JP4974284B2 - パッケージの封止方法 - Google Patents

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Description

本発明は、水晶振動子、弾性表面波フィルタ等の電子部品を収納したパッケージの開口部に金属製の蓋板であるリッドをシーム接合するパッケージの封止方法に関するものである。
従来から、水晶振動子、弾性表面波フィルタ等の電子部品をパッケージに気密封止する方法として、パラレルシーム接合法が広く用いられている。図4は従来からあるシールリング付きパッケージの断面図であり、まずセラミック基板51に金属製シールリング52をろう接してなるパッケージ53の内部に水晶振動子等の電子部品54を収納し、この電子部品54をワイヤ55によって外リード56に電気的に接続したものを準備する。このパッケージ53の開口部にはコバール等からなるリッド57が位置決めされて載置される。
このとき、位置決めされたリッド57がシーム接合されるまでに何らかの外力で位置ずれしてしまったり、シーム接合を開始するためにローラ電極が接触することで位置ずれしてしまうことを避けるために、リッドは通常スポット接合によって仮止めされる。
この仮止めは作業性の理由から一般にシーム接合のためのローラ電極で行われることが多く、図5(a)で示すように、リッド57の対向する2辺、例えば長辺側の2辺の略中央部に一対のテーパ付きのローラ電極58a、58bを接触させ、転接させることなく電極間に通電し、そのままローラ電極58a、58bを上昇させてリッド57から離隔させる。
そして図5(b)で示すように、このリッド57の長辺側の2辺の一端縁部イにローラ電極58a、58bを一定の加圧条件の下で接触させ、この状態でパッケージ53をステージ59と共に矢印アの方向に移動させると同時にローラ電極58a,58bにパルセーション通電を行い、この時発生するジュール熱により長辺を溶融し、リッド57をパッケージ53にシーム接合する。
このようにして長辺のシーム接合が終了すると、ローラ電極58a,58bを一旦上昇移動させて電極間隔を調整すると共にパッケージ53を図5(c)に示すように水平面内にて90°回転させる。その後、再びローラ電極58a,58bを下降させて他の対向する2辺、すなわち短辺を同様にシーム接合し、封止を完成させるものである。
ここで、リッド57のコバール等からなる母材の少なくとも下側の表面には、一般にNiめっきが施されており、シールリング52もコバール等からなる母材にNi下地のAuめっきが施されている。そして前記Niめっき及びNi下地のAuめっきが接合時のろう材として機能するため、実際にはリッド57の母材及びシールリング52の母材はほとんど溶融しないで接合が行われる。
このようなローラ電極の動作において、ローラ電極がリッドの対向する2辺上を転接し終わったときローラ電極とリッドとが溶着している場合があり、そのままローラ電極を上昇させるとパッケージも一緒に浮き上がってしまう問題が発生する。そこで特許文献1で開示されているように、ローラ電極を上昇させる前に、通電とともに行なう転接とは反対の方向に微小距離転接させその後上昇させることにより前記溶着による問題を回避する方法が採用されている。
また、上述したようなシールリング付きパッケージのほかに、近年ではシールリングのないパッケージを用いた封止構造が普及してきており、このシーム接合法は一般にシールリングレスシーム法あるいはダイレクトシーム法と称されている(以下このシーム接合法をダイレクトシーム法と記す)。このダイレクトシーム法は、シールリングを用いない分パッケージ全体を低背化でき、また、パッケージのコストを下げることが可能となるので採用が広まったものである。
ダイレクトシーム法の基本構造は特許文献2に開示されており、これを図6(a)に基づいて説明する。パッケージ61の開口部周縁には、シールリングを設けずメタライズ層62のみが形成され、このメタライズ層62にはNi下地のAuめっきが施されている。
ここで、このメタライズ層は、セラミック製のパッケージ上に電極や配線パターンを形成する工程において、これらと同時に形成可能なものであって、シールリング付きパッケージにおいてもシールリングをパッケージにろう接するために形成されていたものである。また、このように構成されたパッケージ63の内部構造は前述したシールリング付きのパッケージと同等であるため説明を省略する。
また、このパッケージ63の開口部に配置するリッド64の下面には、Niめっき層65が形成されており、ローラ電極によるパラレルシーム接合を行うことにより、前記Niめっき層65及びパッケージ開口部周縁のめっき層が溶融してろう材となり、封止が行われるというものである。
さらに近年のダイレクトシーム法は、図6(b)で示すようにリッド64の下面には、Ag−Cu合金やAu−Sn合金からなるろう材層66がクラッドされて形成されたものに移行してきている。この移行は、従来からも問題となっているパッケージとリッドとの熱膨張率の差による応力を緩和することを目的とするものであって、シールリングが省略されたことで該応力を吸収するものを失い、以前にも増してこの応力が問題となるため、接合温度を低くして応力の発生自体を低減すべく、約1450℃と融点の高いNiに替えて、約780℃と融点の低いAg−Cu合金、また約280℃とさらに融点の低いAu−Sn合金のろう材層を採用したものである。
特開平6−224315号公報(第2頁、図1) 特開2006−114710号公報(第3頁、図7)
しかしながら、上述したようなダイレクトシーム法、特に低融点ろう材を使用し従来どおりの方法でパラレルシーム接合を行った場合、次のような問題が生じることを発明者等は見出した。この問題を図7および図8に基づいて説明する。図7はシールリングのないパッケージとAu−Sn合金のろう材を母材にクラッドしたリッドとを用いて、図5で説明したシーム接合工程と同様の封止作業を行った場合の平面図である。
図7において、61は前述したようにシールリングを設けていないダイレクトシーム法用のパッケージであり、開口部周縁にはメタライズ層とこれに施されたNi下地のAuめっきが形成されている。また68はリッドであり、コバールからなる母材とろう材として使用される金属の中では融点の低いAu−Sn合金からなる金属層とをクラッドし、打ち抜き成型されたものである。
ここで図7は、対向する2辺であるウとエが既に接合され、他の対向する2辺であるオとカの接合が接合終了点まで達した状態のパッケージ上面を示している。(以下一度目の対向する2辺の接合を1stシーム、二度目の対向する2辺の接合を2ndシームと記載する)そしてこの図7の状態で通電を停止し直ちにローラ電極を上昇させた場合、あるいは前述したようにローラ電極とリッドとの溶着を引き剥がすために、通電停止後直ちにこれまでの転接と逆の方向に微小距離転接動作を行なってからローラ電極を上昇させた場合、1stシームによって接合された辺エの両端が2ndシームにより生じた熱で再溶融した状態でローラ電極を上昇させるため、図8に示すように再溶融部に剥離現象が生じ、リッドが若干浮いてしまったり、この浮きにより発生した再溶融部の空隙により封止の気密性が低下してしまったりする。
本発明はこのような課題を解決すべく、2ndシームの終了時に1stシームにより形成された接合部端の再溶融があっても、封止の機密性を損なわないパラレルシーム接合方法を提供するものである。
本発明は第1の態様として、電子部品を収納するパッケージの開口部に矩形のリッドを載置し、このリッドの対向する2辺に一対のローラ電極を転接させつつ両電極間に通電し、前記2辺をパッケージにシーム接合するパッケージの封止方法において、1stシームの後2ndシームを行い、前記2ndシームの接合動作における通電が終了した後ローラ電極でのリッドへの押圧を一定時間維持し、前記1stシームで接合された接合部の再溶融が凝固した後に前記ローラ電極を前記リッドから離間させることを特徴とするパッケージの封止方法を提供する。
また本発明は第2の態様として、前記一定時間維持する押圧は、ローラ電極の回転軸中心線の延長が上方から見て前記リッドの外縁よりも外側に位置した状態で行なわれることを特徴とする第1の態様として記載したパッケージの封止方法を提供する。
さらに本発明は第3の態様として、2ndシームにおいて、ローラ電極でのリッドへの押圧を一定時間維持した後、ローラ電極を前記2ndシームの接合動作と反対の方向に微小距離転接させ、その後リッドから離間させることを特徴とする第1の態様または第2の態様のいずれかに記載のパッケージの封止方法を提供する。
本発明によれば、2ndシームの通電停止時に再溶融してしまっている1stシームの接合部が凝固するまでリッドを押圧しながら吸熱することができるので、再溶融した部分の接合が剥離してリッドが浮き上がったり、封止の気密性が低下することがない。
また、ローラ電極の回転軸中心線の延長が上方から見て前記リッドの外縁よりも外側に位置した状態で通電停止後の一定時間リッドを押圧することにより、4角がR加工されたリッドの場合、再溶融した1stシームの接合部の真上でローラ電極がリッドを押圧するので、吸熱の効果が上がり、前記一定時間を短縮することができる。
また、2ndシームが終了した後、直ちにそれまでの転接と反対の方向に微小距離転接させず、一定時間押圧を保ったまま吸熱を行なうので、1stシーム接合部の再溶融によるリッドの浮きを防ぐことができる。
次に添付図面を参照して本発明に係るパッケージの封止方法の実施形態を詳細に説明する。
図1は本発明に係るパラレルシーム接合の工程を説明するための斜視図である。図1において、1はパッケージ、2はリッド、3a、3bは一対のローラ電極である。このパッケージ1はセラミックからなり、図示しない開口部周縁にはシールリングを設けずにメタライズ層を形成し、これにNi下地のAuめっきが施されている。
またリッド2は、コバールからなる母材4とAu−Sn合金からなるろう材5とをクラッドして打ち抜くことで形成されており、母材4の厚さは70μm、ろう材5の厚さは30μmとなっている。そして本実施形態で使用するリッド2は、長辺が3mm短辺が1.5mmの矩形の板材で、4角が若干のR仕上げとなっている。
そして図1(a)では既に仮止めのためのスポット接合がなされ、本接合であるシーム接合の1stシームが行われようとしている状態を示している。まず、一対のローラ電極3a、3bをリッド2の一方の対向する2辺の一端キに接触させると共に所定の押圧力でリッド2を押圧する。そしてローラ電極3a、3bを矢印ク方向に転接させると共に両電極間に通電する、つまり1stシームが行なわれる。この通電はシーム接合用電源により行われ、両電極間には電流制御されたパルス電流が通電及び休止の時間も制御されて流れるようになっている。
次に、図1(b)に示すようにローラ電極3a、3bあるいはパッケージ1の方向を水平方向に90°回転させ、残った対向する2辺のシーム接合、つまり2ndシームが行なわれる。このようにしてリッド2の4辺がパッケージにシーム接合されて封止が行われるが、この作業を不活性ガス環境や真空環境で行うことにより、封止後のパッケージ内部を不活性ガス環境や真空環境に維持することも可能である。
次に図1(c)で示すのは、ローラ電極が2ndシームの終了地点に達し、通電を停止した状態であるが、ここで通電を停止しても一定時間ローラ電極を上昇させることなくリッドへの押圧を維持する。本来このローラ電極はシーム接合の対象物にジュール熱を発生させることを目的としているので、電極自体の電気抵抗は極力低く抑えられ、それ自身の発熱は小さく、逆に熱容量がシーム溶接の対象物と比して極めて大きいので、2ndシームの終了時点に再溶融した1stシームのろう材はローラ電極に吸熱されて凝固する。本実施例では通電停止後、その場で0.5秒間押圧を維持することで前記再溶融箇所の凝固が完了する。
また、本実施例のようにリッドの4角がR仕上げになっている場合は、通電の停止位置によらず、図2(a)で示すようにローラ電極の回転軸の中心線をリッドの外形よりも外側に位置させた状態で前記と同様の押圧の維持を行なう。この位置関係を平面図である図2(a)とその側面図である図2(b)に記号Lで示すが、ローラ電極がテーパ形状であることから、ローラ電極とリッドとの接触点が1stシームの再溶融箇所の直上に回り込み、より冷却時間が短縮できる。
さらに、このように一定時間(本実施例の場合0.5秒間)の押圧の維持を行なった後ローラ電極を図3(a)で示すように上昇させてもよいし、この上昇時にローラ電極とリッドとの溶着の恐れがある場合は、図3(b)で示すように、シーム溶接のための転接方向と反対方向に一旦ローラ電極を微小距離転接させ、溶着を剥離してから上昇させてもよい。
本発明の実施形態を示す斜視図 本発明の実施形態を示す平面図および側面図 本発明の実施形態を示す側面図 従来の技術を示す断面図 従来の技術示す平面図 従来の技術示す断面図 従来の技術示す平面図 従来の技術を示す側面図
符号の説明
1、51、61 パッケージ
2、57、64、67、68 リッド
3a、3b、58a、58b ローラ電極
4 母材
5 ろう材
52 シールリング
53 パッケージ
54 電子部品
55 ワイヤ
56 外リード
59 ステージ

Claims (3)

  1. 電子部品を収納するパッケージの開口部に矩形のリッドを載置し、このリッドの対向する2辺に一対のローラ電極を転接させつつ両電極間に通電し、前記2辺をパッケージにシーム接合するパッケージの封止方法において、一方の対向する2辺をシーム接合する第1の接合動作の後他方の対向する2辺をシーム接合する第2の接合動作を行い、前記第2の接合動作における通電が終了した後ローラ電極でのリッドへの押圧を一定時間維持し、前記第1の接合動作で接合された接合部の再溶融が凝固した後に前記ローラ電極を前記リッドから離間させることを特徴とするパッケージの封止方法。
  2. 前記一定時間維持する押圧は、ローラ電極の回転軸中心線の延長が上方から見て前記リッドの外縁よりも外側に位置した状態で行なわれることを特徴とする請求項1に記載のパッケージの封止方法。
  3. 第2の接合動作において、ローラ電極でのリッドへの押圧を一定時間維持した後、ローラ電極を前記第2の接合動作と反対の方向に微小距離転接させ、その後リッドから離間させることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のパッケージの封止方法。
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JP6133685B2 (ja) * 2013-05-17 2017-05-24 日本アビオニクス株式会社 シーム溶接装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP3194208B2 (ja) * 1993-01-27 2001-07-30 日本アビオニクス株式会社 シーム接合法
JP3757896B2 (ja) * 2002-04-17 2006-03-22 株式会社大真空 シーム溶接装置及びシーム溶接方法
JP2004179332A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Kyocera Corp 電子装置
JP4159531B2 (ja) * 2004-10-15 2008-10-01 日本アビオニクス株式会社 パッケージの封止方法

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