KR20090068189A - 웨이퍼 연삭기 및 웨이퍼 연삭 방법 - Google Patents

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마사키 가나자와
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도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드
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Abstract

웨이퍼 연삭기와 웨이퍼 연삭 방법에 대해 개시한다. 적어도 웨이퍼(40)를, 즉 전면(41)에 필름(11)이 부착된 웨이퍼(40)를 유지시키되 웨이퍼의 배면(42)을 위로 향하게 한 상태로 유지시키기 위해 차단 유닛(60)이 유지 유닛(29) 주변에 배치된다. 상기 차단 유닛의 상면(61)은 상기 유지 유닛에 의해 유지된 웨이퍼의 배면과, 웨이퍼와 필름 사이의 경계면과의 사이의 위치까지 연삭된다. 이어서, 웨이퍼는 웨이퍼의 배면을 유지 유닛에 의해 위로 향하게 유지한 상태에서 연삭된다. 그 결과, 웨이퍼의 배면을 연삭할 때에 필름이 웨이퍼로부터 떨어져나가는 것이 방지된다. 더욱이, 웨이퍼가 연삭될 때에, 유지 유닛에 의해 유지된 웨이퍼의 외주부와 상기 차단 유닛 사이의 간극 안으로 유체가 공급된다.
웨이퍼, 연삭, 부스러기, 세정, 필름, 분리, 차단, 간극, 유체

Description

웨이퍼 연삭기 및 웨이퍼 연삭 방법{WAFER GRINDING MACHINE AND WAFER GRINDING METHOD}
본 발명은 흡착에 의해 유지되는 웨이퍼의 배면을 연삭하기 위한 웨이퍼 연삭 방법과, 이 연삭 방법을 수행하는 웨이퍼 연삭기에 관한 것이다.
반도체 제조 분야에서 웨이퍼는 팩킹 밀도를 증가시키기 위해 해마다 커지고 있으며 더욱 얇아지고 있다. 반도체 웨이퍼를 더 얇게 제조하기 위해 웨이퍼의 배면을 연마하는 배면 연마 공정을 수행한다. 일례로 일본 특허 공개 공보 제2000-21952호는 진공 흡착력을 이용하여 웨이퍼를 척에 흡착시켜 유지함으로써 웨이퍼의 배면을 연삭하는 기술에 대해 개시하고 있다.
도 5는 상기 일본 특허 공개 공보 제2000-21952호에 개시된 바와 같은 종래 기술에 따른 웨이퍼 연삭기를 보이는 개략도이다. 웨이퍼의 배면을 연삭할 때에, 웨이퍼(40)의 전면(前面)(41)에 표면 보호 필름(11)이 부착된다. 이와 같은 표면 보호 필름(11)은 전면(41)에 형성된 회로 패턴(도면에는 도시되지 않음)을 보호한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(40)는 배면(42)을 위로 향하게 한 상태에서 흡착 유닛(260)에 흡착 유지된다.
서로 회전하는 연삭 숫돌(280)과 웨이퍼(40) 사이의 접촉점에는 도 5에 실선 화살표로 나타낸 바와 같이 연삭 유체가 공급된다.
그 공급되는 연삭 유체 중 더 많은 부분이 웨이퍼(40)의 배면(42)에 공급된다. 그러나 도 5에 도시된 바와 같이, 연삭 유체 중 일부는 웨이퍼(4)의 전면(41)과 표면 보호 필름(11) 사이의 경계면(45)에 직접 부딪친다. 그 결과, 종래의 웨이퍼 연삭기를 도시하는 도 6의 부분 단면도에 도시된 바와 같이, 표면 보호 필름(11)이 웨이퍼(40)의 가장자리로부터 분리된다.
이 경우에 연삭 유체는 웨이퍼(40)와 표면 보호 필름(11) 사이의 간극 안으로 유입되어 웨이퍼(40)의 전면(41)에 형성된 회로 패턴을 오염시킨다. 연삭 유체가 갭 안으로 더 깊이 들어가면 표면 보호 필름(11)이 더욱더 떨어지게 된다. 그 결과, 표면 보호 필름(11)은 흡착 유닛(260)에 의해 유지된 채로 웨이퍼(40)가 흡착 유닛(260)으로부터 떨어져 나갈 수 있다.
본 발명은 이러한 상황을 고려하여 달성된 것으로서, 이러한 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 배면을 연삭할 때에 표면 보호 필름이 웨이퍼로부터 분리되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 연삭 방법과, 그 방법을 수행하기 위한 웨이퍼 연삭기를 제공하기 위한 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시 형태에 따르면, 웨이퍼의 전면에 필름이 부착된 상태에서 웨이퍼의 배면을 위로 향하게 해서 웨이퍼를 유지하기 위한 유지 수단과, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 배면을 연삭하는 연삭 수단과, 상기 유지 수단 둘레에 배치된 차단 유닛(barrier unit)을 포함하는 웨이퍼 연삭기가 제공된다.
구체적으로, 본 발명의 상기 제1 실시 형태에 있어서는, 연삭 유체가 웨이퍼의 배면 또는 차단 유닛에 부딪치고, 그에 따라서 연삭 유체가 웨이퍼와 필름 사이의 경계면에 직접 공급되는 것이 방지된다. 따라서, 웨이퍼의 배면을 연삭할 때에 연삭 유체에 의해서 필름이 웨이퍼로부터 분리되는 것을 피할 수 있다.
본 발명의 제2 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태와 같은 웨이퍼 연삭기로서, 상기 차단 유닛의 상면이, 웨이퍼의 전면과 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 배면 사이에 위치된 구성으로 된 웨이퍼 연삭기가 제공된다.
구체적으로, 상기 제2 실시 형태에 있어서는, 상기 연삭 수단이 상기 차단 유닛의 상면과 접촉함이 없이 웨이퍼의 배면을 연삭할 수 있다.
본 발명의 제3 실시 형태에 따르면, 상기 제2 실시 형태와 같은 웨이퍼 연삭기로서, 상기 차단 유닛의 상면이, 연삭 수단에 의해서 연삭됨에 따라, 웨이퍼의 배면과 웨이퍼의 전면 사이에 위치하게 되는 구성으로 된 웨이퍼 연삭기가 제공된다.
구체적으로, 상기 제3 실시 형태에 있어서는, 웨이퍼의 배면이 각기 다른 양으로 연삭되는 경우에도 상기 차단 유닛의 상면의 높이가 쉽고도 간단하게 조정될 수 있다.
본 발명의 제4 실시 형태에 따르면, 상기 제1 실시 형태 내지 제3 실시 형태 중 어느 한 실시 형태와 같은 웨이퍼 연삭기로서, 웨이퍼를 연삭 수단 내에서 연삭할 때에, 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 외주부와 상기 차단 유닛과의 사이의 간극 안으로 유체를 공급하는 유체 공급 수단도 또한 포함하는 구성으로 된 웨이퍼 연삭기가 제공된다.
구체적으로, 본 발명의 제4 실시 형태에 있어서는, 웨이퍼의 외주부와 차단 유닛과의 사이의 간극에 부착된 부스러기(chip)와 먼지가 세정될 수 있다.
본 발명의 제5 실시 형태에 따르면, 웨이퍼의 전면에 필름이 부착된 상태에서 웨이퍼의 배면을 위로 향하게 해서 웨이퍼를 유지하도록 구성된 유지 수단 주변에 차단 유닛을 배치하는 단계와, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 배면과 웨이퍼의 전면 사이의 높이까지 차단 유닛의 상면을 연삭하는 단계와, 웨이퍼의 배면을 위로 향하게 해서 웨이퍼를 상기 유지 수단에 의해 유지되게 하는 단계와, 웨이퍼의 배면을 연삭하는 단계를 포함하는 웨이퍼 연삭 방법이 제공된다.
구체적으로, 본 발명의 제5 실시 형태에 있어서, 연삭 유체는 웨이퍼의 배면이나 차단 유닛에 부딪치고, 그에 따라 연삭 유체가 웨이퍼와 필름 사이의 경계면에 바로 공급되는 것이 방지된다. 따라서, 웨이퍼의 배면을 연삭할 때에 연삭 유체에 의해서 필름이 웨이퍼로부터 분리되는 것을 피할 수 있다.
본 발명의 제6 실시 형태에 따르면, 상기 제5 실시 형태와 같은 웨이퍼 연삭 방법으로서, 상기 웨이퍼를 연삭하는 단계가, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 외주부와 상기 차단 유닛과의 사이의 간극 안으로 유체를 공급하는 단계도 또 한 포함하는 구성으로 된 웨이퍼 연삭 방법이 제공된다.
구체적으로, 본 발명의 제5 실시 형태에 있어서는, 웨이퍼의 외주부와 차단 유닛과의 사이의 간극에 부착된 부스러기(chip)와 먼지가 세정될 수 있다.
첨부된 도면과 관련하여 이하에서 설명하는 본 발명의 대표적인 실시예에 의하면 본 발명의 상기 목적들 및 또 다른 목적들과, 특징들과, 이점들이 더욱 명백하게 파악될 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 연삭 유체가 웨이퍼의 배면 또는 차단 유닛에 부딪치므로, 연삭 유체가 웨이퍼와 필름 사이의 경계면에 직접적으로 공급되는 것이 방지되고, 이에 따라, 웨이퍼의 배면을 연삭할 때에 연삭 유체에 의해서 필름이 웨이퍼로부터 분리되는 것을 피할 수 있다. 또한, 연삭 수단이 차단 유닛의 상면과 접촉함이 없이 웨이퍼의 배면을 연삭할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 배면이 각기 다른 양으로 연삭되는 경우에도 상기 차단 유닛의 상면의 높이가 쉽고도 간단하게 조정될 수 있다. 또한, 웨이퍼의 외주부와 차단 유닛과의 사이의 간극에 부착된 부스러기(chip)와 먼지가 세정될 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. 도면에서, 동일한 부재에 대해서는 각각 동일한 도면 부호를 붙였다. 이해를 쉽게 하기 위해, 도면 각각의 축척은 적절히 변경되었다.
도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 웨이퍼 처리 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 웨이퍼 처리 장치(10)가 주로 포함하는 것으로는, 웨이퍼의 배면을 연삭하기 위한 배면 연삭 유닛(12)과, 웨이퍼에 다이싱 테이프를 부착시키는 다이싱 테이프 부착 유닛(14)이 있다. 이들 유닛들은 도시되지 않은 제어 유닛에 의해 제어된다. 다이싱 테이프 부착 유닛(14)에 의해 처리된 웨이퍼는 다이싱 유닛(16)으로 이송되어 다이싱된다.
배면 연삭 유닛(12)은 다수의 웨이퍼(40)들을 수납하는 웨이퍼 카세트(20A, 20B)를 구비한다. 웨이퍼(40)들은 상기 웨이퍼 카세트(20A, 20B)로부터 로봇 암(22A, 22B)에 의해서 하나씩 꺼내진다. 이어서, 웨이퍼(40)들은 웨이퍼의 배면을 위로 향하게 한 채로 회전 스테이지(24)의 테이블(29)들 상에 흡착 유지된다. 그런데, 각 웨이퍼(40)의 전면에는 이미 다수의 회로 패턴(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 또한 그 위에는 회로 패턴을 보호하기 위한 표면 보호 필름(11)이 부착되어 있다.
이어서, 배면 연삭 유닛(12)의 연삭 유닛(28A, 28B)이 구동되어서 각 웨이퍼(40)의 배면이 연삭된다. 연삭 유닛(28A, 28B)은 앞에서 설명한 연삭 숫돌(280)과 유사한 것으로 연삭 유닛(28A, 28B)에 대해 접선 방향으로 연삭 유체를 공급하는 연삭 유체 공급원을 구비한다. 배면을 연삭함으로써, 각 웨이퍼(40)의 두께는 의도한 두께치, 일례로 50마이크로미터까지 감소된다.
웨이퍼(40)의 배면 연삭이 완료되면 웨이퍼(40)는 로봇 암(30)에 의해서 배면 연삭 유닛(12)에서 다이싱 테이프 부착 유닛(14)으로 이송되고, 각 웨이퍼(40)의 배면에 공지의 방법으로 다이싱 테이프(32)가 부착된다. 이어서, 웨이퍼(40)의 전면에 부착된 표면 보호 필름이 공지의 방법으로 분리되고, 그리고서 각 웨이퍼(40)는 다이싱 유닛(16)으로 이송되어 소정의 크기로 다이싱된다.
도 2a는 배면 연삭 유닛(12)의 회전 스테이지(24) 상에 배치된 하나의 테이블(29)의 평면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 테이블의 측단면도이다. 테이블(29)을 주로 구성하는 것으로는 컵형 기부(21)와, 상기 기부(21)의 상면에 매립 설치된 흡착 유닛(26)이 있다. 도 2b로부터 알 수 있는 바와 같이, 흡착 유닛(26)의 상면은 기부(21)의 외주부의 상면(25)과 같은 높이를 이룬다. 기부(21)의 외경은 웨이퍼의 직경보다 크고, 흡착 유닛(26)의 외경은 웨이퍼의 직경보다 작다. 그런데, 도시된 바와 같이, 각 테이블(29)은 회전 축선(34)을 중심으로 해서 회전하도록 되어 있다.
흡착 유닛(26)은 일례로 다공질 알루미나로 형성되고, 기부(21)는 일례로 조밀 알루미나로 형성된다. 도시된 바와 같이, 진공 펌프와 같은 진공 수단(36)이 관 통로(tube path)(37)를 경유해서 기부(21)의 내부 공간(48)에 연결된다. 흡착 유닛(26)의 저면은 상기 내부 공간(48)에 노출된다. 따라서, 진공 수단(36)이 구동되면, 흡착력이 흡착 유닛(26)의 상면에 작용한다.
도 2a 및 도 2b로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따르면, 기부(21) 둘레에 차단 유닛(60)이 배치된다. 차단 유닛(60)은 기부(21)의 외경과 실질적으로 동일한 내경을 갖는 실질적으로 환형인 환형 부재로 형성된다. 또한, 차단 유닛(60)은 일례로 기부(21)와 동일한 재료로 형성된다. 선택적으로, 기부(21)는 연삭 유닛(28A, 28B)에 의해 연삭되게 구성된 또 다른 재료로도 구성될 수도 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 차단 유닛(60)은 고정 수단(65)을 차단 유닛(60)의 구멍과 그리고 기부(21)의 외주면에 형성된 요홈에 삽입시킴으로써 고정된다. 이 과정에서, 차단 유닛(60)의 상면(61)은 흡착 유닛(26)의 상면 위의 미리 결정된 거리(A0)에 위치된다.
이하에서는 측단면도인 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 본 발명에 따른 배면 연삭 유닛(12)의 작동에 대해 설명한다. 설명을 간단히 하기 위해, 진공 수단(36)과 고정 수단(65)은 도 3a 내지 도 3d에 도시하지 않았다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 차단 유닛(60)의 상면(61)은 연삭 유닛(28A)을 이용하여 연삭된다. 이 과정에서, 웨이퍼(40)는 흡착 유닛(26)에 흡착되지 않으므로, 진공 수단(36)의 작동이 개시되지 않는다. 차단 유닛(60)의 상면(61)에 대한 연삭 작동은 흡착 유닛(26)의 상면으로부터 차단 유닛(60)의 상면(61)까지의 거리가 미리 결정된 길이인 A1(여기서, A1은 양의 값)에 이를 때까지 수행된다(도 3b 참조).
이어서, 테이블(29)이 세정 유닛(27, 도 1 참조)에 의해 세정되고, 이에 따라 차단 유닛(60)의 연삭에 의해 발생한 부스러기들이 테이블(29)들로부터 배출되거나, 특히 흡착 유닛(26)으로부터 배출된다. 그 후에, 도 3c에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(40)의 배면(42)을 위로 향하게 한 채로 해서 웨이퍼(40)가 테이블(29)들의 흡착 유닛(26) 상에 배치된다. 이어서, 진공 수단(36)이 작동됨으로써 웨이퍼(40)가 흡착 유닛(26)에 흡착에 의해 유지된다. 이렇게 흡착에 의해 유지된 웨이퍼(40)에 대해서 후속하는 공정들이 실행된다.
도 3c로부터 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼(40)가 흡착 유닛(26)에 흡착에 의해 유지된 때에, 웨이퍼(40)의 배면(42)(즉, 상면)이 차단 유닛(60)의 상면(61) 위에 위치된다. 한편, 웨이퍼(40)의 전면(41)은 흡착 유닛(26)에 인접하게 위치된다. 그렇지만, 표면 보호 필름(11)이 웨이퍼(40)의 전면(41)에 부착된다는 사실에 비추어 보면, 웨이퍼(40)의 전면(41)에 형성된 회로 패턴(도시되지 않음)은 결코 흡착 유닛(26)과 직접 접촉하게 되지는 않는다.
이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이, 각 웨이퍼(40)의 배면(42)은 연삭 유닛(28B)에 의해 연삭된다. 한편, 웨이퍼(40)의 배면(42)을 연삭하는 데에 연삭 유닛(28A)이 재사용될 수도 있다. 웨이퍼 연삭기를 도시하는 부분 단면도인 도 4를 참조하면 알 수 있는 바와 같이, 연삭 작동은 웨이퍼(40)의 배면(42)과 차단 유닛(60)의 상면(61) 사이의 거리가 미리 결정된 길이인 A2에 이를 때까지 계속된다. 웨이퍼(40)의 배면(42)과 차단 유닛(60)의 상면(61) 사이의 거리가 미리 결정된 길이인 A2에 이르게 되면, 웨이퍼(40)의 배면(42)을 연삭하는 작동을 마치게 된다.
상기 미리 결정된 거리 A2는 연삭 유닛(28B)이 차단 유닛(60)의 상면(61)과 접촉하지 않게 할 정도의 크기로 작다. 배면 연삭 후의 웨이퍼(40)의 두께와 표면 보호 필름(11)의 두께의 합계치로부터 상기 미리 결정된 거리 A2를 빼면, 차단 유닛(60)을 연삭한 후의 차단 유닛(60)의 상면(61)과 흡착 유닛(26) 사이의 거리 A1을 얻을 수 있다. 배면 연삭 후의 웨이퍼(40)의 두께는 제품 사양에 따라서 미리 결정되는 것이고, 표면 보호 필름(11)의 두께도 마찬가지로 제품 사양에 따라서 미리 결정되는 것이다. 다시 말해, 거리 A1의 수치는 웨이퍼(40)의 연삭량에 따라 달 라진다. 본 발명에 따르면, 차단 유닛(60)의 상면(61)이 연삭되므로, 차단 유닛(60)의 상면(61)의 높이는 웨이퍼(40)의 배면 연삭량이 각기 다른 경우에도 쉽고도 간단하게 조정될 수 있다.
앞에서 설명한 바와 같이, 도 3d에 도시된 배면 연삭 시에, 연삭 유닛(28B)의 연삭 유체 공급원으로부터 연삭 유체가 웨이퍼(40)를 향해 공급된다(도 5 참조). 본 발명에 따르면, 차단 유닛(60)이 테이블(29)들의 주변에 배치된다. 따라서, 도 4에서 화살표(X)로 표시한 바와 같이, 연삭 유체는 웨이퍼(40)의 배면(42)이나 혹은 차단 유닛(60)의 상면(61)에 부딪친다. 구체적으로는, 본 발명에 따르면, 연삭 유체는 웨이퍼(40)와 표면 보호 필름(11) 사이의 경계면으로는 직접적으로 공급되지 않는다. 따라서, 웨이퍼(40)의 배면을 연삭할 때에, 표면 보호 필름(11)이 연삭 유체에 의해서 웨이퍼(40)로부터 분리되는 것이 방지된다.
따라서, 본 발명에 따르면, 연삭 유체는 결코 웨이퍼(40)와 표면 보호 필름(11) 사이로 유입되지 못하고, 그에 따라 전면(41) 상에 형성된 회로 패턴(도시되지 않음)이 오염되는 것이 방지된다. 또한, 표면 보호 필름(11)이 분리되지 않기 때문에, 웨이퍼(40)는 결코 흡착 유닛(26)으로부터 떨어져나가지 않게 된다. 그 결과, 웨이퍼(40)가 손상되는 위험을 피할 수 있게 된다.
도 4에서, 통로(43)들이 기부(21)의 외주부의 상면(25)으로부터 저면(23)까지 연장된다. 통로(43)들은 기부(21)의 외주 방향을 따라서 외주부의 상면(25) 상에 등거리로 형성된다. 도시된 바와 같이, 통로(43)들은 펌프(P)를 경유하여 물 탱크와 같은 물 공급원(38)에 연결된다.
본 발명에 따르면, 차단 유닛(60)이 테이블(29) 주변에 배치되고, 그에 따라 각 웨이퍼(40)의 가장자리와, 차단 유닛(60)의 내주면과, 기부(21)의 외주부의 상면(25)과의 사이에 환형 간극이 형성된다. 웨이퍼(40)의 배면이 이와 같은 환형 간극이 존재하는 상태에서 연삭되는 경우, 웨이퍼(40)의 부스러기들은 환형 간극 안에 부착된다.
이 경우, 펌프(P)가 구동되어서 물이 물 공급원(38)으로부터 외주부의 상면(25)으로 공급된다. 그 결과, 상기 환형 간극 내의 부스러기들이 물에 의해서 차단 유닛(60)으로부터 씻겨나가고, 그에 따라 환형 간극 내에 부착된 채로 있는 것이 방지된다. 그런데, 물은 충분히 작은 유량으로 공급되므로, 외주부의 상면(25)으로부터 환형 간극 안으로 공급되는 물이 웨이퍼(40)와 표면 보호 필름(11) 사이의 경계면(45)에 직접적으로 도달하지는 못한다. 그 결과, 표면 보호 필름(11)이 물 공급원(38)으로부터 공급되는 물에 의해서 분리되는 경우는 없다. 그런데, 부스러기들을 씻어내기 위해 차단 유닛(60)의 저면으로부터 차단 유닛(60)의 내주면까지 연장되는 통로(path)(도시되지 않음)를 형성할 수도 있다. 이 경우도 역시 본 발명의 범위 내에 명백하게 포함된다.
이상에서는 본 발명의 대표적인 실시예들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 당업자들에게 있어서는 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서도 본 발명을 여러 가지로 수정하거나, 생략하거나, 추가할 수 있음은 자명하다.
도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 웨이퍼 처리 장치를 개략적으로 도시하는 평면도.
도 2a는 본 발명에 따른 웨이퍼 연삭기의 테이블의 평면도.
도 2b는 도 2a에 도시된 테이블의 측단면도.
도 3a는 본 발명에 따른 웨이퍼 연삭기의 제1 측단면도.
도 3b는 본 발명에 따른 웨이퍼 연삭기의 제2 측단면도.
도 3c는 본 발명에 따른 웨이퍼 연삭기의 제3 측단면도.
도 3d는 본 발명에 따른 웨이퍼 연삭기의 제4 측단면도.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 연삭기의 부분 단면도.
도 5는 종래 기술에 따른 웨이퍼 연삭기를 보이는 개략도.
도 6은 종래 기술에 따른 웨이퍼 연삭기의 부분 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 웨이퍼 처리 장치 11: 표면 보호 필름
12: 배면 연삭 유닛 14: 다이싱 테이프 부착 유닛
16: 다이싱 유닛 20A, 20B: 웨이퍼 카세트
21: 기부 24: 회전 스테이지
26: 흡착 유닛 28A, 28B: 연삭 유닛
29: 테이블 32: 다이싱 테이프
36: 진공 수단 37: 관 통로
40: 웨이퍼 41: 전면(前面)
42: 배면 60: 차단 유닛
65: 고정 수단

Claims (6)

  1. 웨이퍼의 전면에 필름이 부착된 상태에서 웨이퍼의 배면을 위로 향하게 해서 웨이퍼를 유지하기 위한 유지 수단과,
    상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 배면을 연삭하는 연삭 수단과,
    상기 유지 수단 둘레에 배치된 차단 유닛(barrier unit)을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차단 유닛의 상면이 웨이퍼의 전면과 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 배면 사이에 위치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 차단 유닛의 상면이, 상기 연삭 수단에 의해서 연삭됨에 따라, 웨이퍼의 배면과 웨이퍼의 전면 사이에 위치하게 되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭기.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    웨이퍼를 상기 연삭 수단 내에서 연삭할 때에, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 외주부와 상기 차단 유닛과의 사이의 간극 안으로 유체를 공급하는 유 체 공급 수단도 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭기.
  5. 웨이퍼의 전면에 필름이 부착된 상태에서 웨이퍼의 배면을 위로 향하게 해서 웨이퍼를 유지하도록 구성된 유지 수단 주변에 차단 유닛을 배치하는 단계와,
    상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 배면과 웨이퍼의 전면 사이의 높이까지 차단 유닛의 상면을 연삭하는 단계와,
    웨이퍼의 배면을 위로 향하게 해서 웨이퍼를 상기 유지 수단에 의해 유지되게 하는 단계와,
    웨이퍼의 배면을 연삭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 연삭하는 단계는, 상기 유지 수단에 의해 유지된 웨이퍼의 외주부와 상기 차단 유닛과의 사이의 간극 안으로 유체를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연삭 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5149020B2 (ja) * 2008-01-23 2013-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
KR20120035033A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성전자주식회사 이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법
JP7034845B2 (ja) * 2018-06-15 2022-03-14 Towa株式会社 チャックテーブル、研削装置および研削品の製造方法
JP2023025727A (ja) * 2021-08-11 2023-02-24 株式会社ディスコ ドレッシングリング及び被加工物の研削方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US287363A (en) * 1883-10-23 Thirds to h
US232580A (en) * 1880-09-21 Thill-coupling
JPS5633835A (en) * 1979-08-29 1981-04-04 Hitachi Ltd Holding mechanism for plate shaped substance
JPH0319758A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Toshiba Corp 研削方法
JPH05206091A (ja) * 1992-01-30 1993-08-13 Hitachi Ltd ウェハ研磨装置
JP3253817B2 (ja) * 1995-02-13 2002-02-04 株式会社東芝 半導体製造装置、研削装置及び半導体装置の製造方法
US5632667A (en) 1995-06-29 1997-05-27 Delco Electronics Corporation No coat backside wafer grinding process
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
JPH10156679A (ja) 1996-12-03 1998-06-16 Sony Corp ウエハ裏面の研削装置及びウエハ裏面の研削方法
JP3259251B2 (ja) 1998-04-27 2002-02-25 株式会社東京精密 ウェーハの平面加工装置及びその平面加工方法
JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
JP2000127025A (ja) * 1998-10-23 2000-05-09 Toshiba Corp ポリッシング装置及び研磨加工方法
US6652357B1 (en) * 2000-09-22 2003-11-25 Lam Research Corporation Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing
JP2003092276A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Nikon Corp 加工装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およぴこの方法により製造される半導体デバイス。
JP2004022899A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 薄シリコンウエーハの加工方法
JP4732736B2 (ja) * 2004-11-08 2011-07-27 株式会社岡本工作機械製作所 デバイスウエハの真空チャックシステムおよびそれを用いてデバイスウエハ裏面を研磨する方法
DE102006026467B4 (de) 2006-06-07 2018-06-28 Texas Instruments Deutschland Gmbh Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers
US7654888B2 (en) * 2006-11-22 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Carrier head with retaining ring and carrier ring

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