KR20080111035A - 배위자 및 그의 제조 방법, 및 상기 배위자를 이용한 촉매 - Google Patents

배위자 및 그의 제조 방법, 및 상기 배위자를 이용한 촉매 Download PDF

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모또무 가나이
이꾸오 후지모리
겐조 야마쯔구
신 가미조
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도꾜 다이가꾸
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Abstract

본 발명은 단공정 또한 저비용으로 합성할 수 있고, 또한 종래의 당류래 배위자보다도 높은 촉매 활성 및 에난티오 선택성을 발현할 수 있는 신규 비대칭 배위자 및 그의 제조 방법, 및 상기 신규 배위자를 이용하는 촉매를 제공한다. 본 발명은 하기 화학식 I 등(R1 및 R2는 각각 독립적으로 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자를 제공한다.
Figure 112008069480368-PCT00067
배위자, 촉매, 에난티오 선택성, 비대칭 배위자

Description

배위자 및 그의 제조 방법, 및 상기 배위자를 이용한 촉매{LIGAND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND CATALYST USING THE LIGAND}
본 발명은 신규 배위자 및 그의 제조 방법, 및 상기 배위자를 이용한 촉매에 관한 것이다.
본 발명자들, 또는 본 발명자 중의 일부의 발명자(들), 또는 본 발명자들을 일부에 포함하는 발명자 등은, 당을 모핵으로 하는 다양한 비대칭 배위자 및 그것을 이용한 촉매를 개발하고(특허 문헌 1 등을 참조할 것), 케톤이나 케토이민에 대한 촉매적 비대칭 시아노화, α,β-불포화카르복실산 유도체에 대한 시아노기의 촉매적 비대칭 공액 부가 반응, 아지리딘의 시아노기에 의한 촉매적 비대칭 개환 반응 등, 다양한 촉매적 비대칭 반응을 촉진할 수 있는 것을 발견하였다.
특허 문헌 1: 특허 제3671209호 공보.
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
그러나, 이들 당을 모핵으로 하는 비대칭 배위자(이하, 단순히 「당 유래 배위자」라고 약기하는 경우가 있음)는 그 합성에 다단계를 요하기 때문에 단가 상승이 되는 결점이 있었다.
또한, 보다 높은 촉매 활성을 갖고, 보다 높은 에난티오 선택성을 갖는 촉매에 대한 필요성도 여전히 존재한다.
따라서, 본 발명의 목적은 단공정 또한 저비용으로 합성할 수 있는 신규 비대칭 배위자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것 및 상기 신규 배위자를 이용하는 촉매를 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 상기 목적 이외에, 또는 상기 목적에 추가로, 종래의 당 유래 배위자보다도 높은 촉매 활성 및 에난티오 선택성을 발현할 수 있는 신규 비대칭 배위자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것 및 상기 신규 배위자를 이용하는 촉매를 제공하는 데에 있다.
특히, 본 발명의 목적은 광학 활성 베타아미노산 합성에 유용한, 아지리딘의 시아노기에서의 촉매적 비대칭 개환 반응에 있어서, 당 유래 배위자보다도 우수한 기능, 예를 들면 높은 촉매 활성 및 에난티오 선택성을 발현하는 신규 비대칭 배위자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것, 및 상기 신규 배위자를 이용하는 촉매를 제공하는 데에 있다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명자들은 이하의 발명에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.
<1> 화학식 I(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자.
Figure 112008069480368-PCT00001
<2> 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자.
Figure 112008069480368-PCT00002
<3> 화학식 Ib(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자.
Figure 112008069480368-PCT00003
<4> 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<5> 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
<6> 상기 <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<7> a) 화학식 II(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄 상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디페닐포스핀, 디아릴포스핀 또는 디아릴아민의 금속염과 반응시키는 공정;
b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음이온과 반응시켜, R3을 수소로 하는 공정
을 포함하는, 화학식 II로 표시되는 화합물로부터 화학식 I(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
Figure 112008069480368-PCT00004
<8> 상기 <7>에 있어서, 화학식 II로 표시되는 화합물은,
c) 화학식 III(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 디에틸디아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 화학식 IV(식 중, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의임)로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 것이 좋다.
Figure 112008069480368-PCT00005
<9> 상기 <8>에 있어서, 화학식 III으로 표시되는 화합물은,
d) 화학식 V(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 것이 좋다.
Figure 112008069480368-PCT00006
<10> a) 화학식 IIa(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디페닐포스핀, 디아릴포스핀 또는 디아릴아민의 금속염과 반응시키는 공정;
b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음이온과 반응시켜, R3을 수소로 하는 공정
을 포함하는, 화학식 IIa로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
Figure 112008069480368-PCT00007
<11> 상기 <10>에 있어서, 화학식 IIa로 표시되는 화합물은,
c) 화학식 IIIa(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 디에틸아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 화학식 IV(식 중, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의임)로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 것이 좋다.
Figure 112008069480368-PCT00008
<12> 상기 <11>에 있어서, 화학식 IIIa로 표시되는 화합물은,
d) 화학식 Va(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 것이 좋다.
Figure 112008069480368-PCT00009
<13> a) 화학식 IIb(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디페닐포스핀, 디아릴포스핀 또는 디아릴아민의 금속염과 반응시키는 공정;
b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음이온과 반응시켜, R3을 수소로 하는 공정;
을 포함하는, 화학식 IIb로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ib(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
Figure 112008069480368-PCT00010
<14> 상기 <13>에 있어서, 화학식 IIb로 표시되는 화합물은,
c) 화학식 IIIb(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 디에틸아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또 는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 화학식 IV(식 중, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의임)로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 것이 좋다.
Figure 112008069480368-PCT00011
<15> 상기 <14>에 있어서, 화학식 IIIb로 표시되는 화합물이,
d) 화학식 Vb(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 청구범위 제6항에 기재된 방법.
Figure 112008069480368-PCT00012
<16> 상기 <7> 내지 <15> 중 어느 하나에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<17> 상기 <7> 내지 <16> 중 어느 하나에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바 람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
<18> 상기 <7> 내지 <17> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<19> 상기 <7> 내지 <18> 중 어느 하나에 있어서, R3은 메틸기인 것이 좋다.
<20> g) 화학식 II(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 화학식 VII(화학식 VII 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
h) 상기 화학식 VII을 BH3 테트라히드로푸란 착체, BH3 디메틸술피드 착체, 또는 LiAlH4와 반응시켜 화학식 VIII(화학식 VIII 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
j) 상기 화학식 VIII로 표시되는 화합물을 p-톨루엔술포닐클로라이드와 반응시켜 화학식 IX(화학식 IX 중, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타내고, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
k) 상기 화학식 IX로 표시되는 화합물을, 포타슘디페닐포스파이드와 반응시키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜 화학식 X(화학식 X 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
l) 상기 화학식 X로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
을 포함하는, 화학식 II로 표시되는 화합물로부터 화학식 I(화학식 I 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
Figure 112008069480368-PCT00013
<21> g) 화학식 IIa(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독 립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 화학식 VIIa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
h) 상기 화학식 VIIa를 BH3 테트라히드로푸란 착체, BH3 디메틸술피드 착체, 또는 LiAlH4와 반응시켜 화학식 VIIIa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
j) 상기 화학식 VIIIa로 표시되는 화합물을 p-톨루엔술포닐클로라이드와 반응시켜서 화학식 IXa(식 중, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타내고, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)으로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
k) 상기 화학식 IXa로 표시되는 화합물을 포타슘디페닐포스파이드와 반응시키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜 화학식 Xa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기 와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
l) 상기 화학식 Xa로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
을 포함하는, 화학식 IIa로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
Figure 112008069480368-PCT00014
<22> g) 화학식 IIb(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세 틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 화학식 VIIb(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
h) 상기 화학식 VIIb를 BH3 테트라히드로푸란 착체, BH3 디메틸술피드 착체, 또는 LiAlH4와 반응시켜 화학식 VIIIb(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
j) 상기 화학식 VIIIb로 표시되는 화합물을, p-톨루엔술포닐클로라이드와 반응시켜 화학식 IXb(식 중, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타내고, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
k) 상기 화학식 IXb로 표시되는 화합물을, 포타슘디페닐포스파이드와 반응시키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜 화학식 Xb(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
l) 상기 화학식 Xb로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
을 포함하는, 화학식 IIb로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ib(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
Figure 112008069480368-PCT00015
<23> 상기 <20> 내지 <22> 중 어느 하나에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<24> 상기 <20> 내지 <23> 중 어느 하나에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
<25> 상기 <20> 내지 <24> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<26> 상기 <20> 내지 <25> 중 어느 하나에 있어서, R3은 메틸기인 것이 좋다.
<27> A) Mx(OR4)y 또는 Mx'(NR5)y'(M은 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 갈륨, 바륨 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 금속이고, R4 및 R5는, 각각 독립적으로, 탄소수가 2 내지 6인, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 트리알킬실릴기이고, x 및 y와 x' 및 y'는 금속 M에 의해 화학 양론적으로 정해지는 정수임)로 표시되는 금속 알콕시드 또는 금속 아미드; 및
B) 화학식 I(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자
로 형성되는 촉매.
<화학식 I>
Figure 112008069480368-PCT00016
<28> 상기 <27>에 있어서, B) 배위자가 하기 화학식 Ia로 표시되는 것이 좋다.
<화학식 Ia>
Figure 112008069480368-PCT00017
<29> 상기 <27>에 있어서, B) 배위자가 하기 화학식 Ib로 표시되는 것이 좋다.
<화학식 Ib>
Figure 112008069480368-PCT00018
<30> 상기 <27> 내지 <29> 중 어느 하나에 있어서, A) 금속 알콕시드 또는 금속 아미드와 B) 배위자의 몰비가 1:1 내지 1:4, 바람직하게는 1:1 내지 1:2인 것이 좋다.
<31> 상기 <27> 내지 <30> 중 어느 하나에 있어서, 희토류 금속이 이테르븀, 이트륨, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 사마륨, 유로피움, 가돌리늄, 디스프로슘, 홀뮴 또는 에르븀인 것이 좋다.
<32> 상기 <27> 내지 <31> 중 어느 하나에 있어서, 트리알킬실릴기의 알킬이, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬인 것이 좋다.
<33> 상기 <27> 내지 <32> 중 어느 하나에 있어서, A)의 금속 알콕시드 또는 금속 아미드가, 가돌리늄트리이소프로폭시드, 이트륨트리이소프로폭시드, 트리스-[N,N-비스(트리메틸실릴)아미드]가돌리늄(III), 트리스-[N,N-비스(트리메틸실릴)아 미드]이트륨(III) 또는 바륨디이소프로폭시드인 것이 좋다.
<34> 상기 <27> 내지 <33> 중 어느 하나에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<35> 상기 <27> 내지 <34> 중 어느 하나에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
<36> 상기 <27> 내지 <35> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 내지 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<C1> 상기 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자.
<C2> 상기 <C1>에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<C3> 상기 <C1> 또는 <C2>에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바람직하게는 2 또는 3의 정수인 것이 좋다.
<C4> 상기 <C1> 내지 <C3> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수 소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<C5> a) 화학식 IIa(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디페닐포스핀의 금속염, 디아릴포스핀의 금속염 또는 디아릴아민의 금속염과 반응시키는 공정;
b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음이온(예를 들면, 테트라부틸암모늄플루오라이드 유래의 불소 음이온)과 반응시켜, R3을 수소로 하는 공정;
을 포함하는, 상기 화학식 IIa로 표시되는 화합물로부터 상기 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
<C6> 상기 <C5>에 있어서, 화학식 IIa로 표시되는 화합물은,
c) 상기 화학식 IIIa(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 디에틸아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 화학식 IV(식 중, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의임)로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 것이 좋다.
<C7> 상기 <C6>에 있어서, 화학식 IIIa로 표시되는 화합물은,
d) 화학식 Va(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산(예를 들면, 3-클로로과벤조산, 과벤조산, 과아세트산 또는 과산화수소 등이고, 특히 3-클로로과벤조산인 것이 바람직함)과 반응시키는 공정에 의해 얻어지는 것이 좋다.
<C8> 상기 <C5> 내지 <C7> 중 어느 하나에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<C9> 상기 <C5> 내지 <C8> 중 어느 하나에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
<C10> 상기 <C5> 내지 <C9> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<C11> 상기 <C5> 내지 <C9> 중 어느 하나에 있어서, R3은, 메틸기인 것이 좋 다.
<C12> g) 화학식 IIa(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 화학식 VIIa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
h) 상기 화학식 VIIa를 BH3과 반응시켜서 화학식 VIIIa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
j) 화학식 VIIIa로 표시되는 화합물을, p-톨루엔술포닐클로라이드와 반응시켜 화학식 IXa(식 중, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타내고, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
k) 화학식 IXa로 표시되는 화합물을, 포타슘디페닐포스파이드와 반응시키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜 화학식 Xa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
l) 화학식 Xa로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
을 포함하는, 화학식 IIa로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
<C13> 상기 <C12>에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<C14> 상기 <C12> 또는 <C13> 중 어느 하나에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
<C15> 상기 <C12> 내지 <C14> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<C16> 상기 <C12> 내지 <C15> 중 어느 하나에 있어서, R3은, 메틸기인 것이 좋다.
<C17> A) Mx(OR4)y 또는 Mx'(NR5)y'(M은 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 갈륨 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 금속이고, R4 및 R5는, 각각 독립적으로, 탄소수가 2 내지 6인, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상 알킬 기, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 트리알킬실릴기이고, x 및 y 및 x' 및 y'는 상기 금속 M에 의해 화학 양론적으로 정해지는 정수임)로 표시되는 금속 알콕시드 또는 금속 아미드; 및
B) 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자;
로 형성되는 촉매.
<C18> 상기 <C17>에 있어서, A) 금속 알콕시드 또는 금속 아미드와 B) 배위자의 몰비가 1:1 내지 1:4, 바람직하게는 1:1 내지 1:2인 것이 좋다.
<C19> 상기 <C17> 또는 <C18>에 있어서, 희토류 금속이 이테르븀, 이트륨, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 사마륨, 유로피움, 가돌리늄, 디스프로슘, 홀뮴 또는 에르븀인 것이 좋다.
<C20> 상기 <C17> 내지 <C19> 중 어느 하나에 있어서, 트리알킬실릴기의 알킬이, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬인 것이 좋다.
<C21> 상기 <C17> 내지 <C20> 중 어느 하나에 있어서, A)의 금속 알콕시드 또는 금속 아미드가, 가돌리늄트리이소프로폭시드, 이트륨트리이소프로폭시드, 트리스-[N,N-비스(트리메틸실릴)아미드]가돌리늄(III) 또는 트리스-[N,N-비스(트리메 틸실릴)아미드]이트륨(III)인 것이 좋다.
<C22> 상기 <C17> 내지 <C21> 중 어느 하나에 있어서, n이 0 또는 1의 정수, 바람직하게는 0인 것이 좋다.
<C23> 상기 <C17> 내지 <C22> 중 어느 하나에 있어서, m이 2 내지 4의 정수, 바람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
<C24> 상기 <C17> 내지 <C23> 중 어느 하나에 있어서, A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3이 불소인 것이 좋다.
<발명의 효과>
본 발명에 의해, 단공정 또한 저비용으로 합성할 수 있는 신규 비대칭 배위자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것, 및 상기 신규 배위자를 이용하는 촉매를 제공하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의해, 상기 효과 이외에, 또는 상기 효과에 추가로, 종래의 당 유래 배위자보다도 높은 촉매 활성 및 에난티오 선택성을 발현할 수 있는 신규 비대칭 배위자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것, 및 상기 신규 배위자를 이용하는 촉매를 제공하는 것이 가능하다.
특히, 본 발명에 의해, 광학 활성 베타아미노산 합성에 유용한 아지리딘의 시아노기에서의 촉매적 비대칭 개환 반응에 있어서, 당 유래 배위자보다도 우수한 기능, 예를 들면 높은 촉매 활성 및 에난티오 선택성을 발현하는 신규 비대칭 배위 자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것, 및 상기 신규 배위자를 이용하는 촉매를 제공하는 것이 가능하다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 신규 비대칭 배위자를 제공한다.
<비대칭 배위자>
본 발명의 배위자는, 하기 화학식 I, 또는 Ia 또는 Ib(이하, 화학식 I, Ia 및 Ib를 단순히 「화학식 I 등」이라고 약기하는 경우가 있음)로 표시할 수 있다. 식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것이다.
화학식 I 등으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 배위자는 모핵이 당 유래인 종래의 배위자(예를 들면, 일본 특허 제3671209호 공보를 참조할 것)와는 다르다. 본 발명의 배위자는 종래의 배위자와 그 구성이 다르기 때문에, 후술한 바와 같은 기능을 가질 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 배위자는 상기 배위자를 이용한 촉매가 고 촉매 활성을 가지고/거나 고에난티오 선택성을 가질 수 있다.
Figure 112008069480368-PCT00019
n은 바람직하게는 0 또는 1의 정수이고, 보다 바람직하게는 0인 것이 좋다.
m은 바람직하게는 2 내지 4의 정수, 보다 바람직하게는 2 또는 3인 것이 좋다.
X는 바람직하게는 P 또는 N인 것이 좋고, 보다 바람직하게는 P인 것이 좋다.
A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 것이 좋고, 바람직하게는 A1 및 A4가 수소이고, A2 및 A3가 불소인 것이 좋다.
<비대칭 배위자의 제조 방법>
본 발명의 비대칭 배위자는 이하와 같이 제조할 수 있다.
즉, 상기 화학식 II 등(여기서, 「화학식 II 등」이란, 화학식 II, IIa 또는 IIb를 의미하고, 이후, 단순히 「화학식 n 등」이라고 약기하는 경우가 있음)로 표시되는 화합물로부터 화학식 I 등으로 표시되는 배위자를 제조할 수가 있고, 상기 방법은,
a) 화학식 II 등으로 표시되는 화합물을 디페닐포스핀의 금속염, 디아릴포스핀의 금속염 또는 디아릴아민의 금속염과 반응시키는 공정;
b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음이온(예를 들면, 테트라부틸암모늄플루오라이드 유래의 불소 음이온)과 반응시켜 R3을 수소로 하는 공정
을 갖는다.
여기서, 화학식 II 등에 있어서, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이다. R3은 바람직하게는 메틸기 또는 벤질기, 보다 바람직하게는 메틸기인 것이 좋다. 한편, 화학식 II 등에 있어서, m 및 A1 내지 A4는 전술과 동의이다.
상기 a) 공정은 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, 테트라히드로푸란(이하, 「THF」라고 약기함), 에테르, 디옥산 등의 용매를 이용하여, -78 ℃ 내지 50 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 b) 공정은 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, THF, 에테르, 디옥산 등의 용매를 이용하여 -20 ℃ 내지 20 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 b') 공정은 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만 THF, 에테르, 디옥산, 염화메틸렌, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 등의 용매를 이용하여-78 ℃ 내지 50 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
a) 공정 및 b) 공정(및 b' 공정)을 갖는 이 제조 방법은, 화학식 I에서 n=0인 것을 얻는 경우에 바람직하고, 또한 공정이 적은 점에서 바람직하다.
또한, 화학식 II 등으로 표시되는 화합물은 다음과 같이 제조할 수 있다.
즉, c) 상기 화학식 III 등(여기서, 「화학식 III 등」이란, 화학식 III, IIIa 또는 IIIb를 의미하고, 이후, 단순히 「화학식 III 등」이라고 약기하는 경우가 있음)로 표시되는 화합물을, 디에틸아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 바람직 하게는 디이소프로필아조디카르복실레이트의 존재 하에서, 화학식 IV로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정을 갖는 것에 의해, 화학식 II 등으로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다. 한편, 화학식 III 등 및 IV에서, m, R3 및 A1 내지 A4는 전술과 동의이다.
상기 c) 공정은 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, THF, 에테르, 디옥산 등의 용매를 이용하여 0 ℃ 내지 50 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
또한, 화학식 III 등으로 표시되는 화합물은 다음과 같이 제조할 수 있다.
즉, d) 상기 화학식 V 등(여기서, 「화학식 V 등」이란, 화학식 V, Va 또는 Vb를 의미하고, 이후, 단순히 「화학식 V 등」이라고 약기하는 경우가 있음)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산(예를 들면, 3-클로로과벤조산, 과벤조산, 과아세트산 또는 과산화수소 등이고, 특히 3-클로로과벤조산인 것이 바람직함)과 반응시키는 공정을 갖는 것에 의해, 화학식 III 등으로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다. 한편, 화학식 V 등에 있어서, m은 전술과 동의이다.
상기 d) 공정은 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, 염화메틸렌, 클로로포름, t, 에테르, 디옥산 등의 용매를 이용하여, -20 ℃ 내지 20 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 배위자는, 상기 화학식 II 등으로 표시되는 화합물로부터, 전술과는 다른 루트에 의해 제조할 수도 있다.
즉, g) 상기 화학식 II 등으로 표시되는 화합물을 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 상기 화학식 VII 등(여기서, 「화학식 VII 등」이란, 화학식 VII, VIIa 또는 VIIb를 의미하고, 이후, 단순히 「화학식 VII 등」이라고 약기하는 경우가 있음)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
h) 화학식 VII 등을 BH3 테트라히드로푸란 착체, BH3 디메틸술피드 착체, 또는 LiAlH4와 반응시켜 상기 화학식 VIII 등(여기서, 「화학식 VIII 등」이란, 화학식 VIII, VIIIa 또는 VIIIb를 의미하고, 이후, 단순히 「화학식 VIII 등」이라고 약기하는 경우가 있음)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
j) 화학식 VIII 등으로 표시되는 화합물을, p-톨루엔술포닐클로라이드와 반응시켜 상기 화학식 IX 등(여기서, 「화학식 IX 등」이란, 화학식 IX, IXa 또는 IXb를 의미하고, 이후, 단순히 「화학식 IX 등」이라고 약기하는 경우가 있음)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
k) 화학식 IX 등으로 표시되는 화합물을, 포타슘디페닐포스파이드와 반응시키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜 상기 화학식 X 등(여기서, 「화학식 X 등」이란, 화학식 X, Xa 또는 Xb를 의미하고, 이후, 단순히 「화학식 X 등」이라고 약기하는 경우가 있음)으로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
l) 화학식 X 등으로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
을 갖는 것에 의해, 화학식 I 등으로 표시되는 배위자를 얻을 수 있다.
한편, 화학식 VII 등, VIII 등, IX 등 및 X 등에 있어서, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의이다. 또한, 화학식 IX 등에 있어서, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타낸다.
상기 g) 공정은, 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, THF, 에테르, 디옥산, 톨루엔 등의 용매를 이용하여 -20 ℃ 내지 100 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
상기 h) 공정은, 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, THF, 에테르, 디옥산, 톨루엔 등의 용매를 이용하여 -20 ℃ 내지 20 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
상기 j) 공정은, 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, 염화메틸렌, 피리딘 등의 용매를 이용하여 -78 ℃ 내지 50 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
상기 k) 공정은, 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, THF, 에테르, 디옥산, 톨루엔 등의 용매를 이용하여 -78 ℃ 내지 50 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
상기 l) 공정은, 이용하는 화합물 등에 의해 의존하지만, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 등의 용매를 이용하여, -78 ℃ 내지 200 ℃ 등의 조건 하 등에서 행하는 것이 바람직하다.
<촉매>
본 발명은 상기 비대칭 배위자를 이용하는 촉매를 제공한다.
본 발명의 촉매는 A) Mx(OR4)y 또는 Mx'(NR5)y'로 표시되는 금속 알콕시드 또는 금속 아미드; 및 B) 상기 화학식 I로 표시되는 배위자로 형성된다.
여기서, M은 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 갈륨, 바륨 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 금속이다. R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수가 2 내지 6인, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 트리알킬실릴기이고, x 및 y 및 x' 및 y'는 금속 M에 의해 화학양론적으로 정해지는 정수이다. 한편, 트리알킬실릴기의 알킬은 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬인 것이 좋다.
M 중, 희토류 금속으로서, 이테르븀, 이트륨, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 사마륨, 유로피움, 가돌리늄, 디스프로슘, 홀뮴 또는 에르븀인 것이 좋다. M은 특히 가돌리늄, 이트륨인 것이 바람직하다.
A)의 금속 알콕시드 또는 금속 아미드가 가돌리늄트리이소프로폭시드, 이트륨트리이소프로폭시드, 트리스-[N,N-비스(트리메틸실릴)아미드]가돌리늄(III) 또는 트리스-[N,N-비스(트리메틸실릴)아미드]이트륨(III)인 것이 좋다. 또한, A)의 금속 알콕시드 또는 금속 아미드는 바륨디이소프로폭시드인 것이 좋다.
여기서, 「~로 형성된다」란, i) A 성분 및 B 성분의 쌍방이 촉매로서 작용하는 경우, ii) A 성분의 OR4 또는 NR5가 B 성분의 배위자로 일부 또는 전부가 치환 되어 촉매로서 작용하는 경우, iii) 상기 i) 및 ii)의 쌍방의 상태가 존재하고 그것이 촉매로서 작용하는 경우의 모두를 포함하는 상태를 의미한다.
A) 금속 알콕시드 또는 금속 아미드와 B) 배위자는, A:B의 몰비가 1:1 내지 1:4, 바람직하게는 1:1 내지 1:2인 것이 좋다.
이러한 촉매는 다음과 같이 제조할 수 있다. 즉, A 성분과 B 성분이 상술한 몰비가 되도록 THF 또는 프로피오니트릴 속에서 혼합하여 실온으로부터 80 ℃에서 반응시킴으로써 제조할 수 있다.
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 본 실시예에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도 1은 이후의 실시예를 개략화한 도면이다.
실시예 1
Figure 112008069480368-PCT00020
광학 활성 알릴알코올(Lussem, B. J.; Gais, H.-J. J. Am. Chem. Soc.2003,1 25,6066 참조, 100 mg, 0.968 mmol)를 염화메틸렌(10 mL)과 인산 완충액(2 mL)에 녹이고, 빙냉 하에서, 3-클로로과벤조산(0.34 g, 0.968 mmol)을 가하였다. 1시간 교반후, 황산나트륨을 가하고, 반응액을 직접 알루미나 칼럼 크로마토그래피(용출 용매=염화메틸렌→아세트산에틸)로 정제함으로써, 목적물의 에폭시알코올을 얻었다(0.34 g, 수율 91％).
Figure 112008069480368-PCT00021
실시예 2
Figure 112008069480368-PCT00022
트리페닐포스핀(1.12 g, 4.27 mmol)과 모노메틸디플루오로카테콜(684 mg, 4.27 mmol)의 테트라히드로푸란(이하, 단순히 「THF」라고 약기) 용액(5 mL)에, 디이소프로필아조디카르복실레이트(DIAD)(840 mL, 4.27 mmol)과 에폭시알코올(325 mg, 2.85 mmol)의 THF 용액(1 mL)을 빙냉으로 가하였다. 실온에서 18시간 반응한 후, 아세트산에틸로 희석하고, 유기층을 물과 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 황산나트륨으로 건조한 후, 여과, 농축하고, 생성된 조생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 생성함으로써(아세트산에틸:헥산=1:5), 목적물 에폭시에테르를 얻었다(649 mg, 수율 89％).
Figure 112008069480368-PCT00023
실시예 3
Figure 112008069480368-PCT00024
에폭시에테르(1.50 g, 5.85 mmol)를 THF(20 mL)에 녹이고, -78 ℃에서 디페닐포스핀(3 mL, 17.6 mmol)과 BuLi(헥산 중 1.6 M, 10 mL, 17.6 mmol)을 첨가하여 20분 반응시켰다. 그 후 실온에서 15시간 교반한 후, 포화 염화암모늄 수용액을 가하였다. 이것을 빙냉하고, 과산화수소수(5 mL)를 첨가하여 30 분 교반한 후, 포화 티오황산나트륨 수용액을 가하였다. 생성물을 아세트산에틸로 추출한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 생긴 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 수행하여(아세트산에틸:헥산=1:1→2:1), 목적물 포스핀옥사이드를 얻었다(2.29 g, 수율 88 ％). 얻어진 결정을 이소프로필알코올로부터 재결정함으로써, 광학 순도 100％의 비대칭 배위자를 얻었다. 배위자의 광학 순도는 광학 활성 HPLC로 확인하였다(다이셀, 키랄셀(CHIRALCEL)-ODH, 이소프로필알코올:헥산=1:9, 유속 1.0 mL/분, tR=6.8 분(소량: 관측하지 않음), 9.5 분(다량)).
Figure 112008069480368-PCT00025
실시예 4
Figure 112008069480368-PCT00026
에폭시에테르(100 mg, 0.390 mmol)를 디에틸에테르(3.9 mL)에 녹이고, 0 ℃에서 디에틸알루미늄시아니드(톨루엔 중 1.0 M, 470 mL, 0.585 mmol)를 첨가하고 3시간 반응시킨 후, 포화 염화나트륨 수용액을 가하였다. 또한 포화 로셸염 수용액을 가하여 1시간 교반하였다. 생성물을 아세트산에틸로 추출한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 생긴 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 수행하여(아세트산에틸:헥산=5:2), 목적물 시아노히드린을 얻었다(80 mg, 수율 73％).
Figure 112008069480368-PCT00027
실시예 5
Figure 112008069480368-PCT00028
시아노히드린(196 mg, 0.691 mmol)을 디메톡시에탄(15 mL)에 녹이고, 12 N 염산(15 mL)을 가하여 85 ℃에서 24시간 반응시켰다. 생성물을 아세트산에틸로 추 출한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 생긴 생성물을 3 N 수산화나트륨 수용액(1 mL)에 녹이고, 디에틸에테르로 세정하였다. 또한 1 N 염산을 가한 후, 아세트산에틸로 추출하고, 유기층을 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 목적물 히드록시카르복실산을 얻었다(374 mg, 수율 quant).
Figure 112008069480368-PCT00029
실시예 6
Figure 112008069480368-PCT00030
히드록시카르복실산(295 mg, 0.976 mmol)을 THF(5 mL)에 녹이고, 실온에서 보란테트라히드로푸란 착체(THF 중 1.17 M) 3.34 mL, 3.90 mmol)을 첨가하여 2시간 반응시켰다. 그 후, 1 N 염산을 가한 후, 포화 중조수를 가하였다. 생성물을 아세트산에틸로 추출한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정하고, 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 생긴 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 수행하여(아세트산에틸:헥산=2:3), 목적물 디올을 얻었다(281 mg, 수율 quant). 얻어진 결정을 염화메틸렌과 헥산으로부터 재결정함으로써, 광학 순도 100％의 디올을 얻었다. 디올체 의 광학 순도는 광학 활성 HPLC로 확인하였다(다이셀, 키랄셀-ADH, 이소프로필알코올:헥산=1:9, 유속 1.0 mL/분, tR=12.2 분(다량), 14.9 분(소량: 관측하지 않음)).
Figure 112008069480368-PCT00031
실시예 7
Figure 112008069480368-PCT00032
디올(38 mg, 0.132 mmol)을 염화메틸렌(1.3 mL)에 녹이고, 트리에틸아민(37 mL), N,N-디메틸아미노피리딘, 토실클로라이드를 첨가하여 실온에서 6 시간 반응시켰다. 1 N 염산을 가한 후, 생성물을 아세트산에틸로 추출한 후, 유기층을 포화 중조수, 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 목적물 토실레이트를 얻었다(58 mg, 수율 quant).
Figure 112008069480368-PCT00033
실시예 8
Figure 112008069480368-PCT00034
토실레이트(86.3 mg, 0.195 mmol)를 THF(1 mL)에 녹이고, 빙영하에서 포타슘디페닐포스파이드(THF 중 0.5 M, 858 mL, 0.429 mmol)을 가하여 15분 반응시켰다. 그 후, 과산화수소수(5 mL)를 가하여 30 분 교반한 후, 포화 티오황산나트륨 수용액을 가하였다. 생성물을 아세트산에틸로 추출한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 유기층을 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 조생성물을 얻었다.
얻어진 조생성물을 DMF(1 mL)에 녹이고, 요오드화리튬(157 mg, 1.17 mmol)을 가하여 160 ℃에서 19시간 반응시켰다. 물을 가한 후, 생성물을 아세트산에틸로 추출하였다. 유기층을 포화 식염수로 세정한 후, 황산나트륨 건조, 여과, 농축하여, 목적물 포스핀옥사이드를 얻었다(74.1 mg, 수율 81％).
Figure 112008069480368-PCT00035
실시예 9
Figure 112008069480368-PCT00036
<아지리딘 개환 반응>
실시예 3에서 얻어진 비대칭 배위자(하기 표 1 중, 「리간드」의 「4」로 표되고, 상기 화학식 중에는 단순히 「리간드」로 나타남)(13.3 mg, 0.03 mmol)를 THF 0.6 mL에 용해하고, Gd(OiPr)3(THF 중 0.2 M, 100 μL, 0.02 mmol)을 실온에서 가하고, 54 ℃에서 1시간 교반하였다. 용매를 증류 제거하고, 잔사를 진공 펌프로 감압 하에서 2시간 건조시켰다. 여기에 원료 아지리딘 18a(246 mg, 1.0 mmol), 2,6-디메틸페놀(122 mg, 1.0 mmol), THF 5 mL을 가하고, 이어서 TMSCN 40 μL (0.30 mmol)을 실온에서 가하였다. 13시간 반응을 행한 후에, 물과 아세트산에틸을 가하여 반응을 정지시켰다. 생성물을 아세트산에틸로 추출하고, 모은 유기층을 황산나트륨으로 건조, 여과, 용매 증류 제거를 행하고, 얻어진 조생성물을 실리카 겔 칼럼(헥산:아세트산에틸=3:1 내지 3:2)로 정제함으로써, 아지리딘 개환체 19a를 99％ 수율로 얻었다(269 mg, 0.99 mmol). 광학 활성 HPLC 분석[키랄팩(Chiralpak) AD-H, 2-프로판올/헥산 1/9, 유속 1.0 mL/분, 254 nm에서 탐지): tR 18.4 분(다량) 및 20.9 분(소량)]으로부터 광학 순도를 98％ee로 결정하였다. 한편, 실시예 9는, 하기 표 1에 있어서, 번호 「1」로 나타낸다.
Figure 112008069480368-PCT00037
Figure 112008069480368-PCT00038
(실시예 10 내지 19)
상기 실시예 9에 있어서의 배위자 대신에, 하기 표 1에 있어서「5」로 표시되는 배위자를 이용하거나, 및/또는 상기 실시예 9에 있어서의 원료 아지리딘 18a 대신에, 18b 내지 18i를 이용하여, 실시예 9와 동일하게, 아지리딘 개환 반응을 행하였다. 이 결과를, 하기 표 1에 나타내었다. 한편, 실시예 10 내지 19는 각각, 번호 「2」, 「4」, 「6」, 「8」, 「10」, 「11」, 「13」, 「15」, 「17」 및 「19」로 나타낸다.
(비교예 1 내지 9)
상기 실시예 9에 있어서의 배위자 대신에, 당 유래의 종래의 배위자(하기 표 1에 있어서「1」로 표시되는 배위자)를 이용하여, 실시예 9와 동일하게, 원료 아지리딘 18a를 이용하여 개환 반응을 행하였다. 그 결과를, 표 1의 번호 「3」에 나타내었다.
또한, 상기 비교예 1에 있어서, 원료 아지리딘 18a 대신에, 18b 내지 18i를 이용하여, 비교예 1과 동일하게, 아지리딘 개환 반응을 행하였다. 이 결과를, 하기 표 1에 나타내었다. 한편, 비교예 2 내지 9는 각각, 번호 「5」, 「7」, 「9 」, 「12」, 「14」, 「16」, 「18」 및 「20」으로 나타낸다.
원료가 동일한 것을 이용한 실시예와 비교예를 비교하면, 실시예의 광학 순도(표 1 중, 「ee(％)」으로 표시되는 값)이 비교예의 그것과 비교하여, 높은 것을 알 수 있다. 이들 것부터, 본 발명의 배위자를 이용한 경우, 종래의 당 유래 배위자와 비교하여, 높은 광학 순도로 생성물을 얻을 수 있는 것을 알았다.
Figure 112008069480368-PCT00039
(실시예 20)
<시아노마이클 부가 반응>
Figure 112008069480368-PCT00040
실시예 3에서 얻어진 비대칭 배위자(표 1 중, 「리간드」의 「4」로 표시되는)(6.7 mg, 0.015 mmol)을 THF 0.3 mL에 용해하고, Gd(OiPr)3(THF 중 0.2 M, 50 μL, 0.01 mmol)을 실온에서 가하고, 54 ℃에서 1시간 교반하였다. 용매를 증류 제거하고, 잔사를 진공 펌프로 감압 하에서 2시간 건조시켰다. 2,6-디메틸페놀(24.4 mg, 0.2 mmol)을 가하고, 계속해서 원료 21a(35.4 mg, 0.2 mmol)를 THF 0.2 mL에 녹여 가하였다. 반응 용액을 -20 ℃로 냉각하고, TMSCN (40 mL, 0.30 mmol)을 가하였다. 5.5 시간 후에 실리카겔을 가하여 반응을 정지하고, 이것을 실리카 겔 칼럼에 적재하여 헥산:아세트산에틸=10:1 내지 4:1로 용출하여 정제하면, 22a가 40.5 mg, 수율 99％로 얻었다. 광학 활성 HPLC 분석[키랄셀 OD-H, 2-프로판올/헥산 1/20, 유속 1.0 mL/분, 254 nm에서 탐지): tR 13.0 분(소량) 및 16.7 분(다량)]으로부터 광학 순도를 93％ee라고 결정하였다. 한편, 실시예 20은, 하기 표 2에 있어서, 번호 「1」로 나타낸다.
Figure 112008069480368-PCT00041
(실시예 21 내지 27)
상기 실시예 20에 있어서, Gd(OiPr)3의 양 및 배위자의 양을 변화시키거나, 및/또는 상기 실시예 20에 있어서의 원료 21a 대신에, 21b 내지 21h를 이용하여, 실시예 9와 동일하게, 시아노마이클 부가 반응을 행하였다. 이 결과를, 하기 표 2에 나타내었다. 한편,표 2에 있어서, 실시예 21 내지 27는 각각, 번호「2」, 「4」, 「6」, 「8」, 「10」, 「12」 및 「14」로 나타낸다.
(비교예 10 내지 16)
상기 실시예 20에 있어서의 배위자 대신에, 종래의 당 유래 배위자(상기 표 1 및 하기 표 2에 있어서 「1」로 표시되는 배위자)를 이용하여, 실시예 20와 같이, 원료 21a를 이용하여 시아노마이클 부가 반응을 행하였다. 그 결과를, 표 2의 번호 「3」에 나타내었다.
또한, 상기 비교예 10에 있어서, 원료 21a 대신에, 21b 내지 21h를 이용하여, 비교예 10과 마찬가지로, 시아노마이클 부가 반응을 행하였다. 이 결과를, 하기 표 2에 나타내었다. 한편, 비교예 11 내지 16는 각각, 번호 「5」, 「7」, 「9」, 「11」, 「13」 및 「15」로 나타낸다.
원료로서 동일한 것을 이용한 실시예와 비교예를 비교하면, 실시예의 광학 순도(표 2 중, 「ee(％)」로 표시되는 값)은, 비교예의 그것과 거의 동등하거나 또는 높은 것을 알 수 있다. 이들로부터, 본 발명의 배위자를 이용한 경우, 종래의 당 유래 배위자와 비교하여, 거의 동등하거나 또는 높은 광학 순도로 생성물을 얻을 수 있는 것을 알 수 있었다.
Figure 112008069480368-PCT00042
(실시예 28)
<22a에서 항간질약 프레가발린으로의 변환>
Figure 112008069480368-PCT00043
실시예 20에서 얻어진 화합물 22a(44.8 mg, 0.219 mmol)의 THF 용액(0.44 mL)에 1M NaOH 수용액(0.44 mL)을 실온에서 가하였다. 1시간 후 THF를 감압 증류 제거하고, 포화 중조수를 가하고 수층을 염화메틸렌으로 3회 세정하였다. 수층을 염산으로 pH1로 하고, 염화메틸렌으로 추출하였다. 유기층을 정합하고, 황산나트륨으로 건조한 후, 여과, 용매 증류 제거하고, 24를 31.8 mg (94％)얻었다.
Figure 112008069480368-PCT00044
한편, 본 실시예에서 얻어진 화합물 24로부터 프레가발린으로의 변환은, 선행 문헌(J. A m. Chem. Soc.2003,125,4442)을 참조함으로써, 용이하게 얻을 수 있다.
이와 같이, 실시예 20 및 실시예 28를 이용함으로써, 적은 촉매량으로 보다 단시간에서 중간체를 얻을 수 있기 때문에, 항간질약 프레가발린의 전구체 24를, 종래보다도 효율적으로 얻을 수 있다.
(실시예 29)
실시예 2에 있어서, 모노메틸디플루오로카테콜 대신에, 모노메틸디클로로카테콜을 이용하고, 실시예 1 내지 3과 동일한 방법에 의해, 하기 화학식의 「리간드2」에 있어서 X=Cl인 비대칭 배위자를 제조하였다.
Figure 112008069480368-PCT00045
Figure 112008069480368-PCT00046
(실시예 30)
잘 건조하고 아르곤으로 치환한 시험관 중에, 실시예 3에서 제조한 비대칭 배위자(0.02 mmol)를 가하고, 계속해서 THF (0.323 ml)를 가하였다. 거기에 0.2 M이 되도록 희석한 후 1 시간 정치한 Ba(OiPr)2의 THF 용액100 mL을 실온에서 천천히 가하였다. 50 ℃에서 한시간 교반한 후, 용매를 증류 제거하고, 실온에서 3시간 진공 건조하였다. 잔사를 CH2Cl2(300 mL)에 녹이고, -20 ℃로 냉각하였다. 디엔(52.9 ml, 0.3 mmol) 및 디에노필(0.5 M CH2Cl2 용액 200 mL, 0.1 mmol)을 첨가하고, 원료가 소실할 때까지 교반하였다. 실온까지 승온한 후, 아세트산(ca. 75 mL) 및 TBAF(0.1 M THF 용액, 800 mL, 0.8 mmol)을 가하여 5분간 교반하였다. 포화 중조수를 주의 깊게 가하고, 수상을 아세트산에틸로 추출한 후, 유기상을 포화 식염수로 세정하였다. 황산나트륨 건조, 여과, 용매 증류 제거, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해서, 목적물을 디아스테레오머의 혼합물로서 얻었다.
Figure 112008069480368-PCT00047
(실시예 31 내지 33)
상기 실시예 30에 있어서, 리간드 2의 X를 Cl(실시예 29의 비대칭 배위자) 또는 F로 변화시키거나, 및/또는 상기 실시예 30에 있어서의 반응 시간 및/또는 반응 온도를 이용하여, 실시예 30와 동일하게 반응을 행하였다. 이 결과를, 하기 표 3에 나타내었다.
(비교예 17)
상기 실시예 30에 있어서의 배위자 대신에, 종래의 당 유래 배위자(상기 표 1 및 표 2에 있어서 「1」로 표시되는 배위자)를 이용하여, 실시예 30와 같이, 반응을 행하였다. 그 결과를, 하기 표 3에 나타내었다.
실시예 33와 비교예 17를 비교하면, 실시예 33의 생성물의 광학 순도가 높은 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 30 내지 33를 비교하면, 카테콜 부위에 염소 또는 불소의 치환기를 갖는 배위자가 엔도/엑소 비 및 수율이 높은 것을 알 수 있다.
Figure 112008069480368-PCT00048
도 1은 실시예 1 내지 실시예 8를 개략화한 도면이다.

Claims (28)

  1. 화학식 I(식 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자.
    <화학식 I>
    Figure 112008069480368-PCT00049
  2. 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자.
    <화학식 Ia>
    Figure 112008069480368-PCT00050
  3. 화학식 Ib(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트 리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자.
    <화학식 Ib>
    Figure 112008069480368-PCT00051
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 n이 0 또는 1의 정수인 배위자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 m이 2 내지 4의 정수인 배위자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 배위자.
  7. a) 화학식 II(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디페닐포스핀, 디아릴포스핀 또는 디아릴아민의 금속염과 반응시키는 공정;
    b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
    b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음 이온과 반응시켜, R3을 수소로 하는 공정
    을 포함하는, 화학식 II로 표시되는 화합물로부터 화학식 I(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00052
  8. 제7항에 있어서, 상기 화학식 II로 표시되는 화합물이,
    c) 화학식 III(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 디에틸아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 화학식 IV(식 중, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의임)로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정에 의해 얻어진 것인 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00053
  9. 제8항에 있어서, 상기 화학식 III으로 표시되는 화합물이,
    d) 화학식 V(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산과 반응시키는 공정에 의해 얻어진 것인 방법.
    <화학식 V>
    Figure 112008069480368-PCT00054
  10. a) 화학식 IIa(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상 의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디페닐포스핀, 디아릴포스핀 또는 디아릴아민의 금속염과 반응시키는 공정;
    b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
    b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음이온과 반응시켜, R3을 수소로 하는 공정
    을 포함하는, 화학식 IIa로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00055
  11. 제10항에 있어서, 상기 화학식 IIa로 표시되는 화합물이,
    c) 화학식 IIIa(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 디에틸아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 화학식 IV(식 중, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의임)로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정에 의해 얻어진 것인 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00056
  12. 제11항에 있어서, 상기 화학식 IIIa로 표시되는 화합물이,
    d) 화학식 Va(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산과 반응시키는 공정에 의해 얻어진 것인 방법.
    <화학식 Va>
    Figure 112008069480368-PCT00057
  13. a) 화학식 IIb(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디페닐포스핀, 디아릴포스핀 또는 디아릴아민의 금속염 과 반응시키는 공정;
    b) 그 후, 염화암모늄 및 과산화수소로 처리하는 공정; 및
    b') X가 As 또는 N인 경우로서 R3이 수소 이외인 경우에, 팔라듐-탄소와 수소, 염화리튬, 디클로로디시아노벤조퀴논, 세륨암모늄나이트레이트, 또는 불소 음이온과 반응시켜, R3을 수소로 하는 공정;
    을 포함하는, 화학식 IIb로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ib(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00058
  14. 제5항에 있어서, 상기 화학식 IIb로 표시되는 화합물이,
    c) 화학식 IIIb(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 디에틸아조디카르복실레이트 또는 디이소프로필아조디카르복실레이트와 트리페닐포스핀 또는 트리부틸포스핀의 존재 하에서, 화학식 IV(식 중, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동의임)로 표시되는 화합물과 반응시키는 공정에 의해 얻어진 것인 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00059
  15. 제6항에 있어서, 상기 화학식 IIIb로 표시되는 화합물이,
    d) 화학식 Vb(식 중, m은 상기와 동의임)로 표시되는 화합물을, 인산 완충액의 존재 하에서, 과산과 반응시키는 공정에 의해 얻어진 것인 방법.
    <화학식 Vb>
    Figure 112008069480368-PCT00060
  16. g) 화학식 II(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 화학식 VII(화학식 VII 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    h) 상기 화학식 VII을 BH3 테트라히드로푸란 착체, BH3 디메틸술피드 착체, 또는 LiAlH4와 반응시켜 화학식 VIII(화학식 VIII 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    j) 상기 화학식 VIII로 표시되는 화합물을, p-톨루엔술포닐클로라이드와 반 응시켜 화학식 IX(화학식 IX 중, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타내고, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    k) 상기 화학식 IX로 표시되는 화합물을, 포타슘디페닐포스파이드와 반응시키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜서 화학식 X(화학식 X 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
    l) 상기 화학식 X로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
    을 포함하는, 화학식 II로 표시되는 화합물로부터 화학식 I(화학식 I 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00061
  17. g) 화학식 IIa(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메 톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 화학식 VlIa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    h) 상기 화학식 VIIa를 BH3 테트라히드로푸란 착체, BH3 디메틸술피드 착체, 또는 LiAlH4와 반응시켜 화학식 VIIIa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    j) 상기 화학식 VIIIa로 표시되는 화합물을, p-톨루엔술포닐클로라이드와 반응시켜 화학식 IXa(식 중, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타내고, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    k) 상기 화학식 IXa로 표시되는 화합물을, 포타슘디페닐포스파이드와 반응시 키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜서 화학식 Xa(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
    l) 상기 화학식 Xa로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
    을 포함하는, 화학식 IIa로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ia(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00062
  18. g) 화학식 IIb(식 중, R3은 수소, 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기, 탄소수 2 내지 8의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알케닐기, 벤질기, 파라메톡시벤질기 또는 실릴기이고, m은 0 내지 7의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적 으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 화합물을, 디에틸알루미늄시아니드와 반응시킨 후, 진한 염산과 반응시킴으로써 화학식 VIIb(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    h) 상기 화학식 VIIb를 BH3 테트라히드로푸란 착체, BH3 디메틸술피드 착체, 또는 LiAlH4와 반응시켜 화학식 VIIIb(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    j) 상기 화학식 VIIIb로 표시되는 화합물을, p-톨루엔술포닐클로라이드와 반응시켜 화학식 IXb(식 중, Ts는 p-톨루엔술포닐기를 나타내고, m, R3 및 A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정;
    k) 상기 화학식 IXb로 표시되는 화합물을, 포타슘디페닐포스파이드와 반응시키고, 그 후 과산화수소와 반응시켜서 화학식 Xb(식 중, m, R3 및 A1 내지 A4는 상 기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 화합물을 얻는 공정; 및
    l) 상기 화학식 Xb로 표시되는 화합물을 요오드화리튬과 반응시키는 공정
    을 포함하는, 화학식 IIb로 표시되는 화합물로부터 화학식 Ib(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 상기와 동일한 정의를 갖고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 상기와 동일한 정의를 가짐)로 표시되는 배위자를 제조하는 방법.
    Figure 112008069480368-PCT00063
  19. A) Mx(OR4)y 또는 Mx'(NR5)y'(M은 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 갈륨, 바륨 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 금속이고, R4 및 R5는, 각각 독립적으로, 탄소수가 2 내지 6인, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상 알킬기, 치환 또는 비치환된 직쇄상 또는 분지쇄상 또는 환상의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 트리알킬실릴기이고, x 및 y 및 x' 및 y'는 금속 M에 의해 화학 양론적으로 정해지는 정수임)로 표시되는 금속 알콕시드 또는 금속 아미드; 및
    B) 화학식 I(식 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 0 내지 5개의 치환기이고, X는 P, As 또는 N이고, m은 0 내지 7의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, A1 내지 A4는 각각 독립적으로, 수소, 불소, 염소, 브롬, 벤조일, 아세틸, 니트로기, 트리플루오로아세틸기, 트리플루오로메틸기, -ORa로 표시되는 알콕시기(Ra는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), -NRbRc로 표시되는 아미노기(Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 나타냄), 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 수산기, 또는 A2와 A3으로 환을 형성한 것임)로 표시되는 배위자
    로 형성되는 촉매.
    <화학식 I>
    Figure 112008069480368-PCT00064
  20. 제19항에 있어서, 상기 B) 배위자가 하기 화학식 Ia로 표시되는 촉매.
    <화학식 Ia>
    Figure 112008069480368-PCT00065
  21. 제19항에 있어서, 상기 B) 배위자가 하기 화학식 Ib로 표시되는 촉매.
    <화학식 Ib>
    Figure 112008069480368-PCT00066
  22. 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 A) 금속 알콕시드 또는 금속 아미드와 B) 배위자의 몰비가 1:1 내지 1:4인 촉매.
  23. 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희토류 금속이 이테르븀, 이트륨, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 사마륨, 유로피움, 가돌리늄, 디스프로슘, 홀뮴 또는 에르븀인 촉매.
  24. 제19항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트리알킬실릴기의 알킬이, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬인 촉매.
  25. 제19항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 A)의 금속 알콕시드 또는 금속 아미드가, 가돌리늄트리이소프로폭시드, 이트륨트리이소프로폭시드, 트리스- [N,N-비스(트리메틸실릴)아미드]가돌리늄(III), 트리스-[N,N-비스(트리메틸실릴)아미드]이트륨(III) 또는 바륨디이소프로폭시드인 촉매.
  26. 제19항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 m이 2 내지 4의 정수인 촉매.
  27. 제19항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 A1 내지 A4 중 2개가 수소이고, 다른 2개가 불소인 촉매.
  28. 제19항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 n이 0 또는 1의 정수인 촉매.
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