KR20100092470A - 포토레지스트 조성물들 및 멀티 층 레지스트 시스템들로 멀티 노광하기 위한 방법 - Google Patents

포토레지스트 조성물들 및 멀티 층 레지스트 시스템들로 멀티 노광하기 위한 방법 Download PDF

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와이-킨 리
유-송 후앙
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Abstract

레지스트 조성물 및 레지스트 조성물을 사용하는 방법이 개시된다. 상기 레지스트 조성물은 락톤 모이어티(lactone moiety)를 갖는 반복 유닛들을 갖는 폴리머, 염기를 발생시킬 수 있는 열 염기 발생제(thermal bases generator) 및 광산 발생제(photosensitive acid generator)를 포함한다. 상기 폴리머는 제1 용제에서 실질적으로 가용성이고, 가열 후에는 실질적으로 불용성이 되는 특성을 갖는다. 상기 방법은 폴리머, 염기를 방출시킬 수 있는 열 염기 발생제, 광산 발생제, 및 용제를 포함하는 포토레지스트의 막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 막은 패턴식으로 이미징(patternwise imaging)된다. 상기 이미징 단계는 방사선에 상기 막을 노출하는 단계를 포함하고, 그 결과 산 촉매(acid catalyst)를 생성하게 된다. 상기 막은 수용성 염기에서 현상되고, 그 결과 염기-가용성 영역들을 제거하고, 패턴층을 형성한다. 상기 패턴층은 일정 온도 이상에서 베이크되고, 그 결과 상기 열 염기 발생제는 상기 패턴층 내에 염기를 방출하고, 상기 패턴층은 상기 솔벤트에서 불용성이 된다.

Description

포토레지스트 조성물들 및 멀티 층 레지스트 시스템들로 멀티 노광하기 위한 방법{PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHOD FOR MULTIPLE EXPOSURES WITH MULTIPLE LAYER RESIST SYSTEMS}
본 발명은 포토레지스트 조성물들(photoresist compositions) 및 포토레지스트 조성물들을 사용하는 포토리소그래피(photolithography) 방법들과 관련된다.
광학 포토리소그래피(optical photolithography)는 반도체 산업에서 주요 기술이 되어 왔다. 또한 많은 해상도 향상 기술(resolution enhancement technology, RET) 방법들은 광학 리소그래피 확대에 기여하여 매우 낮은 k1 이미지들을 프린트할 수 있도록 해 왔다. k1의 값은 광학 프로젝션 리소그래피 해상도 식(optical projection lithography resolution equation) W=k1λ/NA를 사용하여 구해질 수 있다. 여기서 W는 최소 프린트가능 피쳐 크기(minimum printable feature size)이고, λ는 노출 파장(exposure wavelength)(예, 193nm, 157nm)이고, NA는 리소그래피 시스템의 개구수(numerical aperture)이고, k1은 상기 시스템의 리소그래피 상수이다. 집적회로 칩들의 제조에서 k1을 감소시키기 위한 방법으로서 이중 노광(double exposure, DE)이 부각되었다. 몇 가지의 이중 노광 기술들이 개발되어 왔는데, 그 예들로서는 이중 다이폴 리소그래피(double dipole lithography, DDL) 및 이중 노광 이중 식각(double exposure double etch)(DE2)이 있다. 그러나, DDL은 단지 회절 한계(diffraction limit) 내에서만 이미지들을 프린트할 수 있을 뿐이고, 한편 DE2는 복잡하고 값비싼 공정이다. 따라서, 상기 결점들 및 한계점들을 극복할 필요가 있다.
본 발명은 레지스트 조성물(resist composition)과 관련된다. 상기 레지스트 조성물은, 락톤 모이어티(lactone moiety)를 함유하는 제1 반복 유닛들(first repeating units)을 포함하는 폴리머(polymer) - 상기 폴리머는, 제1 용제에서 실질적으로 가용성(substantially soluble)이고, 약 140℃ 또는 그보다 높은 제1 온도로 가열한 후에는 상기 제1 용제에서 실질적으로 불용성(substantially insoluble)이 되는 특성을 가짐 -;
제2 온도 이상으로 가열 시 염기(base)를 방출(release)할 수 있는 열 염기 발생제(thermal base generator); 및
방사선(radiation)에 노출시 산(acid)을 방출할 수 있는 광산 발생제(photosensitive acid generator)를 포함한다.
본 발명은 기판 상에 제1 포토레지스트의 제1 막(first film)을 형성하는 단계 - 상기 제1 포토레지스트는, 제1 폴리머, 제1 온도 이상에서 염기를 방출할 수 있는 열 염기 발생제, 방사선에 노출시 산을 발생시킬 수 있는 제1 광산 발생제, 및 제1 용제를 포함하고, 상기 용제에 실질적으로 가용성이고, 제2 온도 이상으로 가열한 후에는 상기 용제에 실질적으로 불용성이 되는 특성을 가짐 -;
제1 마스크를 통해서 상기 제1 막을 패턴식으로 이미징(patternwise imaging)하는 단계 - 상기 이미징 단계는 방사선에 상기 제1 막의 적어도 하나의 영역을 노출시키는 단계를 포함하여, 그 결과 상기 제1 막의 상기 적어도 하나의 노출된 영역에 제1 산 촉매(first acid catalyst)를 생성함 -;
상기 이미징 후, 수용성 염기(aqueous base)에 상기 제1 막을 현상(develop)하는 단계 - 그 결과 상기 제1 막의 염기-가용성 노출 영역들(base-soluble exposed regions)을 제거하고, 상기 제1 막의 제1 패턴층을 형성함 -; 및
상기 제1 온도 이상 및 상기 제2 온도 이상으로 상기 제1 패턴층을 베이크(bake)하는 단계 - 상기 베이크의 결과로, 상기 제1 열 염기 발생제는 상기 제1 패턴층 내에 염기를 방출하고, 상기 제1 패턴층은 상기 제1 용제에 실질적으로 불용성이 됨 - 를 포함한다.
본 발명의 특징들은 첨부된 청구항들에서 제시된다. 그러나, 발명 자체는 예시적인 실시예들에 대한 이하의 상세한 설명을 참조하여 첨부되는 도면들과 함께 읽혀질 때 가장 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라, 패턴층들을 형성하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예들에 따라, 기판 상에 배치된 막(film)의 예이다.
도 2b는 본 발명의 실시예들에 따라, 도 2a의 막을 패턴식으로 이미징(patternwise imaging)하는 예이다.
도 2c는 본 발명의 실시예들에 따라, 도 2b의 염기-가용성 노출 영역들의 제거 후, 도 2b의 막의 예이다.
도 2d는 본 발명의 실시예들에 따라, 제2 포토레지스트의 제2 막이 도 2c의 패턴층 위에 형성된 후의 도 2c의 패턴층의 예이다.
도 2e는 본 발명의 실시예들에 따라, 방사선 또는 에너지 입자들에 동시 노출시 도 2d의 층들의 예이다.
도 2f는 본 발명의 실시예들에 따른 현상 후의 도 2e의 막들의 예이다.
비록 본 발명의 특정 실시예들이 상세히 보여지고 기술될 것이지만, 첨부된 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 여러가지 변경들 및 개조들이 행해질 수 있다는 것을 이해해야 할 것이다. 본 발명의 범위는 결코 구성요소들의 개수, 그것들의 재료들, 그것들의 형상들, 그것들의 상대적 배열들 등으로 한정되어서는 아니될 것이며, 상세한 설명 및 도면에서의 실시예들은 단지 실시예들의 예들로서 개시된 것일 뿐이다. 본 발명의 특징들 및 이점들은 첨부된 도면들에서 상세히 설명되는데, 도면들에서 유사한 참조 부호들은 도면들 전체를 통해서 유사한 구성요소들로 표시된다. 도면들은 본 발명을 설명하기 위한 의도로 제공되었으나, 반드시 동일한 크기로 도시된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예들에서, 예를 들어 포토리소그래피로, 패턴층들을 형성하기 위한 방법을 도시하는 흐름도이다. 단계 110에서, 제1 포토레지스트의 제1 막이 기판 상에 형성된다. 상기 포토레지스트는 제1 폴리머, 제1 온도 이상에서 염기를 방출할 수 있는 열 염기 발생제, 및 제1 광산 발생제를 포함할 수 있다. 상기 제1 폴리머는, 용제에 실질적으로 가용성이고, 상기 폴리머를, 예를 들어, 약 140℃ 또는 그보다 높은 온도로, 또는 약 140℃ 내지 약 260℃로 가열한 후에는 상기 용제에 실질적으로 불용성이 되는 특성을 가질 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물은, 용제에 실질적으로 가용성이고, 또한 상기 폴리머를, 예를 들어, 약 140℃ 또는 그보다 높은 온도로, 또는 약 140℃ 내지 약 260℃로 가열한 후에는 상기 용제에 실질적으로 불용성이 되는 특성을 가질 수 있다.
상기 포토레지스트의 폴리머는 하나 또는 그 이상의 구조들의 반복 유닛들(repeating units)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 폴리머는 코폴리머(copolymer), 테르폴리머(terpolymer), 테트라폴리머(tetrapolymer) 등을 포함할 수 있다.
상기 폴리머는 적어도 하나의 산 불안정성 모이어티(acid labile moiety)를 함유하는 반복 유닛들과 함께 락톤 모이어티(lactone moiety)를 함유하는 반복 유닛들을 가질 수 있다. 이러한 구성은 상기 포토레지스트가 양호한 리소그래피 퍼포먼스(performance)를 갖도록 할 수 있다. 락톤 모이어티들은 수용성 현상제(aqueous developer)에서의 용해(dissolution)를 개선할 수 있다. 락톤 모이어티들을 함유하는 반복 유닛들의 예들에는, 5-메타크릴로일옥시-2(5-methacryloyloxy-2), 6-노보넨카르보-γ-락톤(6-norbornanecarbo-γ-lactone), 3-메타아크릴로일옥시메틸-2(3-methacryloyloxymethyl-2), 6-노보넨카르보 락톤, 3- 아크릴로일옥시메틸-2(3-acryloyloxymethyl-2), 6-노보넨카르보 락톤, α-아크릴로일옥시-γ-부티로락톤(α-acryloyloxy-γ-butyrolactone), α-메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤, β-아크릴로일옥시-γ-부티로락톤 및 β-메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤이 포함된다. 3차 에스테르 모이어티들(tertiary ester moieties)의 예들은 광산 발생제(photoacid generator)에 의해 발생되는 산에 의해 보호해제(deprotect)될 수 있는 것들을 포함한다. 그러한 3차 에스테르 모이어티들의 예들에는, 메틸아다만탄(methyladamantane), 에틸아다만탄(ethyladamantane), 메틸시클로펜탄(methylcyclopentane), 에틸시클로펜탄(ethylcyclopentane), 메틸시클로헥산(methylcyclohexane), 에틸시클로헥산(ethylcyclohexane), 메틸시클로헵탄(methylcycloheptane), 에틸시클로헵탄(ethylcycloheptane), 메틸시클로옥탄(methylcyclooctane), 에틸시클로옥탄(ethylcyclooctane), 및 t-부틸 그룹들(t-butyl groups)과 같은 구조 그룹들의 에스테르 유도체들(ester derivatives)이 포함된다.
예를 들어, 상기 폴리머는 다음과 같은 락톤 모이어티들을 갖는 제1 반복 유닛들을 포함할 수 있다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
및
Figure pct00004

여기서, 상기 폴리머는 다음과 같은 적어도 하나의 3차 에스테르 모이어티를 갖는 제2 반복 유닛들을 더 포함할 수 있다.
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
및
Figure pct00009

예를 들어, 상기 폴리머는 다음과 같이 표현될 수 있다.
Figure pct00010

상기 폴리머는 제3 반복 유닛들을 더 포함할 수 있는데, 상기 제3 반복 유닛들은, 예를 들어, 고온 베이크 동안에, 실질적으로 가용성에서 실질적으로 불용성으로 상기 캐스팅 용제(casting solvent)에서의 포토레지스트의 용해도(solubility)의 변화를 향상시킬 수 있다.
여기서 사용되는 '실질적으로 불용성(substantially insoluble)'이라는 용어는, 광산 발생제 유도 산(photosensitive acid generator derived acid)을 함유하지 않는 포토레지스트층의 영역들로부터 염기 수용액(aqueous base solution) 또는 포토레지스트 용제들에의 용해를 통한 재료(예, 폴리머, 포토레지스트 등)의 손실에 의해 포토레지스트로부터 형성된 이미지의 품질에 영향을 미치지 않도록 하는 그러한 적은 정도의 용해도를 갖는 것을 포함하는 것으로 의도된다. 여기서 사용되는, '실질적으로 가용성(substantially soluble)'이라는 용어는, 광산 발생제로부터 유도된 산을 함유하는 영역들에서 재료(예, 폴리머, 포토레지스트 등)의 모두 또는 거의 모두(즉, 남은 재료는 후속 공정을 방해하지 않도록 하는 그러한 정도의 적은 양들이 존재함)가 염기 수용액들 또는 포토레지스트 용제들 내에 용해가능하도록 하기 위해 염기 수용액들 또는 용제들에 충분히 높은 정도의 용해도를 갖는 것을 포함하는 것으로 의도된다. 포토레지스트 포뮬레이션(photoresist formulation) 또는 반도체 공정 정황에서, '실질적으로 불용성'이라는 용어는 포토레지스트 용제들에 완전히 또는 거의 완전히 용해 불가능한 폴리머들을 포함하는 것으로 의도된다. 포토레지스트 포뮬레이션 및 반도체 공정의 정황에서, '실질적으로 가용성'이라는 용어는 포토레지스트 용제들에서 완전히 또는 거의 완전히 용해가능한 폴리머들을 포함하는 것으로 의도된다. 일반적으로, 상기 폴리머 용해율(dissolution rates)은 포토레지스트층들의 용해율들에게 가장 강하게 영향을 받는다. 따라서, 실질적으로 불용성인 폴리머는 그 폴리머를 포함하는 포토레지스트가 실질적으로 불용성이 되도록 한다. 실질적으로 불용성인 포토레지스트들은 용제 또는 수용성 염기에서 약 0.2nm/s보다 낮은 용해율을 갖는 반면, 실질적으로 가용성인 포토레지스트들은 용제 또는 수용성 염기에서 약 5nm/s보다 높은 용해율을 갖는다.
또한, 광산 발생제들(photoacid generators), 억제제(quencher) 및 다른 첨가제들(additives)은 최종 포토레지스트층의 용해율들을 변경시킬 수 있다.
상기 제3 반복 유닛들은 히드록실 그룹들(hydroxyl groups)을 포함할 수 있는데, 예를 들면, 알킬 알코올들(alkyl alcohols), 카르복시산들(carboxylic acids), 또는 이하의 예들에서와 같은 이것들의 조합이 그것이다.
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
및
Figure pct00014

또는, 이하의 예들과 같다.
Figure pct00015
및
Figure pct00016

상기 폴리머 구조는 제4 반복 유닛들을 더 포함할 수 있다. 상기 제4 반복 유닛들은 현상 공정 동안 상기 포토레지스트 이미지를 안정시키도록(stabilize) 구성될 수 있는데, 상기 제4 반복 유닛들은 수용성 현상제에 대해 약간의 용해성을 가질 수 있고, 술폰아미드들(sulfonamides), 플루오르화 술폰아미드들(fluorinated sulfonamides), 플루오로알콜들(fluoroalcohols), 디카르복시이미드들(dicarboxyimides), N-히드록시 디카르복시이미드들(N-hydroxy dicarboxyimdes), 페놀(phenol), 나프톨(naphthol), 아미노(amino) 및 이미노(imino) 그룹들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 모이어티를 함유할 수 있다. 제4 반복 유닛의 예는 다음을 포함한다.
Figure pct00017

제4 반복 유닛을 포함하는 레지스트 폴리머의 일 예는 다음을 포함한다.
Figure pct00018

상기 제4 반복 유닛들은 상기 제2 반복 유닛들에 대해 위에서 기술된 구조들(예를 들어, MAdMA, EtAdMA, MCpMA, ECpMA, 및 ECoMA)을 포함하여, 상기 폴리머 구조가 적어도 두 개의 서로 다른 3차 에스테르 모이어티들을 함유하는 두 개의 서로 다른 반복 유닛들을 포함하도록 할 수 있다. 상기 두 개의 에스테르 그룹들의 보호해제율들(deprotection rates)에서의 차이는 상기 레지스트 조성물로부터 생성된 이미지의 안정성(stability)을 향상시킬 수 있다. 제4 반복 유닛을 가지며 적어도 두 개의 서로 다른 3차 에스테르 모이어티들을 포함하는 폴리머들의 예들은 다음을 포함한다.
Figure pct00019
Figure pct00020
및
Figure pct00021
Figure pct00022

상기 포토레지스트의 폴리머는 위에서 기술된 폴리머들의 둘 또는 그 이상의 혼합물들(blends)과 같은 둘 또는 그 이상의 폴리머 혼합물을 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트는 열 염기 발생제를 더 포함할 수 있는데, 상기 열 염기 발생제는 제1 온도(T) 이상에서 염기를 발생시킬 수 있다. T는 약 140℃ 또는 그보다 높은 온도, 예를 들어, 약 140℃와 약 260℃ 사이의 온도이다. 상기 열 염기 발생제는 아미드들(amides), 술폰아미드들(sulfonamides), 이미드들(imides), 이민들(imines), O-아실 옥심들(O-acyl oximes), 벤조일옥시카르보닐 유도체들(benzoyloxycarbonyl derivatives), 4차 암모늄 염들(quaternary ammonium salts), 및 니페디핀들(nifedipines)과 같은 그룹에 속하는 화합물을 포함할 수 있는데, 이러한 것들의 예들에는, o-{(β-(디메틸아미노)에틸)아미노카르보닐}벤조 산(benzoic acid), o-{(γ-(디메틸아미노)프로필)아미노카르보닐}벤조산, 2,5-비스(bis){(β-(디메틸아미노)에틸)아미노카르보닐}테레프탈산(terephthalic acid), 2,5-비스{(γ-(디메틸아미노)프로필)아미노카르보닐}테레프탈산, 2,4-비스{(β-(디메틸아미노)에틸)아미노카르보닐}이소프탈산(isophthalic acid), 및 2,4-비스{(γ-(디메틸아미노)프로필)아미노카르보닐}이소프탈산이 포함될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 열 염기 발생제는 적어도 하나의 카바메이트 모이어티(carbamate moiety)를 포함할 수 있다. 바람직한 열 염기 발생제들에는, 다음과 같이, 플루오레닐메틸 카바메이트(fluorenylmethyl carbamates), 페닐술포닐에틸 카바메이트들(phenylsulfonylethyl carbamates), 및 3-니트로펜탄-2-일(yl) 카바메이트들이 포함될 수 있다.
Figure pct00023
여기서, R1 또는 R2 각각은 수소 원자, 선형 알킬(linear alkyl), 분기형 알킬(branched alkyl), 시클로알킬(cycloalkyl), 할로겐화 선형 알킬(halogenated linear alkyl), 할로겐화 분기형 알킬, 할로겐화 시클로알킬, 아릴(aryl), 할로겐화 아릴, 및 이것들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 독립적으로 선택되며, R4는 수소 또는 알킬일 수 있다. 할로겐화 모이어티들에 있어서, 상기 할로겐은 바람직하게는, 플루오린(fluorine), 클로린(chlorine), 및 브로민(bromine)으로부터 선택된다. 예를 들어, R1 또는 R2 각각은 플루오르화 선형 알킬, 플루오르화 분기형 알킬, 플루오르화 시클로알킬, 아릴, 플루오르화 아릴, 및 이것들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 독립적으로 선택될 수 있다.
위에서 기술된 열 염기 발생제들은 또한 다이머(dimer) 구조들을 형성하도록 연결될 수 있는데, 이러한 연결은 생성되는 염기의 휘발성(volatility)을 방지 또는 감소시킬 수 있다. 이러한 열 염기 발생제들의 다이머 형태들의 예들에는 다음과 같은 것들이 포함될 수 있다.
Figure pct00024
및
Figure pct00025
여기서, R1 또는 R2 각각은 수소 원자, 선형 알킬, 분기형 알킬, 시클로알킬, 할로겐화 선형 알킬, 할로겐화 분기형 알킬, 할로겐화 시클로알킬, 아릴, 할로겐화 아릴, 및 이것들의 조합으로 구성되는 그룹으로부터 독립적으로 선택되고, R3은 선형 알킬, 분기형 알킬, 시클로알킬, 할로겐화 선형 알킬, 할로겐화 분기형 알킬, 할로겐화 시클로알킬, 아릴, 할로겐화 아릴, 및 이것들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, R4는 수소 또는 알킬이다. 할로겐화 모이어티들에 있어서, 상기 할로겐은 바람직하게는 플루오린, 클로린, 및 브로민으로부터 선택된다. 예를 들어, R1 또는 R2 각각은 플루오르화 선형 알킬, 플루오르화 분기형 알킬, 플루오르화 시클로알킬, 아릴, 플루오르화 아릴, 및 이것들의 조합들로 구성되는 그룹으로부터 독립적으로 선택될 수 있고, R3은 플루오르화 선형 알킬, 플루오르화 분기형 알킬, 플루오르화 시클로알킬, 아릴, 플루오르화 아릴, 및 이것들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택된다.
카바메이트 모이어티를 포함하는 열 염기 발생제들의 몇몇 특정 예들은 다음과 같은 것을 포함한다.
Figure pct00026
Figure pct00027
및
Figure pct00028

가장 바람직한 열 염기 발생제들은 플루오레닐메틸 카바메이트들(fluorenylmethyl carbamates)인데, 특히, 220℃ 이하 및 바람직하게는 200℃ 이하의 열 분해 온도들(thermal decomposition temperatures, Td)을 갖는 플루오레닐메틸 카바메이트들이다. 플루오레닐메틸 카르보메이트들은 통상 다른 열 염기 발생제들보다 더 낮은 Td를 갖는데, 이는 약 140℃ 및 약 260℃ 사이 범위의 온도에서 현상후 베이크(post development bake) 동안에 다른 열 염기 발생제들보다 더 많은 염기들의 발생이 일어나도록 한다. 상기 바람직한 현상후 베이크 온도는 약 150℃와 약 220℃ 사이이다. 다른 카바메이트들에 비해서 플루오레닐메틸 카바메이트들의 더 낮은 Td는,
이하에서 보여지는 1,6-비스[[2-니트로벤질옥시]카르보일아미노]헥산,
Figure pct00029
의 227℃의 Td에 비해,
그리고 이하에서 보여지는 N,N'-비스[[1-(3,5-디메톡시페닐)-1-메틸에톡시]카르보닐]헥산-1,6-디아민,
Figure pct00030
의 206℃의 Td에 비해,
이하에서 보여지는 1,6-비스[[9-플루오레닐메톡시]카르보일아미노]헥산,
Figure pct00031
의 175℃의 비교적 낮은 Td로써 보여질 수 있다.
또 다른 예로서, 이하에서 보여지는 N-9H-플루오렌-9-일메톡시카르보닐(ylmethoxycarbonyl)-4-피페리딘,
Figure pct00032
은 105℃의 제1 Td 및 160℃의 제2 Td를 가지며, 한편,
이하에서 보여지는 N-[[1-(3,5-디메톡시페닐)-1-메틸에톡시]카로보닐]피페리딘,
Figure pct00033
은 193℃의 Td를 갖는다.
위에서 기술된 바람직한 열 염기 발생제들은 통상 193nm 및 248nm 광원들과 같이 통상적으로 사용되는 광 방사 소스들(optical radiation sources)에 대해서는 민감하지 않다. 따라서, 레지스트의 베이크 온도가 상기 열 염기 발생제들의 열 분해 온도보다 더 높지 않는 한, 레지스트 포뮬레이션에서의 이러한 염기 발생제들의 로딩(loading)은 일반적으로 리소그래피 양(lithographic dose)에 중요한 영향을 미치지는 않을 것이다.
또 다른 실시예에서, 상기 포토레지스트는, 상기 포토레지스트가 제1 온도(T) 이상의 온도가 되도록 하여, 상기 포토레지스트 막이 그 자신의 캐스팅 용제에 대해 불용성이 되도록 하는 것과 같은 베이크 후, 염기 촉매 교차결합(base catalyzed crosslink)를 위한 에폭사이드 모이어티들(epoxide moieties) 또는 우레탄 모이어티들(urethane moieties)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트는 염기 촉매 이미드화(base catalyzed imidization)를 위한 아미드의 에스테르 모이어티들(amic ester moieties), 또는 염기 촉매 디카르복실화(base catalyzed decarboxylation)를 위한 펜던트(pendant) 카르복실 모이어티들(carboxyl moieties), 또는 카르보닐 모이어티들(carbonyl moieties)(알데히드 모이어티들 및 케톤 모이어티들), 및 크네페나겔 반응(Knoevenagel reaction)을 통한 염기 촉매 교차결합을 위한 액티브 메틸렌 모이어티들을 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트는 광산 발생제(PAG)를 더 포함할 수 있는데, 이러한 PAG는 방사선에 노출시 산을 방출 또는 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 PAG는 (트리플루오로-메틸술포닐옥시)-바이시클로[2.2.1]헵트(hept)-5-엔(ene)-2,3-디카르복시미드(dicarboximide)(MDT), N-히드록시-나프날이미드(DDSN), 오늄염들(onium salts), 방향성 디아조늄염들(aromatic diazonium salts), 술포늄염들(sulfonium salts), 디아릴요도늄염들(diaryliodonium salts), N-히드록시아미드들의 술포닉 산 에스테르들, 이미드들, 또는 이것들의 조합들을 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트는 계면활성제(surfactant)를 더 포함할 수 있다. 계면활성제들은 코팅 균일성(coating uniformity)을 향상시키기 위해 사용될 수 있고, 이온성(inoic), 비이온성(non-ionic), 모노머릭(monomeric), 올리고머릭(oligomeric), 및 폴리머릭(polymeric) 종들(species), 또는 이것들의 조합들을 포함할 수 있다. 가능한 계면활성제들의 예들에는, St. Paul, Minn.에서 3M사에서 구할 수 있는 FLUORAD 계열(series)과 같은 플루오린-함유 계면활성제들(fluorine-containing surfactants), 및 USA, CT, Danbury의 유니온 카바이드사(Union Carbide Corporation)에서 구할 수 있는 SILWET 계열과 같은 실옥산-함유 계면활성제들(siloxane-containing surfactants)을 포함될 수 있다.
상기 포토레지스트가 결함없는 코팅(defect-free coating)을 제공하기 위해 기판 표면 상에 고르게(evenly) 도포(apply)될 수 있도록, 상기 포토레지스트는 캐스팅 용제(casting solvent)를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트가 멀티층 이미징 공정(multilayer imaging process)에서 사용되는 경우, 상기 이미징층에서 사용되는 용제는 언더레이어(underlayer) 재료들에 대해서는 용제가 아닐 수 있다. 만약 그렇지 않다면, 원하지 않는 혼합(intermixing)이 일어날 수 있다. 적절한 캐스팅 용제들의 예들에는, 에스테르들, 글리콜 에테르들(glycol ethers), 방향성 히드로카본들(aromatic hydrocarbons), 케톤들, 에스테르들, 에틸 락테이트(ethyl lactate), γ-부티로락톤(butyrolactone), 시클로헥사논(cyclohexanone), 에톡시에틸프로피오네이트(ethoxyethylpropionate, EEP), EEP 와 γ-부티로락톤(gamma-butyrolactone, GBL)의 조합, 및 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate, PGMEA)가 포함될 수 있다. 그러나 본 발명은 이러한 특정 용제들의 선택으로 한정되는 것은 아니다.
상기 포토레지스트는 염기 억제제(base quencher), 증감제들(sensitizers) 또는 당해 기술 분야에서 알려진 다른 처방들(expedients)을 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트들의 조성물들은 이러한 처방들의 특정 선택으로 국한되지 않는다. 염기 억제제들은 지방족 아민들(aliphatic amines), 카르복시레이트들, 히드록사이드들, 또는 이것들의 조합들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 염기 억제제들은, 디메틸아미노 피리딘(dimethylamino pyridine), 7-디에틸아미노-4-메틸 쿠머린(coumarin)(쿠머린 1), 3차 아민들(tertiary amines), 1,8-비스(디메틸아미노)나프탈렌(프로톤 스폰지(PROTON SPONGE))와 같은 구아니딘 염기들(guanidine bases) 및 입체 장애 디아민(sterically hindered diamine), 베르베린(berberine), 또는 BASF에서 구할 수 있는 PLURONIC 또는 TETRONIC 계열과 같은 폴리머릭 아민들을 포함할 수 있다. 상기 PAG가 오늄염인 경우, 3차 알킬 암모늄 히드록사이드들 또는 세틸트리메틸(cetyltrimethyl) 암모늄 히드록사이드가 염기 억제제로서 사용될 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 여러가지 성분들의 어떤 특정 비율들로 한정되는 것은 아니다. 상기 포토레지스트 조성물은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로, 약 1 중량%(wt%)에서 약 30 wt% 까지(예를 들어, 약 2 wt% 내지 약 15 wt%)의 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물은, 상기 조성물에서 폴리머의 중량을 기준으로, 약 0.1 wt% 내지 약 30 wt%(예를 들어, 약 0.1 wt% 내지 약 20 wt%)의 열 염기 발생제를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물은, 상기 조성물에서 폴리머의 중량에 기초하여 약 0.5 wt% 내지 약 20 wt%(예를 들어, 약 0.5 wt% 내지 약 10 wt%)의 광산 발생제를 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은, 상기 조성물의 총 중량을 기존으로, 약 70 wt% 내지 약 99 wt%(예를 들어, 약 85 wt% 내지 약 98 wt%)의 용제를 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물은, 상기 조성물의 폴리머의 총 중량을 기준으로, 약 0.1 wt% 내지 약 1.0 wt%의 염기 억제제를 더 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물은, 상기 조성물에서의 폴리머의 총 중량을 기준으로, 약 0.001 wt% 내지 약 0.1 wt%의 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트는 위에서 기술된 바와 같이 계면활성제 및/또는 염기 억제제를 더 포함할 수 있다. 막(film)은 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅(spray coating), 딥 코팅(dip coating), 닥터-블레이딩(doctor-blading), 롤 코팅(roll coating) 등과 같은 공정들에 의해 형성될 수 있는데, 이것들은 본 발명의 방법들에 따라서 개별적으로 또는 조합되어 사용될 수 있다. 기판은 IUPAC 그룹들 4,6,11,12,13,14, 및 15 엘리먼트들 중 하나 또는 그 이상의 재료들, 플라스틱 재료, 실리콘 디옥사이드, 글래스, 용융 실리카(fused silica), 미카(mica), 세라믹, 앞서의 기판들 상에 증착된 금속들, 이것들의 조합들 등을 포함할 수 있다. 상기 기판은 서로 다른 재료들의 스택 또는 레이어링(layering)을 포함할 수 있다. 3층(trilayer) 접근법에서 사용되는 기판에 있어서, 비교적 두꺼운 유기 언더레이어(organic underlayer) 및 얇은 Si 함유 인터레이어(interlayer)가 있을 수 있는데, 상기 Si 함유층은 화학 기상 증착된 실리콘 산화물층 또는 스핀 코팅된 실세스퀴옥산 폴리머 막(silsesquioxane polymer film) 중 하나일 수 있다. 예를 들어, 기판은 반도체 제조에서 채용되는 것들과 같은 준비된 실리콘 웨이퍼 기판을 포함할 수 있다. 여기서 기술되는 막들 및 층들은 상기 기판의 맨 위에 증착되거나, 상기 기판과 일체형으로 합쳐질 수 있다.
단계 115에서, 막은 방사선 또는 입자 빔원을 사용하여 제1 마스크를 통해서 패턴식으로 이미징(patternwise imaging)되는데, 여기서 상기 제1 막의 적어도 하나의 영역은 방사선 또는 상기 입자 빔에 노출되고, 그 결과 상기 막의 상기 적어도 하나의 노출된 영역에 산 촉매를 생성하는 광산 발생제가 만들어지고, 상기 레지스트의 노출된 영역들이 현상제에서 실질적으로 가용성이 되도록 한다. 화학적으로 증폭된 레지스트 시스템에 있어서, 베이킹(baking)은 상기 폴리머에서 산 불안정성 그룹들을 보호해제할 수 있고, 산 촉매 증폭 공정을 통해 염기 가용성 그룹들로 재생성(regenerate)한다. 그리하여 상기 베이크는 상기 레지스트의 상기 노출된 영역들이 현상제에서 실질적으로 가용성이 되도록 할 수 있다.
도 2a는 위에서 기술된 막들 및 기판들과 같은, 기판(200) 상에 배치된 막(205)의 일 예이다. 도 2b는 도 1의 단계(115)에 대해 기술된 도 2a의 막을 패턴식으로 이미징하는 예인데, 여기서 방사선 또는 입자 빔 소스(210)는 패턴 마스크(215)를 통해서 기판(200) 상에 배치된 막(205) 상으로 방사선 또는 에너지 입자들을 투사한다. 상기 마스크는 마스크된 섹션들(masked sections)(225) - 이 마스크된 섹션들(225)은 상기 방사선에 본질적으로 불투명(opaque)하거나 상기 에너지 입자들에 대해 불투과성(impenetrable)임 -, 및 마스크되지 않은 섹션들(unmasked sections)(220) - 이 마스크되지 않은 섹션들(220)은 상기 방사선에 대해 본질적으로 투명하거나 상기 에너지 입자들에 대해 투과성임 - 의 패턴을 가질 수 있다. 마스크되지 않은 섹션들(220)을 통해서 지나가는 방사선 또는 입자들은 막(205)으로 전달되어 막(205)의 노출된 영역들(230)에 흡수될 수 있으며, 상기 방사선 또는 입자들은 막(205)의 노출된 영역들(230)에 산 촉매의 생성을 유도할 수 있다. 막(205)의 노출되지 않은 영역들(232)은 산 촉매를 생성할 수 없다.
상기 방사선 또는 에너지 입자들에 대한 노출은 노출된 영역들(230)이 현상제에 가용성이 되도록 할 수 있다. 본 발명의 포토레지스트들은 약 436 나노미터(nm) 및 365nm의 파장들과 같은 자외선(UV), 약 257nm, 248nm, 193nm, 및 157nm의 파장들과 같은 딥-자외선(deep-ultraviolet, DUV), 약 4nm 내지 약 70nm(예를 들어, 약 13nm)의 파장과 같은 극자외선(extreme-ultraviolet, EUV), 엑스레이(x-ray), 이것들의 조합들 등과 같은 방사선을 사용하여 패턴식으로 이미징될 수 있다. 방사선의 여러 가지 파장들은 313nm, 334nm, 405nm, 및 126nm 등이 사용될 수 있으며, 여기서 상기 소스들은 주로 특정 수은 방사 라인들(mercury emission lines) 또는 특정 레이저들로부터 나올 수 있다. 고성능 리소그래피(high performance lithography)에 있어서, 단일 파장 및/또는 협대역 방사선 소스들(narrow band radiation sources)이 사용될 수 있다. 덜 엄격한(less stringent) 조건들에서, 광대역 멀티 파장 소스가 사용될 수 있다. 본 발명의 포토레지스트 조성물들은 전자 빔, 이온 빔, 이것들의 조합들 등과 같은 입자 빔들을 사용하여 패턴식으로 이미징될 수 있다. 상기 적절한 방사선 또는 입자 빔 유형(들)은 전체 포토레지스트 조성물의 구성요소들(예를 들어, 분자 글래스 조성물, 광산 발생제(PAG), 염기(또는 억제제), 계면활성제, 용제 등의 선택)에 의존할 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 단계 120에서 상기 막은 수용성 염기 용액에 현상되는데, 상기 수용성 염기 용액에서, 상기 막의 염기-가용성 노출 영역들이 상기 막으로부터 제거되어 상기 제1 막의 제1 패턴층을 형성하도록 할 수 있다. 상기 현상제는, 예를 들어, 테트라메틸암모늄 히드록사이드 수용액(tetramethylammonium hydroxide aqueous solution)과 같은 수용성 염기 현상제와 같은 유기(organic) 또는 수용성 베이스일 수 있다. 도 2c는 도 2b의 염기-가용성 노출 영역들(230)의 제거 후의 도 2b의 막의 일 예인데, 제1 패턴층(235)이 기판(200) 상에 남아 있다.
도 1을 다시 참조하면, 단계 125에서 상기 제1 패턴층은 상기 제1 온도(T) 이상에서 베이크된다. 상기 제1 온도(T)는 약 140℃(예를 들어, 약 140℃와 약 260℃ 사이)일 수 있다. 상기 베이크의 결과, 상기 열 염기 발생제는 상기 제1 패턴층 내에서 염기를 방출한다. 상기 베이크의 결과, 상기 제1 패턴층은 상기 제1 용제에 실질적으로 불용성이 된다.
단계 130에서, 단계 125의 베이크 후, 제2 막은 단계 120에 형성된 제1 패턴층 위에 제2 포토레지스트로 형성된다. 상기 제2 포토레지스트는 제2 폴리머 및 제2 광산 발생제를 포함할 수 있다. 상기 제1 폴리머 및 상기 제2 폴리머는 동일한 조성물을 가질 수 있고 또는 다른 조성물을 가질 수도 있다. 예를 들어, 상기 제1 폴리머는, 위에서 기술된 것들과 같은 폴리머, 또는 포토레지스트 조성물들에서 사용하기 위해 당해 기술 분야에서 알려진 폴리머를 포함할 수 있다. 도 2d는 제2 포토레지스트의 제2 막(240)이 제1 패턴층(235) 위에 형성된 후의 도 2c의 제1 패턴층(235)의 일 예이다.
도 1을 다시 참조하면, 단계 135는 제2 마스크를 통해 상기 제1 패턴층 및 상기 제2 막을 동시에 패턴식으로 이미징하는 단계를 포함한다. 상기 동시 이미징은 상기 제2 막의 적어도 하나의 영역을 방사선에 노출시킬 수 있고, 그 결과 상기 제2 막의 상기 적어도 하나의 노출된 영역에 제2 산 촉매를 생성할 수 있다. 상기 동시 이미징의 결과로 상기 제1 패턴층에 생성된 산 촉매는 단계 125의 베이킹에서 방출된 염기에 의해 중화되고, 그래서 단계 135에서의 상기 동시 이미징의 결과로서 제1 패턴층의 인테그리티(integrity)가 악화(degradation)되는 것을 방지한다.
도 2e는 제2 패턴 마스크(250)를 통해 투사된 방사선 또는 입자 빔 소스(245)로부터의 방사선 또는 에너지 입자들에 대한 동시 노출시 도 2d의 층들의 일 예이다. 제1 패턴층(235) 및 제2 막(240)은 동시에 노출될 수 있다. 상기 제2 마스크는 마스크된 부분들(260) 및 마스크되지 않은 부분들(250)의 패턴을 가질 수 있다. 상기 마스크된 부분들(260)은 상기 방사선에 대해 본질적으로 불투명하고 또는 상기 에너지 입자들에 대해 불투과성이다. 상기 마스크되지 않은 부분들(250)은 상기 방사선에 대해 본질적으로 불투명하고 또는 상기 에너지 입자들에 대해 투과성이다. 마스크되지 않은 부분들(250)을 통해서 지나가는 방사선 또는 입자들은 제2 막(240)과 제1 패턴층(235) 둘 다로 전달되어, 제2 막(240)의 노출된 영역들(270) 및 제1 패턴층의 노출된 영역들(275)에 흡수되도록 할 수 있다. 상기 방사선 또는 입자들은 제2 막(240)의 노출된 영역들(265) 및 제1 패턴층(235)의 노출 영역들(275) 둘 다에 산 촉매의 생성을 유도할 수 있다. 제2 막(240)의 노출된 영역들(265)에서의 산 촉매는, 예를 들어, 그러한 노출된 영역들이 현상제에 가용성이 되도록 할 수 있다. 또 다른 예에서, 제2 막(240)에서의 산 촉매는 제2 막(240)의 폴리머를 교차결합(crosslink)시켜 제2 막(265)의 노출된 영역들이 현상제에 불용성이 되도록 할 수 있다. 제1 패턴층(235)의 노출된 영역들(275)에 생성된 산 촉매는 단계 125에서의 베이킹에서 생성된 제1 패턴층(235)에 존재하는 염기에 의해 중화된다. 제2 막(240) 및 제1 패턴층(235)의 노출되지 않은 영역들(265)은 산 촉매를 생성할 수 없다.
도 1을 다시 참조하면, 단계 140은 상기 제2 막을 현상시켜, 그 결과 상기 제2 막의 영역들을 제거하고, 상기 제2 막의 제2 패턴층을 형성하는 것을 포함한다. 예를 들어, 단계 140에서 제2 막의 현상은 수용성 염기에 상기 제2 막을 현상시키는 것을 포함할 수 있는데, 상기 제2 막의 영역들을 제거하는 것은 상기 제2 막의 노출된 염기-가용성 영역들을 제거하는 것을 포함할 수 있다. 또 다른 예에서, 단계 140의 제2 막을 현상시키는 것은 현상제에 상기 제2 막을 현상시키는 것을 포함할 수 있는데, 여기서 상기 제2 막의 교차결합된 노출된 영역들은 현상 후에 노출되지 않는 상태로 남아 있고, 교차결합되지 않은 영역들(non-crosslinked regions)은 상기 현상제에 의해 제거된다. 도 2f는 현상 후의 도 2e의 막들의 일 예인데, 여기서 도 2e의 제2 막의 노출된 영역들(265)은 제2 패턴층(280)을 남기도록 제거되었다. 제1 패턴층(235)은 단계 140)의 현상에 의해 본질적으로 변화되지 않는다.
일 실시예에서, 상기 제1 막의 패턴식 이미징 후 그리고 상기 제1 막의 현상 전에, 상기 제1 막은 약 80℃와 약 150℃ 사이의 온도에서 베이크될 수 있다.
예 1
6.6 wt%의 고체 함량(solid content)을 갖는 용액을 만들기 위해, 37 몰%의 MAdMA, 16 몰%의 HAdMA 및 47 몰%의 NLM으로 구성된 테르폴리머(MAdMA/HAdMA/NLM)는, 30 중량%(wt%, 폴리머 대비)의 GBL, 4 wt%의 TPSN(트리페닐 술포늄 노나플레이트(triphenyl sulfonium nonaflate)) 및 1.2 wt%의 DFC를 갖는 PGMEA에 용해되었다. 그 결과의 용액은 0.2 미크론(㎛) 필터를 통해서 필터링되었다. 상기 레지스트는 Rohm 및 Haas AR40A의 약 42nm 두께의 코팅, 하부 반사방지 코팅(bottom antireflective coating, BARC)을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 130℃에서 도포후 베이크(post-applying bake, PAB)되었고, ASML 스텝퍼(0.8NA, 0.78 σ 부분 코히어런스 조명(partial coherence illumination)) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 125℃에서 노광후 베이크(post-exposure bake, PEB)되었다. 상기 막은 약 30초 동안 0.263 N TMAH(테트라메틸암모늄 히드록사이드) 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 단일 퍼들 현상 공정(single puddle develop process)을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 280nm 피치 상에서 70nm 선들이 해상(resolve)되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 90초 동안 약 200℃에서 현상후 베이크(post-developing bake, PDB)되었다.
그런 다음 JSR AM2073J 레지스트는 상기 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(0.8NA, 0.78 σ 부분 코히어런스 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 70nm 선들의 동일한 세트가 제1 층 레지스트 중간에 프린트될 수 있도록, 레티클(reticle)은 이동되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 60초 동안 120℃에서 PEB되었다. 또한 30초 동안 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 제2 레지스트로부터의 70nm 선은 140nm 피치 상에서 70nm 선과 간격(space)을 형성하기 위해, 제1 레지스트로부터 또 다른 70nm 선 중간에 프린트되었다.
예 2
4.9 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 37 몰%의 MAdMA, 16 몰%의 HAdMA 및 47 몰%의 NLM으로 구성된 테르폴리머(MAdMA/HAdMA/NLM)는, 30 wt%의 GBL, 4 wt%의 TPSN, 0.105 wt%의 복빔(bockbim)(테르트(tert)-부틸 2-페닐-1,3-벤조디아졸-1-카르복시레이트) 및 0.59 wt%의 NBC-101(이들 모두는 폴리머 대비임)를 갖는 PGMEA에 용해되었다. 그 결과의 용액은 0.2㎛을 통해서 필터링되었다. 상기 레지스트는 Rohm 및 Haas AR40A의 42nm 두께의 코팅을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 130℃에서 도포후 베이크(PAB)되었고, ASML 스텝퍼(0.93NA, 0.85의 외부 및 0.6의 내부 σ의 환형 조명(annular illumination)) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 125℃에서 노광후 베이크(PEB)되었다. 그런 다음, 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake의 AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이러한 공정 조건들 하에서, 160nm 피치 상에서 80nm 선들이 해상되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 120초 동안 190℃에서 현상후 베이크(PDP)되었다.
그런 다음, 이 예에서 언급된 것과 동일한 레지스트 포뮬러(resist formula)는 상기 코팅되고 현상된 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(0.93NA, 0.85의 외부 및 0.6의 내부 σ의 환형 조명(annular illumination)) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 제1 층 선들에 대해 90°로 배향(orient)되지만 동일한 세트의 80nm 선들이 제1 층 레지스트의 상부 상에 프린트될 수 있도록, 레티클은 90°로 회전되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 PEB되었다. 그런 다음, 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이러한 공정 조건들 하에서, 제1 층 선들과 제2 층 선들 사이의 간격들(spaces)은 160nm 피치 상에서 80nm의 정방형 컨택 홀들(square contact holes)이 되었다.
예 3
4.3 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 35 몰%의 ECpMA, 15 몰%의 HAdMA 및 50 몰%의 NLM으로 구성된 테르폴리머(ECpMA/HAdMA/NLM)은, 4 wt%의 TPSN, 0.21 wt%의 복빔(bockbim) 및 0.59 wt%의 NBC-101(이 모두는 폴리머 대비 wt%임)을 갖는 70/30 wt%의 PGMEA/에틸 락테이트 공용제(Ethyl Lactate co-solvent)에 용해되었다. 그 결과의 용액은 0.2㎛ 필터를 통해 필터링되었다. 상기 레지스트는 Rohm 및 Haas AR40A의 42nm 두께의 코팅을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 130℃에서 도포후 베이크(PAB)되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ 환형 조명을 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 125℃에서 노광후 베이크(PEB)되었다. 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 200nm 피치 상에서 50nm 선들이 해상되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 90초 동안 약 200℃에서 현상후 베이크(PDB)되었다.
그런 다음, JSR AM2073J 레지스트는 상기 코팅되고 현상된 웨이퍼 상에서 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ 환형 조명을 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 50nm 선들의 동일한 세트가 제1 층의 레지스트 중간에 프린트될 수 있도록 하기 위해, 레티클은 이동되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 PEB되었다. 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 제2 레지스트로부터의 50nm 선은 상기 제1 레지스트의 또 다른 50nm 선 사이에 프린트되어, 100nm 피치 상에서 50nm 선과 간격을 형성하게 되었다.
예 4
4.3 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 40 몰%의 MAdMA, 10 몰%의 MCpMA, 15 몰%의 HAdMA 및 35 몰%의 NLM으로 구성된 테트라폴리머(MAdMA/MCpMA/HAdMA/NLM)은, 4 wt%의 TPSN, 0.21 wt%의 복빔(bockbim) 및 0.59 wt%의 NBC-101(이 모두는 폴리머 대비 wt%임)을 갖는 70/30 wt%의 PGMEA/에틸 락테이트 공용제에 용해되었다. 그 결과의 용액은 0.2㎛ 필터를 통해 필터링되었다. 상기 레지스트는 Rohm 및 Haas AR40A의 42nm 두께의 코팅을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 도포후 베이크(PAB)되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ를 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 노광후 베이크(PEB)되었다. 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 140nm 피치 상에서 35nm 선들이 해상되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 90초 동안 약 200℃에서 현상후 베이크(PDB)되었다.
그런 다음, JSR AM2073J 레지스트는 상기 코팅되고 현상된 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ 환형 조명을 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 35nm 선들의 동일한 세트가 제1 층의 레지스트 중간에 프린트될 수 있도록 하기 위해, 레티클은 이동되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 PEB되었다. 상기 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 제2 레지스트로부터의 35nm 선은 상기 제1 레지스트로부터의 또 다른 35nm 선 사이에 프린트되어, 70nm 피치 상에서 35nm 선과 간격을 형성하게 되었다.
예 5
4.3 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 35 몰%의 MAdMA, 10 몰%의 iPrHFAMA, 15 몰%의 HAdMA 및 40 몰%의 NLM으로 구성된 테트라폴리머(MAdMA/iPrHFAMA/HAdMA/NLM)은, 1.28 wt%의 GBL, 4 wt%의 TPSN, 0.21 wt%의 복빔(bockbim) 및 0.69 wt%의 NBC-101(이 모두는 폴리머 대비 wt%임)을 갖는 PGMEA에 용해되었다. 그 결과의 용액은 0.2㎛ 필터를 통해 필터링되었다. 상기 레지스트는 Rohm 및 Haas AR40A의 42nm 두께의 코팅을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 130℃에서 도포후 베이크(PAB)되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ 환형 조명를 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 125℃에서 노광후 베이크(PEB)되었다. 그런 다음, 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 200nm 피치 상에서 50nm 선들이 해상되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 90초 동안 약 200℃에서 현상후 베이크(PDB)되었다.
그런 다음, JSR AM2073J 레지스트는 상기 코팅되고 현상된 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ 환형 조명을 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 50nm 선들의 동일한 세트가 제1 층의 레지스트 중간에 프린트될 수 있도록 하기 위해, 레티클은 이동되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 PEB되었다. 상기 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 제2 레지스트로부터의 50nm 선은 제1 레지스트로부터의 또 다른 50nm 선 사이에 프린트되어, 100nm 피치 상에서 50nm 선과 간격을 형성하게 되었다.
예 6
4.3 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 37 몰%의 MAdMA, 16 몰%의 HAdMA 및 47 몰%의 NLM으로 구성된 75 wt%의 테르폴리머 MAdMA/HAdMA/NLM, 및 35 몰%의 ECpMA, 15 몰%의 HAdMA 및 50 몰%의 NLM으로 구성된 25 wt%의 테르폴리머 ECpMA/HAdMA/NLM 의 폴리머 혼합(polymer blend)은, 4 wt%의 TPSN, 0.21 wt%의 복빔(bockbim) 및 0.59 wt%의 NBC-101(이 모두는 총 폴리머 중량 대비임)을 갖는 70/30 wt%의 PGMEA/에틸 락테이트 코-솔벤트에 용해되었다. 그 결과의 용액은 0.2㎛ 필터를 통해 필터링되었다. 상기 레지스트는 Rohm 및 Haas AR40A의 42nm 두께의 코팅을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 130℃에서 도포후 베이크(PAB)되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ를 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 125℃에서 노광후 베이크(PEB)되었다. 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 140nm 피치 상에서 35nm 선들이 해상되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 90초 동안 약 190℃에서 현상후 베이크(PDB)되었다.
그런 다음, JSR AM2073J 레지스트는 상기 코팅되고 현상된 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.8의 외부 및 0.6의 내부 σ 환형 조명을 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 35nm 선들의 동일한 세트가 제1 층의 레지스트 중간에 프린트될 수 있도록 하기 위해, 레티클은 이동되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 PEB되었다. 상기 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 제2 레지스트로부터의 35nm 선은 상기 제1 레지스트로부터의 또 다른 35nm 선 사이에 프린트되어, 70nm 피치 상에서 35nm 선과 간격을 형성하게 되었다.
예 7
4.3 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 37 몰%의 MAdMA, 16 몰%의 HAdMA 및 47 몰%의 NLM으로 구성된 90%의 테르폴리머 MAdMA/HAdMA/NLM, 및 35 몰%의 EtAdMA, 10 몰%의 HAdMA 및 55 몰%의 NLM으로 구성된 10%의 테르폴리머 EtAdMA/HAdMA/NLM의 폴리머 혼합물(polymer blend)은, 4 wt%의 TPSN, 0.21 wt%의 복빔 및 0.59 wt%의 NBC-101(이 모두는 총 폴리머 중량 대비임)을 갖는 70/30 wt%의 PGMEA/시클로헥사논 공용제(Cyclohexanone co-solvent)에 용해되었다. 그 결과의 용액은 0.2㎛ 필터를 통해 필터링되었다. 상기 레지스트는 Rohm 및 Haas AR40A의 42nm 두께의 코팅을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 도포후 베이크(PAB)되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.85의 외부 및 0.6의 내부 σ를 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 노광후 베이크(PEB)되었다. 그런 다음, 상기 코팅된 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 140nm 피치 상에서 35nm 선들이 해상되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 90초 동안 약 200℃에서 현상후 베이크(PDB)되었다.
그런 다음, JSR AM2073J 레지스트는 상기 코팅되고 현상된 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트는 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.85의 외부 및 0.6의 내부 σ 환형 조명을 갖는 30°Quasar 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 35nm 선들의 동일한 세트가 제1 층의 레지스트 중간에 프린트될 수 있도록 하기 위해, 레티클은 이동되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼는 약 60초 동안 약 120℃에서 PEB되었다. 상기 웨이퍼는 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 제2 레지스트로부터의 35nm 선은 상기 제1 레지스트로부터의 또 다른 35nm 선 사이에 프린트되어, 70nm 피치 상에서 35nm 선과 간격을 형성하게 되었다.
예 8
N-9H-플루오렌-9-일메톡시카르보닐-4-피페리딘(N-9H-fluoren-9-ylmethoxycarbonyl-4-piperidine, FCP)의 합성(synthesis)
50 mL의 염화 메틸렌(methylene chloride)에서 9-플루오레닐메틸 클로로포르메이트(9-fluorenylmethyl chloroformate)(2.58g, 20 m몰(mmol)에, 0℃에서 피페리딘(1.7g, 20 m몰)이 한 방울씩(dropwise) 추가되었다. 그 결과의 혼합물은, 그것이 상온(room temperature)에서 하룻밤 동안(overnight) 섞이기 전에 1 시간 동안 0℃에서 섞였다. 그런 다음, 상기 혼합은 쎄라이트(Celite)를 통해서 필터링되었고, 50 mL의 염화 메틸렌으로 세정되었다. 그 결과의 유기층은 계속해서 100mL의 물, 100mL의 5% HCl 수용액(aq), 및 100mL의 포화 식염수(saturated brine)에 의해 세정되었다. 상기 유기층(organic layer)은 MgSO4 위에서 건조되었고, 용제는 증발(evaporation)에 의해 제거되었다. 최종 산물(product)은 진공(vacuum) 하에서 건조되었고, 그리하여 백색 고체(white solid)로서 산물의 2.3 그램(gram)(75%)을 수용한다. 1HNMR:7.80(2H, d, 7.6 Hz), 7.62(2H, d, 7.2 Hz), 7.43(2H, t, 7.6 Hz), 7.34(2H, t, 7.2 Hz), 4.42(2H, d, 6.8 Hz), 4.30(1H, t, 7.2 Hz), 3.48(4H, t, 5.6 H), 1.68-1.51(6H, br).
예 9
1,3-비스(N-9H-플루오렌-9-일메톡시카르보닐-4-피페리딜)프로판(DFC)의 합성
50 mL의 염화 메틸렌에서 9-플루오레닐메틸 클로로포르메이트(2.58g, 10 m몰)에, 0℃에서 1,3-디-피페리딜프로판(2.1g, 10 m몰)이 한 방울씩(dropwise) 추가되었다. 그 결과의 혼합물은, 그것이 상온에서 하룻밤 동안 섞이기 전에 1시간 동안 0℃에서 섞였다. 그런 다음, 상기 혼합물은 쎄라이트를 통해 필터링되었고, 50mL의 염화 메틸렌로 세정되었다. 그 결과의 유기층은, 계속해서, 100mL의 물, 100mL의 5% HCl 수용액, 및 100mL의 포화 식염수에 의해 세정되었다. 상기 유기층은 MgSO4 위에서 건조되었고, 용제는 증발에 의해 제거되었다. 최종 산물은 에탄올에 의해 재결정화(re-crystalize)되었고, 진공하에서 건조되었으며, 그리하여 백색 고체로서 산물의 2.0 그램(60%)을 수용한다. 1HNMR:7.80(4H, d, 7.2 Hz), 7.62(4H, d, 7.6 Hz), 7.43(4H, t, 7.6 Hz), 7.34(4H, t, 7.2 Hz), 4.44(4H, d, 6.0 Hz), 4.28(2H, t, 7.2 Hz), 4.25-4.04(4H, br), 2.90-2.70(4H, br), 1.71(4H, br), 1.50-1.30(4H, br), 1.30-1.20(4H, br), 1.20-1.00(4H, br)
예 10
(1) 레지스트 A를 제조하고자, 2.5 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 7 wt%의 BPIN, 0.6 wt%의 복빔 및 0.7 wt%의 NBC-101(이 모두는 폴리머 대비 wt%임)로써, (2) 레지스트 B를 제조하고자, 2.5 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 7 wt%의 BPIN, 0.6 wt%의 복빔 및 1.7 wt%의 DFC(이 모두는 폴리머 대비 wt%임)로써, 그리고, (3) 레지스트 C를 제조하고자, 2.5 wt%의 고체 함량을 갖는 용액을 만들기 위해, 7 wt%의 BPIN, 0.6 wt%의 복빔 및 4.6 wt%의 DFC(이 모두는 폴리머 대비 wt%임)로써 포뮬레이트(formulate)하기 위해, PGMEA 용제에 용해된 35 몰%의 NLM, 40 몰%의 MAdMA, 10 몰%의 MCpMA, 15 몰%의 HAdMA로 구성된 테트라폴리머(MAdMA/MCpMAHAdMA/NLM)가 사용되었다. 그 결과의 용액들은 0.2㎛ 필터를 통해서 필터링되었다. 상기 레지스트들은 Shin Etsu SHA940의 35nm 두께의 코팅 및 JSR HM8006의 135nm 두께의 코팅을 갖는 12" 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트들은 약 60초 동안 약 110℃에서 도포후 베이크(PAB)되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.72의 외부 및 0.587의 내부 σ를 갖는 90°다이폴 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼들은 약 60초 동안 130℃에서 노광후 베이크(PEB)되었다. 상기 코팅된 웨이퍼들은 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)으로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다. 이들 공정 조건들 하에서, 130nm 피치 상의 32.5nm 선들이 해상되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼들은 약 90초 동안 약 200℃에서 현상후 베이크(PDB)되었다.
그런 다음, JSR AM2073J 레지스트는 상기 코팅되고 현상된 웨이퍼들 상에 스핀 코팅되었다. 상기 레지스트들은 약 60초 동안 약 110℃에서 PAB되었고, ASML 스텝퍼(1.2NA, 0.72의 외부 및 0.587의 내부 σ의 환형 조명을 갖는 90°다이폴 조명) 상에서 193nm 파장의 광에 노출되었다. 상기 노출 동안, 32.5nm 선들의 동일한 세트가 상기 제1 층의 레지스트 중간에 프린트될 수 있도록, 레티클이 이동되었다. 그런 다음, 상기 웨이퍼들은 약 60초 동안 약 120℃에서 PEB되었다. 0.263 N TMAH 현상제(Moses Lake's AD-10)으로써 약 30초 동안 단일 퍼들 현상 공정을 사용하여 현상되었다.
이러한 공정 조건들 하에서, 제2 레지스트로부터의 32.5nm 선은 상기 제1 레지스트로부터의 또 다른 32.5nm 선 중간에 프린트되어, 레지스트 B 및 C에 대한 65nm 피치 상에서 32.5nm 선들 및 간격들을 형성하였다. 레지스트 A에 대해서는, 상기 제2 층의 선들이 위치해 있고, 상기 제1 층의 선들은 사라졌다. 상기 열 분해 온셋 온도들(thermal decomposition onset temperatures)은, NBC-101 및 DFC에 대해서 각각, 203℃이고, 165℃ 보다 작다. 200℃의 PDB 온도에서는, 단지 DFC는 레지스트 B 및 C에 대해 감감 효과(de-sensitization effect)를 유발하지만, 레지스트 A에 대해서는 그렇지 않은 열 염기(thermal base)를 방출할 것이다.
본 발명의 실시예들에 대한 앞에서의 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제공되었다. 하지만, 본 발명을 총 망라할 의도라든지 본 발명을 개시된 형태로만 정확하게 한정하려는 의도는 아니다. 또한 여러가지 개조들 및 변경들이 가능하다. 당해 기술 분야에서 숙련된 자에게 자명할 수 있는 이러한 개조들 및 변경들은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (26)

  1. 락톤 모이어티(lactone moiety)를 함유하는 제1 반복 유닛들(first repeating units)을 포함하는 폴리머(polymer) - 상기 폴리머는, 제1 용제에서 실질적으로 가용성(substantially soluble)이고, 약 140℃ 또는 그보다 높은 제1 온도로 가열한 후에는 상기 제1 용제에서 실질적으로 불용성(substantially insoluble)이 되는 특성을 가짐 -;
    제2 온도 이상으로 가열시 염기(base)를 방출할 수 있는 열 염기 발생제(thermal base generator); 및
    방사선에 노출시 산(acid)을 방출할 수 있는 광산 발생제(photosensitive acid generator)를 포함하는
    레지스트 조성물(resist composition).
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 열 염기 발생제는 적어도 하나의 카바메이트 모이어티(carbamate moiety)를 포함하는
    레지스트 조성물.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 열 염기 발생제는,
    (i)
    Figure pct00034
    구조 - 여기서 R1 또는 R2 각각은, 수소 원자, 선형 알킬(linear alkyl), 분기형 알킬(branched alkyl), 시클로알킬(cycloalkyl), 할로겐화 선형 알킬(halogenated linear alkyl), 할로겐화 분기형 알킬, 할로겐화 시클로 알킬, 아릴(aryl), 할로겐화 아릴, 및 이것들의 조합, 및
    (ii) 상기 (i)의 구조의 다이머들(dimers)
    로 구성된 그룹으로부터 독립적으로 선택되는
    레지스트 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 열 염기 발생제는, 아미드들(amides), 술폰아미드들(sulfonamides), 이미드들(imides), 이민들(imines), O-아실 옥심들(O-acyl oximes), 벤조일옥시카르보닐 유도체들(benzoyloxycarbonyl derivatives), 4차 암모늄 염들(quaternary ammonium salts), 및 니페디핀들(nifedipines)로 구성된 그룹으로부터 선택되는 화합물을 포함하는
    레지스트 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 열 염기 발생제는, o-{(β-(디메틸아미노)에틸)아미노카르보닐}벤조산, o-{(γ-(디메틸아미노)프로필)아미노카르보닐}벤조산, 2,5-비스(bis){(β-(디메틸아미노)에틸)아미노카르보닐}테레프탈산, 2,5-비스{(γ-(디메틸아미노)프로필)아미노카르보닐}테레프탈산, 2,4-비스{(β-(디메틸아미노)에틸)아미노카르보닐}이소프탈산, 및 2,4-비스{(γ-(디메틸아미노)프로필)아미노카르보닐}이소프탈산으로 구성된 그룹으로부터 선택되는
    레지스트 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 반복 유닛들은,
    Figure pct00035
    ,
    Figure pct00036
    ,
    Figure pct00037
    , 및
    Figure pct00038
    로 구성된 그룹으로부터 선택되는
    레지스트 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리머는 적어도 하나의 산 불안정성 모이어티(acid labile moiety)를 갖는 제2 반복 유닛들을 더 포함하는
    레지스트 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 적어도 하나의 산 불안정성 모이어티는 적어도 하나의 3차 에스테르 모이어티(tertiary ester moiety)를 포함하는
    레지스트 조성물.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 적어도 하나의 3차 에스테르 모이어티는, 메틸아다만탄(methyladamantane)의 에스테르들, 에틸아다만탄(ethyladamantane)의 에스테르들, 메틸시클로펜탄(methylcyclopentane)의 에스테르들, 에틸시클로펜탄(ethylcyclopentane)의 에스테르들, 메틸시클로헥산(methylcyclohexane)의 에스테르들, 에틸시클로헥산(ethylcyclohexane)의 에스테르들, 메틸시클로헵탄(methylcycloheptane)의 에스테르들, 에틸시클로헵탄(ethylcycloheptane)의 에스테르들, 메틸시클로옥탄(methylcyclooctane)의 에스테르들, 에틸시클로옥탄(ethylcyclooctane)의 에스테르들, 및 t-부틸 그룹들(t-butyl groups)의 에스테르들로 구성된 그룹으로부터 선택되는
    레지스트 조성물.
  10. 청구항 7에 있어서, 상기 폴리머는 제3 반복 유닛들을 더 포함하되, 상기 제3 반복 유닛들은, 알킬 알콜 그룹들 및 카르복시산 그룹들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 모이어티를 갖는
    레지스트 조성물.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 폴리머는 제4 반복 유닛들을 더 포함하되, 상기 제4 반복 유닛들은, 술폰아미드들, 플루오르화 술폰아미드들, 플루오로알콜들, 디카르복시이미드들, N-히드록시 디카르복시이미드들, 페놀, 나프톨, 아미노 및 이미노 그룹들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 모이어티를 갖는
    레지스트 조성물.
  12. 기판 상에 제1 포토레지스트의 제1 막을 형성하는 단계 - 상기 제1 포토레지스트는, 제1 폴리머, 제1 온도 이상에서 염기(base)를 방출할 수 있는 열 염기 발생제, 방사선에 노출시 산(acid)을 발생시킬 수 있는 제1 광산 발생제, 및 제1 용제를 포함하고, 상기 용제에서 실질적으로 가용성이고, 제2 온도 이상으로 가열한 후에는 상기 용제에서 실질적으로 불용성이 되는 특성을 가짐 -;
    제1 마스크를 통해서 상기 제1 막을 패턴식으로 이미징(patternwise imaging)하는 단계 - 상기 이미징 단계는 방사선에 상기 제1 막의 적어도 하나의 영역을 노출시키는 단계를 포함하고, 그 결과 상기 제1 막의 상기 적어도 하나의 노출된 영역에 제1 산 촉매(first acid catalyst)를 생성함 -;
    상기 이미징 후, 수용성 염기(aqueous base)에 상기 제1 막을 현상(develop)하는 단계 - 그 결과 상기 제1 막의 염기-가용성 노출 영역들(base-soluble exposed regions)을 제거하고, 상기 제1 막의 제1 패턴층을 형성함 -; 및
    상기 제1 온도 이상 및 상기 제2 온도 이상으로 상기 제1 패턴층을 베이크(bake)하는 단계 - 상기 베이크의 결과로, 상기 제1 열 염기 발생제는 상기 제1 패턴층 내에 염기를 방출하고, 상기 제1 패턴층은 상기 제1 용제에 실질적으로 불용성이 됨 - 를 포함하는
    방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 베이크 후, 상기 제1 패턴층 위에 제2 포토레지스트의 제2 막을 형성하는 단계 - 상기 제2 포토레지스트는 제2 폴리머 및 제2 광산 발생제를 포함함 -;
    상기 제1 패턴층 및 상기 제2 막을 제2 마스크를 통해서 동시에 패턴식으로 이미징하는 단계 - 상기 동시에 이미징하는 단계는 방사선에 상기 제2 막의 적어도 하나의 영역에 노출시키는 단계를 포함하고, 그 결과 상기 제2 막의 상기 적어도 하나의 노출된 영역에 제2 산 촉매를 생성하며, 여기서, 산 촉매는 상기 제1 패턴층에서 생성되고, 상기 염기는 상기 제1 패턴층에서 상기 산 촉매를 중화시킴 -; 및
    상기 제2 막을 현상시키는 단계 - 그 결과 상기 제2 막의 영역들을 제거하고, 상기 제2 막의 제2 패턴층을 형성함 - 를 더 포함하는
    방법.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 막을 패턴식으로 이미징한 후 그리고 상기 제1 막을 현상하기 전에, 80℃와 150℃ 사이의 제3 온도에서 상기 제1 막을 베이크하는 단계를 더 포함하는
    방법.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 온도 및 상기 제2 온도는 각각 독립적으로 140℃와 260℃ 사이에 있는
    방법.
  16. 청구항 13에 있어서, 상기 제1 폴리머 및 상기 제2 폴리머는 서로 다른
    방법.
  17. 청구항 13에 있어서, 상기 제2 막을 현상하는 단계는, 수용성 염기에 상기 제2 막을 현상하는 단계를 포함하되, 상기 제2 막의 영역들을 제거하는 단계는 상기 제2 막의 노출된 염기-가용성 영역들을 제거하는 단계를 포함하는
    방법.
  18. 청구항 12에 있어서, 상기 열 염기 발생제는 적어도 하나의 카바메이트 모이어티(carbamate moiety)를 포함하는
    방법.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 열 염기 발생제는
    (i)
    Figure pct00039
    구조 - 여기서 R1 또는 R2 각각은, 수소 원자, 선형 알킬, 분기형 알킬, 시클로알킬, 할로겐화 선형 알킬, 할로겐화 분기형 알킬, 할로겐화 시클로 알킬, 아릴, 할로겐화 아릴, 및 이것들의 조합, 및
    (ii) 상기 (i)의 구조의 다이머들(dimers)
    로 구성된 그룹으로부터 독립적으로 선택되는
    방법.
  20. 청구항 12에 있어서, 상기 열 염기 발생제는, 아미드들, 술폰아미드들, 이미드들, 이민들, O-아실 옥심들, 벤조일옥시카르보닐 유도체들, 4차 암모늄 염들, 및 니페디핀로 구성된 그룹으로부터 선택된 화합물을 포함하는
    방법.
  21. 청구항 12에 있어서, 상기 제1 폴리머는
    Figure pct00040

    Figure pct00041

    Figure pct00042
    및
    Figure pct00043
    로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제1 반복 유닛들을 포함하는
    방법.
  22. 청구항 21에 있어서, 상기 폴리머는 적어도 하나의 3차 에스테르 모이어티를 갖는 제2 반복 유닛들을 더 포함하되, 상기 적어도 하나의 3차 에스테르 모이어티는, 메틸아다만탄의 에스테르들, 에틸아다만탄의 에스테르들, 메틸시클로펜탄의 에스테르들, 에틸시클로펜탄의 에스테르들, 메틸시클로헥산의 에스테르들, 에틸시클로헥산의 에스테르들, 메틸시클로헵탄의 에스테르들, 에틸시클로헵탄의 에스테르들, 메틸시클로옥탄의 에스테르들, 에틸시클로옥탄의 에스테르들, 및 t-부틸 그룹들의 에스테르들로 구성된 그룹으로부터 선택되는
    방법.
  23. 청구항 22에 있어서, 상기 폴리머는 제3 반복 유닛들을 더 포함하되, 상기 제3 반복 유닛들은 적어도 하나의 알킬 알콜 또는 적어도 하나의 카르복시산 모이어티를 갖는
    방법.
  24. 청구항 23에 있어서, 상기 제3 반복 유닛들은
    Figure pct00044

    Figure pct00045

    Figure pct00046
    , 및
    Figure pct00047

    로 구성된 그룹으로부터 선택되는
    방법.
  25. 청구항 23에 있어서, 상기 폴리머는 제4 반복 유닛들을 더 포함하되, 상기 제4 반복 유닛들은, 술폰아미드들, 플루오르화 술폰아미드들, 플루오로알콜들, 디카르복시이미드들, N-히드록시 디카르복시이미드들, 페놀, 나프톨, 아미노 및 이미노 그룹들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 모이어티를 갖는
    방법.
  26. 제1 용제에서 실질적으로 가용성이고, 140℃ 또는 그보다 높은 제1 온도로 가열한 후에는 상기 제1 용제에서 실질적으로 불용성이 되는, 폴리머;

    (i)
    Figure pct00048
    구조 - 여기서 R1 또는 R2 각각은, 수소 원자, 선형 알킬, 분기형 알킬, 시클로알킬, 할로겐화 선형 알킬, 할로겐화 분기형 알킬, 할로겐화 시클로 알킬, 아릴, 할로겐화 아릴, 및 이것들의 조합, 및
    (ii) 상기 (i)의 구조의 다이머들(dimers)로 구성된 그룹으로부터 독립적으로 선택됨 -; 및
    방사선에 노출시 산(acid)을 방출할 수 있는 광산 발생제를 포함하는
    레지스트 조성물.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100127715A (ko) * 2009-05-26 2010-12-06 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5035562B2 (ja) * 2007-08-22 2012-09-26 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US8236476B2 (en) * 2008-01-08 2012-08-07 International Business Machines Corporation Multiple exposure photolithography methods and photoresist compositions
JP5175579B2 (ja) * 2008-02-25 2013-04-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI449084B (zh) * 2009-06-26 2014-08-11 羅門哈斯電子材料有限公司 形成電子裝置之方法
JP5184460B2 (ja) * 2009-07-24 2013-04-17 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5516195B2 (ja) * 2009-08-04 2014-06-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト材料
JP5244740B2 (ja) * 2009-08-26 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JP5624742B2 (ja) * 2009-10-02 2014-11-12 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5753351B2 (ja) * 2009-11-19 2015-07-22 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 電子デバイスを形成する方法
JP5542500B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法およびレジスト組成物
JP5621735B2 (ja) * 2010-09-03 2014-11-12 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及び化学増幅ポジ型レジスト材料
US8394573B2 (en) 2010-09-16 2013-03-12 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and methods for shrinking a photoresist critical dimension
KR20130114095A (ko) * 2010-09-17 2013-10-16 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체 및 레지스트 패턴 형성 방법
US20120122031A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 International Business Machines Corporation Photoresist composition for negative development and pattern forming method using thereof
CN102566285B (zh) * 2010-12-09 2014-05-28 远东新世纪股份有限公司 制造微结构的方法及该微结构
EP2492749A1 (en) * 2011-02-28 2012-08-29 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns
JP5952029B2 (ja) * 2011-02-28 2016-07-13 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法
JP5898985B2 (ja) 2011-05-11 2016-04-06 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
KR101936435B1 (ko) 2011-09-22 2019-01-08 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법
KR101913865B1 (ko) 2011-09-22 2018-10-31 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
KR20130039124A (ko) * 2011-10-11 2013-04-19 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성방법
JP5898962B2 (ja) * 2012-01-11 2016-04-06 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR102075960B1 (ko) * 2012-03-14 2020-02-11 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 산 확산 제어제 및 화합물
JP5593357B2 (ja) * 2012-09-18 2014-09-24 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP6132554B2 (ja) * 2013-01-08 2017-05-24 アイバイツ株式会社 光塩基発生剤組成物
WO2016043203A1 (ja) * 2014-09-17 2016-03-24 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル
TWI666257B (zh) * 2014-12-30 2019-07-21 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 含有熱鹼產生劑之光可成像組成物
TWI636326B (zh) * 2015-05-15 2018-09-21 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 光鹼產生劑及包括其的光致抗蝕劑組成物
CN112204470B (zh) * 2018-06-15 2024-04-16 玛特森技术公司 用于工件的曝光后烘烤加工的方法和装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650261A (en) * 1989-10-27 1997-07-22 Rohm And Haas Company Positive acting photoresist comprising a photoacid, a photobase and a film forming acid-hardening resin system
US5206117A (en) 1991-08-14 1993-04-27 Labadie Jeffrey W Photosensitive polyamic alkyl ester composition and process for its use
US5576143A (en) * 1991-12-03 1996-11-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
US5932391A (en) * 1995-08-18 1999-08-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist for alkali development
JPH1010741A (ja) * 1996-06-27 1998-01-16 Dow Corning Asia Kk 紫外線硬化性ポリシロキサン組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法
US6177360B1 (en) * 1997-11-06 2001-01-23 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
GB9727186D0 (en) * 1997-12-24 1998-02-25 Du Pont Uk Photoactive materials applicable to imaging systems
JPH11269138A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Mitsubishi Paper Mills Ltd 有機塩基発生剤
US6303266B1 (en) * 1998-09-24 2001-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin useful for resist, resist composition and pattern forming process using the same
DE10120675B4 (de) * 2001-04-27 2005-07-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
JP4265286B2 (ja) * 2002-06-03 2009-05-20 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4154953B2 (ja) * 2002-08-09 2008-09-24 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたパターンの製造方法および電子部品
US6991893B2 (en) * 2002-10-31 2006-01-31 Intel Corporation Controlling resist profiles through substrate modification
JP4225806B2 (ja) * 2003-03-04 2009-02-18 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2005017354A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd ホログラム記録材料用組成物、ホログラム記録材料及びホログラム記録方法。
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR100575001B1 (ko) * 2004-12-10 2006-04-28 삼성전자주식회사 상호 결합 없는 이중 포토 리소그라피 방법
KR100639680B1 (ko) * 2005-01-17 2006-10-31 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
WO2008117693A1 (ja) * 2007-03-28 2008-10-02 Jsr Corporation ポジ型感放射線性組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2008286924A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp 化学増幅型レジスト材料、トップコート膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法
US7803521B2 (en) * 2007-11-19 2010-09-28 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and process for multiple exposures with multiple layer photoresist systems

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100127715A (ko) * 2009-05-26 2010-12-06 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200938952A (en) 2009-09-16
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