KR20100033515A - 클램핑 디바이스 및 대상물 로딩 방법 - Google Patents

클램핑 디바이스 및 대상물 로딩 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지지부(1, 101) 상에 대상물(20, 120)을 클램핑하도록 구성된 클램핑 디바이스에 관한 것이다. 클램핑 디바이스는: 제 1 힘을 이용하여 대상물과 지지부과 서로로부터 멀어지게 힘을 가하도록 구성된 제 1 디바이스 및 제 2 힘을 이용하여 대상물과 지지부가 서로를 향하게 힘을 가하도록 구성되는 제 2 디바이스를 포함한다. 제 1 디바이스 및 제 2 디바이스는 지지부 상의 대상물의 클램핑을 완료하기 전에 대상물을 원하는 형상으로 셰이핑하기 위하여 동시에 제 1 힘과 제 2 힘을 각각 가하도록 구성된다.

Description

클램핑 디바이스 및 대상물 로딩 방법{CLAMPING DEVICE AND OBJECT LOADING METHOD}
본 발명은 클램핑 디바이스 및 지지부 상에 대상물을 클램핑하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치의 기판 지지부 상에 기판을 로딩하는 방법에 관한 것이다. 끝으로, 본 발명은 기계 판독가능 매체(machine readable medium)에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 IC의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우에, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 역-평행한 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
알려진 리소그래피 장치에서, 노광될 각각의 기판은 기판 지지부 상에 로딩되며, 패터닝된 방사선 빔의 노광 동안 기판은 상기 기판 지지부 상에서 지지된다. 기판을 기판 지지부 상에 클램핑하기 위하여, 클램핑 디바이스가 제공된다. 리소그래피 장치의 알려진 실시예에서는, 진공 클램핑 장치가 사용된다. 이러한 진공 클램핑 디바이스는 진공 힘을 제공하며, 이 진공 힘에 의해 기판이 기판 지지부의 지지 표면 상에 클램핑된다. 기판이 직선형인 경우에, 기판은 기판 내에 실질적인 내부 응력 없이 지지 표면 상에 클램핑될 것이다.
하지만, 기판들은 직선형이 아닐 수 있으며, 예를 들어 골이 진(corrugated) 형상, 원통 형상, 돔 형상, 안장(saddle) 형상 또는 여타 형상과 같은 다수의 형상들로 휘어질(warp) 수 있다. 이는 기판 제조에 사용되는 생산 방법에 의하여 제조시 기판들이 거치게되는 노광-전 또는 노광 후 프로세스들에 의하여 이행될 수 있다.
휘어진 기판, 예를 들어 돔-형상 기판이, 예를 들어 진공 클램프에 의하여 기판 지지부 상에 클램핑되는 경우, 기판은 먼저 기판의 외측 둘레부에서 기판 지지부와 접촉하고 그 후 기판 표면의 나머지부분에서 기판 지지부와 접촉할 수 있다. 클램핑 력으로 인하여 기판은 실질적으로 직선 형태로 힘을 받는 한편, 기판의 외측 둘레부에서 클램핑이 개시된다. 결과적으로, 기판이 지지면 상에 클램핑되는 경우 기판 내에서 응력들이 유발될 수 있다. 이 적용례에서, '휘어진' 대상물은 원통, 안장, 또는 대상물 형상의 원하지 않는 다른 변형들로서의 여하한의 형상들을 지칭할 것이다.
이들 응력들은 최종 제품의 품질에 있어 부정적인 영향을 가질 수 있다. 또한, 기판은 원하는 것과는 다른 형태로 클램핑되기 때문에, 리소그래피 장치 돌출부들의 오버레이 성능이 떨어져 제품 품질에 관한 악영향을 가질 수 있다.
출원인들은 클램핑력들로 인한 기판 내 내부 응력들이 실질적으로 저감되는, 기판들을 위한 유지 구성체(holding arrangement)를 갖는 기판 지지부를 제공하는 것이 바람직하다고 판단하였다. 또한, 휘어진 기판이 기판 지지부 상에 클램핑되고, 이에 의해 기판 내 응력들에 관한 위험 및/또는 오버레이 오차들을 잠재적으로 감소시키는 클램핑 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 대상물을 지지부 상에 클램핑하도록 구성되는 클램핑 디바이스가 제공되며, 상기 클램핑 디바이스는 제 1 힘을 이용하여 상기 대상물과 상기 지지부가 서로로부터 멀어지게 힘을 가하도록 구성되는 제 1 디바이스, 및
제 2 힘을 이용하여 상기 대상물과 상기 지지부가 서로를 향하게 힘을 가하도록 구성되는 제 2 디바이스를 포함하며,
상기 제 1 디바이스 및 제 2 디바이스는 각각 상기 제 1 힘과 상기 제 2 힘을 동시에 가하여 상기 지지부 상의 상기 대상물의 클램핑이 완료되기 전에 상기 대상물을 원하는 형상으로 셰이핑(shape)하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 대상물을 지지부 상에 로딩하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 상기 대상물을 원하는 형상으로 셰이핑하는 단계를 포함하며, 상기 셰이핑 단계는, 상기 대상물로하여금 상기 대상물과 상기 지지부가 서로로부터 멀어지도록 가해지는 제 1 힘 및 상기 대상물과 상기 지지부가 서로를 향하도록 가해지는 제 2 힘을 동시에 받도록 하는 단계 및 상기 지지부 상의 상기 대상물의 클램핑을 완료하는 단계를 포함한다. 추가적으로, 상기 방법을 수행하기 위한 기계 실행가능 명령어들로 인코딩되는 기계 판독가능 매체가 제공된다.
본 발명의 추가 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치의 기판 지지부 상에 기판을 로딩하는 방법이 제공된다. 상기 방법은:
상기 기판 지지부로부터 이격된 상기 기판을 유지하는 동안 상기 기판을 원하는 형상으로 셰이핑하는 단계 - 상기 셰이핑 단계는 상기 기판으로하여금 상기 기판을 상기 지지부를 향하여 당기는 인력(attracting force) 및 상기 기판을 상기 지지부로부터 멀어지도록 미는 척력(rejecting force)을 동시에 받도록 하는 단계를 포함함 - , 및
상기 기판 지지부 상의 상기 셰이핑된 기판의 클램핑을 완료하는 단계를 포함한다.
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 예시의 방법으로 기술될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 본 발명에 따른 기판 지지부의 측면도;
도 3은 도 2의 기판 지지부의 평면도;
도 4a, 4b 및 4c는 기판과 기판 지지부 사이의 거리에 관한 인력과 척력의 종속성을 예를 들어 나타낸 다이어그램;
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 방법의 3 단계를 나타낸 도;
도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 기판 지지부의 대안실시예의 측면도, 및 본 발명에 따른 클램핑의 3 단계를 나타낸 도;
도 7a 및 7b는 본 발명에 따른 기판의 또 다른 실시예의 평면도 및 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여타 다른 적합한 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL), 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 마스크 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지부"를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
마스크 지지 구조체는 패터닝 디바이스의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 마스크 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 마스크 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 마스크 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스들의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 또는 "기판 지지부"(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블 또는 지지부들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 또는 지지부가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 또는 지지부에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
리소그래피 장치는 또한, 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위하여 기판의 적어도 일 부분이, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물로 덮일 수 있는 타입으로 이루어질 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에 적용될 수도 있다. 침지 기술들은 투영시스템들의 개구수를 증가시키는데 사용될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 잠겨야 한다는 것을 의미하기 보다, 노광 동안 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치되면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 마스크 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스[예를 들어, 마스크(MA)] 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지부"의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정 디바이스(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크(MT) 또는 "마스크 지지부" 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지부"는 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지부"는 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지부" 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지부"는 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지부"에 대한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지부"의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지부"는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지부"가 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지부"가 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지부(1)는 기판 테이블(3)이 배치되는 거울 블록(2)을 포함한다. 도 2 및 3은, 각각 상기 실시예에 따른 기판 지지부(1)의 측면도와 평면도를 나타낸다.
기판 지지부(1)의 최상부 측은 기판 지지부(1) 상에 기판을 클램핑하기 위한 진공 클램프(vacuum clamp; 4)를 포함한다. 기판 지지부(1)는 e-핀이라고도 알려진 3 개의 수축형(retractable) 핀들(5)을 포함하며, 이들은 핀들(5)이 기판 지지부(1)로부터 연장된 연장 위치와 핀들(5)이 기판 지지부(1) 내로 수축된 수축 위치 사이에서 기판 지지부에 대해 이동가능하다. 수축형 핀들(5)은 실질적으로 수직 방향, 즉 핀들에 의해 지지될 기판의 메인 평면에 대해 실질적으로 수직한 방향으로 이동가능하다. 수축형 핀들(5)은 기판 지지부(1)와 로봇 또는 다른 타입의 기판 핸들러 간의 기판의 전달에 사용된다. 수축형 핀들(5)은 기판을 지지하기 위해 기판 아래에 배치될 수 있도록 제공된다. 로봇이 측들에서나 최상부에서 기판을 유지하도록 구성되는 경우, 수축형 핀들(5)은 생략될 수 있다. 대안 실시예들에서, 정전기, 자기 또는 전자기 클램프들과 같은, 기판 상에 인력을 가할 수 있는 다른 타입의 어떠한 디바이스도 사용될 수 있다.
상기 실시예에서, 로봇은 연장 위치의 핀들(5) 상에 기판을 배치한다. 그 다음, 핀들(5)은 기판이 기판 지지부(1)의 지지면 상에 놓이도록 수축 위치로 이동된다. 기판 지지부(1)에 의해 지지되는 기판은 패터닝된 방사선 빔에 대해 노광된 후에, 다른 기판으로 교체된다. 기판의 교체를 위하여, 수축 위치로부터 연장 위치로 이동되는 수축형 핀들(5)에 의하여 기판은 기판테이블(3)로부터 들어올려진다. 핀들(5)이 연장 위치에 있을 때, 기판은 로봇이나 또 다른 타입의 기판 핸들러로 넘겨진다.
진공 클램프(4)는 실링 림(sealing rim: 7)으로 둘러싸인 후퇴면(recessed surface: 6)에 의하여 형성된다. 후퇴면(6), 실링 림(7) 및 기판 지지부(1) 상에 배치되거나 배치될 기판이 경계를 이루는 진공 공간 내에 낮은 압력을 생성하기 위한 흡입 도관(suction conduit: 8)이 제공된다. 흡입 도관(8)은 프로세스 환경 내에 존재하는 공기 또는 여타 가스를 진공 공간 밖으로 뽑아내기 위한 흡입 펌프에 연결된다. 낮은 압력은 진공력(vacuum force)을 제공하여 기판 지지부(1)를 향하는 지지면 위의 특정 범위 내에 배치되는 기판을 끈다. 이 범위 또는 적어도 그 일부에서, 기판 상에 가해지는 진공력은 기판 지지부와 기판 사이의 거리 x와 실질적으로 독립적이다.
후퇴면(6)에는, 다수의 버얼들(burls: 9)이 배치된다. 버얼들(9)의 최상부 단부들은 기판 지지부(1) 상에 배치될 기판에 대한 지지면들을 제공한다. 실링 림(7) 및 버얼들(9)의 최상부 단부들은 기판을 지지하기 위한 실질적으로 편평한 면을 제공하기 위하여 실질적으로 동일한 평면으로 배치될 수 있다. 대안 실시예에서, 실링 림(7)은 도 2에 도시된 바와 같이 버얼들(9)보다 낮게 배치될 수 있으며, 그와 반대의 경우도 가능하다.
기판 지지부(1)의 일 실시예에서는, 2 개 이상의 진공 클램프가 제공된다. 추가 실시예에서는, 기판 상에 가해지는 인력, 즉 기판 지지부를 향하도록 기판에 가해지는 힘을 제공하는 또 다른 디바이스, 예컨대 정전기, 자기 또는 전자기 클램프가 제공된다. 이러한 클램프에 의해 가해지는 힘은 기판 지지부와 기판 사이의 거리 x와 독립적인 기판 지지부(1) 지지면 위의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 일 실시예에서는, 중력이 클램핑력으로서 사용된다. 클램핑 디바이스의 방위에 종속적인 중력은 (추가적인) 인력 또는 척력일 수 있다. 일 실시예에서는, 압력 차가 인력 또는 척력으로 사용된다. 일 실시예에서는 추가 스프링들 및 네거티브(negative) 스프링들이 옵션일 수 있다.
다수의 버얼들(9)에는, 노즐들(10)이 제공된다. 도 2 및 3에 도시된 실시예에서, 노즐들(10)은 실링 림(7)이 경계를 이루는 표면적에 걸쳐 균등하게 분포된다. 노즐들(10)은 가스 공급 도관(11)에 연결되며, 후퇴면에 대해 실질적으로 수직한, 즉 기판 지지부(1) 상에 배치될 기판의 메인 평면에 대해 실질적으로 수직한 방향으로 제트(jet)를 제공하도록 구성된다. 실제적으로 제트를 제공하기 위하여, 펌프(도시 안됨) 또는 가압 가스의 또 다른 소스가 공급 도관(11)에 연결된다. 기판 지지부의 대안 실시예에서, 노즐들(10)은 버얼들에 통합되지 않고 별도로 제공된다. 제트들의 제공을 위해서는, 공기나 H2와 같은 어떠한 타입의 적합한 가스도 이용될 수 있다는데 유의해야 한다.
클램프가 작용하는 상술된 범위 내에 배치되는 기판은 기판 지지부(1)와 기판 사이의 거리 x에 종속적인 제트에 의하여 가해지는 힘을 받는다.
대안 실시예에서는, 기판 지지부로부터 멀어지도록 힘을 가하기 위한, 예를 들어 척력을 이용하는 다른 디바이스들이 제공될 수 있다. 이러한 디바이스들은, 예를 들어 선형 또는 비선형 스프링들이나, 정전기, 자기 또는 전자기 디바이스들을 포함할 수 있다. 기판 상에 가해지는 척력은 기판 지지부(1)와 기판 사이의 거리 x를 증가시키면 저감되는 것이 바람직하다.
일반적으로, 척력 및 인력은 기판과 디바이스에 가해지는 각각의 힘 간의 기계적 접촉 없이 기판 상에 힘을 가할 수 있는 디바이스에 의하여 제공되는 것이 바람직하다는데 유의해야 한다.
도 4a에서는, 당기는 진공력과 중력의 합 및 기판 상에 가해지는 미는 제트력이 본 실시예를 위한 기판 지지부로부터의 기판의 거리 x에 독립적으로 도시되어 있다. x-축 상에서, 기판 지지부와 기판 사이의 거리 x는 특정 범위에 대해 나타나 있다. y-축 상에서, 인력(진공력과 중력의 조합) 및 척력(제트력)은 거리 x와 독립적으로 나타나 있다.
본 실시예에서, 진공력은 거리 x와 독립적이다. 도 4a의 수평선은 기판 및 지지부가 서로를 향하도록 하는 힘을 나타내고 있다. 이 힘은 진공력과 같은 방향으로 작용하는 중력의 성분에 대해 교정된 진공력이다. 따라서, 이는 진공력과 중력이 협동하는 것으로 언급될 수 있다. 제트들에 의해 유도되는 척력은 감소하며 거리 x는 증가한다. 따라서, 인력은 척력보다 거리 x에 덜 종속적이다. 균형 거리(balance distance: xb)에서, 척력 및 중력에 대해 교정된 진공력은 같다. 균형 거리(xb)는 매우 안정적인 거리에 해당된다. 이는 기판이 균형 거리에 존재하는 경우 이들 힘들이 같으므로 - 기판 및 지지부를 다른 거리로 구동하는 합력이 존재하지 않음을 의미함 - 이 거리에서 유지되기 때문이다. 기판 및 지지부가 xb보다 큰 거리들로 서로로부터 멀어지게 이동된다면, 인력은 동일하게 유지되는 반면, 척력은 감소될 것이다. 결과적으로, 척력이 인력보다 작아, 기판 및 지지부를 보다 짧은 거리, 즉 균형 거리(xb)를 향하여 구동한다. 기판 및 지지부가 xb보다 짧은 거리 x를 향하여 이동된다면, 인력은 역시 변하지 않고 유지되지만 척력은 증가할 것이다. 결과적으로, 척력은 인력보다 커지고 기판 및 지지부는 균형 위치(xb)를 향하여 서로로부터 멀어지도록 힘을 받는다. 이러한 방식으로, 기판이 유지되며 도 4a에 나타낸 바와 같이 균형 위치(xb)를 향하여 이동될 수 있다.
위의 실시예에서, 중력은 인력과 같은 방향으로 작용한다. 대안 실시예에서, 그들 사이에는 소정 각이 존재하며 인력과 같은 방향에 있는 중력의 성분에 대한 교정이 이루어진다. 대안적으로 중력이 척력과 같은 방향으로 작용하는 일 실시예에서는, 균형 거리(xb)를 얻기 위해 척력이 교정될 필요가 있으나 인력은 아니다. 이 실시예에서, 척력 및 중력은 협동하여 기판을 지지부로부터 멀어지도록 힘을 가한다.
또한, 단지 기판만 전체로서 균형 위치를 향하여 이동될 것이다. 인력과 척력 간의 균형은 휘어진 기판을 원하는 형상으로 셰이핑하는데 사용될 수도 있다. 이는 기판 지지부 상에 로딩될 기판이 휘어지는 경우에 장점을 가질 수 있다. 균형 거리(xb)가 기판 지지부 상에 지지되는 기판의 전체 표면적에 대해 같은 경우, 휘어진 기판은 기판 지지부의 지지면 상에 클램핑되기 전에 기판 지지부의 인력 및 척력을 이용하여 이 거리에서 소정 시간 동안 균형을 맞춤으로써 거리(xb)에서 곧게 된다(straightened).
일 실시예에서는, 기판이 기판 지지부를 향하여 이동되는 동안, 곧게하는 단계(straightening), 또는 보다 일반적으로 셰이핑이 수행될 수도 있다. 이 실시예에서, 기판 지지부를 향한 기판의 이동과 함께 셰이핑이 이루어지는 동안 균형 거리(xb)는 감소된다. 균형 거리의 변화는 인력 및/또는 척력을 적절히 변화시킴으로써 얻어질 수 있다. 예를 들어, 도 4b에는 척력이 감소되어 기판 지지부에 보다 근접한 또 다른 균형 거리(xb-2)를 유도하는 것이 점선으로 나타나 있다.
일 실시예에서는, 예를 들어 노즐들의 불균등하게 분포된 수 또는 상이한 공급 도관들 또는 바람직하게는 자체 흡입 도관을 갖는 2 이상의 진공 클램프를 이용함으로써 제팅력(jetting force) 또는 진공력의 차이에 의하여 불균등하게 분포된 인력 및/또는 척력이 제공될 수 있다. 이 실시예에서, 균형 거리(xb)는 기판의 표면적을 따라 변하며, 결과적으로 기판이 원하는 형상으로 셰이핑될 수 있다. 일 실시예에서, 불균등하게 분포된 힘들은 국부적으로 부재한 힘들을 포함한다. 클램핑될 대상물의 부분들은 그 위에 국부적으로 작용하는 힘들이 없을 수 있다.
일 실시예에서는, 두 힘 모두가 기판 지지부(1)와 기판(20) 사이의 거리 x에 종속적인 것이 가능할 수 있다. 예를 들어, 도 4c에서 인력, 즉 진공력과 중력의 합, 및 척력, 즉 기판 상에 가해지는 제트력 둘 모두가 감소하며, 기판 지지부와 기판 사이의 거리는 증가한다. 하지만, xb보다 짧은 거리에서는 척력이 더 크며 xb보다 긴 거리들에서는 인력이 보다 더 크다. 따라서, 기판은 거리(xb)에서 유지되며, 이와 함께 기판의 셰이핑 가능성, 예를 들어 기판 지지부 상에 기판을 클램핑하기 전에 휘어진 기판을 곧게 할 가능성을 발생시킨다.
도 4a 및 4b에 도시된 도면들 및 다른 도면들에 도시된 실시예들에 대하여, 이들 실시예에서 기판이 지지부의 최상부 측 상에 클램핑될 때까지 중력은 인력의 일부이거나 인력을 형성한다는데 유의해야 한다. 대안 실시예들에서는, 기판이 지지부의 하부 측 상에 클램핑되는 것이 가능할 수 있으며, 이 경우에 중력은 인력의 일부이거나 인력을 형성하며, 또는 기판이 지지부의 측에 클램핑되는 것이 가능할 수 있으며, 이 경우에 중력은 인력과 척력 간의 균형에 있어 소정의 역할을 수행하지 않을 것이다.
도 5a 내지 5c는 기판 지지부(1) 상에 휘어진 기판(20)을 클램핑하기 위한 본 발명에 따른 클램핑 방법의 몇몇 단계들을 나타내고 있다.
도 5a는 도 2의 기판 지지부를 나타내며, 이에 의하여 기판(20)은 수축형 핀들(5) 상에 배치된다. 기판(20)은 휘어지며, 이는 예를 들어 기판의 코팅, 베이킹, 칠링(chilling) 또는 현상과 같은 노광 전 프로세스 또는 노광 후 프로세스에 의하여 유도될 수 있다. 일 실시예에서, 대상물, 특히 기판 형상의 휘어짐 또는 다른 종류의 변형은 기판의 비아에 의하여 유도될 수 있다. 기판의 높이 차들은, 특히 처리되지 않은, 예를 들어 코팅, 베이킹, 칠링 및 현상되지 않은 상대적으로 새 기판들에 대해 통상적으로 5 내지 50 ㎛의 범위 내에 있지만, 특히 기판이 처리된 후에는 최대 450 ㎛ 이상의 차이들 또한 가능하다.
이러한 휘어진 기판이 추가적인 방책들 없이 기판 지지부 상에 로딩되는 경우, 휘어진 형태의 기판(20)의 클램핑으로 인해 기판(20) 내에 응력들이 유발될 수 있다. 예를 들어, 기판이 돔-형상인 경우, 먼저 외주부가 클램핑된 후에 기판(20)의 중간부가 클램핑된다. 휘어진 기판의 둘레부가 같은 곧은 기판의 둘레보다 작으므로, 클램핑은 기판 내에 응력들을 생성할 수 있다.
도 5b에서, 기판(20)은 기판 지지부(1)에서 핀들(5)을 수축시킴으로써 하향 이동되어 균형 위치, 즉 xb에 가까운 기판(20)과 기판 지지부(1) 사이의 거리 x 가까이로 옮겨진다. 균형 위치(xb)는 통상적으로 1-1000 ㎛, 바람직하게는 1 내지 100 ㎛의 범위 내에 놓일 수 있다는데 유의해야 한다. 바람직한 균형 거리는 또한 각각의 기판에 존재하는 높이 차들에 종속적일 수 있다.
휘어진 기판을 셰이핑하기 위하여, 인력 및 척력기 기판 상에 동시에 가해진다. 이들 힘들의 크기는 기판의 균형 위치를 바꾸기 위해 변화될 수 있다.
이에 의하여, 기판이 기판 지지부를 향하여 이동하는 동안 기판이 셰이핑되는 것이 가능할 수 있다. 또한, 기판은 기판 지지부의 제 1 접근 시 셰이핑된 다음, 소정 거리, 예를 들어 1 내지 100 ㎛ 사이에서 유지되어 기판 지지부 상에 클램핑되기 전에 실질적으로 편평한 형태로 추가 셰이핑될 수 있다.
기판(20)은 제트들에 의해 생성되는 베드(bed) 상에서 부유(float)하기 때문에, 기판에 대한 몇가지 고정이 제공되는 것이 바람직하다. 이러한 이유로, 기판(20)은 수축형 핀들(5)에 의하여 x, y 및 Rx 방향에서 계속 유지된다. 하지만, 곧게할 때 핀들(5)의 존재의 영향을 가능한 한 작게 하기 위하여, 핀들은 적어도 곧게하는 상황 동안 수직한 z-방향으로 작은 강성을 갖는다. 또한, x, y 및 Rz의 실질적으로 같은 위치에서 기판을 유지시키기 위한 다른 디바이스가 이용될 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 본 발명의 따른 대상물을 후속 셰이핑하기 위하여 대상물 형상의 변형을 증대시키기 위한 핀들(5)과 같은 요소들은 존재한다. 몇몇 실시예들에서는, 변형이 다소간 예측가능하기 때문에 특정한 변형이 바람직할 수 있다.
기판(20)을 곧게 하는 과정이 완료된 경우, 척력보다 인력을 크게함으로써, 예를 들어 진공 클램프(4)의 진공력을 증대시키거나 노즐들(10)로부터 나오는 제트들의 속도를 감소시킴으로써 기판(20)이 기판 지지부(1) 상에 클램핑된다. 결과적으로, 기판(20)이 기판 지지부(1)의 지지면 상에 놓이게 된다. 진공력이 유지되는 경우, 기판(20)은 기판 지지부(1) 상에 클램핑되는 한편, 실질적으로 곧은 형상이 된다. 기판 지지부 상에 기판을 클램핑하기 위한 로딩 프로세스가 완료되면, 이 상황은 완료 클램핑이라 지칭된다.
도 5c에서, 기판(20)은 진공 클램프(4)를 이용하여 기판 지지부(1) 상에 클램핑된 것으로 도시되어 있다. 기판(20)은 기판 지지부 상에 클램핑되는 동안 곧아지기 때문에, 기판(20) 내의 내부 응력들에 관한 위험이 실질적으로 저감되며, 그와 함께 오버레이 성능이 증대된다. 수축형 핀들(5)은 수축 위치로 이동된다.
곧게하는 상황은 또한 제트들에 이용되는 가스의 온도 제어에 의하여 기판(20)의 열적 컨디셔닝에 사용될 수 있다는데 유의해야 한다.
도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 기판 지지부(1a)의 대안 실시예의 측면도이다. 도 6a 내지 6c 각각은 기판 지지부(1a) 상에 휘어진 기판(20)의 셰이핑 및 클램핑 동안의 단계를 나타내고 있다. 도 2, 3 및 5a 내지 5c의 실시예에서와 동일한 또는 실질적으로 동일한 기능을 갖는 기판 지지부(1a)의 특징부들에는 같은 참조부호들이 주어져 있다.
기판 지지부(1a)의 최상부 측은 기판 지지부(1a) 상에 기판을 지지하기 위한 제 1 진공 클램프(4a) 및 제 2 진공 클램프(4b)를 포함한다. 제 1 진공 클램프(4a)는 기판 중심부를 클램핑하도록 구성되며, 원형 내측 실링 림(7a)이 경계를 이룬다. 가스 흡입 도관(8a)은 후퇴면(6a) 및 실링 림(7a)이 경계를 이루는 진공 공간으로부터 가스를 뽑아내기 위하여 제공된다.
제 2 진공 클램프(6b)는 환형이며 제 1 진공 클램프(6a)를 동심적으로 둘러싼다. 제 2 진공 클램프(6b)는 기판 중심부를 둘러싸는 기판의 둘레 영역을 클램핑하도록 구성된다. 제 2 진공 클램프(4b)는 내측 실링 림(7a) 및 원형 외측 실링 림(7b)이 경계를 이룬다. 가스 흡입 도관(8b)은 내측 실링 림(7a)과 외측 실링 림(7b) 사이의 후퇴면(6b)이 경계를 이루는 진공 공간으로부터 가스를 뽑아내기 위하여 제공된다.
후퇴면(6b)에는 다수의 버얼들(9)이 배치된다. 버얼들(9)의 최상부 단부들은 내측 실링 림(7a) 및 외측 실링 림(7b)과 조합하여 기판 지지부(1a) 상에 배치될 기판을 위한 지지면들을 제공한다.
다수의 버얼들(9)에는 노즐들(10)이 제공된다. 노즐들(10)은 척력이 기판의 중심부보다는 기판의 다른 부분 상에 가해질 수 있도록 후퇴면(6b)의 버얼들(9) 내에 배치된다. 노즐들(10)은 가스 공급 도관(11)에 연결되며, 기판 지지부(1a) 상에 지지되거나 지지될 기판의 메인 평면에 실질적으로 수직한 제트를 제공하도록 구성된다.
도 6a 내지 6c는 기판(20)을 기판 지지부(1a) 상에 클램핑하기 위한 본 발명에 따른 대안의 클램핑 방법의 몇몇 단계들을 나타내고 있다.
도 6a는 기판 지지부(1a)를 나타내며, 이에 의하여 기판(20)이 수축형 핀들(5) 상에 배치된다. 기판(2)은 휘어지는데, 이는 예를 들어 기판의 코팅, 베이킹, 칠링 또는 현상과 같은 노광 전 프로세스 또는 노광 후 프로세스에 의하여 유도될 수 있다. 본 방법에서, 핀들(5)은 지지부가 적어도 부분적으로 기판 지지부(1a) 상에서 지지될 때까지 하강한다. 그 다음, 제 1 진공 클램프(6a)가 기판(20)의 중심부를 지지부 상에 클램핑한다. 그 후, 기판(20)은 공기나 또 다른 적합한 가스를 노즐들(10)의 밖으로 제팅함으로써 원하는 컵이나 오목한 형상이 된다.
도 6b에는 컵 또는 오목한 형상의 상태인 기판(20)이 도시되어 있다. 이 상태 동안, 제 2 클램핑 디바이스(4b)는 기판(20) 상에 인력을 가할 수 있지만, 노즐들(10)로부터 나오는 가스 제트들에 의해 가해지는 제팅력이 보다 커서 기판의 둘레 부분이 기판 지지부로부터 굽어져 올라가 도 6b에 도시된 바와 같은 컵 또는 오목한 형상을 형성하게 된다.
이 상태에서, 기판(20)은 기판(20)의 중심부에서 제 1 진공 클램프에 의해 클램핑되기 때문에, 기판에 대한 고정은 x, y 및 Rz 방향으로 제공된다. 이들 방향으로의 기판(20)의 바람직하지 않은 부유는 실질적으로 방지되는 한편, 핀들(5)은 기판 지지부 내로 완전히 수축되며 기판(20)에 관한 기계적 영향을 갖지 않는다.
제 2 진공 클램프의 인력은 점진적으로 증가되며 및/또는 제트들의 척력은 점진적으로 감소되기 때문에, 기판은 중심부에서 시작해서 반경 방향으로 기판 지지부 상에 클램핑된다. 결과적으로, 기판(20)은 기판 지지부(1a) 상에서 점진적으로 "말려 나가기(rolled out)"때문에 실질적으로 감소되는 내부 응력들을 가지거나 가지지 않고 기판 지지부(1a) 상에 클램핑된다. 결과적으로, 오버레이 오차들이 회피될 수 있다.
대안 실시예들에서는, 제 1 클램핑 디바이스(4a)가 제 1 상황에서 기판(20)의 중심부를 클램핑하지 않고, 기판(20)의 다른 부분, 예를 들어 기판의 에지를 클램핑하도록 구성되는 것이 가능할 수 있다. 이 실시예에서, 기판은 소정 형상으로 성형된 후에 기판 지지부(1a) 상에 클램핑될 수 있으며, 이는 기판의 부분에서 시작하여 단지 상기 부분에만 클램핑된다.
도 6a 내지 6c에 도시된 실시예에서, 제 1 및 제 2 진공 클램프(4a 및 4b)는 조합되어 기판(20)의 전체 표면적 상에 인력을 가한다. 또 다른 실시예에서, 제 1 클램핑 디바이스는 기판의 단지 일부 상에만 클램핑력을 가하도록 제공되며, 제 2 클램핑 디바이스는 기판의 전체 표면적 상에 클램핑력을 가하도록 제공될 수 있다. 이 실시예에서, 제 1 클램핑 디바이스는 셰이핑 동안 기판의 단지 일부만을 유지하도록 구성되는 전-클램핑(pre-clamping) 디바이스로서 사용되며, 제 2 클램핑 디바이스는 실제 리소그래피 프로세스 동안 클램핑 디바이스로서 사용될 수 있다. 진공 클램프, 정전기, 자기 또는 전자기 디바이스와 같은 여하한의 적합한 클램핑 디바이스는 클램핑 디바이스로서 사용될 수 있다.
도 6a 내지 6c에 도시된 실시예에는, 후퇴면(6b)에 노즐들(10)이 제공된다. 대안 실시예들에서는, 셰이핑 동안 제 1 진공 클램프의 인력이 내측 후퇴면(6b)의 노즐들로부터 나오는 제트들의 제팅력보다 큰 한, 노즐들(10)이 후퇴면(6a)에 제공될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 노즐들은 기판 지지부의 원형 에지에만 제공되어, 기판 지지부 상에 배치될 기판의 둘레 에지 상에만 척력을 가하도록 구성될 수도 있다.
기판 지지부의 일 실시예에서, 노즐들의 상이한 그룹들이 제공될 수 있으며, 각 그룹은 별개의 가스 공급 도관에 연결된다. 이러한 실시예는 노즐들의 각 그룹이 상이한 제팅력을 제공하는데 사용되고, 그와 함께 기판 상에 가해지는 힘들의 보다 정확한 제어가 가능해지도록 할 수 있다.
이 실시예에서는, 기판의 셰이핑 동안 기판의 부분을 클램핑하도록 구성되는 제 1 클램핑 디바이스 둘레의 동심 원들에 노즐들의 그룹들을 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 진공 클램프 또는 보다 일반적으로 제 2 클램핑 디바이스는 기판의 상이한 부분들 상에 가해지는 인력들의 보다 정확한 제어를 가능하게 하기 위한 바람직하게 동심적으로 배치되는 다수의 클램핑 디바이스로 세분될 수 있다.
도 7a 및 7b는 본 발명에 따른 기판 지지부(101)의 또 다른 실시예를 나타내고 있다. 기판 지지부(101)는 3개의 실질적으로 동심 환형 진공 클램프(102, 103, 104)를 포함하며, 이들 각각은 원형 구조로 배치되는 다수의 진공 홀(105)을 포함한다.
환형 진공 클램프들(102, 103, 104) 각각의 진공 홀들(105) 각각은 진공 라인(107, 108, 109)을 통해 공통 진공 소스(106)에 연결된다. 각각의 진공 라인(107, 108, 109)에는, 유동 제약부(flow restriction: 112)가 제공된다. 이러한 유동 제약부(112)는 각각의 진공 라인(107, 108, 109)을 통한 유동에 대하여 특정한 유동 제약을 제공한다. 외측 환형 진공 클램프(104)의 진공 라인(109)의 유동 제약은 중간 환형 진공 클램프(103)의 진공 라인(108)의 유동 제약보다 크며, 중간 환형 진공 클램프(103)의 진공 라인(108)의 유동 제약은 내측 환형 진공 클램프(102)의 진공 라인(107)의 유동 제약보다 큰다.
외측 환형 진공 클램프(104) 주위에는, 환형 척력 디바이스(110)가 배치되어 로딩될 기판의 에지 상이나 그 부근에 척력을 제공한다. 척력 디바이스(110)는 환형 진공 클램프들(102, 103, 104)과 동심적으로 배치되며, 예를 들어 로딩될 기판의 방향으로 공기나 다른 가스를 제팅하도록 구성되는 원으로 배치되는 다수의 노즐들을 포함한다.
도 7a 및 7b의 기판 지지부(101)는, 로딩 시 가외의 방책들이 취해지지 않는 경우 기판의 중심 전에 에지가 기판 지지부(101)와 접촉하는 휘어진 기판들에 특히 적합하다. 결과적으로, 클램핑 력의 조성 동안 기판의 롤 오프(roll off)는 기판, 특히 기판의 중심에 응력들 및 변형들을 초래할 수 있다. 기판과 기판 지지부 간의 마찰 계수의 차이들 및 기판 형상의 차이들은 변형들의 배치에 크게 영향을 미칠 수 있다.
위의 응력들 및 변형들을 회피하기 위하여, 도 7a 및 7b에 도시된 바와 같이 기판 지지부(1)의 환형 진공 클램프들(102, 103, 104)을 이용하여 휘어진 기판을 클램핑 또는 사전클램핑하는 동시에, 척력 디바이스(110)를 이용하여 (점선으로 도시된) 로딩될 기판(120)의 외측 에지 상이나 그 부근에 척력을 가하여, 예를 들어 e-핀들(111)에 의해 기판이 기판 지지부를 향하여 하강할 때 외측 에지가 기판 지지부와 접촉하는 것을 피하게 하는 방법이 제안된다. 인력이 기판(120) 상에 가해지도록 환형 진공 클램프들(102, 103, 104)에 진공이 가해진다.
내측 환형 진공 클램프(102) 진공 라인(107)의 유동 저항은 비교적 작기 때문에, 기판(120)이 내측 환형 진공 클램프(102) 상에 클램핑될 때까지 적용되는 진공은 내측 환형 진공 클램프(102)를 돕는다. 클램핑의 결과로서, 내측 환형 진공 클램프(102) 진공 라인(107)의 유동 저항은 신속히 증가되며, 진공은 중간 환형 진공 클램프(103)를 돕는다. 기판이 또한 중간 환형 진공 클램프(103) 상에 클램핑되는 경우, 외측 환형 클램프(104)가 도움을 받는다.
기판(120) 상에 가해지는 클램핑력들 및 척력들은 도 7b에 점선 화살표로 나타나 있다. 환형 클램프들(102, 103, 104)의 화살표들의 두께는, 내측 환형 진공 클램프(102) 진공 라인(107) 내의 유동 저항이 상대적으로 작기 때문에 적용되는 진공은 제 1 상황에서 이 환형 클램프에 의하여 도움을 받는다는 것을 나타낸다.
이러한 방식으로, 기판이 클램핑되는데, 기판은 중심부에서 시작한 다음 기판의 표면을 확장해가며 반경 방향으로 클램핑된다.
웨이퍼가 모두 3 개의 환형 진공 클램프(102, 103, 104)에 의해 클램핑되는 경우, 척력은 소멸되거나 감소되며, 기판의 에지는 기판 지지부(101)와 접촉될 수 있다. 기판의 에지는 기판 지지부(101)와 적어도 부분적으로 접촉하기 때문에, 기판의 응력들 및 변형들이 회피된다. 그 다음, 기판은 기판 지지부 상에 완전하게 클램핑된다.
대안 실시예에서, 내측 환형 클램핑 디바이스(102)는 원형의 형상으로 이루어질 수 있다. 이러한 원형의 형상은 본 발명의 적용의 관점에서 환형이라 간주된다. 또한, 도 7b에 도시된 바와 같은 유동 저항은 유동 레지스터들을 제공함으로써 얻어진다는데 유의해야 한다. 또한, 상이한 환형 진공 클램프들의 진공 라인들의 형상 및 길이에 의하여 또는 여하한의 다른 수단에 의하여 상이한 유동 저항들을 얻는 것도 가능하다.
기판의 사양들(specifications) 및 클램핑 후의 내부 응력들 및 변형들에 관한 요건들에 따라, 보다 많거나 적은 환형 진공 클램프들이 제공될 수 있다. 또한, 다른 타입의 클램핑 디바이스 또한 환형 클램핑 디바이스로서 적용될 수도 있다. 환형 클램핑 디바이스들 각각의 클램핑력은 클램핑이 가장 내측의 환형 클램핑 디바이스로부터 시작하여 기판의 에지까지 반경방향으로 확장되도록 최적화되거나 최적화가능한 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판의 에지로부터 시작되는 클램핑의 다른 적합한 롤 오프가 적용될 수도 있다.
노즐들, 정전기, 자기 또는 전자기 디바이스들과 같은, 기판 상에 척력을 가하는 어떠한 적합한 타입의 디바이스도 사용될 수 있다.
위에서, 기판의 동일한 부분 또는 상이한 부분 상에 인력과 척력을 동시에 가함으로써 기판 지지부 상에서의 클램핑이 완료되기(즉, 완료 클램핑이 마무리되기) 전에 기판이 어떻게 셰이핑될 수 있는지에 대해 설명되었다. 이러한 방식으로, 기판의 형상이 로딩 프로세스 동안 제어된다. 완료 클램핑이라는 용어는 기판 로딩 프로세스의 종료 시, 기판 지지부 상에 클램핑된 기판에 관한 것으로, 이로 인해 추가 프로세싱, 예를 들어 리소그래피 프로세스의 준비가 되었다는 것을 나타낸다는데 유의해야 한다. 그러므로, 완료 클램핑이 반드시 기판의 전체 표면 상에 클램핑 력이 가해진다는 것을 의미하지는 않는다.
완료 클램핑 상태에 도달하기 전에 대상물의 형상을 제어하는 디바이스들 및 방법들이 기판 지지부(1) 및 상기 지지부 상에 클램핑될 기판(20)의 관점에서 설명된다. 이러한 디바이스 및 방법은 또 다른 대상물, 특히 휘어진 플레이트 또는 시트와 같은 평면-형상의 대상물을 지지부 상에 클램핑하는데 사용되어, 대상물이 지지부 상에 클램핑되는 형상을 제어함으로써, 특히 클램핑 후 대상물 내의 내부 응력들을 외피할 수 있게 한다. 이러한 실시예들은 본 발명의 범위 내에 속하는 것으로 이해해야 한다.
척력 및 인력을 동시에 이용하는 본 발명은 다른 대상물들이 소정 위치에서 유지되도록 하고 및/또는 유지되는 대상물 내의 응력들을 저감시키는데 적용될 수도 있다. 유사한 방식으로 유지될 예시적 대상물은 레티클/마스크 또는 패터닝 디바이스일 수 있다. 실시예들은 패터닝 디바이스를 클램핑하는데 이용되도록 조정될 수 있으며 및/또는 당업자는 패터닝 디바이스를 유지하기 위하여 실시예들을 최적화할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 장치 및 방법은 대상물을 원하는 형상으로 셰이핑하여, 상기 대상물 내의 내부 응력을 바람직하게 저감시킴으로써, 오버레이 오차들을 감소시킬 수 있도록 하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 셰이핑은 지지부 상의 대상물의 완료 클램핑 이전에 수행된다. 인력 및 척력을 이용하는 셰이핑은 일 실시예에서 테이블 상으로의 대상물의 로딩 스테이션에서 수행된다. 일 실시예의 완료 클램핑은 상기 대상물이 추가 작업 동안 일반적으로 유지되는 위치에서 상기 테이블에 대해 상기 대상물을 위치설정하는 단계를 포함한다. 상기 대상물은 이후의 단계에서 추가의 후속 클램핑 작업이 수행되는 경우 사전에 완전하게 클램핑될 수 있다. 일 실시예에서 완전한 클램핑은 척력을 스위칭 오프하거나(switching off) 또는 적어도 척력을 감소시키는 것에 대응된다. 이는, 척력의 완전한 스위칭 오프이거나, 척력을 받는 대상물 영역의 단지 일부에 대한 단지 국부적인 스위칭 오프일 수 있다.
일 실시예에서는, 대상물 테이블 외부의 외부 소스가 인력이나 척력, 또는 이들 두 힘 모두에 대해 사용된다. 여기서, 외부 소스는 클램핑 디바이스에 직접적으로 연결되지 않으며, 일 실시예에서는 대상물 테이블에 직접적으로 연결되지 않는 소스이다. 일 실시예는 리소그래피 장치와 같은 장치의 상이한 부분에 고정되는 대상물 테이블 위에 배치되는 제트를 포함한다.
일 실시예에서, 클램핑 디바이스의 일부로서 또는 대상물 테이블의 일부로서 유연한 요소가 제공된다. 스프링 또는 유연한 벽 요소와 같은 유연한 요소는 클램핑 디바이스 또는 대상물 테이블로부터 상향 연장될 수 있다. 이는 클램핑 디바이스로부터 먼 쪽으로의 척력을 위해 제공될 수 있다.
상술된 바와 같이 척력 및 인력은 클램핑 디바이스의 관점으로부터 정의된 바와 같은 힘들이다. 척력은 클램핑 디바이스로부터 먼 쪽으로의 힘이다. 인력은 클램핑 디바이스를 향하는 힘이다. 상기 힘들은 유닛들을 이용하여 제공되며, 이들 유닛 각각은 단지 인력 또는 척력에 대해 제공된다. 당업자라면, 본 발명은 인력들이 기판과 지지부가 서로를 향하도록 가해지는 힘들의 실시예들이며, 척력들이 기판과 지지부를 서로로부터 멀어지도록 가해지는 힘들의 실시예들이라는 것을 포괄한다는 것을 이해해야 한다. 대안 실시예에서, 진공력은 기판이 기판 지지부로부터 멀어지는 힘을 가하기 위해 기판 지지부(1)로부터 먼 쪽을 향하는 대상물의 표면으로 가해진다.
또 다른 실시예에서, 방법은 로딩 시 및/또는 로딩되는 동안 기판 상에 진동 작용을 적용함으로써 기판 내의 응력들을 저감시키는 단계를 포함한다. 진동에 의해 기판 내의 내부 응력들을 해제될 수 있다. 진동 작용은 스프링 또는 유연한 요소를 이용하여 적용될 수 있다. 진동 툴이 작용될 수 있다. 적합한 액추에이터가 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 잔동 작용은 웨이퍼의 중심부에서 시작하여 기판 상으로 적용된다. 진동 작용은 센트럴 그라이퍼(central gripper)에 의하여 기판/대상물에 적용될 수 있다. 추가 단계에서, 후속하는 진동 작용들이 대상물의 보다 외부에 배치되는 부분들에 적용될 수 있다. 이러한 방식으로, 대상물 내의 응력들이 대상물의 외부 부분들로 바람직하게 '이동되며', 바람직하게는 '해제된다'. 일 실시예에서, E-핀들은 대상물을 진동시키기 위한 진동 디바이스들로서 이용된다.
진동 작용은, 예를 들어 단 한번의 주기 또는 심지어 절반의 주기의 매우 짧은 작용일 수 있다. 진동 작용은 적어도 한 번의 작용, 바람직하게는 평형 위치에 대한 한 번의 움직임을 특징으로 한다. 이는 오프셋 움직임일 수 있다. 이러한 진동 작용은 대상물 재료를 통해 이동하는 파-형 응력 해제 로브(wave-like stress releasing lobe)를 유도할 수 있으므로 대상물 내의 응력 저감 효과를 갖는 것으로 여겨진다. 이러한 파형 동작은 대상물 내의 국부적 응력 영역들의 저감에 보다 효과적인 것으로 여겨진다.
추가 실시예에서는, 대상물 상에 진동을 적용하기 위해 스트라이킹 디바이스가 이용될 수 있다. 대상물을 때림으로써, 한 번의 교란(disturbance), 이 경우에는 과도한 교란이 대상물 상으로 전달되며, 이 교란은 대상물에 걸친 다른 내부 응력들을 소멸시키거나 해제시키는데 사용될 수 있다. 스트라이킹 디바이스는 대상물 내에 파 형 동작을 개시할 수도 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (38)

  1. 지지부(WT) 상에 대상물(W, 20)을 클램핑하도록 구성된 클램핑 디바이스에 있어서,
    제 1 힘을 이용하여 상기 대상물과 상기 지지부가 서로로부터 멀어지게 힘을 가하도록 구성된 제 1 디바이스, 및
    제 2 힘을 이용하여 상기 대상물과 상기 지지부가 서로를 향하게 힘을 가하도록 구성된 제 2 디바이스를 포함하며,
    상기 제 1 디바이스 및 상기 제 2 디바이스는 상기 지지부 상의 상기 대상물의 클램핑이 완료되기 전에 상기 대상물을 원하는 형상으로 셰이핑(shape)하기 위하여 동시에 상기 제 1 힘 및 상기 제 2 힘을 각각 가하도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 힘은 척력(rejecting force)인 클램핑 디바이스.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 힘은 인력(attracting force)인 클램핑 디바이스.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 디바이스 및 상기 제 2 디바이스는 상기 기판과 상기 지지부를, 동시에 작동시키고 중력과 함께 협동하여 서로로부터의 균형 거리(balance distance)에서 유지하도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 대상물의 셰이핑 동안 상기 대상물을 상기 균형 거리에서 유지시키도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 디바이스 및 상기 제 2 디바이스는 셰이핑 동안 상기 대상물과 상기 지지부 사이의 거리를 감소시키도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    작동 범위를 갖고,
    상기 제 1 힘은 상기 기판과 상기 지지부 사이의 거리에 종속적이어서 상기 대상물과 상기 지지부 사이의 증가된 거리에서 감소하며, 상기 제 2 힘은 상기 제 1 힘보다 상기 거리에 관해 덜 종속적인 클램핑 디바이스.
  8. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 작동 범위는 상기 균형 거리를 포함하는 클램핑 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    중력 교정(correct) 후에, 상기 작동 범위에 있어 상기 균형 거리보다 짧은 거리들에서는 상기 제 1 힘이 상기 제 2 힘보다 크며, 상기 균형 거리보다 긴 거리들에서는 상기 제 1 힘이 상기 제 2 힘보다 작은 클램핑 디바이스.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 디바이스는 상기 대상물의 부분 상에 상기 제 1 힘을 가하도록 구성되며,
    상기 제 2 디바이스는 상기 대상물의 적어도 또 다른 부분 상에 상기 제 2 힘을 가하도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 대상물의 부분은 상기 대상물의 중심부이며, 상기 적어도 또 다른 부분은 상기 중심부를 적어도 부분적으로 둘러싸는 클램핑 디바이스.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    제 3 힘을 이용하여 상기 대상물과 상기 지지부가 서로를 향하게 힘을 가하도록 구성되는 제 3 디바이스를 포함하며,
    상기 제 3 힘은 단독으로 또는 상기 제 1 힘과 조합되어 상기 지지부와 마주하는 상기 대상물 표면의 주요 부분 상에 가해지는 클램핑 디바이스.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 디바이스는 적어도 하나의 진공 클램프 또는 정전기 클램프를 포함하는 클램핑 디바이스.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 제 1 영역과 상호작용하도록 구성되는 제 1 클램프 및 상기 기판의 제 2 영역과 상호작용하도록 구성되는 제 2 클램프를 포함하며,
    상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역을 둘러싸는 클램핑 디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 클램프 및 상기 제 2 클램프 각각의 클램핑력을 변화시킴으로써 기판의 부분들이 상기 제 1 클램프 및 상기 제 2 클램프에 의하여 클램핑되는 순서에 영향을 주도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    - 상기 제 1 클램프는 제 1 유동 제약부(first flow restriction)가 제공되는 제 1 진공 라인을 갖는 제 1 진공 클램프를 포함하고,
    - 상기 제 2 클램프는 제 2 유동 제약부가 제공되는 제 2 진공 라인을 갖는 제 2 진공 클램프를 포함하며,
    상기 제 1 유동 제약부에서의 유동 저항은 상기 제 2 진공 라인에서의 유동 저항보다 작은 클램핑 디바이스.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 디바이스 및 상기 제 2 디바이스를 포함하는 그룹 중 적어도 하나의 부재는 상기 적어도 하나의 부재와 상기 대상물 간의 기계적 접촉 없이 상기 대상물 상에 대응되는 힘을 가하도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 디바이스 및 상기 제 2 디바이스를 포함하는 그룹 중 적어도 하나의 부재는 상기 대상물 상에 진동 작용을 가하도록 구성되는 클램핑 디바이스.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클램핑 디바이스는 상기 대상물을 가격하는 스트라이커 유닛을 더 포함하는 클램핑 디바이스.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지부는 리소그래피 장치의 기판 지지부이며, 상기 대상물은 기판인 클램핑 디바이스.
  21. 제 20 항의 클램핑 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 클램핑 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치.
  22. 지지부 상에 대상물을 로딩하는 방법에 있어서,
    상기 대상물을 원하는 형상으로 셰이핑하는 단계 - 상기 셰이핑 단계는 상기 대상물과 상기 지지부가 서로로부터 멀어지도록 가해지는 제 1 힘 및 상기 대상물과 상기 지지부가 서로를 향하도록 가해지는 제 2 힘을 동시에 받도록 하는 단계를 포함함 - , 및
    상기 지지부 상의 상기 대상물의 클램핑을 완료하는 단계를 포함하는 대상물 로딩 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 대상물은 상기 대상물의 셰이핑 동안 상기 지지부의 균형 거리에서 유지되는 대상물 로딩 방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 셰이핑 동안 상기 대상물과 상기 지지부 사이의 거리를 감소시키는 단계를 포함하는 대상물 로딩 방법.
  25. 제 22 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 셰이핑 단계는 상기 대상물을 곧게 하는 단계(straightening)를 포함하는 대상물 로딩 방법.
  26. 제 22 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물과 상기 지지부 사이의 거리의 작동 범위 내에서 상기 대상물을 셰이핑하는 단계를 포함하며,
    상기 작동 범위는 상기 제 2 힘이 상기 제 1 힘보다 거리에 관해 덜 종속적인 범위인 대상물 로딩 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 작동 범위는 상기 제 1 힘 및 상기 제 2 힘이 중력의 존재 내에서 상기 기판 및 상기 지지부를 유지하도록 구성되는 균형 거리를 포함하는 대상물 로딩 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 작동 범위에 있어, 중력의 교정 후에, 상기 균형 거리보다 짧은 거리들에서는 상기 제 1 힘이 상기 제 2 힘보다 크고, 상기 균형 거리보다 긴 거리들에서는 상기 제 1 힘이 상기 제 2 힘보다 작은 대상물 로딩 방법.
  29. 제 22 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 힘 및 중력은 동일한 방향으로의 성분을 갖는 대상물 로딩 방법.
  30. 제 22 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 셰이핑 단계는 상기 대상물의 제 1 부분 상에 상기 제 1 힘을 가하는 단계, 및 상기 대상물의 제 2 부분 상에 상기 제 2 힘을 가하는 단계를 포함하며,
    상기 제 1 부분은 상기 제 2 부분이 아닌 상기 대상물의 적어도 또 다른 부분인 대상물 로딩 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 지지부 상에 상기 대상물의 제 2 부분을 클램핑하는 단계를 포함하는 대상물 로딩 방법.
  32. 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 제 2 부분은 상기 대상물의 중심부인 대상물 로딩 방법.
  33. 제 30 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부분은 상기 제 2 부분을 적어도 부분적으로 둘러싸는 대상물 로딩 방법.
  34. 제 22 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은 제 1 클램프를 이용하여 상기 기판의 제 1 영역을 클램핑하는 단계 및 제 2 클램프를 이용하여 상기 기판의 제 2 영역을 클램핑하는 단계를 포함하며,
    상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 대상물 로딩 방법.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역이 클램핑되는 순서를 선택하는 단계를 포함하는 대상물 로딩 방법.
  36. 제 34 항 내지 제 35 항에 있어서,
    상기 대상물은 상기 제 1 힘을 감소시키거나 및/또는 상기 제 2 힘을 증가시킴으로써 상기 지지부 상에 클램핑되며, 이에 의하여 상기 제 1 영역으로부터 시작되는 상기 지지부 상에 클램핑되는 상기 대상물의 표면적을 증가시키는 대상물 로딩 방법.
  37. 리소그래피 장치의 기판 지지부 상에 기판을 로딩하는 방법에 있어서,
    상기 방법은:
    상기 기판을 기판 지지부로부터 이격되게 유지하는 동안 상기 기판을 원하는 형상으로 셰이핑하는 단계 - 상기 셰이핑 단계는 상기 기판으로하여금 상기 대상물을 상기 지지부를 향하여 당기는 인력 및 상기 기판을 상기 지지부로부터 멀어지게 미는 척력을 동시에 받도록 하는 단계를 포함함 - , 및
    상기 기판 지지부 상의 상기 셰이핑된 기판의 클램핑을 완료하는 단계를 포함하는 기판 로딩 방법.
  38. 제 20 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하는 기계 실행가능 명령어들(machine executable instructions)로 코딩되는 기계 판독가능 매체.
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