JP2003311425A - シーム溶接装置及びシーム溶接方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベース上にキャップを載置し、この状態で両
者をシーム溶接するに際し、ワーク１個当たりに要する
工程時間を大幅に短縮化する。 【解決手段】 複数の収容空間がマトリックス状に配置
された下側の第１パレット４１Ａ及び第２パレット４１
Ｂを、仮付け溶接に先立って重ね合わせる。両パレット
４１Ａ，４１Ｂの収容空間に亘ってベースＢ及びキャッ
プＣを収容し、仮付け用溶接電極１１を第２パレット４
１Ｂの電極挿通空間Ｅ２，Ｅ２に挿入してキャップＣに
接触させてキャップＣをベースＢに仮付け溶接する。そ
の後、第１パレット４１Ａから第２パレット４１Ｂを離
脱させてキャップＣの上縁を第１パレット４１Ａの上面
よりも上方に位置させた状態で、シーム溶接用電極をキ
ャップの上縁に接触させながらキャップＣの全周囲をベ
ースＢにシーム溶接する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子部品の
ケーシングを構成するベースとキャップとを接合するた
めのシーム溶接装置及びシーム溶接方法に係る。特に、
本発明は、ベースにキャップを載置する作業からシーム
溶接が完了するまでに要する時間の短縮化を図るための
改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、モバイルコンピュータ等の情報機
器や、携帯電話、自動車電話、ページングシステム等の
移動体通信機器の需要の増大に伴い、これらに用いられ
る水晶振動子などの電子部品の需要も増大しつつある。

【０００３】この種の水晶振動子の構成としては、例え
ば特開平６−９０１３５号公報に開示されているよう
に、上部が開放された容器状のセラミックベースと、こ
のセラミックベース内に導電性接着剤等により保持され
た圧電素子（水晶振動片）と、この圧電素子を覆って振
動子内部空間を密閉するようにセラミックベース上縁部
に接合されたキャップとを備えている。

【０００４】また、上記セラミックベースにキャップを
接合するための手法の一つとして、セラミックベース上
にキャップを搭載し、この両者をシーム溶接により一体
的に溶着することが行われている。つまり、製造装置の
キャリア上に載置されたセラミックベースにキャップを
搭載し、このキャップの全周囲に亘ってシーム溶接用電
極を順次接触させながら振動子内部空間を密閉するよう
にシーム溶接を行っていく。

【０００５】一般に、この種のシーム溶接装置は、セラ
ミックベースにキャップを仮付けする工程、矩形状のキ
ャップの長辺側に沿ってシーム溶接用電極を接触させる
ことにより行う長辺側シーム溶接工程、キャップの短辺
側に沿ってシーム溶接用電極を接触させることにより行
う短辺側シーム溶接工程を順に行うようになっている。
つまり、キャリア上に載置されたセラミックベースの上
面に対してキャップを搬送して搭載するための機構、キ
ャップをセラミックベースに仮付けするための仮付け溶
接機構、キャップの各辺を溶接するためのシーム溶接機
構、長辺側シーム溶接工程から短辺側シーム溶接工程に
移る際にワーク（一部が溶着されたセラミックベースと
キャップ）を９０°回転させるための回転機構を備えた
構成となっていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のシ
ーム溶接装置にあっては、単位時間当たりに作製される
水晶振動子の個数をできる限り多くしたいといった要求
がある。つまり、水晶振動子の１個当たりの作製に要す
る時間（タクト時間）をできる限り短くしたいといった
要求がある。

【０００７】上述した従来のシーム溶接装置では、一列
に並べられたベースに対して順に各工程（仮付けから短
辺側シーム溶接に亘る各工程）を実行していくため、こ
のタクト時間を短縮化するには限界があった。

【０００８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、ベース上にキャップ
を載置し、この状態で両者をシーム溶接するに際し、ワ
ーク１個当たりに要する工程時間を大幅に短縮化するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明が講じた解決手段の一つとしては、先ず、
ベース上にキャップを載置した状態でこの両者をシーム
溶接するシーム溶接装置を前提とする。このシーム溶接
装置に対し、ベース上にキャップを搭載した状態でこの
両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置
されたベース用パレットを備えさせる。また、ベース用
パレットに、互いに重ね合わされる第１及び第２の少な
くとも上下２枚のパレットを備えさせ、下側の第１パレ
ットには、ベースの平面視形状に略合致した複数の収容
空間をマトリックス状に配置する。一方、上側の第２パ
レットには、キャップの平面視形状に略合致した複数の
収容空間を第１パレットの収容空間に対応してマトリッ
クス状に配置すると共に、この収容空間に連続し且つキ
ャップに向かって溶接電極が移動する際にこの溶接電極
が入り込む電極挿通空間を備えさせている。

【００１０】また、上記電極挿通空間は、第２パレット
に形成されている収容空間としての矩形状空間の一部の
辺が部分的に切り欠かれて形成されている。

【００１１】上記構成のベース用パレットを使用するシ
ーム溶接方法としては以下のものが掲げられる。つま
り、ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を一
旦仮付け溶接した後、この両者をシーム溶接するシーム
溶接方法に対し、上記ベース用パレットを利用し、仮付
け溶接に先立って、第１パレット上に第２パレットを重
ね合わせ、両パレットの収容空間に亘ってベース及びキ
ャップを収容し、その後、仮付け用溶接電極を電極挿通
空間に挿入してキャップに接触させてキャップをベース
に仮付け溶接する。更に、その後、第１パレットから第
２パレットを離脱させてキャップの上縁を第１パレット
の上面よりも上方に位置させた状態で、シーム溶接用電
極をキャップの上縁に接触させながらキャップの全周囲
をベースにシーム溶接する。

【００１２】以上の特定事項により、ベースに対してキ
ャップを仮付けした後に、第１パレットから第２パレッ
トを離脱させるのみで、シーム溶接を行うことができ
る。つまり、仮付け時にはベース及びキャップの位置決
めを第１及び第２のパレットによって正確に行いながら
この両者の仮付けを行い、その後、第１パレットから第
２パレットを離脱させるといった簡単な作業でそのまま
シーム溶接工程に移ることができる。言い換えると、仮
付け工程からシーム溶接工程に移る際にベース及びキャ
ップを別のパレットに載せ直す必要がない。また、この
ベース用パレットには複数の収容空間がマトリックス状
に配置されているために、上記第２パレットの離脱に伴
って複数のワーク（ベースとキャップ）のシーム溶接可
能な状態が略同時に得られることになる。このため、ワ
ーク１個当たりに要する工程時間の短縮化を図ることが
できる。

【００１３】ベースに対してキャップを載置する作業に
要する時間の短縮化を図るための構成として以下のもの
が掲げられる。つまり、ベースを収容する複数の収容空
間がマトリックス状に配置されたベース用パレットと、
キャップを収容するべくキャップの平面視形状に略合致
した複数の収容空間がベース用パレットの収容空間に対
応してマトリックス状に配置されたキャップ用パレット
とを備えさせる。そして、ベース上にキャップを載置す
る際であって、ベース用パレットにキャップ用パレット
を重ね合わせるときに、キャップ用パレットの収容空間
内にキャップを保持するための磁力を発生させる磁力保
持手段を備えさせる。

【００１４】この場合、キャップ用パレットの収容空間
としてはパレット上面側に開放する有底の凹部で形成す
る。そして、キャップ用パレットの下面に対して着脱自
在とされた永久磁石で成る板材により磁力保持手段を構
成している。

【００１５】この特定事項により、ベース用パレットに
キャップ用パレットを重ね合わせた状態で磁力保持手段
による磁力を解除する（例えばキャップ用パレットの下
面から磁力保持手段を取り除く）ことにより、マトリッ
クス状に配置された各収容空間に収容されていたキャッ
プの全てを略同時にベース上に載置することができる。
例えばキャップ用パレットに２０個の収容空間を備えさ
せた場合には、これら２０個のキャップの全てを略同時
にベース上に載置することができることになる。このた
め、ベースに対してキャップを載置する作業に要する時
間の大幅な短縮化を図ることが可能になる。

【００１６】また、仮にキャップの平面視形状とベース
の平面視形状とが一致していない場合、例えばキャップ
の平面視形状がベースの平面視形状よりも小さい場合に
は、ベースとキャップとのセンタ位置を位置合わせする
必要があるが、上記ベース用パレットにキャップ用パレ
ットを重ね合わせる際に、これらセンタ位置を位置合わ
せした状態で各パレット同士を重ね合わせるようにすれ
ば、キャップをベース側に落とし込んだ際、このキャッ
プをベース上の適切な位置に載置することが可能にな
る。

【００１７】ベースに対してキャップをシーム溶接する
際の前処理として以下のものが掲げられる。つまり、ベ
ース上にキャップを載置した状態でこの両者を収容する
複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用
パレットを備えさせ、ベースに対してキャップをシーム
溶接する際、最終シーム溶接工程の直前においてベース
及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱処理手段
を備えさせている。つまり、この加熱処理手段において
ベース及びキャップを高温度雰囲気に曝すことにより、
ベースの内部空間に存在していた水分を除去することが
できる。このため、ベース上にキャップを載置してから
最終シーム溶接工程までの間にワークが大気に曝されて
内部に水分が侵入したとしても、最終シーム溶接工程の
直前においてこの水分を除去できる。このため、各工程
における雰囲気に対する高い管理が必要なくなり、装置
全体としての構成を簡素化できる。この構成の簡素化に
伴って、ベース上にキャップを載置してから最終シーム
溶接工程に移行するまでの時間の短縮化を図ることも可
能になる。

【００１８】また、このような加熱処理手段を使用して
最終シーム溶接工程の直前においてベース及びキャップ
を高温度雰囲気中で保持する加熱処理工程を実行するシ
ーム溶接方法も本願発明の技術的思想の範疇である。

【００１９】また、複数個のワークに対するシーム溶接
を連続的に行うための構成として以下のものが掲げられ
る。つまり、ベース上にキャップを載置した状態でこの
両者を収容する複数の収容空間がマトリックス状に配置
されたベース用パレットを備えさせ、ベースに対してキ
ャップをシーム溶接する際、シーム溶接用電極をベース
用パレットに対して相対的に直線移動させ、その直線上
にある複数のキャップにシーム溶接用電極を順に接触さ
せてベースに対するキャップのシーム溶接を連続して行
う構成とする。

【００２０】また、この場合、各キャップに対し、シー
ム溶接用電極が接触する領域以外の領域をベース側に押
さえ込む位置規制手段を備えさせれば、シーム溶接中に
ワークが浮き上がってしまうことを防止でき、安定した
シーム溶接動作を行うことができる。

【００２１】更に、複数のユニットから構成されるシー
ム溶接装置において、ベース用パレットにベース及びキ
ャップを収容した状態で、ベースに対してキャップを仮
付けするための仮付けユニット、ベースに対して仮付け
されたキャップの一部分をベース上にシーム溶接するた
めの第１シーム溶接ユニット、キャップの他の部分をベ
ース上にシーム溶接することによりベースの内部空間を
封止するための第２シーム溶接ユニットを互いに独立し
て配設している。従来では、例えば平面視が矩形状のベ
ース及びキャップに対し、長辺側シーム溶接工程と短辺
側シーム溶接工程を連続して行うためにはワークを９０
°回転させるための回転機構を備えさせる必要があり、
この９０°回転に要する時間だけタクト時間が長くなっ
てしまうといった課題があった。本解決手段では、第１
シーム溶接ユニットと第２シーム溶接ユニットとを近く
に設置しておき、上述の如くパレットを９０°回転させ
る時間よりも各ユニット間でのパレット移載時間を短く
すれば、短時間でシーム溶接を完了させることが可能に
なる。また、上記回転機構を必要としないため、装置の
構成の簡素化も図ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。本形態では、電子部品として水晶
振動子を採用し、その製造に本発明を適用した場合につ
いて説明する。つまり、図１に示すように、水晶振動片
（図示省略）を収容していると共に上部が開放された容
器形状のセラミックベースＢ（例えばアルミナ製）に対
して、その振動子内部空間を密閉するように磁性材料の
キャップＣ（例えば金属のプレス加工により形成されて
いる）を接合するための装置及び方法について説明す
る。

【００２３】＜第１実施形態＞先ず、第１実施形態につ
いて説明する。図２に示すように、本形態におけるシー
ム溶接装置は、ベースＢ上にキャップＣをシーム溶接す
る場合の各工程を実行するためのユニット１，２，３が
それぞれ独立して設置されている。

【００２４】具体的には、ベースＢにキャップＣを仮付
けする工程を実行する仮付けユニット１、窒素雰囲気下
において矩形状のキャップＣの長辺側に沿ってシーム溶
接用電極を接触させることにより行う長辺側シーム溶接
工程を実行する長辺側シーム溶接ユニット２、真空雰囲
気下においてキャップの短辺側に沿ってシーム溶接用電
極を接触させることにより行う短辺側シーム溶接工程を
実行する短辺側シーム溶接ユニット３が個別に配置され
ている。ベースＢ及びキャップＣは、後述するパレット
４に収容され、このパレット４に収容された状態で、仮
付けユニット１での仮付け工程、長辺側シーム溶接ユニ
ット２での長辺側シーム溶接工程、短辺側シーム溶接ユ
ニット３での短辺側シーム溶接工程が順に行われる。以
下、パレット４及び各ユニット１，２，３の構成、各ユ
ニット１，２，３で実行される動作について説明する。

【００２５】−パレット４の説明− 本形態で使用されるパレット４は、ベース用パレット４
１及びキャップ用パレット４２を備えている。

【００２６】（ベース用パレット４１の説明）ベース用
パレット４１は、ベースＢに対してキャップＣを載置す
る動作よりも前の段階にあっては複数のベースＢ，Ｂ，
…を、またベースＢに対してキャップＣが載置された後
にはこの重ね合わされたベースＢ及びキャップＣをそれ
ぞれ保持するものであって、上下２枚のパレット４１
Ａ，４１Ｂが離脱可能に重ね合わされて構成されてい
る。尚、このベース用パレット４１の具体的な寸法とし
て、幅（図３における左右方向長さ）が１５０mm、奥行
き（図３における上下方向長さ）が１２０mmである。パ
レットの大きさはこれに限るものではない。

【００２７】下側の第１パレット４１Ａは、図３（図３
（ａ）は第１パレット４１Ａの平面図、図３（ｂ）は図
３（ａ）におけるIII-III線に沿った拡大断面図）に示
すように、ベースＢの平面視形状に略合致した有底のベ
ース収容空間Ｄ，Ｄ，…がマトリックス状に配置されて
いる。図３に示すものでは２０個のベース収容空間Ｄ，
Ｄ，…がマトリックス状に配置されている。また、これ
らベース収容空間Ｄの深さ寸法はベースＢの高さ寸法よ
りも僅かに小さく設定されている（図６参照）。更に、
この第１パレット４１Ａの上面の２箇所の隅角部近傍位
置には位置決めピン４３，４３が突設されている。

【００２８】一方、上側の第２パレット４１Ｂは、図４
（図４（ａ）は第２パレット４１Ｂの平面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）におけるIV-IV線に沿った拡大断面
図）に示すように、上記第１パレット４１Ａに形成され
ているベース収容空間Ｄとは異なる形状の貫通孔で成る
収容空間Ｅがマトリックス状に配置されている。具体的
には、キャップＣの平面視形状に略合致した矩形状空間
Ｅ１と、この矩形状空間Ｅ１に連続し、且つキャップＣ
に向かって後述の仮付け用溶接電極を移動させる際にこ
の電極が入り込む電極挿通空間Ｅ２とが一体化された空
間として形成されている。この電極挿通空間Ｅ２は、矩
形状空間Ｅ１の長辺側の中央部が部分的に切り欠かれて
形成されている。図４に示すものでは、上記第１パレッ
ト４１Ａのベース収容空間Ｄ，Ｄ，…にそれぞれ対応し
た２０個の収容空間Ｅ，Ｅ，…がマトリックス状に配置
されている。また、第２パレット４１Ｂの厚さ寸法（収
容空間Ｅの深さ寸法となる）は上記第１パレット４１Ａ
のベース収容空間Ｄの深さ寸法よりも小さく設定されて
おり、且つこの第２パレット４１Ｂが第１パレット４１
Ａに載置された状態では、この両者で形成される収容空
間の深さ寸法（ベース収容空間Ｄの深さ寸法と収容空間
Ｅの深さ寸法との和）が水晶振動子の高さ寸法（ベース
Ｂの高さ寸法とキャップＣの厚さ寸法との和）よりも僅
かに大きくなるように設定されている（図８参照）。ま
た、この第２パレット４１Ｂにおいて上記位置決めピン
４３，４３の突設位置に対応した位置には、位置決めピ
ン４３の外径寸法に略一致した内径寸法を有する位置決
め孔４４，４４が形成されている。

【００２９】（キャップ用パレット４２の説明）次に、
キャップ用パレット４２について説明する。このキャッ
プ用パレット４２は、図５（図５（ａ）はキャップ用パ
レット４２の平面図、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は図５
（ａ）におけるＶ−Ｖ線に沿った拡大断面図であって、
図５（ｂ）は後述する磁力保持手段としての磁石板４６
を取り外した状態、図５（ｃ）はその磁石板４６を取り
付けた状態である）に示すように、キャップＣの平面視
形状に略合致した有底のキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…が
マトリックス状に配置されている。図５に示すもので
は、第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄ，Ｄ，…に
それぞれ対応した２０個のキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…
がマトリックス状に配置されている。また、これらキャ
ップ収容空間Ｆの深さ寸法はキャップＣの高さ寸法より
も僅かに大きく設定されている（図５（ｃ）参照）。ま
た、このキャップ用パレット４２において上記位置決め
ピン４３，４３の突設位置に対応した位置には、位置決
めピン４３の外径寸法に略一致した内径寸法を有する位
置決め孔４５，４５が形成されている。

【００３０】また、このキャップ用パレット４２の下面
側には、キャップ保持用の磁石板４６が着脱自在に取り
付けられている。つまり、キャップ用パレット４２の下
面に磁石板４６を重ね合わせた状態で各キャップ収容空
間Ｆ，Ｆ，…にキャップＣ，Ｃ，…を入れることによ
り、これらキャップＣ，Ｃ，…がキャップ収容空間Ｆ，
Ｆ，…内で保持される構成となっている。

【００３１】−各ユニットにおける工程説明− （仮付け工程）仮付けユニット１において実行される仮
付け工程では、先ず、図６（一つの収容空間部分におけ
る断面図）に示すように、第１パレット４１Ａの上面に
第２パレット４１Ｂを載置する。この際、第２パレット
４１Ｂの位置決め孔４４に第１パレット４１Ａの位置決
めピン４３を挿通させることによりこの両者の位置決め
を行う。

【００３２】そして、これらパレット４１Ａ，４１Ｂに
よって連続形成された収容空間Ｄ，Ｅの内部にベースＢ
をそれぞれ収容する。この収容作業は、供給ロボットに
よる作業または作業者による手作業によって行われる。
この状態では、ベースＢの上面は第２パレット４１Ｂの
上面よりも下側に位置している。

【００３３】この作業に併行して図５（ｃ）に示すよう
に、キャップ用パレット４２の下面に磁石板４６を重ね
合わせた状態で各キャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…にキャッ
プＣ，Ｃ，…をそれぞれ収容する。この収容作業も、供
給ロボットによる作業または作業者による手作業によっ
て行われる。この状態では、磁石板４６の磁力によって
各キャップＣ，Ｃ，…はキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…内
で保持される。

【００３４】このようにして各パレット４１，４２にワ
ーク（ベースＢ及びキャップＣ）を個別に保持させた
後、図７に示すように、キャップ用パレット４２を磁石
板４６と共に上下反転させて、このキャップ用パレット
４２を第２パレット４１Ｂの上面に載置する。この際、
キャップ用パレット４２の位置決め孔４５に第１パレッ
ト４１Ａの位置決めピン４３を挿通させることによりこ
の両者の位置決めを行う。このキャップ用パレット４２
の載置作業は、パレット搬送ロボットによる作業または
作業者による手作業によって行われる。このようにして
キャップ用パレット４２を第２パレット４１Ｂの上面に
載置した状態では、未だ磁石板４６の磁力によって各キ
ャップＣ，Ｃ，…はキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…内で保
持されている。

【００３５】この状態で、キャップ用パレット４２の下
面（図７に示す状態では上側を向いている面）から磁石
板４６を離脱することにより、磁石板４６から各キャッ
プＣ，Ｃ，…に作用していた磁力が解除され、図８に示
すように、各キャップＣ，Ｃ，…はベース用パレット４
１側の収容空間Ｄ，Ｅに向けて落下し、ベースＢ上に載
置される。

【００３６】その後、図９に示すように、キャップ用パ
レット４２が第２パレット４１Ｂの上面から取り外され
る。これにより、キャップＣが載置されたベースＢがベ
ース用パレット４１のみによって保持された状態とな
る。この状態では、ベースＢは第１パレット４１Ａのベ
ース収容空間Ｄの内壁によって、キャップＣは第２パレ
ット４１Ｂの収容空間Ｅの内壁によってそれぞれ位置決
めされることになり、相対的な位置ずれは生じない。こ
のため、ベースＢやキャップＣの位置を認識するための
カメラなどを備えた画像処理ユニットは必要ない。尚、
第１パレット４１Ａの内部または下面に磁石を設けてお
き、その磁力をキャップＣに作用させることによりキャ
ップＣとベースＢとの位置ずれが生じないようにしても
よい。

【００３７】この状態で、仮付け用溶接電極１１による
仮付け動作が行われる。この動作に使用される仮付け用
溶接電極１１は、図１０（ａは側面図、ｂは平面図）に
示すように絶縁体１２を挟んで一体化された一対の電極
１１Ａ，１１Ｂを備えている。各電極１１Ａ，１１Ｂ間
の間隔寸法はキャップＣの幅寸法に略一致している。こ
のような構成の仮付け用溶接電極１１が複数個併設され
て仮付け電極ユニット１３（図１１参照）が構成されて
いる。具体的には、この仮付け電極ユニット１３は一対
の電極１１Ａ，１１Ｂで成る仮付け用溶接電極１１が５
組併設され、これらが同時に上下移動するように図示し
ない昇降機構によって支持されている。つまり、この仮
付け電極ユニット１３が、仮付け溶接時に下降し、仮付
け溶接の終了後に上昇するといった動作を繰り返す。こ
の仮付け電極ユニット１３の下降時には、各電極１１
Ａ，１１Ｂの一部はキャップＣの幅方向の両外側に位置
することになるが、上述した如く、第２パレット４１Ｂ
には電極挿通空間Ｅ２，Ｅ２が形成されており、この空
間Ｅ２，Ｅ２に各電極１１Ａ，１１Ｂが入り込むことに
よって電極１１Ａ，１１Ｂと第２パレット４１Ｂとが干
渉することなしに確実な仮付け動作が行われる。

【００３８】図１１（ａ）〜（ｄ）は、この仮付け電極
ユニット１３を使用した仮付け動作を示している。先
ず、マトリックス配置された複数のワークＷ（キャップ
ＣとベースＢ）のうち第１行目（図１１（ａ）において
最上部の行）に対して仮付け動作を行う。つまり、この
第１行目のワークＷが仮付け電極ユニット１３の直下に
位置するようにベース用パレット４１を移動させ、この
状態から仮付け電極ユニット１３を下降させて、各電極
１１Ａ，１１Ｂに通電を行う。これにより、この第１行
目に位置している５個のキャップＣの長辺側の略中央位
置がベースＢ上に形成されている図示しないメッキ層に
それぞれスポット溶接される。この仮付け動作の終了
後、仮付け電極ユニット１３を上昇させる。尚、本形態
における仮付けユニット１では、仮付け動作時、各電極
１１Ａ，１１Ｂの先端部周辺に向けて窒素ガスを吹き付
けることによりワークの焼けを防止するブロー機構が設
けられている。

【００３９】次に、第２行目（図１１（ｂ）において最
上部から２番目の行）に対して仮付け動作を行う。この
際、この第２行目のワークＷが仮付け電極ユニット１３
の直下に位置するようにベース用パレット４１を移動さ
せ（図中矢印参照）、この状態から仮付け電極ユニット
１３を下降させて、各電極１１Ａ，１１Ｂに通電を行
う。このベース用パレット４１の移動は、本仮付けユニ
ット１に備えられた図示しないパレット載置台が水平移
動することにより行われる。これにより、この第２行目
に位置している５個のキャップＣの長辺側の略中央位置
がベースＢ上にそれぞれスポット溶接される。この仮付
け動作の終了後、仮付け電極ユニット１３を上昇させ
る。このような動作を第４行目（図１１（ｄ）において
最下部の行）まで順に繰り返す。これにより、ベース用
パレット４１に保持されている全てのワークＷに対して
仮付け動作が終了する。以上の仮付け工程が終了した
後、このベース用パレット４１は長辺側シーム溶接ユニ
ット２に移動される。この長辺側シーム溶接ユニット２
への移動は、搬送ロボットまたは作業者による手作業に
よって行われる。

【００４０】（長辺側シーム溶接工程）次に、長辺側シ
ーム溶接ユニット２において実行される長辺側シーム溶
接工程について説明する。この工程では、図１２に示す
ように第１パレット４１Ａから第２パレット４１Ｂを取
り外した後、この第１パレット４１Ａを長辺側シーム溶
接ユニット２のパレット載置台（図示省略）上に載置し
た状態で行われる。この長辺側シーム溶接ユニット２に
はシーム溶接機が備えられており、図１３に示すよう
に、このシーム溶接機の電極５，５がキャップＣの長辺
側に接触され、この長辺に沿って相対的に移動（転動）
しながらシーム溶接を行う。これら電極５，５はキャッ
プＣの上面に対して所定の傾斜角度を有する接触面を備
えており、この接触面がキャップＣのエッジ部分に当接
された状態でこの電極５，５がパレット４１Ａに対して
相対的に移動（図１３において紙面に直交する方向に移
動）されることによりシーム溶接が行われる。

【００４１】図１４（ａ）〜（ｅ）は、このシーム溶接
機を使用した長辺側シーム溶接動作を示している。先
ず、マトリックス配置された複数のワークＷ（キャップ
ＣとベースＢ）のうち第１列目（図１４（ａ）において
最も左側の列）に対して長辺側シーム溶接動作を行う。
つまり、この第１列目のワークＷに対向するようにシー
ム溶接機の電極５，５を対向させた状態で、電極５，５
の高さ位置とキャップＣの上面位置とが略同一位置にな
るように電極５，５を下降させる。この状態で、第１パ
レット４１Ａを図１４（ａ）における上側へ移動させ
（矢印参照）、各電極５，５に通電を行う。これによ
り、この第１列目に位置している４個のキャップＣに対
して順に電極５，５が接触していき、各キャップＣの長
辺がベースＢの長辺にそれぞれシーム溶接される。尚、
本形態における長辺側シーム溶接ユニット２において
も、シーム溶接動作時、各電極５，５の先端部周辺に向
けて窒素ガスを吹き付けることによりワークの焼けを防
止するブロー機構が設けられている。

【００４２】上述の如く、第１列目に位置しているワー
クＷに対するシーム溶接動作が終了した後、電極５，５
が上昇し、図１４（ｂ）に示すように第１パレット４１
Ａが一列分だけ図中左方向に移動する。これにより、第
２列目のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極
５，５が対向され、この状態から、電極５，５の高さ位
置とキャップＣの上面位置とが略同一位置になるように
電極５，５を下降させる。その後、第１パレット４１Ａ
を図１４（ｂ）における下側へ移動させ（矢印参照）、
各電極５，５に通電を行う。これにより、この第２列目
に位置している４個のキャップＣに対して順に電極５，
５が接触していき、各キャップＣの長辺がベースＢの長
辺にそれぞれシーム溶接される。この第２列目に位置し
ているワークＷに対するシーム溶接動作が終了した後、
電極５，５が上昇し、図１４（ｃ）に示すように第１パ
レット４１Ａが一列分だけ図中左方向に移動する。これ
により、第３列目のワークＷに対向するようにシーム溶
接機の電極５，５が対向される。以上の動作が第５列ま
で繰り返されることにより、全てのワークＷに対して長
辺側シーム溶接動作が終了する。以上の長辺側シーム溶
接工程が終了した後、この第１パレット４１Ａは短辺側
シーム溶接ユニット３に移動される。この短辺側シーム
溶接ユニット３への移動は、搬送ロボットまたは作業者
による手作業によって行われる。

【００４３】（短辺側シーム溶接工程）次に、短辺側シ
ーム溶接ユニット３において実行される短辺側シーム溶
接工程について説明する。この工程では、図１５に示す
ように第１パレット４１Ａを短辺側シーム溶接ユニット
３のパレット載置台（図示省略）上に載置した状態で行
われる。この短辺側シーム溶接ユニット３にもシーム溶
接機が備えられており、図１５に示すように、このシー
ム溶接機の電極６，６がキャップＣの短辺側に接触さ
れ、この短辺に沿って相対的に移動（転動）しながらシ
ーム溶接を行う。これら電極６，６はキャップＣの上面
に対して所定の傾斜角度を有する接触面を備えており、
この接触面がキャップＣのエッジ部分に当接された状態
でこの電極６，６がパレット４１Ａに対して相対的に移
動（図１５において紙面に直交する方向に移動）される
ことによりシーム溶接が行われる。

【００４４】また、この短辺側シーム溶接ユニット３の
特徴として、図１７に示すように、シーム溶接が行われ
るシーム室３２の前工程側にゲートバルブ３４Ａを介し
て加熱処理手段としての加熱室３１が備えられている。
つまり、この加熱室３１に電熱ヒータを備えさせ、第１
パレット４１Ａを設置した状態でこの加熱室３１内を高
温度雰囲気（例えば２８０℃程度）とすることにより、
ベースＢの内部空間に存在していた水分を除去できるよ
うにしている（本発明でいう加熱処理工程）。このよう
にして加熱室３１において水分が除去された後にシーム
室３２における短辺側シーム溶接動作が行われる。

【００４５】図１６（ａ）〜（ｄ）は、このシーム室３
２における短辺側シーム溶接動作を示している。先ず、
マトリックス配置された複数のワークＷ（キャップＣと
ベースＢ）のうち第１行目（図１６（ａ）において最も
上側の行）に対して短辺側シーム溶接動作を行う。先
ず、ゲートバルブ３４Ａを開放し、加熱室３１からシー
ム室３２へ第２パレット４１Ｂを搬送した後、シーム室
３２内を高真空状態（例えば真空度１×１０^-3Ｐａ）と
する。そして、この第１行目のワークＷに対向するよう
にシーム溶接機の電極６，６を対向させた状態で、電極
６，６の高さ位置とキャップＣの上面位置とが略同一位
置になるように電極６，６を下降させる。この状態で、
第１パレット４１Ａを図１６（ａ）における左方向へ移
動させ（矢印参照）、各電極６，６に通電を行う。これ
により、この第１行目に位置している５個のキャップＣ
に対して順に電極６，６が接触していき、各キャップＣ
の短辺がベースＢの短辺にそれぞれシーム溶接される。
この第１行目に位置しているワークＷに対するシーム溶
接動作が終了した後、電極６，６が上昇し、図１６
（ｂ）に示すように第１パレット４１Ａが一行分だけ図
中上側に移動する。これにより、第２行目のワークＷに
対向するようにシーム溶接機の電極６，６が対向され、
この状態から、電極６，６の高さ位置とキャップＣの上
面位置とが略同一位置になるように電極６，６を下降さ
せる。その後、第１パレット４１Ａを図１６（ｂ）にお
ける右方向へ移動させ（矢印参照）、各電極６，６に通
電を行う。これにより、この第２行目に位置している５
個のキャップＣに対して順に電極６，６が接触してい
き、各キャップＣの短辺がベースＢの短辺にそれぞれシ
ーム溶接される。この第２行目に位置しているワークＷ
に対するシーム溶接動作が終了した後、電極６，６が上
昇し、図１６（ｃ）に示すように第１パレット４１Ａが
一行分だけ図中上側に移動する。これにより、第３行目
のワークＷに対向するようにシーム溶接機の電極６，６
が対向される。以上の動作が第４行目まで繰り返される
ことにより、全てのワークＷに対して短辺側シーム溶接
動作が終了する。以上の短辺側シーム溶接工程が終了し
た後、後段側のゲートバルブ３４Ｂが開放され、第１パ
レット４１Ａは、内部が窒素雰囲気とされた取り出し室
３３に移動される。

【００４６】−実施形態の効果− 以上説明したように、本形態では、各ベースＢ上にキャ
ップＣを載置する際、キャップ用パレット４２から磁石
板４６を取り除くことにより、マトリックス状に配置さ
れた各キャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…に収容されていたキ
ャップＣ，Ｃ，…の全てを略同時にベースＢ，Ｂ，…上
に載置することができる。また、仮付け工程において、
ベースＢに対してキャップＣを仮付けした後に、第１パ
レット４１Ａから第２パレット４１Ｂを離脱させるのみ
で、そのまま長辺側シーム溶接工程に移行することがで
きる。更には、シーム溶接用電極５，５、６，６に対し
て第１パレット４１Ａを相対的に直線移動させ、その直
線上にある複数のキャップＣ，Ｃ，…にシーム溶接用電
極５，５、６，６を順に接触させてベースＢに対するキ
ャップＣのシーム溶接が連続して行われるようにしてい
る。このため、水晶振動子の１個当たりの作製に要する
タクト時間を大幅に短縮化（例えば１sec以下に）する
ことが可能になる。また、各工程を実行するためのユニ
ット１，２，３をそれぞれ独立して設置させたため、装
置内部でパレットを９０°回転させる機構等の複雑な機
構を排除することができ、装置の構成の簡素化及び設備
コストの削減を図ることができる。また、機構の簡素化
に伴いメンテナンス性の向上を図ることもできる。

【００４７】更に、ベースＢ及びキャップＣはパレット
の収容空間内に位置決めされるため、これらベースＢと
キャップＣとの位置を撮像素子等によって撮像して位置
ずれが生じていないかを確認する必要がない。これによ
っても、装置の構成の簡素化及び設備コストの削減を図
ることができる。

【００４８】＜第２実施形態＞次に、第２実施形態につ
いて説明する。本形態は、仮付けユニット１の変形例で
ある。その他の構成及び動作は上述した第１実施形態の
ものと同様である。従って、ここでは仮付けユニット１
の構成及び仮付け工程についてのみ説明する。

【００４９】図１８は、本形態に係る仮付けユニット１
の平面図である。これらの図に示すように、仮付けユニ
ット１は、複数のキャップＣ，Ｃ，…が蓄えられたパー
ツフィーダ１４、このパーツフィーダ１４から取り出さ
れたキャップＣ，Ｃ，…をベース用パレット４１（図１
８ではパレット４１上の収容空間及び各ワークを省略し
ている）に順次供給していくキャップ供給装置１５、上
記実施形態のものと同様に絶縁体を挟んで一体化された
一対の電極を備えた仮付け用溶接電極１１、ベース用パ
レット４１を搬送する図示しないパレット搬送台、仮付
け作業終了後のベース用パレット４１をパレット搬送台
から受け取る排出台１６を備えている。

【００５０】上記キャップ供給装置１５は、パーツフィ
ーダ１４から取り出された所定数（本形態では５個）の
キャップＣ，Ｃ，…をベース用パレット４１に順次供給
し、このベース用パレット４１の収容空間に収容されて
いるベースＢに対してキャップＣ，Ｃ，…を載置してい
く。具体的には、マトリックス上に配置された収容空間
に予め収容されているベースＢに対して、その１行分毎
にキャップＣ，Ｃ，…を順に載置していく。

【００５１】仮付け用溶接電極１１としては、電極は一
対備えられているのみであって、この仮付け用溶接電極
１１の昇降動作が１回行われる度に一つのワークに対し
て仮付け用溶接動作が実行される。また、この仮付け用
溶接電極１１は水平方向へ移動するための機構は備えて
おらず、同一位置で昇降するのみである。つまり、後述
するようにパレット搬送台が水平方向に移動することに
より所定のワークを仮付け用溶接電極１１の直下まで移
動させ、この状態で仮付け用溶接電極１１が下降するこ
とによって仮付け溶接が行われる。

【００５２】パレット搬送台は、上面にベース用パレッ
ト４１を載置した状態でＸ軸方向（図１８の左右方向）
及びＹ軸方向（図１８の上下方向）に移動し、これによ
って仮付け用溶接電極１１に対して任意のワークを対向
させることができるようになっている。例えば、行方向
に並ぶ５個のワークに対して連続して仮付け用溶接を行
う場合には、パレット搬送台は、仮付け溶接動作が行わ
れる度に図中左右方向の一方向に移動していく。尚、図
１８に実線で示すパレット位置は、ベース用パレット４
１上の左上に位置しているワークに対して仮付け溶接を
行う際のパレット位置である。図１８に一点鎖線で示す
パレット位置は、ベース用パレット４１上の右上に位置
しているワークに対して仮付け溶接を行う際のパレット
位置である。図１８に二点鎖線で示すパレット位置は、
ベース用パレット４１上の左下に位置しているワークに
対して仮付け溶接を行う際のパレット位置である。図１
８に破線で示すパレット位置は、ベース用パレット４１
上の右下に位置しているワークに対して仮付け溶接を行
う際のパレット位置である。

【００５３】また、このパレット搬送台は、ベース用パ
レット４１上の全てのワークに対して仮付け溶接が完了
した後に、このベース用パレット４１を排出台１７に送
り出すようになっている。

【００５４】また、本仮付けユニット１では、キャップ
供給装置１５によるベース用パレット４１へのキャップ
Ｃ，Ｃ，…の供給動作と、仮付け用溶接電極１１による
他のベース用パレット４１上のワークに対する仮付け動
作とが併行されるようになっている。

【００５５】このように本形態では、ベースＢに対する
キャップＣの載置動作から、キャップＣのベースＢへの
仮付け動作、更には、仮付け後のベース用パレット４１
の排出動作までを自動的に行うことができる。このた
め、作業性の向上を図ることができる。

【００５６】＜第３実施形態＞次に、第３実施形態につ
いて説明する。本形態は、各シーム溶接ユニット２，３
の変形例である。その他の構成及び動作は上述した第１
実施形態のものと同様である。従って、ここでは各シー
ム溶接ユニット２，３の構成及びシーム溶接工程につい
てのみ説明する。

【００５７】図１９（ａは平面図、ｂはａのＢ矢視図）
は、長辺側シーム溶接ユニット２内での第１パレット４
１Ａを示す平面図である。これらの図に示すように、長
辺側シーム溶接ユニット２では、第１パレット４１Ａに
対して着脱自在とされた位置規制手段としてのワーク抑
え部材７が備えられている。このワーク抑え部材７は、
第１パレット４１Ａの縁部に係止する一対の係止板７
１，７２と、これら係止板７１，７２に亘って架け渡さ
れた複数本のピアノ線７３，７３，…とを備えている。

【００５８】このワーク抑え部材７が第１パレット４１
Ａに対して装着された状態では、各ピアノ線７３が、シ
ーム溶接用電極が通過しない領域で且つワークＷの中心
部を通過し、このワークＷの上面（キャップの表面）を
押さえ込んで第１パレット４１Ａからの浮き上がりを防
止するようになっている。

【００５９】このため、シーム溶接時にワークＷが浮き
上がって電極に張り付いてしまうといった状況を回避す
ることができ、安定したシーム溶接動作を行うことがで
きる。

【００６０】尚、短辺側シーム溶接ユニット３において
も同様のワーク抑え部材が備えられており、この短辺側
シーム溶接動作時においても、ワークＷの浮き上がりを
回避して安定したシーム溶接動作を行うことができる。

【００６１】また、上記ワーク抑え部材７においてワー
クＷの上面を押さえ込む部材としてはピアノ線に代えて
ワイヤ等を使用してもよい。

【００６２】（第４実施形態）次に、第４実施形態につ
いて説明する。本形態は、各シーム溶接ユニット２，３
における電極への電圧印加タイミングの変形例である。
その他の構成及び動作は上述した第１実施形態のものと
同様である。従って、ここでは電極への電圧印加タイミ
ングについてのみ説明する。

【００６３】本形態では、シーム溶接電極５，５、
（６，６）間の抵抗値または電流値の変化を検知するよ
うにし、この変化によって両電極５，５、（６，６）が
キャップＣに接触したか否かを判断するようにしてい
る。そして、この両電極５，５、（６，６）がキャップ
Ｃに接触したことが検知された際に、両電極５，５、
（６，６）にシーム溶接用電流を流す。また、このシー
ム溶接動作中にもシーム溶接電極５，５、（６，６）間
の抵抗値または電流値の変化を検知しておき、この変化
によって少なくとも一方の電極５、（６）がキャップＣ
から離れたか否かを判断するようにしている。そして、
少なくとも一方の電極５、（６）がキャップＣから離れ
たことが検知された際に、両電極５，５、（６，６）へ
のシーム溶接用電流を解除する。

【００６４】このような動作により、キャップＣと電極
５、（６）との間でのスパークの発生を抑制することが
でき、安定したシーム溶接動作を行うことができる。

【００６５】また、本第４実施形態の変形例として、シ
ーム溶接用電極５，５、（６，６）に対する第１パレッ
ト４１Ａの移動量を認識しておき、その第１パレット４
１Ａに対するシーム溶接電極５，５、（６，６）の位
置、つまり各ワークＷに対するシーム溶接電極５，５、
（６，６）の位置を認識する。これにより、両電極５，
５、（６，６）がキャップＣに接触したことが認識され
た際に、両電極５，５、（６，６）にシーム溶接用電流
を流す。また、少なくとも一方の電極５、（６）がキャ
ップＣから離れたことが認識された際に、両電極５，
５、（６，６）へのシーム溶接用電流を解除する。

【００６６】このような動作によっても、キャップＣと
電極５、（６）との間でのスパークの発生を抑制するこ
とができ、安定したシーム溶接動作を行うことができ
る。

【００６７】また、長辺側をシーム溶接した後に短辺側
をシーム溶接する場合、ワークＷの短辺のうち両端部分
にあっては、既に行われた長辺側シーム溶接動作におい
て溶接がなされている。このため、短辺側シーム溶接動
作にあってはその短辺の一端から他端に亘る全体を溶接
する必要はない。つまり、シーム溶接用電流を流すタイ
ミングとして高い精度は必要なくなる。これは、逆に短
辺側をシーム溶接した後に長辺側をシーム溶接する場合
において、この長辺側シーム溶接動作においても同様で
ある。

【００６８】また、本形態のように電極５、（６）がキ
ャップＣから離れたことが認識された際に、両電極５，
５、（６，６）へのシーム溶接用電流を解除することに
より、仮にワークＷの浮き上がりが発生したとしても電
極５、（６）とワークＷとの間でスパークが発生するこ
とがないため、ワークＷが電極５、（６）に張り付いて
しまうといった状況を回避することができ、安定したシ
ーム溶接動作を行うことができる。

【００６９】−その他の実施形態− 上記各実施形態では１枚のパレット上に２０個のワーク
を保持させる場合について説明した。本発明にあって
は、１枚のパレット上に保持可能なワークの数はこれに
限るものではなく、例えば５００〜６００個のワークを
保持可能な構成としてもよい。

【００７０】更に、上述した各実施形態では、上縁にコ
バールリング等の磁性体リングを備えていないセラミッ
クベース１に対してキャップ２を接合する場合について
説明した。本発明はこれに限らず、上縁にコバールリン
グ等の磁性体リングを備えたセラミックベース１に対し
てキャップ２を接合する場合に適用することも可能であ
る。

【００７１】また、上述した各実施形態では、ベース１
の平面視形状とキャップ２の平面視形状とが一致してい
るものに本発明を適用した場合について説明した。仮
に、キャップの平面視形状がベースの平面視形状よりも
小さい場合には、キャップ用パレット４２に形成されて
いるキャップ収容空間Ｆ，Ｆ，…の平面視形状は、ベー
ス用パレット４１に形成されているベース収容空間Ｄ，
Ｄ，…の平面視形状よりも小さく形成される。

【００７２】このようにキャップの平面視形状がベース
の平面視形状よりも小さい場合、第２パレット４１Ｂの
矩形状空間Ｅ１の平面視形状をキャップＣの平面視形状
に合致させたのでは、この矩形状空間Ｅ１をベースＢが
通過できず、第１パレット４１Ａのベース収容空間Ｄ，
Ｄ，…にベースＢを入れることができなくなってしま
う。従って、この場合には、第２パレット４１Ｂの矩形
状空間Ｅ１の平面視形状はベースＢの平面視形状に合致
させて形成しておく。また、第１パレット４１Ａの上面
に第２パレット４１Ｂを載置する前に、第１パレット４
１Ａのベース収容空間Ｄ，Ｄ，…にベースＢを入れてお
くようにすれば、第２パレット４１Ｂの矩形状空間Ｅ１
の平面視形状をキャップＣの平面視形状（第１パレット
４１Ａのベース収容空間Ｄよりも小さい形状）に合致さ
せることが可能である。

【００７３】加えて、上述した各実施形態では、キャッ
プ用パレット４２に形成されているキャップ収容空間
Ｆ，Ｆ，…の平面視形状をキャップＣの平面視形状に略
合致させ、また、ベース用パレット４１に形成されてい
るベース収容空間Ｄ，Ｄ，…の平面視形状をベースＢの
平面視形状に略合致させていた。これに限らず、収容空
間においてキャップＣやベースＢの位置決めを行うこと
ができる手段（収容空間の内壁から突出した突起によっ
てキャップＣやベースＢを位置決めする等）を採用する
ようにすれば、必ずしも各収容空間の平面視形状は上記
各実施形態のものに限ることはない。

【００７４】また、本発明は、水晶振動子に限らず、ニ
オブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した圧
電振動子や、その他種々の電子部品の製造に適用可能で
ある。

【００７５】

【発明の効果】以上のように、本発明では、仮付け工程
において、ベースに対してキャップを仮付けした後に、
第１パレットから第２パレットを離脱させるのみで、そ
のままシーム溶接工程に移行することができるようにし
ている。このため、ワーク１個当たりの作製に要するタ
クト時間を大幅に短縮化することが可能になり、生産効
率の向上を図ることができる。

【００７６】また、各ベース上にキャップを載置する
際、キャップ用パレットから磁力保持手段を取り除くこ
とにより、マトリックス状に配置された各キャップ収容
空間に収容されていたキャップの全てを略同時にベース
上に載置することができるようにしている。これによっ
てもワーク１個当たりの作製に要するタクト時間を大幅
に短縮化することができる。

【００７７】更に、シーム溶接用電極に対してパレット
を相対的に直線移動させ、その直線上にある複数のキャ
ップにシーム溶接用電極を順に接触させてベースに対す
るキャップのシーム溶接が連続して行われるようにして
いる。これによってもワーク１個当たりの作製に要する
タクト時間を大幅に短縮化することができる。

【００７８】また、各工程を実行するためのユニットを
それぞれ独立して設置させたことにより、装置の構成の
簡素化及び設備コストの削減を図ることができる。ま
た、機構の簡素化に伴いメンテナンス性の向上を図るこ
ともできる。

【００７９】加えて、最終シーム溶接工程の直前におい
てベース及びキャップを高温度雰囲気中で保持する加熱
処理工程を実行することにより、各工程における雰囲気
に対する高い管理が必要なくなり、装置全体としての構
成を簡素化できる。この構成の簡素化に伴って、ベース
上にキャップを載置してから最終シーム溶接工程に移行
するまでの時間の短縮化を図ることも可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】水晶振動子の外観を示す斜視図である。

【図２】シーム溶接装置の概略システム図である。

【図３】（ａ）は第１パレットの平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるIII-III線に沿った拡大断面図である。

【図４】（ａ）は第２パレットの平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるIV-IV線に沿った拡大断面図である。

【図５】（ａ）はキャップ用パレットの平面図、
（ｂ），（ｃ）は（ａ）におけるＶ−Ｖ線に沿った拡大
断面図である。

【図６】ベース用パレットにベースが収容された状態を
示す断面図である。

【図７】ベース用パレット上にキャップ用パレットを上
下反転させて載置した状態を示す断面図である。

【図８】キャップ用パレットから磁石板４６を離脱させ
た状態を示す断面図である。

【図９】キャップ用パレットを第２パレットの上面から
取り外した状態を示す断面図である。

【図１０】仮付け動作を説明するための図であって、
（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。

【図１１】仮付け動作の手順を説明するための平面図で
ある。

【図１２】第１パレットから第２パレットを取り外した
状態を示す断面図である。

【図１３】長辺側シーム溶接工程を説明するための断面
図である。

【図１４】長辺側シーム溶接動作の手順を説明するため
の平面図である。

【図１５】短辺側シーム溶接工程を説明するための断面
図である。

【図１６】短辺側シーム溶接動作の手順を説明するため
の平面図である。

【図１７】短辺側シーム溶接ユニットの概略構成を示す
図である。

【図１８】第２実施形態に係る仮付けユニットの平面図
である。

【図１９】第３実施形態に係るワーク抑え部材を装着し
た第１パレットを示す平面図である。

【符号の説明】

１１ 仮付け用溶接電極 ３１ 加熱室（加熱処理手段） ４１ ベース用パレット ４１Ａ 第１パレット ４１Ｂ 第２パレット ４６ 磁石板（磁力保持手段） ７ ワーク抑え部材（位置規制手段） Ｂ ベース Ｃ キャップ Ｄ ベース収容空間 Ｅ 収容空間 Ｅ１ 矩形状空間 Ｅ２ 電極挿通空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯塚 実 兵庫県加古川市平岡町新在家字鴻野1389番 地 株式会社大真空内 (72)発明者 石原 宏征 兵庫県加古川市平岡町新在家字鴻野1389番 地 株式会社大真空内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース上にキャップを載置した状態でこ
   の両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、 上記ベース上にキャップを搭載した状態でこの両者を収
   容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベ
   ース用パレットを備え、 このベース用パレットは、互いに重ね合わされる第１及
   び第２の少なくとも上下２枚のパレットを備えており、 下側の第１パレットには、ベースの平面視形状に略合致
   した複数の収容空間がマトリックス状に配置されている
   一方、 上側の第２パレットには、キャップの平面視形状に略合
   致した複数の収容空間が上記第１パレットの収容空間に
   対応してマトリックス状に配置されていると共に、この
   収容空間に連続し且つキャップに向かって溶接電極が移
   動する際にこの溶接電極が入り込む電極挿通空間が備え
   られていることを特徴とするシーム溶接装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のシーム溶接装置におい
   て、 電極挿通空間は、第２パレットに形成されている収容空
   間としての矩形状空間の一部の辺が部分的に切り欠かれ
   て形成されていることを特徴とするシーム溶接装置。
3. 【請求項３】 ベース上にキャップを載置した状態でこ
   の両者を一旦仮付け溶接した後、この両者をシーム溶接
   するシーム溶接方法において、 上記ベースの平面視形状に略合致した複数の収容空間が
   マトリックス状に配置された下側の第１パレットと、キ
   ャップの平面視形状に略合致した複数の収容空間が上記
   第１パレットの収容空間に対応してマトリックス状に配
   置されていると共にこの収容空間に連続し且つキャップ
   に向かって仮付け用溶接電極が移動する際にこの仮付け
   用溶接電極が入り込む電極挿通空間を備えた上側の第２
   パレットとを備えたベース用パレットを利用し、 仮付け溶接に先立って、第１パレット上に第２パレット
   を重ね合わせ、両パレットの収容空間に亘ってベース及
   びキャップを収容し、 その後、仮付け用溶接電極を電極挿通空間に挿入してキ
   ャップに接触させてキャップをベースに仮付け溶接し、 更に、その後、第１パレットから第２パレットを離脱さ
   せてキャップの上縁を第１パレットの上面よりも上方に
   位置させた状態で、シーム溶接用電極をキャップの上縁
   に接触させながらキャップの全周囲をベースにシーム溶
   接することを特徴とするシーム溶接方法。
4. 【請求項４】 ベース上にキャップを載置した状態でこ
   の両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、 上記ベースを収容する複数の収容空間がマトリックス状
   に配置されたベース用パレットと、 上記キャップを収容するべくキャップの平面視形状に略
   合致した複数の収容空間が上記ベース用パレットの収容
   空間に対応してマトリックス状に配置されたキャップ用
   パレットと、 ベース上にキャップを載置する際であって、ベース用パ
   レットにキャップ用パレットを重ね合わせるときに、キ
   ャップ用パレットの収容空間内にキャップを保持するた
   めの磁力を発生させる磁力保持手段とを備えていること
   を特徴とするシーム溶接装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載のシーム溶接装置におい
   て、 キャップ用パレットの収容空間はパレット上面側に開放
   する有底の凹部で形成されており、 磁力保持手段は、キャップ用パレットの下面に対して着
   脱自在とされた永久磁石で成る板材により構成されてい
   ることを特徴とするシーム溶接装置。
6. 【請求項６】 ベース上にキャップを載置した状態でこ
   の両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、 上記ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を収
   容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベ
   ース用パレットを備え、 上記ベースに対してキャップをシーム溶接する際、最終
   シーム溶接工程の直前においてベース及びキャップを高
   温度雰囲気中で保持する加熱処理手段を備えていること
   を特徴とするシーム溶接装置。
7. 【請求項７】 ベース上にキャップを載置した状態でこ
   の両者をシーム溶接するシーム溶接方法において、 複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベース用
   パレットの各収容空間にベース及びキャップを収容した
   状態で、ベースに対してキャップをシーム溶接する際、
   最終シーム溶接工程の直前においてベース及びキャップ
   を高温度雰囲気中で保持する加熱処理工程を実行するこ
   とを特徴とするシーム溶接方法。
8. 【請求項８】 ベース上にキャップを載置した状態でこ
   の両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、 上記ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を収
   容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベ
   ース用パレットを備え、 上記ベースに対してキャップをシーム溶接する際、シー
   ム溶接用電極をベース用パレットに対して相対的に直線
   移動させ、その直線上にある複数のキャップにシーム溶
   接用電極を順に接触させてベースに対するキャップのシ
   ーム溶接を連続して行うよう構成されていることを特徴
   とするシーム溶接装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載のシーム溶接装置におい
   て、 シーム溶接用電極をベース用パレットに対して相対的に
   直線移動させてシーム溶接を連続して行う際、各キャッ
   プに対し、シーム溶接用電極が接触する領域以外の領域
   をベース側に押さえ込む位置規制手段を備えていること
   を特徴とするシーム溶接装置。
10. 【請求項１０】 ベース上にキャップを載置した状態で
    この両者をシーム溶接するシーム溶接装置において、 上記ベース上にキャップを載置した状態でこの両者を収
    容する複数の収容空間がマトリックス状に配置されたベ
    ース用パレットを備え、 このベース用パレットにベース及びキャップを収容した
    状態で、ベースに対してキャップを仮付けするための仮
    付けユニット、ベースに対して仮付けされたキャップの
    一部分をベース上にシーム溶接するための第１シーム溶
    接ユニット、キャップの他の部分をベース上にシーム溶
    接することによりベースの内部空間を封止するための第
    ２シーム溶接ユニットが互いに独立して配設されている
    ことを特徴とするシーム溶接装置。