KR20100103863A - 자기 소자 제조 방법 - Google Patents

자기 소자 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100103863A
KR20100103863A KR1020107017459A KR20107017459A KR20100103863A KR 20100103863 A KR20100103863 A KR 20100103863A KR 1020107017459 A KR1020107017459 A KR 1020107017459A KR 20107017459 A KR20107017459 A KR 20107017459A KR 20100103863 A KR20100103863 A KR 20100103863A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
film
pattern
magnetic
mask layer
Prior art date
Application number
KR1020107017459A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101138916B1 (ko
Inventor
타다시 야마모토
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20100103863A publication Critical patent/KR20100103863A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101138916B1 publication Critical patent/KR101138916B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
    • G11B5/746—Bit Patterned record carriers, wherein each magnetic isolated data island corresponds to a bit
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/82—Disk carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
    • H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

마스크 제거 단계들의 추가 없이도 충분한 공정 정밀도를 획득할 수 있는 자기 소자의 제조 방법이 개시된다. Ti, Ta, W 및 이들의 산화물 또는 질화물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나를 이용하여 자성막 상에 제1 마스크층이 형성된다. Ru 또는 Cr을 이용하여 제1 마스크층 상에 제2 마스크층이 형성된다. 제2 마스크층 상에 레지스트 패턴이 형성된다. 레지스트 패턴을 사용하여 제2 마스크층 상에 산소를 함유하는 반응성 기체를 이용한 반응성 이온 식각을 수행함으로써 제2 마스크 패턴이 형성된다. 제2 마스크 패턴을 사용하여 제1 마스크층 상에 할로겐 기체를 함유하는 반응성 기체를 이용한 반응성 이온 식각을 수행함으로써 제1 마스크 패턴이 형성된다. 제1 마스크 패턴을 이용하여 자성막 상에 산소를 함유하는 반응성 기체를 이용한 반응성 이온 식각을 수행함으로써 자기 패턴이 형성된다.

Description

자기 소자 제조 방법{MAGNETIC DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 자기 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전이금속 재료의 자기적 성질(magnetic property)은 하드 디스크 드라이브(hard disk drive: HDD), 자기저항성 랜덤 엑세스 메모리(magnetoresistive random access memory: MRAM) 등과 같은 다양한 종류들의 자기 소자들에 의해 널리 사용된다. 이러한 자성 소자들의 제조를 위한 기술에서, 더 높은 밀도를 가지는 정보 저장소자 및 더 높은 정확성을 가지는 센서들을 위한 요구들이 있어 왔다. 그 결과, 자기 패턴들을 소형화하기 위한 공정 기술들이 개발되어 왔다. 종래 기술에서, 자성 박막의 마이크로 공정을 위한 식각(etching) 기술들로서, 자성 박막 상에 물리적인 식각을 수행하는 이온 밀링(ion milling) 및 자성 박막 상에 물리-화학적 공정(physical-chemical process)을 수행하는 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 공정들이 도입되었다.
이온 밀링에서, 자성 박막은 아르곤(Ar) 또는 이와 동류의 이온들을 상기 자기 박막에 충돌시킴으로써 식각되어 상기 자기 박막의 부위들이 그 표면으로부터 부분적으로 떨어진다. 이온 밀링에서, 상기 식각의 대상체는 이온들이 충돌하는 전체 영역이다. 따라서, 식각 선택비(etching selectivity)를 얻기가 어렵고, 자성 패턴들의 소형화에 한계가 존재한다. 반면에, 반응성 이온 식각에서는, 상기 자성 박막이 반응성 기체의 플라즈마 내에 위치하여, 상기 자성 박막이 상기 자성 재료 및 상기 반응성 기체의 사이에서 물리-화학적 반응을 통하여 제거된다. 이는 반응성 이온 식각이 이온 밀링과 대비하여 높은 식각 선택비를 갖도록 한다.
자성 박막들을 위한 상기 반응성 이온 식각에서, 산소(O2) 및 염소(Cl2)의 기체 혼합물 또는 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)의 기체 혼합물이 상기 반응성 기체로 사용된다. 자성 박막들을 위한 마이크로 공정 기술에서, 상기 자성 박막의 마스크에 대한 선택비를 증가시키기 위하여, 높은 식각 저항(etching resistance)을 갖는 마스크 재료가 종래 기술에서 이러한 반응성 기체를 위하여 제안되었다(예를 들면, 특허 문헌들 1 내지 4).
특허 문헌들 1 내지 3에서, 금속막이 자성 박막 및 레지스트 패턴 사이에 형성되고, 상기 레지스트 패턴을 사용하여 상기 금속막을 식각함으로써 하드 마스크(hard mask)가 형성되고, 상기 하드 마스크를 이용하여 상기 자성 박막을 식각함으로써 자성 패턴(magnetic pattern)이 형성된다. 특허 문헌 1은 하드 마스크의 재료로서 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 게르마늄(Ge), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 혹은 이들의 합금을 포함하는 재료들 중 어느 하나의 사용을 제안한다. 특허 문헌 2는 질화물(nitride) 및 탄화물(carbide)로 변화할 때 녹는점 또는 끓는점이 증가하는 금속(예를 들면, 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 등)을 사용한다. 특허 문헌 3은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe) 및 이들의 산화물, 질화물, 불화물(fluoride), 붕소화물(boride) 및 탄화물을 사용한다. 특허 문헌들 1 내지 3은 전술한 마스크 재료를 선택하고 일산화탄소-암모니아 시스템 및 산소-염소 시스템 내에서 상기 선택비를 증가시킨다.
특허 문헌 4에서, 마스크 전구체막(mask precursor layer) 및 금속막이 자성 박막 및 레지스트 패턴 사이에 우선 형성되고, 상기 레지스트 패턴을 사용하여 상기 금속막을 식각함으로써 제2 하드 마스크가 형성되고, 상기 제2 하드 마스크를 사용하여 상기 마스크 전구체 막을 식각함으로써 제1 하드 마스크가 형성된다. 상기 제1 하드 마스크를 사용하여 상기 자성 박막을 식각함으로써 자성 패턴이 형성된다. 특허 문헌 4는 상기 레지스트 패턴, 상기 금속막 및 상기 전구체막의 상기 막들 사이의 상기 식각 선택비를 증가시킨다. 이는 상기 전구체막에 대한 상기 자성막의 상기 식각 선택비를 증가시키고, 상기 자성 패턴의 공정 정확도를 향상시킨다.
도 8a 내지 8d는 수직 자기 기록 방식 하드디스크(perpendicular magnetic recording type HDD)로 사용되는 자성 디스크의 제조 방법을 설명하는 순서도들(process charts)이다. 상기 자성 디스크 제조 방법에서, 도 8a에 도시된 바와 같이, 우선 자성막(52), 보호막(53), 하드 마스크층(54) 및 레지스트 패턴(RM)이 기판(51)의 상면으로부터 순차적으로 적층된다. 예를 들면, CoCrPt-SiO2 및 티타늄이 각각 상기 자성 재료 및 상기 마스크 재료로 선택된 때, 막 두께 150nm를 갖는 레지스트 패턴(RM) 및 막 두께 20nm를 갖는 하드 마스크층(52)이 막 두께 20nm를 갖는 마스크층(52) 상에 적층된다. 보호막(53)은 하드 마스크층(54)을 식각할 때 자성막(52)을 보호하기 위한 박막층이고, 예를 들면, 수 나노미터의 막 두께를 갖는 DLC(Diamond-Like Carbon) 막이다.
이후, 도 8b를 참조하면, 레지스트 패턴(RM)을 사용한 반응성 이온 식각이 하드 마스크층(54) 상에 수행된다. 도 8c를 참조하면, 하드 마스크(54a)가 레지스트 패턴(RM)의 애싱(ashing) 공정에 의하여 형성된다. 이후, 도 8d를 참조하면, 하드 마스크(54a)를 사용한 반응성 이온 식각이 보호막(53) 및 자성막(52) 상에 수행되어 자성 패턴(52a)을 형성한다.
이 경우에, 자성 패턴(52a)이 100nm 이하의 디자인룰(design rule)(선폭 및 간격폭)을 가질 때, 레지스트 패턴(RM)의 플라즈마 저항이 급격히 낮아진다. 이는 레지스트 패턴(RM)의 변형을 촉진시키고, 하드 마스크(54a)는 뾰족해진다. 그 결과, 자성 패턴(52a)의 측면이 기판(51)의 상기 주면(main surface)에 대하여 경사(예를 들면 70도 이하)를 형성한다. 그 결과, 수직 자기 기록을 수행하기 위한 충분한 공정 정확도(processing accuracy)를 획득할 수 없다.
특허 문헌 4는 적층 구조를 가지는 하드 마스크를 제안하나, 레지스트 패턴(RM), 하드 마스크층(54) 및 자성막(52)의 상기 막들 사이의 상기 식각 선택비를 면밀히 논의하지는 않는다. 또한, 특허 문헌 4는 상기 식각 공정을 위한 상기 마스크 재료를 면밀히 논의하지 않는다. 게다가, 특허 문헌 4에서 마스크층들이 증가할 때 상기 마스크를 제거하기 위한 단계들의 수도 증가한다. 이는 상기 자성 소자의 생산성을 저하시킨다.
특허 문헌 1: 일본특허공개공보 제11-175927호
특허 문헌 2: 일본특허공개공보 제2002-38285호
특허 문헌 3: 일본특허공개공보 제2002-510142호
특허 문헌 4: 일본특허공개공보 제2001-229508호
본 발명의 일 목적은 마스크 제거 단계 수 증가 없이 충분한 공정 정확도를 확보하는 자성 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 자기 소자의 제조 방법의 일 측면은 기판 상에 자성막을 형성하고, Ti, Ta, W 및 이들의 산화물 또는 질화물로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나를 이용하여 상기 자성막 상에 제1 마스크층을 형성하며, 상기 제1 마스크층 상에 루테늄 혹은 크롬을 사용하여 제2 마스크층을 형성하고, 상기 제2 마스크층 상에 레지스트 패턴을 형성하며, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제2 마스크층 상에 산소를 함유하는 반응성 기체를 이용하여 반응성 이온 식각을 수행함으로써 제2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제1 마스크층 상에 할로겐 기체를 함유하는 반응성 기체를 이용하여 반응성 이온 식각을 수행함으로써 제1 마스크 패턴을 형성하며, 상기 제1 마스크 패턴을 마스크로 사용하여 상기 자성막 상에 산소를 함유하는 반응성 기체를 이용하여 반응성 이온 식각을 수행함으로써 자성 패턴을 형성한다.
도 1은 자기 기록 매체를 도시한 단면도이다.
도 2는 상기 자기 기록 매체의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 3은 상기 자기 기록 매체의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 4는 상기 자기 기록 매체의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 5는 상기 자기 기록 매체의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 6은 상기 자기 기록 매체의 제조 방법을 도시한 공정도이다.
도 7은 루테늄 막 및 티타늄 막의 식각 속도를 나타내는 도면이다.
도 8a 및 8d는 자기 기록 매체의 제조 방법의 종래 기술을 도시한 공정도이다.
자기 소자로 사용되는 자기 기록 매체의 일 실시예가 도 1을 참조로 설명될 것이다. 상기 자기 기록 매체는 상기 수직형 자기 기록 기술을 이용한 이산 트랙 매체(discrete track medium) 또는 패터닝된 트랙 매체(patterned track medium)와 같은 자기 디스크이다. 도 1은 자기 디스크(10)의 부분을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에서, 자기 디스크(10)는 하지막(underlying layer)(12), 연자성막(soft magnetic layer)(13), 배향막(orientation layer)(14), 자성막으로 작용하는 기록 패턴들(15A), 비자성 패턴들(16A), 보호막(17) 및 윤활막(lubricating layer)(18)이 적층된 기판(11)을 구비한다. 기판(11)은 알루미늄 기판 또는 유리 기판과 같은 비자성 기판일 수 있다.
하지막(12)은 기판(11)의 표면 거칠기를 완화하는 버퍼막이고, 유리 기판 및 이의 동등물을 강화하고 기판(11) 및 연자성막(13) 사이의 접착성을 획득하는 막으로서 작용한다. 하지막(12)은 또한 상기 상부 막의 결정 방향을 결정하고, 적층될 연자성막(13)의 방향을 정의하는 시드막(seed layer)으로서 작용한다. 하지막(12)은 비결정질(non-crystalline)이거나, Ta, Ti, W 및 Cr으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 함유하는 미세결정 합금(microcrystalline alloy)일 수 있고, 이들의 적층막일 수 있다.
연자성막(13)은 연자성(soft magnetic property)을 가지는 자성막이고, 기록 패턴(15A)의 수직 배향(orientation)을 향상시킨다. 연자성막(13)으로서, 비결정질 또는 Fe, Co, Ni, Al, Si, Ta, Ti, Zr, Hf, V, Nb, C 및 B로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 함유하는 미세결정 합금, 또는 이들 합금의 적층막이 사용될 수 있다.
배향막(14)은 기록 패턴(15A)의 결정 배향(crystalline orientation)을 결정하는 막이다. 배향막(14)으로서, 예를 들면, Ru, Ta, Pt, MgO, 혹은 이의 동등물의 단일막 구조 또는 Ru 및 Ta이 MgO 상에 적층된 다중막 구조(multi-layer structure)가 사용될 수 있다.
기록 패턴들(15A)은 기록(recording) 및 재생산(reproducing)을 위한 데이터 트랙들(data tracks) 내로 분리되는 막을 형성하고, 기판(11)의 상기 표면에 평행한 상면을 포함한다. 기록 패턴들(15A)은 상기 데이터 영역(data region) 및 상기 서브 영역(serve region) 내에서 상이한 형상들 및 크기들을 구비할 수 있다. 도 1은 자기 디스크(10)의 상기 적층 구조의 설명이 용이하도록 동일한 피치 폭(pitch width)을 구비하는 데이터 영역의 일부를 나타낸다. 상기 표면 기록 밀도를 증가시키기 위하여, 각각의 기록 패턴(15A)이 기판(11)의 표준 방향(normal direction)(기록 패턴(15A)의 막 두께 방향)으로 연장하는 자화 용이축(magnetization facilitation axis)을 구비하는 수직 자화막(perpendicular magnetization film)인 것이 바람직하다.
기록 패턴(15A)을 형성하는 자성 재료는 예를 들면, Co, Ni, Fe 및 Co 합금으로 구성된 군으로부터 선택되는 강자성 재료의 적어도 한개의 유형일 수 있다. 이와는 달리, 기록 패턴(15A)을 형성하는 자성 재료는 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물을 함유하며 주로 CoCr, CoPt, CoCrPt 및 이의 동등물로부터 형성되는 과립막(granular film)일 수 있다.
비자성 패턴들(16A)은 각각의 기록 패턴(15A)을 자기적으로 고립시키기 위한 막을 형성하고, 인접한 기록 패턴들(15A) 사이의 간격들을 채운다. 각각의 비자성 패턴들(16A)의 상면은 상기 인접한 기록 패턴(15A)의 상면과 동일평면 상에 있다. 비자성 패턴(16A)은 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 불화물(MgF2) 또는 이와 동등물일 수 있다.
보호막(17)은 기록 패턴(15A) 및 비자성 패턴(16A)을 보호하기 위한 막이고, 0.5 내지 15nm의 막 두께를 갖는 DLC(diamond like carbon), 탄소 질화물 알루미늄 산화물(carbon nitride aluminum oxide), 지르코늄 산화물, 또는 이의 동등물일 수 있다. 윤활막(18)은 자기 디스크(10)가 자기 헤드와 접촉할 때 상기 자기 헤드를 평면 방향으로 미끄러지게 하여 자기 디스크(10) 및 상기 자기 헤드에 가해지는 손상들을 방지하기 위한 막이다.
자기 디스크(10)의 제조 방법이 이제 논의될 것이다. 도 2 내지 도 6은 자기 디스크(10)의 제조 방법을 도시하는 공정도들이다.
도 2를 참조하면, 스퍼터링, 도금 및 이와 동등한 공정들이 수행되어 하지막(12), 연자성막(13), 배향막(14) 및 기록막(15)을 기판(11)의 상면 상에 순차적으로 적층한다. 이후, 식각 보호막(etching protecting layer)(21), 제1 마스크층(22) 및 제2 마스크층(23)이 기록막(15)의 상면 상에 순차적으로 적층된다.
식각 보호막(21)은 기록막(15)의 패터닝시 기록막(15)의 자기적 특성들을 보호하기 위한 막이고, 예를 들면, 0.5 내지 15nm의 막 두께를 갖는 DLC일 수 있다.
제1 마스크(22)는 Ti, Ta, W 및 이들의 산화물 또는 질화물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로부터 형성되는 막이고, 예를 들면, 5nm 내지 100nm의 막 두께를 갖는다.
제1 마스크층(23)은 Ru 또는 Cr의 어느 하나로부터 형성되며, 2nm 내지 10nm의 막 두께를 갖는다. 제1 마스크층(23)은 레지스트 패턴(RM)(예를 들면, 150nm), 제1 마스크층(22) 및 기록막(15)(예를 들면, 20nm)보다 얇게 형성된다.
도 3을 참조하면, 포토레지스트의 적용막(application film)이 제2 마스크층(23) 상에 형성되고, 레지스트 패턴(RM)은 상기 적용막 상에 노광-현상(exposure-development) 공정을 수행함으로써 형성된다. 레지스트 패턴(반응성 이온 식각이 이후 제2 마스크층(23) 상에 수행된다. 이로써 제2 마스크 패턴(23A)을 형성한다.
이 경우에, 상기 반응성 이온 식각은 산소를 함유하는 반응성 기체를 사용한다. 레지스트 패턴(RM)의 저항은 산소 플리즈마에 대하여 일반적으로 낮다. 따라서, 산소를 사용하는 식각 공정이 적용될 수 없다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 이후 설명될 바와 같이, 산소가 없는 반응성 기체를 사용한 상기 식각 공정에서 제1 마스크층(22)의 제2 마스크층(23)에 대한 선택비가 극히 크다. 이는 제2 마스크층(23)이 일반적인 경우보다 얇게 형성되도록 한다. 또한, 제2 마스크층(23) 및 산소의 반응이 예를 들면, RuO4(끓는점 130℃), CrO3(끓는점 250℃) 및 CrO2Cl2(끓는점 117℃)와 같은 저융점 산화물(low melting point oxide)을 생성한다. 따라서, 제2 마스크층(23)의 식각율이 극히 높다. 그 결과, 레지스트 패턴(RM)을 이용한 제2 마스크층(23)의 고정밀 식각(high accuracy etching)이 수행될 수 있다. 제2 마스크층(23)이 얇기 때문에, 제2 마스크 패턴(23A)이 더 높은 공정 정밀도를 가지며 형성될 수 있다.
상기 반응성 기체는 Cl2, BCl3, CF4, C3F8, HI 및 SiCl4로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 할로겐 기체와 산소를 혼합함으로써 형성될 수 있다. 도 바람직하게는, 상기 반응성 기체는 산소 및 염소의 기체 혼합물에 의해 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 반응성 기체는 레지스트 패턴(RM)에 대하여 제2 마스크층(23)의 충분히 높은 선택비를 획득하기 위하여 오직 산소 농도를 구비할 필요가 있다.
도 4를 참조하면, 제2 마스크 패턴(23A)을 이용하는 반응성 이온 식각이 제1 마스크층(22) 상에 수행된다. 이로써 제1 마스크 패턴(22A)이 형성된다.
이 경우, 상기 반응성 이온 식각에 사용된 상기 반응성 기체는 할로겐 기체를 함유하는 기체일 수 있다. 이는 제1 마스크층(22) 및 상기 할로겐의 상기 반응을 통하여 저융점 할로겐화물(low melting point halide)의 생성을 허용한다. 따라서, 제1 마스크층(22)의 제2 마스크층(23)에 대한 상기 선택비가 제1 마스크층(22)에 대한 기록막(15)의 선택비에 악영향을 주지 않고도 충분히 높은 값(100을 초과하는 값)을 가질 수 있다. 그 결과, 제2 마스크 패턴(23A)의 형상이 유지될 수 있고, 제1 마스크 패턴(22A)이 더 높은 공정 정밀도를 가지며 형성될 수 있다.
상기 할로겐 기체는 Cl2, BCl3, CF4, C4F8, HI 및 SiCl4로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 할로겐 기체를 함유한다.
도 5를 참조하면, 산소를 이용한 애싱(ashing) 공정이 레지스트 패턴(RM) 상에 수행되어 레지스트 패턴(RM)을 제거한다. 제1 마스크 패턴(22A)을 이용한 반응성 이온 식각이 이후 보호막(21) 및 기록막(15) 상에 수행된다. 이로써 기록 패턴(15A)이 형성된다. 제2 마스크 패턴(23A) 및 제1 마스크 패턴(22A)이 높은 공정 정밀도를 가지며 형성되기 때문에, 기록 패턴(15A)은 높은 공정 정밀도를 가지며 형성된다.
이 경우에, 상기 반응성 이온 식각에 사용된 상기 반응성 기체는 산소를 함유하는 기체일 수 있다. 이는 기록막(15)을 식각한다. 또한, 제2 마스크 패턴(23A)이 산소와 제2 마스크 패턴(23A)의 상기 반응에 의해 제거된다. 더욱이, 레지스트 패턴(RM)이 충분히 얇거나, 산소 플라즈마에 대한 저항이 낮을 때, 레지스트 패턴은 제2 마스크 패턴(23A)과 더불어 제거될 수 있다. 따라서, 산소를 이용하는 상기 애싱 공정이 불필요해질 수 있다.
도 6을 참조하면, 할로겐 기체를 사용하는 반응성 이온 식각이 제1 마스크 패턴(22A) 및 식각 보호막(21) 상에 수행되어 제1 마스크 패턴(22A) 및 식각 보호막(21)을 제거한다. 이후, 수소 플라즈마를 이용한 할로겐 기체 제거 공정이 기록막 패턴(15A) 상에 수행되고, 기록 패턴(15A)에 흡착된 상기 할로겐 기체는 제거된다. 이로써, 예를 들면 기판(11)의 주면에 대하여 직각인 측면을 가지는 등 소정의 형상을 구비하는 기록 패턴(15A)을 형성한다.
[실험예 1]
레지스트 패턴(RM)에 대한 제2 마스크층(23)의 식각 속도의 비율 및 제2 마스크층(23)에 대한 제1 마스크층(22)의 식각 속도의 비율, 즉, 레지스트 패턴(RM)에 대한 제2 마스크층(23)의 선택비 및 제2 마스크층(23)에 대한 제1 마스크층(22)의 선택비가 지금부터 논의될 것이다.
티타늄막이 제1 마스크층(22)으로서 유리 디스크 기판 상에 형성되고, 루테늄막이 제2 마스크층(23)으로서 다른 유리 디스크 기판 상에 형성되며, 전자빔 노광 레지스트(electron beam exposure resist: EB resist)막이 레지스트 패턴(RM)으로서 또 다른 유리 디스크 기판 상에 형성되었다. 상기 티타늄막, 상기 루테늄막, 상기 EB 레지스트막 각각에 대하여 4 내지 28 sccm의 산소, 1 sccm의 염소를 함유하는 기체 혼합물의 압력 5Pa의 조건 하에서 이온 식각이 수행되었다. 식각 속도는 상기 티타늄막, 상기 루테늄막, 상기 EB 레지스트막 각각에 대하여 측정되었다.
도 7을 참조하면, 상기 산소 유속이 16 sccm으로 증가할 때, 상기 티타늄막의 식각 속도가 급격히 감소하였다. 상기 산소 유석이 16 sccm에서 28 sccm으로 증가할 때, 상기 티타늄막의 식각 속도가 10nm/분 이하의 낮은 값으로 유지되었다. 이는 티타늄 및 염소의 반응, 즉, 상기 티타늄막의 상기 식각 반응이 낮은 산소 유속 범위에서 지배적이고, 티타늄 및 산소의 반응, 즉, 티타늄의 산화 반응이 높은 산소 유속 범위에서 지배적임을 암시한다.
따라서, 상기 염소-산소 시스템(산소: 16 sccm 내지 24 sccm)의 이온 식각에서 상기 루테늄막의 상기 레지스트막에 대한 상기 식각 속도의 비율, 즉, 상기 루테늄막의 상기 레지스트막에 대한 상기 선택비가 약 2.2임이 발견되었다. 또한, 상기 티타늄막의 상기 루테늄막에 대한 상기 선택비가 100을 초과하는 높은 값을 가짐이 발견되었다. 이러한 선택비들은 이온 식각 동안 0.2 Pa 내지 5 Pa의 압력 범위에서 인식되었다.
[실험예 2]
티타늄막이 제1 마스크층(22)으로서 유리 디스크 기판 상에 형성되고, 루테늄막이 제2 마스크층(23)으로서 다른 유리 디스크 기판 상에 형성되고, EB 레지스트막이 레지스트 패턴(RM)으로서 또 다른 유리 디스크 기판 상에 형성되었다. 상기 티타늄막, 상기 루테늄막, 상기 EB 레지스트막 각각에 대하여 Cl2 및 BCl3을 함유하는 기체 혼합물의 압력 5Pa의 조건 하에서 이온 식각이 수행되었다. 또한, 식각 속도는 상기 티타늄막, 상기 루테늄막, 상기 EB 레지스트막 각각에 대하여 측정되었다.
상기 Cl2-BCl3 시스템에서, 상기 루테늄막의 상기 식각 속도는 약 0nm/분이고, 상기 티타늄막의 상기 식각 속도는 약 600nm/분이며, 상기 EB 레지스트막의 상기 식각 속도는 약 150nm/분이었다. 따라서, Cl2-BCl3 이온 식각이 상기 티타늄막의 상기 루테늄막에 대한 선택비가 100을 초과하는 높은 값이 얻어짐이 발견되었다. 상기 티타늄막의 상기 레지스트막에 대한 상기 선택비가 약 4.0이었다. 따라서, 상기 레지스트 패턴이 마스크로 사용될 때와 비교하여, 상기 티타늄막의 상기 선택비는 상기 루테늄막을 상기 마스크로 사용함으로써 25배 이상 증가하였다. 이러한 선택비들은 이온 식각시 압력 0.2 Pa 내지 3 Pa의 범위 내에서 인식되었다.
[실험예 3]
티타늄막이 제1 마스크층(22)으로서 유리 디스크 기판 상에 형성되고, 루테늄막이 제2 마스크층(23)으로서 다른 유리 디스크 기판 상에 형성되며, CoCrPt-SiO2 막이 기록 패턴(15A)으로서 또 다른 유리 디스크 기판 상에 형성되었다. 이온 식각은 Ar, O2 및 Cl2를 함유하는 기체 혼합물을 이용하여 0.5Pa의 압력 하에서 수행되었고, 상기 식각 속도는 상기 티타늄막, 상기 루테늄막, 상기 CoCrPt-SiO2 막 각각에 대하여 측정되었다.
상기 Ar-O2-Cl2 시스템에서, 상기 루테늄막의 상기 식각 속도는 약 30 nm/분이고, 상기 티타늄막의 상기 식각 속도는 약 0 nm/분(0.2 nm/분 이하)이며, 상기 CoCrPt-SiO2 막의 상기 식각 속도는 약 40 nm/분이었다. 따라서, Ar-O2-Cl2 이온 식각에서 상기 루테늄막에 대한 상기 티타늄막의 선택비가 100을 초과하는 높은 값을 얻음을 발견하였다. 또한, 상기 CoCrPt-SiO2 막을 식각할 때 상기 루테늄막이 식각될 수 있음을 발견하였다. 상기 선택비들은 이온 식각시 0.2Pa 내지 3Pa의 압력 범위 내에서 인식되었다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 자기 디스크의 상기 제조 방법은 아래와 같은 장점들을 갖는다.
(1) 제1 마스크층(22)은 Ti, Ta, W 및 이들의 산화물 또는 질화물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 이용하여 형성된다. 따라서, 제1 마스크(22)는 산소와의 반응을 통하여 고융점의 산화물을 형성하며, 염소와의 반응을 통하여 저융점의 염화물(chloride)을 형성하는 재료를 사용한다. 제2 마스크층(23)은 상기 제1 마스크층(22) 상에 루테늄 또는 크롬 중 하나를 사용하여 형성된다. 따라서, 제2 마스크층(23)은 산소와의 반응을 통해 저융점 산화물을 형성하고, 염소와의 반응을 통해 고융점 염화물을 형성하는 재료를 사용한다. 제2 마스크 패턴(23A)은 에천트(etchant)로서 산소를 사용하는 상기 반응성 이온 식각에 의하여 형성되고, 제1 마스크 패턴(22A)은 에천트로서 할로겐 기체를 사용하는 상기 반응성 이온 식각에 의하여 형성된다.
이에 따라, 제2 마스크층(23) 및 제1 마스크층(22) 사이에 충분히 높은 선택비가 획득된다. 따라서, 제2 마스크층(23)은 충분히 얇다. 이로써 제2 마스크 패턴(23A), 제1 마스크 패턴(22A) 및 기록 패턴(15A)이 높은 정밀도를 가지며 형성된다.
(2) 더욱이, 기록막(15)은 산소를 이용한 상기 반응성 이온 식각에 의하여 식각된다. 이는 기록 패턴(15A)을 형성하며 동시에 제2 마스크 패턴(23A)을 제거한다. 이로써 제2 마스크 패턴(23A)과 관련된 마스크 제거를 위한 단계의 수를 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 마스크층(23)이 얇기 때문에 레지스트 패턴(RM)이 얇다. 따라서, 일반적으로 산소를 사용하는 애싱 공정 대신에, 레지스트 패턴(RM)의 제거 및 제2 마스크 패턴(23A)의 제거가 이 단계에서 동시에 수행될 수 있다.
(3) 2nm 내지 10nm의 막 두께를 가지는 제2 마스크층(23)은 레지스트 패턴(RM)보다 얇고 기록막(15)보다 얇다. 제2 마스크층(23)을 레지스트 패턴(RM)보다 얇게 형성함으로써, 제2 마스크 패턴(23A)은 높은 정밀도를 가지며 형성된다. 또한, 제2 마스크층(23)을 기록막(15)보다 얇게 형성함으로써, 제2 마스크 패턴(23A)의 제거가 기록막(15)의 식각 단계 내에서 보장된다.
(4) 제2 마스크층(23)이 기록막(15)보다 얇게 형성되는 제1 마스크층(22)보다 얇게 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우에, 제2 마스크 패턴(23A)의 제거가 기록막(15)의 식각 단계 내에서 보장된다.
(5) 할로겐 및 산소를 함유하는 반응성 기체가 제2 마스크층(23)의 에천트로서 사용되는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 반응성 기체로서 산소만을 사용한 경우와 비교하여 상기 레지스트 패턴 및 상기 제2 마스크층 사이의 높은 선택비가 획득된다.
전술한 본 발명의 실시예들은 아래 설명될 형태들 내에서 실시될 수 있다.
상기 자기 소자는 HDD를 위한 자기 디스크(10)에 한정되지 않고, MRAM, 자기 센서, 및 동류물 등에서 구체화될 수 있다. 다시 말하면, 전술한 실시예의 상기 제조 방법이 반응성 이온 식각을 수행함으로써 자성막 상에 자기 패턴이 형성되는 자기 소자에 적용될 수 있다.
제2 마스크층(23)의 상기 두께는 제1 마스크층(22)과 동일할 수 있고, 제1 마스크층(22)보다 두꺼울 수 있다.
RM: 레지스트 패턴
10: 자기 소자용 자기 디스크 11: 기판
15: 자성막용 기록막 15A: 자성 패턴용 기록 패턴
22: 제1 마스크층 22A: 제1 마스크 패턴
23: 제2 마스크층 23A: 제2 마스크 패턴

Claims (6)

  1. 기판 상에 자성막을 형성하는 단계;
    Ti, Ta, W 및 이들의 산화물 또는 질화물로 구성되는 군으로부터 선택된 어느 하나를 이용하여 상기 자성막 상에 제1 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 제1 마스크층 상에 Ru 또는 Cr을 이용하여 제2 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 제2 마스크층 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2 마스크층 상에 산소를 함유하는 반응성 기체를 이용한 반응성 이온 식각을 수행함으로써 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 마스크 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제1 마스크층 상에 할로겐 기체를 함유하는 반응성 기체를 이용한 반응성 이온 식각을 수행함으로써 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 마스크 패턴을 마스크로 이용하여 상기 자성막 상에 산소를 함유하는 반응성 기체를 이용한 반응성 이온 식각을 수행함으로써 자기 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 자기 소자의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 마스크층을 형성하는 단계는 상기 제2 마스크층이 2nm 내지 10nm의 막 두께를 가지며, 상기 레지스트 패턴보다 얇고 상기 자성막보다 얇은 것을 특징으로 하는 자기 소자의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 마스크층을 형성하는 단계는 상기 제1 마스크층이 상기 자성막보다 얇게 형성하고;
    상기 제2 마스크층을 형성하는 단계는 상기 제2 마스크층을 상기 제1 마스크층보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 소자의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계는 Cl2, BCl3, CF4, C4F8, C3F8, HI 및 SiCl4로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 할로겐 가스 및 산소를 함유하는 반응성 기체를 이용하여 상기 제2 마스크층 상에 반응성 이온 식각을 수행하는 단계를 포함하고;
    상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계는 Cl2, BCl3, CF4, C4F8, C3F8, HI 및 SiCl4로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 할로겐 가스를 함유하는 반응성 기체를 이용하여 상기 제1 마스크층 상에 반응성 이온 식각을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 소자의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 자기 패턴을 형성하는 단계는 산소를 함유하는 상기 반응성 기체를 이용한 반응성 이온 식각을 통하여 상기 자기 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제2 마스크 패턴을 제거하는 단계를 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 자기 소자의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 자기 패턴을 형성하는 단계는 산소를 함유하는 상기 반응성 기체를 상기 자기 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 마스크층을 제거하는 단계, 및 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 자기 소자의 제조 방법.
KR1020107017459A 2008-01-29 2009-01-23 자기 소자 제조 방법 KR101138916B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008018155 2008-01-29
JPJP-P-2008-018155 2008-01-29
PCT/JP2009/051052 WO2009096328A1 (ja) 2008-01-29 2009-01-23 磁気デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100103863A true KR20100103863A (ko) 2010-09-28
KR101138916B1 KR101138916B1 (ko) 2012-05-14

Family

ID=40912681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107017459A KR101138916B1 (ko) 2008-01-29 2009-01-23 자기 소자 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8377318B2 (ko)
JP (1) JPWO2009096328A1 (ko)
KR (1) KR101138916B1 (ko)
CN (1) CN102089819B (ko)
TW (1) TWI446604B (ko)
WO (1) WO2009096328A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054254A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
US8233248B1 (en) 2009-09-16 2012-07-31 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a magnetic recording transducer using a line hard mask
TW201131644A (en) * 2009-12-08 2011-09-16 Ulvac Inc Method of processing multilayer electrode
JP2012015292A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Japan Science & Technology Agency ＮｄＦｅＢのエッチング方法
US9105569B2 (en) * 2010-08-19 2015-08-11 Iii Holdings 1, Llc Method of etching MTJ using CO process chemistries
JP5639195B2 (ja) * 2010-12-27 2014-12-10 キヤノンアネルバ株式会社 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法
US8871102B2 (en) * 2011-05-25 2014-10-28 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for fabricating a narrow line structure in a magnetic recording head
KR101340465B1 (ko) * 2011-12-09 2013-12-11 연세대학교 산학협력단 자성 패턴층 형성방법 및 이에 따라 제조된 자성 패턴층
US8906706B2 (en) 2012-03-08 2014-12-09 HGST Netherlands B.V. Method of fabricating a mask structure for patterning a workpiece by ions
KR101950004B1 (ko) 2012-03-09 2019-02-19 삼성전자 주식회사 자기 소자
US9023219B2 (en) * 2012-04-26 2015-05-05 Everspin Technologies, Inc. Method of manufacturing a magnetoresistive device
KR101312028B1 (ko) 2012-05-29 2013-09-27 인하대학교 산학협력단 자기터널접합 적층 박막에 대한 건식 식각 방법
US9034564B1 (en) 2013-07-26 2015-05-19 Western Digital (Fremont), Llc Reader fabrication method employing developable bottom anti-reflective coating
JP5875723B2 (ja) * 2015-03-23 2016-03-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
US10145906B2 (en) 2015-12-17 2018-12-04 Analog Devices Global Devices, systems and methods including magnetic structures
JP6244402B2 (ja) * 2016-05-31 2017-12-06 東京エレクトロン株式会社 磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造システム
US11183398B2 (en) * 2018-08-10 2021-11-23 Tokyo Electron Limited Ruthenium hard mask process

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3153167B2 (ja) 1997-12-12 2001-04-03 日本電気株式会社 強磁性トンネル接合素子の製造方法
US6287975B1 (en) 1998-01-20 2001-09-11 Tegal Corporation Method for using a hard mask for critical dimension growth containment
US6665145B2 (en) * 1999-02-10 2003-12-16 Tdk Corporation Magnetic recording medium with unit minute recording portions
JP3499490B2 (ja) 2000-02-16 2004-02-23 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP4605554B2 (ja) 2000-07-25 2011-01-05 独立行政法人物質・材料研究機構 ドライエッチング用マスク材
JP4040414B2 (ja) * 2001-12-28 2008-01-30 株式会社東芝 磁気メモリ
JP2005235356A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法
JP4319104B2 (ja) * 2004-07-26 2009-08-26 Ｔｄｋ株式会社 磁気記録媒体の製造方法
JP2006127681A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hitachi Ltd 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録再生装置
JP2006351668A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子及びその製造方法
JP5007509B2 (ja) * 2006-02-08 2012-08-22 ソニー株式会社 磁気記憶装置の製造方法
JP2007213716A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体製造方法
US7696551B2 (en) * 2007-09-20 2010-04-13 Magic Technologies, Inc. Composite hard mask for the etching of nanometer size magnetic multilayer based device

Also Published As

Publication number Publication date
TWI446604B (zh) 2014-07-21
WO2009096328A1 (ja) 2009-08-06
TW200937691A (en) 2009-09-01
CN102089819A (zh) 2011-06-08
US8377318B2 (en) 2013-02-19
JPWO2009096328A1 (ja) 2011-05-26
KR101138916B1 (ko) 2012-05-14
CN102089819B (zh) 2013-06-05
US20100308012A1 (en) 2010-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101138916B1 (ko) 자기 소자 제조 방법
KR101530732B1 (ko) 마스크 블랭크, 및 임프린트용 몰드의 제조 방법
JP4876708B2 (ja) トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法
JP2009301655A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP2007305768A (ja) トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び磁気メモリの製造方法
US7923136B2 (en) Magnetic recording medium and method of manufacturing the same
US8597527B2 (en) Method for forming a concavo-convex pattern and a method of manufacturing a patterned medium type magnetic recording medium
US20100326819A1 (en) Method for making a patterned perpendicular magnetic recording disk
KR20090077696A (ko) 패턴드 미디어형 자기기록매체의 제조방법
JP5302625B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体
JP2005235356A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
US8883022B2 (en) Mask blank and method of manufacturing an imprinting mold
JP2010009709A (ja) 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体
JP5280359B2 (ja) 垂直磁気記録媒体の製造方法
JP5115759B2 (ja) 磁気記録媒体
JP2010250872A (ja) 磁気記録媒体製造方法
WO2011040477A1 (ja) インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス
JP5518449B2 (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法
JP2009157977A (ja) 磁気ヘッドの製造方法
JP4852179B2 (ja) 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法
JP2008204588A (ja) 磁気ヘッドの製造方法
US20110198228A1 (en) Magnetic recording medium and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150204

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170201

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180220

Year of fee payment: 7