KR20110079490A

KR20110079490A - 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법 및 그 열전재료

Info

Publication number: KR20110079490A
Application number: KR1020100099418A
Authority: KR
Inventors: 박수동; 오민욱; 김봉서; 민복기; 이희웅
Original assignee: 한국전기연구원
Priority date: 2009-12-31
Filing date: 2010-10-12
Publication date: 2011-07-07
Also published as: KR101172802B1

Abstract

본 발명은 Te계 열전재료의 제조방법에 관한 것으로서, Te계 열전재료 및 이에 첨가되는 도핑재 원료를 조성비에 맞게 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하여 로(furnace)에 넣고 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 온도만 낮추어 열처리한 후 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 열간 프레스 공정 후 와이어 컷팅하는 제3단계;를 포함하여 이루어지되, 상기 도핑재의 이온반경이 56~143pm인 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법 및 그 열전재료를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 Te계 열전재료에 도핑재에 의한 쌍정을 형성하여 큰 제벡계수, 높은 전기전도도, 높은 출력인자, 낮은 열전도도를 가지게 되어 무차원성능지수를 향상시켜 우수한 열전재료가 될 수 있으며, 이는 열전발전 및 열전냉각 분야에서 열전재료로써 널리 사용 될 수 있는 이점이 있다.

Description

도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법 및 그 열전재료{fabrication method for Te-based thermoelectric materials containing twins formed by addition of dopant and thermoelectric materials thereby}

본 발명은 Te계 열전재료의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 Te계 열전재료에 도핑재를 첨가하여 일정한 열처리 및 급냉 과정을 거침으로써 Te계 열전재료에 도핑재에 의한 쌍정을 균일하게 형성하여 열전특성을 향상시키기 위한 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Te계 열전재료의 제조방법 및 그 열전재료에 관한 것이다.

일반적으로, 열전발전 및 열전냉각을 위해 재료로 사용되는 열전재료는 열전특성이 증가할수록 열전소자의 성능이 향상된다. 그 열전성능을 결정하는 것은, 열기전력(V), 제벡 계수(α), 펠티어 계수(π), 톰슨 계수(τ), 네른스트 계수(Q), 에팅스하우젠 계수(P), 전기 전도율(σ), 출력 인자(PF), 성능 지수(Z), 무차원성능지수(ZT=α ² σT/κ(여기에서, T는 절대온도이다)), 열전도율(κ), 로렌츠수(L), 전기 저항율(ρ) 등의 물성이다.

특히, 무차원성능지수(ZT)는 열전 변환 에너지 효율을 결정하는 중요한 요소로써, 성능 지수(Z=α ² σ/κ)의 값이 큰 열전 재료를 사용하여 열전 소자를 제조함으로써, 냉각 및 발전의 효율을 높일 수 있게 된다.

현재 상용화된 열전재료는 ZT~1 정도 수준이며, 그 중 AgPb_mSbTe_m+2 합금은 도 1과 같은 결정구조를 가지며, ZT=1.7(at 700K)로 알려져 있어 열전특성이 매우 우수한 편이다. AgPb_mSbTe_m+2 합금은 입방체 결정구조로 납(Pb)과 텔레늄(Te)이 교차하여 배치되고, 은(Ag)과 안티몬(Sb)은 납(Pb)를 치환하여 위치되어 있다.

그러나 이와 같이 종래의 열전재료는 열전성능이 그다지 뛰어나지 않아 고정밀을 요하는 분야에서는 그 적용에 한계가 있는 문제점이 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, Te계 열전재료에 도핑재를 첨가하여 일정한 열처리 및 급냉 과정을 거침으로써 Te계 열전재료에 도핑재에 의한 쌍정을 형성하여 열전특성을 향상시키기 위한 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Te계 열전재료의 제조방법 및 그 열전재료의 제공을 그 목적으로 한다.

상기 목적 달성을 위해 본 발명은, Te계 열전재료 및 이에 첨가되는 도핑재 원료를 조성비에 맞게 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하여 로(furnace)에 넣고 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 온도만 낮추어 열처리한 후 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 열간 프레스 공정 후 와이어 컷팅하는 제3단계;를 포함하여 이루어지되, 상기 도핑재의 이온반경이 56~143pm인 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법 및 그 열전재료를 기술적 요지로 한다.

또한, 상기 Te계 열전재료는, Bi_0.5Sb_1.5Te₃, Bi₂Te₃, Sb₂Te₃, Bi₂Se₃, PbTe, GeTe 및 SnTe 중 어느 하나를 기본조성으로 하는 물질, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 도핑재는, Na, Ca, Cd, La, Ce, Mg, Cr, Co, Ag, Ge, Nb, Mo, Ru, Sn, In, Sr, Eu, Pb 중 어느 하나, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 도핑재는 상기 Te계 열전재료에 대해 0.03~1.2 중량부로 첨가되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제1단계의 용융과정은 900℃ 이상 1000℃ 이하의 온도에서 9시간~12시간 동안 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제3단계의 열처리과정은 400℃ 이상 600℃ 이하의 온도에서 0.1시간~500시간 동안 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 급냉과정은 냉각속도 0.1℃/초 이상 1000℃/초 이하로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제4단계의 열간 프레스 과정은 300℃ 이상 500℃ 이하의 온도에서 20분~40분 동안 180~220MPa에서 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은, Te계 열전재료에 도핑재를 첨가하여 쌍정을 형성하여, 큰 제벡계수, 높은 전기전도도, 높은 출력인자, 낮은 열전도도를 가지게 되어 무차원성능지수를 향상시키고, 열전도도가 고온에서도 낮은 열전도도를 나타냄으로서 고온에서의 열전성능이 안정화되어 우수한 열전재료가 될 수 있으며, 이에 의해 열전발전 및 열전냉각 분야에서 열전재료로써 널리 사용 될 수 있는 효과가 있다.

도 1 - 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 Ag doped-Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료의 투과전자현미경 사진을 나타낸 도((a)Bi_0.5Sb_1.5Te₃, (b)Ag의 첨가량이 0.2wt%, (c)0.5wt%, (d)1wt%).
도 2 - 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 Ag doped-Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료의 쌍정에 대한 투과전자현미경 사진을 나타낸 도(Ag의 첨가량이 1wt%인 경우).
도 3 - 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 Ag doped-Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료의 온도에 따른 제벡계수를 나타낸 도.
도 4 - 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 Ag doped-Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료의 온도에 따른 전기전도도를 나타낸 도.
도 5 - 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 Ag doped-Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료의 온도에 따른 출력인자를 나타낸 도.
도 6 - 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 Ag doped-Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료의 온도에 따른 열전도도를 나타낸 도.

본 발명은 열전재료의 열전특성을 향상시키기 위한 제조방법 및 그 열전재료에 관한 것으로서, 열전재료 중에 열전특성이 우수한 것으로 알려진 Te계 열전재료에 불순물로 도핑재를 첨가하여 Te계 열전재료 내부에 불순물에 의한 쌍정을 형성하여 열전특성을 향상시키기 위한 것이다.

먼저, 제1단계로 순수한(99.999%) Te계 열전재료 및 도핑재를 각 칭량하여 세척하고, 상기 각 원료들을 조성비에 따라 정밀 저울을 이용하여 칭량하여 준비한다. 그리고, 상기 칭량된 원료들을 석영관 앰플에 장입하고, 앰플 내부 압력을 일정 압력 이하의 진공상태로 만든 후, 아르곤(Ar) 가스를 채워 밀봉시키고, 앰플을 전기로에 넣어 900℃ 이상 1000℃ 이하에서 9시간~12시간 동안 용융시킨다.

여기에서, 상기 Te계 열전재료는, Bi_0.5Sb_1.5Te₃, Bi₂Te₃, Sb₂Te₃, Bi₂Se₃, PbTe, GeTe 및 SnTe의 이들 중 어느 하나, 또는 이들 중 어느 하나를 기본조성으로 하는 물질, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용하며, 상기 도핑재는 이온화되었을때 이온반경이 56~143pm인 물질을 사용하며, 특히 Na, Ca, Cd, La, Ce, Mg, Cr, Co, Ag, Ge, Nb, Mo, Ru, Sn, In, Sr, Eu, Pb 중 어느 하나, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용한다. 상기 도핑재는, 상기 Te계 열전재료에 대해 불순물 수준으로 0.03~1.2wt% 첨가되는 것이 바람직하다.

그리고, 제2단계로 일정 시간 및 온도에서 용융된 원료를 전기로 내부에서 온도만 서서히 낮추어 400℃ 이상 600℃ 이하의 온도에서 0.1시간 내지 500시간 동안 열처리한 후, 급냉시켜 잉곳을 제조한다. 여기에서, 급냉과정은 냉각속도 0.1℃/초 이상 1000℃/초 이하의 속도로 이루어지게 된다.

상기 급냉과정은 용융된 상태의 Te계 물질과 도핑재를 응고하기 직전까지의 온도(Tc)까지 서냉시킨 후, 응고를 시작하는 온도(Tc)에 이르면 Tc에서 상온까지 0.1℃/초 이상 1000℃/초 이하의 속도로 급속 냉각과정을 수행하는 것이다. 상기 급속 냉각과정은 가열된 샘플을 물에 담가 급속하게 냉각시키는 수냉(水冷)법이나 오일, 액체금속(갈륨 등) 또는 가스(헬륨 등) 등을 이용하여 냉각시킨다.

여기에서, 상기 제2단계의 열처리 온도에서 서서히 쌍정이 형성되게 되며, 균일한 쌍정이 형성된 Te계 열전재료의 제작을 위해 Tc온도 이상에서 이상에서 열처리 공정이 이루어지게 되며, 그 외의 온도에서는 균일하지 않은 쌍정이 형성된 Te계 열전재료가 제작되게 된다. 이렇게 형성된 Te계 열전재료 내 쌍정은 급냉 과정에서 서로 뭉치거나 또는 특정 위치에서 석출될 수 있는 시간이 부족하므로 균일하게 형성되는 것이다.

그리고, 제3단계로 상기 잉곳을 파쇄하여 열간 프레스 공정 후 와이어 컷팅하여 소정 크기의 열전재료를 제조하게 된다. 상기 열간 프레스 공정은 300℃ 이상 500℃ 이하의 온도에서 20분 내지 40분 동안 180~220MPa에서 이루어지게 된다.

이와 같이 본 발명은 Te계 열전재료에 도핑재를 첨가하여 열처리 및 냉각과정을 거쳐 Te계 열전재료에 도핑재에 의한 쌍정을 형성하여 열전특성을 향상시키고자 하는 것이다.

여기에서 상기 도핑재는 상술한 바와 같이 이온반경이 56~143pm인 물질을 사용하며, 이러한 물질로써 Ca, Cd, La, Ce, Mg, Cr, Co, Ag, Ge, Nb, Mo, Ru, Sn, In, Sr, Eu, Pb 중 어느 하나, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용한다. 이러한 물질은 원자의 이온화 정도에 따라 이온 반경의 차이가 매우 큰 특징을 가지고 있고, 이러한 물질이 Te계 열전재료에 첨가될 때 이온 반경의 큰 차이로 인에 생기는 응력을 해소하기 위해 쌍정이 쉽게 형성되게 된다.

여기에서 쌍정이라 함은 열전재료 내에 생기는 결함의 한 종류로서 쌍정 경계면을 중심으로 양쪽의 미세조직 및 결정구조가 선대칭을 형성하고 있는 것을 말하며, 이와 같이 열전재료 내에 쌍정이 형성되게 되면, 쌍정 경계 면에서 산란이 발생하여 열전도도가 감소하게 되는 이유로 열전특성이 향상되게 된다.

다음 표 1은 Te계 열전재료 중 Bi_0.5Sb_1.5Te₃를 이루는 물질 및 도핑재로 사용되는 물질에 대한 이온화 반경을 나타낸 것이다.

		①		②		③
Bi³⁺	103pm	Na⁺	102pm	Mg²⁺	72pm	Sr²⁺	118pm
Sb³⁺	76pm	Ca²⁺	100pm	Cr²⁺	73pm	Cd¹⁺	115pm
Te^2-	221pm	Cd²⁺	95pm	Co²⁺	74.5pm	Sn²⁺	112pm
		La³⁺	103.2pm	Ge²⁺	73pm	Eu²⁺	117pm
		Ce³⁺	102pm	Nb³⁺	72pm	Pb²⁺	119pm
				Mo³⁺	69pm	Ag⁺	115pm
				Ru³⁺	68pm
				Sn⁴⁺	69pm
				In³⁺	80pm
				Ag³⁺	75pm

상기 도핑재 중에 Ag를 예로 들어 설명하면, Ag가 열전재료 Bi_0.5Sb_1.5Te₃에 도핑재로 첨가되게 되면, 첫번째, Ag³⁺가 Bi³⁺와 치환하여 Te²⁺ 위치에 존재함으로서 전하인 홀 농도를 증가시키고, 이온반경 차(Ag³⁺는 이온반경이 75pm, Bi³⁺는 이온반경이 103pm)에 의한 결정변형을 유도하여 쌍정을 형성시키게 되거나, 두번째, 첨가된 Ag가 Te로 결합하여 재료 내부에 Te 농도를 낮추고 이것으로 인해 기본 결정에서 Te 원자의 위치에 Bi³⁺ 이온이 치환하여 존재하는 Antisite 결함 농도를 증가시킴으로써 쌍정을 형성시키게 된다.

상기 표 1에서 ②칸은 위의 첫번째 이유로 쌍정을 형성시킬 수 있는 물질로써, Bi³⁺와 이온반경 차가 큰 물질이면서, Sb³⁺의 이온반경과 유사한 물질을 나타낸 것이고, ① 및 ③ 칸은 위의 두번째 이유로 쌍정을 형성시킬 수 있는 물질로써, Te와 결합하여 Te 농도를 낮추고 Te 원자의 위치에 Bi³⁺ 이온이 치환되어 쌍정이 형성되므로, Bi³⁺ 이온과 이온반경이 유사한 물질을 나타낸 것이다. 이는 Ag를 기준으로 하여 Ag가 이온화에 따라 변동될 수 있는 이온반경 크기인 75~115pm을 기준으로 하여 이들의 25% 내외를 치환가능 물질로 볼 때 56~143pm의 이온반경을 갖는 물질을 사용하면, 앞서의 이온반경 차 또는 Antisite 결함 농도에 의해 쌍정이 형성될 수 있는 것이다. 즉, 56~143pm의 이온반경을 갖는 물질을 도핑재로 사용하는 경우 쌍정이 형성시키게 된다.

따라서, 본 발명에 따른 Te계 열전재료에 도핑재를 첨가하여 일정 온도 및 시간에서 열처리 및 급냉과정을 거침으로써, Te계 열전재료에 도핑재에 의한 쌍정을 형성시킴으로써 전체적으로 열전재료의 무차원성능지수를 향상시켜 열전특성 또한 향상시키게 되는 것이다.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하고자 한다.

99.999% 이상의 고순도 Te계 열전재료로 Bi_0.5Sb_1.5Te₃, 도핑재로 Ag를 염산, 질산, 아세톤, 에탄올 등을 이용하여 세척한 후, 조성에 맞게 정밀 저울을 이용하여 각 원료들을 칭량하여 준비한다. 여기에서 도핑재로 Ag는 Te계 열전재료 Bi_0.5Sb_1.5Te₃에 대해 0.05wt%, 0.1wt%, 0.2wt%, 0.5wt%, 1.0wt%로 각각 첨가하여 Ag를 첨가하지 않은 Bi_0.5Sb_1.5Te₃와 비교 실험을 하고자 한다.

그리고, 상기 칭량된 원료들을 석영관 앰플에 장입하고, 앰플 내부 압력이 10^-5Torr 수준이 되도록 한다. 10^-5Torr의 진공상태가 되며, 아르곤(Ar) 가스를 채워 밀봉한다. 밀봉된 앰플을 로(furnace)에 넣고 960℃ 정도에서 10시간 동안 용융시킨 후, 용융된 상태의 로 내에서 서서히 냉각하여 온도를 550℃까지 낮추고, 이 온도에서 열처리를 10시간 동안 수행한다. 이 과정에서 Te계 열전재료에 상기 Ag 도핑재에 의한 쌍정이 형성되게 된다. 그 후, 상온까지 100℃/초로 수냉으로 급속 냉각을 수행하여, 균일한 쌍정 외에 다른 상이 생성되지 않도록 한다.

그리고, 상기 급속 냉각을 통해 형성된 잉곳을 파쇄하여 400℃의 온도에서 30분 동안 200MPa의 압력으로 열간 프레스 공정 후 와이어 컷팅하여 소정 크기의 열전재료를 제조하게 된다.

이와 같이 Ag 도핑재에 의한 쌍정이 형성된 Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료를 투과전자현미경(TEM)으로 관찰하면 도 1 및 도 2와 같이 나노구조의 쌍정이 형성된 것을 확인할 수 있었다. 도 2에 도시된 바와 같이, 쌍정 경계면을 중심으로 양쪽의 미세조직 및 결정구조가 선대칭을 형성하고 있는 것을 관찰할 수 있었다. 이와 같이 열전재료 내에 쌍정이 형성되게 되면, 쌍정 경계면에서 산란이 발생하여 열전도도가 감소하게 되는 이유로 열전특성이 향상되게 된다.

도 3은 이와 같이 제조된 쌍정이 형성된 Bi_0.5Sb_1.5Te₃열전재료의 온도에 따른 제벡계수를 나타낸 것이고, 도 4는 전기전도도, 도 5는 출력인자, 도 6은 열전도도를 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이 도핑재로 Ag를 첨가한 경우가 Ag를 첨가하지 않은 것에 비해 모든 열전 특성이 우수함을 확인할 수 있었다. 즉, 제벡계수, 전기전도도, 출력인자의 증가, 열전도도의 전반적인 감소 경향에 의해 무차원성능지수(ZT=α ² σT/κ)가 Ag를 첨가한 경우가 높게 나타났다. 특히 열전도도는 측정온도가 보다 높아짐에도 낮은 열전도도를 그대로 유지하여 열전성능이 고온에서도 안정함으로 나타낸다

이와 같이, 본 발명에 따라 Te계 열전재료에 도핑재를 첨가하고, 일정한 열처리 및 급냉 과정을 거침으로써 Te계 열전재료에 도핑재에 의한 쌍정의 균일한 형성에 의해 무차원성능지수(ZT=α ² σT/κ)가 향상되며 열전도도가 고온에서도 낮은 열전도도를 나타냄으로서 고온에서의 열전성능을 안정화시키는 효과를 유발시킴으로서 본 소재가 열전발전 및 열전냉각 분야에서 열전재료로써 널리 활용될 것으로 기대된다.

Claims

Te계 열전재료 및 이에 첨가되는 도핑재 원료를 조성비에 맞게 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하여 로(furnace)에 넣고 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 온도만 낮추어 열처리한 후 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 열간 프레스 공정 후 와이어 컷팅하는 제3단계;를 포함하여 이루어지되,
상기 도핑재의 이온반경이 56~143pm인 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 Te계 열전재료는,
Bi_0.5Sb_1.5Te₃, Bi₂Te₃, Sb₂Te₃, Bi₂Se₃, PbTe, GeTe 및 SnTe 중 어느 하나를 기본조성으로 하는 물질, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 도핑재는,
Na, Ca, Cd, La, Ce, Mg, Cr, Co, Ag, Ge, Nb, Mo, Ru, Sn, In, Sr, Eu, Pb 중 어느 하나, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
제 3항에 있어서, 상기 도핑재는,
상기 Te계 열전재료에 대해 0.03~1.2 중량부로 첨가되는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 제1단계의 용융과정은 900℃ 이상 1000℃ 이하의 온도에서 9시간~12시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제3단계의 열처리과정은 400℃ 이상 600℃ 이하의 온도에서 0.1시간~500시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제3단계의 급냉과정은 냉각속도 0.1℃/초 이상 1000℃/초 이하로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제4단계의 열간 프레스 과정은 300℃ 이상 500℃ 이하의 온도에서 20분~40분 동안 180~220MPa에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료의 제조방법.
Te계 열전재료에 이온반경이 56~143pm인 도핑재를 첨가하여 제조된 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료.
제 9항에 있어서, 상기 Te계 열전재료는,
Bi_0.5Sb_1.5Te₃, Bi₂Te₃, Sb₂Te₃, Bi₂Se₃, PbTe, GeTe 및 SnTe 중 어느 하나를 기본조성으로 하는 물질, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료.
제 9항에 있어서, 상기 도핑재는,
Na, Ca, Cd, La, Ce, Mg, Cr, Co, Ag, Ge, Nb, Mo, Ru, Sn, In, Sr, Eu, Pb 중 어느 하나, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 도핑재 첨가에 의한 쌍정이 형성된 Ｔｅ계 열전재료.