CN101082779A - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种光刻设备，它设置成将图案从图案形成装置转移到衬底上，该设备包括：衬底台，它构建成固定衬底；第一夹紧系统，配置成将衬底台夹到衬底台支撑结构上；以及第二夹紧系统，配置成在衬底台已被夹到衬底台支撑结构上之后将衬底夹到衬底台上。

Description

光刻设备和器件制造方法

技术领域

本发明涉及光刻设备以及用于制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是将所需图案加到衬底上通常是加到衬底的目标部分上的一种机器。光刻设备可例如用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置，备选称为掩模或分划板，可用来产生要在IC各层上形成的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)的目标部分(例如包括一个或数个小片的部分)。图案的转移通常是通过成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般来说，单个衬底会含有依次形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中对每个目标部分的照射是一次性将整个图案曝光到目标部分上，以及所谓的扫描器，其中对每个目标部分的照射是通过辐射束在给定方向(“扫描”方向)上扫描图案，同时在平行于或反平行于该方向上同步扫描衬底。也可以通过将图案印刷到衬底上而将图案从图案形成装置转移到衬底上。

在已知的设备中，可以在衬底台上固定衬底，衬底台则被支撑在适当的支撑结构(如卡盘)上。例如，衬底和衬底台都同时被夹在卡盘上，且在衬底处理期间，衬底台连续被夹在卡盘上。

发明内容

需要例如改进光刻设备和方法，特别是为了以改进的精度制造具有非常小特征的一个或多个器件。

在一个实施例中，提供了一种光刻设备，其设置成将图案从图案形成装置转移到衬底上，其中该设备包括：支座，它配置成固定图案形成装置，该图案形成装置配置成提供要转移到衬底上的图案；衬底台，构建成固定衬底；第一夹紧系统，配置成将衬底台夹到衬底台支撑结构上；以及第二夹紧系统，配置成在衬底台已被夹到衬底台支撑结构上之后将衬底夹到衬底台上。

而且，在一个实施例中，提供了一种器件制造方法，其包括将衬底台夹到支撑结构上，之后将衬底夹到衬底台上，并将图案从图案形成装置转移到衬底上。

在一个实施例中，提供了一种衬底台夹紧设备，其包括：衬底台，构建成固定衬底；第一夹紧系统，配置成将衬底台夹到衬底台支撑结构上；以及第二夹紧系统，配置成在衬底台已被夹到衬底台支撑结构上之后，将衬底夹到衬底台上。

附图说明

现仅用举例的方式，参阅所附示意图对本发明的实施例加以说明，附图中对应的参考符号表示对应的部件，附图包括：

图1示出按照本发明实施例的光刻设备；

图2A示出在第一步期间的方法和系统截面图；

图2B示出在第二步期间的图2的方法和系统；

图3A示出在第一步期间的按照本发明实施例的系统和方法；

图3B示出在第二步期间的图3A的实施例；

图4以截面图示出又一实施例；

图5以截面图示出另一实施例；

图6以截面图示出另一实施例；以及

图7以截面图示出另一实施例。

具体实施方式

图1示出按照本发明一个实施例的光刻设备示意图。设备包括：照明系统(照明器)IL，它配置成调节辐射束B(例如UV辐射或其它类型辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，它构建成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并连接到第一定位器PM，第一定位器PM配置成按照某些参数准确定位图案形成装置；

衬底台(例如晶片台或粒结(burl)台)WT，它构建成固定衬底(例如抗蚀剂涂敷的晶片)W，其中衬底台WT可以连接到或夹到第二定位器PW上，第二定位器PW配置成按照某些参数准确定位衬底；以及

投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，它配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个小片)上。

照明系统可包括各种类型的光学元件，例如折射、反射、磁、电磁、静电或其它类型的光学元件，或它们的任何组合，用于引导、成形或控制辐射。

支撑结构固定图案形成装置，其方式取决于图案形成装置的定向、光刻设备的设计以及其它条件，例如图案形成装置是否保持在真空环境中。支撑结构可使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来固定图案形成装置。支撑结构可以是例如框架或台面，根据需要可以是固定不动的或可移动的。支撑结构可确保图案形成装置处于例如相对于投影系统的所需位置。在本文中任何使用的术语“分划板”或“掩模”可认为和更通用的术语“图案形成装置”同义。

在本文中使用的术语“图案形成装置”应广义解释为，是指可用来将图案赋予辐射束的截面上以在衬底的目标部分创建图案的任何装置。应指出，赋予辐射束的图案可能并不准确对应于衬底目标部分中的所需图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征的话。一般来说，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中例如集成电路中正被创建的器件中的特定功能层。

图案形成装置可以是透射的或反射的。图案形成装置的实例包括掩模、可编程镜面阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻中已众所周知，它包括诸如二进制、交替相移和衰减相移等掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程镜面阵列的实例采用小镜面的矩阵布置，每个小镜面可各自倾斜，以便向不同方向反射入射的辐射束。倾斜镜面在由镜面矩阵反射的辐射束中赋予一个图案。

在本文中使用的术语“投影系统”应广义解释为包括任何类型的投影系统，包括折射、反射、兼反射折射、磁、电磁和静电光学系统，或它们的任何组合，它们适合于所使用的曝光辐射、或适合于其它因素，例如使用浸渍液体或使用真空。在本文中使用的术语“投影透镜”可认为与更通用的术语“投影系统”同义。

如本文所示，设备是透射型(例如采用透射掩模)。备选的是，设备可以是反射型(例如采用如以上所述类型的可编程镜面阵列，或采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双级)或更多个衬底台(和/或两个或更多个支撑结构)的类型。在这种“多级”机器中，附加台可并行使用，或是准备步骤可以在一个或多个台上进行，而一个或多个其它台用于曝光。

光刻设备可以是如下类型：其中至少一部分衬底可被折射指数相对高的液体如水所覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸渍液体也可施加于光刻设备中的其它空间，例如掩模和投影系统之间。浸渍技术在所属领域已众所周知是用于增加投影系统的数值孔径。在本文中使用的术语“浸渍”并不是指一个结构例如衬底必须浸没在液体中，而只是仅指在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。

参阅图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻设备可以是分离的实体，例如当源是准分子激光器时。在这种情况下，不认为源形成为光刻设备的一部分，且辐射束从源SO传送到照明器IL是借助于射束递送系统BD，它包括例如适当的引导镜面和/或射束扩展器。在其它情况下，源可以是光刻设备的一个整体部分，例如当源是汞灯时。源SO和照明器IL，需要时还和射束递送系统BD一起可称为辐射系统。

照明器IL可包括调节器AD，用于调节辐射束的角强度分布。一般来说，照明器光瞳平面中的强度分布的至少外和/或内径向伸长(通常分别称为σ-外和σ-内)可以进行调节。此外，照明器IL可包括各种其它元件，例如积分器IN和聚光器CO。照明器IL可用来调节辐射束，使得在其截面上具有所需的均匀度和强度分布。

辐射束B入射到固定在支撑结构(例如掩模台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并由图案形成装置形成图案。横穿过图案形成装置MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，它将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以准确移动，以便例如将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径内。同样，第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)可用来例如在从掩模库中机械检索之后，或在扫描期间，相对于辐射束B的路径准确定位图案形成装置MA。一般来说，支撑结构MT的移动可以借助于长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)来实现，它们形成第一定位器PM的一部分。同样，衬底台WT的移动可以使用长冲程模块和短冲程模块来实现，它们形成第二定位器PW的一部分。在步进器(和扫描器相反)的情况下，支撑结构MT可以仅连接到短冲程致动器，或可以是固定的。使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2可以使图案形成装置MA和衬底W对准。虽然图示的衬底对准标记占据了专用的目标部分，但它们可位于目标部分之间的空间中(这些称为划线道对准标记)。同样，在图案形成装置MA上提供有多于一个小片的情况下，图案形成装置对准标记可位于小片之间。

图示设备可用在至少一种以下模式中：

1.在步进模式，支撑结构MT和衬底台WT保持基本上静止不动，而赋予辐射束的整个图案被一次性投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。衬底台WT然后向X和/或Y方向移位，以使不同的目标部分C能被曝光。在步进模式，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式，支撑结构MT和衬底台WT被同步扫描，同时赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上(即单次动态曝光)。衬底台WT相对支撑结构MT的速度和方向可由投影系统PS的(缩小)放大和图像反转特征来确定。在扫描模式，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描移动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。

在另一模式，支撑结构MT保持基本上静止不动，固定可编程图案形成装置，而衬底台WT被移动或扫描，同时赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上。在这种模式，一般采用脉冲式辐射源，且在衬底台WT的每次移动后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式能很容易地应用于利用可编程图案形成装置如以上所述类型的可编程镜面阵列的无掩模光刻。

也可采用上述使用模式的组合和/或变型或者完全不同的使用模式。

图2A和2B示出一部分系统和方法的截面图，其中利用中间衬底台WT将衬底W夹到光刻设备的卡盘10(或镜面块)上。图2A示出夹紧前的情况。在这种情况下，衬底W已经被夹到衬底台WT上。图2B示出这样形成的衬底/衬底台组装件W、WT如何例如通过真空夹紧而被夹到卡盘10上。在一个实施例中，衬底台WT被用在衬底W和卡盘10之间，供维修和制造目的之用。

如图2A和2B所示，在将衬底/衬底台组装件夹到卡盘10上之前，当卡盘10上存在有一个或多个污染物颗粒11(仅示出一个)时，就会发生问题。当将衬底台WT-衬底W已夹在其上一放到卡盘10上时，污染物颗粒11可引起衬底W和衬底台WT二者的翘曲(见图2A)。随后，施加真空夹紧力(如图2B)，将衬底台WT吸引向卡盘10，以将衬底台WT夹到卡盘10上，从而抵销了翘曲并使衬底台WT变平。这就导致以前翘曲的衬底W变平(比较图2A和2B)。由于在整个装载过程中衬底W是夹在衬底台WT上，因此由于衬底W的“去翘曲”而在衬底W中产生应变，引起衬底畸变，并因此在随后的光刻图案形成步骤期间引起误差和重叠损失。衬底W中的应变在图2B中由箭头Q表示。图2B中所示的不希望有的效应在没有污染时也会发生，例如，如果衬底台WT有局部不平或刚性有变的话。而且或备选的是，卡盘10和衬底台WT之间的热差异一在装载之前一在夹紧后可以热引发衬底台WT相对于卡盘10的变形，并因此导致夹在衬底台WT上的衬底W中的不希望有的应力。而且或备选的是，将具有衬底W的衬底台WT加载到卡盘10上会导致卡盘10中的应力，这可能对传感器或传感器部分，例如连接到卡盘10的干涉仪镜面，会负面影响其功能。

图3A和3B以截面图示出本发明实施例的非限制性实例。图3A和3B的实施例可以是光刻设备的一部分，并包括衬底台WT，它构建成随后固定衬底W。而且，还提供了至少一个夹紧系统40、128，它配置成将衬底台WT夹到衬底台支撑结构，在本实施例中是卡盘10(或镜面块)。还提供了至少一个夹紧系统40、129，它配置成在衬底台WT已被夹到卡盘10上之后，在光刻过程期间将衬底W夹到衬底台WT上。因此，衬底台WT可被夹到卡盘10上，与将衬底W夹到衬底台WT上无关。在又一实施例中，卡盘10上可提供有一个或多个传感器和/或传感器镜面，如技术人员已知的，用于在将图案转移到衬底W之前和/或期间对准衬底W(例如与上述位置传感器IF相结合，见图1)。

夹紧系统40、128、129可以相互集成，或由单个夹紧系统提供，或由不同的夹紧系统提供。夹紧系统40、128、129在图3A和3B中示意性示出。图4-7提供了夹紧系统更详细的非限制性实例。

夹紧系统可提供有和/或连接到适当的控制器或处理器50，其配置成控制衬底夹紧到衬底台/从衬底台释放，控制器50还配置成控制衬底台独立夹紧到卡盘/从卡盘释放。控制器可包括适当的硬件和/或软件(例如计算机、处理器、微电子器件和其它适当的控制部件)，这些对所属领域技术人员是很清楚的。

夹紧系统可用各种方式配置。在一个实施例中，夹紧系统配置成通过真空夹紧将衬底台WT夹到卡盘10上。在一个实施例中，夹紧系统可配置成通过真空夹紧将衬底W独立夹到衬底台WT上(即与相对于将衬底台WT夹到卡盘10上无关)。备选或附加的是，例如一个或多个夹紧系统可配置成与衬底W和/或衬底台WT配合以提供静电夹紧，或电磁夹紧，或甚至机械夹紧。在一个实施例中，卡盘上可提供有至少部分夹紧系统(见图4、5和7)。在一个实施例中，衬底台WT上可提供有至少部分夹紧系统(见图4-7)。真空、静电、电磁和机械夹紧系统对所属领域技术人员是已知的，因此不再赘述。

图4-7示出组装件的非限制性实例，其中衬底台WT、WT’、WT”、WT是粒结台，它包括台30，在将粒结台WT、WT’、WT”、WT定位到卡盘10、10’上以及将衬底W定位到粒结台WT、WT’、WT”、WT上之后，台30具有在使用期间伸向卡盘10、10’的粒结31，以及伸向衬底W的粒结32。和适当的夹紧系统相结合，粒结31、32可提供降低污染敏感度，并能提供真空夹紧。在后者情况下，例如，两个真空密封件25、26可由衬底台WT’的分离部件提供(见图4)。例如，两个密封件25、26可沿粒结台WT’的周边或外缘延伸。密封件25、26可配置成提供高流动性限制，以密封第一真空空间和第二真空空间，这两个空间分别在衬底台和卡盘以及衬底台和衬底之间。

举例来说，夹紧系统可只提供有适当的真空管线28、29，它们连接到一个或多个适当真空泵40。控制器50可在所需操作时间独立设定真空管线28、29中的所需真空夹紧压力。在图4的实施例中，第一真空管线28提供来对第一区域即衬底台WT’和卡盘10之间施加夹紧真空，以在所需操作时段期间将衬底台WT’夹到卡盘10上。同样，夹紧系统可提供有第二真空管线29，例如可由控制器50相对于第一真空管线28独立控制，以对第二区域即台WT’和衬底W之间提供真空，以将衬底W夹到衬底台WT’上。衬底台WT的真空密封件25、26提供第一和第二区域的适当密封(沿衬底台WT’的周边)。

上述真空密封件和真空管线可以用各种方式配置，这所属领域技术人员都很清楚。而且，例如衬底台WT’和卡盘10可以这样设计：衬底台WT’可对接在延伸过卡盘10的适当真空施加器和/或管线28、29上，以在所需的操作时段将相应的真空夹紧压力加到第一和第二区域，以提供所需的夹紧。可提供密封件60来桥接卡盘10和衬底台WT’的台部分30之间的间隙，以在使用期间将第二真空管线29连接到第二区域(见图4)，以使相应的真空夹紧压力-经由第二真空管线29接收的-就可加到第二区域。在一个实施例中，密封件60可以加长，以使在卡盘10上第二真空管线29的出口不必与衬底台WT上第二真空管线29的入口对准。在一个实施例中，可以提供卡盘10上第二真空管线29的出口和衬底台WT上第二真空管线29的入口的任何组合，并由密封件60密封。

如图5示意性所示，在一个实施例中，相应的真空也可经由卡盘10’的侧壁提供，例如经由第一通路和/或槽55对延伸在衬底台WT和卡盘10’之间的下粒结区域加真空，并经由第二通路和/或槽56对延伸在衬底台WT和衬底W之间的上粒结区域加第二真空(与第一通路和/或槽无关)。例如，卡盘侧壁可以是卡盘中凹口19的内壁，凹口19配置成容纳和围绕衬底台WT以及至少部分衬底W的周边(见图5)。

图6示出另一实施例，它与图4所示实施例的区别在于：真空管线28’、29’直接通过衬底台WT”的台部分30向相应的第一和第二区域延伸，而不通过卡盘10。图7示出另一实施例，包括两个真空施加器或真空泵40，它们可由控制器50控制。在图7的实施例中，第一真空管线28延伸过卡盘10，以对第一区域(衬底台WT和卡盘10之间)施加夹紧真空，且第二真空管线直接延伸过衬底台WT，以对第二区域(衬底台WT和衬底W之间)独立施加夹紧真空。

在又一实施例中，衬底台WT、WT’、WT”、WT以及衬底台支撑结构10、10’具有不同的热膨胀系数。有利的是，衬底台WT、WT’、WT”、WT可基本上由一种或多种低热膨胀材料制成，它们提供改进的光刻性能。例如，衬底台可基本上由一种或多种以下材料制成：SiSiC、SiC、微晶玻璃、堇青石、Al₂O₃、AIN、Si₃N₄。而且，衬底台上可提供有一个或多个涂层。

在又一实施例中，夹紧系统配置成当衬底台不支撑衬底W时，使衬底台WT、WT’、WT”、WT从相应的卡盘10、10’中释放。因此，卡盘10、10’和/或衬底台WT、WT’、WT”、WT中的应力可被释放，该应力与夹紧有关。而且，例如，在释放后，衬底台WT、WT’、WT”、WT可从卡盘10、10’上移开，例如为了维护和/或清洁的目的。

在使用图3-7所示的实施例期间，可提供一种器件制造方法，该方法包括：在将衬底W夹到衬底台WT上之前将衬底台WT夹到卡盘10上(见图3A和3B)。因此，在将衬底台WT夹到卡盘10上期间，没有衬底W被夹到衬底台WT上。例如，夹紧顺序可由上述控制器50来控制。图3A示出第一步：当衬底台WT已定位到卡盘10上的适当位置时，将衬底台WT夹到卡盘10上(例如通过真空夹紧)，图3B示出随后的步骤：将衬底W夹到衬底台WT上。这样，就可避免颗粒和/或衬底W中热引发的应力，以使随后将图案(从图案形成装置，见图1)转移到衬底W上就能以改进的精度执行。

在一个实施例中，在将衬底W装载到衬底台WT上之前，使衬底台WT基本上进入与卡盘10的热平衡状态。这样，由于热引发的应力引起的光刻误差就可避免。

在一个实施例中，设备配置成在已将图案从图案形成装置转移到衬底W上之后，自动用下一衬底W来更换衬底W，并且配置成在更换至少一个衬底的至少部分步骤期间，使衬底台WT从衬底台支撑结构(例如卡盘10)中释放。例如，控制器50可配置成提供这种释放。衬底台WT从衬底台支撑结构中的释放可以是暂时的，以便在释放之后再将衬底台WT夹到衬底台支撑结构上，例如就在衬底台WT接纳下一个要处理的衬底W之前，或在另一适当的操作时间。

在一个实施例中，在设备中没有图案被转移到衬底上的至少部分时段期间，衬底台WT可以从光刻设备的卡盘10中释放(通过松开相应的夹紧)。例如，在衬底台WT不用于固定衬底W以将图案转移到衬底上时的时段期间(例如在一个衬底被拆除以便提供下一要形成图案的衬底时的时段期间)，衬底台WT可从卡盘10中释放。在用下一衬底更换每个衬底的期间，或在处理一序列或多个衬底期间仅更换一个或一些衬底期间，衬底台WT可暂时从卡盘10中释放。

衬底台WT从卡盘10中的暂时释放提供了一个优点：例如在某个空闲时间期间或在衬底更换期间，衬底台WT可相对于卡盘10保持松动，直到衬底台WT要在光刻过程中用于固定衬底W为止。这样，在衬底台WT和卡盘10之间的不希望有的应力就可被释放。

一个附加或备选的优点是：可以避免卡盘10中的应力，它与将衬底W和衬底台WT夹到卡盘10上有关。所以，例如包括安装在卡盘上的元件(例如上述干涉仪传感器IF的镜面)的测量系统和/或传感器就可以改进的准确度工作。

本发明实施例的一个基本思想就是(在时间上)先后夹紧衬底台和一个或多个衬底，特别是在随后处理多个衬底的情况下。因此，控制器可提供一种切换机制，以先夹紧衬底台(到卡盘)，其次夹紧衬底(到衬底台)。这种观念可显著改进重叠精确度，特别是在衬底台和卡盘是用不同材料制成或具有(总体)不同热膨胀系数的情况下。在上述之后，衬底台WT可被半连续地夹到卡盘上。例如，就在将衬底台WT夹到卡盘上的夹紧序列已经完成之后，就可将每个衬底W夹到衬底台WT上。在将衬底台夹到卡盘上和将衬底夹到衬底台上之间可以提供某些小的时段，例如一秒钟的若干分之几，或一秒或数秒的时段，或其它时段。

而且，例如在上述之后，在用下一衬底更换每个衬底W的至少部分时间，而且或备选的是，例如在多个衬底的随后处理中，在每一定数量的衬底例如一批衬底之后，或在某个时段之后等，衬底台可暂时被释放并随后再次夹紧。

在一个实施例中，通过正释放力，而不是仅仅去除夹紧力，来使衬底台WT从卡盘10中释放。例如，在衬底台WT依靠真空夹紧机构夹到卡盘10的情况下，可以施加过压，而不是仅让真空通到大气，导致气流从夹紧机构中逸出。用正释放力的设置，衬底台WT被从卡盘10略微提起。这种设置的优点是，在衬底台WT和卡盘10之间的应力释放有可能得到改进，这对于较厚或较重的衬底台和/或与卡盘有高摩擦力(例如来自液体的粘附)的衬底台是有利的。这种正释放力设置也可用于使衬底W从衬底台WT中释放。

虽然在此文本中对光刻设备在IC制造中的使用作了具体引述，但应理解，本文所述的光刻设备可具有其它应用，例如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。技术人员会理解，在这些备选应用的环境中，在本文中术语“晶片”或“小片”的任何使用都可认为分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文提到的衬底可以例如在径迹(一种通常将一层抗蚀剂加到衬底上并显影曝光的抗蚀剂的工具)、计量工具和/或检验工具中，在曝光之前或之后被处理。在适用处，本文的公开可应用于这些和其它衬底处理工具。另外，例如为了创建多层IC，衬底可以处理不止一次，以便本文所用的术语衬底也可以指已含有多个处理层的衬底。

虽然在光刻的环境中对本发明的实施例作了具体引述，但应理解，本发明可用于其它应用中，例如压印光刻，且只要环境允许，本发明不限于光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的构形定义了在衬底上创建的图案。图案形成装置中的构形可以被压入提供给衬底的抗蚀剂层中，在衬底上通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化后，将图案形成装置从抗蚀剂中移开，就在其中留下了图案。

本文中使用的术语“辐射”和“射束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有的波长为或大约为365、355、248、193、157或126nm)和极远紫外(EUV)辐射(例如具有的波长在5-20nm的范围内)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

术语“透镜”，只要环境允许，可指各种类型光学元件中的任何一种或组合，包括折射、反射、磁、电磁以及静电光学元件。

虽然以上对本发明的具体实施例作了说明，但应理解，本发明可用不同于所述的其它方式来实现。例如，本发明可以采取计算机程序或上述软件的形式，含有描述如以上所公开方法的一个或多个序列的机器可读指令，或存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

以上说明旨在作说明，而非限制。所以，对于所属领域的技术人员来说，显然在不背离以下提出的权利要求范围的前提下，可对所描述的本发明作修改。

Claims (27)

1.一种光刻设备，设置成将图案从图案形成装置转移到衬底上，其中所述设备包括：

支座，它配置成固定图案形成装置，所述图案形成装置配置成提供要转移到衬底上的图案；

衬底台，它构建成固定衬底；

第一夹紧系统，它配置成将所述衬底台夹到衬底台支撑结构上；以及

第二夹紧系统，它配置成在所述衬底台已被夹到所述衬底台支撑结构上之后将衬底夹到所述衬底台上。

2.如权利要求1所述的设备，它配置成在已将所述图案从图案形成装置转移到所述衬底上之后，自动用下一衬底更换所述衬底，并配置成在更换至少一个衬底期间使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述衬底台支撑结构提供有至少部分第一夹紧系统和至少部分第二夹紧系统。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述衬底台提供有至少部分第一夹紧系统和至少部分第二夹紧系统。

5.如权利要求1所述的设备，其中第一和第二夹紧系统配置成产生真空以提供真空夹紧。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述衬底台和所述衬底台支撑结构具有不同的热膨胀系数。

7.如权利要求1所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成当所述衬底台不支撑衬底时，使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放。

8.如权利要求1所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成在没有图案被转移到衬底上时的至少部分时段期间，使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放。

9.如权利要求1所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成在将图案从图案形成装置转移到每一定数量或一批衬底上之后，暂时使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放，并再次将所述衬底台夹到所述衬底台支撑结构上。

10.如权利要求1所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成在某一时段后暂时使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放，并再次将所述衬底台夹到所述衬底台支撑结构上。

11.如权利要求1所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放，其中所述衬底与所述衬底台相接触。

12.如权利要求1所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成用正释放力使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放。

13.一种器件制造方法，包括：

在将衬底夹到所述衬底台上之前，将衬底台夹到支撑结构上；及

将图案从图案形成装置转移到所述衬底上。

14.如权利要求13所述的方法，其中在将所述衬底装载到所述衬底台上之前，所述衬底台被带进与所述支撑结构的热平衡。

15.如权利要求13所述的方法，其中在没有图案被转移到衬底上时的至少部分时段期间，使所述衬底台从所述支撑结构中释放。

16.如权利要求15所述的方法，包括随后处理多个衬底，所述处理涉及将图案转移到所述多个衬底中的每个衬底上，并在所述处理期间使所述衬底台暂时从所述支撑结构中至少释放一次。

17.如权利要求13所述的方法，其中如果用下一衬底更换所述衬底，则使所述衬底台暂时从所述支撑结构中释放。

18.如权利要求13所述的方法，其中所述衬底台是粒结台，所述衬底台和支撑结构之间的夹紧是通过真空夹紧实现的，并且所述衬底台和所述衬底之间的夹紧是通过真空夹紧实现的。

19.如权利要求13所述的方法，其中在将图案从图案形成装置转移到每一定数量或一批衬底上之后，使所述衬底台暂时从所述支撑结构中释放，并再次夹到所述支撑结构上。

20.如权利要求13所述的方法，其中在某一时段后使所述衬底台暂时从所述支撑结构中释放，并再次夹到所述支撑结构上。

21.如权利要求13所述的方法，其中在至少部分时段期间使所述衬底台从所述支撑结构中释放，其中在所述时段内，在将图案转移到所述衬底期间所述衬底台不用于固定所述衬底。

22.一种衬底台夹紧设备，包括：

衬底台，它构建成固定衬底；

第一夹紧系统，它配置成将所述衬底台夹到衬底台支撑结构上；以及

第二夹紧系统，它配置成在所述衬底台已被夹到所述衬底台支撑结构上之后，将衬底夹到所述衬底台上。

23.如权利要求22所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成当所述衬底台不支撑衬底时，使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放。

24.如权利要求22所述的设备，其中所述衬底台支撑结构提供有至少部分第一夹紧系统和至少部分第二夹紧系统。

25.如权利要求22所述的设备，其中所述衬底台提供有至少部分第一夹紧系统和至少部分第二夹紧系统。

26.如权利要求22所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放，其中所述衬底与所述衬底台相接触。

27.如权利要求22所述的设备，其中第一夹紧系统、第二夹紧系统、或二者，配置成用正释放力使所述衬底台从所述衬底台支撑结构中释放。

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