TW202147506A - 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法 - Google Patents

黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202147506A
TW202147506A TW110113911A TW110113911A TW202147506A TW 202147506 A TW202147506 A TW 202147506A TW 110113911 A TW110113911 A TW 110113911A TW 110113911 A TW110113911 A TW 110113911A TW 202147506 A TW202147506 A TW 202147506A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive sheet
convex portion
space
annular convex
sheet
Prior art date
Application number
TW110113911A
Other languages
English (en)
Inventor
秋月伸也
山本雅之
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
日商日東精機股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2021015588A external-priority patent/JP2021197543A/ja
Application filed by 日商日東電工股份有限公司, 日商日東精機股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202147506A publication Critical patent/TW202147506A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Abstract

[課題]本發明係提供對形成有環狀凸部的半導體晶圓的環狀凸部形成面，既能夠更確實地避免在該半導體晶圓產生損傷又能夠精度佳地貼附黏著片之黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法。 [解決手段]本發明的黏著片貼附方法係具備：第1貼附過程，係將在一面的外周具有環狀凸部Ka的晶圓W、及黏著膠帶DT收容於腔室29，在將腔室29的內部空間減壓的狀態下使黏著膠帶DT接觸晶圓W的環狀凸部形成面，藉此而以黏著膠帶DT覆蓋該環狀凸部形成面；及第2貼附過程，係在該第1貼附過程後，提高腔室29的內部空間的壓力，藉此將黏著膠帶DT貼附於晶圓W的環狀凸部形成面。

Description

黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法
本發明係有關供對以半導體晶圓(以下，以「晶圓」適當稱呼)或基板作為例子的工件(work)，貼附以膠帶(tape)狀的黏著材作為例子的黏著片之用的黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法。
在晶圓的表面形成電路圖案後，藉由背部研磨(back grind)製程研磨晶圓的背面，接著再藉由切割(dicing)製程將該晶圓分割成多個晶片零件。在背面研磨的製程中，有保留晶圓的背面外周僅研磨中央部分，而以將背部研磨區域圍起來的方式在晶圓的背面外周形成環狀凸部的情形。
此時，即便將晶圓的中央部薄型化了，仍藉由環狀凸部而補強，因此能夠在作業時避免變形等的發生。在背部研磨製程之後，令具有環狀凸部的晶圓載置於環形框架(ring frame)的中央，將支撐用的黏著膠帶(切割膠帶(dicing tape))遍及環形框架及晶圓的背面貼附。藉由切割膠帶的貼附，製作安裝框架(mount frame)，提供至切割製程。
就對因環狀凸部而形成有段差的晶圓貼附以切割膠帶作為例子的黏著片之方法的一例而言，有提出如下述的方法。亦即，將黏著片夾在由上下一對殼體(housing)組成的腔室(chamber)的接合部分。接著，將腔室內減壓，使壓差在藉由該黏著片而隔出的兩個空間產生，並且進行使該黏著膠帶凹入彎曲而將黏著片貼附於晶圓背面的處理。接著，在令腔室的壓差消除後，從第1推壓構件供給氣體至在環狀凸部的內側角落部沒有完全接著而浮起的黏著片，藉此進行第2次貼附處理(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本國特開2013-232582號公報
[發明欲解決之課題]
然而，上述的習知技術裝置係存在如下的問題。亦即，在習知技術的黏著片貼附方法中係發生：從貼附黏著片起，隨著時間經過，黏著片從環狀凸部的內側角落部逐漸往晶圓中心剝離的問題。此外，在習知技術的黏著片貼附方法中亦發生：在將黏著片貼附於晶圓時，在晶圓發生破裂和缺損等損傷的問題。
本發明乃係鑒於如上述的情事而研創，主要目的在於提供一種對形成有環狀凸部的半導體晶圓的環狀凸部形成面，既可更確實地避免在該半導體晶圓產生損傷又能夠精度佳地貼附黏著片的黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述問題，本案發明人等研究的結果，得到如下的見解。亦即，在使用第1推壓構件進行第2次貼附處理的習知技術的構成中，作用於黏著片的力小。因此，晶圓與黏著片的密接性難以充分地提升，所以咸信黏著片因此而隨著時間的經過逐漸從晶圓剝離。
此外，在第2次貼附處理中，相較於晶圓的中央部，對晶圓的環狀凸部的內側角落部作用比較大的推壓力。咸信起因於如上述的推壓力的不均，造成在比較大的推壓力作用的晶圓的環狀凸部的內側角落部以尤其高的頻度發生破裂或缺損。
此外，第1推壓構件係具備氣體供給孔，乃係以金屬或樹脂等而構成的柱狀構件。此外，在習知技術構成中，係使該第1推壓構件的底面靠近晶圓來供給氣體。因為使第1推壓構件靠近，有可能發生第1推壓構件接觸受薄型化處理而形成為凹狀的晶圓的中央部，而造成晶圓的薄的凹部損傷的情況。當第1推壓構件的底面的平坦性低時，咸信即使是在第1推壓構件接近晶圓的環狀凸部的內側角落部的狀態，第1推壓構件也會接觸晶圓的其他部分(例如中心部)，結果在晶圓產生損傷。
為了達成如上述的目的，本發明係採用如下述的構成。 亦即，本發明的黏著片貼附方法係含有下述過程：第1貼附過程，係將在一面的外周具有環狀凸部的工件、及黏著片收容於腔室，在將前述腔的內部空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面，藉此以前述黏著片覆蓋前述環狀凸部形成面；及第2貼附過程，係在前述第1貼附過程後，提高前述腔室的內部空間的壓力，藉此將前述黏著片貼附於前述環狀凸部形成面。
(作用．效果)依據上述構成，在第1貼附過程中，在將腔室的內部空間減壓的狀態下使黏著片接觸工件的環狀凸部形成面，藉此以黏著片覆蓋環狀凸部形成面。亦即，搭載至工件的器材(device)的周邊空間係藉由減壓而受到抽氣，因此，能夠在黏著片覆蓋工件的環狀凸部形成面時，防止氣體被牽引進黏著片與工件之間。因此，能夠避免因氣體被牽引進而導致的密接力的降低。
此外，在第2貼附過程中，藉由提高腔室的內部空間的壓力，而將黏著片貼附於工件的環狀凸部形成面。此時，藉由內部空間的加壓，能夠使推壓力遍及黏著片全體均一地作用。因此，能夠確實地避免因作用於黏著片的力的不均造成在工件的環狀凸部形成面發生破裂或缺損等損傷。
此外，在第2貼附過程中係能夠藉由對腔室的內部空間適宜加壓而任意調節第2貼附過程的內部空間的氣壓。因此，能夠對黏著片施加足夠大的推壓力，因此能夠使黏著片精度佳地密接至環狀凸部形成面。因此，在第2貼附過程完成後即使經過一段時間，仍能夠更確實地防止黏著片從工件剝離。
此外，較佳為，在上述的發明中，在前述第1貼附過程中，係使前述黏著片朝前述工件的環狀凸部形成面變形成凸狀，藉此，使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
(作用．效果)依據上述構成，係使黏著片朝工件的環狀凸部形成面變形成凸狀，因此，黏著片係能夠以從一點擴大成放射狀的方式接觸工件的環狀凸部形成面。因此，能夠在使黏著片接觸環狀凸部形成面時避免氣泡被牽引進。
此外，較佳為，在上述的發明中，在前述第2貼附過程中，係將前述腔室的內部空間的壓力提高為大氣壓以上的壓力。
(作用．效果)依據上述構成，能夠使比較大的推壓力作用在黏著片與工件的環狀凸部形成面之間，因此，能夠進一步提升環狀凸部形成面與黏著片之間的密接性。因此，能夠更確實地防止經過一段時間後黏著片從工件剝離的情況發生。
此外，較佳為，在上述的發明中，前述腔室係具備上殼體及下殼體； 前述第1貼附過程係含有下述過程：上下空間形成過程，係藉由前述上殼體與前述下殼體將前述黏著片夾住，藉此將前述腔室的內部空間區隔成供配置前述環狀凸部形成面朝上之狀態的前述工件之下空間、及隔著前述黏著片而與前述下空間相對向之上空間；上下空間減壓過程，係將前述上空間及前述下空間減壓；及接觸過程，係在前述上下空間減壓過程後，將前述上空間的壓力形成為比前述下空間的壓力高而藉由前述上空間與前述下空間之間產生的壓差使前述黏著片狀朝前述環狀凸部形成面變形成凸狀，而使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
(作用．效果)依據上述構成，在第1貼附過程中將上空間與下空間減壓，接著利用藉由將上空間的壓力形成為比下空間的壓力高而產生的壓差使黏著片接觸工件的環狀凸部形成面。亦即，黏著片係在下空間藉由減壓而受到抽氣的狀態下接觸環狀凸部形成面，因此能夠在使黏著片接觸工件時更確實地避免氣泡被牽引進黏著片與環狀凸部形成面之間。此外，壓差係遍及黏著片全體均一地作用，因此能夠避免因作用的力的不均導致工件的損傷產生的情況發生。
此外，較佳為，在上述的發明中，前述腔室係具備上殼體及下殼體；前述第1貼附過程係含有下述過程：上下空間形成過程，係藉由前述上殼體與前述下殼體將前述黏著片夾住，藉此，將前述腔室的內部空間區隔成供配置前述環狀凸部形成面朝上之狀態的前述工件之下空間、及隔著前述黏著片而與前述下空間相對向之上空間；及減壓接觸過程，係藉由僅對前述上空間與前述下空間當中的前述下空間進行減壓而在前述上空間與前述下空間之間所產生的壓差，使前述黏著片朝前述環狀凸部形成面變形成凸狀，而在前述下空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
(作用．效果)依據上述構成，在第1貼附過程中僅將下空間減壓，利用所產生的壓差使黏著片接觸工件的環狀凸部形成面。亦即，黏著片係在下空間藉由減壓而受到抽氣的狀態下接觸環狀凸部形成面，因此，能夠在使黏著片接觸工件時更確實地避免氣泡被牽引進黏著片與環狀凸部形成面之間。此外，壓差係遍及黏著片全體均一地作用，因此能夠避免因作用的力的不均導致工件的損傷產生的情況發生。此外，因為只要僅將下空間減壓即可，故不需要使上空間減壓的構成。因此，能夠避免裝置的複雜化及高成本化。
此外，較佳為，在上述的發明中，前述黏著片係具有與前述工件的環狀凸部形成面相應的預定形狀，保持在前述長形的搬送用片；前述上下空間形成過程係藉由以前述上殼體與前述下殼體夾住前述搬送用片，將前述腔室的內部空間區隔成供配置前述環狀凸部形成面朝上之狀態的前述工件之下空間、及隔著保持在前述搬送用片的前述黏著片而與前述下空間相對向之上空間。
(作用．效果)依據上述構成，黏著片係預先具有與工件的環狀凸部形成面相應的預定形狀。因此，能夠相應於工件的環狀凸部形成面的位置及形狀將黏著片適切地貼附至環狀凸部形成面。此外，不需要將黏著片切斷成適切的預定形狀等製程，因此能夠縮短貼附黏著片的製程。
此外，較佳為，在上述的發明中，具備配置在前述上殼體內部的片狀彈性體；前述片狀彈性體係以在前述上下空間形成過程中藉由形成前述腔室而使前述片狀彈性體抵接於前述黏著片的方式配設。
(作用．效果)依據上述構成，藉由壓差，片狀彈性體係遍及全體以更加均一的彎曲率變形成凸狀。因此，黏著片係變得容易相應於工件的環狀凸部形成面的形狀而變形，因此能夠提升環狀凸部形成面與黏著片的密接性。因此，能夠將黏著片精度更佳地貼附於環狀凸部形成面。
此外，較佳為，在上述的發明中，含有藉由對前述下空間及前述上空間中的至少一者進行加溫而加溫前述黏著片的加溫過程；前述第1貼附過程係使藉由前述加溫過程而經加溫之狀態的前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
(作用．效果)依據上述構成，藉由加溫過程對黏著片進行加溫，藉此，黏著片係變得更柔軟。亦即，黏著片係變得容易相應於工件的環狀凸部形成面的形狀而變形，因此能夠提升環狀凸部形成面與黏著片的密接性。
為了達成如上述的目的，本發明係亦可採用如下述的構成。 亦即，本發明的黏著片貼附裝置係具備：第1貼附機構，係將在一面的外周具有環狀凸部的工件、及黏著片收容於腔室，在將前述腔室的內部空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面，藉此以前述黏著片覆蓋前述環狀凸部形成面；及 第2貼附機構，係在前述第1貼附過程後，提高前述腔室的內部空間的壓力，藉此將前述黏著片貼附於前述環狀凸部形成面。
(作用．效果)依據上述構成，第1貼附機構係在將腔室的內部空間減壓的狀態下使黏著片接觸工件的環狀凸部形成面，藉此而以黏著片覆蓋環狀凸部形成面。亦即，搭載至工件的裝置(device)的周邊空間係藉由減壓而受到抽氣，因此，能夠在黏著片覆蓋工件的環狀凸部形成面時，防止氣體被牽引進黏著片與工件之間。因此，能夠避免因氣體被牽引進而導致的密接力的降低。
此外，第2貼附機構係提高腔室的內部空間的壓力，藉此將黏著片貼附於工件的環狀凸部形成面。此時，藉由內部空間的加壓，能夠使推壓力遍及黏著片全體均一地作用。因此，能夠確實地避免因作用於黏著片的力的不均造成在工件環狀凸部形成面發生破裂或缺損等損傷。
此外，第2貼附機構係藉由對腔室的內部空間適宜加壓而任意調節第2貼附過程中的內部空間的氣壓。因此，能夠對黏著片施加足夠大的推壓力，因此能夠使黏著片精度佳地密接至環狀凸部形成面。因此，在第2貼附過程完成後即使經過一段時間，仍能夠更確實地防止黏著片從工件剝離。
為了達成如上述的目的，本發明係亦可採用如下述的構成。 亦即，本發明的半導體製品的製造方法係製造形成為在一面的外周具有環狀凸部的工件的環狀凸部形成面貼附有黏著片之狀態的半導體製品， 前述半導體製品的製造方法的特徵為含有下述過程： 第1貼附過程，係將前述工件及前述黏著片收容於腔室，在將前述腔室的內部空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面，藉此而以前述黏著片覆蓋前述環狀凸部形成面；及 第2貼附過程，係在前述第1貼附過程後，提高前述腔室的內部空間的壓力，藉此將前述黏著片貼附於前述環狀凸部形成面。
(作用．效果)依據上述構成，能夠較佳地製造形成為在一面的外周具有環狀凸部的工件的環狀凸部形成面貼附有黏著片之狀態的半導體製品。亦即，在第1貼附過程中，在將腔室的內部空間減壓的狀態下使黏著片接觸工件的環狀凸部形成面，藉此而以黏著片覆蓋環狀凸部形成面。在第1貼附過程中，搭載至工件的器材的周邊空間係藉由減壓而受到抽氣，因此，能夠在黏著片覆蓋工件的環狀凸部形成面時，防止氣體被牽引進黏著片與工件之間。因此，能夠避免因氣體被牽引進而導致的密接力的降低。
此外，在第2貼附過程中，提高腔室的內部空間的壓力，藉此而將黏著片貼附於工件的環狀凸部形成面。此時，藉由內部空間的加壓，能夠使推壓力遍及黏著片全體均一地作用。因此，能夠確實地避免因作用於黏著片的力的不均造成在工件環狀凸部形成面發生破裂或缺損等損傷。 [發明之效果]
依據本發明的黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法，在第1貼附過程中，在將腔室的內部空間減壓的狀態下使黏著片接觸工件的環狀凸部形成面，藉此而以黏著片覆蓋環狀凸部形成面。亦即，搭載至工件的器材的周邊空間係藉由減壓而受到抽氣，因此，能夠在黏著片覆蓋工件的環狀凸部形成面時，防止氣體被牽引進黏著片與工件之間。因此，能夠避免因氣體被牽引進而導致的密接力的降低。
此外，在第2貼附過程中，藉由提高腔室的內部空間的壓力，而將黏著片貼附於工件的環狀凸部形成面。此時，藉由內部空間的加壓，能夠使推壓力遍及黏著片全體均一地作用。因此，能夠確實地避免因作用於黏著片的力的不均造成在工件環狀凸部形成面發生破裂或缺損等損傷。
此外，在第2貼附過程中係能夠藉由對腔室的內部空間適宜加壓而任意調節第2貼附過程的內部空間的氣壓。因此，能夠對黏著片施加足夠大的推壓力，因此能夠使黏著片精度佳地密接至環狀凸部形成面。因此，在第2貼附過程完成後即使經過一段時間，仍能夠更確實地防止黏著片從工件剝離。
[用以實施發明的形態] [實施例1]
以下，參照圖式，說明本發明的實施例1。在實施例1的黏著片貼附裝置1中，就黏著片而言係使用支撐用的黏著膠帶DT(切割膠帶)，就貼附黏著片的對象即工件而言係使用半導體晶圓W(以下，稱為「晶圓W」)及環形框架f。亦即，在實施例1的黏著片貼附裝置1中，係藉由將黏著膠帶DT遍及晶圓W及環形框架f貼附，製作安裝框架MF。
如圖1(a)至圖1(c)所示，晶圓W乃係在形成有電路圖案的表面貼附了電路保護用的保護膠帶PT的狀態下經背部研磨處理。晶圓W的背面係將外周部沿徑向保留約3mm進行了研磨(背部研磨)。亦即，使用的是加工成在背面形成有扁平凹部He並且沿著其外周留存有環狀凸部Ka之形狀的晶圓。就一例而言，係以在扁平凹部He研磨的深度d為數百μm、扁平凹部He的晶圓厚度J形成為30μm至50μm的方式加工。因此，形成在背面外周的環狀凸部Ka係作為提高晶圓W剛性的環狀肋(rib)而發揮功能，抑制在搬運(handling)和其他處理製程時的晶圓W的撓曲變形。另外，針對環狀凸部Ka的內側角落部，使用符號Kf標示。內側角落部Kf係相當於環狀凸部Ka與扁平凹部He的交界。晶圓W的背面係相當於本發明的工件的環狀凸部形成面。
本實施例所用的黏著膠帶DT係如圖2所示，具備有由非黏著性的基材Ta與具黏著性的黏著材Tb積層而成的長形的構造。在黏著材Tb係添設有分離膜(separator)S。亦即，在黏著膠帶DT的黏著面添設有分離膜S，藉由將分離膜S從黏著膠帶DT剝離，使黏著膠帶DT的黏著面露出。
就構成基材Ta的材料的例子而言，可舉出：聚烯烴(polyolefin)、聚乙烯(polyethylene)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer)、聚酯(polyester)、聚醯亞胺(polyimide)、聚氨酯(polyurethane )、氯乙烯(vinyl chloride)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate)、聚對萘二甲酸乙二酯(polyethylene terenaphthalate)、聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride)、聚乙烯-甲基丙烯酸共聚物(polyethylene-methacrylic acid copolymer)、聚丙烯(polypropylene)、對苯二甲酸甲基丙烯酸酯(methacrylic acid terephthalate)、聚醯胺醯亞胺(polyamide-imide)、聚胺基甲酸酯彈性物等。另外，就基材Ta而言亦可使用組合複數種上述材料而成的材料。此外，基材Ta係可為單層，亦可為積層複數層而成的構成。
黏著材Tb係較佳為以能夠擔保能夠將黏著膠帶DT黏著於晶圓W及環形框架f之狀態予以保持之功能、及在之後的切割製程中防止晶片零件的飛散之功能的材料構成。就構成黏著材Tb的材料的例子而言，可舉出丙烯酸酯共聚物(acrylic acid ester copolymer)等。就分離膜S的例子而言，可舉出長形的紙材和塑膠(plastic)等。另外，亦可使用接著材或黏接著材，來取代黏著材Tb。
＜全體構成的說明＞ 此處，針對實施例1的黏著片貼附裝置1的全體構成進行說明。圖3係顯示實施例1的黏著片貼附裝置1的基本構成之俯視圖。黏著片貼附裝置1係構成為具備橫長的矩形部1a、及突出部1b。突出部1b係構成為在矩形部1a的中央部相連接而往上側突出。另外，在之後的說明中，將矩形部1a的長邊方向稱為左右方向(x方向)，將與該方向正交的水平方向(y方向)稱為前後方向。
在矩形部1a的右側係配置有晶圓搬送機構3。在矩形部1a的下側靠右的位置係並列載置有收容有晶圓W的兩個容器5。在容器5的內部係以多段的方式將表面貼附有保護膠帶PT的晶圓W以表面側朝下的狀態收納。在矩形部1a的左端係配置有將完成晶圓W之安裝的圖8所示的安裝框架MF予以回收的框架回收部6。
從矩形部1a的上側的右邊，依序配備有對準機(aligner)7、保持台(table)9、及框架供給部12。在突出部1b係配置有將支撐用的黏著膠帶DT(切割膠帶)遍及晶圓W的背面及環形框架f貼附的貼附單元13。
晶圓搬送機構3係如圖4所示，具備有晶圓搬送裝置16，該晶圓搬送裝置16以能夠左右往復移動的方式支撐於導引軌道15之右側，該導引軌道15左右水平地架設在矩形部2a上部。此外，在導引軌道15之左側係具備以能夠左右移動的方式支撐於導引軌道15的框架搬送裝置17。
晶圓搬送裝置16係以能夠將從容器5的其中任一方取出的晶圓W往左右及前後搬送的方式構成。晶圓搬送裝置16係裝備有左右移動可動台18與前後移動可動台19。
左右移動可動台18係以能夠沿導引軌道15左右方向往復移動的方式構成。前後移動可動台19係以能夠沿左右移動可動台18所具有的導引軌道20前後方向往復移動的方式構成。
此外，在前後移動可動台19的下部係裝備有保持晶圓W的保持單元21。保持單元21係以能夠沿縱向延伸的升降軌道22上下方向(z方向)往復移動的方式構成。此外，保持單元21係藉由未圖示的旋轉軸，成為能夠以z方向為軸進行繞轉。
在保持單元21的下部係裝備有馬蹄形的保持臂23。在保持臂23的保持面係設有些微突出的複數個吸附墊，透過該吸附墊吸附保持晶圓W。此外，保持臂23係透過形成在其內部的流路及連接在該流路的基端側的連接流路而連通連接至空壓裝置。
藉由利用上述的可動構造，構成為能夠藉由保持臂23使吸附保持的晶圓W進行前後移動、左右移動、及以z方向為軸的繞轉移動。
框架搬送裝置17係具備：左右移動可動台24、前後移動可動台25、連接在左右移動可動台24下部的屈伸連桿機構26、及裝備在屈伸連桿機構26下端的吸附板27等。吸附板27係吸附保持晶圓W。在吸附板27的周圍係配備有吸附保持環形框架f的複數個吸附墊28。因此，框架搬送裝置17係能夠將載置保持在保持台9的環形框架f或安裝框架MF吸附保持以進行升降及前後左右搬送。吸附墊28係構成為能夠對應於環形框架f的尺寸在水平方向進行滑動調節。
保持台9係如圖5及圖6等所示，乃係具有與晶圓W相同形狀以上之大小的金屬製的吸盤台(chuck table)，係與配備在外部的真空裝置31及加壓裝置32各者連通連接。真空裝置31及加壓裝置32的動作係藉由控制部33控制。
在實施例1中，保持台9係在外周部具備環狀的突起部9a，整體形成為中空。突起部9a係構成在於俯視下與晶圓W的環狀凸部Ka的配置大致一致的位置，藉由突起部9a支撐晶圓W的環狀凸部Ka，從而保持台9能夠在不接觸薄的扁平凹部He下保持晶圓W。
此外，如圖5所示，保持台9係收納在構成腔室29的下殼體29A，與貫通下殼體29A的桿35的一端連結。桿35的另一端係與具備馬達等的致動器(actuator)37驅動連結。因此，保持台9係成為能夠在腔室29的內部升降移動。
下殼體29A係具備包圍該下殼體29A的框架保持部38。框架保持部38係以當載置有環形框架f時，環形框架f的上表面與下殼體29A的圓筒頂部成為齊平的方式構成。此外，下殼體29A的圓筒頂部係較佳為施作有離型處理。
另外，如圖3所示，保持台9係構成為能夠與下殼體29A一起沿著沿前後方向附設的軌道40在初始位置與貼附位置之間往復移動。初始位置係位在矩形部1a內部，乃係圖3中保持台9以實線標示的位置。在該初始位置，晶圓W及環形框架f係載置於保持台9。
貼附位置係位在突出部1b內部，乃係圖3中保持台9以虛線標示的位置。藉由保持台9移動到貼附位置，便能夠執行對載置於保持台9的晶圓W貼附黏著膠帶DT的貼附製程。
框架供給部12係收納抽出式的匣盒，該匣盒係積層收納有預定片數的環形框架f。
貼附單元13係如圖5所示，由片供給部71、分離膜回收部72、片貼附部73及片回收部74等構成。片供給部71係具備裝填有原材輥的供給筒管(bobbin)，該原材輥係捲繞有支撐用的黏著膠帶DT而成。此外，係構成為在從片供給部71的供給筒管供給黏著膠帶DT至貼附位置的過程中藉由剝離輥75將分離膜S剝離。另外，設在片供給部71的供給筒管係與電磁制動器(brake)連動連結而被施加有適度的旋轉阻力。因此，防止從供給筒管放出過多的膠帶。
分離膜回收部72係具備捲收從黏著膠帶DT剝離下來的分離膜S之回收筒管。該回收筒管係構成為藉由馬達進行正反轉的旋轉驅動控制。
片貼附部73係由腔室29、片貼附機構81及片切斷機構82等構成。
腔室29係藉由下殼體29A與上殼體29B構成。下殼體29A係以圍繞保持台9的方式配設，係與保持台9一起在初始位置與貼附位置之間於前後方向往復移動。上殼體29B係配備在突出部1b，構成為能夠升降。
在下殼體29A及上殼體29B係如圖6所示，透過流路101而與真空裝置31及加壓裝置32各者連通連接。另外，在上殼體29B側的流路101具備有電磁閥103。此外，在兩殼體29A、29B係分別連通連接有具備向大氣開放用的電磁閥105、107之流路109。
此外，在上殼體29B係連通連接有流路111，該流路111係具備藉由漏洩來調整一度減壓過之內壓的電磁閥110。另外，該些電磁閥103、105、107、110的開閉操作、真空裝置31的作動、加壓裝置32的作動係藉由控制部33進行。
亦即，真空裝置31係以能夠將下殼體29A側的空間的氣壓與上殼體29B側的空間的氣壓獨立進行減壓調節的方式構成。此外，加壓裝置32係以能夠將下殼體29A側的空間的氣壓與上殼體29B側的空間的氣壓獨立進行加壓調節的方式構成。
片貼附機構81係具備有可動台84、貼附輥85、及夾送輥(nip roller)86等。可動台84係沿著沿左右方向架設的導引軌道88左右水平移動。貼附輥85係以軸支撐於與可動台84所具有的缸體(cylinder)前端的連結的支架(bracket)。夾送輥86係配置在片回收部74側，具備有藉由馬達進行驅動的饋送輥89及藉由缸體進行升降的壓輥(pinch roller)90。
片切斷機構82係配備在令上殼體29B升降的升降驅動台91，係具備有沿z方向延伸的支軸92、及繞支軸92旋轉的軸筒(boss)部93。軸筒部93係具備沿徑向延伸的複數個支撐臂94。在至少一個支撐臂94的前端，以能夠上下移動的方式配備有沿環形框架f切斷黏著膠帶DT的圓板形切刀(cutter)95。在其他支撐臂94的前端，以能夠上下移動的方式配備有推壓輥96。
片回收部74係具備捲收切斷後剝離下來的不要的黏著膠帶DT之回收筒管。該回收筒管係構成為藉由未圖示的馬達進行正反轉的旋轉驅動控制。
框架回收部6係如圖4所示，配備有積載安裝框架MF進行回收的匣盒41。該匣盒41係具備：連結固定在裝置框架43的縱向軌道45、及藉由馬達47沿該縱向軌道45以螺桿進給方式升降的升降台49。因此，框架回收部6係構成為將安裝框架MF載置於升降台49並以節距進給的方式下降。
＜動作的概要＞ 此處，說明實施例1的黏著片貼附裝置1的基本動作。圖7係說明使用黏著片貼附裝置1將黏著膠帶DT貼附於晶圓W的一連串製程之流程圖。
步驟S1(工件的供給) 當貼附指令送出，環形框架f便從框架供給部12搬送至下殼體29A的框架保持部38，並且晶圓W從容器5搬送至保持台9。
亦即，框架搬送裝置17係從框架供給部12吸附環形框架f，將之移載至框架保持部38。當框架搬送裝置17解除環形框架f的吸附而上升時，便進行環形框架f的對位。關於該對位，就一例而言，係藉由令以圍繞框架保持部38的方式豎設的複數根支撐銷同步往中央方向移動來進行。環形框架f係以設置在框架保持部38的狀態進行待機直到晶圓W搬送過來。
框架搬送裝置17搬送環形框架f，另一方面，晶圓搬送裝置16係將保持臂23插入至在容器5的內部以多段的方式收納的晶圓W彼此之間。保持臂23係吸附保持晶圓W將之搬出，搬送至對準機7。對準機7係藉由從其中央突出的吸附墊吸附晶圓W的中央。同時，晶圓搬送裝置16係解除晶圓W的吸附，退避至上方。對準機7係一邊以吸附墊保持晶圓W令之旋轉，一邊根據凹口(notch)等進行對位。
當對位完成，令吸附晶圓W的吸附墊從對準機7的面突出。晶圓搬送裝置16移動至該位置，吸附保持晶圓W。吸附墊係解除吸附後下降。
晶圓搬送裝置16係移動至保持台9的上方，在貼附有保護膠帶PT的表面側朝下的狀態下令晶圓W載置於保持台9。當保持台9將晶圓W吸附保持且框架保持部38吸附保持環形框架f時，下殼體29A便沿軌道40從初始位置移動至片貼附機構81側的貼附位置。晶圓W供給至保持台9且移動到貼附位置的狀態係顯示於圖9。
步驟S2(黏著片的供給) 當進行了藉由晶圓搬送裝置16等進行的工件的供給，便在貼附單元13進行黏著膠帶DT的供給。亦即，從片供給部71將預定量的黏著膠帶DT一邊剝離分離膜S一邊送出。整體為長形的黏著膠帶DT係沿預定的搬送路徑被導引至貼附位置的上方。
步驟S3(腔室的形成) 當供給了工件及黏著膠帶DT，如圖10所示，貼附輥85便下降。接著，一邊在黏著膠帶DT上滾動一邊將黏著膠帶DT遍及環形框架f及下殼體29A的頂部貼附。連動於該貼附輥85的移動，從片供給部71將預定量的黏著膠帶DT一邊剝離分離膜S一邊送出。
當在環形框架f貼附了黏著膠帶DT，便令貼附輥85返回到初始位置，並且令上殼體29B下降。伴隨著上殼體29B的下降，如圖11所示，貼附在下殼體29A的頂部之部分的黏著膠帶DT係被上殼體29B與下殼體29A夾持，構成腔室29。
此時，黏著膠帶DT作為密封材而發揮功能，並且腔室29係藉由黏著膠帶DT而分割成兩個空間。亦即，隔著黏著膠帶DT而分割成下殼體29A側的下空間H1與上殼體29B側的上空間H2。位在下殼體29A內的晶圓W係與黏著膠帶DT擁有預定的間隙(clearance)而近接相對向。
步驟S4(第1貼附過程) 在使腔室29形成後，開始進行第1貼附過程。首先，控制部33係在將圖6中所示的電磁閥105、107、110關閉的狀態下，令真空裝置31作動而將下空間H1內的氣壓與上空間H2內的氣壓減壓到預定值。就預定值的例子而言，可舉出10Pa至100Pa。此時，係以使下空間H1及上空間H2以相同速度減壓下去的方式調整電磁閥103的開度。
當下空間H1及上空間H2的氣壓減壓到預定值，控制部33便關閉電磁閥103，並且停止真空裝置31的作動。接著，控制部33係以使上空間H2的氣壓變得比下空間H1的氣壓高的方式調整電磁閥103、105、107、110各者的開度使之產生漏洩。藉由上空間H2的氣壓變得比下空間H1的氣壓高，如圖12所示，使兩空間之間產生壓差Fa。藉由壓差Fa產生，黏著膠帶DT係自中心部分起被往下殼體29A側下拉而變形成凸狀。
在本實施例中，係以在將連接至下空間H1的電磁閥103、107維持關閉下調整連接至上空間H2的電磁閥110的開度使之產生漏洩，最後成為全開的方式進行控制。藉由該調整，一方面下空間H1的氣壓係維持在減壓成預定值的狀態，一方面上空間H2的氣壓係從該預定的值慢慢地上升而回到大氣壓為止，因此產生壓差Fa。
在使壓差Fa產生後，如圖13所示，令致動器37驅動而使保持台9上升。藉由因壓差Fa造成的黏著膠帶DT的變形與保持台9的上升，在受到抽氣的下空間H1的內部，黏著膠帶DT係從中心部往外周部以放射狀地逐漸接觸晶圓W的背面。藉由該接觸，晶圓W的背面係被黏著膠帶DT覆蓋。
當晶圓W的背面被黏著膠帶DT覆蓋，控制部33便將電磁閥103、105、107、110設為全開使上空間H2及下空間H1向大氣開放。藉由該向大氣開放，第1貼附過程係完成。如上述，在第1貼附過程係進行：在將腔室29的內部空間減壓的狀態下使黏著膠帶DT接觸晶圓W的背面，藉此而以黏著膠帶DT覆蓋晶圓W的背面側的操作。
步驟S5(第2貼附過程) 在藉由黏著膠帶DT以覆蓋晶圓W的背面的方式貼附後，開始進行第2貼附過程。首先，控制部33係控制致動器37令保持台9朝初始位置下降。接著，控制部33係在將圖6中所示的電磁閥105、107、110關閉的狀態下，令加壓裝置32作動將氣體供給至下空間H1及上空間H2，將下空間H1及上空間H2加壓到特定值。就特定值的例子而言，可舉出0.3MPa至0.5MPa。藉由加壓裝置32進行加壓操作，下空間H1的氣壓及上空間H2的氣壓皆變得比大氣壓高。
藉由上空間H2的加壓，如圖14所示，從上空間H2朝黏著膠帶DT作用推壓力V1。另外，因上空間H2全體受到加壓，推壓力V1係遍及黏著膠帶DT全體均一地作用。此外，藉由下空間H1全體受到加壓，從下空間H1對晶圓W的朝下的面均一地作用推壓力V2。亦即，藉由推壓力V1及推壓力V2的作用，使黏著膠帶DT精度佳地逐漸貼附於晶圓W的背面。結果，晶圓W與黏著膠帶DT的密接性提升，因此能夠避免因時間的經過造成黏著膠帶DT從晶圓W的背面剝離的情況發生。
在將下空間H1及上空間H2加壓到比大氣壓高的氣壓的狀態下，使推壓力作用於黏著膠帶DT與晶圓W之間預定時間後，控制部33係令加壓裝置32停止。接著，控制部33係將電磁閥103、105、107、110設為全開以使下空間H1及上空間H2向大氣開放。控制部33係令上殼體29B上升以將腔室29開放，並且令保持台9上升使晶圓W的表面抵接於保持台9的晶圓保持面。
步驟S6(片的切斷) 另外，於在腔室29內進行步驟S4及步驟S5的製程的期間，令片切斷機構82作動而進行黏著膠帶DT的切斷。此時，如圖15所示，切刀95將貼附在環形框架f的黏著膠帶DT切斷成環形框架f的形狀，並且，推壓輥96追隨切刀95在環形框架f上的片切斷部位一邊滾動一邊推壓過去。
在使上殼體29B上升後的時點，步驟S4的第1貼附過程及步驟S5的第2貼附過程係已經完成，因此，令壓輥90上升，解除黏著膠帶DT的夾送。然後，如圖16所示，令夾送輥86移動，將切斷後的不要的黏著膠帶DT持續往片回收部74捲收過去進行回收，並且從片供給部71送出預定量的黏著膠帶DT。藉由到步驟S6為止的各製程，形成由環形框架f及晶圓W透過黏著膠帶DT一體化而成的安裝框架MF。
當不要的黏著膠帶DT被捲收並回收，夾送輥86及貼附輥85便返回到初始位置。接著，保持台9係在保持著安裝框架MF的狀態下從貼附位置移動至初始位置。
步驟S7(安裝框架的回收) 當保持台9返回到初始位置，如圖17所示，設置在框架搬送裝置17的吸附墊28便吸附保持安裝框架MF，令安裝框架MF從下殼體29A脫離。吸附保持有安裝框架MF的框架搬送裝置17係將安裝框架MF搬送至框架回收部6。被搬送的安裝框架MF係積載收納至匣盒41。
至此，將黏著膠帶DT貼附於晶圓W的一輪動作係結束。之後，重複進行上述處理直到安裝框架MF達到預定數目。如上述，藉由黏著片貼附裝置1，製造成為有黏著膠帶DT密接貼附在晶圓W之狀態的安裝框架MF。藉由第2貼附過程而成為有黏著膠帶DT貼附在晶圓W之狀態的安裝框架MF係相當於本發明的半導體裝置。
另外，在實施例1中係例示使用環形框架f來製造成為有黏著膠帶DT貼附在晶圓W之狀態的安裝框架MF時的情形，但使用黏著片貼附裝置1製造半導體裝置的製程並不限於使用環形框架f。亦即，亦可使用省略掉對環形框架f進行操作的各構成之黏著片貼附裝置1來將黏著膠帶DT貼附於晶圓W。此時，藉由進行實施例1的各步驟的各製程，對晶圓W密接貼附黏著膠帶DT。此時，藉由第2貼附過程的完成而成為有黏著膠帶DT貼附之狀態的晶圓W係相當於本發明的半導體裝置。
＜實施例1的構成產生的效果＞ 依據上述實施例1的裝置，係使用腔室進行第1貼附過程及第2貼附過程。亦即，在藉由第1貼附過程將黏著膠帶DT貼附到晶圓W後進行第2貼附過程，藉此，以對晶圓W精度更佳地密接的方式貼附黏著膠帶DT。藉由如上述的構成，對在一面具有環狀凸部Ka的晶圓W，既避免晶圓W破損的情況發生又能夠精度佳地貼附黏著膠帶DT。
在本發明的第1貼附過程中，係在腔室29的內部，將配置晶圓W的下空間H1的內部減壓。亦即，黏著膠帶DT及晶圓W的周邊空間係藉由減壓而被抽氣，因此，能夠在黏著膠帶DT接觸晶圓W而覆蓋晶圓W的背面時，防止氣體被牽引進黏著膠帶DT與晶圓W之間。因此，能夠避免因氣體被牽引進而導致的密接力的降低。
此外，在本發明的第2貼附過程中，係以使下空間H1及上空間H2的氣壓變得比大氣壓大的方式加壓，藉此，將黏著膠帶DT精度佳地貼附於晶圓W的背面。
當藉由使用真空裝置將腔室的內部減壓來使壓差Fa產生時，藉由自大氣壓狀態的減壓而產生的壓差Fa的大小係成為大氣壓以下。亦即，當利用壓差Fa令黏著膠帶DT推壓晶圓W時，令黏著膠帶DT對晶圓W的背面推壓的力的大小存在上限。
因此，在藉由因減壓而產生的壓差Fa令黏著膠帶DT接觸晶圓W的狀態，黏著膠帶DT與晶圓W的密接性係低。此外，在使用第1推壓構件進行的習知技術的構成中，只能令推壓力作用在黏著膠帶DT當中的有限部分。此外，該推壓力的大小亦不足，因此難以使黏著膠帶DT與晶圓W的密接性提升。
相對於此，在本發明中係使用加壓裝置32以使腔室29內的上空間H2及下空間H1的氣壓變得比大氣壓大的方式加壓。亦即，在第2貼附過程中係能夠使充分大於壓差Fa的推壓力V1、V2作用於黏著膠帶DT及晶圓W。此外，推壓力V1、V2係遍及貼附於晶圓W的黏著膠帶DT的全面作用。因此，藉由進行第2貼附過程，能夠大幅提升黏著膠帶DT與晶圓W的密接性，因此在一連串的貼附處理完成後即使經過一段時間，仍能夠避免黏著膠帶DT從晶圓W剝離。
此外，在第2貼附過程中係能夠藉由適宜地控制加壓裝置32，將推壓力V1及V2的大小調節成任意的值。因此，即使以黏著材Tb的構成材料、或晶圓W的尺寸及環狀凸部Ka的厚度作為例子的各種條件發生改變，仍能夠藉由適宜地調節推壓力V1及V2的大小，將黏著膠帶DT確實地貼附於晶圓W的環狀凸部形成面。此外，因為適切之大小的推壓力V1及V2遍及黏著膠帶DT全體均一地作用，故能夠避免因過多的推壓力的作用或推壓力的不均造成晶圓W破損的情況發生。 [實施例2]
以下，參照圖式，說明本發明的實施例2。在實施例1中係採用將長形的黏著膠帶DT遍及晶圓W的背面與環形框架f貼附後切斷成與工件的形狀(此處乃係晶圓W或環形框架f的形狀)相應的預定形狀的構成為例子進行了說明。在實施例2中係採用將已預先具有與工件的形狀相應的預定形狀的黏著膠帶貼附於該工件的構成為例子進行說明。另外，針對與實施例1的黏著片貼附裝置1相同的構成係僅止於標記相同的元件符號，針對不同的構成部分進行詳細說明。
首先，針對實施例2的黏著膠帶DT的構成說明。圖18(a)係顯示搬送用片P及黏著膠帶DT的背面側之立體圖，圖18(b)係搬送用片P及黏著膠帶DT的縱剖面圖。
實施例2的黏著膠帶DT係如圖18(a)所示，保持在長形的搬送用片P。亦即，在長形的搬送用片P的一面，以預定的節距貼附保持著預定形狀的黏著膠帶DT。黏著膠帶DT係已預先切斷成與晶圓W的環狀凸部Ka的形成面(在本實施例中為背面)的形狀相應的預定形狀。在實施例2中，設黏著膠帶DT已預先切斷成圓形形狀。
搬送用片P係如圖18(b)所示，具備有由非黏著性的基材Pa與具黏著性的黏著材Pb積層而成的構造。就構成基材Pa的材料的例子而言，可舉出聚烯烴、聚乙烯等。就構成黏著材Pb的材料的例子而言，可舉出丙烯酸酯共聚物等。藉由黏著膠帶DT的基材Ta貼附於搬送用片P的黏著材Pb，搬送用片P係將黏著膠帶DT予以保持。在本實施例中，黏著膠帶DT的形狀乃係圓形形狀，但能夠相應於晶圓W的形狀適宜變更。
實施例2的黏著片貼附裝置1係與圖3至圖6所示實施例1的裝置有共通的基本構成。惟在片供給部71係裝填已保持有複數個預先成型成預定形狀的黏著膠帶DT之搬送用片P。片切斷機構82係切斷貼附在環形框架f之部分的搬送用片P。片回收部74係構成為在藉由片切斷機構82切斷搬送用片P後，回收殘留在安裝框架MF周圍的不要的搬送用片P。
＜實施例2的動作＞ 此處，說明實施例2的黏著片貼附裝置1的動作。圖19係說明使用實施例2的黏著片貼附裝置1將黏著膠帶DT貼附於晶圓W的一連串製程之流程圖。針對與實施例1的黏著片貼附裝置1的動作相同的製程係簡化說明，針對不同的製程進行詳細說明。
步驟S1(工件的供給) 當貼附指令送出，便同實施例1一樣進行晶圓W及環形框架f的供給。亦即，收納在框架供給部12的環形框架f係藉由框架搬送裝置17移載至框架保持部38。接著，收納在容器5的晶圓W係藉由晶圓搬送裝置16，經由對準機7移載至保持台9。    當移載了環形框架f及晶圓W，下殼體29A便沿軌道40從初始位置朝貼附位置移動。保持台9移動到貼附位置的狀態係顯示於圖20。
步驟S2(黏著片的供給) 當進行了藉由晶圓搬送裝置16等進行的工件的供給，便在貼附單元13進行黏著膠帶DT的供給。亦即，從片供給部71將預定量的黏著膠帶DT一邊剝離分離膜S一邊與搬送用片P一起送出。整體為長形的搬送用片P係沿預定的搬送路徑朝貼附位置的上方被導引。此時，如圖21所示，保持在搬送用片P的黏著膠帶DT係以位在載置在保持台9的晶圓W的上方的方式進行定位(positioning)。
步驟S3(腔室的形成) 當黏著膠帶DT供給至保持台9的上方，便令腔室29形成。亦即，如圖22所示，貼附輥85下降。接著，一邊在搬送用片P上滾動一邊將搬送用片P遍及環形框架f及下殼體29A的頂部貼附。連動於該貼附輥85的移動，從片供給部71將預定量的黏著膠帶DT一邊剝離分離膜S一邊與搬送用片P一起送出。
當在環形框架f貼附了黏著膠帶DT，便令貼附輥85返回到初始位置，並且令上殼體29B下降。伴隨著上殼體29B的下降，如圖23所示，貼附在下殼體29A的頂部之部分的搬送用片P係被上殼體29B與下殼體29A夾持，形成腔室29。此時，搬送用片P作為密封材而發揮功能，並且腔室29係藉由黏著膠帶DT而分割成下空間H1與上空間H2。
步驟S4(第1貼附過程) 在使腔室29形成後，同實施例1一樣開始進行第1貼附過程。控制部33係令真空裝置31作動而將下空間H1內的氣壓與上空間H2內的氣壓減壓到預定值，接著，令上空間H2的氣壓變得比下空間H1的氣壓高。藉由該氣壓的控制，使下空間H1與上空間H2之間產生壓差Fa。藉由因壓差Fa造成的黏著膠帶DT的變形與保持台9的上升，如圖24所示，黏著膠帶DT係從中心部往外周部以放射狀地逐漸接觸晶圓W的背面，晶圓W的背面係被黏著膠帶DT覆蓋。
步驟S5(第2貼附過程) 在使用真空裝置31以黏著膠帶DT覆蓋晶圓W的背面後，同實施例1一樣令第2貼附過程執行。首先，控制部33係令保持台9下降，並且令加壓裝置32作動以將氣體供給至下空間H1及上空間H2，將下空間H1及上空間H2加壓到特定值。藉由加壓裝置32進行加壓操作，使下空間H1的氣壓及上空間H2的氣壓皆變得比大氣壓高。
藉由上空間H2的加壓，如圖25所示，從上空間H2朝黏著膠帶DT作用推壓力V1。此外，藉由下空間H1全體受到加壓，從下空間H1對晶圓W的朝下的面作用推壓力V2。亦即，藉由十分大的力即推壓力V1及推壓力V2的作用，使黏著膠帶DT精度佳地逐漸貼附於晶圓W的背面，晶圓W與黏著膠帶DT的密接性提升。
在將下空間H1及上空間H2加壓到比大氣壓高的氣壓的狀態下，使推壓力作用於黏著膠帶DT與晶圓W之間預定時間後，控制部33係令加壓裝置32停止。接著，控制部33係將電磁閥103、105、107、110設為全開使下空間H1及上空間H2向大氣開放。控制部33係令上殼體29B上升將腔室29開放，並且令保持台9上升使晶圓W的表面抵接保持台9的晶圓保持面。
步驟S6(搬送用片的切斷) 另外，於在腔室29內進行步驟S4及步驟S5的製程的期間，令片切斷機構82作動。在實施例2中，片切斷機構82係在切斷搬送用片P這點上不同於實施例1的製程。亦即，如圖26所示，切刀95將貼附在環形框架f的搬送用片P切斷成環形框架f的形狀，並且，推壓輥96追隨切刀95在環形框架f上的片切斷部位一邊滾動一邊推壓過去。
在將搬送用片P切斷成圓形後，令上殼體29B上升。在使上殼體29B上升後的時點，步驟S4及步驟S5的過程係已經完成，因此，令壓輥90上升，解除黏著膠帶DT的夾送。然後，令夾送輥86移動，將切斷後的不要的搬送用片P持續往片回收部74捲收過去進行回收，並且從片供給部71將預定量的黏著膠帶DT連同搬送用片P一起送出。
藉由到步驟S6為止的各製程，形成安裝框架MF。在實施例2的安裝框架MF，環形框架f及晶圓W透過黏著膠帶DT及搬送用片P而一體化。當將不要的搬送用片P捲收進行回收，夾送輥86及貼附輥85便返回到初始位置。接著，保持台9係在保持著安裝框架MF的狀態下從貼附位置移動至初始位置。
步驟S7(安裝框架的回收) 當保持台9返回到初始位置，同實施例1一樣，設置在框架搬送裝置17的吸附墊28便吸附保持有安裝框架MF，令安裝框架MF從下殼體29A脫離。吸附保持安裝框架MF的框架搬送裝置17係將安裝框架MF搬送至框架回收部6。搬送的安裝框架MF係積載收納至匣盒41。
至此，將黏著膠帶DT貼附於晶圓W的一輪動作係結束。之後，重複進行上述處理直到安裝框架MF達到預定數目。藉由使用實施例2的黏著片貼附裝置1，即使是使用預先切斷成預定形狀的黏著膠帶DT之情況，仍能夠獲得與實施例1相同的效果。亦即，在將黏著膠帶DT貼附於具有環狀凸部的晶圓W的環狀凸部形成面時，既可避免在晶圓W產生損傷又能夠將黏著膠帶DT精度佳地貼附於晶圓W。
另外，本說明書所揭示的實施形態之各點均為例子而已，並非作為限制用。本發明之範圍，並不限於上述實施型態之說明，而是如申請專利範圍所示，且包含與申請專利範圍均等之意義以及範圍內之所有改變(變形例)。就例子而言，本發明係能夠實施如下述的變形。
(1)在各實施例的步驟S4中，係在將下空間H1及上空間H2的氣壓減壓到預定值後，藉由將上空間H2的氣壓回復到大氣壓使壓差Fa產生，但步驟S4的氣壓的調整並不限於此。亦即，亦可在將下空間H1及上空間H2的氣壓減壓到預定值後，一邊將下空間H1的氣壓維持在該預定值，一邊適宜調整電磁閥105的開度以產生漏洩。
此時，上空間H2的氣壓係以從預定值上升至比大氣壓低的特定的值的方式控制，藉由該控制，使壓差Fa產生。在藉由壓差Fa而以黏著膠帶DT覆蓋晶圓W的環狀凸部形成面後，控制部33係將電磁閥103、105、107、110設為全開使上空間H2及下空間H1向大氣開放。藉由該向大氣開放，第1貼附過程係完成。
在如各實施例所示將上空間H2的氣壓回復至大氣壓來使壓差Fa產生的構成中，能夠使壓差Fa更大，因此能夠更快速地完成使黏著膠帶DT變形而以黏著膠帶DT覆蓋晶圓W的環狀凸部形成面的過程。另一方面，在如(2)的變形例所示將上空間H2的氣壓調整為比下空間H1的氣壓高但比大氣壓低的特定值來使壓差Fa產生的構成中，則能夠降低黏著膠帶DT的變形速度。因此，能夠避免黏著膠帶DT在下空間H1的抽氣還沒完成前過早覆蓋晶圓W的環狀凸部形成面的情況發生，因此能夠防止在黏著膠帶DT與晶圓W之間產生空隙(void)。
(2)在各實施例的步驟S5中，加壓裝置32係對下空間H1及上空間H2雙方的內部加壓，但並不限於此。亦即，加壓裝置32係亦可僅將上空間H2加壓至比大氣壓高的氣壓，藉由推壓力V1精度更佳地貼附黏著膠帶DT。
就僅對上空間H2加壓的構成的更進一步的變形例而言，亦可為下述構成：一邊將下空間H1的內部以減壓成比大氣壓低的氣壓的狀態維持，一邊藉由將上空間H2的內部以成為比大氣壓高的氣壓的方式加壓而將黏著膠帶DT貼附。在該構成中係，在步驟S4進行藉由壓差Fa進行的第1貼附過程後，一邊維持下空間H1的氣壓減壓成預定值的狀態，一邊將連接至上空間H2的電磁閥105打開而僅令上空間H2向大氣開放。接著，在步驟S5令加壓裝置32作動，將上空間H2的內部加壓以使氣壓變得比大氣壓高。
在該變形例中係，在步驟S5，在令保持台9上升使保持台9抵接在晶圓W的背面的狀態下，對上空間H2的內部加壓而進行第2貼附過程。藉由在利用保持台9保持晶圓W的狀態下對上空間H2進行加壓使推壓力V1產生，即使為下空間H1減壓成比大氣壓低的狀態，仍能夠使推壓力V1遍及黏著膠帶DT及晶圓W的全面均等地作用。
(3)在各實施例的步驟S4中，係使用真空裝置31使腔室29的內部產生壓差Fa，藉此使黏著膠帶DT變形成凸狀而接觸晶圓W的環狀凸部形成面，但使黏著膠帶DT變形成凸狀的方法並不限於使壓差Fa產生的構成。亦即，亦可如圖28所示為在上殼體29B的內部具備推壓構件141的構成。
推壓構件141係底面形成為凸狀(就一例而言為半球狀)，以位在黏著膠帶DT的上方的方式配設。因此，藉由令推壓構件141下降，使形成為凸狀的推壓構件141的底面推壓黏著膠帶DT，黏著膠帶DT係變形成凸狀而能夠接觸晶圓W。此時，能夠省略掉產生壓差Fa所需的構成。此外，就使黏著膠帶DT變形成凸狀的其他構成而言，可舉出使用輥等從黏著膠帶DT上方推壓的構成等。
(4)在各實施例，係以將支撐用的黏著膠帶DT貼附於晶圓W的構成為例子進行了說明，但貼附於晶圓W的黏著片並不限於此。只要是貼附以電路保護用的黏著膠帶作為例子的片狀的黏著材的構成，則能夠適用各實施例的構成。
(5)在各實施例，就作為貼附黏著片之對象的工件而言，係例示了晶圓W及環形框架f，但工件並不限於此。就一例而言，亦可省略環形框架f，將黏著片僅貼附於晶圓W。此外，本實施例的構成係能夠適用基板、面板(panel)等各種半導體用構件作為工件。此外，就工件的形狀而言，除了圓形形狀，亦可為矩形形狀、多邊形形狀、大致圓形形狀等。
(6)在各實施例，係令保持台9在預定的時點(timing)升降移動來將黏著膠帶DT貼附於晶圓W，但保持台9的升降移動係亦可適宜變更。就一例而言，並不限為步驟S5的加壓處理係在令保持台9下降後進行的構成，亦可一邊維持上升狀態一邊進行加壓處理。
(7)在各實施例，框架保持部38係配設在下殼體29A的外部，但亦可將框架保持部38設在下殼體29A的內部。此時，自步驟S4以後的過程係在將環形框架f及晶圓W的各者收納在腔室29的內部的狀態下進行。
(8)在實施例2，黏著膠帶DT係以成為與晶圓W的環狀凸部形成面的形狀相應的預定形狀的方式預先成型，但並不限於此。亦即，片供給部71係亦可裝填添設有長形的搬送用片P的長形的黏著膠帶DT。添設有長形的搬送用片P的長形的黏著膠帶DT的構成係如同圖29(a)所示。此時，黏著片貼附裝置1係在腔室29的上游具備片切斷裝置201，片切斷裝置201將長形的黏著膠帶DT成型成預定形狀。
片切斷裝置201的構成係如同圖29(b)所示。片切斷裝置201係具備有支撐台203、切刀205、及黏著片回收部207。另外，從片供給部71放出的黏著膠帶DT及搬送用片P係藉由未圖示的翻面裝置而翻面，以黏著膠帶DT成為在搬送用片P上側的狀態供給至片切斷裝置201。
支撐台203係配設成將從片供給部71沿方向L送出而供給過來的長形的黏著膠帶DT及搬送用片P當中的為在下側的搬送用片P水平地承接。切刀205係配設在支撐台203的上方，藉由未圖示的可動台而能夠升降移動。就切刀205的一例而言，使用圓環狀的湯姆森刀(Thomson blade)。
藉由切刀205下降，黏著膠帶DT與搬送用片P當中的黏著膠帶DT的層被切出成圓環狀的軌跡K的形狀。切刀205切斷黏著膠帶DT的構成並不限於此，就其他例子而言，可舉出令刀(knife)狀的切刀205沿圓形形狀的軌道移動，將黏著膠帶DT切出成圓形形狀的構成等。
黏著片回收部207係將切斷成圓形形狀的黏著膠帶DT的周圍剩下的不要的黏著膠帶DTn回收。不要的部分的黏著膠帶DTn係在通過饋送輥208後立即從搬送用片P剝離。剝離的黏著膠帶DTn係藉由導引輥209而導引至回收筒管210。回收筒管201係將從搬送用片P剝離下來的黏著膠帶DTn捲收進行回收。因此，藉由片切斷裝置201，成為藉由切刀205成型成圓形的黏著膠帶DT殘留在搬送用片P上的狀態。
切斷成圓形的黏著膠帶DT係與搬送用片P一起導引至腔室29。另外，黏著膠帶DT及搬送用片P係在片切斷裝置201的下游藉由未圖示的翻面裝置再次翻面，以黏著膠帶DT成為在搬送用片P下側的狀態導引至腔室29。
(9)在各實施例，亦可如圖30(a)所示，腔室29係具備片狀彈性體Ds。以下，以實施例2的構成作為例示來針對本變形例進行說明。
彈性體Ds係配設在上殼體29B的內部，以與上殼體29B的內徑相接的方式構成。此外，以彈性體Ds的下表面與上殼體29B的圓筒底部成為齊平的方式構成。因此，當下殼體29A與上殼體29B夾住搬送用片P而形成腔室29時，彈性體Ds便與搬送用片P抵接。具體而言，在搬送用片P，係在保持黏著膠帶DT之面的相反側(在圖中為上表面側)抵接彈性體Ds。藉由將以彈性體Ds與下殼體29A的內徑相接的方式配設，在形成腔室29時，使彈性體Ds不會被夾到，因此，能夠防止腔室29的密閉性因彈性體Ds而下降。就構成彈性體Ds的材料的例子而言，可舉出橡膠、彈性物、或膠(gel)狀的高分子材料等。
藉由腔室29具備彈性體Ds，在步驟S4使黏著膠帶DT變形成凸狀時，能夠使黏著膠帶DT的彎曲率更加均一。此處，針對具備彈性體Ds的構成的效果進行說明。就一例而言，當黏著膠帶DT以比較硬的材料構成時，如圖30(b)所示，黏著膠帶DT的彎曲率容易變得不均一。
亦即，在搬送用片P當中有黏著膠帶DT保持在搬送用片P的區域P1，因存在硬的黏著膠帶DT，藉由壓差Fa造成的搬送用片P的彎曲率小。另一方面，在搬送用片P當中的沒有黏著膠帶DT保持在搬送用片P的區域P2，藉由壓差Fa造成的搬送用片P的彎曲率比較大。亦即，區域P2比較容易因壓差Fa而變形，藉此，使區域P1的搬送用片P的彎曲率更進一步下降。
此外，在黏著膠帶DT當中的靠近區域P2側，黏著膠帶DT的彎曲率變大，在黏著膠帶DT的中央部，黏著膠帶DT的彎曲率變小。如上述，在黏著膠帶DT及搬送用片P各者，藉由壓差Fa造成的彎曲率變得不均一。結果，對於貼附到晶圓W的黏著膠帶DT，黏著膠帶DT與晶圓W的密接性降低。
另一方面，當具備彈性體Ds時，如圖30(c)所示，藉由壓差Fa使彈性體Ds全體均一地呈凸狀變形。因此，搬送用片P在區域P1的彎曲率提升，與在區域P2的彎曲率之差變小，因此，搬送用片P及黏著膠帶DT的彎曲率係整體上變得均一。亦即，黏著膠帶DT係變得容易相應於晶圓W的環狀凸部形成面的形狀而變形，因此，能夠更進一步提升黏著膠帶DT與晶圓W的密接性。
(10)在各實施例，亦可復具備對黏著膠帶DT進行加溫的構成。就對黏著膠帶DT進行加溫的構成的一例而言，片貼附機構81係如圖31(a)所示，在上殼體29B的內部具有加溫機構120。加溫機構120係具備缸體121及加溫構件123。缸體121係連結至加溫構件123的上部，藉由缸體121的動作，加溫構件123係能夠在腔室29的內部升降。另外，加溫構件123係只要能夠對黏著膠帶DT進行加溫，則亦可不是能夠升降移動的構成。
在加溫構件123的內部係埋設有對黏著膠帶DT進行加溫的加熱器(heater)125。藉由加熱器125進行的加溫的溫度係以成為使黏著膠帶DT變得柔軟的溫度的方式進行調整。就該加溫的溫度的一例而言，可舉出50℃至70℃左右。加溫構件123的底面的形狀係可相應於晶圓W的形狀而變更。就一例而言，加溫構件123係整體形成為圓柱狀。
另外，較佳為在開始進行步驟S4前預先使用加溫機構120使上空間H2加溫。亦即，控制部33係令加熱器125作動使加溫裝置123加溫至預定的溫度。藉由加溫裝置123進行加溫，使上空間H2藉導熱效果加溫，進而加溫黏著膠帶DT。
黏著膠帶DT係藉由加溫而變得柔軟，因此，藉由壓差Fa產生的黏著膠帶DT的變形性提升。亦即，在以黏著膠帶DT覆蓋晶圓W時，能夠更進一步提升黏著膠帶DT對晶圓W的跟隨性。另外，亦可如圖31(b)所示，以接近或抵接黏著膠帶DT的方式令加溫構件123下降，以加溫構件123直接加溫黏著膠帶DT。
(11)在實施例，加溫機構120乃係配設在腔室29的上空間H2之側且對上空間H2進行加溫的構成，但並不限於此。亦即，加溫機構120係亦可為對下空間H1進行加溫的構成。就一例而言，可舉出將加熱器125配設在保持台9的內部，藉由加熱器125對下空間H1進行加溫而加溫黏著膠帶DT的構成。此外，加溫機構120係亦可為對上空間H2及下空間H1雙方進行加溫的構成。
1:黏著片貼附裝置 3:晶圓搬送機構 5:容器 6:框架回收部 7:對準機 9:保持台 12:框架供給部 13:貼附單元 16:晶圓搬送裝置 17:框架搬送裝置 23:保持臂 27:吸附板 28:吸附墊 31:真空裝置 32:加壓裝置 33:控制部 38:框架保持部 71:片供給部 72:分離膜回收部 73:片貼附部 74:片回收部 81:片貼附機構 82:片切斷機構 85:貼附輥 86:夾送輥 95:切刀 f:環形框架 DT:黏著膠帶 P:搬送用片 MF:安裝框架 Ta:基材 Tb:黏著材 Pa:基材 Pb:黏著材
圖1係顯示實施例1的半導體晶圓的構成之圖；(a)係半導體晶圓的局部剖切立體圖，(b)係半導體晶圓的背面側的立體圖，(c)係半導體晶圓的局部縱剖面圖。 圖2係顯示實施例1的黏著片的構成之剖面圖。 圖3係實施例1的黏著片貼附裝置的俯視圖。 圖4係實施例1的黏著片貼附裝置的前視圖。 圖5係實施例1的貼附單元的前視圖。 圖6係實施例1的腔室(chamber)的縱剖面圖。 圖7係顯示實施例的黏著片貼附裝置的動作之流程圖。 圖8係實施例1的安裝框架的立體圖。 圖9係說明實施例1的步驟S2之圖。 圖10係說明實施例1的步驟S3之圖。 圖11係說明實施例1的步驟S3之圖。 圖12係說明實施例1的步驟S4之圖。 圖13係說明實施例1的步驟S4之圖。 圖14係說明實施例1的步驟S5之圖。 圖15係說明實施例1的步驟S6之圖。 圖16係說明實施例1的步驟S6之圖。 圖17係說明實施例的步驟S7之圖。 圖18係顯示實施例2的黏著片及搬送用片的構成之圖；(a)係黏著片及搬送用片的背面側的立體圖，(b)係黏著片及搬送用片的縱剖面圖。 圖19係顯示實施例2的黏著片貼附裝置的動作之流程圖。 圖20係說明實施例2的步驟S2之圖。 圖21係說明實施例2的步驟S2之圖。 圖22係說明實施例2的步驟S3之圖。 圖23係說明實施例2的步驟S3之圖。 圖24係說明實施例2的步驟S4之圖。 圖25係說明實施例2的步驟S5之圖。 圖26係說明實施例2的步驟S6之圖。 圖27係說明實施例2的步驟S6之圖。 圖28係說明變形例的構成之圖。 圖29係說明變形例的構成之圖；(a)係顯示變形例的黏著膠帶及搬送用片的構成之縱剖面圖，(b)係說明變形例的片切斷裝置的構成之縱剖面圖。 圖30係說明變形例的構成之圖；(a)係顯示具備變形例的彈性體的構成之縱剖面圖，(b)係說明在不具有彈性體的構成中可能會發生的問題點之圖，(c)係說明具有彈性體的構成的優點之圖。 圖31係說明變形例的構成之圖；(a)係顯示具備變形例的加溫機構的構成之縱剖面圖，(b)係說明藉由加溫機構對黏著膠帶進行加溫的製程的一例之縱剖面圖。
9:保持台
29:腔室
29A:下殼體
35:桿
37:致動器
DT:黏著膠帶
f:環形框架
H1:下空間
H2:上空間
He:扁平凹部
Ka:環狀凸部
Kf:內側角落部
V1:推壓力
V2:推壓力
W:晶圓

Claims (10)

  1. 一種黏著片貼附方法，其特徵為具備下述過程： 第1貼附過程，係將在一面的外周具有環狀凸部的工件、及黏著片收容於腔室，在將前述腔室的內部空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面，藉此以前述黏著片覆蓋前述環狀凸部形成面；及 第2貼附過程，係在前述第1貼附過程後，提高前述腔室的內部空間的壓力，藉此將前述黏著片貼附於前述環狀凸部形成面。
  2. 如請求項1之黏著片貼附方法，其中在前述第1貼附過程中，係使前述黏著片朝前述工件的環狀凸部形成面變形成凸狀，藉此，使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
  3. 如請求項1之黏著片貼附方法，其中在前述第2貼附過程中，係將前述腔室的內部空間的壓力提高為大氣壓以上的壓力。
  4. 如請求項2之黏著片貼附方法，其中前述腔室係具備上殼體及下殼體； 前述第1貼附過程係具有下述過程： 上下空間形成過程，係藉由前述上殼體與前述下殼體將前述黏著片夾住，藉此，將前述腔室的內部空間區隔成供配置前述環狀凸部形成面朝上之狀態的前述工件之下空間、及隔著前述黏著片而與前述下空間相對向之上空間； 上下空間減壓過程，係將前述上空間及前述下空間減壓；及 接觸過程，係在前述上下空間減壓過程後，將前述上空間的壓力形成為比前述下空間的壓力高而藉由前述上空間與前述下空間之間產生的壓差使前述黏著片朝前述環狀凸部形成面變形成凸狀，而使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
  5. 如請求項2之黏著片貼附方法，其中前述腔室係具備上殼體及下殼體； 前述第1貼附過程係具有： 上下空間形成過程，係利用前述上殼體與前述下殼體將前述黏著片夾住，藉此將前述腔室的內部空間區隔成供配置前述環狀凸部形成面朝上之狀態的前述工件之下空間、及隔著前述黏著片而與前述下空間相對向之上空間；及 減壓接觸過程，係藉由僅對前述上空間與前述下空間當中的前述下空間進行減壓而在前述上空間與前述下空間之間所產生的壓差，使前述黏著片朝前述環狀凸部形成面變形成凸狀，而在前述下空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
  6. 如請求項4或5之黏著片貼附方法，其中前述黏著片係具有與前述工件的環狀凸部形成面相應的預定形狀，保持在前述長形的搬送用片； 前述上下空間形成過程係藉由以前述上殼體與前述下殼體夾住前述搬送用片，將前述腔室的內部空間區隔成供配置前述環狀凸部形成面朝上之狀態的前述工件之下空間、及隔著保持在前述搬送用片的前述黏著片而與前述下空間相對向之上空間。
  7. 如請求項4或5之黏著片貼附方法，其中具備配置在前述上殼體內部的片狀彈性體； 前述片狀彈性體係以在前述上下空間形成過程中藉由形成前述腔室而使前述片狀彈性體抵接於前述黏著片的方式配設。
  8. 如請求項4或5之黏著片貼附方法，其中具備藉由對前述下空間及前述上空間中的至少一者進行加溫而加溫前述黏著片的加溫過程； 前述第1貼附過程係使藉由前述加溫過程而經加溫之狀態的前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面。
  9. 一種黏著片貼附裝置，其特徵為具備： 第1貼附機構，係將在一面的外周具有環狀凸部的工件、及黏著片收容於腔室，在將前述腔室的內部空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面，藉此以前述黏著片覆蓋前述環狀凸部形成面；及 第2貼附機構，係在前述第1貼附過程後，提高前述腔室的內部空間的壓力，藉此將前述黏著片貼附於前述環狀凸部形成面。
  10. 一種半導體製品的製造方法，係製造形成為在一面的外周具有環狀凸部的工件的環狀凸部形成面貼附有黏著片之狀態的半導體製品， 前述半導體製品的製造方法的特徵為具備： 第1貼附過程，係將前述工件及前述黏著片收容於腔室，在將前述腔室的內部空間減壓的狀態下使前述黏著片接觸前述工件的環狀凸部形成面，藉此以前述黏著片覆蓋前述環狀凸部形成面；及 第2貼附過程，係在前述第1貼附過程後，提高前述腔室的內部空間的壓力，藉此將前述黏著片貼附於前述環狀凸部形成面。
TW110113911A 2020-06-09 2021-04-19 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法 TW202147506A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-100019 2020-06-09
JP2020100019 2020-06-09
JP2021-015588 2021-02-03
JP2021015588A JP2021197543A (ja) 2020-06-09 2021-02-03 粘着シート貼付け方法、粘着シート貼付け装置、および半導体製品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202147506A true TW202147506A (zh) 2021-12-16

Family

ID=78835818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110113911A TW202147506A (zh) 2020-06-09 2021-04-19 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20210152954A (zh)
CN (1) CN113782477A (zh)
TW (1) TW202147506A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI820938B (zh) * 2022-09-29 2023-11-01 強茂股份有限公司 晶粒吸取輔助裝置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013232582A (ja) 2012-05-01 2013-11-14 Nitto Denko Corp 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI820938B (zh) * 2022-09-29 2023-11-01 強茂股份有限公司 晶粒吸取輔助裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210152954A (ko) 2021-12-16
CN113782477A (zh) 2021-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5589045B2 (ja) 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置
KR101543630B1 (ko) 시트 첩부 장치 및 첩부 방법
JP5797623B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
JP6276988B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
KR20100127713A (ko) 웨이퍼 마운트 방법과 웨이퍼 마운트 장치
JP2013232582A (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
TW202147506A (zh) 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法
JP6298381B2 (ja) 基板貼合せ方法および基板貼合せ装置
TW202147507A (zh) 黏著片貼附方法、黏著片貼附裝置及半導體製品的製造方法
JP2021197543A (ja) 粘着シート貼付け方法、粘着シート貼付け装置、および半導体製品の製造方法
JP2021197544A (ja) 粘着シート貼付け方法、粘着シート貼付け装置、および半導体製品の製造方法
CN113471085A (zh) 器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法
TW202236495A (zh) 工件與片材的一體化方法、工件與片材的一體化裝置及半導體製品的製造方法
KR20210015672A (ko) 시트재 첩부 방법 및 시트재 첩부 장치
JP7285133B2 (ja) シート材貼付け方法およびシート材貼付け装置
TW201832280A (zh) 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置
JP2011238966A (ja) 基板貼合せ方法
CN108470692B (zh) 粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置
TW202141653A (zh) 元件密封方法、元件密封裝置及半導體製品的製造方法
TW202205454A (zh) 元件密封方法、元件密封裝置及半導體製品的製造方法