JP5875723B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
:TMR)技術へ移行し、面記録密度の高密度化が急速に進んでいる。それに伴い、ハードディスクドライブに使用される磁気ヘッドは微細化が必要になり、磁気ヘッドの微細加工技術が求められている。そのため、磁気ヘッドの製造装置においても、イオンミリング装置からドライエッチング装置の適用が進められている。
12 BARC膜
13 Ta膜
14 Cr膜
15 Al2O3膜
16 NiFe膜
17 下地ストッパー膜
101 高周波電源
102 自動整合器
103 誘導結合コイル
104 真空容器
105 ガス導入部
106 排気装置
107 試料
108 試料台
109 バイアス電源
110 セラミックス
111 直流電圧電源
112 温調器
113 冷媒流路
Claims (4)
- 積層膜が上方に配置された磁性膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記積層膜は、所定の寸法にパターニングされたレジスト膜と前記レジスト膜の下方に配置されたBARC膜と前記BARC膜の下方に配置されたTa膜と前記Ta膜の下方に配置されたCr膜と前記Cr膜の下方に配置されたAl2O3膜とを有し、
前記レジスト膜をマスクとして前記BARC膜をプラズマエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後のレジスト膜と前記第一の工程後のBARC膜をマスクとして前記Ta膜をプラズマエッチングする第二の工程と、
前記第二の工程後のBARC膜と前記第二の工程後のTa膜をマスクとして前記Cr膜をプラズマエッチングする第三の工程と、
前記第三の工程後のTa膜と前記第三の工程後のCr膜をマスクとして前記Al2O3膜をプラズマエッチングする第四の工程と、
前記第四の工程後のCr膜と前記第四の工程後のAl2O3膜をマスクとして前記磁性膜をプラズマエッチングする第五の工程とを有し、
前記第二の工程は、Cl2ガスとBCl3ガスの混合ガスを用いて行われることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 積層膜が上方に配置された磁性膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記積層膜は、所定の寸法にパターニングされたレジスト膜と前記レジスト膜の下方に配置されたBARC膜と前記BARC膜の下方に配置されたTiN膜と前記TiN膜の下方に配置されたCr膜と前記Cr膜の下方に配置されたAl2O3膜とを有し、
前記レジスト膜をマスクとして前記BARC膜をプラズマエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後のレジスト膜と前記第一の工程後のBARC膜をマスクとして前記TiN膜をプラズマエッチングする第二の工程と、
前記第二の工程後のBARC膜と前記第二の工程後のTiN膜をマスクとして前記Cr膜をプラズマエッチングする第三の工程と、
前記第三の工程後のTiN膜と前記第三の工程後のCr膜をマスクとして前記Al2O3膜をプラズマエッチングする第四の工程と、
前記第四の工程後のCr膜と前記第四の工程後のAl2O3膜をマスクとして前記磁性膜をプラズマエッチングする第五の工程とを有し、
前記第二の工程は、Cl2ガスとBCl3ガスの混合ガスを用いて行われることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の工程は、Cl2ガスとO2ガスの混合ガスを用いて行われ、
前記第三の工程は、Cl2ガスとO2ガスとArガスの混合ガスを用いて行われ、
前記第四の工程は、Cl2ガスとBCl3ガスの混合ガスを用いて行われ、
前記第五の工程は、Cl2ガスを用いて行われることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項3に記載のプラズマ処理方法において、
前記磁性膜は、NiFe、CoFeまたはCoNiFeであることを特徴とするプラズマ処理方法。
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