KR20060074193A - 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 포토레지스트 조성물은 감광성 폴리머 수지, 광과 반응하여 산을 생성하며, 소수성기(Hydrophobic Group)를 갖는 광산 발생제 및 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 노광공정시 포토레지스트에서 과 생성된 산의 확산속도의 증가를 방지함으로서 형성되는 포토레지스트 패턴의 상부 손실을 방지할 수 있다.

Description

포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 나타내는 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1의 포토레지스트 조성물을 이용하여 수득된 포토레지스트 패턴의 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 비교예 1의 포토레지스트 조성물을 이용하여 수득된 포토레지스트 패턴의 SEM 사진이다.
본 발명은 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 광에 의해 노광되는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업의 발전으로 반도체 소자의 고집적화가 요구됨에 따라 1/2 마이크로미터 이하의 선폭을 갖는 초 미세 패턴을 구현하고자 하는 가공기술이 대두되고 있는 실정이다. 상기 패턴을 형성하기 위한 가공 기술은 주로 감광 저항제 인 포토레지스트(photoresist)를 이용한 포토리소그래피(photolithography) 기술에 의해 이루어져 왔다. 상기 포토리소그래피 기술은 포토레지스트 막 형성 공정, 상기 포토레지스트 막에 형성하고자 하는 패턴의 정렬/노광 공정 및 포토레지스트의 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는데 있다.
상기 포토레지스트 막 형성 공정이란, 광에 의해 분자구조가 바뀌는 포토레지스트를 기판 상에 코팅하여 포토레지스트 막을 형성하는 공정이다. 상기 정렬/노광 공정은 포토레지스트 막이 형성된 기판 상에 소정의 회로 패턴이 형성된 마스크를 얼라인 시킨 후, 포토레지스트 막에 광 화학 반응(photo chemical reaction)이 일어나도록 상기 마스크의 회로 패턴의 이미지를 갖는 광을 포토레지스트 막 상에 투영하는 공정이다. 이 결과, 포토레지스트 막은 상기 회로 패턴의 형상에 대응하게 선택적으로 분자구조가 변화된다. 이어서 수행되는 현상 공정을 통하여 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴이 형성된다.
현상 공정은 상기 노광 공정에 의해 변형된 포토레지스트를 선택적으로 제거 또는 잔류시킴으로서 상기 회로 패턴과 대응되는 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정이다. 상술한 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 포토레지스트 패턴의 해상도는 Rayleigh's equation(R = k1λ/ NA, R: 한계 해상도, λ: 파장, k1: 상수, NA: 렌즈의 개구수)에 따른다. 즉, 사용되는 빛의 파장이 짧을수록 상기 포토레지스트 패턴은 더 우수한 해상도를 갖으며, 선폭 또한 작아진다.
실제로 1930년 대 초에는 436nm의 파장을 갖는 G-line 광, 365nm의 파장을 갖는 I-line 광이 적용되는 노광 장치를 이용하여 약 500 내지 350nm의 해상도를 포토레지스트 패턴을 형성하였으나, 최근 248nm의 파장을 갖는 KrF 광 또는 193nm의 파장을 갖는 ArF 광을 이용한 노광 기술이 도입됨에 따라 240 내지 180nm 정도의 해상도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있게 되었다. 이로 인해 수 기가급 메모리의 반도체가 생산되기에 이르렀다(Solid State Technol, January 2000).
상술한 방법으로 나노미터(nm) 크기의 해상도를 갖는 초미세 패턴을 구현하는 데는, 사용 가능한 광의 파장과 그에 따른 장치 및 포토레지스트 자체의 해상도 한계 등이 매우 중요시된다. 이러한, 패턴을 형성하고자 하는데 적용되는 포토레지스트의 사용은 예컨대 문헌[Deforest, Photoresist Materials and Processes, McGraw Hill Book Company, New York (1975), 및 Moreau, Semiconductor Lithography, Principals, Practices and Materials, Plenum Press, New York (1938)]에 나타난다.
이러한 초 미세 선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 노광 공정은 기판 상에 도포되는 포토레지스트의 물성 및 도포되는 포토레지스트 두께의 변동에 에 의해 영향을 받는다. 이러한 영향에 의해 형성되는 포토레지스트 패턴은 패턴의 선폭(critical dimension)이 변동되는 문제점이 발생한다.
특히, KrF 광원 및 ArF 광원을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성할 경우 포토레지스트에 포함된 폴리머 수지의 블로킹 그룹은 광산 발생제(PGA)로부터 생성된 산의 확산에 의해 탈차단됨으로써 포토레지스트 패턴의 형성을 가능하게 한다. 이때, 패턴의 형성 밀도가 낮은 노광영역은 패턴의 형성 밀도가 높은 노광영역에 비해 노광량이 과타하여 광산 발생제로부터 산이 과생성되는 특성으로 갖는다. 상 기 산의 과생성은 산의 확산도를 증가시켜 형성되는 포토레지의 패턴의 상부가 손실되는 문제점을 초래한다. 이러한 포토레지스트 패턴의 상부손실은 노광 공정의 초점심도 마진의 감소를 초래한다.
따라서, 본 발명의 목적은 포토레지스트 패턴 형성공정의 현상결함을 개선하고, 노광 공정의 초점심도 마진감소를 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 포토레지스트 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 감광성 폴리머 수지, 광과 반응하여 산을 생성하며, 소수성기(Hydrophobic Group)를 갖는 광산 발생제 및 용매를 포함한다.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구체적인 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 감광성 폴리머 수지 4 내지 10중량%, 광과 반응하여 산을 생성하며, 적어도 4개의 탄소를 갖는 소수성기를 포함하는 광산 발생제 0.15 내지 0.4중량% 및 여분의 용매를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 있어서, 패턴 형성방법은 대상물 상에 감광성 폴리머 수지 4 내지 10중량%, 광과 반응하여 산을 생성하며, 적어도 4개의 탄소를 갖는 소수성기를 포함하는 광산 발생제 0.15 내지 0.4중량%와 여분의 용매로 이루어진 포토레지스트 도포하는 단계를 포함한다. 상기 포토레지스트가 도포된 대상물을 베이킹 처리하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계를 포함한다. 단파장을 갖는 광을 적용하여 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광하는 단계를 포함한다. 상기 노광된 포토레지스트 막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법은 포토레지스트 막의 노광 공정시 포토레지스트에서 과 생성된 산의 확산속도 증가를 방지할 수 있다. 상기 과 생성된 산의 확산속도가 방지됨으로 인해 얻어지는 포토레지스트 패턴은 상부 손상이 발생하지 않는다. 또한, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 공정의 초점심도 마진의 감소를 방지할 수 있다. 또한, 우수한 프로파일을 갖는 패턴을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예들에 의한 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명한다.
포토레지스트 조성물
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 패턴을 형성하기 위한 대상물 상에 도포되는 감광성 고분자 물질로써 소수성기가 도입된 적어도 하나의 광산 발생제, 광과 선택적으로 반응하는 감광성 폴리머 수지 및 여분의 용매를 포함한다.
이때, 상기 포토레지스트 조성물은 적용되는 광의 종류 및 노광 시간에 따라 상기 포토레지스트 조성물에 포함되는 광산 발생제의 종류 및 그 조성이 서로 달라야 한다.
본 발명의 포토레지스트 조성물에 포함되는 광산 발생제는 적어도 4개의 탄소를 갖는 소수성(Hydrophobic)기를 포함하고 있다. 상기 소수성기는 상기 광산 발생제의 산(H+)을 생성하는 그룹(Group)의 말단기에 도입된다. 보다 바람직하게는 상기 소수성기는 페닐기를 포함하는 광산 발생제의 페닐기 말단에 도입되며, 적어도 4개의 탄소를 포함하는 알킬(Alkyl;CnH2n+1)기이다. 상기 알킬기는 지방족 포화탄화수소 알칸(일반식 CnH2n+2)에서 수소원자 1개를 제외한 나머지 원자단을 지칭한다.
상기 광산 발생제의 말단 그룹에 소수성기(또는 알킬기)가 도입되지 않는 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 막이 과 노광될 경우 노광 영역에서는 산이 과생산된다. 이렇게 과 생성된 산(H+)은 포토레지스트 막의 비 노광영역으로 확산되는 현상을 방지할 수 없다.
여기서, 과 생성된 산(H+)은 비노광 영역으로 확산되어 현상공정으로 형성되는 포토레지스트 패턴의 상부 손실(Top loss)을 초래한다. 또한, 상기 상부가 손실된 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 적용하여 대상막을 식각하면, 상기 대상막은 식각 프로파일이 불 균일해진다.
반면에, 광산 발생제의 말단 그룹에 적어도 4개의 탄소를 포함하는 소수성기(또는 알킬기)가 도입된 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 막이 과 노광될 경우 노광 영역에서 산(H+)이 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 포토레지스트 막의 현상 공정시 형성되는 포토레지스트 패턴의 상부 손실방지 및 노광 공정의 초점심도 마진이 감소되는 현상을 방지할 수 있다. 이는 상기 광산 발생제에 도입된 소 수성기가 적어도 4개의 탄소를 포함하는 벌크한 크기를 갖기 때문에 상기 광산 발생제로부터 생성된 산이 감광성 폴리머 수지의 음이온 사이트로의 확산(거동)되는 속도를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 산의 확산이 방지됨으로 인해 과다 노광되는 영역에서의 포토레지스트 패턴의 상부 손실(Top loss)을 방지할 수 있고, 노광 공정에서의 초점심도 마진의 감소를 방지할 수 있다. 상기 과 노광되는 영역은 노광 공정시 적용되는 레티클의 패턴 밀도가 낮은 영역과 대응되는 포토레지스트 막의 노광 영역이다.
그리고, 본 발명의 포토레지스트 조성물에 포함된 광산 발생제는 예컨대 페닐기의 말단에 소수성기(적어도 4개의 탄소를 포함하는 알킬기)가 도입된 모노페닐술포늄염(MonoPhenyl Sulfonium), 디페닐 술포늄염(DiPhenyl Sulfonium) 트리페닐술포늄염(TriPhenyl Sulfonium)등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 여기서, 상기 트리페닐술포늄염은 예컨대 트리페닐술포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 트리페닐술포늄 노나플레이트(triphenylsulfonium nonaflate), 트리페닐술포늄 퍼플루오르옥탄술포네이트(triphenylsulfonium perfluorooctanesulfonates)등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 소수성기가 도입된 광산 발생제는 포토레지스트 조성물 전체 중량에 대하여 0.15 내지 0.45중량%의 함량을 갖는다. 상기 포토레지스트 조성물에 함유된 광산 발생제의 함량이 0.15중량% 미만이면 상기 포토레지스트의 노광 공정시 산(H+)의 생성이 저하됨으로 인해 상기 포토레지스트가 도포된 대상물에서 반사되는 광을 감소시키는 능력이 저하된다. 반면에 광산 발생제의 함량이 0.45중 량%를 초과면, 노광 공정시 산이 과 생산됨으로 인해 현상 공정시 포토레지스트 패턴의 상부 손실(Top loss)이 크다. 따라서 상기 포토레지스트는 광산 발생제 0.15 내지 0.45중량%를 함유하는 것이 바람직하며, 약 0.15% 내지 0.4중량%를 함유하는 것이 보다 바람직하다.
전술한 바와 같은 소수성기가 도입된 광산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물은 감광성 폴리머 수지 2 내지 10중량%, 및 여분의 용매를 포함한다.
상기 폴리머 수지의 예로는 예컨대 아크릴레이트계(acrylate), COMA계(Cyclo-Clefin Methacrylate), CO계(Cyclo-Olefin) 수지 등을 들 수 있다. 바람직하게 상기 아크릴레이트계 수지는 예컨대 메타아크릴레이트(methacrylate) 수지, VEMA(Vinyl Ether Methacrylate)수지, COMA (Cyclo-Olefin Methacrylate) 수지 등을 들 수 있다.
상기 용매의 예로는 예컨대 PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate)이고, 메틸 2-하이드록시 이소부티레이트(methyl 2-hydroxyisobutyrate, 이하 HBM 이라고 함), 에틸 락테이트(ethyl lactate, 이하 EL 이라고 함), 사이클핵사논(cyclohexanone), 헵타논(heptanone), 또는 락톤(lactone) 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물에 사용되는 폴리머 수지는 상기 용매와 반응하지 않고 충분한 용해력과 적당한 건조 속도를 가져 상기 용매의 증발 후 균일한 두께를 갖는 포토레지스트 막을 형성할 수 있는 능력을 갖는다면, 어떠한 것이든지 사용할 수 있다.
이하, 상기한 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴형성 방법을 나타내는 공정 흐름도이다
도 1을 참조하면, 감광성 폴리머 수지 4 내지 10중량%, 광과 반응하여 산을 생성하며, 적어도 4개의 탄소를 갖는 소수성기를 포함하는 광산 발생제 0.15 내지 0.4중량%와 여분의 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 형성한다(단계 S110). 상기 포토레지스트 조성물에 대한 설명은 위에 상세히 기재되어 있어 생략한다.
이어서, 상기 포토레지스트 조성물을 대상물 상에 도포한 후 상기 포토레지스트 조성물이 도포된 대상물을 소프트 베이킹 처리하여 포토레지스트 막을 형성한다(단계 S120). 상기 소프트 베이킹 공정은 상기 기판 상에 도포된 포토레지스트 내에 존재하는 용매를 열에너지에 의해 증발시켜 고형상태의 포토레지스트 막을 형성하는 공정이다. 상기 열에너지는 약 90 내지 110℃로 가열함으로서 제공된다..
이어서, 포토레지스트 막의 소정 영역만을 선택적으로 노광할 수 있도록 노광 장치에 크롬 패턴이 형성된 레티클을 개재한 후 상기 레티클을 투과한 광을 포토레지스트 막 상으로 축소 투영시킨다(단계 S130). 상기 노광 공정은 레티클을 투과하는 광이 포토레지스트와 광 화학반응을 노광 지역에 한하여 선택적으로 일으키게 하여, 기 형성된 패턴과 중첩정확도를 유지하는 공정이다.
이 때, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 광산 발생제의 말단 그룹에 적어도 4개의 탄소를 포함하는 소수성기(또는 알킬기)가 도입된 포토레지스트 조성물로서 포토레지스트 막이 과 노광될 경우 노광 영역에서는 발생된 산(H+)이 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 이는, 본 발명의 포토레지스트 조성물에 포함된 광산 발생제는 적어도 4개의 탄소를 포함하는 벌크한 크기의 소수성기를 갖기 때문에 상기 광산 발생제로부터 생성되는 산이 감광성 폴리머 수지의 음이온 사이트로의 확산(거동)되는 현상을 방해할 수 있다. 따라서, 상기 산의 확산속도의 증가를 방지함으로써 과다 노광되는 영역에서 포토레지스트 패턴의 상부 손실(Top loss)은 발생되지 않는다.
이어서, 포토레지스트 막이 형성된 기판을 포스트 노광 베이킹 처리한 후 노광된 포토레지스트 막을 현상한다(단계 S140, S150). 상기 포스트 노광 베이킹 공정은 포토레지스트에서 노광에 의해 생성된 산을 증폭시켜 포토레지스트의 폴리머 수지에서 용해도 차이를 유발시키는 공정이다. 상기 현상 공정은 광 반응한 포토레지스트를 용해도가 큰 현상액(알칼리 용액)을 이용하며, 광에 의해 노광된 포토레지스트 막의 일부분을 용해시켜 대상막 상에 포토레지스트 패턴이 형성하는는 공정이다. 이후 대상막에 잔류하는 현상액을 제거하기 위한 린스 공정을 더 수행하는 것이 바람직하다.
상술한 방법으로 형성된 포토레지스트 패턴은 산의 과 생성으로 초래되는 포토레지스트 패턴의 현상 결함 즉, 포토레지스트 패턴의 상부 손상이 방지된다.
이어서, 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 하드베이킹 처리한 후 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 적용하여 노출된 대상막의 상부를 건식식각하여 패턴을 형성한다(단계 S160,S170). 이후 상기 패턴을 형성하고 남은 포토레지스트 패턴을 제거한다.
이하, 본 발명의 하기 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
실시예 1
메타아크릴레이트 수지 약 50중량부, 소광제 약 10중량부, 5개의 탄소를 포함하는 알킬기를 갖는 모노페닐술포늄염 약 25중량부 및 용매 약 915중량부를 혼합한 후 0.2μm 멤브레인 필터로 여과하여 ArF용 포토레지스트 조성물을 수득하였다.
비교예 1
메타아크릴레이트 수지 약 50중량부, 소광제 약 10중량부, 광산 발생제인 모노페닐술포늄염 약 25중량부 및 용매 약 915중량부를 혼합한 후 0.2μm 멤브레인 필터로 여과하여 ArF용 포토레지스트 조성물을 수득하였다.
포토레지스트 패턴의 평가
실험예 1
반사방지막이 형성된 실리콘 기판상에 상기 실시예 1에서 제조된 포토레지스트를 도포한 후 베이킹 공정을 수행하여 800Å의 두께를 갖는 포토레지스트 막을 형성하였다. 이어서, 밀도가 낮을 패턴들 갖는 레티클을 상기 포토레지스트 막에 투영하여 노광공정을 수행하였다. 이어서, 소프트 베이킹 처리, 현상 공정 및 하드 베이킹 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이후, 상기 실리콘 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 전자현미경으로 관찰하여 포토레지스트 패턴의 프로파일을 나타내는 사진을 수득하였다.
도 2는 본 발명의 실시예 1의 포토레지스트 조성물을 이용하여 수득된 포토레지스트 패턴의 SEM 사진이다.
도 2에 도시된 SEM사진을 참조하면, 상기 실시예 1이 방법으로 제조된 포토레지스트 조성물을 이용하여 수득된 포토레지스트 패턴은 산의 확산이 방지되어 상부의 손실이 발생하지 않음을 알 수 있다. 또한, 노광 공정의 초점심도 마진이 약 0.15㎛임을 알 수 있었다.
비교 실험예 1
반사방지막이 형성된 실리콘 기판 상에 상기 비교예 1에서 수득된 포토레지스트 조성물을 도포하는 것을 제외하고 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 포토레지스트 패턴의 사진을 수득하였다.
도 3은 본 발명의 비교예 1의 포토레지스트 조성물을 이용하여 수득된 포토레지스트 패턴의 SEM 사진이다.
도 3에 도시된 SEM사진을 참조하면, 상기 비교예 1의 방법으로 제조된 포토레지스트 조성물을 이용하여 수득된 포토레지스트 패턴은 산의 확산을 방지할 수 없기 때문에 포토레지스트 패턴의 상부의 손실이 발생하였다. 또한, 노광 공정의 초점심도 마진은 약 0.0㎛으로 상기 실험예 1의 초점심도 마진에 비해 초점심도 가 감소되었음을 알 수 있었다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 적어도 4개의 탄소를 갖는 소수성기(알킬기)를 포함하는 광산 발생제를 포함하고 있어, 포토레지스트 막이 과 노광됨으로 인해 과 생성된 산의 확산속도 증가를 방지할 수 있다.
상기 산의 확산이 발생됨으로 인해 비 노광영역의 포토레지스트의 상부가 손실되는 현상 즉, 포토레지스트 패턴의 상부가 얇아지는 문제점을 방지할 수 있다.
또한, 상기 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광공정의 초점심도 마진 감소를 방지할 수 있는 특성을 갖는다. 결국 전술한 포토레지스트 조성물을 사용하여 포토레지스트 패턴을 형성하면, 신뢰성 높은 반도체 장치를 생산할 수 있게 되므로 전체적인 반도체 제조 공정에 요구되는 시간 및 비용을 절감할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 감광성 폴리머 수지, 광과 반응하여 산을 생성하는 광산 발생제 및 용매를 포함하되, 상기 광산 발생제는 소수성기(Hydrophobic Group)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소수성기는 알킬기로써, 적어도 4개의 탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광산 발생제는 페닐기의 말단에 소수성기가 포함된 모노페닐술포늄염, 디페닐 술포늄염 및 트리페닐술포늄염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 감광성 폴리머 수지는 메타아크릴레이트(methacrylate) 수지, VEMA(Vinyl Ether Methacrylate)수지 또는 COMA(Cyclo-Olefin Methacrylate) 수지인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate), 메틸 2-하이드록시 이소부티레이트(methyl 2-hydroxyisobutyrate), 에틸 락테이트(ethyl lactate), 사이클헥사논 (cyclohexanone), 헵타논(heptanone)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  6. 감광성 폴리머 수지 4 내지 10중량%, 광과 반응하여 산을 생성하는 광산 발생제 0.15 내지 0.4중량% 및 여분의 용매를 포함하되, 상기 광산 발생제는 적어도 4개의 탄소를 갖는 소수성기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  7. (a) 대상물 상에 감광성 폴리머 수지 4 내지 10중량%, 광과 반응하여 산을 생성하며, 적어도 4개의 탄소를 갖는 소수성기를 포함하는 광산 발생제 0.15 내지 0.4중량% 과 여분의 용매로 이루어진 포토레지스트 도포하는 단계;
    (b) 상기 포토레지스트가 도포된 대상물을 베이킹 처리하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
    (c) 단파장을 갖는 광을 적용하여 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광하는 단계; 및
    (d) 상기 노광된 포토레지스트 막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 광산 발생제는 페닐기의 말단에 소수성기가 포함된 모노페닐술포늄염, 디페닐 술포늄염 및 트리페닐술포늄염으로 이루어진 군에서 선택 된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 감광성 수지는 메타아크릴레이트(methacrylate) 수지, VEMA(Vinyl Ether Methacrylate)수지 또는 COMA(Cyclo-Olefin Methacrylate) 수지인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 광은 193nm 이하의 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 대상물을 식각하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
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