KR102327469B1 - 점착 테이프 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치 - Google Patents
점착 테이프 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102327469B1 KR102327469B1 KR1020140187001A KR20140187001A KR102327469B1 KR 102327469 B1 KR102327469 B1 KR 102327469B1 KR 1020140187001 A KR1020140187001 A KR 1020140187001A KR 20140187001 A KR20140187001 A KR 20140187001A KR 102327469 B1 KR102327469 B1 KR 102327469B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesive tape
- pressure
- attaching
- wafer
- tape
- Prior art date
Links
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 193
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 40
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 15
- 230000004224 protection Effects 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 126
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
- H01L21/447—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428 involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
챔버를 구성하는 한 쌍의 상측 하우징 및 하측 하우징의 한쪽 접합부에 챔버의 내경보다 큰 점착 테이프를 부착하고, 점착 테이프를 물어서 챔버를 형성한 후에, 히터에 의해 점착 테이프를 예비 가열한다. 그 후, 점착 테이프의 점착면에 웨이퍼를 근접 대향시켜, 웨이퍼를 수납 보유 지지하는 하측 하우징의 공간을 상측 하우징의 공간보다 기압을 낮게 하면서 점착 테이프를 웨이퍼에 부착한다. 웨이퍼의 회로 형성면에 부착한 점착 테이프의 표면을 가압 부재의 평탄면에 의해 가압해서 평탄화한다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼에 형성된 회로 패턴을 보호하는 보호 테이프나, 링 프레임과 그 링 프레임의 중앙에 적재된 반도체 웨이퍼의 이면에 걸쳐서 부착하는 다이싱 테이프 등을 포함하는 점착 테이프의 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼(이하, 적절히 「웨이퍼」라고 함)는 그 표면에 다수의 소자의 회로 패턴이 형성되어 있다. 예를 들어, 범프나 미세 회로가 웨이퍼 표면에 형성되어 있다. 따라서, 상기 회로면을 보호하기 위해서 보호 테이프가 부착되어 있다.
웨이퍼 표면의 범프 등 요철의 영향에 의해, 부착한 보호 테이프의 표면에도 마찬가지의 요철이 발생하고 있다. 따라서, 보호 테이프의 부착 처리 후에 그 보호 테이프의 표면측으로부터 가압해서 보호 테이프를 구성하는 기재의 표면을 평탄화하고 있다(특허문헌 1을 참조).
그러나, 상기 종래 방법에서는 다음과 같은 문제가 발생하였다.
최근 들어, TSV(Through-Silicon Via), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)나 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 등의 패키지에 의해, 웨이퍼면에 형성되는 회로가, 종래보다 좁은 피치의 범프, 부피 밀도가 높은 범프를 포함하는 미세화가 요구되고 있다. 또한, 제조하는 이들 패키지에 따라서 다른 특성의 보호 테이프를 구분지어 사용하고 있다. 예를 들어, 기재의 경도, 또는 기재 및 점착제를 포함하는 점착 테이프의 두께의 증가, 또는 이들 양쪽의 특성을 구비한 점착 테이프를 취급하는 것이 곤란해졌다.
특허문헌 1에 기재된 종래의 장치는, 대기 상태 하에서 보호 테이프가 웨이퍼 표면에 부착되어 있다. 이때, 띠형상의 보호 테이프를 반송 방향으로 텐션을 가하면서, 그 보호 테이프의 표면에 부착 롤러를 구름 이동시켜서 가압하여, 웨이퍼 표면에 부착하고 있다. 따라서, 보호 테이프의 폭 방향에 비해 길이 방향의 텐션이 강하여, 주름이 발생하기 쉬운 상태로 웨이퍼 표면에 보호 테이프가 부착되어 있다. 그 때문에, 웨이퍼 표면 상의 범프의 좁은 피치 등에 의해 형성되는 요철을 따라 점착제가 완전히 침입하지는 못한다. 바꾸어 말하면, 보호 테이프가 웨이퍼 표면에 완전히 밀착하지 못하고, 웨이퍼 표면의 범프 등의 요철 형상이 보호 테이프의 표면에도 나타난다.
따라서, 보호 테이프의 표면을 평탄하게 하기 위해서, 보호 테이프를 웨이퍼에 부착한 후에, 평탄면을 갖는 가압 부재로 가열하면서 가압하고 있다.
그러나, 보호 테이프의 부착 시점에서는, 점착제층이 연화되어 있지 않으므로, 뱅크 사이에 완전히 침입하지 못하고, 나아가서는 웨이퍼와 보호 테이프의 접착 계면에 기포가 말려 들어간다고 하는 문제가 있다.
또한, 점착 테이프의 부착 후에 그 표면을 평탄하게 하기 위해서 보호 테이프를 가열하는 경우, 점착제의 두께나 보호 테이프의 기재의 경도의 증가가, 점착제 등을 연화시키는 데 종래 이상으로 처리 시간이 걸린다고 하는 문제가 발생하였다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 반도체 웨이퍼에 형성된 회로의 상태에 상관없이, 점착 테이프를 고정밀도로 부착함과 함께, 부착 처리를 효율적으로 행할 수 있는 점착 테이프 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 점착 테이프를 부착하는 점착 테이프 부착 방법이며,
챔버를 구성하는 한 쌍의 제1 하우징 및 제2 하우징의 한쪽 접합부에 그 챔버의 내경보다 큰 상기 점착 테이프를 부착하는 제1 부착 과정과,
상기 점착 테이프를 물어서 챔버를 형성한 후에, 가열기에 의해 점착 테이프를 미리 가열하는 예비 가열 과정과,
상기 점착 테이프의 점착면에 반도체 웨이퍼를 근접 대향시키고, 그 반도체 웨이퍼를 수납 보유 지지하는 제2 하우징의 공간을 제1 하우징의 공간보다 기압을 낮게 하면서 그 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착하는 제2 부착 과정과,
상기 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 부착한 점착 테이프의 표면을 가압 부재의 평탄면에 의해 가압해서 평탄화하는 가압 과정
을 구비한 것을 특징으로 한다.
이 방법에 의하면, 한쪽 하우징의 접합부에 점착 테이프를 부착하고 나서 그 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착할 때까지의 동안에, 그 점착 테이프가 소정의 온도까지 예비 가열된다. 따라서, 점착 테이프의 부착 시점에서는, 점착제가 연화되어 있으므로, 가압 부재 등을 이용하지 않더라도 점착 테이프에 의해 구획된 챔버 내의 2개의 공간에 차압을 발생시키기만 하면, 점착 테이프의 전체면에 균일한 가압을 작용시키면서 반도체 웨이퍼 표면에 부착할 수 있다. 바꾸어 말하면, 과잉 가압에 의해 표면의 범프 등을 파손시키는 일 없이 반도체 웨이퍼에 점착 테이프를 부착할 수 있다. 또한, 감압 작용에 의해 반도체 웨이퍼 표면의 오목부로부터 기포를 탈기시킴과 함께, 그 반도체 웨이퍼 표면의 요철 형상을 따라 점착제를 밀착시킬 수 있다. 또한, 점착 테이프의 예비 가열은, 점착 테이프를 부착하기 직전까지의 챔버 내의 감압 과정에서 행할 수 있으므로, 종래와 같이 점착 테이프의 표면을 평탄화하는 데 수반해서 점착 테이프를 가열하는 경우에 비해, 처리 시간을 단축할 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 예비 가열 과정은, 예를 들어 가열기를 매설한 가압 부재의 가압면을 점착 테이프에 접촉시켜서 예비 가열하는 것이 바람직하다.
이 경우, 가압 부재의 가압면은 평탄하므로, 점착 테이프와 밀접한다. 따라서, 점착 테이프의 전체면을 균일하게 가열할 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 가압 과정은, 가압 부재에 의해 점착 테이프를 가열하면서 가압하는 것이 바람직하다.
이 경우, 점착 테이프를 구성하는 기재의 요철을 효율적으로 평탄하게 할 수 있다.
또한, 본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 표면 보호용 점착 테이프를 부착하는 점착 테이프 부착 장치이며,
상기 반도체 웨이퍼를 보유 지지하는 보유 지지 테이블과,
상기 보유 지지 테이블을 수납하는 한 쌍의 제1 하우징 및 제2 하우징을 포함하는 챔버와,
상기 챔버의 내경보다 큰 상기 점착 테이프를 공급하는 테이프 공급부와,
상기 하우징의 한쪽 접합부에 점착 테이프를 부착하는 테이프 부착 기구와,
상기 접합부에 부착된 점착 테이프를 미리 가열하는 가열기와,
상기 점착 테이프에 의해 구획된 챔버 내의 2개의 공간에 차압을 발생시켜서 반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프를 그 챔버 내에 배치한 가압 부재에 의해 가압하는 가압 기구와,
상기 반도체 웨이퍼의 외형을 따라 점착 테이프를 절단하는 절단 기구와,
상기 반도체 웨이퍼의 형상으로 잘라낸 점착 테이프를 박리하는 박리 기구와,
박리 후의 상기 점착 테이프를 회수하는 테이프 회수부
를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 반도체 웨이퍼와 링 프레임에 걸쳐 지지용 점착 테이프를 부착하는 점착 테이프 부착 장치이며,
상기 반도체 웨이퍼를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 테이블과,
상기 링 프레임을 보유 지지하는 프레임 보유 지지 테이블과,
상기 웨이퍼 보유 지지 테이블을 수납하는 한 쌍의 제1 하우징 및 제2 하우징을 포함하는 챔버와,
상기 점착 테이프를 공급하는 테이프 공급부와,
상기 링 프레임과 하우징의 한쪽 접합부에 점착 테이프를 부착하는 테이프 부착 기구와,
상기 링 프레임과 접합부에 부착된 점착 테이프를 미리 가열하는 가열기와,
상기 점착 테이프에 의해 구획된 챔버 내의 2개의 공간에 차압을 발생시켜서 반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프의 표면을 그 챔버 내에 배치한 가압 부재의 평탄면에 의해 가압하는 가압 기구와,
상기 링 프레임 상에서 점착 테이프를 절단하는 절단 기구와,
절단 후의 상기 점착 테이프를 박리하는 박리 기구와,
박리 후의 상기 점착 테이프를 회수하는 테이프 회수부
를 구비한 것을 특징으로 한다.
상술한 어느 장치에서도, 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착하기 전에 챔버 내를 감압하는 과정에서, 점착 테이프를 소정의 온도까지 미리 가열할 수 있다. 따라서, 점착 테이프 부착 시의 반도체 웨이퍼의 상태가 달라도, 상기 방법을 적절하게 실시할 수 있다.
또한, 상기 장치에 있어서, 가압 기구의 가압 부재에 가열기를 구비하는 것이 바람직하다.
이 구성에 따르면, 가압 부재의 평탄한 가압면을 점착 테이프에 접촉시킬 수 있으므로, 점착 테이프의 전체면을 균일하게 가열할 수 있다.
본 발명의 점착 테이프 부착 장치 및 점착 테이프 부착 방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 면에 형성된 회로의 상태에 상관없이 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 고정밀도로 또한 효율적으로 부착할 수 있다.
도 1은 표면 보호용 점착 테이프 부착 장치의 전체를 도시하는 정면도.
도 2는 표면 보호용 점착 테이프 부착 장치의 전체를 도시하는 정면도.
도 3은 회전 구동 기구에 구비된 구성을 나타내는 정면도.
도 4는 챔버의 구성을 나타내는 정면도.
도 5는 챔버의 구성을 나타내는 종단면도.
도 6은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 7은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 8은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 9는 실시예 장치의 동작을 나타내는 평면도.
도 10은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 11은 실시예 장치의 동작을 나타내는 평면도.
도 12는 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 13은 실시예 장치에 의한 웨이퍼에의 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 14는 실시예 장치에 의한 웨이퍼에의 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 15는 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 16은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 17은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 18은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 19는 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 20은 지지용 점착 테이프 부착 장치의 정면도.
도 21은 지지용 점착 테이프 부착 장치의 평면도.
도 22는 챔버의 구성을 나타내는 정면도.
도 23은 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 24는 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 25는 변형예 장치에 의한 웨이퍼에의 지지용 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 26은 변형예 장치에 의한 웨이퍼에의 지지용 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 27은 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 28은 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 29는 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 2는 표면 보호용 점착 테이프 부착 장치의 전체를 도시하는 정면도.
도 3은 회전 구동 기구에 구비된 구성을 나타내는 정면도.
도 4는 챔버의 구성을 나타내는 정면도.
도 5는 챔버의 구성을 나타내는 종단면도.
도 6은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 7은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 8은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 9는 실시예 장치의 동작을 나타내는 평면도.
도 10은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 11은 실시예 장치의 동작을 나타내는 평면도.
도 12는 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 13은 실시예 장치에 의한 웨이퍼에의 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 14는 실시예 장치에 의한 웨이퍼에의 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 15는 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 16은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 17은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 18은 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 19는 실시예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 20은 지지용 점착 테이프 부착 장치의 정면도.
도 21은 지지용 점착 테이프 부착 장치의 평면도.
도 22는 챔버의 구성을 나타내는 정면도.
도 23은 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 24는 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 25는 변형예 장치에 의한 웨이퍼에의 지지용 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 26은 변형예 장치에 의한 웨이퍼에의 지지용 점착 테이프 부착 동작을 나타내는 확대 정면도.
도 27은 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 28은 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
도 29는 변형예 장치의 동작을 나타내는 정면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다. 또한, 본 실시예에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)의 회로 형성면에 표면 보호용 점착 테이프를 부착하는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라, 점착 테이프 부착 장치의 전체 구성을 나타낸 정면도, 도 2는 점착 테이프 부착 장치의 평면도이다.
점착 테이프 부착 장치에는, 웨이퍼 공급/회수부(1), 웨이퍼 반송 기구(2), 얼라인먼트 스테이지(3), 테이프 공급부(4), 부착 유닛(5), 테이프 절단 기구(6), 챔버(7), 가압 유닛(8), 박리 유닛(9) 및 테이프 회수부(10) 등이 구비되어 있다. 이하, 상기 각 구조부 및 기구 등에 관한 구체적인 구성을 설명한다.
웨이퍼 공급/회수부(1)에는 2대의 카세트 C1, C2가 병렬되어 적재된다. 각 카세트 C에는, 다수매의 웨이퍼 W가 회로 형성면(표면)을 상향으로 한 수평 자세로 다단으로 삽입 수납되어 있다.
웨이퍼 반송 기구(2)는 2대의 로봇 암(11A, 11B)을 구비하고 있다. 양 로봇 암(11A, 11B)은, 수평하게 진퇴 이동 가능하게 구성됨과 함께, 전체가 선회 및 승강 가능하게 되어 있다. 그리고, 로봇 암(11A, 11B)의 선단에는, 말굽형을 한 진공 흡착식 웨이퍼 보유 지지부가 구비되어 있다. 웨이퍼 보유 지지부는, 카세트 C에 다단으로 수납된 웨이퍼 W끼리의 간극으로 들어가서, 웨이퍼 W를 이면으로부터 흡착 보유 지지한다. 흡착 보유 지지한 웨이퍼 W는, 카세트 C로부터 인출되어, 얼라인먼트 스테이지(3), 보유 지지 테이블(37) 및 웨이퍼 공급/회수부(1)의 순으로 반송된다.
얼라인먼트 스테이지(3)는 웨이퍼 반송 기구(2)에 의해 반입 적재된 웨이퍼 W를, 그 외주에 형성된 노치나 오리엔테이션 플랫에 기초하여 위치 정렬을 행한다.
테이프 공급부(4), 부착 유닛(5), 세퍼레이터 회수부(12) 및 절단 유닛(23)이 도 1에 도시한 바와 같이, 동일한 세로 플레이트(14)에 장착되어 있다. 상기 세로 플레이트(14)는 가동대(15)를 거쳐서 상부의 프레임(16)을 따라 수평 이동한다.
테이프 공급부(4)에는, 롤 권취한 폭 넓은 점착 테이프 PT가 공급 보빈(17)에 장전되어 있고, 그 공급 보빈(17)으로부터 조출된 세퍼레이터 s를 갖는 보호 테이프 PT를 가이드 롤러(18)군으로 권회 안내하고, 세퍼레이터 s를 박리한 보호 테이프 PT를 부착 유닛(5)으로 유도하도록 구성되어 있다. 또한, 공급 보빈(17)에 적당한 회전 저항을 부여해서 과잉 테이프 조출(繰出)이 행해지지 않도록 구성되어 있다.
세퍼레이터 회수부(12)는 보호 테이프 PT로부터 박리된 세퍼레이터 s를 권취하는 회수 보빈(19)이 권취 방향으로 회전 구동되도록 되어 있다.
부착 유닛(5)은 도 3에 도시한 바와 같이, 박리 부재(20), 승강 롤러(21) 및 부착 롤러(22)를 구비하고 있다. 또한, 부착 유닛(5)은 본 발명의 테이프 부착 기구에 상당한다.
박리 부재(20)는 선단이 첨예한 에지를 갖는다. 상기 에지를 비스듬하게 하향으로 한 상기 박리 부재(20)에 의해, 세퍼레이터 s를 접어서 점착 테이프 PT를 박리한다. 즉, 점착 테이프 PT를 박리 부재(20)로부터 전방으로 돌출시킨다.
승강 롤러(21)는 박리 부재(20)와 협동해서 점착 테이프 PT를 적시에 파지한다.
부착 롤러(22)는 박리 부재(20)의 선단으로부터 돌출되는 점착 테이프 PT의 선단을 가압해서 후술하는 하측 하우징(33B, 33C)의 접합부(70)에 부착해 간다.
절단 유닛(23)은 박리 부재(20)의 전방측에 설치된 프레임(24)을 따라 이동하는 가동대(25)와, 그 가동대(25)의 하부에 커터 홀더를 통해서 커터(26)를 구비하고 있다. 즉, 절단 유닛(23)은 점착 테이프 PT를 폭 방향으로 절단한다.
테이프 절단 기구(6)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 프레임(27)을 따라 승강 가능한 가동대(28)로부터 외팔보 지지된 아암의 선단 하부에서 직경 방향으로 신장되는 지지 아암(29)을 통해서 커터 유닛(30)을 구비하고 있다. 커터 유닛(30)에는, 날끝을 하향으로 한 커터(31)가 커터 홀더를 통해서 장착되어 있다. 또한, 커터 유닛(30)은 지지 아암(29)을 통해서 선회 반경을 조정할 수 있게 되어 있다. 또한, 테이프 절단 기구(6)는 본 발명의 절단 기구에 상당한다.
챔버(7)는 점착 테이프 T의 폭보다 작은 내경을 갖는 상하 한 쌍의 하우징에 의해 구성된다. 본 실시예에서는, 1개의 상측 하우징(33A)과 2개의 하측 하우징(33B, 33C)을 구비하고 있다.
하측 하우징(33B, 33C)은, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 모터 등의 회전 구동기(34)의 회전축(35)에 연결 고정되어 선회 아암(36)의 양 끝에 각각 구비되어 있다. 즉, 예를 들어 한쪽 하측 하우징(33B)이 상측 하우징(33A)과 챔버(7)를 형성할 때, 다른 쪽 하측 하우징(33C)이 부착 유닛(5)측의 테이프 부착 위치에 위치하도록 구성되어 있다. 또한, 하측 하우징(33B, 33C)의 상면 및 하면은, 불소 가공 등의 이형 처리가 실시되어 있다.
양 하측 하우징(33B, 33C) 내에는, 승강 가능한 보유 지지 테이블(37)이 구비되어 있다. 보유 지지 테이블(37)은 하측 하우징(33B, 33C)을 관통하는 로드(38)와 연결되어 있다. 로드(38)의 타단부는, 모터 등을 포함하는 액추에이터(39)에 구동 연결되어 있다. 따라서, 보유 지지 테이블(37)은 하측 하우징(33B, 33C) 내에서 승강한다. 또한, 보유 지지 테이블(37)에는 히터(49)가 매설되어 있다.
상측 하우징(33A)은, 승강 구동 기구(40)에 구비되어 있다. 이 승강 구동 기구(40)는 종벽(41)의 배면부에 세로 방향으로 배치된 레일(42)을 따라 승강 가능한 가동대(43), 이 가동대(43)에 높이 조절 가능하게 지지된 가동 프레임(44), 이 가동 프레임(44)으로부터 전방을 향해서 연장된 아암(45)을 구비하고 있다. 이 아암(45)의 선단부로부터 하방으로 연장되는 지지축(46)에 상측 하우징(33A)이 장착되어 있다.
가동대(43)는 나사축(47)을 모터(48)에 의해 정역회전함으로써 나사 이송 승강되도록 되어 있다.
상하측 하우징(33A 내지 33C)에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 유로(50)를 통해서 진공 장치(51)와 연통 접속되어 있다. 또한, 상측 하우징(33A)측의 유로(50)에는, 전자 밸브(52)를 구비하고 있다. 또한, 각 하우징(33A 내지 33C)에는, 대기 개방용 전자 밸브(53, 54)를 구비한 유로(55)가 각각 연통 접속되어 있다. 또한, 상측 하우징(33A)에는, 일단 감압한 내압을 누설에 의해 조정하는 전자 밸브(56)를 구비한 유로(57)가 연통 접속되어 있다. 또한, 이들 전자 밸브(52, 53, 54, 56)의 개폐 조작 및 진공 장치(51)의 작동은, 제어부(60)에 의해 행해지고 있다.
가압 유닛(8)은 상측 하우징(33A) 내에 가압 부재(61)를 구비하고 있다. 가압 부재(61)는 평탄한 저면을 갖는 플레이트이다. 상기 가압 부재의 상부에 실린더(62)가 연결되어 있고, 상측 하우징(33A) 내에서 승강한다. 또한, 가압 부재(61)에는 히터(63)가 내장되어 있다. 또한, 가압 유닛(8)은 본 발명의 가압 기구에 상당한다.
박리 유닛(9)은 도 1, 도 2 및 도 18에 도시한 바와 같이, 안내 레일(64)을 따라 좌우 수평하게 이동하는 가동대(65), 그 가동대(65) 상에서 승강하는 고정받침편(66), 그 고정받침편(66)과 실린더(67)로 개폐되는 가동편(68)을 구비하고 있다. 즉, 박리 유닛(9)은 테이프 절단 기구(6)에 의해 웨이퍼 W의 형상으로 잘라내어진 불필요한 점착 테이프 PT의 일단부측을 고정받침편(66)과 가동편(68)에 의해 파지해서 박리해 간다. 또한, 박리 유닛(9)은 본 발명의 박리 기구에 상당한다.
테이프 회수부(10)에는, 박리 유닛(9)의 박리 종료 단부측에 위치하고, 그 박리 유닛(9)에 의해 박리된 점착 테이프 PT를 회수하는 회수 용기(69)가 배치되어 있다.
이어서, 상술한 실시예 장치에 의해, 점착 테이프 PT를 웨이퍼 W에 부착하는 일순의 동작을 설명한다.
우선 로봇 암(11A)에 의해 카세트 C1로부터 웨이퍼 W를 반출하고, 얼라인먼트 스테이지(3)에 적재한다. 얼라인먼트 스테이지(3)에서 위치 정렬을 행한 후에, 로봇 암(11A)에 의해, 테이프 부착 위치에 있는 보유 지지 테이프(37)로 반송한다.
보유 지지 테이블(37)은 도 6에 도시한 바와 같이, 하측 하우징(33B)의 정상부(접합부)(70)보다 높게 복수개의 지지 핀(71)을 밀어올려 웨이퍼 W를 수취한다. 웨이퍼 W를 수취한 지지 핀(71)은 하강하고, 그 웨이퍼 W는 보유 지지 테이블(37)의 보유 지지면에서 흡착 보유 지지된다. 이때, 웨이퍼 W의 표면은, 접합부(70)보다 낮은 위치에 있다.
도 7에 도시한 바와 같이, 부착 유닛(5)을 부착 개시 단부로 이동시킨다. 점착 테이프 PT의 공급과 권취의 동기를 취하면서 박리 부재(20)로부터 소정 길이만큼 점착 테이프 PT를 돌출시킨다. 부착 롤러(22)를 하강시켜서 점착 테이프 PT의 선단을 하측 하우징(33B)의 접합부(70)에 부착한다. 그 후, 부착 유닛(5)을 이동시키면서, 상기 접합부(70)의 전체면에 점착 테이프 PT를 부착해 간다. 이때, 웨이퍼 W의 표면과 점착 테이프 PT의 점착면은, 미리 정한 클리어런스를 갖고 근접 대향되어 있다.
부착 종단부측의 접합부(70)로부터 소정 거리를 초과한 위치에서 부착 유닛(5)은 정지한다. 절단 유닛(23)이 작동하고, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 커터(26)가 점착 테이프 PT의 후단부측을 폭 방향으로 절단한다. 또한, 도 7, 도 8 및 후술하는 도 13은 부착 유닛(5)에 의한 테이프 부착 동작을 이해하기 쉽게, 좌측에 기재된 하측 하우징(33B)을 90도 회전시켜서 기재하고 있다.
도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 회전 구동기(34)를 작동시켜서 하측 하우징(33B)을 상측 하우징(33A)의 하방으로 선회 이동시킨다. 이때, 선회 아암(36)의 타단부측에 장착된 하측 하우징(33C)이, 테이프 부착 위치로 이동한다.
도 12에 도시한 바와 같이, 상측 하우징(33A)을 하강시키고, 하측 하우징(33B)과 함께 점착 테이프 PT를 물어 챔버(7)를 형성한다.
제어부(60)는 히터(49)를 작동시켜서 보유 지지 테이블(37) 상의 웨이퍼 W를 소정 온도로 가열함과 함께, 점착 테이프 PT의 예비 가열 처리와 챔버(7) 내의 감압을 대략 동시에 행한다.
예비 가열 처리는, 다음과 같이 실시된다. 장치의 작동 개시와 함께, 히터(63)는 소정의 온도로 유지되어 있다. 즉, 점착 테이프 PT가 웨이퍼 W에 접촉하는 타이밍에서 점착제가 적절하게 연화되어 웨이퍼 W의 범프 등의 간극에 침입해서 밀착함과 함께, 점착 테이프 PT의 기재가 적절하게 변형되는 온도가 되도록 온도 제어되고 있다. 따라서, 챔버(7)를 형성하면 대략 동시에, 가압 부재(61)를 소정 높이까지 하강시켜서 가압면을 점착 테이프 PT에 접촉시켜서 예비 가열을 개시한다. 또한, 예비 가열의 온도는, 사용하는 점착 테이프의 특성에 따라서 적절하게 설정 변경된다.
가압 부재(61)가 점착 테이프 PT에 접촉한 그대로 챔버(7) 내의 감압을 개시한다. 즉, 전자 밸브(53, 54, 56)를 닫은 상태에서, 진공 장치(51)를 작동시켜서 상측 하우징(33A) 내와 하측 하우징(33B) 내를 감압한다. 이때, 양측 하우징(33A, 33B) 내가 동일한 속도로 감압해 가도록, 전자 밸브(52)의 개방도를 조정한다.
양측 하우징(33A, 33B) 내가 소정의 기압까지 감압되면, 제어부(60)는 전자 밸브(52)를 닫음과 함께, 진공 장치(51)의 작동을 정지한다.
그 후, 전자 밸브(56)의 개방도를 조정해서 누설시키면서 상측 하우징(33A) 내를 소정의 기압까지 서서히 높인다. 이때, 하측 하우징(33B) 내의 기압이 상측 하우징(33A) 내의 기압보다 낮아지고 그 차압에 의해, 도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 점착 테이프 PT가 그 중심으로부터 하측 하우징(33B) 안으로 끌려 들어가, 근접 배치된 웨이퍼 W의 중심으로부터 외주를 향해서 서서히 부착되어 간다.
미리 설정된 기압에 상측 하우징(33A) 내가 도달하면, 제어부(60)는 전자 밸브(54)의 개방도를 조정해서 하측 하우징(33B) 내의 기압을 상측 하우징(33A) 내의 기압과 동일하게 한다. 이 기압 조정에 따라 보유 지지 테이블(37)을 상승시켜서 하측 하우징(33B)의 접합부(70)의 표면과 웨이퍼 W의 상면을 동일한 높이로 한다.
도 15에 도시한 바와 같이, 히터(63)에 의해 가열되고 있는 가압 부재(61)를 미리 정한 높이까지 더 하강시켜서, 점착 테이프 PT의 전체면을 소정 시간에 걸쳐 가열하면서 가압한다. 이 높이는, 점착 테이프 PT의 두께, 웨이퍼 W 상의 범프의 높이 등에 의해, 그 범프를 포함하는 회로가 파손되지 않는 높이로 미리 설정되어 있다.
가압 처리가 완료되면, 제어부(60)는 상측 하우징(33A)을 상승시켜서 상측 하우징(33A) 내를 대기 개방함과 함께, 전자 밸브(54)를 완전 개방으로 해서 하측 하우징(33B)측도 대기 개방한다.
또한, 챔버(7) 내에서 점착 테이프 PT를 웨이퍼 W에 부착하고 있는 동안에, 로봇 암(11B)에 의해 카세트 C2로부터 반출되어 웨이퍼 W를 하측 하우징(33C) 내의 보유 지지 테이블(37)에서 흡착 보유 지지하면서, 그 하측 하우징(33C)의 접합부(70)에 점착 테이프 PT가 부착되고 있다.
챔버(7) 내에서의 웨이퍼 W에의 점착 테이프 PT의 부착 처리 및 가압 처리와, 부착 유닛(5)에 의한 하측 하우징(33C)에의 점착 테이프 PT의 부착 처리가 완료되면, 도 16에 도시한 바와 같이, 선회 아암(36)을 반전시킨다. 즉, 한쪽 하측 하우징(33B)을 부착 유닛(5)측의 테이프 부착 위치로 이동시키고, 다른 쪽 하측 하우징(33C)을 상측 하우징(33A)의 하방의 접합 위치로 이동시킨다.
테이프 절단 기구(6)를 작동시켜, 도 17에 도시한 바와 같이, 커터 유닛(30)을 소정 높이까지 하강시키고, 웨이퍼 W와 하측 하우징(33B) 사이의 점착 테이프 PT에 커터(31)를 찌른다. 그 상태에서, 웨이퍼 W의 외주를 따라 점착 테이프 PT를 절단한다. 이때, 점착 테이프 PT의 표면은, 수평하게 유지되어 있다. 점착 테이프 PT의 절단이 완료되면, 커터 유닛(30)은 상승해서 대기 위치로 복귀된다.
박리 유닛(9)을 박리 개시 위치로 이동시킨다. 도 18에 도시한 바와 같이, 하측 하우징(33B)으로부터 비어져 나와 있는 점착 테이프 PT의 양단부측을 고정받침편(66)과 가동편(68)에 의해 문다. 도 19에 도시한 바와 같이, 그 상태에서 비스듬히 상방으로 소정 거리 이동시킨 후에, 수평 이동시키면서 웨이퍼 형상으로 잘라내어진 점착 테이프 PT를 박리해 간다.
박리 유닛(9)이 테이프 회수부(10)에 도달하면, 점착 테이프 PT의 파지를 해제해서 회수 용기(69)에 점착 테이프 PT를 낙하시킨다.
점착 테이프 PT가 부착된 웨이퍼 W는, 로봇 암(11A)에 의해 카세트 C1의 원래 위치에 수납시킨다.
또한, 하측 하우징(33B)측의 점착 테이프 PT의 절단 및 박리 처리를 행하고 있는 동안에, 하측 하우징(33C)측의 웨이퍼에의 점착 테이프 PT의 부착 처리가 행해지고 있다. 이상으로 웨이퍼 W에의 점착 테이프 T의 일순의 부착 동작이 종료되고, 이후, 동일한 처리가 반복해서 행해진다.
상기 실시예 장치에 의하면, 점착 테이프 PT의 선단부측을 자유 상태에서 하측 하우징(33B, 33C)의 접합부(70)에 부착하므로, 부착 방향으로의 텐션을 억제한 상태에서 점착 테이프 PT를 부착할 수 있다. 따라서, 텐션의 치우침이 없는 점착 테이프 PT에 차압을 작용시킴으로써, 그 점착 테이프 PT에 방사상의 균일한 텐션을 작용시킬 수 있다. 따라서, 주름 등을 발생시키지 않고 웨이퍼 W의 표면에 점착 테이프 PT를 부착할 수 있다.
또한, 챔버(7) 내에 구비된 가압 부재(61)의 히터(63)가 소정 온도로 제어되고 있다. 그 때문에, 챔버(7)를 형성과 동시에 가압 부재(61)의 가압면을 점착 테이프 PT에 접촉시켜서 점착 테이프 PT를 소정 온도까지 즉시 예비 가열을 개시할 수 있다. 또한, 점착 테이프 PT에 의해 구획된 챔버(7)의 2개의 공간을 동일한 속도로 동일한 기압까지 감압 또는 진공으로 할 때까지의 동안에, 점착 테이프 PT를 소정 온도까지 예비 가열할 수 있다. 따라서, 가압 처리와 동시에 점착 테이프 PT를 히터(63)에 의해 가열하는 종래의 방법에 비해, 점착 테이프 PT의 부착 시간을 단축할 수 있다.
또한, 챔버(7) 내의 2개의 공간에서 차압을 발생시킴으로써, 적절하게 연화된 상태의 점착 테이프 PT를 웨이퍼 W의 중심으로부터 방사상으로 부착해 갈 수 있다.
따라서, 부착 롤러 등의 부착 부재를 이용했을 때와 같이 과잉의 가압이 웨이퍼 W에 작용하지 않으므로, 범프 등을 포함하는 회로를 파손시키는 일이 없다. 또한, 감압 작용에 의해 웨이퍼 W의 오목부로부터 기포를 탈기시킴과 함께, 그 웨이퍼 W의 표면 요철 형상을 따라 점착제를 밀착시킬 수 있다.
또한, 점착 테이프 PT의 부착 처리 후에, 가압 처리를 다시 행하므로, 점착 테이프 PT를 구성하는 기재의 표면이 평탄해지고 있다. 따라서, 백그라인드 후의 웨이퍼 W의 두께의 편차를 억제할 수 있다. 즉, 점착 테이프 PT의 특성이나 웨이퍼 W의 회로 형성면의 상태에 상관없이 점착 테이프 PT의 표면을 평탄화할 수 있다.
또한, 챔버(7) 내에서 웨이퍼 W에의 점착 테이프 PT의 부착 처리 및 가압 처리를 행하고 있는 동안에 다른 쪽 하측 하우징에의 점착 테이프 PT의 부착 처리나 테이프 절단 및 테이프 박리 처리를 병행해서 동시에 행할 수 있다. 따라서, 택트 타임을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명은 이하와 같은 형태로 실시하는 것도 가능하다.
(1) 상기 실시예에서는, 표면 보호용 점착 테이프 PT를 부착하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 표리면에 회로 형성된 웨이퍼 W와 링 프레임에 걸쳐 지지용 점착 테이프(다이싱 테이프)에 부착하는 경우에도 적용할 수 있다. 따라서, 상기 실시예 장치와 동일 구성에는 동일 번호를 붙이는 데 그치며, 다른 구성 부분에 대해서 상세하게 설명한다.
상기 점착 테이프 부착 장치는, 도 20 및 도 21에 도시한 바와 같이, 프레임 공급부(75), 로봇 암(76), 프레임 보유 지지 테이블(77) 및 절단 유닛(78)을 새롭게 구비하고 있다.
프레임 공급부(75)는 카세트 C1의 가로로 설치되어 있다. 상기 스페이스에 링 프레임 f를 적층 수납한 웨건 타입의 반송차(79)가 연결된다. 상기 반송차(79)는 그 내부에 승강대가 구비되어 있다. 상기 승강대에 링 프레임 f가 적층되어 있고, 소정 피치로 승강하면서, 상방의 개구로부터 1매씩 링 프레임 f를 로봇 암(76)에 주고 받도록 구성되어 있다.
로봇 암(76)은 말굽형을 한 보유 지지부에서 링 프레임 f의 상면을 흡착 보유 지지해서 반송한다.
프레임 보유 지지 테이블(77)은 하측 하우징(33B, 33C)의 외주를 둘러싸는 환상이며, 선회 아암(36) 상에 설치되어 있다. 따라서, 하측 하우징(33B, 33C)과 일체로 되어 선회한다. 상기 프레임 보유 지지 테이블(77)에 링 프레임 f를 적재했을 때, 하측 하우징(33B, 33C)의 접합면과 링 프레임 f의 면이 편평해지도록 높이가 설정되어 있다.
절단 유닛(78)은 상측 하우징(33A)을 승강시키는 승강 구동 기구(40)에 배치되어 있다. 즉, 도 22에 나타내는 베어링(74)을 통해서 지지축(46) 주위로 회전하는 보스부(80)를 구비하고 있다. 이 보스부(80)의 중심으로 직경 방향으로 연신하는 4개의 지지 아암(81 내지 84)을 구비하고 있다.
한쪽 지지 아암(81)의 선단에, 원판형 커터(85)를 수평축 지지한 커터 브래킷이 상하 이동 가능하게 장착됨과 함께, 다른 지지 아암(82 내지 84)의 선단에 가압 롤러(87)가 요동 아암(88)을 통해서 상하 이동 가능하게 장착되어 있다.
보스부(80)의 상부에는 연결부(89)를 갖고, 이 연결부(89)에 아암(45)에 구비된 모터(90)의 회전축과 구동 연결되어 있다.
다음 상기 실시예 장치에 의해 점착 테이프 DT를 링 프레임 f와 웨이퍼 W에 부착하는 일순의 동작에 대해서 설명한다.
로봇 암(11A)에 의해 웨이퍼 W를 카세트 C1로부터 반출해서 얼라인먼트 스테이지(3)에서 위치 정렬을 행하고 있는 동안에, 로봇 암(76)에 의해 링 프레임 f를 반출해서 테이프 부착 위치에 있는 프레임 보유 지지 테이블(77)에 적재한다.
위치 정렬이 완료된 웨이퍼 W가 로봇 암(11A)에 의해 보유 지지 테이블(37)로 넘겨지면, 도 23에 도시한 바와 같이, 부착 유닛(5)에 의해 링 프레임 f와 하측 하우징(33B)의 접합부(70)에 걸쳐 점착 테이프 DT를 부착한다. 이때, 웨이퍼 W의 표면과 점착 테이프 DT의 점착면은, 미리 정한 클리어런스를 갖고 근접 대향되어 있다. 또한, 도 23은 부착 유닛(5)에 의한 테이프 부착 동작을 이해하기 쉽게, 좌측에 기재된 하측 하우징(33B)측을 90도 회전시켜서 기재하고 있다.
부착 유닛(5)이 부착 종단부 위치에 도달하면, 절단 유닛(23)에 의해 점착 테이프 DT를 절단한다. 이때, 절단 후의 점착 테이프 DT의 후단부는, 링 프레임 f로부터 소정 길이 비어져 나와 있다.
회전 구동기(34)를 작동시켜서 하측 하우징(33B)을 상측 하우징(33A)의 하방으로 선회 이동시킨다. 이때, 선회 아암(36)의 타단부측에 장착된 하측 하우징(33C)이, 테이프 부착 위치로 이동한다.
도 24에 도시한 바와 같이, 상측 하우징(33A)을 하강시켜, 점착 테이프 DT를 하측 하우징(33B)과 함께 물어 챔버(7)를 형성한다.
제어부(60)는 히터(49)를 작동시켜서 보유 지지 테이블(37) 상의 웨이퍼 W를 소정 온도로 가열함과 함께, 점착 테이프 PT의 예비 가열 처리와 챔버(7) 내의 감압을 대략 동시에 행한다.
예비 가열 처리는, 다음과 같이 실시된다. 장치의 작동 개시와 함께, 히터(63)는 소정의 온도로 유지되고 있다. 즉, 점착 테이프 DT가 웨이퍼 W에 접촉하는 타이밍에서 점착제가 적절하게 연화되어 웨이퍼 W에 밀착함과 함께, 점착 테이프 DT의 기재가 적절하게 변형되는 온도가 되도록 온도 제어되어 있다. 따라서, 챔버(7)를 형성하면 대략 동시에 가압 부재(61)를 소정 높이까지 하강시켜서 가압면을 점착 테이프 PT에 접촉시켜서 예비 가열을 개시한다. 또한, 예비 가열의 온도는, 사용하는 점착 테이프의 특성에 따라서 적절하게 설정 변경된다.
가압 부재(61)가 점착 테이프 PT에 접촉한 그대로 챔버(7) 내의 감압을 개시한다. 즉, 전자 밸브(53, 54, 56)를 닫은 상태에서, 진공 장치(51)를 작동시켜서 상측 하우징(33A) 내와 하측 하우징(33B) 내를 감압한다. 이때, 양측 하우징(33A, 33B) 내가 동일한 속도로 감압해 가도록, 전자 밸브(52)의 개방도를 조정한다.
양측 하우징(33A, 33B) 내가 소정의 기압까지 감압되면, 제어부(60)는 전자 밸브(52)를 닫음과 함께, 진공 장치(51)의 작동을 정지한다.
그 후, 전자 밸브(56)의 개방도를 조정해서 누설시키면서 상측 하우징(33A) 내를 소정의 기압까지 서서히 높인다. 이때, 하측 하우징(33B) 내의 기압이 상측 하우징(33A) 내의 기압보다 낮아지고 그 차압에 의해, 도 25 및 도 26에 도시한 바와 같이, 점착 테이프 DT가 그 중심으로부터 하측 하우징(33B) 안으로 끌려 들어가, 근접 배치된 웨이퍼 W의 중심으로부터 외주를 향해서 서서히 부착되어 간다. 그 후, 하측 하우징(33B) 내의 기압을 상측 하우징(33A) 내의 기압과 동일하게 한다. 이 기압 조정에 따라서 보유 지지 테이블(37)을 상승시켜서 링 프레임 f의 표면과 웨이퍼 W의 상면을 동일한 높이로 한다.
도 27에 도시한 바와 같이, 히터(63)에 의해 가열되고 있는 가압 부재(61)를 미리 정한 높이까지 하강시켜, 점착 테이프 PT의 전체면을 소정 시간에 걸쳐 가열하면서 가압한다. 이 높이는, 점착 테이프 PT의 두께, 웨이퍼 W 상의 범프의 높이 등에 따라, 그 범프를 포함하는 회로가 파손되지 않는 높이로 설정되어 있다.
또한, 챔버(7) 내에서 점착 테이프 DT의 부착 처리와 가압 처리를 행하고 있는 동안에, 절단 유닛(78)이 작동한다. 이때, 커터(85)가 링 프레임 f에 부착된 점착 테이프 DT를 링 프레임 f의 형상으로 절단함과 함께, 가압 롤러(87)가 커터(85)에 추종해서 링 프레임 f 상의 테이프 절단 부위를 구름 이동하면서 가압해 간다. 즉, 하강한 상측 하우징(33A)과 하측 하우징(33B)에 의해 챔버(7)를 구성했을 때, 절단 유닛(78)의 커터(85)와 가압 롤러(87)도 절단 작용 위치에 도달하고 있다.
가압 처리가 완료되면, 제어부(60)는 도 28에 도시한 바와 같이, 상측 하우징(33A)을 상승시켜서 상측 하우징(33A) 내를 대기 개방함과 함께, 전자 밸브(54)를 완전 개방으로 해서 하측 하우징(33B)측도 대기 개방한다.
또한, 챔버(7) 내에서 점착 테이프 PT를 웨이퍼 W에 부착하고 있는 동안에, 로봇 암(11A, 76)에 의해 테이프 부착 위치에 있는 하측 하우징(33C)과 프레임 보유 지지 테이블(77)에 웨이퍼 W와 링 프레임 f를 적재하여, 점착 테이프 DT의 부착 처리가 행해진다.
챔버(7) 내에서의 웨이퍼 W에의 점착 테이프의 부착 처리 및 가압 처리와, 부착 유닛(5)에 의한 하측 하우징(33C)에의 점착 테이프 PT의 부착 처리가 완료되면, 선회 아암(36)을 반전시킨다.
박리 유닛(9)을 박리 개시 위치로 이동시킨다. 도 29에 도시한 바와 같이, 링 프레임 f로부터 비어져 나와 있는 점착 테이프 DT의 양단부측을 고정받침편(66)과 가동편(68)에 의해 문다. 그 상태에서 비스듬히 상방으로 소정 거리 이동시킨 후에, 수평 이동시키면서 웨이퍼 형상으로 잘라내어진 점착 테이프 PT를 박리해 간다.
박리 유닛(9)이 테이프 회수부(10)에 도달하면, 점착 테이프 PT의 파지를 해제해서 회수 용기(69)에 점착 테이프 PT를 낙하시킨다.
또한, 하측 하우징(33B)측의 점착 테이프 DT의 박리 처리 및 박리 처리가 완료되고, 웨이퍼 W와 링 프레임 f가 일체적으로 제작된 마운트 프레임의 반출을 행하고 있는 동안에, 하측 하우징(33C)측의 웨이퍼에의 점착 테이프 PT의 부착 처리, 가압 처리 및 절단 처리가 행해지고 있다. 이상으로 웨이퍼 W에의 점착 테이프 T의 일순의 부착 동작이 종료되고, 이후, 동일한 처리가 반복해서 행해진다.
상기 실시예 장치에 의하면, 웨이퍼 W의 양면에 회로가 형성되어 있는 경우에도, 점착 테이프 DT를 부착한 후의 평탄화 처리 시에 가열하는 종래 방법에 비하여, 단시간에 또한 고정밀도로 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W에 부착할 수 있다.
또한, 상기 실시예 장치에 있어서, 절단 유닛(78)을 메인 실시예와 마찬가지로 부착 유닛(5)이 구비된 테이프 부착 위치측에 설치한 구성이어도 된다.
(2) 상기 각 실시예에 있어서, 챔버(7) 내의 2개의 공간에 차압을 발생시킬 때까지의 감압 시간과 예비 가열 시간을 동일하게 조정하는 것이 바람직하다. 단, 챔버(7) 내에서 차압을 발생시켜서 점착 테이프 PT를 웨이퍼 W에 부착하기 직전까지의 변형 시간을 예비 가열 시간에 포함시켜 조정해도 된다.
(3) 상기 양 실시예 장치에서는, 2대의 하측 하우징(33B, 33C)을 구비한 구성이었지만, 1대여도 된다. 이 경우, 하측 하우징은 상기 실시예와 마찬가지로 선회 아암(36)에 의해 선회 이동시켜도 되고, 직선 레일을 따라 슬라이드 이동시키도록 구성해도 된다.
(4) 상기 실시예에서는, 가압 부재(61)에만 히터(63)를 구비한 구성이어도 된다.
(5) 상기 실시예에서는, 카세트 C1, C2에 동일한 웨이퍼 W를 수납하고 있지만, 다른 회로가 형성된 웨이퍼 W를 각각의 카세트 C1, C2로 나누어서 수납해도 된다. 예를 들어, 회로 형성면의 요철이 작은 웨이퍼 W와 요철이 큰 웨이퍼 W를 나누어서 카세트에 수납한다. 점착 테이프 PT 및 점착 테이프 DT는, 양쪽 웨이퍼 W에 동일한 것을 이용한다.
이 경우, 챔버(7) 내에서 차압을 이용해서 웨이퍼 W에 기재가 단단한 점착 테이프(예를 들어 PET 기재)를 부착했을 때, 표면의 요철이 큰 웨이퍼 W에 부착한 점착 테이프 표면에 요철이 발생한다. 요철이 작은 웨이퍼에 부착한 점착 테이프 표면에는, 요철이 발생하지 않는다.
따라서, 점착 테이프 표면에 요철이 발생하는 웨이퍼 W에 대하여 챔버(7) 내에서 가압 처리를 하고, 점착 테이프 표면에 요철이 발생하지 않는 웨이퍼 W에 대해서는, 차압에 의한 테이프 부착 처리만이 가능하다. 바꾸어 말하면, 다른 종류의 웨이퍼 W에의 점착 테이프의 부착을, 1대의 장치로 행할 수 있다.
또한, 차압에 의한 점착 테이프 부착 처리 후에, 점착 테이프 표면의 평탄도를 센서로 측정하고, 요철의 유무에 따라 가압 처리를 행하도록 해도 된다.
이상과 같이, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 면에 형성된 회로의 상태에 상관없이 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 고정밀도로 또한 효율적으로 부착하는 데 적합하다.
4 : 테이프 공급부
5 : 부착 유닛
6 : 테이프 절단 기구
7 : 챔버
8 : 가압 유닛
9 : 박리 유닛
10 : 테이프 회수부
20 : 박리 부재
22 : 부착 롤러
23 : 절단 유닛
33A : 상측 하우징
33B, 33C : 하측 하우징
37 : 보유 지지 테이블
60 : 제어부
61 : 가압 부재
63 : 히터
77 : 프레임 보유 지지 테이블
PT : 표면 보호용 점착 테이프
W : 반도체 웨이퍼
f : 링 프레임
DT : 지지용 점착 테이프
5 : 부착 유닛
6 : 테이프 절단 기구
7 : 챔버
8 : 가압 유닛
9 : 박리 유닛
10 : 테이프 회수부
20 : 박리 부재
22 : 부착 롤러
23 : 절단 유닛
33A : 상측 하우징
33B, 33C : 하측 하우징
37 : 보유 지지 테이블
60 : 제어부
61 : 가압 부재
63 : 히터
77 : 프레임 보유 지지 테이블
PT : 표면 보호용 점착 테이프
W : 반도체 웨이퍼
f : 링 프레임
DT : 지지용 점착 테이프
Claims (8)
- 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 점착 테이프를 부착하는 점착 테이프 부착 방법이며,
챔버를 구성하는 한 쌍의 제1 하우징 및 제2 하우징의 한쪽 접합부에 그 챔버의 내경보다 큰 상기 점착 테이프를 부착하는 제1 부착 과정과,
상기 점착 테이프를 물어서 챔버를 형성한 후에, 가열기에 의해 점착 테이프를 미리 가열하는 예비 가열 과정과,
상기 점착 테이프의 점착면에 반도체 웨이퍼를 근접 대향시키고, 그 반도체 웨이퍼를 수납 보유 지지하는 제2 하우징의 공간을 제1 하우징의 공간보다 기압을 낮게 하면서 그 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 부착하는 제2 부착 과정과,
상기 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 부착한 점착 테이프의 표면을 가압 부재의 평탄면에 의해 가압해서 평탄화하는 가압 과정
을 구비한 것을 특징으로 하는 점착 테이프 부착 방법. - 제1항에 있어서,
상기 예비 가열 과정은, 가열기를 매설한 가압 부재의 가압면을 점착 테이프에 접촉시켜서 예비 가열하는 것을 특징으로 하는 점착 테이프 부착 방법. - 제2항에 있어서,
상기 가압 과정은, 가압 부재에 의해 점착 테이프를 가열하면서 가압하는 것을 특징으로 하는 점착 테이프 부착 방법. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 가압 과정은, 제2 하우징측에 구비되어 가열기에 의해 점착 테이프를 가열하면서 가압하는 것을 특징으로 하는 점착 테이프 부착 방법. - 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 표면 보호용 점착 테이프를 부착하는 점착 테이프 부착 장치이며,
상기 반도체 웨이퍼를 보유 지지하는 보유 지지 테이블과,
상기 보유 지지 테이블을 수납하는 한 쌍의 제1 하우징 및 제2 하우징을 포함하는 챔버와,
상기 챔버의 내경보다 큰 상기 점착 테이프를 공급하는 테이프 공급부와,
상기 하우징의 한쪽 접합부에 점착 테이프를 부착하는 테이프 부착 기구와,
상기 접합부에 부착된 점착 테이프를 미리 가열하는 가열기와,
상기 점착 테이프에 의해 구획된 챔버 내의 2개의 공간에 차압을 발생시켜서 반도체 웨이퍼에 부착된 점착 테이프를 그 챔버 내에 배치한 가압 부재에 의해 가압하는 가압 기구와,
상기 반도체 웨이퍼의 외형을 따라 점착 테이프를 절단하는 절단 기구와,
상기 반도체 웨이퍼의 형상으로 잘라낸 점착 테이프를 박리하는 박리 기구와,
박리 후의 상기 점착 테이프를 회수하는 테이프 회수부
를 구비한 것을 특징으로 하는 점착 테이프 부착 장치. - 제5항에 있어서,
상기 가압 기구의 가압 부재에 가열기를 구비한 것을 특징으로 하는 점착 테이프 부착 장치. - 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013271458A JP6276988B2 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 |
| JPJP-P-2013-271458 | 2013-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150077338A KR20150077338A (ko) | 2015-07-07 |
| KR102327469B1 true KR102327469B1 (ko) | 2021-11-16 |
Family
ID=53536671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140187001A KR102327469B1 (ko) | 2013-12-27 | 2014-12-23 | 점착 테이프 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6276988B2 (ko) |
| KR (1) | KR102327469B1 (ko) |
| CN (1) | CN104752280B (ko) |
| TW (1) | TWI639671B (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6494451B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及び洗浄装置 |
| JP6576786B2 (ja) * | 2015-10-19 | 2019-09-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの研削方法 |
| KR101896383B1 (ko) | 2016-10-04 | 2018-09-07 | 주식회사 대성엔지니어링 | 진공 라미네이터용 비젼 얼라인장치 |
| JP2020031183A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法 |
| JP7173792B2 (ja) * | 2018-08-28 | 2022-11-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの保護方法 |
| KR102143715B1 (ko) * | 2019-01-31 | 2020-08-11 | 한미반도체 주식회사 | 테이핑 시스템 및 테이핑 방법 |
| CN116387227B (zh) * | 2023-06-01 | 2023-08-11 | 苏州赛肯智能科技有限公司 | 四边定位抓取机构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020092595A1 (en) | 2000-03-06 | 2002-07-18 | Rich Fogal | Automated method of attaching flip chip devices to a substrate |
| JP2010045189A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの保護テープ貼付け方法およびその装置 |
| JP2011109008A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4417893B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2010-02-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 粘着性テープの貼着装置及び貼着方法 |
| JP4841355B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2011-12-21 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの保持方法 |
| JP2008166459A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tateyama Machine Kk | 保護テープ貼付方法と装置 |
| JP5511441B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-06-04 | リンテック株式会社 | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013271458A patent/JP6276988B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-23 KR KR1020140187001A patent/KR102327469B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-25 TW TW103145379A patent/TWI639671B/zh active
- 2014-12-26 CN CN201410834919.0A patent/CN104752280B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020092595A1 (en) | 2000-03-06 | 2002-07-18 | Rich Fogal | Automated method of attaching flip chip devices to a substrate |
| JP2010045189A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの保護テープ貼付け方法およびその装置 |
| JP2011109008A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104752280A (zh) | 2015-07-01 |
| KR20150077338A (ko) | 2015-07-07 |
| JP6276988B2 (ja) | 2018-02-07 |
| CN104752280B (zh) | 2019-03-08 |
| JP2015126183A (ja) | 2015-07-06 |
| TWI639671B (zh) | 2018-11-01 |
| TW201533205A (zh) | 2015-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102327469B1 (ko) | 점착 테이프 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치 | |
| JP5797623B2 (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
| JP5589045B2 (ja) | 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置 | |
| US20100038009A1 (en) | Method and apparatus for joining protective tape to semiconductor wafer | |
| TWI533366B (zh) | 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 | |
| KR102157458B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 마운트 방법 및 반도체 웨이퍼의 마운트 장치 | |
| KR20170021202A (ko) | 보호 테이프 부착 방법 | |
| TW201509680A (zh) | 剝離裝置及剝離方法 | |
| KR20170027289A (ko) | 보호 테이프 부착 방법 및 보호 테이프 부착 장치 | |
| JP6298381B2 (ja) | 基板貼合せ方法および基板貼合せ装置 | |
| TW202147506A (zh) | 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法 | |
| TWI750250B (zh) | 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置 | |
| CN113471085A (zh) | 器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法 | |
| WO2017065005A1 (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
| JP6653032B2 (ja) | 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置 | |
| JP2022132971A (ja) | ワークとシート材の一体化方法、ワークとシート材の一体化装置、および半導体製品の製造方法 | |
| CN113517206A (zh) | 器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法 | |
| WO2017065006A1 (ja) | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 | |
| JP2021197544A (ja) | 粘着シート貼付け方法、粘着シート貼付け装置、および半導体製品の製造方法 | |
| TW202147507A (zh) | 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法 | |
| JP2021197543A (ja) | 粘着シート貼付け方法、粘着シート貼付け装置、および半導体製品の製造方法 | |
| KR20210015672A (ko) | 시트재 첩부 방법 및 시트재 첩부 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |