JP2012227554A - 基板を基板テーブル上にロードする方法、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、データキャリア、および装置 - Google Patents

基板を基板テーブル上にロードする方法、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、データキャリア、および装置 Download PDF

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Abstract

【課題】リソグラフィ装置において第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、a)第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードすること、b)ある時間量だけ待つこと、c)応力緩和アクションを実施することを含む。第1のオブジェクトは基板とすることができ、第2のオブジェクトは基板テーブルとすることができる。また、第1のオブジェクトは基板テーブルとすることができ、第2のオブジェクトは、基板テーブルを支持するサポート構造とすることができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、リソグラフィプロセスにおいて第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、およびデータキャリアに関する。本方法はさらに、リソグラフィ装置内の、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築された装置に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路(IC)の製造時に使用される。その場合、選択可能にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用し、ICの個々の層に形成しようとする回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(たとえば、シリコンウェーハ)上の(たとえば、ダイの一部、1つのダイ、またはいくつかのダイを含む)ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)の層上への結像による。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる、網状の隣り合うターゲット部分を含むことになる。既知のリソグラフィ装置には、パターン全体を1回でターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向(「スキャン」方向)で放射ビームを介してパターンをスキャンし、一方、この方向に対して平行または逆平行で基板を同期スキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
基板が基板テーブル上で位置決めされるとき、基板内で熱応力および機械的応力が誘起される可能性があり、質の高いパターン転写に負の影響を及ぼすおそれがある。したがって、応力を低減することが目的である。
一態様によれば、リソグラフィプロセスにおいて第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法であって、
a)第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードすること、
b)ある時間量だけ待つこと、
c)第1のオブジェクトおよび第2のオブジェクトを含む群の少なくとも1つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
本発明の一態様によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写することを含み、本方法を実施することを含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、コンピュータ装置上にロードされたとき、本方法を実施するように構成されているコンピュータプログラムが提供される。
また、そのコンピュータプログラムを含むデータキャリアが提供される。
他の態様によれば、リソグラフィ装置内の、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築された装置であって、
− 第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードするロード手段と、
− 第1のオブジェクトおよび第2のオブジェクトを含む少なくとも1つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施するための応力緩和手段とを備え、
第1のオブジェクトをロードすることの間で、ある時間量だけ待つように構成されている装置が提供される。
次に、例示にすぎないが、本発明の諸実施形態について、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照して述べる。
本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。 一実施形態による基板サポートの概略的な横断面図である。 一実施形態による基板サポートの概略的な上面図である。 一実施形態による基板テーブルの概略的な横断面図である。 一実施形態による基板テーブルの概略的な横断面図である。 一実施形態による基板サポートの概略的な横断面図である。 一実施形態による基板サポートの概略的な上面図である。 一実施形態による基板サポートの概略図である。 一実施形態によるコンピュータの概略図である。
図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
− 放射ビームB(たとえば、UV放射またはEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(たとえば、マスク)MAを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造(たとえば、マスクテーブル)MTと、
− 基板(たとえば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル(たとえば、ウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの(たとえば、1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分C上に投影するように構成された投影システム(たとえば、屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
他の要素を含むことができる他のリソグラフィ装置が存在する、または考えることができることは理解されよう。たとえば、ステッパまたはマスクレス露光ツールは、第1ポジショナPMを有していないことがある。
照明システムは、放射を誘導する、形作る、または制御するために、屈折タイプ、反射タイプ、磁気タイプ、電磁タイプ、静電タイプ、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなど様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支承する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、また、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなど他の条件によって決まる仕方でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用し、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用することがあればそれは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内でパターンを生み出すように、放射ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈するべきである。放射ビームに与えられるパターンは、たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内で生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用など他の要因にとって適切なように、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈するべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用することがあればそれは、「投影システム」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
本明細書では、本装置は、(たとえば、透過マスクを使用する)透過タイプのものである。別法として、本装置は、(たとえば、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する)反射タイプのものとすることができる。
リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル(および/または2つ以上のマスクテーブル)を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」機では、追加のテーブルを同時に使用することができ、あるいは、1つまたは複数の他のテーブルが露光用に使用されている間に、1つまたは複数のテーブル上で準備工程を実施することができる。
リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものとすることができる。また、液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、マスクと投影システムの間で与えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大することで、当技術分野で周知である。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板など、ある構造を液体内に沈めなければならないことを意味しておらず、逆に、液体が、露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するにすぎない。
図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザであるとき、別体とすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、たとえば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILに渡される。他の場合には、たとえば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ばれることがある。
イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(一般にそれぞれσ−outerおよびσ−innerと呼ばれる)を調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなど、様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用し、その断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調節することができる。
放射ビームBは、サポート構造(たとえば、マスクテーブルMT)上で保持されているパターニングデバイス(たとえば、マスクMA)上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームBは、マスクMAを横切って、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に集束する。基板テーブルWTは、第2ポジショナPWおよび位置センサIF(たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ)の助けにより、たとえば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第1ポジショナPMと(図1には明示的に図示されない)別の位置センサを使用し、マスクMAを、たとえばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。(スキャナではなく)ステッパの場合には、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータだけに接続することも、固定とすることもできる。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2、および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間の空間内に位置してもよい(これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる)。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイ間に位置してもよい。
図の装置は、以下のモードの少なくとも1つで使用することができる。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが本質的に静止したままであり、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分C上に1回で投影される(すなわち、単一静的露光)。次いで、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影されている間に、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが同期してスキャンされる(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)倍率と像反転特性によって決定される可能性がある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向での)幅が制限され、一方、スキャン運動の長さにより、ターゲット部分の(スキャン方向での)高さが決定される。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止したままであり、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影されている間に、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動の後で、またはスキャン中、連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
上述の使用モードに対する組合せおよび/または変形形態、または全く異なる使用モードをも使用することができる。
図2および図3は、それぞれ一実施形態による基板サポートの側面図および上面図を示す。基板サポートは、全体的に符号1で示されている。基板サポート1は、基板テーブルWTが上に配置される(またおそらくはクランプされる)サポート構造2(たとえば、チャックとも呼ばれるミラーブロック)を備える。
基板サポート1の上側は、基板Wを基板サポート1上でクランプするための真空クランプ4を備える。基板サポート1は、しばしばeピンと呼ばれる、他の3つの収縮可能なピン5を備え、これらのピンは、ピン5が基板サポート1から延びる伸長位置と、ピン5が基板サポート1内に収縮される収縮位置との間で、基板サポート1に対して移動可能である。
図2が可能な実施形態を示すことは理解されよう。他の実施形態によれば、eピン5は基板サポート1の一部でなくてもよく、サポート構造、および/または基板サポート1を支持するある構造の一部であってもよい。たとえば、eピン5はまた、図1を参照して述べた第2ポジショナPWの一部とすることができる。収縮可能なピン5は、実質的に垂直な方向、すなわちピン5によって支持されることになる基板Wの主平面に対して実質的に直交する方向で移動可能である。収縮可能なピン5は、基板サポート1と、ロボットまたは任意の他のタイプの基板ハンドラとの間で基板Wを移送するために使用することができる。収縮可能なピン5は、基板Wを支持するために基板Wの下にロボットを配置することができるように設けられる。ロボットが基板Wを側部または上部で保持するように構成されるとき、収縮可能なピン5は省かれてもよい。
ロボットは、伸長位置で基板Wをピン5上に配置することができる。次いで、ピン5を収縮位置に移動することができ、その結果、基板Wは、基板サポート1の支持表面上で止まる。基板サポート1によって支持された基板Wがパターン付き放射ビームで露光された後で、その基板を別の基板と交換することができる。基板Wを交換するために、収縮位置から伸長位置に移動される収縮可能なピン5によって、基板Wが基板テーブルWTから持ち上げられる。ピン5が伸長位置にあるとき、基板Wは、ロボットまたは任意の他のタイプの基板ハンドラで運んでゆくことができる。
真空クランプ4は、封止リム7によって囲まれる陥凹表面6によって形成される。陥凹表面6、封止リム7、および基板サポート1上に配置された、または配置されることになる基板Wによって境界を画された真空空間内で低圧を生み出すために、空気吸込導管8が設けられる。空気吸込導管8は、空気を真空空間から抜き取るために、空気吸込ポンプPUに接続される。この低圧は、支持用表面の上方の基板Wを基板サポート1に向かって引き寄せる真空力をもたらす。
陥凹表面6内には、いくつかのバール(突起)9が配置される。バール9の上端は、基板サポート1上に配置されることになる基板W用の支持表面を提供する。封止リム7、およびバール9の上端は、基板Wを比較的小さな接触面積で支持するために実質的に平坦な表面を提供するように、実質的に同じ平面内で配置される可能性がある。封止リム7は、シールとして働き、基板Wと接触する必要はない。制御された漏れを生み出すように、非常に小さな間隙が基板Wとリム7の間に存在してもよい。
基板サポート1の一実施形態では、2つ以上の真空クランプをクランプデバイスとして設けることができる。実際には、静電クランプ、磁気クランプ、または電磁クランプなど、他のタイプのクランプデバイスを、基板Wに対して加えられる引力をもたらすために設けることができる。
基板Wが基板テーブルWT上で位置決めされ基板テーブルWTにクランプされているとき、基板Wの温度と基板テーブルWTの温度は、分布においても合計においても異なる可能性がある。また、温度差は、基板W内で、または基板テーブルWT内で存在する可能性がある。基板Wが基板テーブルWT上で位置決めされた後で、これらの温度差は中和し、温度平衡に至ることになる。これらの変化する温度の結果として、基板Wおよび基板テーブルWTは変形する可能性があり、熱応力を受けることになる。したがって、基板Wは、基板テーブルWT上にクランプされ、ロード直前のその初期温度が基板テーブルWTの温度から逸脱するとき、または基板Wおよび/または基板テーブルWTがロード前に初期温度差を有するとき、熱応力を受ける可能性がある。熱応力は、基板Wを基板テーブルの上で(バール9の上で)滑らせるおそれがあり、これは、位置決め誤差に通じる。
また、基板W内の応力は、基板Wを基板テーブルWT上で位置決めすることによって誘発されることもある。たとえば、基板Wが、伸長位置にある収縮可能なピン5上に配置されるとき、基板Wは、最初に1つのピン5に触れてから他のピン5に触れる可能性がある。これは、負荷誘発応力と呼ばれる機械的応力を引き起こす可能性がある。
基板Wが基板テーブルWT上に配置される(またおそらくはクランプされる)とき応力が誘発される可能性があることは理解されよう。基板負荷誘発応力および熱応力は、大きなオーバーレイの誘因である。
基板Wが、望ましいものでない別の形態でクランプされる可能性があるため、リソグラフィ装置の投影のオーバーレイ性能が低下するおそれがあり、これは、製品品質に対して負の影響を有するおそれがある。
熱応力を低減するための可能な方法は、基板Wの温度を正確に制御し、基板Wを基板テーブルWTにロードする前に、基板テーブルWTの温度に合致させることである。しかし、これは、デバイスで基板W(およびおそらくは基板テーブルWT)の温度を測定および制御することを必要とする、時間のかかる方法である。したがって、基板温度を正確に制御することは、比較的複雑かつコストのかかるものであり、スループットが犠牲になる。
上述のように発生する可能性がある熱応力および負荷誘発応力を克服するための実施形態が提供される。ここに提供されている実施形態によれば、最初に第1のオブジェクトがリソグラフィ装置内で第2のオブジェクト上にロードされ、温度差を平衡させることができる所定の整定時間間隔後に、第1のオブジェクトおよび/または第2のオブジェクトが応力緩和する、または応力のないものになることができる応力緩和アクションが実施される。上述のように、第1のオブジェクトは、第2のオブジェクト上にロードされクランプされたとき、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間の摩擦により応力緩和することができない可能性がある。したがって、応力緩和アクションは、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間の摩擦を低減することを含む。第1のオブジェクトは基板とすることができ、第2のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができる。代替によれば、第1のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができ、第2のオブジェクトは、基板テーブルWTを支持するサポート構造2とすることができる。サポート構造は、チャックまたはミラーブロックとも呼ばれることがある。
摩擦の低減は、第1のオブジェクトを支持する第2のオブジェクトによって加えられる法線力を低減することによって行うことができる。これを行うためのいくつかの実施形態について下記で述べる。
リソグラフィ装置において第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法であって、
a)第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードすること、
b)ある待ち時間量だけ待つこと、
c)応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
さらに、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築されたリソグラフィ装置であって、
a)第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードし、
b)ある待ち時間量だけ待ち、
c)応力緩和アクションを実施するように構成されているリソグラフィ装置が提供される。
第1のオブジェクトは基板Wとすることができ、第2のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができる。一実施形態によれば、第1のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができ、第2のオブジェクトは、基板テーブルWTを支持するためのサポート構造2とすることができる。
さらに、パターンをパターニングデバイスから基板W上に転写することを含み、実施形態に述べられている方法の1つを実施することを含むデバイス製造方法が提供される。
そのような応力緩和アクションの例が下記の実施形態で提供されている。
一実施形態では、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードすることと応力緩和アクションを実施することの間で待つための待ち時間が、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間で部分的な温度平衡を達成するように選択される。たとえば、基板Wと基板テーブルWTの間の数ケルビンの初期温度差を100〜150mK程度の差に整定する必要がある場合、その温度差を平衡させるのに、約3秒の時間間隔が適切となる可能性がある。ここで、150mKは、許容される温度の最大と考えることができる。当然ながら、この時間間隔は、初期温度差、および材料の温度特性に依存する。一実施形態では、待つための時間間隔は、たとえば予想温度差または最悪の場合の温度差、および温度差を整定するためのモデルに基づいて、予め決定される。
応力緩和アクションは、熱応力および負荷誘発応力を含めて、第1のオブジェクトおよび第2のオブジェクト内の応力を低減するように実施される。
アクションb)、すなわち、ある待ち時間量だけ待つことは、このアクション中に、それ以上の、または他のアクションを実施することができないことを意味するわけではないことは理解されよう。たとえば、所定の整定間隔だけ待つ間、基板Wがロードされる基板テーブルWTを、ロード位置から、基板Wに対して測定を実施する(形状、向き、位置などを測定する)ことができる測定位置に、または露光位置に移動させることができる。
(実施形態1)
一実施形態によれば、応力緩和アクションは、クランプデバイスによって加えられるクランプ力を一時的に低減することを含む。
上述のように、基板Wが基板テーブルWT上にロードされたとき、クランプデバイスを用意することができ、適用することができる。クランプデバイスは、基板に対して加えられる引力をもたらすことによって、基板Wを基板テーブルWTにクランプする。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。
この実施形態によれば、応力緩和アクションは、クランプ力を一時的に低減することを含む。
アクションa)が、クランプデバイスを使用し、基板に対して加えられる引力をもたらすことによって、基板を基板テーブルにクランプすることを含む、上述の方法が提供される。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。この方法のアクションc)は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができる。
さらに、基板Wに対して加えられる引力をもたらすことによって基板Wを基板テーブルWTにクランプするためのクランプデバイスをさらに備え、アクションa)が、そのクランプデバイスを使用して基板Wを基板テーブルWTにクランプすることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。このリソグラフィ装置によって実施することができるアクションc)は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができる。
この実施形態は、追加のハードウェアフィーチャを必要としない点で、実施するのが容易である。この実施形態は、リソグラフィ装置で通常使用可能なハードウェアを使用し、したがって、実施するのが容易かつコスト効率的である。場合によっては、単に基板Wをクランプ解除するだけでは、基板W内の応力すべてを整定するのに十分でない可能性がある。しかし、この実施形態は、基板W内に存在する応力の一部を少なくとも整定するための非常に容易な方法を提供する。
(実施形態2)
一実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることを含むことができる。これは、温度平均化が行われた後で行われ、応力の緩和の余地を与えるために行われる。応力緩和が行われた後で、基板Wは、基板テーブルWT上に戻される。
上述のように、基板テーブルWTは、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることによって応力緩和アクションを実施するために使用することができる、収縮可能なピン5を備えることができる。図4aは、基板テーブルWT上にロードされた基板Wを示し、ピンは収縮位置にある。図4bは、持ち上げられた位置にある基板Wを示す。応力緩和アクションを実施した後で、基板Wは、再び基板テーブルWT上に配置される。
応力緩和アクションが、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることを含むことができる、上述の方法が提供される。これはピン5を移動することによって行うことができ、ピン5は、基板テーブルの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、ピン5は、ピンが基板サポート1内に収縮される収縮位置から、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げるようにピン5が基板サポート1から延びる伸長位置に移動される。主表面は、基板をクランプしている間、基板と接触する表面である。
さらに、基板Wを基板テーブルの主表面から時間的に持ち上げるための手段を備え、緩和アクションc)が、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置はピン5を備えることができ、これらのピンは、基板テーブルWTの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、応力緩和アクションは、ピン5が基板テーブルWT内に収縮される収縮位置から、基板を基板テーブルWTから持ち上げるようにピン5が基板テーブルWTから延びる伸長位置にピン5を移動することを含む。基板Wを基板テーブルWTから持ち上げた後で、基板Wは、基板テーブルWTの主表面上で再び位置決めされる。
この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げる前に低減することができ、応力緩和アクションの後で、基板Wを基板テーブル上で位置決めしてから再び加えることができる。
この実施形態は、追加のハードウェアフィーチャを必要としない点で、実施するのが容易である。この実施形態は、リソグラフィ装置で通常使用可能なハードウェアを使用し、したがって、実施するのが容易かつコスト効率的である。
(実施形態3)
他の実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板Wに対して正圧を加え、それによって基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力を低減することによって実施される。クランプデバイスが使用される場合、クランプ力を低減することができる。
応力緩和アクションは、基板テーブルWTと基板Wの間の区画内で、所定の(短い)期間の間、厳格に制御された正圧を加えることによって実施することができる。これを行うことにより、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力を低減し、さらには基板を基板テーブルWTから持ち上げ、それにより基板Wから内部応力を解放することを可能にすることが可能である。このプロセスは、単一のパルスでは応力すべてを除去するのに不十分であるとき、繰り返すことができる。1つの長いパルスではなく、いくつかの比較的小さなパルスを使用することによって、潜在的に基板を失うおそれがある基板の浮上り(すなわち...の移動)を回避することができる。この空気パルスは、空気の入った小さな容器を加圧し、次いで単純な二方弁を使用して、基板テーブルWT内の穴を介して空気を放つことによって生成することができる。
図5および図6は、そのような実施形態による基板ホルダ1を概略的に示す。図5に示されているように、いくつかのノズル10が設けられている。図5および図6に示されているように、ノズル10は、バール9間に設けられている。しかし、これらのノズルがいくつかのバール9内に設けられてもよいことは理解されよう。図5および図6に示されている実施形態では、ノズル10は、封止リム7によって境界を画された表面エリア全体にわたって均等に分配される。ノズル10は、ガス供給導管11を介してガス供給ユニットに接続され、陥凹表面に対して実質的に直交する、すなわち基板テーブルWT上に配置されることになる基板Wの主表面に対して実質的に直交する方向で、噴射またはガスパルスを送るように構成される。噴射またはガスパルスを実際に送るために、ガス供給ユニットは、ポンプ(図示せず)、または供給導管11に接続された別の加圧ガス源とすることができる。図5に示されているように、基板テーブルWTの近くの圧力に対して高い圧力を有するガスを含む容器COが用意される。供給導管11内には、供給導管11を開閉するように制御することができる弁VAが設けられる。噴射を送るために、空気など、任意のタイプの好適なガスを使用することができることに留意されたい。
応力緩和アクションが基板Wと基板テーブルWTの間でガスを供給することを含む、上述の方法が提供される。ガスは、一連の少なくとも1つのガスパルスによって供給することができる。
さらに、基板テーブルWTが少なくとも1つのノズル10を備え、ノズル10が、ガス供給ユニットに接続されており、または接続可能であり、基板Wと基板テーブルWTの間でガスを供給するように構成されており、応力緩和アクションが、基板と基板テーブルの間でガスを供給することを含むことができる、上述のリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、ガスを一連の少なくとも1つのガスパルスで供給するように構成されてもよい。
この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、ガスを供給する前に低減することができ、応力緩和アクションの後で再び加えることができる。
(実施形態4)
他の実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板テーブルWTを振動させることを含む。適切な振動を加えることによって、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力が低減され、基板を応力緩和させる。振動は、任意の好適な周波数および任意の好適な振幅、たとえば約1μmの振幅および>500Hz以下の周波数で行うことができる。
図7は、基板Wがロードされる基板テーブルWTを備える基板ホルダ1を概略的に示す。図7は、基板ホルダ1を発動させ、したがって基板テーブルWTを振動させるように使用することができる2つのアクチュエータACによって形成された振動デバイスをさらに示す。
振動デバイスは、図1を参照してすでに上述した第2ポジショナによって形成することができる。しかし、振動を実施するために特別な専用のアクチュエータを設けることもできる。
アクチュエータは、特別に用意してもよいが、サポート構造を駆動するショートストロークモータなど、すでに存在するアクチュエータを使用することも可能である。アクチュエータは、高帯域幅サーボループを有する、nm精度のローレンツタイプのアクチュエータとすることができる。これらのモータを使用し、露光および測定中に、サポート構造および基板Wを位置決めする。単にディタ(ditter)信号を通常の設定点に追加することによって、サポート構造に、ターゲット方向で移動し、同時に振動移動をもたらすように指令することができる。
振動は、基板Wおよび基板テーブルWTがそれぞれの内部の、またはそれらの間の温度差を少なくとも部分的に整定することができるように、基板Wが基板テーブルWT上にロードされた後で、ある時間量だけ加えられる。この時間量は、その差が最大許容可能な温度差より低くなると予想されるように選択される。可能な印加クランプ力を低減することができ、基板テーブルWTを高い周波数で振動させることができる。振動は、小さな位置振幅と大きな加速度とを有してもよい。この機械的な「ディタ」運動を使用し、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力を克服することができる。次いで、基板Wは、その内部応力を解放することになる。
振動は、基板テーブルWTの表面に対して実質的に直交する、すなわち基板テーブルWT上に配置されることになる基板Wの主表面に対して実質的に直交する方向で加えることができる。下向き運動中に、基板Wに対して基板テーブルWTによって加えられる法線力(したがって摩擦力)が一時的に低減され、基板Wは応力緩和することができる。
一変形形態によれば、振動は、基板テーブルWTの表面に対して実質的に平行な、すなわち基板テーブルWT上に配置されることになる基板Wの主表面に対して実質的に平行な方向で加えられる。この運動の結果として、基板Wおよび基板テーブルWTは、互いに相対移動することができ、それにより摩擦力を低減し、基板Wが応力緩和することを可能にする(静的摩擦係数は動的摩擦係数より高いことに留意されたい)。代替の実施形態では、振動は、ここに述べられている2つの方向以外の方向、たとえば基板テーブルWTの表面に対して平行な成分と直交する成分を共に有する斜め方向で加えられる。
他の実施形態では、振動は、基板に直接加えられる。振動アクションは、ばねまたは可撓性エレメントなど、振動ツールを使用することによって加えることができる。この振動ツールを発動させることができる。好適なアクチュエータを使用することができる。一実施形態では、振動アクションは、基板の中心部内で開始して基板上に加えられる。振動アクションは、中心グリッパによって基板/オブジェクトに加えることができる。他の工程では、振動アクションは、オブジェクトの、より外部に位置する部分に加えることができる。このようにして、オブジェクト内の応力は、オブジェクトの外部部分に「移動」される、好ましくは「解放」されることが好ましい。一実施形態では、振動デバイスとしてEピンを使用し、オブジェクトを振動させる。
振動アクションは、非常に短いアクション、たとえば1周期、さらには半周期だけとすることができる。振動アクションは、少なくとも1つのアクション、好ましくは釣り合いの位置に対する移動によって特徴付けられる。これはオフセット移動とすることができる。振動アクションは、オブジェクト材料を介して移動する、波のような応力解放ローブを引き起こすことができるため、そのような振動アクションは、オブジェクト内で応力低減効果を有するであろうと考えられる。そのような波のような運動は、オブジェクト内の局部応力を低減する上で、より効果的であると考えられる。
他の実施形態では、振動をオブジェクトに加えるために、打撃デバイスを使用することができる。オブジェクトを打撃することによって、一時の外乱、この場合には過剰な外乱がオブジェクト上に伝達され、この外乱を使用し、オブジェクトにわたって他の内部応力を放散または解放することができる。また、打撃デバイスは、オブジェクト内で波のような運動を開始することができる。
一実施形態では、基板および基板テーブルに、部分的に同時に、または1つずつ、振動が加えられる。
基板テーブルおよび/または基板が、高い周波数および小さい振幅で振動される方法およびリソグラフィ装置が提供される。さらに、基板テーブルが振動デバイスを備え、応力緩和アクションが、基板テーブルを振動させることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。
この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、ガスを供給する前に低減することができ、応力緩和アクションの後で再び加えることができる。
(実施形態5)
上述の実施形態は、どのように基板Wを基板テーブルWT上にロードするかについて述べている。しかし、基板テーブルWTそれ自体は、サポート構造2上で位置決めされる別個の部分とすることができる。基板テーブルWTは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むクランプデバイスを使用して、サポート構造2にクランプすることができる。
最終的に基板テーブルWTと支持用構造2の間の滑りを引き起こす応力が基板テーブル内で発生したとき、上述の同じ応力緩和手順を基板テーブルに適用することができる。
基板テーブルWTをサポート構造2上にロードすることは、基板Wを基板テーブルWT上にロードするのと同じ問題を伴うおそれがある、すなわち、基板テーブルWT内で熱応力および機械的応力が誘起される可能性があることは理解されよう。
したがって、基板テーブルWTをサポート構造2上にロードするために、やはり上述の実施形態を使用することができる。
したがって、基板テーブルをサポート構造上にロードする方法であって、
a)基板テーブルをサポート構造上にロードすること、
b)ある待ち時間量だけ待つこと、
c)応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
アクションa)は、クランプデバイスを使用し、基板テーブルに対して加えられる引力をもたらすことによって、基板テーブルをサポート構造にクランプすることを含むことができる。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。
アクションc)は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができ、および/または基板テーブルとサポート構造の間でガスを供給することを含むことができる。ガスは、一連の少なくとも1つのガスパルスによって供給することができる。
アクションc)は、サポート構造を振動させることをさらに含むことができる。サポート構造は、高い周波数および小さい振幅で振動させることができる。
振動は、基板テーブルがサポート構造上にロードされた後で、短い時間間隔で加えられる。一実施形態では、クランプ力が低減される。別法として、または追加として、サポート構造が高い周波数で振動される。振動は、小さな位置振幅と大きな加速度とを有する。この機械的な「ディタ」運動を使用し、基板テーブルWTとサポート構造の間の摩擦力を克服する。次いで、基板Wは、その内部応力を解放することになる。
アクションc)は、たとえばピンを移動することによって、基板テーブルWTをサポート構造2から持ち上げることをさらに含むことができ、これらのピンは、サポート構造の主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、これらのピンは、ピンがサポート構造内に収縮される収縮位置から、基板テーブルをサポート構造の主表面から持ち上げるようにピンがサポート構造から延びる伸長位置に移動される。
待ち時間量は、基板Wおよび基板テーブルWTがそれぞれの内部の、またはそれらの間の温度差を少なくとも部分的に整定することができるように選択することができる。
アクションc)は、基板テーブルWT内の応力を低減するように実施することができる。
さらに、基板テーブルWTを保持するように構築されたサポート構造2を備えるリソグラフィ装置であって、
a)基板テーブルWTをサポート構造2上にロードし、
b)所定の整定時間間隔だけ待ち、
c)応力緩和アクションを実施するように構成されるリソグラフィ装置を提供することができる。
(コンピュータ)
上述の実施形態はすべて、たとえば図8に示されている、コンピュータCOを使用して実用化することができる。コンピュータCOは、入出力デバイスI/OおよびメモリMEと通信するように構成されたプロセッサPRを備えることができる。
コンピュータCOは、パーソナルコンピュータ、サーバ、ラップトップとすることができる。これらのデバイスはすべて、異なる種類のコンピュータである。メモリMEは、述べられている実施形態をコンピュータCOに実施させるために、プロセッサPRによって読取り可能かつ実行可能な命令を備えることができる。コンピュータCOは、述べられている実施形態を実施するために、入出力デバイスI/Oを介してリソグラフィ装置の他の部分と対話するように構成されてもよい。
図8は、演算を実施するためのプロセッサPRを備えるコンピュータCOの一実施形態の概略ブロック図を示す。プロセッサPRは、テープユニット、ハードディスク、読取り専用メモリ(ROM)、電気的消去可能なプログラム可能読出し専用メモリ(EEPROM)、およびランダムアクセスメモリ(RAM)など、命令およびデータを記憶することができるメモリMEに接続される。
入出力デバイスI/Oは、リソグラフィ装置1(図示せず)に含まれる他のコンピュータシステムまたはデバイスと通信リンクを介して通信するように構成される。
しかし、より多くの、および/または他のメモリMEおよびプロセッサPRを設けることができることを理解されたい。さらに、それらの1つまたは複数は、物理的に遠隔位置に位置してもよい。プロセッサPRは、1つのボックスとして示されているが、当業者には知られているように、互いに遠隔に位置してもよい、並列で機能する、または1つのメインプロセッサによって制御されるいくつかのプロセッサPRを含むことができる。
接続すべてが物理接続として示されているが、これらの接続の1つまたは複数を無線にすることができることに留意されたい。これらは、「接続されている」ユニットが互いに何らかの方法で通信するように構成されることを示すことが意図されているにすぎない。
コンピュータ装置上にロードされたとき、提供されている方法のいずれか1つを実施するように構成されているコンピュータプログラムが提供される。また、そのようなコンピュータプログラムを含むデータキャリアが提供される。データキャリアは、任意の種類のコンピュータ可読媒体とすることができる。
(他の注意)
上述の実施形態は、クランプ力を低減するための選択肢について述べている。これは、他の実施形態すべてと組み合わせて行うことができることは理解されよう。また、クランプ力を低減することは、クランプ力を実質的にゼロに低減すること、すなわちクランプ力を全く加えないことを含む。
ガスを送る実施形態および振動を加える実施形態は、比較的小さなスループット損失で適用することができる。また、既存のメトロロジーシーケンス内への、応力緩和アクションを実行することができる基板テーブル位置に対する制限はない。
基板Wを基板テーブルWTから持ち上げる場合(実施形態2)、これはプリアライメント精度に対して負の影響を有することがある。さらに、機械/基板の安全のために、基板を持ち上げること(実施形態2)は、スループット最適でない、基板テーブルWTの非常に特別な場所でのみ行うことができる。
上記の説明に基づいて、応力緩和アクションは、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦を一時的に低減するように実施され、基板Wを応力緩和させ応力を解消させることは理解されよう。クランプ力を低減すること、基板Wを持ち上げること、基板Wと基板テーブルWTの間でガスを送ること、基板テーブルWTを振動させることなど、応力緩和アクションを実施するための多数の方法が提供される。
応力緩和アクションは、基板Wの正確な処理を可能にするために、応力緩和アクションの後で、基板Wが基板テーブルWTに対して正確に位置決めされるように実施すべきであることは理解されよう。実際には、基板Wは、基板の水平の向きを測定するためのアライメントセンサ、および基板の表面プロファイルを測定するためのレベルセンサなど、基板Wの位置および向きを測定するために使用されるセンサのキャプチャレンジ内にあるべきである。キャプチャレンジは、数十ミクロン程度である。
応力緩和アクションの後で、基板Wの位置および向きを測定するために、他の測定アクションを実施することができる。
また、実施形態すべてが1つまたは複数の他の実施形態と組み合わせて使用されてもよいことは理解されよう。たとえば、供給ガス、および/またはクランプ力を低減することと組み合わせて振動を行うことができる。
これらの実施形態は、第1のオブジェクトが整定することができるように、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間の摩擦力を一時的に克服するために実施することができる。
本文中では、ICの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック(一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ICを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。
上記では、本発明の実施形態の使用が、光リソグラフィの文脈で具体的に参照されていることがあるが、本発明は、他の応用分野、たとえばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況において可能な場合、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィにより、基板上に生み出されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジストの層に押し込むことができ、そのとき、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後で、レジストから移動され、レジスト内にパターンを残す。
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、(たとえば、約365、355、248、193、157、または126nmの波長を有する)紫外(UV)放射、および(たとえば、5〜20nmの範囲内の波長を有する)極端紫外(EUV)放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなど粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
「レンズ」という用語は、状況において可能な場合、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、および静電光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか1つ、または組合せを指すことがある。
上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。たとえば、本発明は、上記で開示されている方法について説明する機械可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体(たとえば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク)の形態をとることができる。
上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものであるものとする。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。

Claims (31)

  1. リソグラフィプロセスにおいて第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法であって、
    a)前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクト上にロードすること、
    b)ある時間量だけ待つこと、
    c)前記第1のオブジェクトおよび前記第2のオブジェクトを含む群の少なくとも1つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施することを含む方法。
  2. 前記第1のオブジェクトが基板Wであり、前記第2のオブジェクトが基板テーブルWTである、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1のオブジェクトが基板テーブルWTであり、前記第2のオブジェクトが、前記基板テーブルWTを支持するためのサポート構造2である、請求項1に記載の方法。
  4. アクションa)が、クランプデバイスを使用し、前記第1のオブジェクトに対して加えられる引力をもたらすことによって、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトにクランプすることを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記クランプデバイスが、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含む、請求項4に記載の方法。
  6. アクションc)が、クランプ力を一時的に低減することを含む、請求項4または5に記載の方法。
  7. アクションc)が、前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトの間でガスを供給することを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記ガスが、一連の少なくとも1つのガスパルスによって供給される、請求項7に記載の方法。
  9. アクションc)が、前記第2のオブジェクトを振動させることを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記第2のオブジェクトが、高い周波数および小さい振幅で振動される、請求項9に記載の方法。
  11. アクションc)が、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから持ち上げることを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
  12. アクションc)が、ピンを移動させることを含み、前記ピンが、前記第2のオブジェクトの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、前記ピンが、前記ピンが前記第2のオブジェクト内に収縮される収縮位置から、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから持ち上げるように前記ピン5が前記第2のオブジェクトから延びる伸長位置に移動される、請求項11に記載の方法。
  13. 前記時間量が、基板Wおよび基板テーブルWTがそれらの間の温度差を最大温度差未満に整定することができるように選択される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
  14. アクションc)が、前記第1のオブジェクト内の応力を低減するように実施される、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
  15. リソグラフィ装置内の、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築された装置であって、
    前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクト上にロードするロード手段と、
    前記第1のオブジェクトおよび前記第2のオブジェクトを含む少なくとも1つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施するための応力緩和手段とを備え、
    前記第1のオブジェクトをロードすることと応力緩和アクションを実施することの間で、ある時間量だけ待つように構成されている装置
  16. 前記第1のオブジェクトが基板Wであり、前記第2のオブジェクトが基板テーブルWTである、請求項15に記載の装置。
  17. 前記第1のオブジェクトが基板テーブルであり、前記第2のオブジェクトが、前記基板テーブルWTを支持するためのサポート構造2である、請求項15に記載の装置。
  18. 前記第1のオブジェクトに対して加えられる引力をもたらすことによって、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトにクランプするためのクランプデバイスをさらに備え、アクションa)が、前記クランプデバイスを使用して前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトにクランプすることを含む、請求項15〜17のいずれか一項に記載の装置。
  19. 前記クランプデバイスが、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含む、請求項18に記載の装置。
  20. 前記応力緩和手段が、クランプ力を一時的に低減するように構成されている、請求項18または19に記載の装置。
  21. 前記応力緩和手段が、ガス供給ユニットに接続されるように構成された、また前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトの間でガスを供給するように構成された少なくとも1つのノズルを備える、請求項15〜20のいずれか一項に記載の装置。
  22. 一連の少なくとも1つのガスパルスを供給するように構成された、請求項21に記載の装置。
  23. 前記応力緩和手段が、前記第2のオブジェクトを振動させるための振動デバイスを備える、請求項15〜22のいずれか一項に記載の装置。
  24. 前記リソグラフィ装置が、前記第2のオブジェクトを高い周波数および小さい振幅で振動させるように構成されている、請求項23に記載の装置。
  25. 前記応力緩和手段が、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから持ち上げるための持上げ手段を備え、前記応力緩和手段が、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから持ち上げている間に前記応力緩和アクションを実施するように構成されている、請求項15〜24のいずれか一項に記載の装置。
  26. ピンを備え、前記ピンが前記第2のオブジェクトの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、前記応力緩和アクションが、前記ピンが前記第2のオブジェクト内に収縮される収縮位置から、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから持ち上げるように前記ピンが前記第2のオブジェクトから延びる伸長位置に前記ピンを移動させることを含む、請求項25に記載の装置。
  27. 前記時間量が、基板Wおよび基板テーブルWTがそれらの間の温度差を最大温度差未満に整定することができるように選択される、請求項15〜26のいずれか一項に記載の装置。
  28. 前記応力緩和アクションが、前記第1のオブジェクト内の応力を低減するように実施される、請求項15〜27のいずれか一項に記載の装置。
  29. パターンをパターニングデバイスから基板上に転写することを含み、請求項1に記載の方法を実施することを含むデバイス製造方法。
  30. コンピュータ装置上にロードされたとき、請求項1〜14に記載の方法のいずれか1つを実施するように構成されているコンピュータプログラム。
  31. 請求項30に記載のコンピュータプログラムを含むデータキャリア。
JP2012180067A 2007-06-21 2012-08-15 基板を基板テーブル上にロードする方法、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、データキャリア、および装置 Active JP5600710B2 (ja)

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