KR20120075419A

KR20120075419A - 도포 방법, 도포 장치 및 기억 매체

Info

Publication number: KR20120075419A
Application number: KR1020110143378A
Authority: KR
Inventors: 아끼라 미야따; 요시따까 하라; 고오지 후지무라
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2010-12-28
Filing date: 2011-12-27
Publication date: 2012-07-06
Also published as: TW201237931A; CN102592969B; CN102592969A; US8940365B2; TWI524379B; JP2012142381A; US20120164572A1; KR101743303B1; JP5263284B2

Abstract

본 발명의 과제는 기판에 도포액을 도포하는 장치에 있어서, 기판의 로트의 전환 시에, 후속 로트의 기판의 처리로 빠르게 이행할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
선행 로트(A)용 레지스트 토출 노즐(N1)과 후속 로트(B)용 레지스트 토출 노즐(N2)이 공통의 이동 기구에 의해 일체로 되어, 도포 처리부(1a, 1b)와 노즐 버스(5) 사이를 이동하고, 또한 사용하고 있지 않은 레지스트 토출 노즐의 선단부에, 시너층(T)이 2개의 공기층에 의해 끼워진 층 구조를 형성하는 경우에, 선행 로트(A)의 최후의 웨이퍼(WA25)에 대해 노즐(N1)로부터 레지스트액(RA)을 공급한 후, 노즐(N1)을 노즐 버스(5)로 이동하는 공정과 더불어, 노즐(N1)에 공기를 흡입시켜 당해 노즐(N1) 내에 제1 공기층을 형성한다. 또한, 노즐(N2)을 후속 로트(B)의 선두의 웨이퍼(WB)의 상방으로 이동시키는 공정에 더불어, 노즐(N2)에 공기를 흡입시켜 당해 노즐(N2) 내에 제2 공기층을 형성한다.

Description

도포 방법, 도포 장치 및 기억 매체{COATING METHOD, COATING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 약액을 노즐로부터 기판으로 공급하여 도포막을 형성하는 기술에 관한 것이다.

반도체 디바이스의 제조 공정 중에는 레지스트 패턴을 형성하기 위해 레지스트액을 기판에 도포하는 처리가 있고, 높은 처리량을 확보하기 위해, 통상은 복수대의 액처리 유닛이 사용된다. 또한, 반도체 디바이스의 다양화에 수반하여, 레지스트액의 종류가 많아지고 있고, 이로 인해 도포 노즐의 개수도 증대되고 있다. 따라서, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 복수종의 레지스트액에 대응할 수 있도록 복수의 노즐을 집약하여 노즐 유닛을 구성하고, 이 노즐 유닛을 복수대의 액처리 유닛에 대해 공용화하는 기술이 있다.

이와 같은 장치에 있어서는, 사용하고 있지 않은 노즐은 노즐 선단부의 레지스트액의 건조 방지를 목적으로 하여, 에어층, 용제층 및 에어층의 층 구조를 형성하여, 소위 덮개를 덮고 있다. 그리고, 도포 처리에 있어서의 기판의 로트 전환 시 등의 노즐의 사용 개시 시에는 이 층 구조를 해제하기 위한 더미 디스펜스가 행해진 후, 새로운 레지스트액에 의한 도포 처리가 행해진다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 그러나, 하나의 로트의 도포 처리 종료 후에 노즐(노즐 유닛)을 대기 위치로 이동시켜, 사용한 노즐의 상기 층 구조의 형성 및 후속 로트에 사용하는 별도의 노즐에 대해 더미 디스펜스를 행하고 있었다. 이로 인해, 기판의 로트 전환 시에는 노즐이 대기 위치에 구속되는 시간이 길어져, 액처리 유닛 내에 기판이 반입되어 있음에도 도포 처리를 개시할 수 없어, 불필요한 준비 대기 시간이 발생하고 있었다.

특허 문헌 2에는 노즐의 전환 시에 있어서의 다음에 도포를 행하는 노즐의 더미 디스펜스 처리를, 전환 전에 사용하고 있는 노즐에 의한 레지스트액의 토출의 종료 전에 행하는 도포 방법에 대해 기재되어 있지만, 이는 기판에 레지스트액을 토출하는 위치와 더미 디스펜스 처리를 행하는 대기 위치 사이를, 각 노즐 각각이 개별로 이동 가능하기 때문에 가능한 방법으로, 각 노즐을 하나의 공유의 아암에 의해 지지하여 이동시키는 멀티 노즐을 대상으로 하는 본 발명과는 전제가 다르다.

일본 특허 출원 공개 제2010-62352호 공보 일본 특허 출원 공개 제2005-79302호 공보

본 발명은 이와 같은 배경 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 복수의 액처리 유닛에 대해, 기판에 도포액을 토출하는 노즐이 공통화된 장치에 있어서, 기판의 로트의 전환 시에 지금까지 사용해 왔던 노즐의 선단부에 용제의 흡입 동작을 포함하는 소정의 처리를 행하는 데 있어서, 이 처리를 행하여도 후속 로트의 기판의 처리로 빠르게 이행할 수 있어, 당해 처리가 처리량에 미치는 영향을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.

본 발명에 있어서의 하나의 도포 방법은,

도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터 기판으로 공급하여 도포막을 형성하는 방법에 있어서,

선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐이 공통의 이동 기구에 의해 일체로 되어 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동하도록 구성된 장치를 사용하고,

제1 액처리 유닛에 반입된 선행 로트의 최후의 기판에 대해 선행 로트용 노즐로부터 도포액을 공급하는 공정과,

그 후, 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 공정과,

상기 이동하는 공정과 더불어 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 공정과,

상기 대기 구역에서 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 공정과,

상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 공정과,

그 후, 후속 로트용 노즐로부터 후속 로트의 선두의 기판으로 도포액을 공급하는 공정과,

상기 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 공정을 행한 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하고, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 있어서의 다른 도포 방법은,

상기 도포액을 공급하는 공정 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 공정과,

상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로부터 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 공정과,

상기 이동하는 공정에 더불어, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하고, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 공정과,

후속 로트용 노즐이 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동 후, 후속 로트용 노즐로부터 당해 기판으로 도포액을 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서의 하나의 도포 장치는,

도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터, 액처리 유닛에 보유지지된 기판에 공급하여 도포막을 형성하는 장치에 있어서,

제1 액처리 유닛 및 제2 액처리 유닛과,

선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐을 일체로 하여 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동시키는 이동 기구와,

선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,

상기 제어부는,

제1 액처리 유닛에 반입된 선행 로트의 최후의 기판에 대해 선행 로트용 노즐로부터 도포액을 공급하는 스텝과,

그 후, 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 스텝과,

상기 이동하는 스텝과 더불어 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 스텝과,

상기 대기 구역에서 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 스텝과,

상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 스텝과,

그 후, 후속 로트용 노즐로부터 후속 로트의 선두의 기판에 도포액을 공급하는 스텝과,

상기 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 스텝을 행한 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하고, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 스텝을 실행하도록 짜여진 프로그램을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 있어서의 다른 도포 장치는,

제1 액처리 유닛 및 제2 액처리 유닛과,

상기 제어부는,

상기 도포액을 공급하는 공정 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 스텝과,

상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로부터 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 스텝과,

상기 이동하는 공정에 더불어, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하고, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 스텝과,

후속 로트용 노즐이 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동 후, 후속 로트용 노즐로부터 당해 기판으로 도포액을 공급하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서의 기억 매체는,

도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터, 액처리 유닛에 보유지지된 기판에 공급하여 도포막을 형성하는 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이고, 또한

제1 액처리 유닛 및 제2 액처리 유닛과,

선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐을 일체로 하여 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동시키는 이동 기구를 구비한 도포 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,

상기 컴퓨터 프로그램은 상술한 도포 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐이 공통의 이동 기구에 의해 일체로 되어 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동하고, 사용하고 있지 않은 노즐의 선단부에, 용제층을 기체(예를 들어, 공기)층에 의해 끼운 층 구조를 형성하는 도포 장치를 대상으로 하고 있다. 그리고 하나의 발명은, 선행 로트의 최후의 기판에 대해 선행 로트용 노즐로부터 도포액을 공급한 후, 선행 로트용 노즐을 대기 구역으로 이동하는 공정과 더불어 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하도록 하고 있다. 또한 다른 발명은, 후속 로트용 노즐을 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 공정에 더불어, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하고 있다. 따라서, 선행 로트용 노즐이 역할을 종료한 후에 노즐 선단부에 상기 층 구조를 형성하는 작업을 행하여도 후속 로트의 기판의 처리를 빠르게 행할 수 있다.

도 1은 본 발명에 있어서의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치의 사시도.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치의 평면도.
도 3은 상기 레지스트 도포 장치의 종단 측면도.
도 4는 상기 레지스트 도포 장치에 있어서의 노즐 헤드의 종단 측면도.
도 5는 상기 레지스트 도포 장치에 있어서의 이동 기구의 사시도.
도 6은 상기 이동 기구의 노즐 버스를 도시하는 단면도.
도 7은 상기 레지스트 도포 장치의 제어부의 구성도.
도 8은 층 구조 형성 시에 있어서의 상기 이동 기구의 레지스트 토출 노즐을 도시하는 단면도.
도 9는 웨이퍼의 로트 전환 시에 있어서의 상기 레지스트 토출 노즐의 동작의 개요를 설명하는 종단 측면도.
도 10은 웨이퍼의 로트 전환 시에 있어서의 상기 레지스트 토출 노즐의 동작의 개요를 설명하는 종단 측면도.
도 11은 상기 레지스트 도포 장치를 구비한 도포, 현상 장치의 평면도.
도 12는 상기 도포, 현상 장치의 사시도.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 도포 방법을 실시하는 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치의 사시도, 평면도 및 종단 측면도이다. 레지스트 도포 장치는 액처리 유닛인 2개의 도포 처리부(1a, 1b)와, 도포액을 토출하는 노즐을 보유지지하여 이동시키는 이동 기구(3)와, 노즐의 대기 구역에 설치된 노즐 버스(5)를 구비하고 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 웨이퍼(W)의 주연부의 레지스트막을 제거하는 레지스트막 주연부 제거 기구가 각 도포 처리부(1a, 1b)마다 설치되어 있다.

도포 처리부(1a, 1b)는 횡방향(도 1 중 Y방향)으로 나란히 배치되어 있다. 각 도포 처리부(1a, 1b)는 각각 마찬가지로 구성되어 있고, 이로 인해 도포 처리부(1a)를 예로 들어 설명한다. 도포 처리부(1a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평으로 보유지지하는 기판 보유지지부인 스핀 척(12a)을 구비하고, 스핀 척(12a)은 회전축(13a)을 통해 회전 구동 기구(14a)와 접속되어 있다. 스핀 척(12a)은 회전 구동 기구(14a)를 통해 웨이퍼(W)를 보유지지한 상태에서 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(14a)는 후술하는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 스핀 척(12a)의 회전 속도를 제어한다.

스핀 척(12a)의 주위에는 스핀 척(12a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(20a)를 구비한 컵(21a)이 설치되어 있고, 컵(21a)의 측 주위면 상단부측은 내측으로 경사진 경사부(22a)를 형성하고 있다. 컵(21a)의 저부측에는, 예를 들어 오목부 형상을 이루는 액 수용부(23a)가 설치되어 있다. 액 수용부(23a)는 격벽(24a)에 의해 웨이퍼(W)의 주연 하방측에 전체 둘레에 걸쳐서 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저류한 레지스트 등을 배출하기 위한 액 배출구(25a)가 형성되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(26a, 26a)가 형성되어 있다.

배기구(26a, 26a)에는 배기관(27a)의 일단부가 접속되어 있고, 배기관(27a)의 타단부는 도시하지 않은 배기 댐퍼를 통해 공장의 배기로에 접속되어 있다.

도면 중 부호 15a는 승강 핀이고, 컵(21a) 내에 3개 설치되어 있다(도 1 및 도 3에서는 편의상 2개만 표시하고 있음). 이 승강 핀(15a)은 승강 기구(16a)에 의해 승강함으로써, 레지스트 도포 장치로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 기구[도 11의 반송 아암(A3)에 상당함]와 스핀 척(12a) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.

도포 처리부(1b)에 대해, 도포 처리부(1a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는, 도포 처리부(1a)의 설명에서 사용한 숫자와 동일한 숫자를 사용하고, 또한 a 대신에 b를 부여하여 각 도면 중에 나타내고 있다.

상기 이동 기구(3)는, 도 5에도 도시한 바와 같이 도포 처리부(1a, 1b)의 배열 방향(도 1 중 Y방향)으로 연신되는 가이드(31)를 따라서 가이드되는 수평 이동부(32)와, 이 수평 이동부(32)로부터 수평으로 연신되는 동시에, 수평 이동부(32)에 대해 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강하는 아암(33)을 구비하고, 이 아암(33)의 선단부에 노즐 유닛(4)이 설치되어 있다. 노즐 유닛(4)은 농도나 성분이 다른 복수 종류, 예를 들어 10종류의 레지스트를 각각 공급하는 10개의 레지스트 토출 노즐(41)과, 웨이퍼(W) 상에서 레지스트를 퍼지기 쉽게 하기 위한 처리액인 용제, 예를 들어 시너를 공급하는 시너 토출 노즐(42)로 이루어지고, 아암(33)의 선단부를 이루는 노즐 헤드(34)의 하측에서 지지되어 있다. 각 노즐(41, 42)은 아암(33)에 의한 이들 노즐(41, 42)의 이동 방향(도 1 중 Y방향)과 병행하도록 배열되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 레지스트 및 시너를 총칭하여 약액이라고 부른다.

아암(33)은 각 도포 처리부(1a, 1b), 도시하지 않은 주연부 제거 기구 및 노즐 버스(5)와의 간섭을 방지하기 위해, 상승한 상태에서 횡방향으로 이동한다. 그리고, 아암(33)은 노즐 유닛(4)으로부터 약액을 웨이퍼(W)에 공급할 때에는, 미스트의 발생을 억제하기 위해, 웨이퍼(W)와 노즐(41, 42) 사이의 거리가 소정의 크기로 되도록 하강 위치로 이동한다.

각 노즐(41, 42)은 연직 하방으로 개방된 약액의 토출구를 구비하고 있다. 각 노즐(41, 42)은 수평 이동부(32)의 횡방향의 이동에 의해, 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동할 수 있고, 연직축 주위로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 각 토출구로부터 약액을 토출한다. 토출된 약액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 전신(展伸)하는, 소위 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 도포된다.

도 3 중 부호 43은 약액 공급 유닛이다. 약액 공급 유닛(43)은 각 노즐(41, 42)에 각각 공급하는 약액이 저류된 탱크와, 탱크 내를 가압하여 당해 탱크 내의 약액을 노즐로 송액하기 위한 송액 기구를 구비한 레지스트 공급 기구(44) 및 시너 공급 기구(6)에 의해 구성되어 있다. 또한, 레지스트 공급 기구(44)는 노즐(41)과 동일한 수인 10기 설치되어 있다. 도면 중 부호 45는 노즐(41, 42)과 각 약액 공급 기구(44)를 접속하는 약액 공급 라인이고, 각 약액 공급 라인(45)에는 밸브(46)를 포함하는 유량 제어부(47)가 개재 설치되어 있다. 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 각 밸브(46)의 개폐가 제어되고, 10종류의 레지스트 및 시너를 전환하여 웨이퍼(W)에 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 각 노즐(41, 42) 각각의 1차측에는, 도 4에 도시한 바와 같이 노즐 헤드(34)(도 3 참조) 내에 있어서, 토출 밸브(V) 및 색백 밸브(SV)가 토출측으로부터 이 순서대로 직렬로 설치되어 있다. 이들 밸브(V, SV)는 공기압 제어 기구(61)에 의해 공기압을 동력으로 하여 동작한다. 토출 밸브(V)는 공기압에 의해 각 약액 공급 라인(45)(도 3 참조)과 각 노즐(41, 42) 사이에서 유로의 개폐를 행한다. 색백 밸브(SV)는 약액 흡인 공간(63)을 구비하고 있고, 이 약액 흡인 공간(63)은 공기압에 의해 동작하는 피스톤 기구에 의해, 용적 및 약액 압력을 조정 가능하게 되어 있다. 도 4 중 부호 62 및 부호 65는 각각 색백 밸브(SV) 및 토출 밸브(V)의 밸브체이고, 부호 64는 공기압 제어 기구(61)와 색백 밸브(SV) 및 토출 밸브(V) 사이에서 공기를 통류시키기 위한 배관이다.

노즐 버스(5)는, 도 2에 도시한 바와 같이 노즐 유닛(4)(도 1 참조)이 수평 이동하는 방향(도 2 중 Y방향)의 일단부측인 대기 구역에 있어서, 베이스(2)(도 1 참조) 상에 설치되어 있다. 노즐 버스(5)에는, 도 6에 도시한 바와 같이 각 노즐(41, 42)이 개별로 수납되는 통 형상의 세정실(51)이 노즐의 수량분, 즉 11실 설치되어 있다. 이들 세정실(51)의 하부는 깔때기와 같은 형상을 이루고 있고, 그 하단부에서는 개구부(52)를 통해 각 세정실(51) 공용의 액 배출실(53)과 도통하고 있다. 이 개구부(52)는 시너의 공급량의 정도에 따라서는, 세정실(51)에 시너를 저류할 수 있을 정도의 개구 면적을 갖는다.

액 배출실(53)로 유입된 액체는 도시하지 않은 배수관을 통해 자연 유동 하강에 의해 레지스트 도포 장치의 밖으로 배수된다. 또한, 각 세정실(51)의 하부의 측벽에는 상기 깔때기 형상 부분에 시너 공급구(54)가, 상기 깔때기 형상 부분보다 약간 상방의 통 형상 부분에 시너 공급구(55)가 각각 형성되어 있다. 도 6에 도시한 바와 같이, 이들 시너 공급구(54, 55)는 각각, 각 세정실(51)마다, 배관(58)을 통해 시너 공급 기구(6)에 접속되어 있다. 이 배관(58)에는 각 시너 공급구(54, 55)에 대응하는 밸브(57)를 포함하는 시너 공급 제어부(56)가 개재 설치되어 있다. 이 시너 공급 제어부(56)는 제어부(7)의 제어 신호에 의해, 각 밸브(57)의 개폐 동작을 제어하여, 각 세정실(51) 및 각 시너 공급구(54, 55)에 있어서의 시너 공급량을 조정할 수 있다. 노즐 유닛(4)(도 1 참조)은, 웨이퍼(W)에서 처리를 행하지 않을 때에는, 이 노즐 버스(5) 내에 수납되어 대기한다.

이 레지스트 도포 장치에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지는 제어부(7)가 설치되어 있다. 제어부(7)는 버스(70), 프로그램(71), 기억부(72), CPU(74), 조작부(75), 표시부(76)를 구비하고 있다. 또한, 표시부(76)는, 예를 들어 디스플레이로서 구성된다. 프로그램(71)은, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 컴퓨터 기억 매체에 의해 구성된 프로그램 저장부에 저장되어, 제어부(7)에 인스톨된다. 또한, 도 7에서는, 편의상, 이 프로그램 저장부를 생략하고 있다.

제어부(7)에는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 반송을 제어하는 상위 컴퓨터로부터, 레지스트 도포 장치 내로 반입되는 웨이퍼(W)의 처리 레시피가 보내져, 이 처리 레시피는 기억부(72)에 저장된다. CPU(74)가 프로그램(71)의 각 명령을 실행할 때에는, 기억부(72)에 저장되어 있는 처리 레시피가 판독되고, 이 처리 레시피에 따라서, 제어 신호가 레지스트 도포 장치의 각 부로 보내진다. 또한, 프로그램(71)의 작용으로서는, 표시부(76)로의 표시에 관한 동작 등도 포함된다.

버스(70)에는 상술한 수평 이동부(32)(도 1 참조), 약액 공급 유닛(43), 유량 제어부(47) 및 시너 공급 제어부(56) 등이 접속되어 있고, 웨이퍼(W)로의 레지스트 도포 처리를 실행할 수 있도록 되어 있다.

여기서, 이 실시 형태에 관한 레지스트 도포 방법의 작용에 대해 설명하기 전에, 본 발명에 있어서 대기 중의 레지스트 토출 노즐(41)이 그 선단 부분에 형성하는 층 구조에 대해 설명한다. 이 실시 형태에서는, 복수의 레지스트 토출 노즐(41)이 공용의 아암(33)(도 3 참조)에 지지되어 있으므로, 사용 중의 노즐(41) 이외의 노즐(41)은 그 동안 도포 처리에 관계없이 대기하고 있게 된다. 이로 인해, 이 대기 중에 노즐(41) 내의 레지스트액이 대기와 접촉하고 있으면, 노즐(41) 내의 레지스트액 중의 용제가 대기 중에 휘발되어, 이 레지스트액이 고화되거나 농도가 변화되어 버려, 결과적으로 도포 불량이 발생할 우려가 있다. 이 대책으로서, 노즐(41)의 사용 후에는, 레지스트 도포 장치 내의 분위기, 예를 들어 공기, 그리고 용제, 예를 들어 시너액을 흡인함으로써, 도 8에 도시한 바와 같이, 노즐(41)의 선단부에 있어서 2개의 공기층(A1, A2)에 의해 시너층(T)을 끼우도록 층 구조를 형성하여, 노즐(41) 내의 레지스트액(R)의 대기와의 접촉을 억제하고 있다.

다음에, 도 4의 실시 형태에 있어서의 각 노즐(41, 42)에 의한 약액의 토출 공정 및 흡액 공정에 대해 설명한다. 노즐(41, 42)에 있어서의 약액의 토출 공정은 압력 정정(settlement) 스텝 및 토출 스텝으로 이루어진다. 압력 정정 스텝이라 함은, 색백 밸브(SV)의 약액 흡인 공간(63)에 약액이 소정량 채워져, 토출 밸브(V) 및 밸브(46)를 폐쇄한 상태에서, 공기압 제어 기구(61)에 의해 약액 흡인 공간(63) 내의 압력을 소정의 값으로 조정하는 스텝이다. 토출 스텝이라 함은, 이 압력 정정이 완료된 상태로부터, 토출 밸브(V)를 개방함으로써 소정량의 약액을 웨이퍼(W)(도 3 참조)에 토출하는 스텝이다. 한편, 약액의 흡액 공정이라 함은, 약액을 토출한 후, 토출 밸브(V)를 폐쇄하고 밸브(46)를 개방한 상태에서, 색백 밸브(SV)의 밸브체(62)를 약액 흡인 공간(63)의 용적을 크게 하는 방향으로 동작시킴으로써, 레지스트 공급 기구(44) 및 시너 공급 기구(6)로부터 약액 흡인 공간(63) 내로 약액을 흡인하는 공정이다. 그 밖에, 이 실시 형태의 층 구조의 형성에 있어서의 공기 및 시너의 흡인에 대해서는, 상기 흡액과는 반대로, 토출 밸브(V)를 개방하고 밸브(46)를 폐쇄한 상태에서, 색백 밸브(SV)의 밸브체(62)를 약액 흡인 공간(63)의 용적을 크게 하는 방향으로 동작시킴으로써 행해진다. 이들 동작은 제어부(7)(도 3 참조)로부터의 제어 신호에 의해 행해진다.

계속해서, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 이 실시 형태의 작용에 대해 설명한다. 이 실시 형태의 작용의 특징은, 로트의 전환 시에 있어서의 노즐(41)에 관련되는 조작에 있지만, 우선 도포 처리부[1a(1b)] 내에서 웨이퍼(W)에 대해 행해지는 처리에 대해 설명한다. 또한, 이하에 행해지는 공정은 프로그램 저장부에 저장된 프로그램(71)(도 7 참조)에 기초하여 실행된다. 레지스트 도포 장치의 외부의 기판 반송 기구에 의해, 예를 들어 도포 처리부(1a)로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)을 통해 스핀 척(12a)으로 전달된다. 그 후, 노즐 버스(5)에서 대기하고 있는 노즐 유닛(4)이 아암(33)을 통해 상승하여, Y방향으로 이동하고, 시너 토출 노즐(42)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치한 후, 아암(33)이 하강한다. 예를 들어, 이 아암(33)의 이동 동작과 병행하여, 스핀 척(12a)을 회전시키고, 그 회전 중의 웨이퍼(W) 상에 시너를 공급한다. 시너가 스핀 코팅된 후, 당해 처리에서 사용되는 레지스트 토출 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하도록, 아암(33)이 Y방향으로 이동한다. 이 이동 동작과 병행하여, 웨이퍼(W)의 회전수가 상승하고, 웨이퍼(W) 상에 레지스트가 공급되고, 스핀 코팅에 의해, 웨이퍼(W) 표면 전체에 레지스트가 도포된다.

상기 레지스트 공급 정지 후, 레지스트액(R)이 도포된 웨이퍼(W)의 회전수를 저하시켜, 레지스트의 두께를 균일하게 하고, 계속해서 다시 회전수를 상승시킴으로써 코팅한 레지스트를 제거 건조하여 레지스트막을 형성한다. 이 제거 건조가 완료된 웨이퍼(W)는 웨이퍼(W) 주연부에 도포된 레지스트막을 전술한 도시하지 않은 도포막 주연부 제거 기구에 의해 제거함으로써, 일련의 액처리를 완료한다. 그리고, 웨이퍼(W)는 승강 핀(15a)을 통해 레지스트 도포 장치의 외부의 기판 반송 기구로 전달되어, 레지스트 도포 장치로부터 반출된다.

다음에, 본 발명에 있어서의 웨이퍼(W)의 로트 전환 시에 있어서의 공정에 대해, 도 9 및 도 10을 참조하면서 설명한다. 이하의 설명에서는, 도포 처리부[1a(1b)]에서 웨이퍼(W)에 대해 행해지는 처리는 간략화하고 있다. 지금, 제1 도포 처리부(1a)에서, 선행 로트(A)의 최후로부터 2번째의 웨이퍼(WA24)에 대해, 레지스트 토출 노즐(41)의 하나인 선행 로트용 노즐(N1)로부터 선행 로트용 레지스트액(RA)이 공급되고 있는 것으로 한다. 그동안, 제2 도포 처리부(1b)에서는, 선행 로트(A)의 최후로부터 3번째의 웨이퍼(WA23)의 제거 건조가 행해지고 있다[도 9의 (a)]. 웨이퍼(WA24)로의 레지스트액(RA)의 공급이 종료되면, 노즐(N1)을 포함하는 노즐 유닛(4)(도 5 참조)은 대기 구역으로 복귀된다. 그리고, 후속 로트(B)용 레지스트 토출 노즐(41)인 노즐(N2)은 노즐(N2)용 세정실(51)(도 6 참조)인 대기 버스(BA2)에, 전술한 층 구조를 형성하고 있던 시너를 토출하고, 선행 로트(A)의 최종의 웨이퍼(WA25)의 처리를 남긴 상태에서, 이미 후속 로트(B)의 도포 처리에 대비한다. 그동안, 제1 도포 처리부(1a)에서는, 웨이퍼(WA24)는 제거 건조 공정에 들어가고, 이 제거 건조 공정의 도중에 있어서, 제2 도포 처리부(1b)에서는, 선행 로트(A)의 최후로부터 3번째의 웨이퍼(WA23)의 반출과 그것에 이어서 선행 로트(A)의 최후의 웨이퍼(WA25)의 반입이 행해진다[도 9의 (b)]. 또한, 상기 기판 반송 기구는 미리 설정된 사이클 시간에 처리 블록 내의 담당의 모듈 사이를 주회하고 있고, 이로 인해 이 사이클 시간의 간격으로 웨이퍼(W)가 도포 처리부[1a(1b)]에 교대로 반입된다[웨이퍼(W)의 교체가 행해짐].

제2 도포 처리부(1b)의 스핀 척(12b)에 선행 로트(A)의 최후의 웨이퍼(WA25)가 전달되면, 노즐 유닛(4)은 제2 도포 처리부(1b) 상으로 이동하고, 노즐(N1)로부터 웨이퍼(WA25)로 레지스트액(RA)이 공급된다[도 9의 (c)]. 웨이퍼(WA25)로의 레지스트액(RA)의 공급이 완료되면, 노즐 유닛(4)은 노즐 버스(5)로 이동한다. 이때, 노즐(N1)은 노즐 버스(5)로 이동하면서, 레지스트 도포 장치 내의 분위기, 예를 들어 공기를 흡입함으로써, 노즐(N1) 내의 선단부에 제1 공기층을 형성한다. 또한, 노즐 버스(5)에서는, 이 노즐 유닛(4)의 이동 중에, 노즐(N1)용 세정실(51)인 대기 버스(BA1)에 있어서, 시너 공급 기구(6)(도 6 참조)로부터 시너(T)가 공급되어 저류되어 있다. 그동안, 제1 도포 처리부(1a)에서는 웨이퍼(WA24)가 반출되고, 제2 도포 처리부(1b)에서는 웨이퍼(WA25)의 제거 건조가 행해지고 있다[도 9의 (d)].

노즐 버스(5)로 복귀된 노즐 유닛(4)에서는, 제1 공기층을 형성한 노즐(N1)이 대기 버스(BA1)에 저류된 시너(T)를 흡인하여 시너층(T)을 형성한다[도 10의 (e)]. 그리고, 제1 도포 처리부(1a)에 후속 로트(B)의 최초의 웨이퍼(WB1)가 반입된 후, 노즐 유닛(4)은 제1 도포 처리부(1a) 상으로 이동한다. 이 이동 중에 노즐(N1)에서는 레지스트 도포 장치 내의 분위기, 예를 들어 공기의 흡인이 행해짐으로써, 노즐(N1) 내의 선단부에 제2 공기층(A2)(도 8 참조)이 형성되고, 노즐(N1)에 있어서의 상술한 층 구조의 형성이 완료된다[도 10의 (f)]. 그 후, 제1 도포 처리부(1a)에서는, 후속 로트(B)용 레지스트 토출 노즐(41)인 노즐(N2)에 의해, 후속 로트(B)의 최초의 웨이퍼(WB1)에 대해, 후속 로트용 레지스트액(RB)을 공급한다[도 10의 (g)]. 이것 이후에는, 전술한 바와 같이 제1 도포 처리부(1a) 및 제2 도포 처리부(1b)에 후속 로트(B)의 웨이퍼(WB)가 교대로 반송되어, 이 웨이퍼(WB)에 대해 노즐(N2)이 양 도포 처리부(1a, 1b)와 대기 버스(BA2) 사이를 왕복하여 레지스트액(RB)을 공급함으로써 도포 처리가 행해진다.

상술한 실시 형태는 선행 로트(A)용 레지스트 토출 노즐(41)[도 9 및 도 10 중 노즐(N1)]과 후속 로트(B)용 레지스트 토출 노즐(41)[도 9 및 도 10 중 노즐(N2)]이 공통의 이동 기구(3)(도 5 참조)에 의해 일체로 되어, 도포 처리부(1a, 1b)의 상방과 대기 구역에 있는 노즐 버스(5) 사이를 이동하고, 또한 사용하고 있지 않은 레지스트 토출 노즐(41)의 선단부에, 시너층(T)을 제1 공기층(A1)(도 8 참조)과 제2 공기층(A2)에 의해 끼운 층 구조를 형성하는 레지스트 도포 장치에 대해, 다음과 같은 고안을 하고 있다. 즉, 선행 로트(A)의 최후의 웨이퍼(WA25)에 대해 선행 로트(A)용 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N1)]로부터 레지스트액(RA)을 공급한 후, 선행 로트(A)용 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N1)]을 노즐 버스(5)로 이동하는 공정과 더불어, 선행 로트(A)용 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N1)]에 분위기의 기체인 공기를 흡입시켜 당해 노즐(41)[노즐(N1)] 내에 제1 공기층(A1)을 형성하도록 하고 있다. 또한, 후속 로트(B)용 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N2)]을 후속 로트(B)의 선두의 웨이퍼(WB)의 상방으로 이동시키는 공정에 더불어, 선행 로트(B)용 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N2)]에 분위기의 기체인 공기를 흡입시켜 당해 노즐(41)[노즐(N2)] 내에 제2 공기층(A2)을 형성하고 있다. 따라서, 선행 로트(A)용 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N1)]이 역할을 종료한 후에 노즐(41)[노즐(N1)]의 선단부에 상기 층 구조를 형성하는 작업을 행하여도, 후속 로트(B)의 웨이퍼(WB)의 처리를 불필요한 대기 시간이 발생하는 일 없이 빠르게 행할 수 있다.

또한, 상술한 실시 형태에서는, 제1 공기층(A1) 및 제2 공기층(A2)의 양쪽의 형성 공정에 대해 각각, 노즐 유닛(4)의 이동 공정과 더불어 행하고 있지만, 이들 양 공기층 형성 공정 중, 어느 한쪽에 대해서만 노즐 유닛(4)의 이동 공정과 더불어 행하여도, 상기 불필요한 대기 시간을 단축하여 빠르게 후속 로트(B)의 웨이퍼(WB)의 처리를 개시할 수 있다.

또한, 상술한 실시 형태에서는, 선행 로트(A)의 최후로부터 2번째의 웨이퍼(WA24)로의 레지스트액(RA)의 공급 공정과, 마찬가지로 최후의 웨이퍼(WA25)로의 레지스트액(RA)의 공급 공정 사이에, 노즐 유닛(4)을 일단 노즐 버스(5)로 이동시키고, 후속 로트(B)용 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N2)]에서 층 구조를 형성하고 있던 시너(T)를 토출하고 있다. 또한, 상기 웨이퍼(WA25)로의 레지스트액(RA)의 공급 후에, 노즐 유닛(4)이 노즐 버스(5)에 도착하기 전에, 선행 로트(A)용의 레지스트 토출 노즐(41)[노즐(N1)]용 세정실(51)인 대기 버스(BA1)에 이미 시너(T)를 저류하고 있다. 따라서, 웨이퍼(WA25)로의 레지스트액(RA)의 공급 공정과 후속 로트(B)의 최초의 웨이퍼(WB)로의 레지스트액(RB)의 공급 공정 사이에 노즐 유닛(4)에서 행하는 작업이 적어져, 상기 불필요한 대기 시간의 발생을 더욱 경감시킬 수 있다.

선행 로트(A)용 노즐(N1)을 후속 로트(B)용 노즐(N2)과 함께 노즐 버스(5)로 이동시키는 공정과 더불어, 선행 로트(A)용 노즐(N1)에 공기를 흡입시켜 당해 노즐(N1) 내에 제1 공기층(A1)을 형성하는 공정을 행하는 것이 바람직하지만, 이 경우, 공기의 흡입 종료의 시점은 선행 로트(A)용 노즐(N1)이 노즐 버스(5)에 도착한 후라도 좋다.

또한, 선행 로트(A)용 노즐(N1) 내에 제2 공기층(A2)을 형성하는 공정은, 후속 로트(B)용 노즐(N2)을 선행 로트(A)용 노즐(N1)과 함께 노즐 버스(5)로부터 상기 후속 로트(B)의 최초의 웨이퍼(WB1)의 상방으로 이동시키는 공정과 더불어 행하는 데 있어서, 공정의 일부가 중복되어 있는 경우도 포함한다. 즉, 이 경우, 선행 로트(A)용 노즐(N1)에 있어서의 공기의 흡입 개시 시점은, 예를 들어 당해 노즐(N1)이 대기 버스(BA1)에 대기하고 있는 시점이라도 좋다. 또한, 선행 로트(A)용 노즐(N1)에 있어서의 공기의 흡입 종료 시점은, 후속 로트(B)용 노즐(N2)이 후속 로트(B)의 최초의 웨이퍼(WB1)의 상방으로 이동한 후라도 좋다.

상술한 실시 형태에서는, 1개의 레지스트 도포 장치에 2개의 도포 처리부(1a, 1b)가 설치되어 있는 경우에 대해 서술하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 3개 이상의 도포 처리부를 갖는 레지스트 도포 장치에 대해서도 적용할 수 있다.

이하, 도 11 및 도 12에 도시되어 있는, 도포, 현상 장치(110)에 내장된 상술한 레지스트 도포 장치에 대해 설명한다. 도 11은 도포, 현상 장치(110)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 12는 상기 시스템의 사시도이다. 이 도포, 현상 장치(110)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 그 적재대(111) 상에 적재된 밀폐형 캐리어(C)로부터 전달 아암(112)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 아암(112)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C)로 복귀시키도록 구성되어 있다. 캐리어(C)에는 동일 로트의 웨이퍼(W)가 다수매 수납되어 있고, 각 웨이퍼(W)는 순차적으로 처리 블록(C2)으로 반송된다.

상기 처리 블록(C2)은, 도 12에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성을 행하기 위한 제4 블록(ITC층)(B4)을, 하부로부터 순서대로 적층하여 구성되어 있다.

처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 볼 때 동일하게 구성되어 있다. 여기서는, 제3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명한다. COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트 도포 모듈(113)과, 이 레지스트 도포 모듈(113)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열계 및 냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 내지 U4)과, 상기 레지스트 도포 모듈(113)과 가열계 및 냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 내지 U4) 사이에 설치되고, 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A3)에 의해 구성되어 있다. 이 레지스트 도포 모듈(113)이 상술한 레지스트 도포 장치에, 반송 아암(A3)이 상술한 기판 반송 기구에 상당한다.

상기 선반 유닛(U1 내지 U4)은 반송 아암(A3)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라서 배열되고, 각각 상기한 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 적재된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 적재된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다. 또한, 처리 블록(C2)에는, 도 11에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U5)은 캐리어 블록(C1) 및 처리 블록(C2)의 각 블록층(B1 내지 B4) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달을 중개하고 있다. 또한, D1은 선반 유닛(U5) 내의 각 유닛 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 아암이다.

도포, 현상 장치(110)에 반입된 웨이퍼(W)는 캐리어 블록(C1)을 경유하여, 선반 유닛(U5)으로 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 BCT층(B2)에서 반사 방지막이 형성된 후, 선반 유닛(U5)으로 복귀된다. 그곳으로부터, 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)에 의해, 직접 혹은 선반 유닛(U1 내지 U4)을 경유하여, 레지스트 도포 모듈(113)에 반입되어, 레지스트가 도포된다. 도포 처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)에 의해 선반 유닛(U5)으로 복귀된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반사 방지막의 형성, 노광 및 현상 등의 처리 공정을 거쳐서, 캐리어 블록(C1)보다 외부로 반출된다. 또한, C3은 도포, 현상 장치(110)와 노광 장치(C4) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달을 중개하는 인터페이스 블록이다.

본 발명의 도포 장치를 상기한 예에서는 레지스트 도포 장치로서 구성하고 있지만, 예를 들어 이 도포, 현상 장치(110)에 설치된 반사 방지막 형성 모듈로서 구성하여 레지스트 대신에, 각 모듈에 대응하는 약액을 토출하는 것이라도 좋고, 실리콘 산화막으로 이루어지는 절연막을 형성하기 위한 전구 물질을 포함하는 약액이라도 좋다.

W : 웨이퍼
WA24 : 선행 로트의 최후로부터 2번째의 웨이퍼
WA25 : 선행 로트의 최후의 웨이퍼
WB : 후속 로트의 웨이퍼
WB : 1차 로트의 최초의 웨이퍼
BA1 : 노즐(N1)용 대기 버스(세정실)
BA2 : 노즐(N2)용 대기 버스(세정실)
1a, 1b : 도포 처리부
12a, 12b : 스핀 척
2 : 기대
21a, 21b : 컵
3 : 이동 기구
30 : 노즐 버스
32 : 수평 이동부
33 : 아암
4 : 노즐 유닛
41, N1, N2 : 레지스트 토출 노즐
42 : 시너 토출 노즐
5 : 노즐 버스
51 : 세정실
52 : 개구부
53 : 액 배출실
54, 55 : 시너 공급구
56 : 시너 공급 제어부
6 : 시너 공급 기구
7 : 제어부
71 : 프로그램

Claims

도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터 기판으로 공급하여 도포막을 형성하는 방법에 있어서,
선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐이 공통의 이동 기구에 의해 일체로 되어 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동하도록 구성된 장치를 사용하고,
제1 액처리 유닛에 반입된 선행 로트의 최후의 기판에 대해 선행 로트용 노즐로부터 도포액을 공급하는 공정과,
그 후, 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 공정과,
상기 이동하는 공정과 더불어 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 공정과,
상기 대기 구역에서 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 공정과,
상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 공정과,
그 후, 후속 로트용 노즐로부터 후속 로트의 선두의 기판에 도포액을 공급하는 공정과,
상기 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 공정을 행한 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하고, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포 방법.
제1항에 있어서, 선행 로트용 노즐 내에 하측 기체층을 형성하는 공정은, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로부터 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 공정과 더불어 행해지는 것을 특징으로 하는, 도포 방법.
도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터 기판으로 공급하여 도포막을 형성하는 방법에 있어서,
선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐이 공통의 이동 기구에 의해 일체로 되어 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동하도록 구성된 장치를 사용하고,
제1 액처리 유닛에 반입된 선행 로트의 최후의 기판에 대해 선행 로트용 노즐로부터 도포액을 공급하는 공정과,
그 후, 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 공정과,
상기 도포액을 공급하는 공정 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 공정과,
상기 대기 구역에서 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 공정과,
상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로부터 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 공정과,
상기 이동하는 공정에 더불어, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하여, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 공정과,
후속 로트용 노즐이 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동 후, 후속 로트용 노즐로부터 당해 기판으로 도포액을 공급하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 공정에 더불어, 선행 로트용 노즐의 대기 구역에 용제를 저류하는 것을 특징으로 하는, 도포 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 선행 로트용 노즐이 제1 액처리 유닛과는 별도의 액처리 유닛 내의 선행 로트의 최후로부터 1개 전의 기판의 도포를 종료하고 대기 구역으로 복귀되고 있을 때에, 대기 구역에서 후속 로트용 노즐로부터 용제를 토출하는 것을 특징으로 하는, 도포 방법.
도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터, 액처리 유닛에 보유지지된 기판에 공급하여 도포막을 형성하는 장치에 있어서,
제1 액처리 유닛 및 제2 액처리 유닛과,
선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐을 일체로 하여 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동시키는 이동 기구와,
선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
제1 액처리 유닛에 반입된 선행 로트의 최후의 기판에 대해 선행 로트용 노즐로부터 도포액을 공급하는 스텝과,
그 후, 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 스텝과,
상기 이동하는 스텝과 더불어 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 스텝과,
상기 대기 구역에서 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 스텝과,
상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 스텝과,
그 후, 후속 로트용 노즐로부터 후속 로트의 선두의 기판에 도포액을 공급하는 스텝과,
상기 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 스텝을 행한 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하여, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 스텝을 실행하도록 짜여진 프로그램을 갖는 것을 특징으로 하는, 도포 장치.
제6항에 있어서, 상기 프로그램은 선행 로트용 노즐 내에 하측 기체층을 형성하는 스텝이, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로부터 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 스텝과 더불어 행해지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포 장치.
도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터, 액처리 유닛에 보유지지된 기판에 공급하여 도포막을 형성하는 장치에 있어서,
제1 액처리 유닛 및 제2 액처리 유닛과,
선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐을 일체로 하여 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동시키는 이동 기구와,
선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
제1 액처리 유닛에 반입된 선행 로트의 최후의 기판에 대해 선행 로트용 노즐로부터 도포액을 공급하는 스텝과,
그 후, 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 스텝과,
상기 도포액을 공급하는 공정 후에, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 상측 기체층을 형성하는 스텝과,
상기 대기 구역에서 선행 로트용 노즐 내에 용제를 흡입하는 스텝과,
상기 제1 액처리 유닛과는 다른 제2 액처리 유닛에 후속 로트의 선두의 기판이 반입된 후, 후속 로트용 노즐을 선행 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로부터 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동시키는 스텝과,
상기 이동하는 공정에 더불어, 선행 로트용 노즐에 분위기의 기체를 흡입시켜 당해 노즐 내에 하측 기체층을 형성하고, 상측 기체층과 하측 기체층에 의해 용제층을 끼워 넣은 상태를 형성하는 스텝과,
후속 로트용 노즐이 상기 후속 로트의 선두의 기판의 상방으로 이동 후, 후속 로트용 노즐로부터 당해 기판으로 도포액을 공급하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포 장치.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로그램은 선행 로트용 노즐을 후속 로트용 노즐과 함께 대기 구역으로 이동하는 스텝에 더불어, 선행 로트용 노즐의 대기 구역에 용제를 저류시키는 스텝을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포 장치.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로그램은 선행 로트용 노즐이 제1 액처리 유닛과는 별도의 액처리 유닛 내의 선행 로트의 최후로부터 1개 전의 기판의 도포를 종료하고 대기 구역으로 복귀되고 있을 때에, 대기 구역에서 후속 로트용 노즐로부터 용제를 토출하는 스텝을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포 장치.
도포막의 성분을 용제에 용해한 도포액을 노즐로부터, 액처리 유닛에 보유지지된 기판에 공급하여 도포막을 형성하는 장치이며,
제1 액처리 유닛 및 제2 액처리 유닛과,
선행 로트용 노즐과 후속 로트용 노즐을 일체로 하여 액처리 유닛의 상방과 대기 구역 사이를 이동시키는 이동 기구를 구비한 도포 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체에 있어서,
상기 컴퓨터 프로그램은 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도포 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는, 기억 매체.