KR101099248B1 - 서포트플레이트의 접착방법 - Google Patents

서포트플레이트의 접착방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101099248B1
KR101099248B1 KR1020050114164A KR20050114164A KR101099248B1 KR 101099248 B1 KR101099248 B1 KR 101099248B1 KR 1020050114164 A KR1020050114164 A KR 1020050114164A KR 20050114164 A KR20050114164 A KR 20050114164A KR 101099248 B1 KR101099248 B1 KR 101099248B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support plate
substrate
plate
semiconductor wafer
adhesive
Prior art date
Application number
KR1020050114164A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060059826A (ko
Inventor
요시히로 이나오
아쯔시 미야나리
Original Assignee
도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 filed Critical 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20060059826A publication Critical patent/KR20060059826A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101099248B1 publication Critical patent/KR101099248B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼 등의 기판과 서포트플레이트 사이에 끼인 가스를 용이하게 제거하면서 압착할 수 있는 접착방법을 제공한다.
반도체 웨이퍼 등의 기판(W)의 회로형성면에 접착제를 도포하여 회로형성면 위에 접착제층(1)을 형성하고, 이어서 이 접착제층(1)을 가열하여 건조 고화시킨 후, 상기 접착제층(1) 위에 두께방향의 관통공(3)을 플레이트의 전역에 걸쳐 설치한 서포트플레이트(2)를 겹치고, 이 상태에서 감압분위기, 가열하에 있어서 서포트플레이트(2)를 접착제층(1)에 밀어붙여 압착한다.
Figure R1020050114164
반도체 웨이퍼, 서포트플레이트, 기판, 회로형성면, 접착제층

Description

서포트플레이트의 접착방법{Supporting plate attaching method}
도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼의 접착방법을 삽입한 반도체 웨이퍼의 박판화공정을 설명한 도면이다.
도 2는 본 발명의 방법의 실시에 사용하는 반도체 웨이퍼의 접착장치의 전체 단면도이다.
도 3(a)는 용제 공급수단이 상승되어 있는 상태를 나타내는 도면이고, (b)는 용제 공급수단이 하강되어 있는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 종래의 반도체 웨이퍼의 박판화공정을 설명한 도면이다.
부호의 설명
1…접착제층, 2…서포트플레이트(support plate), 3…관통공(貫通孔), 4…그라인더(grinder), 5…다이싱 테이프(dicing tape), 6…프레임, 7…다이싱 컷터, 10…접착장치, 11…감압 챔버, 12…감압용 배관, 13…개구(開口), 14…셔터, 15…실린더 유닛, 16…푸셔(pusher), 17…유지대(保持台), 18…누름판(押壓板), 19…관통공, 20…승강 핀, 21…실린더 유닛, 22…플레이트, 23…히터, 24…백 플레이트, 25…축, 26…플랜지(flange), 27…주름상자, 28…프레임, 29…서보모터(servo motor), 30…스크류 나사, 31…승강체(昇降體), 32…너트부, 33…볼 조인트(ball joint), 34…센서, 40…용제 공급 플레이트, 41…O링, 42…용제(박리액) 공급관, 43…용제 배출관, W…반도체 웨이퍼.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 박판화(薄板化)할 때에 백업을 위해 기판에 서포트플레이트를 접착하는 방법에 관한 것이다.
IC 카드나 휴대전화의 박형화, 소형화, 경량화가 요구되고 있어, 이 요구를 충족시키기 위해서는 삽입되는 반도체 칩에 대해서도 두께가 얇은 반도체 칩으로 하지 않으면 안 된다. 이 때문에 반도체 칩의 토대가 되는 웨이퍼의 두께는 현재 상태에서는 125 ㎛~150 ㎛이지만, 차세대 칩용으로는 25 ㎛~50 ㎛로 하지 않으면 안 된다고 말하여지고 있다.
반도체 웨이퍼의 박판화에는 종래부터 도 4에 나타내는 공정을 거치고 있다. 즉, 반도체 웨이퍼의 회로(소자) 형성면(A면)에 보호 테이프를 접착(接着)하고, 이것을 반전(反轉)하여 반도체 웨이퍼의 이면(裏面)(B면)을 그라인더로 연삭하여 박판화하고, 이 박판화된 반도체 웨이퍼의 이면을 다이싱 프레임에 유지되어 있는 다이싱 테이프 상에 고정하여, 이 상태에서 반도체 웨이퍼의 회로(소자) 형성면(A면)을 덮고 있는 보호 테이프를 박리한 후, 다이싱장치에 의해 각 칩마다 분리하도록 하고 있다.
상기한 방법은 특허문헌 1에 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 1에 있어서는, 보호 테이프로서 내열성 보호 테이프를 사용하고, 박리할 때는 이 보호 테이프의 한쪽 끝에 강점착 테이프를 점착하여 박판화한 반도체 웨이퍼로부터 떼어내도록 하고 있다.
또한 특허문헌 2에는, 보호 테이프 대신에 질화알루미늄-질화붕소 기공 소결체(氣孔燒結體)에 사다리형 실리콘 올리고머를 함침(含浸)시킨 보호기판을 사용하여, 이 보호기판과 반도체 웨이퍼를 열가소성 필름을 사용하여 접착하는 내용이 개시되어 있다.
또한 특허문헌 3에는, 보호기판으로서 반도체 웨이퍼와 실질적으로 동일한 열팽창률의 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 탄화규소 등의 재료를 사용하고, 또한 보호기판과 반도체 웨이퍼를 접착하는 접착제로서 폴리이미드 등의 열가소성 수지를 사용하여, 이 접착제의 적용법으로서, 10~100 ㎛ 두께의 필름으로 하는 방법 또는 접착제 수지용액을 스핀코트하고, 건조시켜서 20 ㎛ 이하의 필름으로 하는 방법이 제안되어 있다.
상기 일련의 공정 중, 반도체 웨이퍼를 그라인더 등에 의해 박판화하는 공정에서는, 반도체 웨이퍼의 회로형성면측을 테이프나 판재(板材)로 서포트할 필요가 있다. 특허문헌 4에는, 반도체 웨이퍼에 서포트플레이트를 접착하는 내용이 개시되어 있다.
특허문헌 4에 개시되는 내용은, 상하 한쌍의 핫플레이트를 배치하는 동시에, 이들 핫플레이트의 바깥쪽에 상하 한쌍의 진공포트를 설치하고, 상하 핫플레이트 사이에서 반도체 웨이퍼와 서포트플레이트와의 적층체를 압착(壓着)하는 동안, 감압분위기에서 행하도록 하고 있다. 특히, 특허문헌 1에서는 위쪽의 핫플레이트를 승강 이동시키는 수단으로서 유압식(油壓式) 프레스기를 사용하지 않고, 댐퍼(damper)로서도 기능하는 에어 플런져(air plunger)를 사용함으로써, 핫플레이트로부터의 열로 적층체가 팽창되었을 때에 발생하는 역압력(逆壓力)으로 반도체 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하고 있다.
[특허문헌 1] 일본국 특허공개 제2002-270676호 공보 단락(0035)
[특허문헌 2] 일본국 특허공개 제2002-203821호 공보 단락(0018)
[특허문헌 3] 일본국 특허공개 제2001-77304호 공보 단락(0010), (0017)
[특허문헌 4] 일본국 특허공개 제2002-192394호 공보 단락(0012), (0014), (0019)
상술한 종래의 첩합(貼合)방법에서는, 접착제 중의 용제가 완전히 휘발되지 않아 보이드(void)가 발생하는 경우가 있다. 이 보이드가 발생하면 반도체 웨이퍼와 서포트플레이트와의 적층체의 두께가 부분적으로 불균일해져, 그라인더로 기판을 깎을 때에 기판의 두께가 불균일해진다.
특히 특허문헌 4에서는, 첩합을 감압, 가열하에서 행하는 것이 개시되어 있지만, 그것으로도 완전히 보이드의 발생을 막을 수 없다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 접착방법은, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 회로형성면에 접착제를 도포하여 회로형성면 위에 접착제층을 형성하고, 이어서 이 접착제층을 가열하여 건조 고화시킨 후, 상기 접착제층 위에 두께방향의 관통공을 플레이트의 전역에 걸쳐 설치한 서포트플레이트를 겹치고, 이 상태에서 감압분위기, 가열하에 있어서 서포트플레이트를 접착제층에 밀어붙여 압착하도록 하였다.
이와 같이, 서포트플레이트를 압착하기 전에 접착제층을 가열하여 건조 고화시킴으로써 보이드의 발생을 유효하게 저지할 수 있다. 또한, 압착 시에 가열함으로써 일단 건조된 접착제층이 부드러워져 기판과 서포트플레이트를 접착할 수 있고, 더욱이 서포트플레이트로서 다공판(多孔板)을 사용함으로써 압착 시에 구멍을 매개로 하여 접착제 중의 용제를 휘발시킬 수 있어, 보이드의 원인을 제거할 수 있다.
상기 기판과 서포트플레이트와의 압착은, 유지대와 누름판 사이에서 기판과 서포트플레이트와의 적층체를 가압함으로써 행하고, 더욱이 상기 누름판을 서보모터를 구동함으로써 승강 이동시키는 구성으로 하면, 토크(toque)(압력) 제어 또는 위치 제어함으로써 적층체에 가해지는 압력을 조정하는 것이 가능해져, 기판의 두께 변경 등에 용이하게 대처할 수 있다.
여기에서, 기판의 회로형성면에 도포한 접착제의 건조는 250℃ 이하의 온도에서 행하는 것이 바람직하다. 고온에서 건조시키면, 표면만이 건조되고 속이 건조되어 있지 않은 상태가 되어, 나중에 보이드의 원인으로 된다. 또한 감압분위기에 있어서의 적층체의 가열온도는 200℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 고온에서 압착하면 역시 보이드가 발생하기 쉽다.
이하에 본 발명의 실시형태를 첨부하는 도면을 토대로 설명한다. 도 1은 본 발명의 접착방법을 삽입한 반도체 웨이퍼의 박판화공정을 설명한 도면, 도 2는 본 발명의 방법의 실시에 사용하는 반도체 웨이퍼의 접착장치의 전체 단면도, 도 3은 박리용 용제 공급에 대해서 설명한 도면으로, 맨처음 박판화공정의 전체를 설명한다.
먼저, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 회로(소자) 형성면(A면)에 접착제액을 도포한다. 도포에는 예를 들면 스피너(spinner)를 사용한다. 접착제액으로서는 아크릴 수지 또는 노볼락 타입의 페놀 수지계 재료를 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 또한 접착제의 두께는 수 ㎛~100 ㎛ 정도로 한다.
이어서, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 상기의 접착제를 베이크하여 구워 굳혀 유동성을 없앤 접착제층(1)을 기판(W)의 표면에 형성한다. 가열에는 예를 들면 오븐을 사용한다. 접착제층(1)의 두께는 상기에 한정되지 않고, 반도체 웨이퍼(W)의 표면(A면)에 형성한 회로의 요철에 따라 결정한다. 또한, 1회의 도포로는 필요한 두께를 만들 수 없는 경우에는, 도포와 예비 건조를 복수회 반복해서 행한다. 이 경우, 최상층(最上層) 이외의 접착제층의 예비 건조는 접착제에 유동성을 남기지 않도록 건조의 정도를 강화한다.
이상에 의해 소정 두께의 접착제층(1)이 형성된 반도체 웨이퍼(W)에, 본 발명의 접착방법에 의해 서포트플레이트(2)를 접착한다. 접착장치의 상세는 후술한다. 서포트플레이트(2)는 예를 들면 두께방향의 관통공(3)을 전역에 형성한 유리판(두께 1.0 ㎜, 외경(外徑) 201.0 ㎜)으로 한다. 또한, 서포트플레이트(2)의 재질은 이것에 한정되지 않는다.
그 다음, 일체화된 반도체 웨이퍼(W)와 서포트플레이트(2)로 되는 적층체를 반전(反轉)하고, 반도체 웨이퍼(W)의 이면(裏面)(B면)을 그라인더(4)로 연삭하여, 반도체 웨이퍼(W)를 박판화한다. 또한, 연삭에 있어서는 그라인더(4)와 반도체 웨이퍼(W) 사이에 생기는 마찰열을 억제하기 위해 물(연삭액)을 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 공급하면서 행한다. 여기에서, 상기 접착제는 물에 불용(알코올에 가용)인 것을 선정하고 있기 때문에, 연삭 시에 반도체 웨이퍼(W)로부터 서포트플레이트(2)가 박리되는 경우가 없다.
상기 박판화된 반도체 웨이퍼(W)의 이면(B면)에 필요에 따라 회로 등을 형성한 후, 해당 이면을 다이싱 테이프(5) 상에 고정한다. 이 다이싱 테이프(5)는 점착성을 갖는 동시에 프레임(6)에 유지되어 있다.
그 다음, 서포트플레이트(2)의 위로부터 용제로서 알코올을 붓는다. 알코올은 서포트플레이트(2)의 관통공(3)을 매개로 하여 접착제층(1)에 도달하여 접착제층(1)을 용해한다. 이 경우, 프레임(6)을 도시하지 않는 스피너로 회전시킴으로써, 알코올을 단시간 중에 접착제층(1)의 전면에 고루 퍼지게 할 수 있다. 사용하는 알코올로서는 에탄올이나 메탄올 등의 분자량이 작은 것일수록 용해성이 높기 때문에 바람직하다. 또한 복수의 알코올을 혼합해도 된다. 또한 알코올 대신에 케톤 또는 알코올과 케톤의 혼합용액을 사용해도 된다.
알코올 등을 접착제층(1)에 공급하는 수단으로서는, 용제를 채운 조(槽)에 서포트플레이트(2)가 접착된 반도체 웨이퍼(W)를 침지(浸漬)해도 되고, 이 경우 초음파진동을 가하면 더욱 효과적이다.
이상과 같이 하여 접착제층(1)을 용해시켰으면, 서포트플레이트(2) 상의 여분의 용제를 제거한 후, 지그(jig)를 사용하여 서포트플레이트(2)를 기판(W)의 주 변부로부터 서서히 박리한다.
그리고, 서포트플레이트(2)를 박리한 후, 다이싱 컷터(7)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 칩 사이즈로 절단한다. 절단 후는, 다이싱 테이프(5)에 자외선을 조사하고, 다이싱 테이프(5)의 점착력을 저하시켜, 절단한 칩을 따로 따로 꺼낸다.
이어서, 본 발명의 접착방법의 실시에 이용하는 접착장치에 대해서 도 2를 토대로 설명한다. 접착장치(10)은 감압 챔버(11)을 구비하고 있다. 이 감압 챔버(11)은 배관(12)를 매개로 하여 진공흡인장치로 이어지고, 또한 한 측면에는 반입·반출용 개구(13)이 형성되어, 이 개구(13)을 셔터(14)로 개폐하도록 하고 있다.
셔터(14)는 실린더 유닛(15)로 승강 이동되어, 상승한 위치에서 측방(側方)으로부터 푸셔(16)으로 밀어 누름으로써, 셔터(14)의 내측면에 설치한 실(seal)이 개구(13)의 주위에 빽빽하게 맞닿아, 챔버(11) 내를 기밀하게 유지한다. 또한 푸셔(16)를 후퇴시켜 셔터(14)를 하강시킴으로써, 개구(13)이 열림으로 되고, 이 상태에서 반송장치를 사용하여 웨이퍼(W)와 서포트플레이트(2)와의 적층체를 넣고 꺼낸다.
상기 챔버(11) 내에는 상기 적층체를 압착하는 유지대(17)과 누름판(18)이 배치되어 있다. 유지대(17)은 탄화규소(SiC)로 되고, 누름판(18)은 알루미나(Al2O3)로 된다. 또한, 세라믹스 소결체(燒結體)로 누름판을 구성하고, 이 세라믹스 소결체에 배기관을 접속하는 구성도 생각할 수 있지만, 이 구성으로 하면 충분히 접착제 중의 가스가 빠지지 않을 우려가 있다.
상기 유지대(17)에는 관통공(19)가 형성되고, 이 관통공(19)에 승강 핀(20)이 끼워져 통해 있다. 이 승강 핀(20)은 챔버(11)의 아래쪽에 설치된 실린더 유닛(21)으로 승강 이동하는 플레이트(22)에 설치되어 있다.
또한, 상기 유지대(17)에는 히터(23)이 매설되고, 이 히터(23)에 의해 상기 적층체를 200℃ 정도까지 가열하여, 일단 경화된 접착제를 부드럽게 한다. 또한 히터는 누름판(18)측에 설치해도 된다.
한편, 상기 누름판(18)은 백 플레이트(24)에 유지되고, 이 백 플레이트(24)는 챔버(11)을 관통하는 축(25)의 하단(下端)에 설치되어 있다. 이 축(25)의 중간부에는 플랜지(26)이 설치되고, 이 플랜지(26)과 챔버(11) 윗면 사이에 주름상자(27)이 설치되어, 챔버(11) 내의 기밀상태를 유지하고 있다.
또한 상기 챔버(11)로부터는 위쪽으로 프레임(28)이 늘어나, 이 프레임(28)에 서보모터(29)가 지지되고, 이 서보모터(29)에 의해 회전되는 스크류 나사(30)에 승강체(31)의 너트부(32)가 나사 결합되어, 이 승강체(31)에 볼 조인트(33)을 매개로 하여 상기 축(25)의 상단부(上端部)가 지지되어 있다. 더욱이, 축(25)의 측방에는 축(25)의 상하 위치를 검출하는 센서(34)를 배치하고 있다.
이상에 있어서 반도체 웨이퍼(W)와 서포트플레이트(2)와의 적층체를 압착하기 위해서는, 먼저 누름판(18)의 평행도의 조정을 행한다. 평행도를 내기 위해서는, 볼 조인트(33)의 볼트를 느슨하게 하여 볼 조인트(33)을 프리상태로 한다. 그리고, 이 상태 그대로 누름판(18)을 자중(自重)으로 하강시켜, 누름판(18)의 아랫면을 유지대(17)의 윗면에 맞닿게 한다. 이 시점에서 유지대(17)과 누름판(18)은 평행해진다. 이어서, 볼트를 조여 볼 조인트(33)을 고정한 후, 누름판(18)을 상승시킨다.
평행도의 조정은 매회 행할 필요는 없고, 적당한 횟수마다 행한다. 또한, 상기에서는 적층체를 끼우지 않고 평행도의 조정을 행하였지만, 압착하는 적층체와 동일 두께의 판재를 유지대(17)과 누름판(18) 사이에 개재시켜서 평행도를 조정해도 된다.
이상에 의해 평행도의 조정이 종료되면, 질소가스가 퍼지되어 대기압상태에 있는 챔버(11)의 개구(13)을, 셔터(14)를 낮춤으로써 열림으로 한다. 그리고, 도시하지 않는 반송장치로 반도체 웨이퍼(W)와 서포트플레이트(2)와의 적층체를 챔버(11) 내에 넣고, 핀(20) 상으로 보내, 셔터(14)로 개구(13)을 닫고, 챔버(11) 내를 기밀한 상태로 한다. 도 5는 이 상태를 나타내고 있다.
이어서 챔버(11) 내를 감압하고, 압력이 1 kPa 이하가 된 시점에서, 실린더 유닛(21)을 구동하여 핀(20)을 낮추고, 적층체를 150℃ 정도까지 가열되어 있는 유지대(17) 상에 올려둔다.
상기와 병행하여, 서보모터(29)를 구동하여 누름판(18)을 미리 설정한 위치까지 하강시키고, 유지대(17)과 누름판(18) 사이에서 적층체를 가압한다. 이 상태에서 약 1분간 유지하고 기판(W)와 서포트 플레이트(2)를 열압착한다.
그 다음, 질소가스를 퍼지하고 챔버(11) 내를 대기압으로 되돌려, 누름판(18)을 상승시키고, 셔터(14)를 낮춰, 열압착된 적층체를 챔버(11) 밖으로 반출한다.
또한, 상기 실시예에서는 챔버(11) 내의 감압상태를 대기압으로 되돌린 후에 누름판(18)을 상승시키도록 하였지만, 먼저 누름판(18)을 상승시키고, 그 다음에 챔버(11) 내를 대기압으로 되돌려도 된다.
서포트플레이트(2)의 위로부터 용제로서의 알코올을 붓고 접착제를 용해시킨다. 도 3은 용제 공급수단의 구체예를 나타내고, 이 예에 있어서는 용제 공급수단을 용제 공급 플레이트(40)의 아랫면에 O링(41)을 설치하고 있다. 용제 공급 플레이트(40)에는 용제(박리액) 공급관(42) 및 용제 배출관(43)이 접속되어 있다. 그리하여, 도 3(a)의 상태로부터 용제 공급 플레이트(40)을 강하시키고, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 서포트플레이트(2)의 윗면에 O링(41)을 매개로 하여 용제 공급 플레이트(40)을 겹치고, 이어서 서포트플레이트(2), O링(41) 및 용제 공급 플레이트(40)으로 둘러싸이는 공간에 용제 공급관(42)로부터 용제를 공급하고, 서포트플레이트(2)에 형성한 관통공(3)을 매개로 하여 접착제층(1)을 용해하여 제거한다.
이와 같이, O링(41)에 의해 용제가 공급되는 공간을 제한함으로써, 용제가 다이싱 테이프에 극력(極力) 용제가 걸리는 것을 막을 수 있다. 또한 테이프에 알코올이 닿은 경우, 알코올에 의해 용해된 테이프의 풀이 웨이퍼 표면을 오염시킬 우려가 있지만, 이 기구(機構)에서는 그것을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼 등의 기판과 서포트플레이트를 압착시킬 때에, 보이드 및 가스의 발생을 억제할 수 있어, 기판과 서포트플레이트와의 접착 정도(精度)도 향상된다.
또한, 적층체의 두께도 균일해지기 때문에, 종래보다도 기판의 두께를 더욱 얇게할 수 있다.

Claims (4)

  1. 기판의 회로형성면을 서포트플레이트에 접착하는 방법으로서, 기판의 회로형성면에 접착제를 도포하여 회로형성면 위에 접착제층을 형성하고, 이어서 이 접착제층을 가열하여 건조 고화시킨 다음, 상기 접착제층 위에, 관통공을 플레이트의 전역에 걸쳐 설치한 서포트플레이트를 적층하고, 상기 기판과 서포트플레이트의 적층체를 감압 챔버 내에서 가열하면서 서포트플레이트를 접착제층에 밀어붙여 압착하는 것을 특징으로 하는, 박판화 공정에 사용되는 기판과 서포트플레이트의 적층체의 제조방법.
  2. 제1항의 제조방법에 있어서, 상기 기판과 서포트플레이트와의 압착은, 유지대와 누름판 사이에서 기판과 서포트플레이트와의 적층체를 가압함으로써 행하고, 더욱이 서보모터로써 상기 누름판을 토크(압력) 제어 또는 위치 제어함으로써 적층체에 가해지는 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는, 박판화 공정에 사용되는 기판과 서포트플레이트의 적층체의 제조방법.
  3. 제1항의 제조방법에 있어서, 상기 기판의 회로형성면에 도포한 접착제의 건조는 250℃ 이하의 온도에서 행하고, 감압 챔버 내에서의 적층체의 가열온도는 200℃ 이하로 하는 것을 특징으로 하는, 박판화 공정에 사용되는 기판과 서포트플레이트의 적층체의 제조방법.
  4. 제1항의 제조방법에 있어서, 기판이 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는, 박판화 공정에 사용되는 기판과 서포트플레이트의 적층체의 제조방법.
KR1020050114164A 2004-11-29 2005-11-28 서포트플레이트의 접착방법 KR101099248B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00344737 2004-11-29
JP2004344737A JP4652030B2 (ja) 2004-11-29 2004-11-29 サポートプレートの貼り付け方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060059826A KR20060059826A (ko) 2006-06-02
KR101099248B1 true KR101099248B1 (ko) 2011-12-27

Family

ID=36634584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050114164A KR101099248B1 (ko) 2004-11-29 2005-11-28 서포트플레이트의 접착방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4652030B2 (ko)
KR (1) KR101099248B1 (ko)
CN (1) CN100530527C (ko)
TW (1) TWI430387B (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5027460B2 (ja) 2006-07-28 2012-09-19 東京応化工業株式会社 ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法
CA2609169C (en) 2006-11-15 2011-01-18 Rohm And Haas Company Adhesives for elastomers
JP4825695B2 (ja) 2007-01-19 2011-11-30 東京応化工業株式会社 液状溶剤当接ユニット
JP5090789B2 (ja) * 2007-05-30 2012-12-05 東京応化工業株式会社 貼り合わせ装置、接着剤の溶解を防ぐ方法、及び貼り合わせ方法
JP2009130218A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 貼付装置および貼付方法
JP4742252B2 (ja) * 2008-12-10 2011-08-10 カシオ計算機株式会社 半導体装置の製造方法
KR101027858B1 (ko) * 2009-01-13 2011-04-07 도레이첨단소재 주식회사 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름
JP5520491B2 (ja) * 2009-01-27 2014-06-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料ステージ装置
JP6869101B2 (ja) * 2017-05-12 2021-05-12 株式会社ダイセル 接着剤層形成装置、半導体チップ製造ライン、及び積層体の製造方法
JP7220135B2 (ja) * 2018-11-01 2023-02-09 信越化学工業株式会社 積層体の製造方法、及び基板の製造方法
JP7335136B2 (ja) * 2019-11-06 2023-08-29 株式会社ディスコ 樹脂保護部材形成装置
JP7396863B2 (ja) * 2019-11-06 2023-12-12 株式会社ディスコ 保護部材の形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077304A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
KR20040057604A (ko) * 2002-12-26 2004-07-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 다이 접착방법
JP2004296935A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sharp Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61208842A (ja) * 1985-03-14 1986-09-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体ウエハ支持基板
JP2002059363A (ja) * 2000-08-23 2002-02-26 Chemitoronics Co Ltd ウエーハ支持体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077304A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
KR20040057604A (ko) * 2002-12-26 2004-07-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 다이 접착방법
JP2004296935A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sharp Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4652030B2 (ja) 2011-03-16
JP2006156683A (ja) 2006-06-15
TW200629462A (en) 2006-08-16
KR20060059826A (ko) 2006-06-02
TWI430387B (zh) 2014-03-11
CN1815688A (zh) 2006-08-09
CN100530527C (zh) 2009-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101099248B1 (ko) 서포트플레이트의 접착방법
KR101193308B1 (ko) 서포트플레이트의 첩부장치
JP4781802B2 (ja) サポートプレートの貼り合わせ手段及び貼り合わせ装置、並びにサポートプレートの貼り合わせ方法
JP6162829B2 (ja) 一時的にボンディングされたウエハをデボンディングするための改善された装置と方法
KR101043486B1 (ko) 기판의 첩부방법
TWI377642B (en) Substrate supporting plate and striping method for supporting plate
US8664082B2 (en) Combination of a substrate and a wafer
JP2006196705A (ja) 回路素子の形成方法および多層回路素子
CN102934217A (zh) 自动热滑动剥离机
TWI639671B (zh) 黏著帶貼付方法及黏著帶貼付裝置
TW200524024A (en) Protecting thin semiconductor wafers during back-grinding in high-volume production
KR20050053008A (ko) 첩부장치 및 첩부방법
TWI706505B (zh) 用於裝置加工之鑽石底半導體晶圓之安裝技術
JP7317482B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2014049537A (ja) ウェーハの加工方法
JP2004186482A (ja) 熱接着フィルム貼付方法およびその装置
JP2004040050A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH04247640A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3348261B2 (ja) 基板の貼り合わせ方法
CN115831850A (zh) 一种晶圆贴揭膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141205

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161123

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 8