JP2009009131A - フォトリソグラフィ用途のための縮合芳香族構造体及び方法 - Google Patents
フォトリソグラフィ用途のための縮合芳香族構造体及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009009131A JP2009009131A JP2008162996A JP2008162996A JP2009009131A JP 2009009131 A JP2009009131 A JP 2009009131A JP 2008162996 A JP2008162996 A JP 2008162996A JP 2008162996 A JP2008162996 A JP 2008162996A JP 2009009131 A JP2009009131 A JP 2009009131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- composition
- molecular glass
- film
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/122—Sulfur compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/126—Halogen compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板上にパターン化された構造を形成するためのレジスト組成物及び方法を提供する。この組成物は、少なくとも1つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基によって保護された少なくとも1つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスと、感光性酸発生剤とを含む。方法は、感光性酸発生剤と、少なくとも1つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも1つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスとを含む組成物を準備するステップと、この組成物の膜を基板上に形成するステップと、膜をパターン様式で画像形成するステップであって、膜の少なくとも一つの領域が放射又は粒子ビームに露光されて、膜の少なくとも一つの露光領域内に酸触媒が生成する、ステップと、膜をベークするステップと、膜を現像して塩基可溶性露光領域を除去するステップであって、除去後に膜のパターン化された構造が残る、ステップとを含む。
【選択図】 図1
Description
少なくとも1つの縮合多環部分、及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも1つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスと、
感光性酸発生剤と
を含むレジスト組成物に関する。
感光性酸発生剤と、少なくとも1つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも1つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスとを含む組成物を準備するステップと、
前記組成物の膜を前記基板上に形成するステップと、
前記膜をパターン様式で画像形成するステップであって、前記膜の少なくとも一つの領域は放射又は粒子ビームに露光されて、前記膜の前記少なくとも一つの露光領域内に酸触媒が生成する、ステップと、
前記画像形成するステップの後、前記基板上の前記膜をベークするステップと、
前記ベークするステップの後、前記膜を塩基水溶液中で現像して前記膜の塩基可溶性露光領域を除去するステップであって、前記膜からのパターン化された構造は前記除去後に残る、ステップと
含む方法に関する。
凡そ10gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)を、600mgの9,10−ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)アントラセン(BDHPA)に加え、この混合物を数時間攪拌したが、この間には溶液は透明にならなかった。次に、この不透明な溶液を、約13mgのシュウ酸に加えた。酸が溶解した後、過剰量の1−メトキシシクロヘキセン(凡そ2.4g)を溶液に加え、反応物を室温で一晩攪拌したが、その間に溶液は透明になった。次に、反応物を約2.6gの塩基性活性酸化アルミニウムによってクエンチした。
凡そ31.5gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)を、3.5gの3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン−5,5’,6,6’−テトラオール(TSPT)に加え、この混合物を数時間攪拌したが、この間には溶液は透明にならなかった。次に、この不透明な溶液を、約30mgのシュウ酸に加えた。酸が溶解した後、過剰量の1−メトキシシクロヘキセン(約7.7g)を溶液に加え、反応物を室温で一晩攪拌したが、その間に溶液は透明になった。次に、反応物を約5gの塩基性活性酸化アルミニウムによってクエンチした。
凡そ14.25gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)を、750mgの9,10−ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)アントラセン(BDHPA)、0.309gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、及び19.8mgのトリフルオロ酢酸に加えた。この混合物を室温で数日間攪拌したが、この間に溶液は暗色となったが透明にはならなかった。0.78gの1−メトキシシクロヘキセンを溶液に加え、凡そ5〜6時間の攪拌後、溶液は透明になった。次いで翌日、反応物を約4gの塩基性活性酸化アルミニウムによってクエンチした。
凡そ45.99gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)を、5.11gの3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン−5,5’,6,6’−テトラオール(TSPT)、2.48gの1−メトキシシクロヘキセン、及び約65mgのトリフルオロ酢酸に加えた。この混合溶液を、室温で一晩攪拌したが、溶液は2日目も不透明のままであった。この混合液を、約2.41gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルに加え、反応物を再び室温で一晩攪拌し、その後溶液は3日目に透明になった。この溶液に、さらに2.55gの1−メトキシシクロヘキセンを加え、次に、攪拌4日目に約5.5gの塩基性活性酸化アルミニウムによって反応物をクエンチした。
レジスト(A−D)は、分子性ガラス及び上で合成された連結分子性ガラス(実施例1−4)の各々を、5.6重量%(wt%)のトリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネート(TPS PFBUS)PAG、0.28wt%のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)クエンチ剤、及びPGMEA溶媒中の約200ppmから約1000ppmまでのFLUORAD FC−430界面活性剤(3M社から入手可能)と混合することによって製剤した。各成分の重量パーセント(wt%)は、レジスト製剤内の化合物(分子性ガラス又は連結分子性ガラス)の重量に対するものである。
205:放射又は粒子源
210:パターン付けされたマスク
215:マスク部分
220:非マスク部分
225:膜
230:露光領域
240:非露光領域
Claims (20)
- レジスト組成物であって
少なくとも1つの縮合多環部分、及び酸不安定性保護基によって保護された少なくとも1つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスと、
感光性酸発生剤と
を含むレジスト組成物。 - 前記分子性ガラスは、隣接する分子性ガラス部分の間の酸開裂性結合を介して連結される少なくとも2つの分子性ガラス部分を有する連結分子性ガラスである、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 前記連結分子性ガラスは、2個から100個までの連結された分子性ガラス部分を含む、請求項2に記載の組成物。
- 前記分子性ガラスは、前記レジスト組成物中の80%重量より高い濃度を有する、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 前記保護基は、アセタール基、ケタール基、オルトエステル基、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 前記感光性酸発生剤は、(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド(MDT)、N−ヒドロキシ−ナフタルイミド(DDSN)、オニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、N−ヒドロキシアミドのスルホン酸エステル、イミド、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 界面活性剤をさらに含み、前記界面活性剤は、フッ素含有界面活性剤、シロキサン含有界面活性剤、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 塩基性クエンチ剤をさらに含み、前記塩基性クエンチ剤は、脂肪族アミン、芳香族アミン、カルボン酸塩、水酸化物、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 前記組成物は、酸不活性の骨格構造を有する重合成分を本質的に含まない、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 前記分子性ガラスは、3,000グラム/モル未満の分子量を有する、請求項1に記載のレジスト組成物。
- 基板上にパターン化された構造を形成する方法であって、
感光性酸発生剤と、少なくとも1つの縮合多環部分及び酸不安定性保護基で保護された少なくとも1つの塩基可溶性官能基を有する分子性ガラスとを含んだ組成物を準備するステップと、
前記基板上に前記組成物の膜を形成するステップと、
前記膜をパターン様式で画像形成するステップであって、前記膜の少なくとも1つの領域が放射又は粒子ビームで露光されて、前記膜の前記少なくとも1つの露光領域内に酸触媒が生成する、ステップと、
前記画像形成するステップの後、前記基板上の前記膜をベークするステップと、
前記ベークするステップの後、塩基水溶液中で前記膜を現像して、前記膜の塩基可溶性露光領域を除去するステップであって、前記膜のパターン化された構造が前記除去後に残る、ステップと
を含む方法。 - 前記放射は、紫外線、遠紫外線、極端紫外線、x線、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項14に記載の方法。
- 前記放射は、4ナノメートルから70ナノメートルまでの範囲の波長を有する、請求項15に記載の方法。
- 前記粒子ビームは、電子ビーム、イオン・ビーム、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項14に記載の方法。
- 前記分子性ガラスは連結された分子性ガラスであり、前記連結された分子性ガラスは、隣接する分子性ガラス部分の間の酸開裂性結合を介して連結された少なくとも2つの分子性ガラス部分を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記保護基は、アセタール基、ケタール基、オルトエステル基、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/769089 | 2007-06-27 | ||
US11/769,089 US7566527B2 (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Fused aromatic structures and methods for photolithographic applications |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009009131A true JP2009009131A (ja) | 2009-01-15 |
JP5179270B2 JP5179270B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=40160984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008162996A Expired - Fee Related JP5179270B2 (ja) | 2007-06-27 | 2008-06-23 | フォトリソグラフィ用途のための縮合芳香族構造体及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7566527B2 (ja) |
JP (1) | JP5179270B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018886A (ja) * | 2009-05-29 | 2011-01-27 | Xerox Corp | 電子デバイス用誘電体層 |
KR20180014688A (ko) * | 2015-05-28 | 2018-02-09 | 인텔 코포레이션 | 포토레지스트의 확산 및 용해도 스위치 메커니즘을 분리하는 수단 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8364325B2 (en) * | 2008-06-02 | 2013-01-29 | Adura Technologies, Inc. | Intelligence in distributed lighting control devices |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006285075A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2007041501A (ja) * | 2004-12-24 | 2007-02-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト用化合物および感放射線性組成物 |
JP2007206371A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 感放射線性組成物 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0388343B1 (en) | 1989-03-14 | 1996-07-17 | International Business Machines Corporation | Chemically amplified photoresist |
JP2711590B2 (ja) | 1990-09-13 | 1998-02-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
DE59107712D1 (de) | 1990-09-13 | 1996-05-30 | Ocg Microelectronic Materials | Säurelabile Lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche Zusammensetzung |
JPH07140666A (ja) | 1993-06-04 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物 |
US5576359A (en) | 1993-07-20 | 1996-11-19 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Deep ultraviolet absorbent composition |
US5976770A (en) | 1998-01-15 | 1999-11-02 | Shipley Company, L.L.C. | Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same |
US6303263B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-10-16 | International Business Machines Machines | Irradiation sensitive positive-tone resists using polymers containing two acid sensitive protecting groups |
JP4139548B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2008-08-27 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US6806026B2 (en) | 2002-05-31 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition |
US7083892B2 (en) | 2002-06-28 | 2006-08-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Resist composition |
JP4056332B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2008-03-05 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物 |
US7141692B2 (en) | 2003-11-24 | 2006-11-28 | International Business Machines Corporation | Molecular photoresists containing nonpolymeric silsesquioxanes |
US7901864B2 (en) | 2004-09-23 | 2011-03-08 | International Business Machines Corporation | Radiation-sensitive composition and method of fabricating a device using the radiation-sensitive composition |
US7129016B2 (en) | 2004-11-12 | 2006-10-31 | International Business Machines Corporation | Positive resist containing naphthol functionality |
US7183036B2 (en) | 2004-11-12 | 2007-02-27 | International Business Machines Corporation | Low activation energy positive resist |
US7622240B2 (en) | 2005-02-28 | 2009-11-24 | International Business Machines Corporation | Low blur molecular resist |
US7459260B2 (en) | 2005-03-29 | 2008-12-02 | Intel Corporation | Method of reducing sensitivity of EUV photoresists to out-of-band radiation and EUV photoresists formed according to the method |
WO2007094784A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Cornell Research Foundation, Inc. | Adamantane based molecular glass photoresists for sub-200 nm lithography |
-
2007
- 2007-06-27 US US11/769,089 patent/US7566527B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-23 JP JP2008162996A patent/JP5179270B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-24 US US12/508,652 patent/US8029975B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007041501A (ja) * | 2004-12-24 | 2007-02-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト用化合物および感放射線性組成物 |
JP2006285075A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2007206371A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 感放射線性組成物 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018886A (ja) * | 2009-05-29 | 2011-01-27 | Xerox Corp | 電子デバイス用誘電体層 |
KR20180014688A (ko) * | 2015-05-28 | 2018-02-09 | 인텔 코포레이션 | 포토레지스트의 확산 및 용해도 스위치 메커니즘을 분리하는 수단 |
KR102492056B1 (ko) | 2015-05-28 | 2023-01-26 | 인텔 코포레이션 | 포토레지스트의 확산 및 용해도 스위치 메커니즘을 분리하는 수단 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8029975B2 (en) | 2011-10-04 |
US7566527B2 (en) | 2009-07-28 |
US20090286180A1 (en) | 2009-11-19 |
JP5179270B2 (ja) | 2013-04-10 |
US20090004596A1 (en) | 2009-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI416255B (zh) | 光阻組成物及多層阻劑系統之多次曝光方法 | |
JP3690847B2 (ja) | レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
TWI472873B (zh) | 多重曝光微影法及光阻組成物 | |
US7838200B2 (en) | Photoresist compositions and method for multiple exposures with multiple layer resist systems | |
JP4530368B2 (ja) | 活性化エネルギーの低いケイ素含有レジスト・システム | |
US8846295B2 (en) | Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof | |
KR102204530B1 (ko) | 산 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트 | |
US8053172B2 (en) | Photoresists and methods for optical proximity correction | |
TW201237550A (en) | Compositions comprising base-reactive component and processes for photolithography | |
TW201234109A (en) | Compositions comprising base-reactive component and processes for photolithography | |
TWI575309B (zh) | 光阻圖型之形成方法及光阻組成物 | |
US8986918B2 (en) | Hybrid photoresist composition and pattern forming method using thereof | |
EP4066059B1 (en) | Chemically amplified photoresist | |
JP2005148752A (ja) | 環状ケタール保護基を有するシリコン含有レジスト系 | |
TWI493283B (zh) | 無氟稠芳香雜環光酸生成劑、含此光酸生成劑的光阻組成物及其使用方法 | |
JP5179270B2 (ja) | フォトリソグラフィ用途のための縮合芳香族構造体及び方法 | |
US8021828B2 (en) | Photoresist compositions and methods related to near field masks | |
US7282318B2 (en) | Photoresist composition for EUV and method for forming photoresist pattern using the same | |
TWI307451B (en) | Photoresist composition | |
KR20000076692A (ko) | 신규한 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 | |
WO2019194018A1 (ja) | レジストパターン形成方法及び化学増幅型レジスト材料 | |
TWI843729B (zh) | 基於酚醛清漆樹脂/重氮萘醌(dnq)之化學增幅型光阻 | |
JP3759745B2 (ja) | レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
KR20060109697A (ko) | 포토레지스트 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
TW202004340A (zh) | 基於酚醛清漆樹脂/重氮萘醌(dnq)之化學增幅型光阻 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121005 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130109 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |