KR101553801B1 - 첩부 방법 - Google Patents

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야스마사 이와타
야스시 후지이
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Abstract

기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 감압 환경하에서 중첩하는 중첩 공정과, 기판 (1) 에 서포트 플레이트 (2) 를 가고정시키는 가고정 공정과, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 감압 환경하에서 첩합하는 첩부 공정을 포함하고, 상기 중첩 공정의 전에, 대기압 환경하에서 가열하는 제 1 가열 공정, 그리고 감압 환경하에서 가열하는 제 2 가열 공정의 적어도 일방의 공정을 추가로 포함한다.

Description

첩부 방법{ATTACHMENT METHOD}
본 발명은 기판과 지지체를 서로 첩부 (貼付) 하는 첩부 방법에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 수반하여, 탑재되는 반도체 실리콘 칩 (이하, 칩) 을 소형화 및 박형화함으로써 패키지 내에 칩을 고집적화하는 요구가 높아지고 있다. 예를 들어, CSP (chip size ㎩ckage) 또는 MCP (multi-chip ㎩ckage) 로 대표되는 복수의 칩을 원 패키지화하는 집적 회로에 있어서는, 추가적인 박형화가 요구되고 있다. 패키지 내의 칩의 고집적화를 실현하기 위해서는, 칩의 두께를 25 ∼ 150 ㎛ 의 범위로까지 얇게 할 필요가 있다.
그러나, 칩의 베이스가 되는 반도체 웨이퍼 (이하, 웨이퍼) 는, 연삭함으로써 두께가 얇아지기 때문에, 그 강도는 약해져, 크랙 또는 휨이 잘 발생하게 된다. 또, 박판화함으로써 강도가 약해진 웨이퍼를 자동 반송하는 것은 곤란하기 때문에, 사람이 직접 반송해야 하여 그 취급이 번잡하다.
그 때문에, 연삭하는 웨이퍼에 서포트 플레이트로 불리는 유리, 실리콘 또는 경질 플라스틱 등으로 이루어지는 플레이트를 첩합 (貼合) 함으로써 웨이퍼의 강도를 유지하여, 크랙의 발생 및 웨이퍼의 휨을 방지하는 웨이퍼 핸들링 시스템이 개발되고 있다. 웨이퍼 핸들링 시스템에 의해 웨이퍼의 강도를 유지할 수 있기 때문에, 박판화한 웨이퍼의 반송을 자동화할 수 있다.
웨이퍼 핸들링 시스템에 있어서, 웨이퍼와 서포트 플레이트는 점착 테이프, 열가소성 수지, 접착제 등에 의해 형성된 접착제층을 사용하여 첩합된다.
당해 첩합을 실시하는 첩합 장치 및 첩합 방법으로서, 특허문헌 1 에는, 기판을 재치 (載置) 하는 재치 플레이트와, 기판 상에 서포트 플레이트를 누르는 프레스 플레이트와, 수평 방향으로 자유롭게 진퇴할 수 있는 1 쌍의 얼라이먼트 부재를 구비하고, 당해 얼라이먼트 부재의 선단부에, 서포트 플레이트의 둘레 가장자리부 하면을 지지하는 블레이드와, 기판에 서포트 플레이트를 겹친 상태에서 위치 맞춤을 실시하는 가압 부재가 형성되어 있는 첩합 장치 및 첩합 방법이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 웨이퍼 또는 서포트 플레이트를 지지하는 지지 수단과, 웨이퍼 또는 서포트 플레이트를 반송하는 반송 수단을 구비하고, 상기 지지 수단이 웨이퍼 또는 서포트 플레이트의 단부를 지지하는 제 1 지지부와, 당해 단부를 상기 제 1 지지부로 유도하는 제 1 위치 맞춤부를 갖는 3 개 이상의 기둥상 부재를 구비하는 중첩 유닛 및 첩합 장치가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2007-158122호 (2007년 6월 21일 공개) 일본 공개특허공보 2008-182127호 (2008년 8월 7일 공개)
현 상황에서, 일부의 디바이스 기판에 대해 지지체와의 첩부 작업을 실시할 때에, 디바이스 기판으로부터의 가스 발생에 의한 첩부 불량이 문제가 되고 있다. 예를 들어, 디바이스 기판의 표면에 폴리이미드막 등이 형성되어 있는 경우에, 폴리이미드막이 흡습된다. 여기서, 사전에 베이크 처리를 실시하고 있어도, 폴리이미드막이 곧바로 수분을 흡수하기 때문에, 첩부시에 첩부 불량이 발생할 우려가 있다. 또, 기판과 지지체를 중첩한 후, 첩부 전에 접착제층의 프리히트를 실시하는 경우, 폴리이미드막으로부터 발생하는 가스량이 많아, 그 결과, 지지체와 기판의 첩부가 어긋날 우려가 있다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여, 지지체에 첩부하는 기판의 종류에 관계 없이 양호한 첩부가 가능한 첩부 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관련된 첩부 방법은, 상기의 과제를 해결하기 위해서, 접착제층을 개재하여 기판과 지지체를 서로 첩부하는 첩부 방법으로서, 상기 기판 및 상기 지지체의 적어도 일방에 형성된 접착제층을 개재하여 상기 기판과 상기 지지체를 감압 환경하에서 중첩하는 중첩 공정과, 상기 중첩 공정의 후, 감압 환경하에서 상기 지지체의 일부의 영역을 상기 기판을 향하여 가압함으로써, 상기 접착제층을 개재하여 상기 기판에 상기 지지체를 가고정시키는 가고정 공정과, 상기 접착제층을 개재하여 가고정시킨 상기 기판과 상기 지지체를 감압 환경하에서 첩합하는 첩부 공정을 포함하고, 상기 중첩 공정의 전에, 상기 기판 및 상기 지지체를 대기압 환경하에서 가열하는 제 1 가열 공정, 그리고 상기 기판 및 상기 지지체를 감압 환경하에서 가열하는 제 2 가열 공정의 적어도 일방의 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 첩부 방법은, 지지체에 첩부하는 기판의 종류에 관계 없이 양호한 첩부가 가능하다는 효과를 발휘한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법의 공정의 일부 (제 1 가열 공정까지) 를 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법의 공정의 일부 (제 1 가열 공정 이후, 가고정 공정까지) 를 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법의 공정의 일부 (가고정 공정 이후) 를 나타내는 도면이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법의 처리의 순서를 나타내는 시퀀스도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 상세하게 설명한다.
〔첩부 방법〕
본 발명에 관련된 첩부 방법은, 접착제층을 개재하여 기판과 지지체를 서로 첩부하는 첩부 방법으로서, 상기 기판 및 상기 지지체의 적어도 일방에 형성된 접착제층을 개재하여 상기 기판과 상기 지지체를 감압 환경하에서 중첩하는 중첩 공정과, 상기 중첩 공정의 후, 감압 환경하에서 상기 지지체의 일부의 영역을 상기 기판을 향하여 가압함으로써, 상기 접착제층을 개재하여 상기 기판에 상기 지지체를 가고정시키는 가고정 공정과, 상기 접착제층을 개재하여 가고정시킨 상기 기판과 상기 지지체를 감압 환경하에서 첩합하는 첩부 공정을 포함하고, 상기 중첩 공정의 전에, 상기 기판 및 상기 지지체를 대기압 환경하에서 가열하는 제 1 가열 공정, 그리고 상기 기판 및 상기 지지체를 감압 환경하에서 가열하는 제 2 가열 공정의 적어도 일방의 공정을 추가로 포함한다.
먼저, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법에서 사용되는 첩부 장치 (100) 의 구성에 대하여 도 1 ∼ 3 을 사용하여 설명한다. 도 1 ∼ 3 은, 모두 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법의 공정의 일부를 나타내는 도면이다. 그 중에서도, 도 1 은 제 1 가열 공정까지를 나타내는 도면이고, 도 2 는 제 1 가열 공정 이후, 가고정 공정까지를 나타내는 도면이고, 도 3 은 가고정 공정 이후를 나타내는 도면이다.
[첩부 장치 (100)]
첩부 장치 (100) 는, 핀 (11), 히터 (12), 챔버 (13), 프레스 (14), 스페이서 (15) 및 스프링 부재 (탄성 지지 수단) (16) 를 구비하고 있다. 첩부 장치 (100) 는, 챔버 (13) 내에서 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (지지체) (2) 를 첩부하기 위해서 사용된다.
(기판 (1))
기판 (1) 은, 접착제층 (3) 을 개재하여 서포트 플레이트 (2) 에 첩부된다. 그리고 기판 (1) 은, 서포트 플레이트 (2) 에 지지된 상태에서, 박화 (薄化), 실장 등의 프로세스에 제공될 수 있다. 기판 (1) 으로는, 웨이퍼 기판에 한정되지 않고, 세라믹스 기판, 얇은 필름 기판, 플렉시블 기판 등의 임의의 기판을 사용할 수 있다.
(서포트 플레이트 (2))
서포트 플레이트 (지지체) (2) 는, 기판 (1) 을 지지하는 지지체로, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 에 첩부된다. 그 때문에, 서포트 플레이트 (2) 로는, 기판 (1) 의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스시에, 기판 (1) 의 파손 또는 변형을 방지하기 위해 필요한 강도를 갖고 있으면 된다. 이상의 관점에서, 서포트 플레이트 (2) 로는, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지로 이루어지는 것 등을 들 수 있다.
(접착제층 (3))
접착제층 (3) 은, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩합하는 것으로, 기판 (1) 에 접착제를 도포함으로써 형성된다. 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 로의 접착제의 도포 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 기판 (1) 에 접착제층 (3) 을 형성하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 서포트 플레이트 (2) 에 접착제층 (3) 을 형성해도 된다.
접착제층 (3) 을 형성하는 접착제로는, 가열함으로써 열유동성이 향상되는 열가소성의 접착 재료이면, 특별히 한정되지 않는다. 열가소성의 접착 재료로는, 예를 들어 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 탄화수소계 수지, 엘라스토머 등을 들 수 있다.
접착제층 (3) 의 두께는, 첩합의 대상이 되는 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 의 종류, 접착 후에 형성되는 기판 (1) 에 실시되는 처리 등에 따라 적절히 설정하는 것이 가능한데, 5 ∼ 200 ㎛ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 150 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
또한, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 사이에는, 접착제층 (3) 이외의 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 와 접착제층 (3) 사이에, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층이 형성되어 있어도 된다. 이로써, 기판 (1) 의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스 후에 광을 분리층에 조사함으로써, 용이하게 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 분리할 수 있다.
분리층에 조사하는 광으로는, 분리층이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어 YAG 레이저, 리비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광을 적절히 사용하면 된다. 분리층에 흡수되어야 하는 광의 파장으로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 600 ㎚ 이하의 파장의 광일 수 있다.
분리층은, 예를 들어 광 등에 의해 분해되는 광 흡수제를 함유하고 있어도 된다. 광 흡수제로는, 예를 들어 그라파이트 분말, 철, 알루미늄, 구리, 니켈, 코발트, 망간, 크롬, 아연, 텔루륨 등의 미립자 금속 분말, 흑색 산화티탄 등의 금속 산화물 분말, 카본 블랙, 또는 방향족 디아미노계 금속 착물, 지방족 디아민계 금속 착물, 방향족 디티올계 금속 착물, 메르캅토페놀계 금속 착물, 스쿠아릴륨계 화합물, 시아닌계 색소, 메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 안트라퀴논계 색소 등의 염료 혹은 안료를 사용할 수 있다. 이와 같은 분리층은, 예를 들어 바인더 수지와 혼합하여, 지지체 상에 도포함으로써 형성할 수 있다. 또, 광 흡수기를 갖는 수지를 분리층으로서 사용할 수도 있다.
또, 분리층으로서 플라즈마 CVD 법에 의해 형성한 무기막 또는 유기막을 사용해도 된다. 무기막으로는, 예를 들어 금속막을 사용할 수 있다. 또, 유기막으로는 플루오로 카본막을 사용할 수 있다. 이와 같은 반응막은, 예를 들어 지지체 상에 플라즈마 CVD 법에 의해 형성할 수 있다.
분리층이 형성되어 있지 않은 경우에는, 접착제층 (3) 에 용제를 공급하여 접착제층 (3) 을 용해함으로써, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 분리할 수 있다. 이 때, 서포트 플레이트 (2) 에 두께 방향으로 관통하는 관통공이 형성되어 있으면, 이 관통공을 통하여 접착제층 (3) 에 용이하게 용제를 공급할 수 있기 때문에 바람직하다.
(핀 (11))
핀 (11) 은, 첩부 장치 (100) 내에 반입된 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 를 지지한다. 또, 핀 (11) 은 기판 (1) 의 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측의 면에 접촉하여 기판 (1) 을 지지한다.
핀 (11) 은, 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 를 확실하게 지지하기 위해서, 복수 형성되어 있는 것이 바람직하고, 복수의 핀 (11) 이 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 에 등간격으로 접하도록 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
도 1 ∼ 3 에 있어서, 핀 (11) 은, 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 의 중앙 근방을 지지하도록 형성되어 있는데, 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 의 단부를 지지하도록 형성되어 있어도 된다.
핀 (11) 에는, 기판 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 를 지지한 상태에서, 핀 (11) 을 상하로 이동시키는 이동 수단 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 핀 (11) 을 상하로 이동시킴으로써, 기판 (1) 과 히터 (12) 사이의 거리가 변화한다. 예를 들어, 핀 (11) 이 히터 (12) 측으로 하강하면, 기판 (1) 의, 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측의 면이 히터 (12) 에 가까워진다. 또, 예를 들어, 핀 (11) 이 히터 (12) 로부터 멀어지는 방향으로 상승하면, 기판 (1) 의, 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측의 면이 히터 (12) 로부터 멀어진다. 핀 (11) 은, 기판 (1) 이 히터 (12) 에 접촉할 때까지 하강할 (핀 다운) 수도 있고, 히터 (12) 에 접촉하지 않지만 근접하는 위치까지 하강할 (핀 업) 수도 있다. 또, 핀 (11) 이 서포트 플레이트 (2) 를 지지한 상태에서, 핀 (11) 을 상하로 이동시켜, 서포트 플레이트 (2) 를 스페이서 (15) 에 지지시켜도 된다.
(히터 (12))
히터 (12) 는, 핀 (11) 에 지지된 기판 (1) 을, 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측으로부터 가열함으로써 접착제층 (3) 을 가열한다. 본 실시형태에 있어서, 히터 (12) 는, 기판 (1) 의, 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측에 형성되어 있는데, 접착제층 (3) 을 가열할 수 있으면, 히터 (12) 의 설치 위치는 이것에 한정되지 않는다.
히터 (12) 는, 핀 (11) 이 하측으로 이동하여, 기판 (1) 이 히터 (12) 에 가까워졌을 때에, 접착제층 (3) 을 가열할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 기판 (1) 의, 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측에 히터 (12) 가 형성되어 있는 경우, 히터 (12) 는, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 와 크기가 대략 동일하거나, 보다 큰 면을 갖는 것이 바람직하다. 히터 (12) 의 예로서, 온수 히터, 온풍 히터, 적외선 히터, 전열 히터, 필름 히터 등을 들 수 있다.
(챔버 (13))
챔버 (13) 는, 첩부 장치 (100) 에 있어서, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 첩부할 때까지의 각 공정을 실시하는 실 (室) 이다. 흡인 수단 (도시 생략) 등에 의해, 챔버 (13) 의 내부를 감압 환경으로 하는 것이 가능하다. 챔버 (13) 에서는, 감압 환경으로 한 상태에서, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부한다.
(프레스 (14))
프레스 (14) 는, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가압하여, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩합하는 것이다. 본 실시형태에 있어서는, 기판 (1) 의, 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측의 면측에, 히터 (12) 가 형성되어 있으므로, 프레스 (14) 가, 히터 (12) 에 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 누름으로써, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 서로 가압시킨다.
(스페이서 (15))
스페이서 (15) 는, 챔버 (13) 의 내부에 반입된 서포트 플레이트 (2) 를 지지하기 위한 지지부이다. 본 실시형태에서는, 도 1 의 (a) 및 (b) 에 나타내는 바와 같이, 1 쌍의 스페이서 (15) 는 좌우로 이동 가능하고, 서포트 플레이트 (2) 를 지지한 핀 (11) 을 상하로 이동시킴으로써, 스페이서 (15) 에 서포트 플레이트 (2) 의 단부를 지지시킨다.
(스프링 부재 (16))
스프링 부재 (16) 는, 가한 힘에 따라 변형되는 탄성 지지 수단으로, 프레스 (14) 에 형성되어 있다. 도 2 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 프레스 (14) 를 스페이서 (15) 에 지지시킨 서포트 플레이트 (2) 를 향하여 하강시켰을 때에, 스프링 부재 (16) 는 서포트 플레이트 (2) 에 접촉된다. 그리고 도 2 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 프레스 (14) 를 스페이서 (15) 에 지지시킨 서포트 플레이트 (2) 를 향하여 추가로 하강시켰을 때에, 스프링 부재 (16) 는 서포트 플레이트 (2) 를 가압한다.
스프링 부재 (16) 가 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을, 핀 (11) 에 지지된 기판 (1) 을 향하여 가압함으로써, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 가고정시킬 수 있다.
요컨대, 스프링 부재 (16) 는, 핀 (11) 과 함께, 접착제층 (3) 을 개재한 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 가고정을 실시한다. 그 때문에, 스프링 부재 (16) 는, 핀 (11) 과 동일 수 형성되어 있는 것이 바람직하고, 쌍이 되는 스프링 부재 (16) 와 핀 (11) 은 일직선 상이 되도록 첩부 장치 (100) 에 배치되는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 접착제층 (3) 을 개재한 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 가고정을 실시할 때에, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 가 서로 어긋나 가고정되는 것을 억제할 수 있다.
또, 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 가압하는 힘을 스프링 부재 (16) 만으로 조정해도 되지만, 추가로 토크 제어를 조합하여 조정해도 된다. 이로써, 스프링 부재 (16) 로 서포트 플레이트 (2) 를 가압하면서, 추가로 모터의 토크에 의한 제어가 가능해진다. 그 때문에, 서포트 플레이트 (2) 와 첩합하는 기판 (1), 서포트 플레이트 (2) 에 형성된 분리층, 또는 접착제에 따라, 서포트 플레이트 (2) 를 가압하는 힘을 제어할 수 있다.
이하, 도 1 ∼ 4 를 사용하여, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법에 대해 설명한다. 도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 첩부 방법의 처리의 순서를 나타내는 시퀀스도이다.
먼저, 도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 서포트 플레이트 (2) 를 반송부 (17) 에 지지시키면서 첩부 장치 (100) 의 내부 (챔버 (13) 의 내부) 에 반입한다 (스텝 S1). 첩부 장치 (100) 의 내부에 반입된 서포트 플레이트 (2) 는, 핀 (11) 에 지지된다. 또한, 서포트 플레이트 (2) 에 분리층이 형성되어 있는 경우, 서포트 플레이트 (2) 의, 분리층이 형성되어 있는 면이 핀 (11) 과 접촉하도록 핀 (11) 에 지지된다.
그리고 서포트 플레이트 (2) 를 지지하는 핀 (11) 을 상승시키면서, 1 쌍의 스페이서 (15) 를 좌우로 이동시킨다. 이로써, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 반입된 서포트 플레이트 (2) 는, 1 쌍의 스페이서 (15) 에 주고 받아진다 (스텝 S2).
다음으로, 도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 접착제층 (3) 이 형성된 기판 (1) 을 반송부 (17) 에 지지시키면서 첩부 장치 (100) 의 내부에 반입한다 (스텝 S3). 첩부 장치 (100) 의 내부에 반입된 기판 (1) 은, 접착제층 (3) 이 형성되어 있지 않은 측의 면이 핀 (11) 과 접촉하도록 핀 (11) 에 지지된다.
첩부 장치 (100) 의 내부에 반입된 기판 (1) 을 핀 (11) 에 지지시키고, 또한, 반송부 (17) 를 첩부 장치 (100) 의 외부로 이동시킨다. 그 후, 개구되어 있던 챔버 (13) 의 개구부 (도시 생략) 를 닫아 챔버 (13) 를 폐쇄한다 (스텝 S4).
그리고 기판 (1) 이 지지된 핀 (11) 을 하강시켜, 기판 (1) 과 히터 (12) 를 접근시킨다 (스텝 S5). 이 때, 핀 (11) 을, 기판 (1) 이 히터 (12) 에 접촉하지 않지만 근접하는 위치까지 하강시키는 (핀 업) 것이 바람직하다. 이로써, 가열 중에 기판 (1) 이 히터 (12) 의 표면 상을 미끄러지는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 1 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 대기압 환경하에서 가열한다 (제 1 가열 공정, 스텝 S6).
제 1 가열 공정에서, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 대기압 환경하에서 가열함으로써, 기판 (1) 에 존재하는 용제 또는 수분을 제거할 수 있다. 그 결과, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 중첩할 때, 혹은 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부할 때에, 휘발된 용제 또는 수증기가 발생하지 않아, 기판 (1) 의 첩부 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제 1 가열 공정을 실시함으로써, 기판 (1) 에 형성된 접착제층 (3) 의 열유동성이 향상되기 때문에, 가압에 의해 접착제층 (3) 을 용이하게 변형시킬 수 있다. 이 때문에, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 첩부 시간을 단축할 수 있다.
제 1 가열 공정에 있어서, 기판 (1) 은, 접착제의 용제 및 수증기의 비점보다 높은 온도가 될 때까지 가열하는 것이 바람직하고, 접착제의 유동성의 향상을 고려하면, 접착제층 (3) 의 유리 전이점 (Tg) 이상의 온도가 될 때까지 가열하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 제 1 가열 공정에 있어서의 기판 (1) 의 가열 조건은, 접착제층 (3) 을 형성하는 접착제의 종류, 히터 (12) 와 기판 (1) 의 거리 등에 따라 변경할 수 있지만, 가열 온도는, 예를 들어 40 ℃ 이상, 250 ℃ 이하의 온도인 것이 바람직하고, 가열 시간은, 예를 들어 5 초간 이상, 5 분간 이하인 것이 바람직하다.
스텝 S6 에서 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가열한 후, 기판 (1) 을 지지하는 핀 (11) 을 상승시킨다 (스텝 S7). 다음으로, 도 2 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 챔버 (13) 의 내부를 감압한다 (스텝 S8).
스텝 S8 에서 챔버 (13) 의 내부를 감압할 때, 0.1 ㎩ 이상, 3,000 ㎩ 이하로 감압하는 것이 바람직하다.
그리고 챔버 (13) 의 내부를 감압한 후, 기판 (1) 을 지지시킨 핀 (11) 을 하강시킨다 (스텝 S9).
다음으로, 도 2 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 감압 환경하에서 가열한다 (제 2 가열 공정, 스텝 S10).
제 2 가열 공정에서, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 감압 환경하에서 가열함으로써, 제 1 가열 공정에서 제거할 수 있고 없었던 기판 (1) 에 존재하는 용제 또는 수분을 제거할 수 있다. 그 결과, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 중첩할 때, 혹은 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부할 때에, 휘발된 용제 또는 수증기가 발생하지 않아, 기판 (1) 의 첩부 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제 2 가열 공정을 실시함으로써, 기판 (1) 에 형성된 접착제층 (3) 의 열유동성이 향상되고, 가압에 의해 접착제층 (3) 이 용이하게 변형되어, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 첩부 시간을 단축할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 제 1 가열 공정 및 제 2 가열 공정의 양방을 실시할 필요는 없고, 어느 일방 뿐이어도 된다.
제 2 가열 공정에 있어서, 기판 (1) 은, 접착제의 용제 및 수증기의 비점보다 높은 온도가 될 때까지 가열하는 것이 바람직하고, 접착제의 유동성의 향상을 고려하면, 접착제층 (3) 의 유리 전이점 (Tg) 이상의 온도가 될 때까지 가열하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 제 2 가열 공정에 있어서의 기판 (1) 의 가열 조건은, 접착제층 (3) 을 형성하는 접착제의 종류, 히터 (12) 와 기판 (1) 의 거리 등에 따라 변경할 수 있지만, 가열 온도는, 예를 들어 40 ℃ 이상, 250 ℃ 이하의 온도인 것이 바람직하고, 가열 시간은, 예를 들어 5 초간 이상, 5 분간 이하인 것이 바람직하다.
기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 감압 환경하에서 가열하는 제 2 가열 공정에서는, 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 0.1 ㎩ 이상, 3,000 ㎩ 이하의 감압 환경하에서 가열하는 것이 바람직하다. 이로써, 기판 (1) 으로부터 발생하는 휘발된 용제 또는 수증기를 바람직하게 제거할 수 있다.
스텝 S10 에서 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가열한 후, 기판 (1) 을 지지하는 핀 (11) 을 상승시킨다 (스텝 S11).
다음으로, 도 2 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 감압 환경하에서 중첩한다 (중첩 공정, 스텝 S12). 이 때, 기판 (1) 을 지지시킨 핀 (11) 을 상승시키고, 또한, 스프링 부재 (16) 를 구비하는 프레스 (14) 를 하강시킨다. 이로써, 스프링 부재 (16) 가 서포트 플레이트 (2) 의 일부에 접촉하여 그 일부를 가압함으로써, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 중첩할 수 있다. 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 중첩할 때에는, 스페이서 (15) 를 좌우로 이동시켜 서포트 플레이트 (2) 의 지지를 해제한다.
중첩 공정은, 감압 환경하로 조정하여 행해지고 있기 때문에, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 중첩했을 때에, 서포트 플레이트 (2) 와 접착제층 (3) 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 중첩 공정은, 0.1 ㎩ 이상, 3,000 ㎩ 이하의 감압 환경하로 조정하여 실시되는 것이 바람직하다. 이로써, 서포트 플레이트 (2) 와 접착제층 (3) 사이에 기포가 혼입되는 것을 보다 바람직하게 방지할 수 있다.
중첩 공정의 후, 도 2 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 에 서포트 플레이트 (2) 를 가고정시킨다 (가고정 공정, 스텝 S13). 이 때, 프레스 (14) 를 추가로 하강시킴으로써, 스프링 부재 (16) 는 감압 환경하에서 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 가압한다. 이로써, 서포트 플레이트 (2) 의 가압된 일부의 영역에서, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 가고정시킬 수 있다. 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 가고정시킴으로써, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 상대 위치에 어긋남이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 서포트 플레이트 (2) 와 가고정시킨 기판 (1) 을 다른 첩부 장치로 반송하고, 당해 다른 첩부 장치에서 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부하는 것도 가능하다.
가고정 공정에서는, 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 가압하는 힘을, 스프링 부재 (탄성 지지 수단) 와 함께 토크 제어를 조합하여 조정해도 된다.
가고정 공정의 후, 서포트 플레이트 (2) 를 가고정시킨 기판 (1) 을 지지한 핀 (11) 을 하강시킨다 (스텝 S14). 핀 (11) 을 하강시켜, 기판 (1) 을 히터 (12) 에 접촉시킨 후, 프레스 (14) 를 하강시켜, 스프링 부재 (16) 를 서포트 플레이트 (2) 에 접촉시킨다 (스텝 S15). 그리고 감압 환경하에서 스프링 부재 (16) 는 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 가압한다.
다음으로, 도 3 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 가고정시킨 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부하기 전에, 가고정시킨 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가열한다 (제 3 가열 공정, 스텝 S16).
제 3 가열 공정을 실시함으로써, 기판 (1) 에 형성된 접착제층 (3) 의 열유동성이 향상되고, 가압에 의해 접착제층 (3) 이 용이하게 변형되어, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 첩부 시간을 단축할 수 있다.
제 3 가열 공정에 있어서, 기판 (1) 은, 접착제층 (3) 이 유리 전이점 이상의 온도가 될 때까지 가열되는 것이 바람직하고, 유리 전이점보다 10 ℃ 이상 높은 온도가 될 때까지 가열되는 것이 보다 바람직하다. 접착제층 (3) 을 유리 전이점 이상의 온도가 될 때까지 가열함으로써, 접착제층 (3) 의 열유동성이 향상되어, 용이하게 변형하게 된다.
또한, 제 3 가열 공정에 있어서의 기판 (1) 의 가열 조건은, 접착제층 (3) 을 형성하는 접착제의 종류에 따라 변경할 수 있지만, 가열 온도는, 예를 들어 40 ℃ 이상, 250 ℃ 이하의 온도인 것이 바람직하고, 가열 시간은, 예를 들어 5 초간 이상, 5 분간 이하인 것이 바람직하다.
제 3 가열 공정에서는, 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 가압하는 힘을, 스프링 부재 (16) 에 의해 조정하면서, 가고정시킨 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 가압하는 힘을 토크 제어에 의해 조정해도 된다.
제 1 가열 공정 혹은 제 2 가열 공정에서 제거할 수 없었던 용제 또는 수분이 기판 (1) 에 존재하고 있었을 경우, 제 3 가열 공정에 의해 용제가 휘발되거나 수증기가 발생하거나 함으로써, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 첩부가 어긋날 우려가 있다. 그러나, 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 가압하는 힘을, 스프링 부재 (16) 또는 토크 제어에 의해 조정함으로써, 서포트 플레이트 (2) 의 일부의 영역을 기판 (1) 을 향하여 계속하여 가압한다. 이 때문에, 휘발된 용제 또는 수증기가 발생한 경우라도, 중첩 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 가 서로 어긋나지 않는다. 따라서, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 첩부가 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
제 3 가열 공정의 후, 도 3 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 접착제층 (3) 을 개재하여 가고정시킨 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 감압 환경하에서 첩합한다 (첩부 공정, 스텝 S17). 이 때, 프레스 (14) 를 추가로 하강시켜, 서포트 플레이트 (2) 의 접착제층 (3) 에 대향하는 면에 배향하는 면측으로부터 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가압한다. 그리고 프레스 (14) 는, 히터 (12) 에 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 누름으로써, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩합한 적층체를 형성할 수 있다. 첩부 공정은, 감압 환경하에서 행해지기 때문에, 접착제층 (3) 과 서포트 플레이트 (2) 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있어, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 가 바람직하게 첩부된다.
기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 가압할 때의 가압 조건은, 접착제층 (3) 을 형성하는 접착제의 종류에 따라 변화하지만, 50 ㎏ 이상, 15,000 ㎏ 이하인 것이 바람직하고, 100 ㎏ 이상, 10,000 ㎏ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 첩부 공정에서, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 가 첩부될 때, 히터 (12) 에 의해 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가열하면서 가압하는 것이 바람직하다. 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 가열하면서 가압함으로써, 접착제층 (3) 은 열유동성을 유지하고, 가압에 따라 용이하게 변형된다. 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 가열하면서 가압할 때의 가압 조건은, 접착제층 (3) 을 형성하는 접착제의 종류 등에 따라 변화하지만, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를, 60 ℃ 이상, 300 ℃ 이하, 바람직하게는 100 ℃ 이상, 250 ℃ 이하로 가열하면서, 50 ㎏ 이상, 15,000 ㎏ 이하, 바람직하게는 100 ㎏ 이상, 10,000 ㎏ 이하의 압력으로 0.5 분간 이상, 10 분간 이하 가압하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부하기 전에, 제 1 가열 공정, 제 2 가열 공정 및 제 3 가열 공정에 의해 미리 접착제층 (3) 이 형성된 기판 (1) 을 가열하기 때문에, 접착제층 (3) 의 열유동성이 향상되어, 가압에 의해 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 사이에서 접착제층 (3) 이 균일하게 퍼진다. 따라서, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 균일하게 첩부하는 것이 가능하다.
첩부 공정에서는, 접착제층 (3) 을 개재하여 가고정시킨 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 0.1 ㎩ 이상, 10 ㎩ 이하의 감압 환경하에서 첩합하는 것이 바람직하다. 이로써, 접착제층 (3) 과 서포트 플레이트 (2) 사이에 기포가 혼입되는 것을 바람직하게 방지할 수 있어, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 가 보다 바람직하게 첩부된다.
첩부 공정의 후, 적층체를 지지하는 핀 (11) 을 상승시킨다 (스텝 S18). 그 후, 도 3 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 첩부 장치 (100) 의 내부의 감압 환경을 해제한다 (스텝 S19). 그리고 개구부를 개구하여 챔버 (13) 를 대기압 환경하에 개방한다 (스텝 S20).
다음으로, 도 3 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 적층체를 반송부 (17) 에 지지시켜, 첩부 장치 (100) (챔버 (13)) 의 외부로 반출한다 (스텝 S21).
또, 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를, 감압 환경하에서 중첩하는 중첩 공정에서는, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 중첩할 때의 압력 환경을, 기판 (1) 또는 접착제층 (3) 의 종류에 따라 조정하는 것이 바람직하다.
서포트 플레이트 (2) 에 분리층이 형성되어 있고, 당해 분리층과 접착제층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 중첩할 때, 분리층에 흠집이 발생할 우려가 있다. 그러나, 기판 (1) 또는 접착제층 (3) 의 종류에 따라 중첩 공정에서의 첩부 장치 (100) 의 내부 압력을 조정함으로써 분리층에 흠집이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 중첩 공정은 0.1 ㎩ 이상, 3,000 ㎩ 이하의 감압 환경하에서 조정하여 실시되는 것이 바람직하다.
이하에 실시예를 나타내어, 본 발명의 실시형태에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 물론, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니고, 세부에 대해서는 여러 가지 양태가 가능하다는 것은 말할 필요도 없다. 또한, 본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하고, 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또, 본 명세서 중에 기재된 문헌의 전부가 참고로서 원용된다.
실시예
〔실시예 1〕
웨이퍼 기판 (12 인치 Si 웨이퍼 기판) 에 접착제 (상품명：「TZNR (등록 상표)-A3007t」, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 를 도포하고, 100 ℃, 160 ℃ 및 220 ℃ 에서 4 분씩 베이크하여 두께 50 ㎛ 의 접착제층을 형성하였다.
다음으로, 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판 및 서포트 플레이트 (12 인치 유리 기판) 를 챔버 내에 세팅하였다. 그리고 챔버 내를 감압 (진공도 3,000 ㎩) 하였다. 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판을 지지하는 핀을 하강시켜, 히터와 접촉시킨 후, 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판 및 서포트 플레이트를 215 ℃ 에서 5 분간 가열하였다.
그리고 웨이퍼 기판을 지지하는 핀을 상승시키고, 접착제층을 개재하여 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트를 감압 환경하 (진공도 3,000 ㎩ ) 에서 중첩하였다.
웨이퍼 기판과 서포트 플레이트를 중첩한 후, 감압 환경하 (진공도 3,000 ㎩) 에서, 접착제층을 개재하여 웨이퍼 기판에 서포트 플레이트를 가고정시켰다.
그 후, 첩부 온도 215 ℃, 첩부 압력 4000 ㎏ 의 조건하에서, 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트를 서로 90 초간 가압시키고, 접착제층을 개재하여 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트를 감압 환경하 (진공도 3,000 ㎩) 에서 첩합하여 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체의 첩부 불량의 유무를 확인하였다. 실시예 1 에 관련된 적층체를 확인한 결과, 첩부 불량은 발생하지 않았다.
또한, 첩부 불량의 유무는, 기판 내에 발생할 수 있는 보이드의 유무를 육안 및 광학 현미경으로 관찰함으로써 판단하였다.
또한, 실시예 1 에 관련된 적층체에 대하여, 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남이 발생하는지의 여부를 확인하였다. 본 실시예에서는, 첩부 전에 접착제층을 개재하여 웨이퍼 기판에 서포트 플레이트를 가고정시키고 있었기 때문에, 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트를 첩부했을 때에 어긋남은 발생하지 않았다.
〔실시예 2〕
본 실시예에서는, 서포트 플레이트에 첩부하는 기판으로서, 폴리이미드막이 형성되어 있는 기판을 사용하여 실시예 1 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체의 첩부 불량의 유무를 확인하였다. 실시예 2 에 관련된 적층체를 확인한 결과, 첩부 불량은 발생하지 않았다.
〔비교예 1〕
본 비교예에서는, 중첩 공정의 전에, 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판 및 서포트 플레이트를 가열하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체의 첩부 불량의 유무를 확인하였다. 본 비교예에 관련된 적층체를 확인한 결과, 첩부 불량은 발생하지 않았다.
〔비교예 2〕
본 비교예에서는, 중첩 공정의 전에, 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판 및 서포트 플레이트를 가열하지 않은 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체의 첩부 불량의 유무를 확인하였다. 본 비교예에 관련된 적층체를 확인한 결과, 첩부 불량이 발생하였다.
〔실시예 1 및 실시예 2 그리고 비교예 1 및 비교예 2 에 기초한 고찰〕
실시예 1 및 실시예 2 에 나타내는 바와 같이, 중첩 공정의 전에, 접착제층이 형성된 기판 및 서포트 플레이트를 가열함으로써, 기판의 종류에 관계 없이, 첩부 불량은 발생하지 않았다.
한편, 비교예 1 및 비교예 2 에 나타내는 바와 같이, 중첩 공정의 전에, 접착제층이 형성된 기판 및 서포트 플레이트를 가열하지 않은 경우, 웨이퍼 기판에 대해서는 첩부 불량이 발생하지 않았지만, 폴리이미드막이 형성되어 있는 기판에 대해서는 첩부 불량이 발생하였다. 첩부시에 폴리이미드막이 흡수한 수분이 증발했기 때문에, 첩부 불량이 생긴 것으로 생각된다.
이들 실시예 및 비교예의 결과로부터, 중첩 공정의 전에 접착제층이 형성된 기판 및 서포트 플레이트를 가열하지 않으면, 기판의 종류에 따라서는 첩부 불량이 발생할 우려가 있지만, 중첩 공정의 전에 접착제층이 형성된 기판 및 서포트 플레이트를 가열하면, 기판의 종류에 관계 없이 첩부 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있는 것을 알았다.
〔실시예 3〕
본 실시예에서는, 서포트 플레이트에 분리층 (플루오로 카본층) 이 형성되어 있고, 당해 분리층 및 접착제층을 개재하여 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트를 첩합하는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체에 있어서의 분리층의 흠집의 유무를 확인하였다. 실시예 3 에 관련된 적층체의 분리층에는 흠집은 없었다.
또한, 당해 플루오로 카본막은, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에, 12 인치 유리 기판을 설치하고, 유량 400 sccm, 압력 700 mTorr, 고주파 전력 2800 W 및 성막 온도 240 ℃ 의 조건하에 있어서, 반응 가스로서 C4F8 을 사용한 플라즈마 CVD 법에 의해, 분리층인 플루오로 카본막을 당해 유리 기판 상에 형성하였다.
〔실시예 4〕
본 실시예에서는, 실시예 3 에서 사용한 접착제 (TZNR (등록 상표)-A3007t) 와는 상이한 접착제 (상품명：「TZNR (등록 상표)-A4005」, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체에 있어서의 분리층의 흠집의 유무를 확인하였다. 실시예 4 에 관련된 적층체의 분리층에는 흠집은 없었다.
〔실시예 5〕
본 실시예에서는, 각 공정을 고감압 환경하 (진공도 10 ㎩) 에서 실시한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체에 있어서의 분리층의 흠집의 유무를 확인하였다. 실시예 5 에 관련된 적층체의 분리층에는 흠집은 없었다.
〔실시예 6〕
본 실시예에서는, 실시예 5 에서 사용한 접착제 (TZNR (등록 상표)-A3007t) 와는 상이한 접착제 (상품명：TZNR (등록 상표)-A4005」, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 형성된 적층체에 있어서의 분리층의 흠집의 유무를 확인하였다. 실시예 6 에 관련된 적층체의 분리층에는 흠집이 있었다.
〔실시예 3 ∼ 6 에 기초한 고찰〕
실시예 3 및 실시예 4 에 나타내는 바와 같이, 감압 환경하 (진공도 3,000 ㎩) 에서 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판 및 서포트 플레이트를 가열한 경우, 접착제의 종류에 관계 없이 분리층에 흠집은 없었다.
한편, 실시예 5 및 실시예 6 에 나타내는 바와 같이, 보다 감압 환경하 (진공도 10 ㎩) 에서 접착제층이 형성된 웨이퍼 기판 및 서포트 플레이트를 가열한 경우, 접착제의 종류에 따라서는 분리층에 흠집이 발생하는 것을 알았다.
이들 실시예의 결과로부터, 진공도 10 ㎩ 이하의 고감압 환경하에서는 접착제의 종류에 따라서는 분리층에 흠집이 발생하기 때문에, 진공도 3,000 ㎩ 정도의 감압 환경하에서 실시하는 것이 분리층에 흠집이 발생하는 것을 억제하는 관점에서는 바람직한 것을 알았다.
〔실시예 7〕
본 실시예에서는, 서포트 플레이트에 첩부하는 기판으로서, 디바이스 B (몰드재 도포 기판) 기판을 사용하여 실시예 1 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 본 실시예에 관련된 적층체에 대하여, 디바이스 B 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남이 발생하는지의 여부를 확인하였다. 본 실시예에서는, 첩부 전에 접착제층을 개재하여 디바이스 B 기판에 서포트 플레이트를 가고정시키고 있었기 때문에, 디바이스 B 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남은 발생하지 않았다.
〔비교예 3〕
본 비교예에서는, 가고정 공정을 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 본 비교예에 관련된 적층체에 대하여, 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남이 발생하는지의 여부를 확인하였다. 본 실시예에서는, 첩부 전에 접착제층을 개재하여 웨이퍼 기판에 서포트 플레이트를 가고정시키고 있지 않았지만, 웨이퍼 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남은 발생하지 않았다.
〔비교예 4〕
본 비교예에서는, 서포트 플레이트에 첩부하는 기판으로서, 디바이스 B 기판을 사용하여 비교예 3 과 동일한 순서 및 조건으로 적층체를 형성하였다. 그리고 본 비교예에 관련된 적층체에 대하여, 디바이스 B 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남이 발생하는지의 여부를 확인하였다. 본 실시예에서는, 첩부 전에 접착제층을 개재하여 디바이스 B 기판에 서포트 플레이트를 가고정시키고 있지 않았기 때문에, 디바이스 B 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남이 발생하였다.
〔실시예 1 및 실시예 7 그리고 비교예 3 및 비교예 4 에 기초한 고찰〕
실시예 1 및 실시예 7 에 나타내는 바와 같이, 접착제층을 개재하여 기판과 서포트 플레이트를 첩부하기 전에, 가고정 공정을 실시하는 경우, 기판의 종류에 관계 없이 기판과 서포트 플레이트의 첩부에 어긋남은 발생하지 않았다.
한편, 비교예 3 및 비교예 4 에 나타내는 바와 같이, 접착제층을 개재하여 기판과 서포트 플레이트를 첩부하기 전에, 가고정 공정을 실시하지 않은 경우, 웨이퍼 기판에 대해서는 서포트 플레이트와의 첩부에 어긋남이 발생하지 않았지만, 디바이스 B 기판에 대해서는 서포트 플레이트와의 첩부에 어긋남이 발생하였다.
이들 실시예 및 비교예의 결과로부터, 가고정 공정을 실시하지 않으면, 기판의 종류에 따라서는 서포트 플레이트와의 첩부에 어긋남이 발생할 우려가 있지만, 가고정 공정을 실시하면, 기판의 종류에 관계 없이 서포트 플레이트와의 첩부에 어긋남이 발생하는 것을 억제할 수 있는 것을 알았다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 예를 들어 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 광범위하게 이용할 수 있다.
1 : 기판
2 : 서포트 플레이트 (지지체)
3 : 접착제층
11 : 핀
12 : 히터
13 : 챔버
14 : 프레스
15 : 스페이서
16 : 스프링 부재 (탄성 지지 수단)
17 : 반송부
100 : 첩부 장치

Claims (8)

  1. 접착제층을 개재하여 기판과 지지체를 서로 첩부하는 기판과 지지체 첩부 방법으로서,
    상기 지지체에는, 광을 조사함으로써 변질되는 분리층이 형성되어 있고,
    상기 분리층 및 접착제층을 개재하여 상기 기판과 상기 지지체를 감압 환경하에서 중첩하는 중첩 공정과,
    상기 중첩 공정의 후, 감압 환경하에서 상기 지지체의 일부의 영역을 상기 기판을 향하여 가압함으로써, 상기 분리층 및 상기 접착제층을 개재하여 상기 기판에 상기 지지체를 가고정시키는 가고정 공정과,
    상기 분리층 및 상기 접착제층을 개재하여 가고정시킨 상기 기판과 상기 지지체를 감압 환경하에서 첩합하는 첩부 공정을 포함하고,
    상기 중첩 공정의 전에, 상기 기판 및 상기 지지체를 대기압 환경하에서 가열하는 제 1 가열 공정, 그리고 상기 기판 및 상기 지지체를 감압 환경하에서 가열하는 제 2 가열 공정의 적어도 일방의 공정을 추가로 포함하고,
    상기 중첩 공정은 0.1 ㎩ 이상, 3,000 ㎩ 이하의 감압 환경하로 조정하여 실시되는 것을 특징으로 하는 기판과 지지체 첩부 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중첩 공정에서는, 상기 기판과 상기 지지체를 중첩할 때의 압력 환경을, 상기 기판 또는 상기 접착제층의 종류에 따라 조정하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    제 2 가열 공정에서는, 상기 기판 및 상기 지지체를 3,000 ㎩ 이하의 감압 환경하에서 가열하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 첩부 공정에서는, 상기 분리층 및 상기 접착제층을 개재하여 가고정시킨 상기 기판과 상기 지지체를 10 ㎩ 이하의 감압 환경하에서 첩합하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가고정 공정에서는, 상기 지지체의 일부의 영역을 상기 기판을 향하여 가압하는 힘을 탄성 지지 수단 또는 토크 제어에 의해 조정하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가고정 공정의 후, 상기 첩부 공정의 전에, 가고정시킨 상기 기판 및 상기 지지체를 가열하는 제 3 가열 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 가열 공정에서는, 상기 지지체의 일부의 영역을 상기 기판을 향하여 가압하는 힘을 탄성 지지 수단에 의해 조정하면서, 가고정시킨 상기 기판 및 상기 지지체를 가열하는 것을 특징으로 하는 기판과 지지체 첩부 방법.
  8. 삭제
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6492528B2 (ja) * 2014-10-23 2019-04-03 株式会社ニコン 加熱装置、基板接合装置、加熱方法および積層半導体装置の製造方法
JP6412786B2 (ja) 2014-12-03 2018-10-24 東京応化工業株式会社 搬送方法
JP6412804B2 (ja) * 2015-01-16 2018-10-24 東京エレクトロン株式会社 接合方法および接合システム
JP6596353B2 (ja) * 2016-02-17 2019-10-23 東京応化工業株式会社 貼付装置、貼付システム、及び貼付方法
US10411152B2 (en) * 2016-06-27 2019-09-10 Merlin Solar Technologies, Inc. Solar cell bonding
KR101758347B1 (ko) * 2016-08-01 2017-07-18 주식회사 엘케이엔지니어링 정전 척 및 리페어 방법
JP6799988B2 (ja) * 2016-10-07 2020-12-16 東京応化工業株式会社 貼付装置
DE102016122486A1 (de) * 2016-11-22 2018-05-24 Snaptrack, Inc. Vorrichtung und Verfahren zur Verbindung zweier Substrate für ein elektrisches Bauelement
US10300649B2 (en) * 2017-08-29 2019-05-28 Raytheon Company Enhancing die flatness
JP6733966B2 (ja) * 2018-07-09 2020-08-05 Ａｉメカテック株式会社 基板組立装置及び基板組立方法
US10847569B2 (en) 2019-02-26 2020-11-24 Raytheon Company Wafer level shim processing
JP2021064627A (ja) * 2019-10-10 2021-04-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166536A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 貼り合わせ装置
JP2012049267A (ja) 2010-08-25 2012-03-08 Tokyo Electron Ltd 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2013004609A (ja) 2011-06-14 2013-01-07 Nikon Corp 基板貼り合わせ方法
JP2013000747A (ja) 2011-06-10 2013-01-07 Murata Mfg Co Ltd 接合装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002192394A (ja) * 2000-12-28 2002-07-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 無機基板のプレス加工法およびプレス装置
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP4781802B2 (ja) 2005-12-06 2011-09-28 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り合わせ手段及び貼り合わせ装置、並びにサポートプレートの貼り合わせ方法
JP4750724B2 (ja) 2007-01-25 2011-08-17 東京応化工業株式会社 重ね合わせユニット及び貼り合わせ装置
JP5661928B2 (ja) * 2011-06-24 2015-01-28 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法、基板の処理方法および積層体
JP5485958B2 (ja) * 2011-09-16 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166536A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 貼り合わせ装置
JP2012049267A (ja) 2010-08-25 2012-03-08 Tokyo Electron Ltd 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2013000747A (ja) 2011-06-10 2013-01-07 Murata Mfg Co Ltd 接合装置
JP2013004609A (ja) 2011-06-14 2013-01-07 Nikon Corp 基板貼り合わせ方法

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Publication number Publication date
US20160005635A1 (en) 2016-01-07
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TWI538810B (zh) 2016-06-21
WO2014157082A1 (ja) 2014-10-02
KR20150060990A (ko) 2015-06-03
JP5759086B2 (ja) 2015-08-05

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