KR20110031863A - 그래핀의 제조 방법, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자 - Google Patents

그래핀의 제조 방법, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20110031863A
KR20110031863A KR1020090089289A KR20090089289A KR20110031863A KR 20110031863 A KR20110031863 A KR 20110031863A KR 1020090089289 A KR1020090089289 A KR 1020090089289A KR 20090089289 A KR20090089289 A KR 20090089289A KR 20110031863 A KR20110031863 A KR 20110031863A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
graphene
metal catalyst
catalyst layer
manufacturing
oxide layer
Prior art date
Application number
KR1020090089289A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101736462B1 (ko
Inventor
송영일
안종현
이영빈
홍병희
Original Assignee
삼성테크윈 주식회사
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성테크윈 주식회사, 성균관대학교산학협력단 filed Critical 삼성테크윈 주식회사
Priority to KR1020090089289A priority Critical patent/KR101736462B1/ko
Priority to JP2010206795A priority patent/JP5627967B2/ja
Priority to CN2010102927057A priority patent/CN102020271B/zh
Priority to US12/887,071 priority patent/US8431103B2/en
Publication of KR20110031863A publication Critical patent/KR20110031863A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101736462B1 publication Critical patent/KR101736462B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02491—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
    • H01L21/02645—Seed materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

본 발명은, (a) 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 형성된 친수성 산화층과, 상기 산화층에 형성된 소수성 금속 촉매층과, 상기 금속 촉매층에 형성된 그래핀을 포함하는 그래핀 부재를 준비하는 단계와, (b) 상기 그래핀 부재에 물을 가하는 단계와, (c) 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 단계와, (d) 상기 금속 촉매층을 에칭 공정으로 제거하는 단계를 포함하는 그래핀의 제조 방법과, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자를 제공한다.
그래핀, 분리 방법, 제조 방법

Description

그래핀의 제조 방법, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자{Method for manufacturing graphene, graphene manufactured by the method, conductive film comprising the graphene, transparent electrode comprising the graphene, radiating or heating device comprising the graphene}
본 발명은 그래핀의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 그래핀 부재에 형성되어 있는 그래핀을 제조하는 방법, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자에 관한 것이다.
최근 들어, 탄소로 구성되는 풀러렌(fullerenes), 탄소 나노 튜브(carbon nanotubes), 그래핀(graphene), 흑연(graphite) 등의 탄소 물질에 관한 관심이 증가하고 있다.
특히, 탄소 나노 튜브와 그래핀에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 그래핀은 대면적으로 형성할 수 있으며, 전기적, 기계적, 화학적인 안정성을 가지고 있을 뿐만 아니라 뛰어난 도전성의 성질을 가지고 있으므로, 전자 회로의 기초 소재로 관심을 받고 있다.
대면적 그래핀의 제조 기술은 최근에 비약적으로 발전을 했는데, 네이쳐(nature)지에 2009년 1월 14일에 공개된 "Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes"의 논문(nature07719)에는 화학 기상 증착법(CVD: chemical vapour deposition)을 이용한 그래핀의 제조 공정이 개시되어 있다.
화학 기상 증착법을 이용한 종래의 그래핀의 제조공정은 다음과 같다.
우선, 산화 실리콘(SiO2)층을 가지는 실리콘 웨이퍼를 준비한다. 이어, Ni, Cu, Al, Fe 등의 금속 촉매를, 스퍼터링(sputtering) 장치, 전자빔 증발 장치(e-beam evaporator)등을 이용하여, 준비된 산화 실리콘(SiO2)층에 증착시켜, 금속 촉매층을 형성한다.
다음으로, 금속 촉매층이 형성된 실리콘 웨이퍼와 탄소를 포함하는 가스(CH4, C2H2, C2H4, CO 등)를 화학 기상 증착 및 유도 결합 화학 기상 증착법(ICP-CVD, Inductive Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition)을 위한 반응기에 넣고 가열함으로써, 금속 촉매층에 탄소가 흡수되도록 한다. 이어, 급속히 냉각을 수행하여 금속 촉매층으로부터 탄소를 분리시켜 결정화시키는 방법으로, 그래핀을 성장시킨다.
이후, 성장한 그래핀은 사용을 위해 전사 작업을 거치게 되는데, 이를 위해 에칭 등의 방법이 사용되어 왔다.
본 발명은, 그래핀이 형성된 그래핀 부재로부터 그래핀을 신속하게 분리시킬 수 있는 방법을 제공하는 것을 주된 과제로 한다.
본 발명은, (a) 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 형성된 친수성 산화층과, 상기 산화층에 형성된 소수성 금속 촉매층과, 상기 금속 촉매층에 형성된 그래핀을 포함하는 그래핀 부재를 준비하는 단계;와, (b) 상기 그래핀 부재에 물을 가하는 단계;와, (c) 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 단계;와, (d) 상기 금속 촉매층을 에칭 공정으로 제거하는 단계;를 포함하는 그래핀의 제조 방법을 제공한다.
여기서, 상기 베이스 부재는 실리콘(Si) 소재로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 산화층은 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 금속 촉매층은, 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어질 수 있다. 또한, 웨이퍼를 기반으로 한 금속 촉매층이 아닌 니켈, 구리 등의 금속 촉매를 포일(foil) 상태로 사용할 수 있다.
여기서, 상기 (a)단계는, 상기 그래핀에 전사 부재를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 전사 부재는, PDMS(Polydimethylsiloxane), PET(Polyethylen Terephthalate), 폴리 이미드 필름(Polyimide film), 유리(glass), 천연 고무 및 합성 고무 중 어느 하나의 소재로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 (b)단계는, 물이 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이에 침투하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이에 틈을 발생시킬 수 있다.
여기서, 상기 (b)단계 시, 초음파를 인가하여 상기 그래핀 부재에 초음파 처리를 수행할 수 있다.
여기서, 상기 (b)단계는, 물이 차있는 수조에 상기 그래핀 부재를 담가 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 물이 차있는 수조에 상기 그래핀 부재를 담근 상태에서 상기 (c)단계가 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 (c)단계는, 소정의 힘을 이용하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리할 수 있다.
여기서, 상기 에칭 공정은, 산, 불화수소(HF), BOE(buffered oxide etch), 염화제2철(FeCl3) 용액 및 질산제2철(Fe(No3)3) 용액 중 적어도 어느 하나를 이용하여 수행될 수 있다.
여기서, 상기 (d)단계 이후에, 상기 그래핀을 기판 또는 소자에 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 그래핀의 제조 방법으로 얻어지는 그래핀을 제공한 다.
또한, 본 발명은 전술한 그래핀의 제조 방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하는 전도성 박막을 제공한다.
또한, 본 발명은 전술한 그래핀의 제조 방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하는 투명 전극을 제공한다.
또한, 본 발명은 전술한 그래핀의 제조 방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하는 방열 또는 발열 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 그래핀의 제조 방법에 따르면, 그래핀이 형성된 그래핀 부재로부터 그래핀을 신속하게 분리시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 그래핀 부재의 단면도이다. 여기서, "그래핀 부재"란, 전술한 「배경기술」란에서 설명한 화학 기상 증착법을 이용하여 그래핀을 충분히 성장시킨 부재를 의미한다. 즉, 본 실시예에 관한 그래핀 부재(100)에는 사용하기에 충분히 성장된 상태지만 전사되지 않은 그래핀(140)이 포함되어 있다.
도 1을 참조하여, 그래핀 부재(100)의 구조를 설명하기로 한다.
그래핀 부재(100)는 베이스 부재(110), 산화층(120), 금속 촉매층(130), 그 래핀(140)을 구비하고 있다.
베이스 부재(110)는 실리콘(Si) 소재의 웨이퍼로 구성된다.
본 실시예에 따른 베이스 부재(110)는 실리콘 소재의 웨이퍼로 구성되나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 베이스 부재의 소재에는 특별한 제한이 없다.
산화층(120)은 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어지며, 그 두께는 300nm이상으로 형성된다. 산화층(120)은 그 소재인 산화 실리콘의 성질 상 친수성(親水性)의 성질을 가진다.
본 실시예에 따른 산화층(120)은 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어지나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 산화층의 소재는 친수성의 성질을 가지고 금속 촉매층(130)을 형성하기에 용이한 소재로 이루어지면 되고, 그 외의 소재 선택에 관한 특별한 제한은 없다.
금속 촉매층(130)의 소재는 니켈(Ni)로 이루어져 있으며, 스퍼터링의 방법으로 산화층(120)위에 형성되되 그 두께는 100nm 이상으로 형성된다. 금속 촉매층(120)은 그 소재인 니켈(Ni)의 성질 상 소수성(疏水性)의 성질을 가진다.
본 실시예에 따른 금속 촉매층(130)은 니켈(Ni)의 소재로 이루어지나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 금속 촉매층의 소재는, 화학 기상 증착법을 수행할 때 탄소를 흡수하여 그래핀을 성장시킬 수 있으며 소수성의 성질을 가지면 되고, 그 외의 소재 선택에 관한 특별한 제한은 없다. 즉, 본 발명에 따 른 금속 촉매층의 소재는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co), 텅스텐(W) 등의 소재가 선택될 수 있다.
그래핀(140)은 필름 형상을 가지고 있는데, 화학 기상 증착법에 의해 금속 촉매층(130)의 상면에 필름 형상으로 성장한 상태이다.
이하, 도 2 내지 도 7을 참조하여, 본 실시예에 관한 그래핀의 제조 방법에 대해 살펴보기로 한다.
도 2 내지 도 7은 본 실시예에 관한 그래핀의 제조 방법의 각 공정별 단계를 도시한 도면들이고, 도 8은 본 실시예에 관한 그래핀의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
먼저, 전술한 바와 같이, 작업자는, 화학 기상 증착법으로 그래핀(140)이 충분히 성장되어 있는 그래핀 부재(100)를 준비한다(S1 단계).
그 다음, 도 2에 도시된 바와 같이, 작업자는 그래핀(140)의 상면에 전사 부재(150)를 배치한다(S2 단계).
전사 부재(150)의 소재는 PDMS(Polydimethylsiloxane)으로 이루어진다.
본 실시예에 따른 전사 부재(150)는 PDMS의 소재로 이루어지나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 전사 부재의 소재는 그래핀(140)을 전사할 수 있는 소재이면 된다. 예를 들어, 본 발명에 따른 전사 부재의 소재로서, PET(Polyethylen Terephthalate), 폴리 이미드 필름(Polyimide film), 유리(glass), 합성 고무, 천연 고무 등이 이용될 수 있다.
그 다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 작업자는 전사 부재(150)가 배치된 그래 핀 부재(100)를 물이 차있는 수조(160)에 담그고, 초음파 발생기(170)에서 초음파를 발생시켜 초음파를 그래핀 부재(100)에 쏴주게 된다(S3 단계).
S3 단계에서 그래핀 부재(100)를 수조에 담그게 되면, 물이 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 침투하여 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 틈을 발생시킨다. 이는 산화층(120)은 친수성의 성질을 가지고 있고, 금속 촉매층(130)은 소수성의 성질을 가지고 있기 때문이다. 특히, 초음파 발생기(170)에서 발생된 초음파는 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 물의 침투를 용이하게 하는 기능을 수행하는데, 작업자는 초음파를 약 10초간 그래핀 부재(100)에 쏴주는(인가하는) 초음파 처리를 수행한다. 상기 10초간의 초음파 처리 시간은 작업 조건, 크기, 두께 등에 따라 변경될 수 있다.
본 실시예에 의하면, 수조에 물을 담은 다음 그래핀 부재(100)를 수조에 담그는 방식으로 그래핀 부재(100)에 물을 가하나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따르면, 물이 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 고루 침투할 수만 있으면 되고, 물을 가하는 방식에는 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 흐르는 물 또는 스프레이 방식으로 분사되는 물에 그래핀 부재(100)를 위치시켜 물을 가할 수도 있다.
또한, 본 실시예에 의하면 초음파를 이용함으로써 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 물이 침투하는 작용을 강화시키나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 의하면, 초음파를 이용하지 않을 수도 있다.
그 다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 작업자는 그래핀 부재(100)를 물이 차있 는 수조(160)에 담근 상태에서, 화살표 방향의 소정의 힘(P)을 가하여 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이를 분리하게 된다(S4 단계).
즉, 상기 S3 단계에서 물이 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 침투하였으므로, 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 틈이 발생하게 되고, 소정의 힘(P)을 전사 부재(150)에 가함으로써 산화층(120)과 금속 촉매층(130)을 용이하게 분리할 수 있게 된다.
여기서, 소정의 힘(P)의 크기를 결정함에 있어서는 산화층(120)으로부터 금속 촉매층(130)이 비교적 매끄럽게 분리될 수 있을 정도의 힘의 크기를 산정하여 결정한다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기 소정의 힘(P)의 방향은 산화층(120)과 금속 촉매층(130)의 접촉면의 수직 방향이 될 수도 있을 뿐만 아니라, 산화층(120)과 금속 촉매층(130)의 접촉면의 수평 방향, 산화층(120)과 금속 촉매층(130)의 접촉면의 수직 방향에 소정의 기울기를 가지는 방향이 될 수 있고, 전술한 방향들을 조합한 방향이 될 수 있다.
본 실시예에 의하면, 그래핀 부재(100)를 수조에 담근 상태에서 힘(P)을 가하여 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이를 분리하게 되나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따르면 그래핀 부재(100)를 수조에서 꺼낸 후에 힘(P)을 가하여 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이를 분리할 수도 있다. 그 경우는, S3 단계에서 산화층(120)과 금속 촉매층(130) 사이에 틈이 충분히 생긴 경우에 한정하여 시행하는 것이 바람직하다.
그 다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 작업자는 전사 부재(150)를 수조(160)에 서 꺼낸 후, 에칭 공정으로 금속 촉매층(130)을 제거한다(S5 단계).
여기서, 에칭 공정은 에칭액에 의해 이루어지는데, 에칭액으로는 산, 불화수소(HF), BOE(buffered oxide etch), 염화제2철(FeCl3) 용액, 질산제2철(Fe(No3)3) 용액 등이 사용될 수 있다.
본 실시예에 따른 에칭 공정은 에칭액을 이용하는 습식 에칭 공정이나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 즉, 본 발명에 따른 에칭 공정은 건식 에칭 공정이 될 수 있고, 스퍼터링을 이용한 금속 촉매층을 제거하는 공정이 적용될 수도 있다.
한편, S4 단계를 거치면 산화층(120)은 금속 촉매층(130)으로부터 분리된 상태가 되므로, S5 단계에서의 금속 촉매층(130)의 전체 표면은 외부로 노출되어 있는 상태가 된다. 따라서, 에칭 공정 시에는 에칭액이 금속 촉매층(130)의 전체 표면에 걸쳐 고루 작용하기 때문에, 금속 촉매층(130)을 제거하는 에칭 공정이 신속하게 이루어질 수 있다.
이상과 같은 방법으로, 전사 부재(150)에 그래핀(140)이 전사된 형태를 얻을 수 있게 된다. 즉, 그래핀(140)이 전사 부재(150)에 전사된 단면도가 도 6에 도시되어 있다.
한편, 도 6에 도시된 상태, 즉, 그래핀(140)이 전사 부재(150)에 전사된 상태가 최종 상태가 아닐 수도 있다. 즉, 필요에 따라 그래핀(140)은 최초 전사 대상인 전사 부재(150)로부터 다른 전사 부재로 전사될 수 있게 된다.
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 그래핀(140)은 전사 부재(150)로부터 다른 전사 부재(180)(예를 들어, PET 소재의 최종 전사 부재)로 다시 전사될 수도 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 따른 그래핀의 제조 방법에 따르면, 산화층(120)이 친수성이고 금속 촉매층(130)이 소수성인 점에 착안하여, 물을 사용하여 산화층(120)과 금속 촉매층(130)의 분리 작용을 도움으로써, 그래핀(140)을 베이스 부재(110) 및 산화층(120)으로부터 신속히 분리시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 물을 사용하여 산화층(120)과 금속 촉매층(130)의 분리 작용을 도움으로써, 금속 촉매층(130)의 전체 표면을 신속히 외부로 노출시킬 수 있게 되므로, 뒤이은 에칭 공정에 의해 금속 촉매층(130)을 신속하게 제거할 수 있게 된다. 따라서, 그래핀(140)의 전사 공정을 빠르게 수행할 수 있는 장점이 있다.
한편, 본 발명의 예시적인 구현 예들에 있어서, 본 발명에 따라 제조된 그래핀은, 투명 전극, 전도성 박막, 방열 또는 발열 소자, 플렉서블 디스플레이 장치, 유기 LED, 염료 감응형 솔라셀 전극 등의 다양한 응용처에 적용될 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 그래핀 부재의 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 실시예에 관한 그래핀의 제조 방법의 각 공정별 단계를 도시한 도면들이다.
도 8은 본 실시예에 관한 그래핀의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 그래핀 부재 110: 베이스 부재
120: 산화층 130: 금속 촉매층
140: 그래핀 150: 전사 부재
160: 수조 170: 초음파 발생기

Claims (17)

  1. (a) 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 형성된 친수성 산화층과, 상기 산화층에 형성된 소수성 금속 촉매층과, 상기 금속 촉매층에 형성된 그래핀을 포함하는 그래핀 부재를 준비하는 단계;
    (b) 상기 그래핀 부재에 물을 가하는 단계;
    (c) 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 단계; 및
    (d) 상기 금속 촉매층을 에칭 공정으로 제거하는 단계;를 포함하는 그래핀의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 부재는 실리콘(Si) 소재로 이루어진 그래핀의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산화층은 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어진 그래핀의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 촉매층은, 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 그래핀의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 (a)단계는, 상기 그래핀에 전사 부재를 배치하는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전사 부재는, PDMS(Polydimethylsiloxane), PET(Polyethylen Terephthalate), 폴리 이미드 필름(Polyimide film), 유리(glass), 천연 고무 및 합성 고무 중 어느 하나의 소재로 이루어진 그래핀의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계는, 물이 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이에 침투하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이에 틈을 발생시키는 그래핀의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계 시, 초음파를 인가하여 상기 그래핀 부재에 초음파 처리를 수행하는 그래핀의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계는, 물이 차있는 수조에 상기 그래핀 부재를 담가 이루어지는 그래핀의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 물이 차있는 수조에 상기 그래핀 부재를 담근 상태에서 상기 (c)단계가 이루어지는 그래핀의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 (c)단계는, 소정의 힘을 이용하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 그래핀의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 공정은, 산, 불화수소(HF), BOE(buffered oxide etch), 염화제2철(FeCl3) 용액 및 질산제2철(Fe(No3)3) 용액 중 적어도 어느 하나를 이용하여 수행되는 그래핀의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 (d)단계 이후에, 상기 그래핀을 기판 또는 소자에 전사하는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 제조 방법으로 얻어지는 그래핀.
  15. 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 제조 방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하는 전도성 박막.
  16. 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 제조 방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하는 투명 전극.
  17. 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 제조 방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하는 방열 또는 발열 소자.
KR1020090089289A 2009-09-21 2009-09-21 그래핀의 제조 방법 KR101736462B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090089289A KR101736462B1 (ko) 2009-09-21 2009-09-21 그래핀의 제조 방법
JP2010206795A JP5627967B2 (ja) 2009-09-21 2010-09-15 グラフェンの製造方法、その製造方法により製造されたグラフェン及びそのグラフェンからなる導電性薄膜、透明電極、放熱素子または発熱素子
CN2010102927057A CN102020271B (zh) 2009-09-21 2010-09-20 制造石墨烯的方法和通过该方法制造的石墨烯
US12/887,071 US8431103B2 (en) 2009-09-21 2010-09-21 Method of manufacturing graphene, graphene manufactured by the method, conductive film comprising the graphene, transparent electrode comprising the graphene, and radiating or heating device comprising the graphene

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090089289A KR101736462B1 (ko) 2009-09-21 2009-09-21 그래핀의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110031863A true KR20110031863A (ko) 2011-03-29
KR101736462B1 KR101736462B1 (ko) 2017-05-16

Family

ID=43756789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090089289A KR101736462B1 (ko) 2009-09-21 2009-09-21 그래핀의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8431103B2 (ko)
JP (1) JP5627967B2 (ko)
KR (1) KR101736462B1 (ko)
CN (1) CN102020271B (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101221581B1 (ko) * 2011-10-20 2013-01-14 한국기계연구원 그래핀을 포함하는 유연투명전극 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연투명전극 기판
WO2014051377A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Lg Electronics Inc. Separation membrane, method for preparing the same and unit for purification
KR20140041742A (ko) * 2011-06-20 2014-04-04 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 투사 장치
KR101439030B1 (ko) * 2013-05-31 2014-09-05 고려대학교 산학협력단 패턴 구조물의 형성 방법
US8975811B2 (en) 2013-05-28 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device that effectively prevent fluorine diffusion to the light emitting layer and method for fabricating the same
CN112804775A (zh) * 2021-01-18 2021-05-14 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司 采用透明石墨烯制备电热膜的方法

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2729648A1 (en) * 2008-06-30 2010-01-07 Dow Global Technologies Inc. Polymer composite with intumescent graphene
KR101652787B1 (ko) * 2009-11-12 2016-09-01 삼성전자주식회사 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법
KR101630291B1 (ko) * 2010-06-17 2016-06-14 한화테크윈 주식회사 그래핀의 전사 방법
JP5822669B2 (ja) 2011-02-18 2015-11-24 Jx日鉱日石金属株式会社 グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法
KR101842018B1 (ko) * 2011-04-01 2018-03-26 한화테크윈 주식회사 그래핀을 포함하는 필름 제조 방법
WO2012148439A1 (en) * 2011-04-25 2012-11-01 William Marsh Rice University Direct growth of graphene films on non-catalyst surfaces
JP5959510B2 (ja) 2011-06-02 2016-08-02 Ｊｘ金属株式会社 グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法
JP5850720B2 (ja) 2011-06-02 2016-02-03 Jx日鉱日石金属株式会社 グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法
TWI582041B (zh) 2011-06-03 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 單層和多層石墨烯，彼之製法，含彼之物件，以及含彼之電器裝置
US11296322B2 (en) 2011-06-03 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Single-layer and multilayer graphene, method of manufacturing the same, object including the same, and electric device including the same
US9218916B2 (en) 2011-06-24 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Graphene, power storage device, and electric device
EP2541559B1 (en) * 2011-06-30 2014-03-26 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Transparent conductive articles
CN102849961B (zh) * 2011-07-01 2016-08-03 中央研究院 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法
CN102887500A (zh) * 2011-07-20 2013-01-23 刘汉生 碳化表面活性剂制备石墨烯的方法
JP6025284B2 (ja) 2011-08-19 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置用の電極及び蓄電装置
WO2013027561A1 (en) 2011-08-19 2013-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing graphene-coated object, negative electrode of secondary battery including graphene-coated object, and secondary battery including the negative electrode
JP6000017B2 (ja) 2011-08-31 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置及びその作製方法
US9401247B2 (en) 2011-09-21 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Negative electrode for power storage device and power storage device
SG11201400465UA (en) * 2011-09-21 2014-09-26 Univ Singapore Methods of nondestructively delaminating graphene from a metal substrate
JP6218349B2 (ja) 2011-09-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置
CN103035922B (zh) 2011-10-07 2019-02-19 株式会社半导体能源研究所 蓄电装置
US8884310B2 (en) * 2011-10-19 2014-11-11 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Direct formation of graphene on semiconductor substrates
JP5721609B2 (ja) * 2011-11-15 2015-05-20 Jx日鉱日石金属株式会社 グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法
JP6009343B2 (ja) 2011-12-26 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池用正極および二次電池用正極の作製方法
KR102037469B1 (ko) * 2012-01-02 2019-10-28 삼성전자주식회사 그래핀 전자 소자 및 그 제조 방법
KR101946005B1 (ko) * 2012-01-26 2019-02-08 삼성전자주식회사 그래핀 소자 및 그 제조방법
US9237646B2 (en) 2012-05-14 2016-01-12 The Hong Kong University Of Science And Technology Electrical and thermal conductive thin film with double layer structure provided as a one-dimensional nanomaterial network with graphene/graphene oxide coating
CN102701180A (zh) * 2012-05-21 2012-10-03 清华大学 一种制备表面带有蝌蚪状结晶结构的碳薄膜的方法
JP5991520B2 (ja) * 2012-07-31 2016-09-14 国立研究開発法人産業技術総合研究所 グラフェン積層体の形成方法
JP6080054B2 (ja) * 2012-09-25 2017-02-15 国立研究開発法人産業技術総合研究所 パターンの形成方法
TWI524825B (zh) * 2012-10-29 2016-03-01 財團法人工業技術研究院 碳材導電膜的轉印方法
US9593019B2 (en) 2013-03-15 2017-03-14 Guardian Industries Corp. Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices
US10431354B2 (en) * 2013-03-15 2019-10-01 Guardian Glass, LLC Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices
KR102107538B1 (ko) * 2013-05-07 2020-05-07 삼성전자주식회사 그래핀 전사 방법, 이를 이용한 소자의 제조방법 및 그래핀을 포함하는 기판 구조체
JP5756834B2 (ja) * 2013-10-02 2015-07-29 尾池工業株式会社 転写フィルムおよびその製造方法、並びに透明導電性積層体の製造方法
JP2016013958A (ja) 2013-12-02 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 素子、膜の作製方法
JP6241318B2 (ja) * 2014-02-28 2017-12-06 富士通株式会社 グラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法
US9064698B1 (en) * 2014-03-30 2015-06-23 International Business Machines Corporation Thin-film gallium nitride structures grown on graphene
CN103922326B (zh) * 2014-04-16 2016-04-20 江南石墨烯研究院 一种界面自组装磺化石墨烯薄膜的制备方法
EP2937313B1 (en) 2014-04-24 2019-04-03 Graphenea, S.A. Equipment and method to automatically transfer a graphene monolayer to a substrate
JP6078024B2 (ja) 2014-06-13 2017-02-08 Ｊｘ金属株式会社 ２次元六角形格子化合物製造用圧延銅箔、及び２次元六角形格子化合物の製造方法
WO2016002090A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 光村印刷株式会社 導電性基材及び、導電性基材の製造方法
JP2016222526A (ja) 2015-05-29 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 膜の作製方法および素子
US10686207B2 (en) 2015-07-03 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lithium-ion storage battery and electronic device
US10354866B2 (en) 2015-07-27 2019-07-16 Graphenea, S.A. Equipment and method to automatically transfer a graphene monolayer to a substrate
US10145005B2 (en) 2015-08-19 2018-12-04 Guardian Glass, LLC Techniques for low temperature direct graphene growth on glass
US10573517B2 (en) 2015-10-01 2020-02-25 Globalwafers Co., Ltd. Epitaxial growth of defect-free, wafer-scale single-layer graphene on thin films of cobalt
KR102317740B1 (ko) 2016-05-12 2021-10-28 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 실리콘 기반 유전체 상에서의 6각형 붕소 질화물의 직접적 형성
US10369775B2 (en) * 2016-12-09 2019-08-06 Imec Vzw Method of releasing graphene from substrate
CN107631972B (zh) * 2017-08-03 2019-09-27 同济大学 一种石墨烯颗粒在gcl中渗透的实验系统
US10750619B2 (en) * 2017-12-21 2020-08-18 Industrial Technology Research Institute Metallization structure and manufacturing method thereof
CN109136858B (zh) * 2018-07-31 2020-09-25 电子科技大学 一种基于二维材料的氧化物薄膜剥离方法
CN110611017B (zh) * 2019-09-18 2021-09-17 北京工业大学 一种氮化镓上生长石墨烯提高led透明导电及散热性的方法
CN111447699B (zh) * 2020-04-15 2022-03-29 广东康烯科技有限公司 一种柔性石墨烯发热膜及其制备方法
CN111447698B (zh) * 2020-04-15 2022-03-29 广东康烯科技有限公司 一种柔性石墨烯发热膜及其制备方法
CN111432508A (zh) * 2020-04-15 2020-07-17 威海无缝新材料有限公司 一种石墨烯快发热膜及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4483152B2 (ja) * 2001-11-27 2010-06-16 富士ゼロックス株式会社 中空グラフェンシート構造体及び電極構造体とそれら製造方法並びにデバイス
BRPI0402338B1 (pt) 2004-06-16 2015-01-06 Universidad De La República Processo de preparação de materiais grafíticos magnéticos e materiais assim preparados
JP4849517B2 (ja) 2005-11-28 2012-01-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性メモリセル及びｅｅｐｒｏｍ
WO2008026237A1 (en) * 2006-08-28 2008-03-06 Fujitsu Limited Carbon nanotube materials, process for production thereof, and electronic components and devices
JP5137066B2 (ja) 2007-09-10 2013-02-06 国立大学法人福井大学 グラフェンシートの製造方法
KR100923304B1 (ko) * 2007-10-29 2009-10-23 삼성전자주식회사 그라펜 시트 및 그의 제조방법
KR101344493B1 (ko) * 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
JP5303957B2 (ja) 2008-02-20 2013-10-02 株式会社デンソー グラフェン基板及びその製造方法
US8535553B2 (en) 2008-04-14 2013-09-17 Massachusetts Institute Of Technology Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates
KR101006903B1 (ko) 2008-06-03 2011-01-13 연세대학교 산학협력단 다층 그라펜 중공 나노구의 제조방법
KR100999167B1 (ko) 2008-06-03 2010-12-07 이화여자대학교 산학협력단 다층 그라펜 중공 나노구
KR101462401B1 (ko) 2008-06-12 2014-11-17 삼성전자주식회사 그라펜 시트로부터 탄소화 촉매를 제거하는 방법, 탄소화촉매가 제거된 그라펜 시트를 소자에 전사하는 방법, 이에따른 그라펜 시트 및 소자
CN101474898A (zh) * 2009-01-16 2009-07-08 南开大学 基于石墨烯的导电碳膜及制备方法和应用

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140041742A (ko) * 2011-06-20 2014-04-04 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 투사 장치
KR101221581B1 (ko) * 2011-10-20 2013-01-14 한국기계연구원 그래핀을 포함하는 유연투명전극 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연투명전극 기판
WO2014051377A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Lg Electronics Inc. Separation membrane, method for preparing the same and unit for purification
US9636640B2 (en) 2012-09-28 2017-05-02 Lg Electronics Inc. Separation membrane, method for preparing the same and unit for purification
US8975811B2 (en) 2013-05-28 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device that effectively prevent fluorine diffusion to the light emitting layer and method for fabricating the same
KR101439030B1 (ko) * 2013-05-31 2014-09-05 고려대학교 산학협력단 패턴 구조물의 형성 방법
CN112804775A (zh) * 2021-01-18 2021-05-14 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司 采用透明石墨烯制备电热膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102020271A (zh) 2011-04-20
KR101736462B1 (ko) 2017-05-16
JP2011063506A (ja) 2011-03-31
US8431103B2 (en) 2013-04-30
JP5627967B2 (ja) 2014-11-19
CN102020271B (zh) 2013-07-03
US20110070146A1 (en) 2011-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110031863A (ko) 그래핀의 제조 방법, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자
Song et al. Graphene transfer: Paving the road for applications of chemical vapor deposition graphene
Luo et al. Role of graphene in water-assisted oxidation of copper in relation to dry transfer of graphene
Deng et al. Wrinkle-free single-crystal graphene wafer grown on strain-engineered substrates
KR20110031864A (ko) 그래핀의 제조 방법, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자
Yeh et al. Single-step growth of graphene and graphene-based nanostructures by plasma-enhanced chemical vapor deposition
KR102203157B1 (ko) 기판들 간의 필름들의 전사를 위한 방법 및 장치
KR102513763B1 (ko) 그래핀의 제조 및 전사 방법
Hong et al. Micropatterning of graphene sheets: recent advances in techniques and applications
TWI503440B (zh) 石墨烯導電膜結構的製備方法
US8877572B2 (en) Graphene device manufacturing apparatus and graphene device manufacturing method using the apparatus
WO2017040469A1 (en) Methods for transferring graphene films and substrates comprising graphene films
CN105523554B (zh) 一种常温常压下利用激光快速制备石墨烯的方法
TWI526559B (zh) 藉由物理氣相沉積法在基板上成長碳薄膜或無機材料薄膜的方法
Lee et al. Crack-release transfer method of wafer-scale grown graphene onto large-area substrates
Lu et al. Single-step direct growth of graphene on Cu ink toward flexible hybrid electronic applications by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Zhao et al. PMMA direct exfoliation for rapid and organic free transfer of centimeter-scale CVD graphene
Guo et al. Large-area metal–semiconductor heterojunctions realized via MXene-induced two-dimensional surface polarization
KR101915192B1 (ko) 그래핀의 수득 방법
Gromov et al. Specific features of the structure and properties of carbon nanocolumns formed by low-temperature chemical vapor deposition
Oh CVD graphene synthesis on copper foils and doping effect by nitric acid
Chen et al. Facile preparation of graphene nanowalls/EVA hybrid film for ultraflexible transparent electrodes
CN105070658B (zh) 石墨烯图案及其形成方法、显示基板制备方法及显示装置
Fan et al. Strategy for transferring van der Waals materials and heterostructures
Temiz et al. Effect of intermittent oxygen exposure on chemical vapor deposition of graphene

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant