KR20070110801A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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KR20070110801A
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Abstract

패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 배치된 리소그래피 장치가 개시되고, 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 기판 테이블 지지 구조체에 기판 테이블을 클램핑하도록 구성된 제 1 클램핑 시스템, 및 기판 테이블이 기판 테이블 지지 구조체에 클램핑된 이후에 기판 테이블에 기판을 클램핑하도록 구성된 제 2 클램핑 시스템을 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2a는 제 1 단계시, 방법 및 시스템의 단면도;
도 2b는 제 2 단계시, 도 2a의 방법 및 시스템을 도시하는 도면;
도 3a는 제 1 단계시, 본 발명의 일 실시예에 따른 시스템 및 방법을 도시하는 도면;
도 3b는 제 2 단계시, 도 3a의 실시예를 도시하는 도면;
도 4는 또 다른 실시예의 단면도;
도 5는 또 다른 실시예의 단면도;
도 6은 또 다른 실시예의 단면도; 및
도 7은 또 다른 실시예의 단면도이다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
공지된 장치에서, 기판은 기판 테이블 상에 유지될 수 있으며, 기판 테이블은 적절한 지지 구조체(척(chuck)) 상에 지지된다. 예를 들어, 기판 및 기판 테이블 모두는 동시에 척에 클램핑(clamp)되며, 기판 테이블은 기판들을 처리하는 동안 연속하여 척에 클램핑된다.
예를 들어, 특히 개선된 정밀성(precision)으로 매우 작은 피처(feature)들을 갖는 1 이상의 디바이스들을 만들기 위해 리소그래피 장치 및 방법을 개선하는 것이 바람직하다.
일 실시예에서, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 배치된 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 장치는 기판 상에 전사될 패턴을 제공하도록 구성된 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지체, 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 기판 테이블 지지 구조체에 기판 테이블을 클램핑하도록 구성된 제 1 클램핑 시스템(clamping system) 및 기판 테이블이 기판 테이블 지지 구조체에 클램핑된 이후에 기판 테이블에 기판을 클램핑하도록 구성된 제 2 클램핑 시스템을 포함한다.
또한, 일 실시예에서 기판 테이블에 기판을 클램핑하기 전에 지지 구조체에 기판 테이블을 클램핑하는 단계 및 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
일 실시예에서, 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 기판 테이블 지지 구조체에 기판 테이블을 클램핑하도록 구성된 제 1 클램핑 시스템; 및 기판 테이블이 기판 테이블 지지 구조체에 클램핑된 이후에 기판 테이블에 기판을 클램핑하도록 구성된 제 2 클램핑 시스템을 포함하는 기판 테이블 클램핑 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 다. 상기 장치는:
방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 다른 형태의 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결되거나 클램핑될 수 있는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블 또는 버얼 테이블(burl table))(WT); 및
기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 지지 구조체)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투 영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브 -레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서 는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2a 및 도 2b는 시스템 및 방법의 일부분을 단면도로 나타내며, 기판(W)은 중간(intermediate) 기판 테이블(WT)을 이용하여 리소그래피 장치의 척(10)(또는 거울 블록)에 클램핑되어 있다. 도 2a는 클램핑 이전의 상황을 나타낸다. 그 경우, 기판(W)은 이미 기판 테이블(WT)에 클램핑되어 있다. 도 2b는 이에 따라 형성된 기판/기판 테이블 조립체(assembly)(W,WT)가, 예를 들어 진공 클램핑(vacuum clamping)에 의해 척(10) 상에 클램핑되는 방식을 나타낸다. 일 실시예에서, 기판 테이블(WT)은 서비스 및 제조 목적을 위해 기판(W)과 척(10) 사이에서 이용된다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 척(10) 상에 기판/기판 테이블 조립체를 클램핑하기 이전에 1 이상의 오염물 입자(contaminant particle: 11)들(단지 하나만 나타냄)이 척(10) 상에 존재하는 경우에 문제가 발생할 수 있다. 오염물 입자(11)는, - 이미 그 위에 클램핑된 기판(W)과 함께 - 기판 테이블(WT)이 척(10) 상에 배치되는 경우에 기판(W) 및 기판 테이블(WT) 모두의 뒤틀림(warping)(도 2a 참조)을 야기할 수 있다. 후속하여, 척(10)에 기판 테이블(WT)을 클램핑하기 위해 척(10)을 향해 기판 테이블(WT)을 끌어당기도록(attract) (도 2b에서와 같이) 진공 클램핑력이 적용되고, 이에 따라 기판 테이블(WT)의 뒤틀림 및 플래트닝(flattening)을 상쇄(counteract)시킨다. 이는 (도 2a 및 도 2b에 비해) 이전에 뒤틀림된 기판(W)의 플래트닝을 초래한다. 기판(W)이 로딩 공정 내내 기판 테이블(WT)에 클램핑되기 때문에, 기판(W)의 '역-뒤틀림(de-warping)'으로 인해 기판(W) 내에 변형(strain)이 발생되어, 후속한 리소그래피 패터닝 단계 동안 기판 왜곡 및 이에 따른 오차 및 오버레이 불이익(penalty)을 일으킬 수 있다. 도 2b에서 화살표(Q)에 의해 기판(W) 내의 변형이 나타내어진다. 또한, 예를 들어 기판 테이블(WT)이 국부적인 비평탄(unflatness) 또는 강성(stiffness)의 변화를 갖는 경우, 오염물이 존재하지 않더라도 도 2b에 도시된 원하지 않는 영향이 일어날 수 있다. 또한, 또는 대안적으로 - 로딩 이전의 - 기판 테이블(WT)과 척(10) 사이의 열적 차이는 클램핑 이후에 척(10)에 대한 기판 테이블(WT)의 변형(deformation)을 열적으로 유도할 수 있으므로, 기판 테이블(WT)에 클램핑되는 기판(W) 내에 원하지 않는 응력(stress)을 초래한다. 또한, 또는 대안적으로 척(10)에 대한 기판(W)과 함께 기판 테이블(WT)의 로딩은 척(10) 내에 응력을 초래할 수 있으며, 이는 센서 또는 센서부 예를 들어 척(10)에 연결된 간섭계 거울이 기능함에 있어 부정적인 영향을 줄 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예의 비-제한적인 예시를 단면도로 나타낸다. 도 3a 및 도 3b의 실시예는 리소그래피 장치의 일부분일 수 있으며, 후속하 여 기판(W)을 유지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함한다. 또한, 본 실시예에서 척(10)(또는, 거울 블록)인 기판 테이블 지지 구조체에 기판 테이블(WT)을 클램핑하도록 구성되는 1 이상의 클램핑 시스템(40, 128)이 제공된다. 또한, 리소그래피 공정시 기판 테이블(WT)이 척(10)에 클램핑된 이후에 기판 테이블(WT)에 기판(W)을 클램핑하도록 구성되는 1 이상의 클램핑 시스템(40, 129)이 제공된다. 따라서, 기판 테이블(WT)은 기판 테이블(WT)에 기판(W)을 클램핑하는 것에 독립적으로 척(10)에 클램핑될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 척(10)에는 (예를 들어, 앞서 언급된 위치 센서(IF)와 조합하여(도 1 참조)) 기판(W) 상으로 패턴을 전사하기 이전에 및/또는 그 동안에 기판(W)을 정렬시키는데 사용될 (당업자에게 알려진) 1 이상의 센서 및/또는 센서 거울이 제공될 수 있다.
클램핑 시스템들(40, 128, 129)은 서로 통합될 수 있으며, 또는 단일 클램핑 시스템에 의해 제공되거나, 다른 클램핑 시스템들에 의해 제공될 수 있다. 클램핑 시스템들(40, 128, 129)은 도 3a 및 도 3b에 개략적으로 도시된다. 도 4 내지 도 7은 클램핑 시스템(들)의 더 상세하고 비-제한적인 예시들을 제공한다.
클램핑 시스템(들)에는 적절한 제어기 또는 프로세서(50)가 제공될 수 있으며, 및/또는 그에 연결될 수 있고, 이는 기판 테이블로의/기판 테이블로부터의 기판의 클램핑 및 해체(release)를 제어하도록 구성되며, 또한 제어기(50)는 척으로의/척으로부터의 기판 테이블의 독립적인 클램핑 및 해체를 제어하도록 구성된다. 당업자라면 명백히 알 수 있는 바와 같이, 제어기는 적절한 하드웨어 및/또는 소프트웨어(예를 들어, 컴퓨터, 프로세서, 마이크로전자기기(microelectronics) 및 다 른 적절한 제어 수단들)를 포함할 수 있다.
클램핑 시스템(들)은 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 클램핑 시스템(들)은 진공 클램핑에 의해 척(10)에 기판 테이블(WT)을 클램핑하도록 구성된다. 일 실시예에서, 클램핑 시스템(들)은 진공 클램핑에 의해 기판 테이블(WT)에 기판(W)을 독립적으로(즉, 척(10)으로의 기판 테이블(WT)의 클램핑에 대해 독립적으로) 클램핑하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 또는 추가적으로 정전기 클램핑 또는 전자기 클램핑, 또는 기계적 클램핑도 제공하기 위해, 예를 들어 클램핑 시스템들 중 1 이상이 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)과 상호작동하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 척에는 클램핑 시스템(들)의 전체 또는 일부분이 제공될 수 있다(도 4, 도 5 및 도 7 참조). 일 실시예에서, 기판 테이블(WT)에는 클램핑 시스템(들)의 전체 또는 일부분이 제공될 수 있다(도 4 내지 도 7 참조). 이러한 진공, 정전기, 전자기 및 기계적 클램핑 시스템들은 당업자에게 잘 알려져 있으므로, 더 상세히 설명하지는 않는다.
도 4 내지 도 7은 조립체의 비-제한적인 예시들을 나타내며, 여기서 기판 테이블(WT, WT', WT", WT"')은 버얼 테이블(burl table)이며, 이는 척(10, 10') 상에 버얼 테이블(WT, WT', WT", WT"')을, 그리고 버얼 테이블(WT, WT', WT", WT"') 상에 기판(W)을 위치시킨 이후에, 사용 중에 척(10, 10')을 향해 연장된 버얼들(31) 및 기판(W)을 향해 연장된 버얼들(32)을 갖는 테이블(30)을 포함한다. 버얼들(31, 32)은 오염물 민감도(sensitivity)의 감소를 제공할 수 있으며, 적절한 클램핑 시스템과 조합하여 진공 클램핑을 제공할 수 있다. 후자의 경우에, 예를 들어 2 개의 진공 시일(seal)들(25, 26)이 기판 테이블(WT')의 분리된 부분들에 의해 제공될 수 있다(도 4 참조). 예를 들어, 시일들(25, 26) 모두는 버얼 테이블(WT')의 경계(perimeter) 또는 외부 에지(outer edge)를 따라 연장될 수 있다. 시일들(25, 26)은 제 1 진공 공간 및 제 2 진공 공간을 밀폐(seal)하기 위해 높은 흐름 제한(restriction)을 제공하도록 구성될 수 있으며, 이 공간들은 각각 기판 테이블과 척, 및 기판 테이블과 기판 사이에 있다.
일 예시로서, 클램핑 시스템에는 단순히 1 이상의 적절한 진공 펌프들(40)에 연결된 적절한 진공 라인들(28, 29)이 제공될 수 있다. 제어기(50)는 원하는 작동 시간에 진공 라인들(28, 29) 내의 원하는 진공 클램핑 압력들을 독립적으로 설정(set)할 수 있다. 도 4의 실시예에서, 원하는 작동 주기 동안 척(10)에 기판 테이블(WT')을 클램핑하기 위해, 기판 테이블(WT')과 척(10) 사이의 제 1 영역에 클램핑 진공을 적용하도록 제 1 진공 라인(28)이 제공된다. 또한, 클램핑 시스템에는 예를 들어 기판 테이블(WT')에 기판(W)을 클램핑하기 위해, 기판 테이블(WT')과 기판(W) 사이의 제 2 영역에 진공을 제공하도록 제어기(50)에 의해 제 1 진공 라인(28)에 대해 독립적으로 제어가능한 제 2 진공 라인(29)이 제공될 수 있다. 기판 테이블(WT)의 진공 시일들(25, 26)은 (기판 테이블(WT')의 경계를 따라) 제 1 및 제 2 영역들의 적절한 밀폐를 제공한다.
당업자라면 명백히 알 수 있는 바와 같이, 앞서 언급된 진공 시일들 및 진공 라인들은 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 또한, 예를 들어 기판 테이블(WT') 및 척(10)은, 원하는 클램핑을 제공하기 위해 원하는 작동 주기에 제 1 및 제 2 영역 들에 각각의 진공 클램핑 압력들을 적용하도록 척(10)을 통해 연장되는 적절한 진공 어플리케이터(applicator) 및/또는 라인들(28, 29) 상으로 기판 테이블(WT')이 도킹(dock)할 수 있도록 디자인될 수 있다. 제 2 진공 라인(29)을 통해 수용된 - 각각의 진공 클램핑 압력이 제 2 영역에 적용될 수 있도록 사용 중에 제 2 영역에 제 2 진공 라인(29)을 커플링(couple)하기 위해(도 4 참조), 척(10)과 기판 테이블(WT')의 테이블 부분(30) 사이의 갭을 메우도록(bridge) 시일(60)이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 시일(60)은 척(10) 상의 제 2 진공 라인(29)의 유출구가 기판 테이블(WT) 상의 제 2 진공 라인(29)의 유입구와 정렬할 필요가 없도록 가늘고 길(elongate) 수 있다. 일 실시예에서, 척(10) 상의 제 2 진공 라인(들)(29)의 유출구들 및 기판 테이블(WT) 상의 제 2 진공 라인(들)(29)의 유입구들의 여하한의 조합이 제공되고 시일(60)에 의해 밀폐될 수 있다.
도 5에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 일 실시예에서 각각의 진공들은 척(10')의 측벽(side wall)을 통해, 예를 들어 기판 테이블(WT)과 척(10') 사이에서 연장된 하부 버얼 영역에 진공을 적용하는 제 1 채널 및/또는 홈(groove) 55, 및 기판 테이블(WT)과 기판(W) 사이에서 연장된 상부 버얼 영역에 (제 1 채널 및/또는 홈으로부터 독립적으로) 제 2 진공을 적용하는 제 2 채널 및/또는 홈 56을 통해 제공될 수도 있다. 예를 들어, 척 측벽은 척 내의 후퇴부(recess 19)의 내부 벽일 수 있으며, 후퇴부(19)는 기판 테이블(WT)뿐만 아니라, 기판(W)의 경계의 전체 또는 일부분을 수용하고 둘러싸도록 구성된다(도 5 참조).
도 6은 또 다른 실시예를 나타내며, 이는 도 4에 나타낸 실시예와는 달리 각 각의 제 1 및 제 2 영역들을 향해 기판 테이블(WT")의 테이블 부분(30)을 통해 바로 연장되고 척(10)을 통하지 않는다. 도 7은 2 개의 진공 어플리케이터 또는 펌프(40)를 포함하는 또 다른 실시예를 나타내며, 이는 제어기(50)에 의해 제어될 수 있다. 도 7의 실시예에서, 제 1 진공 라인(28)은 (기판 테이블(WT"')과 척(10) 사이의) 제 1 영역에 클램핑 진공을 적용하기 위해 척(10)을 통해 연장되고, 제 2 진공 라인은 (기판 테이블(WT"')과 기판(W) 사이의) 제 2 영역에 클램핑 진공을 독립적으로 적용하기 위해 기판 테이블(WT"')을 통해 바로 연장된다.
또 다른 실시예에서, 기판 테이블(WT, WT', WT", WT"') 및 기판 테이블 지지 구조체(10, 10')는 상이한 열 팽창 계수들을 갖는다. 유리하게는, 기판 테이블(WT, WT', WT", WT"')이 실질적으로 1 이상의 낮은 열 팽창 재료들로 구성될 수 있으며, 이는 개선된 리소그래피 성능을 제공한다. 예를 들어, 기판 테이블은 실질적으로 다음 재료들: SiSiC, SiC, Zerodur, 코디에라이트(cordierite), Al2O3, AlN, Si3N4 중 1 이상으로 구성될 수 있다. 또한, 기판 테이블에는 1 이상의 코팅(coating)이 제공될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 클램핑 시스템 또는 시스템들은 기판 테이블이 기판(W)을 지지하지 않는 경우에 각각의 척(10, 10')으로부터 기판 테이블(WT, WT', WT", WT"')을 해체하도록 구성된다. 따라서, 클램핑에 관한 척(10, 10') 및/또는 기판 테이블(WT, WT', WT", WT"') 내의 응력이 해체될 수 있다. 또한, 예를 들어 해체 이후에 기판 테이블(WT, WT', WT", WT"')은, 예를 들어 유지 및/또는 클리닝 목적 을 위해 척(10, 10')으로부터 멀리 이동될 수 있다.
도 3 내지 도 7에 나타낸 실시예들의 사용 중에, 디바이스 제조 방법이 제공될 수 있으며, 상기 방법은 기판 테이블(WT)에 기판(W)을 클램핑하기 이전에 척(10)에 기판 테이블(WT)을 클램핑하는 단계를 포함한다(도 3a 및 도 3b 참조). 따라서, 척(10)에 기판 테이블(WT)을 클램핑하는 동안에 기판(W)은 기판 테이블(WT) 상에 클램핑되지 않는다. 예를 들어, 클램핑 순서(order)는 앞서 언급된 제어기(50)에 의해 제어될 수 있다. 도 3a는 기판 테이블(WT)이 척(10) 상의 적절한 위치 상에 위치된 경우 (예를 들어, 진공 클램핑에 의해) 척(10)에 기판 테이블(WT)을 클램핑하는 제 1 단계를 나타내고, 도 3b는 기판 테이블(WT)에 기판(W)을 클램핑하는 후속 단계를 나타낸다. 이러한 방식으로, 기판(W)으로의 (패터닝 디바이스(도 1 참조)로부터의) 패턴의 후속한 전사가 개선된 정밀성으로 수행될 수 있도록 기판(W) 내의 입자 및/또는 열적으로 유도된 응력이 회피될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블(WT) 상에 기판(W)이 로딩되기 이전에 기판 테이블(WT)은 실질적으로 척(10)과 열적 균형(thermal equilibrium)을 이룬다. 따라서, 열적으로 유도된 응력으로 인한 리소그래피 오차가 회피될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 장치는 패터닝 디바이스로부터 기판(W) 상으로 패턴을 전사한 이후에 기판(W)을 다음 기판(W)과 자동으로 교체(change)하도록 구성되고, 기판들 중 1 이상을 교체하는 단계의 전체 또는 일부 동안, 기판 테이블 지지 구조체(예를 들어, 척(10))로부터 기판 테이블(WT)을 해체하도록 구성된다. 예를 들어, 제어기(50)는 이러한 해체를 제공하도록 구성된다. 기판 테이블 지지 구조체로부터 의 기판 테이블(WT)의 해체는, 예를 들어 기판 테이블이 처리할 다음 기판(W)을 수용하기 바로 전에, 또는 또 다른 적절한 작동 시간에, 해체 뒤에 후속하여 다시 기판 테이블 지지 구조체에 기판 테이블(WT)을 클램핑하도록 일시적일 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블(WT)은 상기 장치에서 패턴이 기판 상에 전사되지 않은 시간 주기의 전체 또는 일부분 동안, 리소그래피 장치의 (각각의 클램핑을 취소(undo)함으로써) 척(10)으로부터 해체될 수 있다. 예를 들어, 기판 테이블(WT)은 (패터닝될 다음 기판의 공급을 위해 기판이 제거되는 시간 주기 동안과 같이) 기판 상으로의 패턴의 전사를 위해 기판 테이블(WT)이 기판(W)을 유지하는데 사용되지 않는 시간 주기 동안, 척(10)으로부터 해체될 수 있다. 기판 테이블(WT)은 다음 기판으로 각 기판을 교환하는 동안, 또는 후속한 또는 복수의 기판들을 처리시 기판들 중 단지 하나 또는 몇몇을 교환하는 동안 척(10)으로부터 일시적으로 해체될 수 있다.
척(10)으로부터의 기판 테이블(WT)의 일시적인 해체는, 기판 테이블(WT)이 기판을 유지하도록 리소그래피 공정에서 사용되어야 할 때까지, 예를 들어 소정의 휴지 시간 동안 또는 기판 교환시 기판 테이블(WT)이 척(10)에 대해 자유로운(loose) 상태를 유지할 수 있다는 장점을 제공한다. 이러한 방식으로, 기판 테이블(WT)과 척(10) 사이의 원하지 않는 응력이 완화될 수 있다.
추가 또는 대안적인 장점은, 척(10)으로의 기판(W) 및 기판 테이블(WT)의 클램핑에 관한 척(10) 내의 응력이 회피될 수 있다는 것이다. 그러므로, 예를 들어 (앞서 언급된 간섭계 센서(IF)의 거울과 같은) 척 상에 장착된 구성요소를 포함하 는 측정 시스템 및/또는 센서가 개선된 정확성으로 작동할 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 기본 개념은, 특히 복수의 기판들을 후속하여 처리하는 경우에 기판 테이블 및 기판들 중 1 이상을 (시간에 맞추어) 순차적으로 클램핑하는 것이다. 따라서, 제어기는 먼저 (척에) 기판 테이블을 클램핑하고, 다음에 (기판 테이블에) 기판을 클램핑하는 스위칭 메카니즘(switching mechanism)을 제공할 수 있다. 이 통찰은, 특히 기판 테이블 및 척이 상이한 재료들로 구성되거나 (전반적인) 상이한 열 팽창 계수들을 갖는 경우에 오버레이 정밀성을 상당히 개선할 수 있다. 앞선 내용에 따르면, 기판 테이블(WT)은 반-연속적으로(semi-continuously) 척에 클램핑될 수 있다. 예를 들어, 척에 그 기판 테이블(WT)을 클램핑하는 클램핑 시퀀스가 완료된 직후에, 각각의 기판(W)이 기판 테이블(WT)에 클램핑될 수 있다. 척으로의 기판 테이블의 클램핑과 기판 테이블로의 기판의 클램핑 사이에 소정의 적은 시간 주기들, 예를 들어 1 초, 또는 1 이상의 초의 일부(fraction)들의 시간 주기들 또는 다른 시간 주기들이 제공될 수 있다.
또한, 예를 들어 앞선 내용에 따르면, 기판 테이블은 일시적으로 해체되고, 후속하여 각각의 기판(W)을 다음 기판으로 교환하는 전체 또는 일부분 동안이지만, 또한 또는 대안적으로, 복수의 기판들의 후속한 처리에서 예를 들어 기판들의 모든 소정 양(amount), 예를 들어 기판들의 일 뱃치(batch) 이후, 또는 소정 시간 주기 이후 등에도 다시 클램핑될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 테이블(WT)은 단지 클램핑력을 제거하기보다는 포지티브 해체력(positive release force)에 의해 척(10)으로부터 해체된다. 예를 들어, 기판 테이블(WT)이 진공 클램핑 메카니즘에 의해 척(10)에 클램핑되었다면, 단지 진공이 대기로 향하게(go) 하기보다는 과압력이 적용되어, 클램핑 메카니즘 외부로 가스 흐름을 유도할 수 있다. 포지티브 해체력 구성을 이용하여, 기판 테이블(WT)이 척(10)으로부터 약간 리프트(lift)된다. 이러한 구성의 장점은, 기판 테이블(WT)과 척(10) 사이의 응력들의 해체에 있어서 개선이 가능하다는 것이며, 이는 더 두껍거나 더 무거운 기판 테이블 및/또는 척과의 높은 마찰력(예를 들어, 액체로부터의 끈적거림(sticking))을 갖는 기판 테이블에 대해 유리할 수 있다. 또한, 이러한 포지티브 해체력 구성은 기판 테이블(WT)로부터 기판(W)을 해체하기 위해 채택될 수도 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급될 수 있지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하 기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였을 수 있지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm의, 또는 그 부근의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같 은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 또는 앞서 언급된 소프트웨어, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
본 발명에 따르면, 개선된 정밀성을 위해 기판과 기판 테이블 및 기판 테이블과 지지 구조체를 클램핑하는 클램핑 시스템을 포함한 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법이 제공된다.

Claims (27)

  1. 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 전사하도록 배치된 리소그래피 장치에 있어서:
    상기 기판 상에 전사될 패턴을 제공하도록 구성된 상기 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지체;
    상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    기판 테이블 지지 구조체에 상기 기판 테이블을 클램핑(clamp)하도록 구성된 제 1 클램핑 시스템(clamping system); 및
    상기 기판 테이블이 상기 기판 테이블 지지 구조체에 클램핑된 이후에 상기 기판 테이블에 상기 기판을 클램핑하도록 구성된 제 2 클램핑 시스템을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스로부터 상기 기판 상으로 상기 패턴을 전사한 이후에 상기 기판을 다음 기판으로 자동으로 교체(change)하도록 구성되고, 상기 기판들 중 1 이상의 교체시 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 해체(release)하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 테이블 지지 구조체에는 상기 제 1 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분 및 상기 제 2 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분이 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 테이블에는 상기 제 1 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분 및 상기 제 2 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분이 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 클램핑 시스템들은 진공 클램핑을 제공하기 위해 진공을 발생시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 테이블 및 상기 기판 테이블 지지 구조체는 상이한 열 팽창 계수들을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 상기 기판 테이블이 상기 기판을 지지하지 않는 경우에 상기 기판 테이블 지지 구조체로 부터 상기 기판 테이블을 해체하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 상기 기판 상으로 패턴이 전사되고 있지 않은 시간 주기의 전체 또는 일부분 동안, 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 해체하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 기판들의 모든 소정 양(amount) 또는 뱃치(batch)에 대해 패터닝 디바이스로부터의 패턴의 전사 이후에, 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 일시적으로 해체하고, 다시 상기 기판 테이블 지지 구조체에 상기 기판 테이블을 클램핑하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 일시적으로 해체하고, 소정 시간 주기 이후에 다시 상기 기판 테이블 지지 구조체에 상기 기판 테이블을 클램핑 하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 상기 기판 테이블과 접촉하고 있는 상기 기판과 함께 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 해체하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 포지티브 해체력(positive release force)을 이용하여 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 해체하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 디바이스 제조 방법에 있어서:
    기판 테이블에 기판을 클램핑하기 전에 지지 구조체에 상기 기판 테이블을 클램핑하는 단계; 및
    패터닝 디바이스로부터 상기 기판 상으로 패턴을 전사하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 상기 기판 테이블 상에 상기 기판을 로딩하기 이전에 상 기 지지 구조체와 열적 균형(thermal equilibrium)을 이루는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 상기 기판 상에 패턴이 전사되고 있지 않은 시간 주기의 전체 또는 일부분 동안 상기 지지 구조체로부터 해체되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    복수의 기판들의 후속한 처리를 포함하여 이루어지고, 상기 처리는 상기 복수의 기판들의 각 기판에 패턴을 전사하는 단계를 수반하며, 상기 처리시 한 번 이상 상기 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 일시적으로 해체하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 상기 기판을 다음 기판으로 교체하는 경우에 상기 지지 구조체로부터 일시적으로 해체되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 버얼 테이블(burl table)이고, 상기 기판 테이블과 지지 구조체 사이의 클램핑은 진공 클램핑에 의해 영향을 받으며, 상기 기판 테이블과 기판 사이의 클램핑은 진공 클램핑에 의해 영향을 받는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 기판들의 모든 소정 양 또는 뱃치에 대해 패터닝 디바이스로부터의 패턴의 전사 이후에, 상기 지지 구조체로부터 일시적으로 해체되고, 상기 지지 구조체에 다시 클램핑되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 상기 지지 구조체로부터 일시적으로 해체되고, 소정 시간 주기 이후에 다시 상기 지지 구조체에 클램핑되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 상기 기판 상에 패턴을 전사하는 동안 상기 기판을 유지하는데 상기 기판 테이블이 사용되지 않는 시간 주기의 전체 또는 일부분 동안 상기 지지 구조체로부터 해체되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  22. 기판 테이블 클램핑 장치에 있어서:
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    기판 테이블 지지 구조체에 상기 기판 테이블을 클램핑하도록 구성된 제 1 클램핑 시스템; 및
    상기 기판 테이블이 상기 기판 테이블 지지 구조체에 클램핑된 이후에 상기 기판 테이블에 상기 기판을 클램핑하도록 구성된 제 2 클램핑 시스템을 포함하여 이루어지는 기판 테이블 클램핑 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 상기 기판 테이블이 상기 기판을 지지하지 않는 경우에 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 해체하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 테이블 클램핑 장치.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 기판 테이블 지지 구조체에는 상기 제 1 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분 및 상기 제 2 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 테이블 클램핑 장치.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 기판 테이블에는 상기 제 1 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분 및 상기 제 2 클램핑 시스템의 전체 또는 일부분이 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 테이블 클램핑 장치.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 상기 기판 테이블과 접촉하고 있는 상기 기판과 함께 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 해체하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 테이블 클램핑 장치.
  27. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 1 클램핑 시스템, 상기 제 2 클램핑 시스템 또는 둘 모두는, 포지티브 해체력을 이용하여 상기 기판 테이블 지지 구조체로부터 상기 기판 테이블을 해체하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 테이블 클램핑 장치.
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