JP3757896B2 - シーム溶接装置及びシーム溶接方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子部品のケーシングを構成するベースとキャップとを接合するためのシーム溶接装置及びシーム溶接方法に係る。特に、本発明は、ベースにキャップを載置する作業からシーム溶接が完了するまでに要する時間の短縮化を図るための改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、モバイルコンピュータ等の情報機器や、携帯電話、自動車電話、ページングシステム等の移動体通信機器の需要の増大に伴い、これらに用いられる水晶振動子などの電子部品の需要も増大しつつある。
【０００３】
この種の水晶振動子の構成としては、例えば特開平６−９０１３５号公報に開示されているように、上部が開放された容器状のセラミックベースと、このセラミックベース内に導電性接着剤等により保持された圧電素子（水晶振動片）と、この圧電素子を覆って振動子内部空間を密閉するようにセラミックベース上縁部に接合されたキャップとを備えている。
【０００４】
また、上記セラミックベースにキャップを接合するための手法の一つとして、セラミックベース上にキャップを搭載し、この両者をシーム溶接により一体的に溶着することが行われている。つまり、製造装置のキャリア上に載置されたセラミックベースにキャップを搭載し、このキャップの全周囲に亘ってシーム溶接用電極を順次接触させながら振動子内部空間を密閉するようにシーム溶接を行っていく。
【０００５】
一般に、この種のシーム溶接装置は、セラミックベースにキャップを仮付けする工程、矩形状のキャップの長辺側に沿ってシーム溶接用電極を接触させることにより行う長辺側シーム溶接工程、キャップの短辺側に沿ってシーム溶接用電極を接触させることにより行う短辺側シーム溶接工程を順に行うようになっている。つまり、キャリア上に載置されたセラミックベースの上面に対してキャップを搬送して搭載するための機構、キャップをセラミックベースに仮付けするための仮付け溶接機構、キャップの各辺を溶接するためのシーム溶接機構、長辺側シーム溶接工程から短辺側シーム溶接工程に移る際にワーク（一部が溶着されたセラミックベースとキャップ）を９０°回転させるための回転機構を備えた構成となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種のシーム溶接装置にあっては、単位時間当たりに作製される水晶振動子の個数をできる限り多くしたいといった要求がある。つまり、水晶振動子の１個当たりの作製に要する時間（タクト時間）をできる限り短くしたいといった要求がある。
【０００７】
上述した従来のシーム溶接装置では、一列に並べられたベースに対して順に各工程（仮付けから短辺側シーム溶接に亘る各工程）を実行していくため、このタクト時間を短縮化するには限界があった。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ベース上にキャップを載置し、この状態で両者をシーム溶接するに際し、ワーク１個当たりに要する工程時間を大幅に短縮化することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明が講じた解決手段の一つとしては、先ず、ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接装置を前提とする。このシーム溶接装置に対し、ベース上にキャップを搭載した状態でこの両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットを備えさせる。また、ベース用パレットに、互いに重ね合わされる第１及び第２の上下２枚のパレットを備えさせ、下側の第１パレットには、ベースの平面視形状に略合致した複数の収容空間をマトリックス状に配置すると共に、その収容空間の深さ寸法をベースの高さ寸法よりも小さく設定して、収容空間にベースが収容された状態ではベースの上面が第１パレットの上面よりも上側に位置するようにする。一方、上側の第２パレットには、キャップの平面視形状に略合致した複数の収容空間を第１パレットの収容空間に対応してマトリックス状に配置すると共に、この収容空間に連続し且つキャップに向かって溶接電極が移動する際にこの溶接電極が入り込む電極挿通空間を備えさせ、この第２パレットが第１パレットに載置された状態では、この両者で形成される収容空間の深さ寸法がベース上にキャップを載置した状態におけるワークの高さ寸法よりも大きくなるよう設定している。
【００１０】
また、上記電極挿通空間は、第２パレットに形成されている収容空間としての矩形状空間の一部の辺が部分的に切り欠かれて形成されている。
【００１１】
上記構成のベース用パレットを使用するシーム溶接方法としては以下のものが掲げられる。つまり、ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を一旦仮付け溶接した後、この両者をシーム溶接するシーム溶接方法に対し、上記ベース用パレットを利用し、仮付け溶接に先立って、第１パレット上に第２パレットを重ね合わせ、両パレットの収容空間に亘ってベース及びキャップを収容し、その後、仮付け用溶接電極を電極挿通空間に挿入してキャップに接触させてキャップをベースに仮付け溶接する。更に、その後、第１パレットから第２パレットを離脱させてキャップの上縁を第１パレットの上面よりも上方に位置させた状態で、シーム溶接用電極をキャップの上縁に接触させながらキャップの全周囲をベースにシーム溶接する。
【００１２】
以上の特定事項により、ベースに対してキャップを仮付けした後に、第１パレットから第２パレットを離脱させるのみで、シーム溶接を行うことができる。つまり、仮付け時にはベース及びキャップの位置決めを第１及び第２のパレットによって正確に行いながらこの両者の仮付けを行い、その後、第１パレットから第２パレットを離脱させるといった簡単な作業でそのままシーム溶接工程に移ることができる。言い換えると、仮付け工程からシーム溶接工程に移る際にベース及びキャップを別のパレットに載せ直す必要がない。また、このベース用パレットには複数の収容空間がマトリックス状に配置されているために、上記第２パレットの離脱に伴って複数のワーク（ベースとキャップ）のシーム溶接可能な状態が略同時に得られることになる。このため、ワーク１個当たりに要する工程時間の短縮化を図ることができる。
【００１３】
ベースに対してキャップを載置する作業に要する時間の短縮化を図るための構成として以下のものが掲げられる。つまり、ベースを収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットと、キャップを収容するべくキャップの平面視形状に略合致した複数の収容空間がベース用パレットの収容空間に対応してマトリックス状に配置されたキャップ用パレットとを備えさせる。そして、ベース上にキャップを載置する際であって、ベース用パレットにキャップ用パレットを重ね合わせるときに、キャップ用パレットの収容空間内にキャップを保持するための磁力を発生させる磁力保持手段を備えさせる。
【００１４】
この場合、キャップ用パレットの収容空間としてはパレット上面側に開放する有底の凹部で形成する。そして、キャップ用パレットの下面に対して着脱自在とされた永久磁石で成る板材により磁力保持手段を構成している。
【００１５】
この特定事項により、ベース用パレットにキャップ用パレットを重ね合わせた状態で磁力保持手段による磁力を解除する（例えばキャップ用パレットの下面から磁力保持手段を取り除く）ことにより、マトリックス状に配置された各収容空間に収容されていたキャップの全てを略同時にベース上に載置することができる。例えばキャップ用パレットに２０個の収容空間を備えさせた場合には、これら２０個のキャップの全てを略同時にベース上に載置することができることになる。このため、ベースに対してキャップを載置する作業に要する時間の大幅な短縮化を図ることが可能になる。
【００１６】
また、仮にキャップの平面視形状とベースの平面視形状とが一致していない場合、例えばキャップの平面視形状がベースの平面視形状よりも小さい場合には、ベースとキャップとのセンタ位置を位置合わせする必要があるが、上記ベース用パレットにキャップ用パレットを重ね合わせる際に、これらセンタ位置を位置合わせした状態で各パレット同士を重ね合わせるようにすれば、キャップをベース側に落とし込んだ際、このキャップをベース上の適切な位置に載置することが可能になる。
【００１７】
また、ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットを備えさせ、このベース用パレットにベース及びキャップを収容した状態で、ベースに対してキャップを仮付けするための仮付けユニット、ベースに対して仮付けされたキャップの一部分をベース上にシーム溶接するための第１シーム溶接ユニット、キャップの他の部分をベース上にシーム溶接することによりベースの内部空間を封止するための第２シーム溶接ユニットを互いに独立して配設する。そして、上記第１シーム溶接ユニットでは、窒素雰囲気下においてキャップの一部分をベース上にシーム溶接する溶接工程を実行すると共に、第２シーム溶接ユニットでは、真空雰囲気下においてキャップの他の部分をベース上にシーム溶接する溶接工程を実行するようにしている一方、上記第２シーム溶接ユニットにおいて溶接工程を実行する直前においてベース及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱処理手段を備えさせている。また、ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、ベースに対してキャップが仮付けされたワークに対し、窒素雰囲気下において、キャップの一部分をベース上にシーム溶接する第１シーム溶接ユニットと、この第１シーム溶接ユニットで一部分がシーム溶接されたワークを高温度雰囲気中で保持する加熱処理手段と、この加熱処理手段から取り出されたワークに対し、真空雰囲気下において、キャップの他の部分をベース上にシーム溶接することによりベースの内部空間を封止する第２シーム溶接ユニットとを備えさせている。つまり、加熱処理手段においてベース及びキャップを高温度雰囲気に曝すことにより、ベースの内部空間に存在していた水分を除去することができる。このため、ベース上にキャップを載置してから最終シーム溶接工程までの間にワークが大気に曝されて内部に水分が侵入したとしても、最終シーム溶接工程の直前においてこの水分を除去できる。このため、各工程における雰囲気に対する高い管理が必要なくなり、装置全体としての構成を簡素化できる。この構成の簡素化に伴って、ベース上にキャップを載置してから最終シーム溶接工程に移行するまでの時間の短縮化を図ることも可能になる。また、従来では、例えば平面視が矩形状のベース及びキャップに対し、長辺側シーム溶接工程と短辺側シーム溶接工程を連続して行うためにはワークを９０°回転させるための回転機構を備えさせる必要があり、この９０°回転に要する時間だけタクト時間が長くなってしまうといった課題があった。本解決手段では、第１シーム溶接ユニットと第２シーム溶接ユニットとを近くに設置しておき、上述の如くパレットを９０°回転させる時間よりも各ユニット間でのパレット移載時間を短くすれば、短時間でシーム溶接を完了させることが可能になる。また、上記回転機構を必要としないため、装置の構成の簡素化も図ることができる。
【００１８】
また、このような加熱処理手段を使用して最終シーム溶接工程の直前においてベース及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱処理工程を実行するシーム溶接方法も本願発明の技術的思想の範疇である。
【００１９】
また、複数個のワークに対するシーム溶接を連続的に行うための構成として以下のものが掲げられる。つまり、ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットを備えさせ、ベースに対してキャップをシーム溶接する際、シーム溶接用電極をベース用パレットに対して相対的に直線移動させ、その直線上にある複数のキャップにシーム溶接用電極を順に接触させてベースに対するキャップのシーム溶接を連続して行う構成とする。また、このシーム溶接を行う際、各キャップに対し、シーム溶接用電極が接触する領域以外の領域をベース側に押さえ込む線材を備えさせている。この構成によれば、シーム溶接中にワークが浮き上がってしまうことを防止でき、安定したシーム溶接動作を行うことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。本形態では、電子部品として水晶振動子を採用し、その製造に本発明を適用した場合について説明する。つまり、図１に示すように、水晶振動片（図示省略）を収容していると共に上部が開放された容器形状のセラミックベースＢ（例えばアルミナ製）に対して、その振動子内部空間を密閉するように磁性材料のキャップＣ（例えば金属のプレス加工により形成されている）を接合するための装置及び方法について説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
先ず、第１実施形態について説明する。図２に示すように、本形態におけるシーム溶接装置は、ベースＢ上にキャップＣをシーム溶接する場合の各工程を実行するためのユニット１，２，３がそれぞれ独立して設置されている。
【００２４】
具体的には、ベースＢにキャップＣを仮付けする工程を実行する仮付けユニット１、窒素雰囲気下において矩形状のキャップＣの長辺側に沿ってシーム溶接用電極を接触させることにより行う長辺側シーム溶接工程を実行する長辺側シーム溶接ユニット２、真空雰囲気下においてキャップの短辺側に沿ってシーム溶接用電極を接触させることにより行う短辺側シーム溶接工程を実行する短辺側シーム溶接ユニット３が個別に配置されている。ベースＢ及びキャップＣは、後述するパレット４に収容され、このパレット４に収容された状態で、仮付けユニット１での仮付け工程、長辺側シーム溶接ユニット２での長辺側シーム溶接工程、短辺側シーム溶接ユニット３での短辺側シーム溶接工程が順に行われる。以下、パレット４及び各ユニット１，２，３の構成、各ユニット１，２，３で実行される動作について説明する。
【００２５】
−パレット４の説明−
本形態で使用されるパレット４は、ベース用パレット４１及びキャップ用パレット４２を備えている。
【００２６】
（ベース用パレット４１の説明）
ベース用パレット４１は、ベースＢに対してキャップＣを載置する動作よりも前の段階にあっては複数のベースＢ，Ｂ，…を、またベースＢに対してキャップＣが載置された後にはこの重ね合わされたベースＢ及びキャップＣをそれぞれ保持するものであって、上下２枚のパレット４１Ａ，４１Ｂが離脱可能に重ね合わされて構成されている。尚、このベース用パレット４１の具体的な寸法として、幅（図３における左右方向長さ）が１５０mm、奥行き（図３における上下方向長さ）が１２０mmである。パレットの大きさはこれに限るものではない。
【００２７】
下側の第１パレット４１Ａは、図３（図３（ａ）は第１パレット４１Ａの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるIII-III線に沿った拡大断面図）に示すように、ベースＢの平面視形状に略合致した有底のベース収容空間Ｄ，Ｄ，…がマトリックス状に配置されている。図３に示すものでは２０個のベース収容空間Ｄ，Ｄ，…がマトリックス状に配置されている。また、これらベース収容空間Ｄの深さ寸法はベースＢの高さ寸法よりも僅かに小さく設定されている（図６参照）。更に、この第１パレット４１Ａの上面の２箇所の隅角部近傍位置には位置決めピン４３，４３が突設されている。
【００２８】
一方、上側の第２パレット４１Ｂは、図４（図４（ａ）は第２パレット４１Ｂの平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるIV-IV線に沿った拡大断面図）に示すように、上記第１パレット４１Ａに形成されているベース収容空間Ｄとは異なる形状の貫通孔で成る収容空間Ｅがマトリックス状に配置されている。具体的には、キャップＣの平面視形状に略合致した矩形状空間Ｅ１と、この矩形状空間Ｅ１に連続し、且つキャップＣに向かって後述の仮付け用溶接電極を移動させる際にこの電極が入り込む電極挿通空間Ｅ２とが一体化された空間として形成されている。この電極挿通空間Ｅ２は、矩形状空間Ｅ１の長辺側の中央部が部分的に切り欠かれて形成されている。図４に示すものでは、上記第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄ，Ｄ，…にそれぞれ対応した２０個の収容空間Ｅ，Ｅ，…がマトリックス状に配置されている。また、第２パレット４１Ｂの厚さ寸法（収容空間Ｅの深さ寸法となる）は上記第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄの深さ寸法よりも小さく設定されており、且つこの第２パレット４１Ｂが第１パレット４１Ａに載置された状態では、この両者で形成される収容空間の深さ寸法（ベース収容空間Ｄの深さ寸法と収容空間Ｅの深さ寸法との和）が水晶振動子の高さ寸法（ベースＢの高さ寸法とキャップＣの厚さ寸法との和）よりも僅かに大きくなるように設定されている（図８参照）。また、この第２パレット４１Ｂにおいて上記位置決めピン４３，４３の突設位置に対応した位置には、位置決めピン４３の外径寸法に略一致した内径寸法を有する位置決め孔４４，４４が形成されている。
【００２９】
（キャップ用パレット４２の説明）
次に、キャップ用パレット４２について説明する。このキャップ用パレット４２は、図５（図５（ａ）はキャップ用パレット４２の平面図、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は図５（ａ）におけるＶ−Ｖ線に沿った拡大断面図であって、図５（ｂ）は後述する磁力保持手段としての磁石板４６を取り外した状態、図５（ｃ）はその磁石板４６を取り付けた状態である）に示すように、キャップＣの平面視形状に略合致した有底のキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…がマトリックス状に配置されている。図５に示すものでは、第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄ，Ｄ，…にそれぞれ対応した２０個のキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…がマトリックス状に配置されている。また、これらキャップ収容空間Ｆの深さ寸法はキャップＣの高さ寸法よりも僅かに大きく設定されている（図５（ｃ）参照）。また、このキャップ用パレット４２において上記位置決めピン４３，４３の突設位置に対応した位置には、位置決めピン４３の外径寸法に略一致した内径寸法を有する位置決め孔４５，４５が形成されている。
【００３０】
また、このキャップ用パレット４２の下面側には、キャップ保持用の磁石板４６が着脱自在に取り付けられている。つまり、キャップ用パレット４２の下面に磁石板４６を重ね合わせた状態で各キャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…にキャップＣ，Ｃ，…を入れることにより、これらキャップＣ，Ｃ，…がキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…内で保持される構成となっている。
【００３１】
−各ユニットにおける工程説明−
（仮付け工程）
仮付けユニット１において実行される仮付け工程では、先ず、図６（一つの収容空間部分における断面図）に示すように、第１パレット４１Ａの上面に第２パレット４１Ｂを載置する。この際、第２パレット４１Ｂの位置決め孔４４に第１パレット４１Ａの位置決めピン４３を挿通させることによりこの両者の位置決めを行う。
【００３２】
そして、これらパレット４１Ａ，４１Ｂによって連続形成された収容空間Ｄ，Ｅの内部にベースＢをそれぞれ収容する。この収容作業は、供給ロボットによる作業または作業者による手作業によって行われる。この状態では、ベースＢの上面は第２パレット４１Ｂの上面よりも下側に位置している。
【００３３】
この作業に併行して図５（ｃ）に示すように、キャップ用パレット４２の下面に磁石板４６を重ね合わせた状態で各キャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…にキャップＣ，Ｃ，…をそれぞれ収容する。この収容作業も、供給ロボットによる作業または作業者による手作業によって行われる。この状態では、磁石板４６の磁力によって各キャップＣ，Ｃ，…はキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…内で保持される。
【００３４】
このようにして各パレット４１，４２にワーク（ベースＢ及びキャップＣ）を個別に保持させた後、図７に示すように、キャップ用パレット４２を磁石板４６と共に上下反転させて、このキャップ用パレット４２を第２パレット４１Ｂの上面に載置する。この際、キャップ用パレット４２の位置決め孔４５に第１パレット４１Ａの位置決めピン４３を挿通させることによりこの両者の位置決めを行う。このキャップ用パレット４２の載置作業は、パレット搬送ロボットによる作業または作業者による手作業によって行われる。このようにしてキャップ用パレット４２を第２パレット４１Ｂの上面に載置した状態では、未だ磁石板４６の磁力によって各キャップＣ，Ｃ，…はキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…内で保持されている。
【００３５】
この状態で、キャップ用パレット４２の下面（図７に示す状態では上側を向いている面）から磁石板４６を離脱することにより、磁石板４６から各キャップＣ，Ｃ，…に作用していた磁力が解除され、図８に示すように、各キャップＣ，Ｃ，…はベース用パレット４１側の収容空間Ｄ，Ｅに向けて落下し、ベースＢ上に載置される。
【００３６】
その後、図９に示すように、キャップ用パレット４２が第２パレット４１Ｂの上面から取り外される。これにより、キャップＣが載置されたベースＢがベース用パレット４１のみによって保持された状態となる。この状態では、ベースＢは第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄの内壁によって、キャップＣは第２パレット４１Ｂの収容空間Ｅの内壁によってそれぞれ位置決めされることになり、相対的な位置ずれは生じない。このため、ベースＢやキャップＣの位置を認識するためのカメラなどを備えた画像処理ユニットは必要ない。尚、第１パレット４１Ａの内部または下面に磁石を設けておき、その磁力をキャップＣに作用させることによりキャップＣとベースＢとの位置ずれが生じないようにしてもよい。
【００３７】
この状態で、仮付け用溶接電極１１による仮付け動作が行われる。この動作に使用される仮付け用溶接電極１１は、図１０（ａは側面図、ｂは平面図）に示すように絶縁体１２を挟んで一体化された一対の電極１１Ａ，１１Ｂを備えている。各電極１１Ａ，１１Ｂ間の間隔寸法はキャップＣの幅寸法に略一致している。このような構成の仮付け用溶接電極１１が複数個併設されて仮付け電極ユニット１３（図１１参照）が構成されている。具体的には、この仮付け電極ユニット１３は一対の電極１１Ａ，１１Ｂで成る仮付け用溶接電極１１が５組併設され、これらが同時に上下移動するように図示しない昇降機構によって支持されている。つまり、この仮付け電極ユニット１３が、仮付け溶接時に下降し、仮付け溶接の終了後に上昇するといった動作を繰り返す。この仮付け電極ユニット１３の下降時には、各電極１１Ａ，１１Ｂの一部はキャップＣの幅方向の両外側に位置することになるが、上述した如く、第２パレット４１Ｂには電極挿通空間Ｅ２，Ｅ２が形成されており、この空間Ｅ２，Ｅ２に各電極１１Ａ，１１Ｂが入り込むことによって電極１１Ａ，１１Ｂと第２パレット４１Ｂとが干渉することなしに確実な仮付け動作が行われる。
【００３８】
図１１（ａ）〜（ｄ）は、この仮付け電極ユニット１３を使用した仮付け動作を示している。先ず、マトリックス配置された複数のワークＷ（キャップＣとベースＢ）のうち第１行目（図１１（ａ）において最上部の行）に対して仮付け動作を行う。つまり、この第１行目のワークＷが仮付け電極ユニット１３の直下に位置するようにベース用パレット４１を移動させ、この状態から仮付け電極ユニット１３を下降させて、各電極１１Ａ，１１Ｂに通電を行う。これにより、この第１行目に位置している５個のキャップＣの長辺側の略中央位置がベースＢ上に形成されている図示しないメッキ層にそれぞれスポット溶接される。この仮付け動作の終了後、仮付け電極ユニット１３を上昇させる。尚、本形態における仮付けユニット１では、仮付け動作時、各電極１１Ａ，１１Ｂの先端部周辺に向けて窒素ガスを吹き付けることによりワークの焼けを防止するブロー機構が設けられている。
【００３９】
次に、第２行目（図１１（ｂ）において最上部から２番目の行）に対して仮付け動作を行う。この際、この第２行目のワークＷが仮付け電極ユニット１３の直下に位置するようにベース用パレット４１を移動させ（図中矢印参照）、この状態から仮付け電極ユニット１３を下降させて、各電極１１Ａ，１１Ｂに通電を行う。このベース用パレット４１の移動は、本仮付けユニット１に備えられた図示しないパレット載置台が水平移動することにより行われる。これにより、この第２行目に位置している５個のキャップＣの長辺側の略中央位置がベースＢ上にそれぞれスポット溶接される。この仮付け動作の終了後、仮付け電極ユニット１３を上昇させる。このような動作を第４行目（図１１（ｄ）において最下部の行）まで順に繰り返す。これにより、ベース用パレット４１に保持されている全てのワークＷに対して仮付け動作が終了する。以上の仮付け工程が終了した後、このベース用パレット４１は長辺側シーム溶接ユニット２に移動される。この長辺側シーム溶接ユニット２への移動は、搬送ロボットまたは作業者による手作業によって行われる。
【００４０】
（長辺側シーム溶接工程）
次に、長辺側シーム溶接ユニット２において実行される長辺側シーム溶接工程について説明する。この工程では、図１２に示すように第１パレット４１Ａから第２パレット４１Ｂを取り外した後、この第１パレット４１Ａを長辺側シーム溶接ユニット２のパレット載置台（図示省略）上に載置した状態で行われる。この長辺側シーム溶接ユニット２にはシーム溶接機が備えられており、図１３に示すように、このシーム溶接機の電極５，５がキャップＣの長辺側に接触され、この長辺に沿って相対的に移動（転動）しながらシーム溶接を行う。これら電極５，５はキャップＣの上面に対して所定の傾斜角度を有する接触面を備えており、この接触面がキャップＣのエッジ部分に当接された状態でこの電極５，５がパレット４１Ａに対して相対的に移動（図１３において紙面に直交する方向に移動）されることによりシーム溶接が行われる。
【００４１】
図１４（ａ）〜（ｅ）は、このシーム溶接機を使用した長辺側シーム溶接動作を示している。先ず、マトリックス配置された複数のワークＷ（キャップＣとベースＢ）のうち第１列目（図１４（ａ）において最も左側の列）に対して長辺側シーム溶接動作を行う。つまり、この第１列目のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極５，５を対向させた状態で、電極５，５の高さ位置とキャップＣの上面位置とが略同一位置になるように電極５，５を下降させる。この状態で、第１パレット４１Ａを図１４（ａ）における上側へ移動させ（矢印参照）、各電極５，５に通電を行う。これにより、この第１列目に位置している４個のキャップＣに対して順に電極５，５が接触していき、各キャップＣの長辺がベースＢの長辺にそれぞれシーム溶接される。尚、本形態における長辺側シーム溶接ユニット２においても、シーム溶接動作時、各電極５，５の先端部周辺に向けて窒素ガスを吹き付けることによりワークの焼けを防止するブロー機構が設けられている。
【００４２】
上述の如く、第１列目に位置しているワークＷに対するシーム溶接動作が終了した後、電極５，５が上昇し、図１４（ｂ）に示すように第１パレット４１Ａが一列分だけ図中左方向に移動する。これにより、第２列目のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極５，５が対向され、この状態から、電極５，５の高さ位置とキャップＣの上面位置とが略同一位置になるように電極５，５を下降させる。その後、第１パレット４１Ａを図１４（ｂ）における下側へ移動させ（矢印参照）、各電極５，５に通電を行う。これにより、この第２列目に位置している４個のキャップＣに対して順に電極５，５が接触していき、各キャップＣの長辺がベースＢの長辺にそれぞれシーム溶接される。この第２列目に位置しているワークＷに対するシーム溶接動作が終了した後、電極５，５が上昇し、図１４（ｃ）に示すように第１パレット４１Ａが一列分だけ図中左方向に移動する。これにより、第３列目のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極５，５が対向される。以上の動作が第５列まで繰り返されることにより、全てのワークＷに対して長辺側シーム溶接動作が終了する。以上の長辺側シーム溶接工程が終了した後、この第１パレット４１Ａは短辺側シーム溶接ユニット３に移動される。この短辺側シーム溶接ユニット３への移動は、搬送ロボットまたは作業者による手作業によって行われる。
【００４３】
（短辺側シーム溶接工程）
次に、短辺側シーム溶接ユニット３において実行される短辺側シーム溶接工程について説明する。この工程では、図１５に示すように第１パレット４１Ａを短辺側シーム溶接ユニット３のパレット載置台（図示省略）上に載置した状態で行われる。この短辺側シーム溶接ユニット３にもシーム溶接機が備えられており、図１５に示すように、このシーム溶接機の電極６，６がキャップＣの短辺側に接触され、この短辺に沿って相対的に移動（転動）しながらシーム溶接を行う。これら電極６，６はキャップＣの上面に対して所定の傾斜角度を有する接触面を備えており、この接触面がキャップＣのエッジ部分に当接された状態でこの電極６，６がパレット４１Ａに対して相対的に移動（図１５において紙面に直交する方向に移動）されることによりシーム溶接が行われる。
【００４４】
また、この短辺側シーム溶接ユニット３の特徴として、図１７に示すように、シーム溶接が行われるシーム室３２の前工程側にゲートバルブ３４Ａを介して加熱処理手段としての加熱室３１が備えられている。つまり、この加熱室３１に電熱ヒータを備えさせ、第１パレット４１Ａを設置した状態でこの加熱室３１内を高温度雰囲気（例えば２８０℃程度）とすることにより、ベースＢの内部空間に存在していた水分を除去できるようにしている（本発明でいう加熱処理工程）。このようにして加熱室３１において水分が除去された後にシーム室３２における短辺側シーム溶接動作が行われる。
【００４５】
図１６（ａ）〜（ｄ）は、このシーム室３２における短辺側シーム溶接動作を示している。先ず、マトリックス配置された複数のワークＷ（キャップＣとベースＢ）のうち第１行目（図１６（ａ）において最も上側の行）に対して短辺側シーム溶接動作を行う。先ず、ゲートバルブ３４Ａを開放し、加熱室３１からシーム室３２へ第２パレット４１Ｂを搬送した後、シーム室３２内を高真空状態（例えば真空度１×１０^-3Ｐａ）とする。そして、この第１行目のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極６，６を対向させた状態で、電極６，６の高さ位置とキャップＣの上面位置とが略同一位置になるように電極６，６を下降させる。この状態で、第１パレット４１Ａを図１６（ａ）における左方向へ移動させ（矢印参照）、各電極６，６に通電を行う。これにより、この第１行目に位置している５個のキャップＣに対して順に電極６，６が接触していき、各キャップＣの短辺がベースＢの短辺にそれぞれシーム溶接される。この第１行目に位置しているワークＷに対するシーム溶接動作が終了した後、電極６，６が上昇し、図１６（ｂ）に示すように第１パレット４１Ａが一行分だけ図中上側に移動する。これにより、第２行目のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極６，６が対向され、この状態から、電極６，６の高さ位置とキャップＣの上面位置とが略同一位置になるように電極６，６を下降させる。その後、第１パレット４１Ａを図１６（ｂ）における右方向へ移動させ（矢印参照）、各電極６，６に通電を行う。これにより、この第２行目に位置している５個のキャップＣに対して順に電極６，６が接触していき、各キャップＣの短辺がベースＢの短辺にそれぞれシーム溶接される。この第２行目に位置しているワークＷに対するシーム溶接動作が終了した後、電極６，６が上昇し、図１６（ｃ）に示すように第１パレット４１Ａが一行分だけ図中上側に移動する。これにより、第３行目のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極６，６が対向される。以上の動作が第４行目まで繰り返されることにより、全てのワークＷに対して短辺側シーム溶接動作が終了する。以上の短辺側シーム溶接工程が終了した後、後段側のゲートバルブ３４Ｂが開放され、第１パレット４１Ａは、内部が窒素雰囲気とされた取り出し室３３に移動される。
【００４６】
−実施形態の効果−
以上説明したように、本形態では、各ベースＢ上にキャップＣを載置する際、キャップ用パレット４２から磁石板４６を取り除くことにより、マトリックス状に配置された各キャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…に収容されていたキャップＣ，Ｃ，…の全てを略同時にベースＢ，Ｂ，…上に載置することができる。また、仮付け工程において、ベースＢに対してキャップＣを仮付けした後に、第１パレット４１Ａから第２パレット４１Ｂを離脱させるのみで、そのまま長辺側シーム溶接工程に移行することができる。更には、シーム溶接用電極５，５、６，６に対して第１パレット４１Ａを相対的に直線移動させ、その直線上にある複数のキャップＣ，Ｃ，…にシーム溶接用電極５，５、６，６を順に接触させてベースＢに対するキャップＣのシーム溶接が連続して行われるようにしている。このため、水晶振動子の１個当たりの作製に要するタクト時間を大幅に短縮化（例えば１sec以下に）することが可能になる。また、各工程を実行するためのユニット１，２，３をそれぞれ独立して設置させたため、装置内部でパレットを９０°回転させる機構等の複雑な機構を排除することができ、装置の構成の簡素化及び設備コストの削減を図ることができる。また、機構の簡素化に伴いメンテナンス性の向上を図ることもできる。
【００４７】
更に、ベースＢ及びキャップＣはパレットの収容空間内に位置決めされるため、これらベースＢとキャップＣとの位置を撮像素子等によって撮像して位置ずれが生じていないかを確認する必要がない。これによっても、装置の構成の簡素化及び設備コストの削減を図ることができる。
【００４８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。本形態は、仮付けユニット１の変形例である。その他の構成及び動作は上述した第１実施形態のものと同様である。従って、ここでは仮付けユニット１の構成及び仮付け工程についてのみ説明する。
【００４９】
図１８は、本形態に係る仮付けユニット１の平面図である。これらの図に示すように、仮付けユニット１は、複数のキャップＣ，Ｃ，…が蓄えられたパーツフィーダ１４、このパーツフィーダ１４から取り出されたキャップＣ，Ｃ，…をベース用パレット４１（図１８ではパレット４１上の収容空間及び各ワークを省略している）に順次供給していくキャップ供給装置１５、上記実施形態のものと同様に絶縁体を挟んで一体化された一対の電極を備えた仮付け用溶接電極１１、ベース用パレット４１を搬送する図示しないパレット搬送台、仮付け作業終了後のベース用パレット４１をパレット搬送台から受け取る排出台１６を備えている。
【００５０】
上記キャップ供給装置１５は、パーツフィーダ１４から取り出された所定数（本形態では５個）のキャップＣ，Ｃ，…をベース用パレット４１に順次供給し、このベース用パレット４１の収容空間に収容されているベースＢに対してキャップＣ，Ｃ，…を載置していく。具体的には、マトリックス上に配置された収容空間に予め収容されているベースＢに対して、その１行分毎にキャップＣ，Ｃ，…を順に載置していく。
【００５１】
仮付け用溶接電極１１としては、電極は一対備えられているのみであって、この仮付け用溶接電極１１の昇降動作が１回行われる度に一つのワークに対して仮付け用溶接動作が実行される。また、この仮付け用溶接電極１１は水平方向へ移動するための機構は備えておらず、同一位置で昇降するのみである。つまり、後述するようにパレット搬送台が水平方向に移動することにより所定のワークを仮付け用溶接電極１１の直下まで移動させ、この状態で仮付け用溶接電極１１が下降することによって仮付け溶接が行われる。
【００５２】
パレット搬送台は、上面にベース用パレット４１を載置した状態でＸ軸方向（図１８の左右方向）及びＹ軸方向（図１８の上下方向）に移動し、これによって仮付け用溶接電極１１に対して任意のワークを対向させることができるようになっている。例えば、行方向に並ぶ５個のワークに対して連続して仮付け用溶接を行う場合には、パレット搬送台は、仮付け溶接動作が行われる度に図中左右方向の一方向に移動していく。尚、図１８に実線で示すパレット位置は、ベース用パレット４１上の左上に位置しているワークに対して仮付け溶接を行う際のパレット位置である。図１８に一点鎖線で示すパレット位置は、ベース用パレット４１上の右上に位置しているワークに対して仮付け溶接を行う際のパレット位置である。図１８に二点鎖線で示すパレット位置は、ベース用パレット４１上の左下に位置しているワークに対して仮付け溶接を行う際のパレット位置である。図１８に破線で示すパレット位置は、ベース用パレット４１上の右下に位置しているワークに対して仮付け溶接を行う際のパレット位置である。
【００５３】
また、このパレット搬送台は、ベース用パレット４１上の全てのワークに対して仮付け溶接が完了した後に、このベース用パレット４１を排出台１７に送り出すようになっている。
【００５４】
また、本仮付けユニット１では、キャップ供給装置１５によるベース用パレット４１へのキャップＣ，Ｃ，…の供給動作と、仮付け用溶接電極１１による他のベース用パレット４１上のワークに対する仮付け動作とが併行されるようになっている。
【００５５】
このように本形態では、ベースＢに対するキャップＣの載置動作から、キャップＣのベースＢへの仮付け動作、更には、仮付け後のベース用パレット４１の排出動作までを自動的に行うことができる。このため、作業性の向上を図ることができる。
【００５６】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。本形態は、各シーム溶接ユニット２，３の変形例である。その他の構成及び動作は上述した第１実施形態のものと同様である。従って、ここでは各シーム溶接ユニット２，３の構成及びシーム溶接工程についてのみ説明する。
【００５７】
図１９（ａは平面図、ｂはａのＢ矢視図）は、長辺側シーム溶接ユニット２内での第１パレット４１Ａを示す平面図である。これらの図に示すように、長辺側シーム溶接ユニット２では、第１パレット４１Ａに対して着脱自在とされた位置規制手段としてのワーク抑え部材７が備えられている。このワーク抑え部材７は、第１パレット４１Ａの縁部に係止する一対の係止板７１，７２と、これら係止板７１，７２に亘って架け渡された複数本のピアノ線７３，７３，…とを備えている。
【００５８】
このワーク抑え部材７が第１パレット４１Ａに対して装着された状態では、各ピアノ線７３が、シーム溶接用電極が通過しない領域で且つワークＷの中心部を通過し、このワークＷの上面（キャップの表面）を押さえ込んで第１パレット４１Ａからの浮き上がりを防止するようになっている。
【００５９】
このため、シーム溶接時にワークＷが浮き上がって電極に張り付いてしまうといった状況を回避することができ、安定したシーム溶接動作を行うことができる。
【００６０】
尚、短辺側シーム溶接ユニット３においても同様のワーク抑え部材が備えられており、この短辺側シーム溶接動作時においても、ワークＷの浮き上がりを回避して安定したシーム溶接動作を行うことができる。
【００６１】
また、上記ワーク抑え部材７においてワークＷの上面を押さえ込む部材としてはピアノ線に代えてワイヤ等を使用してもよい。
【００６２】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態について説明する。本形態は、各シーム溶接ユニット２，３における電極への電圧印加タイミングの変形例である。その他の構成及び動作は上述した第１実施形態のものと同様である。従って、ここでは電極への電圧印加タイミングについてのみ説明する。
【００６３】
本形態では、シーム溶接電極５，５、（６，６）間の抵抗値または電流値の変化を検知するようにし、この変化によって両電極５，５、（６，６）がキャップＣに接触したか否かを判断するようにしている。そして、この両電極５，５、（６，６）がキャップＣに接触したことが検知された際に、両電極５，５、（６，６）にシーム溶接用電流を流す。また、このシーム溶接動作中にもシーム溶接電極５，５、（６，６）間の抵抗値または電流値の変化を検知しておき、この変化によって少なくとも一方の電極５、（６）がキャップＣから離れたか否かを判断するようにしている。そして、少なくとも一方の電極５、（６）がキャップＣから離れたことが検知された際に、両電極５，５、（６，６）へのシーム溶接用電流を解除する。
【００６４】
このような動作により、キャップＣと電極５、（６）との間でのスパークの発生を抑制することができ、安定したシーム溶接動作を行うことができる。
【００６５】
また、本第４実施形態の変形例として、シーム溶接用電極５，５、（６，６）に対する第１パレット４１Ａの移動量を認識しておき、その第１パレット４１Ａに対するシーム溶接電極５，５、（６，６）の位置、つまり各ワークＷに対するシーム溶接電極５，５、（６，６）の位置を認識する。これにより、両電極５，５、（６，６）がキャップＣに接触したことが認識された際に、両電極５，５、（６，６）にシーム溶接用電流を流す。また、少なくとも一方の電極５、（６）がキャップＣから離れたことが認識された際に、両電極５，５、（６，６）へのシーム溶接用電流を解除する。
【００６６】
このような動作によっても、キャップＣと電極５、（６）との間でのスパークの発生を抑制することができ、安定したシーム溶接動作を行うことができる。
【００６７】
また、長辺側をシーム溶接した後に短辺側をシーム溶接する場合、ワークＷの短辺のうち両端部分にあっては、既に行われた長辺側シーム溶接動作において溶接がなされている。このため、短辺側シーム溶接動作にあってはその短辺の一端から他端に亘る全体を溶接する必要はない。つまり、シーム溶接用電流を流すタイミングとして高い精度は必要なくなる。これは、逆に短辺側をシーム溶接した後に長辺側をシーム溶接する場合において、この長辺側シーム溶接動作においても同様である。
【００６８】
また、本形態のように電極５、（６）がキャップＣから離れたことが認識された際に、両電極５，５、（６，６）へのシーム溶接用電流を解除することにより、仮にワークＷの浮き上がりが発生したとしても電極５、（６）とワークＷとの間でスパークが発生することがないため、ワークＷが電極５、（６）に張り付いてしまうといった状況を回避することができ、安定したシーム溶接動作を行うことができる。
【００６９】
−その他の実施形態−
上記各実施形態では１枚のパレット上に２０個のワークを保持させる場合について説明した。本発明にあっては、１枚のパレット上に保持可能なワークの数はこれに限るものではなく、例えば５００〜６００個のワークを保持可能な構成としてもよい。
【００７０】
更に、上述した各実施形態では、上縁にコバールリング等の磁性体リングを備えていないセラミックベース１に対してキャップ２を接合する場合について説明した。本発明はこれに限らず、上縁にコバールリング等の磁性体リングを備えたセラミックベース１に対してキャップ２を接合する場合に適用することも可能である。
【００７１】
また、上述した各実施形態では、ベース１の平面視形状とキャップ２の平面視形状とが一致しているものに本発明を適用した場合について説明した。仮に、キャップの平面視形状がベースの平面視形状よりも小さい場合には、キャップ用パレット４２に形成されているキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…の平面視形状は、ベース用パレット４１に形成されているベース収容空間Ｄ，Ｄ，…の平面視形状よりも小さく形成される。
【００７２】
このようにキャップの平面視形状がベースの平面視形状よりも小さい場合、第２パレット４１Ｂの矩形状空間Ｅ１の平面視形状をキャップＣの平面視形状に合致させたのでは、この矩形状空間Ｅ１をベースＢが通過できず、第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄ，Ｄ，…にベースＢを入れることができなくなってしまう。従って、この場合には、第２パレット４１Ｂの矩形状空間Ｅ１の平面視形状はベースＢの平面視形状に合致させて形成しておく。また、第１パレット４１Ａの上面に第２パレット４１Ｂを載置する前に、第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄ，Ｄ，…にベースＢを入れておくようにすれば、第２パレット４１Ｂの矩形状空間Ｅ１の平面視形状をキャップＣの平面視形状（第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄよりも小さい形状）に合致させることが可能である。
【００７３】
加えて、上述した各実施形態では、キャップ用パレット４２に形成されているキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…の平面視形状をキャップＣの平面視形状に略合致させ、また、ベース用パレット４１に形成されているベース収容空間Ｄ，Ｄ，…の平面視形状をベースＢの平面視形状に略合致させていた。これに限らず、収容空間においてキャップＣやベースＢの位置決めを行うことができる手段（収容空間の内壁から突出した突起によってキャップＣやベースＢを位置決めする等）を採用するようにすれば、必ずしも各収容空間の平面視形状は上記各実施形態のものに限ることはない。
【００７４】
また、本発明は、水晶振動子に限らず、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した圧電振動子や、その他種々の電子部品の製造に適用可能である。
【００７５】
【発明の効果】
以上のように、本発明では、仮付け工程において、ベースに対してキャップを仮付けした後に、第１パレットから第２パレットを離脱させるのみで、そのままシーム溶接工程に移行することができるようにしている。このため、ワーク１個当たりの作製に要するタクト時間を大幅に短縮化することが可能になり、生産効率の向上を図ることができる。
【００７６】
また、各ベース上にキャップを載置する際、キャップ用パレットから磁力保持手段を取り除くことにより、マトリックス状に配置された各キャップ収容空間に収容されていたキャップの全てを略同時にベース上に載置することができるようにしている。これによってもワーク１個当たりの作製に要するタクト時間を大幅に短縮化することができる。
【００７８】
また、各工程を実行するためのユニットをそれぞれ独立して設置させたことにより、装置の構成の簡素化及び設備コストの削減を図ることができる。また、機構の簡素化に伴いメンテナンス性の向上を図ることもできる。
【００７９】
加えて、最終シーム溶接工程の直前においてベース及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱処理工程を実行することにより、各工程における雰囲気に対する高い管理が必要なくなり、装置全体としての構成を簡素化できる。この構成の簡素化に伴って、ベース上にキャップを載置してから最終シーム溶接工程に移行するまでの時間の短縮化を図ることも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】水晶振動子の外観を示す斜視図である。
【図２】シーム溶接装置の概略システム図である。
【図３】（ａ）は第１パレットの平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIII-III線に沿った拡大断面図である。
【図４】（ａ）は第２パレットの平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIV-IV線に沿った拡大断面図である。
【図５】（ａ）はキャップ用パレットの平面図、（ｂ），（ｃ）は（ａ）におけるＶ−Ｖ線に沿った拡大断面図である。
【図６】ベース用パレットにベースが収容された状態を示す断面図である。
【図７】ベース用パレット上にキャップ用パレットを上下反転させて載置した状態を示す断面図である。
【図８】キャップ用パレットから磁石板４６を離脱させた状態を示す断面図である。
【図９】キャップ用パレットを第２パレットの上面から取り外した状態を示す断面図である。
【図１０】仮付け動作を説明するための図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図１１】仮付け動作の手順を説明するための平面図である。
【図１２】第１パレットから第２パレットを取り外した状態を示す断面図である。
【図１３】長辺側シーム溶接工程を説明するための断面図である。
【図１４】長辺側シーム溶接動作の手順を説明するための平面図である。
【図１５】短辺側シーム溶接工程を説明するための断面図である。
【図１６】短辺側シーム溶接動作の手順を説明するための平面図である。
【図１７】短辺側シーム溶接ユニットの概略構成を示す図である。
【図１８】第２実施形態に係る仮付けユニットの平面図である。
【図１９】第３実施形態に係るワーク抑え部材を装着した第１パレットを示す平面図である。
【符号の説明】
１１ 仮付け用溶接電極
３１ 加熱室（加熱処理手段）
４１ ベース用パレット
４１Ａ 第１パレット
４１Ｂ 第２パレット
４６ 磁石板（磁力保持手段）
７ ワーク抑え部材（位置規制手段）
Ｂ ベース
Ｃ キャップ
Ｄ ベース収容空間
Ｅ 収容空間
Ｅ１ 矩形状空間
Ｅ２ 電極挿通空間

Claims (11)

1. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、
   上記ベース上にキャップを搭載した状態でこの両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットを備え、
   このベース用パレットは、互いに重ね合わされる第１及び第２の上下２枚のパレットを備えており、
   下側の第１パレットには、ベースの平面視形状に略合致した複数の収容空間がマトリックス状に配置されていると共に、その収容空間の深さ寸法はベースの高さ寸法よりも小さく設定されていて、収容空間にベースが収容された状態ではベースの上面が第１パレットの上面よりも上側に位置するようになっている一方、
   上側の第２パレットには、キャップの平面視形状に略合致した複数の収容空間が上記第１パレットの収容空間に対応してマトリックス状に配置されていると共に、この収容空間に連続し且つキャップに向かって溶接電極が移動する際にこの溶接電極が入り込む電極挿通空間が備えられており、この第２パレットが第１パレットに載置された状態では、この両者で形成される収容空間の深さ寸法がベース上にキャップを載置した状態におけるワークの高さ寸法よりも大きくなるよう設定されていることを特徴とするシーム溶接装置。
2. 請求項１記載のシーム溶接装置において、
   電極挿通空間は、第２パレットに形成されている収容空間としての矩形状空間の一部の辺が部分的に切り欠かれて形成されていることを特徴とするシーム溶接装置。
3. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を一旦仮付け溶接した後、この両者をシーム溶接するシーム溶接方法において、
   上記ベースの平面視形状に略合致した複数の収容空間がマトリックス状に配置された下側の第１パレットと、キャップの平面視形状に略合致した複数の収容空間が上記第１パレットの収容空間に対応してマトリックス状に配置されていると共にこの収容空間に連続し且つキャップに向かって仮付け用溶接電極が移動する際にこの仮付け用溶接電極が入り込む電極挿通空間を備えた上側の第２パレットとを備えたベース用パレットを利用し、また、上記第１パレットの収容空間の深さ寸法をベースの高さ寸法よりも小さく設定しておき、収容空間にベースが収容された状態ではベースの上面が第１パレットの上面よりも上側に位置するようにしておく一方、第２パレットが第１パレットに載置された状態では、この両者で形成される収容空間の深さ寸法がベース上にキャップを載置した状態におけるワークの高さ寸法よりも大きくなるように設定しておき、
   仮付け溶接に先立って、第１パレット上に第２パレットを重ね合わせ、両パレットの収容空間に亘ってベース及びキャップを収容し、
   その後、仮付け用溶接電極を電極挿通空間に挿入してキャップに接触させてキャップをベースに仮付け溶接し、
   更に、その後、第１パレットから第２パレットを離脱させてキャップの上縁を第１パレットの上面よりも上方に位置させた状態で、シーム溶接用電極をキャップの上縁に接触させながらキャップの全周囲をベースにシーム溶接することを特徴とするシーム溶接方法。
4. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、
   上記ベースを収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットと、
   上記キャップを収容するべくキャップの平面視形状に略合致した複数の収容空間が上記ベース用パレットの収容空間に対応してマトリックス状に配置されたキャップ用パレットと、
   ベース上にキャップを載置する際であって、ベース用パレットにキャップ用パレットを重ね合わせるときに、キャップ用パレットの収容空間内にキャップを保持するための磁力を発生させる磁力保持手段とを備えていることを特徴とするシーム溶接装置。
5. 請求項４記載のシーム溶接装置において、
   キャップ用パレットの収容空間はパレット上面側に開放する有底の凹部で形成されており、
   磁力保持手段は、キャップ用パレットの下面に対して着脱自在とされた永久磁石で成る板材により構成されていることを特徴とするシーム溶接装置。
6. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、
   上記ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットを備え、
   このベース用パレットにベース及びキャップを収容した状態で、ベースに対してキャップを仮付けするための仮付けユニット、ベースに対して仮付けされたキャップの一部分をベース上にシーム溶接するための第１シーム溶接ユニット、キャップの他の部分をベース上にシーム溶接することによりベースの内部空間を封止するための第２シーム溶接ユニットが互いに独立して配設されていて、
   上記第１シーム溶接ユニットでは、窒素雰囲気下においてキャップの一部分をベース上にシーム溶接する溶接工程を実行するようになっていると共に、第２シーム溶接ユニットでは、真空雰囲気下においてキャップの他の部分をベース上にシーム溶接する溶接工程を実行するようになっている一方、上記第２シーム溶接ユニットにおいて溶接工程を実行する直前においてベース及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱処理手段が備えられていることを特徴とするシーム溶接装置。
7. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、
   ベースに対してキャップが仮付けされたワークに対し、窒素雰囲気下において、キャップの一部分をベース上にシーム溶接する第１シーム溶接ユニットと、この第１シーム溶接ユニットで一部分がシーム溶接されたワークを高温度雰囲気中で保持する加熱処理手段と、この加熱処理手段から取り出されたワークに対し、真空雰囲気下において、キャップの他の部分をベース上にシーム溶接することによりベースの内部空間を封止する第２シーム溶接ユニットとを備えていることを特徴とするシーム溶接装置。
8. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接方法において、
   複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットの各収容空間にベース及びキャップを収容した状態で、仮付けユニットにおいてベースに対してキャップを仮付けし、第１シーム溶接ユニットにおいて窒素雰囲気下で、上記ベースに対して仮付けされたキャップの一部分をベース上にシーム溶接し、第２シーム溶接ユニットにおいて真空雰囲気下でキャップの他の部分をベース上にシーム溶接することによりベースの内部空間を封止する一方、上記第２シーム溶接ユニットにおいて溶接工程を実行する直前にベース及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱処理工程を実行することを特徴とするシーム溶接方法。
9. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接方法において、
   ベースに対してキャップが仮付けされたワークを、第１シーム溶接ユニットにおいて窒素雰囲気下でキャップの一部分をベース上にシーム溶接した後、ベース及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱処理工程を実行し、その後、第２シーム溶接ユニットにおいて真空雰囲気下でキャップの他の部分をベース上にシーム溶接することによりベースの内部空間を封止することを特徴とするシーム溶接方法。
10. ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、
    上記ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用パレットを備え、
    上記ベースに対してキャップをシーム溶接する際、シーム溶接用電極をベース用パレットに対して相対的に直線移動させ、その直線上にある複数のキャップにシーム溶接用電極を順に接触させてベースに対するキャップのシーム溶接を連続して行うよう構成されており、このシーム溶接を行う際、各キャップに対し、シーム溶接用電極が接触する領域以外の領域をベース側に押さえ込む線材を備えていることを特徴とするシーム溶接装置。
11. 上記請求項１または２記載のシーム溶接装置において、
    キャップは磁性材料で成っており、
    第１パレットの内部または下面には、キャップに磁力を作用させることにより、ベースに対してキャップをシーム溶接する前段階においてキャップとベースとの位置ずれが生じないようにするための磁石が設けられていることを特徴とするシーム溶接装置。

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