KR20070120525A

KR20070120525A - 방전전극의 용접방법, 그 방법에 의해 용접된 방전전극 및그 방전전극을 구비한 형광방전관

Info

Publication number: KR20070120525A
Application number: KR1020077023074A
Authority: KR
Inventors: 토모히로 사이토; 히로시 미우라; 시게지 마츠바라; 토모히로 사노
Original assignee: 가부시키가이샤 네오맥스 마테리아르
Priority date: 2005-03-15
Filing date: 2006-03-10
Publication date: 2007-12-24
Also published as: WO2006098234A1; JP5019390B2; JPWO2006098234A1; TWI393166B; TW200638460A

Abstract

바닥있는 바닥있는 통 형상의 방전전극의 단판부에 오목부를 형성하는 것 없이, 또한 방전전극과 전극지지리드와의 사이에 간극을 형성하는 것 없이 용접할 수 있는 방전전극관의 용접방법 등을 제공한다.

본 발명의 방전전극관의 용접방법은, 관부(12)와 단판부(13)가 일체적으로 성형된 방전전극(11)과, 고융점금속으로 형성된 전극지지리드(20)를 용접하는 방법으로서, 상기 단판부(13)의 겉표면에 상기 전극지지리드(20)의 선단부를 압착하여 맞대는 공정과, 상기 전극지지리드(20) 선단부의 근방에 레이저빔(LB)을 조사하여, 상기 전극지지리드(20)의 선단부를 가열하여, 상기 선단부가 맞대진 상기 단판부 (13)를 국부적으로 용융하면서, 상기 선단부를 단판부(13)의 용융부에 매설하는 공정과, 상기 용융부를 냉각응고하는 공정을 구비한다.

전극지지리드, 방전전극관, 형광방전관, 액정의 백라이트, 용접방법

Description

방전전극의 용접방법, 그 방법에 의해 용접된 방전전극 및 그 방전전극을 구비한 형광방전관{METHOD OF WELDING DISCHARGING ELECTRODE, DISCHARGING ELECTRODE WELDED BY THAT METHOD AND FLUORESCENT DISCHARGE TUBE PROVIDE WITH THAT DISCHARGING ELECTRODE}

본 발명은, 예를 들면 액정의 백라이트로 사용되는 형광방전관에 구비된 바닥있는 바닥있는 통(有底筒) 형상의 방전전극과 전극지지리드의 용접방법 등에 관한 것이다.

액정장치에는 백라이트로서 소형의 형광방전관을 사용된다. 이러한 형광방전관은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 내벽면(內壁面)에 형광막(도시 생략)이 형성되어, 그 내부에 방전용 가스(아르곤가스 등의 희소가스 및 수은증기)가 봉입(封入)된 유리관(50)과, 그 유리관(50) 내부의 양 단부(端部)에 구비된 한 쌍의 냉음극(冷陰極)을 구성하는 바닥있는 바닥있는 통 형상의 방전전극(51)을 구비하고 있다. 상기 방전전극(51)은, 일단이 개구(開口)한 관부(管部)(52)을 가지고, 관부(52)의 타단이 단판부(端板部)(53)로 폐색(閉塞)된 컵 형상을 하고 있어, 관부(52)과 단판부(53)는 일체적으로 형성된 것이다. 상기 단판부(端板部)(53)에는 상기 유리관(50)의 단부를 관통하여 봉지(封止)된 축 형상(軸狀)의 전극지지리드(57)의 일단 이 용접되고, 이 전극지지리드(57)의 타단에 리드선(58)이 접속된다. 상기 전극지지리드(57)는, 고융점(高融点)금속인 W(텅스텐)이나 Mo(몰리브덴)으로 형성되어, 방전전극(51)과는 레이저용접 또는 저항용접으로 용접된다.

상기 방전전극(51)은, 백라이트 등 소형의 형광방전관용으로는, 예를 들면 내경이 1.5mm정도, 전장이 5mm정도, 관부(52)의 두께가 0.1∼0.15mm정도이며, 바닥있는 통상, 순Ni판을 딥드로잉 성형함으로써 바닥있는 바닥있는 통 형상으로 일체성형된다. 또한, 일본 특허공개2002-289138호 공보(특허문헌1)에는, 내층(內層)을 Nb, Ta, Ti 등으로 형성하고, 외층을 Ni로 형성한 2층 구조의 방전전극이 제안되어 있다.

상기 방전전극(51)과 전극지지리드(57)는, 방전전극(51)의 단판부(53)의 겉표면에 전극지지리드(57)의 선단부(先端部)를 접촉하게 하고, 방전전극(51)의 내부로부터 단판부(53)를 향하여 레이저빔을 조사(照射)하여, 양자의 접촉부를 부분적으로 용융하게 함으로써 스폿용접되어 있었다. 그러나, 이러한 용접방법에서는, 전극의 단판부의 내표면(內表面)이 산화되어 산화피막이 형성되기 쉽다. 방전에 기여하는 부위는 주로 방전전극의 내표면측이기 때문에, 단판부의 내표면에 산화 피막이 형성되면, 전극 외표면에도 방전이 생기게 되어, 방전특성이 열화하거나, 전극이 손상하는 등의 문제가 생긴다.

그래서, 일본 특허공개2003-272520호 공보(특허문헌2)에는 방전전극의 내부산화를 방지하는 용접방법이 제안되어 있다. 이 방법은, 방전전극의 단판부에 전극지지리드를 끼워넣기 가능한 오목부(凹部)를 형성하여, 이 오목부에 전극지지리드 를 끼워넣은 상태에서, 오목부의 주벽(周壁) 외측으로부터 레이저빔을 조사함으로써, 양자를 용접하는 방법이다

특허문헌1: 일본 특허공개2002-289138호 공보

특허문헌2: 일본 특허공개2003-272520호 공보

그러나, 상기 특허문헌2의 방법에서는, 단판부에 전극지지리드를 끼워넣기 위한 오목부를 형성할 필요가 있기 때문에, 대량생산에 적합한 딥드로잉 성형에 의해 방전전극을 형성할 수 없고, 다단단조(多段鍛造) 등의 특수한 성형방법을 채용할 필요가 있다. 특히, 방전전극으로서 2층구조의 전극을 사용할 경우, 단판부에 오목부를 형성하는 것은 곤란하여, 사실상, 용접대상으로 삼을 수 없다. 또한, 전극지지리드와 오목부의 저면(底面)과의 사이에 간극이 생기기 쉽고, 간극이 생기면 전극지지리드의 선단과 오목부의 저면과의 사이에서 방전이 생겨서, 형광방전관의 방전특성이 열화된다고 하는 문제가 있다.

본 발명은 관련 문제를 감안하여 된 것으로, 바닥있는 바닥있는 통 형상의 방전전극의 단판부에 오목부를 형성하는 것 없이, 또한 방전전극과 전극지지리드와의 사이에 간극을 형성하는 것 없이 레이저 용접할 수 있는 방전전극의 용접방법 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 방전전극의 용접방법은, 일단이 개방된 관부의 타단이 단판부에 의해 폐색되어, 상기 관부와 단판부가 일체적으로 성형된 방전전극과, 고융점금속으로 형성된 전극지지리드를 용접하는 방법으로서, 상기 방전전극의 단판부의 겉표면에 상기 전극지지리드의 선단부를 압착하여 맞대는 공정과, 상기 전극지지리드의 선단부의 근방에 레이저빔을 조사하여, 상기 전극지지리드의 선단부를 가열하고, 상기 선단부가 맞대진 상기 단판부를 국부적으로 용융하면서, 상기 선단부를 단판부의 용융부 내로 매설하는 공정과, 상기 용융부를 냉각응고하는 공정을 구비한다.

이 용접방법에 의하면, 전극지지리드의 선단부의 근방에 레이저빔을 조사하여, 선단부를 가열하고, 상기 선단부가 맞대진 방전전극의 단판부를 국부적으로 용융하면서, 상기 선단부를 단판부의 용융부 내로 매설하여, 그 용융부를 냉각응고하므로, 방전전극의 단판부에 오목부를 형성할 필요가 없고, 단판부가 평탄한 형상이어도 전극지지리드의 선단부를 상기 단판부 내에 밀착하게 하면서, 강력하게 용접할 수 있다. 이 때문에, 방전전극의 성형도 용이하여, 그 제조비용을 저감할 수 있고, 또 상기 단판부와 전극지지리드의 선단부와의 사이에 간극이 생기지 않으므로, 방전 특성을 열화하게 하지 않는다.

상기 용접방법에 있어서, 상기 방전전극으로서, 전체가 순Ni또는 Ni을 주성분으로 하는 Ni기합금(基合金)으로 형성된 단층구조의 방전전극을 사용할 수 있다.또한, 순Ni또는 Ni을 주성분으로 하는 Ni기합금으로 형성된 외층과, 상기 외층의 안쪽에 적층된 내층을 가지고, 상기 내층이 Nb, Ta, Ti 혹은 이러한 것을 주성분으로 하는 고융점합금으로 형성된 2층 구조의 방전전극을 사용할 수 있다.

이러한 2층 구조의 방전전극을 사용함으로써, 전극지지리드의 가열된 선단부가 상기 단판부를 국부적으로 용융하게 하면서, 그 용융부 내로 매설할 때, 상기 선단부가 외층에 용이하게 매설되고, 더욱이 고융점금속으로 형성된 내층에 의해, 그 매설이 저지되기 때문에, 상기 단판부의 겉표면에 상기 전극지지리드의 선단부를 맞댈 때의 압착력을 엄격하게 조정할 필요가 없다. 이 때문에, 방전전극의 단판부의 외층 내에 전극지지리드의 선단부를 용이하면서 확실하게 매설할 수 있다. 그리고, 전극지지리드의 선단부의 가열은 레이저빔의 조사에 의해 행하여지기 때문에, 단판부를 형성하는 외층의 용융시간은 지극히 짧다. 이 때문에, 주로 방전에 기여하는 내층을 형성하는 고융점금속과 외층을 형성하는 순Ni또는 Ni을 주성분으으로 하는 Ni기합금(이하, 이러한 금속을 모두 Ni계 금속이라고 하는 경우가 있다)과는 거의 합금화하지 않는다. 그 때문에, 사용중에 내층의 방전특성이 변화할 우려가 없다.

또한, 상기 용접방법에 있어서, 상기 방전전극으로서, 순Ni 또는 Ni을 주성분으로 하는 Ni기합금으로 형성된 외층과, 상기 외층의 안쪽에 적층되어, 철강재로 형성된 중간층과, 상기 중간층의 안쪽에 적층된 내층을 가지는 3층 구조의 방전전극을 사용할 수 있다. 상기 내층은, Nb, Ta, Ti 혹은 이러한 것을 주성분으로 하는 고융점합금으로 형성하는 것이 바람직하다.

이 3층 구조의 방전전극에 의하면, 중간층을 형성하는 철강재는 Ni계 금속에 비하여 용접성이 양호하므로, 전극지지리드의 선단부를 외층 내지 중간층 내에 용이하면서 확실하게 매설할 수 있다.

또한, 본 발명의 방전전극은, 일단이 개방된 관부의 타단이 단판부에 의해 폐색되어, 상기 관부와 단판부가 일체적으로 형성된 방전전극으로서, 상기 방전전극의 단판부의 겉표면에 고융점금속으로 형성된 전극지지리드가 상기 용접방법에 의해 용접된 것이다. 또한, 본 발명의 형광방전관은, 방전용 가스가 봉입된 유리관과, 상기 유리관 내부의 양 단부에 구비된 한 쌍의 냉음극을 구성하는 방전전극을 구비한 형광방전관으로서, 상기 방전전극으로서 상기전극지지리드가 용접된 방전전극이 사용되고, 상기 전극지지리드가 상기 유리관의 단부에 관통하여 봉지된 것이다.

상기한, 본 발명의 용접방법에 의해 전극지지리드가 용접된 방전전극, 그 방전전극을 구비한 형광방전관은, 전극지지리드의 선단부가 방전전극의 단판부의 외층 내에 공극을 형성하는 것 없이 강력하게 용접접합되므로, 내구성이 뛰어나고, 방전특성도 양호하다. 게다가, 방전전극의 단판부에 오목부를 형성할 필요가 없기 때문에, 그 성형도 용이하여, 제조비용을 저감할 수 있다.

상기한 바대로, 본 발명의 용접방법에 의하면, 방전전극의 단판부에 오목부를 형성할 필요가 없고, 평탄한 형상이어도 전극지지리드의 선단부를 상기 단판부 내에 공극을 형성하는 것 없이 강력하게 접합할 수 있다. 이 때문에, 방전전극의 성형도 용이하여, 그 제조비용을 저감할 수 있고, 또한 방전특성이 열화할 우려도 없다. 또한, 본 발명의 방전전극, 형광방전관에 있어서도, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.

도 1은 실시 형태에 관련된 용접보조장치 및 용접요령의 설명도를 나타낸다.

도 2는 용접 후의 방전전극과 전극지지리드의 접합상태를 나타내는 단면도이다.

도 3은 3층 구조의 방전전극의 단면도이다.

도 4는 종래의 형광방전관용 방전전극을 구비한 형광방전관의 주요부 단면도이다.

<부호의 설명>

11, 11A: 방전전극 12: 관부

13: 단판부 14: 외층

15: 내층 16: 중간층

LB 레이저빔

우선, 본 발명의 실시 형태에 관련된 용접방법을 실시하기 위한 용접보조장치에 대하여 설명한다. 이 용접보조장치는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 방전전극(11)을 상하방향으로 착탈가능하게 파지하는 제1 파지구(1)와, 축 형상의 전극지지리드(20)를 상하방향으로 착탈가능하게 파지하는 동시에, 그 하단위치를 위치결정하는 지지축(8)을 구비한 제2 파지구(2)를 구비하고 있다. 그리고, 상기 제1 파지구(1)와 제2 파지구(2) 사이에 둘레방향으로 적당한 간격을 두고, 복수 개의, 예를 들면 120° 간격으로 3개의 레이저빔 조사유닛(3)이 구비되어 있다.

상기 제1 파지구(1)의 상부에는, 방전전극(11)이 제1 파지구(1)에 장착되어, 직경방향으로 위치결정된 상태에서, 방전전극(11)의 상부를 아래쪽으로 압압(押壓)하는 누름판(5)을 구비한 누름부재(4)가 구비되어 있다. 또한, 상기 누름부재(4)는 가동아암(6)을 구비하고 있어, 이로써 방전전극(11)이 제1 파지구(1)에 파유된 파지위치와, 파지된 방전전극(11)과 간섭하지 않는 대피위치와의 사이에서, 누름판(5)이 이동가능하게 되고, 또한 파지위치에 있어서, 누름판(5)이 승강가능하게 되어 있다. 상기 누름판(5)이 파지위치에서 방전전극(11) 위로 하강한 상태에서는, 용수철이나 추 등의 부세(付勢)수단(도시 생략)에 의해 제1 파지구(1)에 파지된 방전전극(11)은 전극지지리드(20)측으로 압압된다.

또한, 상기 누름판(5)이 방전전극(11)을 압압한 상태에서, 그 누름판(5)의 중앙부에 구비된 개구부를 거쳐, 방전전극(11)의 내부에 Ar가스 등의 불활성 가스를 공급하는 가스공급관(7)이 누름부재(4)에 부설되어있다. 또한, 전극지지리드(20)와 방전전극(11)의 용접부에 Ar가스 등의 불활성가스를 공급하는 가스공급관(도시 생략)이 구비되어 있다. 그리고, 누름판(5)의 압압력은, 0∼0.5N 정도, 보바닥있는 통 0.4∼0.5N 정도가 좋고, 방전전극(11) 자체의 하중으로 전극지지리드(20)로의 압압이 충분한 경우, 누름부재(4)를 설치할 필요는 없다.

상기 방전전극(11)은, 일단이 개방된 관부(12)의 타단이 단판부(13)에 의해 폐색되어, 상기 관부(12)와 단판부(13)가 일체적으로 형성된, 컵 형상(바닥있는 바닥있는 통 형상)의 전극으로서, 상기 단판부(13)의 중심부 겉표면에 W(융점3380℃), Mo(융점2630℃）등의 고융점금속으로 형성된 전극지지리드(20)가 레이저로 용접된다.

이 방전전극(11)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, Ni계 금속으로 형성한 외층(14)의 내면에 고융점금속으로 형성된 내층(15)이 적층형성된 2층 구조의 전극이 다. 상기 방전전극(11)의 전체두께는 0.1∼0.2mm 정도로서, 전극지지리드(20)의 용접성을 확보하기 위해서는, 외층(14)은 적어도 20μm정도 있으면 좋고, 보바닥있는 통 20∼50μm정도가 좋다. 또한, 내층(15)은, 바닥있는 통상, 20∼100μm, 바람직하게는 40∼80μm정도로 된다. 이 방전전극(11)은, 2층의 클래드(clad) 판재로 천공 가공된 원판 형상의 블랭크재를 성형소재로 하여 딥드로잉 성형에 의해 제작된다.

상기 외층(14)을 형성하는 Ni계 금속으로는, 순Ni 혹은 Ni을 주성분으로 하는 Ni기합금을 사용할 수 있다. 상기 Ni기합금은, Ni의 양이 80mass％이상, 더 바람직하게는 85mass％이상인 것이 바람직하다. 상기 Ni기합금으로는, Nb, Ta를 단독 혹은 복합하여 1.0∼12.Omass％ 포함하고, 잔부 Ni 및 불가피적인 불순물로 된 Ni-Nb합금, Ni-Ta합금, Ni-Nb-Ta합금을 사용할 수 있다. Nb, Ta는, 이 정도의 첨가량이면 성형성을 저해하는 것 없이, 그리고 수은증기에 대한 내식성을 향상하게 하는 효과를 가지며, 전극의 내구성을 향상하게 할 수 있다.

또한, 상기 내층(15)을 형성하는 고융점금속으로는, Ni에 비하여 방전특성을 저하하게 하지 않고, 방전에 의한 소모가 생기기 어려운 Nb, Ta 혹은 이러한 것을 주성분으로 하는 Nb합금, Ta합금이 바람직하다. 특히 Nb은 가공성이 뛰어나므로 적합하고, Nb합금으로서는 Nb의 양이 90mass％이상, 더 바람직하게는 95mass％이상인 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 융점은 Ni이 1453℃, Nb이 2520℃, Ta가 3250℃이다.

본 실시 형태와 관련된 용접방법을 실시하기 위해서는, 우선, 제1 공정으로 서, 방전전극(11)의 단판부(13)의 겉표면에 전극지지리드(20)의 선단부를 압착하여 맞댄다. 다시 말해, 전극지지리드(20)를 제2 파지구(2)의 지지구멍에 장입하고, 또한 방전전극(11)을 제1 파지구(1)의 지지구멍에 장입하여, 그 단판부(13)를 상기 제2 파지구(2)에 파지된 전극지지리드(20)의 선단부(상단부)에 접촉하게 한다. 그리고, 누름부재(4)의 누름판(5)을 대피위치로부터 파지위치로 이동하여, 상기 방전전극(11)의 상단개구부에 놓고, 압압한다.

다음으로, 제2 공정으로서, 전극지지리드(20)의 선단부 근방에 레이저빔을 조사하여, 전극지지리드(20)의 선단부를 가열하여, 상기 선단부가 맞대진 단판부(13)를 국부적으로 용융하면서, 상기 선단부를 단판부(13)의 용융부 내에 매설하게 한다. 다시 말해, 방전전극(11)의 내부 및 전극지지리드(20)와의 접촉부에 Ar가스 등의 불활성가스를 불어넣어, 레이저빔(LB)을 전극지지리드(20)의 접촉부 근방에 조사하여, 전극지지리드(20)의 선단부를 가열한다. 가열온도는, 상기 방전전극(11)의 외층(14)을 형성하는 Ni계 금속의 융점보다 높게 할 필요가 있고, 바람직하게는 1400℃정도 이상으로, 상기 내층(15)을 형성하는 고융점금속의 융점 미만의 온도로 하면 좋다. 이로써, 전극지지리드(20)의 선단부가 접촉한 단판부(13)의 외층(14)을 국부적으로 용융하면서, 전극지지리드(20)의 선단부를 외층(14)의 용융 부 내에 매설하게 할 수 있다. 이 방전전극(11)의 경우, 내층(15)은 고융점금속으로 형성되어 있으므로, 0.5N정도의 압압력으로는, 전극지지리드(20)의 선단부가 내층(15)안으로 침입하지 않는다.

전극지지리드(20)의 선단부가 단판부(13) 외층(14)의 용융부 내에 매설함으 로써, 용융부에서 흘러넘친 용융금속은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 전극지지리드(20)의 선단부에 밀착한 융기부(19)를 형성한다.

그 후, 제3 공정으로서, 상기 용융부 및 이것으로부터 흘러넘친 용융금속을 냉각응고하게 한다. 그 결과, 전극지지리드(20)는 방전전극(11)에 공극을 형성하는 것 없이 강력하게 접합된다. 전극지지리드(20)의 용접 후, 불활성가스의 분사를 막고, 누름부재(4)을 가스도입관(7)과 함께 대피위치로 이동하게 한다. 그 후, 적절한 반송수단에 의해 전극지지리드(20)가 용접된 방전전극(11)은 제1 파지구(1)로부터 꺼내진다.

상기 실시 형태에서는, 방전전극(11)으로서 2층 구조의 전극을 예시했지만, Ni계 금속의 단층재(單層材)로 형성된 것이나, 그 위에 도 3에 나타낸 바와 같이, Ni계 금속으로 형성한 외층(14)의 내면에 철강재로 형성된 중간층(16)이 적층형성되고, 또한 그 안쪽으로 내층(15)이 적층형성된 3층 구조의 방전전극(11A)를 사용해도 좋다. 상기 중간층(16)을 형성하는 철강재는, Ni계 금속에 비하여 용접성이 뛰어나지만, 재료의 내식성, 안정성을 고려하면 스테인레스강이 바람직하다. 상기 내층(15)은, 상기 Ni계 금속이나 Nb, Ta 혹은 이러한 것을 주성분으로 하는 Nb합금, Ta합금으로 형성할 수 있다.

방전전극을 Ni계 금속의 단층재로 형성한 경우, 가열된 전극지지리드의 선단부가 과도하게 단판부 내로 침입하거나, 심할 경우는 내부로 뚫고 지나갈 우려가 있다. 이러한 경우가 생기지 않도록 하기 위해서는, 압압력을 작게 설정하면 좋다.또한 압압력을 0.5N 정도로 크게 한 경우라도, 도 1에 나타낸 바와 같이, 누름부 재(4)의 누름판(5)의 하강량을 소정의 범위 내로 규제하는 규제부재(9)를 누름판(5)의 아래쪽에 구비함으로써, 그러한 문제를 용이하게 회피할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에서는, 방전전극(11)을 전극지지리드(20)의 윗쪽에 배치하여 용접하였지만, 방전전극(11)을 아래쪽으로, 전극지지리드(20)을 윗쪽으로 배치하여도 좋다.

그리고, 상기 실시 형태에서는, 도 1에 나타내는 용접보조장치를 이용하여, 본 발명과 관련된 방전전극의 용접을 실시하였지만, 본 발명의 실시에 즈음하여, 상기 용접보조장치를 반드시 사용할 필요는 없고, 또한 상기 용접보조장치를 적절하게 설계변경하여 사용하여도 좋다.

이하, 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명과 관련된 실시예에 의해 한정적으로 해석되는 것이 아니다.

실시예

두께가 100μm인 순Ni층과 두께가 50μm인 순Nb층이 압접되어, 확산접합된 클래드판을 준비하였다. 이로부터 원형 블랭크재를 전단가공에 의해 채취하고, 이것을 사용하여 딥드로잉 성형하여, 외경1.7mm, 길이5mm의 바닥있는 바닥있는 통 형상의 방전전극을 제작하였다. 한편, 외경φ0.8mm, 길이3mm의 순Mo의 전극지지리드를 준비하고, YAG 레이저용접기를 사용하고, 상기의 용접보조장치를 사용하여 120°의 등간격으로 설치한 레이저조사유닛으로부터 하기 용접조건으로 레이저빔(LB)을 전극지지리드(20)의 선단으로부터 약 0.2mm아래쪽의 위치에 조사하여 레이저용 접을 행하였다.

·용접 조건

발진파장: 1.064μm, 조사위치에서의 레이저직경: 0.4μm, 레이저출력: 13J/P, 누름하중: 0.44N, 산화방지용 씰가스: Ar가스

용접 후, 전극지지리드의 접합강도를 측정한 바 120N이었다. 종래의 용접방법(방전전극의 안쪽으로부터 레이저빔을 조사하여 전극지지리드를 용접하는 방법)으로 용접한 경우, 접합강도는 90∼100N정도이므로, 종래에 비하여 접합강도가 상당히 향상하였다. 또한, 용접 후의 방전전극을 중심선에 따라 종단하여, 용접부의 단면을 관찰한 바, 도 2에 나타낸 바와 같이, 전극지지리드(20)의 선단부가 방전전극(11)의 단판부(13)의 외층(14)안에 매설하는 동시에 융기부(19)가 선단부의 바깥둘레에 밀착하여, 간극없이 강력하게 접합되어 있었다.

Claims

일단이 개방된 관부(管部)의 타단이 단판부(端板部)에 의해 폐색되고, 상기 관부와 단판부가 일체적으로 형성된 방전전극과, 고융점(高融点)금속으로 형성된 전극지지리드를 용접하는 방전전극의 용접방법으로서,

상기 방전전극의 단판부의 겉표면에 상기 전극지지리드의 선단부를 압착하여 맞대는 공정과, 상기 전극지지리드의 선단부 근방에 레이저빔을 조사하여, 상기 전극지지리드의 선단부를 가열하여, 상기 선단부가 맞대진 상기 단판부를 국부적으로 용융하면서, 상기 선단부를 단판부의 용융부 내에 매설하는 공정과, 상기 용융부를 냉각응고하는 공정을 구비한 방전전극의 용접방법.
제1항에 있어서,

상기 방전전극은, 순Ni 또는 Ni을 주성분으로 하는 Ni기합금(基合金)으로 형성된 방전전극의 용접방법.
제1항에 있어서,

상기 방전전극은, 순Ni 또는 Ni을 주성분으로 하는 Ni기합금으로 형성된 외층과, 상기 외층의 안쪽에 적층된 내층을 가지고, 상기 내층이 Nb, Ta, Ti 혹은 이러한 것을 주성분으로 하는 고융점합금으로 형성된 방전전극의 용접방법.
제1항에 있어서,

상기 방전전극은, 순Ni 또는 Ni을 주성분으로 하는 Ni기합금으로 형성된 외층과, 상기 외층의 안쪽에 적층되어, 철강재료로 형성된 중간층과, 상기 중간층의 안쪽에 적층된 내층을 구비한 방전전극의 용접방법.
일단이 개방된 관부의 타단이 단판부에 의해 폐색되고, 상기 관부와 단판부가 일체적으로 성형된 방전전극으로서, 상기 방전전극의 단판부의 겉표면에 고융점금속으로 형성된 전극지지리드가 제1항 내지 제4항 기재 중 어느 한 용접방법에 의해 용접된 방전전극.
방전용 가스가 봉입된 유리관과, 상기 유리관 내부의 양 단부에 구비된 한 쌍의 냉음극을 구성하는 방전전극을 구비한 형광방전관으로서, 상기 방전전극으로서 제5항에 기재된 방전전극이 사용되어, 상기 전극지지리드가 상기 유리관의 단부에 관통하여 봉지(封止)된 형광방전관.