KR20070059994A - 서포트 플레이트의 첩합수단과 첩합장치, 및 서포트플레이트의 첩합방법 - Google Patents

서포트 플레이트의 첩합수단과 첩합장치, 및 서포트플레이트의 첩합방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070059994A
KR20070059994A KR1020060122163A KR20060122163A KR20070059994A KR 20070059994 A KR20070059994 A KR 20070059994A KR 1020060122163 A KR1020060122163 A KR 1020060122163A KR 20060122163 A KR20060122163 A KR 20060122163A KR 20070059994 A KR20070059994 A KR 20070059994A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support plate
substrate
plate
bonding
semiconductor wafer
Prior art date
Application number
KR1020060122163A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100838460B1 (ko
Inventor
아키히코 나카무라
아쯔시 미야나리
요시히로 이나오
Original Assignee
도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 filed Critical 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20070059994A publication Critical patent/KR20070059994A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100838460B1 publication Critical patent/KR100838460B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1825—Handling of layers or the laminate characterised by the control or constructional features of devices for tensioning, stretching or registration
    • B32B38/1833—Positioning, e.g. registration or centering
    • B32B38/1841—Positioning, e.g. registration or centering during laying up
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B2038/1891—Using a robot for handling the layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2309/00—Parameters for the laminating or treatment process; Apparatus details
    • B32B2309/60—In a particular environment
    • B32B2309/68—Vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/0046—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by constructional aspects of the apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means

Abstract

반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트의 직경 치수가 동일한 경우일지라도, 양자의 얼라이먼트를 확실히 행하는 것이 가능한 첩합수단을 제공한다.
반도체 웨이퍼(52)를 올려놓는 재치 플레이트(12), 반도체 웨이퍼(52) 상에 서포트 플레이트(51)을 눌러붙이는 프레스 플레이트(18)과, 한쌍의 얼라이먼트 부재(40)을 구비하고, 얼라이먼트 부재(40)은 수평방향으로 자유자재로 진퇴되며, 그의 앞쪽 끝부분에는 서포트 플레이트(51)의 주위 가장자리부 아랫면을 지지하는 블레이드(34, 44)와, 반도체 웨이퍼(52)에 서포트 플레이트(51)를 겹친 상태에서 위치 맞춤을 행하는 누름부재를 설치하여 첩합수단(7)을 구성한다.
서포트 플레이트, 첩합, 프레스 플레이트, 얼라이먼트 부재, 반송 로봇

Description

서포트 플레이트의 첩합수단과 첩합장치, 및 서포트 플레이트의 첩합방법{Attaching means and attaching apparatus for supporting plate, and attaching method for supporting}
도 1은 본 발명의 첩합장치(attaching apparatus)의 하나의 실시형태를 나타내는 전체 평면도이다.
도 2는 도 1의 첩합수단(attaching means)의 정단면도(正斷面圖)이다.
도 3은 도 2의 A-A 방향 단면도이다.
도 4는 얼라이먼트(alignment) 부재의 측면도이다.
도 5는 얼라이먼트 부재의 평면도이다.
도 6은 조작 개시시점의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 7은 조작 개시로부터 프레스 플레이트(press plate)가 상승한 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 8은 얼라이먼트 부재가 서포트 플레이트(supporting plate)를 받는 위치까지 전진한 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 9는 챔버(chamber) 내에 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트가 반입된 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 10은 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트를 함께 겹친 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 11은 도 10의 상태로부터 얼라이먼트 부재를 후퇴시킨 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 12는 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트를 함께 겹쳐 얼라이먼트를 행하고 있는 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 13은 얼라이먼트 후의 적층체(績層體)를 재치(載置) 플레이트 상에 올려놓은 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 14는 프레스 플레이트가 하강하여 서포트 플레이트를 반도체 웨이퍼에 눌러붙이고 있는 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
도 15는 첩합 후에 프레스 플레이트가 상승한 상태의 첩합수단의 내부를 나타내는 도면이다.
부호의 설명
1…반송 로봇, 2…웨이퍼 카세트(wafer cassette), 3…반도체 웨이퍼의 위치 맞춤 수단, 4…도포수단, 5…열처리수단, 6…냉각수단, 7…첩합수단(attaching means), 8…서포트 플레이트 카세트, 9…서포트 플레이트의 위치 맞춤 수단, 10…챔버, 11…진공 펌프에 연결되는 개구(開口), 12…재치(載置) 플레이트, 13…핫플레이트(hot plate), 14…관통구멍(貫通孔), 15…핀, 16…실린더 유닛(cylinder unit), 17…열전체(熱電體), 18…프레스 플레이트, 19…축, 20…개구, 21…용적(容積) 저감 블록, 22…첩합장치(attaching apparatus), 30, 40…얼라이먼트(alignment) 부재, 31, 41…축부(軸部), 32, 42…실린더 유닛, 33, 43…롤 러(roller), 34, 44…블레이드(blade), 51…서포트 플레이트, 52…반도체 웨이퍼, 52a…오리엔테이션 플랫(orientation flat)
본 발명은, 서포트 플레이트의 첩합수단과 첩합장치, 및 서포트 플레이트의 첩합방법에 관한 것이다.
IC 카드나 휴대전화의 박형화(薄型化), 소형화, 경량화가 요구되고 있어, 이 요구를 만족시키기 위해서는 삽입되는 반도체 칩에 대해서도 얇은 두께의 반도체 칩으로 해야한다. 이 때문에 반도체 칩의 토대가 되는 웨이퍼의 두께는 현재 상태에서는 125 ㎛~150 ㎛이지만, 차세대의 칩용으로는 25 ㎛~50 ㎛로 해야한다고 말하여지고 있다.
반도체 웨이퍼를 그라인더(grinder) 등에 의해 박판화(薄板化)하는 공정에서는, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면쪽을 테이프나 판재(板材)로 서포트할 필요가 있다. 특허문헌 1에는, 반도체 웨이퍼에 서포트 플레이트를 첩부(貼付)하는 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 1에 개시되는 장치는, 상하 한쌍의 핫플레이트를 배치함과 동시에, 이들 핫플레이트의 바깥쪽에 상하 한쌍의 진공 포트(vacuum pot)를 설치하고, 상하의 핫플레이트 사이에서 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트의 적층체를 압착(壓着)하는 동안, 감압(減壓) 분위기에서 행하도록 하고 있다. 특히, 특허문헌 1에서는 상하의 핫플레이트를 승강시키는 수단으로서 유압식(油壓式) 프레스기를 사용하지 않고, 댐퍼(damper)로서도 기능하는 에어 플런저(air plunger)를 사용함으로써, 핫플레이트로부터의 열로 적층체가 팽창됐을 때에 발생하는 역압력으로 반도체 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하고 있다.
[특허문헌 1] 일본국 특허공개 제2002-192394호 공보
그런데, 상기 특허문헌 1에서는, 직경 150 ㎜의 반도체 웨이퍼를 사용하고, 직경 150.5 ㎜의 서포트 플레이트를 사용하고 있다. 구체적으로는, 중앙에 직경 160 ㎜의 구멍을 도려낸 위치 맞춤판을 놓고, 이 위치 맞춤판의 구멍 내에, 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트를 넣어 접착하고 있다(단락 [0024]~[0028]).
상기한 바와 같이 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트를 대략 동일한 직경으로 하면, 적층체를 반송 등의 공정에서 그대로 반도체와 동일하게 취급할 수 있다. 그러나, 직경 160 ㎜의 구멍 속에 직경 150 ㎜의 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트를 넣어도, 어긋남이 발생해버린다.
또한 반도체 웨이퍼와 서포트 플레이트를 접착하는 접착제로서는, 에폭시 수지 등이 사용되지만, 에폭시 수지는 가열에 의해 유동성(流動性)이 증가되어, 일단 위치가 정해진 경우일지라도, 위치 어긋남을 일으키기 쉽다.
전술한 점에 비추어, 본 발명은, 기판과 서포트 플레이트의 직경 치수가 동일한 경우일지라도, 양자의 얼라이먼트를 확실하게 행할 수 있고, 서포트 플레이트를 함께 겹친 후에도 위치 맞춤의 수정을 용이하게 행할 수 있는 서포트 플레이트 의 첩합수단과 첩합장치, 및 서포트 플레이트의 첩합방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합수단은, 기판의 표면에 접착제를 매개로 하여 서포트 플레이트를 첩합시키는 수단으로서, 기판을 올려놓는 재치 플레이트, 기판 상에 서포트 플레이트를 눌러붙이는 프레스 플레이트와, 한쌍의 얼라이먼트 부재를 구비하고, 얼라이먼트 부재는 수평방향으로 자유자재로 진퇴(進退)되며, 그의 앞쪽 끝부분에는 서포트 플레이트의 주위 가장자리부(周緣部) 아랫면을 지지하는 블레이드와, 기판에 서포트 플레이트를 겹친 상태에서 위치 맞춤을 행하는 누름부재(pushing members)가 설치되어 있는 구성으로 한다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합수단에 의하면, 기판을 올려놓는 재치 플레이트, 기판 상에 서포트 플레이트를 눌러붙이는 프레스 플레이트와, 한쌍의 얼라이먼트 부재를 구비하고, 얼라이먼트 부재는 수평방향으로 자유자재로 진퇴되며, 그 앞쪽 끝부분에는 서포트 플레이트의 주위 가장자리부 아랫면을 지지하는 블레이드와, 기판에 서포트 플레이트를 겹친 상태에서 위치 맞춤을 행하는 특수한 구조의 얼라이먼트 부재를 사용함으로써, 기판과 서포트 플레이트의 직경 치수가 동일해도, 양자의 얼라이먼트(중심 맞춤)를 확실하게 행할 수 있다. 이 때 얼라이먼트 부재에 있어서는 롤러 등을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 직경 치수가 동일하다는 것은, 완전히 직경의 치수 수치가 일치하는 것 외에, 서포트 플레이트의 기판으로부터의 비어져나온 치수가 작아, 파지구(把持具)에 의해 잡을 수 없는 것도 포함한다.
또한, 본 발명의 서포트 플레이트의 첩합수단에 있어서는, 기판과 서포트 플레이트의 사이에 에어(air)가 들어가 빠지지 않게 되는 것을 방지하기 위해, 재치 플레이트 및 프레스 플레이트는 진공원(眞空源)에 연결되는 챔버 내에 배치되고, 이 챔버의 측벽(側壁)을 관통하여 얼라이먼트 부재가 진퇴 가능하게 된 구성으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 재치 플레이트에 대해서는 핫플레이트를 겸하는 구성으로 함으로써, 접착제 중의 가스를 효과적으로 뺄 수 있다. 또한, 이 경우, 프레스 플레이트를 핫플레이트에 미리 접근시켜 가열해둠으로써, 상하 양쪽에 가열수단을 설치할 필요가 없어진다. 또한, 상하 양쪽에 온도 조정기구를 설치한 경우는 이들을 적절히 조정함으로써 탈가스효과를 증가시키거나, 첩합 후의 기판의 휘어짐을 저감시킬 수 있다.
또한, 기판을 지지하는 지지 핀에 대해서는, 재치 플레이트에 상하방향의 관통구멍을 형성하고, 이 관통구멍을 매개로 하여, 재치 플레이트 윗면으로부터 지지 핀이 출몰 가능한 구성으로 하는 것을 생각할 수 있다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합방법은, 기판의 표면에 접착제를 매개로 하여 서포트 플레이트를 첩합시키는 방법에 있어서, 기판의 표면에 접착제를 도포하는 공정, 기판을 가열한 후에 냉각하는 공정, 기판과 서포트 플레이트의 중심이 일치하도록 위치 맞춤을 행하는 공정과, 감압하에 있어서 서포트 플레이트를 기판에 눌러붙여 적층체를 형성하는 공정을 갖도록 한다.
또한, 이 첩합방법에 대해서는, 특히 청구항 1 내지 청구항 6의 첩합수단을 사용하지 않아도 된다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합방법에 의하면, 기판의 표면에 접착제를 도포하는 공정, 기판을 가열한 후에 냉각하는 공정, 기판과 서포트 플레이트의 중심이 일치하도록 위치 맞춤을 행하는 공정과, 감압하에 있어서 서포트 플레이트를 기판에 눌러붙여 적층체를 형성하는 공정을 갖기 때문에, 기판에 접착제를 도포하여 가열하고, 그 다음 기판을 냉각함으로써, 서포트 플레이트아 반도체 기판과의 첩합시에 얼라이먼트의 상세한 수정이 가능해진다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합장치는, 기판의 표면에 접착제를 매개로 하여 서포트 플레이트를 첩합시키는 장치로서, 반송 로봇, 이 반송 로봇의 주위에 배치된 처리 전의 기판 및 서포트 플레이트가 수납(收納)되는 카세트, 기판의 회로 형성면에 처리액을 도포하는 도포수단, 피막(被膜)을 가열시키는 열처리수단, 피막을 냉각시키는 냉각수단, 기판 및 서포트 플레이트의 위치 맞춤 수단과, 전술한 본 발명의 첩합수단을 적어도 갖도록 한다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합장치에 의하면, 반송 로봇, 이 반송 로봇의 주위에 배치된 처리 전의 기판 및 서포트 플레이트가 수납되는 카세트, 기판의 회로 형성면에 처리액을 도포하는 도포수단, 피막을 가열시키는 열처리수단, 피막을 냉각시키는 냉각수단, 기판 및 서포트 플레이트의 위치 맞춤 수단과, 전술한 본 발명의 첩합수단을 적어도 갖도록 했기 때문에, 전술한 첩합수단의 작용에 추가하여, 서포트 플레이트 첩합의 일련의 공정을 1개의 장치 내에서 효율적으로 행할 수 있고, 또한 장치구성을 간략화할 수 있다.
또한, 예를 들면 각 처리장치를 따로따로 배치함으로써 발생했던, 기판의 반송시간도 단축할 수 있고, 첩합공정 시간의 추가적인 단축화를 도모하는 것도 가능하다.
도 1은 본 발명의 서포트 플레이트의 첩합장치의 하나의 실시형태를 나타내는 전체 평면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 첩합수단의 정단면도, 도 3은 도 2의 A-A 방향 단면도, 도 4는 첩합수단 내에 삽입된 얼라이먼트 부재의 측면도, 도 5는 얼라이먼트 부재의 평면도이다.
도 1에 나타내는 본 실시형태의 첩합장치(22)에서는, 1은 반송 로봇이고, 이 반송 로봇(1)을 둘러싸도록, 웨이퍼 카세트(2), 도포수단(4), 열처리수단(예를 들면 핫플레이트)(5), 냉각수단(예를 들면 쿨플레이트(cool plate))(6), 첩합수단(7) 및 서포트 플레이트 카세트(8)이 배치되어 있다. 3은 후술하는 바와 같이 도포 전의 반도체 웨이퍼의 위치 맞춤 등을 행하는 수단이고, 9는 첩합 전의 서포트 플레이트의 위치 맞춤을 행하는 수단이다.
첩합수단(7)은 도 2에 나타내는 바와 같이 챔버(10)을 구비하고 있다. 이 챔버(10)에는 진공 펌프에 연결되는 개구(11)이 저면(底面)에 형성되고, 챔버(10) 내의 저면에는 재치 플레이트(12)가 설치되어 있다. 이 재치 플레이트(12)는 하반부(下半部)를 핫플레이트(13)으로 하고, 추가로 두께방향으로 관통구멍(14)가 형성되며, 이 관통구멍(14)에 핀(15)가 끼워져(揷通) 있다.
핀(15)는 챔버(10)의 저판(底板)을 기밀(氣密)하고, 자유자재로 미끄러 져(slide) 관통하여 아래쪽으로 늘어나며, 그의 하단(下端)이 실린더 유닛(16)에 장착되어 있다. 또한, 도면 중 17은 열전체이다.
챔버(10) 내의 천정부(天井部)에는 프레스 플레이트(18)이 설치되어 있다. 이 프레스 플레이트(18)은 그의 축(19)가 천정부를 기밀하고, 자유자재로 미끄러져 관통하여 위쪽으로 늘어나며, 도시하지 않는 구동(驅動) 유닛에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼나 서포트 플레이트의 두께나 기울어짐에 대응하기 위해, 프레스 플레이트(18)은 볼 조인트(ball joint)를 매개로 하여 축(19)에 연결되어 있다.
프레스 플레이트(18)은 프레스시에 열을 반도체 웨이퍼에 가하기 때문에, 재질이 열팽창계수가 높은 것을 선정하면, 열에 의해 프레스 플레이트 자체가 뒤틀림을 발생시켜, 고정도(高精度)로 첩합시킬 수 없게 된다. 따라서, 저열팽창계수의 재료, 예를 들면 합성 석영(石英), SiC, 알루미나(alumina) 등을 사용하는 것이 바람직하다.
챔버(10)의 정면에는 도 3에 나타내는 바와 같이 기판으로서의 반도체 웨이퍼 및 서포트 플레이트를 반입(搬入)·반출(搬出)하기 위한 개구(20)이 형성되고, 이 개구(20)과 반대쪽 챔버(10) 내부에는 단시간에 목적의 압력까지 감압시키기 위한 용적 저감 블록(21)이 설치되어 있다.
챔버(10)의 양쪽에는 한쌍의 얼라이먼트 부재(30, 40)이 설치되어 있다. 이들 얼라이먼트 부재(30, 40)의 축부(軸部)(31, 41)은 챔버(10)의 측벽을 수평으로 관통하고, 축부(31, 41)의 외단부(外端部)는 실린더 유닛(32, 42)에 연결되며, 실 린더 유닛(32, 42)의 구동으로 기밀하고, 자유자재로 미끄러져 진퇴한다.
얼라이먼트 부재(30, 40)의 축부(31, 41)의 앞쪽 끝부분에는, 각각 블레이드(34, 44)와 한쌍의 롤러(33, 43)이 설치되어 있다. 블레이드(34, 44)는 서포트 플레이트(51)의 주위 가장자리부 아랫면을 지지하는 것이다. 롤러(33, 43)에 대해서는, 반도체 웨이퍼(52) 윗면에 형성된 접착제층에 서포트 플레이트(51)의 아랫면이 접촉하는 두께, 즉 롤러(33, 43)의 두께는 반도체 웨이퍼와 접착제층의 두께 보다 두껍게 되어 있다.
얼라이먼트 부재(30)에 있어서, 한쌍의 롤러(33, 43) 사이의 간격은, 반도체 웨이퍼(52)의 오리엔테이션 플랫(52a) 부분의 길이 보다도 짧게 설정되어 있다.
또한, 서포트 플레이트(51)로서는 유리판, 세라믹판, 수지판 중 어느 것이어도 된다. 세라믹판으로서는 알루미나, SiC를 들 수 있고, 수지판으로서는, 폴리이미드, PET, 폴리에틸렌나프탈레이트를 들 수 있다. 또한 서포트 플레이트(51)의 형상으로서는 단순한 원반형상(단 오리엔테이션 플랫에 상당하는 부분은 갖는), 두께방향으로 다수의 관통구멍을 갖는 타입, 한면쪽에 용제를 고루 미치게 하기 위한 홈(溝)을 형성한 타입 등을 사용할 수 있다.
도포수단(4)는, 반도체 웨이퍼의 표면에 접착제를 도포하기 위한 것이다. 열처리수단(5)는, 반도체 웨이퍼 상의 접착제를 가열시키는 것이다. 냉각수단(6)은 가열된 반도체 웨이퍼 상의 접착제를 냉각함으로써, 서포트 플레이트와 반도체 웨이퍼의 첩합시에 상세한 위치 맞춤을 행할 수 있도록 한 것이다. 또한, 전술한 각 수단은 다단식(多段式)으로 되어 있는 경우도 있다.
이어서 이와 같은 구성의 첩합장치(22)를 사용하여, 서포트 플레이트(51)과 반도체 웨이퍼(52)를 첩합시키는 순서를 이하에 설명한다.
먼저, 반송 로봇(1)에 의해 웨이퍼 카세트(2)로부터 반도체 웨이퍼(52)를 1매 꺼내고, 도포 전의 위치 맞춤 수단(3)으로 반도체 웨이퍼(52)의 위치 맞춤을 행한 후, 도포수단(3)으로 반도체 웨이퍼(52)의 윗면에 접착제를 도포한다.
도포된 반도체 웨이퍼(52)는 가열수단(5)인 핫플레이트로 가열된 후에, 반송 로봇(1)에 의해 꺼내 냉각수단(6)에 반입한다. 이 냉각수단(6)에서는, 가열에 의해 유동성이 증가되어 있는 접착제를 어느 정도 경화(硬化)시킴으로써, 서포트 플레이트(51)의 얼라이먼트의 수정을 쉽게 한다.
이 사이, 첩합수단(7)은 도 6에 나타내는 상태가 되어 있다. 즉, 핀(15)의 상단(上端)은 재치 플레이트(12)의 윗면 보다도 내려가 있고, 프레스 플레이트(18)은 그의 아랫면이 재치 플레이트(12)의 윗면에 접근하는 위치까지 강하(降下)되어, 핫플레이트(13)에 의해 가열되어 있다. 또한, 얼라이먼트 부재(30, 40)은 후퇴 위치에 있다.
이어서, 도 7에 나타내는 바와 같이, 프레스 플레이트(18)을 상승시키고, 도 8에 나타내는 바와 같이 실린더 유닛(16)을 작동시킴으로써 핀(15)를 상승시키며, 반송 로봇(1)에 의해 윗면에 접착제가 도포된 반도체 웨이퍼(52)를 개구(20)을 매개로 하여 챔버(10) 내에 반입하여, 핀(15)에 인도한다.
이어서, 도 9에 나타내는 바와 같이 실린더 유닛(32, 42)를 작동시켜 얼라이먼트 부재(30, 40)을 전진시키고 소정 위치에서 정지한다. 그리고, 반송 로봇(1)에 의해 서포트 플레이트 카세트(8)로부터 서포트 플레이트(51)을 꺼내고, 개구(20)을 매개로 하여 챔버(10) 내에 반입하여, 얼라이먼트 부재(30, 40)의 블레이드(34, 44)에 인도한다. 첩합 전의 서포트 플레이트(51)의 위치 맞춤은, 예를 들면 위치 맞춤 수단(9)로 행하여진다.
그 다음, 도 10에 나타내는 바와 같이 핀(15)를 더욱 상승시켜 반도체 웨이퍼(52) 윗면의 접착제층면을 서포트 플레이트(51)의 아랫면에 접촉시키고, 이와 동시에 얼라이먼트 부재(30, 40)을 후퇴시킨다. 이 상태를 도 11에서 나타내고 있다.
도 11로부터도 명백한 바와 같이, 얼라이먼트 부재(30, 40)을 후퇴시킬 때에 서포트 플레이트(51)과 반도체 웨이퍼(52)는 약간 위치 어긋남을 일으킨다.
이 위치 어긋남을 수정하기 위해, 핀(15)를 약간 내려 서포트 플레이트(51)과 반도체 웨이퍼(52) 적층체의 높이 위치를 상기 얼라이먼트 부재(30, 40)의 롤러(33, 43)의 위치로 하고, 이 상태에서 도 12에 나타내는 바와 같이 얼라이먼트 부재(30, 40)을 소정 위치까지 전진시킨다.
그러면, 중심이 어긋나 있던 서포트 플레이트(51)과 반도체 웨이퍼(52)의 중심이 일치한다. 또한, 한쪽 얼라이먼트 부재(30)의 롤러(33, 43) 사이의 거리는 오리엔테이션 플랫(52a)의 길이 보다도 짧게 하고 있기 때문에, 이 롤러(33, 43)의 부분이 오리엔테이션 플랫(52a)의 부분에 오도록 설정함으로써, 오리엔테이션 플랫의 어긋남도 동시에 수정된다.
상기의 얼라이먼트는 챔버(10) 내를 감압한 상태에서 행한다. 그리고, 도 13에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 부재(30, 40)을 후퇴시킨 후, 핀(15)를 하강시 켜 서포트 플레이트(51)과 반도체 웨이퍼(52)의 적층체를 가열된 재치 플레이트(12) 상에 올려놓는다. 적층체는 가열되고, 적층체 중에 포함되는 가스는 제거된다.
그 다음, 도 14에 나타내는 바와 같이, 프레스 플레이트(18)을 강하시켜 서포트 플레이트(51)과 반도체 웨이퍼(52)의 적층체를 재치 플레이트(12)와의 사이에서 가압하여 적층체로 한다. 그리고, 도 15에 나타내는 바와 같이, 프레스 플레이트(18)을 상승시키고, 더욱이 핀(15)를 상승시켜, 감압상태를 해제한다.
이와 같이 하여 얻어진 서포트 플레이트(51)과 반도체 웨이퍼(52)의 적층체는, 다음 공정에 있어서 그라인더로 박판화된다.
또한, 본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼(52)를 먼저 반입하였지만, 서포트 플레이트(51)을 먼저 반입하고 반도체 웨이퍼를 나중에 반입해도 된다.
이와 같이, 본 실시형태의 첩합장치(22)에 의하면, 반송 로봇(1), 이 반송 로봇(1)의 주위에 카세트(3), 도포수단(4), 열처리수단(5), 냉각수단(6), 반도체 웨이퍼(52) 및 서포트 플레이트(51)의 위치 맞춤 수단(3) 및 (9)와, 첩합수단(7)을 갖고 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(52)로의 서포트 플레이트(51) 첩합의 일련의 공정을 하나의 장치 내에서 효율적으로 행할 수 있고, 장치구성을 간략화할 수 있다.
또한, 서포트 플레이트의 첩합방법에 의하면, 반도체 웨이퍼(52)의 표면에 접착제를 도포하고, 반도체 웨이퍼(52)를 가열한 후에 냉각하도록 했기 때문에, 종래에서는 가열에 의한 여열(余熱)로 접착제가 연화(軟化)됨으로써, 서포트 플레이트가 함께 겹쳐진 후의 위치 맞춤시에 상세한 수정은 곤란하였지만, 가열에 의해 유동성이 증가된 접착제를 어느 정도 경화시킬 수 있어, 서포트 플레이트(51)을 함께 겹친 후에는, 상세한 위치 맞춤의 수정이 가능해진다. 또한, 종래와 같은 위치 결정을 하기 위한 대규모의 위치 결정장치도 불필요하다.
또한, 본 실시형태의 첩합장치(22)를, 예를 들면 이미지 센서용으로 사용하는 것도 가능하다. 이 경우는 장시간의 가열을 필요로 하기 때문에, 전술한 도 1의 구성에 있어서, 열처리수단(5)를 핫플레이트로부터 오븐(다단식 오븐)으로 변경하여 행하도록 한다. 이것 이외의 구성은 전술한 경우와 대략 동일하다.
이와 같은 구성의 첩합장치의 경우에 있어서도, 전술한 실시형태의 첩합장치(22)와 동일한 작용을 얻을 수 있는 동시에, 예를 들면 다단식 오븐을 사용함으로써, 처리 매수가 증가하여 처리 시간도 더욱 단축시키는 것이 가능해진다.
또한, 전술한 실시형태의 첩합장치(22)에서는, 경우에 따라서 시트(예를 들면 폴리이미드로 되는 PI 시트)를 첩부하는 수단을 삽입하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명은 전술의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 그 밖의 여러 가지의 구성을 취할 수 있다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합수단에 의하면, 기판 및 서포트 플레이트의 직경 치수가 동등하였던 경우일지라도 정확한 얼라이먼트가 가능해진다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합방법에 의하면, 첩합 후일지라도 얼라이먼트의 상세한 수정이 가능해진다.
본 발명의 서포트 플레이트의 첩합장치에 의하면, 서포트 플레이트의 첩합을 효율적으로 행할 수 있는 동시에 장치구성을 간략화하는 것이 가능해진다.
따라서, 기판에 서포트 플레이트를 첩합시킬 때에 사용되는 장치로서 적합하고, 고성능이며 고신뢰성을 갖는 서포트 플레이트의 첩합장치를 실현할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판의 표면에 접착제를 매개로 하여 서포트 플레이트를 첩합시키는 서포트 플레이트의 첩합수단으로서,
    상기 기판을 올려놓는 재치 플레이트, 상기 기판 상에 서포트 플레이트를 눌러붙이는 프레스 플레이트와, 한쌍의 얼라이먼트 부재를 구비하고,
    상기 얼라이먼트 부재는 수평방향으로 자유자재로 진퇴되며, 그의 앞쪽 끝부분에는 서포트 플레이트의 주위 가장자리부 아랫면을 지지하는 블레이드와, 상기 기판에 서포트 플레이트를 겹친 상태에서 위치 맞춤을 행하는 누름부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 첩합수단.
  2. 제1항의 서포트 플레이트의 첩합수단에 있어서, 상기 재치 플레이트 및 프레스 플레이트는 진공원에 연결되는 챔버 내에 배치되고, 상기 챔버의 측벽을 관통하여 상기 얼라이먼트 부재가 진퇴 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 첩합수단.
  3. 제1항의 서포트 플레이트의 첩합수단에 있어서, 상기 재치 플레이트는 온도 조정기구를 갖는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 첩합수단.
  4. 제1항의 서포트 플레이트의 첩합수단에 있어서, 상기 프레스 플레이트는 온 도 조정기구를 갖는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 첩합수단.
  5. 제1항의 서포트 플레이트의 첩합수단에 있어서, 상기 누름부재가 롤러인 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 첩합수단.
  6. 제1항의 서포트 플레이트의 첩합수단에 있어서, 상기 기판을 지지하는 지지 핀이 상기 재치 플레이트에 형성된 관통구멍을 매개로 하여 상기 재치 플레이트 윗면으로부터 출몰 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 첩합수단.
  7. 기판의 표면에 접착체를 매개로 하여 서포트 플레이트를 첩합시키는 서포트 플레이트의 첩합방법에 있어서,
    상기 기판의 표면에 접착제를 도포하는 공정, 상기 기판을 가열한 후에 냉각하는 공정, 상기 기판과 서포트 플레이트의 중심이 일치하도록 위치 맞춤을 행하는 공정, 감압하에 있어서 상기 서포트 플레이트를 상기 기판에 눌러붙여 적층체를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 첩합방법.
  8. 기판의 표면에 접착체를 매개로 하여 서포트 플레이트를 첩합시키는 서포트 플레이트의 첩합장치로서,
    반송 로봇, 상기 반송 로봇의 주위에 배치된 처리 전의 상기 기판 및 서포트 플레이트가 수납되는 카세트, 상기 기판의 회로 형성면에 처리액을 도포하는 도포수단, 피막을 가열시키는 열처리수단, 상기 피막을 냉각시키는 냉각수단, 상기 기판 및 서포트 플레이트의 위치 맞춤 수단과 제1항의 첩합수단을 적어도 갖는 서포트 플레이트의 첩합장치.
KR1020060122163A 2005-12-06 2006-12-05 서포트 플레이트의 첩합도구와 첩합장치, 및 서포트 플레이트의 첩합방법 KR100838460B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005352594A JP4781802B2 (ja) 2005-12-06 2005-12-06 サポートプレートの貼り合わせ手段及び貼り合わせ装置、並びにサポートプレートの貼り合わせ方法
JPJP-P-2005-00352594 2005-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070059994A true KR20070059994A (ko) 2007-06-12
KR100838460B1 KR100838460B1 (ko) 2008-06-16

Family

ID=38117556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060122163A KR100838460B1 (ko) 2005-12-06 2006-12-05 서포트 플레이트의 첩합도구와 첩합장치, 및 서포트 플레이트의 첩합방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8136564B2 (ko)
JP (1) JP4781802B2 (ko)
KR (1) KR100838460B1 (ko)
TW (1) TW200731447A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101508892B1 (ko) * 2012-05-11 2015-04-07 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 첩부 장치 및 첩부 방법
KR20210107292A (ko) * 2020-02-24 2021-09-01 피에스케이홀딩스 (주) 정렬 장치, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20210108926A (ko) * 2016-03-31 2021-09-03 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100034450A (ko) * 2008-09-24 2010-04-01 삼성전자주식회사 기판접합장치
JP5149207B2 (ja) * 2009-01-13 2013-02-20 株式会社荏原製作所 基板搭載装置
EP2419928A2 (en) * 2009-04-16 2012-02-22 Süss Microtec Lithography GmbH Improved apparatus for temporary wafer bonding and debonding
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5572575B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体
SG179299A1 (en) * 2010-09-13 2012-04-27 Trimech Technology Pte Ltd A display panel substrate assembly, an apparatus and a method for forming a display panel substrate assembly
JP6018732B2 (ja) * 2011-03-25 2016-11-02 不二越機械工業株式会社 ワーク貼着方法およびワーク貼着装置
DE102011113292A1 (de) * 2011-09-05 2013-03-07 Schmid Vacuum Technology Gmbh Vakuumdurchführung und Vakuumbeschichtungsvorrichtung mit Vakuumdurchführungen
JP5427856B2 (ja) * 2011-09-07 2014-02-26 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP5913914B2 (ja) * 2011-11-08 2016-04-27 東京応化工業株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6055597B2 (ja) * 2012-02-09 2016-12-27 東京応化工業株式会社 貼付方法及び貼付装置
JP6001934B2 (ja) * 2012-06-25 2016-10-05 東京応化工業株式会社 重ね合わせ装置および重ね合わせ方法
JP6088835B2 (ja) 2012-09-28 2017-03-01 東京応化工業株式会社 貼合装置および貼り合わせ方法
WO2014157082A1 (ja) 2013-03-29 2014-10-02 東京応化工業株式会社 貼付方法
CN103273719B (zh) * 2013-06-07 2015-09-09 无锡隆盛科技股份有限公司 氧传感器芯片叠压装置
JP5585689B2 (ja) * 2013-06-13 2014-09-10 株式会社ニコン 基板ホルダおよび貼り合せ装置
JP6374680B2 (ja) * 2013-12-13 2018-08-15 東京応化工業株式会社 貼付方法
WO2017066418A1 (en) * 2015-10-15 2017-04-20 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
CN106739424B (zh) * 2015-11-20 2020-02-14 财团法人工业技术研究院 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法
US10730276B2 (en) * 2017-01-17 2020-08-04 Maven Optronics Co., Ltd. System and method for vacuum film lamination
CN108110096A (zh) * 2018-02-10 2018-06-01 清远韶兴新能源科技有限公司 一种led生产设备用新型扩晶机
CN108711556B (zh) * 2018-05-25 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 去气腔室以及去气方法
CN109473380A (zh) * 2018-10-26 2019-03-15 志圣科技（广州）有限公司 晶圆加工机台及其加工方法
CN111029292B (zh) * 2019-12-25 2022-08-02 山东天岳先进科技股份有限公司 一种晶锭的粘结分离装置及方法
JP6990800B1 (ja) * 2020-03-24 2022-01-14 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
CN113263820A (zh) * 2021-05-19 2021-08-17 曹健 一种复合结构铁粉芯胚体堆叠均匀压制装置
JP2023156160A (ja) 2022-04-12 2023-10-24 Ａｉメカテック株式会社 基板重ね合わせ装置及び基板重ね合わせ方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3902255A1 (de) * 1989-01-26 1990-08-02 Nokia Unterhaltungselektronik Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer fluessigkristallzelle
JP2945089B2 (ja) * 1990-07-05 1999-09-06 古河電気工業株式会社 ウエハへのテープ貼付装置
JPH065109A (ja) 1992-06-23 1994-01-14 Matsushita Electric Works Ltd 太陽光採光装置
US5522478A (en) * 1994-04-19 1996-06-04 Smartech Llc Method of elevating a workpiece
JP4689797B2 (ja) * 2000-07-19 2011-05-25 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造装置及びその製造方法
JP2002137352A (ja) * 2000-08-25 2002-05-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> シート材の積層方法、シート材の積層装置、液晶表示パネルの製造方法および液晶表示パネルの製造装置
JP3742000B2 (ja) * 2000-11-30 2006-02-01 富士通株式会社 プレス装置
JP2002192394A (ja) 2000-12-28 2002-07-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 無機基板のプレス加工法およびプレス装置
US6808566B2 (en) * 2001-09-19 2004-10-26 Tokyo Electron Limited Reduced-pressure drying unit and coating film forming method
US6845779B2 (en) 2001-11-13 2005-01-25 Fsi International, Inc. Edge gripping device for handling a set of semiconductor wafers in an immersion processing system
JP2004165403A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Ricoh Co Ltd アライメント接着方法およびアライメント接着装置
JP2005191535A (ja) * 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 貼り付け装置および貼り付け方法
WO2005055312A1 (ja) * 2003-12-04 2005-06-16 Hirata Corporation 基板位置決めシステム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101508892B1 (ko) * 2012-05-11 2015-04-07 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 첩부 장치 및 첩부 방법
KR20210108926A (ko) * 2016-03-31 2021-09-03 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210107292A (ko) * 2020-02-24 2021-09-01 피에스케이홀딩스 (주) 정렬 장치, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI323923B (ko) 2010-04-21
US8931535B2 (en) 2015-01-13
US20070125495A1 (en) 2007-06-07
JP4781802B2 (ja) 2011-09-28
US8136564B2 (en) 2012-03-20
JP2007158122A (ja) 2007-06-21
US20120132359A1 (en) 2012-05-31
TW200731447A (en) 2007-08-16
KR100838460B1 (ko) 2008-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100838460B1 (ko) 서포트 플레이트의 첩합도구와 첩합장치, 및 서포트 플레이트의 첩합방법
KR101193308B1 (ko) 서포트플레이트의 첩부장치
JP6162829B2 (ja) 一時的にボンディングされたウエハをデボンディングするための改善された装置と方法
KR101303384B1 (ko) 적층 장치
JP5439583B2 (ja) 一時的なウェハーボンディング及びデボンディングのための改善された装置
KR101553801B1 (ko) 첩부 방법
KR101860956B1 (ko) 기판홀더쌍, 디바이스의 제조방법, 분리장치, 기판의 분리방법, 기판홀더 및 기판 위치맞춤 장치
US8999758B2 (en) Fixing semiconductor die in dry and pressure supported assembly processes
TWI728086B (zh) 安裝裝置及安裝方法
JP2011151264A (ja) 加熱装置および実装体の製造方法
JP2014209591A (ja) 金属−セラミックス板積層体の製造装置及び製造方法、パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法
KR20050053008A (ko) 첩부장치 및 첩부방법
CN110858552B (zh) 一种键合设备和键合方法
KR101710221B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210018090A (ko) 보호 부재 형성 방법 및 보호 부재 형성 장치
JP6724421B2 (ja) 部品実装装置及び実装方法
TW202236451A (zh) 基板黏貼裝置及基板黏貼方法
JP2004296907A (ja) 基板貼り合わせ装置
WO2015087763A1 (ja) 封止シート貼付け方法
KR101110683B1 (ko) 정전척 및 이의 제조 방법
JP2008084994A (ja) 固体撮像装置の製造方法および製造装置、並びに貼付装置
TW201501215A (zh) 密封片貼附方法及密封片貼附裝置
JPH11111875A (ja) 仮固定治具及びキャップ接着装置
KR20230030535A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 워크 일체화 장치, 필름 적층체, 및 반도체 장치
TW202410245A (zh) 基板貼合裝置及基板貼合方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130524

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150515

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180516

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 12