KR101010158B1 - 액처리 장치 및 액처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것으로서 각 기판보지부를 각각 둘러싸는 복수의 컵체에 각각 접속된 복수의 배기로를 공통화하고 기판을 기판보지부에 의해 기판을 회전시켜서 액처리를 행하는 것에 있어 각 배기로에 설치된 배기량 조정부의 개폐도를 각 기판보지부의 회전수의 조합과 각 배기로의 설정배기량의 조합을 대응지은 데이터를 참조하여 조정하고 있다. 따라서 본 발명에 의하면 어떤 컵내의 기판이 어떤 공정을 행하고 있는 것에 좌우되지 않고 항상 컵내를 예정한 배기량으로 배기할 수 있는 기술을 제공한다.

Description

액처리 장치 및 액처리 방법{LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD}

도 1은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 액처리 장치를 나타내는 평면도와 단면도이다.

도 2 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 액처리 장치에 설치된 액처리부를 나타내는 개략 단면도이다.

도 3은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 액처리 장치에 설치된 처리액 노즐을 나타내는 개략 사시도이다.

도 4는 도 2의 액처리부에 접속되는 배기관을 나타내는 구성도이다.

도 5는 본 발명의 실시의 형태에 이용되는 제어부를 나타내는 블럭도이다.

도 6은 본 발명의 실시의 형태에 있어서 각 액처리부내의 처리 상태를 나타내는 설명도이다.

도 7은 도 2의 액처리부에 접속되는 배기관의 다른 구성을 나타내는 구성도이다.

도 8은 본 발명의 실시의 형태에 이용되는 배기량 증폭기구의 단면도이다.

도 9는 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 액처리 장치가 탑재된 도포·현상 장치평면도이다.

도 10은 도 9의 도포·현상 장치 사시도이다.

도 11은 도 9의 도포·현상 장치 측부단면도이다.

도 12는 도 9의 도포·현상 장치에 있어서의 도포 유니트; 선반 유니트 및 반송 수단을 나타내는 사시도이다.

본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용의 유리 기판(LCD 기판)과 같은 기판에 대해서 액처리 예를 들면 레지스트의 도포 노광 후의 현상 처리등을 실시하는 액처리 장치 및 그 방법에 관한다.

반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스의 하나인 레지스트 패턴을 기판상에 형성하는 공정 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다. )에 레지스트막을 형성해 포토마스크를 이용해 해당 레지스트막을 노광 한 후 현상 처리를 실시하는 것으로 원하는 패턴을 구하는 일련의 공정에 의해 행해지고 있다. 이들의 일련의 공정은 종래부터 도포·현상 장치에 의해 행해지고 있다.

이 도포·현상 장치는 레지스트액의 도포를 실시하는 도포 유니트 반사 방지막용의 처리액을 도포하는 반사 방지막 형성 유니트등의 액처리 유니트를 갖추고 있어 높은 수율을 확보하기 위해서 통상은 도포유니트 및 반사 방지막 형성 유니트가 각각 복수 설치되고 있다.

이들 액처리 유니트는 웨이퍼보지부인 스핀 척의 주위를 둘러싸도록 컵체가 설치되고 이 유니트 안에서 주로 스핀 코팅 ; 분출 건조 ; 또한 사이드린스 등의 처리를 한다. 스핀코팅시에는 웨이퍼의 중앙부에 적하된 처리액을 원심력에 의해 웨이퍼의 지름 방향으로 넓히기 때문에 스핀에 의해 비산한 미스트를 배기하기 위해 컵체에 접속한 배기관에 의해 배기를 실시하고 있다. 이 경우 미스트의 배기가 너무 강하면 웨이퍼의 막두께에 영향을 미칠 우려가 있으므로 양자의 균형으로 배기의 강도를 결정하고 있다.

또 분출 건조 및 사이드린스시에서는 회전시키면서 처리액의 용제를 토출하거나 기판상의 처리액을 고속 회전으로 분출하기 때문에 그만큼 비산하는 미스트의 양도 많기 때문에 스핀코팅시보다 강한 배기를 필요로 하는 경우도 있다.

이 점에 관하여 일본국 특개 2000-l56341에는 각 컵체에 접속된 배기관을 도중에 공통화해 공통화 포인트보다도 상류측으로 각 배기관에 온 오프에 의해 개폐 제어되는 개폐 밸브를 설치하는 것이 기재되고 있다.

그런데 본 발명자는 레지스트막을 형성하기 위한 액처리 유니트인 레지스트액의 도포 유니트 및 반사 방지막의 형성 유니트를 포함한 블럭과 현상 처리를 실시하는 블럭을 분리해 캐리어블럭 (복수의 웨이퍼를 수납한 카셋트가 놓여지는 영역)으로부터 노광기로 웨이퍼가 반송되는 직선상의 반송로와 노광기로부터 캐리어 블럭으로 돌아가는 직선상의 반송로를 독립으로 형성하고 수율을 더 한층 향상시키는 것을 검토하고 있다.

또한 상기 반송로를 따라 액처리 유니트의 일부를 이루는 상기 컵체를 횡렬 그리고 복수 배열하고 이들 컵체의 저부에 각각 접속된 배기관을 컵체의 배열에 따라 배관한 공통의 배기관에 접속하는 것을 검토하고 있다. 배기관은 구경이 크기 때문에 각 컵체의 배기관을 각각 장치의 밖까지 꺼내면 큰 스페이스를 필요로 한다. 그 때문에 본 발명자들이 검토하고 있는 상기 구성은 배기관이 이동 스페이스를 작게 할 수 있는 점에서도 유리하다.

이 점에 관해 종래의 기술에서는 하나의 컵체내에서 스핀 척이 회전하고 있어 강한 배기를 실시하고 있을 때 다른 컵체내에 있어서도 웨이퍼의 처리를 실시하기 위해서 스핀 척이 회전해 강한 배기를 실시하려고 하면 다음과 같은 문제가 일어난다.

즉 1개의 컵체내의 배기를 실시하는 경우와 2개의 컵체내의 배기가 겹치는 경우에서는 배기 능력이 작으면 각 컵체의 배기 유량이 바뀌어 버릴 우려가 있다. 따라서 각 컵체에 있어서 항상 원하는 배기량을 얻으려고 하려면 배기 능력을 크게 할 필요가 있다.

본 발명자가 검토하고 있는 상기와 같은 컵체의 저부에 각각 접속된 배기관을 컵체의 배열에 따라서 배관한 공통의 배기관에 접속하는 구성에서는 모든 컵체의 배기관의 합류 포인트로부터 각 컵체의 배기구까지의 거리가 다르다. 따라서 예를 들면 합류점에 가장 가까운 컵체를 1호기 ; 제일 빠른 컵체를 3호기 ; 그 중간에 위치하는 컵체를 2호기로 하면 1호기로부터 상기 합류 포인트까지의 거리는 3호기의 그것과 비교해 짧고 2호기로부터 보면 1호기는 배기원에 의해 가까운 곳에 위치하고 3호기는 보다 먼 곳에 위치하게 된다.

따라서 1호기와 2호기에 있어서 강한 배기가 오버랩하고 있는 타이밍과 1호 기와 3호기에 있어서 강한 배기가 오버랩하고 있는 타이밍과는 2호기로부터 보면 전자의 타이밍의 쪽이 후자의 타이밍보다 압력 손실이 커져 2호기에 있어서는 전자의 타이밍에 있어서 예정한 배기량을 얻을 수 없게 될 우려가 있다.

이 때문에 있는 컵체내의 배기량은. 개폐 밸브이 같은 정도로 열려 있어도」배기가 오버랩 할 때 외의 컵체에 따라 다른 크기가 된다. 즉 배기가 오버랩 하는 다른 컵체의 조합에 따라 그 컵체내의 배기량이 바뀌어 버리는 것이다. 게다가 컵체의 공정의 종별 즉 도포액의 스핀코팅이나 분출 건조 공정 등에 의해서 기판을 회전시키는 스피드가 차이가 나므로 배기가 오버랩하는 다른 컵체 공정의 종별에 따라서도 컵체내의 배기량이 바뀌어 버린다.

그 결과 결국 종래 기술을 이용한 것은 각 공정에 따라 예정하고 있는 배기량을 얻을 수 없게 되어 버릴 우려가 있다. 이 때문에 웨이퍼에 미스트가 부착하거나 웨이퍼표면의 레지스트의 막두께가 불안정하게 된다고 하는 문제가 있다.

본 발명은 관련된 점에 비추어 이루어진 것이고 그 목적은 각각 기판의 회전 및 배기를 수반하는 복수의 액처리부를 구비한 액처리 장치에 있어서 배기관의 공간 절약화를 도모하고 또한 각 액처리부의 컵체내의 배기를 항상 예정으로 하는 배기 상태로 실시하는 것을 가능하게 하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 보지부로 보지된 기판에 처리액노즐로부터 처리액을 공급한 상태로 기판 보지부를 회전시켜 기판상의 처리액을 확산시키는 피처리 장치로서 복수의 기판 보지부와 이들 기판 보지부에 보지된 기판 을 각각 둘러싸도록 설치된 복수의 컵체와 상기 복수의 컵체에 각각 접속된 복수의 배기로와 이들 복수의 배기로에 공통으로 접속되는 공통 배기로와 상기 복수의 배기로의 각각에 설치된 복수의 배기량 조정부와 상기 복수의 기판 보지부의 각각의 회전수의 조합과 각 배기로의 설정 배기량의 조합을 대응지은 데이터를 격납하는 기억부와 각 기판 보지부의 회전수를 판단하고 이 기억 부내의 데이터를 참조해 판단한 기판 보지부의 각 회전수의 조합에 대응하는 각 설정 배기량의 조합을 독출하고 해당 독출한 설정 배기량에 따른 개폐도가 되도록 각 배기량 조정부의 개폐도를 조정하는 제어부를 가진다.

각 기판 보지부의 회전수의 판단 수법으로서는 예를 들면 각 기판 보지부의 회전수를 검출하는것으로서 실시해도 괜찮다. 예를 들면 각 컵체내에서 지금 어떠한 처리를 행하고 있는지를 메모리에 기입하고 그 메모리내로부터 각 컵체내의 상태를 독출하고 그 상태(처리)에 대응하는 기판 보지부의 회전수를 별도의 테이블등에 의해 독출하도록 해도 괜찮다.

본 발명에 의하면 각 기판 보지부를 각각 둘러싸는 복수의 컵체에 각각 접속된 복수의 배기로를 공통화해 기판을 기판 보지부에 의해 회전시켜 액처리를 실시하기에 즈음해 각 배기로에 설치한 배기량 조정부의 개폐도를 각 기판 보지부의 회전수의 조합과 각 배기로의 설정 배기량의 편성을 대응 지은 데이터를 참조해 조정하도록 하고 있기 때문에 어느 컵체내의 기판이 어느 공정을 실시하고 있는지에 좌우되지 않고 항상 컵체내를 너무 강하지 않고 ; 너무 약하지 않고; 예정하고 있는적절한 배기량으로 배기할 수가 있다. 이 때문에 기판으로의 미스트의 부착이 저지 되고 또 기판상의 레지스트 등의 박막의 막두께가 안정화한다. 또 각 컵체를 공통으로 수용하는 프레임체내에서 각 컵체의 배기관을 공통화하면 배기관의 이동 스페이스를 작게 할 수 있어 액처리 장치의 공간 절약화에 기여할 수 있다. 또한 상술과 같이 각 컵체내는 미리 결정된 배기량으로 배기되고 있는 것으로부터 여분인 배기를 실시하지 않아도 되므로 장치 전체의 배기량을 삭감할 수가 있고 공장용력의 배기량의 삭감을 도모할 수가 있다.

또 본 발명의 별개인 관점에 의하면 본 발명은 기판 보지부로 보지된 기판에 처리액 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로 기판 보지부를 회전시켜 기판상의 처리액을 확산시키는 액처리 장치로서 복수의 기판 보지부와 ; 이들 기판 보지부에 보지된 기판을 각각 둘러싸도록 설치된 복수의 컵체와 ; 상기 복수의 컵체에 각각 접속된 복수의 배기로와 ; 이들 복수의 배기로에 공통으로 접속되는 공통 배기로와 ;상기 복수의 배기로에 각각 설치된 복수의 배기량 조정부와; 상기 복수의 배기로에 각각 설치된 복수의 배기량 증폭 기구를 갖고 각 배기량 조정부는 그 배기량 조정부가 설치되고 있는 배기로에 접속된 컵체의 기판 보지부의 회전수에 대응하는 개폐도로 설정되고 각 배기량 증폭기구는 각 배기로에 있어서의 배기량이 설정 배기량이 되도록 각 배기량 조정부에 의해 조정된 각 배기량의 부족분을 보충한다.

이와 같이 각 배기조정부를 그 배기량 조정부가 설치되고 있는 배기로에 접속된 컵체의 기판 보지부의 회전수에 대응하는 개폐도로 설정해 배기량 증폭 기구를 이용해 그 부족분의 배기량를 보충하도록 하면 공통 배기로의 기단측의 배기 능력 예를 들면 공장 배기로의 배기 능력이 작아도 각 컵체내를 적절한 배기량으로 배기할 수가 있다.

본 발명과 관련되는 액처리 장치를 레지스트액의 도포 장치에 적용한 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 1중 10은 액처리 장치이고 상기 액처리 장치(10)내에는 이 예에서는 3개의 액처리부 (20 ; 21 ; 22)가 횡방향(Y축방향)으로 배열한 상태로 공통의 프레임체(11)내에 설치되고 있다. 이들 액처리부 (20 ; 21 ; 22)는 같은 구성이므로 액처리부 (20)을 예로 하여 이 액처리부 (20)의 상세한 설명을 도 2에 근거해 설명한다.

도 2중 3은 웨이퍼(W)의 이면측 중앙부를 흡인 흡착하여 수평으로 보지하기 위한 기판 보지부인 스핀 척이다. 이 스핀 척 (3)은 축부 (31)을 개재하여 구동 기구(스핀 척 모터, 32)에 접속되고 있고 이 구동 기구 (32)에 의해 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 스핀 척 (3)은 회전 및 승강 가능하게 구성되고 있다.

스핀 척 (3)으로 보지된 웨이퍼(W)의 주변 외측에는 이 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하고 상부측이 개구하는 컵체 (4)가 설치되고 있다. 상기 컵체 (4)의 옆주위면 상단측 안쪽에 경사하고 있다. 상기 컵체 (4)의 저부 측에는 오목부 형상을 이루는 액받이부 (41)이 웨이퍼(W)의 주변 하부 측에 사방으로 걸쳐서 외측 영역과 안쪽 영역으로 구획되고 있다. 외측 영역의 저부에는 저장한 도포액 등의 드레인을 배출하기 위한 배액구 (43)가 설치되고 안쪽 영역의 저부에는 2개의 배기구 (44 ; 45)가 설치되고 있다. 웨이퍼(W)의 하부 측에는 원형판 (46)이 설치되어 있고 이 원형판 (46)의 외측을 둘러싸도록 해 링 부재 (47)이 설치되고 있다. 또한 해당 링 부재 (47)의 외단면에는 하부에 성장하는 단판(端板,48)이 외측 영역내에 진입하도록 하여 설치되고 있고 이 단판 (48) 및 링 부재 (47)의 표면을 전하여 도포액이 외측 영역내에 안내되도록 구성되고 있다. 또한 도시는 생략 하지만 웨이퍼(W)에 이면측을 지지하여 승강 가능한 승강 핀이 원형판 (46)을 상하에 관통하여 설치되고 있고 이 승강 핀과 후술하는 메인아암 (A1~A5)와의 협동 작용에 의해 스핀 척(3)으로의 웨이퍼(W)의 수수가 가능하도록 구성되고 있다.

도 1에 설명을 되돌려 도안에 12는 3개의 액처리부 (20; 21; 22)에 대해서 처리액을 공급하기 위한 공통의 노즐 구동부이고 이 노즐 구동부 (12)는 도 3에도 나타나는 바와 같이 Z축 이동 기구 (13)에 의해 Z방향으로 승강 자유 및 액처리 장치(10)의 길이 방향(Y방향)을 따라 설치된 가이드 레일 (14)에 의해 Y축 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다. 도중 15는 일단측의 액처리부 (20)의 외측에 설치된 상기 노즐 구동부 (12)의 대기 영역이다.

도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이 상기 노즐 구동부 (12)의 일단 측에는 처리액이 토출하는 미세 구멍의 토출구를 구비한 처리액 노즐 (12a)가 형성되어 있고 후술하는 스핀 코팅시에는 상기 처리액 노즐 (12a)에 형성된 미세 구멍의 토출구가 Z축 이동 기구 (13) 및 가이드 레일 (14)에 의해 각 스핀 척(3)으로 보지된 웨이퍼(W)의 표면의 예를 들면 중앙부와 대향하여 위치하도록 되어 있다.

도중 100은 3개의 액처리부 (20 ; 21 ; 22)에 대해서 세정액을 공급하기 위한 공통의 노즐 구동부이고 이 노즐 구동부 (100)은 상술한 노즐 구동부 (12)와 같은 구성에 있기 때문에 여기에서는 편의상 설명을 생략한다. 또 도중 101은 일단측 의 액처리부 (22)의 외측에 설치된 노즐 구동부 (100)의 대기 영역이다. 여기에서는 노즐 구동부 (12)의 작동시에는 노즐 구동부 (100)은 대기 영역 (101)에서 대기하게 된다.

도 1중 16은 액처리 장치(10)의 천정부에 장착된 필터 유니트이고 ; 17은 액처리 장치(10)의 저면에 설치된 배기부이다. 배기부 (17)으로부터 소정의 배기량으로 배기함과 동시에 상기 필터 유니트 (16)으로부터 소정 유량의 청정 기체를 공급함으로써 액처리 장치(10)내에 청정기체의 다운 플로우가 형성되게 되어 있다. 또 도중 18은 액처리 장치 (10)의 후술하는 메인 아암 (1A~5A)의 이동 영역에 임하는 면에 형성된 웨이퍼(W)의 반입출구이다.

또 도중 (50 ; 51 ; 52)는 스핀 척(3)으로 보지된 웨이퍼(W)의 주변부에 린스액을 공급하기 위한 사이드린스 기구이고 이들 사이드린스 기구 (50 ; 51 ; 52)는 같은 구성에 있으므로 사이드린스 기구 (60)을 예로 해 이 사이드린스 기구 (50)의 상세한 설명을 도 2에 근거해 설명한다. 이 사이드린스 기구 (50)은 상기 액처리부 (20)의 근방에 설치되고 있고 L자 모양으로 굴곡 한 린스 노즐 (6)과 해당 린스 노즐 (6)을 수직 방향으로 승강 자유 및 회전 자유롭게 구동시키는 구동부 (61)로 구성되고 있다. 도 1에 나타나는 바와 같이 사이드린스를 실시하지 않는 경우에는 상기 린스 노즐 (6)은 소정의 대기 위치에 있다. 이 예에서는 상기 린스 노즐 (6)은 상기 반입출구 (18) 보다 아래의 지점에서 대기하게 된다. 또 사이드린스를 실시하는 경우에는 우선 구동부 (61)에 의해 상기 린스 노즐 (6)의 선단부를 상기 컵체 (4)의 측주위면 상단부보다 높은 위치까지 상승시킨다. 이어서 구동부 (61)에 의해 린스 노즐 (6)을 대략 45도 회전시켜 스핀 척(3)으로 보지된 웨이퍼(W)의 주변부와 대향하는 위치에 이동시킨다. 그리고 구동부 (61)에 의해 린스 노즐 (6)을 하강시켜 린스 노즐 (6)을 웨이퍼(W)에 접근시킨다. 또 사이드린스가 끝난 경우에는 상술의 순서와는 반대의 순서를 실시하는 것으로 린스 노즐 (6)은 소정의 대기 위치로 돌아가게 된다.

도 4에 나타나는 바와 같이 액처리부 (20 ; 21 ; 22)에 있어서 각 컵체 (4)의 저부의 안쪽 영역에 설치된 2개의 배출구 (44 ; 45)에는 각각 배기관 (7 ; 7)이 접속되어 있고 이들 배기관은 도중에서 접합되고 하나의 배기관 (7)로서 구성되고 있다. 그리고 각 배기관 (7)에는 배기량 조정부인 댐퍼(71)이 각각 설치되고 있고 이 댐퍼(71)에 의해 액처리부 (20 ; 21 ; 22)내의 배기량이 조정된다.

각 배기관 (7)은 공통 배기관 (72)에 각각 접속되고 있다. 또한 복수의 배기관 (7)의 전부가 합류하는 합류 위치(이 위치에 공통 배기관 (72)가 설치되고 있다)로부터 가장 가까운 컵체 (4)의 배기구 (44)까지의 상기 배기관 (7)의 길이 (L)은 150 mm이내 예를 들면 100 mm로 설정되어 있다. 또 복수의 배기관 (7)의 전부가 합류하는 합류점은 공통의 프레임체 (11)내에 있다. 즉 상기 공통 배기관 (72)는 프레임체 (11)내에 설치되고 있다.

각 댐퍼(71)에는 댐퍼(71)의 개폐도를 조정하기 위한 구동부 (73)이 각각 접속되고 있고 이들 구동부 (73)은 제어부 (8)에 의해 제어되고 있다. 또한 상술한 각 구동 기구(스핀 척 모터, 32)는 상기 제어부 (8)에 의해 제어되고 있고 후술 하는 바와 같이 상기 제어부 (8)에 의해 각 스핀 척(3)의 회전수가 제어된다. 또 각 스핀 척(3)의 회전수의 검출은 모터 축으로 설치되는 부호기(인코더, 32a)에 의해 검출되고 제어부 (8)에 받아들여지게 되어 있다.

다음에 도 5를 참조하면서 제어부 (8)에 대해서 상술한다. 도 5에 있어서 80은 버스이고 이 버스 (80)에는 기억부 및 CPU등이 접속되고 있지만 도 5에서는 이들을 기능적으로 표현해 블럭화하여 나타내고 있다.

댐퍼용 프로그램 (81)은 후술하는 기억부 (82)내의 데이터를 참조해 검출한 각 스핀 척(3)의 회전수의 조합에 대응하는 각 설정 배기량의 조합을 독출하고 그 설정 배기량에 따른 개폐도가 되도록 각 댐퍼(71)의 구동부 (73)에 개폐도 지령을 출력 하도록 구성되고 있다. 이 실시의 형태에 있어서 구동 기구(스핀 척 모터, 32) 및 댐퍼(71)은 각각 3개 설치되어 있으므로 설명의 편의상 각 스핀 척 모터 (32)를 1호기의 스핀 척 모터 (32a); 2호기의 스핀 척 모터 (32b) ; 3호기의 스핀 척 모터 (32c)로 해 각 댐퍼(71)을 1호기의 댐퍼(71a); 2호기의 댐퍼(71b) 3호기의 댐퍼(71c)로 한다. 또한 상기 스핀 척(3)의 회전수는 스핀 척 모터 (32)의 회전수에 의해 정해지는 것이다.

댐퍼용 프로그램 (81)은 기억 매체 예를 들면 플렉시블디스크 ; 콤팩트 디스크; 마그네트 옵티컬 디스크 (M0) 등에 격납되고 제어부 (7)인 컴퓨터에 인스톨되어 프로그램 격납부에 격납되게 된다.

기억부 (82)에는 각 스핀 척(3)의 회전수의 조합과 각 배기관 (7)의 설정 배기량의 조합을 대응지은 데이터 테이블이 격납되고 있다. 구체적으로 설명하면 상술한 액처리 장치(10)의 각 액처리부 (20; 21; 22)에서는 웨이퍼(W)의 처리 목적에 따라 「고속 배기」 ;「중속 배기」 ; 「저속 배기」로3 개의 배기가 각각 행해지고 있다. 또한 이 「고; 안; 저」등의 용어는 설명의 편의상 이용하고 있다.

여기서 저속 배기라는 것은 웨이퍼(W)의 표면 중앙부에 적하한 처리액 혹은 세정액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 지름 방향에 넓히는 스핀 코팅으로 불리는 공정시에 행해지는 배기의 경우이고 이 공정에서의 스핀 척(3)의 회전수는 예를 들면 1000 rpm이고 처리 시간은 예를 들면 2 sec이다. 또 고속 배기라는 것은 웨이퍼(W)의 표면에 도포된 처리액 혹은 세정액을 건조시키는 분출 건조로 호칭되는 공정시에 행해지는 배기의 경우이고 이 공정에서의 스핀 척(3)의 회전수는 예를 들면 2500 rpm이고 처리 시간은 예를 들면 30 sec이다. 또 중속 배기라는 것은 웨이퍼(W)의 주변부를 린스액에 의해 린스하는 사이드린스로 불리는 공정시에 행해지는 배기의 경우이고 이 공정에서의 스핀 척(3)의 회전수는 예를 들면 1500 rpm이고 처리 시간은 예를 들면 8 sec이다. 또한 사이드린스를 행한 후 웨이퍼(W)의 주변부를 건조시키기 위한 분출 건조로 불리는 공정을 하고 이 공정에서의 스핀 척(3)의 회전수는 예를 들면 2000 rpm이고 처리 시간은 예를 들면 5 sec이지만 이 예에서는 사이드린스의 뒤에 행해지는 분출 건조도 상기의 중속 배기에 포함하는 것으로 한다.

상기 3개의 배기에 있어서의 배기관 (7)의 고정배기량은 댐퍼(71)의 개폐도에 의해 정해져 오기 때문에 저속 배기에서의 댐퍼(71)의 개폐도 < 중속 배기에서의 댐퍼(71)의 개폐도 < 고속 배기에서의 댐퍼(71)의 개폐도라고 하는 관계가 된다. 즉 저속 배기에서의 설정 배기량을 (a) ; 중속 배기에서의 설정 배기량을 (b) ; 고속 배기에서의 설정 배기량을 (c)로 한 경우 이들 설정 배기량은 a<b<c 라는 관계가 된다. 이러한 것으로부터 도 5안에서는 1호기~3호기의 스핀 척 모터(32a~32c)의 회전수에 대응한 배기(고속 배기 ; 중속 배기 ; 저속 배기)의 편성과 1호기~3호기의 댐퍼(71a~71c)의 설정 배기량(a ; b ; c)의 조합이 대응지어진 데이터로서 나타나고 있다. 또한 설정 배기량 (a ; b ; c)는 1호기~3호기에 있어서의 각 컵체 (4)내의 배기 상태의 조합에 따라서 달라지는 것으로부터 예를 들면 1호기가 중속 배기 ; 2호기가 저속 배기 ; 3호기가 저속 배기라고 하는 배기 상태의 경우에서는 설정 배기량은 (b2; a2 ; a2)로 설정되고 예를 들면 1호기가 저속 배기 ; 2호기가 중속 배기; 3호기가 저속 배기라고 하는 배기 상태의 경우에서는 설정 배기량은 (a5; b5 ; a5)로 설정되게 된다.

다음에 상술의 실시의 형태의 작용으로서 액처리 장치를 도포·현상 장치에 짜넣어졌을 경우의 웨이퍼의 흐름에 근거해 설명한다. 이 예에서는 후술의 도포·현상 장치에 자세하게 기재 되어 있도록 복수의 수수 스테이지를 구비한 선반 유니트로부터 냉각 유니트→액처리 장치 (10)→ 가열 유니트의 순서로 웨이퍼(W)를 메인 아암(후술)에 의해 반송하는 것으로 한다.

먼저 메인 아암에 의해 선반 유니트의 수수 스테이지에 재치되고 있는 로트의 선두에 있는 웨이퍼(W)를 수취하고 냉각 유니트에 반송한다. 이어서 냉각유니트로 소정의 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 메인 아암 (A4)에 의해 반입출구 (18)을 개재하여 액처리 장치 (10)내의 액처리부 (20)에 반송한다. 액처리부 (20)에 반송된 웨이퍼(W)는 승강 가능한 승강 핀(도시하지 않음)에 의해 웨이퍼(W)의 이면측이 지 지되고 그리고 이 승강 핀이 하강하는 것으로 웨이퍼(W)는 스핀 척 (3) 위에 수평으로 보지된다. 액처리부 (20)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 끝난 메인 아암 (A4)는 다음의 웨이퍼(W)를 수취하기 위해서 선반 유니트로 이동하고 다음의 웨이퍼(W)가 재치되어 있는 수수 스테이지에서 웨이퍼(W)를 수취한 후 냉각 유니트에 반송해 그리고 상술과 동일하게 해 이번은 액처리부 (21)에 웨이퍼(W)가 반송되게 된다. 이와 같이 메인 아암 (A4)는 반송 스케줄에 따라서 이동하고 있어 냉각 유니트에 반송된 웨이퍼(W)는 이번은 액처리부 (22)에 반송되게 된다.

이와 같이 하여 스케줄 반송이 행해지고 액처리 장치 (10)내에 있어서 각 웨이퍼(W)가 차례차례 소정의 타이밍으로 1호기의 액처리부 (20); 2호기의 액처리부 (21) ; 3호기의 액처리부 (22); 1호기의 액처리부 (20) ; 2호기의 액처리부 (21)···으로 차례차례 받아들여지면 예를 들면 스핀 척의 회전수의 패턴은 도 6에 나타내게 된다.

먼저 도 16에 나타나는 바와 같이 시각 t1에서 1호기의 액처리부 (20)에 반송된 웨이퍼(W)는 처리액노즐 (12a)에 의해 웨이퍼(W)의 중앙부에 처리액이 적하되고 그리고 스핀 척 (3)을 1000rpm의 회전수로 회전시키는 것으로 처리액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 지름 방향으로 넓히는 스핀 코팅이 행해지고 (공정P1); 이 처리 시간은 예를 들면 2sec이다. 이어서 웨이퍼(W)의 표면에 도포된 처리액은 스핀 척 (3)을 2500rpm의 회전수로 회전시키는 것으로 처리액을 분출하여 웨이퍼(W)의 건조를 하고 (공정P2) 이 처리 시간 예를 들면 30sec이다. 그 후 린스 노즐 (6)에 의해 웨이퍼(W)의 주변부에 린스액이 도포되고 그리고 스핀 척 (3)을 1500 rpm의 회전수로 회전시키는 것으로 웨이퍼(W)의 주변부를 린스하는 사이드린스를 행하고 이 처리 시간은 예를 들면 8sec이다. 또한 사이드린스를 실시한 후 스핀 척 (3)을 2000 rpm의 회전수로 회전시키는 것으로 린스액을 분출하여 웨이퍼(W)의 건조를 행하고 이 처리 시간은 예를 들면 5 sec이다. 또한 설명의 편의상 사이드린스 및 분출 건조를 공정 P3으로서 나타내고 있다.

이와 같이 1호기의 액처리부 (20)에서 일련의 처리를 할 때의 각 액처리부 (20 ; 21 ; 22)의 댐퍼(71)의 개폐도 조정에 대해서 설명하면 공정 P1의 개시 시간일 때 각 t1에서는 2호기의 액처리부 (21) 및 3호기의 액처리부 (22)에는 웨이퍼(W)가 반입되어 있지 않고 이 때문에 제어부 (8)에서는 1호기~3호기의 스핀 척 (3)의 회전수의 값으로서 각각 1000 rpm ; 0 rpm ; 0 rpm이 받아들여진다. 상기 댐퍼용 프로그램 (81)은 1000 rpm에 대해서는 저속 배기라고 하는 평가를 하기 위해 1호기~3호기의 설정 배기량의 조합「저속 배기」; 「배기 없음]; 「배기 없음」 이라고 하는 조합이 된다. 그리고 상기 댐퍼용 프로그램 (81)은 상기 기억부 (82)에 격납되고 있는 데이터 테이블로부터 이 조합에 따른 각 호기의 댐퍼(71a~71c)의 개폐도의 조합을 읽어내 각 댐퍼(71a~71c)의 개폐도가 조정된다. 예를 들면 저속 배기에 대응하는 배기량은 대략 1. O ㎥/min정도이다.

이어서 시각 t2에서 공정 P2가 개시되지만 이 때의 1호기의 스핀 척 (3)의 회전수 2500 rpm은 고속 배기라고 하는 평가를 실시하고 동일하게 하여 기억부 (82)에 격납되고 있는 데이터 테이블을 참조해 댐퍼(71a~71c)의 개폐도가 조정되어 배기량은 대략 3. O ㎥/min으로 설정된다.

그리고 시각 t3에서 2호기의 액처리부 (21)에 웨이퍼(W)가 반입되어 레지스트액의 전신공정인 공정 P1이 개시된다. 이 때 2호기의 스핀 척 (3)의 회전수는1OOO rpm으로서 기술과 같이 평가하여 「저속 배기」이기 때문에 1호기~3호기의 설정 배기량의 조합은 「고속 배기」; 「저속 배기」; 「배기 없음」의 편성이 되어 기억부 (82)에 격납되고 있는 데이터 테이블로부터 이 조합에 따른 각호기의 댐퍼(71a~71c)의 개폐도의 조합을 독출하고 각 댐퍼(71a~71c)의 개폐도가 조정된다.

또한 시각 t4에서 웨이퍼(W)나 3호기의 액처리부 (22)에도 반입되어 이 경우도 이와 같이 해 기억부 (82)에 격납되고 있는 데이터 테이블을 이용해 1호기~3호기의 각 댐퍼 (71a~71c)의 개폐도가 조정된다. 또한 웨이퍼(W)에 대해서 사이드린스 및 그 후의 분출 건조를 실시하는 공정 P3에 있어서는 스핀 척 (3)의 회전수1500 rpm; 2000 rpmf은 이 예에서는 「중속 배기」로 하여 취급하고 있다. 이 「중속 배기」의 설정 배기량은 대략 2.O ㎥/min 정도이다. 또 상술의 실시의 형태에 있어서 스핀 척 (3)의 회전수가 0 rpm의 경우를 「배기 없음」 으로 하고 있지만 액처리 장치 (10)내에서는 청정 기체의 다운 플로우가 형성되고 있기 때문에 「배기 없음」의 경우로서도 댐퍼(71)의 개폐도를 조정해 컵체 (4)내의 배기를 실시하도록 해도 괜찮다.

상술의 실시의 형태에 의하면 각 스핀 척 (3)을 각각 둘러싸는 3개의 컵체 (4)에 각각 접속된 3개의 배기관 (7)을 공통화해 공통 배기관 (72)로 해 웨이퍼(W)를 스핀 척 (3)에 의해 회전시켜 스핀코팅 분출 건조 및 사이드린스 등의 액처리를 실시하기에 있어 각 배기관 (7)에 설치한 배기량 조정부인 댐퍼 (71a~71c)의 개폐 도를 각 스핀 척 (3)의 회전수의 조합과 각 배기관 (7)의 설정 배기량의 편성을 대응지은 데이터 테이블을 참조해 조정하도록 하고 있기 때문에 어느 컵체 (4)내의 웨이퍼(W)가 어느 공정(P1공정;P2공정;P3공정)을 실시하고 있는지에 좌우되지 않고 항상 컵체 (4)내를 예정으로 하는 배기량으로 배기할 수가 있다.

즉 한개의 컵체 (4)에 주목하면 각 공정에 있어서 다른 컵체 (4)의 상태에 관계없이 너무 강하지 않고; 너무 약하지 않고; 예정으로 하고 있는 적절한 배기량으로 배기할 수가 있다. 이 때문에 웨이퍼(W)로의 미스트의 부착이 저지되고 또 웨이퍼(W) 상의 레지스트 등의 박막의 막두께가 안정화한다. 또 액처리 장치 (10)내에 있어서 각 컵체 (4)에 접속된 배기관 (7)을 각 컵체 (4)의 근방에서 공통화하고 공통 배기관 (72)으로 하여 설치하는 것으로 각 컵체 (4)에 접속되고 있는 배기관 (7)을 하나하나 밖까지 이동하기 보다도 배기관의 이동 스페이스를 작게 할 수가 있으므로 액처리 장치 (10)의 공간절약화를 도모할 수가 있다. 또한 상술한 바와 같이 각 컵체 (4)내는 미리 결정되어진 배기량으로 배기되고 있는 것으로부터 여분의 배기를 실시하지 않아도 되므로 장치 전체의 배기량을 삭감할 수가 있고 공장용력의 배기량의 삭감을 도모할 수가 있다.

이상에 있어서 각 스핀 척 (3)의 회전수의 판단 수법으로서는 각 스핀 척 (3)의 회전수를 검출하기로 한정되는 것은 아니고 각 컵체 (4)내에서 지금 어떠한 처리를 하고 있는지 상술의 예에서는 스핀코팅을 행하고 있는지 혹은 분출 건조를 실시하고 있는지 등의 상태(처리)를 메모리에 기입하고 그 메모리내로부터 각 컵체 (4)내의 상태를 독출하고 그 상태에 대응하는 스핀 척 (3)의 회전수를 미리 컵체내 의 상태와 회전수를 대응 지은 테이블 등에 의해 독출하도록 해도 괜찮다.

다음에 본 발명의 다른 실시의 형태에 대해서 설명한다. 이 실시에 형태는 도 7에 나타나는 바와 같이 댐퍼(71)와 공통 배기관 (72)의 사이의 배기관 (7)에 배기량 증폭 기구 (300)예를 들면 트랜스 벡터(상품명)를 설치하고 상술한 기억부 (82)에 격납된 데이터 테이블을 사용하지 않고 각 댐퍼 (71)의 개폐도를 저속 배기 ;중속 배기 및 고속 배기의 3개의 배기 상태에 각각 대응하는 개폐도에 고정한 외는 상술과 같은 구성에 있다. 예를 들면 1호기의 액처리부 (20)에 대해서 말하면 1호기의 스핀 척 (3)의 회전수와 각 댐퍼(71)의 개폐도를 대응 지어 둔다. 다른 액처리부 (20)에 대해서도 동일하게 각 댐퍼(71)의 개폐도를 설정해 둔다. 또한 여기서 말하는 회전수 예를 들면 회전수에 범위를 갖게 해 두어 회전수 p1로부터 p2까지의 사이는 댐퍼(71)의 개폐도가 어느정도 값에 고정되는 경우도 포함하고 있다.

도 8a는 배기량 증폭 기구 (300)의 단면도이고 해당 기구 (300)의 측면부에는 배기로 (301)의 주위를 둘러싸도록 L자 형상으로 굴곡 한 유입실 (302)이 형성되고 있고 상기 유입실 (302)의 개구부 (303) 근방에는 작은 블럭부 (304)가 형성되고 있다. 또 도 7에 나타나는 바와 같이 배기량 증폭 기구 (300)에는 가압 공급부 (305)가 접속되고 있고 해당 가압 공급부 (305)에 의해 상기 유입실 (302)에 가압된 공기를 유입하도록 되어 있다. 또 상기 가압 공급부 (305)는 상기 제어부 (8)에 의해 제어되고 있다. 도 8b에 나타나는 바와 같이 상기 가압 공급부 (305)에 의해 가압된 공기를 상기 유입실 (302)에 유입하면 상기 유입실 (302)의 개구부 (303) 근방에 형성된 블럭부 (304)에 의해 공기가 배기 방향으로 굽힐 수 있어 감속하는 것으로 풍량이 증폭하도록 되어 있다.

이어서 이 실시의 형태의 작용에 대해서 설명한다. 예를 들면 제 1의 액처리부 (20)에서는 저속 배기; 제 2의 액처리부 (21)에서는 고속 배기 ;제 3의 액처리부 (22)에서는 고속 배기를 실시하려고 한다. 이 경우 제 2의 댐퍼(71)의 개폐도 및 제 3의 댐퍼(71)의 개폐도는 고속 배기에 대응한 개폐도로 ; 제 1의 댐퍼(71)의 개폐도는 저속 배기에 대응한 개폐도로 설정된다. 그러나 이 액처리 장치 (10)은 배기 능력이 작고 또 배기관 (7)을 개재하여 공통 배기관 (72)에 접속되는 각 컵체 (4)의 거리가 다르기 때문에 제 2의 액처리부 (21)및 제 3의 액처리부 (22)에서는 각 컵체 (4)내에 있어서 예정으로 하는 배기량을 구할 수 있지만 제 1의 액처리부 (20)에서는 컵체 (4)내에 있어서 예정으로 하는 배기량을 얻을 수 없다고 하는 현상이 일어나는 경우를 생각할 수 있다. 즉 제 1의 액처리부 (20)의 컵체 (4)내에 있어서 예정으로 하는 배기량 예를 들면 1.0 ㎥/min에 도달하고 있지 않기 때문이다. 거기서 상술한 배기증폭 기구 (300)을 이용하는 것으로 그 부족분의 배기량을 보충하도록 하고 있다.

이러한 배기량의 부족은 고속 배기에 있어서도 중속 배기에 있어서도 일어나는 것이고 이 때문에 미리 각 액처리부 (20~22)의 운전 상태의 조합과 댐퍼(71)만으로 배기량을 조정한 경우 즉 기술과 같이 각 운전 상태에 개폐도를 고정한 경우에 있어서의 각 액처리부 (21~22)의 배기량의 부족분을 파악해 두어 그 부족분을 보충하도록 각 가압 공급부 (94)로부터의 가압량을 설정해 둔다. 각 배기 상태에 대응하는 설정 배기량의 예를 기재해 두면 고속 배기 ;중속 배기 및 저속 배기에 있어서의 설정 배기량은 예를 들면 각각 3.O ㎥/min ; 2.O ㎥/min 및1.O ㎥/min이다.

이 실시의 형태에 의하면 각 댐퍼의 개폐도를 고속 배기 ; 중속 배기 및 저속 배기의 3개의 배기 상태에 대응하는 개폐도에 고정한 경우에 있어서 어느 쪽인가의 컵체 (4)내에서 예정으로 하는 배기량을 얻을 수 없을 때에는 기술의 배기량 증폭 기구 (300)을 이용하는 것으로.그 부족분의 배기량을 보충할 수가 있다. 그 때문에 공장용력의 배기량의 능력이 작아도 각 액처리부 (21~22)에 있어서 항상 적절한 배기량으로 배기할 수가 있다. 바꾸어 말하면 공장용력의 배기량의 삭감을 도모할 수가 있는 (즉 공장등에 설치되어 있는 집중 배기장치의 배기량의 저감을 도모할 수 있다.) 또한 컵체 (4)와 댐퍼 (71)의 사이의 배기관 (7)에 배기량 증폭 기구 (300)을 설치한 구성으로서도 좋다. 이러한 구성으로서도 상술과 같은 효과를 얻을 수 있다. 또 배기량 증폭 기구 (300)으로써는 플로어 팬을 이용해도 괜찮다.

이어서 본 발명의 액처리 장치 (10)을 도포·현상 장치인 레지스트 패턴 형성장치에 적용한 경우의 하나의 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 9는 레지스트 패턴 형성 장치의 평면도를 나타내고 도 10은 동개략 사시도; 도 11은 동개략 측면도이다. 이 장치는 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들면 13매 밀폐 수납된 캐리어 (90)을 반입출하기 위한 캐리어블럭 (S1)과 복수 예를 들면 5개의 단위 블럭 (B1~B5)를 세로로 배열하여 구성된 처리 블럭 (S2)와 인터페이스블럭 (S3)과 노광장치 (S4) 를 구비하고 있다.

상기 캐리어블럭 (S1)에는 상기 캐리어 (90)을 복수 재치 가능한 재치대 (91)과 이 재치대 (91)로부터 볼때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (92)와 개폐부 (92)를 개재하여 캐리어 (90)으로부터 웨이퍼(W)를 꺼내기 위한 트랜스퍼 아암 (C)가 설치되고 있다. 이 트랜스퍼 아암 (C)는 후술하는 단위 블럭 (B1 ; B2)의 수수 스테이지 (TRS1 ; TRS2)의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 실시하도록 진퇴 자유; 승강 자유 ; 수직축 주위에 회전 자유 ; 캐리어 (90)의 배열 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.

상기 캐리어블럭 (S1)의 안쪽 측에는 프레임체 (94)에서 주위를 둘러싸는 처리 블럭 (S2)가 접속되고 있다. 처리 블럭 (S2)는 이 예에서는 하부측으로부터 하단측의 2단이 현상 처리를 행하기 위한 제 1 및 제 2의 단위 블럭(DEV층, B1 ; B2) 레지스트막의 상층 측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 3의 단위 블럭(TCT층,B3) ; 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제 4의 단위 블럭(COT층,B4) 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 5의 단위 블럭(BCT층, B5)으로서 할당할 수 있다. 여기서 상기 DEV층 (B1 ; B2)가현상 처리용의 단위 블럭 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5)가 도포막 형성용의 단위 블럭에 해당한다.

이어서 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)의 구성에 대해서 설명한다. 이들 각 단위 블럭 (B1~B5)는 웨이퍼(W)에 대해서 처리액을 도포하기 위한 액처리 유니트와 상기 액처리 유니트에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 가열·냉각계의 처리 유니트와 이들의 장치의 가열·냉각계의 처리 유니트의 사이 에 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 전용의 반송 수단인 메인 아암 (A1~A5)를 구비하고 있다.

먼저 도 9에 나타나는 COT층 (B4)를 예로 해 이하에 설명 한다. 이 COT층(B4)의 거의 중앙에는 COT층 (B4)의 길이 방향(도안 Y축방향)으로 캐리어블럭 (S1)과 인터페이스블럭 (S3)을 접속하기 위한 웨이퍼(W)의 반송 영역 (R1)이 형성되고 있다.

이 반송 영역 (R1)의 캐리어블럭 (S1)측에서 본 양측에는 앞측(캐리어 블럭 (S1)측)으로부터 안쪽 측에 향해 우측으로 레지스트의 도포 처리를 행하기 위한 복수의 도포부를 구비한 도포 유니트 (85)가 설치되고 있다. 즉 도포 유니트 (85)는 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하기 위한 장치이다. 이 예에서는 도 1로부터 도4에서 설명한 액처리 장치 (10)은 도포 유니트 (85)에 해당하고 액처리부(20 ; 21 ; 22)는 도포부에 해당한다. 또 처리액노즐 (12a)에 형성된 토출구로부터는 레지스트액이 토출되게 된다. 또 COT층 (B4)의 앞측으로부터 안쪽 측에 향해 좌측에는 차례로 가열·냉각계의 유니트를 다단화한 4개의 선반유니트 (U1; U2; U3;U4)가 설치되고 있고 도포 유니트 (95)에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유니트를 복수단 예를 들면 2단으로 적층 한 구성으로 되어 있다. 이렇게 하여 상기 반송 영역 (R1)은 구획되고 있고 예를 들면 이 구획된 반송 영역 (R1)에 청정에어를 분출하게 하여 배기함으로써 해당 영역내의 파티클의 부유를 억제하도록 되어 있다.

상술의 사전 처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유니트안에는 예를 들면 레 지스트액의 도포전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL),레지스트액의 도포 후에 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하기 위한 예를 들면 프리베이킹 유니트 등으로 불리고 있는 가열 유니트(CHP),웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주변 노광 장치(WEE) 등이 포함되어 있다. 또 냉각 유니트(COL)나 가열 유니트(CHP) 등의 각 처리유니트는 각각 처리 용기 (96)내에 수납되고 있고 선반 유니트 (U1~U4)는 상기 처리 용기 (96)이 2단으로 적층되어 구성되고 각 처리 용기 (96)의 반송 영역 (R1)에 임하는 면에는 웨이퍼(W)를 반입출 하는 반입출구 (97)이 형성되고 있다.

상기 반송 영역 (R1)에는 상기 메인 아암 (A4)이 설치되고 있다. 이 메인 아암 (A4)은 해당 COT층 (B4)내의 모든 모듈(웨이퍼(W)가 놓여지는 장소) 예를 들면 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트 도포 유니트 (95); 후술 하는 선반 유니트(U5)와 선반 유니트 (U6)의 각부의 사이에서 웨이퍼의 수수를 실시하도록 구성되고 있고 이 때문에 진퇴 자유 ; 승강 자유 ; 수직축 주위에 회전 자유 ; Y축방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.

또 반송 영역 (R1)의 캐리어블럭 (S1)와 인접하는 영역은 제 1의 웨이퍼수수 영역 (R2)으로 되어 있고 이 영역 (R2)에는 도 9및 도 11에 나타나는 바와 같이 트랜스퍼 아암 (C)와 메인 아암 (A4)가 액세스 할 수 있는 위치에 선반 유니트 (U5)가 설치됨과 동시에 이 선반 유니트 (U5)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 제 1의 기판 수수 수단을 이루는 제 1의 수수 아암 (D1)을 구비하고 있다.

상기 선반 유니트 (U5)는 도 11에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5) 의 메인 아암(A1~A5)의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 실시하도록 이 예에서는 각 단위 블럭 (B1~B5)는 1개 이상 예를 들면 2개의 제 1의 수수 스테이지 (TRS1~TRS5)를 구비하고 있고 이것에 의해 제 1의 수수 스테이지가 다단으로 적층된 제 1의 수수 스테이지군을 구성하고 있다. 또 제 1의 수수 아암 (D1)은 각 제 1의 수수 스테이지 (TRS1~TRS5)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 실시할 수가 있도록 진퇴 자유 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또 상기 제 1 및 제 2의 단위 블럭 (B1 ; B2)의 제 1의 수수 스테이지 (TRS1 ; TRS2)는 이 예에서는 트랜스퍼 아암 (C)와의 사이에 웨이퍼(W)의 수수가 행해지도록 구성되고 캐리어블럭용 수수 스테이지에 해당한다.

또한 반송 영역 (R1)의 인터페이스블럭 (S3)과 인접하는 영역은 제 2의 웨이퍼 수수 영역 (R3)으로 되어 있어 이 영역 (R3)에는 도 11에 나타나는 바와 같이 메인 아암 (A4)를 액세스 할 수 있는 위치에 선반 유니트 (U6)가 설치됨과 동시에 이 선반 유니트 (U6)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 제 2의 기판 수수 수단을 이루는 제 2의 수수 아암 (D2)를 갖추고 있다.

상기 선반 유니트 (U6)는 도 11에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 아암 (A1~A5)와의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 실시하도록 이 예에서는 각 단위 블럭 (B1~B5)는 1개 이상 예를 들면 2개의 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)를 구비하고 있어 이것에 의해 제 2의 수수 스테이지가 다단으로 적층된 제 2의 수수 스테이지군이 구성되고 있다. 제 2의 수수 아암 (D2)는 각 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 실시할 수 있도록 진퇴 자유 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이와 같이 본 실시의 형태에서는 5단으로 적층된 각 단위 블럭 (B1~B5)의 사이에서 상술의 제 1의 수수 아암 (D1)과 제 2의 수수 아암 (D2)에 의해 각각 제 1의 수수 스테이지(TRS1~TRS5) ; 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)을 개입시켜 자유롭게 웨이퍼(W)의 수수를 행할 수가 있도록 구성되고 있다.

이어서 다른 단위 블럭 (B)에 대해서 간단하게 설명한다. DEV 층 (B1 ; B2)는 동일하게 구성되고 웨이퍼(W)에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 복수의 현상부를 구비한 현상 유니트가 설치되고 선반 유니트 (U1~U4)에는 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트(PEB)나 이 가열 유니트(PEB)에 있어서의 처리 뒤에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL); 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 수분을 날리기 위해서 가열 처리하는 포스트베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트(POST)를 갖추고 있는 이외는 COT층 (B4)와 동일하게 구성되고 있다.

그리고 이들 DEV층 (B1;B2)에서는 각각 메인 아암(A1 ; A2)에 의해 각각 제 1의 수수 스테이지(TRS1 ; TRS2); 제 2의 수수 스테이지(TRS6; TRS7)와 현상 유니트와 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리유니트에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 하게 되어 있다.

또 TCT층 (B3)은 웨이퍼(W)에 대해서 제 2의 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 복수의 제 2의 반사 방지막 형성부를 구비한 제 2의 반사 방지막 형성 유니트가 설치되고 있다. 즉 제 2의 반사 방지막 형성 유니트는 레지스트액을 도포한 후에 웨이퍼(W)에 반사 방지막용의 처리액을 도포하기 위한 장치이다. 이 예에 서는 도 1로부터 도 4에서 설명한 액처리 장치 (10)은 제 2의 반사 방지막 형성 유니트에 해당하고 액처리부 (20 ; 21 ; 22)는 제 2의 반사 방지막 형성부에 해당한다. 또 처리액노즐 (12a)에 형성된 토출구로부터는 반사 방지막용의 처리액이 토출되게 된다. 또 선반 유니트 (U1~U4)는 반사 방지막 형성 처리전에 웨이퍼(W)를 소정 온도에 조정하기 위한 냉각 유니트(COL)나.반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유니트(CHP)가 구비하고 있는 이외는 COT층 (B4)와 동 일하게 구성되고 있다. 그리고 이 TCT층 (B3)에서는 메인 아암 (A3)에 의해 제 1의 수수 스테이지 (TRS3) ; 제 2의 수수 스테이지 (TRS8)과 제 2의 반사 방지막 형성 유니트와 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 하게 되어 있다.

그리고 BCT층 (B50는 웨이퍼(W)에 대해서 제 1의 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 복수의 제 1의 반사 방지막 형성부를 구비한 제 1의 반사 방지막 형성 유니트가 설치되고 있다. 즉 상기 제 1의 반사 방지막 형성 유니트는 레지스트액을 도포하기 전에 웨이퍼(W)에 반사 방지막용의 처리액을 도포하기 위한 장치이다.

이 예에서는 도 1로부터 도 4에서 설명한 액처리 장치 (10)은 제 1의 반사 방지막 형성 유니트에 해당하고 액처리부 (20 ;21; 22)는 제 1의 반사 방지막 형성부에 해당한다. 또 처리액노즐 (12a)에 형성된 토출구로부터는 반사 방지막용의 처리액이 만들어지게 된다. 또 선반 유니트 (U1~U4)는 반사 방지막 형성 처리전에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL)나 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유니트(CHP)를 주변 노광 장치(WEE)를 구비 하고 있지 않은 이외는 COT층 (B4)과 동일하게 구성되고 있다. 그리고 이 제 5의 단위 블럭 (B5)에서는 메인 아암 (A5)에 의해 제 1의 수수 스테이지 (TRS5) ; 제 2의 수수 스테이지 (TRS10)과 제 1의 반사 방지막 형성 유니트와 선반 유니트 (Ul~U4)의 각 처리 유니트에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 하게 되어 있다.

또한 이들 처리 유니트는 가열 유니트(CHP PEB. POST) ; 냉각 유니트(COL);주변 노광 장치(WEE)에 한정하지 않고 다른 처리유니트를 설치하도록 해도 괜찮고 실제의 장치에서는 각 처리유니트의 처리 시간 등을 고려해 유니트의 설치수를 결정할 수 있다.

한편 처리 블럭 (S2)에 있어서의 선반 유니트 (U6)의 안쪽 측에는 인터페이스블럭 (S3)을 개입시켜 노광 장치 (S4)가 접속되고 있다. 인터페이스블럭 (S3)에는 처리 블럭 (S2)의 선반 유니트 (U6)와 노광 장치 (S4)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 인터페이스 아암 (B)를 갖추고 있다. 이 인터페이스 아암 (B)는 처리 블럭 (S2)와 노광 장치 (S4)의 사이에 개재하는 웨이퍼(W)의 반송 수단을 이루는 것이고 이 예에서는 제 1~ 제 4의 단위 블럭 (B1~B4)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS8)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 실시하도록 진퇴 자유; 승강 자유 ;수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 이 예에서는 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS8)가 인터페이스 블럭용 수수 스테이지에 해당한다.

또 상기 인터페이스 아암 (B)는 모든 단위 블럭 (B1~B5)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 실시하도록 구성해도 좋고 이 경우에는 제 2의 수수 스테이지 (TRS6~TRS10)가 인터페이스 블럭용 수수 스테이지에 해당한다.

이어서 메인 아암A (A1~A5)에 대해서 간단하게 설명하면 도 12에 나타나는 바와 같이 메인 아암 (A)는 웨이퍼(W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 2개의 아암 (201; 202)를 구비하고 있고 이들 아암 (201; 202) 기초대 (203)을 따라 서로 독립해 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 또 이 기초대 (203)은 회전 기구 (204)에 의해 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성됨과 동시에 이동 기구 (205)에 의해 선반유니트 (U1~U4)를 지지하는 받침부 (206)의 반송 영역 (R1)에 임하는 면에 장착된 Y축 레일 (207)을 따라 Y축 방향으로 이동 자유 또한 승강 레일 (208)을 따라 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이렇게 해 아암 (201; 202)는 진퇴 자유 ; Y축방향으로 이동 자유; 승강 자유 ;수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 선반 유니트(U1~U6)의 각 유니트나 제 1 및 제 2의 수수 스테이지(TRS1~TRS10) ; 액처리 유니트의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 실시할 수가 있게 되어 있다.

이 도포 유니트 (95)에서는 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해 반입출구 (98)를 개입시켜 처리 용기 (99)내에 반입되어 미리 결정된 도포부 (20; 21; 22)의 몇개의 스핀 척 (3)에 수수된다. 그리고 처리액노즐 (12a)에 형성된 토출구으로부터 해당 웨이퍼(W)의 중앙부에 레지스트액을 공급 함과 동시에 스핀 척 (3)을 회전시켜 레지스트액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 지름 방향에 넓혀 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트의 액막을 형성시키는 등의 처리를 실시한다. 이렇게 하여 각 도포부 (20; 21; 22)에 있어서 소정의 처리를 끝낸 웨이퍼(W) 반입출구 (98)를 개입시켜 메인 아암 (A)에 의해 도포 유니트 (95)의 외부에 반출된다.

여기서 이 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름에 대해서 레지스트막의 상하에 각각 반사 방지막을 형성하는 경우를 예로 해 설명한다. 먼저 외부로부터 캐리어 (90)가 캐리어블럭 (91)에 반입되어 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 이 캐리어 (90)내로부터 웨이퍼(W)가 꺼내진다. 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암 (C)으로부터 먼저 제 2의 단위 블럭 (B2)의 선반 유니트 (U5)의 제 1의 수수 스테이지(TRS2)에 수수되고 그 다음에 웨이퍼(W)는 BCT층 (B5)에 웨이퍼(W)를 수수하기 위해서 제 1의 수수 아암 (D1)에 의해 제 1의 수수부 (TRS5)를 개입시켜 BCT층 (B5)의 메인 아암 (A5)에 수수된다. 그리고 BCT층 (B5)에서는 메인 아암 (A5)에 의해 냉각 유니트(COL) → 제 1의 반사 방지막 형성유니트 → 가열 유니트(CHP) → 선반 유니트 (U6)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS10)의 순서로 반송되어 제 1의 반사 방지막이 형성된다.

이어서 제 2의 수수 스테이지 (TRS10)의 웨이퍼(W)는 제 2의 수수 아암 (D2)에 의해 COT층 (B4)에 웨이퍼(W)를 수수하기 위해서 제 2의 수수 스테이지 (TRS9)에 반송되고 그 다음에 해당 COT층 (B4)의 메인 아암 (A4)에 수수된다. 그리고 COT층 (B4)에서는 메인 아암 (A4)에 의해 냉각유니트(COL) → 현상 유니트→가열 유니트(CHP)한 제 1의 수수 스테이지 (TRS4)의 순서로 반송되어 제 1의 반사 방지막 위에 레지스트막이 형성된다.

그 다음에 수수 스테이지 (TRS4)의 웨이퍼(W)는 제 1의 수수 아암 (D1)에 의해 TCT층 (B3)에 웨이퍼(W)를 주고 받기 위해서 제 1의 수수 스테이지 (TRS3)에 반송되고 해당 TCT층 (B3)의 메인 아암 (A3)에 수수된다. 그리고 TCT층 (B3)에서는 메인 아암 (A3)에 의해 냉각 유니트(COL)→ 제 2의 반사 방지막 형성 유니트→ 가열 유니트(CHP)→ 주변노광장치(WEE)→ 선반유니트 (U6)의 제 2의 수수 스테이지(TRS8)의 순서로 반송되어 레지스트막 위에 제 2의 반사 방지막이 형성된다.

이어서 제 2의 수수 스테이지 (TRS8)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암 (B)에 의해 노광 장치 (S4)에 반송되고 여기서 소정의 노광처리가 행해진다. 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암 (B)에 의해 DEV층 B1 (DEV층B2)에 웨이퍼(W)를 주고 받기 위해서 선반유니트 (U6)의 제 2의 수수 스테이지 (TRS6; (TRS7))에 반송되고 이 스테이지 TRS6 (TRS7)상의 웨이퍼(W)는 DEV층 B1 (DEV층B2); 메인 아암 ″A1 (메인 아암,A2)에 수취되고 해당 DEV층B1 (B2)에서 먼저 가열 유니트(PEB)→냉각유니트(COL)→현상 유니트→가열유니트(POST)의 순서로 반송되어 소정의 현상 처리를 한다. 이렇게 해 현상 처리를 한 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암 (C)에 웨이퍼(W)를 주고 받기 위해서 제 1의 수수 스테이지 TRS1 (TRS2)에 반송되고 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 캐리어블럭 (S1)에 재치되고 있는 원래의 캐리어 (90)에 되돌려진다.

이와 같이 본 발명의 액처리 장치 (10)을 도포·현상 장치인 레지스트 패턴 형성 장치에 설치되는 도포 유니트 및 반사 방지막 형성유니트로서 적용하는 것으로 도포 유니트내에 복수 설치된 도포부 및 반사 방지막 형성 유니트내에 복수 설치된 반사 방지막 형성부에 있어서 기술한 바와 같이 각 컵체내의 배기를 항상 예정으로 하는 배기로 할 수 있다. 이것으로부터 이 장치에서는 각 블럭 (B1~B4)사이에 선반 유니트 (U5 ; U6)를 개입시켜 메인 아암 (A1~A5)나 제 1 및 제 2의 수수 아암 (D1 ; D2)에 의해 독립 반송을 실시하고 있으므로 수율을 더 한층 향상시키는 동시에 웨이퍼(W)로의 미스트의 부착 및 웨이퍼의 막두께가 불안정하게 된다고 하는 우려가 없기 때문에 웨이퍼(W)의 제품 비율도 향상한다.

또 도포유니트 및 반사 방지막 형성 유니트내 공통 배기관이 설치되게 되므로 기술한 바와 같이 이들의 유니트는 컴팩트하게 된다. 따라서 처리 블럭 (S2)내에 있어서 각종 처리 유니트를 집약하여 설치할 수가 있고 결과적으로 도포·현상 장치의 점유면양을 작게 할 수가 있다. 또한 기술한 바와 같이 각 컵체내는 미리 결정되어진 배기량으로 배기되고 있는 것으로부터 여분의 배기를 실시하지 않아도 되므로 유니트 전체의 배기량를 삭감할 수가 있어 공장용력의 배기량의 삭감을 도모할 수가 있다.

Claims (17)

1. 기판 보지부에 보지된 기판에 처리액 노즐로부터 처리액을 공급한 상태로 기판 보지부를 회전시켜 기판상의 처리액을 확산시키는 액처리 장치로서,

   복수의 기판 보지부와,

   이들 기판 보지부에 보지된 기판을 각각 둘러싸도록 설치된 복수의 컵체와,

   상기 복수의 컵체에 각각 접속된 복수의 배기로와,

   이들 복수의 배기로에 공통으로 접속되는 공통 배기로와,

   상기 복수의 배기로의 각각에 설치된 복수의 배기량 조정부와,

   상기 복수의 기판 보지부의 각각의 회전수의 조합과 각 배기로의 설정 배기량의 조합을 대응지은 데이터를 격납하는 기억부와,

   각 기판 보지부의 회전수를 판단하고 이 기억 부내의 데이터를 참조하여 판단한 기판 보지부의 각 회전수의 조합에 대응하는 각 설정 배기량의 조합을 독출하고 상기 독출한 설정 배기량에 따른 개폐도가 되도록 각 배기량 조정부의 개폐도를 조정하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
2. 청구항 1의 액처리 장치에 있어서,

   각 기판 보지부의 회전수의 판단은 각 기판 보지부의 회전수를 검출하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
3. 청구항 1의 액처리 장치에 있어서,

   상기 배기량 조정부는 댐퍼인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
4. 청구항 1의 액처리 장치에 있어서,

   복수의 컵체 공통의 프레임체내에서 횡방향으로 일렬로 배열하여 설치되고 처리액노즐은 각 기판 보지부에 보지된 기판에 대해서 공통화되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
5. 청구항 1의 액처리 장치에 있어서.

   또한 기판에 세정액을 공급하는 세정액노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
6. 청구항 4의 액처리 장치에 있어서,

   또한 기판에 세정액을 공급하는 세정액노즐을 갖고 세정액노즐은 각 기판 보지부에 보지된 기판에 대해서 공통화되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
7. 청구항 1의 액처리 장치에 있어서,

   복수의 배기로의 전부가 합류하는 합류 위치로부터 가장 가까운 컵체까지의 배기로의 길이는 150 mm이내인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
8. 청구항 4의 액처리 장치에 있어서,

   복수의 배기로의 전부가 합류하는 합류점은 상기 공통의 프레임체내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
9. 기판 보지부에 보지된 기판에 처리액노즐로부터 처리액을 공급한 상태로 기판 보지부를 회전시켜 기판상의 처리액을 확산시키는 액처리 장치로서,

   복수의 기판 보지부와,

   이들 기판 보지부에 보지된 기판을 각각 둘러싸도록 설치된 복수의 컵체와,

   상기 복수의 컵체에 각각 접속된 복수의 배기로와,

   이들 복수의 배기로에 공통으로 접속되는 공통 배기로와,

   상기 복수의 배기로에 각각 설치된 복수의 배기량 조정부와,

   상기 복수의 배기로에 각각 설치된 복수의 배기량 증폭 기구를 갖고,

   각 배기량 조정부는 그 배기량 조정부가 설치되고 있는 배기로에 접속된 컵체의 기판 보지부의 회전수에 대응하는 개폐도로 설정되고,

   각 배기량 증폭 기구는 각 배기로에 있어서의 배기량이 설정 배기량이 되도록 각 배기량 조정부에 의해 조정된 각 배기량의 부족분을 보충하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
10. 청구항 9의 액처리 장치에 있어서,

    상기 배기량 조정부는 댐퍼인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
11. 청구항 9의 액처리 장치에 있어서,

    복수의 컵체는 공통의 프레임체내에서 횡방향으로 일렬로 배열하여 설치되고 처리액노즐은 각 기판 보지부에 보지된 기판에 대해서 공통화되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
12. 청구항 9의 액처리 장치에 있어서,

    또한 기판에 세정액을 공급하는 세정액노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
13. 청구항 11의 액처리 장치에 있어서,

    또한 기판에 세정액을 공급하는 세정액노즐을 갖고 세정액노즐은 각 기판 보지부에 보지된 기판에 대해서 공통화되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
14. 청구항 9의 액처리 장치에 있어서,

    복수의 배기로의 전부나 합류하는 합류 위치로부터 가장 가까운 컵체까지의 배기로의 길이는 150mm이내인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
15. 청구항 l1의 액처리 장치에 있어서,

    복수의 배기로의 전부가 합류하는 합류점은 상기 공통의 프레임체내에 배치되고 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
16. 각각 기판을 수평으로 유지함과 동시에 회전 가능한 복수의 기판 보지부와,

    기판에 처리액을 공급하는 처리액노즐과; 이들 기판 보지부에 보지된 기판을 각각 둘러싸도록 설치된 복수의 컵체와 ;이들 복수의 컵체에 각각 접속된 복수의 배기로와 ;이들 배기로에 각각 설치된 배기량 조정부와; 이들 복수의 배기로에 공통으로 접속되는 공통 배기로와 ;상기 기판에 세정액을 공급하는 세정액노즐을 구비한 액처리 장치를 이용하고,

    기판에 처리액노즐로부터 처리액을 공급한 상태로 기판 보지부를 회전시켜 기판상의 처리액을 확산시켜 그 다음에 기판 보지부를 회전시키면서 기판에 세정액을 공급하는 공정을 가지는 기판의 액처리 방법에 있어서,

    각 기판 보지부의 회전수를 판단하는 공정과,

    상기 복수의 기판 보지부의 각각의 회전수의 조합과 각 배기로의 설정 배기량의 조합을 대응 지은 데이터를 참조하고 상기 판단한 기판 보지부의 각 회전수의 조합에 대응하는 각 설정배기량의 조합을 상기 데이터로부터 꺼내는 공정과,

    꺼낸 각 설정 배기량에 따른 개폐도가 되도록 상기 복수의 배기량 조정부의 개폐도를 조정하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
17. 청구항 16의 액처리 방법에 있어서,

    각 기판 보지부의 회전수의 판단은 회전수를 검출하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.

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