인 공정 종료 시점에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 짧은 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 연 상태를 유지하고, 상기 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 긴 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫는 덮개 개폐 제어 공정
    을 포함하는 기판 처리 장치 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 기판 수용기 내의 최종의 미처리 기판이 상기 기판 반송 기구에 의해 반출되면, 혹은, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시하는 타이밍이 가까워지면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열도록 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 기판 수용기 내의 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 처리가 개시되는 타이밍을 산출하고, 그 산출한 타이밍에 따라서, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열도록 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와,
    상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와,
    덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와,
    기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와,
    상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와,
    상기 덮개 개폐부와 상기 기판 확인부와 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에서, 상기 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되었을 때에, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫을지의 여부를 선택할 수 있도록 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 확인이 종료되었을 때에, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여, 기판 처리 장치의 전공정에서 행해진 처리에 따라서, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫을지의 여부를 선택할 수 있도록 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 기판 확인 종료 시점에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 짧은 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 연 상태를 유지하고, 상기 기판 처리 개시할 때까지의 시간이 소정 시간보다도 긴 경우에는, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫도록 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치하는 재치대와,
    상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐부와,
    덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행하는 기판 확인부와,
    기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 기구와,
    상기 기판 반송 기구에 의해 반송된 상기 처리실 내의 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리부와,
    조작자로부터의 지시를 접수하는 조작부와,
    상기 덮개 개폐부와 상기 기판 확인부와 상기 기판 처리부와 상기 기판 반송 기구와 상기 조작부를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 기판 수용기는 제1 기판 수용기와 제2 기판 수용기를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 반송 기구에 의해 상기 제1 기판 수용기로부터 상기 처리실에 반송된 기판을 대상으로 하여 상기 기판 처리부가 기판 처리 중에서, 상기 제2 기판 수용기가 상기 재치대에 재치된 경우, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되었을 때에, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫을지의 여부를, 상기 조작부로부터의 지시에 기초하여 선택하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항, 제2항, 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 재치대에 다른 기판 수용기가 존재하지 않는 상태에서, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판에 대하여 상기 기판 확인부에 의한 기판 확인을 행하고, 그 기판 확인이 종료되면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫지 않고 연 상태를 유지하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  12. 기판을 복수 수용한 기판 수용기를 재치대에 재치하는 재치 공정과,
    상기 재치 공정 후에 상기 재치대에 재치된 기판 수용기의 덮개를 여는 제1 개방 공정과,
    상기 제1 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판에 대하여 기판의 유무 또는 위치의 확인을 행하는 확인 공정과,
    상기 확인 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 닫는 폐색 공정과,
    상기 폐색 공정 후에 상기 기판 수용기의 덮개를 여는 제2 개방 공정과,
    상기 제2 개방 공정에 의해 덮개가 열려진 기판 수용기 내의 기판을 처리실로 반송하는 기판 반송 공정
    을 구비하는 기판 반송 방법.
  13. 제1 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 중에, 제2 기판 수용기의 덮개를 열어, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판의 유무 또는 위치를 확인하는 기판 확인을 행한 후에, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 닫는 덮개 개폐 공정과,
    상기 덮개 개폐 공정 후, 상기 제2 기판 수용기 내의 기판을 기판 처리 개시하는 타이밍이 가까워지면, 상기 제2 기판 수용기의 덮개를 여는 덮개 개방 공정
    을 포함하는 기판 수용기의 덮개 개폐 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013065769A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2014116545A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US10269603B2 (en) 2013-07-09 2019-04-23 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, gas-purging method, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium containing abnormality-processing program
CN103820772B (zh) * 2014-02-12 2016-07-06 清华大学 去除pecvd装置的电荷的系统及其控制方法
CN104056752A (zh) * 2014-06-19 2014-09-24 四川省达州质量技术监督检验测试中心 全自动浸渍提拉及干燥镀膜仪
US9818633B2 (en) * 2014-10-17 2017-11-14 Lam Research Corporation Equipment front end module for transferring wafers and method of transferring wafers
US10840121B2 (en) * 2016-10-31 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for unpacking semiconductor wafer container
CN112221843A (zh) * 2020-09-22 2021-01-15 青岛智动精工电子有限公司 一种pcba板全自动点胶设备及其控制方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3242538B2 (ja) * 1994-11-09 2001-12-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の緩衝装置
WO1999038207A1 (fr) * 1998-01-27 1999-07-29 Nikon Corporation Procede et appareil de detection de tranche
JP3664897B2 (ja) * 1998-11-18 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US6582182B2 (en) * 2001-06-04 2003-06-24 Intrabay Automation, Inc. Semiconductor wafer storage kiosk
JP4506050B2 (ja) * 2001-07-25 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び被処理体の管理方法
JP2003124286A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Mitsubishi Electric Corp 工程間搬送システムおよび工程間搬送方法
EP1555689B1 (en) * 2002-10-25 2010-05-19 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Substrate storage container
JP2004311781A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US8078311B2 (en) * 2004-12-06 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
JP4501674B2 (ja) * 2004-12-20 2010-07-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート装置のマッピング装置
JP2006269810A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4929932B2 (ja) * 2006-09-01 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP5025231B2 (ja) * 2006-11-17 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置
US7890202B2 (en) * 2007-10-16 2011-02-15 International Business Machines Corporation Method for creating wafer batches in an automated batch process tool
JP4278699B1 (ja) * 2008-03-27 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器及び該密閉容器の蓋開閉システム、ウエハ搬送システム、及び密閉容器の蓋閉鎖方法
JP4983724B2 (ja) * 2008-05-27 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
US8186927B2 (en) * 2008-05-27 2012-05-29 Tdk Corporation Contained object transfer system
JP4488255B2 (ja) * 2008-05-27 2010-06-23 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム、当該蓋開閉システムを含む収容物挿脱システム、及び当該蓋開閉システムを用いた基板処理方法
JP2010098247A (ja) 2008-10-20 2010-04-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5268659B2 (ja) 2009-01-07 2013-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び記憶媒体
JP2010232560A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Sinfonia Technology Co Ltd マッピング機構、ｆｏｕｐ、及びロードポート
JP5564311B2 (ja) * 2009-05-19 2014-07-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法
JP5278698B2 (ja) * 2009-09-04 2013-09-04 株式会社ダイフク カセット搬送装置

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